JP3811880B2 - Magnetic recording medium - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気記録媒体に関し、特に、磁気ヘッドの書込み能力以上の保磁力を有する磁気記録媒体の記録部を加熱し、保磁力を低下させて書込みを行う場合の記録層の構成に特徴のある磁気記録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年のハードディスク装置の小型化,大容量化の需要の高まりに伴い、高密度磁気記録が可能なハードディスク装置の研究開発が急速に進められており、そのために、記録ビットの幅も記録密度の上昇に応じて狭くなってきている。
【0003】
より小さな記録ビットを磁気ディスク記録媒体に形成するためには、記録ヘッドの高性能化もさることながら、磁気ディスク記録媒体自体の高保磁力化及び低ノイズ化が重要となる。
この様な磁気ディスク記録媒体の記録層としては、面内磁化、即ち、磁性層の平面に対して垂直方向の磁化ではなく、平面に平行な方向の磁化を利用したCoCrPt等のCoCr系合金が使用されている。
【0004】
一方、磁気記録装置においては、通常、浮上型磁気ヘッドが用いられており、書き込みを行う場合には、誘導型薄膜磁気ヘッドを用い、再生を行う場合には、MR(磁気抵抗)型或いはGMR(巨大磁気抵抗)型の再生磁気ヘッドを用いており、再生磁気ヘッドにおいては、年々感度が向上しており、より微小な漏れ磁界の検出が可能になっている。
【0005】
しかし、書き込み用の誘導型磁気ヘッドにおいても記録性能は年々向上しているものの、磁気記録媒体のSN比の向上に不可欠な保磁力の増加に対してその記録能力の向上スピードは必ずしも十分ではないという問題がある。
【0006】
上述の様に高磁気記録密度化を達成するためには磁気記録媒体の高保磁力化が必要であるが、誘導型薄膜磁気ヘッドの書き込み能力以上には保磁力を上げられないため、この様な問題を解決するために、誘導型薄膜磁気ヘッドの書き込み能力以上の保磁力を有する磁気記録媒体に磁気記録を行うための技術として、書き込み時に、記録部を加熱し、保磁力を低下させて書き込みを行う加熱磁気記録方式が提案(必要ならば、特公平2−37501号公報参照)されている。
また、それに伴って、この様な加熱磁気記録方式により適した磁気記録媒体の構造、或いは、材料の検討が始まっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ハードディスクにおいて一般に用いられている面内磁化膜であるCoCr系合金を用いた場合、キュリー点Tc が600℃以上と高く、残留磁束密度Br や保磁力Hc の温度変化が比較的小さいという問題がある。
【0008】
一方、加熱記録方式を採用している光磁気ディスク(MO)において用いられているTbFeCo等のアモルファスフェリ磁性体はキュリー点Tc が低いので残留磁束密度Br や保磁力Hc の温度変化が大きいものの、垂直磁化膜であり、ハードディスクにおいて一般に用いられている面内磁化膜にするのが困難であるので、このままでは現状のハードディスクシステムには転用できないという問題がある。
【0009】
また、磁気記録媒体の低ノイズ化のためには、強磁性層を構成する磁性粒子の結晶粒径を微細化する必要があるが、結晶粒径を微細化することによって、熱揺らぎが生じて記録磁化が不安定になる問題があり、この様な問題を解決するためには記録保持温度における保磁力を高める必要がある。
【0010】
なお、熱揺らぎとは、熱によって磁性粒子を構成する原子の振動による磁化方向の振動に起因するものであり、この熱揺らぎの影響は、Ku を記録層の磁気異方性定数、Vを記録層の単位磁化の体積、kをボルツマン定数、絶対温度をTとすると、Ku ・V/kTで表され、この値が大きいほど熱的に安定である。
したがって、この熱揺らぎは温度の上昇とともに顕著になるとともに、S/N比の改善のために磁気クラスターを小さくするとVが小さくなり、熱揺らぎの影響が増加し、磁化方向が反転して記録したデータが破壊されやすくなり、熱的に非常に不安定になる
【0011】
したがって、本発明は、面内磁化膜で構成される記録層の残留磁束密度Br や保磁力Hc の温度変化を大きくするとともに、記録保持温度での保磁力を高めることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
図1は本発明の原理的構成の説明図であり、この図1を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図において、符号1はAl基板或いはガラス基板等の基板であり、また、符号5はダイヤモンドライクカーボン膜或いはグラファイト膜からなる保護膜である。
図1参照
(1)本発明は、磁気記録媒体において、面内磁化記録層を互いにキュリー点の異なる2層以上の強磁性層2,4によって構成するとともに、各強磁性層2,4の層間に、Ru、Cu、Rh、Pd、Ag、Ir、Pt、Auの内の少なくとも1つ以上からなる非磁性金属層3を設け、この非磁性金属層3の層厚を制御することによって、隣り合う強磁性層の磁化を互いに逆向きに磁気交換結合し、前記相対的に低いキュリー点を越えた温度における保磁力及び残留磁化がキュリー点が相対的に高い強磁性層4の保磁力及び残留磁化のみを反映することを特徴とする。
【0013】
この様に、面内磁化記録層を非磁性金属層3によって分離された互いにキュリー点の異なる2層以上の強磁性層2,4によって構成し、非磁性金属層3の層厚を制御することによって、非磁性金属層3を挟んで対向する強磁性層2,4の磁化方向を互いに逆向き、即ち、反平行にしてフェリ的な磁気構造を構成することができ、それによって、残留磁束密度Br 及び保磁力Hc の温度変化を大きくすることができる。
即ち、面内磁化記録層全体としての残留磁束密度Br 及び保磁力Hc の温度変化は、各強磁性層2,4の残留磁束密度Br 及び保磁力Hc の温度変化の差となるが、各強磁性層2,4の残留磁束密度Br 及び保磁力Hc の温度変化が異なることによって、面内磁化記録層全体としての残留磁束密度Br 及び保磁力Hc の温度変化を単層の強磁性層2,4を用いた場合に比べて大きくすることができる。
【0014】
また、面内磁化記録層を非磁性金属層3によって分離された2層以上の強磁性層2,4を互いにキュリー点Tc の異なる強磁性層によって構成することによって、記録保持温度、例えば、室温近傍における保磁力を大きくすることができるので、熱揺らぎに対して記録磁化を安定化することができる。
【0015】
(2)また、本発明は、上記(1)において、各強磁性層2,4の内、キュリー点が相対的に高い強磁性層4をCoを主成分とするとともに、Fe、Pt、Cr、Ni、Ta、B、Sm、Ndの内の少なくとも1つ以上の元素を含む合金によって構成することを特徴とする。
【0016】
この様に、残留磁束密度Br 及び保磁力Hc の温度変化を大きくするためには、各強磁性層2,4の内、キュリー点が相対的に高い強磁性層4を、Co76.3Cr17Pt6.7 或いはCo69Cr21Pt8 Ta2 等のCoを主成分とするとともに、Fe、Pt、Cr、Ni、Ta、B、Sm、Ndの内の少なくとも1つ以上の元素を含む合金によって構成することが望ましい。
【0017】
(3)また、本発明は、上記(1)において、各強磁性層2,4の内、キュリー点が相対的に低い強磁性層2をNiを主成分とするとともに、Fe、Co、Cr、Ta、B、Gdの内の少なくとも1つ以上の元素を含む合金によって構成することを特徴とする。
【0018】
この様に、残留磁束密度Br 及び保磁力Hc の温度変化を大きくするためには、各強磁性層2,4の内、キュリー点が相対的に低い強磁性層2を、Co55Cr45等のCoを主成分とする合金で構成しても良いが、両者の差を大きくするためには、Ni82Fe18等のNiを主成分とするとともに、Fe、Co、Cr、Ta、B、Gdの内の少なくとも1つ以上の元素を含む合金によって構成することが望ましい。
【0019】
上記(1)乃至(3)のいずれかに記載の磁気記録媒体に磁気情報を書き込むとともに書き込んだ磁気情報を再生する場合には、加熱式磁気記録装置に半導体レーザを光源として用いた加熱機構を設けることが好適である。
【0020】
即ち、上記(1)乃至(3)のいずれかに記載の磁気記録媒体の特性を最大限に生かすためには、加熱機構を備えた加熱式磁気記録装置を用いることが必要であり、この場合、磁気ヘッド自体に光源となる半導体レーザを搭載した加熱機構或いは光モジュール上に光源となる半導体レーザを搭載した加熱機構を用いることによって光を精確に照射することができるとともに、加熱式磁気記録装置全体の小型化が可能になる。
【0021】
また、この様な加熱式磁気記録装置において、書き込んだ磁気情報を再生する際の加熱機構による加熱温度を、2層以上の強磁性層2,4の内の最も低いキュリー点以上且つ最も高いキュリー点以下の温度とすることが望ましい。
【0022】
即ち、書き込んだ磁気情報を再生する際の加熱機構による加熱温度Tを、
TcMIN≦T≦TcMAX
とすることによって、キュリー点の低い強磁性体層の残留磁化MrMINを加熱により消失させることができ、それによって、キュリー点の高い強磁性体層の残留磁化MrMAXを、MrMINによって減ずることなくそのまま出力することができるので、高出力化が可能になる。
【0023】
【発明の実施の形態】
ここで、図2を参照して、本発明の第1の実施の形態の磁気記録媒体を説明する。
図2(a)参照
図2(a)は、本発明の第1の実施の形態の磁気記録媒体の概略的断面図であり、Arガスをプロセスガスとして用いたDCマグネトロンスパッタ装置を用いて、例えば、5mTorrの真空度において、まず、例えば、3.5インチ(≒8.9cm)のガラス基板11上に、厚さ5〜50nm、例えば、20nmのNiFe強磁性層12、厚さ0.1〜5.0nm、例えば、1nmのRu中間層13、厚さ5〜50nm、例えば、40nmのCoCrPt強磁性層14、及び、厚さ1〜20nm、例えば、5nmのグラファイト層からなるカーボン保護層15を順次堆積させる。
なお、この場合の各層の堆積速度は、堆積順に、例えば、2.5nm/秒、0.7nm/秒、2.5nm/秒、及び、0.3nm/秒とする。
また、NiFe強磁性層12としては、キュリー点Tc が約200℃のNi35Fe65を用い、また、CoCrPt強磁性層14としては、キュリー点Tc が約800℃のCo75Cr13Pt12を用いた。
【0024】
この場合のNiFe強磁性層12の磁化方向とCoCrPt強磁性層14の磁化方向が、互いに逆向き、即ち、反平行になるようにRu中間層13の厚さを制御するものであり、それによってフェリ的な磁気構造を構成する。
【0025】
即ち、ハードディスク用磁気ヘッド技術として開発された積層フェリ型スピンバルブ素子は、TbFeCoと同じようなフェリ的な磁気構造をCo等の2層の面内磁化強磁性層の層間にRu等の非磁性金属層を挟んだサンドイッチ構造とすることによって実現しており、本発明者はこの様な技術事項に着目し、この技術事項を磁気記録媒体に応用し、それによって、TbFeCoと同様に残留磁束密度Br 及び保磁力Hc の温度変化を大きくしようとするものである。
【0026】
図2(b)参照
図2(b)は、この様にして作製した磁気記録媒体10の面内方向の保磁力Hc 及び残留磁化Mr の温度依存性を示した図であり、比較のために、単層の面内磁化記録層を設けた従来の磁気記録媒体の面内方向の保磁力Hc 及び残留磁化Mr の温度依存性も合わせて示している。
なお、この場合の従来の磁気記録媒体は、上記の第1の実施の形態と同じ堆積条件において、ガラス基板上に、Cr下地層、厚さ40nmのCoCrPt強磁性層、厚さ5nmのグラファイト層を順次堆積して作製した。
【0027】
図2(b)から明らかな様に、面内磁化記録層を多層化することによって、保磁力Hc は加熱温度の上昇とともに大きく低下し、室温近傍からの温度変化は、従来の単層の面内磁化記録層を用いた磁気記録媒体に比べて大幅に変化しており、大きな温度変化が得られる。
また、室温近傍における保磁力Hcは、約7kOeであり、従来の磁気記録媒体の約3kOeに比べて2倍以上の値になっており、高保磁力となっているので、高密度磁気記録が可能になるとともに、熱揺らぎ耐性が向上する。
【0028】
この磁気記録媒体10に磁気情報を書き込む場合、記録位置をレーザ光の照射により加熱することによって、保磁力Hc を大幅に低下させることができるので、書き込み用誘導型薄膜磁気ヘッドの書き込み能力が磁気記録媒体10の保磁力Hc を下回っていても、書き込みが可能になる。
【0029】
また、図2(b)から明らかな様に、面内磁化記録層を多層化することによって、残留磁化Mr は加熱温度の上昇とともに大きく増加し、175℃近傍から再び低減するのに対して、従来の単層の面内磁化記録層を用いた磁気記録媒体の場合には、単調減少傾向が見られる。
したがって、多層化することによって、室温近傍における面内磁化記録層全体としての残留磁化Mr は非常に小さな値となるが、再生時にNiFe強磁性層12のキュリー点以上の温度に加熱することによって、NiFe強磁性層12側の残留磁化を消すことができ、それによって、CoCrPt強磁性層14の残留磁化のみを読み出すことができるので、従来の単層の面内磁化記録層を用いた磁気記録媒体と同様の再生強度を得ることができる。
【0030】
次に、図3及び図4を参照して、本発明の第2の実施の形態を説明する。
図3参照
図3は、本発明の第2の実施の形態の磁気記録媒体の概略的断面図であり、上記の第1の実施の形態と同様に、Arガスをプロセスガスとして用いたDCマグネトロンスパッタ装置を用いて、例えば、5mTorrの真空度において、まず、例えば、3.5インチ(≒8.9cm)のSi基板21上に、厚さ5〜50nm、例えば、20nmのNiCr強磁性層22、厚さ0.1〜5.0nm、例えば、1nmのCu中間層23、厚さ5〜50nm、例えば、40nmのCoSm強磁性層24、及び、厚さ1〜20nm、例えば、5nmのグラファイト層からなるカーボン保護層25を順次堆積させる。
なお、この場合の各層の堆積速度は、堆積順に、例えば、2.5nm/秒、0.7nm/秒、2.5nm/秒、及び、0.3nm/秒とする。
また、NiCr強磁性層12としては、キュリー点Tc が約200℃のNi95Cr5 を用い、また、CoSm強磁性層24としては、キュリー点Tc が約1000℃のCo80Sm20を用いた。
【0031】
この場合も、NiCr強磁性層22の磁化方向とCoSm強磁性層24の磁化方向が反平行になるようにCu中間層23の厚さを制御してフェリ的な磁気構造を構成するものであり、それによって、上記の第1の実施の形態と同様に、単層の面内磁化記録層を用いた場合よりも、残留磁束密度Br 及び保磁力Hc の温度変化を大きくすることができる。
【0032】
図4参照
図4は、本発明の第2の実施の形態に用いる加熱式磁気記録装置の概念的構成図であり、光ピックアップ30を設け、光ピックアップ30からのレーザ光31を記録位置にスポット集光して、記録位置を加熱しながら磁気情報を書き込んだり或いは書き込んだ磁気情報を再生する以外は、従来のHDD装置の構成と実質的に同様である。
この場合、レーザ光31は、対物レンズによって約1μmのスポットに集光されるものであり、また、磁気ヘッド27は光ピックアップ30と反対側に浮上することになる。
【0033】
即ち、Cu中間層で分離されたCoSm強磁性層及びNiCr強磁性層とからなる記録層26を設けた磁気記録媒体20をスピンドル29によって回転させるとともに、サスペンション28によって支持された磁気ヘッド27を走査しながら所定の位置にレーザ光31を照射しながら磁気情報を書き込んだり、或いは、所定の位置にレーザ光31を照射しながら書き込んだ磁気情報を読み出して再生するものである。
【0034】
この場合のレーザ光31の照射による加熱温度は、例えば、400℃であり、NiCr強磁性層22のキュリー点とCoSm強磁性層24のキュリー点の中間の値とする。
特に、再生の際に、NiCr強磁性層22のキュリー点とCoSm強磁性層24のキュリー点の中間の温度で加熱することによって、NiCr強磁性層22の残留磁化Mr を消失させ、CoSm強磁性層24の残留磁化Mr のみを読み出すことが可能になる。
なお、この第2の実施の形態の加熱式磁気記録装置の場合には、光ピックアップ30と磁気ヘッド27の位置関係から、両面記録タイプの磁気記録媒体には適用できないものである。
【0035】
次に、図5を参照して、本発明の磁気記録媒体を適用する他の加熱式磁気記録装置を説明するが、磁気記録媒体20の回転機構等は図4の場合と同様であるので、磁気ヘッド近傍の構成のみを図示する。
図5参照
図5は、本発明の磁気記録媒体を適用する他の加熱式磁気記録装置の概念的構成図であり、レーザ光31の光源となる半導体レーザ33を対物レンズ等の光学系34とともに、スライダー32に装着したものである。
【0036】
即ち、磁気ヘッド27の基板を兼ねるAl2 O3 −TiC等からなるスライダーの一方の面に、スピンバルブ素子等からなる再生用MR素子と、その上に積層させた誘導型の薄膜磁気ヘッドからなる複合型薄膜磁気ヘッドを設け、その上に、Al2 O3 保護膜等を介して半導体レーザ33及び光学系34をハイブリッド的に装着したものである。
この場合、半導体レーザ33からのレーザ光31は、光学系34によって整形されるとともに、1μm程度のスポット径で記録位置に集光されて記録位置を加熱することになる。
【0037】
次に、図6を参照して、本発明の磁気記録媒体を適用するさらに他の加熱式磁気記録装置を説明するが、磁気記録媒体20の回転機構等は図4の場合と同様であるので、磁気ヘッド近傍の構成のみを図示する。
図6参照
図6は、本発明の磁気記録媒体を適用するさらに他の加熱式磁気記録装置の概念的構成図であり、対物レンズ等の光学系34をスライダー32の側面に装着するとともに、別の位置に設けた光モジュール(図示せず)からのレーザ光31を導く光ファイバ35を装着したものである。
【0038】
即ち、磁気ヘッド27の基板を兼ねるAl2 O3 −TiC等からなるスライダーの一方の面に、スピンバルブ素子等からなる再生用MR素子と、その上に積層させた誘導型の薄膜磁気ヘッドからなる複合型薄膜磁気ヘッドを設け、サスペンション28の背面に装着した光ファイバ35の先端部を、Al2 O3 保護膜等を介して薄膜磁気ヘッド27の上に光学系34とともに装着したものである。
この場合、光ファイバ35を伝送されてきたレーザ光31は、光学系34によって整形されるとともに、1μm程度のスポット径で記録位置に集光されて記録位置を加熱することになる。
【0039】
以上、本発明の各実施の形態を説明してきたが、本発明は各実施の形態に記載された構成・条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の各実施の形態においては、面内磁化記録層を構成するキュリー点の高い強磁性層として、Co75Cr13Pt12強磁性層或いはCo80Sm20強磁性層を用いているが、この様な組成比のCoCrPt強磁性層或いはCoSm強磁性層に限られるものではなく、他の組成比のCoCrPt強磁性層或いはCoSm強磁性層を用いても良いものである。
【0040】
さらには、CoCrPt強磁性層或いはCoSm強磁性層に限られるものではなく、Coを主成分とするとともに、Fe、Pt、Cr、Ni、Ta、B、Sm、Ndの内の少なくとも1つ以上の元素を含む合金、例えば、CoCrPtTa強磁性層を用いても良いものであり、或いは、二元のCoCr強磁性層でも良いものである。
【0041】
また、上記の各実施の形態においては、面内磁化記録層を構成するキュリー点の低い強磁性層として、Ni35Fe65強磁性層或いはNi95Cr5 強磁性層を用いているが、この様な組成比のNiFe強磁性層或いはNiCr強磁性層に限られるものではなく、他の組成比のNiFe強磁性層或いはNiCr強磁性層を用いても良いものである。
【0042】
さらには、キュリー点が相対的に低いものであれば、Co75Cr25等のCoを主成分とする強磁性体を用いても良いが、加熱温度のマージンをより広くするためには、Niを主成分とする強磁性層がより望ましく、NiにFe、Co、Cr、Ta、B、Gdの内の少なくとも1つ以上の元素を含む合金からなる強磁性層を用いることが望ましい。
【0043】
また、上記の各実施の形態においては、強磁性層を分離する非磁性金属層として、Ru中間層或いはCu中間層を用いているが、Ru或いはCuに限られるものではなく、Rh、Pd、Ag、Ir、Pt、或いは、Auを用いても良いものであり、さらには、Ru及びCuを含めてこれらの合金を用いても良いものである。
【0044】
また、上記の各実施の形態においては、強磁性層を2層構造にしているが、3層以上の多層構造としても良いものであり、いずれにしても、隣接する強磁性層間に設ける非磁性金属層の層厚を制御して、隣り合う強磁性層の磁化の方向が互いに逆向きになるようにすれば良い。
【0045】
また、上記の各実施の形態の説明においては、表面保護層をグラファイト層によって構成しているが、ダイアモンドライクカーボン(DLC)層を用いても良いものであり、その場合には、DLC層はプラズマCVD法を用いて堆積させれば良い。
【0046】
また、上記の各実施の形態においては、基板としてガラス基板或いはSi基板を用いているが、基板はガラス基板或いはSi基板に限られるものではなく、Al基板、カーボン基板、或いは、Al2 O3 −TiC等のセラミック基板等を用いても良いものである。
【0047】
また、上記の各実施の形態においては、キュリー点が相対的に高い強磁性層が磁気ヘッド側に位置するように積層しているが、必ずしも、必須ではなく、キュリー点が相対的に高い強磁性層を基板に最初に堆積させる様にしても良い。
但し、CoCrPt等の強磁性膜は、ガラス等に基板に直接堆積させた場合には、強磁性を示さないので、ガラス基板上に、Cr層或いはCr90Mo10層等の下地層を設けてから堆積を行う必要がある。
【0048】
また、上記の各実施の形態の説明においては、ハードディスクシステムを前提としているが、必ずしも、ハードディスクに限られるものではなく、フロッピーディスク等の他の磁気記録媒体にも適用されるものである。
【0049】
また、薄膜磁気ヘッドを構成する再生素子としては、特段の制限を受けるものではなく、巨大磁気抵抗(GMR)素子、トンネル磁気抵抗(TMR)素子、或いは、磁気抵抗(MR)素子等の磁気抵抗センサを用いれば良いものである。
【0050】
【発明の効果】
本発明によれば、面内磁化記録層を互いに異なったキュリー点を有する強磁性層により多層構造とし、その層間に設ける非磁性金属層の層厚を制御してフェリ的な磁気構造を形成しているので、残留磁束密度Br 及び保磁力Hc の温度変化を大きくすることができ、それによって、磁気ヘッドの書き込み能力が磁気記録媒体の保磁力より下回った場合にも書き込みが可能になるので、高磁気記録密度化が可能になり、また、室温近傍での保磁力を大きくすることができるので記録保持能力が高まり、熱揺らぎ耐性が大きくなるので記録磁化を安定にすることができ、ひいては、ハードディスク装置等の磁気記録装置の大容量化及び高密度磁気記録化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理的構成の説明図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態の磁気記録媒体の説明図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態の磁気記録媒体の概略的断面図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態に用いる加熱式磁気記録装置の概念的構成図である。
【図5】本発明の磁気記録媒体を適用する他の加熱式磁気記録装置の概念的構成図である。
【図6】本発明の磁気記録媒体を適用するさらに他の加熱式磁気記録装置の概念的構成図である。
【符号の説明】
1 基板
2 強磁性層
3 非磁性金属層
4 強磁性層
5 保護層
10 磁気記録媒体
11 ガラス基板
12 NiFe強磁性層
13 Ru中間層
14 CoCrPt強磁性層
15 カーボン保護層
20 磁気記録媒体
21 Si基板
22 NiCr強磁性層
23 Cu中間層
24 CoSm強磁性層
25 カーボン保護層
26 記録層
27 磁気ヘッド
28 サスペンション
29 スピンドル
30 光ピックアップ
31 レーザ光
32 スライダー
33 半導体レーザ
34 光学系
35 光ファイバ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a magnetic recording medium, and in particular, has a feature in the configuration of a recording layer when writing is performed by heating a recording portion of a magnetic recording medium having a coercive force exceeding the writing capability of a magnetic head to reduce the coercive force. The present invention relates to a magnetic recording medium.
[0002]
[Prior art]
Research and development of hard disk devices capable of high-density magnetic recording are rapidly progressing along with the recent increase in demand for hard disk devices with smaller sizes and larger capacities. For this reason, the recording bit width has also increased. It is getting narrower according to.
[0003]
In order to form smaller recording bits on the magnetic disk recording medium, it is important to increase the coercive force and reduce the noise of the magnetic disk recording medium itself as well as improving the performance of the recording head.
As a recording layer of such a magnetic disk recording medium, a CoCr-based alloy such as CoCrPt using in-plane magnetization, that is, magnetization in a direction parallel to the plane instead of magnetization in a direction perpendicular to the plane of the magnetic layer is used. in use.
[0004]
On the other hand, a floating type magnetic head is usually used in a magnetic recording apparatus. When writing is performed, an inductive thin film magnetic head is used. When reproducing is performed, an MR (magnetoresistive) type or GMR is used. A (giant magnetoresistive) type reproducing magnetic head is used, and the sensitivity of the reproducing magnetic head has been improved year by year, and a more minute leakage magnetic field can be detected.
[0005]
However, although the recording performance of the induction-type magnetic head for writing is also improving year by year, the speed of improving the recording capability is not always sufficient with respect to the increase of the coercive force which is indispensable for improving the SN ratio of the magnetic recording medium. There is a problem.
[0006]
As described above, in order to achieve high magnetic recording density, it is necessary to increase the coercive force of the magnetic recording medium. However, since the coercive force cannot be increased beyond the writing capability of the inductive thin film magnetic head, In order to solve the problem, as a technique for performing magnetic recording on a magnetic recording medium having a coercive force that exceeds the writing capability of the inductive thin film magnetic head, the recording unit is heated during writing to reduce the coercive force and write. Has been proposed (see Japanese Patent Publication No. 2-37501, if necessary).
Along with this, studies on the structure or material of a magnetic recording medium suitable for such a heated magnetic recording system have begun.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, when a CoCr-based alloy, which is an in-plane magnetic film generally used in hard disks, is used, the Curie point T c is as high as 600 ° C. or more, and the temperature change of the residual magnetic flux density Br and coercive force H c is relatively high. There is a problem of being small.
[0008]
On the other hand, amorphous ferrimagnetic material of TbFeCo and the like which are used in the magneto-optical disc employing a heated recording method (MO) is a temperature change in the Curie point T c has a lower residual magnetic flux density B r and the coercive force H c Although it is large, it is a perpendicular magnetic film, and it is difficult to make it an in-plane magnetic film generally used in hard disks, so there is a problem that it cannot be used as it is in the current hard disk system.
[0009]
In addition, in order to reduce the noise of the magnetic recording medium, it is necessary to reduce the crystal grain size of the magnetic particles constituting the ferromagnetic layer, but thermal fluctuations are caused by reducing the crystal grain size. There is a problem that the recording magnetization becomes unstable, and in order to solve such a problem, it is necessary to increase the coercive force at the recording holding temperature.
[0010]
Note that the thermal fluctuation is due to the vibration of the magnetization direction due to vibration of the atoms constituting the magnetic particles by heat, the influence of the heat fluctuation, the magnetic anisotropy constant of the K u recording layer, the V unit magnetization volume of the recording layer, k the Boltzmann constant, the absolute temperature is T, expressed in K u · V / kT, is thermally stable larger the value.
Therefore, this thermal fluctuation becomes more significant as the temperature rises, and when the magnetic cluster is reduced to improve the S / N ratio, V becomes smaller, the influence of thermal fluctuation increases, and the magnetization direction is reversed and recorded. Data is prone to corruption and becomes very unstable thermally.
Accordingly, the present invention is to increase the temperature variation of the residual magnetic flux density B r and the coercivity H c of the recording layer composed of a-plane magnetization film, and an object thereof is to enhance the coercive force of the recording holding temperature.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
FIG. 1 is an explanatory view of the principle configuration of the present invention, and means for solving the problems in the present invention will be described with reference to FIG.
In the figure, reference numeral 1 denotes a substrate such as an Al substrate or a glass substrate, and
See FIG. 1. (1) In the present invention, in the magnetic recording medium, the in-plane magnetization recording layer is constituted by two or more ferromagnetic layers 2 and 4 having different Curie points, and the layers between the ferromagnetic layers 2 and 4 Are provided with a
[0013]
In this way, the in-plane magnetization recording layer is constituted by two or more ferromagnetic layers 2 and 4 having different Curie points separated by the
That is, the temperature change of the remanence B r and coercivity H c of the entire plane magnetization recording layer is a difference in the temperature change of the remanence B r and coercivity H c of the ferromagnetic layers 2 and 4 but by the temperature change of the remanence B r and coercivity H c of the ferromagnetic layers 2 and 4 are different, the temperature variation of the remanence B r and coercivity H c of the entire plane magnetization recording layer The size can be increased as compared with the case where the single ferromagnetic layers 2 and 4 are used.
[0014]
Further, by forming the in-plane magnetization recording layer with two or more ferromagnetic layers 2 and 4 separated by the
[0015]
(2) Further, according to the present invention, in the above (1), among the ferromagnetic layers 2 and 4, the ferromagnetic layer 4 having a relatively high Curie point is mainly composed of Co, and Fe, Pt, Cr , Ni, Ta, B, Sm, Nd, and an alloy containing at least one element.
[0016]
Thus, in order to increase the temperature variation of the remanence B r and coercivity H c, of the respective ferromagnetic layers 2 and 4, the Curie point is a relatively high ferromagnetic layer 4, Co 76.3 Cr An alloy containing 17 Pt 6.7 or Co 69 Cr 21 Pt 8 Ta 2 or the like and containing at least one element of Fe, Pt, Cr, Ni, Ta, B, Sm, and Nd. It is desirable to configure.
[0017]
(3) Further, according to the present invention, in the above (1), among the ferromagnetic layers 2 and 4, the ferromagnetic layer 2 having a relatively low Curie point is mainly composed of Ni, and Fe, Co, Cr , Ta, B, Gd, and an alloy containing at least one element.
[0018]
Thus, in order to increase the temperature variation of the remanence B r and coercivity H c, of the respective ferromagnetic layers 2 and 4, the Curie point is a relatively low ferromagnetic layer 2, Co 55 Cr It may be composed of an alloy containing Co as a main component such as 45 , but in order to increase the difference between them, Ni such as Ni 82 Fe 18 is used as a main component, and Fe, Co, Cr, Ta, It is desirable to use an alloy containing at least one element of B and Gd.
[0019]
When writing magnetic information on the magnetic recording medium according to any one of (1) to (3) and reproducing the written magnetic information, a heating mechanism using a semiconductor laser as a light source is used in the heating type magnetic recording apparatus. It is preferable to provide it.
[0020]
That is, in order to make the best use of the characteristics of the magnetic recording medium described in any of (1) to (3) above, it is necessary to use a heating type magnetic recording apparatus equipped with a heating mechanism. By using a heating mechanism in which a semiconductor laser serving as a light source is mounted on the magnetic head itself or a heating mechanism in which a semiconductor laser serving as a light source is mounted on an optical module, light can be accurately irradiated and a heating type magnetic recording apparatus The overall size can be reduced.
[0021]
In such a heating type magnetic recording apparatus, the heating temperature by the heating mechanism when reproducing the written magnetic information is set to the highest Curie point above the lowest Curie point of the two or more ferromagnetic layers 2 and 4. It is desirable to set the temperature below the point.
[0022]
That is, the heating temperature T by the heating mechanism when reproducing the written magnetic information is
T cMIN ≦ T ≦ T cMAX
Thus, the remanent magnetization M rMIN of the ferromagnetic layer having a low Curie point can be eliminated by heating, whereby the remanent magnetization M rMAX of the ferromagnetic layer having a high Curie point is reduced by M rMIN . Since it can be output as it is, high output can be achieved.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Here, the magnetic recording medium according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 2A is a schematic cross-sectional view of the magnetic recording medium according to the first embodiment of the present invention, and a DC magnetron sputtering apparatus using Ar gas as a process gas is used. For example, at a vacuum of 5 mTorr, first, for example, a NiFe
In this case, the deposition rate of each layer is, for example, 2.5 nm / second, 0.7 nm / second, 2.5 nm / second, and 0.3 nm / second in the order of deposition.
Further, Ni 35 Fe 65 having a Curie point T c of about 200 ° C. is used as the NiFe
[0024]
In this case, the thickness of the Ru
[0025]
That is, the laminated ferri-type spin valve element developed as a magnetic head technology for hard disks has a ferrimagnetic structure similar to that of TbFeCo with a non-magnetic material such as Ru between two in-plane magnetization ferromagnetic layers such as Co. The present inventor pays attention to such a technical matter and applies this technical matter to a magnetic recording medium, thereby making the residual magnetic flux density similar to TbFeCo. it is intended to increase the temperature variation of the B r and coercivity H c.
[0026]
See FIG. 2 (b) Figure 2 (b) is a graph showing the temperature dependency of the coercive force H c and a residual magnetization M r-plane direction of the
In this case, the conventional magnetic recording medium has a Cr underlayer, a 40 nm-thick CoCrPt ferromagnetic layer, and a 5 nm-thick graphite layer on a glass substrate under the same deposition conditions as in the first embodiment. Were sequentially deposited.
[0027]
As is apparent from FIG. 2B, the multi-layered in-plane magnetization recording layer reduces the coercive force H c as the heating temperature rises, and the temperature change from around room temperature is the same as that of the conventional single layer. Compared to a magnetic recording medium using an in-plane magnetization recording layer, the temperature changes greatly, and a large temperature change can be obtained.
In addition, the coercive force Hc near room temperature is about 7 kOe, more than twice the value of about 3 kOe of the conventional magnetic recording medium, and has a high coercive force, so that high-density magnetic recording is possible. In addition, the thermal fluctuation resistance is improved.
[0028]
When writing magnetic information to the
[0029]
Further, as is apparent from FIG. 2B, by increasing the in-plane magnetization recording layer, the residual magnetization Mr greatly increases as the heating temperature rises and decreases again from around 175 ° C. In the case of a magnetic recording medium using a conventional single-layer in-plane magnetization recording layer, a monotonic decreasing tendency is observed.
Therefore, by multi-layered, but the residual magnetization M r of the entire plane magnetization recording layer at room temperature near the very small value, by heating to a temperature above the Curie point of the NiFe
[0030]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a magnetic recording medium according to the second embodiment of the present invention. As in the first embodiment, a DC magnetron using Ar gas as a process gas is shown in FIG. Using a sputtering apparatus, for example, at a vacuum of 5 mTorr, first, a NiCr
In this case, the deposition rate of each layer is, for example, 2.5 nm / second, 0.7 nm / second, 2.5 nm / second, and 0.3 nm / second in the order of deposition.
The NiCr
[0031]
Also in this case, the thickness of the Cu
[0032]
FIG. 4 is a conceptual block diagram of a heating type magnetic recording apparatus used in the second embodiment of the present invention. An
In this case, the
[0033]
That is, the
[0034]
In this case, the heating temperature by irradiation with the
In particular, during reproduction, by heating at intermediate temperatures of the Curie point of the Curie point and CoSm
In the case of the heating type magnetic recording apparatus according to the second embodiment, the positional relationship between the
[0035]
Next, another heating type magnetic recording apparatus to which the magnetic recording medium of the present invention is applied will be described with reference to FIG. 5, but the rotation mechanism and the like of the
FIG. 5 is a conceptual block diagram of another heating type magnetic recording apparatus to which the magnetic recording medium of the present invention is applied. A semiconductor laser 33 serving as a light source of a
[0036]
That is, from one surface of a slider made of Al 2 O 3 —TiC or the like which also serves as a substrate of the
In this case, the
[0037]
Next, still another heating type magnetic recording apparatus to which the magnetic recording medium of the present invention is applied will be described with reference to FIG. 6. However, the rotation mechanism and the like of the
FIG. 6 is a conceptual structural diagram of still another heating type magnetic recording apparatus to which the magnetic recording medium of the present invention is applied. An optical system 34 such as an objective lens is mounted on the side surface of the
[0038]
That is, from one surface of a slider made of Al 2 O 3 —TiC or the like which also serves as a substrate of the
In this case, the
[0039]
While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the configurations and conditions described in the embodiments, and various modifications can be made.
For example, in each of the above embodiments, a Co 75 Cr 13 Pt 12 ferromagnetic layer or a Co 80 Sm 20 ferromagnetic layer is used as the ferromagnetic layer having a high Curie point that constitutes the in-plane magnetization recording layer. However, the present invention is not limited to the CoCrPt ferromagnetic layer or the CoSm ferromagnetic layer having such a composition ratio, and a CoCrPt ferromagnetic layer or a CoSm ferromagnetic layer having another composition ratio may be used.
[0040]
Furthermore, the present invention is not limited to the CoCrPt ferromagnetic layer or the CoSm ferromagnetic layer, and includes Co as a main component and at least one of Fe, Pt, Cr, Ni, Ta, B, Sm, and Nd. An alloy containing an element, for example, a CoCrPtTa ferromagnetic layer may be used, or a binary CoCr ferromagnetic layer may be used.
[0041]
In each of the above embodiments, a Ni 35 Fe 65 ferromagnetic layer or a Ni 95 Cr 5 ferromagnetic layer is used as the ferromagnetic layer having a low Curie point constituting the in-plane magnetization recording layer. The composition is not limited to the NiFe ferromagnetic layer or NiCr ferromagnetic layer having such a composition ratio, and NiFe ferromagnetic layers or NiCr ferromagnetic layers having other composition ratios may be used.
[0042]
Further, if the Curie point is relatively low, a ferromagnetic material mainly containing Co such as Co 75 Cr 25 may be used. However, in order to further widen the heating temperature margin, Ni Is more desirable, and it is desirable to use a ferromagnetic layer made of an alloy containing at least one of Fe, Co, Cr, Ta, B, and Gd in Ni.
[0043]
In each of the above embodiments, the Ru intermediate layer or the Cu intermediate layer is used as the nonmagnetic metal layer for separating the ferromagnetic layer. However, the present invention is not limited to Ru or Cu, and Rh, Pd, Ag, Ir, Pt, or Au may be used, and further, these alloys including Ru and Cu may be used.
[0044]
In each of the above embodiments, the ferromagnetic layer has a two-layer structure, but a multilayer structure of three or more layers may be used, and in any case, a non-magnetic layer provided between adjacent ferromagnetic layers. The thickness of the metal layer may be controlled so that the magnetization directions of the adjacent ferromagnetic layers are opposite to each other.
[0045]
In the description of each of the above embodiments, the surface protective layer is formed of a graphite layer. However, a diamond-like carbon (DLC) layer may be used. In this case, the DLC layer is What is necessary is just to deposit using plasma CVD method.
[0046]
In each of the above embodiments, a glass substrate or Si substrate is used as the substrate. However, the substrate is not limited to a glass substrate or Si substrate, and may be an Al substrate, a carbon substrate, or an Al 2 O 3 substrate. A ceramic substrate such as TiC may be used.
[0047]
In each of the embodiments described above, the ferromagnetic layer having a relatively high Curie point is laminated so as to be positioned on the magnetic head side. The magnetic layer may be deposited first on the substrate.
However, since a ferromagnetic film such as CoCrPt does not exhibit ferromagnetism when directly deposited on a substrate such as glass, an underlying layer such as a Cr layer or a Cr 90 Mo 10 layer is provided on the glass substrate. It is necessary to perform deposition from.
[0048]
In the description of each of the embodiments described above, the hard disk system is assumed. However, the present invention is not necessarily limited to the hard disk, but may be applied to other magnetic recording media such as a floppy disk.
[0049]
Further, the reproducing element constituting the thin film magnetic head is not particularly limited, and is a magnetoresistive element such as a giant magnetoresistive (GMR) element, a tunneling magnetoresistive (TMR) element, or a magnetoresistive (MR) element. A sensor may be used.
[0050]
【The invention's effect】
According to the present invention, the in-plane magnetization recording layer is formed of a multilayer structure with ferromagnetic layers having different Curie points, and the thickness of the nonmagnetic metal layer provided between the layers is controlled to form a ferrimagnetic structure. since it is, it is possible to increase the temperature variation of the remanence B r and coercivity H c, thereby it becomes possible to write when the write capability of the magnetic head is below than the coercive force of the magnetic recording medium Therefore, it is possible to increase the magnetic recording density, and since the coercive force near room temperature can be increased, the recording retention capability is enhanced, and the thermal fluctuation resistance is increased, so that the recording magnetization can be stabilized, As a result, it greatly contributes to an increase in capacity and high density magnetic recording of magnetic recording devices such as hard disk devices.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram of a basic configuration of the present invention.
FIG. 2 is an explanatory diagram of the magnetic recording medium according to the first embodiment of this invention.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a magnetic recording medium according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a conceptual configuration diagram of a heating type magnetic recording apparatus used in a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a conceptual configuration diagram of another heating type magnetic recording apparatus to which the magnetic recording medium of the present invention is applied.
FIG. 6 is a conceptual configuration diagram of still another heating magnetic recording apparatus to which the magnetic recording medium of the present invention is applied.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2
Claims (3)
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