JP4027162B2 - Semiconductor laser device and optical pickup device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ホログラム素子を有する半導体レーザ装置および光ピックアップ装置に関し、例えば、コンパクトディスクやビデオディスク等の光ディスクシステムにおいて使用される半導体レーザ装置および光ピックアップ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図3に、従来の3ビーム法ホログラム光ピックアップ装置の光学系を示す。この光ピックアップ装置では、半導体レーザ106から出射された光は、ホログラム素子111の裏面S1に形成されたトラッキングビーム生成用回折格子105により、二つのトラッキング用副ビームと情報信号読み出し用主ビームの三つの光ビームに分けられる。この三つの光ビームは、図3では円すい状のビーム112に含まれている。
【0003】
この三つの光ビームからなるビーム112は、ホログラム素子111の上面S2のホログラム104を0次光113として透過し、コリメートレンズ103で平行光114に変換された後、対物レンズ102によって集光され、この集光されたレーザ光115が光ディスク101上に照射される。
【0004】
そして、この光ディスク101上のピットによる変調を受けた反射光は、対物レンズ102、コリメートレンズ103を順に透過した後、ホログラム素子111のホログラム104によって回折され、1次回折光118として信号検出用受光素子107の受光面上に導かれる。
【0005】
なお、上記ホログラム素子111はキャップ109上に配置され、半導体レーザ106および受光素子107は、キャップ109内に配置されている。また、このキャップ109はステム110上に配置されている。
【0006】
また、上記信号検出用受光素子107は、アンプ回路を内蔵したPDIC(受光素子付き信号処理集積回路)で構成してもよい。また、上記1次回折光118は、この光ピックアップ装置の用途や信号処理方法に応じて、上記ホログラム素子111の表面のホログラム104によって、複数の光に分割され、この複数に分割された光は、それぞれ所定の受光素子からなる受光部に集光される。
【0007】
上記光ピックアップ装置は、光ディスク101で反射して戻ってきた半導体レーザ106の光をホログラム素子111により分割し、光ディスク101に記録されている信号を正確に読み出すためのトラッキング情報信号と記録信号とを分離して、受光素子107または受光素子付き信号処理集積回路へ各々導き、出力信号を得るための装置に使用されるものである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、光ピックアップ装置では、一般的に、半導体レーザ106から出射された光のうち、放射角の大きい側の光は光強度が小さい。したがって、この放射角の大きい側の光を、実際の信号処理に利用しないように、ホログラム素子111の径、および、レンズ系等を調整した光学設計としている。
【0009】
ところが、この実際の信号処理に利用しない不要光部分が、ホログラム素子111の裏面S1,表面S2およびキャップ109の内面に反射して、迷光108となっていた。そして、このような信号処理に不要な迷光108が、信号検出用受光素子107の受光面に入射し、信号オフセットの増大が生じ、ディスク101の再生または書込み不良等の原因となっていた。
【0010】
そこで、この発明の目的は、半導体レーザが出射する光のうちの不要光が迷光となって信号検出用受光素子の受光面に入射するのを防止できる信頼性の高い半導体レーザ装置および光ピックアップ装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザと、信号用ホログラムまたは信号用回折格子の少なくとも一方を有するホログラム素子と、受光素子とを備え、上記半導体レーザが出射するレーザ光を、上記ホログラム素子の信号用ホログラムまたは信号用回折格子の少なくとも一方を経由して、所定のレーザ光照射対象に照射するとともに、上記レーザ光が上記レーザ光照射対象で反射した反射光を上記ホログラム素子で回折させた回折光を、上記受光素子で受光する半導体レーザ装置であって、
上記半導体レーザが出射したレーザ光のうち、上記ホログラム素子の上記信号用ホログラムまたは上記信号用回折格子の少なくとも一方を通過する光以外の光が入射する箇所に配置され、上記半導体レーザの出射端面以外、かつ、上記受光素子の受光面以外の領域を焦点とする迷光防止用ホログラムパターン部と、
上記焦点に配置された光吸収部材とを備え、
上記迷光防止用ホログラムパターン部は2つの焦点を有し、この2つの焦点は上記半導体レーザの接合面の延長面を挟んで対向していることを特徴としている。
【0012】
この発明の半導体レーザ装置では、迷光防止用ホログラムに、上記半導体レーザが出射したレーザ光のうち、上記ホログラム素子の上記ホログラム面または回折格子面の少なくとも一方を通過する光以外の光(つまり不要光)が入射する。この迷光防止用ホログラムに入射した不要光は、上記半導体レーザの出射端面以外、かつ、上記受光素子の受光面以外の領域にある焦点に集められ、上記焦点に配置された光吸収部材によって光強度が弱められる。これにより、この焦点に集められた不要光が再度反射して迷光となることを防止でき、迷光が受光素子の受光面に入射するのを防げる。
【0013】
したがって、この発明によれば、実際の信号処理に使用しない不要光部分が原因の迷光による特性の悪化を防止でき、信頼性の高い半導体レーザ装置を実現できる。
【0014】
また、一実施形態の半導体レーザ装置は、上記迷光防止用ホログラムパターン部の焦点と上記半導体レーザとの間の距離が、上記受光素子の受光面と上記半導体レーザとの間の距離よりも小さい。
【0015】
この実施形態の半導体レーザ装置は、上記迷光防止用ホログラムパターン部の焦点と上記半導体レーザとの間の距離が、上記受光素子の受光面と上記半導体レーザとの間の距離よりも小さい。この構成によれば、レーザ光の出射方向と直交する方向のサイズを抑えたコンパクトな構造でもって、上記迷光防止用ホログラムパターン部で反射させた不要光を効率良く上記焦点に集めることができる。
【0016】
また、この発明の半導体レーザ装置は、上記迷光防止用ホログラムは2つの焦点を有し、この2つの焦点は上記半導体レーザの接合面の延長面を挟んで対向している。この構成によれば、上記半導体レーザが発するレーザ光のうちの不要光を上記2つの焦点に効率よく集光できる。
【0017】
また、一実施形態の光ピックアップ装置は、上記半導体レーザ装置と、上記半導体レーザ装置が有する上記半導体レーザの発光点に略一致する焦点を有するレンズとを備えた。
【0018】
この実施形態の光ピックアップ装置によれば、上記不要光に起因する迷光が少なく受光素子への不要光の入射を抑制した信頼性の高い光ピックアップ装置を実現できる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【0020】
図1に、この発明の光ピックアップ装置の実施形態を示す。この光ピックアップ装置は、ステム10上に載置された台部15に取り付けられた半導体レーザ6および受光素子7を有する。この半導体レーザ6はその接合面6Aから上方に向けてレーザ光を放射する。また、受光素子7は、受光面7Aを上方に向けて台部15に固定されている。
【0021】
この受光素子7は、その受光面7Aよりも半導体レーザ6側の端部7B上に、光吸収部材となる光反射率の低い材料からなるフイルム31が接着されている。また、上記台部15のうち、半導体レーザ6に関して受光素子7と反対側の凸部32の上面にも上記光吸収部材となる光反射率の低い材料からなるフィルム33が接着されている。
【0022】
また、上記半導体レーザ6および受光素子7が固定された台部15は、ステム10に固定されたキャップ9によって覆われている。上記半導体レーザ6は、上記キャップ9の略中央に配置され、受光素子7は上記半導体レーザ6の傍らに配置されている。
【0023】
上記キャップ9の上面に形成された開口部9A上に、透光性媒質からなるホログラム素子13が配置され、このホログラム素子13は、上面に信号用ホログラムパターン部4が形成され、下面に信号用回折格子5が形成されている。
【0024】
また、このホログラム素子13の上面のうち上記ホログラムパターン部4が形成された領域の周囲に迷光防止用ホログラムパターン部11,12が形成されている。この迷光防止用ホログラムパターン部11,12は、図3に示すように、上記信号用ホログラムパターン部4を囲むような湾曲した縁11A,12Aを有している。そして、この湾曲した縁11A,12Aが対向するように、縁11Aの両端の辺11B,11Cに縁12Aの両端の辺12B,12Cが合わさって、ホログラムパターン部11,12の外周は全体として四角形になっている。このホログラムパターン部11,12は、それぞれ、図3に示すようなホログラムパターン11D,12Dを有している。
【0025】
また、この光ピックアップ装置は、上記ホログラム素子13の上方に所定の間隔を隔てて、コリメートレンズ3,対物レンズ2を有している。なお、上記ステム10,台部15,半導体レーザ6,受光素子7,キャップ9,ホログラム素子13が半導体レーザ装置を構成している。
【0026】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、上記半導体レーザ6がその接合面6Aから出射するレーザ光のうち、上記ホログラム素子13の信号用回折格子5に入射した信号光17は、上記ホログラムパターン部4を通過して、上方のコリメートレンズ3で平行光に変換された後、対物レンズ2によって集光され、この集光されたレーザ光18が光ディスク1上に照射される。
【0027】
そして、この光ディスク1上のピットによる変調を受けた反射光は、対物レンズ2、コリメートレンズ3を順に透過した後、ホログラム素子13のホログラムパターン部4によって回折され、1次回折光20として信号検出用受光素子7の受光面7A上に導かれる。
【0028】
また、この実施形態によれば、上記半導体レーザ6がその接合面6Aから出射するレーザ光のうち、上記迷光防止用ホログラムパターン部11に入射した不要光8は、ホログラムパターン部11によって、受光素子7の端部7B上のフィルム31上の焦点P1に集光される。また、上記迷光防止用ホログラムパターン部12に入射した不要光8は、ホログラムパターン部12によって、上記台部15の凸部32上に配置されたフィルム33上の焦点P2に集光される。
【0029】
このように、この実施形態の光ピックアップ装置によれば、上記半導体レーザ6がその接合面6Aから出射するレーザ光のうち、ホログラム素子13の信号用回折格子5に入射する信号光17よりも放射角が大きく光強度が小さな不要光8を、迷光防止用ホログラムパターン部11,12でもって上記2つの焦点P1,P2に集光させる。そして、この焦点P1,P2には、光反射を防止するような光反射率の低い材料からなる光吸収部材としてのフィルム31,32が配置されている。これにより、上記不要光8が、従来のように、迷光となることを防止できる。したがって、上記不要光8が受光素子7の受光面7Aに入射することを防止でき、実際の信号処理に使用しない不要光8が原因の迷光による特性の悪化を防止でき、光ピックアップ装置としての性能向上を図れる。
【0030】
また、この実施形態によれば、上記迷光防止用ホログラムパターン部11,12の焦点P1,P2と半導体レーザ6との間の距離が、上記受光素子7の受光面7Aと半導体レーザ6との間の距離よりも小さい。この構成によれば、レーザ光の出射方向と直交する方向のサイズを抑えたコンパクトな構造でもって、上記迷光防止用ホログラムパターン部11,12で反射させた不要光を効率良く上記焦点P1,P2に集めることができる。
【0031】
また、上記迷光防止用ホログラムパターン部11と12の焦点P1とP2は、上記半導体レーザ6の接合面6Aの延長面を挟んで対向しているから、上記半導体レーザ6が発するレーザ光のうちの不要光8を上記2つの焦点P1,P2に効率よく集光できる。
【0032】
尚、上記実施形態では、上記迷光防止用ホログラムパターン部11,12の焦点P1,P2に光反射防止膜となる光吸収部材としてフィルム31,33を配置して不要光8の光強度を吸収したが、フィルム31,33に換えて、光吸収部材として光反射防止膜となるコーティングを設けてもよい。また、上記焦点P1,P2に不要光8を吸収するための受光素子を配置してもよい。これにより、不要光8が焦点P1,P2で反射して再度弱い迷光となることを防止できる。
【0033】
【発明の効果】
以上より明らかなように、この発明の半導体レーザ装置では、迷光防止用ホログラムに、半導体レーザが出射したレーザ光のうち、ホログラム素子のホログラム面または回折格子面の少なくとも一方を通過する光以外の光(つまり不要光)が入射する。この迷光防止用ホログラムに入射した不要光は、上記半導体レーザの出射端面以外、かつ、受光素子の受光面以外の領域にある焦点に集められ、上記焦点に配置された光吸収部材によって光強度が弱められる。これにより、この焦点に集められた不要光が再度反射して迷光となることを防止でき、迷光が受光素子の受光面に入射するのを防げる。
【0034】
したがって、この発明によれば、実際の信号処理に使用しない不要光部分が原因の迷光による特性の悪化を防止でき、信頼性の高い半導体レーザ装置を実現できる。
【0035】
また、一実施形態の半導体レーザ装置は、上記迷光防止用ホログラムパターン部の焦点と上記半導体レーザとの間の距離が、上記受光素子の受光面と上記半導体レーザとの間の距離よりも小さい。この構成によれば、レーザ光の出射方向と直交する方向のサイズを抑えたコンパクトな構造でもって、上記迷光防止用ホログラムパターン部で反射させた不要光を効率良く上記焦点に集めることができる。
【0036】
また、この発明の半導体レーザ装置は、上記迷光防止用ホログラムは2つの焦点を有し、この2つの焦点は上記半導体レーザの接合面の延長面を挟んで対向している。この構成によれば、上記半導体レーザが発するレーザ光のうちの不要光を上記2つの焦点に効率よく集光できる。
【0037】
また、一実施形態の光ピックアップ装置は、上記半導体レーザ装置と、上記半導体レーザ装置が有する上記半導体レーザの発光点に略一致する焦点を有するレンズとを備える。この実施形態の発明の光ピックアップ装置によれば、上記不要光に起因する迷光が少なく受光素子へのノイズを抑制した信頼性の高い光ピックアップ装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の光ピックアップ装置の実施形態の構造を示す模式図である。
【図2】 上記実施形態の光ピックアップ装置が備える迷光防止用ホログラムパターン部を示す平面図である。
【図3】 従来の光ピックアップ装置の構造を示す模式図である。
【符号の説明】
1…光ディスク、2…対物レンズ、3…コリメートレンズ、
4…信号用ホログラムパターン部、5…信号用回折格子、
6…半導体レーザ、6A…接合面、6B…出射端面、
7…信号検出用受光素子、7A…受光面、
8…不要光、9…キャップ、10…ステム、
11,12…迷光防止用ホログラムパターン部、
11D,12D…ホログラムパターン、17…信号光、
20…1次回折光、P1,P2…焦点。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor laser device and an optical pickup device having a hologram element, for example, a semiconductor laser device and an optical pickup device used in an optical disc system such as a compact disc and a video disc.
[0002]
[Prior art]
FIG. 3 shows an optical system of a conventional three-beam method hologram optical pickup apparatus. In this optical pickup device, light emitted from the
[0003]
The
[0004]
The reflected light modulated by the pits on the
[0005]
The
[0006]
Further, the signal detecting
[0007]
The optical pickup device divides the light of the
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the optical pickup device, in general, light emitted from the
[0009]
However, the unnecessary light portion that is not used for the actual signal processing is reflected on the
[0010]
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a highly reliable semiconductor laser device and optical pickup device that can prevent unwanted light out of light emitted from a semiconductor laser from becoming stray light and entering the light receiving surface of a signal detecting light receiving element. Is to provide.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a semiconductor laser device according to the present invention includes a semiconductor laser, a hologram element having at least one of a signal hologram or a signal diffraction grating, and a light receiving element, and a laser beam emitted from the semiconductor laser. Is applied to a predetermined laser light irradiation target via at least one of the signal hologram or the signal diffraction grating of the hologram element, and the reflected light reflected by the laser light irradiation target is reflected on the hologram. A semiconductor laser device that receives the diffracted light diffracted by the element by the light receiving element,
Of the laser beam emitted from the semiconductor laser, the laser beam is disposed at a location where light other than light passing through at least one of the signal hologram and the signal diffraction grating of the hologram element is incident, and other than the emission end face of the semiconductor laser And a stray light preventing hologram pattern portion that focuses on a region other than the light receiving surface of the light receiving element, and
A light absorbing member disposed at the focal point,
The stray light preventing hologram pattern portion has two focal points, and the two focal points are opposed to each other with an extended surface of the bonding surface of the semiconductor laser interposed therebetween .
[0012]
In the semiconductor laser device of the present invention, light other than light that passes through at least one of the hologram surface and the diffraction grating surface of the hologram element among the laser light emitted from the semiconductor laser (that is, unnecessary light) is emitted to the stray light preventing hologram. ) Is incident. Unnecessary light incident on the stray light preventing hologram is collected at a focal point in a region other than the emission end face of the semiconductor laser and other than the light receiving surface of the light receiving element, and the light intensity is arranged by the light absorbing member disposed at the focal point. Is weakened. Thereby, it is possible to prevent unnecessary light collected at the focal point from being reflected again and become stray light, and stray light can be prevented from entering the light receiving surface of the light receiving element.
[0013]
Therefore, according to the present invention, it is possible to prevent deterioration of characteristics due to stray light caused by unnecessary light portions not used in actual signal processing, and to realize a highly reliable semiconductor laser device.
[0014]
In one embodiment, the distance between the focus of the stray light preventing hologram pattern portion and the semiconductor laser is smaller than the distance between the light receiving surface of the light receiving element and the semiconductor laser.
[0015]
In the semiconductor laser device of this embodiment, the distance between the focal point of the stray light preventing hologram pattern portion and the semiconductor laser is smaller than the distance between the light receiving surface of the light receiving element and the semiconductor laser. According to this configuration, unnecessary light reflected by the stray light preventing hologram pattern portion can be efficiently collected at the focal point with a compact structure in which the size in the direction orthogonal to the laser light emission direction is suppressed.
[0016]
In the semiconductor laser device of the present invention, the stray light preventing hologram has two focal points, and the two focal points are opposed to each other with an extended surface of the junction surface of the semiconductor laser interposed therebetween. According to this configuration, unnecessary light out of laser light emitted from the semiconductor laser can be efficiently focused on the two focal points.
[0017]
An optical pickup device according to an embodiment includes the semiconductor laser device and a lens having a focal point that substantially coincides with a light emitting point of the semiconductor laser included in the semiconductor laser device.
[0018]
According to the optical pickup device of this embodiment, it is possible to realize a highly reliable optical pickup device that has less stray light due to the unnecessary light and suppresses the incidence of unnecessary light to the light receiving element.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments.
[0020]
FIG. 1 shows an embodiment of an optical pickup device of the present invention. This optical pickup device has a
[0021]
In the
[0022]
The base 15 to which the
[0023]
A
[0024]
Further, stray light preventing
[0025]
The optical pickup device has a collimating lens 3 and an
[0026]
According to the optical pickup device having the above configuration, the
[0027]
Then, the reflected light modulated by the pits on the
[0028]
Further, according to this embodiment, unnecessary light 8 incident on the stray light preventing
[0029]
Thus, according to the optical pickup device of this embodiment, the
[0030]
According to this embodiment, the distance between the focal points P1 and P2 of the stray light preventing
[0031]
Further, since the focal points P1 and P2 of the stray light preventing
[0032]
In the above-described embodiment, the
[0033]
【The invention's effect】
As is clear from the above, in the semiconductor laser device of the present invention, the light other than the light that passes through at least one of the hologram surface or the diffraction grating surface of the hologram element among the laser light emitted from the semiconductor laser is applied to the stray light preventing hologram. (In other words, unnecessary light) enters. Unwanted light incident on the stray light preventing hologram is collected at a focal point in a region other than the emission end face of the semiconductor laser and other than the light receiving surface of the light receiving element, and the light intensity is increased by the light absorbing member disposed at the focal point. Weakened. Thereby, it is possible to prevent unnecessary light collected at the focal point from being reflected again and become stray light, and stray light can be prevented from entering the light receiving surface of the light receiving element.
[0034]
Therefore, according to the present invention, it is possible to prevent deterioration of characteristics due to stray light caused by unnecessary light portions not used in actual signal processing, and to realize a highly reliable semiconductor laser device.
[0035]
In one embodiment, the distance between the focus of the stray light preventing hologram pattern portion and the semiconductor laser is smaller than the distance between the light receiving surface of the light receiving element and the semiconductor laser. According to this configuration, unnecessary light reflected by the stray light preventing hologram pattern portion can be efficiently collected at the focal point with a compact structure in which the size in the direction orthogonal to the laser light emission direction is suppressed.
[0036]
In the semiconductor laser device of the present invention, the stray light preventing hologram has two focal points, and the two focal points are opposed to each other with an extended surface of the junction surface of the semiconductor laser interposed therebetween. According to this configuration, unnecessary light out of laser light emitted from the semiconductor laser can be efficiently focused on the two focal points.
[0037]
Further, the optical pickup device of one embodiment, Ru and a lens having the above-described semiconductor laser device, the focus substantially coincides with the emission point of the semiconductor laser in which the semiconductor laser apparatus. According to the optical pickup device of the invention of this embodiment, it is possible to realize a highly reliable optical pickup device that has less stray light due to the unnecessary light and suppresses noise to the light receiving element.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing the structure of an embodiment of an optical pickup device of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a stray light preventing hologram pattern portion provided in the optical pickup device of the embodiment.
FIG. 3 is a schematic diagram showing the structure of a conventional optical pickup device.
[Explanation of symbols]
1 ... optical disc, 2 ... objective lens, 3 ... collimating lens,
4 ... Signal hologram pattern, 5 ... Signal diffraction grating,
6 ... Semiconductor laser, 6A ... Bonding surface, 6B ... Emission end face,
7: Light receiving element for signal detection, 7A: Light receiving surface,
8 ... unwanted light, 9 ... cap, 10 ... stem,
11, 12 ... Hologram pattern portion for preventing stray light,
11D, 12D ... Hologram pattern, 17 ... Signal light,
20: First-order diffracted light, P1, P2: Focus.
Claims (3)
上記半導体レーザが出射したレーザ光のうち、上記ホログラム素子の上記信号用ホログラムまたは上記信号用回折格子の少なくとも一方を通過する光以外の光が入射する箇所に配置され、上記半導体レーザの出射端面以外、かつ、上記受光素子の受光面以外の領域を焦点とする迷光防止用ホログラムパターン部と、
上記焦点に配置された光吸収部材とを備え、
上記迷光防止用ホログラムパターン部は2つの焦点を有し、この2つの焦点は上記半導体レーザの接合面の延長面を挟んで対向していることを特徴とする半導体レーザ装置。A semiconductor laser, a hologram element having at least one of a signal hologram or a signal diffraction grating, and a light receiving element, and a laser beam emitted from the semiconductor laser is transmitted to the signal hologram or the signal diffraction grating of the hologram element Irradiates a predetermined laser light irradiation target via at least one, and receives the diffracted light obtained by diffracting the reflected light reflected by the laser light irradiation target with the hologram element with the light receiving element. A semiconductor laser device,
Of the laser beam emitted from the semiconductor laser, the laser beam is disposed at a location where light other than light passing through at least one of the signal hologram and the signal diffraction grating of the hologram element is incident, and other than the emission end face of the semiconductor laser And a stray light preventing hologram pattern portion that focuses on a region other than the light receiving surface of the light receiving element, and
A light absorbing member disposed at the focal point,
2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the stray light preventing hologram pattern portion has two focal points, and the two focal points are opposed to each other with an extended surface of the bonding surface of the semiconductor laser interposed therebetween .
上記迷光防止用ホログラムパターン部の焦点と上記半導体レーザとの間の距離が、上記受光素子の受光面と上記半導体レーザとの間の距離よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ装置。The semiconductor laser device according to claim 1,
A semiconductor laser device, wherein a distance between the focal point of the stray light preventing hologram pattern portion and the semiconductor laser is smaller than a distance between a light receiving surface of the light receiving element and the semiconductor laser.
上記半導体レーザ装置が有する上記半導体レーザの発光点に略一致する焦点を有するレンズとを備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。A semiconductor laser device according to claim 1 or 2 ,
An optical pickup device comprising: a lens having a focal point that substantially coincides with a light emitting point of the semiconductor laser included in the semiconductor laser device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002172942A JP4027162B2 (en) | 2002-06-13 | 2002-06-13 | Semiconductor laser device and optical pickup device |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2004022038A JP2004022038A (en) | 2004-01-22 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4742616B2 (en) * | 2005-02-25 | 2011-08-10 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Three-dimensional elliptical optical device |
JP5392031B2 (en) * | 2009-11-30 | 2014-01-22 | 株式会社Jvcケンウッド | Optical pickup device |
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2002
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004022038A (en) | 2004-01-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071002 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019 Year of fee payment: 4 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |