JP3623886B2 - Spherical material transfer atmosphere conversion device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、球状単結晶シリコンのような球状物を異なる雰囲気の中を通して搬送する際に使用する球体物の搬送雰囲気変換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、通常、半導体装置の形成に際しては、シリコンウェハ上に回路パターンを形成し、これを必要に応じてダイシングすることにより半導体チップを形成するという方法がとられている。このような中で近年、単結晶シリコンなどの球状の半導体(Ball Semiconductor)上に回路パターンを形成する技術が提案されている。
【0003】
この球状の単結晶シリコンを用いて、太陽電池や光センサなどのディスクリート素子あるいは半導体集積回路を形成するには、球状の単結晶シリコンの鏡面研磨工程、洗浄工程、薄膜形成工程、レジスト塗布、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程などの種々の処理工程が必要になる。そして、この球状の半導体素子を効率的に製造するためには、各処理工程を連結してライン化する必要がある。
【0004】
しかしながら、各工程では、活性ガス、不活性ガス等の気体のみならず、水や各種溶液等の液体をも含む種々の雰囲気での処理がなされる。このような処理工程を連結する場合、前工程から被処理物を搬送する雰囲気を後工程に持ち込まないようにしなければならないため、工程間において被処理物から前工程の雰囲気を除去し、そして後工程に合わせた雰囲気に変換して被処理物を搬送する作業が必要である。しかも、この作業には生産性並びに品質の点からも高速性と、高い信頼性とが要求される。
【0005】
そこで、本出願人は、特願平9−162711号において、連続する前後の工程間における雰囲気の漏れを防止しつつ球状物を高速で搬送して処理することのできる装置として、回転受継器外周面の収容室に球状物を収容して回転搬送しつつ、前記収容室内の雰囲気を順次置換する球状物の搬送雰囲気変換装置を提案している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記回転受継器の如きローターを有する雰囲気変換装置においては、球状物をローターの収容室に導入し又は排出する場合に該球状物の導入又は排出のタイミングと前記ローターの回転を同期させなければならず、センサーにより球状物の位置を確認し、その動作を制御する必要がある。このために、複雑な制御機構を添付しなければならないという問題があった。
【0007】
また、前記収容室の出入口において、雰囲気を完全に遮断するために設けられるシール材が微細なパーティクルの発生源となる。
【0008】
さらにまた、このような収容室内では、摩擦による球状物表面の損傷を防ぎ、効率よく搬送するためには、球状物を浮かすためのパージを必要とし、ローターの形状が複雑となる。
【0009】
本発明において解決すべき課題は、複雑な機構を要することなく、球状物を高速で搬送しながら、連続する処理工程間における雰囲気の漏洩を防止する球状物の搬送雰囲気変換装置、とくに、球状単結晶シリコンのような球状半導体の成膜処理やエッチング処理などの半導体処理を高速かつ確実に行うことができる球状物の搬送雰囲気変換装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の球状物の搬送雰囲気変換装置は、回収パイプが貫設された回収室と回収室内部を負圧状態とする減圧装置と、送出パイプが貫設された送出室と、送出室内部を正圧状態とする加圧装置とを備えており、回収パイプおよび送出パイプは連結され、且つ、それぞれのパイプの側壁には貫通穴が穿設されることを特徴とする。
【0011】
本発明においては、回収パイプ及び送出パイプを連結して、回収パイプ内部を負圧状態、前記送出パイプ内部を正圧状態とすることにより、球状の単結晶シリコン等の球状物の処理における雰囲気の変換を複雑な機構を要することなく行うことができる。
【0012】
なお、本発明における「雰囲気」としては、活性ガス、不活性ガス等の気体のみならず、水や各種溶液等の液体をも適用することができ、且つ、「球状物」としては、球状シリコンのみならず、各種雰囲気中での処理を要する様々な材質の球状物も適用できる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に示す本発明の実施例に基づき発明の実施の形態を説明する。実施例1
図1は、本発明の搬送雰囲気変換装置の第1の実施例を示す図である。同図において、搬送雰囲気変換装置1は回収室2及び送出室6とを備えており、回収室2内部の空間は配管を介して減圧装置としての回収ポンプ4及び所定温度に冷却された回収タンク5に連結され、送出室6内部の空間は配管を介して加圧装置としての送出ポンプ8に連結されている。回収室2には、多孔質材料からなる回収パイプ3が貫設されており、回収ポンプ4によって回収室2内部を減圧状態にすることにより、回収室内が回収パイプ3の内部に対して負圧状態となり、回収パイプ3内のガスが多孔質材料の孔を介して回収タンク5へと導かれるようになっている。ここでは多孔質材料は、セラミック、樹脂、金属の粉体を焼結する等の方法により得られたものが用いられる。回収パイプ3の一端は例えば、減圧CVD装置など、図示しない前処理装置に連結されており、前工程で処理され、表面にCVD酸化膜の形成された球状の単結晶シリコンのような球状物を受け入れる一方、回収パイプ3の他端は後述する送出パイプ7に連結されており、前工程で使用されたモノシラン(SiH4)とN2Oガス等の雰囲気が除去された状態で球状物を送出パイプ7に送り出す。
【0014】
なお、回収室2内部に位置する回収パイプ3の側壁に多数の貫通孔を設けるようにしてもよい。回収パイプ3の材質には搬送雰囲気、例えば、不活性ガス、水等に合わせて、セラミック、樹脂、金属、或いは前記各種材料に樹脂をコーティングしたもの等を用いることができる。回収パイプ3の側壁に穿設される貫通孔の数及び口径は、球状物の円滑な搬送を妨げない範囲で任意に設定可能である。また、回収パイプ3を多孔質材料で構成することもできる。この場合は、回収パイプ3の側壁に貫通孔を別途加工する必要がないので、回収パイプ3の製造のコストを低減できる。また、回収パイプ3内のガス等は、回収室2内では、回収ポンプ4の作動による差圧により、広い領域にわたって、回収室2を経て回収タンク5へと導かれるが、その内周面全面からガス等の雰囲気が除去されるために、前記雰囲気が回収パイプ3内に残留しにくい。回収パイプ3の材質としては、樹脂を用いることができ、この場合には、耐熱性、耐薬品性及び焼結成形可能な面からみてフッ素樹脂が好ましい。
【0015】
一方、送出室6には、回収室2の場合と同様に、送出パイプ7が貫設されており、送出パイプ7の一端は前記回収パイプ3に連結され、回収パイプ3から球状物を受け取る一方、他端は送出室6外部へ延設されて図示しない次処理装置に連結されており、送出ポンプ8によって不活性ガスを送出することにより、球状物を次工程に送り出す。送出パイプ7としては、上記回収室2内に配置された回収パイプ3と同様の形態を採用することができる。
【0016】
図2は、送出室6内部の空間に位置する送出パイプ7側壁には径の小さい多数の貫通孔7aを設けた例を示すもので、その貫通孔7aの方向は、球状物が送出パイプ7内を流れる方向に向けて送出パイプ7の外周面からパイプ内周面へ向けて傾斜している。貫通孔7aの数、配置個所及び傾斜角度は、球状物の円滑な搬送を確保できるように設定する必要があるが、図示された実施例の形状に特に限定されるものではない。
【0017】
以下に、搬送雰囲気変換装置1の動作について説明する。
【0018】
回収室2内部の空間は回収ポンプ4の作用により、回収パイプ内部の空間に対して、負圧状態とされており、回収パイプ3側壁に多数設けられた貫通孔を介して該回収パイプ3内部も負圧状態とされている。回収パイプ3内が負圧であるために、球状物は図示しない前処理装置から吸引され、滞留することなく回収室2へと搬入されてくる。
【0019】
そして、前工程で処理された球状物が回収室2内部の位置に到達すると、球状物と共に搬送されてくる前工程で使用されたガス等の雰囲気は、回収パイプ3側壁の上記貫通孔を介して回収パイプ3内部から回収室2内部の空間へと吸引され、配管を介して、最終的には、所定温度に冷却された回収タンク5へと回収される。なお、回収室2内部の空間は前記雰囲気の回収を効率的に行うために所定の温度に制御されることが好ましい。
【0020】
また、送出室6内部の空間は送出ポンプ8の作動により正圧状態とされており、送出パイプ7内部には、不活性ガスあるいは次処理工程で用いる雰囲気ガスが導入される。
【0021】
図2は、送出パイプ7内部にガスを導入するための貫通孔7aの形態を示す。貫通孔7aは、その径を小さく、また、球状物が送出パイプ7内を流れる方向に向けて送出パイプ7の外周面から内周面へ向けて傾斜して穿設されているために、送出パイプ7内部には、次工程で用いる雰囲気ガスを高速で送出パイプ7内部に向けて噴出する。送出パイプ7の内部においては、貫通孔7aより上流側の部分は雰囲気ガスの流れの作用により減圧状態となっている。
【0022】
したがって、前工程で使用された雰囲気の吸引が完了した状態で回収パイプ3内に存在している球状物は真空引きに近い状態で回収パイプ3から送出パイプ7方向へと吸引され、更に、貫通孔7aから噴出している前記雰囲気の流れに乗って次工程へと円滑に送り出される。
【0023】
このように、本発明においては、前工程で使用された雰囲気は回収室2の内部の空間を介して回収パイプ3内から吸引除去され、次工程で使用される雰囲気は送出室6を介して送出パイプ7内へ導入されるので、これら雰囲気が互いに混入することがない。そして、上記工程において、球状物自体の流れは妨げられることなく連続的に搬送することができ、その搬送路上で上記各雰囲気の置換を高速で行うことができる。
【0024】
実施例2
この実施例は図3によって示すように、実施例1に係る図1の装置において、不活性ガスによる置換処理機構を追加した搬送雰囲気変換装置例20である。なお、図3において、図1に示す部材と同一の部材については同一符号を付しており、説明を省略する。
【0025】
図3において、不活性ガスによる置換処理機構は、回収室2と送出室6の間に配設した不活性ガス供給室16および不活性ガス回収室12からなる。ここで13,17によって示す回収パイプおよび供給パイプは多孔性材料で形成されている。かかる構成によれば、前工程で用いたガスを良好に不活性ガスに置換することができ、次工程に前工程のガスが残留するのを防止することができる。また、この置換処理装置は、1段のみならず不活性ガス供給室16および不活性ガス回収室12の組を多数形成し、多段で行うようにしてもよい。
【0026】
また、回収室2又は送出室6をそれぞれ複数連設して、回収室2での雰囲気の吸引又は送出室6での雰囲気の導入を、それぞれ所定回繰り返してもよい。このようにすることにより、前工程で用いた雰囲気と次工程で用いる雰囲気との変換をより確実に行うとともに、より高速での球状の単結晶シリコンの送出が可能となる。
【0027】
実施例3
この実施例は、図4に示すように、図1に示す第1の実施例に加え、雰囲気変換の完了した球状の単結晶シリコンを次工程へと間欠的に送出することができる間欠駆動機構を配設した搬送雰囲気変換装置30の例である。図1及び図2に記載される部材と同一の部材については同一符号を付し、説明を省略する。
【0028】
図4において、9a及び9bは、それぞれ送出パイプ7の延設部分に取り付けられた第1の圧電素子及び第2の圧電素子であり、10a及び10bは、第1の圧電素子9a及び第2の圧電素子9bにそれぞれ取り付けられた第1の超音波発信器及び第2の超音波発信器である。
【0029】
図5の(a)から(c)は、この搬送雰囲気変換装置30の動作を説明する図である。図4に示す第2の超音波発信器10bを作動させて第2の圧電素子9bを振動させると、送出パイプ7に加圧力が加わり、図5(a)に示すように、送出パイプ7の径は小さくなり、第2の圧電素子9bの位置で球状物Sは停止する。次いで、図5(b)のように、第1の超音波発信器10aを作動させて第1の圧電素子9aを振動させ、同様に加圧力を加えて送出パイプ7の径を小さくする。ここで、球状物Sには送出パイプ7の下流側へ向かう力Fが作用する。そして、第2の超音波発信器10bの作動を停止させ、第2の圧電素子9bによる加圧力から送出パイプ7を開放すると、球状物Sは図4に示す送出室6からの雰囲気の流れと上記力Fの作用により、図5(c)に示すように、送出パイプ7内を次工程に向けて送り出される。これによって、球状物Sを一定の間隔をおいて、次工程に送出することが可能となり、その間隔は第1及び第2の超音波発信器10a及び10bの作動間隔を設定することにより任意かつ容易に調節することが可能となる。
【0030】
この実施例における送出パイプ7の材質は、第1及び第2の圧電素子9a及び9bの作用により変形可能な程度の剛性を有するものであれば、特に限定されない。
【0031】
また、上記第1及び第2の圧電素子9a及び9bは、送出パイプ7の内周面に埋設して、直接、これらの圧電素子が球状物Sに接触するようにしてもよい。このようにすることで、送出パイプ7を介することなく、球状物の停止及び送り出し操作を確実に行うことができる。この場合は、前記圧電素子を送出パイプ7内の雰囲気から保護するためにフッ素樹脂等の変形可能な材質で前記圧電素子を被覆しておくことが好ましい。
【0032】
実施例4
この実施例は、図1に示す搬送雰囲気変換装置において、送出室6内に配置した送出パイプ7を高速回転可能とした例を示す。図6に示すこの高速回転可能とした送出パイプ27は図示しない回転駆動装置と回転継ぎ手18を介して高速回転可能としたものである。これによって、送出パイプ27に設けた貫通孔27aから噴出する不活性ガスが送出パイプ27の内部で旋回流を形成し、球状の単結晶シリコンは、送出パイプ27の内壁に接触することなく次工程へと送出される。また、この例において、送出パイプ27へのガスの供給を間欠的に行うことにより、間欠的に球状の単結晶シリコンを送出することも可能である。
【0033】
【発明の効果】
本発明によって以下の効果を奏する。
【0034】
(1) 処理球状物は、単に円滑に搬送できるだけではなく、所定の間隔をおいての円滑な搬送も可能である、球状の単結晶シリコンなどの被処理物を高速で所望の温度下に導くことができ、高温でのアニールなどの処理が容易になる。
【0035】
(2) 球状の単結晶シリコン等の球状物の処理工程における雰囲気の変換は、複雑な機構及び制御を要することなく簡単に行うことができる。
【0036】
(3) 処理球状物の搬送のための正圧、負圧状態の維持管理も容易に、且つ安価に実現できる。
【0037】
(4) 供給パイプ内の球状の単結晶シリコンなどの被処理球状物に対し、少量のガスで効率よく均一な成膜あるいはエッチング処理を行うことが可能となる。
(5) 球状の単結晶シリコンなどの被処理物表面を多段階で処理し、複数の組成の異なる膜を形成することも可能である。
【0038】
(6) 極めて作業性が良く、容易に球状物の処理を行うことができる。
【0039】
(7) 1原子層程度の極めて薄い薄膜いわゆる超薄膜を複数種積層するいわゆる超格子構造を形成する事も容易に可能である。
【0040】
(8) 非接触の状態で球状物を搬送することが可能となり、処理球状物の表面の傷つきを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の搬送雰囲気変換装置の第1の実施例を断面によって示す。
【図2】送出室内部空間に配置した送出パイプ7側壁に設けた貫通孔の状態を示す。
【図3】不活性ガスによる置換処理機構を追加した本発明の搬送雰囲気変換装置の第2の実施例を示す。
【図4】雰囲気変換の完了した球状の単結晶シリコンを次工程へと間欠的に送出することができる間欠駆動機構を配設した搬送雰囲気変換装置の例を示す。
【図5】図4に示す間欠駆動機構を配設した搬送雰囲気変換装置の作動状態を示す。
【図6】高速回転可能とした送出パイプの例を示す。
【符号の説明】
1,20,30 搬送雰囲気変換装置
2 回収室
3 回収パイプ
4 回収ポンプ
5 回収タンク
6 送出室
7,27 送出パイプ
7a,27a 貫通孔
8 送出ポンプ
9a 第1の圧電素子
9b 第2の圧電素子
10a 第1の超音波発信器
10b 第2の超音波発信器
12 不活性ガス回収室
13 回収パイプ
16 不活性ガス供給室
17 供給パイプ
18 回転継ぎ手
S 球状物
F 下流側へ向かう力[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a spherical object transport atmosphere conversion device used when, for example, a spherical object such as spherical single crystal silicon is transported through different atmospheres.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a semiconductor device is usually formed by forming a semiconductor chip by forming a circuit pattern on a silicon wafer and dicing it as necessary. Under such circumstances, a technique for forming a circuit pattern on a spherical semiconductor (Ball Semiconductor) such as single crystal silicon has been proposed in recent years.
[0003]
In order to form discrete elements such as solar cells and optical sensors or semiconductor integrated circuits using this spherical single crystal silicon, the mirror polishing process, cleaning process, thin film forming process, resist coating, photo processing Various processing steps such as a lithography step and an etching step are required. And in order to manufacture this spherical semiconductor element efficiently, it is necessary to connect each process and line it.
[0004]
However, in each process, processing is performed in various atmospheres including not only gases such as active gas and inert gas but also liquids such as water and various solutions. When linking such processing steps, the atmosphere for transporting the workpiece from the previous step must not be brought into the subsequent step, so the atmosphere of the previous step is removed from the workpiece between the steps, and It is necessary to convert the atmosphere to suit the process and transport the workpiece. Moreover, this work requires high speed and high reliability in terms of productivity and quality.
[0005]
Therefore, in the Japanese Patent Application No. Hei 9-162711, the applicant of the present invention is an apparatus that can convey and process a spherical object at a high speed while preventing leakage of the atmosphere between successive processes. A spherical object transport atmosphere conversion device has been proposed in which a spherical object is accommodated in a surface storage chamber and rotated and transported while the atmosphere in the storage chamber is sequentially replaced.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the atmosphere conversion device having a rotor such as the rotation successor, when the spherical object is introduced into or discharged from the storage chamber of the rotor, the introduction or discharge timing of the spherical object and the rotation of the rotor must be synchronized. It is necessary to check the position of the spherical object with a sensor and control its operation. For this reason, there was a problem that a complicated control mechanism had to be attached.
[0007]
Further, a sealing material provided to completely shut off the atmosphere at the entrance / exit of the storage chamber becomes a source of fine particles.
[0008]
Furthermore, in such a storage chamber, in order to prevent damage to the surface of the spherical object due to friction and efficiently convey it, a purge for floating the spherical object is required, and the shape of the rotor becomes complicated.
[0009]
The problem to be solved in the present invention is that a spherical object transport atmosphere conversion device that prevents the leakage of the atmosphere between successive processing steps while transporting the spherical object at a high speed without requiring a complicated mechanism, in particular, a spherical single unit. An object of the present invention is to provide a spherical object transport atmosphere conversion device capable of performing semiconductor processing such as film formation processing or etching processing of a spherical semiconductor such as crystalline silicon at high speed and with certainty.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
A spherical object transfer atmosphere conversion device according to the present invention includes a recovery chamber through which a recovery pipe penetrates, a decompression device that places the recovery chamber inside in a negative pressure state, a delivery chamber through which a delivery pipe penetrates, and a delivery chamber inside A pressurizing device for making a positive pressure state, the recovery pipe and the delivery pipe are connected, and a through hole is formed in a side wall of each pipe.
[0011]
In the present invention, the recovery pipe and the delivery pipe are connected so that the inside of the recovery pipe is in a negative pressure state and the inside of the delivery pipe is in a positive pressure state, so that the atmosphere in the processing of spherical objects such as spherical single crystal silicon can be reduced. The conversion can be performed without requiring a complicated mechanism.
[0012]
As the “atmosphere” in the present invention, not only gases such as active gas and inert gas, but also liquids such as water and various solutions can be applied. In addition, spherical materials of various materials that require treatment in various atmospheres can be applied.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below based on the embodiments of the present invention shown in the accompanying drawings. Example 1
FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of a transport atmosphere conversion apparatus according to the present invention. In the figure, a transfer atmosphere conversion device 1 includes a
[0014]
In addition, you may make it provide many through-holes in the side wall of the collection |
[0015]
On the other hand, in the same manner as in the case of the
[0016]
FIG. 2 shows an example in which a large number of through holes 7a having a small diameter are provided on the side wall of the
[0017]
Below, operation | movement of the conveyance atmosphere conversion apparatus 1 is demonstrated.
[0018]
The space inside the
[0019]
When the spherical object processed in the previous process reaches the position inside the
[0020]
The space inside the
[0021]
FIG. 2 shows a form of a through hole 7 a for introducing gas into the
[0022]
Accordingly, the spherical object existing in the
[0023]
As described above, in the present invention, the atmosphere used in the previous process is sucked and removed from the
[0024]
Example 2
As shown in FIG. 3, this embodiment is a transfer atmosphere conversion device example 20 in which a replacement processing mechanism using an inert gas is added to the device of FIG. In FIG. 3, the same members as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
[0025]
In FIG. 3, the inert gas replacement processing mechanism includes an inert
[0026]
Alternatively, a plurality of
[0027]
Example 3
In this embodiment, as shown in FIG. 4, in addition to the first embodiment shown in FIG. 1, an intermittent drive mechanism capable of intermittently sending spherical single crystal silicon whose atmosphere has been changed to the next process. It is an example of the conveyance
[0028]
In FIG. 4, 9a and 9b are a first piezoelectric element and a second piezoelectric element respectively attached to the extended portion of the
[0029]
FIGS. 5A to 5C are diagrams for explaining the operation of the transport
[0030]
The material of the
[0031]
Alternatively, the first and second
[0032]
Example 4
This embodiment shows an example in which the
[0033]
【The invention's effect】
The present invention has the following effects.
[0034]
(1) The processed spherical object can be smoothly conveyed not only simply but also at a predetermined interval, and the object to be processed such as spherical single crystal silicon is guided to a desired temperature at high speed. This makes it easy to perform processing such as annealing at a high temperature.
[0035]
(2) The atmosphere conversion in the process of processing spherical objects such as spherical single crystal silicon can be easily performed without requiring a complicated mechanism and control.
[0036]
(3) The maintenance of the positive and negative pressure states for conveying the processed spherical object can be easily and inexpensively realized.
[0037]
(4) It is possible to perform uniform film formation or etching process efficiently with a small amount of gas on a spherical object to be processed such as spherical single crystal silicon in the supply pipe.
(5) The surface of an object to be processed such as spherical single crystal silicon can be processed in multiple stages to form a plurality of films having different compositions.
[0038]
(6) Workability is extremely good, and spherical objects can be easily processed.
[0039]
(7) It is also possible to easily form a so-called superlattice structure in which a plurality of very thin thin films of about one atomic layer, so-called ultrathin films, are stacked.
[0040]
(8) The spherical object can be conveyed in a non-contact state, and the surface of the processed spherical object can be prevented from being damaged.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a transport atmosphere conversion apparatus according to the present invention.
FIG. 2 shows a state of a through hole provided in a side wall of a
FIG. 3 shows a second embodiment of the transfer atmosphere conversion apparatus of the present invention to which a replacement processing mechanism using an inert gas is added.
FIG. 4 shows an example of a transfer atmosphere conversion device provided with an intermittent drive mechanism capable of intermittently sending spherical single crystal silicon having undergone atmosphere conversion to the next process.
5 shows an operating state of the transport atmosphere conversion device provided with the intermittent drive mechanism shown in FIG.
FIG. 6 shows an example of a delivery pipe capable of high-speed rotation.
[Explanation of symbols]
1, 20, 30 Transfer
Claims (15)
回収パイプおよび送出パイプは連結され、且つ、それぞれのパイプの側壁には貫通穴が穿設されることを特徴とする球状物の搬送雰囲気変換装置。A recovery chamber having a recovery pipe penetrated, a decompression device for bringing the inside of the recovery chamber into a negative pressure state, a delivery chamber having a delivery pipe penetrated therein, and a pressurizing device for bringing the inside of the delivery chamber into a positive pressure state. And
An apparatus for converting the atmosphere of spherical objects, wherein the recovery pipe and the delivery pipe are connected, and through holes are formed in the side walls of the pipes.
第1の圧電素子は、第2の圧電素子よりもやや先に作動するように構成され、第1の圧電素子によって縮径された第1の縮径部と第2の圧電素子によって縮径された第2の縮径部との間に瞬間的に被処理物が保持されたのち、第1の縮径部が元の状態に戻り、第2の縮径部によって瞬間的に形成された下流側に向かう力によって送出されることを特徴とする請求項4に記載の球状物の搬送雰囲気変換装置。The plurality of piezoelectric elements have a distance such that the first piezoelectric element located on the downstream side and the second piezoelectric element located on the upstream side substantially correspond to the outer diameter of the workpiece along the delivery pipe. Spaced apart,
The first piezoelectric element than the second piezoelectric element is configured to operate slightly above, reduced by the first reducing radius portion and a second piezoelectric element thus has a reduced diameter to the first piezoelectric element After the workpiece is momentarily held between the second reduced diameter portion, the first reduced diameter portion returns to the original state and is instantaneously formed by the second reduced diameter portion. 5. The spherical object conveying atmosphere conversion device according to claim 4, wherein the spherical material conveying atmosphere conversion device is sent by a force directed toward the downstream side.
ガス供給室は、回収パイプに連結されたガス供給パイプとガス供給パイプが貫設されたガス供給室本体とガス供給室本体内部にガスを供給し正圧状態とする供給装置とを具備し、
ガス回収室は、ガス供給パイプに連結されたガス回収パイプとガス回収パイプが貫設されたガス回収室本体とガス回収室本体内部を負圧状態とする減圧装置とを具備しており、
且つ、
ガス回収パイプは送出パイプに連結されていることを特徴とする請求項1または請求項6に記載の球状物の搬送雰囲気変換装置。Between the recovery chamber and the delivery chamber, at least one set of gas supply chamber and gas recovery chamber is disposed,
The gas supply chamber includes a gas supply pipe connected to the recovery pipe, a gas supply chamber main body through which the gas supply pipe is provided, and a supply device for supplying gas into the gas supply chamber main body to bring it into a positive pressure state.
The gas recovery chamber includes a gas recovery pipe connected to the gas supply pipe, a gas recovery chamber main body through which the gas recovery pipe is penetrated, and a decompression device that places the gas recovery chamber main body in a negative pressure state.
and,
7. The spherical object transfer atmosphere conversion device according to claim 1, wherein the gas recovery pipe is connected to the delivery pipe.
それぞれのガス供給室に供給されるガスは、それぞれ異なる温度に制御されることを特徴とする請求項7に記載の球状物の搬送雰囲気変換装置。There are two or more gas supply chambers and gas recovery chambers arranged between the recovery chamber and the delivery chamber,
8. The spherical object transport atmosphere conversion device according to claim 7, wherein the gas supplied to each gas supply chamber is controlled to a different temperature.
ガス供給室は上流側に位置する第1のガス供給室と下流側に位置する第2のガス供給室とからなり、
第1のガス供給室は窒素アニールを行う窒化処理室であり、
第2のガス供給室は室温下のガスによる温度調整室であることを特徴とする請求項11に記載の球状物の搬送雰囲気変換装置。The sphere is a spherical single crystal silicon,
The gas supply chamber comprises a first gas supply chamber located on the upstream side and a second gas supply chamber located on the downstream side,
The first gas supply chamber is a nitriding chamber that performs nitrogen annealing,
The spherical gas transport atmosphere conversion device according to claim 11, wherein the second gas supply chamber is a temperature adjustment chamber using a gas at room temperature.
それぞれのガス供給室には、異なる組成のガスが供給されることを特徴とする請求項7に記載の球状物の搬送雰囲気変換装置。There are two or more gas supply chambers and gas recovery chambers arranged between the recovery chamber and the delivery chamber,
8. The spherical object transport atmosphere conversion device according to claim 7, wherein gas having different composition is supplied to each gas supply chamber.
ガス供給室は上流側に位置する第1のガス供給室と下流側に位置する第2のガス供給室とからなり、
第1のガス供給室は、制御された温度の第1の反応性ガスを供給し、第1の膜を形成する第1の成膜室であり、
第2のガス供給室は、制御された温度の第2の反応性ガスを供給し、第2の膜を形成する第2の成膜室であることを特徴とする請求項13に記載の球状物の搬送雰囲気変換装置。The sphere is single crystal silicon,
The gas supply chamber comprises a first gas supply chamber located on the upstream side and a second gas supply chamber located on the downstream side,
The first gas supply chamber is a first film formation chamber for supplying a first reactive gas having a controlled temperature to form a first film,
The spherical shape according to claim 13, wherein the second gas supply chamber is a second film formation chamber that supplies a second reactive gas having a controlled temperature to form a second film. Conveyor atmosphere conversion device.
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