JP3883123B2

JP3883123B2 - 光ファイバグレーティング歪センサ及びその製造方法

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Publication number: JP3883123B2
Application number: JP2003354668A
Authority: JP
Inventors: 准一岩崎; 雅程井上
Original assignee: Hokkaido Electric Power Co Inc
Current assignee: Hokkaido Electric Power Co Inc
Priority date: 2003-10-15
Filing date: 2003-10-15
Publication date: 2007-02-21
Anticipated expiration: 2023-10-15
Also published as: JP2005121769A

Description

この発明は、光ファイバグレーティング歪センサ及びその製造方法に関する。

歪測定は、安価で高精度である歪ゲージとブリッジボックスを用いた測定が一般的である。しかし、歪ゲージ自体が導体であるため、送電用支持物など高電磁界での計測が困難である。また、１つの歪ゲージに対し、電源線と信号線がそれぞれ２本ずつ、合わせて４本のリード線が必要であること、及び、ケーブルでの減衰により、増幅機能を備えた中継器無しでは、リード線を長く延ばせないことのために、遠隔地におけるリモート測定が実現されていない。さらに、歪ゲージ及びブリッジボックスには電源供給が必要であるため、石油、ガスタンクなど可燃物の圧力容器の測定には不向きである。

これに対し、光ファイバグレーティングを用いた歪測定は、周期的屈折率分布構造を有する光ファイバが軸方向の歪を受けると、ファイバ内の屈折率分布の周期が変化することを利用する。この光ファイバに光を入射すると、反射光の波長が、周期の変化分に応じて、変化する。この波長変化を測定することにより、光ファイバの軸方向の歪が測定される（例えば、特許文献１参照）。

このように、光ファイバグレーティングを用いた測定では、一般的に、絶縁物である石英ガラスを主成分とする光ファイバを用いるので、高電磁界での測定が容易である。また、一本の光ファイバの複数の箇所に、異なる周期の屈折率分布構造を与えると、屈折率分布のそれぞれの周期に対応して反射光の中心波長が異なるので、反射光を分光して測定することにより、一本の光ファイバで、多点測定が可能となる。さらに、１本の光ファイバに歪センサである光ファイバグレーティングをカスケード接続可能であり、しかも、伝送損失が小さい光ファイバによる通信回線を利用できるので、遠隔地におけるリモート測定が可能である。光ファイバに設けられた回折格子（グレーティング）による反射光の測定を行うので、各歪センサへの電源供給が不要になり、そのため、可燃物の圧力容器に対する歪測定も可能となる。
特開２００１−１３３３４号公報「ファイバ型検出素子、その製造方法および製造装置、並びにそれを用いたセンサ」（段落０００２）

しかしながら、上述の従来例の光ファイバグレーティング歪センサは、以下のような改善すべき点を有する。
（１）光ファイバグレーティング部の製作にあたっては、光ファイバの被覆の一部を除去するが、その部分の機械的強度を保つため１０〜１５μｍ厚程度のポリイミドコーティングを用いている。このポリイミドコーティングにより、光ファイバグレーティング部の歪伝達特性が阻害される可能性がある。
（２）光ファイバグレーティング歪センサが、測定対象物に対して有機接着剤によって取り付けられるため、有機接着剤が測定対象物との間で緩衝材となり、測定対象物から光ファイバグレーティング歪センサへの歪伝達が非線形となる場合がある。また、一般に有機接着剤は耐候性に欠けるため、光ファイバグレーティング歪センサの長期の信頼性の確保が困難である。
（３）有機接着剤の実用強度に至る硬化時間が８〜２４時間と長いため、現場向けの施工方法を提案できない。

この発明は、上述の事情に鑑み、測定対象物への取り付けが簡易であり、歪伝達性が高いこと及び歪伝達における非線形現象が生じないことにより歪測定の感度が良く、さらに、耐候性に優れるため長期の信頼性の確保が可能である、光ファイバグレーティング歪センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。

上述した目的を達成するために、この発明の光ファイバグレーティング歪センサは、コア及びクラッドのいずれか一方又は双方に周期的屈折率分布構造が形成された光ファイバグレーティング部を備えた光ファイバと、第１薄板と、第２薄板と、第１ロウ材と、第２ロウ材とを備えて構成される。光ファイバグレーティング部は、第１薄板及び第２薄板間に第１ロウ材で融着される。第１薄板の、光ファイバグレーティング部が融着された側とは反対側の面に、第１ロウ材の融解温度より低い融解温度を持つ第２ロウ材が塗布されている。

この発明の光ファイバグレーティング歪センサは、第１薄板及び第２薄板の双方の線膨張係数が、光ファイバのクラッドの線膨張係数の３倍以内であることが好ましい。

また、この発明の光ファイバグレーティング歪センサは、第１薄板及び第２薄板のいずれか一方又は双方の、光ファイバグレーティング部が融着される部分に、横断面形状がＶ字状の溝が刻まれており、光ファイバグレーティング部は、このＶ字の溝に固定されていることが好ましい。

さらに、この発明の光ファイバグレーティング歪センサの好適実施例によれば、光ファイバグレーティング部は金属薄膜でコーティングされるのが良い。

上述した目的を達成するために、この発明の、コア及びクラッドのいずれか一方又は双方に周期的屈折率分布構造が形成された光ファイバグレーティング部を備えた光ファイバと、第１薄板と、第２薄板と、第１ロウ材と、第２ロウ材とを備えて構成される、光ファイバグレーティング歪センサの製造方法は、以下の工程を含んでいる。（ａ）工程では、コア及びクラッドのいずれか一方又は双方に周期的屈折率分布構造が形成された光ファイバグレーティング部を備えた光ファイバを用意する。（ｂ）工程では、光ファイバグレーティング部を、第１薄板及び第２薄板間に第１ロウ材を介して挟み込んで融着する。（ｃ）工程では、第１薄板の、光ファイバグレーティング部が融着された側とは反対側の面に、第１ロウ材よりも融解温度が低い第２ロウ材を塗布する。

この発明の光ファイバグレーティング歪センサの製造方法の実施にあたり、（ｂ）工程は、以下の工程を含むのが好ましい。（ｂ１）工程では、第１薄板及び第２薄板のいずれか一方又は双方の、光ファイバグレーティング部が挟み込まれる部分に、横断面形状がＶ字状の溝を刻む。（ｂ２）工程では、第１薄板及び第２薄板の双方の、光ファイバグレーティング部と接する側の面に第１ロウ材を塗布する。（ｂ３）工程では、第１薄板及び第２薄板の双方の、第１ロウ材を塗布した面を内側にして、光ファイバグレーティング部を挟み込む。（ｂ４）工程では、第１薄板、第２薄板、及び光ファイバグレーティング部を、第１ロウ材の融解温度より高い温度で加熱して、第１薄板、第２薄板、及び光ファイバグレーティング部を、第１ロウ材で、互いに融着する。

また、この発明の光ファイバグレーティング歪センサの製造方法の好適実施例によれば、（ａ）工程は、以下の工程を含むのが良い。（ａ１）工程では、光ファイバを用意する。（ａ２）工程では、光ファイバの被覆の一部分を除去する。（ａ３）工程では、光ファイバの被覆を除去した部分のコア及びクラッドのいずれか一方又は双方に周期的屈折率分布構造を有する光ファイバグレーティング部を設ける。（ａ４）工程では、光ファイバグレーティング部を金属被膜でコーティングする。

この発明の光ファイバグレーティング歪センサは、第２ロウ材の融解温度よりも高く、かつ、第１ロウ材の融解温度よりも低い温度で加熱することにより、歪測定対象物に融着させて使用する。

この発明の光ファイバグレーティング歪センサによれば、歪測定対象物に取り付けるために第２ロウ材を用いるので、有機接着剤を用いる場合に比べて取り付けの所要時間を短くすることができる。また、第２ロウ材の融解温度が、第１ロウ材の融解温度より低いため、歪センサの取り付け時に、第２ロウ材の融解温度より高く、第１ロウ材の融解温度より低い温度で加熱すれば、歪センサが分解しない。また、有機接着剤を使用しないため、有機接着剤の緩衝効果による非線形現象が発生しない。さらに、一般的に耐候性に欠けるといわれる有機接着剤を使用する場合に比べて、耐候性に優れる。

この発明の光ファイバグレーティング歪センサによれば、第１薄板及び第２薄板の双方の線膨張係数を、光ファイバのクラッドの線膨張係数の３倍以内にすることで、センサの組立若しくは取り付けの時、又は測定時に温度変化が生じても、線膨張係数の差が小さいので、センサ自体の歪も小さい。

この発明の光ファイバグレーティング歪センサによれば、光ファイバグレーティング部が薄板に刻まれた横断面形状がＶ字状の溝に固定されているので、光ファイバグレーティング部の任意の横断面を考えた場合、必ず薄板と２点で接している。このため、薄板に対するセンサの位置が正確に位置決めされている。

この発明の光ファイバグレーティング歪センサによれば、被覆が除去されている光ファイバグレーティング部を金属薄膜でコーティングすることで、ポリイミドでのコーティングに比べて薄い膜厚でも、ポリイミドコーティングの場合と同等の機械強度を保つことができ、そのため、光ファイバグレーティング部での歪伝達特性を高くすることができる。

この発明の光ファイバグレーティング歪センサの製造方法によれば、歪測定対象物に取り付けるために第２ロウ材を用いるので、有機接着剤を用いる場合に比べて取り付けの所要時間が短い光ファイバグレーティング歪センサを提供することができる。また、この方法で製造された光ファイバグレーティング歪センサによると、第２ロウ材の融解温度が、第１ロウ材の融解温度より低いため、センサの取り付け時に、第２ロウ材の融解温度より高く、第１ロウ材の融解温度より低い温度で加熱すれば、センサが分解しない。また、有機接着剤を使用しないため、接着剤の緩衝効果による非線形現象が発生せず、さらに、耐候性に優れる光ファイバグレーティング歪センサを提供することができる。

この発明の光ファイバグレーティング歪センサの製造方法によれば、光ファイバグレーティング部を薄板に刻まれた横断面形状がＶ字状の溝に固定することで、光ファイバグレーティング部の任意の断面を考えた場合、必ず薄板と２点で接するようになる。このため、センサの位置が正確に決めることが可能な光ファイバグレーティング歪センサを提供することができる。

この発明の光ファイバグレーティング歪センサの製造方法によれば、光ファイバグレーティング部のクラッドの外周を金属薄膜でコーティングすることで、ポリイミドコーティングに比べて薄い膜厚でも、ポリイミドコーティングの場合と同等の機械強度を保つことができ、そのため、光ファイバグレーティング部での歪伝達特性を高くすることができる。

この発明の光ファイバグレーティング歪センサの製造方法によれば、歪測定対象物に取り付けるために第２ロウ材を用いるので、有機接着剤を用いる場合に比べて取り付けの所要時間を短くすることができる。また、第２ロウ材の融解温度が、第１ロウ材の融解温度より低いため、センサの取り付け時に、第２ロウ材の融解温度より高く、第１ロウ材の融解温度より低い温度で加熱すれば、センサが分解しない。

以下、図を参照して、この発明の光ファイバグレーティング歪センサ及びその製造方法の実施形態について説明するが、構成および配置関係についてはこの発明が理解できる程度に概略的に示したものに過ぎない。また、以下、この発明の好適な構成例につき説明するが、各構成の組成（材質）および数値的条件などは、単なる好適例にすぎない。従って、この発明は以下の実施の形態に限定されない。

図１はこの発明の光ファイバグレーティング歪センサ１０の構成を説明するための概略図である。光ファイバグレーティング歪センサ１０は、光ファイバグレーティング部２１を備えた光ファイバ２０と、第１薄板３０と、第２薄板３２と、第１ロウ材及び第２ロウ材（いずれも、図1中では図示しない）とを備えて構成される。

図２を参照して、光ファイバグレーティング部２１への周期的屈折率分布構造の形成方法について説明する。図２（Ａ）〜（Ｄ）は、光ファイバグレーティング部２１への周期的屈折率分布構造の形成方法を説明するための工程図である。

光ファイバグレーティング歪センサに用いられる光ファイバとして、被覆部分を含む外径が約２００μｍのシングルモード石英ガラス光ファイバ２０を用意する。標準的なシングルモード石英ガラス光ファイバを用いた場合は、コア２５の外径は約１０μｍで、クラッド２６の外径は１２５μｍ程度である（図２（Ａ）参照。）。

この光ファイバの被覆２４の一部を光ファイバの軸に沿って１５〜２０ｍｍの長さで除去する。光ファイバの被覆２４が除去されてクラッド２６が露出した部分を光ファイバグレーティング部２１とする（図２（Ｂ）参照。）。この被覆２４が除去される部分の軸方向の長さは、光ファイバグレーティング歪センサの大きさ、及び、反射光の強度の設定に依存する。

被覆が除去されて露出した部分のコア及びクラッドのいずれか一方又は双方に周期的屈折率分布構造２２を形成する。尚、以下の構成例ではコア２５に周期的屈折率分布構造２２を形成する例につき説明する（図２（Ｃ）参照。）。

周期的屈折率分布構造２２の形成方法には、周知の通り、例えば、紫外線照射による方法がある。周期的屈折率分布構造２２を形成するために、ゲルマニウム添加石英ガラスのコアを用いて形成された光ファイバを用いる。この光ファイバに、回折格子上から紫外線を照射し、回折格子を介して干渉縞を書き込む。なお、周期的屈折率分布構造２２の形成方法は、この方法に何ら限られるものではない。

光ファイバグレーティング部２１及び光ファイバグレーティング部２１の近傍の被覆部分をニッケルメタルコーティングする（図２（Ｄ）参照。）。コーティング方法には、周知の通り、蒸着方式または無電界ニッケルメッキ方式などがある。ニッケルメタルコーティングでは、コーティング部分である金属被膜２８の厚みが１μｍ程度であっても、１０〜１５μｍ厚程度のポリイミドコーティングと同等の機械強度を得ることができる。コーティング部分の厚みが小さいほど、光ファイバグレーティング部の歪伝達特性は高くなるので、ニッケルメタルコーティングを用いた場合、ポリイミドコーティングと同等の機械強度で、ポリイミドコーティングよりも歪伝達特性が良くなる。

図３を参照して、光ファイバグレーティング歪センサ１０の製造方法について説明する。図３（Ａ）〜（Ｄ）は、光ファイバグレーティング歪センサ１０の製造方法を説明するための工程図である。以下、光ファイバの軸、すなわち長尺方向に垂直な断面（横断面）において、コア２５、クラッド２６及び金属被膜２８を光ファイバグレーティング部２１と称することもある。

この光ファイバグレーティング部２１を、線膨張係数１．１×１０^-6／℃を持っているインバー材（Ｎｉ―Ｆｅ合金）から成る第１薄板３０と第２薄板３２で挟み込む（図３（Ａ）参照。）。インバー材の線膨張係数は、石英ガラス光ファイバの線膨張係数０．４×１０^-6／℃の３倍程度である。ここで、第１薄板３０及び第２薄板３２の材質は、線膨張係数が、光ファイバの線膨張係数に近い（光ファイバの線膨張係数の３倍以内の）金属材料であれば良く、従って、インバー材に限られない。２枚の薄板の厚さは、薄すぎると機械的強度を保てず、また、厚すぎると歪伝達特性を阻害することから１００〜５００μｍの厚みとするのが好適である。

光ファイバグレーティング部２１を挟む第１薄板３０及び第２薄板３２の、それぞれの内側の面３８及び４０、すなわち、第１薄板３０及び第２薄板３２の、光ファイバグレーティング部と接する面に、深さ９０μｍ程度の、横断面形状がＶ字状の溝３４及び３６を形成する。このＶ字状の溝は、光ファイバの長尺方向に沿って、光ファイバを嵌合して固定できるように形成される。すなわち、この溝の深さは、Ｖ字状の溝３４及び３６を合わせたときに、光ファイバグレーティング部がその内部に含まれる大きさである（図３（Ｂ）参照。）。光ファイバグレーティング部を薄板に固定する際に、Ｖ字状の溝にはまるように固定する。このようにすることにより、光ファイバグレーティング部を後述するロウ材で融着させると、光ファイバグレーティング部の外側面がＶ字状の溝の両壁面に対して線接触して薄板と接するようになる。このため、薄板に対する光ファイバグレーティング部の位置を、正確に決めることができる。なお、ここでは、Ｖ字状の溝を第１薄板３０と第２薄板３２の双方に設けたが、第１薄板３０又は第２薄板３２のどちらか一方だけに設けても良い。どちらか一方だけにＶ字状の溝を設ける場合には、Ｖ字状の溝の深さは、溝を双方に設ける場合の２倍程度必要となり、深さは例えば１８０μｍ程度となる。なお、ここでの溝の深さは、光ファイバグレーティング部２１の径、及びＶ字状の溝の形状に依存して決まるものである。また、溝の形状は、薄板に対する光ファイバグレーティング部２１の位置の精度が厳しく要求されないときは、設計に応じて、Ｖ字状以外の横断面形状も可能である。

第１薄板３０及び第２薄板３２の、光ファイバグレーティング部２１と接する面、すなわちＶ字状の溝が刻まれた面３８及び４０に、第１ロウ材５０を印刷等で塗布する。（図３（Ｃ）参照。）光ファイバグレーティング部２１を、２枚の薄板３０及び３２それぞれの、第１ロウ材５０を塗布した面３８及び４０を内側にして、挟んだ状態で加熱することによってシート状の歪センサ１０を形成する。光ファイバグレーティング部２１は、第１薄板３０及び第２薄板３２に設けられたＶ字状の溝３４及び３６に取り付けられる（図３（Ｄ）参照。）。なお、ここでは、第１ロウ材５０を第１薄板３０と第２薄板３２の双方に塗布したが、第１薄板３０及び第２薄板３２のいずれか一方だけに塗布しても良い。

図４は、光ファイバグレーティング歪センサ１０の構造を説明するための図である。図４（Ａ）は、光ファイバグレーティング歪センサ１０の概略的平面図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＡ−Ａ線に沿って取った断面の切り口を示す図である。図４（Ｃ）は、図４（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿って取った断面の切り口を示す図である。第１薄板３０の面であって、光ファイバグレーティング部２１が融着されている面３８とは反対側の面４２に、第２ロウ材５２が塗布されている。

光ファイバグレーティング歪センサ１０の取り付けは、第１薄板３０の第２ロウ材５２が塗布されている面４２を測定対象物に接するように固定しておいて、加熱することによって行う。加熱を停止すれば第２ロウ材５２は即座に硬化を始め、数十秒から数分で光ファイバグレーティング歪センサ１０の取り付けが終了する。

第１薄板３０の外面４２に塗布する第２ロウ材５２は、この薄板３０の内面に塗布した第１ロウ材５０の融解温度（第１融解温度ともいう。）より低い融解温度（第２融解温度ともいう。）を有するものとする。これにより、測定対象物に取り付ける際に、第２融解温度より高く、かつ、第１融解温度より低い温度で、加熱することで光ファイバグレーティング歪センサを分解させずに、測定対象物への取付けが可能となる。第１薄板及び第２薄板の材質として、インバー材など線膨張係数が石英ガラスと同程度の材質を薄板に選ぶことにより、光ファイバグレーティング歪センサの形成及び測定対象物への取付け時の加熱の影響で、光ファイバグレーティング歪センサ自体が歪むことを防ぐことができる。第１ロウ材５０及び第２ロウ材５２は、金‐スズ合金（ＡｕＳｎ合金）の低温はんだを用いれば良く、例えば、第１ロウ材５０として、金８０重量％及びスズ２０重量％のＡｕＳｎ合金材料を用いれば、融点は、２７８℃であり、第２ロウ材５２として、金１０重量％及びスズ９０重量％のＡｕＳｎ合金材料を用いれば、融点は、２１７℃である。このように第１ロウ材５０及び第２ロウ材を選べば、光ファイバグレーティング歪センサの製造時には、３１０℃で加熱し、また、光ファイバグレーティング歪センサの測定対象物への取り付け時には、２５０℃で加熱すれば良い。

この発明による光ファイバグレーティング歪センサの実施の形態の構成を示す概略図である。光ファイバグレーティング部の形成方法の一例を説明する工程図である。光ファイバグレーティング歪センサの製造方法の実施の形態を説明する工程図である。光ファイバグレーティング歪センサの実施の形態の構造を説明するための図である。（Ａ）は、光ファイバグレーティング歪センサの概略的平面図、（Ｂ）は、（Ａ）のＡ−Ａ線に沿って取った断面の切り口を示す図、及び、（Ｃ）は、（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿って取った断面の切り口を示す図である。

符号の説明

１０歪センサ
２０光ファイバ
２１光ファイバグレーティング部
２２周期的屈折率分布構造
２４光ファイバの被覆
２５光ファイバのコア
２６光ファイバのクラッド
２８金属被膜
３０第１薄板
３２第２薄板
３４第１薄板の光ファイバグレーティング部が融着される部分に刻まれたＶ字の溝
３６第２薄板の光ファイバグレーティング部が融着される部分に刻まれたＶ字の溝
３８第１薄板の光ファイバグレーティング部が融着される側の面
４０第２薄板の光ファイバグレーティング部が融着される側の面
４２第１薄板のＶ字の溝の無い面
５０第１ロウ材
５２第２ロウ材

Claims

コア及びクラッドのいずれか一方又は双方に周期的屈折率分布構造が形成された光ファイバグレーティング部を備えた光ファイバと、第１薄板と、第２薄板と、第１ロウ材と、第２ロウ材とを備えて構成され、
前記光ファイバグレーティング部は、前記第１薄板及び前記第２薄板間に前記第１ロウ材で融着されており、
前記第１薄板の、前記光ファイバグレーティング部が融着された側とは反対側の面に、前記第２ロウ材が塗布されており、
前記第２ロウ材の融解温度は、前記第１ロウ材の融解温度より低いことを特徴とする光ファイバグレーティング歪センサ。
前記第１薄板及び前記第２薄板の双方の線膨張係数が、光ファイバのクラッドの線膨張係数の３倍以内であることを特徴とする請求項１記載の光ファイバグレーティング歪センサ。
前記第１薄板及び前記第２薄板のいずれか一方又は双方の、前記光ファイバグレーティング部が融着される部分には、横断面形状がＶ字状の溝が刻まれており、
前記光ファイバグレーティング部は前記溝に固定されていることを特徴とする請求項１又は２記載の光ファイバグレーティング歪センサ。
前記光ファイバグレーティング部は金属薄膜でコーティングされていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光ファイバグレーティング歪センサ。
コア及びクラッドのいずれか一方又は双方に周期的屈折率分布構造が形成された光ファイバグレーティング部を備えた光ファイバと、第１薄板と、第２薄板と、第１ロウ材と、第２ロウ材とを備えて構成される光ファイバグレーティング歪センサの製造にあたり、
（ａ）光ファイバのコア及びクラッドのいずれか一方又は双方に周期的屈折率分布構造が形成された光ファイバグレーティング部を備える光ファイバを用意する工程と、
（ｂ）前記光ファイバグレーティング部を、前記第１薄板及び前記第２薄板間に前記第１ロウ材を介して挟み込んで融着する工程と、
（ｃ）前記第１薄板の、前記光ファイバグレーティング部が融着された側とは反対側の面に、前記第１ロウ材よりも融解温度が低い前記第２ロウ材を塗布する工程と
を含むことを特徴とする光ファイバグレーティング歪センサの製造方法。
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記第１薄板及び前記第２薄板のいずれか一方又は双方の、前記光ファイバグレーティング部が挟み込まれる部分に、横断面形状がＶ字状の溝を刻む工程と、
（ｂ２）前記第１薄板及び前記第２薄板の双方の、光ファイバグレーティング部と接する側の面に第１ロウ材を塗布する工程と、
（ｂ３）前記第１薄板及び前記第２薄板の双方の、前記第１ロウ材を塗布した面を内側にして、前記光ファイバグレーティング部を挟み込む工程と、
（ｂ４）前記第１薄板、前記第２薄板、及び前記光ファイバグレーティング部を、前記第１ロウ材の融解温度より高い温度で加熱して、前記第１薄板、前記第２薄板、及び前記光ファイバグレーティング部を、該第1ロウ材で、互いに融着する工程と
を含むことを特徴とする請求項５記載の光ファイバグレーティング歪センサの製造方法。
前記（ａ）工程は、
（ａ１）光ファイバを用意する工程と、
（ａ２）光ファイバの被覆の一部分を除去する工程と、
（ａ３）光ファイバの被覆を除去した部分のコア及びクラッドのいずれか一方又は双方に周期的屈折率分布構造を有する光ファイバグレーティング部を設ける工程と、
（ａ４）該光ファイバグレーティング部を金属被膜でコーティングする工程と
を含むことを特徴とする請求項５又は６記載の光ファイバグレーティング歪センサの製造方法。