JP4019714B2 - Periodic structure measuring apparatus and periodic structure measuring method - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、周期構造体が有する微細周期構造の形状を光学的に測定する周期構造測定装置および周期構造測定方法に関し、特にソグラフィあるいはエッチング等により形成する半導体微細周期構造の形状を光学的に測定する周期構造測定装置および周期構造測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、寸法が０．１μm程度の微細なパタンを形成するリソグラフィやエッチング等の半導体製造プロセスにおいては、パタンの寸法を精密に制御することが重要であり、露光条件やエッチング条件を確認する際や量産時の工程管理の際に、パタンの寸法を容易に精度良く測定することが重要な要素のひとつになっている。
【０００３】
例えば、光通信用の分布帰還型（ＤＦＢ：Distributed Feedback）半導体レーザ素子内に形成する回折格子については、１．３μmあるいは１．５５μm帯のレーザ発振波長に対して、それぞれ０．２μmあるいは０．２４μm程度の周期を有する回折格子が、干渉露光法あるいは電子ビーム露光法により形成されている。このときレーザ素子内に形成する回折格子の高さ、デューティ比、周期といった回折格子の形状パラメータがレーザの発振特性に大きく影響する。リソグラフィやエッチング時の制御精度が不十分であると、安定な単一モード発振が得られなかったり、発振しきい値や光出力等が製品の規格を満たさず、歩留りを低下させる要因となるため、作製した回折格子パタンを評価し、プロセスを管理する工程、あるいはフィードバックをかける工程が重要になる。
【０００４】
このようなパタンを評価する場合においては、測定するパタンの寸法が０．１μm程度と微細であり、光学顕微鏡やレーザ顕微鏡では十分な分解能が得られないため、走査型電子顕微鏡（SEM）を用いてそのパタン寸法を測定するという手法が採用されている。
【０００５】
しかしながら、走査型電子顕微鏡による測定では、断面形状を観察するために試料を切断しなければならず、破壊検査が実施できない試料については測定ができないという問題があった。また、非破壊で表面状態を観察する測長用電子顕微鏡を使用する場合においては、深さ方向の情報が得られないために正確な形状を測定することが困難であった。さらに電子顕微鏡を使用する場合においては、真空中に試料を装填しなければならないため、測定に長時間を要する作業となっており、量産製造工程への適用に関して十分とは言えないという問題があった。
【０００６】
そこで、例えば特開平１１−２１１４２１号公報、あるいは特開平１１−２１１４２２号公報には、微細な周期構造の線幅を光学的に測定する方法として、微細周期パタンへ偏光性を有する光を入射し、その反射率を測定する方法が開示されている。この技術は周期構造体が入射光の偏光方向に依存した複屈折特性を有する特徴を利用しており、非破壊で周期構造の線幅が測定できる点において一応の効果を奏している。
【０００７】
また、特開２０００−２１７２９１号公報には、分光エリプソメトリ法を用いた凹凸基板表面の形状評価方法が開示されている。この技術は、DRAM中のコンデンサ容量を増加させるために表面を凹凸化して表面積を増加させた基板表面形状を測定する技術であり、凹凸層をマクロ視して平坦な仮想膜と仮定することにより、反射特性の解析から仮想膜の厚さおよび屈折率を求め、さらに、これらの値から半導体と空気により構成される仮想膜中の半導体の割合（体積分率）を測定する点において一応の効果を奏している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術の特開平１１−２１１４２１号公報、あるいは特開平１１−２１１４２２号公報に記載されている周期構造の線幅測定方法においては、測定光に偏光性を有する光源を用いているために、周期構造パタンの周期方向と入射する測定光の偏光方向との角度を精密に制御する必要があり、実用上十分な精度が短時間で得られないという問題を有している。また、同発明においては、測定可能なパラメータが周期構造の線幅のみに限定されており、高さに関する情報を得ることができないという問題がある。さらに、測定するパタンの線幅の測定時においても、予め各種測定量と線幅を関係付ける検量線を作成しておくことが必要であるという問題があった。
【０００９】
一方、特開２０００−２１７２９１号公報に示される分光エリプソメトリ法を用いた凹凸基板表面形状の測定方法においても、偏光性を有する測定光を用いるために、前記特開平11-211421と同様の問題を有することになる。また、測定する対象物の形状に依存する散乱光の影響を考慮していないために、測定時に十分な精度が得られないという問題を有している。すなわち、同発明において図１３に示されている測定結果については、最大で約30%以上のSEM観察結果との差異を生じており、測定精度が不十分になるという問題をもたらしている。さらに測定する対象物である凹凸形状の密度（周期構造パタンの周期に相当）については全く情報が得られないうえ、密度が変化した場合においては測定精度がさらに低下する。
【００１０】
本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体の表面等に形成された周期構造体の形状を容易かつ高精度で定量的に評価することができる周期構造測定装置および周期構造測定方法を提供する点にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
請求項１記載の発明の要旨は、角が丸まった形状あるいは台形形状の周期構造体の表面に測定光を入射し、前記周期構造体からの反射光に基づいて形状を測定する周期構造測定装置であって、偏光性がない測定光を前記周期構造体に対して垂直に入射する測定光入射手段と、前記周期構造体からの反射光強度の波長依存性を測定する光測定手段と、該光測定手段により測定された反射光強度の波長依存性から求められる散乱光の割合に基づいて前記周期構造体の周期を算出する計算手段とを具備することを特徴とする周期構造測定装置に存する。
また請求項２記載の発明の要旨は、前記計算手段は、前記光測定手段により測定された反射光強度の波長依存性に基づいて前記周期構造体の高さおよびデューティ比の全てあるいはいずれかを算出することを特徴とする請求項１記載の周期構造測定装置に存する。
また請求項３記載の発明の要旨は、前記計算手段は、前記周期構造体を仮想薄膜と仮定して前記周期構造体の高さおよびデューティ比の両者あるいはいずれかを算出させることを特徴とする請求項２記載の周期構造測定装置に存する。
また請求項４記載の発明の要旨は、前記光測定手段は、前記周期構造体からの反射光強度の波長依存性である反射スペクトルを測定し、前記計算手段は、前記周期構造体の高さ、デューティ比および周期を仮定して反射スペクトルを算出する反射スペクトル算出手段と、記反射スペクトル測定手段による測定値と前記反射スペクトル算出手段による計算値との偏差の２乗和を算出する偏差算出手段と、該偏差算出手段により算出された値が予め定められた許容範囲内になったときの前記反射スペクトル算出手段で仮定した前記周期構造体の高さ、デューティ比および周期を出力する算出結果出力手段とからなることを特徴とする請求項２又は３記載の周期構造測定装置に存する。
また請求項５記載の発明の要旨は、前記光測定手段により測定する反射光強度の波長範囲が２００ nm から８００ nm の間であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の周期構造測定装置に存する。
また請求項６記載の発明の要旨は、角が丸まった形状あるいは台形形状の周期構造体の表面に測定光を入射し、前記周期構造体からの反射光に基づいて形状を測定する周期構造測定方法であって、
偏光性がない測定光を前記周期構造体に対して垂直に入射し、
前記周期構造体からの反射光強度の波長依存性を測定し、
該測定した反射光強度の波長依存性から求められる散乱光の割合に基づいて前記周期構造体の周期を算出することを特徴とする周期構造測定方法に存する。
また請求項７記載の発明の要旨は、前記測定した反射光強度の波長依存性に基づいて前記周期構造体の高さおよびデューティ比の全てあるいはいずれかを算出することを特徴とする請求項６記載の周期構造測定方法に存する。
また請求項８記載の発明の要旨は、前記周期構造体を仮想薄膜と仮定して前記周期構造体の高さおよびデューティ比の両者あるいはいずれかを算出することを特徴とする請求項７記載の周期構造測定方法に存する。
また請求項９記載の発明の要旨は、前記周期構造体からの反射光強度の波長依存性である反射スペクトルを測定し、前記周期構造体の高さ、デューティ比および周期を仮定して反射スペクトルを算出し、前記反射スペクトルの測定値と前記反射スペクトルの計算値との偏差の２乗和を算出し、該算出した偏差の２乗和が予め定められた許容範囲内になったときの前記反射スペクトルの計算値を算出する際に仮定した前記周期構造体の高さ、デューティ比および周期を出力することを特徴とする請求項７又は８記載の周期構造測定方法に存する。
また請求項１０記載の発明の要旨は、測定する反射光強度の波長範囲が２００ nm から８００ nm の間であることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の周期構造測定方法に存する。
また請求項１１記載の発明の要旨は、コンピュータに請求項６乃至１０のいずれかに記載の周期構造測定方法を実行させるためのプログラムに存する。
また請求項１２記載の発明の要旨は、周期構造体を作製する周期構造体作製方法であって、請求項６乃至１０のいずれかに記載の周期構造測定方法を用いて前記周期構造体を作製する微細構造エッチングプロセス時に周期構造の形状を測定する工程と、
測定結果に基づき微細構造エッチングプロセスを停止する工程とを有することを特徴とする周期構造体作製方法に存する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
図１は、本発明に係る周期構造測定装置の実施の形態の構成を示すブロック図であり、図２は、本発明に係る周期構造測定装置の実施の形態で測定する周期構造体の形状を示す図であり、図３は、図２に示す周期構造体を測定するために仮定する仮想薄膜の形状を示す図である。
【００１４】
本実施の形態は、図１を参照すると、試料を設置する試料台１と、偏光性の無い測定光を供給するハロゲンランプ等の測定用光源２と、試料に垂直に測定光を入射させ、試料からの反射光を分光して測定する光検出器３、光検出器３で測定されたデータを処理する計算機４とから構成され、光検出器３で試料からの反射光の反射光強度の波長依存性を測定して、計算機４で測定された反射光の反射光強度の波長依存性を解析することで周期構造を測定する。さらに、測定する領域が狭い場合には、対物レンズ５と、測定領域を観察するための光学モニター６とを設ける。
【００１５】
本実施の形態が測定の対象としている試料は、図２に示すような、屈折率が周期的に変化する微細周期構造パタンを有する周期構造体であり、屈折率ncおよびneからなる媒質で構成され、それぞれの領域は、周期ｄに対してｃおよびｅ（ｃ＋ｅ＝ｄ）である。
【００１６】
計算機４による反射光強度の波長依存性から周期構造体の構造を求める際の解析では、まず、図２に示すような周期構造体を、図３に示すような仮想薄膜として仮定し、次に測定した反射光強度の波長依存性から仮想薄膜の層厚および屈折率を求めるが、このとき同時に周期構造体の周期に依存する散乱の影響を併せて考慮することにより、周期構造体の高さ、デューティ比、および周期を決定する。
【００１７】
まず図３に示した仮想薄膜の層厚および実効屈折率を求める方法について詳細に説明する。
図４は、図１に示す光検出器で測定された反射光強度の波長依存性の一例を示す図であり、図５は、図３に示す仮想薄膜の層厚と実効屈折率とが変化した場合の反射光強度の波長依存性の傾向を示す図である。
【００１８】
光検出器３による測定結果、すなわち反射光強度の波長依存性を示す反射スペクトルは、図４に示すように、極大値および極小値を有しており、極大値および極小値は、層厚と実効屈折率とにより決定される仮想薄膜内での光路長に依存する。
【００１９】
仮想薄膜の層厚（図３のｈ）が変化した場合には、図５（a）に矢印で示すように、仮想薄膜の層厚が増加する（厚くなる）に従って仮想薄膜内での光路長が長くなるために、観察されるピーク位置が長波長側にシフトする。
【００２０】
また、仮想薄膜の層厚が一定のまま、実効屈折率が変化した場合には、図５（b）に矢印で示すように、実効屈折率が増大することにより、観察されるピーク位置が長波長側へシフトすると共に、極大値と極小値との反射光強度の差も大きくなる。
【００２１】
また、仮想薄膜の層厚と実効屈折率との積が一定値となる状態で、実効屈折率が変化する場合には、図５（C）に矢印で示すように、実効屈折率の変化に応じて極小値が変化する結果が得られ、図３に示した屈折率の値としてn2＝√（n1・n3）のときに極小値は最小値０となる。
【００２２】
さらに、仮想薄膜における散乱に変化があった場合には、図５（d）に矢印で示すように、散乱が増大することにより反射光強度が減少する結果となる。
【００２３】
図５（a）から（d）に示した結果については、それぞれ、仮想薄膜の層厚、実効屈折率および散乱光の割合を決定すれば、計算により求めることが可能である。従って、実測した反射光強度（反射スペクトル）に一致する計算結果が得られるように各パラメータ（仮想薄膜の層厚、実効屈折率および散乱光の割合）を決定することで仮想薄膜の層厚、実効屈折率および散乱光の割合の値を求めることができる。すなわち、極値の波長および極大値と極小値との反射光強度の差から、仮想薄膜の層厚と実効屈折率とをそれぞれ独立に求めることができ、極大値の絶対値から散乱光の割合を求めることができることがわかる。
【００２４】
次に周期構造体の高さおよびデューティ比と仮想薄膜の層厚および実効屈折率との関係について詳細に説明する。
【００２５】
図２に示すような、屈折率が一方向に周期的に変化する周期構造体を測定する場合、測定光の波長に対して周期構造体の周期が小さいとき、周期構造体をマクロ視することができる。すなわち、図３に示すような、層厚が周期構造体の高さ(h)に等しく、実効屈折率（n2）を有する薄膜として取り扱うことができる。特に、測定用光源の波長が構造体周期よりも十分長い場合には、反射特性が入射光の偏光に依存した複屈折性を有することが知られており、周期構造体の周期方向に対して垂直な偏光に対しての実効屈折率Ｎ0と、平行な偏光に対しての実効屈折率Ｎeとは次式で表される。
【００２６】
【数式１】
ここで、周期構造体は、屈折率ncおよびneからなる媒質で構成され、それぞれの領域は、周期ｄに対してｃおよびｅ（ｃ＋ｅ＝ｄ）であるため、周期構造体を構成する媒質の屈折率neおよびncが判っていれば、実効屈折率からデューティ比（ｃ／ｄおよびｅ／ｄ）を求めることができ、さらに周期ｄが判れば、周期構造体の寸法（ｃおよびｅ）を求めることができる。
【００２８】
次に測定に使用する入射光に偏光性が無い（円偏光）場合について、測定する周期構造体のデューティ比と実効屈折率との関係を計算で求める方法について説明する。
図６は、周期構造体であるレジストの回折格子形状についてのデューティ比と実効屈折率との関係を示す図である。
【００２９】
図６には、一例として、周期構造体を構成する媒質の屈折率がそれぞれn1=nc=１．０（空気）、ne=１．５（レジスト）であるときの上述の式（１）および（２）に従う計算例を示している。
【００３０】
入射光に偏光性がない場合には、測定される反射特性は、各偏光成分（周期構造体の周期方向に対して垂直な偏光に対しての実効屈折率Ｎ0、平行な偏光に対しての実効屈折率Ne）を積分し、平均化した値を使用すれば良く、図６に示している場合においては、周期構造体のデューティ比に対して実効屈折率n2がほぼ直線的に変化する関係となる。なお、半導体や誘電体の屈折率については、一般に波長依存性を有するため、計算時に考慮する必要がある。
【００３１】
次に周期性構造体を測定する際の散乱光の影響について説明する。
図７は、本発明に係る周期構造測定装置の実施の形態が測定する周期性構造体の形状例を示す図であり、図８は、本発明に係る周期構造測定装置の実施の形態が測定する周期性構造体であるレジスト回折格子における回折格子周期と散乱光量との関係を示す図である。
【００３２】
実際に測定する周期構造体については、図２に示されるような完全な矩形であることは少なく、図７に示すように角が丸まった形状や台形形状であるため、生じる散乱光による反射光強度の低下の影響を考慮する必要がある。
【００３３】
図７（a）および（b）に示すように、周期が異なり（d1＞d2）、高さ（ｈ）およびデューティ比（c1／d1＝c2／d2＝ｍ）が等しい回折格子について反射光強度を測定した場合には、周期が短くなるほど丸みを帯びている領域の占める割合が高くなり、散乱による反射光強度の低減が大きくなる。
【００３４】
図８には、一例として、電子ビーム（EB：Electron Beam）露光により形成した、高さ１５０nmのレジスト回折格子についての回折格子周期と、測定光の波長が４００nmのときの散乱光量との関係を示している。レジスト回折格子については、散乱光の割合が単位面積あたりのパタン数にほぼ比例するために、散乱光の割合と回折格子周期との積がほぼ一定値になるような関係を有している。従って、測定している周期構造パタンの散乱による反射光強度の低減量を求めることで、周期構造体の周期情報を得ることができる。なお、散乱については一般に波長が短くなるほど散乱する割合が多くなるために、計算時に波長依存性を考慮する必要がある。
【００３５】
以上のように、測定した反射光強度の波長依存性を測定することにより、極値の波長と極大及び極小値の反射光強度の差から、仮想薄膜の層厚と実効屈折率とを独立に求めることができ、極大値の絶対値から散乱光の割合を求めることができることがわかる。さらに、仮想薄膜の層厚と周期構造体の高さとが同じであることから周期構造体の高さが決定され、周期構造体のデューティ比が仮想薄膜の実効屈折率に依存することから周期構造体のデューティ比が決定され、周期構造体の周期が散乱光の割合に依存することを考慮した反射光強度の波長依存性の解析により試周期構造体の周期を決定することが可能になる。従って、測定した反射光強度の波長依存性を測定することにより、周期構造体の高さ、デューティ比および周期を決定することができる。
【００３６】
次に本実施の形態の具体的な計算手順について図９を参照して詳細に説明する。
図９は、本発明に係る周期構造測定装置の実施の形態の計算手順を説明するためのフローチャートである。
【００３７】
まず、周期構造体である試料を試料台１に設置し、測定用光源２からの偏光性の無い測定光を試料に入射し、試料からの反射スペクトルを光検出器３により測定し（ステップ１）、測定した反射スペクトル（測定値）を記憶しておく。
【００３８】
次に、計算機４は、測定する周期構造体の高さ、デューティ比および周期を任意の値に初期設定し（ステップ２）、初期設定した周期構造体の高さ、デューティ比および周期に基づいて計算して反射スペクトルの計算値を求める（ステップ３）。周期構造体の高さおよびデューティ比から仮想薄膜の層厚および実効屈折率を求め、周期構造体の周期から散乱光の割合を求め、仮想薄膜が形成された基板についての反射率を計算により求める。すなわち、仮想薄膜を形成した半導体基板に対して任意の波長の測定光を入射した場合には、薄膜表面での反射光と、薄膜と半導体基板との境界面での反射光とに光路差に依存した位相差があるため、反射光として観察される光は、それぞれの反射光が干渉したものとなり、半導体、薄膜、および空気層のそれぞれの屈折率に依存する薄膜内での多重反射と、パタンの形状に依存する散乱光による反射率低減を考慮した計算により、（仮想）薄膜を形成した半導体基板の反射率を正確に求めることができ、さらに、入射光の波長を変化させた場合について同様の計算を実施することで、反射スペクトルの計算値を求めることができる。
【００３９】
次に、計算機４は、ステップ３で計算した反射スペクトルの計算値と、ステップ１で測定した反射スペクトルの測定値とを比較し、反射スペクトルの計算値と測定値との偏差の２乗和を計算する（ステップ４）。
【００４０】
次に、計算機４は、反射スペクトルの計算値と測定値との偏差の２乗和の値と、反射スペクトルの計算値と測定値との偏差量とが予め定められた許容範囲内であるか否かを判断し（ステップ５）、許容範囲内でない場合には、周期構造体の高さ、デューティ比および周期の設定値を調整して（ステップ６）、調整した設定値によりステップ３で再度反射スペクトルを計算する。すなわち、計算機４は、反射スペクトルの計算値と測定値との偏差の２乗和の値が最小になり、かつ反射スペクトルの計算値と測定値との偏差量が十分に小さくなるように周期構造体の高さ、デューティ比および周期を順次変化させて計算を繰り返す。
【００４１】
計算機４は、反射スペクトルの計算値と測定値との偏差の２乗和の値と、反射スペクトルの計算値と測定値との偏差量とが予め定められた許容範囲内であると判断した場合には、反射スペクトルの計算値を計算するために設定した周期構造体の高さ、デューティ比および周期を出力する（ステップ７）。
【００４２】
なお、最初に仮定する、周期構造体の高さ、デューティ比および周期として、周期構造体の作製時にある程度予想される値、あるいは実測した反射光強度の波長依存性の山谷ピーク位置および強度等から予想される値を用いることで、上記の最小２乗近似は数秒以下で計算することができる。
【００４３】
次に、本発明の実施例として、半導体基板上に形成したレジスト回折格子パタンの形状を測定する方法について詳細に説明する。
図１０は、本発明の実施例で測定したレジスト回折格子の断面形状を示す電子顕微鏡写真であり、図１１は、本発明の実施例で測定したレジスト回折格子の反射スペクトルおよびパラメータフィッティング結果（測定値に一致するように各々の値を調整した計算結果）を示す図であり、図１２は、本発明の実施例で測定したレジスト回折格子高さの測定結果を示す図であり、図１３は、本発明の実施例で測定したレジスト回折格子開口比の測定結果を示す図であり、図１４は、本発明の実施例における半導体回折格子の断面形状を示す図であり、図１５は、 本発明の実施例におけるレジストをマスクとして半導体をエッチングする際の断面形状を示す図であり、図１６は、本発明の実施例における周期構造体を測定するための仮想多層薄膜を示す図であり、図１７は、本発明の実施例における周期構造体を測定する機能を有するエッチング装置の構成を示す図であり、図１８は、本発明の実施例における孤立パタンの形状評価を回折格子パタンの形状評価結果から推定する方法を説明するための説明図であり、図１９は、本発明の実施例における孤立パタンと回折格子パタンの形状の関係を示す図である。
【００４４】
図１０は、本発明の実施例で測定に用いたレジスト回折格子の断面SEM写真であり、ポジ型の電子ビーム（ＥＢ）レジストを使用し、ＥＢ露光により１．５５μm帯DFBレーザの回折格子となる２４０nm一定周期のラインアンドスペースパタンを作成した。ＥＢ露光条件を変化させることによりレジスト回折格子の高さとデューティ比を意図的に変化させている。図１０に示されるように、回折格子を構成するレジストの形状は角の丸まった形状となっており、測定光を入射した場合には一部の入射光が散乱されることが予想される。
【００４５】
図１１は、図１０に示した高さおよびデューティ比が異なる、複数のレジスト回折格子パタンを測定したときの反射光強度の波長依存性を示しており、測定用光源２は、無偏光で波長約４００nmから８００nmのハロゲンランプとし、試料からの反射光を分光することで反射光強度の波長依存性を測定した。また、測定領域は対物レンズを使用して約５μｍφとした。また、図１１には、レジスト回折格子高さ、実効屈折率をパラメータとして、測定値に最小２乗フィッティングした曲線を計算結果に合わせて示している。なお、図に示しているフィッティングでは、回折格子の周期が２４０nmと予め判っているために、散乱光の割合を約１０％と固定して計算した。図１１に示されるように、回折格子高さおよびデューティ比が異なるいずれの形状においても測定結果のフィッティングが良好に行われている。
【００４６】
図１２および図１３には、レジスト回折格子の高さおよびデューティ比について、図１１に示したフィッティング結果から得られた測定値とSEM観察による実測値との関係を示している。レジスト回折格子高さ、デューティ比ともSEM観察値にほぼ一致する値が得られており、広い測定範囲にわたり測定可能であることがわかる。最小２乗近似した直線に対する標準偏差としては、図１２に示すレジスト高さについては１．９nm、また、図１３に示すデューティ比については、レジスト開口幅に換算すると２．０nmの値が得られ、測定精度として±５％以下が得られた。
【００４７】
以上のように、偏光性の無い測定光を回折格子パタンへ垂直に入射し、反射特性の波長依存性を、層厚、実効屈折率、および散乱光を考慮して解析することにより、パタンの高さ、デューティ比、および周期を数秒以下で精度良く測定することが可能となっている。
【００４８】
なお、本実施例においては、回折格子の周期が既知であったため、フィッティング時に変化させていないが、周期が未知の試料を測定する場合においては、フィッティング時の偏差が最小になるよう散乱光の割合についても変化させれば良い。
【００４９】
上述実施例においては、反射光強度を測定している波長を４００nmから８００nmとしているが、これは測定しているレジスト回折格子の高さが約１００nmから２００nmと比較的高く、図１１に示されるように、前記波長領域において反射スペクトルのピークが観察されるためである。特に回折格子の高さがより低く、反射スペクトルのピーク数が少なくなるパタンを測定する場合には、例えば図５に示されるように測定開始する波長が短いほどピークが多数測定され精度が向上するため、測定波長範囲を広くすることが有効である。測定波長が２００nm以下の場合には散乱の影響が大きくなり十分な反射強度が得られないこと、また、波長が８００nm以上の場合については、測定精度があまり向上しないことから、実用上は反射光強度測定波長範囲を２００nmから８００nmとして測定することが有効である。
【００５０】
本実施例では、半導体基板上に作製したレジスト回折格子について測定したが、図１４に示すような半導体基板にエッチングにより作製した回折格子パタンについても同等の測定精度で評価をすることが可能である。この場合においては、図２に示した回折格子構造において、n1=nc=1（空気）とし、ne=n3＝3（半導体）とすれば良い。
【００５１】
また、図１５に示すような、レジストをマスクとして半導体をエッチングした回折格子パタンについては、図１６に示すように、回折格子により、レジストと空気、および半導体と空気からなる２種類の仮想薄膜が形成されることを考慮することで、レジスト形状および半導体エッチング形状をそれぞれ同様の精度で測定できる。従って、図１７に示すような、マスクに形成されたパタンを半導体基板に転写するためのエッチング液を装填したエッチングセルと、半導体基板に対して測定光を入射し、反射光を測定する周期構造測定装置からなる構成において、エッチング状況をモニタリングしながら目標の値になった時点でエッチングを停止することにより、エッチング深さを精密に制御することが可能となる。
【００５２】
また上記実施例では、周期構造パタンとして１方向に周期を有する回折格子パタンについて測定したが、２方向に周期を有する２次元周期構造についても同様に測定可能である。この場合には測定光の偏光方向に対するパタンの周期性と偏光方向に垂直な方向に対する周期性を合わせて取り扱うことで、上述の式（１）および（２）に相当する関係を求めることができる。
【００５３】
本発明では、光学顕微鏡やレーザ顕微鏡での測定が困難な微細な周期構造パタンの形状を測定することが実現されるが、この方法を用いて孤立パタンの寸法を精密に推定することも可能である。すなわち、同じ試料上に同じ手法を用いて孤立パタンと周期構造パタンを同時に作製し、予め両者の相関関係を調べておくことで、周期構造パタンの評価から孤立パタンの形状を測定することができる。
【００５４】
図１８は、半導体基板上塗布したネガレジストへEB露光により同時に同条件で作製した孤立パタンと回折格子パタンを示している。EB露光時には、電子線の基板やレジストでの反射や散乱により、パタンの近接した領域で相互に影響しあう近接効果が生じるために、回折格子パタンが孤立パタンに比べてレジストパタン幅が太くなる。従って、図１９に示すような予め測定した回折格子パタンと孤立パタンとの関係から、回折格子パタンの形状を本発明により測定することで、従来光学的な測定が不可能であった孤立パタンの形状を正確に推定することが可能になる。
【００５５】
図２０は、本発明に係る周期構造測定装置の実施の形態がネットワーク接続された状態を示す図である。
図１においては試料の反射スペクトルを測定する機能と測定した反射スペクトルを解析する計算機４とが、光学的周期構造測定装置内に近接して設置されている場合を示しているが、図２０に示されるように、周期構造測定装置と計算機４とが離れた場所にあり、それらがネットワークにより接続されている場合においても同様に測定可能であり、さらに、データ解析した結果を計算機４に接続されている他のエッチング装置、露光装置、現像装置などのプロセス装置のプロセス条件へフィードバックする場合においても同様に可能である。また、それぞれの装置がネットワーク接続されておらず、記録メディアを介してデータを受け渡し、離れた場所において測定および解析がそれぞれ実施される場合においても同様に実施可能である。
【００５６】
以上説明したように、本実施の形態によれば、偏光性の無い測定光を微細周期構造パタンを有する周期構造体に入射し、反射スペクトルの波長依存性を周期構造体を仮定した仮想薄膜の層厚、実効屈折率および散乱光を考慮して解析することにより、周期構造体の高さ、デューティ比および周期を精度良く測定することができ、半導体の表面等に形成された周期構造体の形状を容易かつ高精度で定量的に評価することができるという効果を奏する。
【００５７】
なお、本発明が上記各実施形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施形態は適宜変更され得ることは明らかである。また、上記構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にすることができる。なお、各図において、同一構成要素には同一符号を付している。
【００５８】
【発明の効果】
本発明の周期構造測定装置および周期構造測定方法は、偏光性の無い測定光を微細周期構造パタンを有する周期構造体に入射し、反射スペクトルの波長依存性を周期構造体を仮定した仮想薄膜の層厚、実効屈折率および散乱光を考慮して解析することにより、周期構造体の高さ、デューティ比および周期を精度良く測定することができ、半導体の表面等に形成された周期構造体の形状を容易かつ高精度で定量的に評価することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る周期構造測定装置の実施の形態の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明に係る周期構造測定装置の実施の形態で測定する周期構造体の形状を示す図である。
【図３】図２に示す周期構造体を測定するために仮定する仮想薄膜の形状を示す図である。
【図４】図１に示す光検出器で測定された反射光強度の波長依存性の一例を示す図である。
【図５】図３に示す仮想薄膜の層厚と実効屈折率とが変化した場合の反射光強度の波長依存性の傾向を示す図である。
【図６】図２に示す周期構造体のデューティ比と図３に示す仮想薄膜の実効屈折率との関係を示す図である。
【図７】本発明に係る周期構造測定装置の実施の形態が測定する周期性構造体の形状例を示す図である。
【図８】本発明に係る周期構造測定装置の実施の形態が測定する周期性構造体であるレジスト回折格子における回折格子周期と散乱光量との関係を示す図である。
【図９】本発明に係る周期構造測定装置の実施の形態の計算手順を説明するためのフローチャートである。
【図１０】本発明の実施例で測定したレジスト回折格子の断面形状を示す電子顕微鏡写真である。
【図１１】本発明の実施例で測定したレジスト回折格子の反射スペクトルおよびパラメータフィッティング結果を示す図である。
【図１２】本発明の実施例で測定したレジスト回折格子高さの測定結果を示す図である。
【図１３】本発明の実施例で測定したレジスト回折格子開口比の測定結果を示す図である。
【図１４】本発明の実施例における半導体回折格子の断面形状を示す図である。
【図１５】本発明の実施例におけるレジストをマスクとして半導体をエッチングする際の断面形状を示す図である。
【図１６】本発明の実施例における周期構造体を測定するための仮想多層薄膜を示す図である。
【図１７】本発明の実施例における周期構造体を測定する機能を有するエッチング装置の構成を示す図である。
【図１８】本発明の実施例における孤立パタンの形状評価を回折格子パタンの形状評価結果から推定する方法を説明するための説明図である。
【図１９】本発明の実施例における孤立パタンと回折格子パタンの形状の関係を示す図である。
【図２０】本発明に係る周期構造測定装置の実施の形態がネットワーク接続された状態を示す図である。
【符号の説明】
１ 試料台
２ 測定用光源
３ 光検出器
４ 計算機
５ 対物レンズ
６ 光学モニター[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a periodic structure measuring apparatus and a periodic structure measuring method for optically measuring the shape of a fine periodic structure included in a periodic structure, and in particular, optically measures the shape of a semiconductor fine periodic structure formed by sography or etching. The present invention relates to a periodic structure measuring apparatus and a periodic structure measuring method.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in semiconductor manufacturing processes such as lithography and etching that form a fine pattern with a dimension of about 0.1 μm, it is important to precisely control the dimension of the pattern, and when checking exposure conditions and etching conditions, One of the important factors in the process control during mass production is to measure the pattern dimensions easily and accurately.
[0003]
For example, for a diffraction grating formed in a distributed feedback (DFB) semiconductor laser element for optical communication, 0.2 .mu.m or 0.8 .mu.m for a laser oscillation wavelength in the 1.3 .mu.m or 1.55 .mu.m band, respectively. A diffraction grating having a period of about 24 μm is formed by an interference exposure method or an electron beam exposure method. At this time, the shape parameters of the diffraction grating such as the height, duty ratio, and period of the diffraction grating formed in the laser element greatly affect the laser oscillation characteristics. If the control accuracy during lithography or etching is insufficient, stable single-mode oscillation cannot be obtained, and the oscillation threshold and optical output do not meet product specifications, leading to a decrease in yield. The process of evaluating the produced diffraction grating pattern and managing the process or applying feedback is important.
[0004]
When evaluating such a pattern, the size of the pattern to be measured is as small as about 0.1 μm, and sufficient resolution cannot be obtained with an optical microscope or a laser microscope, so a scanning electron microscope (SEM) is used. The method of measuring the pattern dimensions is used.
[0005]
However, in the measurement using a scanning electron microscope, there is a problem that the sample must be cut in order to observe the cross-sectional shape, and the sample that cannot be subjected to the destructive inspection cannot be measured. In addition, when using a length measuring electron microscope that observes the surface state in a non-destructive manner, it is difficult to measure an accurate shape because information in the depth direction cannot be obtained. In addition, when using an electron microscope, the sample must be loaded in a vacuum, which requires work for a long time, and is not sufficient for application to a mass production process. It was.
[0006]
Therefore, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-211142 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-212422, as a method for optically measuring the line width of a fine periodic structure, light having polarization property is incident on a fine periodic pattern. A method of measuring the reflectance is disclosed. This technique uses the feature that the periodic structure has birefringence characteristics depending on the polarization direction of incident light, and has a temporary effect in that the line width of the periodic structure can be measured nondestructively.
[0007]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-217291 discloses a method for evaluating the shape of an uneven substrate surface using a spectroscopic ellipsometry method. This technology measures the substrate surface shape with the surface area increased by increasing the surface area in order to increase the capacitor capacity in the DRAM. By assuming the uneven layer as a macro, it is assumed to be a flat virtual film. From the analysis of reflection characteristics, the thickness and refractive index of the virtual film are obtained, and from these values, the ratio of the semiconductor in the virtual film composed of semiconductor and air (volume fraction) is measured. I play.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional method for measuring the line width of a periodic structure described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-211142, or Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-212422, a light source having a polarization property is used for measurement light. In addition, it is necessary to precisely control the angle between the periodic direction of the periodic structure pattern and the polarization direction of the incident measurement light, and there is a problem that practically sufficient accuracy cannot be obtained in a short time. In the invention, the measurable parameter is limited only to the line width of the periodic structure, and there is a problem that information about the height cannot be obtained. Furthermore, even when measuring the line width of the pattern to be measured, there is a problem that it is necessary to prepare a calibration curve that associates various measurement amounts with the line width in advance.
[0009]
On the other hand, in the method of measuring the surface shape of the concavo-convex substrate using the spectroscopic ellipsometry method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-217291, the problem similar to that of the Japanese Patent Laid-Open No. Will have. In addition, since the influence of scattered light depending on the shape of the object to be measured is not taken into account, there is a problem that sufficient accuracy cannot be obtained during measurement. That is, the measurement result shown in FIG. 13 in the present invention has a difference from the SEM observation result of about 30% or more at the maximum, resulting in a problem that the measurement accuracy becomes insufficient. Further, no information can be obtained about the density of the uneven shape (corresponding to the period of the periodic structure pattern), which is an object to be measured, and the measurement accuracy further decreases when the density changes.
[0010]
The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to easily and accurately quantitatively evaluate the shape of a periodic structure formed on the surface of a semiconductor or the like. It is in providing a periodic structure measuring device and a periodic structure measuring method.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration.
The gist of the invention described in
The gist of the invention of claim 2 is as follows:The said calculating means calculates all or one of the height and duty ratio of the said periodic structure based on the wavelength dependence of the reflected light intensity measured by the said light measuring means. Periodic structure measuring deviceExist.
The gist of the invention of
The subject matter of claim 4 is as follows:The light measurement means measures a reflection spectrum which is a wavelength dependency of the intensity of reflected light from the periodic structure, and the calculation means assumes a reflection spectrum assuming the height, duty ratio and period of the periodic structure. A reflection spectrum calculation means for calculating the deviation, a deviation calculation means for calculating a square sum of deviations between a measurement value by the reflection spectrum measurement means and a calculation value by the reflection spectrum calculation means, and a value calculated by the deviation calculation means And a calculation result output means for outputting a height, a duty ratio and a period of the periodic structure assumed by the reflection spectrum calculation means when the value falls within a predetermined allowable range. Periodic structure measuring device according to 2 or 3Exist.
The subject matter of claim 5 is as follows:The reflected light intensity wavelength range measured by the light measuring means is 200. nm From 800 nm 5. The periodic structure measuring device according to
The subject matter of claim 6 is as follows:A periodic structure measuring method in which measurement light is incident on the surface of a periodic structure with rounded corners or a trapezoidal shape, and the shape is measured based on reflected light from the periodic structure,
Non-polarizing measuring light is incident perpendicular to the periodic structure,
Measure the wavelength dependence of the reflected light intensity from the periodic structure,
A method for measuring a periodic structure, comprising: calculating a period of the periodic structure based on a ratio of scattered light obtained from the wavelength dependence of the measured reflected light intensityExist.
The gist of the invention of
The gist of the invention of
The gist of the invention of
The subject matter of
The subject matter of the eleventh aspect resides in a program for causing a computer to execute the periodic structure measuring method according to any one of the sixth to tenth aspects.
A gist of the invention described in
And a step of stopping the fine structure etching process based on the measurement result.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0013]
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of a periodic structure measuring apparatus according to the present invention, and FIG. 2 shows the shape of the periodic structure measured by the embodiment of the periodic structure measuring apparatus according to the present invention. FIG. 3 is a diagram showing the shape of a virtual thin film assumed to measure the periodic structure shown in FIG.
[0014]
In the present embodiment, referring to FIG. 1, a
[0015]
The sample to be measured in this embodiment is a periodic structure having a fine periodic structure pattern whose refractive index changes periodically as shown in FIG. 2, and is composed of a medium having refractive indexes nc and ne. Each region is c and e (c + e = d) with respect to period d.
[0016]
In the analysis for obtaining the structure of the periodic structure from the wavelength dependence of the reflected light intensity by the computer 4, first, the periodic structure as shown in FIG. 2 is assumed as a virtual thin film as shown in FIG. The thickness and refractive index of the virtual thin film are obtained from the wavelength dependence of the measured reflected light intensity. At the same time, the height of the periodic structure can be determined by taking into account the influence of scattering that depends on the period of the periodic structure. Determine the duty ratio and period.
[0017]
First, a method for obtaining the layer thickness and effective refractive index of the virtual thin film shown in FIG. 3 will be described in detail.
4 is a diagram showing an example of the wavelength dependence of the reflected light intensity measured by the photodetector shown in FIG. 1, and FIG. 5 shows the change in the layer thickness and effective refractive index of the virtual thin film shown in FIG. It is a figure which shows the tendency of the wavelength dependence of the reflected light intensity at the time of doing.
[0018]
As shown in FIG. 4, the measurement result obtained by the
[0019]
When the layer thickness of the virtual thin film (h in FIG. 3) changes, the optical path length in the virtual thin film increases as the layer thickness of the virtual thin film increases (thickens) as shown by the arrow in FIG. Is longer, the observed peak position is shifted to the longer wavelength side.
[0020]
In addition, when the effective refractive index changes while the layer thickness of the virtual thin film remains constant, as shown by the arrow in FIG. 5B, the effective refractive index increases, and the observed peak position becomes long. As the wavelength shifts to the wavelength side, the difference in reflected light intensity between the maximum value and the minimum value also increases.
[0021]
In addition, when the effective refractive index changes in a state where the product of the virtual thin film thickness and the effective refractive index is a constant value, as shown by the arrow in FIG. Accordingly, a result of changing the minimum value is obtained, and the minimum value becomes the
[0022]
Furthermore, when there is a change in the scattering in the virtual thin film, as shown by the arrow in FIG. 5D, the reflected light intensity decreases as the scattering increases.
[0023]
The results shown in FIGS. 5A to 5D can be obtained by calculation if the layer thickness, effective refractive index, and ratio of scattered light of the virtual thin film are determined. Therefore, the layer thickness of the virtual thin film is determined by determining each parameter (layer thickness of the virtual thin film, effective refractive index and ratio of scattered light) so that a calculation result that matches the actually measured reflected light intensity (reflection spectrum) is obtained. The values of the effective refractive index and the ratio of scattered light can be obtained. That is, the layer thickness and effective refractive index of the virtual thin film can be determined independently from the wavelength of the extreme value and the difference in reflected light intensity between the maximum value and the minimum value, and the ratio of scattered light from the absolute value of the maximum value. It can be seen that
[0024]
Next, the relationship between the height and duty ratio of the periodic structure, the layer thickness of the virtual thin film, and the effective refractive index will be described in detail.
[0025]
When measuring a periodic structure whose refractive index periodically changes in one direction as shown in FIG. 2, when the period of the periodic structure is small with respect to the wavelength of the measurement light, the periodic structure is macroscopically viewed. Can do. That is, as shown in FIG. 3, the layer thickness is equal to the height (h) of the periodic structure and can be handled as a thin film having an effective refractive index (n2). In particular, when the wavelength of the measurement light source is sufficiently longer than the structure period, it is known that the reflection characteristic has birefringence depending on the polarization of the incident light, The effective refractive index N0 for perpendicular polarized light and the effective refractive index Ne for parallel polarized light are expressed by the following equations.
[0026]
[Formula 1]
Here, the periodic structure is composed of a medium having a refractive index nc and ne, and each region is c and e (c + e = d) with respect to the period d. If the refractive indices ne and nc are known, the duty ratio (c / d and e / d) can be obtained from the effective refractive index, and if the period d is known, the dimensions (c and e) of the periodic structure can be determined. Can be sought.
[0028]
Next, a method of calculating the relationship between the duty ratio of the periodic structure to be measured and the effective refractive index when the incident light used for measurement has no polarization (circularly polarized light) will be described.
FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the duty ratio and the effective refractive index for the diffraction grating shape of a resist that is a periodic structure.
[0029]
In FIG. 6, as an example, the above-described formula (1) when the refractive index of the medium constituting the periodic structure is n1 = nc = 1.0 (air) and ne = 1.5 (resist) and The example of calculation according to (2) is shown.
[0030]
When the incident light is not polarized, the measured reflection characteristics are as follows: each polarization component (effective refractive index N0 for polarized light perpendicular to the periodic direction of the periodic structure, The effective refractive index Ne) may be integrated and an averaged value may be used. In the case shown in FIG. 6, the relationship in which the effective refractive index n2 changes substantially linearly with respect to the duty ratio of the periodic structure. It becomes. Note that the refractive index of a semiconductor or a dielectric generally has a wavelength dependency, and therefore needs to be taken into consideration during calculation.
[0031]
Next, the influence of the scattered light when measuring the periodic structure will be described.
FIG. 7 is a diagram showing an example of the shape of the periodic structure measured by the embodiment of the periodic structure measuring apparatus according to the present invention, and FIG. 8 shows the measurement by the embodiment of the periodic structure measuring apparatus according to the present invention. It is a figure which shows the relationship between the diffraction grating period and scattered light quantity in the resist diffraction grating which is a periodic structure to perform.
[0032]
The periodic structure actually measured is rarely a perfect rectangle as shown in FIG. 2, and has a rounded or trapezoidal shape as shown in FIG. It is necessary to consider the effect of strength reduction.
[0033]
As shown in FIGS. 7 (a) and 7 (b), the reflected light intensity for diffraction gratings having different periods (d1> d2) and equal height (h) and duty ratio (c1 / d1 = c2 / d2 = m) When the period is measured, the proportion of the rounded region increases as the period becomes shorter, and the reduction of reflected light intensity due to scattering increases.
[0034]
FIG. 8 shows, as an example, the relationship between the diffraction grating period of a resist diffraction grating having a height of 150 nm formed by electron beam (EB) exposure and the amount of scattered light when the wavelength of measurement light is 400 nm. Show. The resist diffraction grating has a relationship such that the product of the ratio of scattered light and the diffraction grating period has a substantially constant value because the ratio of scattered light is substantially proportional to the number of patterns per unit area. Therefore, the period information of the periodic structure can be obtained by obtaining the amount of reduction in the reflected light intensity due to scattering of the periodic structure pattern being measured. As for scattering, since the ratio of scattering generally increases as the wavelength becomes shorter, it is necessary to consider wavelength dependency during calculation.
[0035]
As described above, by measuring the wavelength dependence of the measured reflected light intensity, the layer thickness of the virtual thin film and the effective refractive index are independently determined from the difference between the wavelength of the extreme value and the reflected light intensity of the maximum and minimum values. It can be determined that the ratio of the scattered light can be determined from the absolute value of the maximum value. Furthermore, since the layer thickness of the virtual thin film and the height of the periodic structure are the same, the height of the periodic structure is determined, and the duty ratio of the periodic structure depends on the effective refractive index of the virtual thin film. The body duty ratio is determined, and the period of the trial structure can be determined by analyzing the wavelength dependence of the reflected light intensity in consideration of the fact that the period of the periodic structure depends on the ratio of scattered light. Therefore, by measuring the wavelength dependence of the measured reflected light intensity, the height, duty ratio, and period of the periodic structure can be determined.
[0036]
Next, a specific calculation procedure of the present embodiment will be described in detail with reference to FIG.
FIG. 9 is a flowchart for explaining a calculation procedure of the embodiment of the periodic structure measuring apparatus according to the present invention.
[0037]
First, a sample which is a periodic structure is placed on the
[0038]
Next, the computer 4 initially sets the height, duty ratio, and cycle of the periodic structure to be measured to arbitrary values (step 2), and based on the initially set height, duty ratio, and cycle of the periodic structure. The calculated value of the reflection spectrum is obtained by calculation (step 3). The layer thickness and effective refractive index of the virtual thin film are obtained from the height and duty ratio of the periodic structure, the ratio of scattered light is obtained from the period of the periodic structure, and the reflectance of the substrate on which the virtual thin film is formed is obtained by calculation. . In other words, when measurement light of an arbitrary wavelength is incident on the semiconductor substrate on which the virtual thin film is formed, the optical path difference between the reflected light on the thin film surface and the reflected light on the interface between the thin film and the semiconductor substrate Because there is a phase difference that depends on, the light that is observed as reflected light is the interference of each reflected light, multiple reflection in the thin film that depends on the refractive index of each of the semiconductor, thin film, and air layer, When the reflectance of the semiconductor substrate on which the (virtual) thin film is formed can be accurately obtained by calculation considering the reflectance reduction due to scattered light depending on the shape of the pattern, and when the wavelength of the incident light is changed By performing the same calculation, the calculated value of the reflection spectrum can be obtained.
[0039]
Next, the computer 4 compares the calculated value of the reflection spectrum calculated in
[0040]
Next, the computer 4 determines whether the sum of squares of the deviation between the calculated value of the reflection spectrum and the measured value and the deviation amount between the calculated value of the reflected spectrum and the measured value are within a predetermined allowable range. (Step 5), if it is not within the allowable range, adjust the set value of the height, duty ratio and cycle of the periodic structure (Step 6), and again in
[0041]
When the calculator 4 determines that the value of the sum of squares of the deviation between the calculated value and the measured value of the reflection spectrum and the deviation amount between the calculated value and the measured value of the reflected spectrum are within a predetermined allowable range. Output the height, duty ratio, and period of the periodic structure set for calculating the calculated value of the reflection spectrum (step 7).
[0042]
Assuming that the height, duty ratio, and period of the periodic structure are initially assumed, values that are expected to some extent when the periodic structure is manufactured, or the peak-and-peak position and intensity of the wavelength dependence of the actually measured reflected light intensity, etc. By using expected values, the above least square approximation can be calculated in a few seconds or less.
[0043]
Next, a method for measuring the shape of a resist diffraction grating pattern formed on a semiconductor substrate will be described in detail as an embodiment of the present invention.
FIG. 10 is an electron micrograph showing the cross-sectional shape of the resist diffraction grating measured in the example of the present invention. FIG. 11 is a reflection spectrum of the resist diffraction grating measured in the example of the present invention and the result of parameter fitting (measurement). FIG. 12 is a diagram showing a measurement result of the resist diffraction grating height measured in the example of the present invention, and FIG. 13 is a diagram showing a measurement result obtained by adjusting each value so as to coincide with the value. FIG. 14 is a diagram showing a measurement result of the resist diffraction grating aperture ratio measured in the example of the present invention, FIG. 14 is a diagram showing a cross-sectional shape of the semiconductor diffraction grating in the example of the present invention, and FIG. It is a figure which shows the cross-sectional shape at the time of etching a semiconductor using the resist in the Example of invention as a mask, FIG. 16 shows the virtual multilayer thin film for measuring the periodic structure in the Example of this invention. FIG. 17 is a diagram showing a configuration of an etching apparatus having a function of measuring a periodic structure in an embodiment of the present invention, and FIG. 18 shows an evaluation of the shape of an isolated pattern in the embodiment of the present invention. It is explanatory drawing for demonstrating the method estimated from the shape evaluation result of a diffraction grating pattern, and FIG. 19 is a figure which shows the relationship between the isolated pattern and the shape of a diffraction grating pattern in the Example of this invention.
[0044]
FIG. 10 is a cross-sectional SEM photograph of the resist diffraction grating used in the measurement of the example of the present invention. A positive electron beam (EB) resist is used, and the diffraction grating of a 1.55 μm band DFB laser is obtained by EB exposure. A 240 nm constant period line and space pattern was created. The height and duty ratio of the resist diffraction grating are intentionally changed by changing the EB exposure conditions. As shown in FIG. 10, the shape of the resist constituting the diffraction grating is rounded, and it is expected that a part of incident light is scattered when measurement light is incident.
[0045]
FIG. 11 shows the wavelength dependence of reflected light intensity when measuring a plurality of resist diffraction grating patterns having different heights and duty ratios as shown in FIG. The wavelength dependence of the reflected light intensity was measured by spectroscopically reflecting the reflected light from the sample using a halogen lamp of about 400 nm to 800 nm. The measurement area was about 5 μmφ using an objective lens. FIG. 11 shows a curve obtained by fitting the measured value to the least square using the height of the resist diffraction grating and the effective refractive index as parameters. In the fitting shown in the figure, since the period of the diffraction grating is known to be 240 nm in advance, the ratio of scattered light was calculated to be fixed at about 10%. As shown in FIG. 11, the fitting of the measurement results is performed well in any shape having a different diffraction grating height and duty ratio.
[0046]
FIG. 12 and FIG. 13 show the relationship between the measured value obtained from the fitting result shown in FIG. 11 and the actually measured value by SEM observation with respect to the height and duty ratio of the resist diffraction grating. Both the resist diffraction grating height and the duty ratio are almost the same as the SEM observation values, and it can be seen that measurement is possible over a wide measurement range. As the standard deviation with respect to the straight line approximated by the least square, the resist height shown in FIG. 12 is 1.9 nm, and the duty ratio shown in FIG. 13 is 2.0 nm when converted to the resist opening width. Measurement accuracy of ± 5% or less was obtained.
[0047]
As described above, the measurement light having no polarization is incident on the diffraction grating pattern perpendicularly, and the wavelength dependence of the reflection characteristics is analyzed in consideration of the layer thickness, the effective refractive index, and the scattered light. It is possible to accurately measure the height, duty ratio, and cycle within a few seconds.
[0048]
In this example, since the period of the diffraction grating was known, it was not changed at the time of fitting. However, in the case of measuring a sample with an unknown period, the scattered light is reduced so that the deviation at the time of fitting is minimized. What is necessary is just to change also about a ratio.
[0049]
In the above embodiment, the wavelength at which the reflected light intensity is measured is 400 nm to 800 nm. This is because the height of the resist diffraction grating being measured is relatively high, about 100 nm to 200 nm, as shown in FIG. This is because the peak of the reflection spectrum is observed in the wavelength region. In particular, when measuring a pattern in which the height of the diffraction grating is lower and the number of peaks in the reflection spectrum is smaller, for example, as shown in FIG. Therefore, it is effective to widen the measurement wavelength range. When the measurement wavelength is 200 nm or less, the influence of scattering becomes large and sufficient reflection intensity cannot be obtained, and when the wavelength is 800 nm or more, the measurement accuracy does not improve so much. It is effective to measure the intensity measurement wavelength range from 200 nm to 800 nm.
[0050]
In this example, the resist diffraction grating produced on the semiconductor substrate was measured. However, the diffraction grating pattern produced by etching the semiconductor substrate as shown in FIG. 14 can be evaluated with the same measurement accuracy. . In this case, in the diffraction grating structure shown in FIG. 2, n1 = nc = 1 (air) and ne = n3 = 3 (semiconductor) may be used.
[0051]
Further, as shown in FIG. 16, the diffraction grating pattern in which the semiconductor is etched using the resist as a mask as shown in FIG. 15 has two types of virtual thin films consisting of resist and air and semiconductor and air, as shown in FIG. By considering the formation, the resist shape and the semiconductor etching shape can be measured with the same accuracy. Accordingly, as shown in FIG. 17, an etching cell loaded with an etching solution for transferring the pattern formed on the mask to the semiconductor substrate, and a periodic structure in which the measurement light is incident on the semiconductor substrate and the reflected light is measured. In the configuration including the measurement device, the etching depth can be precisely controlled by stopping the etching when the target value is reached while monitoring the etching state.
[0052]
In the above embodiment, the diffraction grating pattern having a period in one direction is measured as the periodic structure pattern. However, a two-dimensional periodic structure having a period in two directions can be similarly measured. In this case, the relationship corresponding to the above equations (1) and (2) can be obtained by combining the periodicity of the pattern with respect to the polarization direction of the measurement light and the periodicity with respect to the direction perpendicular to the polarization direction. .
[0053]
In the present invention, it is possible to measure the shape of a fine periodic structure pattern that is difficult to measure with an optical microscope or a laser microscope, but it is also possible to accurately estimate the size of an isolated pattern using this method. is there. That is, it is possible to measure the shape of the isolated pattern from the evaluation of the periodic structure pattern by simultaneously producing the isolated pattern and the periodic structure pattern on the same sample using the same method and examining the correlation between them in advance. .
[0054]
FIG. 18 shows an isolated pattern and a diffraction grating pattern that are simultaneously produced under the same conditions by EB exposure on a negative resist coated on a semiconductor substrate. At the time of EB exposure, due to the reflection and scattering of the electron beam on the substrate and resist, a proximity effect that affects each other in the adjacent region of the pattern occurs, so the diffraction pattern has a wider resist pattern width than the isolated pattern . Therefore, by measuring the shape of the diffraction grating pattern according to the present invention from the relationship between the diffraction pattern and the isolated pattern measured in advance as shown in FIG. It becomes possible to accurately estimate the shape.
[0055]
FIG. 20 is a diagram showing a state in which the embodiment of the periodic structure measuring device according to the present invention is connected to the network.
FIG. 1 shows the case where the function of measuring the reflection spectrum of the sample and the computer 4 for analyzing the measured reflection spectrum are installed close to the optical periodic structure measuring apparatus. As shown in the figure, the periodic structure measuring device and the computer 4 are located at a distance from each other and can be measured in the same manner even when they are connected by a network. Further, the result of data analysis is connected to the computer 4. In the case of feeding back to the process conditions of other process apparatuses such as an etching apparatus, an exposure apparatus, and a developing apparatus, the same is possible. Further, the present invention can be similarly applied when each device is not connected to a network, passes data via a recording medium, and performs measurement and analysis at remote locations.
[0056]
As described above, according to the present embodiment, measurement light having no polarization is incident on a periodic structure having a fine periodic structure pattern, and the wavelength dependence of the reflection spectrum is assumed for the periodic thin film. By analyzing in consideration of the layer thickness, effective refractive index and scattered light, the height, duty ratio, and period of the periodic structure can be accurately measured, and the periodic structure formed on the surface of the semiconductor or the like can be measured. There is an effect that the shape can be easily and quantitatively evaluated with high accuracy.
[0057]
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it is obvious that the embodiments can be appropriately changed within the scope of the technical idea of the present invention. In addition, the number, position, shape, and the like of the constituent members are not limited to the above-described embodiment, and can be set to a number, position, shape, and the like that are suitable for implementing the present invention. In each figure, the same numerals are given to the same component.
[0058]
【The invention's effect】
The periodic structure measuring apparatus and the periodic structure measuring method of the present invention is a virtual thin film in which measurement light having no polarization is incident on a periodic structure having a fine periodic structure pattern and the wavelength dependence of the reflection spectrum is assumed to be a periodic structure. By analyzing in consideration of the layer thickness, effective refractive index and scattered light, the height, duty ratio, and period of the periodic structure can be accurately measured, and the periodic structure formed on the surface of the semiconductor or the like can be measured. There is an effect that the shape can be easily and quantitatively evaluated with high accuracy.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an embodiment of a periodic structure measuring apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing the shape of a periodic structure measured by the embodiment of the periodic structure measuring apparatus according to the present invention.
FIG. 3 is a view showing the shape of a virtual thin film assumed for measuring the periodic structure shown in FIG. 2;
4 is a diagram showing an example of wavelength dependence of reflected light intensity measured by the photodetector shown in FIG. 1. FIG.
5 is a graph showing a trend of wavelength dependence of reflected light intensity when the layer thickness and effective refractive index of the virtual thin film shown in FIG. 3 are changed.
6 is a diagram showing the relationship between the duty ratio of the periodic structure shown in FIG. 2 and the effective refractive index of the virtual thin film shown in FIG. 3;
FIG. 7 is a diagram showing a shape example of a periodic structure measured by the embodiment of the periodic structure measuring device according to the present invention.
FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the diffraction grating period and the amount of scattered light in a resist diffraction grating which is a periodic structure measured by the embodiment of the periodic structure measuring apparatus according to the present invention.
FIG. 9 is a flowchart for explaining a calculation procedure of the embodiment of the periodic structure measuring device according to the present invention.
FIG. 10 is an electron micrograph showing the cross-sectional shape of a resist diffraction grating measured in an example of the present invention.
FIG. 11 is a diagram showing a reflection spectrum of a resist diffraction grating and a parameter fitting result measured in an example of the present invention.
FIG. 12 is a diagram showing a measurement result of a resist diffraction grating height measured in an example of the present invention.
FIG. 13 is a diagram showing a measurement result of a resist diffraction grating aperture ratio measured in an example of the present invention.
FIG. 14 is a diagram showing a cross-sectional shape of a semiconductor diffraction grating in an example of the present invention.
FIG. 15 is a diagram showing a cross-sectional shape when a semiconductor is etched using a resist as a mask in an embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a diagram showing a virtual multilayer thin film for measuring a periodic structure in an example of the present invention.
FIG. 17 is a diagram showing a configuration of an etching apparatus having a function of measuring a periodic structure in an embodiment of the present invention.
FIG. 18 is an explanatory diagram for explaining a method of estimating the shape evaluation of an isolated pattern from the result of shape evaluation of a diffraction grating pattern according to an embodiment of the present invention.
FIG. 19 is a diagram showing the relationship between the shape of an isolated pattern and a diffraction grating pattern in an example of the present invention.
FIG. 20 is a diagram showing a state in which the embodiment of the periodic structure measuring device according to the present invention is connected to the network.
[Explanation of symbols]
1 Sample stage
2 Light source for measurement
3 Photodetector
4 Calculator
5 Objective lens
6 Optical monitor
Claims (12)
偏光性がない測定光を前記周期構造体に対して垂直に入射する測定光入射手段と、
前記周期構造体からの反射光強度の波長依存性を測定する光測定手段と、
該光測定手段により測定された反射光強度の波長依存性から求められる散乱光の割合に基づいて前記周期構造体の周期を算出する計算手段とを具備することを特徴とする周期構造測定装置。A periodic structure measuring apparatus for measuring light incident on the surface of a periodic structure having a rounded corner shape or a trapezoidal shape, and measuring the shape based on the reflected light from the periodic structure,
Measuring light incident means for vertically injecting measuring light having no polarization property to the periodic structure;
Light measuring means for measuring the wavelength dependence of the intensity of reflected light from the periodic structure;
A periodic structure measuring apparatus comprising: a calculating means for calculating a period of the periodic structure based on a ratio of scattered light obtained from wavelength dependency of reflected light intensity measured by the light measuring means.
前記計算手段は、前記周期構造体の高さ、デューティ比および周期を仮定して反射スペクトルを算出する反射スペクトル算出手段と、
前記反射スペクトル測定手段による測定値と前記反射スペクトル算出手段による計算値との偏差の２乗和を算出する偏差算出手段と、
該偏差算出手段により算出された値が予め定められた許容範囲内になったときの前記反射スペクトル算出手段で仮定した前記周期構造体の高さ、デューティ比および周期を出力する算出結果出力手段とからなることを特徴とする請求項２又は３記載の周期構造測定装置。 The light measurement means measures a reflection spectrum that is wavelength dependence of reflected light intensity from the periodic structure,
The calculation means includes a reflection spectrum calculation means for calculating a reflection spectrum assuming a height, a duty ratio and a period of the periodic structure;
Deviation calculating means for calculating the sum of squares of deviation between the measured value by the reflected spectrum measuring means and the calculated value by the reflected spectrum calculating means;
A calculation result output means for outputting the height, duty ratio, and period of the periodic structure assumed by the reflection spectrum calculation means when the value calculated by the deviation calculation means falls within a predetermined allowable range; The periodic structure measuring apparatus according to claim 2 or 3, characterized by comprising:
偏光性がない測定光を前記周期構造体に対して垂直に入射し、 Non-polarizing measuring light is incident perpendicular to the periodic structure,
前記周期構造体からの反射光強度の波長依存性を測定し、 Measure the wavelength dependence of the reflected light intensity from the periodic structure,
該測定した反射光強度の波長依存性から求められる散乱光の割合に基づいて前記周期構造体の周期を算出することを特徴とする周期構造測定方法。 A periodic structure measuring method, comprising: calculating a period of the periodic structure based on a ratio of scattered light obtained from the wavelength dependence of the measured reflected light intensity.
前記周期構造体の高さ、デューティ比および周期を仮定して反射スペクトルを算出し、 Assuming the height, duty ratio and period of the periodic structure, a reflection spectrum is calculated,
前記反射スペクトルの測定値と前記反射スペクトルの計算値との偏差の２乗和を算出し、 Calculating the sum of squares of the deviation between the measured value of the reflection spectrum and the calculated value of the reflection spectrum;
該算出した偏差の２乗和が予め定められた許容範囲内になったときの前記反射スペクトルの計算値を算出する際に仮定した前記周期構造体の高さ、デューティ比および周期を出力することを特徴とする請求項７又は８記載の周期構造測定方法。 Outputting the height, duty ratio, and period of the periodic structure assumed when calculating the calculated value of the reflection spectrum when the calculated sum of squares of the deviation falls within a predetermined allowable range The method for measuring a periodic structure according to claim 7 or 8, wherein:
請求項６乃至１０のいずれかに記載の周期構造測定方法を用いて前記周期構造体を作製する微細構造エッチングプロセス時に周期構造の形状を測定する工程と、 Measuring the shape of the periodic structure during the microstructure etching process for producing the periodic structure using the periodic structure measuring method according to claim 6;
測定結果に基づき微細構造エッチングプロセスを停止する工程とを有することを特徴とする周期構造体作製方法。 And a step of stopping the fine structure etching process based on the measurement result.
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