JP3613288B2 - Cleaning device for exposure apparatus - Google Patents

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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70691Handling of masks or wafers
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations

Description

【0001】 [0001]
【産業上の利用分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、例えば半導体素子、液晶表示素子等をフォトリソグラフィ技術を用いて製造する際に使用される投影露光装置に備えられ、感光性の基板を保持するウエハホルダ等の基板保持部材の表面の清掃を行う装置に適用して好適な露光装置用のクリーニング装置に関する。 The present invention is, for example, a semiconductor device, provided with a liquid crystal display element or the like in a projection exposure apparatus used in manufacturing by photolithography cleaning of the surface of the substrate holding member of the holder or the like for holding a photosensitive substrate It relates to a cleaning device for a suitable exposure apparatus applied to an apparatus for performing.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
半導体素子又は液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する場合に、レチクル(又はフォトマスク等)のパターン像を投影光学系を介してウエハステージ上のウエハに露光する投影露光装置が使用されている。 When manufacturing semiconductor devices or liquid crystal display element or the like in the photolithography process, a projection exposure apparatus is used for exposing a pattern image of the reticle (or photomask, etc.) to the wafer on the wafer stage via the projection optical system . 斯かる従来の投影露光装置ではウエハを平坦な状態で動かないように保持するために、ウエハステージ上に取り付けられたウエハホルダによりウエハを吸着して保持している。 For such a conventional projection exposure apparatus that held stationary wafer in a flat state, it is held by suction the wafer by a wafer holder mounted on the wafer stage.
【0003】 [0003]
しかしながら、ウエハを保持するウエハホルダとウエハとの間に塵又はゴミ等の異物が存在する状態でウエハを吸着すると、その異物によりウエハの露光面の平面度が悪化する。 However, Chirimata between the wafer holder and the wafer to hold the wafer, upon adsorption of the wafer in a state where there is foreign matter such as dust, flatness of the exposure surface of the wafer is deteriorated due to the foreign object. その露光面の変面度の悪化は、ウエハの各ショット領域の位置ずれ誤差やフォーカス誤差の要因となり、LSI等を製造する際の歩留りを悪化させる大きな要因になっていた。 Deterioration of varying surface of the exposed surface becomes a cause of position shift error and a focus error of each shot area of ​​the wafer, it had become a major factor to deteriorate the yield in manufacturing the LSI or the like. そのため、従来は一般に一定の間隔で露光工程を停止して、ウエハホルダを作業者の手が届く位置に移動させて、砥石や無塵布を用いて作業者が手を動かしてウエハホルダ全体を拭いていた。 Therefore, conventionally, typically by stopping the exposure process at regular intervals, is moved to gain access position of the worker the wafer holder, the operator using a grindstone and dust-free cloth not wipe the entire wafer holder by moving the hand It was.
【0004】 [0004]
それに対して、清掃作業を効率化するため、本出願人は特願平4−230069号、及び特願平5−216570号において、砥石等のクリーニング部材を用いて自動的にウエハホルダを清掃する技術や、ウエハのフォーカス位置(投影光学系の光軸方向の位置)を検出するためのフォーカス位置検出手段を用いて、前回のショット領域のフォーカス位置と今回のショット領域のフォーカス位置との比較により異物の有無の判定を行う技術や、そのフォーカス位置検出手段の検出結果を演算処理して、ウエハホルダの表面上で清掃の必要な領域を求め、その清掃が必要な領域を重点的に清掃する技術等を提案している。 In contrast, for efficient cleaning, the present applicant in Japanese Patent Application No. Hei 4-230069 and in Japanese Patent Application 5-216570, to clean the automatic wafer holder with a cleaning member grindstone Technology and the focus position of the wafer using the focus position detecting means for detecting (optical axis direction of the position of the projection optical system), the foreign matter by comparing the focus position and the focus position of the current shot region of the previous shot area technology and to judge the existence of, and processing the detection result of the focus position detecting means obtains the area in need of cleaning on the surface of the wafer holder, techniques such as intensively clean the cleaning area in need It has proposed.
【0005】 [0005]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
しかしながら、ウエハホルダ表面上の微小な異物は、各種の例えばファンデルワールス力、化学的結合力、静電気による結合力等によって強固に付着しているため、前述の新しい技術を用いても十分に除去することは困難であるという不都合があった。 However, fine foreign matter on the wafer holder surface, various example van der Waals forces, chemical bonding forces, because it firmly attached by bonding force, etc. due to static electricity is sufficiently removed even using a new technique described above there has been a disadvantage that it is difficult. これは、ウエハホルダを無塵布や砥石等で拭き上げても、一度剥離したレジストや塵埃が再度他の領域に付着して、ウエハホルダ上にそのまま残存してしまうことにもよる。 This is also wiped the wafer holder in dust-free cloth or grindstone, once peeled resist and adhered to the dust again other areas, also due to the fact that ends up as it remains on the wafer holder. その他に、一度剥離したレジストや塵埃がウエハホルダ上の真空吸着溝や真空吸着穴に入り込み、ウエハホルダのバキュームオフ(吸着解除)のタイミング時に、それらのレジスト等が再度ウエハホルダの表面上に吹き上げて再汚染が生じてしまうこともあった。 Other once peeled resist or dust enters into the vacuum suction grooves and vacuum suction holes on the wafer holder, when the timing of the wafer holder of the vacuum-off (suction releasing), recontamination by blown on the surface thereof such as a resist again holder there were also occur. このような状態にあるレジストや塵埃は、従来の技術では完全な除去が困難であった。 Resist and dust in such a state, complete removal is difficult by conventional techniques.
【0006】 [0006]
更に、ウエハホルダの表面が各種のフォトレジスト等による影響で親水性では無くなっているために、無塵布等ではレジスト等を剥離して除去することが困難であった。 Furthermore, since the surface of the wafer holder is missing in hydrophilicity influence of various photoresists, are dust-free cloth was difficult to remove by removing the resist or the like. 従って、頻繁に砥石等の高硬度の研磨材を使用して自動的に、あるいは手動で清掃していたために、その研磨材によりウエハホルダ自身の表面を損傷する場合があった。 Therefore, automatically frequently using abrasive having high hardness of the grinding wheel or the like, or manually in order to have been cleaned in, there can damage the surface of the wafer holder itself by its abrasive.
【0007】 [0007]
また、ウエハホルダには通常ウエハの受け渡し部(上下移動するピン等)が設けられているが、その上に付着したフォトレジストや塵埃が、その受け渡し部の強度の問題や位置の違い等の問題により除去できなかったため、その受け渡し部上に付着した残存レジストや塵埃が、ウエハの受け渡し時にウエハホルダまで移動することがあった。 Although delivery of ordinary wafer in the wafer holder (pin or the like for vertical movement) are provided, the photoresist or dust attached thereon, a problem such as a difference of problems and position of the strength of the delivery unit because they could not be removed, the remaining resist and dust adhered onto the transfer portion, there is possible to move to the wafer holder during transfer of the wafer. そのため、ウエハホルダを何度清掃しても良い結果の得られない場合があり、更に、残存レジスト等が当該ウエハホルダのみならずその周囲の装置(ステージ等)までも汚染することがあるという不都合があった。 Therefore, there may not be obtained a good result be repeatedly cleaned wafer holder, further there is a disadvantage that it is also possible to contaminate the remaining resist or the like until the device around not the holder only (Stage etc.) It was.
【0008】 [0008]
本発明は斯かる点に鑑み、ウエハホルダ(基板保持部材)の表面に付着した種々の異物を自動的に容易に除去できる露光装置用のクリーニング装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the points mow 斯, and an object thereof is to provide a cleaning apparatus for automatically a readily removable exposure apparatus of various foreign substances adhering to the surface of the wafer holder (substrate holding member).
更に本発明は、種々の異物を容易に除去できると共に、一度剥離された異物が再びウエハホルダの他の領域に付着して残存することのない露光装置用のクリーニング装置を提供することを目的とする。 The present invention aims at providing a cleaning device for that no exposure apparatus with easily remove various foreign matters, once stripped foreign substances remaining attached to other areas of the re-holder .
【0009】 [0009]
また、本発明は、ウエハホルダの表面が親水性ではなくなっている場合でも、そのウエハホルダを損傷することなくその表面の異物を除去できる露光装置用のクリーニング装置を提供することを目的とする。 Further, an object of the present invention that the surface of the wafer holder even if it is not a hydrophilic, to provide a cleaning apparatus for an exposure apparatus capable of removing foreign substances on its surface without damaging the wafer holder.
【0011】 [0011]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
本発明の第1の露光装置用のクリーニング装置は、例えば図1及び図3に示すように、マスクパターンを基板保持部材(9)上に保持された感光性の基板(10)上に露光する露光装置に備えられ、その基板保持部材の表面の清掃を行う装置において、基板保持部材(9)の表面に紫外線を照射する光源(56A)と、基板保持部材(9)の表面から光源(56A)までの空間とその外側の空間とを実質的に遮断する遮蔽部材(24B,36B)と、この遮蔽部材で覆われた基板保持部材(9)の表面近傍の気体を吸引して排気する排気手段(52)と、を有するものである。 A cleaning device for the first exposure apparatus of the present invention, for example, as shown in FIGS. 1 and 3, exposing the mask pattern on the retained photosensitive substrate on the substrate holding member (9) (10) provided in the exposure apparatus, the apparatus for cleaning the surface of the substrate holding member, a light source (56A) for irradiating ultraviolet rays on the surface of the substrate holding member (9), a light source from the surface of the substrate holding member (9) (56A ) spaces up and shield member for substantially blocking the outside space (24B, 36B), evacuated by sucking the gas in the vicinity of the surface of the shielding member covered by a substrate holding member (9) exhaust and means (52), and has a.
【0012】 [0012]
この場合、光源(56A)から照射される紫外線の照度を検出する照度検出手段(53)と、この照度検出手段により検出された照度に基づいて光源(56A)の発光強度を制御する光源制御手段(44)と、を設けることが望ましい。 In this case, the light source illuminance detection unit (53) for detecting the illuminance of the ultraviolet light emitted from the (56A), the light source control means for controlling the emission intensity of the light source (56A) on the basis of the illuminance detected by the illuminance detection unit and (44), it is desirable to provide.
更に、基板保持部材(9)の温度を検出する温度検出手段(46)と、この温度検出手段の検出結果に基づいて基板保持部材(9)を冷却する冷却手段(42)と、を設けることが望ましい。 Furthermore, the provision as temperature detecting means for detecting the temperature of the substrate holding member (9) (46), and cooling means for cooling the substrate holding member based on the detection result of the temperature detecting means (9) (42), the It is desirable
【0013】 [0013]
また、本発明の第2の露光装置用のクリーニング装置は、例えば図1〜図3に示すように、マスクパターンを基板保持部材(9)上に保持された感光性の基板(10)上に露光する露光装置に備えられ、その基板保持部材の表面の清掃を行う装置において、固形状の第1の清掃部材(33B)と、有機系材料を含む第2の清掃部材(32B)とを基板保持部材(9)の表面に接触させて動かす駆動手段(21)と、基板保持部材(9)の表面に紫外線を照射する光源(56A)と、基板保持部材(9)の表面からその光源までの空間とその外側の空間とを実質的に遮断する遮蔽部材(24B,36B)と、この遮蔽部材で覆われた基板保持部材(9)の表面近傍の気体を吸引して排気する排気手段(52)とを有する照射排気手段(22)と The cleaning device for the second exposure apparatus of the present invention, for example, as shown in FIGS. 1 to 3, a mask pattern on retained photosensitive substrate on the substrate holding member (9) (10) It provided in an exposure apparatus for exposing, in an apparatus for cleaning the surface of the substrate holding member, the substrate and the solid on the first cleaning member (33B), and a second cleaning member containing an organic material (32B) and drive means for moving in contact with the surface of the holding member (9) (21), a light source (56A) for irradiating ultraviolet rays on the surface of the substrate holding member (9) until the light source from the surface of the substrate holding member (9) space and the shield member (24B, 36B) to substantially block the outside space and, exhaust means for exhausting by suction gas near the surface of the shielding member covered by a substrate holding member (9) of ( . 52) and irradiating the exhaust means having a (22) 駆動手段(21)と、照射排気手段(22)とを交互に基板保持部材(9)の表面に装着する切り替え手段(18,19,20A,20B)と、を備えたものである。 Drive means (21) are those having a, a switching means (18,19,20A, 20B) to be mounted on the surface of the irradiation exhaust means (22) wand alternately and (9).
【0015】 [0015]
【作用】 [Action]
斯かる本発明の第1の露光装置用のクリーニング装置によれば、基板保持部材(9)の表面に紫外線が照射され、その紫外線によりオゾンが発生する。 According to a first cleaning device for exposure apparatus of the present invention, ultraviolet rays are irradiated onto the surface of the substrate holding member (9), ozone is generated by the ultraviolet rays. そのため、基板保持部材(9)の真空吸着溝や真空吸着穴等に入り込んだ剥離レジストや有機材料研磨剤等の小片は、紫外線及びオゾンとの相互作用により、二酸化炭素(CO 2 )と水蒸気(H 2 O)とに分解されて排気される。 Therefore, small pieces, such as stripping the resist and organic materials abrasives having entered the vacuum suction grooves and vacuum suction holes of the substrate holding member (9) by interacting with UV and ozone, and carbon dioxide (CO 2) steam ( H 2 O) is decomposed is exhausted to the. したがって、基板保持部材(9)の表面を傷つけることなく除去することが可能である。 Therefore, it is possible to remove without damaging the surface of the substrate holding member (9). 且つ遮蔽部材が設けられているため、その周囲の装置を汚染する危険性を排除できる。 Because and shielding member is provided, it can eliminate the risk of contaminating the device around.
【0016】 [0016]
更に、基板保持部材(9)に基板の受け渡し部(40)が設けられている場合、紫外線を基板保持部材(9)の表面、及びその受け渡し部(40)の上面全域に照射することにより、それら照射面の全域が親水性化され、その表面上に存在する残存レジスト、塵埃及び有機材料研磨材等の小片が固着し難く(こびりつき難く)なり、且つ除去し易くなる。 Further, if the transfer of the substrate to the substrate holder (9) 40 is provided, the ultraviolet surface of the substrate holding member (9), and by irradiating its entire upper surface of the transfer section (40), their entire area of ​​the irradiated surface is hydrophilized, the remaining resist present on its surface, hardly sticking the pieces, such as dust and organic materials abrasive (sticking hardly) becomes, and easily removed. 従って、それらの異物が容易に除去できるようになる。 Therefore, as those of the foreign matter can be easily removed.
【0017】 [0017]
また、照度検出手段(53)の検出結果に応じて光源(56A)の発光強度を制御できる場合には、例えば照度検出手段(53)の検出結果の積算値が所定の値に達するまで光源(56A)を発光させて、積算照射量を制御する。 Further, the light source to the case capable of controlling the emission intensity of the light source (56A) in accordance with the detection result of the illuminance detection unit (53), for example the integrated value of the detection result of the illuminance detection unit (53) reaches a predetermined value ( 56A) to emit light, and controls the integrated irradiation dose.
更に、温度検出手段(46)の検出結果に基づいて基板保持部材(9)を冷却する冷却手段(42,45)を設けた場合には、紫外線の照射により基板保持部材(9)の温度が上昇し過ぎないように、その基板保持部材(9)を冷却する。 Further, in the case of providing the cooling means (42, 45) for cooling the substrate holding member (9) on the basis of the detection result of the temperature detecting means (46), the temperature of the substrate holding member (9) by irradiation of ultraviolet light as no excessively increased, cooling the substrate holding member (9).
【0018】 [0018]
次に、本発明の第2の露光装置用のクリーニング装置によれば、清掃部材で異物を拭き取る(又は削り取る)駆動手段(21)と、照射排気手段(22)とが設けられているため、種々の異物をそれぞれ効率的に除去できると共に、非接触の照射排気手段(22)の使用により高硬度研磨剤等の第1の清掃部材の使用回数が減少するため、基板保持部材(9)の表面を損傷する危険性が大幅に減少する。 Then, according to the cleaning device for the second exposure apparatus of the present invention, to wipe the foreign matter cleaning member (or scraped) drive means (21), irradiating the exhaust means and (22) are provided, with various foreign matters can be efficiently removed, respectively, since the number of uses of the first cleaning member, such as high hardness abrasive by the use of irradiation exhaust means of the non-contact (22) is reduced, the substrate holding member (9) risk of damage to the surface is greatly reduced. また、非接触クリーニングのみを実施することも可能であり、様々な組み合わせで汚染の状況に応じて適切な清掃方法を選択することにより、自動的に容易に基板保持部材(9)を清浄にできる。 It is also possible to carry out non-contact cleaning only, by selecting an appropriate cleaning methods according to the situation of pollution in various combinations, can be automatically easily cleaned substrate holding member (9) .
【0019】 [0019]
【実施例】 【Example】
以下、本発明による露光装置用のクリーニング装置の一実施例につき図面を参照して説明する。 Hereinafter will be described with reference to the accompanying drawings an embodiment of a cleaning apparatus for an exposure apparatus according to the present invention. 本例は投影露光装置のウエハホルダ用のクリーニング装置に本発明を適用したものである。 This example is an application of the present invention to the cleaning device for the wafer holder of the projection exposure apparatus.
図1は、本実施例のクリーニング装置を備えた投影露光装置の要部を示し、この図1において、露光用の照明光のもとで不図示のレチクルのパターンが、投影光学系11を介してウエハ10の各ショット領域に投影露光される。 Figure 1 shows a main part of a projection exposure apparatus having a cleaning device of the present embodiment. In FIG. 1, the pattern of the reticle (not shown) under the illumination light for exposure through the projection optical system 11 It is a projection exposure on each shot area of ​​the wafer 10 Te. 投影光学系11の光軸に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内での直交座標系をX軸及びY軸とする。 Parallel to the optical axis of the projection optical system 11 takes the Z-axis, an orthogonal coordinate system in the plane perpendicular to the Z-axis and X-axis and Y-axis.
【0020】 [0020]
先ず、不図示の防振台上にベース1が設置され、ベース1上に順次Yステージ2、Xステージ4、Zステージ6、回転板7(図2参照)、傾斜板8、及びウエハホルダ9が設置され、ウエハホルダ9上にウエハ10が吸着保持されている。 First, the base 1 is placed on the vibration isolator, not shown, (see FIG. 2) based 1 sequentially Y stage on 2, X-stage 4, Z stage 6, the rotary plate 7, the inclined plate 8, and the wafer holder 9 is installed, the wafer 10 is held by suction on the wafer holder 9. この場合、Yステージ2は駆動モータ3によりY方向に駆動され、Xステージ4は駆動モータ5によりX方向に駆動され、Zステージ6はZ方向にウエハ10の位置決めを行い、回転板7及び傾斜板8によりそれぞれウエハ10の回転角及び傾斜角の補正が行われる。 In this case, Y stage 2 is driven in the Y direction by driving the motor 3, X stage 4 is driven in the X direction by the drive motor 5, Z stage 6 performs positioning of the wafer 10 in the Z direction, the rotary plate 7 and the inclined the correction of the rotational angle and tilt angle of the wafer 10, respectively carried out by a plate 8. また、Zステージ6上にX軸用の移動鏡12X、及びY軸用の移動鏡12Yが固定され、移動鏡12X及び12Yによりそれぞれ干渉計13X及び13Yからの計測用のレーザビームLBX及びLBYが反射され、干渉計13X及び13YによりそれぞれZステージ6のX座標及びY座標が常時モニタされている。 The moving mirror 12X for the X-axis on the Z stage 6, and Y movable mirror 12Y for shaft is fixed, the laser beam LBX and LBY for measurement from each interferometer 13X and 13Y by moving mirror 12X and 12Y are is reflected, X and Y coordinates of the Z stage 6 respectively are always monitored by interferometer 13X and 13Y.
【0021】 [0021]
本実施例のウエハホルダ9の表面にも吸着用の複数の溝(不図示)が形成され、これらの溝中の排気孔が真空ポンプ(不図示)に接続されている。 A plurality of grooves for adsorption to the surface of the wafer holder 9 according to this embodiment (not shown) are formed, exhaust holes in these grooves are connected to a vacuum pump (not shown). また、図2(a)に示すように、Xステージ4の上面に固定されたL字型のガイド37に沿って駆動モータ39によりZ方向に移動できるように、昇降台38が取り付けられ、昇降台38の上面に3本のピン状のウエハ受け渡し部40が植設されている。 Further, as shown in FIG. 2 (a), so as to be movable by a drive motor 39 along the L-shaped guide 37 fixed to the upper surface of the X stage 4 in the Z direction, the elevation frame 38 is attached, the lifting three pin-like wafer delivery section 40 of the are implanted into the upper surface of the platform 38. これら3本のウエハ受け渡し部40は、それぞれウエハホルダ9に設けられた貫通孔に挿通され、ウエハ受け渡し部40は、Z方向に沿ってウエハホルダ9の凸部より低い位置からその凸部より所定幅だけ高い位置までの任意の位置で停止できるようになっている。 These three wafer transfer unit 40 is inserted through a through hole provided in the wafer holder 9 respectively, the wafer transfer unit 40 by a predetermined width than the convex portion from a lower position than the convex portion of the wafer holder 9 along the Z-direction It has to be stopped at an arbitrary position to the high position. 且つ、ウエハ受け渡し部40の中心部には真空吸着用の排気孔が形成され、これらの排気孔は排気ダクト41を介して不図示の真空ポンプに接続されている。 And, in the center of the wafer transfer unit 40 exhaust holes for vacuum suction are formed, these vents are connected via an exhaust duct 41 to a vacuum pump (not shown).
【0022】 [0022]
更に、ウエハホルダ9の表面近くにサーミスタ、熱電対等の温度センサ46が埋設され、ウエハホルダ9の底面にウエハホルダ9を冷却するためのフロリナート等の流体(冷却液)を供給する冷却ホース42が接続されている。 Further, a thermistor near the surface of the wafer holder 9, a temperature sensor 46 such as a thermocouple is embedded, the cooling hoses 42 for supplying fluid (coolant) such as Fluorinert for cooling the wafer holder 9 on the bottom surface of the wafer holder 9 is connected there.
図1に戻り、投影光学系11の側面部に投射光学系14及び受光光学系16よりなる斜入射方式の焦点位置検出系が配置されている。 Returning to Figure 1, the focal position detection system of oblique incidence type consisting of a side portion to the projection optical system 14 and the light-receiving optical system 16 of the projection optical system 11 is disposed. その投射光学系14から、投影光学系11の露光中心にあるウエハ10上の計測点に対して、投影光学系11の光軸に斜めにスリット像15が投影され、ウエハ10からの反射光が受光光学系16内でそのスリット像15を再結像している。 From the projection optical system 14, with respect to the measurement point on the wafer 10 in the exposure center of the projection optical system 11, are slit image 15 obliquely to the optical axis of the projection optical system 11 is projected, reflected light from the wafer 10 It is re-imaged and the slit image 15 in the light receiving optical system 16. ウエハ10がZ方向に変位すると、受光光学系16内で再結像されるスリット像の位置が横ずれし、受光光学系16からはその横ずれ量に対応するフォーカス信号が出力される。 When the wafer 10 is displaced in the Z direction, and lateral position of the slit image is re-imaged in the light receiving optical system 16, the light receiving optical system 16 is output focus signal corresponding to the lateral deviation amount. 従って、そのフォーカス信号からウエハ10のその計測点でのフォーカス位置(Z方向の位置)が検出される。 Thus, the focus position at the measurement point of the wafer 10 from the focus signal (Z direction position) is detected. 本実施例では、Xステージ4、及びYステージ2を駆動して、その焦点位置検出系によりウエハ10の全面でのフォーカス位置の分布を計測することにより、ウエハ10の表面の平面度(フラットネス)を計測する。 In the present embodiment, by driving the X stage 4, and the Y stage 2, by measuring the distribution of the focus position of the entire surface of the wafer 10 by its focal position detection system, the flatness of the surface of the wafer 10 (Flatness ) to measure.
【0023】 [0023]
次に、投影露光装置のベース1の手前側にクリーニング装置17が配置されている。 Next, a cleaning device 17 is disposed on the front side of the base 1 of the projection exposure apparatus. このクリーニング装置17において、ベース1に近接してZ軸駆動部18が設置され、Z軸駆動部18上にZ方向に移動自在に上下移動軸19が設けられ、上下移動軸19の回りに回転自在に、且つ所望の回転角で固定できるように2つの回転アーム20A及び20Bが取り付けられている。 In the cleaning device 17, Z-axis drive section 18 in proximity to the base 1 is installed movably up and down moving shaft 19 in the Z direction is provided on the Z-axis driving unit 18, the rotation around the vertical moving shaft 19 freely, it has two rotary arms 20A and 20B mounted to and can be fixed at a desired rotation angle. 上下移動軸19のZ方向の移動量と、回転アーム20A及び20Bの回転角とは制御部43により制御される。 A moving amount in the Z direction of the vertical movement shaft 19 is controlled by the control unit 43 and the rotation angle of the rotation arm 20A and 20B.
【0024】 [0024]
その一方の回転アーム20Aの先端部の底面にスクラブユニット21が固定され、他方の回転アーム20Bの先端部の底面に紫外線を照射するための照射ユニット22が固定されている。 Scrub unit 21 is fixed to the bottom surface of the tip portion of the one of the rotary arm 20A, the irradiation unit 22 for irradiating ultraviolet rays is fixed to the bottom surface of the tip portion of the other rotating arm 20B. この場合、ウエハホルダ9からウエハ10を取り出して、例えばXステージ4を+X方向に移動し、Yステージ2を−Y方向に移動した状態で、上下移動軸19を下方にスライドさせることにより、ウエハホルダ9上にスクラブユニット21を装着できるようになっている。 In this case, remove the wafer 10 from the wafer holder 9, for example, to move the X stage 4 in the + X direction, while moving the Y stage 2 in the -Y direction, by sliding the vertical moving shaft 19 downward, the wafer holder 9 and to be able to mount the scrub unit 21 upward. その後、上下駆動軸19を上方にスライドさせて、回転アーム20Aを時計方向に回転させた後、回転アーム20Bを時計方向に回転させて上下移動軸19を下方にスライドさせることにより、ウエハホルダ9上に照射ユニット22を装着できるようになっている。 Thereafter, the upper and lower drive shaft 19 is slid upward, after rotating the rotary arm 20A clockwise, by sliding the rotating arm 20B vertically moving shaft 19 is rotated in a clockwise direction downward, the wafer holder 9 on and to be able to mount the illumination unit 22 to. 即ち、本実施例では、上下移動軸19、及び回転アーム20A,20Bの動作により、スクラブユニット21及び照射ユニット22の何れかをウエハホルダ9上に装着できるようになっている。 That is, in this embodiment, the vertical moving shaft 19, and rotation arm 20A, the operation of 20B, which is to be mounted either scrubbing unit 21 and the irradiation unit 22 on the wafer holder 9. また、その際の圧接力は上下移動軸19のZ方向の位置により調整できる。 Further, contact pressure at that time can be adjusted by the position in the Z direction of the vertical moving shaft 19. なお、図1の例では回転アーム20A及び20Bは回転及び上下動ができるのみであるが、回転アーム20A,20Bの途中にスライド機構を設け、回転アーム20A,20Bが更に半径方向に進退できるようにしてもよい。 Incidentally, in the example of FIG. 1 is only rotating arm 20A and 20B can rotate and move up and down, rotating arms 20A, a slide mechanism provided in the middle of 20B, so that the rotary arm 20A, 20B can be further moved in the radial direction it may be.
【0025】 [0025]
次に、図2を参照してスクラブユニット21の構成につき詳細に説明する。 It will now be described in detail configuration of the scrub unit 21 with reference to FIG. 図2(a)は、ウエハホルダ9上にスクラブユニット21を装着した状態を示す断面図、図2(b)は図2(a)のAA線に沿う底面図である。 2 (a) is a sectional view showing a state of mounting the scrub unit 21 on the wafer holder 9, FIG. 2 (b) is a bottom view taken along line AA in FIG. 2 (a). 図2(a)において、回転アーム20Aの底部に上フレーム23がねじ止めされ、上フレーム23を覆うように遮蔽カバー24Aが取り付けられている。 In FIG. 2 (a), is the upper frame 23 is screwed to the bottom of the rotary arm 20A, and the shielding cover 24A is attached to cover the upper frame 23. また、回転アーム20Aの先端上部に駆動モータ26が固定され、駆動モータ26の駆動軸に歯車27Aが嵌着され、歯車27Aに3個の歯車(図2(a)では2個の歯車27B,27Cのみが現れている)が噛合し、これらの歯車は遊星歯車方式で駆動される。 The rotation drive motor 26 to the tip top of the arm 20A is fixed, the gear 27A is fitted to the drive shaft of the drive motor 26, the three gears to the gear 27A (FIGS. 2 (a) in the two gears 27B, 27C only has appeared) meshes, these gears are driven by a planetary gear system. なお、駆動方式はベルト方式や遊星ローラ方式等で代替可能である。 The drive system can be replaced by a belt system and the planetary roller type or the like.
【0026】 [0026]
その歯車27A、及び他の3個の歯車の底面側にベアリング29A等を介して中フレーム30が固定され、中フレーム30の底面に下フレーム34が固定され、下フレーム34の底面側から歯車27A〜27C、及び他の不図示の歯車の軸にそれぞれ駆動ローラ28A〜28C、及び不図示の駆動ローラが結合されている。 As gears 27A, and the other three of the middle frame 30 through a bearing 29A and the like on the bottom side of the gear is fixed, the lower frame 34 is fixed to the bottom surface of the middle frame 30, the gear 27A from the bottom side of the lower frame 34 through 27c, and the other (not shown) each driven roller 28A~28C the axis of the gear, and an unillustrated drive roller is coupled. そして、駆動ローラ28Aの底面に、図2(b)に示すようにそれぞれ面形状が四分円状の板状の有機材料研磨材32A,32D、及び高硬度研磨材33A,33Cが全体として円板となるように固着され、駆動ローラ28B及び28Cの底面にそれぞれ円板状の有機材料研磨材32B及び32Cが固着され、不図示の駆動ローラの底面に円板状の高硬度研磨材33Bが固着されている。 The circle on the bottom surface of the drive roller 28A, FIG. 2 respectively sectional shape as shown in (b) is a quadrant-shaped plate-like organic material abrasive 32A, 32D, and high hardness abrasive 33A, as a whole 33C is It is fixed such that the plate, the drive roller 28B and 28C are bottom in fixed disk-like organic material abrasive 32B and 32C are each, high hardness abrasive 33B bottom surface of the disc-shaped drive roller (not shown) It is fixed. その有機材料研磨材32A〜32Dとしては、ポリビニルアルコール(PVA)のブラシ、ナイロンのブラシ、又はスポンジ等が使用できる。 As the organic material abrasive 32A through 32D, the brush of polyvinyl alcohol (PVA), nylon brush, or sponge, or the like can be used. 一方、高硬度研磨材33A〜33Cとしては砥石等が使用できる。 On the other hand, the grinding wheel or the like can be used as the high-hardness abrasive 33A to 33C.
【0027】 [0027]
それら有機材料研磨材32A〜32D、及び高硬度研磨材33A〜33Cは並列にウエハホルダ9の凸部の表面に圧接されている。 They organic material abrasives 32A through 32D, and high hardness abrasive 33A~33C is pressed against the surface of the convex portion of the wafer holder 9 in parallel. この際に、ウエハ受け渡し部40の先端もウエハホルダ9の凸部の表面と同じ高さに設定され、ウエハ受け渡し部40の先端の清掃もできるようになっている。 At this time, the tip of the wafer transfer unit 40 is also set at the same height as the surface of the convex portion of the wafer holder 9, so that also the cleaning of the tip of the wafer transfer unit 40.
また、歯車27Cと中フレーム30との間に歪ゲージ、半導体圧力センサ等の圧力センサ31が配置され、圧力センサ31によりそれら研磨材32A〜32D、及び33A〜33Cからウエハホルダ9の凸部、及びウエハ受け渡し部40の表面に対する圧接力が検出され、検出信号が図1の制御部43に供給されている。 Further, strain gauge between the middle frame 30 and the gear 27C, the pressure sensor 31 such as a semiconductor pressure sensor is arranged, the convex portion of the wafer holder 9 from which the abrasive 32A through 32D, and 33A~33C by the pressure sensor 31, and pressing force is detected on the surface of the wafer transfer unit 40, the detection signal is supplied to the control unit 43 of FIG. 1. 制御部43は、圧力センサ31の検出信号が所定の圧接力に対応するレベルになるように、上下移動軸19の位置を調整する。 Control unit 43, so that the detected signal of the pressure sensor 31 becomes a level corresponding to a predetermined contact pressure, adjusts the position of the vertical movement shaft 19.
【0028】 [0028]
更に、遮蔽カバー24Aの外側に下フレーム34の側面に対抗するように遮蔽フード36Aが取り付けられ、遮蔽フード36Aには傾斜板8と遮蔽フード36Aとの間の圧接力を検出する圧力センサ35Aが設置され、この圧力センサ35Aの検出信号も図1の制御部43に供給されている。 Furthermore, the shielding hood 36A is mounted so as to oppose the side surface of the lower frame 34 to the outside of the shielding cover 24A, a pressure sensor 35A for detecting the contact pressure between the inclined plate 8 and the shielding hood 36A in shielding hood 36A is installed, the detection signal is also supplied to the control unit 43 of FIG. 1 of the pressure sensor 35A. この場合、研磨材32A〜32D、及び33A〜33Cがウエハホルダ9の凸部の表面に所定の圧接力で圧接されている状態で、遮蔽フード36Aが所定の別の圧接力で傾斜板8に圧接されるようになっている。 Pressure In this case, abrasive 32A through 32D, and in a state where 33A~33C is pressed with a predetermined pressing force to the surface of the convex portion of the wafer holder 9, the shielding hood 36A is inclined plate 8 at a predetermined different contact pressure It is adapted to be. これにより、ウエハホルダ9の清掃時に遮蔽カバー24、及び遮蔽フード36Aの内部が密閉される。 Thus, the shielding cover 24 during the cleaning of the wafer holder 9, and the interior of the shielding hood 36A is sealed. なお、図1の制御部43は、圧力センサ35Aの検出出力に応じてスクラブユニット21を上下動することも可能である。 The control unit 43 of FIG. 1, it is possible to move up and down the scrub unit 21 in response to the detection output of the pressure sensor 35A.
【0029】 [0029]
また、上フレーム23の上部の排気孔は、排気ダクト25を介して不図示の吸引装置に接続され、排気ダクト25を介して、遮蔽カバー24、及び遮蔽フード36A内で発生する異物、塵埃等は総て吸引されるようになっている。 Further, the upper portion of the exhaust hole of the upper frame 23 via the exhaust duct 25 is connected to a suction device, not shown, through the exhaust duct 25, foreign materials generated in the shielding cover 24, and the shielding hood 36A, dust It is adapted to be sucked all the. 更に、排気ダクト25には排気圧力センサ(不図示)が接続され、この排気圧力センサにより排気の監視が行われている。 Further, the exhaust duct 25 is connected an exhaust pressure sensor (not shown), the monitoring of the exhaust is carried out by the exhaust pressure sensor. なお、排気圧力センサは排気流速センサにより代替可能である。 The exhaust pressure sensor can be replaced by the exhaust flow rate sensor.
【0030】 [0030]
本実施例において、図2(a)の駆動モータ26を回転させることにより、図2(b)に示すように有機材料研磨材32A,32D及び高硬度研磨材33A,33Cよりなる円板が時計方向に回転し、それによって有機材料研磨材32B、有機材料研磨材32C、及び高硬度研磨材33Bがそれぞれ反時計方向に回転し、且つこれら有機材料研磨材32B、有機材料研磨材32C、及び高硬度研磨材33Bは同期して下フレーム34の輪帯状の開口中をθ方向に回転する。 In the present embodiment, by rotating the drive motor 26 of FIG. 2 (a), the organic material abrasives 32A as shown in FIG. 2 (b), 32D and high hardness abrasive 33A, a disc made of 33C Clock rotates in the direction, whereby the organic material abrasives 32B, an organic material abrasives 32C, and high hardness abrasive 33B is rotated in the counterclockwise direction, respectively, and these organic materials abrasives 32B, an organic material abrasives 32C, and high hardness abrasive 33B rotate through the annular opening of the lower frame 34 in the θ direction synchronously. これにより、ウエハホルダ9の全面が有機材料研磨材、及び高硬度研磨材により交互に清掃される。 Thus, the entire surface of the wafer holder 9 is cleaned alternately by organic materials abrasives, and high hardness abrasive. また、この際に発生する異物、塵埃等は総て排気ダクト25を介して吸引される。 Further, foreign materials generated during this, dust or the like is sucked through all exhaust duct 25. 従って、種々の異物が効率的にほぼ完全にウエハホルダ9の凸部、及びウエハ受け渡し部40の表面から落とされると共に、落とされた異物は外部に排出されて再付着することがない。 Accordingly, various foreign matter protrusions efficiently almost completely wafer holder 9, and with dropped from the surface of the wafer transfer unit 40, the dropped foreign matter not be re-attached is discharged to the outside.
【0031】 [0031]
次に、図3及び図4を参照して照射ユニット22の構成につき詳細に説明する。 It will now be described in detail configuration of the irradiation unit 22 with reference to FIGS. 図3は、ウエハホルダ9上に照射ユニット22を装着し、且つウエハ受け渡し部40の先端の高さをウエハホルダ9の凸部の高さに合わせた状態を示す断面図であり、図4は図3に対してウエハ受け渡し部40をZ方向に上昇させた状態を示す断面図である。 Figure 3 is fitted with a radiation unit 22 over the wafer holder 9, and a sectional view showing a state that matches the height of the convex portion of the wafer delivery section 40 of the tip of the height holder 9, Figure 4 Figure 3 it is a sectional view showing a state in which the wafer transfer unit 40 is raised in the Z direction with respect.
【0032】 [0032]
図3において、回転アーム20Bの底面にフレーム51がねじ止めされ、フレーム51の側面に遮蔽カバー24Bが取り付けられ、遮蔽カバー24Bの内側に固定されたランプ保持金具55に4個の紫外線ランプ56A,56B(他の2個は図3の紙面に垂直な方向に配置されている)が保持されている。 3, the rotating arm 20B is the bottom in the frame 51 screwed in, the shielding cover 24B is attached to the side of the frame 51, fixed to the inside of the shielding cover 24B ramp holding metal fitting 55 to the four ultraviolet lamps 56A, 56B (the other two are arranged in a direction perpendicular to the paper surface in FIG. 3) is held. 遮蔽カバー24Bと紫外線ランプ56A,56Bとの間に紫外線を下方に反射する反射板54が配置され、反射板54内の開口を介してフレーム51中にフォトダイオード等からなる紫外線光量センサ53が設けられている。 Shielding cover 24B and the ultraviolet lamp 56A, it is disposed reflector 54 for reflecting the ultraviolet downwardly between 56B, ultraviolet light quantity sensor 53 composed of a photodiode or the like is provided in the frame 51 through the opening in the reflector 54 It is. 紫外線光量センサ53での照度に対応した検出信号が電源部44に供給され、電源部44はその照度が所定値になるように紫外線ランプ56A,56Bに電力を供給する。 Detection signal corresponding to the intensity of the ultraviolet light quantity sensor 53 is supplied to the power supply unit 44, the power supply unit 44 supplies the illuminance ultraviolet lamps 56A to a predetermined value, the power to 56B.
【0033】 [0033]
また、遮蔽カバー24Bから傾斜板8までを覆うように遮蔽フード36Bが設けられ、遮蔽フード36Bの表面に圧接力を検出するための圧力センサ35Bが取り付けられ、圧力センサ35Bの検出信号も図1の制御部43に供給されている。 Further, the shielding cover 24B shields hood 36B so as to cover up the inclined plate 8 is provided from the shielding pressure sensor 35B for detecting the pressing force on the surface of the hood 36B are attached, the detection signal also FIG pressure sensor 35B 1 It is supplied to the control unit 43 of the. 制御部43は、その圧力センサ35Bからの検出信号に基づいて、遮蔽フード36Bから傾斜板8に対する圧接力が予め定められた圧接力になるように、上下移動軸19の位置を調整する。 Control unit 43 based on the detection signal from the pressure sensor 35B, so that the pressing force pressing force is predetermined for the inclined plate 8 from the shield hood 36B, adjusts the position of the vertical movement shaft 19.
【0034】 [0034]
図3において、紫外線ランプ56A,56Bが点灯されると、その紫外線の照射領域でオゾン(O )、二酸化炭素(CO )や水蒸気(H O)が発生するが、これらの拡散は遮蔽カバー24B、及び遮蔽フード36Bにより防止される。 3, when the ultraviolet lamp 56A, 56B is turned, ozone (O 3) in the irradiation area of the ultraviolet, although carbon dioxide (CO 2) and water vapor (H 2 O), is generated, these diffusion shield cover 24B, and is prevented by the shielding hood 36B. 更に、フレーム51の中央部、及び回転アーム20Bを貫通する孔に排気ダクト52を介して吸引ポンプ(不図示)が連結され、遮蔽カバー24B、及び遮蔽フード36B内で発生する気体等はその排気ダクト52を介して外部に排出されるようになっている。 Furthermore, the central portion of the frame 51, and is connected a suction pump into a hole passing through the rotating arm 20B through the exhaust duct 52 (not shown), the gas and the like generated by the shielding cover 24B, and the shielding hood 36B has an exhaust and it is discharged to the outside through the duct 52.
【0035】 [0035]
更に、ウエハホルダ9内の温度センサ46の検出信号が冷却装置45に供給され、冷却装置45は、ウエハホルダ9の温度が許容値を超えた場合には、冷却ホース42を介して冷却液をウエハホルダ9の底面に供給する。 Furthermore, the detection signal of the temperature sensor 46 of the wafer holder 9 is supplied to the cooling device 45, cooling device 45, when the temperature of the wafer holder 9 has exceeded the allowable value, wafer holder coolant through the cooling hose 42 9 supplied to the bottom of. これにより、紫外線照射によるウエハホルダ9の温度上昇が防止される。 Accordingly, the temperature rise of the wafer holder 9 by ultraviolet irradiation is prevented.
なお、図2のスクラブユニット21では、ウエハ受け渡し部40の先端の清掃を行うことはできたが、その側面の清掃を行うのは困難であった。 In the scrubbing unit 21 in FIG. 2, although able to perform the cleaning of the tip of the wafer transfer unit 40, it is difficult to clean the sides. それに対して、本例の照射ユニット22では、図4に示すように、ウエハ受け渡し部40の先端部をウエハホルダ9の上面より高さHだけ突き出して保持することにより、ウエハ受け渡し部40の上面(吸着面)のみならず、側面にも紫外線を照射できるようになっている。 In contrast, the irradiation unit 22 of the present embodiment, as shown in FIG. 4, by holding the distal end portion of the wafer transfer unit 40 protrudes by a height H than the upper surface of the wafer holder 9, the upper surface of the wafer transfer unit 40 ( not suction surface) only, which is to be irradiated with ultraviolet light to side. これにより、ウエハ受け渡し部40の側面の異物をも除去できる。 This allows also remove foreign side of the wafer transfer unit 40.
【0036】 [0036]
次に、本実施例において投影露光装置のウエハホルダ9及びウエハ受け渡し部40の上面の清掃を行う場合の動作の一例につき図7及び図8のフローチャートを参照して説明する。 It will now be described with reference to the flowcharts of FIGS. 7 and 8 an example of the operation when cleaning the upper surface of the wafer holder 9 and the wafer transfer unit 40 of the projection exposure apparatus per the present embodiment. 本フローチャートは投影露光装置が紫外線の照射ユニット22及びスクラブユニット21の両方を備えている場合で、両ユニットを切り換えて使用する場合の動作を示す。 This flowchart in the case where the projection exposure apparatus is equipped with both of the irradiation unit 22 and the scrub unit 21 of the ultraviolet, showing an operation when switched for use with both units.
【0037】 [0037]
まず、図7のステップ101において、ウエハローダ系(不図示)から図1のウエハホルダ9上に突き出したウエハ受け渡し部40(図4参照)に露光対象のウエハ10が渡された後、そのウエハ受け渡し部40が下降してウエハホルダ9上にウエハ10が真空吸着される。 First, in step 101 of FIG. 7, after the wafer 10 to be exposed is passed to the wafer transfer unit 40 projecting from wafer loader system (not shown) on the wafer holder 9 of FIG. 1 (see FIG. 4), the wafer delivery section 40 wafer 10 is vacuum adsorbed on the holder 9 descends. その後、Yステージ2及びXステージ4を介してウエハ10を2次元的に移動させながら、投射光学系14及び受光光学系16よりなる焦点位置検出系を介してウエハ10のフラットネス(平面度)を測定する。 Then, while moving the wafer 10 two-dimensionally via a Y stage 2 and the X stage 4, the flatness of the wafer 10 through the focal position detection system consisting of the projection optical system 14 and the light-receiving optical system 16 (flatness) to measure. 次のステップ102において、そのフラットネスの測定結果が予め決められた許容値内であれば、ステップ103に移行してそのウエハ10に対する露光シーケンスが継続される。 In the next step 102, the long flatness measurement results are determined in advance within allowable values, exposure sequence for the wafer 10 continues the process proceeds to step 103.
【0038】 [0038]
しかし、そのフラットネスの計測結果が許容値を超えた場合にはステップ104に移行し、本例の投影露光装置が自動清掃モードに設定されているか否かを判断する。 However, when the flatness of the measurement result exceeds the allowable value, the process proceeds to step 104, the projection exposure apparatus of this embodiment determines whether it is set to the automatic cleaning mode. 仮に、自動清掃モードに設定されていない場合はステップ112に移行して、フラットネスが許容値を超えたという警告表示を行った後に、ステップ113で予めホストコンピュータに記憶されている処理、又はオペレータコールによりオペレータに指示された処理を実行し、その後のステップ114で露光を終了する。 Assuming that is not set to the automatic cleaning mode, the process proceeds to step 112, after performing a warning display of flatness exceeds an allowable value, the processing which is stored in advance in the host computer in step 113, or the operator called by executing the processing instructed by the operator to end the exposure in the subsequent step 114.
【0039】 [0039]
一方、ステップ104で自動清掃モードに設定されている場合は、ウエハホルダ9の過度の清掃による損傷を防止するために用意されている清掃設定回数パラメータの値をステップ105で評価する。 On the other hand, if it is set to automatic cleaning mode in step 104, to evaluate the value of the cleaning set number parameters provided to prevent damage due to excessive cleaning of the wafer holder 9 at step 105. 既に清掃設定回数パラメータの値が所定の設定値までカウントアップされている場合は、ステップ112に移行して警告表示を行った後に、ステップ113へ進む。 If you already have the value of the cleaning set count parameter is incremented to a predetermined set value, after the transition to warning display to step 112, the process proceeds to step 113. 清掃設定回数パラメータの値が設定値以下である場合は、ステップ106にて同じウエハ10を用いてフラットネスの再計測を行う。 If the value of the cleaning set count parameter is equal to or less than the set value, to re-measure the flatness by using the same wafer 10 at step 106. 再計測された結果が許容値内となった場合はステップ102に処理が移り、それ以後のシーケンスは前述の通りとなる。 Result of the re-measurement if falls within the allowable value processing switches to step 102, will be as described above subsequent sequence.
【0040】 [0040]
しかし、再測定結果が許容値を再度逸脱した場合は、ステップ107に移行して測定されたウエハ10をアンロードカセット(不図示)に収納し、次にステップ108において、スクラブユニット21がウエハホルダ9上に自動的に装着される。 However, if the re-measurement result deviates from the allowable value again, then placed the wafer 10 measured proceeds to step 107 to unload the cassette (not shown), then in step 108, the scrub unit 21 is wafer holder 9 It is automatically attached to the top. 即ち、Xステージ4、Yステージ2はそれぞれ清掃位置に移動し、スクラブユニット21の回転アーム20Aがウエハホルダ9の方向に回転した後、上下移動軸19と共にスクラブユニット21はウエハホルダ9側に垂直下方へ移動して図2(a)のような状態となる。 That is, to move the X stage 4, Y stage 2 each cleaning position, after the rotation arm 20A of the scrub unit 21 is rotated in the direction of the wafer holder 9, scrub unit 21 with the vertical moving shaft 19 is vertically downward into the wafer holder 9 side moving to the state shown in FIG. 2 (a).
【0041】 [0041]
なお、露光時には、スクラブユニット21及び紫外線の照射ユニット22は図1に示す如く、Xステージ4、及びYステージ2の移動ストローク範囲外で待機しており、露光動作を一切妨げないようになっている。 At the time of exposure, scrubbing unit 21 and the irradiation unit 22 of the ultraviolet rays as shown in FIG. 1, is waiting in the moving stroke range of the X stage 4, and the Y stage 2, is an exposure operation so as not to interfere at all there.
図2(a)のようにスクラブユニット21が装着された後、ステップ109において、図2(b)に示す高硬度研磨材33A〜33Cと有機材料研磨材32A〜32Dのウエハホルダ9に対する圧接力を圧力センサ31で検出し、かつ遮蔽フード36Aの傾斜板8に対する圧接力を圧力センサ35Aで検出する。 After scrubbing unit 21 is attached as shown in FIG. 2 (a), in step 109, the pressing force against the wafer holder 9 of the high-hardness abrasive 33A~33C and organic materials abrasive 32A~32D shown in FIG. 2 (b) detected by the pressure sensor 31, and detects the pressing force against the inclined plate 8 of the shielding hood 36A by the pressure sensor 35A. この検出結果のどちらか一方でも、予め決められた圧接力に所定の許容範囲内で合致しない判定された場合は、ステップ112に移行して警告等の処理が行われる。 But either one of the detection result, when it is determined not to match within a predetermined tolerance to a predetermined contact pressure, processing warning or the like is performed proceeds to step 112.
【0042】 [0042]
両方の圧接力共に設定圧接力に合致した場合は、更に排気ダクト25による排気が正常であるかどうかが、不図示の排気圧力センサの検出信号により判定される。 And if the number matches the set pressing force to both of the pressure contact force both whether there are more exhaust gas by the exhaust duct 25 is normal is determined by the detection signal of the exhaust pressure sensor (not shown). 排気ダクト25による排気は、スクラブユニット21の装着直前から開始されている。 The exhaust gas by the exhaust duct 25 is started from the mounting immediately before the scrub unit 21. 排気が正常でない場合にはステップ112に移行してエラー対策が実行され、排気が正常である場合には、ステップ110に移行して、予め設定されたスクラブ設定時間が経過するまでスクラブユニット21の駆動モータ26を回転させて、ウエハホルダ9及びウエハ受け渡し部40の上面のスクラブ(拭き取り、及び削り取り)を行う。 Exhaust runs error measures proceeds to step 112, if not normal, when the exhaust is normal, the process proceeds to step 110, the scrub unit 21 until the elapse of the preset scrub set time the drive motor 26 rotates, the wafer holder 9 and scrubbing the top surface of the wafer transfer unit 40 (wiping and scraping) performs. この際に、駆動ローラ28A,28B,…は各々自転し、且つ周辺の駆動ローラ28B,28C,…は遊星回転を行うため、高硬度研磨材33A〜33C、及び有機材料研磨材32A〜32Dはウエハホルダ9及びウエハ受け渡し部40の表面を摺動する。 At this time, the drive roller 28A, 28B, ... is being rotated, respectively, and for the periphery of the drive roller 28B, 28C, ... to perform a planetary rotation, high hardness abrasive 33A to 33C, and organic materials abrasive 32A~32D is sliding surface of the wafer holder 9 and the wafer transfer unit 40. スクラブ後、ステップ111において、スクラブユニット21をウエハホルダ9から上方に離脱させ、更に上昇及び回転を行わせることにより、スクラブユニット21を元の待機位置へ移動させる。 After scrubbing, in step 111, to disengage the scrub unit 21 from the wafer holder 9 upwards, by further performing the raising and rotation, move the scrub unit 21 to the original standby position.
【0043】 [0043]
次に、図8のステップ115において、紫外線の照射ユニット22が自動的にウエハホルダ9上に装着される。 Next, in step 115 of FIG. 8, the irradiation unit 22 of the ultraviolet rays are automatically mounted on the wafer holder 9. 前述の通り、図1に示す露光時には照射ユニット22も、Xステージ4、及びYステージ2の移動ストロークの範囲外で待機しており、露光動作を一切妨げない状態を保持している。 As described above, the irradiation unit 22 during the exposure shown in FIG. 1 also stands by outside the range of the movement stroke of the X stage 4, and the Y stage 2 holds the state that does not interfere with the exposure operation at all. 照射ユニット22の自動装着の方法はスクラブユニット21の場合と同様である。 The method of automatic mounting of the irradiation unit 22 are similar to those of the scrub unit 21.
【0044】 [0044]
それに続くステップ116では、スクラブユニット21の場合に行うステップ109での排気チェックより詳細な部分排気チェックがソフトウェア的に行われる。 At step 116 subsequent detailed partial exhaust check the exhaust check at step 109 performed when the scrub unit 21 is performed by software. これは、以下の化学反応が図3(又は図4)の遮蔽カバー24B及び遮蔽フード36Bの内側で行われるためである。 This is because the following chemical reactions take place inside the shielding cover 24B and the shielding hood 36B in FIG. 3 (or FIG. 4). 即ち、紫外線ランプ56A,56Bが発光を始めると、本例では波長185nm及び254nmの紫外線が連続発光し、各々の波長は以下の2つの化学反応を連続して引き起こす。 That is, the ultraviolet lamp 56A, the 56B starts the light emission, ultraviolet ray having a wavelength of 185nm and 254nm are continuously emitted in this example, each wavelength causes continuously following two chemical reactions. 但し、以下の式において、hはプランク常数、νは光の周波数であり、hνはその光のエネルギーを表す。 However, in the following formulas, h is the frequency of Planck's constant, [nu light, hv represents the energy of the light.
【0045】 [0045]
【化1】 [Formula 1]
3O +hν(波長185nm)→2O 3O 2 + hν (wavelength 185nm) → 2O 3
【0046】 [0046]
【化2】 ## STR2 ##
+hν(波長254nm) →O +O O 3 + hν (wavelength 254nm) → O 2 + O *
この式で、O は原子状酸素を示す。 In this formula, O * denotes atomic oxygen. これは、遮蔽カバー24B及び遮蔽フード36B内に、オゾン(O )と原子状酸素(O )とが発生することを意味する。 This is the shielding cover 24B and the shielding hood 36B, ozone (O 3) and the atomic oxygen (O *) is meant to occur.
【0047】 [0047]
同時にウエハホルダ9及びウエハ受け渡し部40上の残存レジスト、並びに有機材料研磨材32A〜32D(18a)の離脱小片は共に有機物であるため、前述の化学反応の他に以下の化学反応を引き起こす。 At the same time the wafer holder 9 and the residual resist on the wafer transfer unit 40, and for leaving a small piece of organic material abrasive 32A through 32D (18a) are both organic and cause the following chemical reaction in addition to the aforementioned chemical reactions. つまり、有機物(炭化水素等)は炭素C、水素H、及び酸素Oの原子より構成されているが、C−H等の結合エネルギーは前述の紫外線のエネルギーhνより小さいため、個々の結合が以下のように切断される。 That is, organic (hydrocarbon, etc.) is composed of atoms of carbon C, hydrogen H, and oxygen O, since the bond energy of such C-H is less than the energy hν of the aforementioned ultraviolet, individual bonds less It is cut as.
【0048】 [0048]
【化3】 [Formula 3]
C−H+hν(波長254nm及び185nm)→C+H C-H + hν (wavelength 254nm and 185nm) → C + H
また、このように切断された炭素原子(C)及び水素原子(H)は前述の化学反応で発生したオゾン(O )及び原子状酸素(O )と結合し、以下のように二酸化炭素(CO )、及び水(H O)が発生する。 The thus cut the carbon atom (C) and hydrogen atoms (H) is combined with the above-mentioned chemical reaction generated ozone (O 3) and atomic oxygen (O *), carbon dioxide as follows (CO 2), and water (H 2 O) is generated.
【0049】 [0049]
【化4】 [Of 4]
C+2H+O +O → CO +H C + 2H + O 2 + O * → CO 2 + H 2 O
以上の化学反応は一般的に知られているが、上述の反応生成物をウエハホルダ9上から排除するために排気ダクト52を介して排気が行われている。 Although above chemical reactions are generally known, exhausted through the exhaust duct 52 in order to eliminate the reaction products described above from wafer holder 9 is carried out. 万一、排気が十分に(正常に)行われていない場合は、図1のステップ112に移行して警告表示を行い前述の処理が行われる。 Should the exhaust is not sufficiently (normally), the process described above a warning display proceeds to step 112 of FIG. 1 is performed. 排気が十分に行われている場合は、ステップ117に移行して紫外線ランプ56A,56Bを点灯させる。 If the exhaust is sufficiently performed, the ultraviolet lamps 56A proceeds to step 117 to turn on the 56B. この際に供給される電力(電流)は例えば所定の一定の規格電力である。 Power (current) supplied at this time is a predetermined constant standard power, for example. 次にステップ118で、紫外線光量センサ53の検出信号をモニタする。 In step 118, it monitors the detection signal of the ultraviolet light quantity sensor 53.
【0050】 [0050]
その後、紫外線ランプ56A,56Bの照度が正常であるときには、紫外線照射過程は発熱を伴うため、ステップ119で温度センサ46の検出信号に基づいてウエハホルダ9の温度が正常であるかどうかを判定する。 Thereafter, when the ultraviolet lamp 56A, the illuminance of 56B is normal, since the ultraviolet radiation process is exothermic, it is determined whether the temperature of the wafer holder 9 is normal based on the detection signal of the temperature sensor 46 at step 119. この際に、冷却装置45によるウエハホルダ9の冷却は行われているが、それでもウエハホルダ9の温度が設定値より上昇した場合は、冷却装置45の冷却能力を高めて対応する。 At this time, the cooling is done in the wafer holder 9 by the cooling device 45, still when the temperature of the wafer holder 9 rises above the set value, corresponding to increase the cooling capacity of the cooling device 45. また、それでもまだ不十分な場合は紫外線ランプ56A,56Bの発光パワーを下げて照射を継続する。 Moreover, if it's still not sufficient to continue the irradiation lowers the emission power of the ultraviolet lamp 56A, 56B. このような対策を施しても、仮にウエハホルダ9の温度が高くなり過ぎた場合には、ステップ120で警告表示を行った後に、ステップ122に移行して紫外線ランプ56A,56Bの照射を停止させる。 Even with such measures, if in the case where the temperature of the wafer holder 9 becomes too high, after the warning is displayed in step 120, the ultraviolet lamps 56A proceeds to step 122, to stop the irradiation of 56B. ウエハホルダ9の温度が正常であれば、ステップ121に移行して紫外線の照射時間が終了したかどうかを判定する。 If normal temperature of the wafer holder 9 determines if the irradiation time of ultraviolet rays is finished the process proceeds to step 121.
【0051】 [0051]
本実施例では、予め設定された積算照射エネルギーが得られるように紫外線ランプ56A,56Bの照射時間の制御を行う。 In this embodiment, the ultraviolet lamp 56A, the control 56B irradiation time performed such that predetermined total irradiation energy obtained. 一般的に紫外線ランプ(特に低圧水銀灯)は、図5に示すような点灯時間Tに対する照射パワーの変動特性を持ち、供給電力及び照射時間が同じ場合には、初期の時刻t からの積算照射量と、例えば1000時間点灯した後の時刻t 1000からの積算照射量とでは全く異なってしまう。 Generally UV lamp (especially low-pressure mercury lamp) has a variation characteristic of the irradiation power for lighting time T as shown in FIG. 5, when the supply power and the irradiation time are the same, the total irradiation from an initial time t 0 amount and a total irradiation amount from the time t 1000 after the lighting, for example, 1000 hours thus quite different in. そこで、紫外線光量センサ53の検出信号を積分することにより、所望の積算照射量が得られたときに照射時間終了と判定するようにする。 Therefore, by integrating the detection signal of the ultraviolet light quantity sensor 53, so as to determine the end irradiation time when the desired integrated irradiation dose is obtained.
【0052】 [0052]
具体的に、図6に示すように、時刻t から紫外線ランプの発光を開始すると、その照射量[mW/cm ]は曲線57Aのように変化し、時刻t 1000から紫外線ランプの発光を開始すると、その照射量は曲線57Bのように変化し、曲線57Bの収束値は曲線57Aの収束値より小さくなっている。 Specifically, as shown in FIG. 6, when starting the light emission of the ultraviolet lamp from the time t 0, the irradiation amount [mW / cm 2] changes as a curve 57A, the light emission of the ultraviolet lamp from the time t 1000 After starting, the irradiation amount is changed as shown by the curve 57B, the convergence of the curve 57B is smaller than the convergence value of the curve 57A. 従って、所定の積算照射量を得るためには、時刻t から照射する場合には照射時間をT1として、時刻t 1000から照射する場合には照射時間をT2(T2>T1)として、曲線57Aの積算面積58Aと曲線57Bの積算面積58Bとを等しくすればよい。 Therefore, in order to obtain a predetermined total irradiation amount, as T1 and irradiation time when irradiating from time t 0, the irradiation time as T2 (T2> T1) in the case of irradiation at time t 1000, curve 57A of the integrated area 58B of integrated area 58A and the curve 57B may be equally. この場合、積算面積58A及び58Bは、それぞれ紫外線光量センサ53の検出信号の積分値に所定の係数を乗じて得られる値であるため、どの時点から照射を行う場合でも、紫外線光量センサ53の検出信号の積分値が所定の値になるように照射時間を設定すればよい。 In this case, an integrated area 58A and 58B are the values ​​obtained by multiplying a predetermined coefficient to the integral value of the respective detection signals of the ultraviolet light intensity sensor 53, even when the irradiation is performed from any point, the detection of ultraviolet light amount sensor 53 integrated value of the signal may be set irradiation time to a predetermined value.
【0053】 [0053]
所定の積算照射量に達していない場合には、ステップ116に戻り、以下所定の積算照射量が得られるまでステップ116〜119の動作が繰り返される。 If it does not reach a predetermined total irradiation amount, the process returns to step 116, the following operation steps 116-119 until a predetermined total irradiation amount is obtained are repeated. この際のステップ118では、紫外線光量センサ53の検出信号を使って、紫外線ランプ56A,56Bの不良又は寿命の検出を行っている。 At step 118 during this, by using the detection signal of the ultraviolet light amount sensor 53, an ultraviolet lamp 56A, which performs the detection of defects or lifespan of 56B. 即ち、紫外線ランプ56A,56Bが不点灯になるか、又は著しく発光光量が低下して照射時間が長くなり過ぎるような場合には、図1のステップ112へ移行して警告表示を行った後に前述の処理を行う。 That is, the ultraviolet lamp 56A, when 56B is put in the non-lighting, or significantly emission light quantity, such as too long irradiation time decreases the aforementioned after the warning the operation proceeds to Step 112 in FIG. 1 carry out the process.
【0054】 [0054]
ステップ121で積算照射量が所定の値に達して、照射時間が終了した場合には、ステップ122で紫外線照射が停止され、次のステップ123で予め設定された時間だけ排気ダクト52を介した排気を続行しながら待機する。 And integrated irradiation dose in step 121 has reached a predetermined value, when the irradiation time is completed, UV irradiation is stopped in step 122, through the exhaust duct 52 for a preset time in the next step 123 the exhaust continue the while to wait. これは紫外線ランプ56A,56Bが消灯しても、ウエハホルダ9等が即時には冷却されない場合、及び遮蔽カバー24B、及び遮蔽フード36Bの内側に前述の反応生成物が残存している場合があるためである。 This ultraviolet lamp 56A, even 56B is turned off, if the wafer holder 9 or the like is not cooled immediately, and the shield cover 24B, and the inside of the shielding hood 36B because there is a case where the reaction product described above is remained is there.
【0055】 [0055]
照射ユニット22をウエハホルダ9上に装着した状態、即ち紫外線照射位置で設定された時間だけ照射ユニット22を待機させた後、ステップ124において照射ユニット22をウエハホルダ9から上方に離脱させ、更に回転及び上昇させてその照射ユニット22を図1に示す元の待機位置へ移動させる。 State of mounting the illumination unit 22 onto the wafer holder 9, namely after only to wait for the irradiation unit 22 time set by UV irradiation position, is disengaged upward irradiation unit 22 from the wafer holder 9 in step 124, further rotation and increase by moving the irradiation unit 22 to the original standby position shown in FIG.
次のステップ125において、各種の異常による紫外線照射停止以外の場合、即ち正常に終了した場合には、ステップ126で清掃の状態を投影露光装置本体の制御部に記録し、清掃終了表示を行った後、ステップ101へ再度処理が移ることになる。 In the next step 125, otherwise the ultraviolet irradiation stop with various abnormalities, i.e., if successful, the state of the cleaning was recorded in the control unit of the projection exposure apparatus main body in step 126, a sweep was performed end indication after, so that again the process proceeds to step 101. なお、図7及び図8に示されているシーケンスは、選択可能なシーケンスの内の1つであり、種々の動作の組み合わせをウエハホルダ9やウエハ受け渡し部40の表面の汚染状態に合わせて随時選択することが可能である。 Incidentally, the sequence shown in FIGS. 7 and 8 is one of the selectable sequence, optionally selected according to a combination of various operating contaminated state of the surface of the wafer holder 9 and wafer delivery section 40 it is possible to. 例えば、長時間自動清掃モードをオフにしていたため、ウエハホルダ9を清掃していなかった状態が続いた後には、ウエハホルダ9の表面が疎水性表面になっていることが考えられるため、清掃時には最初に照射ユニット22を用いて紫外線照射を行った後で、スクラブユニット21を用いてスクラブ清掃を行うといったシーケンスを選択することが可能である。 For example, because it was turned off for a long time automatic cleaning mode, after a state continues in which did not clean the wafer holder 9, since it is considered that the surface of the wafer holder 9 is in a hydrophobic surface, the first during cleaning after performing ultraviolet irradiation using an irradiation unit 22, it is possible to select a sequence such performs scrub cleaning using a scrubbing unit 21.
【0056】 [0056]
また、紫外線照射中にウエハ受け渡し部40を上下させて、ウエハホルダ9にあるウエハ受け渡し部40用の開口の内側や、ウエハ受け渡し部40の先端だけでなくその側面に付着した有機物(残存レジストや塵埃)を除去するシーケンスを備えてもよい。 Further, the vertical is not the wafer transfer unit 40 during the ultraviolet irradiation, the inner and the opening of the wafer transfer unit 40 in the wafer holder 9, organic substances adhering to the side as well as the tip of the wafer transfer unit 40 (the remaining resist and dust ) may comprise a sequence for removing.
なお、本発明は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。 The present invention is not restricted to the above-described embodiments, it is a matter of course can take various configurations without departing from the gist of the present invention.
【0059】 [0059]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
本発明の第1の露光装置用のクリーニング装置によれば、紫外線の照射により異物を二酸化炭素や水蒸気等に分解し、これらの気体を排気するようにしているため、基板保持部材(ウエハホルダ)上の真空吸着溝や真空吸着孔のように研磨剤では清掃できないような場所に入り込んだ残存レジストや塵埃等を容易に除去できる利点がある。 According to the cleaning device for the first exposure apparatus of the present invention, since the foreign matter is decomposed into carbon dioxide and water vapor or the like, so as to exhaust these gases are by irradiation with ultraviolet rays, the substrate holding member (wafer holder) on in abrasive as vacuum suction grooves and vacuum suction hole can advantageously be easily removed intruded remaining resist or dust in a location that can not be cleaned.
【0060】 [0060]
同時に、紫外線照射により引き起こされる化学反応により、基板保持部材(ウエハホルダ、ウエハ受け渡し部)の表面が親水性化されるため、残存レジストや塵埃等が固着しにくく(こびりつきにくく)なっている。 At the same time, by a chemical reaction induced by UV irradiation, the substrate holding member (wafer holder, a wafer transfer unit) for the surface of is hydrophilized, the residual resist or dust does not easily fixed (hard to sticking). 加えて、付着したレジストや塵埃等が除去し易くなったため、清掃頻度を減少させることが可能となった。 In addition, since the deposited resist or dust becomes easy to remove, it becomes possible to reduce the frequency of cleaning.
この際に、照度検出手段の検出結果に基づいて光源の発光強度を制御することにより、例えば積算照射量が所定値に達した時点で照射を停止させることができる。 At this time, by controlling the emission intensity of the light source based on the detection result of the illuminance detecting means can be for example integrated irradiation dose stops the irradiation when it reaches a predetermined value. また、基板保持部材の温度に基づいてその基板保持部材を冷却する場合には、紫外線照射による基板保持部材の温度上昇を防ぐことができる。 Further, when cooling the substrate holding member based on the temperature of the substrate holding member can prevent the temperature rise of the substrate holding member by ultraviolet irradiation.
【0061】 [0061]
更に、本発明の第2の露光装置用のクリーニング装置によれば、複数の清掃部材を摺動させる方式と、紫外線照射による方式とを切り換えて使用できるため、種々の異物を自動的に且つ容易に除去できる利点がある。 Furthermore, according to the cleaning device for the second exposure apparatus of the present invention, a method of sliding the plurality of cleaning members, because it can be used by switching between scheme by ultraviolet irradiation, automatically and easily the various foreign substances there is an advantage that can be removed.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明によるクリーニング装置の一実施例を備えた投影露光装置の要部を示す斜視図である。 It is a perspective view showing a main portion of a projection exposure apparatus having an embodiment of a cleaning device according to the invention; FIG.
【図2】(a)はウエハホルダ9上にスクラブユニット21を装着した状態を示す断面図、(b)は図2(a)のAA線に沿った底面図である。 Figure 2 (a) is a sectional view showing a state of mounting the scrub unit 21 on the wafer holder 9 is a bottom view taken along line AA in (b) FIG. 2 (a).
【図3】ウエハホルダ9上に紫外線の照射ユニット22を装着し、ウエハ受け渡し部40の高さをウエハホルダ9の高さに合わせた状態を示す断面図である。 [3] The irradiation unit 22 of the ultraviolet rays mounted on the wafer holder 9 is a cross-sectional view showing a state where combined height of the wafer transfer unit 40 to the height of the wafer holder 9.
【図4】図3の状態からウエハ受け渡し部40の高さをウエハホルダ9より高くした場合を示す拡大断面図である。 4 is an enlarged cross-sectional view from the state of FIG. 3 shows the case where the height of the wafer transfer unit 40 is higher than the wafer holder 9.
【図5】一般的な紫外線ランプの点灯時間に対する照射パワーの変化を示す図である。 5 is a diagram showing a change in irradiation power for lighting time of a typical UV lamp.
【図6】本発明の一実施例における紫外線の照射量の制御方法の説明に供する図である。 6 is a diagram for explaining the method of controlling the irradiation amount of ultraviolet rays in an embodiment of the present invention.
【図7】スクラブユニットと紫外線の照射ユニットとを切り換えて清掃を行う場合の動作の一例の前半部を示すフローチャートである。 7 is a flowchart illustrating the first half of the one example of the operation when performing the cleaning by switching an irradiation unit scrub unit and ultraviolet.
【図8】スクラブユニットと紫外線の照射ユニットとを切り換えて清掃を行う場合の動作の一例の後半部を示すフローチャートである。 8 is a flowchart showing a second half of an example of an operation when performing cleaning by switching an irradiation unit scrub unit and ultraviolet.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
2 Yステージ4 Xステージ6 Zステージ7 回転板8 傾斜板9 ウエハホルダ10 ウエハ11 投影光学系14 焦点位置検出系の投射光学系16 焦点位置検出系の受光光学系17 クリーニング装置19 上下移動軸20A,20B 回転アーム21 スクラブユニット22 照射ユニット24A,24B 遮蔽カバー25,52 排気ダクト31,35A,35B 圧力センサ32A〜32D 有機材料研磨材33A〜33C 高硬度研磨材36A,36B 遮蔽フード40 ウエハ受け渡し部42 冷却ホース45 冷却装置46 温度センサ53 紫外線光量センサ56A,56B 紫外線ランプ 2 Y stage 4 X-stage 6 Z stage 7 rotating plate 8 inclined plate 9 holder 10 wafer 11 projection optical system 14 the focal position detection system of the projection optical system 16 focus position detecting system of the light receiving optical system 17 cleaning device 19 vertically moving shaft 20A, 20B rotating arm 21 scrubbing unit 22 irradiation units 24A, 24B shielding cover 25,52 exhaust duct 31,35A, 35B pressure sensor 32A~32D organic material abrasive 33A~33C high hardness abrasive 36A, 36B shielding hood 40 wafer delivery section 42 cooling hose 45 cooler 46 the temperature sensor 53 UV light amount sensor 56A, 56B ultraviolet lamp

Claims (4)

  1. マスクパターンを基板保持部材上に保持された感光性の基板上に露光する露光装置に備えられ、前記基板保持部材の表面の清掃を行う装置において、 It provided an exposure apparatus that exposes a mask pattern onto a substrate retained sensitive to substrate holding member, in the apparatus for cleaning the surface of the substrate holding member,
    前記基板保持部材の表面に紫外線を照射する光源と、 A light source for irradiating ultraviolet rays on the surface of the substrate holding member,
    前記基板保持部材の表面から前記光源までの空間とその外側の空間とを実質的に遮断する遮蔽部材と、 A shield member for substantially blocking the space and the space outside thereof to said light source from the surface of the substrate holding member,
    該遮蔽部材で覆われた前記基板保持部材の表面近傍の気体を吸引して排気する排気手段と、を有することを特徴とする露光装置用のクリーニング装置。 A cleaning device for exposure apparatus characterized by having an exhaust means for exhausting by suction gas in the vicinity of the surface of the substrate holding member covered by the shielding member.
  2. 前記光源から照射される紫外線の照度を検出する照度検出手段と、 An illuminance detecting means for detecting the illuminance of ultraviolet light emitted from the light source,
    該照度検出手段により検出された照度に基づいて前記光源の発光強度を制御する光源制御手段と、を設けたことを特徴とする請求項記載の露光装置用のクリーニング装置。該照degree based on the detected illuminance by the detecting means, characterized in that a, a light source control means for controlling the emission intensity of the light source according to claim 1 a cleaning device for exposure apparatus according.
  3. 前記基板保持部材の温度を検出する温度検出手段と、 A temperature detecting means for detecting a temperature of the substrate holding member,
    該温度検出手段の検出結果に基づいて前記基板保持部材を冷却する冷却手段と、を設けたことを特徴とする請求項1または2記載の露光装置用のクリーニング装置。 Temperature detection means of the detection result to the cleaning device for the exposure apparatus according to claim 1, wherein in that a, a cooling means for cooling the substrate holding member based.
  4. マスクパターンを基板保持部材上に保持された感光性の基板上に露光する露光装置に備えられ、前記基板保持部材の表面の清掃を行う装置において、 Provided in an exposure apparatus that exposes a mask pattern onto a substrate retained sensitive to substrate holding member, in a device for cleaning the surface of the substrate holding member,
    固形状の第1の清掃部材と、有機系材料を含む第2の清掃部材とを前記基板保持部材の表面に接触させて動かす駆動手段と; A solid first cleaning member, and driving means for moving in a second cleaning member containing an organic material is brought into contact with the surface of the substrate holding member;
    前記基板保持部材の表面に紫外線を照射する光源と、前記基板保持部材の表面から前記光源までの空間とその外側の空間とを実質的に遮断する遮蔽部材と、該遮蔽部材で覆われた前記基板保持部材の表面近傍の気体を吸引排気する排気手段とを有する照射排気手段と; A light source for irradiating ultraviolet rays on the surface of the substrate holding member, and a shielding member which substantially blocks the space and the space outside from the surface of the substrate holding member to the light source, is covered by the shielding member and the and irradiating the exhaust means having an exhaust means for sucking the exhaust gas in the vicinity of the surface of the substrate holding member;
    前記駆動手段と、前記照射排気手段とを交互に前記基板保持部材の表面に装着する切り換え手段と;を備えたことを特徴とする露光装置用のクリーニング装置。 A cleaning device for exposure apparatus characterized by having a; the drive means, said irradiation exhaust means and the switching means to be attached to the surface of the substrate holding member alternately.
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