JP3773561B2 - Wafer processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】
本発明はウェハ処理装置に係り、特に、真空の処理室とリフトピンとを備えたウェハ処理装置に関する。
ウェハ処理装置においては、処理室の真空度を信頼性良く維持出来ることが重要である。
【0002】
【従来の技術】
図8は、従来の1例のウェハ処理装置10を示す。11は処理室であり、静電チャック12が設けてある。13はリフトピンであり、筒状のガイド14内に、摺動可能に設けてある。リフトピン13とガイド14との間には、Oリング15が設けてあり、処理室11の真空が保たれている。
リフトピン13の下端は、エアアクチュエータ16と機械的に連結してある。
エアアクチュエータ16が作動すると、二点鎖線で示すように、リフトピン13がバネ17に抗して上動し、ウェハ18を、静電チャック12から浮かせて支持する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、Oリング15は、高温に弱い。一方、ウェハの処理は、より高温の下で行われるようになってきている。このため、Oリング15は比較的早くに劣化してしまい、その結果、処理室11の真空度が低下してしまう。
処理室11の真空度が低下すると、ウェハ処理に不都合が生じてしまう。
また、静電チァック12にあっては、電流の供給を断った後にも、ある時間にわたって電荷が残留し、ウェハ18が吸着された状態とされる。一方、リフトピン13はエアアクチュエータ16と機械的に結合されているため、エアエクチュエータ16が作動すると、リフトピン13は必ず上動する。このため、ウェハ18が残留電荷によって比較的強く吸着されている状態のときにエアアクチュエータ16が作動した場合には、ウェハ18に強い力が加わって、ウェハ18が割れてしまう。
【0004】
そこで、本発明は、上記課題を解決したウェハ処理装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
図1は本発明の原理構成図を示す。ウェハ処理装置30は、ステージ31が収容してあるウェハ処理室32と、リフトピン33と、有底筒形状を有し、ウェハ処理室32より下方に延出しており、リフトピン33を収容しているリフトピン収容部34と、リフトピン収容部34に沿って上下動する昇降手段35と、昇降手段35とリフトピン33とを磁気的に結合する磁気的結合手段36とを有する。昇降手段35が上動すると、磁気的結合手段36を介してリフトピン33がリフトピン収容部34内で上動する。
【0006】
【作用】
リフトピン収容部34は、ウェハ処理室32の気密を維持するように作用する。
【0007】
【実施例】
図2は本発明の一実施例のウェハ処理装置40を示す。
ウェハ処理室41内には、ステージとしての静電チャック42及びエッチング用のプラズマ発生装置(図示せず)が設けてある。
【0008】
43はリフトピン収容部であり、筒体44と、この下端に溶接されており筒体44の下端をを塞いでいる底板45とよりなり、ウェハ処理室41の下面に取り付けてあり、下方に延出している。筒体44は、静電チャック42の孔46と整列している。後述する磁気的結合装置との関係で、筒体44及び底板45は、共に非磁性であるステンレス製である。
【0009】
50はリフトピンであり、図4に示すように、テフロン(登録商標)製のリフトピン本体51と、鉄製の中間柱部52と、テフロン(登録商標)製の補助体53とよりなる。中間柱部52の両側に、リフトピン本体51と補助体53とがねじどめしてある。リフトピン本体51及び補助体53は、径がd1であり、中間柱部52の径d2 は、d1 より少し小さい。リフトピン50は、孔46及び筒部44内に、摺動可能に収容されている。図3に示すように、中間柱部52の外周面と筒体44の内周面との間には、隙間54がある。
【0010】
60は昇降手段としての駆動体であり、図3に示すように、貫通孔61を有するステンレス製のブロック62内の中央に、永久磁石組立体63が組み込まれ、上下側に、テフロン(登録商標)製の軸受部材64、65が組み込まれた構造を有する。この駆動体60は、筒体44の外側に摺動可能に嵌合している。後述する永久磁石70の内径d10は、軸受部材64,65の内径d11より少し大きく、永久磁石70と筒体44との間には、隙間68がある。また、駆動体60は、エアアクチュエータ66のアーム67にねじ止めされている。
【0011】
永久磁石組立体63は、図5に示すように、周方向に複数の磁極が並び且つ軸方向上両端が異極となるように、着磁されている筒状の永久磁石70と、この外側を囲む筒状のヨーク71とよりなる。永久磁石70は、磁界を発生する。内側には、磁力線73で表される磁界が発生し、外側には、磁力線74で表される磁界が発生する。
【0012】
図3に示すように、磁力線73は、筒体44を通過して中間柱部52に及んでおり、この磁力線73によって、永久磁石70と中間柱部52、即ち、駆動体60とリフトピン50とが磁気的に結合されている。ここで、磁気的結合の力は、ウェハを割るのに要する力より小さい力に定めてある。また、ヨーク71があることによって、磁界が駆動体60の外部に及ぶことがない。
【0013】
上記の磁力線73が請求項1の磁気的結合手段を構成する。
また、ウェハ処理装置40は、図2に示すように、CPU80、駆動制御回路81,82、ブザー83、操作部84、及びウェハ90までの距離を測定するセンサ85を有する。
【0014】
次に、上記構成になるウェハ処理装置40の動作について説明する。
図2は、ウェハ90が静電チャック42に吸着されており、プラズマエッチング処理がなされている状態を示す。
この処理が完了すると、静電チャック42への通電が断たれる。この後、CPU80からの指令によって、駆動制御回路81を介してエアアクチュエータ66が駆動され、駆動体60がZ1方向に上動する。リフトピン50は、駆動体60と磁気的に結合されつつ、二点鎖線で示すように、駆動体60と一体的にZ1方向に上動し、ウェハ90を静電チャック42から離して支持する。ロボット(図示せず)によってウェハ90がウェハ処理室41から搬出された後、エアアクチュエータ66が元の状態に戻る方向に動作し、リフトピン50はZ2方向に下動する。即ち、リフトピン50は、リフトピン収容部43の内部において上下動を繰り返す。従って、ウェハ処理室41の真空度は、リフトピン50が上下動を多数開繰り返しても、少しも損なわれず、長期にわたって良好に保たれる。
【0015】
ここで、ウェハ90が残留電荷によって比較的強く吸着されている状態のときにエアアクチュエータ66が作動した場合の動作について説明する。
ウェハ90が残留電荷によって比較的強く吸着されているため、リフトピン50のZ1方向への上動は、比較的強く制限されている。このため、駆動体60がエアアクチュエータ66によって上動を開始した時に、リフトピン50は動かず、駆動体60が中間柱部52から離れ、上記の磁気的結合が解除される。この後は、リフトピン50にZ1方向の力を作用させない状態で、駆動体60が上動する。従って、ウェハ90を割ってしまう事故は防止される。
【0016】
なお、エアアクチュエータ66が作動したにも拘わらずウェハ90が静電チャック42から浮かされないことは、センサ85によって感知され、更には、CPU80よりの指令により、駆動制御回路82を介して、ブザー83が発音する。ブザー音を聞いた操作者は、操作部84を操作して、エアアクチュエータ66を逆方向に作動させる。これにより、駆動体60は元の位置まで下動し、リフトピン50と再び磁気的に結合し、ウェハ処理装置40は正常に動作する状態となる。
【0017】
また、リフトピン50が上下動するとき、テフロン(登録商標)製の部分51、53だけが筒体44の内面を接触しつつ移動し、鉄製の中間柱部52は、筒体44の内面に対して非接触状態を保ちつつ移動する。このため、リフトピン50は、ゴミを発生させずに、かつ、円滑に移動する。従って、ウェハ処理室44内が、ゴミによって汚染されることが防止される。
【0018】
同様に、駆動体60も、テフロン(登録商標)製の軸受部材64、65が筒体44の外面に接触して、永久磁石70は筒体44の外面に対して非接触状態を保ちつつ移動する。このため、駆動体600は、ゴミを発生させずに、かつ、円滑に移動する。従って、ウェハ処理装置40が、ゴミによって汚染されることが防止される。
【0019】
また、図3に示すように、磁力線74は、ヨーク71内を通り、磁束は駆動体60の外部には漏洩していない。このため、磁気的結合を採っていても、プラズマエッチングは少しも影響をうけず、正常に行われる。
また、リフトピン本体51及び補助体53は、テフロン(登録商標)に限らず、石英、セラミックなどの金属不純物を含まない高純度材料製であればよい。 次に、本発明の別の実施例について説明する。
【0020】
図6は、図3に対応する図である。図3の永久磁石組立体63に代えて、電磁石組立体100が設けてある。
電磁石組立体100は、内径が上記の永久磁石70の内径と同じくd10であるボビン101に巻かれたコイル102と、コイル102に直列に接続してある電源103、可変抵抗104、スイッチ105と、スイッチ105の開閉を制御するスイッチ制御装置106とを有する。
【0021】
スイッチ105は、図7に示すように、プラズマエッチング処理期間中はOFFとされている。これによって、プラズマエッチング処理期間中は磁束が発生していず、プラズマエッチングは、正常に行われる。
プラズマエッチング処理が完了すると、スイッチ制御装置106によってスイッチ105がONとされ、コイル102に通電され、駆動体60Aが、リフトピン50と磁気的に結合される。ここで、可変抵抗106を適宜調整することによって、電磁石組立体100が発生する磁力の強さが、約5,000Gから12,000G程度の範囲内で調節され、駆動体60Aとリフトピン50との磁気的結合力の強さが、処理中のウェハの強度に応じた強さとされる。
【0022】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1の発明によれば、リフトピンが有底筒形状のリフトピン収容部内に納まっているため、ウェハ処理室の真空度を良好に維持することができる。また、リフトピンが、非金属製のリフトピン本体に、鉄製の柱部が取付けられた構成であり、磁気的結合手段は鉄製の柱部に磁気的に結合しており、その磁気的結合の強さが、リフトピンに作用するウェハを押し上げる力がウェハを割る力に達する前に、磁気的結合が解除される強さに定めてあるため、ウェハを無理やりに押し上げることが起きず、よって、ウェハを割ってしまう事故を防止できる。また、ステージとして静電チャックを使用した場合に特に効果がある。また、鉄製柱部はリフトピン本体の径より小さい径であるため、鉄製の柱部はリフトピン収容部に対して非接触となり、リフトピンの上下動は、ゴミを発生させることなく、かつ、円滑に行われる。
【0025】
請求項2の発明によれば、ヨークによって磁束の外部への漏洩が制限され、ウェハ処理に影響が及ばないようにすることができる。また、永久磁石はリフトピン収容部に対して非接触であるため、昇降手段の上下動は、ゴミを発生させることなく、かつ、円滑に行われる。
請求項3の発明によれば、ウェハ処理中には磁束が発生しないため、ウェハ処理を全く正常に行うことができる。また、ボビンはリフトピン収容部に対して非接触であるため、昇降手段の上下動は、ゴミを発生させることなく、かつ、円滑に行われる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理構成図である。
【図2】本発明の第1実施例になるウェハ処理装置を示す図である。
【図3】図1中、駆動体とリフトピンとの磁気的結合を説明する図である。
【図4】リフトピンの分解斜視図である。
【図5】図3中の永久磁石組立体を示す図である。
【図6】本発明の別の実施例になるウェハ処理装置の要部を示す図である。
【図7】図6中のスイッチの開閉のタイミングを説明する図である。
【図8】従来のウェハ処理装置の1例を示す図である。
【符号の説明】
30,40 ウェハ処理装置
31 ステージ
32,41 ウェハ処理室
33,50 リフトピン
34,43 リフトピン収容部
35 駆動手段
36 磁気的結合手段
42 静電チャック(ステージ)
44 筒体
45 底板
46 孔
51 リフトピン本体
52 中間柱部
53 補助体
54,68 隙間
60,60A 駆動体(昇降手段)
61 貫通孔
62 ブロック
63 永久磁石組立体
64,65 軸受部材
66 エアアクチュエタ
67 アーム
70 永久磁石
71 ヨーク
73 磁力線(磁気的結手段)
74 磁力線
80 CPU
81,82 駆動制御回路
83 ブザー
84 操作部
85 センサー
90 ウェハ
100 電磁石組立体
101 ボビン
102 コイル
103 電源
104 可変抵抗
105 スイッチ
106 スイッチ制御装置[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to a wafer processing apparatus, and more particularly to a wafer processing apparatus provided with a vacuum processing chamber and lift pins.
In a wafer processing apparatus, it is important that the degree of vacuum in the processing chamber can be maintained with high reliability.
[0002]
[Prior art]
FIG. 8 shows an example of a conventional
The lower end of the
When the
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
In general, the O-
When the degree of vacuum in the processing chamber 11 decreases, inconvenience occurs in wafer processing.
Further, in the
[0004]
Therefore, an object of the present invention is to provide a wafer processing apparatus that solves the above-described problems.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
FIG. 1 shows a principle configuration diagram of the present invention. The
[0006]
[Action]
The lift
[0007]
【Example】
FIG. 2 shows a
In the wafer processing chamber 41, an
[0008]
[0009]
[0010]
[0011]
As shown in FIG. 5, the
[0012]
As shown in FIG. 3, the
[0013]
The
As shown in FIG. 2, the
[0014]
Next, the operation of the
FIG. 2 shows a state in which the
When this process is completed, the energization to the
[0015]
Here, an operation when the
Since the
[0016]
Note that the
[0017]
Further, when the
[0018]
Similarly, the driving
[0019]
Further, as shown in FIG. 3, the magnetic lines of
The lift pin
[0020]
FIG. 6 is a diagram corresponding to FIG. Instead of the
The
[0021]
As shown in FIG. 7, the
When the plasma etching process is completed, the
[0022]
【The invention's effect】
As described above, according to the first aspect of the present invention, since the lift pins are housed in the bottomed cylindrical lift pin accommodating portion, the degree of vacuum in the wafer processing chamber can be maintained satisfactorily. In addition, the lift pin has a structure in which an iron pillar is attached to a non-metallic lift pin body, and the magnetic coupling means is magnetically coupled to the iron pillar, and the strength of the magnetic coupling. However, since the force that pushes up the wafer acting on the lift pins reaches the force that breaks the wafer before reaching the force that breaks the wafer, the wafer is not forced to be pushed up. Can prevent accidents. In addition, this is particularly effective when an electrostatic chuck is used as the stage. Further, since the iron pillar portion has a diameter smaller than that of the lift pin body, the iron pillar portion is not in contact with the lift pin housing portion, and the lift pin moves up and down smoothly without generating dust. Is called.
[0025]
According to the invention of claim 2 , the leakage of the magnetic flux to the outside is limited by the yoke, and the wafer processing can be prevented from being affected. Further, since the permanent magnet is not in contact with the lift pin housing portion, the vertical movement of the elevating means is performed smoothly without generating dust.
According to the invention of claim 3, since no magnetic flux is generated during the wafer processing, the wafer processing can be performed normally. Further, since the bobbin is not in contact with the lift pin housing portion, the vertical movement of the elevating means is performed smoothly without generating dust.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a principle configuration diagram of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a wafer processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram for explaining magnetic coupling between a driving body and a lift pin in FIG. 1;
FIG. 4 is an exploded perspective view of a lift pin.
FIG. 5 is a view showing a permanent magnet assembly in FIG. 3;
FIG. 6 is a view showing a main part of a wafer processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
7 is a diagram illustrating the opening / closing timing of the switch in FIG. 6. FIG.
FIG. 8 is a diagram showing an example of a conventional wafer processing apparatus.
[Explanation of symbols]
30, 40 Wafer processing apparatus 31 Stages 32, 41
44
61 Through-
74
81, 82
Claims (3)
非金属製のリフトピン本体に、該リフトピン本体の径より小さい径の鉄製の柱部が取付けられた構成であり、上動して上記ウェハを上記ステージより押し上げるリフトピンと、
有底筒形状を有し、上記ウェハ処理室より下方に延出しており、上記リフトピンを収容しているリフトピン収容部と、
該リフトピン収容部に沿って上下動する昇降手段と、
該昇降手段と上記リフトピンの上記鉄製の柱部とを所定の強さで磁気的に結合する磁気的結合手段とを有し、
上記磁気的結合手段による上記所定の強さは、上記リフトピンに作用するウェハを押し上げる力が該ウェハを割る力に達する前に、磁気的結合が解除される強さであり、
該昇降手段が上動すると、上記磁気的結合手段を介して上記リフトピンが上記リフトピン収容部内で上動して上記ウェハを上記ステージから離して支持し、
上記ウェハが上記ステージに強く吸着されている場合には、上記昇降手段が上動すると、磁気的結合が解除され、上記リフトピンは上動しないように構成したことを特徴とするウェハ処理装置。A wafer processing chamber having a stage for supporting the wafer inside;
A non-metallic lift pin body is a structure in which an iron pillar having a diameter smaller than the diameter of the lift pin body is attached, and lift pins that move up and push the wafer up from the stage;
A lift pin accommodating portion that has a bottomed cylindrical shape, extends downward from the wafer processing chamber, and accommodates the lift pins;
Elevating means that moves up and down along the lift pin accommodating portion;
Magnetic coupling means for magnetically coupling the lifting means and the iron pillar portion of the lift pin with a predetermined strength ;
The predetermined strength by the magnetic coupling means is a strength at which the magnetic coupling is released before the force that pushes up the wafer acting on the lift pins reaches the force that breaks the wafer,
When the elevating means moves up, the lift pins move up in the lift pin accommodating portion via the magnetic coupling means to support the wafer apart from the stage,
When the wafer is strongly attracted to the stage, the wafer processing apparatus is configured such that when the lifting means is moved up, the magnetic coupling is released and the lift pins are not moved up .
上記昇降手段は、上記リフトピン収容部の外周を摺動する軸受部材と、永久磁石組立体と有し、
該永久磁石組立体は、筒状の永久磁石と該永久磁石を囲む筒状のヨークとよりなり、該永久磁石の内径は、該軸受部材の内径より大きい構成としたことを特徴とするウェハ処理装置。 The wafer processing apparatus according to claim 1,
The elevating means has a bearing member that slides on the outer periphery of the lift pin accommodating portion, and a permanent magnet assembly,
The permanent magnet assembly includes a cylindrical permanent magnet and a cylindrical yoke surrounding the permanent magnet, and the inner diameter of the permanent magnet is larger than the inner diameter of the bearing member. apparatus.
上記昇降手段は、上記リフトピン収容部の外周を摺動する軸受部材と、電磁石組立体とを有し、
該電磁石組立体は、ボビンに巻かれたコイルと、該コイルに電流を供給する電源と、ウェハ処理室内でウェハの処理が行われているときには該コイルへの電流の供給を制御する手段とよりなり、該ボビンの内径は、該軸受部材の内径より大きい構成としたことを特徴とするウェハ処理装置。 The wafer processing apparatus according to claim 1,
The elevating means has a bearing member that slides on the outer periphery of the lift pin housing portion, and an electromagnet assembly.
The electromagnet assembly includes a coil wound around a bobbin, a power source for supplying current to the coil, and means for controlling supply of current to the coil when a wafer is being processed in the wafer processing chamber. The wafer processing apparatus is characterized in that the bobbin has an inner diameter larger than the inner diameter of the bearing member .
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