JP3591183B2 - Afterimage detection method and afterimage detection device - Google Patents

Afterimage detection method and afterimage detection device Download PDF

Info

Publication number
JP3591183B2
JP3591183B2 JP35110596A JP35110596A JP3591183B2 JP 3591183 B2 JP3591183 B2 JP 3591183B2 JP 35110596 A JP35110596 A JP 35110596A JP 35110596 A JP35110596 A JP 35110596A JP 3591183 B2 JP3591183 B2 JP 3591183B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charge
line
afterimage
read
sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP35110596A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH10190941A (en
Inventor
勝則 野口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP35110596A priority Critical patent/JP3591183B2/en
Publication of JPH10190941A publication Critical patent/JPH10190941A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3591183B2 publication Critical patent/JP3591183B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、照射される光に応じて電荷を蓄積する少なくとも1ラインの撮像素子の残像を検出する残像検出方法及び残像検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
CCD等の撮像素子が1次元に配置されたいわゆるリニアセンサが提供されている。上記リニアセンサは、1次元に配置された撮像素子とシフトレジスタを組み合わせてなる素子であり、各撮像素子で検知した各点でのイメージを1ライン単位をとして上記シフトレジスタに転送し、このシフトレジスタから1ラインを毎に順次に出力信号として読み出す。この1ラインの出力信号は、1次元のイメージを構成している。
【0003】
上記リニアセンサは、このリニアセンサの1次元の方向と直角の方向に移動させることによって、2次元のイメージを1ライン毎に逐次に読み取ることもできる。上記リニアセンサは、このような用途に、ファックス、スキャナ、デジタルコピー等において、原稿読み取りのためのセンサとして、広く用いられている。
【0004】
上記リニアセンサの特性の一つとして、残像特性がある。一般に、リニアセンサは照射された光を各撮像素子にて電荷に変換し、この電荷をゲートを介して上記シフトレジスタに転送する。しかし、転送時間が短かったり、転送電界が弱い場合には、発生した電荷が希望の時間内にシフトレジスタに転送しきれない場合がある。
【0005】
このような場合、転送されずに各撮像素子に残った電荷は、以降の転送に混入することになる。すなわち、残像とは、上記リニアセンサからの1ラインの出力信号に、それ以前のラインの出力信号が混入することをいう。なお、電荷が完全に転送されない原因としては、上記リニアセンサの構造上の問題や、読み出しゲートが開いている時間が短い等の要因が挙げられる。
【0006】
上記残像特性は、リニアセンサの性能を評価するための重要な特性評価項目となる。例えば、上記ファックス等の機器において2次元イメージ読み取りのためにリニアセンサを用いる場合、各画素毎に残像特性が異なるリニアセンサを用いると上記イメージにはむらが生じることになる。また、残像が存在すると小露光時の特性を悪化させる原因ともなる。
【0007】
上記残像特性の評価には、通常はストロボ光源等の間欠発光の光源を用い、この光源にてリニアセンサに所定時間の光を照射した後に、このリニアセンサから電荷を1ライン読み出し、この1ラインの次に読み出される1ラインの電荷から残像を検出することにより残像特性を評価する。
【0008】
このような間欠発光の光源を用いて残像を検出する方法の、タイミングチャートを図9に示す。図では、上から下に順に、リニアセンサから1ラインの電荷の転送を制御する一定周期のリードアウトゲート制御信号φROGと、ストロボ等の発光を制御する光源制御信号φSTBと、出力信号VOUTとのそれぞれの信号の波形が示されている。
【0009】
ここで、上記光源制御信号φSTBの波形の左側の“ON”及び“OFF”は、上記光源の“ON”及び“OFF”の電位を表す。また、上記出力信号VOUTの波形の左側の“VRS”及び“VOS”は、それぞれ“リセットレベル”及び“オフセットレベル”を表している。
【0010】
上記リニアセンサは、上記リードアウトゲート制御信号φROGのパルスのタイミングによって1ラインの電荷を転送し、この1ラインの電荷は順次に出力される。すなわち、図中の、“Aライン”及び“Bライン”の各1ラインの電荷は1周期遅れて出力信号VOUTの“Aライン出力”及び“Bライン出力”となって現れる。
【0011】
上記間欠発光の光源は、上記“Aライン”にて上記光源制御信号φSTBの“ON”のパルスに応じて発光し、リニアセンサに所定時間光を照射する。上記リニアセンサは、この光を電荷に変換し、この1ラインの電荷は出力信号VOUTとして次の“Aライン出力”で出力される。この出力信号VOUTの“Aライン出力”の周期において、振幅が増加してオフセット電位VOSを負側越えた部分が、上記リニアセンサから読み出された電荷に対応している。
【0012】
上記出力信号VOUTの“Aライン出力”の周期では、一様に増加した振幅の部分A3において振幅の局所的な減少がみられる。この振幅の局所的な減少は、上記リニアセンサに蓄積された電荷の一部が完全に転送されないために生じた。この転送されずに残った電荷は、次のラインにて読み出される。
【0013】
上記“Bライン”においては、リニアセンサには光が照射されず電荷は蓄積されないため、上記“Bライン出力”では、上述のような転送されずに残った電荷のみが読み出される。これは、出力信号VOUTの部分B3のように、振幅の局所的な増加となって現れる。
【0014】
このように、“Aライン”においてリニアセンサに間欠発光の光を照射したのちこのラインの電荷を転送して“Aライン出力”にて読み出し、光を照射しない“Bライン”に対応する“Bライン出力”にて読み出し、この“Bライン出力”の出力信号VOUTの振幅の変化を調べることによって、残像の電荷を検出することができる。
【0015】
ここで、図9の部分A3及び部分B3の近傍の拡大図を、図10(a)及び(b)にそれぞれ示す。図中の各パルスは、リニアセンサを構成する各センサに対応している。従って、部分A3及び部分B3に対応するセンサにおいては、読み出される電荷の量が減少あるいは増加していることが見て取れる。
【0016】
次に、間欠発光の光源を用いて残像を検出する方法において、残像がない場合のタイミングチャートを、図11に示す。図では、上から下に順に、リードアウトゲート制御信号φROGと、光源制御信号φSTBと、出力信号VOUTとのそれぞれの信号の波形が示されている。上記出力信号VOUTの点A4及び点B4には、上述した残像がある場合に図9の点A3及び点B3において見られたような振幅の局所的な減少及び増加は、見られない。
【0017】
上記部分A4及び部分B4の近傍の拡大図を、図12(a)及び(b)にそれぞれ示す。パルスの振幅は一定であるので、各センサから転送される電荷は一定であり、残像がないことが見て取られる。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、リニアセンサの残像を検知する従来の方法においては、ストロボ光源のような間欠発光の光源が利用されている。
【0019】
しかし、このような間欠発光の光源は、一般に高価である。また、上記間欠発光の光源は、取扱いが面倒であり、寿命も短い。また、上記間欠発光の光源は、専らリニアセンサ残像特性の評価に使用され、他の用途が少ないので、設備の効率の面で問題がある。また、リニアセンサの残像特性の評価の実施は、上記間欠発光の光源が備えられる場所に限定される。
【0020】
そこで、この発明は、上述の実情に鑑み、ストロボ光源のような間欠発光の光源を利用することなくリニアセンサの残像特性を評価する残像評価方法、また、上記間欠発光の光源を備えることなくリニアセンサの残像特性を評価する残像評価装置を提供する。
【0021】
【発明を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る残像検出方法は、照射された光量に応じて電荷を蓄積する少なくとも1ラインの撮像素子に第1の蓄積時間に亘って光を照射した後に1ラインの電荷を順次に読み出す第1の読み出し工程と、上記撮像素子に第1の蓄積時間とは異なる第2の蓄積時間に亘って光を照射した後に1ラインの電荷を順次に読み出す第2の読み出し工程と、上記第1の読み出し工程と第2の読み出し工程とにおいて読み出されたそれぞれの1ラインの電荷から残像の電荷を検出する工程を有することとなされたものである。
【0022】
上記本発明は、少なくとも1ライン配設された照射された光量に応じて電荷を蓄積する撮像素子に、第1の蓄積時間に亘って光を照射した後に、第1の読み出し工程にて1ラインの電荷を順次に読み出し、上記撮像素子に第1の蓄積時間とは異なる第2の蓄積時間に亘って光を照射した後に第2の読み出し工程にて1ラインの電荷を順次に読み出し、残像の電荷を検出する工程にて第1の読み出し工程にて読み出された1ラインの電荷と第2の読み出し工程にて読み出された1ラインの電荷とを比較することにより残像の電荷を検出する。
【0023】
また、本発明に係る残像検出方法は、上記第1の蓄積時間は、上記第2の蓄積時間より長いこととなされ、上記第2の読み出し工程において読み出される1ラインの電荷から残像を検出することとなされたものである。そして、この発明に係る残像検出方法は、上記撮像素子は、固体撮像素子からなることとなされたものである。
【0024】
上記本発明は、蓄積時間の長い第1の蓄積時間で蓄積された電荷を、上記第1の読み出し工程にて読み出し、残像の電荷を蓄積時間の短い上記第2の蓄積時間にて蓄積された電荷とともに上記第2の読み出し工程にて読み出し、この第2の読み出し工程にて読み出した1ラインの電荷から残像の電荷を検出する。また、上記撮像素子としては、固体撮像素子が用いられる。
【0025】
上記課題を解決するために、本発明に係る残像検出装置は、照射される光量に応じて電荷を蓄積する少なくとも1ラインの撮像素子に所定の強さの光を照射する光照射手段と、上記撮像素子から所定のタイミングで1ラインの電荷を順次に読み出す電荷読み出し手段と、上記光照射手段によって照射される上記撮像素子から、第1の蓄積時間後に上記電荷読み出し手段によって読み出される1ラインの電荷と、第2の蓄積時間後に上記電荷読み出し手段によって読み出される1ラインの電荷とから、残像の電荷を検出する残像電荷検出手段と有することとなされたものである。
【0026】
上記本発明は、少なくとも1ライン配設された照射される光に応じて電荷を蓄積する撮像素子に光照射手段にて光を照射し、電荷読み出し手段にて上記1ラインの電荷を読み出し、上記撮像素子に第1の蓄積時間に亘って光を照射した後に1ラインの電荷を読み出し、上記撮像素子に第2の蓄積に亘って光を照射した後に1ラインの電荷を読み出し、残像電荷検出手段にてこれら1ラインの電荷から残像の電荷を検出するものとなされたものである。
【0027】
また、本発明に係る残像検出装置は、上記第1の蓄積時間は、上記第2の蓄積時間よりも長いこととなされたものである。さらに、この発明に係る残像検出装置は、上記残像電荷検出手段は、上記第2の蓄積時間の後に読み出される1ラインの電荷から残像の電荷を検出することとなされたものである。
【0028】
上記本発明は、蓄積時間の長い第1の蓄積時間で蓄積された電荷を、上記第1の読み出し工程にて読み出し、残像の電荷を蓄積時間の短い上記第2の蓄積時間にて蓄積された電荷とともに上記第2の読み出し工程にて読み出し、この1ラインの電荷から残像の電荷を検出する。
【0029】
そして、本発明に係る残像検出装置は、上記撮像素子は、固体撮像素子からなり、また、上記光照射手段は、連続発光光源を用いることとなされたものである。
【0030】
上記本発明は、上記撮像素子に固体撮像素子を用い、また、上記光照射手段に連続発光光源を用いる。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る残像検出方法及び残像検出装置の実施の形態の一例を図面を参照しながら説明する。
【0032】
本発明に係る残像検出装置は、図1に示されるように、光照射部1と、制御部2と、モニタ部3と、センサ部10の各部によって構成される。
【0033】
上記光照射部1は、蛍光灯等の連続発光光源を備え、所定の強さの光をセンサ部10に照射する。上記センサ部10は、1次元に配置された撮像素子によって、上記光照射部1から照射される光を電荷に変換し、この電荷を上記制御部から供給されるクロックに従って1ライン毎に読み出して上記モニタ部3に供給する。上記モニタ部3は、上記センサ部から供給される出力信号を表示画面に表示する。
【0034】
次に、図2に、上記センサ部10の構造を示す。ここでは、上記センサ部10は、CCD撮像素子と、その周辺回路とを一体として1チップ上に構成されている。
【0035】
上記センサ部10は、1次元に配設された複数のセンサ11と、上記1次元に配設されたセンサ11の両端部にそれぞれ複数配設されるダミーセンサ12と、上記センサ11から電荷の転送の制御を行うリードアウトゲート13と、上記センサ11から上記リードアウトゲート13を介して電荷の転送を受けるCCDアナログセンサ14と、上記CCDアナログシフトレジスタ13からの出力信号を加工する出力アンプ及びサンプルホールド回路15と、上記CCDアナログシフトレジスタ14にリセットのタイミングを与える第1のタイミングジェネレータ16と、上記リードアウトゲート13にリードアウトゲート制御のタイミングを与える第2のタイミングジェネレータ17とから構成される。
【0036】
また、上記センサ部は、端子として、上記第1のタイミングジェネレータ16を介して上記CCDアナログシフトレジスタにリセット信号φRSを与えるリセット端子51と、上記出力アンプ及びサンプルホールド回路15にサンプルホールド信号φS/Hを与えるサンプルホールド端子52と、上記出力及びサンプルホールド回路15からの出力信号VOUTが供給される出力端子53と、接地端子54と、電源端子55と、上記CCDアナログシフトレジスタ14に第1のクロックφ1を与える第1のクロック端子56と、同じく上記CCDアナログシフトレジスタに上記第1のクロックとは位相が異なる第2のクロックφ2を供給する第2のクロック端子57と、上記第2のタイミングジェネレータ17を介して上記リードアウトゲート13に電荷転送のタイミングを与えるリードアウトゲート制御信号φROGを送るリードアウトゲート制御端子58とを備える。
【0037】
上記センサ11は、1次元上に所定の個数並べて配置され、その並んだセンサの両端には、上記1次元上にダミーセンサ12がそれぞれ所定の個数配置される。1次元上に配置された各センサ11は、照射された各点において照射される光を電荷に変換して蓄積する。上記リードアウトゲート13は、上記リードアウトゲート制御端子58からリードアウトゲート制御信号φROGが上記第2のタイミングジェネレータ17を介して供給されるタイミングに従って、上記センサ11に蓄積された電荷を上記CCDアナログシフトレジスタ14に転送する。
【0038】
上記CCDアナログシフトレジスタ14は、その各要素を上記リードアウトゲート13を挟んで上記センサ11の各素子に対応するように配設される。このCCDアナログシフトレジスタ14は、上記リードアウトゲート13を介して上記センサ11から1ラインずつ電荷の転送を受ける。そして、クロックに応じてこの1ラインの電荷を順次読み出される。ここでは、上記第1のクロック端子56から供給される第1のクロックφ1と、上記第2のクロック端子57から供給される第2のクロックφ2との2相のクロックを用いているが、3相あるいは4相のクロックを利用する場合もある。なお、上記1次元上に配置された上記センサ11及び上記ダミーセンサ12と、上記リードアウトゲート13と、上記CCDアナログシフトレジスタ14は、一体としてリニアセンサを構成し、この部分だけで独立した形態を取ることもある。
【0039】
上記出力アンプ及びサンプルホールド回路15は、上記CCDアナログシフト14から読み出される出力信号を加工する。すなわち、上記出力信号を所定のレベルまで増幅を行い、また、上記サンプルホールド端子52から供給されるサンプルホールド信号φS/Hのタイミングに従って上記出力信号のサンプルホールド行う。そして、これらの加工が施された上記出力信号VOUTを、上記出力端子53に供給する。
【0040】
上記第1のタイミングジェネレータ16は、上記リセット端子51から供給されるリセット信号φRSを調整し、上記CCDアナログシフトレジスタ14にリセットのタイミングを与える。上記第2のタイミングジェネレータ17は、上記リードアウトゲート制御端子58から供給されるリードアウトゲート制御信号φROGから上記リードアウトゲート58を開くタイミングを与える。上記第1のタイミングジェネレータ17及び第2のタイミングジェネレータ17は、独立の構成となっているが、他のタイミング信号を生成する部分も含んで、一体の構成とされる場合もある。
【0041】
続いて、図3に、上記センサ部10の各端子に供給される信号と、上記センサ部からの出力信号とのそれぞれの波形と、各信号の時間的な関係を示すクロックタイミング図の例を示す。ここでは、出力信号VOUTに対して、サンプルホールドを行っていない。図の上から下へ、リードアウトゲート制御信号φROGと、第1のクロック信号φ1と、第2のクロック信号φ2と、リセット信号φRSと、出力信号VOUTとの各信号の波形が示されている。なお、各信号の波形の左側に示されている数字は、5V及び0Vの電位を示している。
【0042】
上記リードアウトゲート制御信号φROGは、上記リードアウトゲート13を制御して、上記センサ11の各素子に照射された光に応じて蓄積されている電荷を、上記CCDアナログシフトレジスタ14に1ラインを単位として転送するタイミングを上記第2のタイミングジェネレータ17を介して与える。上記リードアウトゲート制御信号φROGのパルスのタイミングに基づいて上記CCDアナログシフトレジスタ14に転送された電荷は、上記第1のクロックφ1及び上記第2のクロックφ2の2相クロックに従って、出力信号VOUTとして1ライン順次に読み出される。上記CCDアナログシフトレジスタ14から1ラインの電荷が読み出されると、上記リードアウト制御信号φROGのパルスのタイミングに基づいて、上記CCDアナログシフトレジスタ14に上記センサ11の各素子から再び1ラインの電荷が転送される。
【0043】
上記出力信号VOUTは、上記CCDアナログシフトレジスタ14から出力した後、上記出力アンプ部及びサンプルホールド回路15によって加工された1ラインの出力信号である。ただし、ここではサンプルホールドはなされていないので、この出力信号VOUTはパルス状となっている。なお、この出力信号VOUTに関しては、正側の上限の電位が基準電位となっている。
【0044】
上記出力信号VOUTの、各パルスの上部に表されている指標“D”及び“S”は、それぞれのパルスが上記ダミーセンサ12及びセンサ11に対応することを示している。すなわち、この出力信号は、上記CCDアナログシフトレジスタ14から、上記ダミーセンサ11及びセンサ12が、1次元上に配置されている順に1ライン読み出したものである。このような1ラインの出力信号VOUTの“1ライン出力期間”は、図中に示されているように、上記ダミーセンサ12に対応する“ダミー信号”の部分と、上記センサ11に対応する“有効画素信号”の部分から構成されている。
【0045】
なお、上記出力信号VOUTの、パルスの振幅の大小は、読み出された電荷の量に対応している。従って、パルスの振幅が小さい部分は、光学的には黒色であり、図中の“光学的黒”は、このことを示唆している。
【0046】
次に、図4に、出力信号VOUTに対してサンプルホールド機能を用いた場合の、上記センサ部10の各端子に供給される信号と、上記センサ部10からの出力信号とのそれぞれの波形と、各信号の時間的な関係を示すクロックタイミング図を示す。ここでは、図の上から下へ、リードアウトゲート制御信号φROGと、第1のクロック信号φ1と、第2のクロック信号φ2と、リセット信号φRSと、サンプルホールド信号φS/Hと、出力信号VOUTとの各信号の波形が示されている。
【0047】
上記出力信号VOUTは、上記出力アンプ及びサンプルホールド回路15にて、サンプルホールドの加工がなされている。すなわち、上記CCDアナログシフトレジスタ14から読み出されたパルス状の信号に対して、上記サンプルホールド信号φS/Hの信号のパルスのタイミングでサンプリングを行い、次の上記サンプルホールド信号φS/Hのパルスのタイミングまで、上記サンプリングにて得られた電位をホールドがなされる。従って、この出力信号は、パルス状ではあるが、同じレベルについては平坦につながるようになった。
【0048】
続いて、上述の残像検出方法、または上述の残像検出方法を用いた残像の検出の実施の形態の一例を示す。
【0049】
このような残像検出方法によるタイミングチャートを図5に示す。図には、上記リードアウトゲート13を制御して電荷を転送するタイミングとして、“Aライン”と、“Aライン”より短い“Bライン”との2つのラインを交互に有するリードアウトゲート制御信号φROGと、上記CCDアナログシフトレジスタ14から上記出力アンプ及びサンプルホールド回路15を介して供給される出力信号VOUTとのそれぞれの信号の波形が示されている。
【0050】
ここで、上記センサ部10のセンサ11には、上記“Aライン”において上記光照射部から光が照射される。この光は、上記センサ11にて電荷に変換され、この電荷は、上記リードアウトゲート制御信号φROGのパルスの上記第2のタイミングジェネレータ17を介するタイミングで、上記リードアウトゲートを介して上記CCDアナログシフトレジスタ14に1ラインの電荷として転送される。そして、この1ラインの電荷は、“Aライン出力”にて出力信号VOUTとして出力される。
【0051】
上記“Bライン”にて上記センサ11に蓄積された電荷は、上記リードアウトゲート制御信号φROGのパルスの上記第2のタイミングジェネレータ17を介するタイミングに従って転送され、“Bライン出力”にて出力信号VOUTとして出力される。
【0052】
ここで、上記センサ11への“Aライン”における蓄積時間は、“Bライン”の蓄積時間より長いので、上記センサ11に“Aライン”において蓄積される電荷は、“Bライン”において蓄積される電荷よりも多い。電荷の量が多いほど出力信号VOUTの振幅は増加するので、上記“Aライン”と“Bライン”とで読み出される電荷の量の相違は、上記出力信号VOUTの振幅の相違となって現れている。すなわち、出力信号VOUTの振幅は、“Aライン”が“Bライン”よりも大きくなっている。
【0053】
ここで、上記出力信号VOUTの“Aライン”の出力の振幅は、部分A1にて局所的に減少する。また、上記出力信号VOUTの“Bライン”の振幅は、部分B1にて局所的に増加している。部分A1における振幅の局所的な減少は、上記リニアセンサに蓄積された電荷の一部が完全に転送されなかったためである。このような転送されずに残った電荷は、次のラインで読み出され、部分B1のように、振幅の局所的な増加となって現れる。
【0054】
このように、転送されずに残った電荷は、次のラインで蓄積される電荷の量が小さい場合には、このラインの電荷とともに転送される。すなわち、蓄積時間が長く蓄積される電荷も多い“Aライン”において残像として残った電荷を、蓄積時間が短い“Bライン”において蓄積された電荷とともに転送して読み出すことができる。従って、“Bライン出力”の出力信号VOUTの振幅の変化によって残像の電荷を検出することができる。
【0055】
なお、残像による出力振幅の変化は、“Aライン出力”においても見られるが、“Bライン出力”においては、裾となる出力信号のVOUTの振幅が小さいので“Aライン出力”よりも鮮明に見て取られる。
【0056】
ここで、上記部分A1及び部分B1の近傍の拡大図を、図6(a)及び(b)にそれぞれ示す。ここで、図中の“VRS”はリセットレベルを、“VOS”はオフセットレベルを表している。また、図中の各パルスは、リニアセンサの各センサ11に対応している。
【0057】
上記センサ11から転送されて読み出される電荷の量が多いほど出力信号VOUTの振幅は大きくなるので、部分A1に対応するセンサ11では電荷が減少している。また、部分B2に対応するセンサ11では電荷が増加している。上記電荷の上記センサ11における増加及び減少は、電荷の転送が完全に行われず、残留した電荷が次回のラインにおいて現れる残像現象によるものである。
【0058】
次に、残像がない場合のタイミングチャートを、図7に示す。図には、リードアウトゲート制御信号φROGと、出力信号VOUTとのそれぞれの信号の波形が示されている。上記出力信号VOUTの点A2及び点B2には、上述した残像がある場合に図5の点A1及び点B1において見られたような振幅の局所的な減少及び増加は、見られない。
【0059】
上記部分A2及び部分B2の近傍の拡大図を、図8(a)及び(b)にそれぞれ示す。図中の各パルスは、リニアセンサの各センサに対応している。パルスの振幅は一定であるので、各センサから転送される電荷は一定であり、残像がないことが見て取られる。
【0060】
【発明の効果】
上述のように、本発明に係る残像検出方法及び残像検出装置は、ストロボ光源等の間欠発光の光源を用いずに残像の検出を行うことができる。上記のような特殊な光源を用いないので、この方法及び装置は、コストの面で有利であり、また、作業者の負担を軽減する。さらに、上記間欠発光の光源の設備を要しないので、場所を限定されずに実施することができる。
【0061】
また、上記本発明は、蓄積時間の長い第1の蓄積時間で蓄積され、完全に転送されずに残った残像の電荷を、蓄積時間の短い上記第2の蓄積時間にて蓄積された電荷とともに上記第2の読み出し工程にて読み出し、この1ラインの電荷から残像の電荷を検出する。上記第2の蓄積時間において蓄積される電荷は、上記第1の蓄積時間にて蓄積される電荷より少ないので振幅も小さく、従って、残像の電荷による振幅の増加を鮮明に検知することができる。
【0062】
さらに、本発明に係る残像検出装置においては、光照射部の光源としては連続発光光源を用いる。従って、上記光源は、取扱いは簡単で、コストも低く、また、消費する電力も小さい。
【図面の簡単な説明】
【図1】残像検出装置の構成の概略を示すブロック図である。
【図2】1チップに構成されたセンサ部の一例を示すブロック図である。
【図3】サンプルホールド機能を用いない場合のセンサ部の各部の波形の例を示すタイミングチャートである。
【図4】サンプルホールド機能を用いる場合のセンサ部の各部の波形の例を示すタイミングチャートである。
【図5】残像がある場合の出力信号等の波形を示すタイミングチャートである。
【図6】残像がある場合の出力信号の波形の一部を拡大した拡大図である。
【図7】残像がない場合の出力信号等の波形を示すタイミングチャートである。
【図8】残像がない場合の出力信号の波形の一部を拡大した拡大図である。
【図9】従来の残像検出方法による、残像がある場合の出力信号の波形を示すタイミングチャートである。
【図10】従来の残像検出方法による、残像がある場合の出力信号の波形の一部を拡大した拡大図である。
【図11】従来の残像検出方法による、残像がない場合の出力信号の波形を示すタイミングチャートである。
【図12】従来の残像検出方法による、残像がない場合の出力信号の波形の一部を拡大した拡大図である。
【符号の説明】
1 光照射部、2 制御部、3 モニタ部、10 センサ部11 センサ、12 ダミーセンサ、13 リードアウトゲート、14 CCDアナログシフトレジスタ
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an afterimage detection method and an afterimage detection apparatus for detecting an afterimage of at least one line of an image sensor that accumulates electric charge in accordance with irradiated light.
[0002]
[Prior art]
A so-called linear sensor in which an image pickup device such as a CCD is arranged one-dimensionally is provided. The linear sensor is an element formed by combining an image sensor and a shift register arranged one-dimensionally, and transfers an image at each point detected by each image sensor to the shift register in units of one line. One line is sequentially read from the register as an output signal every time. This one-line output signal forms a one-dimensional image.
[0003]
The linear sensor can also sequentially read a two-dimensional image line by line by moving the linear sensor in a direction perpendicular to the one-dimensional direction of the linear sensor. The linear sensor is widely used in such applications as a sensor for reading a document in a facsimile, a scanner, a digital copy, and the like.
[0004]
One of the characteristics of the linear sensor is an afterimage characteristic. In general, a linear sensor converts irradiated light into electric charges in each image sensor, and transfers the electric charges to the shift register via a gate. However, when the transfer time is short or the transfer electric field is weak, the generated charges may not be completely transferred to the shift register within a desired time.
[0005]
In such a case, the charge remaining on each image sensor without being transferred will be mixed in the subsequent transfer. That is, the afterimage means that the output signal of the previous line is mixed with the output signal of one line from the linear sensor. The reasons why the charge is not completely transferred include a problem in the structure of the linear sensor and a factor such as a short time during which the read gate is open.
[0006]
The afterimage characteristics are important characteristic evaluation items for evaluating the performance of the linear sensor. For example, in the case of using a linear sensor for reading a two-dimensional image in a device such as the above-described facsimile, if a linear sensor having a different afterimage characteristic is used for each pixel, the image becomes uneven. In addition, the presence of an afterimage may cause deterioration of characteristics at the time of small exposure.
[0007]
In the evaluation of the afterimage characteristics, an intermittent light source such as a strobe light source is usually used. After irradiating the linear sensor with light for a predetermined time using this light source, one line of electric charge is read out from the linear sensor, and the one line is read out. The after-image characteristic is evaluated by detecting the after-image from the charge of one line read next to the image.
[0008]
FIG. 9 shows a timing chart of a method for detecting an afterimage using such an intermittent light source. In the figure, in order from top to bottom, a readout gate control signal φROG of a fixed cycle for controlling the transfer of one line of charge from the linear sensor, a light source control signal φSTB for controlling light emission of a strobe light, and an output signal V OUT The waveforms of the respective signals are shown.
[0009]
Here, “ON” and “OFF” on the left side of the waveform of the light source control signal φSTB represent the “ON” and “OFF” potentials of the light source. Further, the output signal V OUT "V" on the left side of the waveform of RS "And" V OS "Represents a" reset level "and an" offset level ", respectively.
[0010]
The linear sensor transfers charges of one line at the timing of the pulse of the readout gate control signal φROG, and the charges of one line are sequentially output. That is, the charges on each of the “A line” and the “B line” in FIG. OUT "A line output" and "B line output".
[0011]
The light source of the intermittent light emission is controlled by the light source control signal φ by the “A line”. STB And emits light in response to the pulse of "ON", and irradiates the linear sensor with light for a predetermined time. The linear sensor converts this light into electric charge, and the electric charge of this one line is output signal V OUT Is output at the next “A line output”. This output signal V OUT In the "A line output" cycle, the amplitude increases and the offset potential V OS Above the negative side corresponds to the charge read from the linear sensor.
[0012]
The output signal V OUT In the "A line output" period, a local decrease in the amplitude is seen in the uniformly increased amplitude portion A3. This local decrease in amplitude occurred because some of the charge stored in the linear sensor was not completely transferred. The charge remaining without being transferred is read out in the next line.
[0013]
In the "B line", the linear sensor is not irradiated with light and no electric charge is accumulated. Therefore, in the "B line output", only the electric charge remaining without being transferred as described above is read. This is the output signal V OUT This appears as a local increase in the amplitude, as shown by the portion B3 in FIG.
[0014]
As described above, after irradiating the linear sensor with the intermittent light on the “A line”, the charges on this line are transferred and read out by the “A line output”, and the “B line” corresponding to the “B line” not irradiated with the light is read out. Line output ”, and the output signal V of this“ B line output ” OUT By examining the change in the amplitude of the image, the charge of the afterimage can be detected.
[0015]
Here, enlarged views in the vicinity of the portion A3 and the portion B3 in FIG. 9 are shown in FIGS. 10A and 10B, respectively. Each pulse in the figure corresponds to each sensor constituting the linear sensor. Therefore, in the sensors corresponding to the portion A3 and the portion B3, it can be seen that the amount of charge read out is decreasing or increasing.
[0016]
Next, FIG. 11 shows a timing chart when there is no afterimage in the method of detecting an afterimage using a light source of intermittent light emission. In the figure, the readout gate control signal φROG, the light source control signal φSTB, and the output signal V OUT The waveforms of the respective signals are shown. The output signal V OUT At the points A4 and B4, the local decrease and increase of the amplitude as seen at the points A3 and B3 in FIG. 9 when there is the afterimage described above is not seen.
[0017]
12A and 12B are enlarged views of the vicinity of the portion A4 and the portion B4, respectively. Since the pulse amplitude is constant, it can be seen that the charge transferred from each sensor is constant and there is no afterimage.
[0018]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, in the conventional method for detecting the afterimage of the linear sensor, a light source of intermittent light emission such as a strobe light source is used.
[0019]
However, such intermittent light sources are generally expensive. The intermittent light source is troublesome to handle and has a short life. In addition, the light source of the intermittent light emission is used exclusively for the evaluation of the afterimage characteristic of the linear sensor, and has few other uses. Therefore, there is a problem in terms of equipment efficiency. Further, the evaluation of the afterimage characteristic of the linear sensor is limited to a place where the light source for the intermittent light emission is provided.
[0020]
In view of the above circumstances, the present invention provides an afterimage evaluation method for evaluating an afterimage characteristic of a linear sensor without using an intermittent light source such as a strobe light source, and a linear image sensor without the intermittent light source. An afterimage evaluation device for evaluating an afterimage characteristic of a sensor is provided.
[0021]
[Means for Solving the Invention]
In order to solve the above-mentioned problem, the afterimage detection method according to the present invention provides a method in which at least one line of an image pickup element that accumulates electric charge in accordance with the amount of light irradiated is irradiated with light for a first accumulation time. A first readout step of sequentially reading out the charges of the first order, and a second readout of sequentially reading out the charges of one line after irradiating the image sensor with light for a second accumulation time different from the first accumulation time. And detecting a charge of an afterimage from the charge of each line read in the first readout step and the second readout step.
[0022]
According to the present invention, after irradiating the image pickup device provided with at least one line for accumulating electric charges according to the irradiated light amount for a first accumulation time, one line is read in a first reading step. Are sequentially read out, and after irradiating the image sensor with light for a second storage time different from the first storage time, the charges of one line are sequentially read out in a second readout step, and an afterimage is formed. In the charge detection step, the charge of one line read in the first read step is compared with the charge of one line read in the second read step to detect the charge of an afterimage. .
[0023]
Further, in the afterimage detection method according to the present invention, the first accumulation time is longer than the second accumulation time, and an afterimage is detected from the charge of one line read in the second reading step. It was done. Further, in the afterimage detection method according to the present invention, the image pickup device includes a solid-state image pickup device.
[0024]
According to the present invention, the charge accumulated in the first accumulation time having a long accumulation time is read out in the first reading step, and the charge of the afterimage is accumulated in the second accumulation time having a short accumulation time. The charges are read out together with the charges in the second reading step, and the charges of the afterimage are detected from the charges of one line read in the second reading step. In addition, a solid-state image sensor is used as the image sensor.
[0025]
In order to solve the above problem, an afterimage detection apparatus according to the present invention includes: a light irradiation unit configured to irradiate at least one line of an imaging element that accumulates electric charge in accordance with the amount of irradiated light with light of a predetermined intensity; Charge readout means for sequentially reading out one line of charge from the image pickup device at a predetermined timing; and one line of charge read out from the image pickup device irradiated by the light irradiation means after the first accumulation time by the charge readout means And an afterimage charge detection unit for detecting an afterimage charge from the charge of one line read by the charge read unit after the second accumulation time.
[0026]
In the present invention, the image pickup element that accumulates electric charges in accordance with the irradiated light provided on at least one line is irradiated with light by light irradiation means, and the electric charge of the one line is read by electric charge reading means. Irradiating the image sensor with light for a first accumulation time to read out one line of charge, and irradiating the imager with light for a second accumulation to read out one line of charge; In this method, after-image charges are detected from these one-line charges.
[0027]
Further, in the afterimage detecting apparatus according to the present invention, the first accumulation time is longer than the second accumulation time. Further, in the afterimage detection apparatus according to the present invention, the afterimage charge detection means detects an afterimage charge from the charge of one line read after the second accumulation time.
[0028]
According to the present invention, the charge accumulated in the first accumulation time having a long accumulation time is read out in the first reading step, and the charge of the afterimage is accumulated in the second accumulation time having a short accumulation time. The charge is read out together with the charge in the second readout step, and the charge of the afterimage is detected from the charge of this one line.
[0029]
In the afterimage detection apparatus according to the present invention, the image pickup device is a solid-state image pickup device, and the light irradiation unit uses a continuous light source.
[0030]
According to the present invention, a solid-state imaging device is used as the imaging device, and a continuous light source is used as the light irradiation unit.
[0031]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of a residual image detection method and a residual image detection device according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[0032]
As shown in FIG. 1, the afterimage detection device according to the present invention includes a light irradiation unit 1, a control unit 2, a monitor unit 3, and a sensor unit 10.
[0033]
The light irradiation unit 1 includes a continuous light source such as a fluorescent lamp, and irradiates the sensor unit 10 with light having a predetermined intensity. The sensor unit 10 converts light emitted from the light irradiating unit 1 into electric charges by an image sensor arranged one-dimensionally, and reads out the electric charges line by line according to a clock supplied from the control unit. It is supplied to the monitor unit 3. The monitor unit 3 displays an output signal supplied from the sensor unit on a display screen.
[0034]
Next, FIG. 2 shows the structure of the sensor unit 10. Here, the sensor unit 10 is configured on a single chip by integrating a CCD image pickup device and its peripheral circuits.
[0035]
The sensor unit 10 includes a plurality of one-dimensionally arranged sensors 11, a plurality of dummy sensors 12 disposed at both ends of the one-dimensionally arranged sensor 11, and a charge transfer from the sensor 11. A readout gate 13 for controlling transfer, a CCD analog sensor 14 for receiving charges from the sensor 11 via the readout gate 13, an output amplifier for processing an output signal from the CCD analog shift register 13, and It comprises a sample and hold circuit 15, a first timing generator 16 for giving a reset timing to the CCD analog shift register 14, and a second timing generator 17 for giving a readout gate control timing to the readout gate 13. You.
[0036]
The sensor section includes a reset terminal 51 for providing a reset signal φRS to the CCD analog shift register via the first timing generator 16 as a terminal, and a sample / hold signal φS / H and a sample-and-hold terminal 52 for applying H and an output signal V from the output and sample-and-hold circuit 15 OUT , A ground terminal 54, a power supply terminal 55, a first clock terminal 56 for supplying a first clock φ1 to the CCD analog shift register 14, and the CCD analog shift register A second clock terminal 57 for supplying a second clock φ2 having a phase different from that of the first clock, and a readout gate control for giving a charge transfer timing to the readout gate 13 via the second timing generator 17 And a readout gate control terminal 58 for transmitting a signal φROG.
[0037]
A predetermined number of the sensors 11 are arranged one-dimensionally, and a predetermined number of the dummy sensors 12 are arranged one-dimensionally at both ends of the arranged sensors. Each of the sensors 11 arranged one-dimensionally converts light irradiated at each irradiated point into electric charges and accumulates the charges. The readout gate 13 converts the electric charge accumulated in the sensor 11 into the CCD analog signal in accordance with the timing at which the readout gate control signal φROG is supplied from the readout gate control terminal 58 via the second timing generator 17. The data is transferred to the shift register 14.
[0038]
The CCD analog shift register 14 is provided so that each element corresponds to each element of the sensor 11 with the readout gate 13 interposed therebetween. The CCD analog shift register 14 receives charges transferred from the sensor 11 line by line via the readout gate 13. Then, the charges of this one line are sequentially read out according to the clock. Here, a two-phase clock of a first clock φ1 supplied from the first clock terminal 56 and a second clock φ2 supplied from the second clock terminal 57 is used. A phase or four phase clock may be used. The sensor 11 and the dummy sensor 12, the readout gate 13, and the CCD analog shift register 14 arranged one-dimensionally constitute a linear sensor as an integral unit. Sometimes you take.
[0039]
The output amplifier and sample hold circuit 15 processes the output signal read from the CCD analog shift 14. That is, the output signal is amplified to a predetermined level, and the output signal is sample-held according to the timing of the sample-hold signal φS / H supplied from the sample-hold terminal 52. The output signal V thus processed OUT Is supplied to the output terminal 53.
[0040]
The first timing generator 16 adjusts a reset signal φRS supplied from the reset terminal 51 and gives a reset timing to the CCD analog shift register 14. The second timing generator 17 gives a timing to open the readout gate 58 from a readout gate control signal φROG supplied from the readout gate control terminal 58. Although the first timing generator 17 and the second timing generator 17 have independent configurations, they may have an integrated configuration including a portion that generates another timing signal.
[0041]
Subsequently, FIG. 3 shows an example of a clock timing chart showing a time relationship between each signal of a signal supplied to each terminal of the sensor unit 10 and an output signal from the sensor unit and a time relationship of each signal. Show. Here, the output signal V OUT Does not perform sample hold. From the top to the bottom of the figure, the readout gate control signal φROG, the first clock signal φ1, the second clock signal φ2, the reset signal φRS, and the output signal V OUT The waveforms of the respective signals are shown. The numbers shown on the left side of the waveforms of the signals indicate the potentials of 5V and 0V.
[0042]
The readout gate control signal φROG controls the readout gate 13 to transfer charges accumulated in accordance with the light irradiated on each element of the sensor 11 to the CCD analog shift register 14 for one line. The timing of transfer as a unit is given via the second timing generator 17. The charge transferred to the CCD analog shift register 14 based on the pulse timing of the readout gate control signal φROG is converted into an output signal V in accordance with a two-phase clock of the first clock φ1 and the second clock φ2. OUT Are sequentially read out one line. When the charge of one line is read from the CCD analog shift register 14, the charge of one line is again transferred from each element of the sensor 11 to the CCD analog shift register 14 based on the pulse timing of the readout control signal φROG. Will be transferred.
[0043]
The output signal V OUT Is an output signal of one line which is output from the CCD analog shift register 14 and processed by the output amplifier section and the sample hold circuit 15. However, since the sample hold is not performed here, this output signal V OUT Is pulsed. Note that this output signal V OUT With respect to, the upper limit potential on the positive side is the reference potential.
[0044]
The output signal V OUT The indices “D” and “S” shown above each pulse indicate that each pulse corresponds to the dummy sensor 12 and the sensor 11. That is, this output signal is obtained by reading one line from the CCD analog shift register 14 in the order in which the dummy sensor 11 and the sensor 12 are arranged one-dimensionally. Such an output signal V of one line OUT The "one line output period" includes a "dummy signal" portion corresponding to the dummy sensor 12 and a "valid pixel signal" portion corresponding to the sensor 11, as shown in FIG. ing.
[0045]
The output signal V OUT The magnitude of the pulse amplitude corresponds to the amount of charge read. Therefore, the portion where the pulse amplitude is small is optically black, and “optical black” in the figure indicates this.
[0046]
Next, FIG. OUT 5 shows the respective waveforms of the signal supplied to each terminal of the sensor unit 10 and the output signal from the sensor unit 10 when the sample hold function is used, and the temporal relationship between the signals. FIG. 4 shows a clock timing diagram. Here, from the top to the bottom of the figure, the readout gate control signal φROG, the first clock signal φ1, the second clock signal φ2, the reset signal φRS, the sample / hold signal φS / H, and the output signal V OUT The waveforms of the respective signals are shown.
[0047]
The output signal V OUT The sample and hold is processed by the output amplifier and sample and hold circuit 15. That is, the pulse-like signal read from the CCD analog shift register 14 is sampled at the pulse timing of the sample-and-hold signal φS / H, and the next pulse of the sample-and-hold signal φS / H is sampled. Until the timing, the potential obtained by the sampling is held. Therefore, the output signal is pulse-shaped, but is flat at the same level.
[0048]
Next, an example of an embodiment of detecting an afterimage using the above-described afterimage detection method or the above-described afterimage detection method will be described.
[0049]
FIG. 5 shows a timing chart according to such an afterimage detection method. In the figure, as a timing for controlling the readout gate 13 to transfer charges, a readout gate control signal having two lines, an “A line” and a “B line” shorter than the “A line” alternately. φROG and an output signal V supplied from the CCD analog shift register 14 through the output amplifier and sample hold circuit 15. OUT The waveforms of the respective signals are shown.
[0050]
Here, the sensor 11 of the sensor section 10 is irradiated with light from the light irradiation section in the “A line”. This light is converted into electric charge by the sensor 11, and the electric charge is converted to the CCD analog signal via the readout gate at the timing of the pulse of the readout gate control signal φROG passing through the second timing generator 17. The charges are transferred to the shift register 14 as one line of charges. Then, the charge of this one line is output from the output signal V by the “A line output”. OUT Is output as
[0051]
The electric charge accumulated in the sensor 11 at the “B line” is transferred in accordance with the timing of the pulse of the readout gate control signal φROG via the second timing generator 17, and the output signal is output at the “B line output”. V OUT Is output as
[0052]
Here, since the accumulation time of the “A line” in the sensor 11 is longer than the accumulation time of the “B line”, the electric charge accumulated in the “A line” in the sensor 11 is accumulated in the “B line”. Charge. The larger the amount of charge, the more the output signal V OUT The difference in the amount of charge read between the “A line” and the “B line” depends on the output signal V OUT Appears as a difference in the amplitude of That is, the output signal V OUT Are larger in the “A line” than in the “B line”.
[0053]
Here, the output signal V OUT The amplitude of the output of the “A line” of FIG. Further, the output signal V OUT Of the “B line” of FIG. 7 locally increases in the portion B1. The local decrease in the amplitude in the portion A1 is because a part of the electric charge accumulated in the linear sensor was not completely transferred. Such charge remaining without being transferred is read out in the next line, and appears as a local increase in amplitude, as shown in a portion B1.
[0054]
In this way, the charge remaining without being transferred is transferred together with the charge of this line when the amount of charge stored in the next line is small. That is, it is possible to transfer and read out the charge remaining as an afterimage on the “A line” where the charge is accumulated for a long accumulation time and the charge accumulated on the “B line” where the accumulation time is short. Therefore, the output signal V of "B line output" OUT , The charge of the afterimage can be detected.
[0055]
The change in the output amplitude due to the afterimage is also seen in the “A line output”, but in the “B line output”, the output signal V OUT Is smaller than the “A-line output” because the amplitude is small.
[0056]
Here, FIGS. 6A and 6B are enlarged views of the vicinity of the portion A1 and the portion B1, respectively. Here, “V” in FIG. RS "Indicates the reset level and" V OS "" Indicates an offset level. Each pulse in the figure corresponds to each sensor 11 of the linear sensor.
[0057]
The larger the amount of charge transferred and read from the sensor 11, the greater the output signal V OUT Of the sensor 11 corresponding to the portion A1 has a reduced charge. In the sensor 11 corresponding to the portion B2, the charge has increased. The increase and decrease of the charge in the sensor 11 are due to an afterimage phenomenon in which the charge is not completely transferred and the remaining charge appears in the next line.
[0058]
Next, a timing chart when there is no afterimage is shown in FIG. In the figure, the readout gate control signal φROG and the output signal V OUT The waveforms of the respective signals are shown. The output signal V OUT In the point A2 and the point B2, the local decrease and increase in the amplitude as seen at the point A1 and the point B1 in FIG.
[0059]
FIGS. 8A and 8B are enlarged views of the vicinity of the portion A2 and the portion B2, respectively. Each pulse in the figure corresponds to each linear sensor. Since the pulse amplitude is constant, it can be seen that the charge transferred from each sensor is constant and there is no afterimage.
[0060]
【The invention's effect】
As described above, the afterimage detection method and the afterimage detection apparatus according to the present invention can detect an afterimage without using an intermittent light source such as a strobe light source. Since no special light source as described above is used, this method and apparatus are advantageous in terms of cost and reduce the burden on the operator. Furthermore, since the equipment for the light source for the intermittent light emission is not required, the present invention can be implemented without limiting the place.
[0061]
Further, according to the present invention, the charge of the afterimage that has been accumulated during the first accumulation time having a long accumulation time and has not been completely transferred remains together with the charge accumulated during the second accumulation time having a short accumulation time. Reading is performed in the second reading step, and charges of an afterimage are detected from the charges of this one line. Since the charge accumulated in the second accumulation time is smaller than the charge accumulated in the first accumulation time, the amplitude is also small, so that an increase in the amplitude due to the charge of the afterimage can be clearly detected.
[0062]
Further, in the afterimage detection device according to the present invention, a continuous light source is used as a light source of the light irradiation unit. Therefore, the light source is easy to handle, low in cost, and consumes little power.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram schematically illustrating a configuration of an afterimage detection device.
FIG. 2 is a block diagram illustrating an example of a sensor unit configured on one chip.
FIG. 3 is a timing chart showing an example of a waveform of each unit of a sensor unit when a sample hold function is not used.
FIG. 4 is a timing chart showing an example of a waveform of each unit of the sensor unit when a sample hold function is used.
FIG. 5 is a timing chart showing waveforms of an output signal and the like when there is an afterimage;
FIG. 6 is an enlarged view in which a part of a waveform of an output signal when there is an afterimage is enlarged.
FIG. 7 is a timing chart showing waveforms of output signals and the like when there is no afterimage.
FIG. 8 is an enlarged view in which a part of a waveform of an output signal when there is no afterimage is enlarged.
FIG. 9 is a timing chart showing a waveform of an output signal when there is an afterimage by a conventional afterimage detection method.
FIG. 10 is an enlarged view in which a part of a waveform of an output signal when there is an afterimage by a conventional afterimage detection method is enlarged.
FIG. 11 is a timing chart showing a waveform of an output signal when there is no afterimage by a conventional afterimage detection method.
FIG. 12 is an enlarged view of a part of a waveform of an output signal in a case where there is no afterimage by a conventional afterimage detection method.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 1 light irradiation unit, 2 control unit, 3 monitor unit, 10 sensor unit 11 sensor, 12 dummy sensor, 13 readout gate, 14 CCD analog shift register

Claims (9)

照射された光量に応じて電荷を蓄積する少なくとも1ラインの撮像素子に第1の蓄積時間に亘って光を照射した後に1ラインの電荷を順次に読み出す第1の読み出し工程と、
上記撮像素子に第1の蓄積時間とは異なる第2の蓄積時間に亘って光を照射した後に1ラインの電荷を順次に読み出す第2の読み出し工程と、
上記第1の読み出し工程と第2の読み出し工程とにおいて読み出されたそれぞれの1ラインの電荷から残像の電荷を検出する工程と
を有することを特徴とする残像検出方法。
A first readout step of sequentially reading out one line of charge after irradiating at least one line of image pickup device that accumulates charge according to the amount of light irradiated for a first storage time;
A second reading step of sequentially reading out charges of one line after irradiating the image sensor with light for a second storage time different from the first storage time;
A residual image detection method, comprising: detecting a residual image charge from each one-line charge read in the first read step and the second read step.
上記第1の蓄積時間は、上記第2の蓄積時間より長いことを特徴とする請求項1記載の残像検出方法。2. The method according to claim 1, wherein the first accumulation time is longer than the second accumulation time. 上記第2の読み出し工程において読み出される1ラインの電荷から残像を検出することを特徴とする請求項2記載の残像検出方法。3. The afterimage detection method according to claim 2, wherein an afterimage is detected from the charge of one line read in the second reading step. 上記撮像素子は、固体撮像素子からなることを特徴とする請求項1記載の残像検出方法。2. The afterimage detection method according to claim 1, wherein the image sensor is a solid-state image sensor. 照射される光量に応じて電荷を蓄積する少なくとも1ラインの撮像素子に所定の強さの光を照射する光照射手段と、
上記撮像素子から所定のタイミングで1ラインの電荷を順次に読み出す電荷読み出し手段と、
上記光照射手段によって照射される上記撮像素子から、第1の蓄積時間後に上記電荷読み出し手段によって読み出される1ラインの電荷と、第2の蓄積時間後に上記電荷読み出し手段によって読み出される1ラインの電荷とから、残像の電荷を検出する残像電荷検出手段と
を有する残像検出装置。
Light irradiating means for irradiating at least one line of the imaging element that accumulates charges according to the amount of light to be irradiated with light of a predetermined intensity;
Charge readout means for sequentially reading one line of charge at a predetermined timing from the image sensor;
From the image pickup device irradiated by the light irradiation unit, one line of charge read by the charge reading unit after a first accumulation time, and one line of charge read by the charge reading unit after a second accumulation time And an afterimage charge detection unit for detecting afterimage charges.
上記第1の蓄積時間は、上記第2の蓄積時間よりも長いことを特徴とする請求項5記載の残像検出装置。6. The afterimage detection apparatus according to claim 5, wherein the first accumulation time is longer than the second accumulation time. 上記残像電荷検出手段は、上記第2の蓄積時間の後に読み出される1ラインの電荷から残像の電荷を検出することを特徴とする請求項6記載の残像検出装置。7. An afterimage detection apparatus according to claim 6, wherein said afterimage charge detection means detects afterimage charges from one line of charges read after said second accumulation time. 上記撮像素子は、固体撮像素子からなることを特徴とする請求項5記載の残像検出装置。6. An afterimage detecting apparatus according to claim 5, wherein said image sensor is a solid-state image sensor. 上記光照射手段は、連続発光光源を用いることを特徴とする請求項5記載の残像検出装置。6. An afterimage detecting apparatus according to claim 5, wherein said light irradiation means uses a continuous light source.
JP35110596A 1996-12-27 1996-12-27 Afterimage detection method and afterimage detection device Expired - Fee Related JP3591183B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35110596A JP3591183B2 (en) 1996-12-27 1996-12-27 Afterimage detection method and afterimage detection device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35110596A JP3591183B2 (en) 1996-12-27 1996-12-27 Afterimage detection method and afterimage detection device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10190941A JPH10190941A (en) 1998-07-21
JP3591183B2 true JP3591183B2 (en) 2004-11-17

Family

ID=18415094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35110596A Expired - Fee Related JP3591183B2 (en) 1996-12-27 1996-12-27 Afterimage detection method and afterimage detection device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3591183B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4692160B2 (en) * 2005-08-29 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 Photoelectric conversion element inspection method, image reading apparatus, and program
JP7120189B2 (en) * 2019-09-03 2022-08-17 信越半導体株式会社 Semiconductor substrate evaluation method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10190941A (en) 1998-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6002435A (en) Solid-state imaging apparatus
US20060028568A1 (en) Image capturing apparatus
JPS5823793B2 (en) document scanner
US20120199749A1 (en) Imaging apparatus, imaging system, method of controlling the apparatus and the system, and program
JP2563257B2 (en) Video camera equipment
JPH03832B2 (en)
JP4164790B2 (en) Active pixel sensor system and active pixel detection method
JPH0365710B2 (en)
JP3591183B2 (en) Afterimage detection method and afterimage detection device
US5682033A (en) Digitizing CCD array system
JP4724311B2 (en) Radiation detection apparatus and imaging system using the same
JP2725508B2 (en) Multi-element optical sensor device
JPH0342750B2 (en)
JP2001312690A (en) Decision of exposure effective to image forming device
JPH06311441A (en) Solid-state image pickup device
JPS63123282A (en) Image signal processor
JP2006192150A (en) Radiographing apparatus
WO2022244495A1 (en) Radiation imaging device and radiation imaging system
JP2845859B2 (en) CCD light intensity saturation control circuit
JPH07121685A (en) Illumination light quantity abnormality detection circuit
JP2001148768A (en) Photosensitive device
JP2956289B2 (en) Solid-state imaging device afterimage characteristic evaluation method
TW201532438A (en) Active pixel sensor and analytical device using the same
JP2995996B2 (en) Linear defect detection device for solid-state imaging device and its defect detection method
JP3406802B2 (en) Image reading device

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040614

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040803

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040816

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080903

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090903

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees