JP3619979B2

JP3619979B2 - Optical recording medium

Info

Publication number: JP3619979B2
Application number: JP23955697A
Authority: JP
Inventors: 肇譲原; 浩司出口; 道明篠塚
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1997-08-15
Filing date: 1997-08-15
Publication date: 2005-02-16
Anticipated expiration: 2017-08-15
Also published as: JPH1158976A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光記録媒体、特に光ビームを照射することにより記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録・再生を行い、且つ、書き換えが可能である相変化型情報記録媒体に関し、光メモリー関連機器、特に書き換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ）に応用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザビーム照射により情報の記録・再生及び消去が可能な光記録媒体には、熱を利用して磁化の反転を行ない記録消去する光磁気記録方式と、結晶と非晶質の可逆的相変化を利用し記録消去する相変化光記録方式がある。後者は単一ビームによるオーバーライトが前者に比べてしやすく、しかもＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒとの互換性の点で有利である。このような背景により相変化光記録媒体も今や実用化されており、なおも大容量化に向けて研究開発が進んでいる。
【０００３】
相変化記録媒体の記録層に用いられる材料には、カルコゲン系のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｔｅ−Ａｕがこれまでに調べられているが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅが実用レベルに達している。しかし、この材料にしても、記録感度、消去感度の向上とオーバライト時の消し残りによる消去比の低下等、特性の向上は望まれる。そこで、オーバライト時の消去比を一段と向上させることができた材料として、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系がある（特開平４−７８０３１号公報、特願平８−１０３８３２号）。この系において消去比が向上したのは、消去時に微結晶ＡｇＳｂＴｅ_２とアモルファスＩｎ−Ｓｂの２相状態になっていることによる。
【０００４】
なお、特公平８−２７９７３号公報にはＰｂを添加した例が記載されている。これは、Ｔｅ−Ｓｅ−ＮにＰｂを添加した場合であるが、光記録媒体でもピット（穴）形成によるｗｒｉｔｅｏｎｃｅタイプの記録方式であり、媒体の種類が異なる。また、この例ではＰｂの量を膜厚方向に対して表面側（界面）を多く、中央部分を少なくすることで耐候性を向上させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
相変化型光記録媒体は、実用レベルに達しており、今後ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒとの互換性はもちろんのこと、画像データ用記録媒体への用途として大容量化が期待される。高密度化、高速化に対応するために、更に記録層材料の高記録消去感度化による融点及び結晶化温度降下、結晶相転移の高速化等が要求される。これらは、記録材料の特性が支配的であるため、更にこれらの特性を満足する材料、組成を考える必要がある。更にこの記録材料に最適な、記録層の上下に設ける誘電体保護層材料も考える必要がある。
【０００６】
従って、本発明の目的は、今後の高線速、大容量化に十分対応できる記録媒体を提供することにあり、中でも記録層材料は消去特性の優れた４元系のＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系を基にした材料と、またこの記録層に最適な、記録層上に積む第２の誘電体層（保護層）材料を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、第一に、非晶質−結晶相の可逆的相変化により記録消去を行う光記録媒体の記録層が、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂ及びＰｂを構成元素とし、しかも各構成元素のＡｇ_αＩｎ_βＴｅ_γＳｂ_δＰｂ_εにおいて、その組成比が原子％で
３＜α≦４
１２≦β≦１３
２３≦γ≦２５
５７≦δ≦５８
１≦ε≦２
であり、且つα＋β＋γ＋δ＋ε＝１００である記録材料からなることを特徴とする光記録媒体が提供される。第二に、基板上に第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、金属又は合金層をその順に積層してなる光記録媒体において、記録層が上記第一に記載した記録材料からなり、かつ第２の誘電体層が、ＳｉＣとＡｌＮの混合物からなることを特徴とする光記録媒体が提供される。第三に、上記第二に記載したＡｌＮとＳｉＣの混合物が、（ＡｌＮ）x（ＳｉＣ）yにおいて、ｘ：ｙ＝８０〜９９：１〜２０であることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明の光記録媒体は、非晶質−結晶相の可逆的相変化により記録消去を行う光記録媒体の記録層に用いる材料は、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ系にＰｂを添加した５元系材料である。その望ましい組成は原子％で
３＜α≦４
１２≦β≦１３
２３≦γ≦２５
５７≦δ≦５８
１≦ε≦２
である。
【０００９】
即ち、本発明の記録層に用いる材料は、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ系にＰｂを添加した５元系材料である。その望ましい組成は原子％で３＜α≦４、１２≦β≦１３、２３≦γ≦２５、５７≦δ≦５８および１≦ε≦２である。この組成の材料を用いることにより、今後期待される大容量相変化記録媒体において高線速化、高密度化により、現状の記録・消去パワーで（望ましくは更に低いパワーで）記録・消去することが可能になる。そのために非晶質と結晶相の転移温度を低くし、更に結晶化速度が速くなることが要求されるが、Ｐｂの添加によりそれが達成できる。Ｐｂの添加は、特に融点と結晶化温度の降下に効果的である。
【００１０】
高密度記録の場合、記録マークの熱分布による拡がりを避けて尚且つ高いパワーで瞬時に高温にし、急冷する必要がある。高線速化の場合には、記録時に急冷はしやすいがその分瞬時に高温にする必要があるが記録はしやすい。しかし消去時は徐冷させにくいため消去パワーを高くする必要がある。しかも、結晶化速度はより速くなければならない。また、これにより感度が悪くなる。従って、少なくとも低融点、低結晶化温度、高速結晶化が要求される。Ｐｂの添加において、結晶化速度が速くなる理由に原子半径との関係がある。Ｐｂの原子半径は０．１７６ｎｍであるが、ＳｅＧｅ系材料においてＢｉ、Ｔｌ等の原子半径が大きい（＞０．１６ｎｍ）材料を添加するほど、結晶化速度が速くなることがわかっている［Ｍ．Ａ．ＭＯＵＳＡ，Ｍ．Ａ．ＡＨＭＥＤ，Ｊ．Ｃｒｙｓ．ｇｒｏｗｔｈ，８８（１９８８）］。
【００１１】
一方、上記要求は記録層だけでは達成し得ない。特に記録層上に設けられた第２の誘電体層（保護層）とその上の金属又は合金層（反射・放熱層）により制御できる。保護層においては、急冷、徐冷により熱衝撃、熱膨張の繰り返しによる応力誘起で劣化してしまい、保護層の役割を果たさなくなる。従って、短時間の急激な温度変化に耐え得る保護膜を選ぶことが必要である。その保護膜材料として、ＡｌＮにＳｉＣを混ぜた混合物を用いることが好ましい。ＡｌＮは熱伝導率が比較的高く、一方ＳｉＣは熱衝撃に強い。この２つの混合相をＡｌＮ：ＳｉＣ＝（８０〜９９）：（１〜２０）の比にする。これにより、ＳｉＣが熱衝撃、熱応力を緩和、吸収し保護層の役割を果たす。望ましくは、ＳｉＣが微粒子の状態で存在することで更なる効果を示す。従って、ＳｉＣの役割は２０ｍｏｌ％以下が良い。
【００１２】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
基板上に、スパッタリングにより記録層を製膜する場合、ターゲットとしてＰｂＳｂ合金とカルコパイライト構造及び／又は閃亜鉛鉱型構造を有する化学量論組成又はそれに近い組成のＡｇＩｎＴｅ_２とを存在させたものを使用する。スパッタリングにより製膜する場合は、アルゴンガスを使用し、その圧力が１×１０^−３ｔｏｒｒ〜５×１０^−３ｔｏｒｒ、ＲＦ−ｐｏｗｅｒが０．１から０．５ＫＷで行う。第２の誘電体層の場合は、所定の割合で混合したＡｌＮとＳｉＣの焼結体ターゲットを用いて、アルゴンガス圧１×１０^−３ｔｏｒｒ〜５×１０^−３ｔｏｒｒ、ＲＦ−ｐｏｗｅｒが約０．１から１ＫＷで製膜する。
【００１３】
ポリカーボネートで厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍの基板を使用する。まず、この基板上にＺｎＳ・ＳｉＯ_２の第１誘電体層をスパッタリングにより作製する。次に、Ｐｂ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ記録層、ＡｌＮ・ＳｉＣ第２の誘電体層、Ａｌ−Ｔｉ合金層（反射・放熱層）の順に製膜していく。最後に、その上に紫外線硬化樹脂をつけ膜を保護する。ここで第１の誘電体層をＡｌＮ・ＳｉＣにしても良いが、ＡｌＮとＳｉＣの割り合いが第２の誘電体層と同じであるとは限らない。適切なｐｏｗｅｒ、回転数で初期化した後、記録層は微結晶サイズが約５０ｎｍ以下のＡｇＳｂＴｅ_２とＩｎ−Ｓｂ非晶質相に分離した構造になっている。この時、Ｐｂが結晶相と非晶質相にともに存在している。従って、消去性の優れた性質がそのまま維持されることになる。
【００１４】
実施例１〜４及び比較例
図１に示されるように、ポリカーボネート基板上に第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、合金層の順に以下の膜厚で積層して媒体を作製した。
合金層Ａｌ−Ｔｉ：１００ｎｍ
第２の誘電体層ＳｉＯ_２・ＺｎＳ／ＡｌＮ・ＳｉＣ：２０ｎｍ
記録層Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｐｂ：１８ｎｍ
第１の誘電体層ＳｉＯ_２・ＺｎＳ：１７５ｎｍ
記録層組成及び第２誘電体層の組成については、表１に示した通りである。更にこの上に、有機保護層（ＵＶ硬化樹脂を）を５μｍつけた。
【００１５】
ディスクのトラックピッチは、０．７４μｍ、線速４〜７ｍ／ｓｃｃ、信号変号調方式はＥＦＭ変調方式で行い、レーザで記録する際にマルチパルス方式で行った。レーザ波長は波長６３５ｎｍ、対物レンズのＮ．Ａは０．６である。初期化を施した後、単一ビームのオーバーライトにより、測定した結果からＣ／Ｎ値が約５０ｄＢから５５ｄＢの範囲で最も良い値になる記録と消去パワー（Ｐｗ＆Ｐｅ）を表１に示す。記録膜の組成、第２の誘電体層の材料組成については、表１に示してある。比較例として、従来のＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの最適な組成を示した。比較例の記録、消去パワーは実際の最適値を、実施例についてはそれに対する比で表２に示した。また、オーバライト繰返し回数を表２に併せ示す。
【００１６】
【表１】

【００１７】
【表２】

【００１８】
以上から、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系にＰｂを添加することで、従来の消去特性の優れた特徴を維持したまま、オーバライトにおける記録パワー、消去パワーを低下でき、しかもより高線速側で消去パワーが低くできるため結晶化速度も速くできることから、高速、大容量化に適した記録層材料になる。また、第２の誘電体層を従来のＺｎＳ・ＳｉＯ_２混合物から、ＡｌＮ・ＳｉＣ混合物に換えることで、オーバーライト繰り返し回数を増加することができた。従って、相変化記録媒体の高速、大容量化に対し、本発明によりこれから期待されているＤＶＤ−ＲＡＭに十分対応できる記録媒体が提供できることがわかった。
【００１９】
【発明の効果】
請求項１の光記録媒体は、記録層がＡｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ系にＰｂを添加した５元系金属材料からなり、しかも各構成元素のＡｇ_αＩｎ_βＴｅ_γＳｂ_δＰｂ_εにおいて、その組成比が原子％で
３＜α≦４
１２≦β≦１３
２３≦γ≦２５
５７≦δ≦５８
１≦ε≦２
であり、且つα＋β＋γ＋δ＋ε＝１００としたことから、従来の消去特性の優れた特徴を維持したまま、オーバーライトにおける記録パワー、消去パワーを低下でき、しかもより高線速側で消去パワーが低くできるため結晶化速度も速くできるので、高速、大容量化に適用できるものとなる。
【００２０】
請求項２の光記録媒体は、基板上に第１の誘電体層、請求項１記載の記録材料からなる記録層、第２の誘電体層、金属又は合金層をその順に積層し、かつ第２の誘電体層が、ＳｉＣとＡｌＮの混合物からなるものとしたことから、反射率や記録・消去特性の最適化が図れる。
【００２１】
請求項３の光記録媒体は、第２の誘電体層がＳｉＣとＡｌＮの特定混合比の混合物からなるものとしたことから、オーバーライト繰返し回数が増加するという効果が加わる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の一例を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１基板
２第１の誘電体層（第１の保護層）
３記録層
４第２の誘電体層（第２の保護層）
５金属又は合金層（反射・放熱層）
６ＵＶ硬化樹脂[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical recording medium, and more particularly to a phase change type information recording medium that causes a phase change in a recording layer material by irradiating a light beam, records and reproduces information, and is rewritable. It is applied to related devices, particularly rewritable compact discs (CDs).
[0002]
[Prior art]
For optical recording media capable of recording, reproducing and erasing information by semiconductor laser beam irradiation, the magneto-optical recording method uses magnetization to reverse the recording using heat, and the reversible phase change between crystal and amorphous. There is a phase change optical recording method in which recording is erased by using. The latter is advantageous in terms of compatibility with CD-ROMs and CD-Rs because it is easier to overwrite with a single beam than the former. Against this background, phase change optical recording media are now in practical use, and research and development are still progressing toward higher capacity.
[0003]
Materials used for the recording layer of the phase change recording medium include chalcogen-based Ge—Sb—Te, In—Sb—Te, Ge—Se—Te, Ge—Te—Bi, Sb—Se—Te, and In—Te. -Au has been investigated so far, but Ge-Sb-Te has reached a practical level. However, even with this material, improvement in characteristics such as improvement in recording sensitivity and erasure sensitivity and reduction in erasure ratio due to unerased residue at the time of overwriting is desired. Therefore, there is an Ag-In-Sb-Te system as a material that can further improve the erasing ratio at the time of overwriting (Japanese Patent Laid-Open No. 4-78031, Japanese Patent Application No. 8-103832). The reason why the erasure ratio is improved in this system is that it is in a two-phase state of microcrystalline AgSbTe ₂ and amorphous In—Sb at the time of erasure.
[0004]
In Japanese Patent Publication No. 8-27973, an example in which Pb is added is described. This is a case where Pb is added to Te-Se-N, but the optical recording medium is also a write once type recording method by pit (hole) formation, and the type of the medium is different. In this example, the weather resistance is improved by increasing the amount of Pb on the surface side (interface) in the film thickness direction and decreasing the central portion.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The phase-change optical recording medium has reached a practical level, and is expected to have a large capacity for use as a recording medium for image data as well as compatibility with CD-ROM and CD-R. In order to cope with higher density and higher speed, it is required to further lower the melting point and crystallization temperature, increase the crystal phase transition, etc. by increasing the recording erasure sensitivity of the recording layer material. Since the characteristics of the recording material are dominant, it is necessary to consider materials and compositions that satisfy these characteristics. Furthermore, it is necessary to consider a dielectric protective layer material provided above and below the recording layer, which is optimal for this recording material.
[0006]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a recording medium that can sufficiently cope with future high linear velocity and large capacity. Among them, the recording layer material is a quaternary Ag-In-Sb- having excellent erasing characteristics. It is an object of the present invention to provide a Te-based material and a second dielectric layer (protective layer) material that is optimal for the recording layer and is stacked on the recording layer.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, firstly, a recording layer of an optical recording medium that performs recording and erasing by a reversible phase change of an amorphous-crystalline phase has Ag, In, Te, Sb, and Pb as constituent elements, In the constituent element Ag _α In _β Te _γ Sb _δ Pb _ε , the composition ratio is 3 <α ≦ 4 in atomic%.
12 ≦ β ≦ 13
23 ≦ γ ≦ 25
57 ≦ δ ≦ 58
1 ≦ ε ≦ 2
And an optical recording medium characterized by comprising a recording material of α + β + γ + δ + ε = 100. Second, in an optical recording medium in which a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, a metal or alloy layer are laminated in that order on a substrate, the recording layer is the recording medium described in the first aspect. An optical recording medium is provided, which is made of a material and the second dielectric layer is made of a mixture of SiC and AlN. Third, the optical recording medium is characterized in that the mixture of AlN and SiC described in the second is x: y = 80 to 99: 1 to 20 in (AlN) x (SiC) y. Is done.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
In the optical recording medium of the present invention, the material used for the recording layer of the optical recording medium that performs recording and erasing by reversible phase change of the amorphous-crystalline phase is a ternary element in which Pb is added to an Ag—In—Te—Sb system. It is a system material. Its desirable composition is 3 <α ≦ 4 in atomic percent.
12 ≦ β ≦ 13
23 ≦ γ ≦ 25
57 ≦ δ ≦ 58
1 ≦ ε ≦ 2
It is.
[0009]
That is, the material used for the recording layer of the present invention is a ternary material in which Pb is added to the Ag—In—Te—Sb system. The desirable composition is 3 <α ≦ 4, 12 ≦ β ≦ 13 , 23 ≦ γ ≦ 25, 57 ≦ δ ≦ 58 and 1 ≦ ε ≦ 2 in atomic%. By using a material of this composition, recording / erasing can be performed with the current recording / erasing power (preferably at a lower power) by increasing the linear velocity and increasing the density in a large-capacity phase change recording medium expected in the future. Is possible. Therefore, it is required to lower the transition temperature between the amorphous phase and the crystalline phase and further increase the crystallization rate, but this can be achieved by adding Pb. The addition of Pb is particularly effective for lowering the melting point and the crystallization temperature.
[0010]
In the case of high-density recording, it is necessary to avoid the spread due to the heat distribution of the recording mark, and to instantaneously raise the temperature with high power and rapidly cool. In the case of high linear velocity, it is easy to rapidly cool at the time of recording, but it is necessary to increase the temperature instantaneously, but it is easy to record. However, it is difficult to cool slowly during erasing, so it is necessary to increase the erasing power. Moreover, the crystallization rate must be faster. This also reduces sensitivity. Therefore, at least a low melting point, a low crystallization temperature, and a high-speed crystallization are required. In addition of Pb, the reason why the crystallization speed is increased is related to the atomic radius. Although the atomic radius of Pb is 0.176 nm, it has been found that the crystallization speed increases as the material having a large atomic radius (> 0.16 nm) such as Bi or Tl is added to the SeGe-based material [M . A. MOUSA, M.M. A. AHMED, J.A. Crys. growth, 88 (1988)].
[0011]
On the other hand, the above requirement cannot be achieved by the recording layer alone. In particular, it can be controlled by a second dielectric layer (protective layer) provided on the recording layer and a metal or alloy layer (reflection / heat radiation layer) thereon. The protective layer deteriorates due to stress induced by repeated thermal shock and thermal expansion due to rapid cooling and gradual cooling, and does not fulfill the role of the protective layer. Therefore, it is necessary to select a protective film that can withstand rapid temperature changes in a short time. As the protective film material, a mixture of AlN and SiC is preferably used. AlN has a relatively high thermal conductivity, while SiC is resistant to thermal shock. The two mixed phases have a ratio of AlN: SiC = (80 to 99) :( 1 to 20). Thereby, SiC relaxes and absorbs thermal shock and thermal stress and plays a role of a protective layer. Desirably, the presence of SiC in the state of fine particles exhibits a further effect. Therefore, the role of SiC is preferably 20 mol% or less.
[0012]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
When a recording layer is formed on a substrate by sputtering, a PbSb alloy and a stoichiometric composition having a chalcopyrite structure and / or a zinc blende structure as a target or AgInTe ₂ having a composition close thereto are present as targets. use. When forming a film by sputtering, using argon gas, the pressure is ^{^{1 × 10 -3 torr~5 × 10 -3}} torr, RF-power is carried out in 0.5KW 0.1. For the second dielectric layer, using a sintered body target of AlN and SiC were mixed at a predetermined ratio, an argon gas pressure of ^{^{1 × 10 -3 torr~5 × 10 -3}} torr, the RF-power of about A film is formed at 0.1 to 1 KW.
[0013]
A polycarbonate substrate having a thickness of 0.6 mm and a track pitch of 0.74 μm is used. First, a first dielectric layer of ZnS · SiO _{2 is formed} on this substrate by sputtering. Next, a Pb—Ag—In—Te—Sb recording layer, an AlN · SiC second dielectric layer, and an Al—Ti alloy layer (reflection / heat dissipation layer) are formed in this order. Finally, an ultraviolet curable resin is applied thereon to protect the film. Here, the first dielectric layer may be AlN · SiC, but the ratio of AlN and SiC is not necessarily the same as that of the second dielectric layer. After initialization with appropriate power and rotation speed, the recording layer has a structure in which the crystallite size is separated into AgSbTe ₂ and In—Sb amorphous phase having a crystallite size of about 50 nm or less. At this time, Pb exists in both the crystalline phase and the amorphous phase. Accordingly, the excellent erasability is maintained as it is.
[0014]
Examples 1 to 4 and Comparative Example As shown in FIG. 1, a medium is formed by laminating a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, and an alloy layer in the following order on a polycarbonate substrate in the following order. Was made.
Alloy layer Al-Ti: 100 nm
Second dielectric layer SiO ₂ · ZnS / AlN · SiC: 20 nm
Recording layer Ag-In-Te-Sb-Pb: 18 nm
First dielectric layer SiO ₂ .ZnS: 175 nm
The composition of the recording layer and the composition of the second dielectric layer are as shown in Table 1. Further, 5 μm of an organic protective layer (UV curable resin) was applied thereon.
[0015]
The track pitch of the disk was 0.74 μm, the linear velocity was 4 to 7 m / scc, the signal modulation method was an EFM modulation method, and a multi-pulse method was used when recording with a laser. The laser wavelength is 635 nm and the objective lens N.P. A is 0.6. Table 1 shows the recording and erasing power (Pw & Pe) at which the C / N value is the best value in the range of about 50 dB to 55 dB from the measurement result after the initialization by single beam overwriting. The composition of the recording film and the material composition of the second dielectric layer are shown in Table 1. As a comparative example, the optimum composition of conventional Ag—In—Sb—Te was shown. Table 2 shows the actual optimum values of the recording and erasing powers of the comparative examples, and the ratios of the practical examples. Table 2 also shows the number of overwrite repetitions.
[0016]
[Table 1]

[0017]
[Table 2]

[0018]
From the above, by adding Pb to the Ag-In-Sb-Te system, the recording power and erasing power in overwriting can be reduced while maintaining the excellent characteristics of the conventional erasing characteristics, and the higher linear velocity side. Thus, the erasing power can be lowered and the crystallization speed can be increased. Therefore, the recording layer material is suitable for high speed and large capacity. Also, the number of overwriting repetitions could be increased by changing the second dielectric layer from a conventional ZnS / SiO ₂ mixture to an AlN / SiC mixture. Accordingly, it has been found that the present invention can provide a recording medium that can sufficiently cope with a DVD-RAM that is expected from now on, for the high speed and large capacity of the phase change recording medium.
[0019]
【The invention's effect】
In the optical recording medium of claim 1, the recording layer is made of a ternary metal material in which Pb is added to an Ag—In—Te—Sb system, and each of the constituent elements Ag _α In _β Te _γ Sb _δ Pb _ε Its composition ratio is 3 <α ≦ 4 in atomic%.
12 ≦ β ≦ 13
23 ≦ γ ≦ 25
57 ≦ δ ≦ 58
1 ≦ ε ≦ 2
Since α + β + γ + δ + ε = 100, the recording power and erasing power in overwriting can be lowered while maintaining the excellent characteristics of the conventional erasing characteristics, and the erasing power can be lowered at the higher linear velocity side. Since the crystallization speed can be increased, it can be applied to high speed and large capacity.
[0020]
The optical recording medium according to claim 2, the first dielectric layer on a substrate, and laminating a recording layer made of a recording material according to claim 1, wherein, the second dielectric layer, the metal or alloy layer in this order, and the Since the dielectric layer 2 is made of a mixture of SiC and AlN , the reflectance and recording / erasing characteristics can be optimized.
[0021]
In the optical recording medium of the third aspect, since the second dielectric layer is made of a mixture having a specific mixing ratio of SiC and AlN, an effect of increasing the number of overwriting repetitions is added.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an optical recording medium of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Substrate 2 First dielectric layer (first protective layer)
3 Recording layer 4 Second dielectric layer (second protective layer)
5 Metal or alloy layer (reflection / heat dissipation layer)
6 UV curable resin

Claims

Amorphous - recording layer of an optical recording medium for recording and erasing by a reversible phase change of the crystal phase, Ag, In, Te, and constituent elements Sb and Pb, moreover _{_{_Ag}} α In β Te γ Sb of each constituent element _{In δ} Pb _ε , the composition ratio is 3 <α ≦ 4 in atomic%.
12 ≦ β ≦ 13
23 ≦ γ ≦ 25
57 ≦ δ ≦ 58
1 ≦ ε ≦ 2
An optical recording medium comprising a recording material satisfying α + β + γ + δ + ε = 100.

An optical recording medium in which a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, a metal or alloy layer are laminated in that order on a substrate, the recording layer is made of the recording material according to claim 1, and An optical recording medium, wherein the second dielectric layer is made of a mixture of SiC and AlN .

3. The optical recording medium according to claim 2, wherein the mixture of AlN and SiC is (AlN) x (SiC) y, wherein x: y = 80 to 99: 1 to 20.