JP3715572B2 - Image exposure device - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像露光装置に係り、特に、GaN系半導体レーザを備え、画像に応じて変調された光ビームで感光材料等の記録材料上を走査露光する画像露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
従来より、GaAs基板状のAlGaInP、AlGaAs、InGaAsPを構成材料とする半導体レーザあるいは端面発光LED(Superluminescent 発光ダイオード(SLD)など)を用いた光源装置によって、記録材料上を光走査して画像を形成する画像露光装置が提案されている。
【0003】
上述のような材料を用いた光源装置では、発光波長に対して基板となるGaAsが吸収材料であり、かつ対向電極にもInGaAsなどの光吸収材料を用いている。このため、通常数ミクロン幅の発光領域に光が独立して閉じこめられており、上述した吸収材料の効果によりストライプ領域外での迷光は比較的少ない。
【0004】
一方、最近、実用化に近づきつつあるGaN(窒化ガリウム)材料系を用いた半導体レーザ、あるいは端面発光LEDでは、基板にサファイアやSiCなど発光波長に対して透明なものが使用される。このため、チップの端まで到達した迷光は反射により、活性領域近傍に戻されたり、複数回の反射により、基板を透過するため、様々なパターンの迷光を生じる。
【0005】
このようなGaN系半導体レーザをポリゴンミラー等を用いて銀塩感光材料上でスポット走査を行う銀塩式露光装置の光源に用いた時の模式図を図9に示す。図9に示すように、GaN系半導体レーザ190より射出されたレーザ光は、集光レンズ192によって所定のサイズのスポット194に集光される。しかしながら、発光位置も方向もランダムである迷光198は、スポット194に集光することはできず、ぼやけたパターン200を形成する。
【0006】
このスポット194の光出力と駆動電流の関係、及びぼやけたパターン200の光出力と駆動電流の関係を図10に示す。図10に示すように、特に銀塩露光方式で重要な低露光強度の約0.05mW領域において、かなりのパワーがぼやけたパターン200内に存在することがわかる。
【0007】
感光ドラム等の感光材料を用いた電子写真方式に比べて、非常に高感度である高品位の銀塩式露光方式においては、このぼやけたパターン200、すなわち迷光によって感光材料が反応してしまい、致命的な欠陥となってしまう。例えば、GaN系半導体レーザによってスポット194と同程度の線幅を有したパターン(例えば、図11(A)に示すような縞状パターン等)を形成した場合、本来ならば図11(A)に示すようにストライプ状に画像が形成されるが、上述したぼやけたパターン200によってストライプ間にも着色してしまい、鮮鋭度が落ちた図11(B)に示すような期待される画像とは異なる著しく品位の低下した画像となってしまう。
【0008】
迷光によるぼやけたパターンの光量は小さいため、電子写真方式のような面積階調ではあまり問題にならないが、銀塩写真のような感光しないレベルが非常に低い連続階調の感光材料では、微弱な背景が文字や画像のぼやけを招き、著しい品位の低下となってしまう。
【0009】
このように、特に高品位画像が特徴である銀塩方式の露光においては、画像に悪影響、重大かつ致命的な影響を及ぼすGaN系半導体レーザに特有の迷光を低減させる必要がある。
【0010】
また、GaN系以外の従来の半導体レーザでは、図12(A)に示すように、LED発光が比較的弱く、パルス幅変調等の強度2値変調を行う場合、レーザ駆動電流が予め定めた閾値Ith以下となるようにOFFレベルを予め定めておけば十分な消光比(感光材料が所定レベルで感光する感光レベルと感光材料が感光しない非感光レベルとの比)を得ることができ、非感光レベルにおいて感光しないようにすることができる。
【0011】
一方、GaN系半導体レーザでは、図12(B)に示すように、従来の閾値Ith以下でも、比較的LED発光が強い領域が存在するため、十分な消光比を得ることができない。また、LED発光は導波路から漏れだし、結晶端面全体が発光する。これは光学系を通過する間に減衰するが、無視できない光量が光ビームの所定のスポット周辺に前述した迷光となって感光材料上に存在することになるため、この迷光によって、同じ場所が複数回露光されることとなり、予期せぬ発色を生ずる場合がある。
【0012】
ここで、非感光レベルにおけるレーザ駆動電流を単純に0mAにすれば、GaN系半導体レーザでも十分な消光比を得る事が可能であり、余分な発色を抑えることができるが、この場合、感光レベルと非感光レベルとの電流差が大きくなりすぎてしまい、高速な変調ができなくなる場合があると共に、変調回路の負荷が大きくなる場合がある。
【0013】
また、感光特性は感光材料の種類によって異なるため、特定の感光材料を基準に感光レベルや非感光レベルを設定したのでは、適切に画像を記録することができなくなる場合がある。
【0014】
本発明は、上記事実を考慮してなされたもので、感光材料の種類に応じて適切に感光レベル及び非感光レベルを設定し、迷光による画質の劣化を抑えることができる画像露光装置を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項1に記載の発明は、レーザ光及びレーザ光以外の放出光を含む光ビームを射出するGaN系半導体レーザと、前記光ビームを感光材料上に結像させる光学系と、記録すべき画像データに応じて変調した光ビームで前記感光材料を走査露光する走査露光手段と、前記感光材料の種類を入力する入力手段と、前記感光材料の種類に応じて、前記感光材料が感光する感光レベル及び前記感光材料が感光しない非感光レベルを設定する設定手段と、前記画像データに応じて、前記感光材料に照射される光ビームの光量が前記感光レベル以上又は前記非感光レベル以下となるように前記GaN系半導体レーザを駆動する駆動手段と、を備えたことを特徴とする。
【0016】
GaN系半導体レーザから射出される光ビームには、レーザ光及びレーザ光以外の放出光が含まれる。放出光は、GaN系半導体レーザの基板を透過して外部へ放出された光であり、これが迷光となって画質の低下を及ぼす。
【0017】
GaN系半導体レーザから射出された光ビームは、所定のレンズ等を含んで構成される光学系によって感光材料上に結像される。
【0018】
走査露光手段は、画像データに応じて変調された光ビームで感光材料上を走査露光する。この走査露光手段は、ポリゴンミラー等を含んで構成される。
【0019】
設定手段は、入力手段によって入力された感光材料の種類に応じて、感光材料が感光する感光レベル及び感光材料が感光しない非感光レベルを設定する。感光材料の種類は、予めメモリに記憶されたものを入力するようにしてもよいし、オペレータの操作により入力するようにしてもよい。
【0020】
このように、感光材料の種類に応じて感光レベルだけでなく非感光レベルも適切に設定されるため、感光材料の種類によって画質が変化するのを防ぐことができる。
【0021】
駆動手段は、画像データに応じて、感光材料に照射される光ビームの光量が感光レベル以上又は非感光レベル以下となるようにGaN系半導体レーザを駆動する。このとき、例えば感光レベルと非感光レベルとの比が一定となるように駆動するのが好ましく、感光レベルと非感光レベルとの差が小さくなるように駆動するのが好ましい。これにより、感光レベルと非感光レベルとの切り替えを高速に行うことができ、駆動手段の負荷を軽減することができる。
【0022】
設定手段は、請求項2にも記載したように、所定レベルで感光するための予め定められた第1基準感光レベルと、前記感光材料が感光しないための予め定められた第2基準感光レベルとの比率が、前記感光材料の種類に応じて各々記憶された比率記憶手段と、前記感光材料に記録されたテストパターンの測色結果に基づいて、前記所定レベルで感光するように定められた測定感光レベルを入力する感光レベル入力手段と、を備え、前記測定感光レベルを前記感光レベルとして設定すると共に、前記感光材料の種類に対応した比率及び前記感光レベルから前記非感光レベルを演算して設定することができる。
【0023】
比率記憶手段には、所定レベルで感光するための予め定められた第1基準感光レベルと、感光材料が感光しないための予め定められた第2基準感光レベルとの比率、すなわち消光比が、感光材料の種類毎に記憶されている。
【0024】
設定手段では、入力手段により入力された測定感光レベルを感光レベルとして設定する。
【0025】
測定感光レベルは、感光材料に記録されたテストパターンの測色結果に基づいて、所定レベルで感光するように定められる。例えば、テストパターンを測色手段によって測色し、これが例えば所定レベルの濃度になる感光レベルを測定感光レベルとして決定する。なお、測色手段によらず、目視によって測定して測定感光レベルを設定してもよい。
【0026】
そして、設定手段は、感光材料の種類に対応した比率を比率記憶手段から読み出し、読み出した比率と、設定された感光レベル、すなわち測定感光レベルとから非感光レベルを演算して設定する。
【0027】
このように、感光レベルを測定感光レベルとすることにより、感光材料のばらつきや装置の経時劣化に拘わらず最適な感光レベル及び非感光レベルを設定することができる。
【0028】
また、請求項3にも記載したように、前記光ビームをモニタするためのモニタ光学系と、前記モニタ光学系を透過した光ビームを受光する受光手段と、をさらに備え、前記モニタ光学系は、前記受光手段で受光する光ビームの前記レーザ光と前記放出光との成分比が、前記感光材料上における前記成分比と略同一となるように構成され、前記駆動手段は、前記受光手段で受光した光ビームの光量が前記感光レベル又は前記非感光レベルとなるように前記GaN系半導体レーザを駆動するようにしてもよい。
【0029】
モニタ光学系は、GaN系半導体レーザから射出された光ビームを受光手段の方向へ分岐させる。モニタ光学系は、受光手段で受光する光ビームのレーザ光と放出光との成分比が、感光材料上における成分比と略同一となるように構成されるため、受光手段においては、正確な光ビームの光量を受光することができる。
【0030】
駆動手段は、受光手段で受光した光ビームの光量が感光レベル又は非感光レベルとなるようにGaN系半導体レーザを駆動する。
【0031】
このように、受光手段では、感光材料上の光ビームと略同等の光ビームを検出することができるため、より正確にGaN系半導体レーザを駆動すことができ、画質の低下を防ぐことができる。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態の一例を詳細に説明する。なお、本実施の形態は、デジタルラボシステムに本発明を適用したものである。
【0033】
(システム全体の概略説明)
図1には本発明の実施の形態に係るデジタルラボシステム10の概略構成が示されており、図2にはデジタルラボシステム10の外観が示されている。図1に示すように、このラボシステム10は、ラインCCDスキャナ14、画像処理部16、画像露光装置としてのレーザプリンタ部18、及びプロセッサ部20を含んで構成されており、ラインCCDスキャナ14と画像処理部16は、図2に示す入力部26として一体化されており、レーザプリンタ部18及びプロセッサ部20は、図2に示す出力部28として一体化されている。
【0034】
ラインCCDスキャナ14は、写真フィルム(例えばネガフィルムやリバーサルフィルム)等の写真感光材料(以下、単に「写真フィルム」と称する)に記録されているフィルム画像(被写体を撮影後、現像処理されることで可視化されたネガ画像又はポジ画像)を読み取るためのものであり、例えば135サイズの写真フィルム、110サイズの写真フィルム、及び透明な磁気層が形成された写真フィルム(240サイズの写真フィルム:所謂APSフィルム)、120サイズ及び220サイズ(ブローニサイズ)の写真フィルムのフィルム画像を読取対象とすることができる。ラインCCDスキャナ14は、上記の読取対象のフィルム画像を3ラインカラーCCDで読み取り、R、G、Bの画像データを出力する。
【0035】
図2に示すように、ラインCCDスキャナ14は作業テーブル30に取り付けられている。画像処理部16は、作業テーブル30の下方側に形成された収納部32内に収納されており、収納部32の開口部には開閉扉34が取り付けられている。収納部32は、通常は開閉扉34によって内部が隠蔽された状態となっており、開閉扉34が回動されると内部が露出され、画像処理部16の取り出しが可能な状態となる。
【0036】
また作業テーブル30には、奥側にディスプレイ164が取り付けられていると共に、2種類のキーボード166A、166Bが併設されている。一方のキーボード166Aは作業テーブル30に埋設されている。他方のキーボード166Bは、不使用時には作業テーブル30の引出し36内に収納され、使用時には引出し36から取り出されてキーボード166A上に重ねて配置されるようになっている。キーボード166Bの使用時には、キーボード166Bから延びるコード(信号線)の先端に取り付けられたコネクタ(図示省略)が、作業テーブル30に設けられたジャック37に接続されることにより、キーボード166Bがジャック37を介して画像処理部16と電気的に接続される。
【0037】
また、作業テーブル30の作業面30U上にはマウス40が配置されている。マウス40は、コード(信号線)が作業テーブル30に設けられた孔42を介して収納部32内へ延設されており、画像処理部16と接続されている。マウス40は、不使用時はマウスホルダ40Aに収納され、使用時はマウスホルダ40Aから取り出されて、作業面30U上に配置される。
【0038】
画像処理部16は、ラインCCDスキャナ14から出力された画像データ(スキャン画像データ)が入力されると共に、デジタルカメラでの撮影によって得られた画像データ、フィルム画像以外の原稿(例えば反射原稿等)をスキャナで読み取ることで得られた画像データ、コンピュータで生成された画像データ等(以下、これらをファイル画像データと総称する)を外部から入力する(例えば、メモリカード等の記憶媒体を介して入力したり、通信回線を介して他の情報処理機器から入力する等)ことも可能なように構成されている。
【0039】
画像処理部16は、入力された画像データに対して各種の補正等の画像処理を行って、記録用画像データとしてレーザプリンタ部18へ入力する。また、画像処理部16は、画像処理を行った画像データを画像ファイルとして外部へ出力する(例えばメモリカード等の情報記憶媒体に出力したり、通信回線を介して他の情報処理機器へ送信する等)ことも可能とされている。
【0040】
レーザプリンタ部18はR、G、Bのレーザ光源を備えており、画像処理部16から入力された記録用画像データに応じて変調したレーザ光を印画紙に照射して、走査露光によって印画紙に画像(潜像)を記録する。また、プロセッサ部20は、レーザプリンタ部18で走査露光によって画像が記録された印画紙に対し、発色現像、漂白定着、水洗、乾燥の各処理を施す。これにより、印画紙上に画像が形成される。
【0041】
(レーザプリンタ部の詳細構成)
次にレーザプリンタ部18の構成について詳細に説明する。図3には、レーザプリンタ部18の光学系の構成が示されている。
【0042】
レーザプリンタ部18は、レーザ光源211R、210G、211Bの3個のレーザ光源を備えている。レーザ光源211RはRの波長(例えば、685nm)のレーザ光(以下、Rレーザ光と称する)を射出する半導体レーザ(LD)で構成されている。また、レーザ光源210Gは、レーザ光射出手段としてのLD210Lと、該LD210Lから射出されたレーザ光を1/2の波長のレーザ光に変換する波長変換手段としての波長変換素子(SHG)210Sから構成されており、SHG210SからGの波長(例えば、532nm)のレーザ光(以下、Gレーザ光と称する)が射出されるようにLD210Lの発振波長が定められている。レーザ光源211BはBの波長(例えば、440nm)のレーザ光(以下、Bレーザ光と称する)を射出するLDで構成されている。
【0043】
レーザ光源210Gのレーザ光射出側には、コリメータレンズ212、外部変調手段としての音響光学素子(AOM)214Gが順に配置されている。AOM214Gは、入射されたレーザ光が音響光学媒質を透過するように配置されていると共に、AOMドライバ(図示省略)に接続されており、AOMドライバから高周波信号が入力されると、音響光学媒質内を高周波信号に応じた超音波が伝搬し、音響光学媒質を透過するレーザ光に音響光学効果が作用して回折が生じ、高周波信号の振幅に応じた強度のレーザ光がAOM214Gから回折光として射出される。
【0044】
AOM214Gの回折光射出側には、平面ミラー215が配置されており、平面ミラー215のレーザ光射出側には、球面レンズ216、シリンドリカルレンズ217、及びポリゴンミラー218が順に配置されており、AOM214Gから回折光として射出されたGレーザ光は、平面ミラー215によって反射された後、球面レンズ216及びシリンドリカルレンズ217を介してポリゴンミラー218の反射面上の所定位置に反射され、ポリゴンミラー218で反射される。
【0045】
一方、レーザ光源211R及び210Bのレーザ光射出側には、コリメータレンズ213、シリンドリカルレンズ217が順に配置されており、レーザ光源211R及び211Bから射出されたレーザ光はコリメータレンズ213により平行光とされ、シリンドリカルレンズ217を介してポリゴンミラー218の反射面上の上記所定位置と略同一の位置に照射されて、ポリゴンミラー218で反射される。
【0046】
ポリゴンミラー218で反射されたR、G、Bの3本のレーザ光はfθレンズ220、シリンドリカルレンズ221を順に透過し、シリンドリカルミラー222によって反射された後、折り返しミラー223によって略鉛直下方向に反射されて開孔部226を介して印画紙224に照射される。なお、折り返しミラー223を省略し、シリンドリカルミラー222によって直接略鉛直下方向に反射して印画紙224に照射しても良い。
【0047】
一方、印画紙224上の走査露光開始位置側方近傍には、開孔部226を介して到達したRレーザ光を検出する走査開始検出センサ(以下、SOS検出センサと称する)228が配置されている。なお、SOS検出センサ228で検出するレーザ光をRレーザ光とするのは、印画紙はRの感度が最も低く、このためRレーザ光の光量が最も大きくされているので確実に検出できること、ポリゴンミラー218の回転による走査においてRレーザ光が最も早くSOS検出センサ228に到達すること、等の理由からである。また、本実施形態では、SOS検出センサ228から出力される信号(以下、センサ出力信号と称する)は、通常はローレベルとされており、Rレーザ光が検出されたときのみハイレベルとなるように構成されている。
【0048】
なお、図3では図示は省略したが、レーザプリンタ部18は、Bレーザ光が収束する位置にLED発光成分である迷光(放出光)を除去するためのピンホール102及びBレーザ光をモニタするためのモニタ光学系104を備えている(詳細は後述)。
【0049】
次に、本実施の形態に係るレーザ光源211Bの詳細な構成について説明する。図4に本発明の実施の形態に係わるレーザ光源211Bの断面模式図を示す。なお、図4において、W1=1.7μm、W2=300μm、H1=約0.9μm、H2=約3.5μm、H3=100μm、である。
【0050】
レーザ光源211Bは、InGaN半導体レーザからなり、図4に示すように、サファイアc面基板上に(S.Nagahama et.al.,jpn.Appl.Phys.Vol.39,No.7A,,p.L347(2000)記載の方法により)低欠陥GaN基板層を形成する。
【0051】
次に常圧MOCVD法を用いて、n−GaNバッファ層(Siドープ、5μm)70、n−In0.1Ga0.9Nバッファ層(Siドープ、0.1μm)66、n−Al0.1Ga0.9Nクラッド層(Siドープ、0.45μm)64、n−GaN光ガイド層(Siドープ、0.04〜0.08μm)62、アンドープ活性層60、p−GaN光ガイド層(Mgドープ、0.04〜0.08μm)58、p−Al0.1Ga0.9Nクラッド層(Mgドープ、0.45μm)56、p−GaNキャップ層(Mgドープ、0.25μm)54、を成長する。
【0052】
活性層60は、アンドープIn0.05Ga0.95N(10nm)、アンドープIn0.23Ga0.77N量子井戸層(3nm)、アンドープIn0.05Ga0.95N(5nm)、アンドープIn0.23Ga0.77N量子井戸層(3nm)、アンドープIn0.05Ga0.9N(10nm)、アンドープAl0.1Ga0.9N(10nm)の2重量子井戸構造とする。
【0053】
次にフォトリソグラフィとエッチングにより幅1.7μm程度のリッジストライプをp−Al0.1Ga0.9Nクラッド層56中でp−GaN光ガイド層58から0.1μmの距離まで塩素イオンを用いたRIBE(reactive ion beam etching)によりエッジングして形成する。
【0054】
次にSiN膜52をプラズマCVDで全面に製膜した後、フォトリソグラフィとエッチングによりリッジ上の不要部分を除去する。その後窒素ガス雰囲気中で熱処理によりp型不純物を活性化する。この後、塩素イオンを用いたRIBEにより発光領域を含む部分以外のエピ層をn−GaNバッファ層70が露出するまでエッチング除去する。この後、n電極68としてTi/Al/Ti/Au、p電極50としてNi/Auを真空蒸着・窒素中アニールしてオーミック電極を形成する。劈開により共振器端面を形成する。
【0055】
本実施の形態では、発振波長440nmで、接合に垂直方向のビーム放射角半値全角で34度である。なお、絶縁物のサファイア基板を用いても可能である。また、同様の構造をSiCのような導電性の基板上に作製することも可能である。更に、ELOG(epitaxially lateral over growth)を用いて、発振ストライプ領域の転位を減少させることも可能である(前記参考文献:松下、オプトロニクス、(2000)No.1、p.62)。
【0056】
続いて、本実施の形態に係るレーザ光源(上記GaN系半導体レーザ)211Bの光学系について詳細に説明する。図5には、レーザ光源211Bの光学系の模式図を示した。
【0057】
図5に示すように、シリンドリカルレンズ217とポリゴンミラー218との間には、所定の板状部材に穿孔が設けられたピンホール102が設けられている。これにより、LED発光成分の光、すなわち迷光198が除去され、鮮鋭度の高い画像を得ることができる。
【0058】
また、コリメータレンズ213とシリンドリカルレンズ217との間には、ハーフミラー106が設けられており、ハーフミラー106の光反射側には、モニタ光学系104が設けられている。なお、ハーフミラー106とモニタ光学系104が本発明のモニタ光学系に相当する。
【0059】
モニタ光学系104を透過した光ビームの光量は、受光素子108によって検出される。B用LD駆動回路100は、受光素子108で検出した光量が所定の光量となるようにレーザ光源211Bを駆動する。モニタ光学系104は、印画紙224に到達する光ビームと略同等の光ビームとなるように構成され、シリンドリカルレンズ110及びピンホール112により構成されている。これにより、受光素子108では、ピンホール112によって迷光198が除去された光を検出することができ、検出誤差を抑えることができる。なお、ピンホール102は、上記の位置に限らず、光ビームが収束する位置であればよい。
【0060】
また、図6に示すように、コリメータレンズ213及びシリンドリカルレンズ217を含む集光光学系114の後に設けられたピンホール102とポリゴンミラー218との間にハーフミラー106を設け、ハーフミラー106で反射された光を受光素子108で検出するようにしてもよい。
【0061】
(制御部の構成)
次に、GaN系半導体レーザからなるレーザ光源211Bを駆動する駆動回路を含むレーザプリンタ部18の制御部を詳細に説明する。
【0062】
本実施の形態に係る制御部は、図7に示すように、マイクロコンピュータを含む制御回路80を備えている。制御回路80はバス88に接続されており、該バス88には、画像データメモリ74、76、78が接続されている。すなわち、印画紙224へ画像を記録するための画像データを記憶するメモリとして画像データメモリ74、76、78を備えている。画像データメモリ74は、R色の画像データを記憶するメモリであり、同様に、画像データメモリ76はG色の画像データを記憶するメモリであり、画像データメモリ78はB色の画像データを記憶するメモリである。
【0063】
また、バス88には、R用LD駆動回路96、G用LD駆動回路98、及びB用LD駆動回路100が接続されており、R用LD駆動回路96及びB用LD駆動回路100は変調回路90、92をそれぞれ介して接続されている。すなわち、半導体レーザ211R、211Bは、画像データに基づく変調信号(例えばパルス幅変調信号)が変調回路90、92によって生成されてLD駆動回路で該変調信号が重畳されることによって強度2値変調されるようになっている。
【0064】
また、バス88には、AOM駆動回路94が接続されており、AOM94の駆動が制御される。すなわち、レーザ光源210Gは、AOM214Gによって間接変調されるようになっている。
【0065】
さらに、バス88には、ポリゴンミラー218を回転駆動するポリゴンモータ83を駆動するためのポリゴンモータ駆動回路82、及び印画紙224を移動するための印画紙移動モータ86を駆動する印画紙移動モータ駆動回路84が接続されており、制御回路80によってそれぞれが制御されるようになっている。
【0066】
次に、B用LD駆動回路100について説明する。図8に示すように、B用LD駆動回路100は、出力電圧設定部116を備えており、出力電圧設定部116には、記録レベル設定部118、非記録レベル設定部120、電流電圧変換回路122、スイッチ124が接続されている。
【0067】
記録レベル設定部118は、記録レベル光量メモリ126及びレーザ特性メモリ128が接続されている。記録レベル光量メモリ126には、キャリブレーション部127が接続されており、キャリブレーション部127により予め行われたキャリブレーションにより設定された最適な光量レベル(測定感光レベル)、すなわち、印画紙224が所定レベルで感光するための光量レベルが予め記憶されている。
【0068】
キャリブレーション部127では、例えば測色器等を含んで構成され、例えば所定のテストパターンを印画紙224に記録し、これを測色器で測色し、所定レベルで感光するように最適な光量レベルを設定する。これを所定間隔で随時行うことにより、印画紙224のばらつきや装置の経時変化に拘わらず良好な画像を得ることが可能となる。
【0069】
レーザ特性メモリ128には、レーザ光源211Bのレーザ特性、すなわち、レーザの駆動電圧(又は駆動電流)と光出力との対応関係が予め記憶されている。なお、駆動電圧を変化させながら光出力を測定することによりレーザ特性を取得してレーザ特性メモリ128に記憶させるようにしてもよい。これを所定間隔で随時行うことにより、装置の経時劣化等による誤差を抑えることができる。
【0070】
記録レベル設定部118では、記録レベル光量メモリ126に記憶された光量レベルに対応する駆動電圧をレーザ特性メモリ128に記憶されたレーザ特性から求め、これを記録レベル(電圧)VHとして設定し、出力電圧設定部116へ出力する。
【0071】
一方、非記録レベル設定部120には、消光比メモリ130及び感光材料情報メモリ132が接続されている。
【0072】
消光比メモリ130には、消光比、すなわち、感光材料(印画紙)が所定レベルで感光するための感光レベルA(第1基準感光レベル)と感光材料が感光しないための非感光レベルB(第2基準感光レベル)との比α(=B/A)が予め記憶されている。この消光比αは、実験等により得られたものを用いることができ、感光レベルと非感光レベルとの差が最小となるように設定される。また、消光比αは、感光材料の種類によって異なるため、感光材料の種類毎に記憶されている。
【0073】
感光材料情報メモリ132には、感光材料、すなわち印画紙224の種類を特定するための情報が記憶されている。
【0074】
非記録レベル設定部120では、感光材料情報メモリ132に記憶された感光材料の種類に対応する消光比を消光比メモリ130から読み出し、読み出した消光比と、記録レベル設定部118で記録された記録レベルVHとから非記録レベルVLを演算して、出力電圧設定部116へ出力する。なお、非記録レベルVLは、α×VHを演算することにより求めることができる。
【0075】
また、出力電圧設定部116には、受光素子108に接続された電流電圧変換回路122が接続されている。受光素子108は、検出された光ビームの光量に応じた光電流を電流電圧変換回路122へ出力する。電流電圧変換回路122では、受光素子108からの光電流を電圧に変換して出力電圧設定部116に出力する。出力電圧設定部116では、検出電圧が記録レベル設定部118で設定された記録レベルVH又は非記録レベルVLとなるように、出力電圧VH’又は出力電圧VL’を設定し、スイッチ124へ出力する。
【0076】
スイッチ124では、変調回路92から出力された画像変調信号(例えばパルス幅変調信号)に応じて出力電圧VH’又は出力電圧VL’がレーザ光源211Bを駆動するためのドライブ回路134へ出力されるようにスイッチングする。これにより、検出電圧がVH又はVLとなるように制御される。
【0077】
このように、キャリブレーション等により定められた最適な記録レベルと感光材料の種類毎に定められた消光比とから非記録レベルが設定されるため、感光材料の種類に関わらず記録レベル及び非記録レベルが最適に設定される。また、消光比αは、感光レベルと非感光レベルとの差が最小となるように設定されるため、ドライブ回路134における記録レベルと非記録レベルとの切り替えを高速に行うことができる。
【0078】
次に、本実施の形態に係るレーザプリンタ部18の作用を説明する。
【0079】
印画紙224への画像の記録を行う場合、レーザプリンタ部18の制御部は、画像処理部16から入力される記録用画像データが表す画像を走査露光によって印画紙224上に記録するために、画像処理部16から入力された画像記録用パラメータに基づき、記録用画像データに対して各種の補正を行って走査露光用画像データを生成し、画像データメモリ74、76、78に記憶させる。
【0080】
そして、レーザプリンタ部18のポリゴンミラー218を図3矢印A方向に回転させ、レーザ光源211R、210G、211Bの半導体レーザに対して電流を流すことによってレーザビームを射出させると共に、生成した走査露光用画像データに基づいて変調信号を生成し、変調信号のレベルに応じてAOM214Gに供給する超音波信号(高周波信号)の振幅を変化させて、AOM214Gから回折光として射出されるレーザビームを変調する。従って、AOM214Gからは印画紙224に記録すべき画像の濃度に応じて強度変調されたレーザビームが射出される。このレーザビームは平面ミラー215、球面レンズ216、シリンドリカルレンズ217、ポリゴンミラー218、fθレンズ220、シリンドリカルレンズ221、シリンドリカルミラー222、及び折り返しミラー223を介して印画紙224に照射される。
【0081】
また、レーザ光源211R、211Bに対しては、パルス幅変調等の強度2値変調によってレーザビームを変調する。従って、レーザ光源211R、211Bからは印画紙224に記録すべき画像の濃度に応じて変調されたレーザビームが射出される。このレーザビームはそれぞれコリメータレンズ213、シリンドリカルレンズ217、ポリゴンミラー218、fθレンズ220、シリンドリカルレンズ221、シリンドリカルミラー222、及び折り返しミラー223を介して印画紙224に照射される。
【0082】
そして、ポリゴンミラー218の図3矢印A方向の回転に伴って、R、G、B各レーザビームの照射位置が図3矢印B方向に沿って走査されることにより主走査がなされ、印画紙224が図3矢印C方向に沿って一定速度で搬送されることにより各レーザビームの副走査がなされ、走査露光によって印画紙224に画像(潜像)が記録される。
【0083】
また、前述したように、レーザ光源211Bからのレーザビームを強度2値変調するための記録レベルは、キャリブレーション等により定められた最適な記録レベルが設定され、非記録レベルは、設定された記録レベルと感光材料の種類毎に定められた消光比とから設定される。従って、感光材料の種類に関わらず記録レベル及び非記録レベルが最適に設定される。また、消光比αは、感光レベルと非感光レベルとの差が最小となるように設定されるため、ドライブ回路134における記録レベルと非記録レベルとの切り替えを高速に行うことができ、ドライブ回路の負荷を軽減することができる。
【0084】
なお、上記走査露光において各レーザビームの変調を行うタイミングや印画紙224の図3矢印C方向への搬送タイミングは、SOS検出センサ228から出力されているセンサ出力信号に基づいて決定される。
【0085】
走査露光によって画像が記録された印画紙224はプロセッサ部20へ送り込まれ、発色現像、漂白定着、水洗、乾燥の各処理が施される。これによって、印画紙224上に画像が形成される。
【0086】
なお、上記では、レーザ光源211Bについて本発明を適用した場合について説明したが、これに限らず、レーザ光源211R,211Gに本発明を適用してもよい。
【0087】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、感光材料の種類に応じて適切に感光レベル及び非感光レベルを設定し、迷光による画質の劣化を抑えることができる、という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係わるデジタルラボシステムの概略構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の実施の形態に係わるデジタルラボシステムの外観を示す斜視図である。
【図3】レーザプリンタ部の概略構成を示す斜視図である。
【図4】GaN系半導体レーザの詳細な構成を示す断面模式図である。
【図5】レーザ光源の光学系の概略構成を示す図である。
【図6】レーザ光源の光学系の概略構成を示す図である。
【図7】レーザプリンタ部の制御部を示すブロック図である。
【図8】LD駆動回路の概略構成を示す図である。
【図9】GaN系半導体レーザをポリゴン等によりスポット走査を行う銀塩式露光装置の光源に用いた時の模式図を示す図である。
【図10】スポットの光出力と駆動電流の関係、及びぼやけたパターンの光出力と駆動電流の関係を示すグラフである。
【図11】(A)は縞状パターンを示す図であり、(B)は縞状パターンにぼやけたパターンが着色した例を示す図である。
【図12】(A)は従来のレーザ光源のレーザ特性を示す線図であり、(B)はGaN系レーザ光源のレーザ特性を示す線図である。
【符号の説明】
10 デジタルラボシステム
14 スキャナ
16 画像処理部
18 レーザプリンタ部
20 プロセッサ部
100 B用LD駆動回路(駆動手段)
104 モニタ光学系
106 ハーフミラー
108 受光素子(受光手段)
118 記録レベル設定部(設定手段、感光レベル入力手段)
120 非記録レベル設定部(設定手段)
126 記録レベル光量メモリ
128 レーザ特性メモリ
130 消光比メモリ(比率記憶手段)
132 感光材料情報メモリ
211B Bレーザ光源(GaN系半導体レーザ)
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an image exposure apparatus, and more particularly to an image exposure apparatus that includes a GaN-based semiconductor laser and that scans and exposes a recording material such as a photosensitive material with a light beam modulated according to an image.
[0002]
[Prior art and problems to be solved by the invention]
Conventionally, a light source device using a semiconductor laser or an edge-emitting LED (such as a superluminescent light emitting diode (SLD)) made of GaAs substrate-like AlGaInP, AlGaAs, or InGaAsP is used to optically scan the recording material to form an image. An image exposure apparatus has been proposed.
[0003]
In the light source device using the material as described above, GaAs serving as a substrate with respect to the emission wavelength is an absorbing material, and a light absorbing material such as InGaAs is also used for the counter electrode. For this reason, light is normally confined in a light emitting region having a width of several microns, and stray light outside the stripe region is relatively small due to the effect of the absorbing material described above.
[0004]
On the other hand, a semiconductor laser or an edge emitting LED using a GaN (gallium nitride) material system that is approaching practical use recently uses a transparent substrate such as sapphire or SiC for the emission wavelength. For this reason, the stray light that reaches the end of the chip is returned to the vicinity of the active region by reflection, or is transmitted through the substrate by a plurality of reflections, so that various patterns of stray light are generated.
[0005]
FIG. 9 shows a schematic diagram when such a GaN-based semiconductor laser is used as a light source of a silver salt exposure apparatus that performs spot scanning on a silver salt photosensitive material using a polygon mirror or the like. As shown in FIG. 9, the laser light emitted from the GaN-based semiconductor laser 190 is condensed into a spot 194 having a predetermined size by a condenser lens 192. However, the stray light 198 whose light emitting position and direction are random cannot be condensed on the spot 194 and forms a blurred pattern 200.
[0006]
FIG. 10 shows the relationship between the light output of the spot 194 and the drive current, and the relationship between the light output of the blurred pattern 200 and the drive current. As shown in FIG. 10, it can be seen that considerable power exists in the blurred pattern 200, particularly in the low exposure intensity of about 0.05 mW region which is important in the silver salt exposure method.
[0007]
Compared with the electrophotographic system using a photosensitive material such as a photosensitive drum, in the high-grade silver salt exposure system, which is very sensitive, the photosensitive material reacts with the blurred pattern 200, that is, stray light, It becomes a fatal defect. For example, when a pattern (for example, a striped pattern as shown in FIG. 11A) having the same line width as that of the spot 194 is formed by a GaN-based semiconductor laser, the pattern shown in FIG. As shown in the figure, an image is formed in a stripe shape. However, the above-described blurred image 200 is colored between the stripes, which is different from the expected image shown in FIG. The image will be remarkably deteriorated.
[0008]
The amount of light in the blurred pattern due to stray light is small, so this is not a problem for area gradation as in electrophotography, but it is weak in continuous tone photosensitive materials such as silver halide photography where the level of non-sensitivity is very low. The background causes blurring of characters and images, resulting in a significant deterioration in quality.
[0009]
As described above, particularly in the silver salt type exposure characterized by high-quality images, it is necessary to reduce stray light peculiar to a GaN-based semiconductor laser that adversely affects the image and has a serious and fatal effect.
[0010]
Further, in the conventional semiconductor lasers other than GaN, as shown in FIG. 12A, when the LED emission is relatively weak and intensity binary modulation such as pulse width modulation is performed, the laser drive current is a predetermined threshold value. A predetermined extinction ratio (a ratio between a photosensitive level at which the photosensitive material is exposed at a predetermined level and a non-photosensitive level at which the photosensitive material is not exposed) can be obtained by setting the OFF level in advance so as to be equal to or lower than Ith. It is possible to prevent exposure at the level.
[0011]
On the other hand, as shown in FIG. 12B, a GaN-based semiconductor laser cannot obtain a sufficient extinction ratio because there is a region where LED emission is relatively strong even below the conventional threshold value Ith. Further, the LED emission leaks from the waveguide, and the entire crystal end face emits light. This attenuates while passing through the optical system, but a non-negligible amount of light exists on the photosensitive material as the stray light described above around the predetermined spot of the light beam. This results in multiple exposures and may cause unexpected color development.
[0012]
Here, if the laser driving current at the non-photosensitive level is simply set to 0 mA, a sufficient extinction ratio can be obtained even with a GaN-based semiconductor laser, and excessive color development can be suppressed. And the non-photosensitive level may become too large, and high-speed modulation may not be possible, and the load on the modulation circuit may increase.
[0013]
In addition, since the photosensitive characteristics vary depending on the type of photosensitive material, if the photosensitive level and the non-photosensitive level are set based on a specific photosensitive material, an image may not be recorded properly.
[0014]
The present invention has been made in consideration of the above-described facts, and provides an image exposure apparatus capable of appropriately setting a photosensitive level and a non-photosensitive level according to the type of photosensitive material and suppressing deterioration in image quality due to stray light. For the purpose.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the invention described in claim 1 includes a GaN-based semiconductor laser that emits a laser beam and a light beam including emission light other than the laser beam, and an optical that forms an image of the light beam on a photosensitive material. A system, a scanning exposure unit that scans and exposes the photosensitive material with a light beam modulated according to image data to be recorded, an input unit that inputs the type of the photosensitive material, and the type of the photosensitive material, A setting means for setting a photosensitive level at which the photosensitive material is sensitized and a non-photosensitive level at which the photographic material is not sensitized. Drive means for driving the GaN-based semiconductor laser so as to be below the photosensitive level.
[0016]
The light beam emitted from the GaN-based semiconductor laser includes laser light and emitted light other than the laser light. The emitted light is light that has been transmitted to the outside through the substrate of the GaN-based semiconductor laser, and this becomes stray light that degrades image quality.
[0017]
The light beam emitted from the GaN-based semiconductor laser is imaged on the photosensitive material by an optical system including a predetermined lens and the like.
[0018]
The scanning exposure means scans and exposes the photosensitive material with a light beam modulated according to the image data. This scanning exposure means includes a polygon mirror or the like.
[0019]
The setting unit sets a photosensitive level at which the photosensitive material is exposed and a non-photosensitive level at which the photosensitive material is not exposed in accordance with the type of the photosensitive material input by the input unit. As the type of the photosensitive material, one previously stored in the memory may be input, or may be input by an operator's operation.
[0020]
As described above, since not only the photosensitive level but also the non-photosensitive level is appropriately set according to the type of the photosensitive material, it is possible to prevent the image quality from changing depending on the type of the photosensitive material.
[0021]
The driving means drives the GaN-based semiconductor laser so that the light amount of the light beam applied to the photosensitive material is equal to or higher than the photosensitive level or equal to or lower than the non-photosensitive level according to image data. At this time, for example, the driving is preferably performed so that the ratio between the photosensitive level and the non-photosensitive level is constant, and the driving is preferably performed so that the difference between the photosensitive level and the non-photosensitive level is small. Thereby, switching between the photosensitive level and the non-photosensitive level can be performed at high speed, and the load on the driving means can be reduced.
[0022]
As set forth in claim 2, the setting means includes a predetermined first reference photosensitive level for exposing at a predetermined level, and a predetermined second reference photosensitive level for preventing the photosensitive material from being exposed. The ratio is determined based on the ratio storage means stored according to the type of the photosensitive material and the color measurement result of the test pattern recorded on the photosensitive material so as to be exposed at the predetermined level. A photosensitive level input means for inputting a photosensitive level, and sets the measured photosensitive level as the photosensitive level, and calculates and sets the non-photosensitive level from the ratio corresponding to the type of the photosensitive material and the photosensitive level. can do.
[0023]
The ratio storage means has a ratio of a predetermined first reference photosensitive level for exposing at a predetermined level and a predetermined second reference photosensitive level for not exposing the photosensitive material, that is, an extinction ratio. Stored for each type of material.
[0024]
The setting means sets the measured photosensitive level input by the input means as the photosensitive level.
[0025]
The measured photosensitive level is determined so as to be exposed at a predetermined level based on the color measurement result of the test pattern recorded on the photosensitive material. For example, the test pattern is colorimetrically measured by the colorimetric means, and the photosensitive level at which the density becomes a predetermined level is determined as the measured photosensitive level. Note that the measured photosensitive level may be set by visual observation without using the colorimetric means.
[0026]
Then, the setting means reads the ratio corresponding to the type of photosensitive material from the ratio storage means, and calculates and sets the non-photosensitive level from the read ratio and the set photosensitive level, that is, the measured photosensitive level.
[0027]
In this way, by setting the photosensitive level to the measured photosensitive level, it is possible to set the optimum photosensitive level and non-photosensitive level regardless of variations in photosensitive material and aging degradation of the apparatus.
[0028]
According to a third aspect of the present invention, the optical system further comprises a monitor optical system for monitoring the light beam, and a light receiving means for receiving the light beam transmitted through the monitor optical system, the monitor optical system comprising: The component ratio between the laser light and the emitted light of the light beam received by the light receiving means is configured to be substantially the same as the component ratio on the photosensitive material, and the driving means is the light receiving means. The GaN-based semiconductor laser may be driven so that the amount of the received light beam becomes the photosensitive level or the non-photosensitive level.
[0029]
The monitor optical system branches the light beam emitted from the GaN semiconductor laser toward the light receiving means. The monitor optical system is configured such that the component ratio between the laser beam and the emitted light of the light beam received by the light receiving means is substantially the same as the component ratio on the photosensitive material. The light quantity of the beam can be received.
[0030]
The driving unit drives the GaN-based semiconductor laser so that the light amount of the light beam received by the light receiving unit becomes a photosensitive level or a non-photosensitive level.
[0031]
As described above, the light receiving means can detect a light beam substantially equivalent to the light beam on the photosensitive material, so that the GaN-based semiconductor laser can be driven more accurately and the deterioration of the image quality can be prevented. .
[0032]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an example of an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In this embodiment, the present invention is applied to a digital laboratory system.
[0033]
(Overview of the entire system)
FIG. 1 shows a schematic configuration of a digital lab system 10 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows an external appearance of the digital lab system 10. As shown in FIG. 1, the laboratory system 10 includes a line CCD scanner 14, an image processing unit 16, a laser printer unit 18 as an image exposure device, and a processor unit 20. The image processing unit 16 is integrated as an input unit 26 shown in FIG. 2, and the laser printer unit 18 and the processor unit 20 are integrated as an output unit 28 shown in FIG.
[0034]
The line CCD scanner 14 is a film image recorded on a photographic light-sensitive material (hereinafter simply referred to as “photographic film”) such as a photographic film (for example, a negative film or a reversal film). A negative image or a positive image visualized in the above, for example, a 135 size photographic film, a 110 size photographic film, and a photographic film formed with a transparent magnetic layer (240 size photographic film: so-called APS film), 120 size and 220 size (Broni size) photographic film film images can be read. The line CCD scanner 14 reads the film image to be read with a three-line color CCD, and outputs R, G, and B image data.
[0035]
As shown in FIG. 2, the line CCD scanner 14 is attached to the work table 30. The image processing unit 16 is stored in a storage unit 32 formed below the work table 30, and an opening / closing door 34 is attached to an opening of the storage unit 32. The storage unit 32 is normally in a state of being concealed by the opening / closing door 34, and when the opening / closing door 34 is rotated, the inside is exposed and the image processing unit 16 can be taken out.
[0036]
The work table 30 has a display 164 attached to the back side and two types of keyboards 166A and 166B. One keyboard 166 </ b> A is embedded in the work table 30. The other keyboard 166B is housed in the drawer 36 of the work table 30 when not in use, and is removed from the drawer 36 and placed on the keyboard 166A when in use. When the keyboard 166B is used, a connector (not shown) attached to the end of a cord (signal line) extending from the keyboard 166B is connected to a jack 37 provided on the work table 30, whereby the keyboard 166B connects the jack 37. Via the image processing unit 16.
[0037]
A mouse 40 is disposed on the work surface 30U of the work table 30. In the mouse 40, a code (signal line) is extended into the storage unit 32 through a hole 42 provided in the work table 30, and is connected to the image processing unit 16. The mouse 40 is housed in the mouse holder 40A when not in use, and is removed from the mouse holder 40A and placed on the work surface 30U when in use.
[0038]
The image processing unit 16 receives image data (scanned image data) output from the line CCD scanner 14, image data obtained by photographing with a digital camera, and a document other than a film image (for example, a reflective document). The image data obtained by reading the image with a scanner, the image data generated by a computer, etc. (hereinafter collectively referred to as file image data) are input from the outside (for example, via a storage medium such as a memory card). Or can be input from another information processing device via a communication line).
[0039]
The image processing unit 16 performs various image processing such as various corrections on the input image data, and inputs the image data to the laser printer unit 18 as recording image data. Further, the image processing unit 16 outputs the image data subjected to the image processing to the outside as an image file (for example, outputs it to an information storage medium such as a memory card, or transmits it to another information processing device via a communication line). Etc.) is also possible.
[0040]
The laser printer unit 18 includes R, G, and B laser light sources, irradiates the photographic paper with laser light modulated according to the recording image data input from the image processing unit 16, and performs photographic paper by scanning exposure. An image (latent image) is recorded on. The processor unit 20 performs color development, bleach-fixing, water washing, and drying on the photographic paper on which an image is recorded by scanning exposure in the laser printer unit 18. As a result, an image is formed on the photographic paper.
[0041]
(Detailed configuration of the laser printer)
Next, the configuration of the laser printer unit 18 will be described in detail. FIG. 3 shows the configuration of the optical system of the laser printer unit 18.
[0042]
The laser printer unit 18 includes three laser light sources, laser light sources 211R, 210G, and 211B. The laser light source 211R is configured by a semiconductor laser (LD) that emits laser light (hereinafter referred to as R laser light) having an R wavelength (for example, 685 nm). The laser light source 210G includes an LD 210L as laser light emitting means and a wavelength conversion element (SHG) 210S as wavelength converting means for converting the laser light emitted from the LD 210L into laser light having a half wavelength. Therefore, the oscillation wavelength of the LD 210L is determined so that laser light having a G wavelength (for example, 532 nm) (hereinafter referred to as G laser light) is emitted from the SHG 210S. The laser light source 211B is configured by an LD that emits laser light having a wavelength of B (for example, 440 nm) (hereinafter referred to as B laser light).
[0043]
A collimator lens 212 and an acoustooptic device (AOM) 214G as an external modulation unit are sequentially arranged on the laser light emission side of the laser light source 210G. The AOM 214G is arranged so that the incident laser light passes through the acoustooptic medium, and is connected to an AOM driver (not shown). When a high frequency signal is input from the AOM driver, the AOM 214G The ultrasonic wave according to the high frequency signal propagates, the acoustooptic effect acts on the laser light transmitted through the acoustooptic medium, and diffraction occurs, and the laser light having the intensity according to the amplitude of the high frequency signal is emitted from the AOM 214G as diffracted light. Is done.
[0044]
A plane mirror 215 is arranged on the diffracted light emission side of the AOM 214G, and a spherical lens 216, a cylindrical lens 217, and a polygon mirror 218 are arranged in order on the laser light emission side of the plane mirror 215, from the AOM 214G. The G laser light emitted as the diffracted light is reflected by the plane mirror 215, reflected by the spherical mirror 216 and the cylindrical lens 217 to a predetermined position on the reflecting surface of the polygon mirror 218, and reflected by the polygon mirror 218. The
[0045]
On the other hand, a collimator lens 213 and a cylindrical lens 217 are sequentially arranged on the laser light emission side of the laser light sources 211R and 210B, and the laser light emitted from the laser light sources 211R and 211B is converted into parallel light by the collimator lens 213. The light is irradiated through the cylindrical lens 217 to a position substantially the same as the predetermined position on the reflection surface of the polygon mirror 218 and reflected by the polygon mirror 218.
[0046]
The three R, G, and B laser beams reflected by the polygon mirror 218 are sequentially transmitted through the fθ lens 220 and the cylindrical lens 221, reflected by the cylindrical mirror 222, and then reflected substantially vertically downward by the folding mirror 223. Then, the photographic paper 224 is irradiated through the opening 226. Alternatively, the folding mirror 223 may be omitted, and the photographic paper 224 may be irradiated by being directly reflected substantially vertically downward by the cylindrical mirror 222.
[0047]
On the other hand, a scanning start detection sensor (hereinafter referred to as an SOS detection sensor) 228 for detecting the R laser beam that has reached through the aperture 226 is disposed near the side of the scanning exposure start position on the photographic paper 224. Yes. The reason why the laser beam detected by the SOS detection sensor 228 is the R laser beam is that the photographic paper has the lowest R sensitivity, and therefore the light quantity of the R laser beam is maximized, so that it can be reliably detected. This is because the R laser beam reaches the SOS detection sensor 228 earliest in scanning by the rotation of the mirror 218. In the present embodiment, a signal output from the SOS detection sensor 228 (hereinafter referred to as a sensor output signal) is normally at a low level, and is set to a high level only when an R laser beam is detected. It is configured.
[0048]
Although not shown in FIG. 3, the laser printer unit 18 monitors the pinhole 102 and the B laser light for removing stray light (emitted light), which is an LED emission component, at a position where the B laser light converges. A monitor optical system 104 (details will be described later).
[0049]
Next, a detailed configuration of the laser light source 211B according to the present embodiment will be described. FIG. 4 shows a schematic sectional view of a laser light source 211B according to the embodiment of the present invention. In FIG. 4, W1 = 1.7 μm, W2 = 300 μm, H1 = about 0.9 μm, H2 = about 3.5 μm, and H3 = 100 μm.
[0050]
The laser light source 211B is made of an InGaN semiconductor laser and has a sapphire c-plane substrate (S. Nagahama et.al., jpn.Appl.Phys.Vol.39, No.7A, p. A low-defect GaN substrate layer is formed (by the method described in L347 (2000)).
[0051]
Next, using an atmospheric pressure MOCVD method, an n-GaN buffer layer (Si-doped, 5 μm) 70, n-In 0.1 Ga 0.9 N buffer layer (Si-doped, 0.1 μm) 66, n-Al 0.1 Ga 0.9 N clad layer (Si doped, 0.45 μm) 64, n-GaN light guide layer (Si doped, 0.04 to 0.08 μm) 62, undoped active layer 60, p-GaN light guide layer (Mg doped,. 04-0.08 μm) 58, p-Al 0.1 Ga 0.9 An N clad layer (Mg doped, 0.45 μm) 56 and a p-GaN cap layer (Mg doped, 0.25 μm) 54 are grown.
[0052]
The active layer 60 is made of undoped In 0.05 Ga 0.95 N (10 nm), undoped In 0.23 Ga 0.77 N quantum well layer (3 nm), undoped In 0.05 Ga0.95N (5nm), undoped In 0.23 Ga 0.77 N quantum well layer (3 nm), undoped In 0.05 Ga 0.9 N (10 nm), undoped Al 0.1 Ga 0.9 An N (10 nm) double quantum well structure is adopted.
[0053]
Next, a ridge stripe with a width of about 1.7 μm is formed by p-Al by photolithography and etching. 0.1 Ga 0.9 In the N clad layer 56, it is formed by edging by RIBE (reactive ion beam etching) using chlorine ions from the p-GaN light guide layer 58 to a distance of 0.1 μm.
[0054]
Next, after forming the SiN film 52 on the entire surface by plasma CVD, unnecessary portions on the ridge are removed by photolithography and etching. Thereafter, the p-type impurities are activated by heat treatment in a nitrogen gas atmosphere. Thereafter, the epitaxial layer other than the portion including the light emitting region is etched away by RIBE using chlorine ions until the n-GaN buffer layer 70 is exposed. Thereafter, Ti / Al / Ti / Au as the n electrode 68 and Ni / Au as the p electrode 50 are vacuum-deposited and annealed in nitrogen to form an ohmic electrode. Resonator end faces are formed by cleavage.
[0055]
In the present embodiment, the oscillation wavelength is 440 nm, and the beam radiation angle full width at half maximum in the direction perpendicular to the junction is 34 degrees. It is also possible to use an insulating sapphire substrate. It is also possible to produce a similar structure on a conductive substrate such as SiC. Furthermore, dislocations in the oscillation stripe region can be reduced by using ELOG (epitaxially lateral over growth) (the above-mentioned reference: Matsushita, Optronics, (2000) No. 1, p. 62).
[0056]
Next, the optical system of the laser light source (GaN semiconductor laser) 211B according to the present embodiment will be described in detail. FIG. 5 shows a schematic diagram of an optical system of the laser light source 211B.
[0057]
As shown in FIG. 5, between the cylindrical lens 217 and the polygon mirror 218, a pinhole 102 in which a predetermined plate-like member is provided with a hole is provided. Thereby, the light of the LED light emitting component, that is, the stray light 198 is removed, and an image with high sharpness can be obtained.
[0058]
A half mirror 106 is provided between the collimator lens 213 and the cylindrical lens 217, and a monitor optical system 104 is provided on the light reflection side of the half mirror 106. The half mirror 106 and the monitor optical system 104 correspond to the monitor optical system of the present invention.
[0059]
The light amount of the light beam that has passed through the monitor optical system 104 is detected by the light receiving element 108. The B LD driving circuit 100 drives the laser light source 211B so that the light amount detected by the light receiving element 108 becomes a predetermined light amount. The monitor optical system 104 is configured to be a light beam substantially equivalent to the light beam that reaches the photographic paper 224, and includes a cylindrical lens 110 and a pinhole 112. Thereby, in the light receiving element 108, the light from which the stray light 198 is removed by the pinhole 112 can be detected, and the detection error can be suppressed. The pinhole 102 is not limited to the above position, and may be a position where the light beam converges.
[0060]
Further, as shown in FIG. 6, a half mirror 106 is provided between the pinhole 102 provided after the condensing optical system 114 including the collimator lens 213 and the cylindrical lens 217 and the polygon mirror 218, and is reflected by the half mirror 106. The received light may be detected by the light receiving element 108.
[0061]
(Configuration of control unit)
Next, the control unit of the laser printer unit 18 including a drive circuit that drives the laser light source 211B made of a GaN-based semiconductor laser will be described in detail.
[0062]
As shown in FIG. 7, the control unit according to the present embodiment includes a control circuit 80 including a microcomputer. The control circuit 80 is connected to a bus 88, and image data memories 74, 76, and 78 are connected to the bus 88. That is, image data memories 74, 76, and 78 are provided as memories for storing image data for recording an image on the photographic paper 224. The image data memory 74 is a memory for storing R color image data. Similarly, the image data memory 76 is a memory for storing G color image data, and the image data memory 78 is for storing B color image data. Memory.
[0063]
Also, an R LD drive circuit 96, a G LD drive circuit 98, and a B LD drive circuit 100 are connected to the bus 88. The R LD drive circuit 96 and the B LD drive circuit 100 are modulation circuits. 90 and 92 are connected to each other. That is, the semiconductor lasers 211R and 211B are intensity-binary modulated by generating a modulation signal (for example, a pulse width modulation signal) based on image data by the modulation circuits 90 and 92 and superimposing the modulation signal on the LD drive circuit. It has become so.
[0064]
Further, an AOM drive circuit 94 is connected to the bus 88, and the drive of the AOM 94 is controlled. That is, the laser light source 210G is indirectly modulated by the AOM 214G.
[0065]
Further, the bus 88 has a polygon motor driving circuit 82 for driving a polygon motor 83 for rotating the polygon mirror 218 and a photographic paper moving motor drive for driving a photographic paper moving motor 86 for moving the photographic paper 224. A circuit 84 is connected, and each is controlled by the control circuit 80.
[0066]
Next, the B LD driving circuit 100 will be described. As shown in FIG. 8, the B LD drive circuit 100 includes an output voltage setting unit 116, and the output voltage setting unit 116 includes a recording level setting unit 118, a non-recording level setting unit 120, and a current-voltage conversion circuit. 122 and the switch 124 are connected.
[0067]
The recording level setting unit 118 is connected to a recording level light amount memory 126 and a laser characteristic memory 128. A calibration unit 127 is connected to the recording level light amount memory 126, and an optimum light amount level (measured photosensitive level) set by calibration performed in advance by the calibration unit 127, that is, photographic paper 224 is predetermined. A light amount level for exposure at a level is stored in advance.
[0068]
The calibration unit 127 includes, for example, a colorimeter and the like. For example, a predetermined test pattern is recorded on the photographic paper 224, and the color is measured by the colorimeter, and an optimal light amount is obtained so as to be exposed at a predetermined level. Set the level. By performing this at any given interval, a good image can be obtained regardless of variations in the photographic paper 224 and changes with time of the apparatus.
[0069]
The laser characteristic memory 128 stores in advance the laser characteristics of the laser light source 211B, that is, the correspondence between the laser drive voltage (or drive current) and the optical output. Note that laser characteristics may be acquired by measuring the optical output while changing the drive voltage and stored in the laser characteristics memory 128. By performing this at any given interval, errors due to deterioration of the device over time can be suppressed.
[0070]
The recording level setting unit 118 obtains a drive voltage corresponding to the light amount level stored in the recording level light amount memory 126 from the laser characteristic stored in the laser characteristic memory 128, sets this as the recording level (voltage) VH, and outputs it. Output to the voltage setting unit 116.
[0071]
On the other hand, an extinction ratio memory 130 and a photosensitive material information memory 132 are connected to the non-recording level setting unit 120.
[0072]
The extinction ratio memory 130 has an extinction ratio, that is, a photosensitive level A (first reference photosensitive level) for exposing the photosensitive material (photographic paper) at a predetermined level and a non-photosensitive level B (first photosensitive level) for not exposing the photosensitive material. The ratio α (= B / A) to (2 reference photosensitive level) is stored in advance. The extinction ratio α can be obtained by experiment or the like, and is set so that the difference between the photosensitive level and the non-photosensitive level is minimized. Further, since the extinction ratio α differs depending on the type of photosensitive material, it is stored for each type of photosensitive material.
[0073]
The photosensitive material information memory 132 stores information for specifying the type of photosensitive material, that is, the photographic paper 224.
[0074]
The non-recording level setting unit 120 reads the extinction ratio corresponding to the type of photosensitive material stored in the photosensitive material information memory 132 from the extinction ratio memory 130, and the recorded extinction ratio and the recording recorded by the recording level setting unit 118. The non-recording level VL is calculated from the level VH and output to the output voltage setting unit 116. The non-recording level VL can be obtained by calculating α × VH.
[0075]
The output voltage setting unit 116 is connected to a current-voltage conversion circuit 122 connected to the light receiving element 108. The light receiving element 108 outputs a photocurrent corresponding to the detected light amount of the light beam to the current-voltage conversion circuit 122. In the current-voltage conversion circuit 122, the photocurrent from the light receiving element 108 is converted into a voltage and output to the output voltage setting unit 116. The output voltage setting unit 116 sets the output voltage VH ′ or the output voltage VL ′ so that the detected voltage becomes the recording level VH or the non-recording level VL set by the recording level setting unit 118, and outputs it to the switch 124. .
[0076]
In the switch 124, the output voltage VH ′ or the output voltage VL ′ is output to the drive circuit 134 for driving the laser light source 211B according to the image modulation signal (for example, pulse width modulation signal) output from the modulation circuit 92. Switching to As a result, the detection voltage is controlled to be VH or VL.
[0077]
As described above, since the non-recording level is set from the optimum recording level determined by calibration and the extinction ratio determined for each type of photosensitive material, the recording level and non-recording are determined regardless of the type of photosensitive material. The level is set optimally. Further, since the extinction ratio α is set so that the difference between the photosensitive level and the non-photosensitive level is minimized, the drive circuit 134 can switch between the recording level and the non-recording level at high speed.
[0078]
Next, the operation of the laser printer unit 18 according to the present embodiment will be described.
[0079]
When recording an image on the photographic paper 224, the control unit of the laser printer unit 18 records the image represented by the recording image data input from the image processing unit 16 on the photographic paper 224 by scanning exposure. Based on the image recording parameters input from the image processing unit 16, various corrections are performed on the recording image data to generate scanning exposure image data, which are stored in the image data memories 74, 76, and 78.
[0080]
Then, the polygon mirror 218 of the laser printer unit 18 is rotated in the direction of arrow A in FIG. 3, and a laser beam is emitted by flowing current to the semiconductor lasers of the laser light sources 211R, 210G, and 211B, and the generated scanning exposure is performed. A modulation signal is generated based on the image data, and the amplitude of the ultrasonic signal (high frequency signal) supplied to the AOM 214G is changed according to the level of the modulation signal to modulate the laser beam emitted from the AOM 214G as diffracted light. Therefore, a laser beam whose intensity is modulated in accordance with the density of the image to be recorded on the photographic paper 224 is emitted from the AOM 214G. This laser beam is applied to the photographic paper 224 through the plane mirror 215, the spherical lens 216, the cylindrical lens 217, the polygon mirror 218, the fθ lens 220, the cylindrical lens 221, the cylindrical mirror 222, and the folding mirror 223.
[0081]
For the laser light sources 211R and 211B, the laser beam is modulated by intensity binary modulation such as pulse width modulation. Accordingly, the laser light sources 211R and 211B emit laser beams modulated according to the density of the image to be recorded on the photographic paper 224. This laser beam is applied to the photographic paper 224 through the collimator lens 213, the cylindrical lens 217, the polygon mirror 218, the fθ lens 220, the cylindrical lens 221, the cylindrical mirror 222, and the folding mirror 223, respectively.
[0082]
Then, as the polygon mirror 218 rotates in the direction of arrow A in FIG. 3, the irradiation positions of the R, G, and B laser beams are scanned along the direction of arrow B in FIG. 3 is conveyed at a constant speed along the direction of arrow C in FIG. 3, each laser beam is sub-scanned, and an image (latent image) is recorded on the photographic paper 224 by scanning exposure.
[0083]
As described above, the recording level for binary modulation of the intensity of the laser beam from the laser light source 211B is set to the optimum recording level determined by calibration or the like, and the non-recording level is set to the set recording level. It is set from the level and the extinction ratio determined for each type of photosensitive material. Accordingly, the recording level and the non-recording level are optimally set regardless of the type of photosensitive material. Further, since the extinction ratio α is set so that the difference between the photosensitive level and the non-photosensitive level is minimized, the drive circuit 134 can switch between the recording level and the non-recording level at high speed. Can reduce the load.
[0084]
Note that the timing for modulating each laser beam in the scanning exposure and the conveyance timing of the photographic paper 224 in the direction of arrow C in FIG. 3 are determined based on the sensor output signal output from the SOS detection sensor 228.
[0085]
The photographic paper 224 on which an image is recorded by scanning exposure is sent to the processor unit 20 and subjected to color development, bleach-fixing, washing with water, and drying. As a result, an image is formed on the printing paper 224.
[0086]
Although the case where the present invention is applied to the laser light source 211B has been described above, the present invention is not limited thereto, and the present invention may be applied to the laser light sources 211R and 211G.
[0087]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, there is an effect that it is possible to appropriately set the photosensitive level and the non-photosensitive level according to the type of the photosensitive material, and to suppress deterioration in image quality due to stray light.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a digital laboratory system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing an appearance of a digital laboratory system according to the embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a perspective view illustrating a schematic configuration of a laser printer unit.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a detailed configuration of a GaN-based semiconductor laser.
FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of an optical system of a laser light source.
FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of an optical system of a laser light source.
FIG. 7 is a block diagram illustrating a control unit of the laser printer unit.
FIG. 8 is a diagram showing a schematic configuration of an LD drive circuit.
FIG. 9 is a view showing a schematic diagram when a GaN-based semiconductor laser is used as a light source of a silver salt exposure apparatus that performs spot scanning with a polygon or the like.
FIG. 10 is a graph showing the relationship between the light output of a spot and the drive current, and the relationship between the light output of a blurred pattern and the drive current.
11A is a diagram showing a striped pattern, and FIG. 11B is a diagram showing an example in which a blurred pattern is colored in the striped pattern.
12A is a diagram showing the laser characteristics of a conventional laser light source, and FIG. 12B is a diagram showing the laser characteristics of a GaN-based laser light source.
[Explanation of symbols]
10 Digital Lab System
14 Scanner
16 Image processing unit
18 Laser printer
20 Processor section
100 B LD drive circuit (drive means)
104 Monitor optical system
106 half mirror
108 Light receiving element (light receiving means)
118 Recording level setting section (setting means, photosensitive level input means)
120 Non-recording level setting section (setting means)
126 Recording level light quantity memory
128 Laser characteristic memory
130 Extinction ratio memory (ratio storage means)
132 Photosensitive material information memory
211BB B laser light source (GaN-based semiconductor laser)

Claims (3)

レーザ光及びレーザ光以外の放出光を含む光ビームを射出するGaN系半導体レーザと、
前記光ビームを感光材料上に結像させる光学系と、
記録すべき画像データに応じて変調した光ビームで前記感光材料を走査露光する走査露光手段と、
前記感光材料の種類を入力する入力手段と、
前記感光材料の種類に応じて、前記感光材料が感光する感光レベル及び前記感光材料が感光しない非感光レベルを設定する設定手段と、
前記画像データに応じて、前記感光材料に照射される光ビームの光量が前記感光レベル以上又は前記非感光レベル以下となるように前記GaN系半導体レーザを駆動する駆動手段と、
を備えた画像露光装置。
A GaN-based semiconductor laser that emits a light beam including laser light and emitted light other than laser light;
An optical system for imaging the light beam on a photosensitive material;
Scanning exposure means for scanning and exposing the photosensitive material with a light beam modulated according to image data to be recorded;
Input means for inputting the type of the photosensitive material;
In accordance with the type of the photosensitive material, setting means for setting a photosensitive level at which the photosensitive material is photosensitive and a non-photosensitive level at which the photosensitive material is not photosensitive;
Driving means for driving the GaN-based semiconductor laser so that the amount of the light beam applied to the photosensitive material is equal to or higher than the photosensitive level or equal to or lower than the non-photosensitive level according to the image data;
An image exposure apparatus comprising:
前記設定手段は、
所定レベルで感光するための予め定められた第1基準感光レベルと、前記感光材料が感光しないための予め定められた第2基準感光レベルとの比率が、前記感光材料の種類に応じて各々記憶された比率記憶手段と、
前記感光材料に記録されたテストパターンの測色結果に基づいて、前記所定レベルで感光するように定められた測定感光レベルを入力する感光レベル入力手段と、を備え、
前記測定感光レベルを前記感光レベルとして設定すると共に、前記感光材料の種類に対応した比率及び前記感光レベルから前記非感光レベルを演算して設定することを特徴とする請求項1に記載の画像露光装置。
The setting means includes
A ratio between a predetermined first reference photosensitive level for exposure at a predetermined level and a predetermined second reference photosensitive level for the photosensitive material not to be exposed is stored according to the type of the photosensitive material. Ratio storage means,
A photosensitive level input means for inputting a measured photosensitive level determined to be exposed at the predetermined level based on a colorimetric result of a test pattern recorded on the photosensitive material,
2. The image exposure according to claim 1, wherein the measured photosensitive level is set as the photosensitive level, and the non-photosensitive level is calculated from a ratio corresponding to the type of the photosensitive material and the photosensitive level. apparatus.
前記光ビームをモニタするためのモニタ光学系と、前記モニタ光学系を透過した光ビームを受光する受光手段と、をさらに備え、
前記モニタ光学系は、前記受光手段で受光する光ビームの前記レーザ光と前記放出光との成分比が、前記感光材料上における前記成分比と略同一となるように構成され、前記駆動手段は、前記受光手段で受光した光ビームの光量が前記感光レベル又は前記非感光レベルとなるように前記GaN系半導体レーザを駆動することを特徴とする請求項1又は請求項2記載の画像露光装置。
A monitor optical system for monitoring the light beam; and a light receiving means for receiving the light beam transmitted through the monitor optical system,
The monitor optical system is configured such that a component ratio between the laser beam and the emitted light of a light beam received by the light receiving unit is substantially the same as the component ratio on the photosensitive material, and the driving unit includes: 3. The image exposure apparatus according to claim 1, wherein the GaN-based semiconductor laser is driven so that the light amount of the light beam received by the light receiving means becomes the photosensitive level or the non-photosensitive level.
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