JP3601290B2 - EL display device - Google Patents

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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、EL(エレクトロルミネッセンスの略)表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
単純マトリクス駆動EL表示装置は、薄型、軽量、低コスト、自発光で高輝度という利点を有するために、次世代フラットパネルディスプレイとして期待されている。従来のEL表示装置は、図5のように、透光性絶縁基板上に複数の透光性第一電極と複数の第二電極が少なくとも発光媒体を挟持し、かつ第一電極ラインと第二電極ラインが相互に交差して形成する画素群からなる。第一電極ラインと第二電極ラインの間に電圧を印加すると、交点の画素に対応する領域の第一電極と第二電極の間に電流が流れ、挟持された発光媒体から発光する。
【0003】
発光媒体からの発光のうち透光性第一電極側を向いた分は、透光性第一電極と透光性絶縁基板を透過して、表示面から放射される。第二電極を向いた分は、第二電極で1回反射してから発光媒体と透光性第一電極と透光性絶縁基板を透過して、表示面から放射される。このように、発光のうち基板にほぼ垂直な方向を向いた2成分が表示に利用される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、表示面に入射した外光は、透光性絶縁基板と透光性第一電極と発光媒体を透過し、第二電極で反射し、発光媒体と透光性第一電極と透光性絶縁基板を透過して、表示面から放射される。この外光反射が、非点灯時のバックグラウンドとなり、コントラストを低下させる原因になっている。
【0005】
また、透光性第一電極に用いられる透明導電体は、金属に比べて抵抗率が数桁小さい。高精細、大画面のEL表示装置では大電流を流す必要があるが、その際の電圧降下が大きく、均一性や効率の悪化が問題である。
【0006】
本発明は、これらの問題点を解決するためになされたものであり、外光反射を抑えて良好なコントラストを有するEL表示装置を提供する。また、電極の電気抵抗を下げて均一性、効率を改善したEL表示装置を提供する。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、請求項1としては、透光性絶縁基板上に複数の第一電極と複数の第二電極が少なくとも発光媒体を挟持し、かつ第一電極列と第二電極列が相互に交差して形成する画素群からなるEL表示装置において、少なくとも画素に対応する領域の第一電極が、少なくとも透光性絶縁基板側の光吸収層と発光媒体の光反射層からなり、かつ、スリット状やドット状の光透過穴を有することを特徴とするEL表示装置としたものである。
【0008】
請求項2としては、前記スリット状やドット状の光透過穴を有する第一電極において、画素部での非透過パターンの最大幅が画素の最小幅の1/1000〜1/2であり、画素部での開口比率が5%〜60%であることを特徴とする請求項1に記載のEL表示装置としたものである。
【0009】
請求項3としては、前記第一電極の光透過部内、または第一電極と透光性絶縁基板の間に、吸光型、干渉型、あるいは蛍光波長変換型のカラーフィルタ層を設けたことを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載のEL表示装置としたものである。
【0010】
請求項4としては、前記第一電極の光吸収層が、黒色樹脂層または金属不完全酸化物または金属不完全窒化物からなり、光反射層が金属からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のEL表示装置としたものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
【0012】
本発明の請求項1では、第一電極が少なくとも光吸収層と光反射層からなり、かつ、スリット状やドット状の光透過穴を有する。
【0013】
発光媒体からの発光で第一電極側を向いた分のうち、光透過領域に対応した分は、直接、表示面から放射される。第一電極を向いた分のうち非透過領域に対応した分、および、第二電極を向いた分は、第一電極の光反射層と第二電極の間で反射を繰り返した後、第一電極の光透過部を通って、表示面から放射される。このように、発光のうち基板にほぼ垂直な方向を向いた2成分が表示に利用されることは、従来と同様である。
【0014】
一方、表示面に入射した外光のうち、第一電極の光透過領域に対応した分は、透光性絶縁基板と発光媒体を透過し、第二電極で反射し、発光媒体と透光性絶縁基板を透過して、表示面から放射される。また、外光のうち、第一電極の非透過領域に対応した分は、第一電極の光吸収層で吸収される。従って、外光反射が低減され、高コントラストの表示が得られる。
【0015】
従来の発光強度をI、外光反射をRとすると、従来のコントラストはI/Rである。透光開口比率(光透過領域の面積比率)をα(<1)とすると、透過や反射での損失を無視すれば、本発明での発光強度はI、外光反射はαRとなり、コントラストはI/αRに改善される。即ち、発光強度をほぼ保ちながら、外光反射を低減できるため、コントラストが改善される。
【0016】
第一電極のスリット状やドット状の光透過穴は、少なくとも画素に対応する領域に形成する。
【0017】
請求項2としては、前記スリット状やドット状の光透過穴を有する第一電極において、画素部での非透過パターンの最大幅が画素の最小幅の1/1000〜1/2であり、画素部での開口比率が5%〜60%であることを特徴とする請求項1に記載のEL表示装置としたものである。
【0018】
第一電極の非透過パターンの幅が大きい場合、近くで観測するとパターンが見えてしまう。しかし、表示装置の画素の大きさは観測者との距離を想定して決められているので、画素の大きさが大きい場合には非透過パターンの幅が大きくても気にならない。即ち、第一電極の非透過パターンの最適幅には、画素の幅に依存する相対的な関係がある。細かすぎるパターンは、工程を難しくするので、非透過パターンの最大幅は、画素の最小幅の1/1000〜1/2が望ましく、さらには1/100〜1/10が望ましい。
【0019】
また、非透過パターンの幅が大きいと、表示までの反射回数が多くなり、損失によって輝度が落ちてしまう。このことから、非透過パターンの幅は0.5μm〜50μmが望ましい。
【0020】
開口比率の逆数がコントラストの向上をもたらすことから、開口比率が大きいと改善効果が小さくなる。また、開口比率が小さいと、表示までの反射回数が大きくなり、損失が増加して輝度が小さくなる。これらより、開口比率は、5%〜60%が望ましく、さらには10%〜40%が望ましい。
【0021】
請求項3としては、前記第一電極の光透過部内、または第一電極と透光性絶縁基板の間に、吸光型、干渉型、あるいは蛍光波長変換型のカラーフィルタ層を設けたことを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載のEL表示装置としたものである。
【0022】
カラーフィルタと組み合わせることにより、さらにコントラストを向上することができ、1種類の発光媒体を用いても容易にフルカラーあるいはマルチカラーのEL表示装置を提供できる。
【0023】
請求項4としては、前記第一電極の光吸収層が、黒色樹脂層または金属不完全酸化物または金属不完全窒化物からなり、光反射層が金属からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のEL表示装置としたものである。
【0024】
光吸収層としては、カラーフィルタ等で用いられる黒色樹脂や、CrO/Cr層のような金属不完全酸化物、GaNのような金属不完全窒化物等を用いることができる。光反射層としては、Ag、Al、Co、Cr、Mo、Nb、Pd、Pt、Rh、Sn、Ta、Ti等の金属、またはこれらの金属元素を一成分以上含む合金等が使用できる。特にAgやAlは、可視域で反射率が高く、好適な材料である。
【0025】
特に、ストライプに平行なスリット状穴を用いると、同じ開口比率でも配線抵抗をより低減できるので好ましい。
【0026】
なお、本発明のEL表示装置における透光性絶縁基板としては、ガラス基板、プラスチック基板等が使用できる。
【0027】
本発明における発光媒体としては、9,10−ジアリールアントラセン誘導体、サリチル酸塩、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフェニルブタジエン、9,10−ビス(フェニルエチニル)アントラセン、8−キノリノラートリチウム、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム錯体、トリス(5,7−ジクロロ,8−キノリノラート)アルミニウム錯体、トリス(5−クロロ−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノリノラート)亜鉛錯体、トリス(5−フルオロ−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス[8−(パラートシル)アミノキノリン]亜鉛錯体およびカドミウム錯体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2,5−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、あるいは特開平4−31488号公報、米国特許5141671号、同4769292号で言及されている蛍光物質やN,N’ジアリール置換ピロロピロール化合物等があげられる。
【0028】
【実施例】
まず、本発明のEL表示装置の一実施例を図1、図2に示す。
【0029】
第一電極4の画素部には、スリット状の穴4aが形成されている。第一電極4と透光性絶縁基板1の間には、カラーフィルタ2を設けてある。
【0030】
このEL表示装置の製造工程を、図3、図4に示す。
【0031】
まず、ガラス基板1上に、既知の方法によってカラーフィルタ2を形成し、オーバーコート層3で覆う(図3(a)参照)。次に、0.2μmのCrO/Crの積層膜5、6を成膜する(図3(b)参照)。そして、既存のフォトエッチング技術即ちフォトレジストパターン形成とウェットエッチングによって、幅1mmのストライプかつ幅20μm、開口比率40%のスリット状光透過穴4aを有する形状に加工する(図3(c)参照)。
【0032】
次に、0.3μmのAgメッキ7をすることにより、導電性および光反射性を向上する(図3(d)参照)。
【0033】
そして、全面に発光媒体8を成膜する(図4(e)参照)。発光媒体8としては、正孔輸送層9を0.07μm、電子輸送性発光層10を 0.07μm積層した。そして、第二電極11としてAlLiを0.3μm厚だけ、マスク蒸着によって第一電極パターンと交差するストライプ状に形成する(図4(f)参照)。最後に、全面に封止層12を形成する(図4(g)参照)。
【0034】
このように作製した試料で、従来素子に比べて輝度はやや減少したものの、コントラストがおよそ1.5倍に向上した。
【0035】
[非透過パターン幅の影響]
第一電極幅1mm、開口率50%の条件下で、非透過パターン幅を1μm、10μm、100μm、500μmと変えて作製した。これらは、画素幅に対応する第一電極幅の1/1000〜1/2である。いずれの場合にも、コントラスト向上効果が見られた。ただし、1μmの場合は高精度のパターニング技術を要し、それ以上細かくする意味がない。また、500μmの場合には非透過パターンが目視できるようになり、それ以上荒いと画質を低下させる。
【0036】
[開口率の影響]
第一電極幅1mm、非透過パターン幅100μmの条件下で、開口率を1%、5%、10%、20%、40%、60%、80%と変えて作製した。5%〜60%において、コントラスト向上効果が見られた。開口率1%では輝度低下が著しく、開口率80%では外光反射の低減効果が弱く、いずれもコントラストは向上しなかった。
【0037】
【発明の効果】
本発明によれば、透明導電膜でなく、穴を有する第一電極を用いることにより、外光反射を抑えて良好なコントラストを有するEL表示装置を提供できる。また、電気抵抗を低減でき、均一性、効率を改善したEL表示装置を提供できる。
【0038】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のEL表示装置の一例を示す断面図である。
【図2】図1のEL表示装置の平面図である。
【図3】図1のEL表示装置の製造工程を示す説明図である。
【図4】図1のEL表示装置の製造工程を示す説明図である。
【図5】従来のEL表示装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 透光性絶縁基板
2 カラーフィルタ
3 オーバーコート絶縁層
4 第一電極
4a 光透過穴
4X 透光性第一電極
5 光吸収層
6 中間層
7 光反射層
8 発光媒体
9 正孔輸送層
10 電子輸送性発光層
11 第二電極
12 封止層
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an EL (electroluminescence) display device.
[0002]
[Prior art]
A simple matrix drive EL display device is expected to be a next-generation flat panel display because it has the advantages of being thin, lightweight, low cost, self-luminous and high luminance. As shown in FIG. 5, in a conventional EL display device, a plurality of light-transmitting first electrodes and a plurality of second electrodes sandwich a light-emitting medium at least on a light-transmitting insulating substrate, and a first electrode line and a second electrode are connected to each other. It consists of a pixel group formed by electrode lines intersecting each other. When a voltage is applied between the first electrode line and the second electrode line, a current flows between the first electrode and the second electrode in a region corresponding to the pixel at the intersection, and light is emitted from the sandwiched light emitting medium.
[0003]
The portion of the light emitted from the light emitting medium that faces the first light-transmitting electrode is transmitted through the first light-transmitting electrode and the light-transmitting insulating substrate, and is emitted from the display surface. The portion facing the second electrode is reflected once by the second electrode, then passes through the light emitting medium, the first translucent electrode, and the translucent insulating substrate, and is emitted from the display surface. As described above, two components of the light emission, which are oriented substantially perpendicular to the substrate, are used for display.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the external light incident on the display surface passes through the light-transmitting insulating substrate, the light-transmitting first electrode, and the light-emitting medium, is reflected by the second electrode, and is reflected by the light-emitting medium, the light-transmitting first electrode, and the light-transmitting light. The light passes through the insulating substrate and is emitted from the display surface. This reflection of external light becomes a background at the time of non-lighting, and causes a decrease in contrast.
[0005]
Further, the transparent conductor used for the light-transmitting first electrode has a resistivity several orders of magnitude lower than that of metal. In a high-definition, large-screen EL display device, it is necessary to flow a large current. However, a large voltage drop occurs at that time, and there is a problem of deterioration in uniformity and efficiency.
[0006]
The present invention has been made to solve these problems, and provides an EL display device which suppresses external light reflection and has good contrast. In addition, the present invention provides an EL display device in which uniformity and efficiency are improved by lowering electric resistance of an electrode.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, as a first aspect, a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes sandwich a light emitting medium at least on a light-transmitting insulating substrate, and the first electrode row and the second electrode row. In an EL display device including a pixel group formed by intersecting with each other, at least a first electrode in a region corresponding to the pixel includes at least a light absorption layer on a light-transmitting insulating substrate side and a light reflection layer of a light-emitting medium, Further, the EL display device has a slit-shaped or dot-shaped light transmitting hole.
[0008]
According to a second aspect, in the first electrode having the slit-shaped or dot-shaped light transmitting holes, the maximum width of the non-transmission pattern in the pixel portion is 1/1000 to 1/2 of the minimum width of the pixel, 2. The EL display device according to claim 1, wherein the aperture ratio in the portion is 5% to 60%.
[0009]
According to a third aspect, a color filter layer of an absorption type, an interference type, or a fluorescence wavelength conversion type is provided in the light transmitting portion of the first electrode or between the first electrode and the light transmitting insulating substrate. An EL display device according to any one of claims 1 to 2.
[0010]
According to a fourth aspect, the light absorption layer of the first electrode is made of a black resin layer or an incomplete metal oxide or incomplete metal nitride, and the light reflection layer is made of a metal. 3. The EL display device according to any one of (1) to (3).
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
[0012]
According to the first aspect of the present invention, the first electrode includes at least a light absorbing layer and a light reflecting layer, and has a slit-shaped or dot-shaped light transmitting hole.
[0013]
Of the light emitted from the light emitting medium and directed toward the first electrode, the light corresponding to the light transmitting region is directly emitted from the display surface. The portion corresponding to the non-transmissive region among the portions facing the first electrode, and the portion facing the second electrode, after repeating reflection between the light reflecting layer of the first electrode and the second electrode, The light is emitted from the display surface through the light transmitting portion of the electrode. As described above, the two components of the light emission that are oriented in a direction substantially perpendicular to the substrate are used for display, as in the related art.
[0014]
On the other hand, of the external light incident on the display surface, the portion corresponding to the light transmitting region of the first electrode is transmitted through the light transmitting insulating substrate and the light emitting medium, is reflected by the second electrode, and is reflected by the light emitting medium. The light passes through the insulating substrate and is emitted from the display surface. Further, of the external light, the portion corresponding to the non-transmissive region of the first electrode is absorbed by the light absorbing layer of the first electrode. Therefore, reflection of external light is reduced, and a high-contrast display is obtained.
[0015]
Assuming that the conventional light emission intensity is I and the external light reflection is R, the conventional contrast is I / R. If the transmissive aperture ratio (area ratio of the light transmissive region) is α (<1), ignoring the loss in transmission and reflection, the emission intensity in the present invention is I, the external light reflection is αR, and the contrast is It is improved to I / αR. That is, since the reflection of external light can be reduced while maintaining the emission intensity substantially, the contrast is improved.
[0016]
The slit-shaped or dot-shaped light transmission hole of the first electrode is formed at least in a region corresponding to the pixel.
[0017]
According to a second aspect, in the first electrode having the slit-shaped or dot-shaped light transmitting holes, the maximum width of the non-transmission pattern in the pixel portion is 1/1000 to 1/2 of the minimum width of the pixel, 2. The EL display device according to claim 1, wherein the aperture ratio in the portion is 5% to 60%.
[0018]
If the width of the non-transmissive pattern of the first electrode is large, the pattern will be visible when observed near. However, since the size of the pixel of the display device is determined in consideration of the distance from the observer, when the size of the pixel is large, it does not matter whether the width of the non-transmissive pattern is large. That is, the optimum width of the non-transmission pattern of the first electrode has a relative relationship depending on the width of the pixel. Since a pattern that is too fine makes the process difficult, the maximum width of the non-transmissive pattern is preferably 1/1000 to 1/2 of the minimum width of the pixel, and more preferably 1/100 to 1/10.
[0019]
Also, if the width of the non-transmissive pattern is large, the number of reflections until display increases, and the luminance is reduced due to loss. For this reason, the width of the non-transmissive pattern is desirably 0.5 μm to 50 μm.
[0020]
Since the reciprocal of the aperture ratio improves the contrast, the improvement effect is reduced when the aperture ratio is large. Also, when the aperture ratio is small, the number of reflections until display increases, the loss increases, and the luminance decreases. From these, the opening ratio is preferably 5% to 60%, and more preferably 10% to 40%.
[0021]
According to a third aspect, a color filter layer of an absorption type, an interference type, or a fluorescence wavelength conversion type is provided in the light transmitting portion of the first electrode or between the first electrode and the light transmitting insulating substrate. An EL display device according to any one of claims 1 to 2.
[0022]
By combining with a color filter, the contrast can be further improved, and a full-color or multi-color EL display device can be easily provided even if one kind of light-emitting medium is used.
[0023]
According to a fourth aspect, the light absorption layer of the first electrode is made of a black resin layer or an incomplete metal oxide or incomplete metal nitride, and the light reflection layer is made of a metal. 3. The EL display device according to any one of (1) to (3).
[0024]
As the light absorbing layer, a black resin used for a color filter or the like, an imperfect metal oxide such as a CrO X / Cr layer, an imperfect metal nitride such as GaN X , or the like can be used. As the light reflecting layer, a metal such as Ag, Al, Co, Cr, Mo, Nb, Pd, Pt, Rh, Sn, Ta, Ti, or an alloy containing one or more of these metal elements can be used. In particular, Ag and Al have high reflectivity in the visible region and are suitable materials.
[0025]
In particular, it is preferable to use a slit-shaped hole parallel to the stripe because the wiring resistance can be further reduced even with the same opening ratio.
[0026]
Note that a glass substrate, a plastic substrate, or the like can be used as the light-transmitting insulating substrate in the EL display device of the present invention.
[0027]
Examples of the luminescent medium in the present invention include 9,10-diarylanthracene derivatives, salicylates, pyrene, coronene, perylene, rubrene, tetraphenylbutadiene, 9,10-bis (phenylethynyl) anthracene, lithium 8-quinolinolate, and tris (8-quinolinolate) aluminum complex, tris (5,7-dichloro, 8-quinolinolate) aluminum complex, tris (5-chloro-8-quinolinolate) aluminum complex, bis (8-quinolinolate) zinc complex, tris (5-fluoro -8-quinolinolate) aluminum complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolate) aluminum complex, tris (4-methyl-5-cyano-8-quinolinolate) aluminum complex, bis (2-methyl- 5-to Fluoromethyl-8-quinolinolate) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolate) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, tris (8-quinolinolate) scandium complex, bis [8- (paratosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, pentaphenylcyclopentadiene, poly-2,5-diheptyl Examples thereof include oxy-para-phenylenevinylene, fluorescent substances described in JP-A-4-31488, U.S. Pat. Nos. 5,141,671 and 4,769,292, and N, N'-diaryl-substituted pyrrolopyrrole compounds.
[0028]
【Example】
First, one embodiment of the EL display device of the present invention is shown in FIGS.
[0029]
A slit-shaped hole 4 a is formed in the pixel portion of the first electrode 4. A color filter 2 is provided between the first electrode 4 and the translucent insulating substrate 1.
[0030]
The manufacturing process of this EL display device is shown in FIGS.
[0031]
First, a color filter 2 is formed on a glass substrate 1 by a known method, and is covered with an overcoat layer 3 (see FIG. 3A). Next, the laminated films 5 and 6 of CrO x / Cr having a thickness of 0.2 μm are formed (see FIG. 3B). Then, a stripe having a width of 1 mm, a width of 20 μm, and a slit-shaped light transmitting hole 4a having an aperture ratio of 40% is processed by a conventional photo-etching technique, that is, formation of a photoresist pattern and wet etching (see FIG. 3C). .
[0032]
Next, the conductivity and the light reflectivity are improved by performing Ag plating 7 of 0.3 μm (see FIG. 3D).
[0033]
Then, a light emitting medium 8 is formed on the entire surface (see FIG. 4E). As the luminescent medium 8, the hole transport layer 9 was laminated to 0.07 μm, and the electron transporting luminescent layer 10 was laminated to 0.07 μm. Then, as the second electrode 11, AlLi is formed to a thickness of 0.3 μm in a stripe shape crossing the first electrode pattern by mask evaporation (see FIG. 4 (f)). Finally, a sealing layer 12 is formed on the entire surface (see FIG. 4G).
[0034]
In the sample manufactured in this way, although the luminance was slightly reduced as compared with the conventional device, the contrast was improved about 1.5 times.
[0035]
[Effect of non-transparent pattern width]
The non-transmitting pattern width was changed to 1 μm, 10 μm, 100 μm, and 500 μm under the conditions of the first electrode width of 1 mm and the aperture ratio of 50%. These are 1/1000 to 1/2 of the first electrode width corresponding to the pixel width. In each case, a contrast improving effect was observed. However, in the case of 1 μm, a high-precision patterning technique is required, and there is no point in making it finer. In the case of 500 μm, the non-transmissive pattern becomes visible, and if it is rougher, the image quality is reduced.
[0036]
[Effect of aperture ratio]
The aperture ratio was changed to 1%, 5%, 10%, 20%, 40%, 60%, and 80% under the conditions of the first electrode width of 1 mm and the non-transmission pattern width of 100 μm. At 5% to 60%, a contrast improving effect was observed. At an aperture ratio of 1%, the luminance was significantly reduced, and at an aperture ratio of 80%, the effect of reducing the reflection of external light was weak, and the contrast did not improve in any case.
[0037]
【The invention's effect】
According to the present invention, by using the first electrode having a hole instead of the transparent conductive film, it is possible to provide an EL display device which suppresses external light reflection and has good contrast. Further, it is possible to provide an EL display device in which electric resistance can be reduced and uniformity and efficiency are improved.
[0038]
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an EL display device of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of the EL display device of FIG.
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a manufacturing process of the EL display device in FIG. 1;
FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating a manufacturing process of the EL display device in FIG. 1;
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating an example of a conventional EL display device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent insulating substrate 2 Color filter 3 Overcoat insulating layer 4 First electrode 4a Light transmitting hole 4X Translucent first electrode 5 Light absorbing layer 6 Intermediate layer 7 Light reflecting layer 8 Light emitting medium 9 Hole transport layer 10 Electrons Transportable light emitting layer 11 Second electrode 12 Sealing layer

Claims (4)

透光性絶縁基板上に複数の第一電極と複数の第二電極が少なくとも発光媒体を挟持し、かつ第一電極列と第二電極列が相互に交差して形成する画素群からなるEL表示装置において、少なくとも画素に対応する領域の第一電極が、少なくとも透光性絶縁基板側の光吸収層と発光媒体側の光反射層からなり、かつ、スリット状やドット状の光透過穴を有することを特徴とするEL表示装置。An EL display including a pixel group in which a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes sandwich a light-emitting medium at least on a light-transmitting insulating substrate, and where the first electrode row and the second electrode row cross each other. In the device, at least a first electrode in a region corresponding to a pixel includes at least a light-absorbing layer on a light-transmitting insulating substrate side and a light-reflecting layer on a light-emitting medium side, and has a slit-shaped or dot-shaped light transmitting hole. An EL display device, characterized in that: 前記スリット状やドット状の光透過穴を有する第一電極において、画素部での非透過パターンの最大幅が画素の最小幅の1/1000〜1/2であり、画素部での開口比率が5%〜60%であることを特徴とする請求項1に記載のEL表示装置。In the first electrode having the slit-shaped or dot-shaped light transmitting holes, the maximum width of the non-transmission pattern in the pixel portion is 1/1000 to 1/2 of the minimum width of the pixel, and the aperture ratio in the pixel portion is The EL display device according to claim 1, wherein the content is 5% to 60%. 前記第一電極の光透過部内、または第一電極と透光性絶縁基板の間に、吸光型、干渉型、あるいは蛍光波長変換型のカラーフィルタ層を設けたことを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載のEL表示装置。An absorption type, an interference type, or a fluorescence wavelength conversion type color filter layer is provided in the light transmitting portion of the first electrode or between the first electrode and the light transmitting insulating substrate. 3. The EL display device according to any one of 2. 前記第一電極の光吸収層が、黒色樹脂層または金属不完全酸化物または金属不完全窒化物からなり、光反射層が金属からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のEL表示装置。The light-absorbing layer of the first electrode is made of a black resin layer or an incomplete metal oxide or an incomplete metal nitride, and the light reflection layer is made of a metal. EL display device.
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