JP3577196B2 - Semiconductor cooling device and power conversion device having semiconductor cooling device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置を純水を用いて冷却する半導体冷却装置、及び半導体冷却装置を有する電力変換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子が多数個直並列接続されて構成される半導体変換装置を有する電力変換装置において、半導体素子の冷却に純水が使用されており、この純水の温度及び導電度を維持するために半導体冷却装置が設けられている。
【0003】
図11はその電力変換装置の一例を示すもので、1は半導体変換装置(以下、変換装置と略称する。)である。この変換装置1には、図12に示すような、半導体素子2、及び半導体素子2が発生する熱を冷却するためのヒ−トシンク3が多数個積層されて構成された半導体スタック4が多数個収納されている。各ヒ−トシンク2間、及びヒ−トシンク2と出入口配管5a、5bの間はそれぞれ絶縁ホース6a、6b、6cで絶縁されて接続されている。
【0004】
又、7は半導体冷却装置(以下、冷却装置と略称する。)で、水冷式の熱交換器8、該熱交換器8の純水配管側に設けられた循環ポンプ9、流量計10、温度計11、及び純水の導電度を維持するためのイオン交換器12、導電率計13、出入口配管14a、14bにより構成されている。又、16はイオン交換器12の流量調整バルブである。一方外水配管側は出入口配管15a、15bにより構成されている。
【0005】
このように構成される冷却装置7において、半導体素子2が発熱する熱を循環ポンプ9の運転により純水を循環させ熱交換器8により熱交換され冷却される。又、イオン交換器12に純水を常時流し、純水の導電度を規定値に維持することにより、半導体素子2間及び半導体素子2と出入口配管5a、5bの間の絶縁を確保している。導電率計13は純水の導電度を監視し規定値を越えた場合に信号を出しイオン交換器12内のイオン交換樹脂の劣化を検知する。
【0006】
又、図13は空冷式の熱交換器8aを用いた場合を示し、多数個のファン24により純水を冷却するもので熱交換器8a以外は図11、図12と同じ構成となっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来技術では保守、点検時において、あるいは予備装置として、長期間変換装置及び冷却装置からなる電力変換装置を停止した場合、純水と接触する金属部分、特に銅材のヒ−トシンクの金属イオンが純水に溶け出し純水導電度を上昇させ規定値を越える。この状態で装置を運転させると絶縁ホ−ス中の漏れ電流が大きくなり絶縁ホ−スを劣化させると共に絶縁が確保できず、結果として絶縁破壊に至るという問題があった。
【0008】
本発明は上記の問題点を解消させるためになされたもので、純水の導電度を維持し、又装置の運転までの時間を短縮すると共にイオン交換器内のイオン交換樹脂の劣化速度を小さく抑えた冷却装置および、冷却装置を有する電力変換装置を提供しようとするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、半導体装置を水冷又は空冷式の熱交換器によって冷却される純水で冷却する半導体冷却装置において、純水を循環させるポンプを、半導体装置の停止中に断続運転させて純水の導電度を規定値内に維持するように制御する手段を備えたことを特徴とする。
【0010】
ここで、純水を循環させるポンプを断続運転させるにあたっては、ポンプを一定サイクル毎にかつ、一定時間断続運転させるように制御することができる。
純水の導電度を常時、規定値以内に維持することができると共に断続運転によりイオン交換樹脂の劣化速度を抑え更にポンプの消費電力も抑えることができる。
【0011】
また、純水を循環させるポンプを断続運転させるにあたっては、純水の水温及び導電度を規定値内に抑えながら断続運転させるように制御してもよい。
このような構成とすることにより、純水を冷却する外水あるいはファンが停止している場合においても純水の導電度を常時規定値以内に維持することができる。
【0012】
請求項2に記載の発明は、半導体装置を水冷又は空冷式の熱交換器によって冷却される純水で冷却する半導体冷却装置において、純水が低速で循環するようにポンプを、前記半導体装置の停止中に連続運転させて純水の導電度を規定値内に維持するように制御する手段を備えたことを特徴とする。
【0013】
ここで、純水が低速で循環するようにポンプを連続運転させるには、例えば純水を循環させるポンプを低速で連続運転させるように制御すればよい。また、純水が低速で循環するようにポンプを連続運転させるには、通常純水を循環させる主ポンプを停止させ、これとは別に設けられた補助ポンプを連続運転させるように制御してもよい。
【0014】
このような構成とすることにより、純水を冷却する外水あるいはファンが停止している場合においても純水の導電度を常時規定値以内に維持することができる。
【0015】
請求項3に記載の発明は、半導体装置を水冷又は空冷式の熱交換器によって冷却される純水で冷却する半導体冷却装置において、純水を循環させるポンプを半導体装置の停止中の運転前に起動させ少なくとも純水を1巡以上循環させて純水の導電度を規定値以下に抑えた後、半導体装置を運転するように制御する手段を備えたことを特徴とする。
【0016】
このような構成とすることにより、純水が停止中に絶縁が要求される部分の導電度が上昇した場合でも、純水を循環させることにより導電率計によるコントロ−ルが可能となり、導電度を規定値以内に維持することができる。
【0017】
請求項4に記載の発明は、前記請求項1乃至3に記載の発明において、純水の導電度を維持するイオン交換器に流れる純水の流量を導電度の変化に応じて制御する手段を備えたことを特徴とする。
【0018】
ここで、純水の導電度を維持するイオン交換器に流れる純水の流量をするにあたっては、例えばイオン交換器の入口又は出口配管に流量を制御できる電動バルブを入れてもよいし、主配管とイオン交換器の入口又は出口配管の分岐部分に電動型の三方弁を入れてイオン交換器の流量を制御してもよい。
【0019】
このような構成とすることにより、純水の導電度の変化に合わせ、イオン交換器への流量を変化させることができることから規定値の導電度に達するまでの時間を縮めることができると共にイオン交換樹脂の劣化速度を抑えることができる。
【0020】
請求項5に記載の発明は、半導体素子を用いて電力を変換する半導体装置と、この半導体装置を水冷又は空冷式の熱交換器によって冷却される純水で冷却する半導体冷却装置とからなる電力変換装置において、半導体装置の停止中に半導体冷却装置が純水を循環させるポンプを断続運転させて純水の導電度を規定値内に維持するように制御する手段を備えたことを特徴とする。
【0021】
このような構成とすることにより、装置が停止している間純水の導電度を維持し、装置の運転再開までの時間を短縮すると共に、イオン交換器内のイオン交換樹脂の劣化速度を小さく抑えることができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。尚、図1〜図13において、同一符号は、同一機能である同一部分または対応部分を示す。
(第1の実施形態)
図1は本発明の第1の実施形態に係る電力変換装置の構成を示す図であり、また図2はその動作を説明するためのタイムチャ−トである。
【0023】
図1において1はインバータ、コンバータ等の変換装置であり、これらの構成は従来技術で説明した図11及び図12のものと同じである。
7は冷却装置であり、熱交換器8を有する。この熱交換器8の純水側は循環ポンプ9、流量計10、温度計11、及び純水の導電率を維持するためのイオン交換器12、導電率計13、及び出入口配管14a、14bにより構成されている。一方外水側は出入口配管15a、15bにより構成される。
【0024】
17は循環ポンプ9の運転をコントロ−ルする制御装置である。
このように構成された冷却装置7において、変換装置1が停止中で、図2に示す様に外水が通水中である場合は、制御装置17の制御により、循環ポンプ9を一定サイクル毎にかつ一定時間断続運転させる。例えば1日に一回1時間程度運転させる。
【0025】
このように循環ポンプ9を断続運転させることにより、純水の導電度を規定値に維持できると共にイオン交換器12内のイオン交換樹脂(例えば、スチレンとジビニルベンゼンの共重合物で生成された、陽イオン交換樹脂または陰イオン交換樹脂)の劣化速度を抑え、更に循環ポンプ9の消費電力を抑えることができる。
【0026】
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図3は第2の実施形態に係る電力変換装置の構成を示す図であり、また図4はその動作を説明するためのタイムチャ−トである。図3において11は温度計、13は導電率計でありそれぞれ信号が制御装置17にフィ−ドバックされている。20は電磁弁であり変換装置1の停止中は外水を停止させるものである。他の構成部品は図1と同じである。
【0027】
このように構成された冷却装置7において、変換装置1が停止中で、図4に示すように外水が停止中の場合においても、純水の水温及び導電度をフィ−ドバックしながら循環ポンプ9を断続運転する。
【0028】
即ち、導電率計13により検出される導電度が上限設定値になったとき循環ポンプ9の運転を開始させ、循環ポンプ9の発熱による純水の温度上昇で純水の温度が上限設定値になったことを温度計11で検出したとき循環ポンプ9の運転を停止させる。
【0029】
このことを繰り返して、循環ポンプ9を断続運転することにより、循環ポンプ9の発熱による純水の温度上昇値及び導電度を設定値に抑えることができ純水の導電度を規定値に維持することができる。
【0030】
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。図5は第3の実施形態の構成を示す図であり、また図6はその動作を説明するためのタイムチャ−トである。図5において17は循環ポンプ9の電源電圧を制御する制御装置であり、外水の停止信号を受けると共に循環ポンプ9の電源電圧を降下させ低速で連続運転させる。
【0031】
循環ポンプ9を低速で運転させることで純水が低速で循環し、外水が停止中の場合においても循環ポンプ9の発熱による純水の温度上昇値及び導電率を設定値に抑えることができ純水の導電度を規定値に維持することができる。
【0032】
なお、このように、低速運転中も導電率計13により導電度を検出し、もし導電度が上限設定値にある程度近づいたときは循環ポンプ9の電源電圧を少し上げ、また温度計11により純水の温度を検出して、もし純水の温度が上限設定値にある程度近づいたときは循環ポンプ9の電源電圧を少し下げるように制御することもできる。
【0033】
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。
図7は、第4の実施形態の動作を説明するためのタイムチャ−トである。図5に示す第3の実施形態の構成と同様に、制御装置17を設け、変換装置1の運転に入る前に外水の通水を行うとともに、制御装置17の制御により、循環ポンプ9を運転させ純水が変換装置1及び冷却装置7の配管を少なくとも1巡以上循環させ、一定時間経過後、導電度が規定値以下になるのを検知したのちに変換装置1の運転に入るようなシ−ケンスとする。
【0034】
純水の循環ポンプ9が停止中においては金属イオンの溶出し易いヒ−トシンク(図5中のA点)では導電度が規定値を越えているのに対し導電率計13の部分(図5中のB点)ではステンレス等の金属イオンの溶出しにくい材質であるために導電度の異常が検出されない。そこで、純水を循環させ、一定時間経過後、導電率計13により、導電度が規定値以下になるのを検知したのちに、変換装置1の運転に入ることとする。
【0035】
このように、循環ポンプ9の運転を開始後ある時間T経過後変換装置1の運転に入るシ−ケンスにすることで、導電度の異常時での変換装置1の運転を防止できる。
【0036】
(第5の実施形態)
次に、本発明の第5の実施形態について説明する。
図8は第5の実施形態の構成を示す図である。図中21は導電度の変化に合わせて制御される電動バルブでありイオン交換器12の入口又は出口配管(図中では入口)に入れられる。
【0037】
このような構成にすることにより、純水の導電度の大きさに比例して電動バルブ21の開閉度合を変化させイオン交換器12を通る純水流量を変化させることができる。このようにイオン交換器12を通る純水流量を変化させることで、規定の導電度にするまでの時間を縮めることができると共にイオン交換器12内のイオン交換樹脂の劣化速度を小さく抑えることができる。
【0038】
(第6の実施形態)
次に、本発明の第6の実施形態について説明する。
図9は第6の実施形態の構成を示す図である。図に示すように、イオン交換器12が出口配管14aに並列接続され、かつ、出口配管14aとイオン交換器12の入口又は出口配管(図中では入口)の分岐部分に導電度の変化に合わせて制御される電動型の三方弁22を入れたものである。この三方弁22は、熱交換器8から流れてくる純水の、直接出口配管14b方向へ流れる純水流量と、イオン交換器12へ流れる純水流量との割合をコントロールするもので、これにより純水の導電度の大きさに応じてイオン交換器12を通る純水流量を変化させることができる。
【0039】
このような構成にすることによりイオン交換器12を通る純水流量がより大きくできることから規定の導電度にするまでの時間をより短縮することができると共にイオン交換樹脂の劣化速度を小さく抑えることができる。
【0040】
(第7の実施形態)
次に、本発明の第7の実施形態について説明する。
図10は第7の実施形態の構成を示す図である。図中22は電動型の三方弁であり、イオン交換器12の入口部に設けられる。又23は補助ポンプで循環ポンプ9に比べて容量が小型のものであり循環ポンプ9の入口と前記三方弁22の一方に接続される。三方弁22は、イオン交換器12に導入される純水の入力側を、熱交換器8からと補助ポンプ23からとに切り替えるものである。
【0041】
このような構成において外水の停止信号が制御装置17に入力されると共に制御装置17により三方弁22が補助ポンプ23側に切替わった後、補助ポンプ23の運転に切替わりイオン交換器12のイオン交換樹脂を通過した純水が変換装置内を循環することになり、導電度の上昇を抑えることができる。
【0042】
なお、電導度計13により、電導度が規定値以下であることを確認している。このように、小型の補助ポンプ23を設けることにより純水を低速で循環させることができ、消費電力を小さく抑えることができると共に外水が停止中でも常時導電度を規定値以下に抑えることができる。
なお、上記第1乃至第7の実施形態においては、水冷式の熱交換器の場合について説明したが、空冷式の熱交換器の場合も同様に実施することができる。
【0043】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、長期間、変換装置及び冷却装置を停止する場合においても、純水の導電度を維持し変換装置の運転までの準備時間を最短にできると共に、イオン交換器内のイオン交換樹脂の劣化速度を最小に抑えた冷却装置、及び電力変換装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の構成を示すブロック図。
【図2】第1の実施形態の動作を説明するためのタイムチャート。
【図3】本発明の第2の実施形態の構成を示すブロック図。
【図4】第2の実施形態の動作を説明するためのタイムチャート。
【図5】本発明の第3および第4の実施形態の構成を示すブロック図。
【図6】第3の実施形態の動作を説明するためのタイムチャート。
【図7】第4の実施形態の動作を説明するためのタイムチャート。
【図8】本発明の第5の実施形態の構成を示すブロック図。
【図9】本発明の第6の実施形態の構成を示すブロック図。
【図10】本発明の第7の実施形態の構成を示すブロック図。
【図11】従来の水冷式の半導体冷却装置を有する電力変換装置の一例の構成を示すブロック図。
【図12】図11に示す半導体冷却装置の一部の詳細な構成を示すブロック図。
【図13】従来の空冷式の半導体冷却装置を有する電力変換装置の一例の構成を示すブロック図。
【符号の説明】
1…半導体変換装置
2…半導体素子
3…ヒ−トシンク
4…半導体スタック
5a…出口配管
5b…入口配管
6a、6b、6c…絶縁ホ−ス
7…半導体冷却装置
8…熱交換器
9…循環ポンプ
10…流量計
11…温度計
12…イオン交換器
13…導電率計
14a…出口配管
14b…入口配管
15a…入口配管
15b…出口配管
16…流量調整バルブ
17…制御装置
20…電磁弁
21…電動バルブ
22…三方弁
23…補助ポンプ
24…ファン[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor cooling device that cools a semiconductor device using pure water, and a power conversion device having the semiconductor cooling device.
[0002]
[Prior art]
In a power converter having a semiconductor converter configured by connecting a large number of semiconductor elements in series and parallel, pure water is used for cooling the semiconductor elements, and a semiconductor is used to maintain the temperature and conductivity of the pure water. A cooling device is provided.
[0003]
FIG. 11 shows an example of the power converter.
[0004]
[0005]
In the
[0006]
FIG. 13 shows a case in which an air-cooled heat exchanger 8a is used, in which pure water is cooled by a number of
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
In the above-mentioned prior art, when the power conversion device including the conversion device and the cooling device is stopped for a long period of time during maintenance, inspection, or as a standby device, the metal portion that comes into contact with pure water, particularly the metal of a copper heat sink. Ions dissolve in pure water and increase the conductivity of pure water, exceeding the specified value. If the device is operated in this state, the leakage current in the insulating hose increases, deteriorating the insulating hose and making it impossible to secure insulation, resulting in a problem of dielectric breakdown.
[0008]
The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and maintains the conductivity of pure water, shortens the time until the operation of the apparatus, and reduces the deterioration rate of the ion exchange resin in the ion exchanger. It is an object of the present invention to provide a suppressed cooling device and a power conversion device having the cooling device.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, in a semiconductor cooling device that cools a semiconductor device with pure water cooled by a water-cooled or air-cooled heat exchanger , an intermittent operation of a pump that circulates pure water is performed while the semiconductor device is stopped. And means for controlling the conductivity of the pure water so as to maintain the conductivity within a specified value.
[0010]
Here, when the pump for circulating the pure water is intermittently operated, it can be controlled so that the pump is intermittently operated at regular intervals and for a constant time.
The conductivity of the pure water can always be maintained within a specified value, and the intermittent operation suppresses the rate of deterioration of the ion exchange resin and further reduces the power consumption of the pump.
[0011]
Further, when the pump for circulating the pure water is intermittently operated, the pump may be controlled to perform the intermittent operation while keeping the temperature and conductivity of the pure water within specified values.
With this configuration, the conductivity of the pure water can always be maintained within the specified value even when the external water for cooling the pure water or the fan is stopped.
[0012]
The invention according to
[0013]
Here, in order to continuously operate the pump so that the pure water circulates at a low speed, for example, the pump for circulating the pure water may be controlled so as to continuously operate at a low speed. In order to continuously operate the pump so that the pure water circulates at a low speed, the main pump that normally circulates the pure water is stopped, and the auxiliary pump provided separately is controlled to be continuously operated. Good.
[0014]
With this configuration, the conductivity of the pure water can always be maintained within the specified value even when the external water for cooling the pure water or the fan is stopped.
[0015]
According to a third aspect of the present invention, in a semiconductor cooling device for cooling a semiconductor device with pure water cooled by a water-cooled or air-cooled heat exchanger, a pump for circulating pure water is operated before the semiconductor device is stopped during operation. after the activated thereby at least pure water is circulated over 1 round the conductivity of pure water is suppressed below a specified value, characterized by comprising a means for controlling to operate the semiconductor device.
[0016]
By adopting such a configuration, even when the conductivity of a portion where insulation is required increases while the pure water is stopped, the conductivity can be controlled by the conductivity meter by circulating the pure water. Can be maintained within the specified value.
[0017]
According to a fourth aspect of the present invention, in the first to third aspects, the means for controlling the flow rate of the pure water flowing through the ion exchanger for maintaining the conductivity of the pure water in accordance with a change in the conductivity is provided. It is characterized by having.
[0018]
Here, in controlling the flow rate of the pure water flowing through the ion exchanger that maintains the conductivity of the pure water, for example, an electric valve capable of controlling the flow rate may be inserted into the inlet or outlet pipe of the ion exchanger, or the main pipe may be used. Alternatively, an electric three-way valve may be inserted at the branch of the inlet or outlet pipe of the ion exchanger to control the flow rate of the ion exchanger.
[0019]
With this configuration, the flow rate to the ion exchanger can be changed in accordance with the change in the conductivity of pure water, so that the time required to reach the specified value of conductivity can be shortened, and ion exchange can be performed. The deterioration rate of the resin can be suppressed.
[0020]
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device for converting power using a semiconductor element, and a semiconductor cooling device for cooling the semiconductor device with pure water cooled by a water-cooled or air-cooled heat exchanger. In the conversion device, the semiconductor cooling device includes means for controlling the semiconductor cooling device to intermittently operate the pump for circulating the pure water while the semiconductor device is stopped so as to maintain the conductivity of the pure water within a specified value. .
[0021]
With such a configuration, the conductivity of the pure water is maintained while the apparatus is stopped, the time until the operation of the apparatus is restarted, and the deterioration rate of the ion exchange resin in the ion exchanger is reduced. Can be suppressed.
[0022]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 to 13, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts having the same function.
(1st Embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a power converter according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a time chart for explaining the operation thereof.
[0023]
In FIG. 1,
[0024]
A
In the
[0025]
By intermittently operating the
[0026]
(Second embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the power converter according to the second embodiment, and FIG. 4 is a time chart for explaining the operation thereof. In FIG. 3,
[0027]
In the
[0028]
That is, when the conductivity detected by the
[0029]
By repeating this, the intermittent operation of the
[0030]
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the third embodiment, and FIG. 6 is a time chart for explaining the operation. In FIG. 5,
[0031]
By operating the
[0032]
As described above, the conductivity is detected by the
[0033]
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 7 is a time chart for explaining the operation of the fourth embodiment. Similar to the configuration of the third embodiment shown in FIG. 5, the
[0034]
When the pure
[0035]
In this way, by setting the sequence to start the operation of the
[0036]
(Fifth embodiment)
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 8 is a diagram showing the configuration of the fifth embodiment. In the figure,
[0037]
With such a configuration, the degree of opening and closing of the
[0038]
(Sixth embodiment)
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 9 is a diagram showing the configuration of the sixth embodiment. As shown in the figure, the
[0039]
With such a configuration, the flow rate of pure water passing through the
[0040]
(Seventh embodiment)
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a diagram showing the configuration of the seventh embodiment. In the figure,
[0041]
In such a configuration, after the external water stop signal is input to the
[0042]
The
In the first to seventh embodiments, the case of the water-cooled heat exchanger has been described. However, the case of the air-cooled heat exchanger can be similarly implemented.
[0043]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, even when the conversion device and the cooling device are stopped for a long period of time, the conductivity of pure water can be maintained and the preparation time until the operation of the conversion device can be minimized, and ion exchange can be performed. It is possible to provide a cooling device and a power conversion device in which the deterioration rate of the ion exchange resin in the vessel is minimized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a time chart for explaining the operation of the first embodiment.
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a time chart for explaining the operation of the second embodiment.
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration according to third and fourth embodiments of the present invention.
FIG. 6 is a time chart for explaining the operation of the third embodiment.
FIG. 7 is a time chart for explaining the operation of the fourth embodiment.
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a block diagram showing a configuration of an example of a power conversion device having a conventional water-cooled semiconductor cooling device.
FIG. 12 is a block diagram showing a detailed configuration of a part of the semiconductor cooling device shown in FIG. 11;
FIG. 13 is a block diagram showing a configuration of an example of a power conversion device having a conventional air-cooled semiconductor cooling device.
[Explanation of symbols]
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