JP3876604B2 - Capacitive proximity sensor - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、静電容量形近接センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
良く知られているように、静電容量形近接センサは、検出対象物と検出電極との間に発生する静電容量が、両者間の距離によって変動することを利用し、係る静電容量に基づく信号を出力することによって、検出対象物が一定の範囲内に近づいていることを検出するようになっている。
【0003】
そして、従来の静電容量形近接センサは、プレス加工して別途設けた金属板を用いて検出電極を構成したり、特開平7―29467号公報に示されたように、プリント基板に検出電極を設けたものがある。いずれの場合も、検出電極を含むセンシング部と、センシング部で検出した静電容量に基づく信号を出力する信号処理部とは、分離形成され、両者はシールドケーブルで接続されているか、金属板と基板を半田付けにより接続されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の静電容量形近接センサは、以下に示す問題があった。すなわち、検出電極を金属板で形成した場合には、センサの組み立て固定が増えるとともに、製品間での特性のばらつきが大きく、組み立て後に調整が必要不可欠となり、安価に製造することができない。さらに、プレス加工で金属板を形成し、その金属板と他の回路等とを組み付けることから、小型化が困難となる。
【0005】
また、プリント基板を設けるタイプの場合、金属板を用いるものに比べると薄型化が図れる。しかし、検出電極の裏面側(検出面と逆側)に静電容量が発生していると、その裏面側の影響により検出感度が低下してしまう。しかも、係る裏面側の静電容量が変化すると、誤検出の要因となる。
【0006】
そこで、係る問題を解決するため、検出電極の裏面側に遮蔽電極を設け、遮蔽電極の外側(検出電極との非対向面側)に発生する静電容量が、検出電極で検出されるのを抑止するようにしたものがある。そして、そのままでは、遮蔽電極やシールドケーブルと、検出電極の間に発生する静電容量が非常に大きくなる。そこで、遮蔽電極並びにシールドケーブルの双方に対し、検出電極と同位相の電流を印加し、係る遮蔽電極等との間で発生する静電容量を打ち消すようにしている。
【0007】
ところで、実際に上記した静電容量を打ち消すために同位相の電圧を印加するためには、大きな容量性負荷を駆動可能な高速アンプを用いる必要がある。すると、センサが高価なものとなってしまう。さらに、センシング部と、信号処理部とが離れているため、外来ノイズを受けやすく、また、外部に不要輻射ノイズを出射し、センサ全体が大型化するという問題を有している。
【0008】
この発明は、外来ノイズに対する安定度が高く、不要輻射ノイズが少なく、薄型化・軽量化を図りつつ、安価に構成することができる静電容量形近接センサを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明による静電容量形近接センサは、第1の絶縁部材の一方の側に形成された検出電極と、前記第1の絶縁部材の他方の面に、前記検出電極と対向するように形成された遮蔽電極と、第2の絶縁部材を介して、前記遮蔽電極と対向するように配置された接地電極とを備えた基板を有し、前記検出電極と前記遮蔽電極に対し、同位相の電流を供給するための増幅回路と、前記検出電極と物体との間の静電容量の変化に応じて発振状態が変化する発振回路を含む信号処理回路を前記基板に一体に形成し、前記信号処理回路は、第3の絶縁部材を介して前記接地電極と対向する位置に形成するように構成した。「発振状態の変化」は、発振周波数の変化や、発振振幅の変化等がある。
【0010】
検出電極は、主電極という用語を用いて表現することができる。この場合に、遮蔽電極は、補助電極という用語を用いて表現することができる。絶縁部材は、各種の材質のものを適用することができるが、例えば、エポキシ基板や、フレキシブル基板などを用いることもできる。エポキシ基板の場合には、一般のプリント基板(プリント配線板)に用いられるもので、多層プリント基板の製造プロセスを用いて、本発明の静電容量形近接センサを容易に製造することができる。また、フレキシブル基板を用いた場合には、可撓性を有し湾曲させることができるので、取り付け面が曲面その他の平坦でない場合に、その取り付け面の形状に沿って密着させることができる。もちろん、上記例示した2つのもの以外にも各種の絶縁部材を用いることができる。
【0011】
また、本発明で言うところの「基板」とは、板状のものをさし、各電極や信号処理回路が1つの基板として一体的に形成されていることを特定するために用いている。従って、硬さは問わず、可撓性を有し湾曲などの変形するものでも良い。従って、「○○基板」や、「○○板」等と称されるものはもちろんのこと、「シート」,「フィルム」等と称されるものも、本発明で言う「基板」に含まれる。
【0012】
さらに、検出電極と、遮蔽電極及び接地電極の寸法形状の関係であるが、好ましくは、検出電極よりも、遮蔽電極及び接地電極の方を大きくすることである。但し、本発明は必ずしも大きくする必要はなく、同一形状でも良いし、大小関係を逆にしてもよい。
【0013】
この発明によると、検出電極と遮蔽電極との間で、検出電極の裏面側(遮蔽電極側)に発生する静電容量の影響を抑制し、検出電極と物体間の静電容量により発振状態が決定されるようになる。さらに、接地電極を設けることにより、検出電極の裏面側の電界の影響を無くし、ノイズに強くなる。
【0014】
さらに、信号処理回路も1つの基板に一体的に形成したので、従来必要不可欠であったシールド線も不要となり、外来ノイズの影響,外部への不要輻射の放射が可及的に抑制できる。しかも、増幅回路も、高価な高速アンプを用いる必要が無く、安価にセンサを構成できる。また、一体に形成するため、小型化・薄型化が図れるばかりでなく、組み立てばらつきも小さく、製造後の調整をすることなく所望の精度・特性が得られる。もちろん、調整してより良くすることはかまわない。
【0015】
この発明によれば、前記信号処理回路は、第3の絶縁部材を介して前記接地電極と対向する位置に形成されるように構成したため、3枚の電極並びに信号処理回路が積層配置されることになり、センサの占有面積が小さくなる。また、信号処理回路で発生するノイズその他も、接地電極によりカットされ、検出電極側に伝わらない。
【0016】
もっとも、このように4層構造にする必要はなく、例えば、3つの電極を積層した3層構造とし、任意の電極を設けた絶縁部材上に、信号処理回路を構成するようにしても良い。
【0017】
また、上記した各発明において、信号処理回路を複数層で形成するのも妨げない。さらに、上記した各発明において、電極並び信号処理回路を設けた基板に対し、さらに別の層を一体的に形成することも問わない。
【0018】
さらに好ましい一実施態様によれば、前記遮蔽電極と、前記増幅回路の出力端子の間に、コンデンサを設けるようにすることである。ここでいう「コンデンサ」は、実施の形態では「減結合コンデンサC4」に対応する。遮蔽電極における静電容量が大きくなると、例えば増幅回路で十分な増幅作用が得られず、発振回路の発振が停止するおそれがある。そこで、係るコンデンサを設け、遮蔽電極と増幅回路の結合度合いを減少させ、遮蔽電極に基づく静電容量が増幅回路に与える影響を少なくする。
【0019】
これにより、遮蔽電極における静電容量を大きくしても、物体が近接したことを検出することが可能となる。つまり、検出電極と、遮蔽電極の距離を短くし、高価な高速アンプを用いることなく薄型化を図ることができる。また、遮蔽電極の面積を大きくすることも可能である。
【0020】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明に係る静電容量型近接センサの第1の実施の形態を示している。同図に示すように、本形態では4層のプリント基板10を用い、センシング部と信号処理部を一体に形成している。
【0021】
すなわち、3枚の絶縁体11により仕切られた4層のプリント配線パターンを、物体検知領域に対向する表面側から順に、第1層,第2層,第3層,第4層のパターンと称すると、第1層のパターンが検出電極12aとなり、第2層のパターンが遮蔽電極12bとなり、第3層のパターンが接地電極12cとなり、第4層のパターンが信号処理用配線12dをそれぞれ構成する。そして、それら検出電極12a,遮蔽電極12b,接地電極12c並びに信号処理用配線12dは、層状に重なるよう配置される。なお、図示省略するが、プリント基板10の表面はコーティングされ、絶縁処理されている。つまり、検出電極12aが露出することを防止している。
【0022】
さらに、同図(b)に示すように、検出電極12a,遮蔽電極12b並びに接地電極12cは、ともに矩形状に形成され、検出電極12aのみ一回り小さく設定されている。これにより、検出電極12aは、裏面側(検知領域と反対側)が遮蔽電極12bと接地電極12cにより完全に覆われた状態となる。そして、遮蔽電極12bと検出電極12aは、同位相の電流が印加されるように構成され、両電極12a,12b間は、常に一定の電位に保たれ、交流的に見ると両者間に発生する静電容量は無視できる。
【0023】
また、遮蔽電極12bのさらに裏面側(検出電極12aと非対向面側)に、接地電極12cを設けているので、その接地電極12cの裏面側で発生する静電容量は、その接地電極12cで吸収(接地)される。従って、係る裏面側で発生する静電容量は検出電極12aには検出されない。また、外来ノイズの影響もカットされる。よって、検出電極12aは、その裏面側は遮蔽電極12b,接地電極12cを積層配置することにより、裏面側に発生する電界の影響を受けなくなり、表面側に存在する物体との間の静電容量を精度良く検知することができるようになる。
【0024】
さらに、プリント基板10の他方の表面(検出電極12aと反対側の面)には、電子部品14が実装され、その電子部品14と信号処理用配線12dとにより、信号処理回路が構成される。
【0025】
そして、この信号処理回路と、各検出電極12aにより、例えば図2に示すような検出回路が構成される。同図に示すように、検出電極12aを含む発振回路(CR発振回路)15を備え、この発振回路15は、検出電極12aと接地端間に生じる静電容量や、発振回路15の回路定数等によって決定される発振周波数で発振する。このとき、検出電極12aと接地端間に生じる静電容量は、検出電極12aの表面側(検出面側)に物体が存在しないときは小さく、物体の近接によって大きくなる。このように静電容量が変化することにより、発振周波数も変動する。
【0026】
この発振回路15の出力信号が、次段の周波数弁別部16に与えられ、その周波数弁別部16により、出力信号の状態を弁別する。つまり、出力信号の発振周波数がしきい値以上か否かが判断される。これにより、検出電極12aに対して一定の距離Xより近づいた(接近した)物体を検出する場合に、係る距離Xだけ離れた位置に物体が存在した場合の発振回路15の発振周波数を周波数弁別部16におけるしきい値に設定すると、物体が近接したか否かの判断が行えることになる。そして、この周波数弁別部16の出力(弁別結果)が、出力回路17に与えられる。
【0027】
出力回路17は、周波数弁別部16の弁別状態に従い、外部の機器または回路を制御するものである。つまり、近接したか否かの結果を外部にわかる(利用できる)信号に変換して出力する。
【0028】
そして、上記した発振回路15,周波数弁別部16並びに出力回路17にて、信号処理回路が構成されている。なお、係る回路の基本的な構成は従来と同様であるので、その詳細な説明を省略する。また、発振回路15は、検出電極に発生する静電容量値の変化によって発振周波数が変化するものであれば、CR発振回路に限ることは無く、例えば、LC発振回路のように、CR発振回路以外の発振回路でもかまわない。また、周波数弁別部16における発振周波数計測は、発振周期や発振パルス幅を計測することで代用することもできる。
【0029】
一方、上記した検出電極12aを含む発振回路15の具体的な回路構成の一例を示すと、図3のようになる。同図に示すように、検出電極12aは、トランジスタQ1のベースに接続され、高インピーダンスとなる。トランジスタQ1,Q2は増幅器を構成しており、その出力の一部が、抵抗R2,静電容量C2を含む帰還回路により帰還されている。この発振回路は物体の近接によって検出電極12aと接地端間の静電容量C2が大きくなると、発振回路15のループ利得が増大し、発振振幅が大きくなると同時に、検出物体が接近するに従い、発振周波数が低下する。
【0030】
そして、検出物体がない場合に検出電極12aで発生する静電容量の大きさによっては、発振が停止することもある。そこで、抵抗R5を小さくして、トランジスタQ2の電流増幅度が大きくなるようにすることにより、検出物体の有無にかかわらず、常時発振させるように設定できる。よって、検出物体までの距離変化を発振周波数変化に変換することができ、上記した図2に示すブロック図を実現できる。また、このときの検出物体までの距離と発振周波数との関係は、図4に示すようになる。このように、発振周波数が変化するように構成すると、発振回路の増幅度調整範囲を広く取ることができ、製造上の調整工程を簡素化できるという利点がある。
【0031】
もちろん、上記のような抵抗R5の設定は必須ではなく、検出物体がないときに発振が停止するようになっていても良い。その場合には、発振の有無、或いは一定以上の発振周波数のときに近接したと判断するようになる。
【0032】
また、遮蔽電極12bには、トランジスタQ1により、検出電極12aと同位相の電流が印加されており、トランジスタQ1の電流増幅度が十分であると、検出電極12aと遮蔽電極12bとの間は、常に一定の電位に保たれ、交流的に見ると、検出電極12aと遮蔽電極12bとの間の静電容量は無視できる。なお、本形態では、遮蔽電極12bに検出電極12aと同位相の電流を印加するための増幅器は、トランジスタQ1を用いているが、本発明はこれに限ることは無く、演算増幅器等も使用可能である。
【0033】
さらに、遮蔽電極12bは、トランジスタQ1のエミッタに接続されており、出力インピーダンスが小さいので、遮蔽電極12bと接地端間の静電容量C1の影響を小さく抑えることができる。
【0034】
そして、上記した発振回路その他の信号処理回路を構成するように、各電極12a〜12c並びに電子部品14を結線する。係る結線は、プリント基板10に形成した配線パターンやスルーホールなどによって構成される。
【0035】
上記した実施の形態では、発振周波数に基づいて物体の近接の有無を判断するようにしたが、本発明はこれ限ることは無く、例えば、発振回路〜出力される出力信号の振幅に基づいて近接の弁別をするようにしても良い。
【0036】
すなわち、図5に示すように、検出電極12aを含む発振回路(CR発振回路)15の出力を検波回路18に与える。発振回路15は、上記したように検出電極12aと接地端間の静電容量値に応じて発振周波数が変化するとともに、振幅も変化する。そこで、検波回路18は発振回路15の発振振幅に応じた直流電圧に変換し、次段の電圧弁別部19に与える。
【0037】
電圧弁別部19は、検波回路18から与えられる直流電圧と、所定のしきい値を比較して、状態を弁別する。つまり、出力信号の発振振幅に対応する直流電圧がしきい値以上か否かが判断される。これにより、検出電極12aに対して一定の距離Xより近づいた(接近した)物体を検出する場合に、係る距離Xだけ離れた位置に物体が存在した場合の検波回路18の出力電圧を電圧弁別部19におけるしきい値に設定すると、物体が近接したか否かの判断が行えることになる。そして、この電圧弁別部19の出力(弁別結果)が、出力回路17に与えられる。
【0038】
出力回路17は、電圧弁別部18の弁別状態に従い、外部の機器または回路を制御するものである。つまり、近接したか否かの結果を外部にわかる(利用できる)信号に変換して出力する。
【0039】
係る振幅変化に基づいて近接を検出するタイプにおける発振回路15としても、回路構成は図3と同様にすることができる。そして、この図3に示す回路において、抵抗R5を大きくして、トランジスタQ2の電流増幅度を小さくする。すると、検出物体が接近するにつれて、発振振幅の変化を大きく取り出すことができ、検出精度が上がる。さらに、この場合の検出物体までの距離と発振振幅との関係は、図6に示すようになる。このように、静電容量C2の変化に伴い発振振幅が変化するような発振回路にしておくと、発振回路の消費電流を小さくでき、外来ノイズに対する安定性を高めることができる。
【0040】
本形態によれば、検出方式を何れの手法をとったとしても、プリント基板を用いてセンサ部と信号処理回路を一体に形成したため、薄型化が図れる。しかも、4層のプリント基板10を用い、検出電極12a,遮蔽電極12b,接地電極12c並びに信号処理用配線12dが、積層方向に重なるように配置したため、平面形状も小さくなり、小型化・薄型化を図ることができる。
【0041】
図7は、本発明の第2の実施の形態を示している。本実施の形態では、第1の実施の形態を基本として、トランジスタQ1と遮蔽電極12b(C1)との間に減結合コンデンサC3を挿入するようにしている。すなわち、遮蔽電極12bはトランジスタQ1の出力負荷容量となる。従って、あまり大きすぎると、Q1の増幅作用が十分に得られなくなって発振が停止してしまい、検出電極12aが検出物体を検知することが困難になる。従って、例えば検出電極12aと遮蔽電極12bとの距離を短くしたり、遮蔽電極12bの大きさを大きくすることが難しい。
【0042】
そこで、本形態では、減結合コンデンサC3を直列に挿入することにより、トランジスタQ1と遮蔽電極12bとの結合度を小さくする。よって、遮蔽電極12bに比較的大きな静電容量が発生していても、発振出力が得られる。その結果、検出電極12aと遮蔽電極12bの距離を短くし、さらになる薄型化を図ることができる。もちろん、遮蔽電極12bの面積を大きくし、大型のセンサを大幅にコストを増大させることなく形成することができる。
【0043】
なお、上記した各実施の形態において、絶縁体11は、例えば通常のプリント基板で用いられるエポキシ基板により構成することができる。また、可撓性を有するフレキシブル基板でもよい。特に、フレキシブル基板を用いると、取り付け面にあわせて湾曲させて密着させることができる。よって、例えばパイプの中の液面の高さを検出する場合に、パイプの外周部にフレキシブルタイプの静電容量形センサを貼り付けることができ、測定対象物(液体)との距離を近くして、高感度に検出することができる。
【0044】
また、上記した実施の形態では、4層のプリント基板を用いて構成したが、本発明はこれに限ることは無く、3層のプリント基板を用いて構成することもできる。すなわち、第1層から第3層までは、上記した実施の形態と同様に検出電極,遮蔽電極,接地電極の順に、それぞれが重なるようにして配置する。そして、それら3つの層のいずれかの層に、信号処理用配線をパターン形成する。
【0045】
係る構成をとると、平面寸法形状が信号処理用配線を設ける分だけ大きくなるものの、3層プリント基板で済むため、設計並びに製造が容易になり、しかも、さらなる薄型化が図れる。従って、薄さと、平面積(占有面積)の小ささのいずれを優先するかなどの仕様に応じて適宜変更実施すると良い。
【0046】
次に、上記した静電容量形近接センサの具体的な適用例を説明する。まず、図8,図9は、清涼飲料水等の自動販売機に適用した例を示している。すなわち、自動販売機21は、その前面上方部に商品投入口22が設けられ、その商品投入口22から投入された商品24が通路に沿って下降移動して商品収納庫23に貯留される。そして、図省略のコイン投入口から所定の金額分の硬貨が投入された後、商品選択ボタンが押下されると、自動販売機21の下方に設置された排出口25から商品が排出されるようになっている。
【0047】
この種の自動販売機では、商品収納庫23に商品24が無くなると、商品選択ボタンに「売り切れ」などの警告が点灯されるようになっている。そして、所定のタイミングでその売り切れになった商品を補充すると、再度販売可能となる。しかし、商品収納庫23に補充した個数が計数できないため、現在各商品がそれぞれ収納庫に何個残っており、何時頃売り切れになるかの予測をすることはできなかった。これは、従来の近接センサなどでは、肉厚が厚く、自動販売機21内に設置スペースを確保することが困難であったためである。
【0048】
そこで、図9に示すように、商品投入口22に続く経路に、本発明に係る静電容量形近接センサ26を配置し、通過する商品24を検出することにより、商品収納庫23へ転がり落ちる商品24の個数を計数する。一方、販売されて商品収納庫23から排出された商品の個数も検出できる。従って、それら2つの情報から各商品収納庫23に残っている商品24の在庫数を求めることができる。さらに、そのように在庫数を求めることにより、たとえば、係る在庫数が一定の数量以下になった場合に、所定の通信回線を用いて自動販売機21と離れた位置に設置された配送センタその他の管理局等に連絡すると、売り切れになる前に商品の供給を行うことができる。
【0049】
本発明の静電容量形近接センサによれば、センサ部と信号処理部とが1枚の基板で構成されているので、非常に薄く、図示するような商品投入口付近の通路に設置することができる。さらに、静電容量形であるので、対象商品の材質が金属以外のガラス瓶やプラスチックなどの商品用の自動販売機に対しても適用できるので好ましい。
【0050】
また、図10は、自動販売機等に用いる硬貨収納部30に本発明に係る静電容量形センサを含むセンサユニット31を取り付け、その硬貨収納部30に貯留されている硬貨32の有無を検出するようにしている。
【0051】
すなわち、このセンサユニット31は、図11に示すように、1枚のプリント基板33上に、4つのセンサ(図では、4つの検出電極12aを示しており、その後ろ側に各電極並びに信号処理部が配置される)を並列配置し、各センサの出力端子をコード34を介してコネクタ35に接続する。また、プリント基板33は、直方体状のケース36内に収納された構造をとっている。
【0052】
硬貨収納部30は、硬貨32の形に沿って曲面形状(筒状)をしているので、センサの取り付け面となる硬貨収納部30の下方の外側面に面取り部30aを設け、平坦面としている。そして、この面取り部30aにセンサユニット31のケース36を面接触させて取り付ける。この時、ケース36内のプリント基板33に設けた検出電極12aは、それぞれ面取り部30aに対向するように調整されている。そして、検出システム上位への配線が、コネクタ35付きのコード34により、接続できるようにしている。
【0053】
これにより、面取り部30aの裏側に硬貨32が存在している場合には、その硬貨32と、対向する検出電極12a間の静電容量が大きくなり、硬貨が近接、つまり硬貨が所定量以上残っていると判断できる。そして、硬貨が無くなると、係る静電容量が小さくなり、釣銭切れを知らせることができる。
【0054】
この適用例においても、本発明の静電容量形センサは、肉薄にできるので、このセンサユニットを取り付けた硬貨収納部を実装する自動販売機の厚さも薄くできる。
【0055】
なお、面取り部30aは、センサユニット31の取り付けの容易性を図るとともに、検出電極12aと硬貨との距離を接近させるための効果も図るために設けている。従って、必ずしも面取り部を設ける必要はない。
【0056】
上記した適用例では、4つの検出電極(センサ)を1枚のプリント基板に一体に形成した例を示したが、各センサを1枚ずつ形成し、取り付けてももちろん良い。また、各電極を分離するための絶縁体としてエポキシ基板を設けたため、センサ全体も平板状となったが、例えば、絶縁体としてフレキシブル基板を用いることにより、硬貨収納部30の形状に合わせて湾曲させて取り付けるようにしてもよい。
【0057】
図12は、別の利用形態を示している。すなわち、メダル遊技機本体41の前面の裏側に、遊技媒体(メダル)の補給機42を取り付けた例を示している。この補給機42は、上方空間がメダルを貯留しておくホッパー42aとなり、メダル遊技機において入賞すると、その賞品としてホッパー42a内に貯留されたメダルから、所定枚数分だけ排出されるようになっている。つまり、補給機42の下方に設けたモータ42bが回転することにより、搬送機構42cが回転動作し、ホッパー42a内のメダルを搬送し、排出口42dからメダルを1枚ずつ排出する。そして、その排出口42dから排出されたメダル44は、搬出通路45内を通ってメダル遊技機本体41の前面下方に設置された受け皿46内に至るようになっている。
【0058】
ところで、補給機42のホッパー42a内には、ある程度の量のメダルを貯留しておく必要があるものの、必要以上に多く貯留されるとそこで詰まってしまう。そこで、ホッパー42a内のメダルあふれ(オーバーフロー)を防止するため、本例ではホッパー42aの天面に、本発明の静電容量形近接センサ47を取り付けた。これにより、ホッパー42a内にメダルが貯留され続けると、貯留されたメダルの上面位置が上昇し、ホッパー42aの天面に近づく。そこで、そのメダルの上面が近接したことを静電容量形近接センサ47により検出することにより、ホッパー42a内への新たなメダルの供給を停止する。
【0059】
また、上記のようにメダルの排出に伴いポッパー42a内に貯留されるメダルの上面位置が低下すると、それを静電容量形近接センサ47で検出(近接する物体がないことを検出)し、それを受けてホッパー42a内への新たなメダルの供給を開始するように制御できる。
【0060】
なお、静電容量形近接センサ47の設置位置は、上記したように天面にするものに限ることは無く、例えば図12中二点鎖線で示すように、側面上方に設置することもできる。さらに、それらとは別にホッパー42aの下方位置にも設け、その下方位置に設けた静電容量形近接センサでメダルを検出できなくなった時にポッパー内へのメダルの供給を開始するようにすることもできる。いずれの場合も、センサが1枚の基板で構成されており、小型で薄型なものであるので、設置に場所を取らず、複数個設置することも可能となる。
【0061】
図13,図14は、さらに別の適用例を示している。本形態は、タンク50内に貯留されている液体51の液面51aを検出するものである。すなわち、タンク50の上下位置に連通するバイパス管52を設ける。これにより、バイパス管52内にも液体51が流入し、バイパス管52内の液体51の液面51aは、タンク50内の液面と等しくなる。従って、バイパス管52内の液面を検知すべく、そのバイパス管52の外側面所定位置に、本発明の静電容量形近接センサ53を取り付けた。
【0062】
この時、ここで利用する静電容量形近接センサ53は、絶縁体としてフレキシブル基板を用いているので、センサ取り付け面であるバイパス管52の外周面に沿って密着させることができる。これにより、測定対象物(液体)との距離を近くすることができ、高感度に検出することができる。
【0063】
なお、静電容量形近接センサ53は、上下に配置された結束バンド54,すべり止めチューブ55により、所望の高さ位置に固定される。また、符合53aは、静電容量形近接センサ53に対して電源供給する電源コードである。
【0064】
また、この図示の例では、静電容量形近接センサを1個設け、液面が所定の位置に有るか否かを判断するものに適用した例を説明したが、例えば図15に示すように、バイパス管52に対し、2個の静電容量形近接センサ53′,53″を上下に所定の間隔をおいて取り付け、「所望の液面にある(静電容量形近接センサ53″のみON)」,「所望の液面より高い(2つの静電容量形近接センサ53′,53″がON)」,「所望の液面より低い(2つの静電容量形近接センサ53′,53″がOFF)」の3つの状態を弁別することもできる。
なお、本発明に係る静電容量形近接センサは、上記した利用形態に限ることなく、各種の分野において近接センサとして適用できるのはもちろんである。
【0065】
【発明の効果】
以上のように、この発明では、検出電極,遮蔽電極並びに接地電極をその順で層状に配置して1つの基板で構成し、さらに信号処理回路もその基板上に配置したため、センサが1つの基板で構成することができ、外来ノイズに対する安定度が高く、不要輻射ノイズが少なく、薄型化・軽量化を図りつつ、安価に構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る静電容量形近接センサの好適な第1の実施の形態を示す外観図である。
【図2】本発明に係る静電容量形近接センサの好適な第1の実施の形態を示すブロック図である。
【図3】電極と発振回路を示す回路図である。
【図4】図3に示すセンサにおける検出物体までの距離と発振周波数の関係を示すグラフである。
【図5】本発明に係る静電容量形近接センサの好適な第1の実施の形態の別の例を示すブロック図である。
【図6】図5に示すセンサにおける検出物体までの距離と発振周波数の関係を示すグラフである。
【図7】本発明に係る静電容量形近接センサの好適な第2の実施の形態の要部を示す電極と発振回路を示す回路図である。
【図8】本発明の静電容量形近接センサを自動販売機に適用した例を示す図である。
【図9】本発明の静電容量形近接センサを自動販売機に適用した例を示す図である。
【図10】本発明の静電容量形近接センサを自動販売機に適用した例を示す図である。
【図11】本発明の静電容量形近接センサを自動販売機に適用した例を示す図である。
【図12】本発明の静電容量形近接センサをメダル遊技機に適用した例を示す図である。
【図13】本発明の静電容量形近接センサを液面検出システムに適用した例を示す図である。
【図14】本発明の静電容量形近接センサを液面検出システムに適用した例を示す図である。
【図15】本発明の静電容量形近接センサを液面検出システムに適用した例を示す図である。
【符号の説明】
10 プリント基板
11 絶縁体(第1〜第3の絶縁部材)
12a 検出電極
12b 遮蔽電極
12c 接地電極
12d 信号処理用配線
14 電子部品
15 発振回路
16 周波数弁別部
17 出力回路
18 検波回路
19 電圧弁別部
26 静電容量形近接センサ
31 センサユニット
47 静電容量形近接センサ
53,53′,53″ 静電容量形近接センサ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a capacitive proximity sensor.
[0002]
[Prior art]
As is well known, a capacitance-type proximity sensor uses the fact that the capacitance generated between a detection object and a detection electrode varies depending on the distance between the two, so that the capacitance By outputting a signal based on this, it is detected that the detection object is approaching within a certain range.
[0003]
In the conventional capacitive proximity sensor, the detection electrode is configured by using a metal plate separately formed by pressing, or the detection electrode is formed on a printed circuit board as disclosed in JP-A-7-29467. There is something that provided. In either case, the sensing unit including the detection electrode and the signal processing unit that outputs a signal based on the capacitance detected by the sensing unit are separately formed and both are connected by a shielded cable or a metal plate The boards are connected by soldering.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the above-described conventional capacitive proximity sensor has the following problems. That is, when the detection electrode is formed of a metal plate, the assembly and fixing of the sensor are increased, and the variation in characteristics between products is large, so that adjustment after assembly is indispensable and cannot be manufactured at low cost. Furthermore, since a metal plate is formed by press working and the metal plate and other circuits are assembled, miniaturization becomes difficult.
[0005]
Further, in the case of a type in which a printed board is provided, the thickness can be reduced as compared with a type using a metal plate. However, if a capacitance is generated on the back side of the detection electrode (opposite to the detection surface), the detection sensitivity is lowered due to the influence of the back side. In addition, if the capacitance on the back side changes, it becomes a cause of erroneous detection.
[0006]
Therefore, in order to solve such a problem, a shield electrode is provided on the back surface side of the detection electrode, and the capacitance generated on the outside of the shield electrode (on the surface not facing the detection electrode) is detected by the detection electrode. There is something that has been made to deter. As it is, the capacitance generated between the shield electrode or shield cable and the detection electrode becomes very large. Therefore, a current having the same phase as that of the detection electrode is applied to both the shield electrode and the shield cable so as to cancel the capacitance generated between the shield electrode and the like.
[0007]
By the way, in order to actually apply the voltage of the same phase in order to cancel the above-described capacitance, it is necessary to use a high-speed amplifier capable of driving a large capacitive load. Then, the sensor becomes expensive. Further, since the sensing unit and the signal processing unit are separated from each other, there is a problem that external noise is easily received, and unnecessary radiation noise is emitted to the outside, and the entire sensor is increased in size.
[0008]
It is an object of the present invention to provide a capacitive proximity sensor that is highly stable against external noise, has little unwanted radiation noise, and can be configured at low cost while being thin and light.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The capacitance type proximity sensor according to the present invention is formed on one side of the first insulating member and on the other surface of the first insulating member so as to face the detection electrode. A substrate having a shield electrode and a ground electrode disposed so as to face the shield electrode with a second insulating member interposed therebetween, and current in phase with respect to the detection electrode and the shield electrode A signal processing circuit is integrally formed on the substrate, including an amplifier circuit for supplying a voltage and an oscillation circuit whose oscillation state changes in response to a change in capacitance between the detection electrode and the object The signal processing circuit is formed at a position facing the ground electrode via a third insulating member. “Change in oscillation state” includes a change in oscillation frequency, a change in oscillation amplitude, and the like.
[0010]
The detection electrode can be expressed using the term main electrode. In this case, the shielding electrode can be expressed using the term auxiliary electrode. As the insulating member, various materials can be used. For example, an epoxy substrate, a flexible substrate, or the like can be used. In the case of an epoxy substrate, it is used for a general printed circuit board (printed wiring board), and the capacitive proximity sensor of the present invention can be easily manufactured using a manufacturing process of a multilayer printed circuit board. Further, when a flexible substrate is used, the flexible substrate can be curved and flexible, so that when the mounting surface is not curved or otherwise flat, it can be closely attached along the shape of the mounting surface. Of course, various insulating members other than the two exemplified above can be used.
[0011]
The “substrate” referred to in the present invention means a plate-like material, and is used to specify that each electrode and signal processing circuit are integrally formed as one substrate. Therefore, it may be flexible and deformed, such as curved, regardless of hardness. Accordingly, not only “XX substrate”, “XX plate”, etc., but also “sheet”, “film”, etc. are also included in the “substrate” in the present invention. .
[0012]
Further, the relationship between the size of the detection electrode and the shielding electrode and the ground electrode is preferably set such that the shielding electrode and the ground electrode are larger than the detection electrode. However, the present invention does not necessarily need to be enlarged, the same shape may be used, and the magnitude relationship may be reversed.
[0013]
According to the present invention, the influence of the electrostatic capacitance generated on the back surface side (shielding electrode side) of the detection electrode is suppressed between the detection electrode and the shielding electrode, and the oscillation state is caused by the electrostatic capacitance between the detection electrode and the object. To be determined. Furthermore, by providing the ground electrode, the influence of the electric field on the back surface side of the detection electrode is eliminated, and it becomes strong against noise.
[0014]
Further, since the signal processing circuit is integrally formed on one substrate, the shield wire that has been indispensable in the past is not required, and the influence of external noise and the radiation of unnecessary radiation to the outside can be suppressed as much as possible. Moreover, the amplifier circuit does not need to use an expensive high-speed amplifier, and the sensor can be configured at a low cost. In addition, since they are integrally formed, not only can the size and thickness be reduced, but also variations in assembly are small, and desired accuracy and characteristics can be obtained without adjustment after manufacture. Of course, you can adjust it to make it better.
[0015]
This departure Clearly According to the present invention, the signal processing circuit is formed at a position facing the ground electrode via the third insulating member. 3 configured The electrode and the signal processing circuit are laminated and the area occupied by the sensor is reduced. Further, noise generated in the signal processing circuit is also cut by the ground electrode and is not transmitted to the detection electrode side.
[0016]
However, it is not necessary to have a four-layer structure in this way. For example, a three-layer structure in which three electrodes are stacked may be used, and a signal processing circuit may be configured on an insulating member provided with an arbitrary electrode.
[0017]
In each of the above-described inventions, it is not hindered to form the signal processing circuit with a plurality of layers. Furthermore, in each of the above-described inventions, it does not matter whether another layer is integrally formed on the substrate provided with the electrode arrangement signal processing circuit.
[0018]
According to a further preferred embodiment, a capacitor is provided between the shielding electrode and the output terminal of the amplifier circuit. The “capacitor” here corresponds to “decoupling capacitor C4” in the embodiment. When the electrostatic capacitance in the shielding electrode is increased, for example, the amplification circuit cannot obtain a sufficient amplification action, and there is a possibility that the oscillation of the oscillation circuit stops. Therefore, such a capacitor is provided to reduce the degree of coupling between the shield electrode and the amplifier circuit, thereby reducing the influence of the capacitance based on the shield electrode on the amplifier circuit.
[0019]
As a result, even when the electrostatic capacitance of the shielding electrode is increased, it is possible to detect that the object is close. That is, the distance between the detection electrode and the shielding electrode can be shortened, and the thickness can be reduced without using an expensive high-speed amplifier. It is also possible to increase the area of the shielding electrode.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 shows a first embodiment of a capacitive proximity sensor according to the present invention. As shown in the figure, in this embodiment, a four-layer printed circuit board 10 is used, and the sensing unit and the signal processing unit are integrally formed.
[0021]
That is, a four-layer printed wiring pattern partitioned by three
[0022]
Further, as shown in FIG. 5B, the
[0023]
Further, since the
[0024]
Furthermore, an
[0025]
The signal processing circuit and each
[0026]
The output signal of the
[0027]
The
[0028]
The
[0029]
On the other hand, an example of a specific circuit configuration of the
[0030]
The oscillation may stop depending on the capacitance generated by the
[0031]
Of course, the setting of the resistor R5 as described above is not essential, and oscillation may be stopped when there is no detection object. In such a case, it is determined that there is proximity when there is oscillation or when the oscillation frequency is above a certain level.
[0032]
In addition, a current having the same phase as that of the
[0033]
Furthermore, since the
[0034]
Then, the
[0035]
In the above-described embodiment, the presence / absence of the proximity of the object is determined based on the oscillation frequency. However, the present invention is not limited to this, for example, the proximity based on the amplitude of the output signal output from the oscillation circuit. You may make it discriminate.
[0036]
That is, as shown in FIG. 5, the output of the oscillation circuit (CR oscillation circuit) 15 including the
[0037]
The
[0038]
The
[0039]
The circuit configuration of the
[0040]
According to this embodiment, regardless of the detection method, the sensor unit and the signal processing circuit are integrally formed using a printed circuit board, so that the thickness can be reduced. In addition, since the four-layer printed circuit board 10 is used and the
[0041]
FIG. 7 shows a second embodiment of the present invention. In the present embodiment, the decoupling capacitor C3 is inserted between the transistor Q1 and the shielding
[0042]
Therefore, in this embodiment, the degree of coupling between the transistor Q1 and the shielding
[0043]
In each of the above-described embodiments, the
[0044]
In the above-described embodiment, the four-layer printed board is used. However, the present invention is not limited to this, and the three-layer printed board can also be used. That is, from the first layer to the third layer, the detection electrode, the shielding electrode, and the ground electrode are arranged so as to overlap each other in the same manner as in the above-described embodiment. Then, signal processing wiring is pattern-formed on any one of these three layers.
[0045]
With such a configuration, although the planar dimension and shape are increased by providing the signal processing wiring, a three-layer printed circuit board is sufficient, so that design and manufacturing are facilitated, and further reduction in thickness can be achieved. Accordingly, it is preferable to appropriately change according to the specifications such as whether to give priority to the thinness or the small flat area (occupied area).
[0046]
Next, a specific application example of the above-described capacitive proximity sensor will be described. First, FIG. 8, FIG. 9 has shown the example applied to vending machines, such as a soft drink. That is, the
[0047]
In this type of vending machine, when there is no
[0048]
Therefore, as shown in FIG. 9, the
[0049]
According to the capacitive proximity sensor of the present invention, since the sensor unit and the signal processing unit are configured by a single substrate, it is very thin and should be installed in the passage near the product inlet as shown in the figure. Can do. Furthermore, since it is an electrostatic capacity type, it can be applied to vending machines for products such as glass bottles and plastics other than metals, which is preferable.
[0050]
FIG. 10 shows a
[0051]
That is, as shown in FIG. 11, this
[0052]
Since the
[0053]
Thereby, when the
[0054]
Also in this application example, since the capacitance type sensor of the present invention can be made thin, the thickness of the vending machine on which the coin storage unit to which the sensor unit is attached can be reduced.
[0055]
The chamfered
[0056]
In the application example described above, an example is shown in which four detection electrodes (sensors) are integrally formed on one printed circuit board, but each sensor may be formed and attached one by one. In addition, since the epoxy substrate is provided as an insulator for separating each electrode, the entire sensor is also flat. For example, by using a flexible substrate as the insulator, the sensor is curved in accordance with the shape of the
[0057]
FIG. 12 shows another usage pattern. That is, an example in which a game medium (medal)
[0058]
By the way, although it is necessary to store a certain amount of medals in the
[0059]
Further, when the upper surface position of the medal stored in the
[0060]
Note that the installation position of the
[0061]
13 and 14 show still another application example. In this embodiment, the
[0062]
At this time, since the
[0063]
The
[0064]
In the illustrated example, an example is described in which one capacitive proximity sensor is provided and applied to determine whether or not the liquid level is at a predetermined position. For example, as shown in FIG. , Two electrostatic capacity
Of course, the capacitive proximity sensor according to the present invention is not limited to the above-described usage mode, and can be applied as a proximity sensor in various fields.
[0065]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the detection electrode, the shield electrode, and the ground electrode are arranged in that order in the form of a single substrate, and the signal processing circuit is also disposed on the substrate. It has a high stability against external noise, has a small amount of unnecessary radiation noise, and can be constructed at low cost while achieving a reduction in thickness and weight.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an external view showing a first preferred embodiment of a capacitive proximity sensor according to the present invention.
FIG. 2 is a block diagram showing a first preferred embodiment of a capacitive proximity sensor according to the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram showing an electrode and an oscillation circuit.
4 is a graph showing a relationship between a distance to a detection object and an oscillation frequency in the sensor shown in FIG.
FIG. 5 is a block diagram showing another example of the preferred first embodiment of the capacitive proximity sensor according to the present invention.
6 is a graph showing a relationship between a distance to a detection object and an oscillation frequency in the sensor shown in FIG.
FIG. 7 is a circuit diagram showing an electrode and an oscillation circuit showing the main part of a second preferred embodiment of a capacitive proximity sensor according to the present invention.
FIG. 8 is a diagram showing an example in which the capacitive proximity sensor of the present invention is applied to a vending machine.
FIG. 9 is a diagram showing an example in which the capacitive proximity sensor of the present invention is applied to a vending machine.
FIG. 10 is a diagram showing an example in which the capacitive proximity sensor of the present invention is applied to a vending machine.
FIG. 11 is a diagram showing an example in which the capacitive proximity sensor of the present invention is applied to a vending machine.
FIG. 12 is a diagram showing an example in which the capacitive proximity sensor of the present invention is applied to a medal gaming machine.
FIG. 13 is a diagram showing an example in which the capacitive proximity sensor of the present invention is applied to a liquid level detection system.
FIG. 14 is a diagram showing an example in which the capacitive proximity sensor of the present invention is applied to a liquid level detection system.
FIG. 15 is a diagram showing an example in which the capacitive proximity sensor of the present invention is applied to a liquid level detection system.
[Explanation of symbols]
10 Printed circuit board
11 Insulator (first to third insulating members)
12a Detection electrode
12b Shielding electrode
12c Ground electrode
12d Signal processing wiring
14 Electronic components
15 Oscillator circuit
16 Frequency discrimination part
17 Output circuit
18 Detection circuit
19 Voltage discriminator
26 Capacitive proximity sensor
31 Sensor unit
47 Capacitive proximity sensor
53, 53 ', 53 "Capacitive proximity sensor
Claims (6)
前記第1の絶縁部材の他方の面に、前記検出電極と対向するように形成された遮蔽電極と、
第2の絶縁部材を介して、前記遮蔽電極と対向するように配置された接地電極とを備えた基板を有し、
前記検出電極と前記遮蔽電極に対し、同位相の電流を供給するための増幅回路と、前記検出電極と物体との間の静電容量の変化に応じて発振状態が変化する発振回路を含む信号処理回路を前記基板に一体に形成し、
前記信号処理回路は、第3の絶縁部材を介して前記接地電極と対向する位置に形成したことを特徴とする静電容量形近接センサ。A detection electrode formed on one side of the first insulating member;
A shielding electrode formed on the other surface of the first insulating member so as to face the detection electrode;
A substrate including a ground electrode disposed so as to face the shielding electrode via a second insulating member;
A signal including an amplifier circuit for supplying current of the same phase to the detection electrode and the shielding electrode, and an oscillation circuit whose oscillation state changes according to a change in capacitance between the detection electrode and the object Forming a processing circuit integrally with the substrate ;
The capacitance-type proximity sensor , wherein the signal processing circuit is formed at a position facing the ground electrode through a third insulating member .
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