JP3868322B2 - Ceramic acceleration cavity, accelerator equipped with the acceleration cavity, and method of manufacturing a ceramic acceleration cavity - Google Patents

Ceramic acceleration cavity, accelerator equipped with the acceleration cavity, and method of manufacturing a ceramic acceleration cavity Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高エネルギー物理学或いは医療機器等に用いられる加速空洞、当該加速空洞を備えた加速器及び当該加速空洞の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
加速器とは、電磁気力を利用することにより、電子、陽子や各種のイオン荷電粒子を加速して高エネルギーの粒子を作る装置である。この加速器によって作られた高速粒子のビームを原子核に衝突させ、核反応を起こさせたり、素粒子を作ったりすることにより、原子核や素粒子の性質を調べることができる。また、この加速器を用いて得られる高速粒子は、前記原子核や素粒子等の学術的実験に使用されるばかりでなく、例えば、医療分野における放射線治療への応用等様々な分野に応用されている。
【0003】
加速空洞を用いた実験では、電子等の粒子を高エネルギーの状態まで加速させる。従って、加速空洞には、高い表面導電率が必要とされる。また、加速器は、粒子を標的に衝突させる実験に使用されるものである。従って、正確な衝突の実現のため、加速空洞は極めて高精度に製造かつ設置される必要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来の無酸素銅鍛造材を基本構造をする加速空洞は、高い表面導電率を有する。しかしながら、金属を基本材料としていることから、ビームの安定加速に影響を与えてしまう要因が幾つか存在する。
【0005】
例えば、電子加速管1本で約100kgと自重が大きく、加速空洞自身のたわみが大きい。また、金属をその基本構造としていることから、温度によって膨張することで装置の精度が低下することがあり、熱安定性に欠ける。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、高い導電性を有し、軽量且つ熱的に安定な加速空洞、当該加速空洞を有する加速器及び加速空洞の製造方法を提供することを目的としている。
【0007】
本発明の第1の視点は、荷電粒子の加速方向に延び且つ前記荷電粒子を加速するための空間を包囲する基本空洞と、前記加速する荷電粒子に摂動効果を与える円盤と、を前記加速方向に沿って交互に配列することで、前記荷電粒子を加速するための複数のセルが形成された加速空洞であって、前記加速空洞は銅電鋳からなる外壁層を有し、前記各基本空洞は、チューブ状のセラミックス製空洞と、前記セラミックス製空洞の表面に形成された活性銀ろう材層と、前記活性銀ろう材層の表面に形成された銅電鋳層と、を有し、前記各円盤は、セラミックス製円盤と、前記セラミックス製円盤の表面に形成された活性銀ろう材層と、前記活性銀ろう材層の表面に形成された銅電鋳層と、を有し、前記各基本空洞と前記各円盤とは、前記外壁層及び前記各銅電鋳層にて接合されることで一体化されていること、を特徴とする加速空洞である。
【0008】
本発明の第2の視点は、第1の視点に係る加速空洞であって、少なくとも一端にセラミックス製空洞からなるダミーロードが形成されていることを特徴とするものである。
【0009】
本発明の第3の視点は、第1の視点又は第2の視点に係る加速空洞を具備する高周波加速器である。
【0010】
本発明の第4の視点は、チューブ状のセラミックス製空洞の表面に活性銀ろう材層を形成した後、当該活性銀ろう材層の表面に銅電鋳層を形成することで基本空洞を形成する工程と、セラミックス製円盤の表面に活性銀ろう材層を形成した後、当該活性銀ろう材層の表面に銅電鋳層を形成することで加速する荷電粒子に摂動効果を与えるための円盤を形成する工程と、前記基本空洞と前記円盤とを加速方向に沿って交互に接続し、その外壁に銅電鋳層を形成することで前記基本空洞と前記円盤とを一体化させる工程と、を具備することを特徴とする加速空洞の製造方法である。
【0011】
このような構成によれば、高い導電性を有し、軽量且つ熱的に安定な加速空洞、当該加速空洞を有する加速器及び加速空洞の製造方法を提供することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に従って説明する。なお、本発明に係る加速空洞は、直線状加速器及び円形状加速器の何れにも適用可能であるが、以下の説明においては定在波型の高周波型線形加速器を例として説明を行う。また、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
【0013】
図1は、高周波型線形加速器10(図2参照)を構成する加速空洞20を側面から見た断面図を示している。
【0014】
図1において、加速空洞20は、基本空洞23、円盤21、銅電鋳層からなる外層24を有している。すなわち、加速空洞20は、粒子の加速方向に沿って交互に配列された基本空洞23と円盤21とが外壁に形成した銅電鋳層にて一体に接合された構造を有している。
【0015】
基本空洞23は、SiC(炭化珪素)を素材としたセラミックス空洞200をその基本骨格とし、その表面にチタン添加による活性銀ろう材の金属層(以下、ろう材層201)、ろう材層201上にさらに無酸素銅の層(以下、無酸素銅層202)が積層された構成になっている。
【0016】
円盤21を基本空洞23の開口縁と合わせて設置することで、加速空洞20の中はn個のセルに仕切られている。この円盤21も、SiC(炭化珪素)を素材としたセラミックス製円盤210を基本骨格とし、その表面にチタン添加による活性銀ろう材の金属層(以下、ろう材層201)、ろう材層201上にさらに無酸素銅の層(以下、無酸素銅層202)が積層されてた構成となっている。当該各円盤21の間隔(すなわち、各セルの長さ)は、πモードの高周波を印加するものとして設計されている。円盤21は加速空洞20に共振する電磁波に摂動効果を与え、円盤21の穴の内径は、図示していない入射器から入射される加速粒子ビームの集束性に影響を与える。
【0017】
図2は、本実施形態に係る定在波型の高周波型線形加速器10の一部を示した鳥瞰図である。高周波型線形加速器10は、要求される加速特性により多少異なるが、図1に示した円形チューブ状の空洞管である長さ1〜3m程度の加速空洞20を、軸方向(粒子加速方向)に複数接続した構成になっている。また、図1には図示してないが、本線型加速器は、ビーム入射器、ビームバンチャ、ビーム集束用磁石(4極磁石等)等公知の線形加速器10が有する構成要素を有している。
【0018】
次に、図1及び図2を参照して、上記線形加速器10の動作原理を簡単に説明する。
【0019】
円盤21の穴の中心を同軸上に並べて装着した加速空洞20を複数接続して線形加速器10とし、その内部を真空にする。これは、ビームの通過軌道に残留ガスがあると、これがビームと衝突することによりビームが理想的な通過軌道より外れてしまい、その結果、ビーム中の粒子数が減少してビームの寿命を短くしてしまうからである。そして、線形加速器中にπモードの高周波(マイクロ波)を供給すると、高周波は定在波として線形加速器10内を空洞共振する。
【0020】
このような設定において、例えば、荷電粒子のビームを図2中ビーム入射側から出射側に向かって各円盤21の中心を通過するように発射する。すると、ビームは各セル中を通過する度に当該セル中に生じた電場によって加速される。各セルの長さは、加速されたビームが各円盤21中を通過したときに共振している高周波の向きがちょうど逆転するような電磁波のモード(今の場合、πモード)に合わせて調節される。
【0021】
ところで、従来の無酸素銅鍛造材による加速空洞を使用した加速空洞においては、ダミーロードと呼ばれる周辺機器が別途必要とされる。ダミーロードとは、粒子加速に使用された余剰高周波電力を加速空洞の外部に取り出して、ジュール熱として吸収する吸収体である。このダミーロードは、印可される高周波と電気的に接続されて、例えば加速空洞の側面等設けられる。
【0022】
本発明に係る加速空洞20は、従来の無酸素銅鍛造材による加速空洞と異なり、新たに周辺機器としてのダミーロードを設ける必要はない。すなわち、基本構造であるセラミックス空洞200の炭化珪素を適切な場所にて露出させ、ダミーロードとして使用することにより、上記周辺機器としてのダミーロードが不要な加速器を実現することができる。例えば、本発明に係る加速空洞20では、図3に示すように、加速空洞20内において活性銀ろう材層及び銅電鋳層が形成されていない部分を形成し、ダミーロードとすることができる。そして、余剰高周波電力は、この電波吸収体としての露出したSiC(炭化珪素)によって吸収される構成となっている。
【0023】
この様な構成によれば、別途周辺機器としてのダミーロードを設ける必要が無く、装置の構成を簡略化することができる。また、加速空洞20の一部のSiC(炭化珪素)をダミーロードとして使用しているから、装置の軽量化を実現することができる。
【0024】
次に、加速空洞20の製造方法について説明する。
【0025】
本発明に係る製造方法の重要な点は、銅電鋳層202とセラミックス製空洞200との間に活性銀ろう材層201を形成することで、SiC界面において剥離が発生しない加速空洞20を製造する着想にある。すなわち、例えば金属蒸着法によってセラミックス製空洞200表面に直接銅電鋳層202を形成した場合には、セラミックス製空洞200界面においてはその接着強度が不十分であり、例えばその銅被覆過程において銅電鋳層202とセラミックス製空洞200界面で剥離が発生することがある。この剥離により、加速空洞の導電効率は低下し、実験精度は低下する。
【0026】
しかしながら、本発明に係る加速空洞製造方法の様に、銅被覆工程の前に活性銀ろう材塗布・反応層形成処理を実行することで、銅電鋳層の剥離が発生しない加速空洞20を製造することが可能である。これは、活性銀ろう材中に添加されたチタンがSiC中の炭素と化学反応を起こすことで当該活性銀ろう材とSiC基材表面との接着が強固となり、当該SiC基材表面での剥離が発生しなくなるためである。
【0027】
以下、具体的手段を示す。
【0028】
図1に示した本実施形態に係る加速空洞20は、粒子の加速方向に沿って交互に配列された基本空洞23と円盤21とが外壁に形成した銅電鋳層にて一体に溶接された構造を有している。
【0029】
まず、上述した層構造を有する各基本空洞23と各円盤21との製造方法について説明する。
【0030】
所定の設計にて製造されたセラミックス製空洞200の表面に、チタン等を添加した活性銀ろう材シート或いは粉末を塗布し、層を形成する。このときの層の厚さは、例えば約100μm程度である。なお、添加したチタンの比率は、例えば1.5乃至2%である。
【0031】
次に、活性銀ろう材を塗布したセラミックス製空洞200に対して、真空熱処理炉によりそのろう材成分に応じた溶融温度、およそ850℃で約5分間保持の真空熱処理を施し、ろう材層201を形成する。その結果、セラミックス製空洞200と活性銀ろう材201とのTiC等の反応層を形成させて界面接合強度の確保を行う。なお、この真空熱処理によるろう材層201の形成は、一般的に700乃至900℃で行われる。
【0032】
その後、上記工程によって形成されたろう材層201表面に対し、加速空洞成立に必要な膜厚の初層メッキ、銅電鋳処理を施すことで、基本構造のセラミックス製空洞200の表面と銅電鋳層202との間に活性銀ろう材層201が形成された構成を有する基本空洞23を得ることができる。
【0033】
なお、円盤21は、上述した加速空洞20の同様の方法にて製造することが可能である。従って、その説明は省略する。
【0034】
続いて、上記基本空洞23と円盤21とから加速空洞20を製造する工程について説明する。
【0035】
上述の様にして得られた基本空洞23と円盤21とを高精度にアライメントしながら粒子の加速方向に沿って交互に配列する。その外側に銅電鋳処理を施すことで、基本空洞23及び円盤21に形成された各銅電鋳層202と一体化された銅電鋳層24が形成される。
【0036】
以上の工程を経て、SiC基材表面に活性ろう材層及び無酸素銅の電鋳層を形成させた構造を有する加速空洞を得ることができる。
【0037】
このような構成の加速空洞によれば、高い導電性能を有し、且つ従来の無酸素銅鍛造材による加速空洞に比べて軽量な加速空洞及び加速器を実現することができる。例えば、発明者らの実験によれば、SiCを基本構造とした加速空洞20と、当該加速空洞20と同一構造をもる無酸素銅鍛造材による従来の加速空洞をの重量比較をした場合、加速空洞20は従来のものの1/8の重量であった。
【0038】
また、加速空洞20は、SiC(炭化珪素)を基本構造としている。従って、従来の無酸素銅鍛造材による加速空洞に比べて熱による膨張が少なく、より高精度な実験を行うことが可能である。
【0039】
また、加速空洞20は、SiC(炭化珪素)の表面と銅電鋳層との間に活性銀ろう材層を有する構成となっている。従って、SiC界面において剥離が発生するのを防止することができる。
【0040】
また、加速空洞20は、内側のみSiC(炭化珪素)を露出させた基本空洞をダミーロードとして使用することができる。従って、別途周辺機器としてのダミーロードを設ける必要が無く、装置の簡略化・軽量化を実現することができる。
【0041】
以上、本発明を実施形態に基づき説明したが、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変形例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば以下に示すように、その要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。
【0042】
上記実施形態においては、基本空洞内のセラミックスを露出させたダミーロード25を設ける構成を示した(図3参照)。これに対し、ダミーロード25とともにセルを形成する円盤21(すなわち、図3では出射側から数えて一番目と二番目の円盤21)のダミーロード側の面についても、セラミックスを露出させる構成であってもよい。
【0043】
この様な構成によれば、余剰高周波の吸収効率をより高くすることができる。
【0044】
なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその趣旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は可能な限り適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組合わせた効果が得られる。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【0045】
【発明の効果】
以上本発明によれば、高い導電性を有し、軽量且つ熱的に安定な加速空洞、当該加速空洞を有する加速器及び加速空洞の製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、高周波型線形加速器10を構成する加速空洞20を側面から見た断面図を示している。
【図2】図2は、高周波型線形加速器10の一部を示した鳥瞰図である。
【図3】図3は、ダミーロードを備えた加速空洞20を示した図である。
【符号の説明】
10…線型加速器
20…加速空洞
21…円盤
23…基本空洞
24…外層(銅電鋳層)
25…ダミーロード
200…セラミックス製空洞(SiC製空洞)
201…活性銀ろう材層
202…銅電鋳層
210…セラミックス製円盤
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an acceleration cavity used in high energy physics or medical equipment, an accelerator including the acceleration cavity, and a method for manufacturing the acceleration cavity.
[0002]
[Prior art]
An accelerator is an apparatus that accelerates electrons, protons, and various ion-charged particles to produce high-energy particles by using electromagnetic force. The nature of nuclei and elementary particles can be investigated by colliding the beam of high-speed particles produced by this accelerator with nuclei and causing nuclear reactions or making elementary particles. In addition, the high-speed particles obtained using this accelerator are not only used in academic experiments on the nuclei and elementary particles, but also applied in various fields such as application to radiotherapy in the medical field. .
[0003]
In an experiment using an acceleration cavity, particles such as electrons are accelerated to a high energy state. Therefore, high surface conductivity is required for the acceleration cavity. The accelerator is used for experiments in which particles collide with a target. Therefore, the acceleration cavity needs to be manufactured and installed with extremely high accuracy in order to realize an accurate collision.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
An accelerating cavity that has a basic structure of a conventional oxygen-free copper forging has a high surface conductivity. However, since metal is a basic material, there are several factors that affect the stable acceleration of the beam.
[0005]
For example, a single electron accelerator tube has a large weight of about 100 kg, and the acceleration cavity itself has a large deflection. In addition, since the metal has the basic structure, the accuracy of the apparatus may be reduced by expansion due to temperature, and thermal stability is lacking.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and aims to provide a lightweight and thermally stable acceleration cavity having high conductivity, an accelerator having the acceleration cavity, and a method for manufacturing the acceleration cavity. Yes.
[0007]
According to a first aspect of the present invention, there is provided a basic cavity that extends in a direction of acceleration of charged particles and surrounds a space for accelerating the charged particles, and a disk that gives a perturbation effect to the accelerated charged particles. Accelerating cavities in which a plurality of cells for accelerating the charged particles are formed, the accelerating cavities having an outer wall layer made of copper electroforming, and each of the basic cavities Has a tubular ceramic cavity, an active silver brazing material layer formed on the surface of the ceramic cavity, and a copper electroformed layer formed on the surface of the active silver brazing material layer, Each disk has a ceramic disk, an active silver brazing material layer formed on the surface of the ceramic disk, and a copper electroformed layer formed on the surface of the active silver brazing material layer. The basic cavity and each of the disks are the outer wall layer and Serial that are integrated by being joined with each copper electroformed layer, an acceleration cavity, wherein.
[0008]
A second aspect of the present invention is an acceleration cavity according to the first aspect, characterized in that a dummy load made of a ceramic cavity is formed at least at one end.
[0009]
The 3rd viewpoint of this invention is a high frequency accelerator which comprises the acceleration cavity which concerns on a 1st viewpoint or a 2nd viewpoint.
[0010]
A fourth aspect of the present invention is to form a basic cavity by forming an active silver brazing material layer on the surface of a tubular ceramic cavity and then forming a copper electroformed layer on the surface of the active silver brazing material layer. A disk for imparting a perturbation effect to charged particles that are accelerated by forming a copper electroforming layer on the surface of the active silver brazing material layer after forming an active silver brazing material layer on the surface of the ceramic disc And alternately connecting the basic cavity and the disk along the acceleration direction, and integrating the basic cavity and the disk by forming a copper electroformed layer on the outer wall; An acceleration cavity manufacturing method characterized by comprising:
[0011]
According to such a configuration, it is possible to provide an acceleration cavity having high conductivity, light weight and thermal stability, an accelerator having the acceleration cavity, and a method for manufacturing the acceleration cavity.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The acceleration cavity according to the present invention can be applied to both a linear accelerator and a circular accelerator, but in the following description, a standing wave type high frequency linear accelerator will be described as an example. In the following description, components having substantially the same functions and configurations are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be provided only when necessary.
[0013]
FIG. 1 shows a cross-sectional view of an acceleration cavity 20 constituting the high-frequency linear accelerator 10 (see FIG. 2) as seen from the side.
[0014]
In FIG. 1, the acceleration cavity 20 has a basic cavity 23, a disk 21, and an outer layer 24 made of a copper electroformed layer. That is, the acceleration cavity 20 has a structure in which basic cavities 23 and disks 21 alternately arranged along the particle acceleration direction are integrally joined by a copper electroformed layer formed on the outer wall.
[0015]
The basic cavity 23 has a ceramic cavity 200 made of SiC (silicon carbide) as its basic skeleton, and has a metal layer (hereinafter referred to as a brazing filler metal layer 201) of an active silver brazing material added with titanium on the surface thereof. Further, an oxygen-free copper layer (hereinafter, oxygen-free copper layer 202) is laminated.
[0016]
By installing the disk 21 together with the opening edge of the basic cavity 23, the inside of the acceleration cavity 20 is partitioned into n cells. This disk 21 also has a ceramic skeleton 210 made of SiC (silicon carbide) as a basic skeleton, and has a metal layer (hereinafter referred to as a brazing filler metal layer 201) of an active silver brazing material added with titanium on the surface thereof. Further, an oxygen-free copper layer (hereinafter, oxygen-free copper layer 202) is laminated. The interval between the disks 21 (that is, the length of each cell) is designed to apply a π-mode high frequency. The disk 21 gives a perturbation effect to the electromagnetic wave resonating in the acceleration cavity 20, and the inner diameter of the hole of the disk 21 affects the convergence of an accelerated particle beam incident from an injector (not shown).
[0017]
FIG. 2 is a bird's-eye view showing a part of the standing wave type high frequency linear accelerator 10 according to the present embodiment. Although the high-frequency linear accelerator 10 is slightly different depending on the required acceleration characteristics, the acceleration cavity 20 having a length of about 1 to 3 m, which is a circular tube-shaped cavity shown in FIG. 1, is provided in the axial direction (particle acceleration direction). It has a configuration with multiple connections. Although not shown in FIG. 1, the main-line accelerator includes components included in a known linear accelerator 10 such as a beam injector, a beam buncher, and a beam focusing magnet (such as a quadrupole magnet).
[0018]
Next, the principle of operation of the linear accelerator 10 will be briefly described with reference to FIGS. 1 and 2.
[0019]
A plurality of accelerating cavities 20 mounted with the centers of the holes of the disk 21 arranged coaxially are connected to form a linear accelerator 10, and the inside thereof is evacuated. This is because if there is residual gas in the beam trajectory, it collides with the beam, causing the beam to deviate from the ideal trajectory, resulting in a reduction in the number of particles in the beam and shortening the beam life. Because it will do. When a π-mode high frequency (microwave) is supplied into the linear accelerator, the high frequency causes a cavity resonance in the linear accelerator 10 as a standing wave.
[0020]
In such a setting, for example, a beam of charged particles is emitted so as to pass through the center of each disk 21 from the beam incident side to the emission side in FIG. The beam is then accelerated by the electric field generated in each cell as it passes through each cell. The length of each cell is adjusted according to the electromagnetic wave mode (in this case, π mode) in which the direction of the high frequency resonating when the accelerated beam passes through each disk 21 is just reversed. The
[0021]
By the way, in the acceleration cavity using the acceleration cavity by the conventional oxygen-free copper forging material, a peripheral device called a dummy load is separately required. The dummy load is an absorber that takes out excess high-frequency power used for particle acceleration outside the acceleration cavity and absorbs it as Joule heat. The dummy load is electrically connected to the applied high frequency, and is provided, for example, on the side surface of the acceleration cavity.
[0022]
Unlike the conventional acceleration cavity made of oxygen-free copper forging, the acceleration cavity 20 according to the present invention does not require a dummy load as a peripheral device. That is, by exposing silicon carbide in the ceramic cavity 200, which is the basic structure, at an appropriate location and using it as a dummy load, an accelerator that does not require a dummy load as the peripheral device can be realized. For example, in the acceleration cavity 20 according to the present invention, as shown in FIG. 3, a portion where the active silver brazing material layer and the copper electroforming layer are not formed can be formed in the acceleration cavity 20 to form a dummy load. . The surplus high frequency power is absorbed by the exposed SiC (silicon carbide) as the radio wave absorber.
[0023]
According to such a configuration, it is not necessary to separately provide a dummy load as a peripheral device, and the configuration of the apparatus can be simplified. In addition, since a part of SiC (silicon carbide) in the acceleration cavity 20 is used as a dummy load, the weight of the apparatus can be reduced.
[0024]
Next, a method for manufacturing the acceleration cavity 20 will be described.
[0025]
An important point of the manufacturing method according to the present invention is that the active silver brazing material layer 201 is formed between the copper electroformed layer 202 and the ceramic cavity 200, thereby manufacturing the acceleration cavity 20 in which separation does not occur at the SiC interface. In the idea to do. That is, when the copper electroformed layer 202 is formed directly on the surface of the ceramic cavity 200 by, for example, a metal vapor deposition method, the adhesive strength is insufficient at the interface of the ceramic cavity 200. Separation may occur at the interface between the cast layer 202 and the ceramic cavity 200. By this peeling, the conduction efficiency of the acceleration cavity is lowered, and the experimental accuracy is lowered.
[0026]
However, like the accelerated cavity manufacturing method according to the present invention, an accelerated cavity 20 that does not cause peeling of the copper electroformed layer is manufactured by performing the active silver brazing material application / reaction layer forming process before the copper coating process. Is possible. This is because the titanium added to the active silver brazing material causes a chemical reaction with the carbon in the SiC, thereby strengthening the adhesion between the active silver brazing material and the SiC base material surface, and peeling on the SiC base material surface. This is because no longer occurs.
[0027]
Specific means will be described below.
[0028]
The acceleration cavity 20 according to the present embodiment shown in FIG. 1 is integrally welded with a copper electroforming layer formed on the outer wall by basic cavities 23 and disks 21 arranged alternately along the particle acceleration direction. It has a structure.
[0029]
First, a manufacturing method of each basic cavity 23 and each disk 21 having the above-described layer structure will be described.
[0030]
An active silver brazing material sheet or powder to which titanium or the like is added is applied to the surface of a ceramic cavity 200 manufactured according to a predetermined design to form a layer. The thickness of the layer at this time is about 100 μm, for example. The ratio of added titanium is, for example, 1.5 to 2%.
[0031]
Next, the ceramic cavity 200 coated with the active silver brazing material is subjected to a vacuum heat treatment at a melting temperature corresponding to the brazing material component at approximately 850 ° C. for about 5 minutes in a vacuum heat treatment furnace, and the brazing material layer 201. Form. As a result, a reaction layer such as TiC between the ceramic cavity 200 and the active silver brazing material 201 is formed to ensure the interface bonding strength. The formation of the brazing filler metal layer 201 by this vacuum heat treatment is generally performed at 700 to 900.degree.
[0032]
Thereafter, the surface of the brazing material layer 201 formed by the above-described process is subjected to initial layer plating and copper electroforming treatment having a film thickness necessary for the formation of the acceleration cavity, so that the surface of the ceramic cavity 200 having the basic structure and the copper electroforming are formed. The basic cavity 23 having a configuration in which the active silver brazing material layer 201 is formed between the layer 202 and the layer 202 can be obtained.
[0033]
The disk 21 can be manufactured by the same method as the acceleration cavity 20 described above. Therefore, the description is omitted.
[0034]
Next, a process for manufacturing the acceleration cavity 20 from the basic cavity 23 and the disk 21 will be described.
[0035]
The basic cavities 23 and the disks 21 obtained as described above are alternately arranged along the particle acceleration direction while aligning with high accuracy. By performing a copper electroforming process on the outside, a copper electroformed layer 24 integrated with each copper electroformed layer 202 formed in the basic cavity 23 and the disk 21 is formed.
[0036]
Through the above steps, an acceleration cavity having a structure in which an active brazing filler metal layer and an oxygen-free copper electroformed layer are formed on the surface of the SiC substrate can be obtained.
[0037]
According to the acceleration cavity having such a configuration, it is possible to realize an acceleration cavity and an accelerator that have high electrical conductivity and are lighter than conventional acceleration cavities made of oxygen-free copper forging. For example, according to experiments by the inventors, when comparing the weight of an acceleration cavity 20 having a basic structure of SiC and a conventional acceleration cavity made of oxygen-free copper forging having the same structure as the acceleration cavity 20, The acceleration cavity 20 was 1/8 the weight of the conventional one.
[0038]
Acceleration cavity 20 has a basic structure of SiC (silicon carbide). Therefore, the expansion due to heat is less than that of an acceleration cavity formed by a conventional oxygen-free copper forging material, and a more accurate experiment can be performed.
[0039]
Further, the acceleration cavity 20 has an active silver brazing material layer between the surface of SiC (silicon carbide) and the copper electroformed layer. Therefore, it is possible to prevent peeling at the SiC interface.
[0040]
Further, as the acceleration cavity 20, a basic cavity in which SiC (silicon carbide) is exposed only on the inner side can be used as a dummy load. Therefore, it is not necessary to provide a dummy load as a separate peripheral device, and the apparatus can be simplified and reduced in weight.
[0041]
Although the present invention has been described based on the embodiments, those skilled in the art can come up with various changes and modifications within the scope of the idea of the present invention. It is understood that it belongs to the scope of the present invention. For example, as shown below, various modifications can be made without changing the gist thereof.
[0042]
In the above-described embodiment, a configuration in which the dummy load 25 exposing the ceramic in the basic cavity is provided (see FIG. 3). On the other hand, the ceramics are also exposed on the dummy load side surfaces of the disks 21 forming the cells together with the dummy load 25 (that is, the first and second disks 21 counted from the emission side in FIG. 3). May be.
[0043]
According to such a configuration, it is possible to further increase the absorption efficiency of surplus high frequencies.
[0044]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention in the implementation stage. Further, the embodiments may be combined as appropriate as possible, and in that case, the combined effect can be obtained. Furthermore, the above embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. For example, even if some constituent requirements are deleted from all the constituent requirements shown in the embodiment, the problem described in the column of the problem to be solved by the invention can be solved, and the effect described in the column of the effect of the invention If at least one of the following is obtained, a configuration in which this configuration requirement is deleted can be extracted as an invention.
[0045]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to realize an acceleration cavity having high electrical conductivity and being light and thermally stable, an accelerator having the acceleration cavity, and a method for manufacturing the acceleration cavity.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of an acceleration cavity 20 constituting a high-frequency linear accelerator 10 as viewed from the side.
FIG. 2 is a bird's eye view showing a part of the high-frequency linear accelerator 10. FIG.
FIG. 3 shows an acceleration cavity 20 with a dummy load.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Linear accelerator 20 ... Acceleration cavity 21 ... Disk 23 ... Basic cavity 24 ... Outer layer (copper electroformed layer)
25 ... Dummy load 200 ... Ceramic cavity (SiC cavity)
201 ... Active silver brazing material layer 202 ... Copper electroformed layer 210 ... Ceramic disc

Claims (4)

荷電粒子の加速方向に延び且つ前記荷電粒子を加速するための空間を包囲する基本空洞と、前記加速する荷電粒子に摂動効果を与える円盤と、を前記加速方向に沿って交互に配列することで、前記荷電粒子を加速するための複数のセルが形成された加速空洞であって、
前記加速空洞は銅電鋳からなる外壁層を有し、
前記各基本空洞は、チューブ状のセラミックス製空洞と、前記セラミックス製空洞の表面に形成された活性銀ろう材層と、前記活性銀ろう材層の表面に形成された銅電鋳層と、を有し、
前記各円盤は、セラミックス製円盤と、前記セラミックス製円盤の表面に形成された活性銀ろう材層と、前記活性銀ろう材層の表面に形成された銅電鋳層と、を有し、
前記各基本空洞と前記各円盤とは、前記外壁層及び前記各銅電鋳層にて接合されることで一体化されていること、
を特徴とする加速空洞。
By alternately arranging basic cavities extending in the acceleration direction of the charged particles and surrounding a space for accelerating the charged particles, and disks giving a perturbation effect to the accelerating charged particles along the acceleration direction An acceleration cavity formed with a plurality of cells for accelerating the charged particles,
The acceleration cavity has an outer wall layer made of copper electroforming,
Each of the basic cavities includes a tube-shaped ceramic cavity, an active silver brazing material layer formed on the surface of the ceramic cavity, and a copper electroforming layer formed on the surface of the active silver brazing material layer. Have
Each of the disks includes a ceramic disk, an active silver brazing material layer formed on the surface of the ceramic disk, and a copper electroformed layer formed on the surface of the active silver brazing material layer,
Each of the basic cavities and each of the disks are integrated by being joined by the outer wall layer and each of the copper electroformed layers,
Acceleration cavity characterized by.
少なくとも一端にセラミックス製空洞からなるダミーロードが形成されていることを特徴とする請求項1記載の加速空洞。The acceleration cavity according to claim 1, wherein a dummy load comprising a ceramic cavity is formed at least at one end. 請求項1或いは請求項2記載の加速空洞を具備する高周波加速器。A high-frequency accelerator comprising the acceleration cavity according to claim 1. チューブ状のセラミックス製空洞の表面に活性銀ろう材層を形成した後、当該活性銀ろう材層の表面に銅電鋳層を形成することで基本空洞を形成する工程と、セラミックス製円盤の表面に活性銀ろう材層を形成した後、当該活性銀ろう材層の表面に銅電鋳層を形成することで加速する荷電粒子に摂動効果を与えるための円盤を形成する工程と、
前記基本空洞と前記円盤とを加速方向に沿って交互に接続し、その外壁に銅電鋳層を形成することで前記基本空洞と前記円盤とを一体化させる工程と、
を具備することを特徴とする加速空洞の製造方法。
After forming an active silver brazing material layer on the surface of the tube-shaped ceramic cavity, forming a basic cavity by forming a copper electroformed layer on the surface of the active silver brazing material layer, and a surface of the ceramic disk Forming a disk for giving a perturbation effect to charged particles that are accelerated by forming a copper electroformed layer on the surface of the active silver brazing material layer after forming the active silver brazing material layer on
Connecting the basic cavity and the disk alternately along the acceleration direction, and integrating the basic cavity and the disk by forming a copper electroformed layer on the outer wall;
An accelerating cavity manufacturing method comprising:
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