JP3954770B2 - BAND FILTER DEVICE AND TRANSMITTING DEVICE AND TRANSMITTING / RECEIVER DEVICE USING SAME - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、扱う周波数が3GHzからおよそ300GHzにおよぶマイクロ波,ミリ波と呼ばれる超高周波帯に好適な平面型帯域フィルタ装置、およびその帯域フィルタ装置を用いた送信装置ならびに送受信装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、超高周波帯で動作する帯域フィルタ装置としては、実開平1−126709号公報に開示されているものや、1985年電気通信学会マイクロ波研究会資料(MW85−66)に報告されているものがある。
【0003】
前者の帯域フィルタ装置は、誘電体を導体壁で包囲して形成したTEモードもしくはTMモード用の共振器において、導体壁を高温超伝導体で形成したものである。これにより、エネルギー損失が無く、理想的なQ値が得られる。その結果、バンドパスフィルタなどの電子部品の特性を向上するものである。
【0004】
また、後者の帯域フィルタ装置は、50GHzのミリ波帯でセラミック共振器を用いて超高周波帯フィルタを形成したもので、超高周波帯フィルタを小型化,低損失化することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前者の帯域フィルタ装置のように、セラミック共振器の共振モードとして、TE0n δモードやTMモードを利用したものでは、フィルタの帯域を数GHzまで広げることが困難であるという問題がある。さらには、周波数がミリ波帯に近づくほどセラミック共振器への電磁界の集中度が高くなるので、この傾向が顕著になる。
【0006】
また、後者の帯域フィルタ装置のように、単に、セラミック共振器を数個並べただけでは、共振器の不要モードや遮断周波数近傍の不要波を除去することが困難になる。
【0007】
このように、上記従来の帯域フィルタ装置では、共振器の不要モードや、遮断周波数近傍の不要波を除去し、かつ、セラミック共振器を利用したミリ波帯フィルタではあるものの、その通過帯域を数GHzの広帯域に設定することができないという問題がある。
【0008】
そこで、この発明の目的は、共振器の不要モードや遮断周波数近傍の不要波を除去し、その通過帯域を数GHzの広帯域にまで設定できる帯域フィルタ装置を提供することにある。さらに、この帯域フィルタ装置を使用した小型で超高周波帯の高性能の送信装置ならびに送受信装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の帯域フィルタ装置は、遮断周波数を有する非放射性誘電体伝送線路と、この非放射性誘電体伝送線路の先端に設けられたモードサプレッサと、帯域阻止フィルタまたは高域フィルタと、複数の共振器から成る多段共振器と、上記複数の共振器を互いに隔てている遮断線路とを備え、
上記多段共振器を成す複数の共振器を、EH 11δ モードを共振モードとする共振器としたことを特徴としている。
【0010】
この発明では、上記伝送線路の遮断周波数と、上記帯域阻止フィルタまたは高域フィルタの特性との相互関係を、上記遮断線路を用いて調整することができる。その結果、上記帯域阻止フィルタや高域フィルタを構成する共振器の不要モードや遮断周波数近傍の不要波を除去することができ、その通過帯域を数GHzの広帯域にまで設定できる。
【0011】
また、一実施形態の帯域フィルタ装置は、上記帯域阻止フィルタまたは高域フィルタは、上記伝送線路に対して縦続接続されている。
【0012】
この一実施形態では、帯域阻止フィルタまたは高域フィルタが、伝送線路に対して縦続接続されているので、フィルタの遮断特性を急峻にすることができる。または、特定の周波数成分を大きく減衰させることができる。
【0013】
また、他の実施形態の帯域フィルタ装置は、
上記帯域阻止フィルタまたは高域フィルタを構成する共振器が、セラミックで作製されていることを特徴としている。
【0014】
この実施形態では、上記帯域阻止フィルタまたは高域フィルタを構成する共振器が、セラミックで作製されているので、小型で低損失の帯域フィルタ装置を提供できる。
【0015】
また、一実施形態の帯域フィルタ装置は、上記帯域阻止フィルタまたは高域フィルタを構成する共振器は、EHモードを、共振モードとした。
【0016】
この実施形態では、上記セラミック共振器の共振モードとして、EHモードを用いることによって、ミリ波帯まで適用できる広帯域の超高周波フィルタ装置を実現できる。
【0017】
また、他の実施形態の帯域フィルタ装置は、上記伝送線路を、非放射性誘電体線路とした。
【0018】
この実施形態では、上記伝送線路を、非放射性誘電体線路としたことによって、小型で低損失の帯域フィルタ装置を実現できる。
【0019】
また、一実施形態の帯域フィルタ装置は、この帯域フィルタの共振周波数よりも低域側に表れる不要共振周波数ffc'が、上記伝送線路の遮断周波数fcよりも低く設定されている。
【0020】
この実施形態では、
(不要共振周波数ffc')<(伝送線路の遮断周波数fc)
としたので、伝送線路の遮断効果を利用して、共振器の不要共振を除去することができる。
【0021】
また、他の実施形態の帯域フィルタ装置は、この帯域フィルタの共振周波数よりも低域側に表れる不要共振周波数ffc'が、上記伝送線路の遮断周波数fcよりも低く設定されていて、光速をc0とし、上記伝送線路を形成する誘電体材料の比誘電率をεrとすると、上記伝送線路の高さaと幅bとが、次の(1)式の関係を有する。
【0022】
この実施形態では、上記(1)式で示されるように、伝送線路の高さaと幅bを設定することによって、伝送線路としてNRDガイド(非放射性誘電体線路)を用いる場合において、伝送線路の遮断効果を用いて共振器の不要共振を除去できる。
【0023】
また、一実施形態の送信装置は、単一または複数の映像信号に対し、請求項1に記載の帯域フィルタ装置と、上記映像信号をアップコンバートする手段とを備える。
【0024】
この実施形態では、複数の帯域の信号を多重化してアップコンバートした広帯域伝送に用いることができる送信装置を実現できる。
【0025】
また、他の実施形態の送受信装置は、単一または複数の映像信号に対し、請求項1に記載の帯域フィルタ装置と、上記映像信号をアップコンバートする手段とを備える。
【0026】
この実施形態では、複数の帯域の信号を多重化してアップコンバートした広帯域伝送に用いることができる送受信装置を実現できる。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【0028】
〔第1の参考例〕
図1に、この発明の帯域フィルタ装置の参考例を示す。この参考例では、遮断周波数を有する伝送線路として、NRDガイド(非放射性誘電体線路)からなる入力線路1aと出力線路1bを採用した。
【0029】
図1に示すように、この参考例では、導電体基板7b上に、入力線路1aとモードサプレッサ2aと多段共振器4と出力用モードサプレッサ2bと出力線路1bとが略直線状に配置され、これらは、上記導電体基板7bとこの基板7bに対して所定間隙を隔てて平行に配置されたもう1つの導電体基板7aとの間に格納されている。
【0030】
図2に詳細に示すように、上記多段共振器4は、5個の円柱状誘電体共振器4a,4b,4c,4d,4eからなる。この5個の共振器4a〜4eは、互いに所定間隙を隔てており、各間隙は、遮断線路6,6,6,6を構成している。また、上記共振器4aとモードサプレッサ2aとの間隙および上記共振器4eとモードサプレッサ2bとの間隙も、遮断線路6,6を構成している。
【0031】
さらに、上記モードサプレッサ2aの傍らには、所定間隙を隔てて帯域阻止フィルタ3aが配置されており、この帯域阻止フィルタ3aと上記モードサプレッサ2aとの間隙が、遮断線路5aを構成している。一方、上記モードサプレッサ2bの傍らには、所定間隙を隔てて帯域阻止フィルタ3bが配置されており、この帯域阻止フィルタ3bと上記モードサプレッサ2bとの間隙が、遮断線路5bを構成している。
【0032】
上記帯域阻止フィルタ3a,3bは、低域遮断特性を急峻にする、もしくは、ある特定の周波数における信号を抑える。また、遮断線路5aは、入力線路1aと帯域阻止フィルタ3aとの結合量を調節し、遮断線路5bは、出力線路1bと帯域阻止フィルタ3bとの結合量を調節する。
【0033】
上記各共振器4a〜4eは、図4に示すように、セラミック円柱9aと、このセラミック円柱9aを軸方向の両側から挟むテフロン円柱9bと9cとで構成される中軸体90と、この中軸体90が挿入されるテフロン製の管9dからなる。このテフロン製の管9dは、これら円柱9a,9b,9cの軸芯ずれを防止すると共に、気密性を高める役割を果す。上記セラミック円柱9aは、低損失セラミック材料で作製されており、上記テフロン円柱9b,9cはセラミック円柱9aと同一の直径と高さを有する。この第1実施形態では、上記中軸体90の高さを、上記導電体基板7aと7bとの間隙寸法と同一もしくは0.9%増しの寸法に設定した。
【0034】
また、この参考例では、上記NRDガイドからなり、伝送線路をなす入力線路1aおよび出力線路1bの高さaと幅bと、この伝送線路の遮断周波数fcとは、次の関係式(1)で規定される。
この式(1)において、c0は光速、εrは上記伝送線路を構成する材料の比誘電率である。
【0035】
この参考例では、この式(1)で算出される入,出力線路(伝送線路)1a,1bの遮断周波数fcが、この参考例の帯域フィルタの共振周波数よりも低域側に現れる不要共振周波数ffc'よりも高くなるように、上記NRDガイドの材料や形状(高さa,幅b,比誘電率εr)を設定した。これにより、不要共振を除去できる。
【0036】
次に、上記多段共振器4を構成する共振器4a〜4eにおける共振モードを説明する。この参考例では、図5(B)に示すように、HEモードの共振電磁界となる。このHEモードでは、セラミック円柱9aを縦,横に貫通する電気力線10,磁力線11が存在する。なお、この発明では、図5(B)に示すHEモードに替えて、図5(C)に示すEHモードを採用してもよい。このEHモードでは、電気力線10は、セラミック円柱9aの断面において対向する両端部分で略環状に存在し、磁力線11は、上記両端部分の間を一端から他端に向って延びる複数の磁力線となる。なお、図5(A)に示す分布は、従来例における電気力線10と磁力線11の分布であり、電気力線10は、セラミック円柱9aの断面において環状に分布し、磁力線11は上記断面において縦横に延在している。なお、上述の各モードは、周方向,半径方向,高さ方向への分布に応じてさらに細分化され、このようなモード次数は、このモード名の後に、周方向,半径方向,高さ方向の順にそれぞれ添え字で記述される。
【0037】
ところで、従来例で採用されていた最も低損失なTE0n δモードでは、動作周波数が数GHz以上になると、電磁界の集中が良いことに起因して、線路と共振器との負荷Qが低くとれなくなっていた。また、共振器間の結合係数も同様の理由で高くとれなくなり、その結果、ミリ波帯での利用を想定したTE0n δモード超高周波平面帯域フィルタでは、数GHzを越える帯域を有するものは実現が困難となっていた。
【0038】
これに対し、本発明の実施形態では、TE0n δモードよりも電磁界の集中度の弱いEHnm δモードを利用することによって、帯域幅の広い超高周波平面型帯域フィルタを実現できた。
【0039】
〔第2の参考例〕
次に、図3に、この発明の帯域フィルタ装置の第2の参考例を示す。この第2参考例は、第1の参考例の帯域阻止フィルタ3a,3bに代えて、入出力線路1a,1bの先端に、高域フィルタ8a,8bを形成した点だけが、前述の第1の参考例と異なる。
【0040】
この高域フィルタ8a,8bは、入出力線路1a,1bの幅bよりも小さな幅を有している。また、高域フィルタ8a,8bは、入出力線路1a,1bの高さaと同じ高さを有している。
【0041】
この第2の参考例では、高域フィルタ8a,8bによって、第1の参考例に比べて、低域側の遮断周波数特性を急峻にできる。また、この高域フィルタ8a,8bの特性を、特定の周波数の信号を遮断するように設計することで、特性周波数の信号を除去することができる。この場合、高域フィルタ8a,8bを形成する入出力線路1a,1bの幅bは、前述の式(1)で算出される。
【0042】
次に、図6(A),(B),(C)に、帯域フィルタ装置の構成例を示す。図6(A)は、前述の第1の参考例の構成に相当し、伝送線路1aと1bとの間に、帯域阻止フィルタ14と帯域通過フィルタ13と帯域阻止フィルタ14とが縦続接続されている。また、図6(C)は、前述の第2参考例の構成に相当し、伝送線路1aと1bとの間に、高域通過フィルタ12aと帯域通過フィルタ13と高域通過フィルタ12aとが縦続接続されている。さらに、図6(B)に示すように、伝送線路1aと1bとの間に、帯域阻止フィルタ14と帯域通過フィルタ13とを並列接続した構成としてもよい。
【0043】
【実施例】
次に、上記第1参考例の具体的な実施例として、フィルタの動作周波数を60GHzとし、共振モードを、EH11 δモードとした本発明の実施形態となる帯域フィルタ装置の構成を説明する。この実施例では、多段共振器4を構成する共振器4a〜4eとして、比誘電率εrが21のセラミック円柱9aを用い、その直径を2mmとし、高さを0.33mmとした。また、テフロン円柱9b,9cの直径を2mmとし、高さを0.96mmとした。また、テフロン管9dの内径を2.0mmとし外径を2.2mmとした。
【0044】
そして、平行導体板7aと7bとの間隙は、2.25mmとし、NRDガイドを構成する入,出力線路1a,1bはテフロンで作製し、その高さを2.25mmとし、幅を2.5mmとした。
【0045】
図7に、共振器間の間隙を横軸とし、負荷Qを縦軸とした負荷Q特性図を示す。この実施例では、図7に、EHモード共振器の特性で示すように、従来のTEモード共振器に比べて、負荷Qを低減できた。また、図8に、共振器間の間隔を横軸とし、結合係数を縦軸とした特性図を示す。図8に、EHモードの特性で示すように、従来のTEモードに比べて、セラミック共振器間の結合係数を十分に大きくとれることが判明した。
【0046】
すなわち、このEH11 δモード共振器を用いた実施例によれば、従来のTE02 δモード共振器を用いた帯域フィルタに比べて、帯域幅の広い超高周波平面型帯域フィルタを実現できた。
【0047】
なお、EHnm δモードやHEnm δモードでは、TE0n δモードに比べて、共振器の損失が多少大きく、その結果、フィルタの挿入損失が増加することが懸念されたが、フィルタの帯域幅とその挿入損失とは反比例の関係にあるので、帯域の広いフィルタを設計する限り、本発明のフィルタで損失が増加する問題は回避できる。
【0048】
次に、上記EH11 δモード共振器を5段用いたNRDガイド超高周波平面型帯域フィルタの周波数特性を、図9に示す。図9を参照すれば分かるように、帯域幅2.5GHzと広帯域な性能が得られた。また、挿入損失は、帯域内で1dB以下と小さい。また、図10に、上記帯域フィルタに、中心周波数が58.966GHzの帯域阻止フィルタを縦続接続した帯域フィルタ装置の周波数特性を示す。この帯域フィルタ装置は、59.959GHzを中心として、1.805GHzの帯域幅を有し、58.966GHz以下の周波数帯で大きな減衰を達成した。本フィルタ装置の特性は、VHF,UHF,BS,CSテレビ信号、あるいは、CATV信号をミリ波帯にアップコンバートする多重映像伝送超高周波送信機およびトランシーバに適用できる水準にある。
【0049】
尚、上記第1,第2参考例では、入出力線路1a,1bをNRDガイドで構成した。
【0050】
また、上記参考例では、伝送線路1a,1bと共振器4間に、遮断線路5a,5bを形成し、共振器4a,4b,4c,4d,4e間に遮断線路6,6,6,6,6,6を形成したが、この遮断線路は、遮断周波数が極めて高い状態のものであれば良い。たとえば、空隙の他に、極めて幅の薄い誘電体片を用いることができる。
【0051】
【発明の効果】
以上より明らかなように、この発明の帯域フィルタ装置は、遮断周波数を有する非放射性誘電体伝送線路と、この非放射性誘電体伝送線路の先端に設けられたモードサプレッサと、帯域阻止フィルタまたは高域フィルタと、複数の共振器から成る多段共振器と、上記複数の共振器を互いに隔てている遮断線路とを備え、上記多段共振器を成す複数の共振器を、EH 11δ モードを共振モードとする共振器とした。この発明では、上記伝送線路の遮断周波数と、上記帯域阻止フィルタまたは高域フィルタの特性との相互関係を、上記遮断線路を用いて調整することができる。その結果、上記帯域阻止フィルタや高域フィルタを構成する共振器の不要モードや遮断周波数近傍の不要波を除去することができ、その通過帯域を数GHzの広帯域にまで設定できる。
【0052】
また、一実施形態の帯域フィルタ装置は、上記帯域阻止フィルタまたは高域フィルタは、上記伝送線路に対して縦続接続されているので、フィルタの遮断特性を急峻にすることができる。または、特定の周波数成分を大きく減衰させることができる。
【0053】
また、他の実施形態では、上記帯域阻止フィルタまたは高域フィルタを構成する共振器が、セラミックで作製されているので、小型で低損失の帯域フィルタ装置を提供できる。
【0054】
また、一実施形態は、上記帯域阻止フィルタまたは高域フィルタを構成する上記セラミック共振器の共振モードとして、EHnm δモードを用いることによって、ミリ波帯まで適用できる広帯域の超高周波フィルタ装置を実現できる。
【0055】
また、他の実施形態の帯域フィルタ装置は、上記伝送線路を、非放射性誘電体線路としたことによって、小型で低損失の帯域フィルタ装置を実現できる。
【0056】
また、一実施形態は、(不要共振周波数ffc')<(伝送線路の遮断周波数fc)としたので、伝送線路の遮断効果を利用して、共振器の不要共振を除去することができる。
【0057】
また、他の実施形態の帯域フィルタ装置は、この帯域フィルタの共振周波数よりも低域側に表れる不要共振周波数ffc'が、上記伝送線路の遮断周波数fcよりも低く設定されていて、光速をc0とし、上記伝送線路を形成する誘電体材料の比誘電率をεrとすると、上記伝送線路の高さaと幅bとが、次の(1)式の関係を有する。
この実施形態では、上記(1)式で示されるように、伝送線路の高さaと幅bを設定することによって、伝送線路としてNRDガイド(非放射性誘電体線路)を用いる場合において、伝送線路の遮断効果を用いて共振器の不要共振を除去できる。
【0058】
また、一実施形態の送信装置は、単一または複数の映像信号に対し、この発明の帯域フィルタ装置と、上記映像信号をアップコンバートする手段とを備えるので、複数の帯域の信号を多重化してアップコンバートした広帯域伝送に用いることができる。
【0059】
また、他の実施形態の送受信装置は、単一または複数の映像信号に対し、この発明の帯域フィルタ装置と、上記映像信号をアップコンバートする手段とを備えるので、複数の帯域の信号を多重化してアップコンバートした広帯域伝送に用いることができる送受信装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の帯域フィルタの第1参考例の構成を示す斜視図である。
【図2】 上記第1参考例の要部拡大図である。
【図3】 この発明の帯域フィルタの第2参考例の構成を示す斜視図である。
【図4】 上記第1,第2参考例で用いられる多段共振器4を構成する共振器の構造を説明する模式図である。
【図5】 図5(A)は従来の帯域フィルタ装置で採用されるTEモードでの電磁界分布を示す図であり、図5(B)は本発明の上記参考例で採用されるHEモードでの電磁界分布を示す図であり、図5(C)は本発明で採用されるEHモードでの電磁界分布を示す図である。
【図6】 図6(A)は、本発明の第1参考例で採用された構成を示すブロック図であり、図6(B)は、本発明で採用できる他の構成を示すブロック図であり、図6(C)は、本発明の第2参考例で採用された構成を示すブロック図である。
【図7】 本発明の実施形態(EHモード共振器)と従来例(TEモード共振器)における負荷Q特性図である。
【図8】 本発明の実施形態(EHモード共振器)と従来例(TEモード共振器)における結合係数特性図である。
【図9】 本発明の実施例であるEH11 δモード共振器を5段用いたNRDガイド超高周波平面型帯域フィルタの周波数帯域特性図である。
【図10】 本発明の上記実施例の帯域フィルタに、帯域阻止フィルタを縦続接続した帯域フィルタ装置の周波数特性を示す。
【符号の説明】
1a…入力線路、1b…出力線路、2a,2b…モードサプレッサ、
3a,3b…帯域阻止フィルタ、4…多段共振器、
4a〜4e…円柱状誘電体共振器、5a,5b…遮断線路、
6…遮断線路、7a,7b…導電体基板、8a,8b…高域フィルタ、
9a…セラミック円柱、9b,9c…テフロン円柱、9d…テフロン製の管、
10…電気力線、11…磁力線、13…帯域通過フィルタ、
14…帯域阻止フィルタ。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a planar band-pass filter device suitable for an ultra-high frequency band called a microwave or millimeter wave whose frequency ranges from 3 GHz to about 300 GHz, and a transmission device and a transmission / reception device using the band-pass filter device.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a band-pass filter device operating in the super-high frequency band, the one disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 1-126709, or the one reported in 1985 Electromagnetic Communication Society Microwave Research Material (MW85-66) There is.
[0003]
The former band filter device is a TE mode or TM mode resonator formed by surrounding a dielectric with a conductor wall, and the conductor wall is formed of a high-temperature superconductor. Thereby, there is no energy loss and an ideal Q value can be obtained. As a result, the characteristics of electronic parts such as a band pass filter are improved.
[0004]
Further, the latter band-pass filter device is an ultra-high frequency band filter formed by using a ceramic resonator in a millimeter-wave band of 50 GHz, and the ultra-high frequency band filter can be reduced in size and reduced in loss.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the TE 0n δ mode or the TM mode is used as the resonance mode of the ceramic resonator as in the former band filter device, there is a problem that it is difficult to widen the filter band to several GHz. Furthermore, since the concentration of the electromagnetic field on the ceramic resonator increases as the frequency approaches the millimeter wave band, this tendency becomes remarkable.
[0006]
In addition, as in the latter band-pass filter device, it is difficult to remove unnecessary waves near the cut-off frequency and unnecessary modes of the resonator by simply arranging several ceramic resonators.
[0007]
As described above, the conventional band-pass filter device is a millimeter wave band filter that eliminates unnecessary modes of the resonator and unnecessary waves near the cut-off frequency and uses a ceramic resonator. There is a problem that it cannot be set to a wide band of GHz.
[0008]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a band-pass filter device that can remove unnecessary waves in the resonator and unnecessary waves near the cut-off frequency and set the passband to a wide band of several GHz. It is another object of the present invention to provide a small-sized and ultra-high-frequency high-performance transmitter and transmitter / receiver using the band filter device.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a bandpass filter device of the present invention includes a nonradiative dielectric transmission line having a cutoff frequency, a mode suppressor provided at the tip of the nonradiative dielectric transmission line, a bandstop filter, or a high frequency band. Bei example a filter, a multi-stage resonator consisting of a plurality of resonators, and a cut-off line that separates from each other the plurality of resonators,
The plurality of resonators constituting the multistage resonator are resonators having an EH 11δ mode as a resonance mode .
[0010]
In this invention, the correlation between the cutoff frequency of the transmission line and the characteristics of the band rejection filter or the high-pass filter can be adjusted using the cutoff line. As a result, unnecessary modes of the resonators constituting the band-stop filter and the high-pass filter and unnecessary waves near the cutoff frequency can be removed, and the pass band can be set to a wide band of several GHz.
[0011]
In one embodiment, the band-stop filter or the high-pass filter is cascaded to the transmission line.
[0012]
In this embodiment, since the band rejection filter or the high-pass filter is cascade-connected to the transmission line, the cutoff characteristic of the filter can be made steep. Alternatively, a specific frequency component can be greatly attenuated.
[0013]
In addition, the band-pass filter device of another embodiment is
The resonator constituting the band-stop filter or the high-pass filter is made of ceramic.
[0014]
In this embodiment, since the resonator constituting the band-stop filter or the high-pass filter is made of ceramic, a small-sized and low-loss band-pass filter device can be provided.
[0015]
Further, band-pass filter device of one embodiment, resonator constituting the band-stop filter or a high pass filter, the E H mode, and a resonant mode.
[0016]
In this embodiment, by using the EH mode as the resonance mode of the ceramic resonator, a broadband ultra-high frequency filter device that can be applied up to the millimeter wave band can be realized.
[0017]
In the band-pass filter device of another embodiment, the transmission line is a non-radiative dielectric line.
[0018]
In this embodiment, the transmission line is a non-radiative dielectric line, thereby realizing a small and low-loss band-pass device.
[0019]
In the band filter device according to the embodiment, the unnecessary resonance frequency ffc ′ appearing on the lower frequency side than the resonance frequency of the band filter is set lower than the cutoff frequency fc of the transmission line.
[0020]
In this embodiment,
(Unnecessary resonance frequency ffc ') <(transmission line cut-off frequency fc)
As a result, unnecessary resonance of the resonator can be removed by utilizing the blocking effect of the transmission line.
[0021]
Further, in the band-pass filter device of another embodiment, the unnecessary resonance frequency ffc ′ appearing on the lower frequency side than the resonance frequency of the band-pass filter is set lower than the cutoff frequency fc of the transmission line, and the speed of light is c. If the relative dielectric constant of the dielectric material forming the transmission line is εr, the height a and the width b of the transmission line have the following relationship (1).
[0022]
In this embodiment, as shown in the above equation (1), by setting the height a and the width b of the transmission line, when using an NRD guide (non-radiative dielectric line) as the transmission line, the transmission line Unnecessary resonance of the resonator can be removed by using the blocking effect.
[0023]
In addition, a transmission device according to an embodiment includes the bandpass filter device according to
[0024]
In this embodiment, it is possible to realize a transmission apparatus that can be used for wideband transmission in which signals of a plurality of bands are multiplexed and up-converted.
[0025]
Moreover, the transmission / reception apparatus of other embodiment is provided with the band filter apparatus of
[0026]
In this embodiment, it is possible to realize a transmission / reception apparatus that can be used for wideband transmission in which signals of a plurality of bands are multiplexed and up-converted.
[0027]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments.
[0028]
[First Reference Example ]
FIG. 1 shows a reference example of the band-pass filter device of the present invention. In this reference example , an
[0029]
As shown in FIG. 1, in this reference example , the
[0030]
As shown in detail in FIG. 2, the
[0031]
Further, a
[0032]
The
[0033]
As shown in FIG. 4, each of the
[0034]
In this reference example , the height a and the width b of the
In this equation (1), c 0 is the speed of light, and εr is the relative dielectric constant of the material constituting the transmission line.
[0035]
In this reference example , the cutoff frequency fc of the input and output lines (transmission lines) 1a and 1b calculated by the equation (1) is an unnecessary resonance frequency that appears on the lower frequency side than the resonance frequency of the bandpass filter of this reference example. The material and shape (height a, width b, relative dielectric constant εr) of the NRD guide were set so as to be higher than fff ′. Thereby, unnecessary resonance can be removed.
[0036]
Next, resonance modes in the
[0037]
By the way, in the lowest loss TE 0n δ mode employed in the conventional example, when the operating frequency is several GHz or more, the load Q between the line and the resonator is low due to good concentration of the electromagnetic field. I couldn't take it. In addition, the coupling coefficient between the resonators cannot be increased for the same reason, and as a result, a TE 0n δ mode super-high frequency plane band filter assumed to be used in the millimeter wave band has a band exceeding several GHz. Has become difficult.
[0038]
In contrast, in embodiments of the present invention, by than TE 0n [delta] mode utilizing weak have E H nm [delta] mode degree of concentration of the electromagnetic field, could realize a wide microwave planar band filter bandwidth .
[0039]
[Second Reference Example ]
Next, FIG. 3 shows a second reference example of the band-pass filter device of the present invention. The second reference example is different from the first embodiment in that the high-
[0040]
The high-
[0041]
In the second reference example , the high-
[0042]
Next, FIG. 6 (A), the in (B), (C), shows a configuration example of a band-pass filter device. FIG. 6A corresponds to the configuration of the first reference example described above, and the
[0043]
【Example】
Next, as a specific example of the first reference example , the configuration of the band-pass filter device according to the embodiment of the present invention in which the filter operating frequency is 60 GHz and the resonance mode is the EH 11 δ mode will be described. In this embodiment, a ceramic cylinder 9a having a relative dielectric constant εr of 21 is used as the
[0044]
The gap between the
[0045]
FIG. 7 shows a load Q characteristic diagram with the gap between the resonators as the horizontal axis and the load Q as the vertical axis. In this embodiment, as shown by the characteristics of the EH mode resonator in FIG. 7, the load Q can be reduced as compared with the conventional TE mode resonator. FIG. 8 is a characteristic diagram in which the interval between the resonators is on the horizontal axis and the coupling coefficient is on the vertical axis. As shown by the characteristics of the EH mode in FIG. 8, it has been found that the coupling coefficient between the ceramic resonators can be sufficiently increased as compared with the conventional TE mode.
[0046]
That is, according to the example using the EH 11 δ mode resonator, an ultrahigh frequency planar band filter having a wider bandwidth than the conventional band filter using the TE 02 δ mode resonator can be realized.
[0047]
In the EH nm [delta] mode or HE nm [delta] mode, as compared with the TE 0n [delta] mode, are slightly larger loss of the resonator, as a result, it has been feared that the insertion loss of the filter increases, the bandwidth of the filter Therefore, as long as a wide-band filter is designed, the problem of increased loss in the filter of the present invention can be avoided.
[0048]
Next, FIG. 9 shows frequency characteristics of an NRD guide ultrahigh frequency planar bandpass filter using five stages of the EH 11 δ mode resonator. As can be seen by referring to FIG. 9, a bandwidth of 2.5 GHz was obtained. Further, the insertion loss is as small as 1 dB or less in the band. FIG. 10 shows the frequency characteristics of a band filter device in which a band rejection filter having a center frequency of 58.966 GHz is cascade-connected to the band filter. This band-pass filter device has a bandwidth of 1.805 GHz centering on 59.959 GHz, and achieves great attenuation in a frequency band of 58.966 GHz or less. The characteristics of this filter device are at a level applicable to a VHF, UHF, BS, CS television signal or a multiplex video transmission ultra-high frequency transmitter and transceiver that upconverts a CATV signal to a millimeter wave band.
[0049]
In the first and second reference examples , the input /
[0050]
In the above reference example , the
[0051]
【The invention's effect】
As is apparent from the above, the bandpass filter device of the present invention includes a nonradiative dielectric transmission line having a cutoff frequency, a mode suppressor provided at the tip of the nonradiative dielectric transmission line, a bandstop filter, or a high frequency band a filter, a multi-stage resonator consisting of a plurality of resonators, e Bei a cutoff line that separates from each other the plurality of resonators, a plurality of resonators constituting the multistage resonator, a resonant mode EH 11Deruta mode It was set as a resonator . In this invention, the correlation between the cutoff frequency of the transmission line and the characteristics of the band rejection filter or the high-pass filter can be adjusted using the cutoff line. As a result, unnecessary modes of the resonators constituting the band-stop filter and the high-pass filter and unnecessary waves near the cutoff frequency can be removed, and the pass band can be set to a wide band of several GHz.
[0052]
In the band filter device of one embodiment, since the band rejection filter or the high band filter is cascade-connected to the transmission line, the cutoff characteristic of the filter can be made steep. Alternatively, a specific frequency component can be greatly attenuated.
[0053]
In another embodiment, since the resonator constituting the band-stop filter or the high-pass filter is made of ceramic, a small and low-loss band-pass filter device can be provided.
[0054]
Further, in one embodiment, a broadband ultra-high frequency filter device that can be applied up to the millimeter wave band by using the E H nm δ mode as a resonance mode of the ceramic resonator constituting the band-stop filter or the high-pass filter. realizable.
[0055]
Moreover, the band-pass filter apparatus of other embodiment can implement | achieve a small and low-loss band-pass filter apparatus by making the said transmission line into the nonradiative dielectric material line.
[0056]
Further, in the embodiment, since (unnecessary resonance frequency ffc ′) <(transmission line cutoff frequency fc) is satisfied, the unnecessary resonance of the resonator can be removed using the cutoff effect of the transmission line.
[0057]
Further, in the band-pass filter device of another embodiment, the unnecessary resonance frequency ffc ′ appearing on the lower frequency side than the resonance frequency of the band-pass filter is set lower than the cutoff frequency fc of the transmission line, and the speed of light is c. If the relative dielectric constant of the dielectric material forming the transmission line is εr, the height a and the width b of the transmission line have the following relationship (1).
In this embodiment, as shown in the above equation (1), by setting the height a and the width b of the transmission line, when using an NRD guide (non-radiative dielectric line) as the transmission line, the transmission line Unnecessary resonance of the resonator can be removed by using the blocking effect.
[0058]
In addition, the transmission apparatus according to an embodiment includes the band filter device of the present invention and a means for up-converting the video signal for a single or a plurality of video signals. It can be used for up-converted broadband transmission.
[0059]
In addition, the transmission / reception apparatus according to another embodiment includes the band-pass filter device of the present invention and means for up-converting the video signal with respect to a single or a plurality of video signals. Thus, it is possible to realize a transmission / reception apparatus that can be used for wide-band transmission up-converted.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a first reference example of a bandpass filter according to the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of a main part of the first reference example .
3 is a perspective view showing a configuration of a second reference example of the bandpass filter of the present invention.
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating the structure of a resonator constituting the
5A is a diagram showing an electromagnetic field distribution in a TE mode employed in a conventional bandpass filter device, and FIG. 5B is a HE mode employed in the above reference example of the present invention. FIG. 5C is a diagram showing the electromagnetic field distribution in the EH mode employed in the present invention.
6 (A) is a block diagram showing a configuration adopted in the first reference example of the present invention, and FIG. 6 (B) is a block diagram showing another configuration that can be adopted in the present invention. FIG. 6C is a block diagram showing a configuration adopted in the second reference example of the present invention.
FIG. 7 is a load Q characteristic diagram in an embodiment (EH mode resonator) of the present invention and a conventional example (TE mode resonator).
FIG. 8 is a coupling coefficient characteristic diagram in an embodiment (EH mode resonator) of the present invention and a conventional example (TE mode resonator).
FIG. 9 is a frequency band characteristic diagram of an NRD guide ultrahigh frequency planar band-pass filter using five stages of EH 11 δ mode resonators according to an embodiment of the present invention.
FIG. 10 shows frequency characteristics of a band-pass filter device in which band-stop filters are cascade-connected to the band-pass filter of the above embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1a ... input line, 1b ... output line, 2a, 2b ... mode suppressor,
3a, 3b ... band-stop filter, 4 ... multistage resonator,
4a to 4e: cylindrical dielectric resonators, 5a, 5b: cutoff lines,
6 ... Cut-off line, 7a, 7b ... Conductor substrate, 8a, 8b ... High pass filter,
9a ... Ceramic cylinder, 9b, 9c ... Teflon cylinder, 9d ... Teflon tube,
10 ... Electric field lines, 11 ... Magnetic field lines, 13 ... Band pass filter,
14: Band stop filter.
Claims (8)
上記多段共振器を成す複数の共振器を、EH 11δ モードを共振モードとする共振器としたことを特徴とする帯域フィルタ装置。A non-radiative dielectric transmission line having a cutoff frequency, a mode suppressor provided at a tip of the non-radiative dielectric transmission line, a band-stop filter or a high-pass filter, a multistage resonator including a plurality of resonators, and e Bei a cutoff line that separates the plurality of resonators to one another,
A band-pass filter device characterized in that the plurality of resonators constituting the multistage resonator are resonators having an EH 11δ mode as a resonance mode .
上記帯域阻止フィルタまたは高域フィルタは、上記伝送線路に対して縦続接続されていることを特徴とする帯域フィルタ装置。The bandpass filter device according to claim 1,
The band-pass filter device, wherein the band-stop filter or the high-pass filter is cascade-connected to the transmission line.
上記帯域阻止フィルタまたは高域フィルタを構成する共振器が、セラミックで作製されていることを特徴とする帯域フィルタ装置。The bandpass filter device according to claim 1,
A band-pass filter device, wherein the resonator constituting the band-stop filter or the high-pass filter is made of ceramic.
上記帯域阻止フィルタまたは高域フィルタを構成する共振器は、EHモードを、共振モードとしたことを特徴とする帯域フィルタ装置。The bandpass filter device according to claim 3,
The resonator constituting the band-stop filter or the high-pass filter has the EH mode as a resonance mode.
この帯域フィルタの共振周波数よりも低域側に表れる不要共振周波数ffc'が、上記伝送線路の遮断周波数fcよりも低く設定されていることを特徴とする帯域フィルタ装置。The bandpass filter device according to claim 1,
An unnecessary resonance frequency ffc ′ appearing on a lower frequency side than a resonance frequency of the band filter is set to be lower than a cutoff frequency fc of the transmission line.
この帯域フィルタの共振周波数よりも低域側に表れる不要共振周波数ffc'が、上記伝送線路の遮断周波数fcよりも低く設定されていて、
光速をc0とし、上記伝送線路を形成する誘電体材料の比誘電率をεrとすると、上記伝送線路の高さaと幅bとが、次の(1)式の関係を有することを特徴とする帯域フィルタ装置。
The bandpass filter device according to claim 1 ,
An unnecessary resonance frequency ffc ′ that appears on the lower side of the resonance frequency of the band filter is set lower than the cutoff frequency fc of the transmission line,
When the speed of light is c 0 and the relative dielectric constant of the dielectric material forming the transmission line is εr, the height a and the width b of the transmission line have the following relationship (1). A bandpass filter device.
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