JP3679782B2 - Exposure apparatus and semiconductor chip manufacturing method using the same - Google Patents

Exposure apparatus and semiconductor chip manufacturing method using the same Download PDF

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法に関し、特にレチクル(マスク)面上に形成されているIC,LSI等の微細な電子回路パターンを投影レンズ系(投影光学系)によりウエハ面上に投影し露光すると共に、この露光の為の光とは波長が異なる光で投影レンズ系を介してウエハ面上の状態を観察する機能を有する露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造用の微少投影型の露光装置では、第1物体としてのレチクルの回路パターンを投影レンズ系により第2物体としてのウエハ上に投影し露光するが、この投影露光に先立って観察装置(検出手段)を用いてウエハ面を観察することによりウエハ上のアライメントマークを検出し、この検出結果に基づいてレチクルとウエハとの位置整合、所謂アライメントを行っている。
【0003】
このときのアライメント精度は観察装置の光学性能に大きく依存している。この為、観察装置の性能は露光装置において重要な要素となっている。
【0004】
従来より、露光装置において、ウエハ面に形成したアライメントマークを観察顕微鏡系によって観察し、投影された画像信号を用いてアライメントマークの位置を検出し、ウエハの位置情報を得ることが良く行われている。
【0005】
特に近年、主に次の2つの理由から非露光光で比較的波長幅の広い光が観察用照明光として用いられるようになってきた。
【0006】
第一の理由は、ウエハ面に形成したアライメントマークを観察する際、多くの場合、ウエハ面上には電子回路パターンを転写される感光材(レジスト)が塗布されている。レジストは通常、露光波長で吸収が多いため、露光波長ではウエハ上のアライメントマークをレジスト膜を通して検出することが困難になってきたり、さらに、露光光でアライメントマークを観察しようとすると、露光光によりレジストが感光してアライメントマークの検出が不安定になったり、検出できなくなったりするという問題点があり、非露光光による検出方式が望まれている。
【0007】
第二の理由は、非露光光の観察用の照明光として、例えばハロゲンランプによる比較的波長幅の広い光を用いると、He−Neレーザのような単色光源を用いてウエハ上のAAマークを観察した時に発生しがちな、レジスト膜や半導体プロセスに用いる種々の機能膜の膜厚ムラによる干渉縞を低減することができ、より良好なアライメントが行なえるというものである。
【0008】
このような理由から、アライメントマークの観察顕微鏡系としては、非露光光で比較的波長幅の広い観察用照明光に対して各種収差を補正して、良好なアライメントマークの検出が行なえるようにしている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなアライメントマークの検出を行っているものとして、特開平4−223326号公報の位置あわせ装置が挙げられる。ここでは、ある波長帯域を持つアライメント光でアライメントマークを観察するアライメント光学系が開示されており、このアライメント光学系においては、3枚のプリズムを貼り合せた光学素子をコリメータレンズによる平行光束中に配置することによって、アライメント光が波長帯域を持つことによって発生する倍率色収差を補正している。しかしながら、平行光束中にこのようなプリズムを配置すると、平行光束を集光するための後段の結像レンズに対して、光束が偏心した状態で入射するためコマ収差が発生し、その結果アライメント精度が著しく低下してしまうという問題点が生じてくる。 観察用の照明光として波長幅の広い光を用いると、図9(A),(B),(C)に示すように観察顕微鏡系の各要素の加工誤差あるいは組立て誤差などの誤差、具体的にはプリズムのくさび成分や光軸に対する傾き、レンズの偏心誤差などにより検出面上に投影された画像信号の位置が色によって異なった位置に投影されるという問題点が生じてくる。図9(A),(B),(C)はそれぞれプリズム91のくさび成分、プリズム91の光軸に対する傾き、レンズの偏心誤差により投影画面上で色ずれが発生する様子を示している。
【0010】
その結果、ウエハ面上に塗布したレジストの膜厚や半導体プロセスに用いる種々の機能膜の膜厚、ウエハ面上に形成したアライメントマークの膜厚などが変化した場合、例えば図10に示すようにウエハ面に形成したアライメントマーク検出信号の分光特性の変化に伴って、検出面上に投影される画像信号の位置が変化してアライメント誤差となり、アライメント精度を劣化させるという問題点が生じてくる。
【0011】
本発明は露光光と波長が異なる検出光(アライメント光)で投影レンズ系を介してマークの検出を行なう場合にマーク像の位置を高精度に検出することが可能な、改良されたマーク検出機能を有する露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法の提供を目的とする。
【0012】
請求項1の発明の露光装置は、露光光で第1物体のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記第1物体と前記第2物体との相対的位置合わせを行うために、複数の波長を有する検出光で前記第2物体を照明し、前記第2物体上のマーク情報を検出する検出手段とを有する露光装置であって、
前記検出手段は検出面上で発生する、前記複数の波長間のマーク像のずれを補正する分散の異なる材質より成る2つのレンズを、前記検出面上で結像する光束が収斂状態にある位置に偏心可能に設けていることを特徴としている。
【0013】
請求項2の発明は請求項1の発明において、前記検出光とは前記露光光と波長が異なる光であることを特徴としている。
請求項3の発明は請求項1の発明において、前記検出光とは前記第2物体を感光させない光であることを特徴としている。
請求項4の発明は請求項1,2又は3の発明において、前記検出光の光源がハロゲンランプであることを特徴としている。
請求項5の発明は請求項1の発明において、前記分散の異なる材質より成る2つのレンズは互いに接合されていることを特徴としている。
【0014】
請求項6の発明の半導体チップの製造方法は、請求項1乃至いずれか1項記載の露光装置を用いて、前記第1物体の回路パターンを照明することにより投影光学系を介して前記回路パターンの像を前記第2物体上に投影して転写することを特徴としている。
【0018】
【発明の実施の形態】
図1は本発明を半導体素子製造用の露光装置に適用したときの参考例1の光学系の要部概略図である。
【0019】
同図において8は第1物体としてのレチクルでレチクルステージ10に載置されている。3は第2物体としてのウエハであり、その面上にはアライメント用のマーク(AAマーク)4が設けられている。5は投影光学系で投影レンズ系よりなり、レチクル(マスク)8面上の回路パターン等をウエハ3面上に投影している。投影レンズ系5はレチクル8側とウエハ3側で共にテレセントリック系となっている。
【0020】
9は照明系であり、露光光でレチクル8を照明している。2はθ,Zステージでウエハ3を載置しており、ウエハ3のθ回転及びフォーカス調整、即ちZ方向の調整を行っている。θ,Zステージ2はステップ動作を高精度に行う為のXYステージ1上に載置されている。XYステージ1にはステージ位置計測の基準となる光学スクウェアー(バーミラー)6が置かれており、この光学スクウェアー6をレーザ干渉計7でモニターしている。
【0021】
本参考例におけるレチクル8とウエハ3との位置合わせ(アライメント)は予め位置関係が求められている後述する基準マーク17に対して各々位置合わせを行うことにより間接的に行なっている。又は実際レジスト像パターン等をアライメントを行なって露光を行ない、その誤差(オフセット)を測定し、それ以後のその値を考慮してオフセット処理している。
【0022】
次にウエハ3面のマーク4の位置検出を行なう検出手段101の各要素について説明する。
【0023】
11は観察顕微鏡であり、非露光光でウエハ3面上のAAマーク4を観察している。
【0024】
本参考例では投影レンズ5を介さないでアライメントを行なうオフアクシス方式を用いている。
【0025】
14はAAマーク4の検出用の光源で、露光光の波長とは異なる波長の光束(非露光光)を発するハロゲンランプから成っている。15はレンズであり、光源14からの光束(検出光)を集光して照明用のビームスプリッター16に入射させている。12は対物レンズである。
【0026】
13は光学要素としてのレンズ群であり、観察顕微鏡11で発生したコマ収差を補正する為に光軸Sから偏心可能となるように構成している。
【0027】
尚、本参考例においてレンズ群13は分散の異なる材質の正レンズと負レンズの2つのレンズより成り、色収差も補正するようにしている。
【0028】
ビームスプリッター16で反射したレンズ15からの検出光はミラーMで反射させ、レンズ群13と対物レンズ12を介してウエハ3面上のAAマーク4に導光して照明している。
【0029】
19は基準マーク17の照明用の光源でLED等から成っている。18はレンズである。光源19からの光束はレンズ18で集光し、基準マーク17に導光し、照明している。20は基準マーク用のビームスプリッターであり、基準マーク17からの光束を反射させてミラーMを介してエレクターレンズ21に入射している。エレクターレンズ21は基準マーク17及びウエハ3面上のAAマーク4を各々CCDカメラ22の撮像面に結像している。本参考例における検出手段101は以上の各要素を有している。
【0030】
本参考例において光源14から出射した非露光光(検出光)は順にレンズ15、ビームスプリッター16、ミラーM、レンズ群13、対物レンズ12を経て、ウエハ3上のAAマーク4を照明する。ウエハ3上のAAマーク4の観察像情報は、順にレンズ群13、対物レンズ12、ミラーM、ビームスプリッター16、ビームスプリッター20、ミラーM、エレクターレンズ21を経てCCDカメラ22上に結像する。
【0031】
本参考例においては観察顕微鏡11で発生したコマ収差を後述するように光軸Sから偏心可能に設けたレンズ群13で補正している。これにより良好なAAマーク4の観察像がCCDカメラ22上に形成されるようにしている。
【0032】
一方、基準マーク17は基準マーク照明用のLEDより成る光源19から出射した光をレンズ18により集光して照明され、ビームスプリッター20、ミラーMを介しエレクターレンズ21を経てCCDカメラ22上に結像する。
【0033】
このCCDカメラ22上に結像したウエハ3上のAAマーク4の観察像のCCDカメラ22上の位置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装置で計測したCCDカメラ22上に結像し、常に固定されている基準マーク17の投影像の位置とを比較することによって正確なXYステージ1の位置情報を得て、これにより高精度のアライメントを行っている。
【0034】
次に本参考例のコマ収差調整用のレンズ群13の光学的作用について図2を用いて説明する。
【0035】
本参考例のレンズ群13は分散の異なる2つのレンズを接合してレンズ群13で発生する色収差を補正した接合色補正レンズを光軸から偏心させるように構成して、検出面22上に色による像ずれを発生させないで観察顕微鏡11全体で発生しているコマ収差を補正できるようにしている。
【0036】
図2(A)は顕微鏡用結像レンズにより検出面上に像を形成している様子を示したもので、図2(B)は1枚のレンズ13を光軸から偏心させたときに、いわゆるプリズム効果による色ずれが発生している様子を示している。
【0037】
図2(C)は分散の異なる2つのレンズを接合して色収差を補正した接合色補正レンズ13により検出面上に像を形成している様子を示している。
【0038】
図2(D)は図2(C)の接合色補正レンズ13を光軸から偏心させたときに、検出面上に色による像ずれが発生しないことを示している。
【0039】
本参考例では以上のようにレンズ群13を構成することにより、観察顕微鏡11全体で発生するコマ収差を補正し、検出面(CCDカメラ22の撮像面)に良好なるAAマーク4の像を形成している。
【0040】
又、本参考例では非露光光としてハロゲンランプによる露光光の波長より中心波長が異なり、かつ比較的波長幅の広い光源(例えば633±30nm)を用い、He−Neレーザのような単色光源を用いてウエハ上のAAマークを観察するときに発生しがちなレジスト膜による干渉縞を低減し、これにより良好なアライメントを行っている。
【0041】
図3は本発明を半導体素子製造用の露光装置に適用したときの参考例2の光学系の要部概略図である。図3において図1で示した部材と同じ部材には同一符番を付している。
【0042】
本参考例は図1の参考例1に比べて、ウエハ3上のAAマーク4を投影レンズ5を介した光を用いて観察している点が異っており、即ちTTL方式でアライメントを行っている点と光学系24を用いた点が異っており、その他の構成は略同じである。
【0043】
図3において光学系24は投影レンズ5で発生した収差(例えば非点収差)を補正する為の平行平面板より成っている。
【0044】
本参考例においてハロゲンランプ14から出射した非露光光は順にレンズ15、ビームスプリッター16、レンズ群13、対物レンズ12、光学系24、ミラー23、投影レンズ系5を経てウエハ3上のAAマーク4を照明する。
【0045】
ウエハ3上のAAマーク4の観察像情報は順に投影レンズ5、ミラー23、光学系24、対物レンズ12、レンズ群13、ビームスプリッター16、ビームスプリッター20、エレクターレンズ21を経てCCDカメラ22上に結像する。このとき、投影レンズ系5はレチクル8上に描かれた電子回路パターンをウエハ3上に投影する為に露光光に対して良好に収差補正されている。この為、非露光光が投影レンズ5を通過した際、収差が発生する。
【0046】
本参考例においては投影レンズ系5で発生した球面収差と軸上色収差等を対物レンズ12で補正し、同じくコマ収差を光軸から偏心可能に設けたレンズ群13で補正するように構成し、良好なAAマーク4の観察像がCCDカメラ22上に形成されるようにしている。
【0047】
一方、基準マーク17は基準マーク照明用のLED光源19から出射した光をレンズ18により集光して照明され、ビームスプリッター20、対物エレクターレンズ21を経てCCDカメラ22上に結像する。
【0048】
このCCDカメラ22上に結像したウエハ3上のAAマーク4の観察像のCCDカメラ22上の位置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装置で計測したCCDカメラ22上に結像し、常に固定されている基準マーク17の投影像の位置とを比較することによって正確なステージの位置情報を得て、これにより高精度のアライメントを行っている。
【0049】
以上のように参考例1,2においてはウエハ上のAAマークを非露光光で観察してアライメントを行う際、観察顕微鏡全体で発生しているコマ収差を補正するための光学系要素を色収差の補正された光学系要素で構成することで、観察顕微鏡全体で発生しているコマ収差を補正した際、検出面上に色による像ずれを防止している。
【0050】
これによりウエハ面上に塗布したレジストの膜厚や半導体プロセスに用いる種々の機能膜の膜厚、ウエハ面上に形成したアライメントマークの膜厚などが変化した場合、ウエハ面に形成したアライメントマーク検出信号の分光特性の変化に伴って、検出面上に投影される画像信号の位置が変化したときのアライメント誤差を少なくし、アライメント精度の向上を図っている。
【0051】
図4は本発明を半導体素子製造用の露光装置に適用したときの実施例1の光学系の要部概略図である。図4において図1で示した部材と同じ部材には同一符番を付している。
【0052】
本実施例は図1の参考例1に比べて、CCDカメラ22の前方に後述するように少なくとも2つの透明な楔形プリズムより成る光学部材41を配置し、観察顕微鏡11の各光学要素の誤差等により発生した色によるAAマーク像のCCDカメラ22面上での位置ずれを補正していること、そしてコマ収差補正のレンズ群13を省略していることが異っており、その他の構成は略同じである。
【0053】
次に本実施例の構成について図1の説明と一部重複するが順次説明する。
【0054】
本実施例においてハロゲンランプ14から出射した非露光光は順にレンズ15、ビームスプリッタ16、ミラーM、対物レンズ12を経てウエハ3上のAAマーク4を照明する。
【0055】
ウエハ3上のAAマーク4の観察像情報は順に対物レンズ12、ミラーM、ビームスプリッター16、ビームスプリッター20、ミラーM、エレクターレンズ21、光学部材41を経てCCDカメラ22上に結像する。
【0056】
一方、基準マーク17は基準マーク照明用のLED光源19から出射した光をレンズ18により集光して照明され、ビームスプリッター20、ミラーM、対物エレクターレンズ21を経てCCDカメラ22上に結像する。
【0057】
このCCDカメラ22上に結像したウエハ3上のAAマーク4の観察像のCCDカメラ22上の位置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装置で計測したCCDカメラ22上に結像し、常に固定されている基準マーク17の投影像の位置とを比較することによって正確なステージの位置情報を得て、これにより高精度のアライメントを行っている。
【0058】
本実施例では参考例1と同様に非露光光としてハロゲンランプによる露光光の波長より中心波長が異なり、かつ比較的波長幅の広い光源(例えば633±30nm)を用い、He−Neレーザのような単色光源を用いてウエハ上のAAマークを観察するときに発生しがちなレジスト膜による干渉縞を低減し、これにより良好なアライメントを行っている。
【0059】
次に本実施例の光学部材41の光学的作用について図5を用いて説明する。
【0060】
本実施例において光学部材41は2枚のくさび板41a,41bを用いて観察顕微鏡系11の光学系要素の誤差等によって発生した色による投影像の位置ずれを補正している。
【0061】
図5(A)は1枚のくさび板51のいわゆるプリズム効果により色ずれが発生している様子を示している。
【0062】
図5(B)は観察顕微鏡系11の光学系要素の誤差等によって発生した色による投影像の位置ずれの様子を示している。
【0063】
図5(C)は2枚のくさび板41a,41bを用いて図5(B)に示した投影像の位置ずれを図5(C)の光線λ、λで明示するように、撮像面(CCDカメラ22)上で一点に集光する光線が収斂しつつある位置に配置して補正したもので、2枚のくさび板41a,41bの設定角度を調整して、任意の方向と大きさに発生している色による投影像の位置ずれを補正可能としている。
【0064】
図6,図7は本発明の実施例2、3の一部分の光学部材41に関する説明図である。
【0065】
実施例2、3では図4の実施例1に比べて光学部材41の構成が異っているだけで、その他の構成は同じである。
【0066】
図6の実施例2では光学部材41として分散の異なる2つのくさび板41a1,41a2(41b1,41b2)を接合した2つの平行平面板41a,41bを用いて、図4で示す観察顕微鏡11の光学系要素の誤差等によって発生した色による投影像(AAマーク像)の位置ずれを補正している。
【0067】
本実施例では2組のくさび板の設定角度を調整して、任意の方向と大きさに発生している色による投影像の位置ずれを補正可能としている。特に本実施例において、分散の異なる2枚のくさび板41a1,41a2(41b1,41b2)を構成する硝材をアライメントに用いる照明波長のうちある一波長(例えば中心波長λ)において屈折率が同じで分散が異なるものにすれば、この2枚のくさび板は波長λに対して屈折力を持たないので、色による投影像の位置ずれを補正するために光路中にくさび板を挿入した際に、CCDカメラ22上に結像した観察像の光軸が変化しないという特長がある。
【0068】
図7の実施例3では光学部材41として、分散の異なる材質より成る2つのレンズ41c,41dを接合した、全体として平行平面板となるようにしたものを用いており、これにより図4で示した観察顕微鏡系11の光学系要素の誤差等によって発生した色による投影像の位置ずれを補正するようにしている。
【0069】
本実施例ではレンズの偏心方向と偏心量を調整して、任意の方向と大きさに発生している色による投影像の位置ずれを補正可能としている。
【0070】
特に本実施例において、分散の異なる材質より成る2枚のレンズ41c,41dを構成する硝材を、アライメントに用いる照明波長のうちある一波長(例えば中心波長λ)において屈折率が同じで分散が異なるものにすれば、この2枚のレンズ波長λに対して屈折力を持たないので、色による投影像の位置ずれを補正するために光路中にレンズを挿入した際に、CCDカメラ22上に結像した観察像の光軸が変化しないという特長がある。
【0071】
図8は本発明を半導体素子製造用の露光装置に適用したときの実施例4の光学系の要部概略図である。図8において図4に示した部材と同じ部材に同一符番を付している。
【0072】
本実施例は図4の実施例1に比べて、ウエハ3上のAAマーク4を投影レンズ5を介した光を用いて観察している点が異っており、即ちTTL方式でアライメントを行っている点が異っており、その他の構成は略同じである。
【0073】
本実施例においてハロゲンランプ14から出射した非露光光は順にレンズ15、ビームスプリッタ16、対物レンズ12、ミラーM、投影レンズ系5を経てウエハ3上のAAマーク4を照明する。
【0074】
ウエハ3上のAAマーク4の観察像情報は順に投影レンズ5、ミラーM、対物レンズ12、ビームスプリッター16、ビームスプリッター20、エレクターレンズ21、光学部材41を経てCCDカメラ22上に結像する。
【0075】
一方、基準マーク17は基準マーク照明用のLED光源19から出射した光をレンズ18により集光して照明され、ビームスプリッター20、対物エレクターレンズ21、光学部材41を経てCCDカメラ22上に結像する。
【0076】
このCCDカメラ22上に結像したウエハ3上のAAマーク4の観察像のCCDカメラ22上の位置を不図示の信号処理装置で計測し、同じく信号処理装置で計測したCCDカメラ22上に結像し、常に固定されている基準マーク17の投影像の位置とを比較することによって正確なステージの位置情報を得て、これにより高精度のアライメントを行っている。
【0077】
以上のように実施例1〜4ではウエハ面上のAAマークを非露光光で観察してアライメントを行う際、検出面上に発生した色による像ずれを補正する光学部材を有することで、ウエハ面上に塗布したレジストや半導体プロセスに用いる種々の機能膜やウエハ面上に形成したアライメントマークの膜厚などが変化した場合、ウエハ面に形成したアライメントマーク検出信号の分光特性の変化に伴って、検出面上に投影される画像信号の位置が変化したときのアライメント誤差を少なくし、アライメント精度の向上を図っている。
【0078】
【発明の効果】
本発明によれば以上のように各要素を設定することにより、露光光と波長が異なる検出光(アライメント光)で投影レンズ系を介してマークの検出を行なう場合にマーク像の位置を高精度に検出することが可能な、改良されたマーク検出機能を有する露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の露光装置の参考例1の光学系の要部概略図
【図2】 図1の観察顕微鏡のコマ収差を補正する一実施例の説明図
【図3】 本発明の露光装置の参考例2の光学系の要部概略図
【図4】 本発明の露光装置の実施例1の光学系の要部概略図
【図5】 図4の色によるAAマーク像の位置ずれの補正を示す説明図
【図6】 図4の色によるAAマーク像の位置ずれの補正を示す説明図
【図7】 図4の色によるAAマーク像の位置ずれの補正を示す説明図
【図8】 本発明の露光装置の実施例4の光学系の要部概略図
【図9】 従来の装置における色によるAAマーク像の位置ずれの説明図
【図10】 膜厚による分光反射率変化を示す説明図
【符号の説明】
1 XYステージ
2 θステージ
3 ウエハ
4 ウエハ上にあるアライメントマーク(AAマーク)
5 投影レンズ
6 バーミラー
7 XYステージの位置を計測するレーザ干渉計
8 レチクル
9 露光用照明系
10 レチクルのステージ
11 色による投影像の位置ずれを補正する光学系
12 対物レンズ
13 非露光光によるウエハ上のAAマークを観察する観察光学系
14 照明用のハロゲンランプ光源
15 照明用レンズ
16 照明用のビームスプリッタ
17 基準マーク
18 基準マーク照明用のレンズ
19 基準マーク照明用のLED光源
20 基準マーク用のビームスプリッタ
21 エレクターレンズ
22 CCDカメラ
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an exposure apparatus and a method of manufacturing a semiconductor chip using the same, and more particularly, a fine electronic circuit pattern such as an IC or LSI formed on a reticle (mask) surface is projected onto a wafer by a projection lens system (projection optical system). An exposure apparatus having a function of observing a state on a wafer surface via a projection lens system with light having a wavelength different from that of the light for exposure while projecting on the surface and manufacturing of a semiconductor chip using the same Regarding the method.
[0002]
[Prior art]
In a microprojection exposure apparatus for semiconductor manufacturing, a reticle circuit pattern as a first object is projected onto a wafer as a second object by a projection lens system and exposed, and an observation apparatus (detection) is performed prior to this projection exposure. The alignment mark on the wafer is detected by observing the wafer surface using a means, and the position alignment of the reticle and the wafer, so-called alignment, is performed based on the detection result.
[0003]
The alignment accuracy at this time largely depends on the optical performance of the observation apparatus. For this reason, the performance of the observation apparatus is an important factor in the exposure apparatus.
[0004]
Conventionally, in an exposure apparatus, the alignment mark formed on the wafer surface is observed with an observation microscope system, the position of the alignment mark is detected using the projected image signal, and the wafer position information is often obtained. Yes.
[0005]
In particular, in recent years, light having a relatively wide wavelength range as non-exposure light has been used as observation illumination light mainly for the following two reasons.
[0006]
The first reason is that when observing the alignment mark formed on the wafer surface, in many cases, a photosensitive material (resist) to which an electronic circuit pattern is transferred is applied on the wafer surface. Resist usually absorbs a lot at the exposure wavelength, which makes it difficult to detect the alignment mark on the wafer through the resist film at the exposure wavelength. There is a problem that the resist is exposed to light and the detection of the alignment mark becomes unstable or cannot be detected, and a detection method using non-exposure light is desired.
[0007]
The second reason is that when illumination light for observation of non-exposure light, for example, light having a relatively wide wavelength width by a halogen lamp is used, a monochromatic light source such as a He-Ne laser is used to mark the AA mark on the wafer. It is possible to reduce interference fringes caused by uneven film thickness of various functional films used in resist films and semiconductor processes, which are likely to occur when observed, and to achieve better alignment.
[0008]
For this reason, the observation microscope system for alignment marks corrects various aberrations for observation illumination light with a relatively wide wavelength range using non-exposure light so that alignment marks can be detected satisfactorily. ing.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
As an apparatus for detecting the alignment mark as described above, there is an alignment apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-223326. Here, an alignment optical system for observing an alignment mark with alignment light having a certain wavelength band is disclosed. In this alignment optical system, an optical element in which three prisms are bonded is put into a parallel light beam by a collimator lens. By arranging, the lateral chromatic aberration generated by the alignment light having a wavelength band is corrected. However, when such a prism is arranged in the parallel light beam, coma aberration occurs because the light beam is incident on the subsequent imaging lens for condensing the parallel light beam in a decentered state, resulting in alignment accuracy. The problem arises that the remarkably decreases. When light having a wide wavelength range is used as illumination light for observation, as shown in FIGS. 9A, 9B, and 9C, errors such as processing errors or assembly errors of each element of the observation microscope system, specifically However, there is a problem in that the position of the image signal projected on the detection surface is projected at a different position depending on the color due to the wedge component of the prism, the tilt with respect to the optical axis, the decentration error of the lens, and the like. FIGS. 9A, 9B, and 9C show a state where a color shift occurs on the projection screen due to the wedge component of the prism 91, the tilt of the prism 91 with respect to the optical axis, and the eccentricity error of the lens.
[0010]
As a result, when the film thickness of the resist applied on the wafer surface, the film thicknesses of various functional films used in the semiconductor process, the film thickness of the alignment mark formed on the wafer surface, etc. are changed, for example, as shown in FIG. As the spectral characteristics of the alignment mark detection signal formed on the wafer surface change, the position of the image signal projected on the detection surface changes, resulting in an alignment error, which causes a problem of degrading alignment accuracy.
[0011]
The present invention provides an improved mark detection function capable of detecting the position of a mark image with high accuracy when detecting a mark via a projection lens system using detection light (alignment light) having a wavelength different from that of exposure light. It is an object of the present invention to provide an exposure apparatus having the above and a semiconductor chip manufacturing method using the same.
[0012]
An exposure apparatus according to a first aspect of the present invention provides a projection optical system that projects a pattern of a first object onto a second object with exposure light, and performs relative alignment between the first object and the second object. An exposure apparatus comprising: a detection unit that illuminates the second object with detection light having a plurality of wavelengths and detects mark information on the second object;
The detection means includes two lenses made of materials having different dispersions for correcting the deviation of the mark image between the plurality of wavelengths generated on the detection surface, and a position where a light beam focused on the detection surface is in a converged state. It is characterized in that it can be eccentrically provided.
[0013]
The invention of claim 2 is the invention of claim 1, characterized in that the detection light is light having a wavelength different from that of the exposure light.
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the detection light is light that does not sensitize the second object.
The invention of claim 4 is characterized in that, in the invention of claim 1, 2 or 3, the light source of the detection light is a halogen lamp.
According to a fifth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the two lenses made of materials having different dispersions are joined to each other.
[0014]
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor chip manufacturing method that uses the exposure apparatus according to any one of the first to fifth aspects to illuminate a circuit pattern of the first object, thereby projecting the circuit via a projection optical system. A pattern image is projected and transferred onto the second object.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a schematic view of the essential part of the optical system of Reference Example 1 when the present invention is applied to an exposure apparatus for manufacturing semiconductor elements.
[0019]
In the figure, reference numeral 8 denotes a reticle as a first object, which is placed on the reticle stage 10. Reference numeral 3 denotes a wafer as a second object, on which an alignment mark (AA mark) 4 is provided. A projection optical system 5 includes a projection lens system, and projects a circuit pattern on the reticle (mask) 8 surface onto the wafer 3 surface. The projection lens system 5 is a telecentric system on both the reticle 8 side and the wafer 3 side.
[0020]
An illumination system 9 illuminates the reticle 8 with exposure light. Reference numeral 2 denotes a θ, Z stage on which the wafer 3 is mounted, and θ rotation and focus adjustment of the wafer 3, that is, adjustment in the Z direction is performed. The θ, Z stage 2 is placed on the XY stage 1 for performing the step operation with high accuracy. An optical square (bar mirror) 6 serving as a reference for stage position measurement is placed on the XY stage 1, and this optical square 6 is monitored by a laser interferometer 7.
[0021]
In this reference example, the alignment (alignment) between the reticle 8 and the wafer 3 is performed indirectly by aligning each of the later-described reference marks 17 for which the positional relationship is obtained in advance. Alternatively, the resist image pattern or the like is actually aligned and exposed, its error (offset) is measured, and offset processing is performed in consideration of the value thereafter.
[0022]
Next, each element of the detection means 101 for detecting the position of the mark 4 on the wafer 3 surface will be described.
[0023]
Reference numeral 11 denotes an observation microscope which observes the AA mark 4 on the wafer 3 surface with non-exposure light.
[0024]
In this reference example, an off-axis method is used in which alignment is performed without using the projection lens 5.
[0025]
Reference numeral 14 denotes a light source for detecting the AA mark 4, which includes a halogen lamp that emits a light beam (non-exposure light) having a wavelength different from the wavelength of the exposure light. Reference numeral 15 denotes a lens that collects a light beam (detection light) from the light source 14 and makes it incident on a beam splitter 16 for illumination. Reference numeral 12 denotes an objective lens.
[0026]
Reference numeral 13 denotes a lens group as an optical element, which is configured to be decentered from the optical axis S in order to correct coma generated in the observation microscope 11.
[0027]
In this reference example, the lens group 13 is composed of two lenses, a positive lens and a negative lens made of materials having different dispersions, and corrects chromatic aberration.
[0028]
Detection light from lens 15 is reflected by the beam splitter 16 is reflected by the mirror M 1, it is illuminated by guiding the AA mark 4 on the wafer 3 surface through the lens unit 13 and the objective lens 12.
[0029]
Reference numeral 19 denotes a light source for illuminating the reference mark 17 and is composed of an LED or the like. Reference numeral 18 denotes a lens. The light beam from the light source 19 is condensed by the lens 18, guided to the reference mark 17 and illuminated. 20 is a beam splitter for the reference marks, by reflecting the light beam from the reference mark 17 is incident on erector lens 21 via a mirror M 2. The erector lens 21 images the reference mark 17 and the AA mark 4 on the wafer 3 surface on the imaging surface of the CCD camera 22, respectively. The detection means 101 in this reference example has the above elements.
[0030]
In this reference example, the non-exposure light (detection light) emitted from the light source 14 sequentially illuminates the AA mark 4 on the wafer 3 through the lens 15, the beam splitter 16, the mirror M 1 , the lens group 13, and the objective lens 12. Observation image information of the AA mark 4 on the wafer 3 is formed on the CCD camera 22 through the lens group 13, the objective lens 12, the mirror M 1 , the beam splitter 16, the beam splitter 20, the mirror M 2 , and the erector lens 21 in order. To do.
[0031]
In this reference example, coma aberration generated in the observation microscope 11 is corrected by a lens group 13 provided to be decentered from the optical axis S as will be described later. As a result, a good observation image of the AA mark 4 is formed on the CCD camera 22.
[0032]
On the other hand, the reference mark 17 is illuminated by condensing the light emitted from the light source 19 composed of the LED for illuminating the reference mark by the lens 18, and passes through the beam splitter 20 and the mirror M 2 through the erector lens 21 and onto the CCD camera 22. Form an image.
[0033]
The position on the CCD camera 22 of the observation image of the AA mark 4 on the wafer 3 imaged on the CCD camera 22 is measured by a signal processing device (not shown) and connected to the CCD camera 22 measured by the signal processing device. An accurate position information of the XY stage 1 is obtained by comparing the position of the projected image of the reference mark 17 that is always fixed, thereby performing high-precision alignment.
[0034]
Next, the optical action of the lens group 13 for adjusting the coma aberration of this reference example will be described with reference to FIG.
[0035]
The lens group 13 of this reference example is configured such that a cemented color correction lens in which two lenses having different dispersion are cemented to correct chromatic aberration generated in the lens group 13 is decentered from the optical axis, and the color is formed on the detection surface 22. The coma aberration occurring in the entire observation microscope 11 can be corrected without causing the image shift due to.
[0036]
FIG. 2A shows a state where an image is formed on the detection surface by a microscope imaging lens. FIG. 2B shows a state in which one lens 13 is decentered from the optical axis. It shows a state in which color misregistration due to the so-called prism effect occurs.
[0037]
FIG. 2C shows a state in which an image is formed on the detection surface by the cemented color correction lens 13 in which two lenses having different dispersion are cemented to correct chromatic aberration.
[0038]
FIG. 2D shows that no image shift due to color occurs on the detection surface when the cemented color correction lens 13 of FIG. 2C is decentered from the optical axis.
[0039]
In the present reference example, coma aberration generated in the entire observation microscope 11 is corrected by forming the lens group 13 as described above, and an excellent AA mark 4 image is formed on the detection surface (the imaging surface of the CCD camera 22). doing.
[0040]
In this reference example, a non-exposure light having a central wavelength different from that of the exposure light from the halogen lamp and having a relatively wide wavelength width (for example, 633 ± 30 nm) is used, and a monochromatic light source such as a He—Ne laser is used. The interference fringes due to the resist film, which tend to occur when observing the AA mark on the wafer, are reduced, thereby achieving good alignment.
[0041]
FIG. 3 is a schematic view of the essential part of the optical system of Reference Example 2 when the present invention is applied to an exposure apparatus for manufacturing semiconductor elements. In FIG. 3, the same members as those shown in FIG.
[0042]
This reference example is different from the reference example 1 in FIG. 1 in that the AA mark 4 on the wafer 3 is observed using light through the projection lens 5, that is, alignment is performed by the TTL method. The difference is that the optical system 24 is used, and the other configurations are substantially the same.
[0043]
In FIG. 3, the optical system 24 is composed of a plane parallel plate for correcting aberration (for example, astigmatism) generated in the projection lens 5.
[0044]
In this reference example, the non-exposure light emitted from the halogen lamp 14 passes through the lens 15, the beam splitter 16, the lens group 13, the objective lens 12, the optical system 24, the mirror 23, and the projection lens system 5 in order. Illuminate.
[0045]
Observation image information of the AA mark 4 on the wafer 3 passes through the projection lens 5, the mirror 23, the optical system 24, the objective lens 12, the lens group 13, the beam splitter 16, the beam splitter 20, and the erector lens 21 and then onto the CCD camera 22. Form an image. At this time, since the projection lens system 5 projects the electronic circuit pattern drawn on the reticle 8 onto the wafer 3, the aberration is well corrected for the exposure light. For this reason, aberration occurs when non-exposure light passes through the projection lens 5.
[0046]
In this reference example, the spherical aberration and axial chromatic aberration generated in the projection lens system 5 are corrected by the objective lens 12, and the coma aberration is corrected by the lens group 13 that can be decentered from the optical axis. A good observation image of the AA mark 4 is formed on the CCD camera 22.
[0047]
On the other hand, the reference mark 17 is illuminated by condensing the light emitted from the LED light source 19 for illuminating the reference mark by the lens 18, and forms an image on the CCD camera 22 through the beam splitter 20 and the objective erector lens 21.
[0048]
The position on the CCD camera 22 of the observation image of the AA mark 4 on the wafer 3 imaged on the CCD camera 22 is measured by a signal processing device (not shown) and connected to the CCD camera 22 measured by the signal processing device. An accurate stage position information is obtained by comparing the position of the projected image of the fiducial mark 17 that is always fixed, and thereby performing high-precision alignment.
[0049]
As described above, in Reference Examples 1 and 2, when alignment is performed by observing the AA mark on the wafer with non-exposure light, an optical system element for correcting coma occurring in the entire observation microscope is used as a chromatic aberration. By constituting with the corrected optical system elements, image displacement due to color is prevented on the detection surface when coma aberration occurring in the entire observation microscope is corrected.
[0050]
This makes it possible to detect the alignment mark formed on the wafer surface when the film thickness of the resist coated on the wafer surface, the film thickness of various functional films used in semiconductor processes, the film thickness of the alignment mark formed on the wafer surface, etc. change. As the spectral characteristics of the signal change, the alignment error when the position of the image signal projected on the detection surface changes is reduced, and the alignment accuracy is improved.
[0051]
FIG. 4 is a schematic view of the essential part of the optical system of Example 1 when the present invention is applied to an exposure apparatus for manufacturing semiconductor elements. In FIG. 4, the same members as those shown in FIG.
[0052]
In this embodiment, as compared with Reference Example 1 in FIG. 1, an optical member 41 composed of at least two transparent wedge-shaped prisms is arranged in front of the CCD camera 22 as will be described later, and errors of each optical element of the observation microscope 11 and the like. Are different from each other in that the positional deviation of the AA mark image due to the color generated on the surface of the CCD camera 22 is corrected and the coma aberration correcting lens group 13 is omitted. The same.
[0053]
Next, the configuration of the present embodiment will be described in order, though partially overlapping with the description of FIG.
[0054]
In this embodiment, the non-exposure light emitted from the halogen lamp 14 sequentially illuminates the AA mark 4 on the wafer 3 through the lens 15, the beam splitter 16, the mirror M 1 , and the objective lens 12.
[0055]
Observation image information of the AA mark 4 on the wafer 3 is sequentially formed on the CCD camera 22 through the objective lens 12, the mirror M 1 , the beam splitter 16, the beam splitter 20, the mirror M 2 , the erector lens 21, and the optical member 41. .
[0056]
On the other hand, the reference mark 17 is illuminated by condensing the light emitted from the LED light source 19 for illuminating the reference mark by the lens 18, and forms an image on the CCD camera 22 through the beam splitter 20, the mirror M 2 , and the objective erector lens 21. To do.
[0057]
The position on the CCD camera 22 of the observation image of the AA mark 4 on the wafer 3 imaged on the CCD camera 22 is measured by a signal processing device (not shown) and connected to the CCD camera 22 measured by the signal processing device. An accurate stage position information is obtained by comparing the position of the projected image of the fiducial mark 17 that is always fixed, and thereby performing high-precision alignment.
[0058]
In this example, as in Reference Example 1, a light source (for example, 633 ± 30 nm) having a center wavelength different from the wavelength of exposure light from a halogen lamp as non-exposure light and having a relatively wide wavelength width is used, and a He-Ne laser is used. The interference fringes due to the resist film, which tend to occur when observing the AA mark on the wafer using a simple monochromatic light source, are reduced, thereby achieving good alignment.
[0059]
Next, the optical action of the optical member 41 of the present embodiment will be described with reference to FIG.
[0060]
In this embodiment, the optical member 41 uses two wedge plates 41a and 41b to correct the positional deviation of the projected image due to the color caused by the error of the optical system element of the observation microscope system 11.
[0061]
FIG. 5A shows a state in which color misregistration occurs due to the so-called prism effect of one wedge plate 51.
[0062]
FIG. 5B shows how the projected image is displaced due to colors generated due to errors in the optical system elements of the observation microscope system 11.
[0063]
FIG. 5 (C) uses two wedge plates 41a and 41b to capture the positional deviation of the projected image shown in FIG. 5 (B) with the light rays λ 1 and λ 2 in FIG. 5 (C). Corrected by arranging and correcting at the position where the light beam condensed at one point is converging on the surface (CCD camera 22), by adjusting the setting angle of the two wedge plates 41a and 41b In addition, it is possible to correct the positional deviation of the projected image due to the color generated.
[0064]
6 and 7 are explanatory diagrams relating to a part of the optical member 41 according to the second and third embodiments of the present invention.
[0065]
In the second and third embodiments, the configuration of the optical member 41 is different from that of the first embodiment in FIG. 4, and the other configurations are the same.
[0066]
In Example 2 of FIG. 6, two parallel flat plates 41a and 41b obtained by joining two wedge plates 41a1 and 41a2 (41b1 and 41b2) having different dispersions are used as the optical member 41, and the optical of the observation microscope 11 shown in FIG. The positional deviation of the projected image (AA mark image) due to the color caused by the system element error or the like is corrected.
[0067]
In this embodiment, the set angles of the two sets of wedge plates are adjusted so that the misalignment of the projected image due to the color generated in an arbitrary direction and size can be corrected. In particular, in this embodiment, the refractive index is the same at a certain wavelength (for example, the center wavelength λ 0 ) among the illumination wavelengths used for alignment of the glass materials constituting the two wedge plates 41a1, 41a2 (41b1, 41b2) having different dispersions. If the dispersion is different, the two wedge plates do not have refractive power with respect to the wavelength λ 0 , so when the wedge plate is inserted in the optical path in order to correct the positional deviation of the projected image due to color. The optical axis of the observation image formed on the CCD camera 22 does not change.
[0068]
In Example 3 of FIG. 7, as the optical member 41, an optical member 41 in which two lenses 41c and 41d made of materials having different dispersions are joined to form a plane-parallel plate as a whole is shown. Further, the positional deviation of the projected image due to the color caused by the error of the optical system element of the observation microscope system 11 is corrected.
[0069]
In this embodiment, the decentering direction and the decentering amount of the lens are adjusted so that the positional deviation of the projected image due to the color generated in an arbitrary direction and size can be corrected.
[0070]
In particular, in the present embodiment, the glass material constituting the two lenses 41c and 41d made of materials having different dispersions has the same refractive index and dispersion at a certain wavelength (for example, the center wavelength λ 0 ) among the illumination wavelengths used for alignment. If they are different from each other, they have no refractive power with respect to the two lens wavelengths λ 0 , so when the lens is inserted in the optical path in order to correct the displacement of the projected image due to the color, There is a feature that the optical axis of the observation image formed on the lens does not change.
[0071]
FIG. 8 is a schematic view of the essential portions of the optical system of Example 4 when the present invention is applied to an exposure apparatus for manufacturing semiconductor elements. In FIG. 8, the same members as those shown in FIG.
[0072]
This embodiment is different from the first embodiment in FIG. 4 in that the AA mark 4 on the wafer 3 is observed using light through the projection lens 5, that is, alignment is performed by the TTL method. The other structure is substantially the same.
[0073]
In this embodiment, the non-exposure light emitted from the halogen lamp 14 sequentially illuminates the AA mark 4 on the wafer 3 through the lens 15, the beam splitter 16, the objective lens 12, the mirror M 1 , and the projection lens system 5.
[0074]
Observation image information of the AA mark 4 on the wafer 3 is sequentially formed on the CCD camera 22 through the projection lens 5, the mirror M 1 , the objective lens 12, the beam splitter 16, the beam splitter 20, the erector lens 21, and the optical member 41. .
[0075]
On the other hand, the reference mark 17 is illuminated by condensing the light emitted from the LED light source 19 for illuminating the reference mark by the lens 18, and forms an image on the CCD camera 22 through the beam splitter 20, the objective erector lens 21, and the optical member 41. To do.
[0076]
The position on the CCD camera 22 of the observation image of the AA mark 4 on the wafer 3 imaged on the CCD camera 22 is measured by a signal processing device (not shown) and connected to the CCD camera 22 measured by the signal processing device. An accurate stage position information is obtained by comparing the position of the projected image of the fiducial mark 17 that is always fixed, and thereby performing high-precision alignment.
[0077]
As described above, in the first to fourth embodiments, the wafer includes the optical member that corrects the image shift caused by the color generated on the detection surface when the alignment is performed by observing the AA mark on the wafer surface with the non-exposure light. When the resist coated on the surface, various functional films used in semiconductor processes, or the film thickness of the alignment mark formed on the wafer surface change, along with the change in the spectral characteristics of the alignment mark detection signal formed on the wafer surface The alignment error when the position of the image signal projected on the detection surface changes is reduced, and the alignment accuracy is improved.
[0078]
【The invention's effect】
According to the present invention, by setting each element as described above, the position of the mark image is accurately detected when detecting the mark via the projection lens system with the detection light (alignment light) having a wavelength different from that of the exposure light. It is possible to achieve an exposure apparatus having an improved mark detection function that can be detected at once, and a semiconductor chip manufacturing method using the exposure apparatus.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view of the essential part of an optical system of Reference Example 1 of an exposure apparatus of the present invention. FIG. 2 is an explanatory diagram of an embodiment for correcting coma aberration of the observation microscope of FIG. FIG. 4 is a schematic diagram of the main part of the optical system of Example 1 of the exposure apparatus of the present invention. FIG. 5 is a diagram showing the positional deviation of the AA mark image due to the color of FIG. FIG. 6 is an explanatory diagram showing correction of misregistration of the AA mark image by the color of FIG. 4. FIG. 7 is an explanatory diagram showing correction of misalignment of the AA mark image by the color of FIG. FIG. 9 is a schematic diagram of the main part of the optical system of Example 4 of the exposure apparatus of the present invention. FIG. 9 is an explanatory view of the positional deviation of the AA mark image by color in a conventional apparatus. Illustration [Explanation of symbols]
1 XY stage 2 θ stage 3 Wafer 4 Alignment mark (AA mark) on the wafer
5 Projection lens 6 Bar mirror 7 Laser interferometer 8 that measures the position of the XY stage Reticle 9 Exposure illumination system 10 Reticle stage 11 Optical system 12 that corrects the positional deviation of the projected image due to color 12 Objective lens 13 On the wafer by non-exposure light Observation optical system for observing the AA mark 14 Halogen lamp light source 15 for illumination 15 Illumination lens 16 Beam splitter 17 for illumination Reference mark 18 Lens for illumination of reference mark 19 LED light source 20 for illumination of reference mark Beam for reference mark Splitter 21 Elector lens 22 CCD camera

Claims (6)

露光光で第1物体のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記第1物体と前記第2物体との相対的位置合わせを行うために、複数の波長を有する検出光で前記第2物体を照明し、前記第2物体上のマーク情報を検出する検出手段とを有する露光装置であって、
前記検出手段は検出面上で発生する、前記複数の波長間のマーク像のずれを補正する分散の異なる材質より成る2つのレンズを、前記検出面上で結像する光束が収斂状態にある位置に偏心可能に設けていることを特徴とする露光装置。
A projection optical system that projects a pattern of the first object onto the second object with exposure light, and detection light having a plurality of wavelengths in order to perform relative alignment between the first object and the second object. An exposure apparatus having a detection unit that illuminates a second object and detects mark information on the second object,
The detection means includes two lenses made of materials having different dispersions for correcting the deviation of the mark image between the plurality of wavelengths generated on the detection surface, and a position where a light beam focused on the detection surface is in a converged state. An exposure apparatus characterized in that it can be eccentrically provided.
前記検出光とは前記露光光と波長が異なる光であることを特徴とする請求項に記載の露光装置。The exposure apparatus according to claim 1 , wherein the detection light is light having a wavelength different from that of the exposure light. 前記検出光とは前記第2物体を感光させない光であることを特徴とする請求項に記載の露光装置。The exposure apparatus according to claim 1 , wherein the detection light is light that does not sensitize the second object. 前記検出光の光源がハロゲンランプであることを特徴とする請求項 , 2又は3に記載の露光装置。An apparatus according to claim 1, 2 or 3 in which the light source of the detection light, characterized in that a halogen lamp. 前記分散の異なる材質より成る2つのレンズは互いに接合されていることを特徴とする請求項記載の露光装置。The exposure apparatus according to claim 1, wherein said two lenses made of different material having dispersed are bonded to each other. 請求項1乃至いずれか1項記載の露光装置を用いて、前記第1物体の回路パターンを照明することにより投影光学系を介して前記回路パターンの像を前記第2物体上に投影して転写することを特徴とする半導体チップの製造方法。Using the exposure apparatus according to claim 1 to 5 any one of claims, by projecting an image of the circuit pattern via a projection optical system by illuminating the circuit pattern of the first object onto the second object A method of manufacturing a semiconductor chip, comprising transferring.
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