JP3992582B2

JP3992582B2 - Method and apparatus for manufacturing organic EL element

Info

Publication number: JP3992582B2
Application number: JP2002295727A
Authority: JP
Inventors: 雅一坂田; 悌二高川; 博章泉
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2002-10-09
Filing date: 2002-10-09
Publication date: 2007-10-17
Anticipated expiration: 2022-10-09
Also published as: JP2004134154A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセント（ＥＬ）素子の製造方法及び製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報機器の多様化に伴い、一般に使用されているＣＲＴ（陰極線管）に比べて、消費電力が少ない平面表示素子に対する要求が高まっている。平面表示素子の１つとして、高効率・薄型・軽量・低視野角依存性等の特徴を有するエレクトロルミネッセント（ＥＬ）素子が注目され、このＥＬ素子を用いたディスプレイの開発が活発に行われている。
【０００３】
ＥＬ素子は蛍光性化合物に電場を加えることで発光する自己発光型の素子であり、硫化亜鉛などの無機化合物を発光層として用いた無機ＥＬ素子と、ジアミン類などの有機化合物を発光層として用いた有機ＥＬ素子とに大別される。
【０００４】
有機ＥＬ素子はカラー化が容易で、無機ＥＬ素子より遥かに低電圧の直流電流で動作するなどの利点から、近年特に携帯端末の表示装置などへの応用が期待されている。
【０００５】
有機ＥＬ素子は、電子注入電極（陰電極）とホール注入電極（陽電極）からそれぞれ電子とホールを発光層に注入し、注入された電子とホールとを発光中心で再結合させて、発光中心が励起状態から基底状態へ戻るときに蛍光を発光させる。
【０００６】
発光層として、ホスト材料にドーパント材料を混合した発光層を用いることにより、発光効率を高めることが提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００７】
【特許文献１】
特開昭６３−２６４６９２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、ホスト材料とドーパント材料の混合物から発光層を形成する場合、発光層におけるドーパント濃度により、素子の色度及び発光効率が変化するため、発光層におけるドーパント濃度を所定の範囲内に設定する必要がある。
【０００９】
従来は、素子を作製した後、素子に通電することにより所望のドーパント濃度の発光層が形成されているか否かを確認しているため、発光層の上に電極を形成する必要があり、材料及び時間が無駄になるという問題があった。また、有機ＥＬ素子をマルチカラー、フルカラー等の表示装置として用いる場合、Ｒ、Ｇ、及びＢの３色の発光層を形成する必要があり、既にいずれかの発光層で不良が生じている場合にも、全ての発光層を形成する必要があり、さらに材料と時間が無駄になるという問題があった。
【００１０】
本発明の目的は、発光層におけるドーパント濃度を所定の範囲内に精度良く制御することができ、有機ＥＬ素子を無駄なく効率良く製造することができる有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の製造方法は、ホスト材料とドーパント材料を所定の混合比となるように混合した発光層を形成する有機ＥＬ素子の製造方法であり、発光層を形成する工程と、発光層の蛍光スペクトルまたは光吸収スペクトルを測定することにより、発光層の混合比を検出し評価する工程とを備えることを特徴としている。
【００１２】
蛍光スペクトルを測定する場合には、蛍光スペクトルの最大蛍光強度を示す波長を測定することにより、ホスト材料に対するドーパント材料の混合比（ドーパント濃度）を求めることができる。また、光吸収スペクトルを測定する場合には、ホスト材料の吸光度とドーパント材料の吸光度の比率を測定することにより、ホスト材料に対するドーパント材料の混合比（ドーパント濃度）を求めることができる。
【００１３】
混合比を算出するための標準試料としては、ホスト材料とドーパント材料を種々の混合比で混合した複数の溶液を作製し、これらの溶液を塗布することにより混合比の異なる膜を作製し、これらを標準試料とすることができる。また、ドーパント濃度が既知の標準試料を作成する別の方法として、ホスト材料とドーパント材料が混合された蒸着膜を用いてもよい。この場合には、予め液体クロマトグラフィなどの分析方法を用いて、膜中のドーパント濃度を求めておく。これらの膜の蛍光スペクトルの最大蛍光強度、または光吸収スペクトルにおけるホスト材料とドーパント材料の吸光度の比率を測定し、ドーパント濃度との関係を求めることができる。
【００１４】
本発明の製造方法においては、混合比の評価結果をフィードバックし、発光層の形成条件を制御することができる。
また、測定対象となる発光層は、最終製品とならない測定管理用の発光層であることが好ましい。すなわち、スペクトル測定のため励起光を照射すると、発光層に劣化を生じるおそれがあるため、測定対象とした発光層は、最終製品として用いないことが好ましい。従って、ロット内にある複数の発光層のうちの１つの発光層を測定対象とし、該発光層についてのみ測定することが好ましい。
【００１５】
本発明においては、上記のようにして評価した結果の混合比が、所定の範囲内であるロットについてのみ次工程に進めてもよい。例えば、発光層が所定の混合比であったものについてのみ、次の電極形成の工程を行うようにしてもよい。また、Ｒ、Ｇ及びＢの各発光層を形成するものについては、発光層の混合比が所定の範囲内であったものについてのみ、次の色の発光層の形成工程に進めるようにしてもよい。
【００１６】
本発明の製造装置は、上記本発明の製造方法を実施することができる製造装置であり、ホスト材料とドーパント材料を所定の混合比となるように混合した発光層を形成する有機ＥＬ素子の製造装置であり、基板上に発光層を形成するための成膜室と、発光層の蛍光スペクトルまたは光吸収スペクトルを測定することにより発光層の混合比を検出し評価するための光源及び検出部とを備えることを特徴としている。
【００１７】
蛍光スペクトルまたは光吸収スペクトルを測定するための光源及び検出部は、成膜室内に設けられていてもよい。従って、発光層を形成した後にその蛍光スペクトルまたは光吸収スペクトルを測定してもよいし、発光層の形成途中において、その蛍光スペクトルまたは光吸収スペクトルを測定してもよい。発光層の形成中にスペクトルを測定する場合には、その測定結果に応じて、その後の薄膜形成条件を制御し、所定のドーパント濃度となるように調整してもよい。
【００１８】
また、光源及び検出部は、基板を挟み発光層と反対側に設けられていてもよい。発光層と反対側に設けることにより、光源及び検出部が、発光層形成のためのホスト材料及びドーパント材料などにより、汚染されるのを防止することができる。
【００１９】
また、本発明の製造装置においては、光源及び検出部が、成膜室とは別の測定室内に設けられていてもよい。すなわち、成膜室で基板上に発光層を形成した後、基板を測定室に移動させ、該測定室内で発光層の蛍光スペクトルまたは光吸収スペクトルを測定してもよい。
【００２０】
また、成膜室と測定室の間には、発光層を形成した基板を搬送するための搬送室が設けられていることが好ましい。すなわち、発光層を形成した基板を、搬送室を通り搬送することにより、測定室に供給されることが好ましい。また、測定後の基板は、再び搬送室を通り、製造ラインに戻されることが好ましい。この場合、同じ成膜室に戻されてもよいし、製造ラインにおける異なる成膜室に戻されてもよい。
【００２１】
搬送室においては、複数の基板が同時に搬送されることが好ましい。また、一般に成膜室内は減圧雰囲気であるので、搬送室及び測定室も同様に減圧雰囲気であることが好ましい。
【００２２】
本発明の製造装置においては、混合比の評価結果をフィードバックして発光層の形成条件を制御する制御機構が設けられていることが好ましい。このような制御機構を設けることにより、混合比の測定結果に応じて、発光層の形成条件を変えることができ、所定のドーパント濃度となるように発光層の形成条件を制御し、所定のドーパント濃度の発光層を形成することができる。
【００２３】
また、本発明の製造装置においては、評価結果の混合比が所定の範囲内でない場合、その発光層が含まれているロットを次の工程に進めることなく製造ラインから外してもよく、このための排除機構が設けられていてもよい。このような排除機構を設けることにより、不良品となるロットについて、それ以降の製造工程を省略することができ、材料及び時間が無駄に消費されるのを防止することができる。従って、効率良く有機ＥＬ素子を生産することができる。
【００２４】
本発明の製造装置においては、混合比の評価結果を表示するための表示部が設けられていてもよい。表示部で表示された混合比の評価結果に基づき、発光層の形成条件が調整されてもよい。
【００２５】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に従う一実施例の製造装置の成膜室を示す模式的断面図である。成膜室１内には、基板５が配置されており、蒸着源２により、基板５の上に発光層６が形成されている。発光層６は、例えばマスクなどを用いることにより所定の場所に形成されている。
【００２６】
発光層６と反対側に、光源３及び検出部４が設けられている。光源３から出射された光が発光層６に照射され、これによって発光層６から発生した蛍光が検出部４に検出され、これによって発光層６の蛍光スペクトルが測定される。予め標準試料を用いて蛍光スペクトルの最大蛍光強度を示す波長と、ドーパント濃度との関係を求めておき、測定した蛍光スペクトルの最大蛍光強度を示す波長を求めることにより、ドーパント濃度を算出することができる。
【００２７】
図２は、本発明の他の実施例の製造装置における成膜室を示す模式的断面図である。図２においては、光源３と検出部４が基板を挟み互いに反対側に設けられており、光源３から出射された光が発光層６を通り、検出部４で検出される。従って、発光層４の光吸収スペクトルを測定することができる。予め標準試料を用いて、ホスト材料の吸光度とドーパント材料の吸光度の比率と、ドーパント濃度の関係を求めておき、測定した光吸収スペクトルにおけるホスト材料の吸光度とドーパント材料の吸光度の比率を求め、ドーパント濃度を算出することができる。
【００２８】
図３は、本発明の実施例の製造装置を示す平面図である。成膜室１の前には、前工程の成膜室２２が設けられている。前工程の成膜室２２と成膜室１との間には搬送室２３が設けられている。前工程の成膜室２２の前には搬送室２１が設けられている。
【００２９】
成膜室１の後には後工程の成膜室２５が設けられている。成膜室１と後工程の成膜室２５の間には搬送室２４が設けられている。後工程の成膜室２５の後には搬送室２６が設けられている。
【００３０】
前工程の成膜室２２では、例えば、発光層の下に設けられる第１の電極、または成膜室１とは異なる色の発光層が形成される。
後工程の成膜室２５では、例えば、第１の成膜室とは異なる色の発光層、または第２の電極が形成される。
【００３１】
搬送室２１、２３、２４及び２６においては、図４に断面図で示すような複数の基板５が搬送される枚葉式の容器３０で基板が搬送されることが好ましい。
図３に示す製造装置の成膜室１では、図１または図２に示すように、発光層６の蛍光スペクトルまたは光吸収スペクトルを測定するための光源３及び検出部４が、成膜室１内に設けられている。従って、成膜直後の発光層６について、蛍光スペクトルまたは光吸収スペクトルを測定し、発光層６のドーパント濃度を評価することができる。評価結果に応じて、次の発光層の形成の際の薄膜形成条件を調整することができる。また、評価結果のドーパント濃度が所定の範囲内でないものについては、次の工程に進めることなく、製造ラインから外すことができる。
【００３２】
また、薄膜形成中の発光層６の蛍光スペクトルまたは光吸収スペクトルを測定してもよい。この場合、測定結果に応じて、その後の薄膜形成条件を調整してもよい。
【００３３】
図１及び図２に示すように、発光層６の形成を、蒸着源２を用いて行う場合、ホスト材料用の蒸着源とドーパント材料用の蒸着源を、それぞれ移動させながら発光層６を形成する。図１３の平面図に示すように、基板５の上には、複数の発光層６が形成される。ホスト材料用蒸着源とドープ材料用蒸着源を基板５上を一定方向に移動させながら発光層６を形成する場合には、それぞれの蒸着源の移動速度を制御することにより発光層６におけるドーパント濃度を制御することができる。また、それぞれの蒸着源における温度、開口などを変化させることによってドーパント濃度を制御してもよい。
【００３４】
また、蛍光スペクトル及び光吸収スペクトルの測定対象となる発光層６は、測定のためだけに形成される発光層であってもよい。すなわち、測定対象になる発光層は、最終製品とならない測定管理用の発光層であってもよい。
【００３５】
図５は、本発明のさらに他の実施例の製造装置を示す平面図である。図５に示す装置においては、成膜室２０及び、搬送室１１を介して測定室１０が設けられている。図８は、成膜室２０を示す模式的断面図である。図８に示すように、成膜室２０には、蛍光スペクトルまたは光吸収スペクトル測定用の光源及び検出部が設けられておらず、蒸着源２による発光層６の形成のみが行われる。
【００３６】
図９は、測定室１０を示す模式的断面図である。図９に示すように、測定室１０においては、成膜室２０で形成された発光層６の蛍光スペクトルまたは光吸収スペクトルを測定するための光源３及び検出部４が設けられている。図９においては、光源３及び検出部４が基板５を挟むように基板５の両側に設けられているが、図１に示すように、基板５の一方側に光源及び検出部を設けてもよい。
【００３７】
搬送室１１においては、他の搬送室と同様に、図４に示すような枚葉式の容器３０を用いて、複数の基板５が同時に搬送される。
図５に示すように、測定室１０で測定された発光層のドーパント濃度の評価結果を、制御機構１２により、成膜室２０にフィードバックし、成膜室２０における発光層の形成条件を制御することができる。図１０は、ドーパント濃度測定の評価結果を発光層形成の工程にフィードバックし、発光層形成の形成条件を制御するフローを示す図である。
【００３８】
図５に示す装置においては、測定室１０で発光層のスペクトルを測定した後、基板は搬送室１１を通り再び成膜室２０に戻され、次に搬送室２２を通り次工程に搬送される。
【００３９】
図６は、本発明のさらに他の実施例の製造装置を示す平面図である。図６に示す装置においては、成膜室２０及び、搬送室１１を介して測定室１０が設けられており、測定室１０には、搬送室１３を介して廃棄室１４が設けられている。廃棄室１４は、測定室１０で測定されたドーパント濃度が、所定の範囲内でないものについて、製造ラインから外し廃棄するためのものである。ドーパント濃度が所定の範囲内でないものについては、搬送室１３を通り、廃棄室１４に廃棄される。ドーパント濃度が所定の範囲内であるものについては、再び搬送室１１を通り成膜室２０に戻され、搬送室２２を通り次工程に搬送される。
【００４０】
図１１は、図６に示す製造装置のフローを示す図である。図１１に示すように、ドーパント濃度の測定でドーパント濃度が所定の範囲内でないものについては廃棄され、所定の範囲内であるものについては次工程に搬送される。
【００４１】
図７は、本発明のさらに他の実施例の製造装置を示す平面図である。図７に示す装置においては、図５に示す制御機構１２が設けられるとともに、図６に示す廃棄室１４が設けられている。測定室１０で測定された評価結果に基づき、制御機構１２より、成膜室２０の薄膜形成条件が制御される。また、測定室１０で測定された評価結果に基づき、ドーパント濃度が所定の範囲内でないものについては廃棄室１４に搬送され製造ラインから外される。またドーパント濃度が所定の範囲内であるものについては、成膜室２０に戻され、次工程に搬送される。
【００４２】
図１２は、成膜室２０、搬送室１１及び測定室１０を示す側面図である。図１２に示すように、搬送室１１においては、複数の基板が収納される枚葉式の容器３０を移動させることにより、複数の基板を成膜室２０と測定室１０の間で移動させる。測定室１０には、測定結果を表示する表示部１０ａが設けられている。表示部１０ａに表示された測定結果に基づき、成膜室２０における成膜条件を調整してもよい。
【００４３】
【実施例】
以下、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の発光層におけるドーパント濃度と蛍光スペクトルまたは光吸収スペクトルとの関係を具体的に示す。
【００４４】
（実施例１）
ホスト材料としてＡｌ錯体（Ａｌｑ）を用い、ドーパント材料としてキノン系色素を用いて、赤色の発光層を形成した。それぞれを、表１に示すドーパント／ホスト重量比（ドーパント濃度）となるように混合して、クロロホルムに溶解し、これを塗布することにより発光層の塗膜を形成した。形成した塗膜について、蛍光スペクトルを測定した。蛍光スペクトルは、波長３９０ｎｍの励起光を照射することにより測定した。
【００４５】
表１に、蛍光スペクトルの強度最大波長と、ドーパント／ホスト重量比との関係を示す。
【００４６】
【表１】

【００４７】
図１４は、蛍光スペクトルの強度最大波長とドーパント／ホスト重量比との関係を示す図である。強度最大波長をｙ、ドーパント／ホスト重量比をｘとすると、
ｙ＝９．６９６８Ｌｎ（ｘ）＋６７４．４１
Ｒ²＝０．９８４４
の関係になることがわかる。
【００４８】
本発明に従い、成膜した発光層の蛍光スペクトルを測定し、例えば、強度最大波長が６３６ｎｍであった場合、ドーパント／ホスト重量比（ドーパント濃度）は、０．０１（１％）であることがわかる。例えば、ドーパント濃度の目標値が０．０２（２％）である場合、ドーパント濃度が２倍になるように、発光層形成条件を変更する。
【００４９】
（実施例２）
ホスト材料としてＡｌ錯体（Ａｌｑ）を用い、ドーパント材料としてクマリン色素を用いて、緑色の発光層を形成した。表２に示すドーパント／ホスト重量比となるように、それぞれをクロロホルムに溶解し、得られた溶液を塗布することにより、発光層の塗膜を形成した。形成した塗膜に、波長３９０ｎｍの励起光を照射し、蛍光スペクトルを測定した。ドーパント／ホスト重量比（ドーパント濃度）と、蛍光スペクトルにおける強度最大波長との関係を表２に示す。
【００５０】
【表２】

【００５１】
図１５は、強度最大波長とドーパント／ホスト重量比との関係を示す図である。強度最大波長をｙ、ドーパント／ホスト重量比（ドーパント濃度）をｘとすると、
ｙ＝２００．２５ｘ＋５２０．６
Ｒ²＝０．９９８８
の関係が成立することがわかる。
【００５２】
例えば、ドーパント濃度の目標値が０．０１（１％）である場合、強度最大波長は５２２．６ｎｍとなる。測定対象である発光層の強度最大波長が５２１．６ｎｍである場合、ドーパント濃度は０．００５（０．５％）であるので、ドーパント濃度を目標の値とするためには、ドーパント濃度を２倍となるように、発光層の形成条件を変更する必要がある。
【００５３】
（実施例３）
ホスト材料としてスチルベン化合物を用い、ドーパント材料としてアミン系色素材料を用いて、青色の発光層を形成した。具体的には、それぞれの材料を、表３に示すドーパント／ホスト重量比（ドーパント濃度）となるように混合し、これを、クロロホルムに溶解して溶液とし、これを塗布して発光層の塗膜を形成した。
【００５４】
形成した塗膜について、紫外可視吸収スペクトルを測定し、ホスト材料の吸光度とドーパント材料の吸光度を求め、これらの吸光度の比率（ドーパント／ホスト）を測定した。測定結果を表３に示す。なお、ホスト材料の吸光度については波長３７８ｎｍの吸光度を測定し、ドーパント材料の吸光度については、ベースラインを挿引した後、波長４４３ｎｍの吸光度より求めた。
【００５５】
【表３】

【００５６】
吸光度の比率（ドーパント／ホスト）と、ドーパント／ホスト重量比（ドーパント濃度）との関係を図１６に示す。吸光度の比率をｙ、ドーパント／ホスト重量比をｘとすると、
ｙ＝０．４０５６ｘ
Ｒ²＝０．９７６５
の関係が成立することがわかる。
【００５７】
ドーパント濃度の目標値が０．０２（２％）である場合、吸光度の比率は０．００８である。形成した発光層の吸光度の比率が例えば０．００４である場合、ドーパント濃度は０．０１（１％）となるので、ドーパント濃度が２倍になるように、発光層の形成条件を変更する必要がある。
【００５８】
以上のように、発光層の蛍光スペクトルまたは光吸収スペクトルを測定することにより、ドーパント濃度を求めることができる。従って、本発明によれば、発光層におけるドーパント濃度を容易に測定することができ、ドーパント濃度を所定の範囲内とするように制御することができる。従って、有機ＥＬ素子を無駄なく効率良く製造することができる。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、形成した発光層におけるドーパント濃度を容易に測定することができる。従って、発光層におけるドーパント濃度を所定の範囲内となるように精度良く制御することができ、有機ＥＬ素子を効率良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の製造装置における成膜室を示す模式的断面図。
【図２】本発明の他の実施例の製造装置における成膜室を示す模式的断面図。
【図３】本発明の一実施例の製造装置を示す平面図。
【図４】搬送室内を移動する枚葉式の容器を示す断面図。
【図５】本発明のさらに他の実施例の製造装置を示す平面図。
【図６】本発明のさらに他の実施例の製造装置を示す平面図。
【図７】本発明のさらに他の実施例の製造装置を示す平面図。
【図８】図５〜図７に示す製造装置における成膜室を示す模式的断面図。
【図９】図５〜図７に示す製造装置における測定室を示す模式的断面図。
【図１０】本発明において、ドーパント濃度測定の評価結果を発光層形成にフィードバックするフローを示す図。
【図１１】本発明において、ドーパント濃度測定の評価結果に応じて、廃棄または次工程への搬送が行われるフローを示す図。
【図１２】図５〜図７に示す製造装置における成膜室、搬送室及び測定室を示す側面図。
【図１３】基板上の発光層を示す平面図。
【図１４】赤色発光層における蛍光強度最大波長とドーパント／ホスト重量比との関係を示す図。
【図１５】緑色発光層における蛍光強度最大波長とドーパント／ホスト重量比との関係を示す図。
【図１６】青色発光層における吸光度の比率とドーパント／ホスト重量比との関係を示す図。
【符号の説明】
１，２０…成膜室
２…蒸着源
３…光源
４…検出部
５…基板
６…発光層
１０…測定室
１１，２１，２３，２４，２６…搬送室
２２…前工程における成膜室
２５…次工程における成膜室
３０…枚葉式容器[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an organic electroluminescent (EL) element manufacturing method and manufacturing apparatus.
[0002]
[Prior art]
In recent years, with the diversification of information equipment, there has been an increasing demand for flat display elements that consume less power than commonly used CRTs (cathode ray tubes). As one of the flat display elements, an electroluminescent (EL) element having features such as high efficiency, thinness, light weight, and low viewing angle dependency has been attracting attention, and a display using the EL element has been actively developed. It has been broken.
[0003]
An EL element is a self-luminous element that emits light when an electric field is applied to a fluorescent compound. An inorganic EL element using an inorganic compound such as zinc sulfide as a light-emitting layer and an organic compound such as diamines as a light-emitting layer are used. The organic EL element is roughly classified.
[0004]
In recent years, organic EL elements are easily colored, and are expected to be applied to display devices for portable terminals in recent years because of their advantages such as operating at a much lower DC current than inorganic EL elements.
[0005]
The organic EL device injects electrons and holes from the electron injection electrode (negative electrode) and hole injection electrode (positive electrode) into the light emitting layer, and recombines the injected electrons and holes at the light emission center. Fluorescent light is emitted when returns from the excited state to the ground state.
[0006]
It has been proposed to increase the light emission efficiency by using a light emitting layer in which a dopant material is mixed with a host material as the light emitting layer (for example, Patent Document 1).
[0007]
[Patent Document 1]
JP-A 63-264692
[Problems to be solved by the invention]
As described above, when a light emitting layer is formed from a mixture of a host material and a dopant material, the chromaticity and light emitting efficiency of the device change depending on the dopant concentration in the light emitting layer, so the dopant concentration in the light emitting layer is within a predetermined range. Must be set.
[0009]
Conventionally, since it is confirmed whether or not a light emitting layer having a desired dopant concentration is formed by energizing the element after producing the element, it is necessary to form an electrode on the light emitting layer. And there was a problem that time wasted. Further, when the organic EL element is used as a multi-color or full-color display device, it is necessary to form a light emitting layer of three colors of R, G, and B, and a defect has already occurred in any one of the light emitting layers. In addition, it is necessary to form all the light emitting layers, and there is a problem that materials and time are wasted.
[0010]
An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for manufacturing an organic EL element that can accurately control a dopant concentration in a light emitting layer within a predetermined range and can efficiently manufacture an organic EL element without waste. There is.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
The production method of the present invention is a method of producing an organic EL device for forming a light emitting layer in which a host material and a dopant material are mixed so as to have a predetermined mixing ratio. The step of forming the light emitting layer, and the fluorescence spectrum of the light emitting layer Alternatively, the method includes a step of detecting and evaluating a mixing ratio of the light emitting layer by measuring a light absorption spectrum.
[0012]
When measuring a fluorescence spectrum, the mixing ratio (dopant concentration) of the dopant material with respect to the host material can be determined by measuring the wavelength indicating the maximum fluorescence intensity of the fluorescence spectrum. Moreover, when measuring a light absorption spectrum, the mixture ratio (dopant density | concentration) of the dopant material with respect to a host material can be calculated | required by measuring the ratio of the light absorbency of a host material, and the light absorbency of a dopant material.
[0013]
As a standard sample for calculating the mixing ratio, a plurality of solutions in which a host material and a dopant material are mixed at various mixing ratios are prepared, and films having different mixing ratios are prepared by applying these solutions. Can be used as a standard sample. Moreover, you may use the vapor deposition film with which host material and dopant material were mixed as another method of producing a standard sample with known dopant concentration. In this case, the dopant concentration in the film is obtained in advance using an analysis method such as liquid chromatography. The maximum fluorescence intensity of the fluorescence spectrum of these films or the ratio of the absorbance of the host material and the dopant material in the light absorption spectrum can be measured to determine the relationship with the dopant concentration.
[0014]
In the production method of the present invention, the evaluation result of the mixing ratio can be fed back, and the formation conditions of the light emitting layer can be controlled.
Moreover, it is preferable that the light emitting layer used as a measuring object is a light emitting layer for measurement management which is not a final product. That is, when the excitation light is irradiated for spectrum measurement, the light emitting layer may be deteriorated. Therefore, it is preferable that the light emitting layer to be measured is not used as a final product. Accordingly, it is preferable to measure only one light emitting layer among a plurality of light emitting layers in a lot, and measure only the light emitting layer.
[0015]
In the present invention, the process may proceed to the next process only for a lot whose mixing ratio as a result of the evaluation as described above is within a predetermined range. For example, the following electrode forming step may be performed only for the light emitting layer having a predetermined mixing ratio. In addition, for the light emitting layer forming each of R, G, and B, only the light emitting layer mixing ratio within a predetermined range may be advanced to the next light emitting layer forming step. Good.
[0016]
The manufacturing apparatus of the present invention is a manufacturing apparatus that can carry out the manufacturing method of the present invention, and manufactures an organic EL element that forms a light-emitting layer in which a host material and a dopant material are mixed so as to have a predetermined mixing ratio. A film forming chamber for forming a light emitting layer on a substrate; a light source and a detection unit for detecting and evaluating a mixture ratio of the light emitting layer by measuring a fluorescence spectrum or a light absorption spectrum of the light emitting layer; It is characterized by having.
[0017]
A light source and a detection unit for measuring a fluorescence spectrum or a light absorption spectrum may be provided in the film formation chamber. Therefore, the fluorescence spectrum or the light absorption spectrum may be measured after forming the light emitting layer, or the fluorescence spectrum or the light absorption spectrum may be measured during the formation of the light emitting layer. When the spectrum is measured during the formation of the light emitting layer, the subsequent thin film formation conditions may be controlled in accordance with the measurement result so as to obtain a predetermined dopant concentration.
[0018]
In addition, the light source and the detection unit may be provided on the opposite side of the light emitting layer with the substrate interposed therebetween. By providing the light emitting layer on the side opposite to the light emitting layer, it is possible to prevent the light source and the detection unit from being contaminated by the host material and the dopant material for forming the light emitting layer.
[0019]
Moreover, in the manufacturing apparatus of this invention, the light source and the detection part may be provided in the measurement chamber different from the film-forming chamber. That is, after the light emitting layer is formed on the substrate in the film formation chamber, the substrate may be moved to the measurement chamber, and the fluorescence spectrum or light absorption spectrum of the light emitting layer may be measured in the measurement chamber.
[0020]
Further, it is preferable that a transfer chamber for transferring the substrate on which the light emitting layer is formed is provided between the film formation chamber and the measurement chamber. That is, it is preferable that the substrate on which the light emitting layer is formed is supplied to the measurement chamber by being transported through the transport chamber. Moreover, it is preferable that the substrate after measurement passes through the transfer chamber again and is returned to the production line. In this case, it may be returned to the same film forming chamber or may be returned to a different film forming chamber in the production line.
[0021]
In the transfer chamber, it is preferable that a plurality of substrates be transferred simultaneously. In general, since the deposition chamber is in a reduced pressure atmosphere, the transfer chamber and the measurement chamber are preferably in a reduced pressure atmosphere as well.
[0022]
In the manufacturing apparatus of the present invention, it is preferable that a control mechanism for controlling the formation conditions of the light emitting layer by feeding back the evaluation result of the mixing ratio is provided. By providing such a control mechanism, the formation conditions of the light emitting layer can be changed according to the measurement result of the mixing ratio, the formation conditions of the light emitting layer are controlled so that the predetermined dopant concentration is obtained, and the predetermined dopant is obtained. A light emitting layer having a concentration can be formed.
[0023]
Further, in the production apparatus of the present invention, when the mixing ratio of the evaluation result is not within the predetermined range, the lot containing the light emitting layer may be removed from the production line without proceeding to the next process. An exclusion mechanism may be provided. By providing such an exclusion mechanism, subsequent manufacturing steps can be omitted for lots that are defective, and materials and time can be prevented from being wasted. Therefore, an organic EL element can be produced efficiently.
[0024]
In the manufacturing apparatus of this invention, the display part for displaying the evaluation result of a mixing ratio may be provided. The formation conditions of the light emitting layer may be adjusted based on the evaluation result of the mixing ratio displayed on the display unit.
[0025]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a film forming chamber of a manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. A substrate 5 is disposed in the film forming chamber 1, and a light emitting layer 6 is formed on the substrate 5 by the vapor deposition source 2. The light emitting layer 6 is formed in a predetermined place by using, for example, a mask.
[0026]
The light source 3 and the detection unit 4 are provided on the side opposite to the light emitting layer 6. The light emitted from the light source 3 is irradiated onto the light emitting layer 6, whereby the fluorescence generated from the light emitting layer 6 is detected by the detection unit 4, thereby measuring the fluorescence spectrum of the light emitting layer 6. It is possible to calculate the dopant concentration by obtaining the relationship between the wavelength indicating the maximum fluorescence intensity of the fluorescence spectrum and the dopant concentration in advance using a standard sample, and determining the wavelength indicating the maximum fluorescence intensity of the measured fluorescence spectrum. it can.
[0027]
FIG. 2 is a schematic sectional view showing a film forming chamber in a manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention. In FIG. 2, the light source 3 and the detection unit 4 are provided on opposite sides of the substrate, and the light emitted from the light source 3 passes through the light emitting layer 6 and is detected by the detection unit 4. Therefore, the light absorption spectrum of the light emitting layer 4 can be measured. Using a standard sample in advance, obtain the relationship between the absorbance of the host material and the dopant material and the dopant concentration, and obtain the ratio of the absorbance of the host material and the dopant material in the measured light absorption spectrum. The concentration can be calculated.
[0028]
FIG. 3 is a plan view showing the manufacturing apparatus of the embodiment of the present invention. In front of the film forming chamber 1, a film forming chamber 22 of a previous process is provided. A transfer chamber 23 is provided between the film forming chamber 22 and the film forming chamber 1 in the previous step. A transfer chamber 21 is provided in front of the film forming chamber 22 in the previous process.
[0029]
A post-deposition film formation chamber 25 is provided after the film formation chamber 1. A transfer chamber 24 is provided between the film forming chamber 1 and a film forming chamber 25 in a subsequent process. A transfer chamber 26 is provided after the film forming chamber 25 in the subsequent process.
[0030]
In the film formation chamber 22 in the previous step, for example, a first electrode provided under the light emitting layer or a light emitting layer having a color different from that of the film forming chamber 1 is formed.
In the film formation chamber 25 in the subsequent process, for example, a light emitting layer having a color different from that of the first film formation chamber or the second electrode is formed.
[0031]
In the

transfer chambers

21, 23, 24 and 26, it is preferable that the substrates are transferred in a single wafer container 30 in which a plurality of substrates 5 are transferred as shown in a sectional view in FIG. 4.
In the film forming chamber 1 of the manufacturing apparatus shown in FIG. 3, as shown in FIG. 1 or FIG. 2, the light source 3 and the detection unit 4 for measuring the fluorescence spectrum or the light absorption spectrum of the light emitting layer 6 are provided in the film forming chamber 1. Is provided inside. Therefore, the fluorescence spectrum or the light absorption spectrum of the light emitting layer 6 immediately after film formation can be measured, and the dopant concentration of the light emitting layer 6 can be evaluated. Depending on the evaluation result, the thin film forming conditions in forming the next light emitting layer can be adjusted. Moreover, about the thing whose dopant concentration of an evaluation result is not in the predetermined range, it can remove from a manufacturing line, without advancing to the next process.
[0032]
Moreover, you may measure the fluorescence spectrum or light absorption spectrum of the light emitting layer 6 in thin film formation. In this case, the subsequent thin film forming conditions may be adjusted according to the measurement result.
[0033]
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, when the light emitting layer 6 is formed using the vapor deposition source 2, the light emitting layer 6 is formed while moving the vapor deposition source for the host material and the vapor deposition source for the dopant material, respectively. To do. As shown in the plan view of FIG. 13, a plurality of light emitting layers 6 are formed on the substrate 5. In the case of forming the light emitting layer 6 while moving the host material vapor deposition source and the dope material vapor deposition source on the substrate 5 in a fixed direction, the dopant concentration in the light emitting layer 6 is controlled by controlling the moving speed of the respective vapor deposition sources. Can be controlled. Moreover, you may control dopant concentration by changing the temperature in each vapor deposition source, opening, etc. FIG.
[0034]
Moreover, the light emitting layer 6 which is the measurement target of the fluorescence spectrum and the light absorption spectrum may be a light emitting layer formed only for measurement. That is, the light emitting layer to be measured may be a light emitting layer for measurement management that is not a final product.
[0035]
FIG. 5 is a plan view showing a manufacturing apparatus according to still another embodiment of the present invention. In the apparatus shown in FIG. 5, a measurement chamber 10 is provided via a film formation chamber 20 and a transfer chamber 11. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing the film forming chamber 20. As shown in FIG. 8, the film formation chamber 20 is not provided with a light source and a detector for measuring a fluorescence spectrum or a light absorption spectrum, and only the light emitting layer 6 is formed by the vapor deposition source 2.
[0036]
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing the measurement chamber 10. As shown in FIG. 9, the measurement chamber 10 is provided with a light source 3 and a detection unit 4 for measuring the fluorescence spectrum or light absorption spectrum of the light emitting layer 6 formed in the film formation chamber 20. In FIG. 9, the light source 3 and the detection unit 4 are provided on both sides of the substrate 5 so as to sandwich the substrate 5. However, as shown in FIG. 1, the light source and the detection unit may be provided on one side of the substrate 5. Good.
[0037]
In the transfer chamber 11, like the other transfer chambers, a plurality of substrates 5 are transferred simultaneously using a single-wafer container 30 as shown in FIG. 4.
As shown in FIG. 5, the evaluation result of the dopant concentration of the light emitting layer measured in the measurement chamber 10 is fed back to the film forming chamber 20 by the control mechanism 12 to control the conditions for forming the light emitting layer in the film forming chamber 20. be able to. FIG. 10 is a diagram showing a flow for feeding back the evaluation result of the dopant concentration measurement to the step of forming the light emitting layer and controlling the formation conditions for forming the light emitting layer.
[0038]
In the apparatus shown in FIG. 5, after the spectrum of the light emitting layer is measured in the measurement chamber 10, the substrate is returned to the film formation chamber 20 through the transfer chamber 11 and then transferred to the next process through the transfer chamber 22. .
[0039]
FIG. 6 is a plan view showing a manufacturing apparatus according to still another embodiment of the present invention. In the apparatus shown in FIG. 6, a measurement chamber 10 is provided via a film formation chamber 20 and a transfer chamber 11, and a disposal chamber 14 is provided in the measurement chamber 10 via a transfer chamber 13. The disposal chamber 14 is for removing the dopant concentration measured in the measurement chamber 10 from the production line and discarding the dopant concentration that is not within the predetermined range. Those having a dopant concentration that is not within the predetermined range pass through the transfer chamber 13 and are discarded into the disposal chamber 14. Those having a dopant concentration within a predetermined range are again returned to the film forming chamber 20 through the transfer chamber 11 and transferred to the next process through the transfer chamber 22.
[0040]
FIG. 11 is a diagram showing a flow of the manufacturing apparatus shown in FIG. As shown in FIG. 11, when the dopant concentration is not within the predetermined range in the measurement of the dopant concentration, the dopant concentration is discarded, and the one within the predetermined range is transported to the next step.
[0041]
FIG. 7 is a plan view showing a manufacturing apparatus according to still another embodiment of the present invention. In the apparatus shown in FIG. 7, the control mechanism 12 shown in FIG. 5 is provided, and the disposal chamber 14 shown in FIG. 6 is provided. Based on the evaluation result measured in the measurement chamber 10, the thin film formation conditions in the film formation chamber 20 are controlled by the control mechanism 12. Moreover, based on the evaluation result measured in the measurement chamber 10, those having a dopant concentration not within the predetermined range are transferred to the disposal chamber 14 and removed from the production line. In addition, those having a dopant concentration within a predetermined range are returned to the film forming chamber 20 and transferred to the next step.
[0042]
FIG. 12 is a side view showing the film forming chamber 20, the transfer chamber 11, and the measurement chamber 10. As shown in FIG. 12, in the transfer chamber 11, a plurality of substrates are moved between the film formation chamber 20 and the measurement chamber 10 by moving a single-wafer container 30 in which a plurality of substrates are stored. The measurement chamber 10 is provided with a display unit 10a for displaying measurement results. The film forming conditions in the film forming chamber 20 may be adjusted based on the measurement result displayed on the display unit 10a.
[0043]
【Example】
Hereinafter, the relationship between the dopant concentration and the fluorescence spectrum or the light absorption spectrum in the red (R), green (G), and blue (B) light-emitting layers is specifically shown.
[0044]
Example 1
A red light emitting layer was formed using Al complex (Alq) as a host material and a quinone dye as a dopant material. Each was mixed so that it might become dopant / host weight ratio (dopant density | concentration) shown in Table 1, and it melt | dissolved in chloroform, and the coating film of the light emitting layer was formed by apply | coating this. The fluorescence spectrum was measured about the formed coating film. The fluorescence spectrum was measured by irradiating excitation light having a wavelength of 390 nm.
[0045]
Table 1 shows the relationship between the maximum intensity wavelength of the fluorescence spectrum and the dopant / host weight ratio.
[0046]
[Table 1]

[0047]
FIG. 14 is a diagram showing the relationship between the maximum intensity wavelength of the fluorescence spectrum and the dopant / host weight ratio. If the maximum intensity wavelength is y and the dopant / host weight ratio is x,
y = 9.6968Ln (x) +674.41
R ² = 0.9844
You can see that
[0048]
According to the present invention, the fluorescence spectrum of the formed light emitting layer is measured. For example, when the maximum intensity wavelength is 636 nm, the dopant / host weight ratio (dopant concentration) is 0.01 (1%). Recognize. For example, when the target value of the dopant concentration is 0.02 (2%), the light emitting layer forming conditions are changed so that the dopant concentration is doubled.
[0049]
(Example 2)
A green light emitting layer was formed using Al complex (Alq) as a host material and coumarin dye as a dopant material. Each was dissolved in chloroform so that it might become a dopant / host weight ratio shown in Table 2, and the coating film of the light emitting layer was formed by apply | coating the obtained solution. The formed coating film was irradiated with excitation light having a wavelength of 390 nm, and the fluorescence spectrum was measured. Table 2 shows the relationship between the dopant / host weight ratio (dopant concentration) and the maximum intensity wavelength in the fluorescence spectrum.
[0050]
[Table 2]

[0051]
FIG. 15 is a graph showing the relationship between the maximum intensity wavelength and the dopant / host weight ratio. If the intensity maximum wavelength is y and the dopant / host weight ratio (dopant concentration) is x,
y = 200.25x + 520.6
R ² = 0.9988
It can be seen that the relationship is established.
[0052]
For example, when the target value of the dopant concentration is 0.01 (1%), the maximum intensity wavelength is 522.6 nm. When the maximum intensity wavelength of the light emitting layer to be measured is 521.6 nm, the dopant concentration is 0.005 (0.5%). Therefore, in order to set the dopant concentration to the target value, the dopant concentration is set to 2 It is necessary to change the formation conditions of the light emitting layer so as to be doubled.
[0053]
(Example 3)
A blue light emitting layer was formed using a stilbene compound as a host material and an amine dye material as a dopant material. Specifically, each material is mixed so as to have a dopant / host weight ratio (dopant concentration) shown in Table 3, and this is dissolved in chloroform to form a solution. A film was formed.
[0054]
About the formed coating film, the ultraviolet visible absorption spectrum was measured, the absorbance of the host material and the absorbance of the dopant material were determined, and the ratio of these absorbances (dopant / host) was measured. Table 3 shows the measurement results. The absorbance at a wavelength of 378 nm was measured for the absorbance of the host material, and the absorbance of the dopant material was determined from the absorbance at a wavelength of 443 nm after a baseline was subtracted.
[0055]
[Table 3]

[0056]
FIG. 16 shows the relationship between the absorbance ratio (dopant / host) and the dopant / host weight ratio (dopant concentration). When the absorbance ratio is y and the dopant / host weight ratio is x,
y = 0.4056x
R ² = 0.9765
It can be seen that the relationship is established.
[0057]
When the target value of the dopant concentration is 0.02 (2%), the absorbance ratio is 0.008. When the ratio of absorbance of the formed light emitting layer is, for example, 0.004, the dopant concentration is 0.01 (1%). Therefore, it is necessary to change the formation conditions of the light emitting layer so that the dopant concentration is doubled. There is.
[0058]
As described above, the dopant concentration can be obtained by measuring the fluorescence spectrum or light absorption spectrum of the light emitting layer. Therefore, according to the present invention, the dopant concentration in the light emitting layer can be easily measured, and the dopant concentration can be controlled to be within a predetermined range. Therefore, the organic EL element can be efficiently manufactured without waste.
[0059]
【The invention's effect】
According to the present invention, the dopant concentration in the formed light emitting layer can be easily measured. Therefore, the dopant concentration in the light emitting layer can be accurately controlled so as to be within a predetermined range, and the organic EL element can be manufactured efficiently.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a film forming chamber in a manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a film forming chamber in a manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view showing a manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a single-wafer container that moves in a transfer chamber.
FIG. 5 is a plan view showing a manufacturing apparatus according to still another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a plan view showing a manufacturing apparatus according to still another embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a plan view showing a manufacturing apparatus according to still another embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a film forming chamber in the manufacturing apparatus shown in FIGS.
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a measurement chamber in the manufacturing apparatus shown in FIGS.
FIG. 10 is a diagram showing a flow of feeding back an evaluation result of dopant concentration measurement to formation of a light emitting layer in the present invention.
FIG. 11 is a diagram showing a flow in which disposal or transportation to the next process is performed according to the evaluation result of the dopant concentration measurement in the present invention.
12 is a side view showing a film formation chamber, a transfer chamber, and a measurement chamber in the manufacturing apparatus shown in FIGS.
FIG. 13 is a plan view showing a light emitting layer on a substrate.
FIG. 14 is a graph showing the relationship between the fluorescence intensity maximum wavelength and the dopant / host weight ratio in the red light-emitting layer.
FIG. 15 is a diagram showing the relationship between the fluorescence intensity maximum wavelength and the dopant / host weight ratio in the green light-emitting layer.
FIG. 16 is a graph showing the relationship between the absorbance ratio and the dopant / host weight ratio in the blue light-emitting layer.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF

SYMBOLS

1,20 ... Film formation chamber 2 ... Deposition source 3 ... Light source 4 ... Detection part 5 ... Substrate 6 ... Light emitting layer 10 ...

Measurement chamber

11, 21, 23, 24, 26 ... Transfer chamber 22 ... Film formation chamber 25 in the previous process ... Deposition chamber 30 in next process ... Single wafer container

Claims

An organic EL device manufacturing method for forming a light emitting layer in which a host material and a dopant material are mixed at a predetermined mixing ratio,
Forming a light emitting layer;
And a step of detecting and evaluating the mixing ratio of the light emitting layer by measuring a fluorescence spectrum or a light absorption spectrum of the light emitting layer.

2. The method of manufacturing an organic EL element according to claim 1, wherein a film formed by applying a mixed solution of a host material and a dopant material is used as the standard sample of the mixing ratio.

2. The method of manufacturing an organic EL element according to claim 1, wherein a vapor deposition film in which a host material and a dopant material are mixed is used as the standard sample of the mixing ratio.

The method for manufacturing an organic EL element according to claim 1, further comprising a step of feeding back an evaluation result of the mixing ratio to control a formation condition of the light emitting layer.

The method for producing an organic EL element according to claim 1, wherein the light emitting layer to be measured is a light emitting layer for measurement management that does not become a final product.

6. The method of manufacturing an organic EL element according to claim 1, further comprising a step of proceeding to a next step only for a lot whose mixing ratio of the evaluation results is within a predetermined range.

An apparatus for manufacturing an organic EL element that forms a light-emitting layer in which a host material and a dopant material are mixed so as to have a predetermined mixing ratio,
A film formation chamber for forming a light emitting layer on the substrate;
An apparatus for manufacturing an organic EL element, comprising: a light source and a detection unit for detecting and evaluating the mixing ratio of the light emitting layer by measuring a fluorescence spectrum or a light absorption spectrum of the light emitting layer.

The apparatus for manufacturing an organic EL element according to claim 7, wherein the light source and the detection unit are provided in the film forming chamber.

The apparatus for manufacturing an organic EL element according to claim 7, wherein the light source and the detection unit are provided on the opposite side of the light emitting layer with the substrate interposed therebetween.

The apparatus for manufacturing an organic EL element according to claim 7, wherein the light source and the detection unit are provided in a measurement chamber different from the film formation chamber.

The apparatus for manufacturing an organic EL element according to claim 10, wherein a transfer chamber for transferring a substrate on which a light emitting layer is formed is provided between the film formation chamber and the measurement chamber.

The apparatus for manufacturing an organic EL element according to claim 11, wherein a plurality of substrates are simultaneously transferred in the transfer chamber.

The apparatus for manufacturing an organic EL element according to claim 7, further comprising a control mechanism that feeds back an evaluation result of the mixing ratio to control a formation condition of the light emitting layer.

The exclusion mechanism for removing the lot whose mixing ratio of the evaluation result is not within the predetermined range from the production line without proceeding to the next process is provided. An organic EL device manufacturing apparatus.

The apparatus for manufacturing an organic EL element according to claim 7, further comprising a display unit for displaying the evaluation result of the mixing ratio.