JP3805286B2 - 半導体光増幅器を用いた全光半加算器の具現方法及び装置 - Google Patents

半導体光増幅器を用いた全光半加算器の具現方法及び装置 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体光増幅器(SOA)の素子を用いた全光半加算器の具現方法及び装置に関するものであって、具体的には、半導体光増幅器ベースの素子を用いたXOR論理素子とAND論理素子で全光半加算器(Half Adder)を具現する方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、演算システムに対する高速化と大容量化の要求が増加しているが、大部分の演算システムはシリコンベースの半導体に流れる電気信号に基づいて処理を行うため、その速度と情報処理容量の向上には大きな障壁がある。これに反して、インジウム(InP)ベースの光素子を用いた演算システムは、その速度と情報処理容量などの面において、従来のシリコンベースの半導体を用いた演算システムよりはるかに優れた効果を発揮しえる。一般的な演算システムはAND、OR、XOR、NAND、NOR、NXORなどの単一論理素子を組み合わせて集積することにより構成されているが、光を用いた演算システムも例外ではない。
【0003】
演算を遂行する演算素子の基本的な例として半加算器があげられる。この半加算器はXOR論理とAND論理で構成される素子である。最近、超高速非線型干渉計(Ultrafast Nonlinear Interferometer:UNI)を用いたXOR(C. Bintjas, M. Kalyvas, G. Theophilopoulos, T. Stathopoulos, H. Avramopoulos, L. Occhi, L. Schares, G. Guekos, S. Hansman and R. Dall'Ara, IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 12, No. 7, Pg. 834-836, 2000)、テラヘルツ光非対称ディマルチプレクサ(Terahertz Optical Asymmetric Demultiplexer: TOAD)を用いたXOR (Pousite, Blow, Kelly, Manning, Opt. Commun., 156, pp. 22-26, 1998)、 サグナックゲート(Sagnac Gate)を用いたXOR(T. Houbavlis, Zoiros, A, Hatziefremidis, H Avramopoulous, L. Occhi, G. Guekos, S, Hansmann, H. Burkhard and R. Dall'Ara, Electronis Letters, Vol. 35, No. 19, pp. 1650-1652, 1999)、更に干渉波長コンバーター(Interferometric Wavelength Converter:IWC)を用いたXOR(T. Fjelde, D. Wolfson, A. Kloch, B. Dagens, A. Coquelin, I. Guillemot, F. Gaborit, F. Poingt and M. Renaud, Electronics Letters, Vol. 36, No. 22, pp. 1863-1864, 2000 )などの多くの研究がXOR論理素子の開発に集中している。又、AND論理素子としては、電界吸収型光変調器(Electroabsorption Modulator:EAM)を用いたAND(E. Awad, P. Cho and J. Goldhar, IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 13, No. 5. 2001)、非線型光ループミラー(Nonlinear Optical Loop Mirror:NOLM)を用いたAND(B. Olsson, P. Andrekson, Optical Fiber Communication Conference and Exhibit, Technical Digest, pp. 375-376, 1998)、更に4波長ミキシング(Four-wave mixing)を用いたAND(D. Nesset. M. C. Tatham and D. cotter, Electronics Letters, Vol. 31, No. 11, pp. 896-897, 1995)などがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
前述した超高速非線型干渉計、テラヘルツ光非対称ディマルチプレクサ、サグナックゲートを用いた素子は高い動作速度を有するという長所があるものの、その中心になる構成要素が光ファイバであるため複雑であり、他の素子との集積が難しく、高集積化が要求される光演算システムに適用するにはむいていない。又、4波長ミキシングを用いた素子の具現方法は、信号の偏光を調節することが難しいという問題がある。
【0005】
これに比して、単一半導体光増幅器(Semiconductor Optical Amplifier: SOA)を用いた方式の光論理素子は安定性が高く、システムの規模が小さくなり、且つ他の光素子との結合が容易であると同時に、偏光と波長に対して無依存性があるという(Fjelde, Wolson, Kloch, Janz, Coquelin, Guillemot, Gaborit, Poingt, Dagens, and Renaud, Electronics Letters, Vol. 36, No. 9, 2000)長所を持ち合わせている。
【0006】
本発明は斯かる問題点を解決するために案出されたものであり、半導体光増幅器のインバーター特性を用いて具現化された全光XOR論理素子と、XPM波長変換を用いて具現化された全光AND論理素子とを用いて、安定性が高く、システムの規模が小さく、他の光素子との結合が容易で、偏光と波長に依存しない半導体光増幅器をベースとした全光半加算器の具現方法及びその装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために本発明は、A信号を照射信号とするとともにB信号をポンプ信号として第1半導体光増幅器に入力し、同時に、A信号をポンプ信号とするとともにB信号を照射信号として第2半導体光増幅器に入力し、第1と第2半導体光増幅器からのそれぞれの出力を加算することによって前記A信号とB信号のXOR出力とし、そのXOR出力を半加算器のSUM(和)信号とし、同時に、XPM波長可変器の出力信号の大小が、入力される照射信号の大小と同時に入力されるポンプ信号の大小に応じて定まる特性を利用して、前記A信号を照射信号またはポンプ信号のいずれか一方としてXPM波長可変器に入力し、前記B信号を照射信号またはポンプ信号の他方としてXPM波長可変器に入力して、前記A信号と前記B信号のAND出力を前記半加算器のCARRY(桁上げ)信号とする半導体光増幅器を用いた全光半加算器を実現する。
【0008】
また、本発明は、一定の間隔のパルス信号を作る光ファイバリングレーザ及びパルス生成器と、前記パルス信号を入射させて分割する第1のカプラと、前記第1のカプラにより分割された一方のパルス信号を遅延させる第1の光遅延器と、前記第1の光遅延器により遅延されたパルス信号と、前記第1のカプラにより分割された他方のパルス信号とを結合して第1の2進数パターンを有するA信号を作る第2のカプラと、前記A信号を遅延させて、第2の2進数パターンを有するB信号を作る第2の光遅延器と、前記A信号を照射信号として、前記B信号をポンプ信号としてそれぞれ入射させることにより、A信号・反転B信号の論理信号を出力する第1半導体光増幅器と、前記A信号をポンプ信号として、前記B信号を照射信号としてそれぞれ入射させることにより、反転A信号・B信号の論理信号を出力する第2半導体光増幅器と、前記A信号と前記B信号を同時に入射させて、前記第1の2進数パターンと前記第2の2進数パターンの論理積を論理信号として出力するXPM波長変換器とを備えている。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図1は半加算器の基本概念図である。図1に示す半加算器は、表1の真理値表のSUM信号と、表2の真理値表のCARRY信号とを具現する素子であって、このSUM信号とCARRY信号はXOR論理素子とAND論理素子をそれぞれ具現することによって得ることが出来る。
【0010】
【表1】
Figure 0003805286
【0011】
【表2】
Figure 0003805286
【0012】
最初にSUM信号を出力するXOR論理素子の具現化について説明する。半導体光増幅器(SOA)に強い光強度を有するポンプ信号を入射させると、半導体光増幅器内ではキャリアの枯渇現象が発生する。次に、照射信号を同時に入射させると、半導体光増幅器の内部においてポンプ信号によってキャリアが枯渇されて、利得飽和が起るため、出力される照射信号の光の強さが順次減るようになる。その結果、出力される信号は入射される信号と相反する値を有するようになる。
【0013】
このような半導体光増幅器のインバーター特性は、A信号とB信号が入射する時、表3と表4に示す値を有することになる。即ち、一方の半導体光増幅器にA信号を照射信号として、B信号をポンプ信号として入射させると、表3の真理値表に示すようにA・反転Bの論理出力信号を得ることが出来る。同様に、他方の半導体光増幅器にA信号をポンプ信号として、B信号を照射信号として入射させると、表4の真理値表に示すように反転A・Bの論理出力信号を得ることが出来る。
【0014】
【表3】
Figure 0003805286
【0015】
【表4】
Figure 0003805286
【0016】
従って、表3によるA・反転Bの論理出力信号と、表4による反転A・Bの論理出力信号を合わせると、表1のSUMのようにAとBが排他的論理和演算されるXOR論理素子を具現することが出来る。
【0017】
図2は本発明に係る半加算器を具現化するブロック図であり、全光XOR論理素子を具現化する装置も含まれている。この図において、最初に、光ファイバリングレーザ(Fiber Ring Laser)10とパルス発生器(Pulse Generator)14を用いて、400ps(ピコ秒)の間隔を有する光パルス信号を作る。
【0018】
次に、この光パルス信号を50:50カプラ12aに入射させて50%と50%とに分割した後、分割された一方を光遅延器(Optical Delay)20aを通過させて約100ps遅延させ、他方を光減衰器(Attenuator)16と偏光制御器(Polarization Controller)18aを通過させる。この後、カプラ12cで分割された二つの信号を再度合わせて、例えば“1100”の2進数パターンを有するA信号を作る。このA信号を、再度、偏光制御器18bと光遅延器20bを通過させることにより約100ps遅延させて、更に光端方向器22cを通過させ、“0110”の2進数パターンを有するB信号を作る。
【0019】
第1半導体光増幅器SOA1には、エルビウム添加光ファイバ増幅器EDFA1と光端方向器22bを通ってA信号が照射信号として、また、光端方向器22cを通ってB信号がポンプ信号として入射される。第2半導体光増幅器SOA2には、光端方向器22aを通ってA信号がポンプ信号として、また、エルビウム添加光ファイバ増幅器EDFA2と光端方向器22dを通ってB信号が照射信号として入射される。即ち、第1半導体光増幅器SOA1ではA信号が照射信号で、B信号がポンプ信号の役割をし、第2半導体光増幅器SOA2ではA信号がポンプ信号で、B信号が照射信号の役割をする。
【0020】
図3は、第1半導体光増幅器SOA1にA信号とB信号を入射して得られたA・反転Bの論理積を示す出力図であり、図4は、第2半導体光増幅器SOA2にA信号とB信号を入射して得られた反転A・Bの論理積を示す出力図である。図5は、この二つの出力を、50:50カプラ12bを用いて加算した出力信号を信号検出器(Signal Analyzer)24に接続されたオシロスコープで確認した出力図である。検出された信号はA・反転B+反転A・B、即ち、表1に示された全光XOR論理素子の論理表と同一であることがわかる。
【0021】
即ち、図5は第1半導体光増幅器SOA1と第2半導体光増幅器SOA2のそれぞれの出力信号の論理和であるXOR論理素子の動作特性を示しており、“1100”の2進数パターンを有するA信号と、“0110”の2進数パターンを有するB信号が二つの半導体光増幅器(SOA1、SOA2)へ入射されて合わされると、“1010”パターンを有する出力信号が確認されることがわかる。この出力信号を見ると、A信号が論理値“0”であると同時にB信号が論理値“1”である時、或いは、A信号が論理値“1”であると同時にB信号が論理値“0”である時、出力信号は論理値“1”となる。同様に、二つの信号の論理値が全て同じ時、即ち、A信号とB信号の論理値が全て“0”の場合、或いは、A信号とB信号の論理値が全て“1”である場合、出力信号が論理値“0”となる。この結果は表1と一致するので、XOR論理素子のSUM信号の具現が実験的に立証されたことがわかる。
【0022】
次に、CARRY信号の具現に必要なAND論理素子の具現方法を説明する。本発明では全光AND論理素子を実現するために、全光干渉波長コンバーター(All−optical interferometric wavelength converter)を用いる。ポンプ信号を変化させながら、高いパワーを有する照射信号と共にXPM波長可変器28に入射させると、その出力信号のパワーが増大する。増大する前の出力信号のパワーを論理値“0”とし、増大した出力信号のパワーを論理値“1”とする。同様に、ポンプ信号を変化させながら、低いパワーを有する照射信号と共にXPM波長可変器28に入射させると、その出力信号は無視できるほど小さくなるので、論理値“0”であるといえる。
【0023】
この現象を図6に示す。従って、図6に図示されたように高いパワーを有するポンプ信号と照射信号をそれぞれ論理値“1”と見る時、高いパワーの出力が出力端子で検出されるので、AND論理素子の構成が可能になる。
【0024】
図2でXOR論理素子を説明した時と同一の2進数パターンを有するA信号とB信号を、AND信号を具現するために、XPM波長変換器28へ同時に入射させると、図7に示すような入力信号に対する出力信号の変化が記録される。この図において、“1100”パターンを有するA信号と、“0110”パターンを有するB信号が同時に入射される時、出力信号は“0100”のパターンが出ているので、AND論理素子が実現されたことがわかる。即ち、二つの信号が同時に論理値“1”である時だけ、出力信号が倫理値“1”になり、その他の場合は、全て論理値“0”になる。この結果は表2と一致するため、AND論理素子のCARRY信号の具現が実験的に立証されたことになる。
【0025】
図8に、XOR論理素子のSUM信号とAND論理素子のCARRY信号が同時に実現された時の特性を示す。この結果は半加算器を実現する表1と表2の結果と同一である。また、前述した論理の検証と実験の結果、10Gb/sで動作する半加算器を開発することも可能である。
【0026】
【発明の効果】
本発明に係るXOR論理素子は二つの単一半導体光増幅器のインバーター特性を用いて具現しているためクロック信号やCW信号への依存性がない。従って、二つの半導体光増幅器に入力されるA信号とB信号の速度のみ一致すればクロック信号やCW信号がなくても素子の具現が可能である。更に、本発明のXOR論理素子はA・反転B信号と反転A・B信号を先に求めてから、その後で合わせるため、A・反転B信号と反転A・B信号の分離が可能であり、他の多様な論理の具現が可能である。
【0027】
又、本発明によると、半導体光増幅器のインバーター特性を用いて全光XOR論理素子を具現し、XPM波長信号を用いて全光XOR論理素子を具現するため、演算の中心となる基本素子として安定性が高く、システムの規模を小さくでき、且つ他の光素子との結合が容易であると同時に、偏光と波長に対して依存しないという優れた効果を有する光コンピューターの実現に必須の素子である全光半加算器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 半加算器の基本概念図である。
【図2】 本発明に係る半加算器を具現化するブロック図である。
【図3】 本発明に係るXOR論理素子のA・反転Bの論理信号出力画面である。
【図4】 本発明に係るXOR論理素子の反転A・Bの論理信号出力画面である。
【図5】 本発明に係る全光XOR論理素子の論理信号出力画面である。
【図6】 全光干渉波長コンバーターを用いた本発明に係るAND論理素子の基本概念図である。
【図7】 本発明に係るAND論理素子の論理信号出力画面である。
【図8】 本発明に係る半加算器の論理信号出力画面である。
【符号の説明】
10 光ファイバリングレーザ
14 パルス発生器
12a、12b カプラ
16 光減衰器
18a、18b 偏光制御器
20a、20b、20c 光遅延器
22a、22b、22c、22d 光端方向器
24 信号検出器
28 XPM波長変換器
EDFA1、EDFA2 エルビウム添加光ファイバ増幅器
SOA1、SOA2 半導体光増幅器

Claims (4)

  1. A信号を照射信号とするとともにB信号をポンプ信号として第1半導体光増幅器に入力し、同時に、A信号をポンプ信号とするとともにB信号を照射信号として第2半導体光増幅器に入力し、第1と第2半導体光増幅器からのそれぞれの出力を加算することによって前記A信号とB信号のXOR出力とし、そのXOR出力を半加算器のSUM(和)信号とし、
    同時に、XPM波長可変器の出力信号の大小が、入力される照射信号の大小と同時に入力されるポンプ信号の大小に応じて定まる特性を利用して、前記A信号を照射信号またはポンプ信号のいずれか一方としてXPM波長可変器に入力し、前記B信号を照射信号またはポンプ信号の他方としてXPM波長可変器に入力して、前記A信号と前記B信号のAND出力を前記半加算器のCARRY(桁上げ)信号とすることを特徴とする半導体光増幅器を用いた全光半加算器の具現方法。
  2. 前記第1と第2半導体光増幅器にポンプ信号の光強度を強くして入射させることにより、キャリアを枯渇させて利得飽和を発生させることによって照射信号の光信号強度を減少させてインバーター特性を有する信号を出力させることを特徴とする請求項1記載の半導体光増幅器を用いた全光半加算器の具現方法。
  3. 一定の間隔のパルス信号を作る光ファイバリングレーザ及びパルス生成器と、
    前記パルス信号を入射させて分割する第1のカプラと、
    前記第1のカプラにより分割された一方のパルス信号を遅延させる第1の光遅延器と、
    前記第1の光遅延器により遅延されたパルス信号と、前記第1のカプラにより分割された他方のパルス信号とを結合して第1の2進数パターンを有するA信号を作る第2のカプラと、
    前記A信号を遅延させて、第2の2進数パターンを有するB信号を作る第2の光遅延器と、
    前記A信号を照射信号として、前記B信号をポンプ信号としてそれぞれ入射させることにより、A信号・反転B信号の論理信号を出力する第1半導体光増幅器と、
    前記A信号をポンプ信号として、前記B信号を照射信号としてそれぞれ入射させることにより、反転A信号・B信号の論理信号を出力する第2半導体光増幅器と、
    前記A信号と前記B信号を同時に入射させて、前記第1の2進数パターンと前記第2の2進数パターンの論理積を論理信号として出力するXPM波長変換器とを備えることを特徴とする半導体光増幅器を用いた全光半加算器の装置。
  4. 前記光ファイバリングレーザ及び前記パルス生成器によって作られる前記一定の間隔のパルス信号は、略400ps(ピコ秒)の間隔を有し、前記第1の光遅延器によって略100ps遅延されることを特徴とする請求項3記載の半導体光増幅器を用いた全光半加算器の装置。
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