JP3951792B2 - Film pattern forming method, film pattern forming apparatus, conductive film wiring, electro-optical device, electronic apparatus, and non-contact card medium - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に膜パターンを形成する方法及び装置に関し、特に、吐出手段から液体材料を液滴にして吐出して基板上に膜パターンを形成する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
基板上に膜パターンを形成する技術としては、スピンコート法などの塗布技術を用いて基板上に膜パターン用の液体材料による膜を形成し、この膜をフォトリソグラフィ法を用いて所望のパターンに形成する方法が知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
これに対し、近年、液体材料を基板上の所望の位置に配置し、基板上に直接膜パターンを形成する技術が提案されている。この技術では、上記フォトリソグラフィに関する工程を省略または簡略化することができる。
【0004】
基板上の所望の位置に液体材料を配置する技術としては、吐出手段に設けられたノズルを介して液体材料を液滴として吐出する方法がある。この吐出法は、スピンコート法などの塗布技術に比べて、液体材料の消費に無駄が少なく、基板上に配置する液体材料の量や位置の制御を行いやすいという利点がある。
【0005】
しかしながら、液体材料を液滴にして基板上に配置する技術では、膜パターンの厚膜化を達成しにくいという問題がある。すなわち、厚膜化を目的として、基板上に配置する液滴の量を多くすると、液滴同士が基板上で合体し、それが厚膜化されることなく基板上で広がってしまいやすい。
また、膜パターンを導電膜とする場合には、上述した液滴の広がりによって、液だまり(バルジ)が生じ、それが断線や短絡等の不具合の発生原因となるおそれがある。
【0006】
本発明は、上記事情に鑑みてなされてものであり、厚膜化を図ることができ、導電膜とした場合に断線や短絡等の不具合が生じにくい膜パターンの形成方法及び形成装置を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不具合が生じにくい導電膜配線を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、配線部の断線や短絡等の不具合が生じにくい電気光学装置、及びこれを用いた電子機器並びに非接触型カード媒体を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の膜パターンの形成方法は、複数のノズルが一列に配列された吐出手段から液体材料を液滴にして吐出して、基板上に複数の膜パターンを形成する方法であって、 吐出手段から吐出した複数の液滴を、複数のノズルの配列方向と直交する方向に一定の距離ごとに基板上に配置する第1工程と、液滴の配置を開始する位置を複数のノズルの配列方向に所定の距離ずらし、第1工程で配置された液滴の一部に液滴が重なるように液滴を配置し、かつ第一工程で配置された隙間を埋めるように液滴を配置し、複数のノズルが配列する配列方向に連続する複数本のパターンを形成する第2工程と、第1工程と第2工程を繰り返し、第1工程と第2工程とで配置された液滴上に、液滴を重ねて配置し、複数本の膜パターンを形成する第3工程を、を有することを特徴とする膜パターンの形成方法。
【0008】
上記の膜パターンの形成方法では、液体材料からなる液滴を、一定の距離ごとに基板上に配置する工程を、液滴の配置を開始する位置をずらしながら繰り返すことにより、基板上に所望の膜厚及び形状を有する膜パターンを形成することができる。例えば、基板上に配置された液滴同士の隙間を埋めるように、液滴を繰り返し配置することにより、線状の連続したパターンを形成できる。
繰り返される上記工程のそれぞれでは、液滴を一定の距離ごとに配置するので、基板上に配置された直後の液滴に次の液滴がすぐに付着することがなく、液滴同士が合体して基板上で広がるのが防止される。すなわち、上記工程が繰り返される過程で、基板上に配置された液滴に別の液滴が重なる場合にも、先に基板上に配置された液滴はすでにある程度または完全に乾燥しており、上述した液滴の広がりが抑制される。上記液滴の広がりが抑制されることで、その膜パターンを導電膜に適用した場合における断線や短絡等の不具合の発生が防止される。また、上記液滴の広がりが抑制されることで、液滴同士を上下に重ねて配置することが容易となり、膜パターンの厚膜化を実現できる。
また、上記の膜パターンの形成方法では、上記工程を繰り返す際、液滴の配置を開始する位置をずらすだけであり、連続して配置される液滴同士の距離間隔は一定であるので、各工程の吐出条件が互いにほぼ等しく、制御の簡素化が図られる。また、膜パターンの各部において、ほぼ等しい形成過程を経ることから、膜の均質化が図られる。
【0010】
上記の膜パターンの形成方法において、前記第1工程の後に、乾燥処理を行ってもよい。これにより次に配置する液滴と前記第1工程で配置した液滴が合体して基板上で広がることは無い。
また、上記の膜パターンの形成方法において、前記第2工程の後に、乾燥処理を行ってもよい。これにより次に配置する液滴と前記第2工程で配置した液滴が合体して基板上で広がることは無い。
また、上記の膜パターンの形成方法において、前記基板上に前記液滴を配置する前に、前記基板の表面を前記液体材料に対して撥液性に加工するのが好ましい。ここで、撥液性とは、液体材料に対して非親和性をしめす特性をいう。
これにより、基板上に配置した液滴の広がりを抑制でき、膜パターンの厚膜化及び形状の安定化が図られる。
【0011】
本発明の膜パターン形成装置は、吐出手段から液体材料を液滴にして吐出して、基板上に膜パターンを形成する装置であって、上記記載の膜パターンの形成方法によって膜パターンを形成することを特徴とする。
この膜パターン形成装置では、膜厚化を実現できるとともに、導電膜とした場合に不具合の生じにくい膜パターンを形成できる。
【0012】
また、本発明の導電膜配線は、上記記載の膜パターン形成装置によって形成されたことを特徴とする。
この導電膜配線は、膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不具合が生じにくい。
【0013】
また、本発明の電気光学装置は、上記記載の導電膜配線を備えることを特徴とする。電気光学装置としては、例えば、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置などを例示できる。
また、本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
また、本発明の非接触型カード媒体は、上記記載の導電膜配線をアンテナ回路として備えることを特徴とする。
これらの発明によれば、配線部やアンテナの断線や短絡等の不良が生じにくい。
【0014】
【発明の実施の形態】
次に、本発明に係る実施形態の一例として、基板上に導電膜配線を形成する方法について説明する。本実施形態に係る配線形成方法は、導電膜配線用の液体材料を基板上に配置し、その基板上に配線用の導電膜パターンを形成するものであり、表面処理工程、材料配置工程、及び熱処理/光処理工程等を備えている。なお、液体材料の配置には、液体吐出ヘッドのノズルを介して液体材料を液滴として吐出する液体吐出法、いわゆるインクジェット法を用いる。
【0015】
導電膜配線用の基板としては、Siウエハ、石英ガラス、ガラス、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものを導電膜配線を形成すべき基板として用いてもよい。
【0016】
導電膜配線用の液体材料として、本例では、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液を用いる。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。
導電性微粒子の粒径は5nm以上0.1μm以下であることが好ましい。0.1μmより大きいと、上記液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、5nmより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【0017】
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が0.001mmHg以上200mmHg以下(約0.133Pa以上26600Pa以下)であるものが好ましい。蒸気圧が200mmHgより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発してしまい、良好な膜を形成することが困難となる。
また、分散媒の蒸気圧は0.001mmHg以上50mmHg以下(約0.133Pa以上6650Pa以下)であることがより好ましい。蒸気圧が50mmHgより高い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こりやすく、安定な吐出が困難となる。
一方、室温での蒸気圧が0.001mmHgより低い分散媒の場合、乾燥が遅くて膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱および/または光処理後に良質の導電膜が得られにくい。
【0018】
上記分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されないが、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、n−ヘプタン、n−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−ジオキサンなどのエーテル系化合物、更にプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を挙げることができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、またインクジェット法への適用のしやすさの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、更に好ましい分散媒としては水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独でも、あるいは2種以上の混合物としても使用できる。
【0019】
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は1質量%以上80質量%以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整することができる。80質量%を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な膜が得にくい。
【0020】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は0.02N/m以上0.07N/m以下の範囲に入ることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が0.02N/m未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、0.07N/mを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量、吐出タイミングの制御が困難になる。
【0021】
表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を不当に低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を良好化し、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。
上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでいてもよい。
【0022】
上記分散液の粘度は1mPa・s以上50mPa・s以下であることが好ましい。インクジェット法にて吐出する際、粘度が1mPa・sより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が50mPa・sより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【0023】
(表面処理工程)
表面処理工程では、導電膜配線を形成する基板の表面を、液体材料に対して撥液性に加工する。具体的には、導電性微粒子を含有した液体材料に対する所定の接触角が、60[deg]以上、好ましくは90[deg]以上110[deg]以下となるように表面処理を施す。
表面の撥液性(濡れ性)を制御する方法としては、例えば、基板の表面に自己組織化膜を形成する方法、プラズマ処理法等を採用できる。
【0024】
自己組織膜形成法では、導電膜配線を形成すべき基板の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する。
基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する(表面エネルギーを制御する)官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖を備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成する。
【0025】
ここで、自己組織化膜とは、基板など下地層等構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、該直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【0026】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成され、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【0027】
自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン(以下「FAS」という)を挙げることができる。使用に際しては、一つの化合物を単独で用いてもよく、2種以上の化合物を組み合わせて使用してもよい。なお、FASを用いることにより、基板との密着性と良好な撥液性とを得ることができる。
【0028】
FASは、一般的に構造式RnSiX(4-n)で表される。ここでnは1以上3以下の整数を表し、Xはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またRはフルオロアルキル基であり、(CF3)(CF2)x(CH2)yの(ここでxは0以上10以下の整数を、yは0以上4以下の整数を表す)構造を持ち、複数個のR又はXがSiに結合している場合には、R又はXはそれぞれすべて同じでもよく、異なっていてもよい。Xで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板(ガラス、シリコン)等の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Rは表面に(CF3)等のフルオロ基を有するため、基板等の下地表面を濡れない(表面エネルギーが低い)表面に改質する。
【0029】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れておき、室温の場合は2〜3日程度の間放置すると基板上に形成される。また、密閉容器全体を100℃に保持することにより、3時間程度で基板上に形成される。以上に述べたのは、気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜を形成できる。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が得られる。
なお、自己組織化膜を形成する前に、基板表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、前処理を施すことが望ましい。
【0030】
プラズマ処理法では、常圧又は真空中で基板にプラズマ照射する。プラズマ処理に用いるガス種は、導電膜配線を形成すべき基板の表面材質等を考慮して種々選択できる。処理ガスとしては、例えば、4フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等が例示できる。
【0031】
なお、基板の表面を撥液性に加工する処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば4フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板表面に貼着することによっても行うことができる。また、ポリイミドフィルムをそのまま基板として用いてもよい。
また、基板表面が所望の撥液性よりも高い撥液性を有する場合、170〜400nmの紫外光を照射したり、基板をオゾン雰囲気に曝したりすることにより、基板表面を親液化する処理を行って表面の状態を制御するとよい。
【0032】
(材料配置工程)
図1(a)〜(c)は、基板上に液体材料を配置する方法の一例として、基板上に線状の導電膜パターンを形成する場合の手順の一例を示している。
材料配置工程では、液体吐出ヘッド10から液体材料を液滴にして吐出し、その液滴を一定の距離(ピッチ)ごとに基板11上に配置する。そして、この液滴の配置動作を繰り返すことにより、基板11上に導電膜パターンを形成する。以下、その詳細について説明する。
【0033】
まず、図1(a)に示すように、液体吐出ヘッド10から吐出した液滴L1を、液滴L1同士が基板11上で互いに接しないように、一定の間隔をあけて基板11上に配置する。すなわち、基板11上に配置した直後の液滴L1の直径よりも大きいピッチP1で基板11上に液滴L1を順次配置する。
【0034】
基板11上に液滴L1を配置した後、分散媒の除去を行うため、必要に応じて乾燥処理を行う。乾燥処理は、例えばホットプレート、電気炉などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、YAGレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArClなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力10W以上5000W以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では100W以上1000W以下の範囲で十分である。
なお、この際、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えない。ただし、導電膜の変換は、すべての液体材料の配置が終了してから、熱処理/光処理工程においてまとめて行えば良いので、本工程では、分散媒をある程度除去できれば十分である。例えば、熱処理の場合は、通常100℃程度の加熱を数分行えばよい。
また、乾燥処理は液体材料の吐出と並行して同時に進行させることも可能である。例えば、基板を予め加熱しておいたり、液体吐出ヘッドの冷却とともに沸点の低い分散媒を使用したりすることにより、基板に液滴を配置した直後から、その液滴の乾燥を進行させることができる。
【0035】
次に、図1(b)に示すように、上述した液滴の配置動作を繰り返す。すなわち、図1(a)に示した前回と同様に、液体吐出ヘッド10から液体材料を液滴L2にして吐出し、その液滴L2を一定距離ごとに基板11に配置する。このとき、液滴L2同士の距離間隔は、前回と同じ(ピッチP2=P1)であり、液滴L2同士は互いに接しない。また、液滴L2の配置を開始する位置を前回の液滴L1が配置されている位置から所定距離S1だけずらす。すなわち、基板11上に配置された前回の液滴L1の中心位置と、今回の液滴L2の中心位置とは上記距離S1だけ離れた位置関係となる。このずらす距離(シフト量S1)は、本実施形態例では、上記ピッチP1,P2よりも狭く(S1<P1=P2)、かつ先に基板11に配置された液滴L1に次の液滴L2が一部重なるように定められている。
【0036】
液滴L2を基板11上に配置する際、今回の液滴L2と前回の液滴L1とが接するが、前回の液滴L1はすでに分散媒が完全に又はある程度除去されているので、両者が合体して基板11上で広がることは少ない。
なお、図1(b)では、液滴L2の配置を開始する位置を、前回と同じ側(図1(b)に示す左側)としているが、逆側(図1(b)に示す右側)としてもよい。この場合、液体吐出ヘッド10と基板11との相対移動の距離を少なくできる。
また、液滴L2を基板11上に配置した後、分散媒の除去を行うために、前回と同様に、必要に応じて乾燥処理を行う。この場合も、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えないが、分散媒をある程度除去できれば十分である。
【0037】
この後、図1(c)に示すように、上述した液滴の配置動作を複数回繰り返す。各回において、配置する液滴Ln同士の距離間隔(ピッチPn)は、最初の回の距離と同じ(ピッチPn=P1)で、常に一定である。そのため、基板11上に配置した直後の液滴Ln同士が接することはなく、液滴同士が合体して基板11上で広がることが抑制される。また、基板11の表面は、予め撥液性に加工されているので、この点からも、基板11上に配置した液滴の広がりが抑制される。これらにより、液滴同士が上下に重ねて配置されるようになり、基板11上に配置された液体材料の厚みが増す。
【0038】
また、図1(c)において、液滴の配置動作を複数回繰り返す際、各回ごとに、液滴Lnの配置を開始する位置を、前回の液滴が配置された位置から所定距離だけずらす。この液滴の配置動作の繰り返しにより、基板11上に配置された液滴同士の隙間が埋まり、線状の連続したパターンが形成される。なお、基板上に形成される膜パターンは、常に同じピッチによる液滴配置によって形成され、全体がほぼ等しい形成過程を経ているため、構造が均質なものとなる。
【0039】
図2及び図3は、基板11上に形成される膜パターンの一例を示している。図2及び図3の例では、液体吐出ヘッド10に、複数のノズル30が一列に配列されており、これら複数のノズル30のうちの少なくとも1つのノズル(本例では3つのノズル)を選択的に使用して、基板11に向けて液体材料を吐出する。
【0040】
図2に示す例では、液滴Lnの配置動作を繰り返す際、液滴Lnの配置を開始する位置を複数のノズル30の配列方向と直交する方向にずらす。すなわち、図2(a)に示すように、所定のピッチPで液滴Lnを基板11上に配置するとともに、図2(b)に示すように、ノズル30の配列方向と直交する方向に、開始地点を所定距離Sだけずらしながら、液滴Lnの配置動作を繰り返す。これにより、基板11上に、複数のノズル30の配列方向と直交する方向に連続するパターンが形成される。
また、この場合、液体吐出ヘッド10の複数のノズル30のうちの3つのノズルから液体材料を同時に吐出することにより、3本の線状のパターンが形成される。
【0041】
図3に示す例では、液滴Lnの配置動作を繰り返す際、液滴Lnの配置を開始する位置を複数のノズル30の配列方向と平行にずらす。すなわち、図3(a)に示すように、所定のピッチPで液滴Lnを基板11上に配置するとともに、図3(b)に示すように、ノズル30の配列方向と平行に、開始地点を所定距離Sだけずらしながら、液滴Lnの配置動作を繰り返す。これにより、基板11上に、複数のノズル30の配列方向に連続するパターンが形成される。
また、この場合、所定のピッチPごとに配置する液滴の数に応じて、複数本の線状のパターンが形成される。
【0042】
なお、図2及び図3のそれぞれに示した複数の線状のパターンを互いに重ねるように形成することにより、液体材料の膜を基板上に面状に形成することが可能である。
また、液滴配置の開始地点をずらす量(シフト量)やそのずらす方向(シフト方向)は、上述した例に限定されるものではない。例えば、液滴の配置動作を繰り返す際、液滴の配置を開始する位置を複数のノズル30の配列方向に対して斜め方向にずらしてもよい。この場合、複数のノズル30の配列方向に対して斜めに連続するパターンを形成することが可能となる。
【0043】
このように、本例では、使用するノズル、液滴の配置ピッチ、開始地点のずらす距離(シフト量)、ずらす方向(シフト方向)等をそれぞれ適宜設定することにより、様々な形状の膜パターンを基板上に形成できる。
また、液滴の量、液滴の配置ピッチ、及び基板の表面の濡れ性の各パラメータの組み合わせを適切に制御することにより、より良好な形状の膜パターンを形成できる。
また、本例では、液滴の配置動作を繰り返す際、液滴の配置を開始する位置をずらすだけであり、連続して配置される液滴同士のピッチは一定である。そのため、各配置動作時の吐出条件が互いにほぼ等しく、制御の簡素化を図れるという利点を有する。なお、各配置動作時の吐出条件が互いにほぼ等しく、制御の簡素化を図れるが、液滴同士のピッチを繰り返し毎に変更しても構わない。
【0044】
(熱処理/光処理工程)
熱処理/光処理工程では、基板上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング材を除去する。すなわち、基板上に配置された導電膜形成用の液体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。
【0045】
熱処理及び/又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱処理及び/又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点(蒸気圧)、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約300℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上100℃以下で行なうことが好ましい。
【0046】
熱処理及び/又は光処理は、例えばホットプレート、電気炉などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、YAGレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArClなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力10W以上5000W以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では100W以上1000W以下の範囲で十分である。
上記熱処理及び/又は光処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。
【0047】
本実施形態により形成される導電膜は、基板上で広がることなく、液体材料の液滴が基板上に積み重ねられて形成されることから、厚膜化を図ることができる。また、基板上に配置する液滴の直径とほぼ同等の幅で線状のパターンを形成することが可能であり、細線化も実現できる。
【0048】
次に、本発明の膜パターン形成装置の一例として、上記配線形成方法を実施するための配線形成装置について説明する。
図4は、本実施形態に係る配線形成装置の概略斜視図である。図4に示すように、配線形成装置100は、液体吐出ヘッド10、液体吐出ヘッド10をX方向に駆動するためのX方向ガイド軸2、X方向ガイド軸2を回転させるX方向駆動モータ3、基板11を載置するための載置台4、載置台4をY方向に駆動するためのY方向ガイド軸5、Y方向ガイド軸5を回転させるY方向駆動モータ6、クリーニング機構部14、ヒータ15、及びこれらを統括的に制御する制御装置8等を備えている。X方向ガイド軸2及びY方向ガイド軸5はそれぞれ、基台7上に固定されている。
【0049】
液体吐出ヘッド10は、導電性微粒子を含有する分散液からなる液体材料をノズル(吐出口)から吐出するものであり、X方向ガイド軸2に固定されている。X方向駆動モータ3は、ステッピングモータ等であり、制御装置8からX軸方向の駆動パルス信号が供給されると、X方向ガイド軸2を回転させる。X方向ガイド軸2の回転により、液体吐出ヘッド10が基台7に対してX軸方向に移動する。なお、液体吐出ヘッド10は、X軸周り、Y軸周り、及びX−Y平面と直交する軸周りのそれぞれの方向に移動自在に支持されており、角度調整が可能となっている。
【0050】
液体吐出方式としては、圧電体素子であるピエゾ素子を用いてインクを吐出させるピエゾ方式、液体材料を加熱し発生した泡(バブル)により液体材料を吐出させるバブル方式など、公知の様々な技術を適用できる。このうち、ピエゾ方式は、液体材料に熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないという利点を有する。なお、本例では、液体材料選択の自由度の高さ、及び液滴の制御性の良さの点から上記ピエゾ方式を用いる。
【0051】
載置台4はY方向ガイド軸5に固定され、Y方向ガイド軸5には、Y方向駆動モータ6、16が接続されている。Y方向駆動モータ6、16は、ステッピングモータ等であり、制御装置8からY軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Y方向ガイド軸5を回転させる。Y方向ガイド軸5の回転により、載置台4が基台7に対してY軸方向に移動する。
クリーニング機構部14は、液体吐出ヘッド10をクリーニングし、ノズルの目詰まりなどを防ぐものである。クリーニング機構部14は、上記クリーニング時において、Y方向の駆動モータ16によってY方向ガイド軸5に沿って移動する。
ヒータ15は、ランプアニール等の加熱手段を用いて基板11を熱処理するものであり、基板11上に吐出された液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換するための熱処理を行う。
【0052】
本実施形態の配線形成装置100では、液体吐出ヘッド10から液体材料を吐出しながら、X方向駆動モータ3及び/又はY方向駆動モータ6を介して、基板11と液体吐出ヘッド10とを相対移動させることにより、基板11上に液体材料を配置する。
液体吐出ヘッド10の各ノズルからの液滴の吐出量は、制御装置8から上記ピエゾ素子に供給される電圧によって制御される。
また、基板11上に配置される液滴のピッチは、上記相対移動の速度、及び液体吐出ヘッド10からの吐出周波数(ピエゾ素子への駆動電圧の周波数)によって制御される。
また、基板11上に液滴を開始する位置は、上記相対移動の方向、及び上記相対移動時における液体吐出ヘッド10からの液滴の吐出開始のタイミング制御等によって制御される。
これにより、基板11上に上述した配線用の導電膜パターンが形成される。
【0053】
次に、本発明の電気光学装置の一例として、液晶装置について説明する。
図5は、本実施形態に係る液晶装置の第1基板上の信号電極等の平面レイアウトを示すものである。本実施形態に係る液晶装置は、この第1基板と、走査電極等が設けられた第2基板(図示せず)と、第1基板と第2基板との間に封入された液晶(図示せず)とから概略構成されている。
【0054】
図5に示すように、第1基板300上の画素領域303には、複数の信号電極310…が多重マトリクス状に設けられている。特に各信号電極310…は、各画素に対応して設けられた複数の画素電極部分310a…とこれらを多重マトリクス状に接続する信号配線部分310b…とから構成されており、Y方向に伸延している。
また、符号350は1チップ構造の液晶駆動回路で、この液晶駆動回路350と信号配線部分310b…の一端側(図中下側)とが第1引き回し配線331…を介して接続されている。
また、符号340…は上下導通端子で、この上下導通端子340…と、図示しない第2基板上に設けられた端子とが上下導通材341…によって接続されている。また、上下導通端子340…と液晶駆動回路350とが第2引き回し配線332…を介して接続されている。
【0055】
本実施形態例では、上記第1基板300上に設けられた信号配線部分310b…、第1引き回し配線331…、及び第2引き回し配線332…がそれぞれ、先の図4に示した配線形成装置を用いて、先の図1に示した配線形成方法に基づいて形成されている。そのため、上記各配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化を実現しやすい。
【0056】
次に、本発明の電気光学装置の他の例として、プラズマ型表示装置について説明する。
図6は本実施形態のプラズマ型表示装置500の分解斜視図を示している。
プラズマ型表示装置500は、互いに対向して配置された基板501、502、及びこれらの間に形成される放電表示部510を含んで構成される。
放電表示部510は、複数の放電室516が集合されたものである。複数の放電室516のうち、赤色放電室516(R)、緑色放電室516(G)、青色放電室516(B)の3つの放電室516が対になって1画素を構成するように配置されている。
【0057】
基板501の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極511が形成され、アドレス電極511と基板501の上面とを覆うように誘電体層519が形成されている。誘電体層519上には、アドレス電極511、511間に位置しかつ各アドレス電極511に沿うように隔壁515が形成されている。隔壁515は、アドレス電極511の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極511と直交する方向に延設された隔壁とを含む。また、隔壁515によって仕切られた長方形状の領域に対応して放電室516が形成されている。
また、隔壁515によって区画される長方形状の領域の内側には蛍光体517が配置されている。蛍光体517は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室516(R)の底部には赤色蛍光体517(R)が、緑色放電室516(G)の底部には緑色蛍光体517(G)が、青色放電室516(B)の底部には青色蛍光体517(B)が各々配置されている。
【0058】
一方、基板502には、先のアドレス電極511と直交する方向に複数の表示電極512がストライプ状に所定の間隔で形成されている。さらに、これらを覆うように誘電体層513、及びMgOなどからなる保護膜514が形成されている。
基板501と基板502とは、前記アドレス電極511…と表示電極512…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。
上記アドレス電極511と表示電極512は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部510において蛍光体517が励起発光し、カラー表示が可能となる。
【0059】
本実施形態では、上記アドレス電極511、及び表示電極512がそれぞれ、先の図4に示した配線形成装置を用いて、先の図1に示した配線形成方法に基づいて形成されている。そのため、上記各配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化を実現しやすい。
【0060】
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図7は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図7において、600は携帯電話本体を示し、601は先の図5に示した液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図8は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図8において、700は情報処理装置、701はキーボードなどの入力部、703は情報処理本体、702は先の図5に示した液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図9は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図9において、800は時計本体を示し、801は先の図5に示した液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図7〜図9に示す電子機器は、上記実施形態の液晶装置を備えたものであるので、配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化が可能となる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【0061】
次に、本発明の非接触型カード媒体の実施形態について説明する。
図10は、本実施形態例に係る非接触型カード媒体を示しており、非接触型カード媒体400は、カード基体402とカードカバー418から成る筐体内に、半導体集積回路チップ408とアンテナ回路412を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。
【0062】
本実施形態では、上記アンテナ回路412が、先の図4に示した配線形成装置を用いて、先の図1に示した配線形成方法に基づいて形成されている。そのため、上記各配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化を実現しやすい。
【0063】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【0064】
【発明の効果】
本発明の膜パターンの形成方法及び膜パターン形成装置によれば、液体材料からなる液滴を、一定の距離ごとに基板上に配置する工程を、液滴の配置を開始する位置をずらしながら繰り返すことにより、膜パターンの厚膜化を図ることができるとともに、導電膜とした場合に断線や短絡等の不具合が生じにくい膜パターンを形成できる。
【0065】
本発明の導電膜配線によれば、膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不具合が生じにくい。
【0066】
本発明の電気光学装置によれば、断線や短絡等の不具合が生じにくく、品質の向上を図ることができる。
【0067】
本発明の電子機器並びに非接触型カード媒体によれば、配線部やアンテナの断線や短絡等の不良が生じにくく、品質の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の膜パターンの形成方法の実施形態例を示しており、基板上に線状の導電膜パターンを形成する手順の一例を示している。
【図2】 基板上に形成される膜パターンの一例を示している。
【図3】 基板上に形成される膜パターンの他の例を示している。
【図4】 本発明の膜形成装置の実施形態例を示しており、配線形成装置の概略斜視図を示している。
【図5】 本発明の電気光学装置を、液晶装置に適用した例を示す平面図である。
【図6】 本発明の電気光学装置を、プラズマ型表示装置に適用した例を示す分解斜視図である。
【図7】 本発明の電子機器を、液晶表示装置を備えた携帯電話に適用した例を示す図である。
【図8】 本発明の電子機器を、液晶表示装置を備えた携帯型上方処理装置に適用した例を示す図である。
【図9】 本発明の電子機器を、液晶表示装置を備えた腕時計型電子機器に適用した例を示す図である。
【図10】 本発明の非接触型カード媒体の実施形態例を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
10…液体吐出ヘッド(吐出手段)、11…基板、30…ノズル、100…膜パターン形成装置、Ln…液滴、S…シフト量、P…ピッチ。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method and apparatus for forming a film pattern on a substrate, and more particularly, to a technique for forming a film pattern on a substrate by discharging a liquid material as droplets from a discharge means.
[0002]
[Prior art]
As a technique for forming a film pattern on the substrate, a film made of a liquid material for the film pattern is formed on the substrate using a coating technique such as a spin coat method, and this film is formed into a desired pattern using a photolithography method. Methods of forming are known.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
On the other hand, in recent years, a technique has been proposed in which a liquid material is disposed at a desired position on a substrate and a film pattern is directly formed on the substrate. In this technique, the steps related to photolithography can be omitted or simplified.
[0004]
As a technique for disposing the liquid material at a desired position on the substrate, there is a method of discharging the liquid material as droplets through a nozzle provided in the discharge means. This discharge method is advantageous in that it consumes less liquid material and can easily control the amount and position of the liquid material placed on the substrate as compared with a coating technique such as spin coating.
[0005]
However, there is a problem in that it is difficult to increase the thickness of the film pattern in the technique of disposing the liquid material as droplets on the substrate. That is, if the amount of droplets disposed on the substrate is increased for the purpose of increasing the film thickness, the droplets coalesce on the substrate and are likely to spread on the substrate without increasing the film thickness.
Further, when the film pattern is a conductive film, a liquid pool (bulge) is generated due to the spread of the above-described droplets, which may cause problems such as disconnection or short circuit.
[0006]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a film pattern forming method and a forming apparatus that can increase the thickness and are less likely to cause problems such as disconnection and short circuit when used as a conductive film. For the purpose.
Another object of the present invention is to provide a conductive film wiring that is thick and advantageous for electrical conduction and is less prone to problems such as disconnection and short circuit.
Another object of the present invention is to provide an electro-optical device that is less prone to problems such as disconnection or short-circuiting of wiring portions, an electronic device using the same, and a non-contact card medium.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the film pattern forming method of the present invention includes a plurality of nozzles. In a row A method of forming a plurality of film patterns on a substrate by discharging a liquid material as droplets from an arrayed discharge unit, wherein the plurality of droplets discharged from the discharge unit are arranged in a direction in which a plurality of nozzles are arranged. The first step of arranging the liquid droplets on the substrate at a fixed distance in the orthogonal direction and the position where the droplet placement starts is shifted by a predetermined distance in the arrangement direction of the plurality of nozzles, and the droplets arranged in the first step Place the droplets so that they partially overlap, and arrange the droplets so as to fill the gaps arranged in the first step, and create multiple patterns that are continuous in the arrangement direction in which multiple nozzles are arranged The second step to be formed, the first step, and the second step are repeated, and the droplets are arranged on the droplets arranged in the first step and the second step to form a plurality of film patterns. The third step When A method for forming a film pattern, comprising:
[0008]
In the method for forming a film pattern, a step of placing droplets made of a liquid material on a substrate at a certain distance is repeated while shifting the position at which the droplet placement is started, thereby forming a desired pattern on the substrate. A film pattern having a film thickness and shape can be formed. For example, a linear continuous pattern can be formed by repeatedly disposing the droplets so as to fill the gaps between the droplets disposed on the substrate.
In each of the above repeated steps, the droplets are arranged at a certain distance, so that the next droplet does not immediately adhere to the droplet immediately after being placed on the substrate, and the droplets coalesce. Spread on the substrate. That is, in the process of repeating the above steps, even when another droplet overlaps the droplet disposed on the substrate, the droplet previously disposed on the substrate has already been dried to some extent or completely, The above-described spread of the droplet is suppressed. By suppressing the spread of the droplets, occurrence of problems such as disconnection and short circuit when the film pattern is applied to the conductive film is prevented. Further, by suppressing the spread of the droplets, it becomes easy to arrange the droplets so as to overlap each other, and it is possible to realize a thick film pattern.
Further, in the above method for forming a film pattern, when the above steps are repeated, it is only necessary to shift the position where droplets are placed, and the distance interval between the continuously placed droplets is constant. The discharge conditions of the process are almost equal to each other, and the control is simplified. In addition, since each part of the film pattern undergoes substantially the same formation process, the film can be homogenized.
[0010]
In the film pattern forming method, a drying process may be performed after the first step. As a result, the droplet to be arranged next and the droplet arranged in the first step do not merge and spread on the substrate.
In the method for forming a film pattern, a drying process may be performed after the second step. As a result, the liquid droplet to be arranged next and the liquid droplet arranged in the second step do not merge and spread on the substrate.
In the film pattern forming method, it is preferable that the surface of the substrate is processed to be liquid repellent with respect to the liquid material before the droplets are disposed on the substrate. Here, “liquid repellency” refers to a characteristic that shows incompatibility with a liquid material.
Thereby, the spread of the droplets arranged on the substrate can be suppressed, and the film pattern can be thickened and the shape can be stabilized.
[0011]
The film pattern forming apparatus of the present invention is an apparatus for forming a film pattern on a substrate by discharging a liquid material as droplets from a discharge means, and forming the film pattern by the above-described film pattern forming method. It is characterized by that.
In this film pattern forming apparatus, it is possible to realize a film thickness increase and to form a film pattern that is less likely to cause problems when used as a conductive film.
[0012]
The conductive film wiring of the present invention is formed by the above-described film pattern forming apparatus.
This conductive film wiring has a large film thickness and is advantageous for electric conduction, and it is difficult to cause problems such as disconnection and short circuit.
[0013]
In addition, an electro-optical device according to the present invention includes the conductive film wiring described above. Examples of the electro-optical device include a liquid crystal display device, an organic electroluminescence display device, and a plasma display device.
According to another aspect of the invention, there is provided an electronic apparatus including the above-described electro-optical device.
The non-contact card medium of the present invention is characterized in that the conductive film wiring described above is provided as an antenna circuit.
According to these inventions, defects such as disconnection and short-circuiting of the wiring portion and antenna are unlikely to occur.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, as an example of an embodiment according to the present invention, a method for forming a conductive film wiring on a substrate will be described. The wiring forming method according to the present embodiment is a method in which a liquid material for conductive film wiring is disposed on a substrate, and a conductive film pattern for wiring is formed on the substrate. It includes a heat treatment / light treatment process. Note that the liquid material is disposed by a liquid ejection method in which the liquid material is ejected as droplets via a nozzle of a liquid ejection head, a so-called inkjet method.
[0015]
Various substrates such as Si wafer, quartz glass, glass, plastic film, and metal plate can be used as the conductive film wiring substrate. Further, a substrate in which a semiconductor film, a metal film, a dielectric film, an organic film or the like is formed as a base layer on the surface of these various material substrates may be used as a substrate on which conductive film wiring is to be formed.
[0016]
In this example, a dispersion liquid in which conductive fine particles are dispersed in a dispersion medium is used as the liquid material for the conductive film wiring. As the conductive fine particles used here, in addition to metal fine particles containing any of gold, silver, copper, palladium, and nickel, conductive polymer, superconductor fine particles, and the like are used.
These conductive fine particles can be used by coating the surface with an organic substance or the like in order to improve dispersibility. Examples of the coating material that coats the surface of the conductive fine particles include organic solvents such as xylene and toluene, citric acid, and the like.
The particle diameter of the conductive fine particles is preferably 5 nm or more and 0.1 μm or less. If it is larger than 0.1 μm, the nozzle of the liquid discharge head may be clogged. On the other hand, if it is smaller than 5 nm, the volume ratio of the coating agent to the conductive fine particles becomes large, and the ratio of organic substances in the obtained film becomes excessive.
[0017]
The liquid dispersion medium containing conductive fine particles preferably has a vapor pressure at room temperature of 0.001 mmHg to 200 mmHg (about 0.133 Pa to 26600 Pa). When the vapor pressure is higher than 200 mmHg, the dispersion medium rapidly evaporates after ejection, making it difficult to form a good film.
The vapor pressure of the dispersion medium is more preferably 0.001 mmHg to 50 mmHg (about 0.133 Pa to 6650 Pa). When the vapor pressure is higher than 50 mmHg, nozzle clogging due to drying tends to occur when droplets are ejected by the ink jet method, and stable ejection becomes difficult.
On the other hand, in the case of a dispersion medium having a vapor pressure lower than 0.001 mmHg at room temperature, drying is slow and the dispersion medium tends to remain in the film, and a high-quality conductive film can be obtained after heat and / or light treatment in the subsequent process. Hateful.
[0018]
The dispersion medium is not particularly limited as long as it can disperse the conductive fine particles and does not cause aggregation. In addition to water, alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, n-heptane , N-octane, decane, toluene, xylene, cyclone, durene, indene, dipentene, tetrahydronaphthalene, decahydronaphthalene, cyclohexylbenzene and other hydrocarbon compounds, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether , Diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, bis (2-methoxyethyl) ether Ether compounds such as p- dioxane, propylene carbonate, .gamma.-butyrolactone, N- methyl-2-pyrrolidone, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, may be mentioned polar compounds such as cyclohexanone. Of these, water, alcohols, hydrocarbon compounds, and ether compounds are preferred from the viewpoints of fine particle dispersibility, dispersion stability, and ease of application to the inkjet method, and more preferred dispersion media. Can include water and hydrocarbon compounds. These dispersion media can be used alone or as a mixture of two or more.
[0019]
The dispersoid concentration in the case where the conductive fine particles are dispersed in the dispersion medium is 1% by mass or more and 80% by mass or less, and can be adjusted according to the desired film thickness of the conductive film. If it exceeds 80% by mass, aggregation tends to occur and it is difficult to obtain a uniform film.
[0020]
The surface tension of the conductive fine particle dispersion is preferably in the range of 0.02 N / m to 0.07 N / m. When the liquid is ejected by the ink jet method, if the surface tension is less than 0.02 N / m, the wettability of the ink composition to the nozzle surface increases, and thus flight bending tends to occur, exceeding 0.07 N / m. Since the shape of the meniscus at the nozzle tip is not stable, it becomes difficult to control the discharge amount and the discharge timing.
[0021]
In order to adjust the surface tension, a small amount of a surface tension modifier such as a fluorine-based, silicone-based, or nonionic-based material may be added to the above-described dispersion within a range that does not unduly decrease the contact angle with the substrate. The nonionic surface tension modifier improves the wettability of the liquid to the substrate, improves the leveling property of the film, and helps prevent the occurrence of fine irregularities in the film.
The dispersion liquid may contain an organic compound such as alcohol, ether, ester, or ketone, if necessary.
[0022]
The viscosity of the dispersion is preferably 1 mPa · s to 50 mPa · s. When discharging by the inkjet method, if the viscosity is less than 1 mPa · s, the nozzle periphery is easily contaminated by the outflow of ink, and if the viscosity is more than 50 mPa · s, the nozzle hole is clogged frequently. Therefore, it becomes difficult to smoothly discharge droplets.
[0023]
(Surface treatment process)
In the surface treatment step, the surface of the substrate on which the conductive film wiring is formed is processed to be liquid repellent with respect to the liquid material. Specifically, the surface treatment is performed so that a predetermined contact angle with respect to the liquid material containing conductive fine particles is 60 [deg] or more, preferably 90 [deg] or more and 110 [deg] or less.
As a method for controlling the liquid repellency (wetting property) of the surface, for example, a method of forming a self-assembled film on the surface of the substrate, a plasma treatment method, or the like can be employed.
[0024]
In the self-assembled film forming method, a self-assembled film made of an organic molecular film or the like is formed on the surface of a substrate on which conductive film wiring is to be formed.
The organic molecular film for treating the substrate surface has a functional group that can bind to the substrate and a functional group that modifies the surface properties of the substrate, such as a lyophilic group or a liquid repellent group, on the opposite side (controls the surface energy). And a carbon straight chain or a partially branched carbon chain connecting these functional groups, and is bonded to a substrate and self-assembles to form a molecular film, for example, a monomolecular film.
[0025]
Here, the self-assembled film is composed of a binding functional group capable of reacting with constituent atoms such as a base layer such as a substrate and other linear molecules, and has extremely high orientation due to the interaction of the linear molecules. It is a film formed by orienting a compound. Since this self-assembled film is formed by orienting single molecules, the film thickness can be extremely reduced, and the film is uniform at the molecular level. That is, since the same molecule is located on the surface of the film, uniform and excellent liquid repellency and lyophilicity can be imparted to the surface of the film.
[0026]
By using, for example, fluoroalkylsilane as the compound having high orientation, each compound is oriented so that the fluoroalkyl group is located on the surface of the film, and a self-assembled film is formed. Liquid repellency is imparted.
[0027]
Examples of compounds that form a self-assembled film include heptadecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrodecyltriethoxysilane, heptadecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrodecyltrimethoxysilane, heptadecafluoro-1 , 1,2,2 tetrahydrodecyltrichlorosilane, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltriethoxysilane, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltrimethoxysilane, tridecafluoro-1 , 1,2,2 tetrahydrooctyltrichlorosilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, and other fluoroalkylsilanes (hereinafter referred to as “FAS”). In use, one compound may be used alone, or two or more compounds may be used in combination. Note that by using FAS, adhesion to the substrate and good liquid repellency can be obtained.
[0028]
FAS generally has the structural formula RnSiX (4-n) It is represented by Here, n represents an integer of 1 to 3, and X is a hydrolyzable group such as a methoxy group, an ethoxy group, or a halogen atom. R is a fluoroalkyl group, and (CF Three ) (CF 2 ) X (CH 2 ) Y (where x represents an integer from 0 to 10 and y represents an integer from 0 to 4), and when a plurality of R or X are bonded to Si, R or Each X may be the same or different. The hydrolyzable group represented by X forms silanol by hydrolysis, reacts with the hydroxyl group of the base such as the substrate (glass, silicon), etc., and bonds to the substrate with a siloxane bond. On the other hand, R is on the surface (CF Three ), Etc., the base surface of the substrate or the like is modified to a surface that does not get wet (surface energy is low).
[0029]
A self-assembled film made of an organic molecular film or the like is formed on a substrate when the above raw material compound and the substrate are placed in the same sealed container and left at room temperature for about 2 to 3 days. Further, by holding the entire sealed container at 100 ° C., it is formed on the substrate in about 3 hours. What has been described above is the formation method from the gas phase, but the self-assembled film can also be formed from the liquid phase. For example, the self-assembled film can be obtained on the substrate by immersing the substrate in a solution containing the raw material compound, washing and drying.
Note that before the self-assembled film is formed, it is desirable to perform pretreatment by irradiating the substrate surface with ultraviolet light or washing with a solvent.
[0030]
In the plasma processing method, the substrate is irradiated with plasma under normal pressure or vacuum. Various types of gas used for the plasma treatment can be selected in consideration of the surface material of the substrate on which the conductive film wiring is to be formed. Examples of the processing gas include tetrafluoromethane, perfluorohexane, perfluorodecane, and the like.
[0031]
In addition, the process which processes the surface of a board | substrate to liquid repellency can also be performed by sticking to the board | substrate surface the film which has desired liquid repellency, for example, the polyimide film etc. which were tetrafluoroethylene processed. Moreover, you may use a polyimide film as a board | substrate as it is.
In addition, when the substrate surface has a liquid repellency higher than a desired liquid repellency, a treatment for making the substrate surface lyophilic by irradiating ultraviolet light of 170 to 400 nm or exposing the substrate to an ozone atmosphere. Go and control the surface condition.
[0032]
(Material placement process)
FIGS. 1A to 1C show an example of a procedure when a linear conductive film pattern is formed on a substrate as an example of a method for disposing a liquid material on the substrate.
In the material arranging step, the liquid material is ejected as droplets from the liquid ejection head 10, and the droplets are arranged on the substrate 11 at a certain distance (pitch). Then, the conductive film pattern is formed on the substrate 11 by repeating the droplet placement operation. The details will be described below.
[0033]
First, as shown in FIG. 1A, droplets L1 ejected from the liquid ejection head 10 are arranged on the substrate 11 with a certain interval so that the droplets L1 do not contact each other on the substrate 11. To do. That is, the droplets L1 are sequentially disposed on the substrate 11 at a pitch P1 larger than the diameter of the droplets L1 immediately after being disposed on the substrate 11.
[0034]
After disposing the droplets L1 on the substrate 11, a drying process is performed as necessary in order to remove the dispersion medium. The drying process may be performed using lamp annealing in addition to a general heating process using a heating means such as a hot plate or an electric furnace. The light source used for lamp annealing is not particularly limited, but excimer laser such as infrared lamp, xenon lamp, YAG laser, argon laser, carbon dioxide laser, XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl, etc. Can be used. These light sources generally have a power output in the range of 10 W to 5000 W, but in the present embodiment, a range of 100 W to 1000 W is sufficient.
At this time, not only the removal of the dispersion medium but also the degree of heating and light irradiation may be increased until the dispersion is converted into a conductive film. However, since conversion of the conductive film may be performed collectively in the heat treatment / light treatment process after the arrangement of all the liquid materials is completed, it is sufficient in this step that the dispersion medium can be removed to some extent. For example, in the case of heat treatment, heating at about 100 ° C. is usually performed for several minutes.
Also, the drying process can proceed simultaneously with the discharge of the liquid material. For example, by previously heating the substrate or using a dispersion medium having a low boiling point along with cooling of the liquid discharge head, drying of the droplet can proceed immediately after the droplet is placed on the substrate. it can.
[0035]
Next, as shown in FIG. 1B, the above-described droplet placement operation is repeated. That is, as in the previous time shown in FIG. 1A, the liquid material is ejected from the liquid ejection head 10 as droplets L2, and the droplets L2 are arranged on the substrate 11 at regular intervals. At this time, the distance interval between the droplets L2 is the same as the previous time (pitch P2 = P1), and the droplets L2 do not contact each other. Further, the position at which the placement of the droplet L2 is started is shifted by a predetermined distance S1 from the position at which the previous droplet L1 is placed. That is, the center position of the previous droplet L1 disposed on the substrate 11 and the center position of the current droplet L2 are in a positional relationship separated by the distance S1. In this embodiment, the distance to be shifted (shift amount S1) is narrower than the pitches P1 and P2 (S1 <P1 = P2), and the droplet L2 next to the droplet L1 previously disposed on the substrate 11 is used. Are partly overlapped.
[0036]
When the droplet L2 is placed on the substrate 11, the current droplet L2 and the previous droplet L1 are in contact with each other, but since the previous droplet L1 has already been completely or partially removed, It is rare that they merge and spread on the substrate 11.
In FIG. 1B, the position where the droplet L2 starts to be placed is the same side as the previous time (left side shown in FIG. 1B), but the opposite side (right side shown in FIG. 1B). It is good. In this case, the distance of relative movement between the liquid discharge head 10 and the substrate 11 can be reduced.
In addition, after the droplet L2 is placed on the substrate 11, a drying process is performed as necessary in order to remove the dispersion medium as in the previous case. In this case, not only the dispersion medium but also the degree of heating and light irradiation can be increased until the dispersion liquid is converted into a conductive film, but it is sufficient if the dispersion medium can be removed to some extent.
[0037]
Thereafter, as shown in FIG. 1C, the above-described droplet placement operation is repeated a plurality of times. At each time, the distance interval (pitch Pn) between the droplets Ln to be arranged is the same as the distance of the first time (pitch Pn = P1), and is always constant. Therefore, the droplets Ln immediately after being arranged on the substrate 11 do not contact each other, and the droplets are prevented from being combined and spreading on the substrate 11. In addition, since the surface of the substrate 11 is processed to be liquid repellent in advance, the spread of the droplets disposed on the substrate 11 is also suppressed from this point. As a result, the droplets are arranged one above the other so that the thickness of the liquid material arranged on the substrate 11 increases.
[0038]
Further, in FIG. 1C, when the droplet placement operation is repeated a plurality of times, the position at which the placement of the droplet Ln is started is shifted by a predetermined distance from the position at which the previous droplet is placed each time. By repeating this droplet placement operation, the gaps between the droplets placed on the substrate 11 are filled, and a linear continuous pattern is formed. Note that the film pattern formed on the substrate is always formed by droplet arrangement with the same pitch, and the entire structure has undergone almost the same formation process, so that the structure is uniform.
[0039]
2 and 3 show an example of a film pattern formed on the substrate 11. In the example of FIGS. 2 and 3, a plurality of nozzles 30 are arranged in a line in the liquid ejection head 10, and at least one nozzle (in this example, three nozzles) of the plurality of nozzles 30 is selectively used. The liquid material is discharged toward the substrate 11.
[0040]
In the example shown in FIG. 2, when the arrangement operation of the droplet Ln is repeated, the position where the arrangement of the droplet Ln is started is shifted in a direction orthogonal to the arrangement direction of the plurality of nozzles 30. That is, as shown in FIG. 2A, the droplets Ln are arranged on the substrate 11 at a predetermined pitch P, and as shown in FIG. 2B, in a direction orthogonal to the arrangement direction of the nozzles 30. The placement operation of the droplet Ln is repeated while shifting the start point by a predetermined distance S. As a result, a continuous pattern is formed on the substrate 11 in a direction orthogonal to the arrangement direction of the plurality of nozzles 30.
In this case, three linear patterns are formed by simultaneously discharging liquid materials from three nozzles of the plurality of nozzles 30 of the liquid discharge head 10.
[0041]
In the example shown in FIG. 3, when the arrangement operation of the droplet Ln is repeated, the position where the arrangement of the droplet Ln is started is shifted in parallel with the arrangement direction of the plurality of nozzles 30. That is, as shown in FIG. 3A, the droplets Ln are arranged on the substrate 11 at a predetermined pitch P, and as shown in FIG. 3B, the start point is parallel to the arrangement direction of the nozzles 30. The operation of arranging the droplets Ln is repeated while shifting by a predetermined distance S. As a result, a continuous pattern in the arrangement direction of the plurality of nozzles 30 is formed on the substrate 11.
In this case, a plurality of linear patterns are formed according to the number of droplets arranged at each predetermined pitch P.
[0042]
Note that by forming a plurality of linear patterns shown in FIGS. 2 and 3 so as to overlap each other, it is possible to form a film of a liquid material in a planar shape on a substrate.
Further, the amount (shift amount) of shifting the start point of the droplet arrangement and the direction of shifting (shift direction) are not limited to the above-described example. For example, when the droplet placement operation is repeated, the position where the droplet placement is started may be shifted obliquely with respect to the arrangement direction of the plurality of nozzles 30. In this case, it is possible to form a pattern that is obliquely continuous with respect to the arrangement direction of the plurality of nozzles 30.
[0043]
As described above, in this example, film patterns having various shapes can be formed by appropriately setting the nozzle to be used, the arrangement pitch of the droplets, the shift distance (shift amount) of the start point, the shift direction (shift direction), and the like. It can be formed on a substrate.
Further, a film pattern having a better shape can be formed by appropriately controlling the combination of the parameters of the amount of droplets, the arrangement pitch of the droplets, and the wettability of the surface of the substrate.
Further, in this example, when the droplet placement operation is repeated, the position where the droplet placement is started is merely shifted, and the pitch between the continuously placed droplets is constant. For this reason, the discharge conditions at the time of each placement operation are substantially equal to each other, and there is an advantage that the control can be simplified. In addition, although the discharge conditions at the time of each arrangement | positioning operation | movement are substantially equal, control can be simplified, However, You may change the pitch of droplets for every repetition.
[0044]
(Heat treatment / light treatment process)
In the heat treatment / light treatment step, the dispersion medium or coating material contained in the droplets disposed on the substrate is removed. That is, the liquid material for forming a conductive film disposed on the substrate needs to completely remove the dispersion medium in order to improve electrical contact between the fine particles. Further, when a coating material such as an organic material is coated on the surface of the conductive fine particles in order to improve dispersibility, it is also necessary to remove this coating material.
[0045]
The heat treatment and / or light treatment is usually performed in the air, but may be performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium as necessary. The treatment temperature of heat treatment and / or light treatment depends on the boiling point (vapor pressure) of the dispersion medium, the type and pressure of the atmospheric gas, the thermal behavior such as fine particle dispersibility and oxidation, the presence and amount of coating material, It is determined appropriately in consideration of the heat resistant temperature.
For example, in order to remove the coating material made of organic matter, it is necessary to bake at about 300 ° C. Moreover, when using a board | substrate, such as a plastics, it is preferable to carry out at room temperature or more and 100 degrees C or less.
[0046]
The heat treatment and / or light treatment may be performed using lamp annealing in addition to general heat treatment using a heating means such as a hot plate or an electric furnace. The light source used for lamp annealing is not particularly limited, but excimer laser such as infrared lamp, xenon lamp, YAG laser, argon laser, carbon dioxide laser, XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl, etc. Can be used. These light sources generally have a power output in the range of 10 W to 5000 W, but in the present embodiment, a range of 100 W to 1000 W is sufficient.
By the heat treatment and / or light treatment, electrical contact between the fine particles is ensured and converted into a conductive film.
[0047]
Since the conductive film formed according to this embodiment is formed by stacking liquid material droplets on the substrate without spreading on the substrate, the film thickness can be increased. Further, it is possible to form a linear pattern with a width substantially equal to the diameter of the droplets arranged on the substrate, and thinning can also be realized.
[0048]
Next, as an example of the film pattern forming apparatus of the present invention, a wiring forming apparatus for carrying out the above wiring forming method will be described.
FIG. 4 is a schematic perspective view of the wiring forming apparatus according to the present embodiment. As shown in FIG. 4, the wiring forming apparatus 100 includes a liquid ejection head 10, an X direction guide shaft 2 for driving the liquid ejection head 10 in the X direction, an X direction drive motor 3 for rotating the X direction guide shaft 2, A mounting table 4 for mounting the substrate 11, a Y-direction guide shaft 5 for driving the mounting table 4 in the Y direction, a Y-direction drive motor 6 for rotating the Y-direction guide shaft 5, a cleaning mechanism unit 14, and a heater 15 , And a control device 8 or the like for comprehensively controlling them. Each of the X direction guide shaft 2 and the Y direction guide shaft 5 is fixed on the base 7.
[0049]
The liquid discharge head 10 discharges a liquid material made of a dispersion containing conductive fine particles from a nozzle (discharge port), and is fixed to the X-direction guide shaft 2. The X direction drive motor 3 is a stepping motor or the like, and rotates the X direction guide shaft 2 when a drive pulse signal in the X axis direction is supplied from the control device 8. By the rotation of the X direction guide shaft 2, the liquid discharge head 10 moves in the X axis direction with respect to the base 7. The liquid ejection head 10 is supported so as to be movable in the respective directions around the X axis, the Y axis, and the axis orthogonal to the XY plane, and the angle can be adjusted.
[0050]
As the liquid ejection method, there are various known techniques such as a piezo method that ejects ink using a piezoelectric element, which is a piezoelectric element, and a bubble method that ejects a liquid material by bubbles generated by heating the liquid material. Applicable. Among these, the piezo method has an advantage that it does not affect the composition of the material because no heat is applied to the liquid material. In this example, the above piezo method is used from the viewpoint of the high degree of freedom in selecting the liquid material and the good controllability of the droplets.
[0051]
The mounting table 4 is fixed to the Y-direction guide shaft 5, and Y-direction drive motors 6 and 16 are connected to the Y-direction guide shaft 5. The Y-direction drive motors 6 and 16 are stepping motors or the like, and rotate the Y-direction guide shaft 5 when a drive pulse signal in the Y-axis direction is supplied from the control device 8. The mounting table 4 moves in the Y-axis direction with respect to the base 7 by the rotation of the Y-direction guide shaft 5.
The cleaning mechanism 14 cleans the liquid discharge head 10 and prevents nozzle clogging and the like. The cleaning mechanism 14 is moved along the Y-direction guide shaft 5 by the Y-direction drive motor 16 during the cleaning.
The heater 15 heat-treats the substrate 11 using heating means such as lamp annealing, and performs heat treatment for evaporating and drying the liquid discharged on the substrate 11 and converting it into a conductive film.
[0052]
In the wiring forming apparatus 100 of the present embodiment, the substrate 11 and the liquid ejection head 10 are relatively moved via the X-direction drive motor 3 and / or the Y-direction drive motor 6 while ejecting the liquid material from the liquid ejection head 10. By doing so, the liquid material is arranged on the substrate 11.
The discharge amount of droplets from each nozzle of the liquid discharge head 10 is controlled by a voltage supplied from the control device 8 to the piezo element.
Further, the pitch of the droplets arranged on the substrate 11 is controlled by the speed of the relative movement and the ejection frequency from the liquid ejection head 10 (frequency of the driving voltage to the piezo element).
In addition, the position at which droplets are started on the substrate 11 is controlled by the relative movement direction, timing control for starting the discharge of droplets from the liquid discharge head 10 during the relative movement, and the like.
Thereby, the conductive film pattern for wiring described above is formed on the substrate 11.
[0053]
Next, a liquid crystal device will be described as an example of the electro-optical device of the invention.
FIG. 5 shows a planar layout of signal electrodes and the like on the first substrate of the liquid crystal device according to this embodiment. The liquid crystal device according to this embodiment includes the first substrate, a second substrate (not shown) provided with scanning electrodes and the like, and a liquid crystal (not shown) sealed between the first substrate and the second substrate. )).
[0054]
As shown in FIG. 5, a plurality of signal electrodes 310 are provided in a multiple matrix form in the pixel region 303 on the first substrate 300. In particular, each signal electrode 310 is composed of a plurality of pixel electrode portions 310a provided corresponding to each pixel and signal wiring portions 310b that connect them in a multiplex matrix, and extends in the Y direction. ing.
Reference numeral 350 denotes a liquid crystal driving circuit having a one-chip structure, and the liquid crystal driving circuit 350 and one end side (lower side in the figure) of the signal wiring portions 310b... Are connected via first routing wirings 331.
Further, reference numeral 340... Is a vertical conduction terminal, and the vertical conduction terminals 340... Are connected to terminals provided on a second substrate (not shown) by vertical conduction members 341. Further, the vertical conduction terminals 340... And the liquid crystal driving circuit 350 are connected via the second routing wirings 332.
[0055]
In the present embodiment example, the signal wiring portions 310b..., The first routing wiring 331... And the second routing wiring 332... Provided on the first substrate 300 are the same as those in the wiring forming apparatus shown in FIG. It is formed based on the wiring forming method shown in FIG. Therefore, defects such as disconnection and short circuit of the above-mentioned wirings are unlikely to occur, and it is easy to realize miniaturization and thinning.
[0056]
Next, a plasma display device will be described as another example of the electro-optical device of the present invention.
FIG. 6 is an exploded perspective view of the plasma display device 500 of this embodiment.
The plasma display device 500 includes substrates 501 and 502 disposed opposite to each other, and a discharge display unit 510 formed therebetween.
The discharge display unit 510 is a collection of a plurality of discharge chambers 516. Among the plurality of discharge chambers 516, the three discharge chambers 516 of the red discharge chamber 516 (R), the green discharge chamber 516 (G), and the blue discharge chamber 516 (B) are arranged so as to form one pixel. Has been.
[0057]
Address electrodes 511 are formed in stripes at predetermined intervals on the upper surface of the substrate 501, and a dielectric layer 519 is formed so as to cover the address electrodes 511 and the upper surface of the substrate 501. A partition wall 515 is formed on the dielectric layer 519 so as to be positioned between the address electrodes 511 and 511 and along the address electrodes 511. The barrier ribs 515 include barrier ribs adjacent to the left and right sides of the address electrode 511 in the width direction, and barrier ribs extending in a direction orthogonal to the address electrodes 511. A discharge chamber 516 is formed corresponding to a rectangular region partitioned by the partition 515.
In addition, a phosphor 517 is disposed inside a rectangular region defined by the partition 515. The phosphor 517 emits red, green, or blue fluorescence. The red phosphor 517 (R) is located at the bottom of the red discharge chamber 516 (R), and the bottom of the green discharge chamber 516 (G). Are arranged with a green phosphor 517 (G) and a blue phosphor 517 (B) at the bottom of the blue discharge chamber 516 (B).
[0058]
On the other hand, a plurality of display electrodes 512 are formed in stripes at predetermined intervals on the substrate 502 in a direction orthogonal to the previous address electrodes 511. Further, a dielectric layer 513 and a protective film 514 made of MgO or the like are formed so as to cover them.
The substrate 501 and the substrate 502 are bonded to each other with the address electrodes 511... And the display electrodes 512.
The address electrode 511 and the display electrode 512 are connected to an AC power supply (not shown). By energizing each electrode, the phosphor 517 emits light in the discharge display portion 510, and color display is possible.
[0059]
In the present embodiment, the address electrodes 511 and the display electrodes 512 are each formed based on the wiring forming method shown in FIG. 1 using the wiring forming apparatus shown in FIG. Therefore, defects such as disconnection and short circuit of the above-mentioned wirings are unlikely to occur, and it is easy to realize miniaturization and thinning.
[0060]
Next, specific examples of the electronic device of the present invention will be described.
FIG. 7 is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 7, reference numeral 600 denotes a mobile phone body, and reference numeral 601 denotes a liquid crystal display unit including the liquid crystal device shown in FIG.
FIG. 8 is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 8, reference numeral 700 denotes an information processing apparatus, 701 denotes an input unit such as a keyboard, 703 denotes an information processing body, and 702 denotes a liquid crystal display unit including the liquid crystal device shown in FIG.
FIG. 9 is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic apparatus. In FIG. 9, reference numeral 800 denotes a watch body, and reference numeral 801 denotes a liquid crystal display unit including the liquid crystal device shown in FIG.
Since the electronic apparatus shown in FIGS. 7 to 9 includes the liquid crystal device of the above-described embodiment, defects such as disconnection or short-circuiting of wirings hardly occur, and the size and thickness can be reduced.
In addition, although the electronic device of this embodiment shall be provided with a liquid crystal device, it can also be set as the electronic device provided with other electro-optical devices, such as an organic electroluminescent display apparatus and a plasma type display apparatus.
[0061]
Next, an embodiment of the contactless card medium of the present invention will be described.
FIG. 10 shows a non-contact type card medium according to the present embodiment. The non-contact type card medium 400 includes a semiconductor integrated circuit chip 408 and an antenna circuit 412 in a casing made up of a card base 402 and a card cover 418. And at least one of power supply and data transmission / reception by at least one of electromagnetic waves or capacitive coupling with an external transceiver (not shown).
[0062]
In this embodiment, the antenna circuit 412 is formed based on the wiring forming method shown in FIG. 1 using the wiring forming apparatus shown in FIG. Therefore, defects such as disconnection and short circuit of the above-mentioned wirings are unlikely to occur, and it is easy to realize miniaturization and thinning.
[0063]
The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but it goes without saying that the present invention is not limited to such examples. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the spirit of the present invention.
[0064]
【The invention's effect】
According to the film pattern forming method and the film pattern forming apparatus of the present invention, the step of disposing droplets made of a liquid material on a substrate at regular intervals is repeated while shifting the position at which the droplet disposition starts. As a result, the film pattern can be made thicker, and a film pattern that is less likely to cause problems such as disconnection and short circuit when formed into a conductive film can be formed.
[0065]
According to the conductive film wiring of the present invention, the film thickness is thick, which is advantageous for electric conduction, and troubles such as disconnection and short circuit are less likely to occur.
[0066]
According to the electro-optical device of the present invention, problems such as disconnection and short circuit are hardly caused, and the quality can be improved.
[0067]
According to the electronic device and the non-contact type card medium of the present invention, defects such as disconnection or short circuit of the wiring part or the antenna are hardly generated, and the quality can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows an embodiment of a film pattern forming method of the present invention, and shows an example of a procedure for forming a linear conductive film pattern on a substrate.
FIG. 2 shows an example of a film pattern formed on a substrate.
FIG. 3 shows another example of a film pattern formed on a substrate.
FIG. 4 shows an embodiment of the film forming apparatus of the present invention, and shows a schematic perspective view of the wiring forming apparatus.
FIG. 5 is a plan view showing an example in which the electro-optical device of the invention is applied to a liquid crystal device.
FIG. 6 is an exploded perspective view showing an example in which the electro-optical device of the invention is applied to a plasma display device.
7 is a diagram illustrating an example in which the electronic apparatus of the invention is applied to a mobile phone including a liquid crystal display device.
FIG. 8 is a diagram showing an example in which the electronic apparatus of the present invention is applied to a portable upper processing apparatus including a liquid crystal display device.
FIG. 9 is a diagram showing an example in which the electronic apparatus of the present invention is applied to a wristwatch type electronic apparatus equipped with a liquid crystal display device.
FIG. 10 is an exploded perspective view showing an embodiment of a contactless card medium of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Liquid discharge head (discharge means), 11 ... Board | substrate, 30 ... Nozzle, 100 ... Film pattern formation apparatus, Ln ... Droplet, S ... Shift amount, P ... Pitch.

Claims (9)

複数のノズルが一列に配列された吐出手段から液体材料を液滴にして吐出して、基板上に複数の膜パターンを形成する方法であって、
前記吐出手段から吐出した複数の前記液滴を、前記複数のノズルの配列方向と直交する方向に一定の距離ごとに前記基板上に配置する第1工程と、
前記液滴の配置を開始する位置を前記複数のノズルの配列方向に所定の距離ずらし、前記第1工程で配置された前記液滴の一部に液滴が重なるように前記液滴を配置し、かつ前記第一工程で配置された隙間を埋めるように前記液滴を配置し、前記複数のノズルが配列する配列方向に連続する複数本のパターンを形成する第2工程と、
前記第1工程と前記第2工程を繰り返し、前記第1工程と前記第2工程とで配置された前記液滴上に、前記液滴を重ねて配置し、複数本の膜パターンを形成する第3工程と、を有することを特徴とする膜パターンの形成方法。
A method of forming a plurality of film patterns on a substrate by discharging liquid material as droplets from a discharge means in which a plurality of nozzles are arranged in a line,
A first step of disposing a plurality of droplets ejected from the ejection means on the substrate at a certain distance in a direction orthogonal to an arrangement direction of the plurality of nozzles;
The position where the droplet placement is started is shifted by a predetermined distance in the arrangement direction of the plurality of nozzles, and the droplet is placed so that the droplet overlaps a part of the droplet placed in the first step. And a second step of arranging the droplets so as to fill the gaps arranged in the first step, and forming a plurality of continuous patterns in the arrangement direction in which the plurality of nozzles are arranged, and
The first step and the second step are repeated, and the droplets are arranged on the droplets arranged in the first step and the second step to form a plurality of film patterns. And a film pattern forming method comprising: three steps.
第1工程の後、乾燥処理を行うことを特徴とする請求項1に記載の膜パターンの形成方法。  The film pattern forming method according to claim 1, wherein a drying process is performed after the first step. 第2工程の後、乾燥処理を行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の膜パターンの形成方法。  3. The film pattern forming method according to claim 1, wherein a drying process is performed after the second step. 前記基板上に前記液滴を配置する前に、前記基板の表面を前記液体材料に対して撥液性に加工することを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれかに記載の膜パターンの形成方法。  The surface of the substrate is processed to be liquid repellent with respect to the liquid material before disposing the droplets on the substrate. Method for forming a film pattern. 吐出手段から液体材料を液滴にして吐出して、基板上に膜パターンを形成する装置であって、
請求項1から請求項4のうちのいずれかに記載の膜パターンの形成方法によって膜パターンを形成することを特徴とする膜パターン形成装置。
An apparatus for forming a film pattern on a substrate by discharging liquid material as droplets from a discharge means,
5. A film pattern forming apparatus, wherein a film pattern is formed by the film pattern forming method according to claim 1.
請求項5に記載の膜パターン形成装置によって形成されたことを特徴とする導電膜配線。  A conductive film wiring formed by the film pattern forming apparatus according to claim 5. 請求項6に記載の導電膜配線を備えることを特徴とする電気光学装置。  An electro-optical device comprising the conductive film wiring according to claim 6. 請求項7に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。  An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 7. 請求項8に記載の導電膜配線をアンテナ回路として備えることを特徴とする非接触型カード媒体。  A non-contact card medium comprising the conductive film wiring according to claim 8 as an antenna circuit.
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