JP3962261B2

JP3962261B2 - Lumped constant temperature variable attenuator

Info

Publication number: JP3962261B2
Application number: JP2002007489A
Authority: JP
Inventors: 泰弘塚田
Original assignee: New Japan Radio Co Ltd
Current assignee: New Japan Radio Co Ltd
Priority date: 2002-01-16
Filing date: 2002-01-16
Publication date: 2007-08-22
Anticipated expiration: 2022-01-16
Also published as: JP2003209453A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は温度可変減衰器、特に低周波数帯信号の伝送において使用される集中定数型温度可変減衰器の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、低周波数帯の信号の伝送ラインにおいて周囲温度に応じて減衰量が変化する温度可変減衰器が用いられており、この温度可変減衰器の構成として、例えば図７，図９に示される従来例Ａ，Ｂがある。
【０００３】
図７において、従来例Ａ（π型減衰器）は主線路１１Ａと１１Ｂの間に配置されたＰＩＮダイオードＤ_１〜Ｄ_４、熱検知センサー１２、制御回路１３、電源回路１４等から構成され、上記熱検知センサー１２で周囲温度が検知されると、温度検知信号に基づいた制御電圧が上記制御回路１３から出力され、上記ダイオードＤ_１〜Ｄ_４の抵抗分を変化させることにより温度可変減衰器として動作する。
【０００４】
この図７の減衰器は、ダイオードＤ_２及びＤ_３がシリーズ抵抗、ダイオードＤ_１及びＤ_４がシャント抵抗に相当するπ型減衰器となっており、電気的特性としては、上記ダイオードＤ_２及びＤ_３の抵抗分は周囲温度に比例する制御電圧に反比例し、反対にダイオードＤ_１及びＤ_４の抵抗分は制御電圧に比例する。この結果、広い周囲温度範囲においてπ型減衰器としての整合を保ちながら可変減衰特性が得られ、この場合の減衰量と電圧定在波比（ＶＳＷＲ）の温度特性は図８に示されるようになる（減衰量特性Ｊ_３及びＶＳＷＲ特性Ｃ_３）。
【０００５】
一方、図９の従来例Ｂは、π型減衰器の変形であり、主線路１１Ａ，１１Ｂとグランドとの間に接続された一対の固定抵抗（シャント抵抗）１６Ａ，１６Ｂ、この固定抵抗１６Ａ，１６Ｂに挟まれる形で主線路１１Ａ，１１Ｂにシリーズに挿入されかつ並列接続されたサーミスタ１７及び固定抵抗（器）１８から構成される。この場合も、周囲温度の変化に応じて上記サーミスタ１７の抵抗が変化することにより温度可変減衰器として動作しており、この従来例Ｂの減衰量と電圧定在波比（ＶＳＷＲ）の温度特性は図１１に示されるようになる（減衰量特性Ｊ_４及びＶＳＷＲ特性Ｃ_４）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した図７の従来例Ａの温度可変減衰器では、図８のＣ_３のように良好なＶＳＷＲ特性が得られ、広範囲の温度において整合が保たれるという利点があるが、ＰＩＮダイオードＤ_１〜Ｄ_４、制御回路１３及び電源回路１４が必要となるため高価となり、また占有面積が大きく小型化に不向きであるという問題がある。
【０００７】
一方、図９の従来例Ｂの温度可変減衰器は、廉価であり、占有面積も小さく小型化できるという利点があるが、周囲温度の変化に伴って減衰量が変化した際のＶＳＷＲは狭い温度範囲でしか良好な値が得られず、整合状態が不十分であるという問題があった。このことを図１０乃至図１２により説明する。
【０００８】
図１０には、従来例Ｂの減衰器におけるある一定周囲温度での等価回路が示されている。ここで、図９のサーミスタ１７及び固定抵抗１８の抵抗値をＲ_３、シャント抵抗である固定抵抗１６Ａ，１６ＢをＲ_４、主線路１１Ａ，１１Ｂの特性インピーダンスをＺ_０とし、ＶＳＷＲが１．０（完全整合）となる条件下で、上記抵抗値Ｒ_３，Ｒ_４と減衰量Ｊとの関係は次式で与えられる。
【０００９】
【数１】

【数２】

【００１０】
上記の式１及び２に基づき、減衰量Ｊが低温にて大きく、高温にて小さくなる温度可変減衰器に必要な上記抵抗値Ｒ_３，Ｒ_４をグラフにしたものを図１２に示している。この図から分かるように、サーミスタ１７及び固定抵抗器１８に対応する抵抗値Ｒ_３は、特性曲線Ｃ_Ｒ３に示されるように減衰量が減少した際（高温時）に減少し、他方の固定抵抗１６Ａ，１６Ｂに対応する抵抗値Ｒ_４は特性曲線Ｃ_Ｒ４に示されるように増加するという互いに逆方向となる作用が要求される。
【００１１】
しかしながら、上記抵抗値Ｒ_３の変化（曲線Ｃ_Ｒ３）は温度に対し反比例することから並列接続されたサーミスタ１７及び固定抵抗器１８の抵抗群によって近似可能であるが、上記抵抗値Ｒ_４については、その変化（曲線Ｃ_Ｒ４）が温度に対し比例することから固定抵抗１６Ａ，１６Ｂによっては温度変化に対応した抵抗値（減衰量が減少した際の抵抗値の増加）を得ることができない。従って、周囲温度の変化に伴い減衰量が変化した際のＶＳＷＲが狭い範囲でしか良好な値とならず、図１１の特性線Ｃ_４のＳ_１，Ｓ_２の部分のように、低温側（Ｓ_１）と高温側（Ｓ_２）にてＶＳＷＲの劣化が生じ、広い温度範囲で良好な整合状態を保つことができない。なお、上記の一対の固定抵抗１６Ａ，１６Ｂをポジティブサーミスタに置き換えても、現存するポジティブサーミスタでは変化量が微量であることから上記の図１２の抵抗値Ｒ_４の変化に近似させることは不可能である。
【００１２】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＶＳＷＲの劣化を改善して広い温度範囲で良好な整合状態が保たれ、また廉価で小型にすることができる集中定数型温度可変減衰器を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る集中定数型温度可変減衰器は、少なくともサーミスタを含む複数の抵抗群を伝送ラインにシリーズに挿入し、この複数の抵抗群を、透過位相が９０度となる（使用周波数の波長が１/４波長だけ遅れる）ように構成されたコンデンサ及びコイルからなる集中定数網によって接続してなることを特徴とする。
【００１４】
上記の構成によれば、図１２の従来例Ｂの曲線Ｃ_Ｒ４のように、一方の抵抗値（Ｒ_４）が減衰量の減少に伴って大きく増加（上昇）するという特性ではなく、図３の曲線Ｃ_Ｒ１，Ｃ_Ｒ２に示されるように、減衰量が減少する（高温になる）に従って抵抗値（Ｒ_１，Ｒ_２）が減少（低下）するという特性となるので、この特性にサーミスタを含む抵抗群の抵抗値を近似させることができる。この結果、周囲温度の変化に伴って減衰量が変化した際のＶＳＷＲを広い温度範囲で良好な値に維持することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１には、本発明の実施例に係る集中定数型温度可変減衰器の構成が示され、図２（Ａ）にはこの減衰器の実際の実装図が示されており、この減衰器は、主線路１１Ａと１１Ｂの間において、例えば第１サーミスタ１と第１固定抵抗２が並列接続された中央の抵抗群、この抵抗群の両脇において第２サーミスタ３と第２固定抵抗４が並列接続された２つの抵抗群がシリーズに接続される。そして、これら３つの抵抗群の間に、静電容量Ｃのコンデンサ５Ａ，５ＢとインダクタンスＬのコイル６によりπ型に構成されたπ型エレメント（ＣＬＣの集中定数回路）を設け、このπ型エレメントによって使用周波数信号の透過位相が９０度に設定される。なお、このような減衰器の実装は、図２（Ａ）のようになる。
【００１６】
上記π型エレメントは、第１サーミスタ１と第１固定抵抗２からなる抵抗群と、第２サーミスタ３と第２固定抵抗４からなる抵抗群との間の透過位相が９０度となるような回路、即ち使用周波数（伝送信号）の波長を１/４波長だけ遅らせる回路であり、この回路中のＣ，Ｌは、次式で表す定数となる。
【００１７】
【数３】

【数４】

ここで、上記ｆ_０は伝送信号の中心周波数、上記Ｚ_０は主線路（伝送ライン）１１Ａ，１１Ｂの特性インピーダンスである。
【００１８】
実施例の集中定数型温度可変減衰器は以上の構成からなり、次にその作用を説明する。図２（Ｂ）には、図１の温度可変減衰器のある一定温度での等価回路が示されており、この図では、中央の抵抗８が第１サーミスタ１及び第１固定抵抗２からなる抵抗群の抵抗に相当し、両端の抵抗９が第２サーミスタ３及び第２固定抵抗４からなる２つの抵抗群の抵抗に相当する。ここで、上記の抵抗８の値をＲ_２、抵抗９の値Ｒ_１とし、コンデンサ５Ａ，５Ｂの容量Ｃ、コイル６のインダクタンスＬを上記式３及び４で示される値としたとき、この図２（Ｂ）の等価回路は、図１０に示した従来例Ｂのπ型減衰器に置き換えることが可能となる。但し、各図の抵抗値Ｒ_１〜Ｒ_４は、次の関係となる。
【００１９】
【数５】
Ｒ_３＝Ｒ_２
【数６】
Ｒ_４＝Ｚ_０ ^２／Ｒ_１
【００２０】
そして、上記従来例Ｂの場合と同様に、ＶＳＷＲが１．０（完全整合）となる条件下で、上記Ｒ_３，Ｒ_４と減衰量Ｊとの関係は、上記式１，２，５，６から次式で与えられる。
【００２１】
【数７】

【数８】

【００２２】
この式７及び８に基づいて、整合を保ちつつ、低温にて減衰量Ｌが大きく、高温にて減衰量Ｌが小さくなる温度可変減衰器に必要な上記の抵抗値Ｒ_１（抵抗９）とＲ_２（抵抗８）の関係を求めると、図３の特性曲線Ｃ_Ｒ１，Ｃ_Ｒ２に示すようになる。この図３と図１２を比較すると、曲線Ｃ_Ｒ２は曲線Ｃ_Ｒ４とは変化が逆の特性となり、当該実施例の減衰器では、その減数量が減衰するとき、即ち高温になるときに、抵抗９及び抵抗８の値Ｒ_１，Ｒ_２は共に減少する必要があることが理解される。
【００２３】
そして、曲線Ｃ_Ｒ２に示す抵抗値Ｒ_２の変化に対しては、主線路１１Ａ，１１Ｂに挿入された第１サーミスタ１及び第１固定抵抗２からなる抵抗群において近似でき、また曲線Ｃ_Ｒ１に示す抵抗値Ｒ_１の変化に対しては、第２サーミスタ３及び第２固定抵抗４からなる抵抗群において近似できることになる。このようにして、当該例では、周囲温度が変化した際のＶＳＷＲを広い温度範囲で良好な値に維持することができ、概念的に図４に示すような特性（減衰量特性Ｊ_１及びＶＳＷＲ特性Ｃ_１）が得られる。
【００２４】
図５には、当該例において１．５ＧＨｚの低周波数帯を伝送する場合に得られた減衰量及びＶＳＷＲの実測値が示されており、実測においても図５の減衰量特性Ｊ_２及びＶＳＷＲ特性Ｃ_２のように良好な値が得られた。
【００２５】
この実施例において、抵抗群としてサーミスタと固定抵抗の並列接続体を用いたが、所望の精度が確保できるサーミスタであれば、サーミスタのみでもよいことになる。また、抵抗群を３つ設け、等価であるπ型減衰器としては１段の場合を説明したが、サーミスタを含む抵抗群が３つ以上であっても同様の効果を得ることができる。更に、図１のコンデンサ５Ａ，５Ｂとコイル６（π型エレメント）により、伝送信号の透過位相が９０度となるようにしたが、このコンデンサとコイルの組合せとしては、透過位相が｛Ｎ（但し、Ｎ≧１）×９０｝度となるその他の構成を採用することができる。
【００２６】
図６には、上記コンデンサとコイルの組合せの他の例が示されており、図示されるように、インダクタンスＬのコイル６Ａ，Ｂと静電容量Ｃのコンデンサ５とによりＴ型に構成されたＴ型エレメント（ＬＣＬの集中定数回路）を採用することができる。このＴ型エレメントを、サーミスタを含む抵抗群の間に挿入することによっても、上記例と同様の効果を得ることが可能となる。
【００２７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、サーミスタを含む複数の抵抗群を伝送ラインにシリーズに挿入し、この抵抗群を、透過位相が９０度となるように構成されたコンデンサ及びコイルからなる集中定数網により接続したので、減衰量の減少に伴って抵抗値が低下する特性の減衰器が得られ、この特性に上記抵抗群の抵抗値を近似させることができる。この結果、低温側及び高温側におけるＶＳＷＲの劣化が改善され、広い温度範囲で良好な整合状態が保たれることになる。また、従来例Ａのように、ＰＩＮダイオード、制御回路や電源回路等の回路が不必要となり、廉価な減衰器が得られると共に、小型化にも寄与することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る集中定数型温度可変減衰器の構成を示す回路図である。
【図２】図１の集中定数型温度可変減衰器の実装状態［図（Ａ）］と一定温度時の等価回路［図（Ｂ）］を示す図である。
【図３】図２（Ｂ）の等価回路の抵抗値Ｒ_１，Ｒ_２の減衰量及び周囲温度の変動に対する変化を示す特性図である。
【図４】本発明の温度可変減衰器の特性の概念を示す図である。
【図５】図１の実施例の温度可変減衰器で実測した特性を示す図である。
【図６】実施例において透過位相が９０度となるように設定するコンデンサとコイルの組合せの他の例を示す回路図である。
【図７】従来例Ａの温度可変減衰器の構成を示す回路図である。
【図８】図７の温度可変減衰器の特性の概念を示す図である。
【図９】従来例Ｂの温度可変減衰器の構成を示す回路図である。
【図１０】従来例Ｂの温度可変減衰器における一定温度時の等価回路を示す図である。
【図１１】図１０の温度可変減衰器の特性の概念を示す図である。
【図１２】図１０の等価回路の抵抗値Ｒ_３，Ｒ_４の減衰量及び周囲温度の変動に対する変化を示す特性図である。
【符号の説明】
１，３，１７…サーミスタ、
２，４，１６Ａ，１６Ｂ，１８…固定抵抗（器）、
５，５Ａ，５Ｂ…コンデンサ、
６，６Ａ，６Ｂ…コイル、
１１Ａ，１１Ｂ…主線路、
Ｒ_１，Ｒ_２，Ｒ_３，Ｒ_４…抵抗値。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a temperature variable attenuator, and more particularly to a configuration of a lumped constant temperature variable attenuator used in transmission of a low frequency band signal.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a temperature variable attenuator whose attenuation varies with the ambient temperature in a low frequency band signal transmission line has been used. The configuration of this temperature variable attenuator is shown in FIGS. 7 and 9, for example. There are conventional examples A and B.
[0003]
In FIG. 7, the conventional example A (π-type attenuator) is composed of PIN diodes D _{1 to} D ₄ arranged between

main lines

11A and 11B, a heat detection sensor 12, a control circuit 13, a power supply circuit 14, and the like. When the ambient temperature is detected by the heat detecting sensor 12, the control voltage based on the temperature detection signal outputted from the control circuit 13, the temperature variable attenuator by changing the resistance of the diode D ₁ to D ₄ Works as.
[0004]
Attenuator of Figure 7, the diode D ₂ and D ₃ is the series resistance, the diode D ₁ and D ₄ have a π-type attenuator corresponding to the shunt resistor, as the electrical characteristic, the diode D ₂ and resistance of D ₃ is inversely proportional to a control voltage proportional to the ambient temperature, the resistance of the diode D ₁ and D ₄ in the opposite is proportional to the control voltage. As a result, a variable attenuation characteristic can be obtained while maintaining matching as a π-type attenuator in a wide ambient temperature range, and the temperature characteristic of the attenuation amount and the voltage standing wave ratio (VSWR) in this case is as shown in FIG. comprising (attenuation characteristic _{J 3} and VSWR characteristic _C 3).
[0005]
9 is a modification of the π-type attenuator, and a pair of fixed resistors (shunt resistors) 16A, 16B connected between the

main lines

11A, 11B and the ground, the fixed resistors 16A, It is composed of a thermistor 17 and a fixed resistor (unit) 18 inserted in series in the

main lines

11A and 11B in a form sandwiched by 16B and connected in parallel. Also in this case, the resistance of the thermistor 17 is changed according to the change in the ambient temperature, so that it operates as a temperature variable attenuator. The temperature characteristic of the attenuation amount and the voltage standing wave ratio (VSWR) of the conventional example B Is as shown in FIG. 11 (attenuation characteristic J ₄ and VSWR characteristic C ₄ ).
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the temperature variable attenuator in the conventional example A in FIG. 7 described above, good VSWR characteristics are obtained as C ₃ in FIG. 8 has the advantage of matching a wide range of temperatures is maintained, PIN diodes Since D _{1 to} D ₄ , the control circuit 13 and the power supply circuit 14 are required, the cost becomes high, and the occupied area is large and unsuitable for downsizing.
[0007]
On the other hand, the temperature variable attenuator of the conventional example B of FIG. 9 is advantageous in that it is inexpensive and has a small occupied area and can be downsized. However, the VSWR when the attenuation changes with the change in the ambient temperature is a narrow temperature. There was a problem that good values could be obtained only in the range and the alignment state was insufficient. This will be described with reference to FIGS.
[0008]
FIG. 10 shows an equivalent circuit at a constant ambient temperature in the attenuator of Conventional Example B. Here, the resistance values of the thermistor 17 and fixed resistor 18 in FIG. 9 are R ₃ , the fixed resistors 16A and 16B, which are shunt resistors, are R ₄ , the characteristic impedance of the

main lines

11A and 11B is Z ₀ , and the VSWR is 1.0. Under the condition of (perfect matching), the relationship between the resistance values R ₃ and R ₄ and the attenuation J is given by the following equation.
[0009]
[Expression 1]

[Expression 2]

[0010]
FIG. 12 is a graph showing the resistance values R ₃ and R ₄ necessary for the temperature variable attenuator based on the

above formulas

1 and 2 and having a large attenuation J at a low temperature and small at a high temperature. . As can be seen from this figure, the resistance value R ₃ corresponding to the thermistor 17 and the fixed resistor 18 is decreased when the attenuation as shown in the characteristic curve C _R3 has decreased (at high temperature), the other fixed resistance 16A, the resistance value R ₄ corresponding to 16B are action to be opposite to each other that increases as shown by the characteristic curve C _R4 is required.
[0011]
However, the change of the resistance value R ₃ is (curve C _R3) can be approximated by a resistance group in the thermistor 17 and the fixed resistor 18 connected in parallel from the inversely proportional to temperature, for the resistance value R ₄ is Since the change (curve C _R4 ) is proportional to the temperature, the fixed resistors 16A and 16B cannot obtain a resistance value corresponding to the temperature change (increase in resistance value when the attenuation decreases). Accordingly, the VSWR when the attenuation changes with the change in the ambient temperature is a good value only in a narrow range, and the low temperature side (S ₁ , S ₂ portion of the characteristic line C _{4 in} FIG. 11 ( Degradation of VSWR occurs at S ₁ ) and the high temperature side (S ₂ ), and a good matching state cannot be maintained over a wide temperature range. Even substituting the above pair of fixed resistors 16A, and 16B to the positive thermistor, the change amount is a positive thermistor existing is to approximate the change in the resistance value R ₄ in the above FIG. 12 since it is very small is not It is.
[0012]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a lumped constant type which can improve the deterioration of the VSWR, maintain a good matching state in a wide temperature range, and can be reduced in price and size. The object is to provide a variable temperature attenuator.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a lumped constant temperature variable attenuator according to the present invention has a plurality of resistance groups including at least a thermistor inserted in series in a transmission line, and the plurality of resistance groups have a transmission phase of 90 degrees. It is characterized in that they are connected by a lumped constant network composed of capacitors and coils configured so that the wavelength of the used frequency is delayed by 1/4 wavelength.
[0014]
According to the above configuration, one of the resistance values (R ₄ ) does not greatly increase (rise) as the amount of attenuation decreases, as shown by the curve C _R4 of Conventional Example B in FIG. As shown by the curves C _R1 and C _R2 , the resistance value (R ₁ , R ₂ ) decreases (decreases) as the attenuation decreases (high temperature). It is possible to approximate the resistance value of the included resistance group. As a result, it is possible to maintain the VSWR when the amount of attenuation changes with a change in the ambient temperature at a good value in a wide temperature range.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 shows a configuration of a lumped constant temperature variable attenuator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2A shows an actual mounting diagram of this attenuator. Between the

main lines

11A and 11B, for example, a central resistor group in which the first thermistor 1 and the first fixed resistor 2 are connected in parallel, and the second thermistor 3 and the second fixed resistor 4 are in parallel on both sides of the resistor group. Two connected resistance groups are connected in series. Between these three resistance groups, a π-type element (CLC lumped constant circuit) constituted by a π-type is provided by

capacitors

5A and 5B having capacitance C and a coil 6 having inductance L, and this π-type element Thus, the transmission phase of the use frequency signal is set to 90 degrees. Note that such an attenuator is mounted as shown in FIG.
[0016]
The π-type element is a circuit in which the transmission phase between the resistance group including the first thermistor 1 and the first fixed resistor 2 and the resistance group including the second thermistor 3 and the second fixed resistor 4 is 90 degrees. That is, this is a circuit that delays the wavelength of the used frequency (transmission signal) by ¼ wavelength, and C and L in this circuit are constants represented by the following equations.
[0017]
[Equation 3]

[Expression 4]

Here, f ₀ is the center frequency of the transmission signal, and Z ₀ is the characteristic impedance of the main lines (transmission lines) 11A and 11B.
[0018]
The lumped constant temperature variable attenuator of the embodiment has the above configuration, and the operation thereof will be described next. FIG. 2B shows an equivalent circuit of the temperature variable attenuator of FIG. 1 at a certain constant temperature. In this figure, the central resistor 8 includes the first thermistor 1 and the first fixed resistor 2. The resistance 9 corresponds to the resistance of the resistance group, and the resistance 9 at both ends corresponds to the resistance of the two resistance groups including the second thermistor 3 and the second fixed resistance 4. Here, when the value of the resistor 8 is R ₂ , the value R _{1 of the} resistor 9, and the capacitance C of the

capacitors

5 A and 5 B and the inductance L of the coil 6 are values represented by the

above equations

3 and 4, The equivalent circuit of 2 (B) can be replaced with the conventional π-type attenuator B shown in FIG. However, the resistance values R _{1 to} R ₄ in each figure have the following relationship.
[0019]
[Equation 5]
R ₃ = R ₂
[Formula 6]
R ₄ = Z ₀ ² / R ₁
[0020]
As in the case of the conventional example B, the relationship between the R ₃ , R ₄ and the attenuation amount J under the condition that the VSWR is 1.0 (perfect matching) is expressed by the

above formulas

1, 2, 5, 6 is given by the following equation.
[0021]
[Expression 7]

[Equation 8]

[0022]
Based on the

equations

7 and 8, while maintaining the matching, the above-described resistance value R ₁ (resistor 9) required for the temperature variable attenuator having a large attenuation L at a low temperature and a small attenuation L at a high temperature. When the relationship of R ₂ (resistor 8) is obtained, the characteristic curves C _{R1 and} C _R2 in FIG. 3 are obtained. Comparing FIG. 3 and FIG. 12, the curve C _R2 has a characteristic opposite to that of the curve C _{R4. In} the attenuator of this embodiment, the resistance decreases when the reduction amount is attenuated, that is, when the temperature becomes high. It will be appreciated that both 9 and the values of resistors R ₁ and R ₂ need to decrease.
[0023]
Then, with respect to the change in the resistance value _{R 2} as shown in curve _{C R2,} can be approximated in the main line 11A, the first thermistor 1 and the first fixed resistor 2 and a resistor group inserted in 11B, also the curve _{C R1} The change in the resistance value R ₁ shown can be approximated by a resistor group including the second thermistor 3 and the second fixed resistor 4. Thus, in this example, it is possible to maintain a good value in a wide temperature range VSWR when the ambient temperature changes, conceptual characteristics as shown in FIG. 4 (attenuation characteristic J ₁ and VSWR Characteristic C ₁ ) is obtained.
[0024]
5 shows, the measured values of the resulting attenuation and VSWR when transmitting a 1.5GHz low frequency band in the example has been shown, the attenuation characteristic J ₂ and the VSWR characteristic of FIG. 5 also in the actual measurement good values as C ₂ was obtained.
[0025]
In this embodiment, a parallel connection body of a thermistor and a fixed resistor is used as the resistor group, but only the thermistor may be used if it is a thermistor that can ensure desired accuracy. In addition, although the case where three resistance groups are provided and the equivalent π-type attenuator has one stage has been described, the same effect can be obtained even if there are three or more resistance groups including the thermistor. Further, the transmission phase of the transmission signal is set to 90 degrees by the

capacitors

5A and 5B and the coil 6 (π-type element) of FIG. 1, but the transmission phase is {N (provided that this capacitor and coil are combined). , N ≧ 1) × 90} degrees can be employed.
[0026]
FIG. 6 shows another example of the combination of the capacitor and the coil. As shown in the figure, the coil 6A, B with inductance L and the capacitor 5 with capacitance C are configured in a T shape. A T-type element (LCL lumped constant circuit) can be employed. By inserting this T-type element between resistance groups including the thermistor, the same effect as in the above example can be obtained.
[0027]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a plurality of resistance groups including a thermistor are inserted into a series in a transmission line, and the resistance groups are composed of a capacitor and a coil configured to have a transmission phase of 90 degrees. Since they are connected by a lumped constant network, an attenuator having a characteristic in which the resistance value decreases as the attenuation decreases, and the resistance value of the resistor group can be approximated to this characteristic. As a result, the deterioration of the VSWR on the low temperature side and the high temperature side is improved, and a good matching state is maintained over a wide temperature range. Further, unlike the conventional example A, circuits such as a PIN diode, a control circuit, and a power supply circuit are unnecessary, so that an inexpensive attenuator can be obtained and the size can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a lumped constant temperature variable attenuator according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing a mounting state [FIG. (A)] of the lumped constant temperature variable attenuator of FIG. 1 and an equivalent circuit [FIG. (B)] at a constant temperature.
FIG. 3 is a characteristic diagram showing changes in resistance values R ₁ and R ₂ of the equivalent circuit of FIG.
FIG. 4 is a diagram showing a concept of characteristics of a temperature variable attenuator of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing characteristics actually measured by the temperature variable attenuator of the embodiment of FIG. 1;
FIG. 6 is a circuit diagram showing another example of a combination of a capacitor and a coil set so that a transmission phase is 90 degrees in the embodiment.
7 is a circuit diagram showing a configuration of a temperature variable attenuator of Conventional Example A. FIG.
8 is a diagram illustrating a concept of characteristics of the temperature variable attenuator in FIG. 7;
9 is a circuit diagram showing a configuration of a temperature variable attenuator of Conventional Example B. FIG.
10 is a diagram showing an equivalent circuit at a constant temperature in the temperature variable attenuator of Conventional Example B. FIG.
11 is a diagram showing a concept of characteristics of the temperature variable attenuator of FIG.
12 is a characteristic diagram showing changes in resistance values R ₃ and R ₄ of the equivalent circuit of FIG. 10 with respect to the amount of attenuation and changes in ambient temperature.
[Explanation of symbols]
1,3,17 ... Thermistor,
2, 4, 16A, 16B, 18 ... fixed resistors (units),
5, 5A, 5B ... capacitors
6, 6A, 6B ... coil,
11A, 11B ... main line,
R ₁ , R ₂ , R ₃ , R ₄ ... resistance values.

Claims

Insert a series of resistors including at least thermistor into the transmission line,
A lumped-constant temperature variable attenuator formed by connecting the plurality of resistance groups by a lumped-constant network composed of a capacitor and a coil having a transmission phase of 90 degrees.