JP4027580B2 - Charged particle beam equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、荷電粒子ビームを用いた検査装置、加工装置あるいは描画装置等の装置の使用に際して、半導体ウェハ等の板状の試料を装着する試料ホルダ及び試料交換室(予備排気室)と試料室とを備えた荷電粒子ビーム装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体ウェハの径が大きくなり、かつパターンが微細化するに従い、走査電子顕微鏡(SEM)等の荷電粒子ビームを用いたウェハ等の検査装置にとって、静電吸着力を利用した静電チャック装置は極めて有用になっている。即ち、パターンの微細化に対応すべく分解能を極限にまで高めたSEMにおいては、その焦点深度が小さくなっているので、試料の表面は十分に平坦であることが要求される。しかし試料の厚さが薄くかつ径が大きい最近の半導体ウェハでは、試料を単に試料ステージに載置し固定しただけでは、試料の表面は十分に平坦にはならないからである。このようなとき、静電チャック装置を用いれば平坦化は容易となる。
【0003】
また、試料を試料ホルダに装填した上で試料ホルダ側ごと装置に挿入する方式は、所定の形状以外の材料を試料とする場合には、試料ホルダだけを交換すればよく、応用範囲が広がり大変便利な方法である。しかしこの場合、当然静電チャック装置を試料ホルダ側に組み込む必要がある。
【0004】
しかしながら、静電チャック装置にも弱点がある。即ち、静電によるダストの吸着と試料の離脱が困難な場合があることである。また、静電チャック装置を試料室に直接組み込むのではなく、試料ホルダ側に組み込むようにすれば、吸着してしまったダストのクリーニングや静電チャック装置の保守は容易になるものの、試料交換室から試料室に装着する際の静電チャック電源との接続をどうするかとか、真空の排気やベントを頻繁に行う試料交換室においてはダストが舞い上がり易く静電チャックの吸着に伴いダストが静電チャックに吸着される可能性が高い等の問題がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述した問題点を解決すべくなされたものであり、静電チャック装置を試料ホルダ側に組み込みながら静電チャック電源との接続問題を回避し、更には静電によるダストの吸着を軽減し、試料の離脱も容易にすることを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の荷電粒子ビーム装置は、試料交換室と該試料交換室を介して半導体ウエハの板状の試料を装着する試料ホルダを装填する試料室とを備えた荷電粒子ビーム装置において、前記試料ホルダには、静電チャック装置と、該静電チャック装置への受電端子手段と、試料の位置を規定するための基準部と、前記試料を前記基準部に押し当てて位置決めし、該位置を保持するための駆動部とを備え、前記試料交換室には、前記駆動部を駆動する手段を備え、前記試料室には、前記受電端子手段を介して前記静電チャック装置に電力を供給する手段を備えたことを特徴とする。
【0007】
本発明の荷電粒子ビーム装置は、更に加えて、前記試料ホルダには前記試料が前記駆動部によって駆動される方向に前記試料を乗せて倒れるようになした可倒型の試料リフト手段を備え、前記可倒型の試料リフト手段は前記駆動部と連動するようになしたことを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0011】
図1から図6は、本発明の試料ホルダおよび試料ホルダ機構の実施形態の一例を示している。図1は試料ホルダの平面図であり、図2は断面図である。図3は部分の詳細を説明するための図である。更に、図4は試料交換室(予備排気室)の構成と試料ホルダの関係と動作を説明するための図である。図5は試料室の構成と試料ホルダの関係と動作を説明するための図である。図6は試料室と試料交換室及び試料搬送装置との関係を説明するための図である。
【0012】
図6において、10は試料交換室(予備排気室)、20は試料Wの検査、加工あるいは描画を行う試料室である。図6の他の構成については後述する。
【0013】
図1および2の構成で、Wは半導体ウェハ試料、1は試料ホルダ、2は静電チャックであって、中央に孔の開いたドーナツ型のものである。3は試料Wを試料ホルダ1に装脱着する際、試料Wを支えるリフト(後述する)が試料ホルダ1および静電チャック2貫通するためのリフト貫通孔、4は試料Wの位置決めのための基準ピン、5は試料1の位置決め及び試料保持のための駆動ピン、6は静電チャック2に所望の電圧を印加するための接点、7は試料ホルダ1の基準面である。
【0014】
駆動ピン5は、図3(a)に示すようなコの字型の板5bに取りつけられ、板5bは、図3(a)(b)に示すようにばね5dで基準ピン4の方向に力が与えられ、更に、図3(b)に示すように爪5aを有している。更に、図1に示すように試料ホルダ1には貫通孔1aが開けられ、駆動ピン5が試料ホルダ1の上面に飛び出ているようになっている。図1において8は可倒式の補助リフトである。補助リフト8は、図1の試料ホルダ1に開けられた貫通孔1bを貫通して試料ホルダ1の上面にその先端(図3(c)と(d)の頭部8a)が飛び出ているようになっている。補助リフト8は、図3(c)に示すように8bを支点とし、ばね8cで、試料Wが駆動ピン5によって駆動される方向に試料Wを乗せて倒れるように力が与えられていて、頭部8aは静電チャック2の上面よりも低くなっている。8dは補助リフト8の駆動材である。駆動材8dを矢印方向に駆動する(図示しないが、この駆動材8dは板5bと連結していて、図3(b)の爪5aが駆動されると同時に動く)と補助リフト8が立ち上がって頭部8aが静電チャック2の上面よりも高くなるようになっている。図3(d)は可倒式の補助リフトの変形例である。ただし、この場合は8dの駆動方向は図3(c)とは逆となる。
【0015】
更に、図4(a)において、11は試料交換室10内の試料ホルダ乗せ台、12は試料ホルダ1を位置決めする位置決めピン、13は試料ホルダ1を位置決めする際の駆動ピンであって、矢印の方向に駆動すると試料ホルダ1は位置決め・固定される。14aは、リフト貫通孔3を貫通して試料Wを上下させるリフトである。14はリフト14aを上下に駆動するためのリフト駆動装置である。図4(b)において、15aは爪5aを駆動する駆動材、15は駆動材15aと爪5aを介して駆動ピン5を駆動するための駆動ピン駆動装置であって、駆動材15aを矢印方向に駆動すると、爪5aを介して駆動ピン5が矢印方向に駆動され、試料Wの保持は開放される。駆動ピン駆動装置15を駆動して駆動材15aを矢印の逆方向に駆動すると、ばね5dの働きで試料Wは基準ピン4に押し付けられる。
【0016】
更に、図5において、21は試料室内の試料ステージであって、試料Wを所望の位置に移動・駆動できる。22は試料ホルダ1の位置決めピン、23は試料ホルダ1の位置決め及び保持のための駆動ピンであって、矢印の方向に駆動すると試料ホルダ1は位置決め・固定される。24は静電チャック2に所望の電圧を印加するための試料ステージ21側の接点であって、試料ホルダ1が位置決め・固定されると接点5と接点る24とが接続される。
【0017】
図6において、50はウェハ収納容器、51はウェハ収納容器50から検査装置の試料交換室(予備排気室)10にウェハ試料1を搬送するための試料搬送装置、52は試料交換室10内と装置外とを真空的に遮断しかつ試料Wを出し入れするための仕切り弁、53は同じく試料室21と試料交換室11との間の仕切り弁である。54は試料Wの検査、加工あるいは描画を行うための荷電粒子ビーム光学系である。
【0018】
このような構成の動作について次に説明する。
【0019】
まず始めに、試料Wの装着の場合について説明する。試料室20と試料交換室(予備排気室)10との間の仕切り弁53を閉にし、試料交換室10内を図示しない真空ベント弁によって大気圧にし、更に、試料交換室10と装置外との間の仕切り弁52を開にする。このとき、試料ホルダ乗せ台11に装着されている試料ホルダ1は、位置決めピン12と駆動ピン13によって決まる所定の位置にあり、更に、リフト14aは上方の位置(リフト14aの上面が、静電チャック2の上面および補助リフト8が立ち上がっているときの頭部8aよりも高い位置)にあり、かつリフト14a上に試料Wは無い状態である。
【0020】
次いで、試料搬送装置51によって、ウェハ収納容器50からウェハ等の試料Wが取り出されてリフト14a上に載置される。試料Wがリフト14a上に載置されると、試料交換室10と試料搬送装置51との間の仕切り弁52を閉にして真空的に切り離し、図示しない真空排気装置によって試料交換室10内の大気は排気され、試料交換室10内は真空となる。
【0021】
試料Wを載置したリフト14aは、試料ホルダ乗せ台11に設けられたリフト駆動装置14によって、下方に下げられ、試料Wは補助リフト8の頭部8a上に載置される。更に、試料ホルダ乗せ台11に設けられた駆動ピン駆動装置15が駆動ピン5を駆動することによって、試料Wは基準ピン4に押し付けられるようにして、位置決めされ、かつ水平方向には動かないように保持されることになる。このとき、補助リフト8も連動して基準ピン4の方向に倒されて、補助リフト8の頭部8a上に乗った試料Wはスムーズに基準ピン4側に押し付けられ位置決めされる。
【0022】
試料Wが位置決めされると、駆動ピン13は図示しない駆動装置によって位置決めピン12の逆の方向に駆動され、試料ホルダ1の固定は開放される。次いで、試料室20と試料交換室10との間の仕切り弁53を開にして、図示しない試料ホルダ移動装置によって、試料ホルダ1は試料ホルダ乗せ台11から試料ステージ21へと移動・装填される。続いて、駆動ピン23は図示しない駆動装置によって位置決めピン22の方向に駆動されると、試料ホルダ1の基準面7が位置決めピン22に押し付けられるようにして位置決めされる。そして試料ホルダ1が位置決め・固定されると、それに伴って試料ホルダ1に設けた接点6と試料ステージ21に設けた接点24とが接続され、静電チャック2に所望の電圧が印加されて、静電チャック2は吸着力を得て試料Wを静電チャック2面上に吸着する。
【0023】
このようにした後、試料W上の所望の場所について、ウェハ検査装置であれば検査を行い、加工装置であれば加工を行い、描画装置であれば描画を行う。
【0024】
次に、試料Wの脱着の場合について説明する。まず、試料交換室10と装置外との間の仕切り弁52を閉にし、試料交換室10内を真空にした上で、試料交換室10と試料室20との間の仕切り弁53を開にし、図示しない駆動装置を駆動して駆動ピン23を位置決めピン22の逆の方向に動かして緩めて、試料ホルダ1が脱着可能な状態にした上で、図示しない前記試料ホルダ移動装置によって、試料ホルダ1は試料ステージ21から試料ホルダ乗せ台11へと移動される。この操作に伴って、試料ホルダ1に設けた接点6と試料ステージ21に設けた接点24とが離れ、静電チャック2は吸着力を失う。次いで、駆動ピン13の図示しない駆動装置を駆動して駆動ピン13を位置決めピン12の方向に駆動して、試料ホルダ1を位置決め・固定する。続いて、駆動装置15が駆動ピン5を基準ピン4の逆の方向に駆動することによって、駆動ピン5は試料Wから離れ、かつ倒れていた補助リフト8が8dを介して立ち上がり、頭部8aによって試料Wは確実に静電チャック2から離脱すると共に、試料Wは基準ピン4からも離れる。更に続いて、リフト14aが、リフト駆動装置14によって、上方に上げられ、これと並行或いは前後して、試料室20と試料交換室10との間の仕切り弁53を閉にする。
【0025】
仕切り弁52が閉になったら、図示しない前記真空ベント弁によって試料交換室10を大気圧にした上で、試料交換室10と装置外との間の仕切り弁52を開にし、リフト14a上に載置されている試料Wを、試料搬送装置51によって取りだし、前記ウェハ収納容器50または別のウェハ収納容器に収める。
【0026】
本発明では、上記のように、試料ホルダ1に静電チャック2を組み込み、機械的な試料位置合わせと一時的な試料位置の保持のために、基準ピン4と駆動ピン5を設け、更に、試料ホルダ1側に接点6を、試料ステージ21側に接点24を設けて、静電チャック2への電圧の印加は、試料ホルダ1が試料ステージ21に装着されたときのみ行うようにした。更に、試料Wの装着・脱着を容易かつ確実にするために可倒型の補助リフト8を設けた。
【0027】
以上本発明の実施の形態を説明したが、本発明は上記形態に限定されるものではない。例えば、前記実施の形態では、静電チャック2はドーナツ型としその中央にリフト14aを貫通させたが、ドーナツ型でない静電チャックを用いてリフトは静電チャックの周りに複数個設けてもよい。また、接点6および24は静電チャック2への電圧印加用として説明したが、荷電粒子ビームの吸収電流測定用の端子や試料にバイアス電圧を掛けるための端子等の複数の接点を持たせてもよい。更に、試料ホルダ1の基準面7は下に開いたテーパ型とし、位置決めピン12、22、駆動ピン13、23等も上に開いたテーパ型とすると試料ホルダ1の固定がより確実にできる。同様に、駆動ピン5も上に開いたテーパ型としてもよい。
【0028】
更に、前記実施の形態では、可倒型補助リフト8は、駆動ピン5と連動して動くと説明したが、それぞれ独立に駆動してもよい。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明においては、機械的な試料位置合わせ機構を一時的な試料保持機構として利用することによって、静電チャック2への電圧の印加は試料室20内でのみで行うことができ、最もダストの舞い上がりが起こり得る試料交換室10内では印加しないようにしたので、静電チャック2へのダストの吸着が押さえられる。また、これによって、試料交換室10から試料室20への試料ホルダ1の移動の際の静電チャック2への電圧供給のための機構を不要にした。
【0030】
更に、可倒型の補助リフト8を設けることによって、試料Wの位置合わせの際の静電チャック2の上面と試料W下面との摩擦による抵抗やダストの発生を防ぎ、更には静電チャック2からの試料Wの脱着を容易にした。この補助リフト8の採用によって、ばね5dは十分弱くでき、静電チャック2の吸着の際、無用な力が試料Wに掛からず、試料W面の平坦化がスムーズに得られる。更に、試料Wの脱着に際して、リフト14aで試料Wを上方に上げるとき、この補助リフト8の作用によって、試料Wの周縁部が基準ピン4から離されるので、ここでの摩擦による抵抗やダストの発生を防ぐことができる。
【0031】
また、試料ホルダ方式を採用したので、試料の形状、厚さ、径等の異なる材料にも容易に対応可能となり、静電チャック装置のクリーニングや保守が容易になる。
【0032】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる試料ホルダの一実施例を示す平面図である。
【図2】本発明にかかる試料ホルダの一実施例を示す断面図である。
【図3】本発明にかかる試料ホルダの細部を説明するための図である。
【図4】本発明にかかる試料ホルダの試料交換室(予備排気室)内における構成と動作を説明するための図である。
【図5】本発明にかかる試料ホルダの試料室内における構成と動作を説明するための図である。
【図6】試料搬送装置と試料交換室(予備排気室)と試料室との関係を説明するための図である。
【符号の説明】
W…半導体ウェハ試料、1…試料ホルダ、2…静電チャック、3…リフト貫通孔、4…基準ピン、5…駆動ピン、6…接点、7…基準面、8…補助リフト(可倒リフト)、10…試料交換室(予備排気室)、11…試料ホルダ乗せ台、12…位置決めピン、13…駆動ピン、14…リフト駆動装置、14a…リフト、15…駆動ピン駆動装置、20…試料室、21…試料ステージ、22…位置決めピン、23…駆動ピン、24…接点、50…ウェハ収納容器、51…試料搬送装置、52…仕切り弁、53…仕切り弁、54…荷電粒子ビーム光学系[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention provides a sample holder, a sample exchange chamber (preliminary exhaust chamber), and a sample chamber for mounting a plate-like sample such as a semiconductor wafer when using an apparatus such as an inspection apparatus, a processing apparatus or a drawing apparatus using a charged particle beam. And a charged particle beam apparatus.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, as a semiconductor wafer has become larger in diameter and finer in pattern, an electrostatic chuck device using electrostatic attraction force for a wafer inspection device using a charged particle beam such as a scanning electron microscope (SEM). Has become extremely useful. That is, in the SEM in which the resolution is increased to the limit to cope with the miniaturization of the pattern, the depth of focus is small, so that the surface of the sample is required to be sufficiently flat. However, in a recent semiconductor wafer having a thin sample and a large diameter, the surface of the sample is not sufficiently flat if the sample is simply placed and fixed on the sample stage. In such a case, if an electrostatic chuck device is used, flattening is facilitated.
[0003]
In addition, the method of inserting the sample into the device after loading the sample into the sample holder is only necessary to replace the sample holder when using a material other than the specified shape as the sample, which greatly expands the application range. It is a convenient way. In this case, however, it is naturally necessary to incorporate the electrostatic chuck device on the sample holder side.
[0004]
However, the electrostatic chuck device has a weak point. In other words, electrostatic dust adsorption and sample detachment may be difficult. Also, if the electrostatic chuck device is not built directly into the sample chamber, but is built into the sample holder, cleaning of the adsorbed dust and maintenance of the electrostatic chuck device will be easier, but the sample exchange chamber In the sample exchange chamber where the vacuum chuck is frequently evacuated and vented, the dust is likely to rise and the dust is attracted by the electrostatic chuck. There is a problem such as high possibility of being adsorbed on the surface.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, avoids the problem of connection with the electrostatic chuck power source while incorporating the electrostatic chuck device on the sample holder side, and further prevents electrostatic dust adsorption. The purpose is to reduce and facilitate the removal of the sample.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The charged particle beam apparatus of the present invention is a charged particle beam apparatus comprising: a sample exchange chamber; and a sample chamber for loading a sample holder for loading a plate-like sample of a semiconductor wafer through the sample exchange chamber. Includes: an electrostatic chuck device; a power receiving terminal means for the electrostatic chuck device; a reference portion for defining the position of the sample; and pressing the sample against the reference portion for positioning, and maintaining the position A means for driving the drive section, and means for supplying power to the electrostatic chuck device via the power receiving terminal means. It is provided with.
[0007]
In addition , the charged particle beam apparatus of the present invention further includes a tiltable sample lift means that allows the sample holder to fall with the sample placed in a direction driven by the drive unit. The retractable sample lift means is interlocked with the drive unit.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0011]
1 to 6 show an example of an embodiment of a sample holder and a sample holder mechanism of the present invention. FIG. 1 is a plan view of the sample holder, and FIG. 2 is a cross-sectional view. FIG. 3 is a diagram for explaining the details of the portion. Further, FIG. 4 is a diagram for explaining the relationship between the configuration of the sample exchange chamber (preliminary exhaust chamber) and the sample holder and the operation. FIG. 5 is a diagram for explaining the relationship and operation of the configuration of the sample chamber and the sample holder. FIG. 6 is a diagram for explaining the relationship among the sample chamber, the sample exchange chamber, and the sample transport device.
[0012]
In FIG. 6, 10 is a sample exchange chamber (preliminary exhaust chamber), and 20 is a sample chamber for inspecting, processing or drawing the sample W. 6 will be described later.
[0013]
1 and 2, W is a semiconductor wafer sample, 1 is a sample holder, 2 is an electrostatic chuck, and is a donut type having a hole in the center. Reference numeral 3 denotes a lift through-hole through which a lift (described later) that supports the sample W penetrates the
[0014]
The
[0015]
Further, in FIG. 4A, 11 is a sample holder mounting base in the sample exchange chamber 10, 12 is a positioning pin for positioning the
[0016]
Further, in FIG. 5, reference numeral 21 denotes a sample stage in the sample chamber, which can move and drive the sample W to a desired position. Reference numeral 22 denotes a positioning pin of the
[0017]
In FIG. 6, 50 is a wafer storage container, 51 is a sample transfer apparatus for transferring the
[0018]
The operation of such a configuration will be described next.
[0019]
First, the case of mounting the sample W will be described. The gate valve 53 between the sample chamber 20 and the sample exchange chamber (preliminary exhaust chamber) 10 is closed, the inside of the sample exchange chamber 10 is brought to atmospheric pressure by a vacuum vent valve (not shown), and further, the sample exchange chamber 10 and the outside of the apparatus are connected. The gate valve 52 is opened. At this time, the
[0020]
Next, a sample W such as a wafer is taken out from the wafer storage container 50 by the sample transport device 51 and placed on the lift 14a. When the sample W is placed on the lift 14a, the gate valve 52 between the sample exchange chamber 10 and the sample transport device 51 is closed and separated in a vacuum state, and the inside of the sample exchange chamber 10 is removed by a vacuum exhaust device (not shown). The atmosphere is exhausted, and the sample exchange chamber 10 is evacuated.
[0021]
The lift 14 a on which the sample W is placed is lowered downward by the
[0022]
When the sample W is positioned, the driving pin 13 is driven in a direction opposite to the positioning pin 12 by a driving device (not shown), and the fixing of the
[0023]
After this, the desired location on the sample W is inspected if it is a wafer inspection apparatus, processed if it is a processing apparatus, and drawn if it is a drawing apparatus.
[0024]
Next, the case of detaching the sample W will be described. First, the gate valve 52 between the sample exchange chamber 10 and the outside of the apparatus is closed, the inside of the sample exchange chamber 10 is evacuated, and the gate valve 53 between the sample exchange chamber 10 and the sample chamber 20 is opened. Then, a driving device (not shown) is driven to move the driving pin 23 in the direction opposite to the positioning pin 22 to loosen it so that the
[0025]
When the gate valve 52 is closed, the sample exchange chamber 10 is brought to atmospheric pressure by the vacuum vent valve (not shown), the gate valve 52 between the sample exchange chamber 10 and the outside of the apparatus is opened, and the lift valve 14a is placed on the lift 14a. The placed sample W is taken out by the sample transport device 51 and stored in the wafer storage container 50 or another wafer storage container.
[0026]
In the present invention, as described above, the electrostatic chuck 2 is incorporated in the
[0027]
Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above-described embodiment, the electrostatic chuck 2 has a donut shape and the lift 14a is passed through the center thereof. However, a plurality of lifts may be provided around the electrostatic chuck using an electrostatic chuck that is not a donut shape. . Although the contacts 6 and 24 have been described for applying a voltage to the electrostatic chuck 2, a plurality of contacts such as a terminal for measuring the absorption current of a charged particle beam and a terminal for applying a bias voltage to the sample are provided. Also good. Furthermore, if the reference surface 7 of the
[0028]
Further, in the above-described embodiment, it has been described that the retractable auxiliary lift 8 moves in conjunction with the
[0029]
【The invention's effect】
As described above, in the present invention, voltage is applied to the electrostatic chuck 2 only in the sample chamber 20 by using the mechanical sample alignment mechanism as a temporary sample holding mechanism. Since no application is made in the sample exchange chamber 10 where dust can rise most, the adsorption of dust to the electrostatic chuck 2 is suppressed. This also eliminates the need for a mechanism for supplying voltage to the electrostatic chuck 2 when the
[0030]
Further, by providing a retractable auxiliary lift 8, resistance and dust are prevented from being generated due to friction between the upper surface of the electrostatic chuck 2 and the lower surface of the sample W when the sample W is aligned. Desorption of sample W from By adopting this auxiliary lift 8, the spring 5d can be made sufficiently weak, and when the electrostatic chuck 2 is attracted, unnecessary force is not applied to the sample W, and the flattening of the sample W surface can be obtained smoothly. Further, when the sample W is lifted upward by the lift 14a when the sample W is detached, the peripheral portion of the sample W is separated from the reference pin 4 by the action of the auxiliary lift 8, so that the resistance and dust due to friction here are reduced. Occurrence can be prevented.
[0031]
Further, since the sample holder method is adopted, it is possible to easily cope with materials having different shapes, thicknesses, diameters, and the like of the sample, and the electrostatic chuck device can be easily cleaned and maintained.
[0032]
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a sample holder according to the present invention.
FIG. 2 is a sectional view showing an embodiment of a sample holder according to the present invention.
FIG. 3 is a view for explaining details of a sample holder according to the present invention.
FIG. 4 is a diagram for explaining the configuration and operation of a sample holder according to the present invention in a sample exchange chamber (preliminary exhaust chamber).
FIG. 5 is a diagram for explaining the configuration and operation of a sample holder according to the present invention in a sample chamber.
FIG. 6 is a diagram for explaining a relationship among a sample transport device, a sample exchange chamber (preliminary exhaust chamber), and a sample chamber.
[Explanation of symbols]
W ... Semiconductor wafer sample, 1 ... Sample holder, 2 ... Electrostatic chuck, 3 ... Lift through hole, 4 ... Reference pin, 5 ... Drive pin, 6 ... Contact, 7 ... Reference plane, 8 ... Auxiliary lift ) 10... Sample exchange chamber (preliminary exhaust chamber) 11... Sample holder platform 12. Positioning pin 13. Drive
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000228718A JP4027580B2 (en) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | Charged particle beam equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000228718A JP4027580B2 (en) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | Charged particle beam equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002042708A JP2002042708A (en) | 2002-02-08 |
JP4027580B2 true JP4027580B2 (en) | 2007-12-26 |
Family
ID=18721956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000228718A Expired - Fee Related JP4027580B2 (en) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | Charged particle beam equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4027580B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6994437B2 (en) * | 2018-07-06 | 2022-01-14 | 株式会社日立ハイテク | Substrate holder and scanning electron microscope device |
-
2000
- 2000-07-28 JP JP2000228718A patent/JP4027580B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002042708A (en) | 2002-02-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050411 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070911 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071010 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131019 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131019 Year of fee payment: 6 |
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