JP3922428B2 - Piezoelectric vibrator, piezoelectric vibration component, and manufacturing method thereof - Google Patents

Piezoelectric vibrator, piezoelectric vibration component, and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP3922428B2
JP3922428B2 JP2001318692A JP2001318692A JP3922428B2 JP 3922428 B2 JP3922428 B2 JP 3922428B2 JP 2001318692 A JP2001318692 A JP 2001318692A JP 2001318692 A JP2001318692 A JP 2001318692A JP 3922428 B2 JP3922428 B2 JP 3922428B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric
vibration
piezoelectric vibrator
electrode
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001318692A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2003124779A (en
Inventor
利幸 鈴木
圭助 板倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2001318692A priority Critical patent/JP3922428B2/en
Publication of JP2003124779A publication Critical patent/JP2003124779A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3922428B2 publication Critical patent/JP3922428B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発振回路などを構成する際に用いられる圧電振動子、圧電振動部品及びそれらの製造方法に関する。本発明は、特に厚み縦振動モードを利用した圧電振動子の構造に係る。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、発振周波数を得る共振子として、圧電振動子を利用した圧電振動部品が知られている。圧電振動子は、圧電基板の一面及び他面に、１対の対向電極を付与した構造を有する。この圧電振動子は、発振回路を構成する２個の負荷容量を形成する容量素子と、互いの厚み方向の一面が向い合う位置関係に固定される。更に、接続導体により、入力電極、出力電極および接地電極がそれぞれ電気的機械的に接合され、また、キャップで封止される。
【０００３】
このような圧電振動部品は、例えば、特開昭６０ー１２３１２０号公報、特開平１−２３６７１５号公報、特開平８ー２３７０６６号公報または特開平１０ー１３５２１５号公報等に開示されている。
【０００４】
厚み縦振動モードを利用する圧電振動部品には、基本波振動モードを利用するものと、高調波振動モード、特に、第三次高調波振動モードを利用するものが知られている。
【０００５】
第三次高調波振動モードを利用する圧電振動部品の典型例は、エネルギー閉じ込め型である。このタイプの圧電振動部品は、圧電基板内に非振動部分が存在するため、その部分を支持固定することにより、特性劣化のない圧電振動部品が得られ、多方面に利用されている。
【０００６】
厚み縦基本振動モードの圧電振動部品は、基本波振動を利用するため、共振特性の高い（Ｑｍａｘ大）ものが得られる。しかし、エネルギー閉じ込め型とは異なって、非振動部分が得られにくい。特に小型化に移行していく場合、圧電基板全体が振動している状態であり、基板の支持固定が困難となる。
【０００７】
また、圧電振動部品の基本波振動モードを利用するため、圧電基板の誘電基板上への搭載接続において、導電ペースト接続時の粘度変化による接着面積のバラツキおよび滲み出し等により接続強度が不安定となり、圧電振動部品の振動エネルギーの抑制による特性劣化、不要振動の抑圧不足による共振特性の劣化を発生し、不安定な発振飛びなど発振不良を発生することがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、振動エネルギーの減衰を最小限に抑えて、安定に支持し得る圧電振動子及び圧電振動部品を提供することである。
【０００９】
本発明のもう一つの課題は、小型化された場合でも、振動エネルギーの減衰を最小限に抑えて、安定に支持し得る圧電共振子及び圧電振動部品を提供することである。
【００１０】
本発明のもう一つの課題は、上述した圧電振動子及び圧電振動部品を得るのに適した製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係る圧電振動子は、圧電基体と、溝とを含み、厚み縦基本振動モードを利用する。前記圧電基体は、振動部と、非振動部とを含んでいる。前記溝は、前記圧電基体の厚み方向にある２つの主面の少なくとも一方において、前記振動部の周りに設けられ、前記振動部と非振動部とを区分する。
【００１２】
上述のように本発明に係る圧電振動子は、厚み縦振動モードを利用するものであり、振動部は厚み縦振動モードで動作する。
【００１３】
本発明に係る圧電振動子では、溝を含んでいる。この溝は、圧電基体の厚み方向にある２つの主面の少なくとも一方において、振動部の周りに設けられ、振動部と非振動部とを区分する。従って、振動部から伝搬する漏れ振動が、溝によって遮断され、非振動部には伝達されない。
【００１４】
しかも、非振動部は、溝によって振動部から区分されているから、非振動部分で圧電振動子を支持する構成をとることができる。このため、支持構造を単純化するとともに、支持安定性を向上させ、振動エネルギーの放散、不要振動の抑圧不足、振動特性の劣化、及び、不安定な発振飛びなどの発振不良を抑え、振動特性の代表値であるＱｍａｘ値が大きく、安定した振動特性を発揮し得る圧電振動子が実現される。
【００１５】
また、振動部を、非振動部から区分する方法として、溝を利用する。この溝は、圧電基体の主面に設けるだけでよい。従って、製造が容易である。
【００１６】
振動部を、圧電基体に設けられる溝によって、非振動部から区分する別の利点として、圧電基体に振動部を設定するだけの寸法があれば、圧電基体の外形寸法を変更しなくても、溝の加工寸法を変更するだけで振動部の形状（寸法）を変更できるという構造上の利点を挙げることができる。この利点によれば、振動領域の変更に付随して変化する振動特性を、溝２の設定加工により調節でき、製品の多様化を確保し得ると共に、通常この種の圧電振動子が使用される電子部品の小型化傾向が著しい現状において、需要に応じて搭載基板の外形・容量を変化させるための設計・検討を行なうことなく、迅速な製品の生産及び供給が可能となる。
【００１７】
溝は２つの主面の一方のみに設けてもよいが、圧電振動部品として組み立てる際の厚み方向の方向性をなくし、組立工程の簡素化を図る観点、及び、溝による振動遮断性の向上の観点などから、両主面に設けることが好ましい。また溝は、連続溝ではなく、不連続溝であってもよい。
【００１８】
本発明は、更に、上述した圧電振動子と、支持基板とを組み合わせた圧電振動部品、及び、その製造方法についても開示する。本発明の他の目的、構成及び利点については、添付の図面を参照し、更に詳しく説明する。図は単なる例に過ぎない。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る圧電振動子の斜視図、図２は図１の２ー２線に沿った断面図である。図示された圧電振動子は、圧電基体１と、溝２とを含み、厚み縦基本振動モードを利用する。
【００２０】
圧電基体１は、略六面体であり、圧電燒結体を所定厚みに研磨し、高電界で、厚み方向に分極処理をしたものである。圧電基体１の材質は、環境への配慮から、ＰｂＯを含まない非鉛材料を用いるのが好ましい。また、圧電基体１は、実効ポアソン比が１／３未満の圧電材料によって構成することができる。本発明によれば、実効ポアソン比が１／３未満の材料を用いても基本波について良好な波形が得られる。
【００２１】
実効ポアソン比が１／３未満の圧電材料としては、例えば、タンタル酸化合物あるいはニオブ酸化合物などのペロブスカイト構造を有する化合物およびその固溶体、イルメナイト構造を有する化合物および固溶体、パイロクロア構造を有する化合物、ビスマスを含む層状構造化合物、またはタングステンブロンズ構造を有する化合物などが挙げられる。この圧電基体１はこれらの圧電材料を最大含有成分である主成分として含んでいる。
【００２２】
タンタル酸化合物またはニオブ酸化合物としては、例えば、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、およびリチウム（Ｌｉ）などからなる群のうちの少なくとも１種の第１の元素と、タンタル（Ｔａ）およびニオブ（Ｎｂ）からなる群のうちの少なくとも１種の第２の元素と、酸素とを含むものが挙げられる。これらは、第１の元素をＡとし、第２の元素をＢとすると、一般式
ＡＢＯ3
で表される。また、ビスマスを含む層状構造化合物としては、例えば、ビスマスと、ナトリウム、カリウム、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、鉛（Ｐｂ）、カルシウム（Ｃａ）、イットリウム（Ｙ）、およびランタノイド（Ｌｎ）およびビスマスなどからなる群のうちの少なくとも１種の第１の元素と、バナジウム（Ｖ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アンチモン（Ｓｂ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ、タンタル、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）などからなる群のうちの少なくとも１種の第２の元素と、酸素とを含むものが挙げられる。これらは、第１の元素をＣとし、第２の元素をＤとすると、次の一般式
（Ｂｉ2Ｏ2）2+（Ｃm-1ＤmＯ3m+1）2-
但し、ｍ：１から８までの整数
で表される。更に、ダングステンブロンズ化合物には一般式はなく、例えば、
ＮａＷ０6ＢａＮａＮｂＯ15
などがある。但し、ここで示した化学式はいずれも科学量論組成を表したものであり、圧電基体１を構成する圧電材料としては科学量論組成でないものが用いられてもよい。
【００２３】
ちなみに、これらの中でも、ビスマスを含む層状構造化合物は圧電基体１を構成する圧電材料として好ましい。機械的品質係数Ｑmおよびキュリー温度が大きく、特にレゾネータとして優れた特性を得ることができるからである。例えば、ビスマスとストロンチウムとチタンと酸素とを含む層状構造化合物が好ましく、特に、この層状構造化合物にランタノイドを含むものがより好ましい。
【００２４】
圧電基体１は、振動部１０１と、非振動部１０２とを含む。溝２は、振動部１０１の全周にわたって設けられ、振動部１０１と、非振動部１０２とを区分する。図示実施例において、溝２は、主面１００において、４本備えられ、その内の２本は振動部１０１の相対する両側に配置され、他の２本は振動部１０１の他の両側に配置されている。
【００２５】
主面１３０においても、溝２は４本備えられ、その内の２本は振動部１０１の相対する両側に配置され、他の２本は振動部１０１の他の両側に配置されている。図示の溝２は、直線状であり、主面１００及び１３０のそれぞれの平面内における同一位置で、対向するように設けられている。但し、これは、好ましい形状及び配置として例示したにすぎない。
【００２６】
圧電振動子の振動部１０１は、第１の振動電極４１と、第２の振動電極５１とを含む。第１及び第２の振動電極４１、５１は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などの薄膜技術や厚膜印刷技術によって形成することができる。材質としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）またはそれらの合金などを用いることができる。
【００２７】
第１の振動電極４１は、主面１００に設けられ、第２の振動電極５１は、主面１３０に設けられるとともに、第１の振動電極４１と向かいあう。非振動部１０２は、第１の端子電極４２と、第２の端子電極５２とを含む。
【００２８】
第１の端子電極４２は、第１のリード電極４２１を介して、第１の振動電極４１に電気的に接続されている。第１の端子電極４２は、圧電基体１の側面に付着されるともに、その両端が、主面１００、１３０に延長されている。
【００２９】
第１のリード電極４２１は、主面１００の表面及び溝２の内面に付着され、一端が第１の振動電極４１に接続され、他端が第１の端子電極４２に接続されている。図示された第１のリード電極４２１は、均一幅の帯形状であるが、他の形状、例えば、一部湾曲形状や波形状等であってもよい。
【００３０】
第２の端子電極５２は、第２のリード電極５２１を介して、第２の振動電極５１に電気的に接続されている。第２の端子電極５２は、第１の端子電極４２と対向する関係で、圧電基体１の側面に付着されるともに、その両端が、主面１００、１３０に延長されている。
【００３１】
第２のリード電極５２１は、主面１３０の表面及び溝２の内面に付着され、一端が第２の振動電極５１に接続され、他端が第２の端子電極５２に接続されている。図示された第２のリード電極５２１は、均一幅の帯形状であるが、他の形状、例えば、一部湾曲形状や波形状等であってもよい。
【００３２】
第１及び第２の端子電極４２、５２、並びに、第１及び第２のリード電極４２１、５２１は、基本的には、第１及び第２の振動電極４１、５１と同材質の導体材料によって形成される。
【００３３】
上述したように、本発明に係る圧電振動子では、主面１００に、第１の振動電極４１が備えられており、主面１３０に、第２の振動電極５１が備えられている。第２の振動電極５１は、第１の振動電極４１と向きあっている。従って、第１の振動電極４１及び第２の振動電極５１に、電気エネルギーを供給することにより、当該圧電振動子を、厚み縦振動モードで動作させることができる。実施例において、第１及び第２の端子電極４２、５２を備えており、第１の端子電極４２は、導体からなり、第１の振動電極４１に電気的に導通し、第２の端子電極５２は、導体からなり、第２の振動電極５１に電気的に導通する。従って、第１及び第２の端子電極４２、５２に電気エネルギーを供給して、圧電振動子を励振することができる。
【００３４】
上述のように本発明に係る圧電振動子は、厚み縦振動モードを利用するものであり、振動部は厚み縦振動モードで動作する。励振モードとしては、特に、厚み縦基本波振動モードが適している。
【００３５】
厚み縦基本波振動モードの圧電振動子は、前述したように、基本波振動を利用するため、振動特性の高い（Ｑｍａｘ大）ものが得られる。
【００３６】
一方、厚み縦基本振動モードを利用する圧電振動子は、エネルギー閉じ込め型とは異なって、圧電基体１の全体が振動している状態であり、圧電基体１の支持固定が難しい。小型化に移行していく場合、特にその支持困難性が顕著になる。
【００３７】
図３は、図１及び図２に示した圧電振動子の振動変位量の分布図である。図３において、振動変位量は、Ａ〜Ｅの５段階区分として示してある。白抜きの参照符号Ａ１〜Ａ４で示す領域の変位量が最も小さく、次に鎖線で示すＢ領域、縦実線で示すＣ領域、横実線で示すＤ領域、斜実線で示すＥ領域の順で振動変位量が大きくなっている。
【００３８】
図３に図示するように、六面体である圧電基体１を、厚み縦振動モードで動作させた場合、厚み方向の両面のそれぞれにおいて、その４つのコーナ部に、振動変位が最小になる領域Ａ１〜Ａ４が生じる。
【００３９】
もし、圧電振動子を、直接に支持しようとすれば、図３において、振動変位が最小になる領域Ａに、ピンポイント的に支持バンプ等を形成しなければならず、圧電基体１の支持固定が難しい。小型化に移行していく場合には、特に、その支持困難性が顕著になる。
【００４０】
また、圧電振動子を、誘電体基板等の上に搭載する場合、従来から、導電性ペーストを用いている。しかし、厚み縦基本振動モードを利用する圧電振動子の場合、圧電基体１の誘電基板上への搭載接続において、導電ペースト接続時の粘度変化による接着面積のバラツキおよび滲み出し等により接続強度が不安定となり、圧電振動子の振動エネルギーの抑制による特性劣化、不要振動の抑圧不足による振動特性の劣化を発生し、不安定な発振飛びなど発振不良を発生することがある。
【００４１】
このような厚み縦基本振動モードを利用する圧電振動子に固有の問題点に対して、本発明に係る圧電振動子では、溝２を含んでいる。この溝２は、圧電基体１の厚み方向にある２つの主面１００、１３０において、振動部１０１の周りに設けられ、振動部１０１と非振動部１０２とを区分する。従って、振動部１０１から伝搬する漏れ振動が、溝２によって遮断され、非振動部１０２には伝達されない。
【００４２】
しかも、非振動部１０２は、溝２によって振動部１０１から区分されているから、非振動部１０２で圧電振動子３を支持した圧電振動部品を得ることができる。
【００４３】
このため、振動エネルギーの放散、不要振動の抑圧不足、振動特性の劣化、及び、不安定な発振飛びなどの発振不良を抑え、振動特性の代表値であるＱｍａｘ値が大きく、安定した振動特性を発揮し得る圧電振動子及び圧電振動部品が実現される。
【００４４】
更に、振動部１０１を、非振動部１０２から区分するに当って、圧電基体１の主面１００、１３０に溝２を設けるだけでよい。従って、製造が容易である。
【００４５】
また、振動部１０１を、圧電基体１に設けられる溝２によって設定する更に別の利点として、圧電基体１に振動部１０１を設定するだけの寸法があれば、圧電基体１の外形寸法を変更しなくとも、溝２の加工寸法を変更するだけで振動部１０１を設定変更できるという利点を挙げることがある。この利点によれば、振動領域の変更に付随して変化する振動特性を、溝２の設定加工により調節でき、製品の多様化を確保し得ると共に、通常この種の圧電振動子が使用される電子部品の小型化傾向が著しい現状において、需要に応じて事後的に搭載基板の外形・容量を変化させるための設計・検討を行なうことなく、迅速な製品の生産及び提供が可能となる。
【００４６】
また、溝２の深さｄは、誘電体基体１の厚みＤの１４％より大きいことが好ましい。即ち、
（ｄ／Ｄ）×１００＞１４（％）
である。溝２の深さｄの上限値は、誘電体基板１に要求される機械的強度を考慮して決定される。次にこの点について、データを参照して説明する。
【００４７】
図４は溝２の深さｄを０．０７ｍｍとした場合の周波数−インピーダンス特性を示す図、図５は同じく周波数−位相特性を示す図である。圧電基体１は、基本波共振周波数４．５（ＭＨｚ）とし、そのサイズを、幅１．２ｍｍ、長さ１．２ｍｍ、厚さ０．５ｍｍとした。振動電極４１、５１のサイズは幅１．０ｍｍ、長さ１．０ｍｍ、厚さ１．０（μｍ）とした。溝２は、振動部１０１が１．２ｍｍ×１．２ｍｍのサイズとなる位置に設けた。圧電振動子は、溝２の外部の非振動領域１０２で抑圧した。
【００４８】
図４、図５に図示した例の場合、
（ｄ／Ｄ）×１００＝１４（％）
であり、
（ｄ／Ｄ）×１００＞１４（％）
を満たしていない。
【００４９】
図４及び図５に示されるように、溝２が（ｄ／Ｄ）×１００＞１４（％）を満たしていない場合、基本波共振周波数４．５（ＭＨｚ）よりも高い周波数領域で、スプリアス及び位相の乱れが生じている。
【００５０】
図６は溝２の深さｄを０．１４ｍｍとした場合の周波数−インピーダンス特性を示す図、図７は同じく周波数−位相特性を示す図である。圧電基体１は、基本波共振周波数４．５（ＭＨｚ）とし、そのサイズを、幅１．２ｍｍ、長さ１．２ｍｍ、厚さ０．５ｍｍとした。振動電極４１、５１のサイズは幅１．０ｍｍ、長さ１．０ｍｍ、厚さ１．０（μｍ）とした。溝２は、振動部１０１が１．２ｍｍ×１．２ｍｍのサイズとなる位置に設けた。圧電振動子は、溝２の外部の非振動領域で抑圧した。
【００５１】
図６、図７に図示した例の場合、
（ｄ／Ｄ）×１００＝２８（％）
であり、
（ｄ／Ｄ）×１００＞１４（％）
を満たす。
【００５２】
図６及び図７に示されるように、（ｄ／Ｄ）×１００＞１４（％）を満たす場合は、スプリアス及び位相の乱れは生じない。
【００５３】
圧電振動子は、溝２の外部の非振動領域１０２で抑圧することが重要である。図８は溝２の深さｄを０．２１ｍｍとした場合の周波数−インピーダンス特性を示す図、図９は同じく周波数−位相特性を示す図である。圧電基体１のサイズは、幅２．０ｍｍ、長さ２．０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍとした。振動電極４１、５１のサイズは幅１．０ｍｍ、長さ１．０ｍｍ、厚さ１．０（μｍ）とした。溝２は、振動部１０１が１．２ｍｍ×１．２ｍｍのサイズとなる位置に設けた。圧電振動子は、溝２の外部の非振動領域１０２では抑圧しなかった。
【００５４】
図８、図９に図示した例の場合、
（ｄ／Ｄ）×１００＝４８（％）
であり、
（ｄ／Ｄ）×１００＞１４（％）
を満たす。しかし、圧電振動子は、抑圧されていない。この場合は、図８及び図９の例に示されるように、大きなスプリアス及び位相の乱れを生じている。
【００５５】
図１０は溝２の深さｄを０．２１ｍｍとした場合の周波数−インピーダンス特性を示し、図１１は同じく周波数−位相特性を示す図である。圧電基体１のサイズは、幅２．０ｍｍ、長さ２．０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍとした。振動電極４１、５１のサイズは幅１．０ｍｍ、長さ１．０ｍｍ、厚さ１．０（μｍ）とした。溝２は、振動部１０１が１．２ｍｍ×１．２ｍｍのサイズとなる位置に設けた。圧電振動子は、溝２の外部の非振動領域１０２で抑圧した。従って、図８及び図９図示とは、圧電振動子を、溝２の外部の非振動領域１０２で抑圧した点で異なるだけである。
【００５６】
図１０及び図１１のデータを、図８及び図９のデータと比較すると明らかなように、圧電振動子を、溝２の外部の非振動領域１０２で抑圧した場合、周波数−インピーダンス特性及び周波数−位相特性の何れも改善される。
【００５７】
図１２は本発明に係る圧電振動子を用いた圧電振動部品の斜視図、図１３は図１２の１３ー１３線に沿った断面図である。図示された圧電振動部品は、圧電振動子３と、支持基板６と、封止構造体を構成する封止ケース８とを含む。圧電振動子３は、図１及び図２に示した圧電振動子である。
【００５８】
支持基板６は、誘電体材料を用いて形成された誘電体基体６１に、３つの接続電極６２〜６４を、間隔を隔てて帯状に形成してある。圧電振動子３は、支持基板６に搭載され、第１の端子電極４１及び第２の端子電極５２の所定の側面が２つの接続電極６２及び６３に接続されると共に、全体的に支持される。また、接続電極６２〜６４のうち、接続電極６２、６３は、入出力端子となり、接続電極６４は中間接地電極となる。
【００５９】
組立に当っては、圧電振動子３を支持基板６の表面に搭載し、導電性接合９を用いて、第１及び第２の端子電極４２、５２を、２つの接続電極６２、６３に接続する。封止ケース８は、圧電振動子３を密閉し保護する。
【００６０】
図１２及び図１３に示した圧電振動部品は、図１、図２に示した圧電振動子を用いているので、圧電振動子に関して述べた作用効果がそのまま得られる。図１２、図１３に示した実施例の場合、非振動部１０２が抑圧されるので、抑圧による作用効果も得られる。
【００６１】
図１４は本発明に係る圧電振動子を用いた圧電振動部品の斜視図、図１５は図１４の１５ー１５線に沿った断面図である。図示された圧電振動部品は、圧電振動子３と、第１及び第２の封止構造体９３及び９４とを含む。圧電振動子３は図１、図２に図示されたものからなる。第１及び第２の封止構造体９３及び９４は、接着層９１、９２によって、圧電振動子３の主面１００、１３０に面接合され、圧電振動子３の周りに振動空間を形成する。
【００６２】
第１及び第２の封止構造体９３及び９４は、少なくとも一方が面板状の誘電体基板、例えば、誘電体セラミックス板によって構成される。接着層９１、９２は、溝２を含む非振動部１０２に設けられる。
【００６３】
第２の封止構造体９４には、コンデンサ電極８１、８３と、中間電極８２とが設けられており、圧電振動子３の第１及び第２の端子電極４２、５２は、コンデンサ電極８１、８３にそれぞれ電気的に接続されている。
【００６４】
この実施例の場合も、図１２、図１３に示した圧電振動部品と同等の作用効果が得られる。更に、図１４、図１５に示した圧電振動部品は、接着層９１、９２を、ダンピング層として構成することにより、ダンピング効果を得ることができる。ダンピング作用を得る場合、接着層９１、９２としては、エポキシ樹脂等が適している。
【００６５】
図１６はダンピング層を持たない圧電振動子の周波数ーインピーダンス特性、及び、周波数ー位相特性を示している。図において、実線で示す曲線Ｌ１１がインピーダンス特性、一点鎖線で示す曲線Ｌ１２が位相特性である。図１６において、横軸に周波数（ＭＨｚ）、左縦軸にインピーダンス（Ω）、右縦軸に位相（ｄｅｇ．）をとってある。Ｑｍａｘは、８．２４である。
【００６６】
図１６に示すように、ダンピング層を持たない場合、インピーダンス特性、位相特性ともに、かなり乱れる。
【００６７】
図１７は接着層９１、９２をダンピング層として構成した場合の圧電振動子の周波数ーインピーダンス特性、及び、周波数ー位相特性を示している。図において、実線で示す曲線Ｌ２１がインピーダンス特性、一点鎖線で示す曲線Ｌ２２が位相特性である。図１７において、横軸に周波数（ＭＨｚ）、左縦軸にインピーダンス（Ω）、右縦軸に位相（ｄｅｇ．）をとってある。ダンピング層を構成する接着層９１、９２には熱硬化型エポキシ樹脂配合物を用いた。
【００６８】
図１７のデータを、図１６のデータと比較すると明らかなように、接着層９１、９２をダンピング層として働かせた場合、周波数−インピーダンス特性及び周波数−位相特性の何れも改善される。また、Ｑｍａｘは、ダンピング層を持たない場合の８．２４に対して、９．５２であり、品質特性が改善される。
【００６９】
次に、本発明に係る圧電振動子の製造方法について、図１８〜図２３を参照して説明する。まず図１８に示すように、分極処理及び研摩等の必要な工程を終了した大判の圧電母材板１０を用意する。
【００７０】
このような圧電母材板１０の材料組成、及び、製造方法は、周知である。その一例を説明すると、例えば、出発原料として、主に酸化物の原料を用い、それらを所望の組成となるように秤量し、純水あるいはアセトンなどの溶媒中で、ジルコニアボールを使い、ボールミル混合を行う。次いで、混合した原料粉末を十分に乾燥させたのち、例えば、プレス成形したのち７００〜９００℃の温度で仮焼成をする。
【００７１】
続いて、例えば、この仮焼成体を再度ボールミル粉砕したのち、乾燥させ、バインダーとしてポリビニルアルコールを適量加えて造粒する。
【００７２】
造粒したのち、例えば、この造粒粉を、一軸プレス成型器を用いて、２００〜３００ＭＰａの加重により、縦２０ｍｍ、横２０ｍｍ、厚み約１．５ｍｍの薄板状に成形する。
【００７３】
次に、例えば、熱処理により、成形体からバインダーを揮発させ、１１００〜１３５０℃の温度で本焼成を行う。本焼成を行ったのち、この焼成体の厚さを、例えば、ラップ研磨機により研磨し、圧電基体の圧電母材板１０を形成する。
【００７４】
圧電母材板１０を形成した後、例えば、銅を真空蒸着することにより、圧電母材板１０の両面に分極処理用電極を形成する。その後、例えば、この分極処理用電極を形成した圧電母材板１０を、２００〜３００℃に加熱したシリコンオイル中に浸し、５〜１０Ｋｖ／ｍｍの電界を１分間印加して分極処理を行う。
【００７５】
分極処理を行った後、分極処理用電極を除去してダイシングソーなどにより圧電母材板１０の大きさを整え、圧電母材板１０とする。
【００７６】
次に、図１９に示すように、圧電母材板１０の両面の同一位置に、溝２を格子状に形成する。溝２は、ダイシングソー等を使用して、所定の深さ及び本数で加工する。ダイシングソーのような精密機器を使用することで、均一な溝２を形成でき、高品質な圧電振動子を提供できる。
【００７７】
次に、図２０に示すように、圧電母材板１０の両面に、振動電極、リード電極、及び、端子電極の一部のための導体パターン４０を形成する。導体パターン４０は蒸着やスパッタリング等の手段によって形成できる。導体パターン４０は、図１、図２に示した電極パターン、及び、分割工程を考慮して定める。具体的には、振動電極４１、５１のパターンを、２本の溝２を挟んで形成し、端子電極の一部となるパターンを帯状に形成する。
【００７８】
次に、図２０に示すように、振動電極４１、５１となる領域を挟む切断位置Ｗ１において、圧電母材板１０を切断する。切断位置Ｗ１は、端子電極の一部が帯状に形成された位置である。切断にはダイシングソーを用いる。
上述した切断工程により、図２１に示すように、複数の圧電振動子要素Ｑ１〜Ｑ３を配列した集合体が得られる。
【００７９】
次に、図２２に示すように、集合体の幅方向の両端に、第１及び第２の端部電極４２、５２を形成する。端部電極４２、５２は蒸着やスパッタリング等の手段によって形成できる。
【００８０】
次に、圧電振動子要素Ｑ１〜Ｑ３のそれぞれの境界位置Ｗ２で、集合体を切断することにより、図２３に示すように、圧電振動子の単品が得られる。
【００８１】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
（ａ）振動エネルギーの減衰を最小限に抑えて、安定に支持し得る圧電振動子及び圧電振動部品を提供することができる。
（ｂ）小型化された場合でも、振動エネルギーの減衰を最小限に抑えて、安定に支持し得る圧電共振子及び圧電振動部品を提供することができる。
（ｃ）上述した圧電振動子及び圧電振動部品を得るのに適した製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る圧電振動子の斜視図である。
【図２】図１の２ー２線に沿った断面図である
【図３】図１及び図２に示した圧電振動子の振動変位量の分布図である。
【図４】溝の深さｄを０．０７ｍｍとした場合の周波数−インピーダンス特性を示す図である。
【図５】溝の深さｄを０．０７ｍｍとした場合の周波数−位相特性を示す図である。
【図６】溝の深さｄを０．１４ｍｍとした場合の周波数−インピーダンス特性を示す図である。
【図７】溝２の深さｄを０．１４ｍｍとした場合の周波数−位相特性を示す図である。
【図８】溝の深さｄを０．２１ｍｍとした場合の周波数−インピーダンス特性を示す図である。
【図９】溝の深さｄを０．２１ｍｍとした場合の周波数−位相特性を示す図である。
【図１０】溝の深さｄを０．２１ｍｍとした場合の周波数−インピーダンス特性を示す図である。
【図１１】溝の深さｄを０．２１ｍｍとした場合の周波数−位相特性を示す図である。
【図１２】本発明に係る圧電振動子を用いた圧電振動部品の斜視図である。
【図１３】図１２の１３ー１３線に沿った断面図である。
【図１４】本発明に係る圧電振動子を用いた圧電振動部品の斜視図である。
【図１５】図１４の１５ー１５線に沿った断面図である。
【図１６】ダンピング層を持たない圧電振動子の周波数ーインピーダンス特性、及び、周波数−位相特性を示す図である。
【図１７】接着層をダンピング層として構成した場合の圧電振動子の周波数ーインピーダンス特性、及び、周波数ー位相特性を示す図である。
【図１８】本発明に係る圧電振動子の製造方法に含まれる工程示す図である。
【図１９】図１８に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２０】図１９に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２１】図２０に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２２】図２１に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２３】図２２に示した工程の後の工程を示す図である。
【符号の説明】
１ 圧電基体
１００ 主面
１３０ 主面
２ 溝
１０１ 振動部
１０２ 非振動部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a piezoelectric vibrator, a piezoelectric vibration part, and a method for manufacturing the same used in configuring an oscillation circuit and the like. The present invention particularly relates to a structure of a piezoelectric vibrator using a thickness longitudinal vibration mode.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a piezoelectric vibration component using a piezoelectric vibrator is known as a resonator for obtaining an oscillation frequency. The piezoelectric vibrator has a structure in which a pair of counter electrodes are provided on one surface and the other surface of a piezoelectric substrate. This piezoelectric vibrator is fixed in a positional relationship in which the capacitive elements forming the two load capacitors constituting the oscillation circuit face each other in the thickness direction. Furthermore, the input electrode, the output electrode, and the ground electrode are electrically and mechanically joined to each other by the connection conductor and sealed with a cap.
[0003]
Such piezoelectric vibration parts are disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 60-123120, 1-223615, 8-237066, and 10-135215.
[0004]
As piezoelectric vibration parts using the thickness longitudinal vibration mode, those using the fundamental wave vibration mode and those using the harmonic vibration mode, particularly, the third harmonic vibration mode are known.
[0005]
A typical example of the piezoelectric vibration component using the third harmonic vibration mode is an energy confinement type. Since this type of piezoelectric vibration component has a non-vibration portion in the piezoelectric substrate, a piezoelectric vibration component having no characteristic deterioration is obtained by supporting and fixing the portion, and is used in various fields.
[0006]
The piezoelectric vibration component in the thickness longitudinal fundamental vibration mode uses fundamental wave vibration, and therefore has a high resonance characteristic (Qmax large). However, unlike the energy confinement type, it is difficult to obtain a non-vibrating portion. In particular, when shifting to miniaturization, the entire piezoelectric substrate is vibrating, and it becomes difficult to support and fix the substrate.
[0007]
In addition, since the fundamental wave vibration mode of the piezoelectric vibration component is used, the connection strength becomes unstable due to variations in the adhesion area due to changes in viscosity when the conductive paste is connected and oozing, etc., when the piezoelectric substrate is mounted on the dielectric substrate. In some cases, deterioration of characteristics due to suppression of vibration energy of piezoelectric vibration parts, deterioration of resonance characteristics due to insufficient suppression of unnecessary vibrations, and oscillation failure such as unstable oscillation skip may occur.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to provide a piezoelectric vibrator and a piezoelectric vibration component that can be stably supported while minimizing the attenuation of vibration energy.
[0009]
Another object of the present invention is to provide a piezoelectric resonator and a piezoelectric vibration component that can be stably supported while minimizing the attenuation of vibration energy even when downsized.
[0010]
Another object of the present invention is to provide a manufacturing method suitable for obtaining the above-described piezoelectric vibrator and piezoelectric vibration component.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problem, the piezoelectric vibrator according to the present invention includes a piezoelectric substrate and a groove, and uses a thickness longitudinal basic vibration mode. The piezoelectric base includes a vibrating portion and a non-vibrating portion. The groove is provided around the vibrating part on at least one of the two main surfaces in the thickness direction of the piezoelectric substrate, and divides the vibrating part and the non-vibrating part.
[0012]
As described above, the piezoelectric vibrator according to the present invention uses the thickness longitudinal vibration mode, and the vibration section operates in the thickness longitudinal vibration mode.
[0013]
The piezoelectric vibrator according to the present invention includes a groove. The groove is provided around the vibrating portion on at least one of the two main surfaces in the thickness direction of the piezoelectric substrate, and divides the vibrating portion and the non-vibrating portion. Therefore, the leakage vibration propagating from the vibration part is blocked by the groove and is not transmitted to the non-vibration part.
[0014]
In addition, since the non-vibrating part is separated from the vibrating part by the groove, a configuration in which the piezoelectric vibrator is supported by the non-vibrating part can be employed. This simplifies the support structure, improves support stability, suppresses oscillation failures such as vibration energy dissipation, insufficient suppression of unnecessary vibration, deterioration of vibration characteristics, and unstable oscillation skipping. Thus, a piezoelectric vibrator capable of exhibiting stable vibration characteristics is realized.
[0015]
Moreover, a groove | channel is utilized as a method of dividing a vibration part from a non-vibration part. This groove need only be provided on the main surface of the piezoelectric substrate. Therefore, manufacture is easy.
[0016]
As another advantage of dividing the vibration part from the non-vibration part by the groove provided in the piezoelectric substrate, if the piezoelectric substrate has dimensions sufficient to set the vibration part, the external dimensions of the piezoelectric substrate can be changed. There is a structural advantage that the shape (dimension) of the vibration part can be changed only by changing the processing dimension of the groove. According to this advantage, the vibration characteristics that change with the change of the vibration region can be adjusted by setting the groove 2 to ensure product diversification, and this type of piezoelectric vibrator is usually used. In the current situation in which electronic components are remarkably miniaturized, it is possible to quickly produce and supply products without performing design and examination for changing the external shape and capacity of the mounting board according to demand.
[0017]
Although the groove may be provided only on one of the two main surfaces, the direction of the thickness direction when assembling as a piezoelectric vibration component is eliminated, the viewpoint of simplifying the assembly process, and the improvement of vibration isolation by the groove From the viewpoint, it is preferable to provide both main surfaces. The groove may be a discontinuous groove instead of a continuous groove.
[0018]
The present invention further discloses a piezoelectric vibration component combining the above-described piezoelectric vibrator and a support substrate, and a method for manufacturing the same. Other objects, configurations and advantages of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The figure is just an example.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a perspective view of a piezoelectric vibrator according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line 2-2 in FIG. The illustrated piezoelectric vibrator includes a piezoelectric substrate 1 and a groove 2 and uses a thickness longitudinal basic vibration mode.
[0020]
The piezoelectric substrate 1 is a substantially hexahedron, and is obtained by polishing a piezoelectric sintered body to a predetermined thickness and subjecting it to a polarization treatment in a thickness direction with a high electric field. The material of the piezoelectric substrate 1 is preferably a lead-free material that does not contain PbO in consideration of the environment. The piezoelectric substrate 1 can be made of a piezoelectric material having an effective Poisson's ratio of less than 1/3. According to the present invention, even if a material having an effective Poisson's ratio of less than 1/3 is used, a satisfactory waveform can be obtained for the fundamental wave.
[0021]
Examples of piezoelectric materials having an effective Poisson's ratio of less than 1/3 include compounds having a perovskite structure such as a tantalate compound or niobate compound and solid solutions thereof, compounds and solid solutions having an ilmenite structure, compounds having a pyrochlore structure, and bismuth. Examples thereof include a lamellar structure compound or a compound having a tungsten bronze structure. The piezoelectric substrate 1 contains these piezoelectric materials as a main component which is a maximum component.
[0022]
Examples of the tantalate compound or niobate compound include at least one first element selected from the group consisting of sodium (Na), potassium (K), and lithium (Li), tantalum (Ta), and niobium. Examples include those containing at least one second element in the group consisting of (Nb) and oxygen. These are general formulas where A is the first element and B is the second element.
ABOThree
It is represented by Examples of the layered structure compound containing bismuth include bismuth, sodium, potassium, barium (Ba), strontium (Sr), lead (Pb), calcium (Ca), yttrium (Y), and lanthanoid (Ln). And at least one first element selected from the group consisting of bismuth, vanadium (V), zirconium (Zr), antimony (Sb), titanium (Ti), niobium, tantalum, tungsten (W) and molybdenum ( And those containing at least one second element in the group consisting of Mo) and the like, and oxygen. When the first element is C and the second element is D, the following general formula
(Bi2O2)2+(Cm-1DmO3m + 1)2-
Where m is an integer from 1 to 8
It is represented by Furthermore, there is no general formula for dungsten bronze compounds, for example,
NaW06BaNaNbO15
and so on. However, all the chemical formulas shown here represent the stoichiometric composition, and the piezoelectric material constituting the piezoelectric substrate 1 may be a material having no stoichiometric composition.
[0023]
Incidentally, among these, a layered structure compound containing bismuth is preferable as a piezoelectric material constituting the piezoelectric substrate 1. Mechanical quality factor QmThis is because the Curie temperature is large, and particularly excellent characteristics as a resonator can be obtained. For example, a layered structure compound containing bismuth, strontium, titanium, and oxygen is preferable, and a compound containing a lanthanoid in the layered structure compound is particularly preferable.
[0024]
The piezoelectric substrate 1 includes a vibrating part 101 and a non-vibrating part 102. The groove 2 is provided over the entire circumference of the vibration part 101 and separates the vibration part 101 and the non-vibration part 102. In the illustrated embodiment, four grooves 2 are provided on the main surface 100, two of which are disposed on opposite sides of the vibration unit 101, and the other two are disposed on the other sides of the vibration unit 101. Has been.
[0025]
Also on the main surface 130, four grooves 2 are provided, two of which are arranged on opposite sides of the vibration unit 101, and the other two are arranged on the other sides of the vibration unit 101. The illustrated groove 2 is linear and is provided so as to be opposed to each other at the same position in the respective planes of the main surfaces 100 and 130. However, this is only illustrated as a preferred shape and arrangement.
[0026]
The vibration unit 101 of the piezoelectric vibrator includes a first vibration electrode 41 and a second vibration electrode 51. The first and second vibrating electrodes 41 and 51 can be formed by, for example, a thin film technique such as a vacuum deposition method or a sputtering method or a thick film printing technique. As a material, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), chromium (Cr), or an alloy thereof can be used.
[0027]
The first vibrating electrode 41 is provided on the main surface 100, and the second vibrating electrode 51 is provided on the main surface 130 and faces the first vibrating electrode 41. Non-vibrating portion 102 includes a first terminal electrode 42 and a second terminal electrode 52.
[0028]
The first terminal electrode 42 is electrically connected to the first vibrating electrode 41 via the first lead electrode 421. The first terminal electrode 42 is attached to the side surface of the piezoelectric substrate 1 and both ends thereof are extended to the main surfaces 100 and 130.
[0029]
The first lead electrode 421 is attached to the surface of the main surface 100 and the inner surface of the groove 2, one end connected to the first vibration electrode 41, and the other end connected to the first terminal electrode 42. The illustrated first lead electrode 421 has a uniform band shape, but may have other shapes such as a partially curved shape or a wave shape.
[0030]
The second terminal electrode 52 is electrically connected to the second vibrating electrode 51 through the second lead electrode 521. The second terminal electrode 52 is attached to the side surface of the piezoelectric substrate 1 so as to face the first terminal electrode 42, and both ends thereof are extended to the main surfaces 100 and 130.
[0031]
The second lead electrode 521 is attached to the surface of the main surface 130 and the inner surface of the groove 2, one end connected to the second vibrating electrode 51, and the other end connected to the second terminal electrode 52. The illustrated second lead electrode 521 has a uniform band shape, but may have other shapes such as a partially curved shape or a wave shape.
[0032]
The first and second terminal electrodes 42 and 52 and the first and second lead electrodes 421 and 521 are basically made of the same conductive material as the first and second vibrating electrodes 41 and 51. It is formed.
[0033]
As described above, in the piezoelectric vibrator according to the present invention, the first vibration electrode 41 is provided on the main surface 100, and the second vibration electrode 51 is provided on the main surface 130. The second vibrating electrode 51 faces the first vibrating electrode 41. Therefore, by supplying electric energy to the first vibrating electrode 41 and the second vibrating electrode 51, the piezoelectric vibrator can be operated in the thickness longitudinal vibration mode. In the embodiment, the first and second terminal electrodes 42 and 52 are provided. The first terminal electrode 42 is made of a conductor and is electrically connected to the first vibrating electrode 41. 52 is made of a conductor and is electrically connected to the second vibrating electrode 51. Accordingly, electric energy can be supplied to the first and second terminal electrodes 42 and 52 to excite the piezoelectric vibrator.
[0034]
As described above, the piezoelectric vibrator according to the present invention uses the thickness longitudinal vibration mode, and the vibration section operates in the thickness longitudinal vibration mode. The thickness longitudinal fundamental wave vibration mode is particularly suitable as the excitation mode.
[0035]
As described above, since the piezoelectric vibrator in the thickness longitudinal fundamental wave vibration mode uses fundamental wave vibration, a piezoelectric vibrator having high vibration characteristics (large Qmax) can be obtained.
[0036]
On the other hand, unlike the energy trapping type, the piezoelectric vibrator using the thickness longitudinal fundamental vibration mode is in a state where the entire piezoelectric substrate 1 is vibrating, and it is difficult to support and fix the piezoelectric substrate 1. When shifting to miniaturization, the support difficulty becomes particularly remarkable.
[0037]
FIG. 3 is a distribution diagram of the vibration displacement amount of the piezoelectric vibrator shown in FIGS. 1 and 2. In FIG. 3, the vibration displacement amount is shown as a 5-stage section of A to E. The displacements of the areas indicated by the white reference signs A1 to A4 are the smallest, and then the vibrations occur in the order of B area indicated by a chain line, C area indicated by a vertical solid line, D area indicated by a horizontal solid line, and E area indicated by a diagonal solid line The displacement is large.
[0038]
As shown in FIG. 3, when the hexagonal piezoelectric substrate 1 is operated in the thickness longitudinal vibration mode, regions A <b> 1 to A <b> 2 in which vibration displacement is minimized in the four corner portions on both sides in the thickness direction. A4 is generated.
[0039]
If the piezoelectric vibrator is to be directly supported, a support bump or the like must be formed in a pinpoint manner in the region A where the vibration displacement is minimized in FIG. Is difficult. When shifting to downsizing, the support difficulty becomes particularly remarkable.
[0040]
Further, when the piezoelectric vibrator is mounted on a dielectric substrate or the like, a conductive paste has been conventionally used. However, in the case of a piezoelectric vibrator using the thickness longitudinal fundamental vibration mode, the connection strength of the piezoelectric substrate 1 mounted on the dielectric substrate is poor due to variations in adhesion area due to changes in viscosity when the conductive paste is connected and oozing out. It may become stable, causing deterioration of characteristics due to suppression of vibration energy of the piezoelectric vibrator, deterioration of vibration characteristics due to insufficient suppression of unnecessary vibrations, and oscillation failure such as unstable oscillation skipping.
[0041]
In contrast to the problems inherent to the piezoelectric vibrator using the thickness longitudinal fundamental vibration mode, the piezoelectric vibrator according to the present invention includes the groove 2. The groove 2 is provided around the vibration part 101 on the two main surfaces 100 and 130 in the thickness direction of the piezoelectric substrate 1, and separates the vibration part 101 and the non-vibration part 102. Therefore, leakage vibration propagating from the vibration part 101 is blocked by the groove 2 and is not transmitted to the non-vibration part 102.
[0042]
In addition, since the non-vibrating portion 102 is separated from the vibrating portion 101 by the groove 2, a piezoelectric vibrating component in which the piezoelectric vibrator 3 is supported by the non-vibrating portion 102 can be obtained.
[0043]
For this reason, it suppresses oscillation failure such as vibration energy dissipation, insufficient suppression of unnecessary vibration, deterioration of vibration characteristics, and unstable oscillation skipping, and the Qmax value, which is a representative value of vibration characteristics, is large, and stable vibration characteristics are achieved. A piezoelectric vibrator and a piezoelectric vibration component that can be exhibited are realized.
[0044]
Further, when the vibrating part 101 is separated from the non-vibrating part 102, it is only necessary to provide the grooves 2 on the main surfaces 100 and 130 of the piezoelectric substrate 1. Therefore, manufacture is easy.
[0045]
Further, as another advantage of setting the vibrating portion 101 by the groove 2 provided in the piezoelectric substrate 1, if the piezoelectric substrate 1 has a dimension sufficient to set the vibrating portion 101, the outer dimensions of the piezoelectric substrate 1 are changed. Even if not, there is an advantage that the vibration unit 101 can be set and changed simply by changing the machining dimension of the groove 2. According to this advantage, the vibration characteristics that change with the change of the vibration region can be adjusted by setting the groove 2 to ensure product diversification, and this type of piezoelectric vibrator is usually used. In the current situation where electronic components are becoming more and more miniaturized, it becomes possible to quickly produce and provide products without having to design and study to change the external shape and capacity of the mounting board according to demand.
[0046]
The depth d of the groove 2 is preferably greater than 14% of the thickness D of the dielectric substrate 1. That is,
(D / D) × 100> 14 (%)
It is. The upper limit value of the depth d of the groove 2 is determined in consideration of the mechanical strength required for the dielectric substrate 1. Next, this point will be described with reference to data.
[0047]
FIG. 4 is a diagram showing frequency-impedance characteristics when the depth d of the groove 2 is 0.07 mm, and FIG. 5 is a diagram showing frequency-phase characteristics in the same manner. The piezoelectric substrate 1 had a fundamental resonance frequency of 4.5 (MHz) and a size of 1.2 mm in width, 1.2 mm in length, and 0.5 mm in thickness. The size of the vibrating electrodes 41 and 51 was set to a width of 1.0 mm, a length of 1.0 mm, and a thickness of 1.0 (μm). The groove 2 was provided at a position where the vibration part 101 has a size of 1.2 mm × 1.2 mm. The piezoelectric vibrator was suppressed in the non-vibration region 102 outside the groove 2.
[0048]
In the case of the example illustrated in FIGS. 4 and 5,
(D / D) × 100 = 14 (%)
And
(D / D) × 100> 14 (%)
Does not meet.
[0049]
As shown in FIGS. 4 and 5, when the groove 2 does not satisfy (d / D) × 100> 14 (%), the spurious is generated in a frequency region higher than the fundamental resonance frequency 4.5 (MHz). In addition, the phase is disturbed.
[0050]
FIG. 6 is a diagram showing the frequency-impedance characteristics when the depth d of the groove 2 is 0.14 mm, and FIG. 7 is a diagram showing the frequency-phase characteristics. The piezoelectric substrate 1 had a fundamental resonance frequency of 4.5 (MHz) and a size of 1.2 mm in width, 1.2 mm in length, and 0.5 mm in thickness. The size of the vibrating electrodes 41 and 51 was set to a width of 1.0 mm, a length of 1.0 mm, and a thickness of 1.0 (μm). The groove 2 was provided at a position where the vibration part 101 has a size of 1.2 mm × 1.2 mm. The piezoelectric vibrator was suppressed in a non-vibration region outside the groove 2.
[0051]
In the case of the example illustrated in FIGS.
(D / D) × 100 = 28 (%)
And
(D / D) × 100> 14 (%)
Meet.
[0052]
As shown in FIGS. 6 and 7, when (d / D) × 100> 14 (%) is satisfied, spurious and phase disturbance do not occur.
[0053]
It is important to suppress the piezoelectric vibrator in the non-vibration region 102 outside the groove 2. FIG. 8 is a diagram showing frequency-impedance characteristics when the depth d of the groove 2 is 0.21 mm, and FIG. 9 is a diagram showing frequency-phase characteristics. The size of the piezoelectric substrate 1 was 2.0 mm in width, 2.0 mm in length, and 0.5 mm in thickness. The size of the vibrating electrodes 41 and 51 was set to a width of 1.0 mm, a length of 1.0 mm, and a thickness of 1.0 (μm). The groove 2 was provided at a position where the vibration part 101 has a size of 1.2 mm × 1.2 mm. The piezoelectric vibrator was not suppressed in the non-vibration region 102 outside the groove 2.
[0054]
In the case of the example illustrated in FIGS.
(D / D) × 100 = 48 (%)
And
(D / D) × 100> 14 (%)
Meet. However, the piezoelectric vibrator is not suppressed. In this case, as shown in the examples of FIGS. 8 and 9, large spurious and phase disturbance are generated.
[0055]
FIG. 10 shows the frequency-impedance characteristic when the depth d of the groove 2 is 0.21 mm, and FIG. 11 shows the frequency-phase characteristic. The size of the piezoelectric substrate 1 was 2.0 mm in width, 2.0 mm in length, and 0.5 mm in thickness. The size of the vibrating electrodes 41 and 51 was set to a width of 1.0 mm, a length of 1.0 mm, and a thickness of 1.0 (μm). The groove 2 was provided at a position where the vibration part 101 has a size of 1.2 mm × 1.2 mm. The piezoelectric vibrator was suppressed in the non-vibration region 102 outside the groove 2. Therefore, FIG. 8 and FIG. 9 are different from each other only in that the piezoelectric vibrator is suppressed by the non-vibration region 102 outside the groove 2.
[0056]
As apparent from the comparison of the data in FIGS. 10 and 11 with the data in FIGS. 8 and 9, when the piezoelectric vibrator is suppressed in the non-vibration region 102 outside the groove 2, the frequency-impedance characteristics and the frequency− Any of the phase characteristics are improved.
[0057]
12 is a perspective view of a piezoelectric vibration component using the piezoelectric vibrator according to the present invention, and FIG. 13 is a sectional view taken along line 13-13 in FIG. The illustrated piezoelectric vibration component includes a piezoelectric vibrator 3, a support substrate 6, and a sealing case 8 constituting a sealing structure. The piezoelectric vibrator 3 is the piezoelectric vibrator shown in FIGS.
[0058]
The support substrate 6 has three connection electrodes 62 to 64 formed in a strip shape at intervals on a dielectric base 61 formed using a dielectric material. The piezoelectric vibrator 3 is mounted on the support substrate 6, and predetermined side surfaces of the first terminal electrode 41 and the second terminal electrode 52 are connected to the two connection electrodes 62 and 63 and are supported as a whole. . Of the connection electrodes 62 to 64, the connection electrodes 62 and 63 serve as input / output terminals, and the connection electrode 64 serves as an intermediate ground electrode.
[0059]
In assembly, the piezoelectric vibrator 3 is mounted on the surface of the support substrate 6, and the first and second terminal electrodes 42 and 52 are connected to the two connection electrodes 62 and 63 using the conductive joint 9. To do. The sealing case 8 seals and protects the piezoelectric vibrator 3.
[0060]
Since the piezoelectric vibration component shown in FIGS. 12 and 13 uses the piezoelectric vibrator shown in FIGS. 1 and 2, the effects described with respect to the piezoelectric vibrator can be obtained as they are. In the case of the embodiment shown in FIGS. 12 and 13, the non-vibrating portion 102 is suppressed, so that the effect of suppression can be obtained.
[0061]
14 is a perspective view of a piezoelectric vibration component using the piezoelectric vibrator according to the present invention, and FIG. 15 is a cross-sectional view taken along the line 15-15 in FIG. The illustrated piezoelectric vibration component includes a piezoelectric vibrator 3 and first and second sealing structures 93 and 94. The piezoelectric vibrator 3 has the structure shown in FIGS. The first and second sealing structures 93 and 94 are surface-bonded to the main surfaces 100 and 130 of the piezoelectric vibrator 3 by adhesive layers 91 and 92 to form a vibration space around the piezoelectric vibrator 3.
[0062]
At least one of the first and second sealing structures 93 and 94 is formed of a face plate-like dielectric substrate, for example, a dielectric ceramic plate. The adhesive layers 91 and 92 are provided on the non-vibrating portion 102 including the groove 2.
[0063]
The second sealing structure 94 is provided with capacitor electrodes 81 and 83 and an intermediate electrode 82, and the first and second terminal electrodes 42 and 52 of the piezoelectric vibrator 3 are connected to the capacitor electrode 81, 83 are electrically connected to each other.
[0064]
In the case of this embodiment as well, the same effects as the piezoelectric vibration component shown in FIGS. 12 and 13 can be obtained. Furthermore, the piezoelectric vibration component shown in FIGS. 14 and 15 can obtain a damping effect by configuring the adhesive layers 91 and 92 as a damping layer. When obtaining a damping action, an epoxy resin or the like is suitable as the adhesive layers 91 and 92.
[0065]
FIG. 16 shows frequency-impedance characteristics and frequency-phase characteristics of a piezoelectric vibrator having no damping layer. In the figure, a curve L11 indicated by a solid line is an impedance characteristic, and a curve L12 indicated by a one-dot chain line is a phase characteristic. In FIG. 16, the horizontal axis represents frequency (MHz), the left vertical axis represents impedance (Ω), and the right vertical axis represents phase (deg.). Qmax is 8.24.
[0066]
As shown in FIG. 16, when the damping layer is not provided, both the impedance characteristic and the phase characteristic are considerably disturbed.
[0067]
FIG. 17 shows the frequency-impedance characteristics and frequency-phase characteristics of the piezoelectric vibrator in the case where the adhesive layers 91 and 92 are configured as damping layers. In the figure, a curve L21 indicated by a solid line is an impedance characteristic, and a curve L22 indicated by a one-dot chain line is a phase characteristic. In FIG. 17, the horizontal axis represents frequency (MHz), the left vertical axis represents impedance (Ω), and the right vertical axis represents phase (deg.). A thermosetting epoxy resin compound was used for the adhesive layers 91 and 92 constituting the damping layer.
[0068]
As is apparent from the comparison of the data in FIG. 17 with the data in FIG. 16, both the frequency-impedance characteristics and the frequency-phase characteristics are improved when the adhesive layers 91 and 92 are used as a damping layer. Further, Qmax is 9.52 compared to 8.24 in the case where no damping layer is provided, and the quality characteristics are improved.
[0069]
Next, a method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 18, a large-sized piezoelectric base material plate 10 that has completed necessary processes such as polarization and polishing is prepared.
[0070]
The material composition and manufacturing method of the piezoelectric base plate 10 are well known. For example, for example, oxide raw materials are mainly used as starting materials, they are weighed so as to have a desired composition, and zirconia balls are used in a solvent such as pure water or acetone to perform ball mill mixing. I do. Next, after sufficiently drying the mixed raw material powder, for example, press molding is performed, and then preliminary firing is performed at a temperature of 700 to 900 ° C.
[0071]
Subsequently, for example, the temporarily fired body is ball milled again, dried, and granulated by adding an appropriate amount of polyvinyl alcohol as a binder.
[0072]
After granulation, for example, this granulated powder is formed into a thin plate having a length of 20 mm, a width of 20 mm, and a thickness of about 1.5 mm with a load of 200 to 300 MPa using a uniaxial press molding machine.
[0073]
Next, the binder is volatilized from the molded body by, for example, heat treatment, and main baking is performed at a temperature of 1100 to 1350 ° C. After performing the main firing, the thickness of the fired body is polished by, for example, a lapping machine to form the piezoelectric base plate 10 of the piezoelectric substrate.
[0074]
After the piezoelectric base plate 10 is formed, the electrodes for polarization treatment are formed on both surfaces of the piezoelectric base plate 10 by, for example, vacuum-depositing copper. Thereafter, for example, the piezoelectric base plate 10 on which the electrode for polarization treatment is formed is immersed in silicon oil heated to 200 to 300 ° C., and an electric field of 5 to 10 Kv / mm is applied for 1 minute to perform the polarization treatment.
[0075]
After performing the polarization treatment, the polarization treatment electrode is removed, and the size of the piezoelectric base plate 10 is adjusted by a dicing saw or the like to obtain the piezoelectric base plate 10.
[0076]
Next, as shown in FIG. 19, grooves 2 are formed in a lattice shape at the same position on both surfaces of the piezoelectric base material plate 10. The grooves 2 are processed at a predetermined depth and number using a dicing saw or the like. By using a precision device such as a dicing saw, a uniform groove 2 can be formed, and a high-quality piezoelectric vibrator can be provided.
[0077]
Next, as shown in FIG. 20, the conductor pattern 40 for the vibration electrode, the lead electrode, and a part of the terminal electrode is formed on both surfaces of the piezoelectric base plate 10. The conductor pattern 40 can be formed by means such as vapor deposition or sputtering. The conductor pattern 40 is determined in consideration of the electrode pattern shown in FIGS. 1 and 2 and the dividing step. Specifically, the patterns of the vibrating electrodes 41 and 51 are formed with the two grooves 2 interposed therebetween, and the pattern that becomes a part of the terminal electrode is formed in a strip shape.
[0078]
Next, as illustrated in FIG. 20, the piezoelectric base material plate 10 is cut at a cutting position W <b> 1 that sandwiches the regions to be the vibration electrodes 41 and 51. The cutting position W1 is a position where a part of the terminal electrode is formed in a band shape. A dicing saw is used for cutting.
By the cutting process described above, as shown in FIG. 21, an assembly in which a plurality of piezoelectric vibrator elements Q1 to Q3 are arranged is obtained.
[0079]
Next, as shown in FIG. 22, first and second end electrodes 42 and 52 are formed at both ends in the width direction of the assembly. The end electrodes 42 and 52 can be formed by means such as vapor deposition or sputtering.
[0080]
Next, by cutting the assembly at each boundary position W2 of the piezoelectric vibrator elements Q1 to Q3, a single piezoelectric vibrator is obtained as shown in FIG.
[0081]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.
(A) It is possible to provide a piezoelectric vibrator and a piezoelectric vibration component that can be stably supported while minimizing the attenuation of vibration energy.
(B) Even when downsized, it is possible to provide a piezoelectric resonator and a piezoelectric vibration component that can stably support vibration energy while minimizing attenuation of vibration energy.
(C) A manufacturing method suitable for obtaining the above-described piezoelectric vibrator and piezoelectric vibration component can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of a piezoelectric vibrator according to the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along line 2-2 in FIG.
3 is a distribution diagram of a vibration displacement amount of the piezoelectric vibrator shown in FIGS. 1 and 2. FIG.
FIG. 4 is a diagram showing frequency-impedance characteristics when a groove depth d is 0.07 mm.
FIG. 5 is a diagram showing frequency-phase characteristics when a groove depth d is 0.07 mm.
FIG. 6 is a diagram showing frequency-impedance characteristics when the groove depth d is 0.14 mm.
FIG. 7 is a diagram showing frequency-phase characteristics when the depth d of the groove 2 is 0.14 mm.
FIG. 8 is a diagram showing frequency-impedance characteristics when a groove depth d is 0.21 mm.
FIG. 9 is a diagram showing frequency-phase characteristics when the depth d of the groove is 0.21 mm.
FIG. 10 is a diagram showing frequency-impedance characteristics when the groove depth d is 0.21 mm.
FIG. 11 is a diagram showing frequency-phase characteristics when the groove depth d is 0.21 mm.
FIG. 12 is a perspective view of a piezoelectric vibration component using the piezoelectric vibrator according to the present invention.
13 is a cross-sectional view taken along line 13-13 of FIG.
FIG. 14 is a perspective view of a piezoelectric vibration component using a piezoelectric vibrator according to the present invention.
15 is a cross-sectional view taken along line 15-15 in FIG.
FIG. 16 is a diagram showing frequency-impedance characteristics and frequency-phase characteristics of a piezoelectric vibrator having no damping layer.
FIG. 17 is a diagram illustrating frequency-impedance characteristics and frequency-phase characteristics of a piezoelectric vibrator when an adhesive layer is configured as a damping layer.
FIG. 18 is a diagram illustrating steps included in the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the invention.
FIG. 19 is a diagram showing a step after the step shown in FIG.
FIG. 20 is a diagram showing a step after the step shown in FIG.
FIG. 21 is a diagram showing a step after the step shown in FIG.
22 is a diagram showing a step after the step shown in FIG. 21. FIG.
FIG. 23 is a diagram showing a step after the step shown in FIG.
[Explanation of symbols]
1 Piezoelectric substrate
100 main surface
130 Main surface
2 grooves
101 Vibration part
102 Non-vibrating part

Claims (8)

圧電基体と、溝とを含み、厚み縦振動の基本波振動モードを利用する圧電振動子であって、
前記圧電基体は、実効ポアソン比が１／３未満の圧電材料からなり、振動部と、非振動部とを含んでおり、
前記振動部は、第１の振動電極と、第２の振動電極とを含み、
前記第１の振動電極は、前記主面の一方に設けられ、
前記第２の振動電極は、前記主面の他方に設けられ、前記第１の振動電極と向かいあい、
前記非振動部は、第１の端子電極と、第２の端子電極とを含み、
前記第１の端子電極は、前記第１の振動電極に電気的に接続されており、
前記第２の端子電極は、前記第２の振動電極に電気的に接続されており、
圧電振動子は、更に、第１のリード電極と、第２のリード電極とを含み、
前記第１のリード電極は、前記圧電基体の表面に形成された導体膜からなり、
前記第１の振動電極と前記第１の端子電極とを電気的に接続し、
前記第２のリード電極は、前記圧電基体の表面に形成された導体膜からなり、
前記第２の振動電極と前記第２の端子電極とを電気的に接続しており、
前記溝は、前記圧電基体の厚み方向にある２つの主面の少なくとも一方において、前記振動部の周りに設けられ、該溝によって、前記振動部と前記非振動部とが区分される
圧電振動子。A piezoelectric vibrator that includes a piezoelectric substrate and a groove and uses a fundamental wave vibration mode of thickness longitudinal vibration ,
The piezoelectric substrate is made of a piezoelectric material having an effective Poisson's ratio of less than 1/3 , and includes a vibrating portion and a non-vibrating portion.
The vibration unit includes a first vibration electrode and a second vibration electrode,
The first vibrating electrode is provided on one of the main surfaces,
The second vibration electrode is provided on the other of the main surfaces, facing the first vibration electrode,
The non-vibrating portion includes a first terminal electrode and a second terminal electrode,
The first terminal electrode is electrically connected to the first vibrating electrode;
The second terminal electrode is electrically connected to the second vibrating electrode;
The piezoelectric vibrator further includes a first lead electrode and a second lead electrode,
The first lead electrode is composed of a conductor film formed on the surface of the piezoelectric substrate,
Electrically connecting the first vibrating electrode and the first terminal electrode;
The second lead electrode is composed of a conductor film formed on the surface of the piezoelectric substrate,
Electrically connecting the second vibrating electrode and the second terminal electrode;
The groove is provided around the vibration part on at least one of two main surfaces in the thickness direction of the piezoelectric substrate, and the vibration part and the non-vibration part are separated by the groove. > Piezoelectric vibrator. 請求項１に記載された圧電振動子であって、前記非振動部を抑圧する圧電振動子。  The piezoelectric vibrator according to claim 1, wherein the piezoelectric vibrator suppresses the non-vibrating portion. 請求項１または２の何れかに記載された圧電振動子であって、前記溝は前記２つの主面の両方に設けられている圧電振動子。  3. The piezoelectric vibrator according to claim 1, wherein the groove is provided on both of the two main surfaces. 4. 請求項３に記載された圧電振動子であって、前記溝の深さは前記誘電体基体の厚みの１４％より大きい圧電振動子。  4. The piezoelectric vibrator according to claim 3, wherein the depth of the groove is greater than 14% of the thickness of the dielectric substrate. 請求項１乃至４の何れかに記載された圧電振動子であって、前記溝は、前記振動部が１．２ｍｍ×１．２ｍｍのサイズとなる位置に設けられている圧電振動子。 5. The piezoelectric vibrator according to claim 1, wherein the groove is provided at a position where the vibrating portion has a size of 1.2 mm × 1.2 mm . 圧電振動子と、封止構造体とを含む圧電振動部品であって、
前記圧電振動子は、請求項１乃至５の何れかに記載されたものからなり、
前記封止構造体は、前記圧電振動子に結合され、前記圧電振動子の厚み方向の両面に振動空間を形成する
圧電振動部品。A piezoelectric vibration component including a piezoelectric vibrator and a sealing structure,
The piezoelectric vibrator is made of any one of claims 1 to 5 ,
The sealing structure is a piezoelectric vibration component that is coupled to the piezoelectric vibrator and forms a vibration space on both surfaces in the thickness direction of the piezoelectric vibrator. 請求項６に記載された圧電振動部品であって、
前記封止構造体は、第１の封止部材と、第２の封止部材とを含み、
前記第１の封止部材及び前記第２の封止部材は前記圧電振動子を両面側から挟持する
圧電振動部品。 The piezoelectric vibration component according to claim 6 ,
The sealing structure includes a first sealing member and a second sealing member,
The first sealing member and the second sealing member are piezoelectric vibration components that sandwich the piezoelectric vibrator from both sides. 請求項６に記載された圧電振動部品であって、
前記封止構造体は、支持部材と、キャップとを含み、
前記支持部材はその一面上に前記圧電振動子が搭載されており、
前記キャップは、前記圧電振動子を包囲し、前記支持部材の前記一面上に搭載されている
圧電振動部品。 The piezoelectric vibration component according to claim 6 ,
The sealing structure includes a support member and a cap,
The support member has the piezoelectric vibrator mounted on one surface thereof,
The cap is a piezoelectric vibration component that surrounds the piezoelectric vibrator and is mounted on the one surface of the support member.
JP2001318692A 2001-10-16 2001-10-16 Piezoelectric vibrator, piezoelectric vibration component, and manufacturing method thereof Expired - Fee Related JP3922428B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001318692A JP3922428B2 (en) 2001-10-16 2001-10-16 Piezoelectric vibrator, piezoelectric vibration component, and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001318692A JP3922428B2 (en) 2001-10-16 2001-10-16 Piezoelectric vibrator, piezoelectric vibration component, and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003124779A JP2003124779A (en) 2003-04-25
JP3922428B2 true JP3922428B2 (en) 2007-05-30

Family

ID=19136352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001318692A Expired - Fee Related JP3922428B2 (en) 2001-10-16 2001-10-16 Piezoelectric vibrator, piezoelectric vibration component, and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3922428B2 (en)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7275292B2 (en) 2003-03-07 2007-10-02 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate
JP2005286992A (en) 2004-03-02 2005-10-13 Seiko Epson Corp Piezoelectric oscillating piece, piezoelectric vibrator, and piezoelectric oscillator
US7388454B2 (en) 2004-10-01 2008-06-17 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US7202560B2 (en) 2004-12-15 2007-04-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US7791434B2 (en) 2004-12-22 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric
US7369013B2 (en) 2005-04-06 2008-05-06 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region
US7737807B2 (en) 2005-10-18 2010-06-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators
US7675390B2 (en) 2005-10-18 2010-03-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator
US7746677B2 (en) 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US7479685B2 (en) 2006-03-10 2009-01-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path
CN101796726B (en) 2007-08-24 2014-04-02 太阳诱电株式会社 Piezoelectric thin film resonator, filter using the resonator, duplexer using the filter, and communication equipment using the filter or the duplexer
US7791435B2 (en) 2007-09-28 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single stack coupled resonators having differential output
US7855618B2 (en) 2008-04-30 2010-12-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers
US7732977B2 (en) 2008-04-30 2010-06-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers
US8248185B2 (en) 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
US8902023B2 (en) 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8193877B2 (en) 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
US8922302B2 (en) 2011-08-24 2014-12-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator formed on a pedestal

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003124779A (en) 2003-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3922428B2 (en) Piezoelectric vibrator, piezoelectric vibration component, and manufacturing method thereof
JP2790178B2 (en) Electrostrictive resonance device
US4652784A (en) Trapped-energy mode resonator and method of manufacturing the same
US6903489B2 (en) Piezoelectric resonator, piezoelectric resonator component and method of making the same
JP2002057544A (en) Piezoelectric oscillator
JP3731724B2 (en) Piezoelectric resonator, piezoelectric resonant component, and manufacturing method thereof
EP0829957A2 (en) Piezoelectric resonator and electronic component using the same
KR20010021135A (en) Piezoelectric resonator and piezoelectric resonator part
JP4692703B2 (en) Piezoelectric resonance component
KR100397724B1 (en) Thickness Extensional Vibration Mode Piezoelectric Resonator, Ladder-Type Filter and Piezoelectric Resonator Component
JPH118526A (en) Piezoelectric resonator and electronic component using the same
JP3473529B2 (en) Piezoelectric resonance components
JP3499469B2 (en) Piezoelectric resonator
JP4578176B2 (en) Piezoelectric resonator and filter
JPH07226647A (en) Piezoelectric resonator and piezoelectric chip component using this resonator
KR100440194B1 (en) Piezoelectric resonator
JP3301901B2 (en) Piezoelectric resonator
JPH05299970A (en) Piezoelectric rudder filter
JP2002094351A (en) Piezoelectric resonance component
JP2881251B2 (en) Piezoelectric resonator
JPH0389708A (en) Piezoelectric resonator
JP2018056700A (en) Piezoelectric component
JP2018139367A (en) Piezoelectric component
JPH10190399A (en) Capacitor incorporating type piezoelectric oscillator
JP2001057515A (en) Thickness longitudinal piezoelectric resonator and piezoelectric resonator component

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040714

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060811

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060906

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061102

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070214

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130302

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140302

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees