JP3864572B2 - Reactor gas supply pipe breakage detector - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、減圧式半導体製造装置の反応炉内に配設される石英製の反応ガス供給管の折損を検出可能にした折損検出装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
最初に、本発明に係る図面である図1を参照して、減圧式半導体製造装置の反応炉Fの構成と、その作用について簡単に説明する。反応炉Fを構成する円筒状をしたヒータ1内に、同じく円筒状をしたアウターチューブ2とインナーチューブ3とが同心となって配設されている。前記ヒータ1、並びにインナー及びアウターの各チューブ2,3は、それらの下端部においてマニホールド4に支持されている。インナーチューブ3の内側には、反応ガス供給管6が配設されており、該反応ガス供給管6は、その下端部が前記マニホールド4に支持されている。
【0003】
そして、多数枚のウェハを多段状に収納したウェハボート7を前記マニホールド4の下端の開口から、インナーチューブ3の内部に挿入して、該ウェハボート7の下端部に設けられたマニホールドキャップ8を前記マニホールド4の下端面に密着させて、反応炉F内を密閉させる。この状態で、反応炉Fの内部を真空吸引装置(図示せず)により真空吸引すると、前記ヒータ1により反応炉Fが加熱された状態で、前記反応ガス供給管6から供給された反応ガスが吸引されてウェハの周辺を通過することにより、該ウェハの化学処理(化学的気相成長)が行われる。化学処理後には、ウェハボート7を下降させて、インナーチューブ3の内部から取り出す。この操作が反復されて、ウェハが連続的に化学処理される。なお、図1において、5は、アウターチューブ2とインナーチューブ3との間の残留ガス類を排気して、インナーチューブ3内を減圧するための排気管を示す。
【0004】
上記反応ガス供給管6、及びアウター及びインナーの各チューブ2,3は、いずれも石英管で構成されている。特に、反応ガス供給管6は、細い石英管で構成されていて、「石英ノズル」とも称されており、反応炉F内の温度変化に伴う熱応力、反応ガスの圧力の変化、老朽化等が原因となって、破損、或いは折損されることがある。反応ガス供給管6が処理途中で折損された場合には、反応炉F内における反応ガスの流れが変わって、ウェハの化学処理自体に悪影響を及ぼす。また、その折損片の落下途中において、ウェハボートに収納されている処理中のウェハと接触して、該ウェハが損傷されることもある。
【0005】
従来においては、反応ガス供給管6の折損は、その折損片がマニホールドキャップ8の上面に落下していることをオペレーターが見い出して、初めて判明していた。このため、ウェハの化学処理の全体の流れの中のどの段階が発生したかは、全く判らず、その原因の究明も難しいと共に、その対処も即座には行なえなかった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情を背景にして、反応炉内に配設された反応ガス供給管の折損を検出可能にして、その原因の究明に資すると同時に、反応ガス供給管の交換を即座に行えるようにすることを課題としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために本発明の採用した手段は、反応炉内に1ないし複数本の反応ガス供給管が配置されて、その下端部がマニホールドに支持され、多数枚のウェハを収納したウェハボートを前記反応炉内に挿入して、該ウェハボートが搭載されたマニホールドキャップを前記マニホールドの下端面に密着させて前記反応炉内を密閉した状態で、真空排気装置により反応炉内を吸引排気しながら、前記反応ガス供給管から供給された反応ガスによって、前記ウェハの化学処理を行う構成の減圧式半導体製造装置において、前記反応ガス供給管が折損して、前記マニホールドキャップ上に落下することにより生ずる振動を検出するために、該キャップに取付けられる加速度センサと、該加速度センサからの出力値を連続的に演算して、前記反応ガス供給管の折損時において、その検出信号を発するセンサコントローラと、前記加速度センサの出力状態を連続して表示する表示装置とで、反応ガス供給管の折損検出装置を構成したことである。
【0008】
マニホールドキャップに取付けられた加速度センサの出力値は、センサコントローラにより演算されて、表示装置に連続して表示されている。よって、反応ガス供給管が折損されて、その折損片がマニホールドキャップ上に落下すると、該キャップに力が作用して、これに対応する振動が発生し、該キャップに取付けられた加速度センサが、これを検出して、その出力値が大きく変化する。この出力値は、センサコントローラに入力演算されることにより、反応ガス供給管の折損を表示する検出信号として出力されて、表示装置に表示される。これにより、反応ガス供給管の折損が即座に判明すると同時に、反応ガス供給管は、その折損の検出情報を含めて、時間の変化に対する全ての状態が表示装置に記憶されているために、時間差をおいて表示装置を見た場合においても、ウェハの処理工程のどの段階で折損が発生したのかが即座に判明する。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。図1は、反応炉Fの部分の拡大断面図であり、図2は、本発明に係る反応ガス供給管の折損検出装置のブロック線図である。なお、「従来の技術」の項目で説明した部分との重複説明を避けて、本発明独自の部分についてのみ説明する。本発明においては、反応ガス供給管6の折損時において、その折損片がウェハボート7のマニホールドキャップ8に落下したことを検出するための加速度センサSが、該キャップ8の裏面の昇降時において障害とならない部分に取付けられている。この加速度センサSは、ほぼ(0.1G)よりも大きな加速度を検出できれば、上記目的においては、使用可能であることが実験的に判明している。また、ウェハボート7は、昇降するために、その昇降開始時、及び停止時において、そのマニホールドキャップ8は、速度が変化する(加速度が発生する)ために、これに対応した力を受けるが、この力は、反応ガス供給管の折損片の落下に基づく力よりも遙に小さいことは、実験的に確認されている。このため、ウェハボート7の昇降動作とは無関係に、反応ガス供給管6の折損が検出可能となる。
【0010】
また、図2のブロック線図に示されるように、マニホールドキャップ8に取付けられた加速度センサSからの出力値は電気量として、センサコントローラCに連続的に入力されて、該コントローラCにより演算されて、加速度センサSからの出力値が設定値を超えた場合には、反応ガス供給管の破損片がマニホールドキャップ8上に落下したと判定して、その旨の検出信号(異常信号)が前記センサコントローラCから発せられる。また、センサコントローラCからの出力信号は、シーケンサーKによってシーケンス制御されて、表示装置Dに入力されて記憶・表示される。更に、反応炉Fの部分を含めて、半導体製造装置の他の部分の作動は、シーケンサーKによってシーケンス制御されて、表示装置Dに記憶・表示されており、本発明においては、マニホールドキャップ8に作用する力(振動)という物理量を加速度センサSによって読み取って、連続的に出力させているために、半導体製造装置の他の部分の作動との関係において、反応ガス供給管6の折損の状態が判明する。
【0011】
このため、反応ガス供給管6が破損されて、その破損片がマニホールドキャップ8上に落下すると、加速度センサSの出力値が急激に大きくなって、センサコントローラCから、反応ガス供給管が破損した旨の検出信号が発せられて、表示装置Dに記憶・表示される。これにより、オペレーターは、反応ガス供給管の破損を即座に知ることが可能になると同時に、表示装置Dには、加速度センサSからの出力値に対応して、センサコントローラCから発せられる出力信号が記憶されているために、反応ガス供給管の折損発生後においても、その履歴を判読することにより、ウェハの処理工程のどの段階で折損が発生したかを知ることができる。
【0012】
なお、上記実施例の反応炉Fは、その内部に1本の反応ガス供給管が配設されている例であるが、長さの異なることのある複数本の反応ガス供給管が配設されることもあり、その本数が多くなる程、その折損の頻度が高くなると思われるので、反応炉内に配設される反応ガス供給管の本数が多い場合には、本発明の効果は特に大きくなる。
【0013】
【発明の効果】
本発明に係る反応ガス供給管の折損検出装置によれば、反応ガス供給管の折損を検出できるので、表示装置によってオペレーターは、反応ガス供給管の折損の事実を知り得て、装置の作動停止、反応ガス供給管の交換等の対応を即座に行うことが可能となる。また、反応ガス供給管の折損後においても、表示装置に記憶されているマニホールドキャップの振動情報を判読することにより、ウェハの処理工程のどの段階で反応ガス供給管の折損が発生したかが判読できるので、折損原因の究明等に資することがてきる。
【図面の簡単な説明】
【図1】マニホールドキャップ8の裏面に加速度センサSが取付けられた状態を示す反応炉Fの拡大断面図である。
【図2】本発明に係る反応ガス供給管の折損検出装置のブロック線図である。
【符号の説明】
C:センサコントローラ
D:表示装置
F:反応炉
S:加速度センサ
4:マニホールド
6:反応ガス供給管
7:ウェハボート
8:マニホールドキャップ
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a breakage detection apparatus capable of detecting breakage of a reaction gas supply pipe made of quartz disposed in a reaction furnace of a reduced pressure semiconductor manufacturing apparatus.
[0002]
[Prior art]
First, with reference to FIG. 1 which is a drawing according to the present invention, the configuration and operation of a reaction furnace F of a reduced pressure semiconductor manufacturing apparatus will be briefly described. A cylindrical outer tube 2 and an inner tube 3 that are also cylindrical are arranged concentrically in a cylindrical heater 1 that constitutes the reaction furnace F. The heater 1 and the inner and outer tubes 2 and 3 are supported by the manifold 4 at their lower ends. A reaction gas supply pipe 6 is disposed inside the inner tube 3, and the lower end portion of the reaction gas supply pipe 6 is supported by the manifold 4.
[0003]
Then, a wafer boat 7 storing a large number of wafers in a multi-stage shape is inserted into the inner tube 3 through the opening at the lower end of the manifold 4, and a manifold cap 8 provided at the lower end portion of the wafer boat 7 is attached. The inside of the reaction furnace F is sealed by closely contacting the lower end surface of the manifold 4. In this state, when the inside of the reaction furnace F is vacuum-evacuated by a vacuum suction device (not shown), the reaction gas supplied from the reaction gas supply pipe 6 is heated in the state where the reaction furnace F is heated by the heater 1. By being sucked and passed around the wafer, chemical processing (chemical vapor deposition) of the wafer is performed. After the chemical treatment, the wafer boat 7 is lowered and taken out from the inner tube 3. This operation is repeated to continuously chemically process the wafer. In FIG. 1, reference numeral 5 denotes an exhaust pipe for exhausting residual gases between the outer tube 2 and the inner tube 3 to depressurize the inner tube 3.
[0004]
The reaction gas supply pipe 6 and the outer and inner tubes 2 and 3 are each formed of a quartz pipe. In particular, the reaction gas supply pipe 6 is composed of a thin quartz pipe and is also referred to as a “quartz nozzle”. The thermal stress accompanying the temperature change in the reaction furnace F, the change in the pressure of the reaction gas, aging, etc. May cause damage or breakage. When the reaction gas supply pipe 6 is broken during the processing, the flow of the reaction gas in the reaction furnace F is changed, which adversely affects the chemical processing of the wafer itself. Further, during the fall of the broken piece, the wafer may be damaged by coming into contact with the wafer being processed stored in the wafer boat.
[0005]
Conventionally, the breakage of the reaction gas supply pipe 6 has been found for the first time when the operator finds that the breakage piece has fallen on the upper surface of the manifold cap 8. For this reason, it has not been known at all which stage in the entire flow of the chemical processing of the wafer has occurred, and it has been difficult to investigate the cause, and it has not been possible to deal with it immediately.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention makes it possible to detect the breakage of the reaction gas supply pipe disposed in the reaction furnace against the background described above, and contribute to the investigation of the cause, and at the same time, the reaction gas supply pipe can be replaced immediately. The challenge is to do so.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve this problem, the means employed by the present invention is a wafer in which one or a plurality of reaction gas supply pipes are arranged in a reaction furnace, the lower ends thereof are supported by a manifold, and a large number of wafers are stored. A boat is inserted into the reaction furnace, and the manifold cap on which the wafer boat is mounted is brought into close contact with the lower end surface of the manifold and the reaction furnace is hermetically sealed. However, in the reduced pressure semiconductor manufacturing apparatus configured to perform chemical processing on the wafer by the reaction gas supplied from the reaction gas supply pipe, the reaction gas supply pipe is broken and dropped onto the manifold cap. In order to detect the vibration caused by the acceleration sensor, the acceleration sensor attached to the cap, and the output value from the acceleration sensor are continuously calculated, During breakage of response gas supply pipe, and a sensor controller which emits a detection signal, the display device and which displays continuously the output state of the acceleration sensor is that which constitutes the breakage detection device of the reaction gas supply pipe.
[0008]
The output value of the acceleration sensor attached to the manifold cap is calculated by the sensor controller and continuously displayed on the display device. Therefore, when the reaction gas supply pipe is broken and the broken piece falls on the manifold cap, a force acts on the cap, and a corresponding vibration is generated, and the acceleration sensor attached to the cap When this is detected, the output value changes greatly. This output value is input to the sensor controller and output as a detection signal for displaying the breakage of the reaction gas supply pipe, and displayed on the display device. As a result, the breakage of the reaction gas supply pipe is immediately determined, and at the same time, the reaction gas supply pipe includes the detection information of the breakage, and all the states with respect to time changes are stored in the display device. Even when the display device is viewed at a later time, it is immediately determined at which stage of the wafer processing process the breakage has occurred.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view of a portion of a reaction furnace F, and FIG. 2 is a block diagram of a reaction gas supply pipe breakage detection apparatus according to the present invention. It should be noted that only parts unique to the present invention will be described while avoiding duplication with the parts described in the section “Prior Art”. In the present invention, when the reactive gas supply pipe 6 is broken, the acceleration sensor S for detecting that the broken piece has fallen on the manifold cap 8 of the wafer boat 7 has an obstacle in raising and lowering the back surface of the cap 8. It is attached to the part that does not become. It has been experimentally found that the acceleration sensor S can be used for the above purpose as long as it can detect acceleration larger than (0.1 G). Since the wafer boat 7 moves up and down, the manifold cap 8 receives a force corresponding to the change in speed (acceleration occurs) at the start and stop of the lift. It has been experimentally confirmed that this force is much smaller than the force based on the fall of the broken piece of the reaction gas supply pipe. For this reason, the breakage of the reaction gas supply pipe 6 can be detected regardless of the raising / lowering operation of the wafer boat 7.
[0010]
Further, as shown in the block diagram of FIG. 2, the output value from the acceleration sensor S attached to the manifold cap 8 is continuously input to the sensor controller C as an electric quantity and is calculated by the controller C. When the output value from the acceleration sensor S exceeds the set value, it is determined that a damaged piece of the reaction gas supply pipe has dropped on the manifold cap 8, and a detection signal (abnormal signal) to that effect is generated. It is emitted from the sensor controller C. The output signal from the sensor controller C is sequence-controlled by the sequencer K, and is input to the display device D to be stored and displayed. Further, the operation of other parts of the semiconductor manufacturing apparatus including the reaction furnace F is sequence-controlled by the sequencer K and stored and displayed on the display device D. In the present invention, the operation is performed on the manifold cap 8. Since the physical quantity acting force (vibration) is read by the acceleration sensor S and continuously output, the broken state of the reaction gas supply pipe 6 is related to the operation of other parts of the semiconductor manufacturing apparatus. Prove.
[0011]
For this reason, when the reactive gas supply pipe 6 is damaged and the damaged piece falls on the manifold cap 8, the output value of the acceleration sensor S suddenly increases and the reactive gas supply pipe is damaged from the sensor controller C. A detection signal to that effect is issued and stored and displayed on the display device D. Thus, the operator can immediately know that the reaction gas supply pipe is broken, and at the same time, the display device D receives an output signal from the sensor controller C corresponding to the output value from the acceleration sensor S. Since it is stored, it is possible to know at which stage of the wafer processing process the breakage has occurred by reading the history even after the reaction gas supply pipe breakage has occurred.
[0012]
In addition, although the reaction furnace F of the said Example is an example in which one reaction gas supply pipe | tube is arrange | positioned inside, the several reaction gas supply pipe | tube which may differ in length is arrange | positioned. In some cases, the greater the number, the higher the frequency of breakage. Therefore, when the number of reaction gas supply pipes arranged in the reaction furnace is large, the effect of the present invention is particularly large. Become.
[0013]
【The invention's effect】
According to the reaction gas supply pipe breakage detecting device according to the present invention, since the reaction gas supply pipe breakage can be detected, the operator can know the fact of the reaction gas supply pipe breakage by the display device and stop the operation of the apparatus. Thus, it is possible to immediately take action such as replacement of the reaction gas supply pipe. Even after the reaction gas supply pipe is broken, the vibration information of the manifold cap stored in the display device is read to determine at which stage of the wafer processing process the reaction gas supply pipe is broken. Since it can, it can contribute to the investigation of the cause of breakage.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view of a reactor F showing a state where an acceleration sensor S is attached to the back surface of a manifold cap 8. FIG.
FIG. 2 is a block diagram of a reaction gas supply pipe breakage detection apparatus according to the present invention.
[Explanation of symbols]
C: Sensor controller D: Display device F: Reactor S: Acceleration sensor 4: Manifold 6: Reaction gas supply pipe 7: Wafer boat 8: Manifold cap

Claims (3)

反応炉内に1ないし複数本の反応ガス供給管が配置されて、その下端部がマニホールドに支持され、多数枚のウェハを収納したウェハボートを前記反応炉内に挿入して、該ウェハボートが搭載されたマニホールドキャップを前記マニホールドの下端面に密着させて前記反応炉内を密閉した状態で、真空排気装置により反応炉内を吸引排気しながら、前記反応ガス供給管から供給された反応ガスによって、前記ウェハの化学処理を行う構成の減圧式半導体製造装置において、
前記反応ガス供給管が折損して、前記マニホールドキャップ上に落下することにより生ずる振動を検出するために、該キャップに取付けられる加速度センサと、該加速度センサからの出力値を連続的に演算して、前記反応ガス供給管の折損時において、その検出信号を発するセンサコントローラと、前記加速度センサの出力状態を連続して表示する表示装置とを備えていることを特徴とする反応ガス供給管の折損検出装置。
One or a plurality of reaction gas supply pipes are arranged in the reaction furnace, the lower ends thereof are supported by the manifold, a wafer boat containing a large number of wafers is inserted into the reaction furnace, and the wafer boat is With the mounted manifold cap in close contact with the lower end surface of the manifold and sealing the inside of the reaction furnace, the reaction gas supplied from the reaction gas supply pipe is sucked and exhausted by a vacuum exhaust device. In the reduced pressure semiconductor manufacturing apparatus configured to perform chemical processing of the wafer,
In order to detect vibrations caused by the reaction gas supply pipe breaking and falling on the manifold cap, an acceleration sensor attached to the cap and an output value from the acceleration sensor are continuously calculated. A breakage of the reaction gas supply pipe, comprising: a sensor controller that generates a detection signal when the reaction gas supply pipe is broken; and a display device that continuously displays the output state of the acceleration sensor. Detection device.
加速度センサは、マニホールドキャップの裏面に取付けられることを特徴とする請求項1に記載の反応ガス供給管の折損検出装置。2. The breakage detection device for a reaction gas supply pipe according to claim 1, wherein the acceleration sensor is attached to a back surface of the manifold cap. 加速度センサが検出可能な最少加速度は、ほぼ0.1Gであることを特徴とする請求項1又は2に記載の反応ガス供給管の折損検出装置。3. The reaction gas supply pipe breakage detection apparatus according to claim 1, wherein the minimum acceleration that can be detected by the acceleration sensor is approximately 0.1 G.
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