JP3640012B2 - Method for measuring level of mask or wafer in exposure apparatus and measurement control apparatus - Google Patents
Method for measuring level of mask or wafer in exposure apparatus and measurement control apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP3640012B2 JP3640012B2 JP14436799A JP14436799A JP3640012B2 JP 3640012 B2 JP3640012 B2 JP 3640012B2 JP 14436799 A JP14436799 A JP 14436799A JP 14436799 A JP14436799 A JP 14436799A JP 3640012 B2 JP3640012 B2 JP 3640012B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensors
- mask
- wafer
- leveling
- measurement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置におけるマスクあるいはウエハのレベリング用計測方法及び計測制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
露光装置、例えばX線を用いた露光(リソグラフ)装置では、図5、図6に示すように、露光パターンを持つマスク41と露光対象であるウエハ42を30μm程度のギャップG1を介して対向させ、マスク41側からX線ビームを照射することで露光を行う。一方、マスク41とウエハ42の位置や姿勢を制御するためのアライメント装置では、マスク41とウエハ42とが平行(ギャップG1が一定)になるように制御を行う。ここで、ギャップG1を直接計測するのは困難であるため、一般的にはマスク41とウエハ42をそれぞれ、X−Yステージ43の駆動面に平行となるように制御する方法がとられている。このような方法は、『マスクレベリング』、『ウエハレベリング』と呼ばれている。
【0003】
以降ではマスクレベリングの場合について説明するが、ウエハレベリングも理論的には同じである。
【0004】
マスク41の位置/姿勢は、マスク41上の3点をレーザ変位計や静電容量センサなどを用いてX−Yステージ43からの距離を計測して求める。この場合、図7に示されるように、マスク41に対して機械的制約があるなかでできるだけ広範なエリアにおいて計測を行うため(計測時間の短縮の目的もある)、3つの距離センサ45、46、47を使用することがある。その場合、X−Yステージ43を駆動して、3つの距離センサ45、46、47により、あらかじめ定められているマスク41上の同一場所(初期オフセット量計測点P1)に対する距離をそれぞれ計測し、各距離センサ45〜47の初期オフセット量の補正を行うのが普通である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、距離センサ45〜47の取りつけ位置の誤差等により同一場所での計測といいながらも数μm〜数100μm程度位置がずれたところでの計測となってしまう場合がある。この場合、この計測場所のわずかなずれがレベリング精度(これはμmオーダーの精度が要求される)へ悪影響を及ぼす。
【0006】
特に、対象物であるマスク41の表面形状に凹凸があり、たまたま勾配の大きい(もしくはピークを持つような)ところに初期オフセット量計測点P1が位置しているときなどは、誤差が含まれる可能性が大きくなってしまう。これを自動で検出/補正する方法はいまのところない。
【0007】
そこで、本発明の課題は、露光装置におけるマスクやウエハのアライメント(位置決め)精度を向上させることのできるレベリング用計測方法を提供することにある。
【0008】
具体的には、本発明は、アライメント処理に際して行われるマスク(ウエハ)レベリングと呼ばれる計測において3つのセンサを用いてマスク(ウエハ)の位置や姿勢を検出し、これらのセンサ信号の初期オフセット量を正確に合わせることでアラインメント精度の向上を図ることにある。
【0009】
本発明の他の課題は、上記の計測方法に適したレベリング用計測制御装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明によるレベリング用計測方法は、露光装置においてマスクあるいはウエハを、少なくともX軸、Y軸方向に可動のステージに平行になるようにレベリングを行うに際し、前記ステージを駆動してそこに設置された複数のレベリング用のセンサにより前記マスクあるいはウエハの同一点に対する距離を計測し、前記複数のセンサのセンサ信号から初期オフセット量を算出するためのレベリング用計測方法において、前記複数のセンサのそれぞれについて、前記マスクあるいはウエハの同一点の近傍を複数回スキャンするための計測エリアマップを作成するステップと、前記計測エリアマップに基づいて前記ステージを駆動して、前記複数のセンサのそれぞれにより前記マスクあるいはウエハの同一点の近傍を複数回スキャンするステップと、前記複数のセンサのそれぞれから得られる複数回スキャンによる複数のパターン計測情報を3次元情報として保持するステップと、前記保持された前記複数のセンサによる前記3次元情報に対してパターンマッチング処理を行い、マッチングのとれたパターンから前記マスクあるいはウエハの同一点を推定するステップと、推定された前記マスクあるいはウエハの同一点を用いて前記複数のセンサによる前記3次元情報をそれぞれ参照して前記複数のセンサの前記初期オフセット量を算出するステップとを含むことを特徴とする。
【0011】
本発明によるレベリング用計測制御装置は、露光装置においてマスクあるいはウエハを、少なくともX軸、Y軸方向に可動のステージに平行になるようにレベリングを行うに際し、前記ステージを駆動してそこに設置された複数のレベリング用のセンサにより前記マスクあるいはウエハの同一点に対する距離を計測し、前記複数のセンサのセンサ信号から初期オフセット量を算出するためのレベリング用計測制御装置において、該レベリング用計測制御装置は、あらかじめ定められた初期オフセット量計測アルゴリズムを実行する機能を有しており、該初期オフセット量計測アルゴリズムは、前記複数のセンサのそれぞれについて、前記マスクあるいはウエハの同一点の近傍を複数回スキャンするための計測エリアマップを作成するステップと、前記計測エリアマップに基づいて前記ステージを駆動して、前記複数のセンサのそれぞれにより前記マスクあるいはウエハの同一点の近傍を複数回スキャンするステップと、前記複数のセンサのそれぞれから得られる複数回スキャンによる複数のパターン計測情報を3次元情報として保持するステップと、前記保持された前記複数のセンサによる前記3次元情報に対してパターンマッチング処理を行い、マッチングのとれたパターンから前記マスクあるいはウエハの同一点を推定するステップと、推定された前記マスクあるいはウエハの同一点を用いて前記複数のセンサによる前記3次元情報をそれぞれ参照して前記複数のセンサの前記初期オフセット量を算出することを特徴とする。
【0012】
いずれの発明においても、前記計測エリアマップは、あらかじめ知られている前記複数のセンサの取り付け位置座標と、あらかじめ知られている前記マスクあるいはウエハの同一点の位置座標とに基づいて作成される。
【0013】
また、前記複数のセンサとしては3個のセンサが、前記ステージにおける互いに離れた位置に設置されることが好ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】
図1〜図4を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図1は本発明によるレベリング用計測システムの構成を示し、前述したマスクレベリング、ウエハレベリングのいずれにも適用され得る。X−Yステージ43上には互いに離れた位置に3つの距離センサ45、46、47が取り付けられ、それぞれの距離センサ45〜47からのセンサ信号は計測装置10へと取り込まれる。計測装置10は、X−Yステージ駆動装置30と接続され、所望の位置に各距離センサ45〜47を移動させることができるようにしている。本発明の特徴は、計測装置10に、以下に説明するような初期オフセット量計測アルゴリズムを搭載した点にある。
【0015】
図2に計測装置10に搭載された初期オフセット量計測アルゴリズムを機能ブロック図で示す。はじめに、本発明を理解し易くするために、従来のレベリング用計測方法について簡単に説明する。ある1つの距離センサを初期オフセット量計測点P1(図7参照)に移動させるために、X−Yステージ駆動指令13をセンサ取り付け位置座標11と初期オフセット量計測点座標12とから作成する。作成されたX−Yステージ駆動指令13によりX−Yステージ43が駆動されて、ある1つの距離センサが初期オフセット量計測点P1に移動される。そして、その時のセンサ信号14を読み込む。このような処理を各距離センサについて行い、ある1つの距離センサのセンサ信号を基準として他の距離センサのセンサ信号から他の距離センサの初期オフセット量15が求められる。なお、センサ取り付け位置座標11と初期オフセット量計測点座標12はいずれも既知である。
【0016】
いずれにしても、この計測方法では、距離センサ45〜47の取りつけ位置に誤差があった場合、レベリング精度へ悪影響を及ぼすことは前に述べた通りである。
【0017】
これに対し、本形態による初期オフセット量計測アルゴリズムは、計測エリアマップ16、センサ信号の3次元情報17、マッチング処理18を有する点に特徴がある。
【0018】
図2において、まずセンサ取り付け位置座標11と初期オフセット量計測点座標12から計測エリアマップ16を作成する。これは、初期オフセット量計測点P1を含むその周辺の2次元平面上で距離計測を行うため、X−Yステージ43を駆動する軌道(座標)を決めるものである。ここでは、図3に示されるように、各距離センサについて初期オフセット量計測点P1を含む近傍の駆動範囲領域を5回スキャンするような軌道(座標)が決められる。この駆動範囲は距離センサの計測スポット径や距離センサ取り付けなどの機械加工精度などから決定することができる。なお、図3のように、往復動作でスキャンを行う場合には、往路と復路でスキャンの方向が互いに異なる。この場合には、例えば復路におけるスキャンの始点と終点とを逆にして往路におけるスキャンと同じ信号パターンにするための処理が必要である。勿論、例えば往路のみでスキャンを行うようにすれば上記の処理は不要である。
【0019】
次に、決められた座標に基づいてX−Yステージ駆動指令13を算出しX−Yステージ43を駆動する。その結果として得られる、5回のスキャンによる距離センサからの信号パターンをセンサ信号14として保持しておくことでセンサ信号14の3次元情報17を作成する。
【0020】
これらを3つの距離センサ45〜47のそれぞれについて行う。そして、それぞれのセンサ信号の3次元情報17をもとに信号パターンのマッチング処理18を施し、3つの距離センサ45〜47からの5つの信号パターンについてマッチングするものを抽出し、抽出した3つの信号パターンから同一点(初期オフセット量計測点P1)の推定を行う。
【0021】
なお、マッチング処理18のアルゴリズムは相関処理を行ったり、ピーク値(最大もしくは最小の値)を求めるような簡単なものでも良い。
【0022】
最後に、推定された同一点におけるセンサ信号値を抽出し、1つのセンサ信号値を基準として他の距離センサの初期オフセット量15を算出する。
【0023】
図4に各距離センサ45〜47からのセンサ信号の3次元情報の例を示す。従来の方法では、初期オフセット量は19a、19b、19cの値をもとに算出することになってしまい、これはマスク41の同一点P1を計測していないので算出された値には誤差を含むことになる。このようなオフセット量を使用してレベリング制御を行った場合、計測値には常にこの誤差が含まれることになる。
【0024】
一方、本形態による初期オフセット量計測アルゴリズムでは、マッチング処理18を施すことで、ここでは信号パターンの最大値を検出し、20a、20b、20cというマスク41上の同一点を抽出するようにしている。これは、マスク41の表面形状に凸があり、たまたまそのピークのところに初期オフセット量計測点P1が位置していることを意味する。
【0025】
次に、抽出された点20a、20b、20cを持つ信号パターンからZ軸方向(図4の縦軸)のレベルを距離として検出し、ある1つのレベルを基準とした場合の残りの2つのレベルとの差が初期オフセット量として算出される。これらの初期オフセット量は、この後に続くアライメント処理のためのアライメント装置に送られる。
【0026】
アライメント装置では、送られてきた初期オフセット量が、マスク41の表面状態や各距離センサ45〜47の設置位置ずれに起因する誤差を補正した値であるので、アライメント(位置決め)精度を向上させることができる。
【0027】
以上、本発明の実施の形態をマスクレベリングの場合について説明したが、ウエハレベリングにも適用できることは言うまでも無い。
【0028】
【発明の効果】
本発明によれば、各距離センサの初期オフセット量の計測を計測対象物(マスク/ウエハ)の同一場所で正確に行うことができるため、レベリングの精度の向上が図れる。これは、距離センサの取り付け精度が厳密に保証できない場合や、計測対象物の表面形状が粗いときなどのレベリングにおいて特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるレベリング用計測システムの構成を示した図である。
【図2】図1に示された計測装置に搭載される初期オフセット量計測アルゴリズムの機能ブロック図である。
【図3】本発明において距離センサにより初期オフセット量計測点を含む近傍の駆動範囲領域をスキャンする動作を説明するための図である。
【図4】図1における3つの距離センサから得られるセンサ信号の3次元情報の例を示した図である。
【図5】X線露光装置の概要を説明するための図である。
【図6】図5のX線露光装置におけるマスクとウエハとX−Yステージの関係を示した図である。
【図7】3つの距離センサを用いてマスクの位置、姿勢を計測する方法を説明するための図である。
【符号の説明】
41 マスク
42 ウエハ
43 X−Yステージ
45、46、47 距離センサ
G1 初期オフセット量計測点
10 計測装置
11 センサ取り付け位置座標
12 初期オフセット量計測点座標
13 X−Yステージ駆動指令
14 センサ信号
15 初期オフセット量
16 計測エリアマップ
17 センサ信号の3次元情報
18 マッチング処理
30 X−Yステージ駆動装置[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a mask or wafer leveling measurement method and a measurement control apparatus in an exposure apparatus.
[0002]
[Prior art]
In an exposure apparatus, for example, an exposure (lithographic) apparatus using X-rays, as shown in FIGS. 5 and 6, a
[0003]
Hereinafter, the case of mask leveling will be described, but the wafer leveling is theoretically the same.
[0004]
The position / orientation of the
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, there may be a case where the position is shifted by several μm to several 100 μm although the measurement is performed at the same place due to an error in the mounting position of the
[0006]
In particular, when the surface shape of the
[0007]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a leveling measurement method that can improve the alignment (positioning) accuracy of a mask or wafer in an exposure apparatus.
[0008]
Specifically, the present invention detects the position and orientation of a mask (wafer) using three sensors in a measurement called mask (wafer) leveling performed during alignment processing, and determines the initial offset amount of these sensor signals. The aim is to improve alignment accuracy by matching them accurately.
[0009]
Another object of the present invention is to provide a leveling measurement control apparatus suitable for the measurement method.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In the leveling measurement method according to the present invention, when leveling a mask or wafer so that it is parallel to a movable stage at least in the X-axis and Y-axis directions in the exposure apparatus, the stage is driven and installed there. In the leveling measurement method for measuring the distance to the same point of the mask or wafer by a plurality of leveling sensors and calculating an initial offset amount from the sensor signals of the plurality of sensors, for each of the plurality of sensors, Creating a measurement area map for scanning the vicinity of the same point of the mask or wafer a plurality of times, driving the stage based on the measurement area map, and detecting the same mask or wafer by each of the plurality of sensors. Scanning the vicinity of a point multiple times Holding a plurality of pattern measurement information obtained by a plurality of scans obtained from each of the plurality of sensors as three-dimensional information, and performing a pattern matching process on the three-dimensional information by the held plurality of sensors , Estimating the same point of the mask or wafer from the matched pattern, and referring to the three-dimensional information by the plurality of sensors using the estimated same point of the mask or wafer, respectively. Calculating the initial offset amount of the sensor.
[0011]
The leveling measurement control apparatus according to the present invention drives the stage when the mask or wafer is leveled at least in the X-axis and Y-axis directions parallel to the movable stage in the exposure apparatus. In the leveling measurement control device for measuring the distance to the same point of the mask or wafer by a plurality of leveling sensors and calculating the initial offset amount from the sensor signals of the plurality of sensors, the leveling measurement control device Has a function of executing a predetermined initial offset measurement algorithm, and the initial offset measurement algorithm scans the vicinity of the same point on the mask or wafer a plurality of times for each of the plurality of sensors. To create a measurement area map A step of driving the stage based on the measurement area map and scanning the vicinity of the same point of the mask or wafer a plurality of times by each of the plurality of sensors, and a plurality of scans obtained from each of the plurality of sensors Holding a plurality of pattern measurement information by the three-dimensional information, and performing a pattern matching process on the three-dimensional information by the plurality of held sensors, so that the mask or wafer is identified from the matched pattern. Estimating one point, and calculating the initial offset amount of the plurality of sensors by referring to the three-dimensional information by the plurality of sensors using the estimated same point of the mask or wafer, respectively. To do.
[0012]
In any of the inventions, the measurement area map is created based on the known attachment position coordinates of the plurality of sensors and the known position coordinates of the same point on the mask or wafer.
[0013]
Further, it is preferable that three sensors as the plurality of sensors are installed at positions separated from each other on the stage.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows a configuration of a leveling measurement system according to the present invention, which can be applied to both the mask leveling and the wafer leveling described above. Three
[0015]
FIG. 2 is a functional block diagram showing an initial offset amount measurement algorithm mounted on the
[0016]
In any case, as described above, in this measurement method, if there is an error in the mounting positions of the
[0017]
On the other hand, the initial offset amount measurement algorithm according to the present embodiment is characterized in that it has a
[0018]
In FIG. 2, first, a
[0019]
Next, the XY
[0020]
These are performed for each of the three
[0021]
Note that the algorithm of the
[0022]
Finally, a sensor signal value at the estimated same point is extracted, and an initial offset
[0023]
FIG. 4 shows an example of three-dimensional information of sensor signals from the
[0024]
On the other hand, in the initial offset amount measurement algorithm according to this embodiment, the maximum value of the signal pattern is detected by performing the
[0025]
Next, the level in the Z-axis direction (vertical axis in FIG. 4) is detected as a distance from the signal pattern having the extracted
[0026]
In the alignment apparatus, since the initial offset amount sent is a value obtained by correcting an error caused by the surface state of the
[0027]
As mentioned above, although the embodiment of the present invention has been described for the case of mask leveling, it is needless to say that it can also be applied to wafer leveling.
[0028]
【The invention's effect】
According to the present invention, since the initial offset amount of each distance sensor can be accurately measured at the same place of the measurement object (mask / wafer), the leveling accuracy can be improved. This is particularly effective in leveling when the accuracy of mounting the distance sensor cannot be strictly guaranteed or when the surface shape of the measurement object is rough.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a leveling measurement system according to the present invention.
FIG. 2 is a functional block diagram of an initial offset amount measurement algorithm installed in the measurement apparatus shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram for explaining an operation of scanning a nearby drive range area including an initial offset amount measurement point by a distance sensor in the present invention.
4 is a diagram illustrating an example of three-dimensional information of sensor signals obtained from the three distance sensors in FIG. 1. FIG.
FIG. 5 is a view for explaining an outline of an X-ray exposure apparatus;
6 is a view showing a relationship among a mask, a wafer, and an XY stage in the X-ray exposure apparatus of FIG.
FIG. 7 is a diagram for explaining a method of measuring the position and orientation of a mask using three distance sensors.
[Explanation of symbols]
41
Claims (6)
前記複数のセンサのそれぞれについて、前記マスクあるいはウエハの同一点の近傍を複数回スキャンするための計測エリアマップを作成するステップと、
前記計測エリアマップに基づいて前記ステージを駆動して、前記複数のセンサのそれぞれにより前記マスクあるいはウエハの同一点の近傍を複数回スキャンするステップと、
前記複数のセンサのそれぞれから得られる複数回スキャンによる複数のパターン計測情報を3次元情報として保持するステップと、
前記保持された前記複数のセンサによる前記3次元情報に対してパターンマッチング処理を行い、マッチングのとれたパターンから前記マスクあるいはウエハの同一点を推定するステップと、
推定された前記マスクあるいはウエハの同一点を用いて前記複数のセンサによる前記3次元情報をそれぞれ参照して前記複数のセンサの前記初期オフセット量を算出するステップとを含むことを特徴とするレベリング用計測方法。When leveling a mask or wafer in an exposure apparatus so as to be parallel to a stage that is movable in at least the X-axis and Y-axis directions, the mask is driven by a plurality of leveling sensors installed on the stage by driving the stage. Alternatively, in the leveling measurement method for measuring the distance to the same point on the wafer and calculating the initial offset amount from the sensor signals of the plurality of sensors,
For each of the plurality of sensors, creating a measurement area map for scanning the vicinity of the same point of the mask or wafer a plurality of times;
Driving the stage based on the measurement area map and scanning the vicinity of the same point of the mask or wafer a plurality of times by each of the plurality of sensors;
Holding a plurality of pattern measurement information obtained by a plurality of scans obtained from each of the plurality of sensors as three-dimensional information;
Performing a pattern matching process on the three-dimensional information by the held sensors and estimating the same point of the mask or wafer from the matched pattern;
And calculating the initial offset amount of the plurality of sensors by referring to the three-dimensional information by the plurality of sensors using the estimated same point of the mask or wafer, respectively. Measurement method.
該レベリング用計測制御装置は、あらかじめ定められた初期オフセット量計測アルゴリズムを実行する機能を有しており、
該初期オフセット量計測アルゴリズムは、
前記複数のセンサのそれぞれについて、前記マスクあるいはウエハの同一点の近傍を複数回スキャンするための計測エリアマップを作成するステップと、
前記計測エリアマップに基づいて前記ステージを駆動して、前記複数のセンサのそれぞれにより前記マスクあるいはウエハの同一点の近傍を複数回スキャンするステップと、
前記複数のセンサのそれぞれから得られる複数回スキャンによる複数のパターン計測情報を3次元情報として保持するステップと、
前記保持された前記複数のセンサによる前記3次元情報に対してパターンマッチング処理を行い、マッチングのとれたパターンから前記マスクあるいはウエハの同一点を推定するステップと、
推定された前記マスクあるいはウエハの同一点を用いて前記複数のセンサによる前記3次元情報をそれぞれ参照して前記複数のセンサの前記初期オフセット量を算出することを特徴とするレベリング用計測制御装置。When leveling a mask or wafer in an exposure apparatus so as to be parallel to a stage that is movable in at least the X-axis and Y-axis directions, the mask is driven by a plurality of leveling sensors installed on the stage by driving the stage. Alternatively, in the leveling measurement control device for measuring the distance to the same point on the wafer and calculating the initial offset amount from the sensor signals of the plurality of sensors,
The leveling measurement control device has a function of executing a predetermined initial offset measurement algorithm,
The initial offset amount measurement algorithm is:
For each of the plurality of sensors, creating a measurement area map for scanning the vicinity of the same point of the mask or wafer a plurality of times;
Driving the stage based on the measurement area map and scanning the vicinity of the same point of the mask or wafer a plurality of times by each of the plurality of sensors;
Holding a plurality of pattern measurement information obtained by a plurality of scans obtained from each of the plurality of sensors as three-dimensional information;
Performing a pattern matching process on the three-dimensional information by the held sensors and estimating the same point of the mask or wafer from the matched pattern;
The leveling measurement control apparatus, wherein the initial offset amount of the plurality of sensors is calculated by referring to the three-dimensional information by the plurality of sensors using the estimated same point of the mask or wafer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14436799A JP3640012B2 (en) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | Method for measuring level of mask or wafer in exposure apparatus and measurement control apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14436799A JP3640012B2 (en) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | Method for measuring level of mask or wafer in exposure apparatus and measurement control apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000331924A JP2000331924A (en) | 2000-11-30 |
JP3640012B2 true JP3640012B2 (en) | 2005-04-20 |
Family
ID=15360475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14436799A Expired - Fee Related JP3640012B2 (en) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | Method for measuring level of mask or wafer in exposure apparatus and measurement control apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3640012B2 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100687398B1 (en) * | 2005-05-12 | 2007-02-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for measuring overlay of semiconductor device |
JP5417655B2 (en) * | 2008-12-16 | 2014-02-19 | 株式会社アドウェルズ | Tilt adjusting method, tilt adjusting apparatus, and device adjusted in the tilt adjusting method |
KR101326061B1 (en) | 2013-06-26 | 2013-11-07 | 주식회사 세미다린 | Exposure apparatus having mask leveling device and mask leveling method |
CN111380509B (en) * | 2018-12-28 | 2022-04-01 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | Mask posture monitoring method and device and mask granularity detection equipment |
CN118089547B (en) * | 2024-04-23 | 2024-07-05 | 杭州芯海半导体技术有限公司 | Determination method and device for regional center point coordinates and intelligent warehouse system |
-
1999
- 1999-05-25 JP JP14436799A patent/JP3640012B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000331924A (en) | 2000-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3731123B2 (en) | Object position detection method and apparatus | |
JP4298155B2 (en) | Distance measuring device and distance measuring method | |
US4423959A (en) | Positioning apparatus | |
JP2019522203A (en) | System and method for measuring trajectories | |
JP2006322937A (en) | Determination method of 3d coordinates of object surface | |
KR19980033400A (en) | Non-contact measuring method and device of camber and caster of vehicle wheel | |
EP0114517B1 (en) | Mark position detecting method and apparatus | |
US5671056A (en) | Three-dimensional form measuring apparatus and method | |
JP2009526211A (en) | Apparatus and method for tracking tool movement of a handling device | |
US6866200B2 (en) | Semiconductor device identification apparatus | |
JP3640012B2 (en) | Method for measuring level of mask or wafer in exposure apparatus and measurement control apparatus | |
JPH1058175A (en) | Calibration method for optical axis of laser beam machine | |
JP3774320B2 (en) | Wafer position grasping method, exposure method, and exposure apparatus | |
US20020179865A1 (en) | Sample positioning method for surface optical diagnostics using video imaging | |
JPH08233518A (en) | Three-dimensional shape measuring apparatus | |
JP2523420B2 (en) | Image processing method in optical measuring device | |
JP7275973B2 (en) | position estimator | |
JPH07218227A (en) | Method and apparatus for measuring sectional shape | |
JPH01184825A (en) | Electron beam patterning device | |
JPH08304040A (en) | Three-dimensional shape measuring apparatus | |
EP0867776A2 (en) | Exposure method, exposure apparatus and method for making an exposure apparatus | |
JP2010502005A (en) | Method and apparatus for aligning a flat table surface | |
JPH0622780B2 (en) | Machine Tools | |
JPS603502A (en) | Non-contacting type distance measuring method | |
JP2006185988A (en) | Bump height measuring method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080128 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |