JP3565672B2 - Wafer macro inspection method and automatic wafer macro inspection apparatus - Google Patents

Wafer macro inspection method and automatic wafer macro inspection apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP3565672B2
JP3565672B2 JP30023196A JP30023196A JP3565672B2 JP 3565672 B2 JP3565672 B2 JP 3565672B2 JP 30023196 A JP30023196 A JP 30023196A JP 30023196 A JP30023196 A JP 30023196A JP 3565672 B2 JP3565672 B2 JP 3565672B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
image
inspected
template
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP30023196A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH10144747A (en
Inventor
直人 吉高
正美 小玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP30023196A priority Critical patent/JP3565672B2/en
Publication of JPH10144747A publication Critical patent/JPH10144747A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3565672B2 publication Critical patent/JP3565672B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体製造工程におけるホトリソグラフィ工程やエッチング工程の終了後に、ウエハに形成されたパターンの検査をするためのウエハ検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程のホトリソグラフィ工程やエッチング工程を行った後には、ウエハに形成したパターンの状態を検査する必要がある。例えば、レジストパターンに関しては、レジストコーティング状態（均一にコーティングされているかどうか。）、現像状態（パターン露光後に均一に現像されているかどうか。）、解像不良の有無（パターン露光が正常になされているかどうか。デフォーカスしている部分が無いかどうか。）およびキズの有無等の検査を行う。また、エッチングパターンに関しては、エッチング状態（エッチングが均一になされているかどうか。）やキズの有無等の検査を行う。従来、これらの検査を行う方法として、主に下記の２通りの方法がある。
【０００３】
第１の方法として、主に金属顕微鏡を用いてパターンの一部分を拡大し、実際にパターンの形成状態を目視にて判断する、ミクロ検査法と呼ぶ方法がある。この検査方法によれば、ウエハ上の一部分を観察して細部まで検査することができるが、最近では、パターンの微細化に伴い、金属顕微鏡で拡大してもパターンの状態が判別しづらくなってきている。また、拡大して見る場所が限られてしまうから（通常、５〜１０か所程度）、不良品検出率が低く、作業時間もかかってしまう。
【０００４】
一方、第２の方法として、ウエハ表面全体を何らかの光（主に蛍光灯等の拡散光）で様々な角度から照らして、ウエハ上に色ムラが有るかどうかを作業者が外観目視にて判断する、マクロ検査法と呼ぶ方法がある。色ムラは、ウエハ上のパターンの１μｍ〜数μｍ程度の段差に起因して生じる乱反射により、発生する。均一なパターンの中の或る部分に不均一部分があると、均一なパターンを反映した色ムラにその不均一部分に応じた色の変化が現れるので、パターンの良・不良を判断することができる。このマクロ検査法によればウエハ上全体を観察する方法であるので、レジストムラや現像ムラ等のウエハ上の一部分のみに発生する不良状態を検出するのに有効である。
【０００５】
従って、ポイント毎の細部観察によるミクロ検査法よりも、比較的大きな領域全体を観察するマクロ検査法の方が、不良品検出率を高くすることができ、また、作業時間を短縮することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のマクロ検査法においては、すべての観察過程を目視にて行っているため、照明に対するウエハの傾き角や作業者の見る角度の変動によって、ウエハ上に現れる色ムラまたはキズの状態が変化してしまい、パターンの良・不良の判断基準があいまいであった。また、この検査工程というものはパターン形成毎に行う必要があり、１つの製品（ウエハプロセスにより作成された物）が完成するまでに多いものなら数十回も検査を行わなければならない。従って、目視による検査では、著しく能率が低下してしまっていた。
【０００７】
従って、従来より、目視による検査を改め、パターンの良・不良の判断基準が一定であり、能率的に検査を遂行することができるウエハのマクロ検査装置の出現が望まれていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この出願に係る第１発明のウエハのマクロ検査方法によれば、第１光源で発生した拡散光を拡散反射板を用いて基準ウエハの表面に照射し、該基準ウエハの斜め上方から該基準ウエハの表面の全領域に亘る第１の色ムラ像を検出するステップと、前記拡散反射板を移動させ、前記基準ウエハの表面にスポット光を照射し、該基準ウエハの真上から該基準ウエハの表面の全領域に亘る第１のキズ像を検出するステップと、前記拡散反射板を用いて被検査ウエハの表面に前記拡散光を照射し、該被検査ウエハの斜め上方から該被検査ウエハの表面の全領域に亘る第２の色ムラ像を検出するステップと、前記拡散反射板を移動させ、前記被検査ウエハの表面に前記スポット光を照射し、該被検査ウエハの真上から該被検査ウエハの表面の全領域に亘る第２のキズ像を検出するステップと、前記第１の色ムラ像およびキズ像と前記第２の色ムラ像およびキズ像とを比較するステップと、前記比較の結果に基づいて、前記被検査ウエハの良否を判定するステップとを有することを特徴とする。
【０００９】
このように、ウエハの表面像を検出して、その表面像のパターンを基準画像のパターンと比較し、その比較結果に応じてパターン状態を判定することにより、ウエハ（ウエハの表面に形成したパターン）の検査を行うことが可能である。
【００１０】
また、この発明のウエハのマクロ検査方法の好適な実施例によれば、前記比較を、テンプレートマッチングによって行うことを特徴とする。
【００１１】
ここで、テンプレートとは、比較基準画像および比較対象画像の部分領域のことをいう。このように、基準画像と被検査画像とをそれぞれテンプレートに分割して、各テンプレートごとに比較を行うのが好適である。
【００１２】
また、この発明のウエハのマクロ検査方法において、好ましくは、前記テンプレートマッチングは、前記格納した基準画像に基準テンプレートを設定するステップと、この設定した基準テンプレートを構成する各画素の明度の合計値を基準値として計数し、この基準値を第１メモリ手段に記憶するステップと、前記基準テンプレートに対応する前記検査対象のウエハの検出した表面像の領域に、被検査テンプレートを設定するステップと、この被検査テンプレートを構成する各画素の明度の合計値を被検査値として計数し、この被検査値を第２メモリ手段に記憶するステップと、前記第１および第２メモリ手段から前記基準値および前記被検査値をそれぞれ読み出し、これら被検査値および基準値を比較するステップとをもって行うのが良い。
【００１３】
さらに、この発明のウエハのマクロ検査方法において、好ましくは、前記テンプレートマッチングは、前記格納した基準画像に基準テンプレートを設定するステップと、この設定した基準テンプレートにエッジ処理を施すステップと、このエッジ処理済の基準テンプレートを構成する各画素の、第１明度差以下の画素数と第２明度差以上の画素数とを基準値として計数し、この基準値を第１メモリ手段に記憶するステップと、前記基準テンプレートに対応する前記検査対象のウエハの検出した表面像の領域に、被検査テンプレートを設定するステップと、この設定した被検査テンプレートにエッジ処理を施すステップと、このエッジ処理済の被検査テンプレートを構成する各画素の、前記第１明度差以下の画素数と前記第２明度差以上の画素数とを被検査値として計数し、この被検査値を第２メモリ手段に記憶するステップと、前記第１および第２メモリ手段から前記基準値および前記被検査値をそれぞれ読み出し、これら基準値および被検査値を比較するステップとをもって行うのが良い。
【００１４】
次に、この出願に係る第２発明の自動ウエハマクロ検査装置によれば、拡散光を発生する第１光源と、前記第１光源から発生された前記拡散光を反射して、基準ウエハおよび被検査ウエハの表面に該拡散光を照射する拡散反射板と、前記拡散光が照射されている間に、前記基準ウエハおよび前記被検査ウエハの色ムラ像を検出する第１検査手段と、前記基準ウエハおよび前記被検査ウエハの表面にスポット光を照射する第２光源と、前記拡散反射板を移動させ、前記スポット光が照射されている間に、前記基準ウエハおよび前記被検査ウエハのキズ像を検出する第２検査手段と、前記基準ウエハの前記色ムラ像および前記キズ像と前記被検査ウエハの前記色ムラ像および前記キズ像とを比較する比較部と、前記比較部の比較結果に基づいて、前記被検査ウエハの良否判定を行う判定部とを具えることを特徴とする。
【００１５】
このように、予め画像検出部が基準画像を検出して、この基準画像を画像メモリ部に格納しておき、次に、画像検出部は被検査画像を検出して、この被検査画像を画像メモリ部に格納し、画像メモリ部に格納された各画像を比較部に読み出して、これら基準画像および被検査画像の比較を行い、この比較結果に基づいて判定部はウエハ（ウエハの表面に形成されたパターン）の良否判定結果を出力する。従って、この装置構成により、ウエハのマクロ検査を自動的に行うことが可能である。
【００１６】
また、この発明の自動ウエハマクロ検査装置の好適な構成例によれば、前記画像検出部は、前記ウエハの表面に拡散光を照射する拡散照明系と、前記ウエハの全領域に亘る前記表面像を検出する第１検出手段とを具えることを特徴とする。
【００１７】
このように、ウエハの表面に拡散光を照射して、第１検出手段で表面像を検出することにより、ウエハの表面に形成されたパターンの不均一性を検査することができる。パターンの不均一性は、ウエハ表面の色ムラを見ることにより調べることができる。色ムラは、ウエハ上に対して、なるべく均一に光が当たっていた方が見えやすい。均一に光が当たらない照明例えばスポット光を用いた場合、ウエハ表面が鏡面なので照明ムラが発生してしまい、色ムラと照明ムラとの区別が付かなくなり、従って、色ムラが見えにくい。よって、均一に光を照射する照明である拡散光を用いると、表面の色ムラが見えやすくなる。また、第１検出手段としては、例えば、光電変換を利用した撮像手段を用いることができる。
【００１８】
また、この発明の自動ウエハマクロ検査装置において、好ましくは、前記拡散照明系は、拡散光を発生する第１光源と、前記拡散光を、前記ウエハの表面の全領域に向けて照射するための拡散反射板とを具えるのが良い。
【００１９】
また、前記拡散照明系は、拡散光を発生して、前記ウエハの表面の全領域に該拡散光を照射する第２光源としても良い。
【００２０】
次に、この発明の自動ウエハマクロ検査装置の好適な構成例によれば、前記画像検出部は、前記ウエハの表面にスポット光を照射するスポット照明系と、前記ウエハの表面の全領域に亘る前記表面像を検出する第２検出手段とを具えることを特徴とする。
【００２１】
このように、ウエハの表面にスポット光を照射して、第２検出手段で表面像を検出することにより、ウエハの表面に形成されたパターンのキズの有無を検査することができる。パターンのキズは、ごく細い溝状の異物と考えられるため、ぼんやりとした拡散光よりも指向性のあるスポット光の方が、溝部分で強く乱反射が生じるため、見えやすい。この場合、キズは白く光って観測されるから、背景色が暗い方が良い。第２検出手段としては、例えば、光電変換を利用した撮像手段を用いることができる。
【００２２】
また、この発明の自動ウエハマクロ検査装置において、好ましくは、前記スポット照明系は、スポット光を発生して、前記ウエハの表面の全領域に向けて斜め上方から該スポット光を照射するための第３光源とするのが良い。
【００２３】
次に、この発明の自動ウエハマクロ検査装置の好適な構成例によれば、前記画像検出部は、拡散光を発生する第１光源と、この拡散光を前記ウエハの表面の全領域に向けて照射するための拡散反射板と、前記ウエハの表面の全領域に亘る前記表面像を検出する第１検出手段と、スポット光を発生して、前記ウエハの表面の全領域に向けて斜め上方から該スポット光を照射するための第３光源と、前記ウエハの表面の全領域に亘る前記表面像を検出する第２検出手段とを具えることを特徴とする。
【００２４】
このように、ウエハの表面に拡散光を照射して、ウエハの表面像を検出することにより、パターンの不均一性を検査することができる。また、照明を切り替えて、ウエハの表面にスポット光を照射して、ウエハの表面像を検出することにより、パターンのキズの有無を検査することができる。
【００２５】
次に、この発明の自動ウエハマクロ検査装置の好適な構成例によれば、前記画像検出部は、拡散光を発生して、前記ウエハの表面の部分領域にこの拡散光を照射するための第４光源と、前記部分領域の前記表面像を検出する第３検出手段と、前記ウエハの表面の全領域に亘る前記表面像が走査されるように前記ウエハを移動させるＸＹステージとを具えることを特徴とする。
【００２６】
このように、ウエハの表面に拡散光を照射して、ウエハの表面像を検出することにより、ウエハ表面の部分領域に形成されたパターンの不均一性を検査することができる。そして、ＸＹステージでウエハを移動させることにより、第３検出手段で捉えるウエハの部分領域を移動させることができる。よって、部分領域ごとにウエハの表面のパターンの不均一性を検査することができる。また、第３検出手段としては、例えば、光電変換を利用した撮像手段を用いることができる。
【００２７】
また、この発明の自動ウエハマクロ検査装置の好適な構成例によれば、前記画像検出部は、スポット光を発生して、前記ウエハの表面の部分領域に向けて斜め上方から該スポット光を照射するための第５光源と、前記部分領域の前記表面像を検出する第３検出手段と、前記ウエハの表面の全領域に亘る前記表面像が走査されるように前記ウエハを移動させるＸＹステージとを具えることを特徴とする。
【００２８】
このように、ウエハの表面にスポット光を照射して、ウエハの表面像を検出することにより、ウエハ表面の部分領域に形成されたパターンのキズの有無を検査することができる。そして、ＸＹステージでウエハを移動させることにより、第３検出手段で捉えるウエハの部分領域を移動させることができる。よって、部分領域ごとにウエハの表面のパターンのキズの有無を検査することができる。
【００２９】
また、この発明の自動ウエハマクロ検査装置の好適な構成例によれば、前記画像検出部は、拡散光を発生して、前記ウエハの表面の部分領域にこの拡散光を照射するための第４光源と、スポット光を発生して、前記ウエハの表面の部分領域に向けて斜め上方からこのスポット光を照射するための第５光源と、前記部分領域の前記表面像を検出する第３検出手段と、前記ウエハの表面の全領域に亘る前記表面像が走査されるように前記ウエハを移動させるＸＹステージとを具えることを特徴とする。
【００３０】
このように、ウエハの表面に拡散光を照射して、ウエハの表面像を検出することにより、ウエハ表面の部分領域に形成されたパターンの不均一性を検査することができる。そして、ＸＹステージでウエハを移動させることにより、第３検出手段で捉えるウエハの部分領域を移動させることができる。よって、部分領域ごとにウエハの表面のパターンの不均一性を検査することができる。また、ウエハの表面にスポット光を照射して、ウエハの表面像を検出することにより、ウエハ表面の部分領域に形成されたパターンのキズの有無を検査することができる。そして、上述したように、ＸＹステージでウエハを移動させることにより、第３検出手段で捉えるウエハの部分領域を移動させることができる。よって、部分領域ごとにウエハの表面のパターンのキズの有無を検査することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して、この発明の実施の形態につき説明する。尚、図は、この発明の構成、大きさ及び配置関係が理解出来る程度に概略的に示す図であり、また、以下に記載する数値条件等は単なる一例に過ぎず、従って、この発明は、この実施の形態に何ら限定されることがない。
【００３２】
［第１の実施の形態］
図１は、第１の実施の形態の自動ウエハマクロ検査装置の構成を示す図である。この実施の形態の自動ウエハマクロ検査装置は、所定の照明を行いウエハの表面に形成されるパターンの像を表面像として検出する画像検出部１０と、この画像検出部１０によって検出された表面像から上述したパターンの良否を判定する画像処理部１２とを具えている。図１には、画像検出部１０の側面図と、画像処理部１２のブロック図とを示してある。また、図２は、第１の実施の形態における画像検出部１０の構成を示す平面図である。図１に示す画像検出部１０の構成は、図２に示す構成の右側面図に相当している。
【００３３】
上述した画像検出部１０は、検査対象であるウエハの表面像と基準ウエハの表面像とを、それぞれ被検査画像および基準画像として検出する手段である。この実施の形態では、パターンの不均一性を検査する場合には、ウエハの表面に拡散光を照射する拡散照明系１４と、ウエハの表面の全領域に亘る表面像を色ムラ像として検出する第１検出手段１６とを具えた構成である。
【００３４】
そして、上述した拡散照明系１４は、拡散光を発生する第１光源１８と、この第１光源１８で発生した拡散光をウエハの表面の全領域に向けて照射するための拡散反射板２０とを有している。
【００３５】
この実施の形態では、ウエハ上に形成されるレジスト層の感光性を考慮して、第１光源１８には赤色光を発生するＬＥＤ（発光ダイオード：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）照明を用いている。また、赤色光でなく黄色光を発生する光源を用いるのも好適である。さらに、例えば蛍光灯を用いてもよい。そして、この第１光源１８には、発生する光を拡散光にするために、光源の射出部に拡散板（図１に記号ａ１で示す。厚さ１ｍｍ程度で白色のアクリル板である。）を装着してあり、発生光がこの拡散板を通過して射出されるようにしてある。この第１光源１８は、ウエハ２２の表面に対して斜め上方の位置に、拡散反射板２０に拡散光を照射できるように配置されている。ウエハ２２として５インチウエハ（但し、１インチは２．５４ｃｍ。このウエハは直径１２７ｍｍに相当する。）を用いるこの実施の形態では、第１光源１８の発光面の高さ方向のサイズｈ１は６０ｍｍにしてあり（図１）、幅方向のサイズＷ１は１３０ｍｍとしてある（図２）。
【００３６】
上述した拡散反射板（スクリーン）２０は、白色（赤色や黄色でもよい。）のアクリル板（厚さ３ｍｍ以上）である。尚、このアクリル板の表面をツヤ消し面（細かな凹凸のある面）とした方が拡散光が得られやすい。この拡散反射板（スクリーン）２０の設置位置やサイズは、ウエハ２２の表面の全領域にその像が映るように設定してある。この実施の形態では、ウエハ２２は、支持体２４上に下面が固定されて、その上面が水平になされている。そして、ウエハプロセス工程によりその上面側にパターンが形成される。スクリーン２０は、ウエハ２２に対して前述した第１光源１８と対向した位置に設置されており、ウエハ２２の上方のほぼ半分の領域を覆うようにしてある。すなわち長方形のアクリル板を、その下端部をウエハ２２の側方に位置させて、鉛直方向から傾かせた状態になるように設け、その上端部付近（図１の記号ｂで示す部分）が曲率２０度の曲面となっており、その上端部がウエハ２２の上方の中心付近に達するようにしてある。このスクリーン２０の高さｈ２は２２０ｍｍとし（図１）、幅Ｗ２を２３０ｍｍとしてある（図２）。
【００３７】
また、上述した第１検出手段１６は、光電変換を利用した第１カメラ（第１検出手段１６と同じ番号で示す。）である。この実施の形態では、第１カメラ１６としてＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ ）カメラを用いている。この第１カメラ１６は、第１光源１８の斜め上方の位置に、その光軸Ｏ１がウエハ２２の表面に対して垂直な方向から角度（図１の角度θ１）が約３０°だけ傾いた状態にして具えられている。第１カメラ１６の光軸Ｏ１の延長線がウエハ２２の表面と交わるのは、ウエハ２２の中心すなわち支持体２４の中心軸（図１のＣ軸）から３５ｍｍの距離（図１の距離ｄ１）だけ離間した位置である。この位置と第１カメラ１６との距離ｄ２は１４０ｍｍであり、第１カメラ１６でウエハ２２の表面の全領域が観測できるように設定してある。
【００３８】
以上説明した画像検出部１０の構成により、ウエハ２２の表面の全領域に形成されるパターンの均一性を反映した色ムラ像を検出することが可能である。
【００３９】
尚、図３は、色ムラ像の見え方を示す平面図である。図３（Ａ）は、正常（均一）なパターンが形成されたウエハ２２の表面像を示す。この場合には、形成されているパターンが反映した規則的な色ムラが観察できる。また、パターンの無いウエハや、パターンの凹凸（段差）が小さいウエハでは、淡い、均一なグレーに見える（表面像は濃淡画像として検出される。）。図３（Ｂ）は、不均一なパターンが形成されたウエハ２２の表面像を示す。例えば図３（Ｂ）に示すように、不均一部分ｒ１において、色が周囲よりも薄く見えたり、また、他の部分には無い縞模様が見えたりする。図３（Ｃ）も、不均一なパターンが形成されたウエハ２２の表面像を示す。この例では、パターンの一部分ｒ２が黒く見えている。また、図３（Ｄ）には、不均一パターンの一例として、コート不良（レジスト等のコーティングの不良）が発生している場合の表面像の様子を示す。図中の斜線部分ｒ３がコート不良部分である。このコート不良部分だけは、他の表面領域が均一な色の模様を呈しているのに対して、異なった色あるいはパターンとなって観察される。
【００４０】
また、図４は、パターンの不均一性を示す断面図である。ウエハ２２の表面に形成されたパターン９０の様子を示している。図４（Ａ）は、形成されたパターン９０に凸部９２が有る場合を示す。色ムラ像には、このような比較的なだらかな凹凸（段差１μｍ程度）がパターンの不均一として反映される。図４（Ｂ）は、形成されたパターン９０にキズ９４が有る場合を示す。色ムラ像と違い、キズ像には、キズ９４のような鋭角な不均一性が反映する。
【００４１】
次に、画像検出部１０は、パターンのキズを検査する場合には、ウエハの表面にスポット光を照射するスポット照明系２６と、ウエハの表面の全領域に亘る表面像をキズ像として検出する第２検出手段２８とを具えた構成である。
【００４２】
そして、上述したスポット照明系２６は、スポット光を発生して、ウエハ２２の表面の全領域に向けて斜め上方からスポット光を照射するための第３光源３０ａおよび３０ｂを有している。
【００４３】
この実施の形態では、前述したように、ウエハ上に形成されるレジスト層の感光性を考慮して、第３光源３０ａおよび３０ｂには赤色光を発生するＬＥＤ照明を用いている。また、赤色光でなく黄色光を発生する光源を用いても好適である。さらに、例えば蛍光灯やハロゲン光源を用いてもよい。これら第３光源３０ａおよび３０ｂのそれぞれは、ウエハ２２の表面の斜め上方の位置に、対向させて設けてある。そして、ウエハ２２の表面の全領域にスポット光を照射できるように配置されている。この配置により、スポット光は、ウエハ２２の表面にほぼ水平な方向から照射されるようになされている。キズはごく細い溝であるから、このように溝に対して側方からスポット光を照射する方が乱反射させやすく、キズ像が得られやすい。ウエハ２２として、前述と同様に、５インチウエハ（直径１２７ｍｍ）を用いるこの実施の形態では、第３光源３０ａおよび３０ｂの各発光面の幅方向のサイズＷ３は１７５ｍｍとしてある（図２）。このように、ウエハ２２の直径より第３光源３０ａ、３０ｂのサイズＷ３を大きくしてあるから、ウエハ２２の表面の全領域にスポット光を照射することができる。
【００４４】
また、上述した第２検出手段２８は、光電変換を利用した第２カメラ（第２検出手段２８と同じ番号で示す。）である。この実施の形態では、第２カメラ２８としてＣＣＤカメラを用いている。この第２カメラ２８は、ウエハ２２の表面に対して垂直な方向に光軸Ｏ２が配向するように配置してある。このように配置すれば、ウエハ２２の表面像を最大の状態にして検出することができ、キズの観測が良好に行える（例えば、第１カメラ１６のような配置で観測すれば、ウエハの表面像はだ円形状となるから、第２カメラ２８で捉える映像よりも像が小さい。）。そして、第２カメラ２８の光軸Ｏ２の延長線がウエハ２２の表面と交わるのは、ウエハ２２の中心すなわち支持体２４の中心軸（図１のＣ軸）から２０ｍｍの距離（図１の距離ｄ３）だけ離間した位置である。この位置と第２カメラ２８との距離ｄ４は１６５ｍｍであり、第２カメラ２８でウエハ２２の表面の全領域が観測できるように設定してある。
【００４５】
以上説明した画像検出部１０の構成により、ウエハ２２の表面の全領域に形成されるパターンのキズの有無が反映されたキズ像を検出することが可能である。
【００４６】
図５は、撮像系（第１カメラ１６、第２カメラ２８）の配置を示すための線図である。図５に示すように、第１および第２カメラ１６および２８は、この第１カメラ１６で捉えられる映像に当該第１カメラ１６の像と第２カメラ２８の像とを映さずに、第１カメラ１６で前述した色ムラ像が観測でき、第２カメラ２８で前述したキズ像が観測できるように配置してある。図５において、２つの線分ｍで張られる領域は、第１カメラ１６の視野領域を示す。第１カメラ１６の光軸Ｏ１と線分ｍとのなす角αは、第１カメラ１６の最大視野角（画角）である。また、図５において、２つの線分ｎで張られる領域は、第２カメラ２８の視野領域を示す。第２カメラ２８の光軸Ｏ２と線分ｎとのなす角βは、第２カメラ２８の最大視野角（画角）である。図５に示すように、それぞれのカメラ１６および２８の視野領域内にウエハ２２の表面の全領域が入るように、これらのカメラ１６および２８は具えられている。また、第２カメラ２８が、ウエハ２２の表面に関して対称的な位置に設けられるとした場合（この場合の第２カメラを記号２８ａで示す。）、この第２カメラ２８ａに向けた第１カメラ１６の視線Ｓがウエハ２２の表面と交わらないように配置してあるため、第１カメラ１６で捉える映像には第２カメラ２８の像が映らない。
【００４７】
このように配置してあれば、色ムラ像を検出するときに両カメラの像によって色ムラが見えなくなるといったことがない。尚、カメラの像は黒くウエハ表面に映り、キズは白く光って見えるから、キズ観測時に用いる第２カメラの映像には第１カメラの像が映っていても構わない。
【００４８】
以上説明した第１および第２カメラ１６および２８の配置で、前述した照明系１４および２６を交互に切り替えて用いることにより、色ムラ像とキズ像とを各カメラで交互に観測することができる。すなわち、拡散照明系１４を用いたときに第１カメラ１６で色ムラ像が検出でき、スポット照明系２６を用いたときに第２カメラ２８でキズ像を検出できる。この第１の実施の形態では、拡散照明系１４として第１光源１８とスクリーン２０とを用いるが、キズ像の検出時にはこのスクリーン２０はウエハ２２の表面にその像を映さないようにするために遠方（図１および図２の矢印Ｐ）に移動できるように構成されている。ウエハの表面に形成されるパターンの不均一性は、ウエハの表面にスクリンーン２０の像が映って背景色が明るい方が色ムラ像として検出しやすい。しかし、前述したように、パターンのキズは、カメラで観測すると白く光って見えるため、ウエハ表面にスクリーン２０の像を映さないようにして背景色を暗くした方がキズ像として検出しやすい。
【００４９】
次に、画像検出部１０で検出された表面像（すなわち第１カメラ１６で検出された色ムラ像と第２カメラ２８で検出されたキズ像。）は、画像処理部１２に送られる。この実施の形態の画像処理部１２は、パターンの良否の判定を、画像検出部１０で検出された表面の全領域に亘る表面像（被検査画像）と予め用意した基準画像との比較結果に基づいて行う。図１において、画像処理部１２は、画像処理装置３２とディスプレイ装置３４とを以て構成される。画像処理装置３２は、画像検出部１０から送られた表面像に対してグレー処理を施す手段である。この実施の形態では、検出された表面像の各画素の濃淡を２５６階調で識別する処理を行う。また、ディスプレイ装置３４は、検出された表面像の表示や画像処理装置３２の処理結果の表示を行うための表示手段である。
【００５０】
次に、図６は、画像処理部１２の構成を示すブロック図である。この実施の形態の画像処理部１２は、画像メモリ部と、比較部と、および判定部とを具えている。
【００５１】
画像メモリ部としての画像格納部３６は、画像検出部１０で検出された基準画像および被検査画像を格納しておく手段である。すなわち画像格納部３６は、被検査画像を格納しておくための検出画像メモリ４６と、基準画像を格納しておくための基準画像メモリ４８とを具えている。これらメモリ４６および４８に格納されている画像情報は、制御手段４４の命令に応じて適時に比較手段３８に読み出される。
【００５２】
比較部としての比較手段３８は、基準画像および被検査画像を画像格納部３６から読み出して、これら画像同士の比較を行う手段である。この比較手段３８の出力（比較結果）は、判定部に送られる。判定部としての判定手段４０は、比較手段３８の出力に応じてウエハの良否判定を行う手段である。そして、判定手段４０の出力が、表示手段４２に送られて、この表示手段４２に判定結果が表示される。以上説明した画像検出部１０、画像格納手段３６、比較手段３８、判定手段４０および表示手段４２の動作タイミングは、制御手段４４により制御されている。
【００５３】
尚、上述した基準画像とは、良好な状態のパターンが形成されたウエハ（基準ウエハと称する。）の全領域の表面像のことである。この場合のパターンの良否の判定は、画像検出部１０で検出された基準画像を表示手段（上述した表示手段４２を兼用してもよい。）に表示させて、作業者が目視により行う。このように、ロットの最初の１枚目のウエハのパターンの良否を作業者が目視により確認して、「良」と判定した場合に基準画像メモリ４８に基準画像として格納する。１枚目が「不良」と判定されたならば、２枚目、３枚目というように「良」となるパターンを有するウエハに到達するまで判定してゆくことになる。
【００５４】
この実施の形態では、被検査画像と基準画像との比較をテンプレートマッチングに基づいて行う。そして、このテンプレートマッチングは、表面像にパターン形成領域を設定してこのパターン形成領域を格子状に区画することにより得られる各格子領域をテンプレートとして用いて行う。
【００５５】
図７は、上述した比較手段３８の構成の詳細を示すブロック図である。図７において、比較手段３８は、データ入力部５０、ウエハデータ格納部５２、テンプレート作成部５４およびテンプレートマッチング部５６を具えている。また、データ入力部５０は、表面像のパターン形成領域の設定を、表面像の不感体領域を設定することにより行うための不感体領域入力部５８と、設定したパターン形成領域を、いくつの格子領域に分割するかを設定するための分割数入力部６０とを具えている。各構成要素の動作は前述した制御手段４４により制御される。
【００５６】
ここで、パターン形成領域とは、パターンが形成されるウエハ表面の領域に相当する表面像の領域のことである。図８は、ウエハの表面の様子（検出した表面像の様子）を示す平面図である。ウエハ２２の表面には、ウエハプロセス工程に従い、複数個のチップ（すなわちパターンのこと）６２が形成されている。図８において、斜線を付して示してある領域（不感体領域６４）には、チップ６２が形成されていない。この領域６４は、製品（チップ）とは関係のない領域であり、また、印字やキズ等が入っている。従って、この領域６４はマッチング対象から除外して、チップが形成されているパターン形成領域６６だけをマッチング対象としてテンプレートマッチングを行った方がよい。もしも、この領域６４をマッチング対象にした場合、チップ部が正常であっても判定手段４０により、このウエハが不良品として判定されてしまう可能性があるからである。よって、この領域６４を、マッチング対象としない不感体領域とする。
【００５７】
図９は、四角形状の従来テンプレートとウエハ表面像との関係を示す平面図である。この図９に、ウエハ２２の表面像に従来テンプレート６８（図９に細い実線で示す四角形状の各領域）を重ねた様子を示してある。図９において、太い実線ｔはウエハ２２上の、チップ６２が形成された領域を示している。通常のテンプレートを用いて全てのチップに対してマッチング検査を行うには、図９に示すように、従来テンプレート６８で表面像を区画する必要がある。この区画領域のうち、斜線を付して示した領域には不感体領域６４が含まれてしまう。従って、従来テンプレート６８を用いてテンプレートマッチングを行ったのでは、誤った判定を引き起こしてしまう可能性がある。
【００５８】
これに対して、図１０は、第１の実施の形態のキズ検査用テンプレートの形状を示す平面図である。図１０において、テンプレート７０の形状は、ウエハ２２の表面像のパターン形成領域６６を格子状に区画することにより得られる各格子領域の形状で表される。図１０に示すように、不感体領域６４と接する格子領域は四角形状でなく、この領域のテンプレートマッチングに用いるテンプレート７０の形状も四角形状ではない。このように、各テンプレート７０はパターン形成領域６６に嵌合する形状としてあるため、パターン形成領域６６に形成されるパターンの良否の判定を余す所なく行うことができる。また、図９を参照して説明したように、テンプレート内に不感体領域６４が含まれてしまうことがないから、誤った判定を低減させることができる。
【００５９】
また、図１１は、第１の実施の形態の色ムラ検査用テンプレートの形状を示す平面図である。色ムラ像を検出するための第１カメラ１６の光軸は、ウエハの表面に対して傾いているから、第１カメラ１６で捉えたウエハ形状はだ円形状となる。従って、テンプレートもこの形状に合わせて変形していなければならない。この色ムラ検査に用いるテンプレート７０は、キズ検査に用いるテンプレート７０（図１０）をだ円形状に変形させたものに相当している。すなわち、キズ検査用テンプレートの或る方向（図１０において、オリエンテーションフラットｆに直交する方向）のサイズを縮小させれば、色ムラ検査用テンプレートが得られる。
【００６０】
前述した不感体領域入力部５８には、不感体領域６４をウエハ２２のエッジから何ｍｍだけ内側の領域とするかを入力する。例えば、図１０において、距離ｕは３ｍｍである。また、分割数入力部６０には、パターン形成領域６６を縦横に何分割するのかを入力しておく。例えば、図１０においては、縦横に８分割にしている。これらデータ入力部５０に格納した情報と、ウエハデータ格納部５２に格納されている情報（検査するウエハの直径や観測されたウエハの形状等の情報）とを用いて、テンプレート作成部５４でテンプレートが作成される。上述の例では、ウエハの直径より３ｍｍ小さい直径の円（実際には、ウエハのオリエンテーションフラットを反映した形状となっている。）を８×８に分割したテンプレートが作成される。テンプレート７０の一辺は、１０〜２０ｍｍ程度である。テンプレートはサイズが小さい程、判定精度が良くなるが、処理速度が遅くなるのでこの位の値が好適である。また、作成するテンプレート数は１０〜４０個程度が好適である。
【００６１】
このように、この実施の形態のテンプレートを用いれば、所望の領域（パターン形成領域）だけをテンプレートマッチングを行う対象領域とすることができる。また、検査対象のウエハの形状やサイズ等に合わせてテンプレートを作成して、用意することができる。
【００６２】
テンプレート作成部５４は、パターン形成領域設定部７２および格子分割部７４を具えている。テンプレート作成部５４では、最初に基準画像メモリ４８から基準画像を読み出して基準テンプレートを作成する。そのために、先ず、検出したウエハの表面の全領域に亘る表面像にパターン形成領域６６を設定する。このパターン形成領域６６の設定は、データ入力部５０、ウエハデータ格納部５２および基準画像メモリ４８から送られた情報に基づいて、上述したパターン形成領域設定部７２において行われる。パターン形成領域設定部７２に入力される表面像が第１カメラ１６で捉えられた色ムラ像である場合に、パターン形成領域６６をだ円形状に変形するのも、このパターン形成領域設定部７２において行われる。次に、上述した格子分割部７４において、パターン形成領域設定部７２で設定されたパターン形成領域６６を格子状に区画することにより得られる各格子領域をテンプレートとして作成する。
【００６３】
テンプレートマッチングは、複数の画像同士をテンプレートごとに比較する手法である。上述したテンプレート作成部５４の動作に従い、良好なパターン画像である基準画像が前述したテンプレート７０ごとの領域に分割される。このとき作成される各テンプレートを基準テンプレートと称している。この基準テンプレートは、テンプレートマッチング部５６のメモリ手段に格納される。次に、今度は、基準画像の代わりに検査対象である表面像（被検査画像）を検出画像メモリ４６からテンプレート作成部５４に読み出して、この表面像をテンプレート７０ごとの領域に分割する。そして、作成された各テンプレート（被検査テンプレートと称する。）を、テンプレートマッチング部５６に出力する。テンプレートマッチング部５６では、先に作成して格納しておいた基準テンプレートと、テンプレート作成部５４から入力される、その基準テンプレートに対応した被検査テンプレートとのテンプレートマッチングを行う。そして、各テンプレートに含まれる各画素の明度の合計値（合計明度値）を計数する。
【００６４】
マッチング判定は前述した判定手段４０で行われる。判定手段４０は、テンプレートマッチング部５６で計数した、基準テンプレートと被検査テンプレートの各合計明度値同士の一致率を算出する。例えば、基準テンプレートの合計明度値（基準値）と被検査テンプレートの合計明度値（被検査値）との一致率が何パーセントであるかを求める。この一致率を相関率（相関値）と称する。この実施の形態では、被検査テンプレートの良否の判定基準を相関率６０％としている。すなわち、各テンプレートについて相関率を求め、相関率が６０％以上であればその被検査テンプレートを「良」と判定し、相関率が６０％未満であればその被検査テンプレートを「不良」と判定している。そして、全ての被検査テンプレートが「良」であれば、そのウエハに形成されたパターンは「良」と判定される。また、１つでも「不良」と判定された被検査テンプレートがあれば、そのウエハに形成されたパターンは「不良」と判定される。
【００６５】
そして、判定手段４０から出力される判定結果が、表示手段４２によって表示される。この表示手段４２としては、前述したディスプレイ装置３４を兼用している。
【００６６】
以上説明した第１の実施の形態の自動ウエハマクロ検査装置によれば、ウエハマクロ検査を自動化することが可能になる。このため、作業工程数の著しい低減を図ることができる。また、作業者の熟練度に依らない、正確な検査を行うことができる。さらに、作業者がウエハに接触する機会が減少するため、ウエハのコンタミネーションフリーが図れる。
【００６７】
尚、上述したマッチング方法による処理では、基準テンプレートと被検査テンプレートとの合計明度値同士の相関値を検出することで、これらテンプレート同士の比較を行う。しかし、これに限らず、先ず、各テンプレートの対応する位置における各画素間同士の相関値をそれぞれ求め、このデータに基づいて、これらテンプレート同士の相関値を求めて、比較を行ってもよい。
【００６８】
［第２の実施の形態］
図１２は、第２の実施の形態の自動ウエハマクロ検査装置の構成を示す図である。図１２には、画像検出部１０の側面図と、画像処理部１２のブロック図とを示してある。また、図１３は、第２の実施の形態における画像検出部１０の構成を示す平面図である。図１２に示す画像検出部１０の構成は、図１３に示す構成の右側面図に相当している。
【００６９】
この実施の形態の自動ウエハマクロ検査装置は、拡散照明系１４として、拡散光を発生して、ウエハの表面の全領域に拡散光を照射する第２光源７６を有している。この第２の実施の形態の拡散照明系１４は、第１の実施の形態では第１光源１８とスクリーン２０とで構成していたのを、そのスクリーン２０が設置されていた位置に第２光源７６を具えた構成である。第２光源７６の発光面には、拡散板（図１２に記号ａ２で示す。厚さ１ｍｍ程度で白色のアクリル板である。）が取り付けられており、第２光源７６から射出される光は拡散光になされている。また、第２光源７６の発光面のサイズはスクリーン２０と同程度の大きさにしてあり、ウエハ２２の表面の全領域に拡散光を照射することができる。このような構成の拡散照明系１４を用いても、色ムラ像を良好に検出することができる。
【００７０】
この実施の形態では、ウエハ上に形成されるレジスト層の感光性を考慮して、第２光源７６には赤色光を発生するＬＥＤ照明を用いている。また、赤色光でなく黄色光を発生する光源を用いても好適である。さらに、例えば蛍光灯を用いてもよい。
【００７１】
［第３の実施の形態］
図１４は、第３の実施の形態の自動ウエハマクロ検査装置の構成を示す図である。図１４には、画像検出部１０の側面図と、画像処理部１２のブロック図とを示してある。また、図１５は、第３の実施の形態における画像検出部１０の構成を示す平面図である。図１４に示す画像検出部１０の構成は、図１５に示す構成の右側面図に相当している。
【００７２】
この実施の形態の画像検出部１０は、パターンの不均一性を検査する場合には、拡散光を発生して、ウエハ２２の表面の部分領域に拡散光を照射する第４光源７８と、部分領域の表面像を色ムラ像として検出する光電変換を利用した第３検出手段としての第３カメラ８０と、ウエハ２２の表面の全領域に亘る表面像を走査するようにウエハ２２をステップ移動させるＸＹステージ８２とを具えた構成である。
【００７３】
この実施の形態では、ウエハ上に形成されるレジスト層の感光性を考慮して、第４光源７８には赤色光を発生するＬＥＤ照明を用いている。また、赤色光でなく黄色光を発生する光源を用いても好適である。さらに、例えば蛍光灯を用いてもよい。そして、この第４光源７８には、発生する光を拡散光にするために、光源の射出部に拡散板（図１４に記号ａ３で示す。厚さ１ｍｍ程度で白色のアクリル板である。）を装着してあり、発生光がこの拡散板を通過して射出されるようにしてある。この第４光源７８は、ウエハ２２の表面に対して斜め上方の位置に、ウエハ２２の表面の部分領域に拡散光を照射できるように配置されている。この部分領域の面積は、ウエハの表面積の１／４〜１／２５程度である。第４光源７８の射出方向（図１４のｅ軸の延在方向）は、ウエハ２２の表面に対して垂直な方向から角度θ２だけ傾いた状態になされている。角度θ２は３０°〜４５°程度である。
【００７４】
この実施の形態では、第３カメラ８０としてＣＣＤカメラを用いている。この第３カメラ８０は、第４光源７８の斜め上方の位置に、その光軸Ｏ３がウエハ２２の表面に対してほぼ垂直な方向に配向するように具えられている。この第３カメラ８０は、捉えられる映像に当該第３カメラ８０の像を映さずに前述した部分領域を観測できるように配置してある。すなわち、この第３カメラ８０は、ウエハ２２の表面に投射された第４光源７８の照明像を観測するように配置されている。このように、ウエハ２２の表面の全領域を一度に第３カメラ８０で捉えるのではなく、部分領域だけを拡大して観測を行うから、この部分領域内に第３カメラ８０の像が映らないようにすることができる。
【００７５】
図１６は、カメラ像と照明像との位置関係を示す平面図である。ウエハ２２の表面上には、カメラ像８６すなわち第３カメラ８０の像と照明像８８すなわち第４光源７８の像とが映っている。第３カメラ８０が観測する部分領域は、この照明像８８である。図１６に示すように、これらカメラ像８６と照明像８８とが重ならないように、第３カメラ８０を配置調整してある。よって、第３カメラ８０の光軸Ｏ３は、ウエハ２２の表面に垂直な方向からわずかに傾かせてある（但し、図１４には、光軸Ｏ３の延在方向とウエハ２２の表面に垂直な方向とを一致させて示してある。）。
【００７６】
また、ＸＹステージ８２は、ステージ上にウエハ２２の下面を吸着させて、そのステージをウエハ２２の表面内で互いに直交するＸ方向およびＹ方向にステップ移動させる。このように構成すると、ウエハの表面上の領域と、第３カメラ８０で観測する領域とを相対的に順次にずらしていくことが可能である。従って、ウエハ２２の表面像を部分領域ごとに第３カメラ８０で検出して、ＸＹステージ８２でウエハ２２をステップ移動させることにより全領域を走査することができる。
【００７７】
次に、この実施の形態の画像検出部１０は、前記パターンのキズを検査する場合には、スポット光を発生して、ウエハ２２の表面の部分領域に向けて斜め上方からスポット光を照射するための第５光源８４ａおよび８４ｂを具えている。そして、上述した第３カメラ８０で、第５光源８４ａおよび８４ｂで照射している部分領域の表面像をキズ像として検出する。
【００７８】
この実施の形態では、前述したように、ウエハ上に形成されるレジスト層の感光性を考慮して、第５光源８４ａおよび８４ｂには赤色光を発生するＬＥＤ照明を用いている。また、赤色光でなく黄色光を発生する光源を用いても好適である。さらに、例えば蛍光灯やハロゲン光源を用いてもよい。これら第５光源８４ａおよび８４ｂのそれぞれは、ウエハ２２の表面の斜め上方の位置に、対向させて設けてある。そして、ウエハ２２の表面の全領域にスポット光を照射できるように配置されている。この配置により、スポット光は、ウエハ２２の表面にほぼ水平な方向から照射されるようになされている。キズはごく細い溝であるから、このように溝に対して側方からスポット光を照射する方が乱反射させやすく、キズ像が得られやすい。尚、この実施の形態では、ウエハ２２の表面の全領域にスポット光が照射されなくとも、前述した部分領域にスポット光が照射されていればよい。
【００７９】
次に、この実施の形態において、画像処理部１２で行うパターンの良否の判定は、画像検出部１０で検出されたウエハ２２の表面の部分領域に亘る表面像と予め用意された基準画像とを比較することにより行う。そして、この比較をテンプレートマッチングに基づいて行う。
【００８０】
この基準画像は、良好な状態のパターンが形成されたウエハ（基準ウエハ）の部分領域の表面像である。このときのパターンの良否の判定は、第１の実施の形態で説明したように、作業者が目視により行う。そして、同様に、ロットの最初の１枚目のパターンの良否を作業者が目視により確認して、「良」と判定した場合に基準画像メモリ４８に第２基準画像として格納する。１枚目が「不良」と判定されたならば、２枚目、３枚目というように判定してゆくことになる。
【００８１】
そして、第１の実施の形態で図６および図７を参照して説明した画像処理部１２により、この基準画像を用いて、ウエハに形成されたパターンの良否を判定することができる。
【００８２】
図１７は、第３の実施の形態のテンプレートの形状を示す平面図である。この実施の形態で用いるテンプレート７０は、図９を参照して説明した従来テンプレート６８と同じく、通常の四角形状のテンプレートである（１つのテンプレート７０の形状は、図１７の斜線を付した領域で示されている。第３の実施の形態で用いる各テンプレート７０は、これと同じ形状である。）。しかし、第３の実施の形態では不感体領域６４をマッチング対象から除外するために、各々のテンプレート７０の一部領域同士が重なるように構成してある（重なっていても問題ない。）。このように構成してあるから、各テンプレート７０は、太い実線ｔで示されるチップ６２の形成領域内に収まった状態に作成されている。
【００８３】
この実施の形態では、キズ像と色ムラ像とを同一のカメラで検出しているから、各々に対して同じ形状のテンプレートを用いることができる。また、検出した各部分領域の表面像に対して、１つのテンプレートを用意してテンプレートマッチングを行う。各テンプレート７０の大きさは、チップ数個分に相当する大きさである。図１７に示す１つのテンプレート７０が占める領域は、前述した部分領域に相当している。この各部分領域を順次に観測できるように、ＸＹステージ８２でウエハ２２をステップ移動させる。そして、各部分領域ごとに順次にテンプレートマッチングを行い、各部分領域に形成されたパターンの良否を判定してゆく。１つでも「不良」と判定されたものがあれば、そのウエハの表面に形成されたパターンは「不良」であると判定する。このＸＹステージ８２の移動タイミングと表面像の検出タイミングとは、前述した制御手段４４で制御すればよい。
【００８４】
以上説明した第３の実施の形態の自動ウエハマクロ検査装置によれば、ウエハの表面領域を分割して部分領域ごとに検査を行うので、ウエハ単位面積当たりのＣＣＤカメラ画素数を多くすることができる。よって、第１および第２の実施の形態の構成に比べて、より精度の高い検査が可能である。
【００８５】
尚、この実施の形態では、色ムラ像の検出時に１つの拡散光源（第４光源７８）を用いたが、複数個の拡散光源を用いた方がよい。また、図１８に断面図で示すように、第３カメラ８０の光軸Ｏ３を中心軸としてウエハ２２の周囲を取り囲む構成のドーム型拡散照明９６（内面ｑが発光面になっている。）を用いてもよい。このような照明を用いると、第３カメラ８０が捉える映像に第３カメラ８０自身の像が映らないようにすることができる。
【００８６】
［第４の実施の形態］
図１９は、第４の実施の形態の比較手段３８の構成を示すブロック図である。この実施の形態の比較手段３８は、図７を参照して説明した比較手段３８の構成要素であるテンプレートマッチング部５６の代わりに比較処理部９８を具えた構成である。比較処理部９８は、エッジ処理部１００、明度差分布検出部１０２およびしきい値格納部１０４を具えている。第４の実施の形態でもウエハに形成されたパターンの良否の判定は、検出した表面像をテンプレートごとの領域に分割して、各テンプレート同士（基準テンプレートと被検査テンプレート）の比較および判定を行う。すなわち、先ず、画像メモリ部に格納した基準画像に基準テンプレートを設定する。
【００８７】
そして、次に、設定した基準テンプレートにエッジ処理を施す。この実施の形態では、テンプレート作成部５４で作成された各テンプレートに対して、エッジ処理部１００において、通常のエッジ処理（微分化処理）を施す。このエッジ処理の結果、基準テンプレート内の表面像の境界線が強調される。このように、先ず、基準テンプレート内において明暗の変化の大きい部分を抽出する。
【００８８】
次に、エッジ処理が施された各基準テンプレートが、明度差分布検出部１０２に出力される。そして、この明度差分布検出部１０２では、エッジ処理済の基準テンプレートを構成する各画素の、明度差ごとの数が検出される。この明度差ごとの画素数の分布を、基準明度差分布と称する。例えば、図２０の（Ａ）に、基準明度差分布を、横軸に明度差を取って示し、縦軸に画素数を取って示す。
【００８９】
また、明度差分布検出部１０２は、求めた基準明度差分布から、第１明度差以下の画素数（第１基準値と称する。）と第２明度差以上の画素数（第２基準値と称する。）とを基準値として計数する。第１明度差としての第１しきい値と、第２明度差としての第２しきい値とは、しきい値格納部１０４に格納されている。明度差分布検出部１０２は、このしきい値格納部１０４を参照して、前述した各基準値を計数する。この計数結果である基準値は、判定手段４０に出力され、この判定手段４０のメモリ手段に格納される。
【００９０】
次に、同様にして、基準テンプレートに対応する検出した検査対象のウエハの表面像（検出画像メモリ４６に格納されている。）の領域に、被検査テンプレートを設定する。そして、設定した被検査テンプレートに、エッジ処理部１００においてエッジ処理を施す。そして、明度差分布検出部１０２において、エッジ処理済の被検査テンプレートを構成する各画素の、明度差ごとの数を検出する。この明度差ごとの分布を、被検査明度差分布と称する。
【００９１】
また、上述した明度差分布検出部１０２は、求めた被検査明度差分布から、第１明度差以下の画素数（第１被検査値と称する。）と、第２明度差以上の画素数（第２被検査値と称する。）とを被検査値として計数する。第１明度差としての第１しきい値と第２明度差としての第２しきい値とは、上述したように、しきい値格納部１０４に格納されており、明度差分布検出部１０２は、このしきい値格納部１０４を参照して、前述した被検査値を計数する。この被検査値は、判定手段４０に出力され、この判定手段４０のメモリ手段に格納される。
【００９２】
この実施の形態の判定手段４０は、比較手段３８の比較結果である、基準値と被検査値との一致率（相関率、相関値）を算出する。そして、算出した一致率が、予め設定しておいた値の範囲内であるかどうかを検出して、検査対象のウエハ（ウエハの表面に形成されたパターン）の良否判定を行う。
【００９３】
図２０の各グラフは、明度差分布を示すグラフである。各グラフの横軸に明度差を取り、縦軸に画素数を取って示す。例えば、１段目のグラフに示される明度差分布が基準明度差分布であるとする。そして、２段目および３段目のグラフに示される明度差分布が被検査明度差分布であるとする。１段目の基準明度差分布はほぼ対称な山形を呈している。これに対して、２段目の被検査明度差分布は基準明度差分布に比べて極大点が右側に移行した形状となっている。また、３段目の被検査明度差分布は基準明度差分布に比べて極大点が左側に移行した形状となっている。従って、これら２段目および３段目の被検査明度差分布は、基準明度差分布と形状が異なっている。
【００９４】
判定手段４０において、先ず、低明度差側の第１しきい値（第１明度差）以下の各グラフの画素数（斜線を付して示す各グラフ領域の画素数）の一致率を算出する。すなわち、第１基準値と第１被検査値との一致率を算出する。
【００９５】
一致率とは、２つの量がどれくらいの割合で一致しているかを表す値である。この一致率に基準を設定しておき、例えばこの基準を６０％に設定したときに、各画素数の一致率が６０％以上であればこれらの画素数は同一であると判定する。第１しきい値以下を比較した場合には、２段目の被検査明度差分布は基準明度差分布と同一であると判定されるが、３段目の被検査明度差分布は基準明度差分布と異なると判定される。
【００９６】
次に、高明度差側の第２しきい値以上の各グラフの画素数（斜線を付して示す各グラフ領域の画素数）の一致率を算出する。すなわち、第２基準値と第２被検査値との一致率を算出する。この算出結果によれば、２段目の被検査明度差分布は基準明度差分布と異なると判定され、３段目の被検査明度差分布は基準明度差分布と同一であると判定される。
【００９７】
図２０を参照して説明した例では、２段目および３段目の被検査明度差分布は、基準明度差分布と異なると判定される。従って、これら２段目および３段目の被検査明度差分布が反映している被検査テンプレートは「不良」であると判定される。このように、判定基準となるしきい値を２つ設定したことにより、しきい値を１つだけ設定した場合に比べて誤判定を低減させることができる。
【００９８】
以上説明したエッジ処理を行う画像処理の手法によれば、良好な判定結果を得ることができる。また、第４の実施の形態の処理方法は、キズ検査に対しては、第１の実施の形態で説明したテンプレートマッチングの処理方法に比べ、高い検出精度でウエハの良否を判定することができる。これは、キズ像として検出されるキズには非常に小さいものが多いため、エッジ処理を施してキズの像を鮮明に強調させることにより誤判定を減少させることができ、その結果、不良品検出率を高めることができるからである。また、キズ検査によらず、色ムラ検査においても、第１の実施の形態と同等もしくは高い検出精度で判定を行うことができる。
【００９９】
尚、この実施の形態の比較処理では、画素数を比較する明度差範囲を設定するためのしきい値を２つ用いる例につき説明したが、これに限らず、２つ以上であってもよい。例えば３つ以上のしきい値を用いれば、さらに判定精度を高めることができる。さらに、最初に、第１の実施の形態で説明したマッチング方法による処理を行ってウエハの良否を判定し、続いて、第４の実施の形態で説明したマッチング方法による処理を行ってウエハの良否を判定してもよい。
【０１００】
【発明の効果】
この出願に係る第１発明のウエハのマクロ検査方法によれば、ウエハの表面像を検出して、その表面像のパターンを基準画像のパターンと比較し、その比較結果に応じてパターン状態を判定することにより、ウエハ（ウエハの表面に形成したパターン）の検査を行うことが可能である。また、この出願に係る第１発明のウエハのマクロ検査方法によれば、キズ像の検出時に、拡散反射板を移動させて、ウエハの表面にその像を映さないようにしているので、キズ像を検出しやすくすることができる。
【０１０１】
また、この出願に係る第２発明の自動ウエハマクロ検査装置によれば、予め画像検出部が基準画像を検出して、この基準画像を画像メモリ部に格納しておき、次に、画像検出部は被検査画像を検出して、この被検査画像を画像メモリ部に格納し、画像メモリ部に格納された各画像を比較部に読み出して、これら基準画像および被検査画像の比較を行い、この比較結果に基づいて判定部はウエハ（ウエハの表面に形成されたパターン）の良否判定結果を出力する。従って、この装置構成により、ウエハのマクロ検査を自動的に行うことが可能である。よって、作業工程数の著しい低減を図ることができる。また、作業者の熟練度に依らない、正確な検査を行うことができる。さらに、作業者がウエハに接触する機会が減少するため、ウエハのコンタミネーションフリーを図ることができる。また、この出願に係る第２発明のウエハのマクロ検査装置によれば、キズ像の検出時に、拡散反射板を移動させて、ウエハの表面にその像を映さないようにしているので、キズ像を検出しやすくすることができる。
【０１０２】
また、この発明の自動ウエハマクロ検査装置の好適な構成例によれば、ウエハの表面に拡散光を照射して、第１検出手段で表面像を検出する構成としたことにより、ウエハの表面に形成されたパターンの不均一性を検査することができる。
【０１０３】
また、この発明の自動ウエハマクロ検査装置の好適な構成例によれば、ウエハの表面にスポット光を照射して、第２検出手段で表面像を検出する構成としたことにより、ウエハの表面に形成されたパターンのキズの有無を検査することができる。
【０１０４】
また、この発明の自動ウエハマクロ検査装置の好適な構成例によれば、ウエハの表面に拡散光を照射して、ウエハの表面像を検出する構成としたことにより、パターンの不均一性を検査することができる。また、照明を切り替えて、ウエハの表面にスポット光を照射して、ウエハの表面像を検出する構成としたことにより、パターンのキズの有無を検査することができる。
【０１０５】
また、この発明の自動ウエハマクロ検査装置の好適な構成例によれば、ウエハの表面に拡散光を照射して、ウエハの表面像を検出することにより、ウエハ表面の部分領域に形成されたパターンの不均一性を検査する構成と、ＸＹステージでウエハを移動させることにより、第３検出手段で捉えるウエハの部分領域を移動させる構成とをもって、部分領域ごとにウエハの表面のパターンの不均一性を検査することができる。
【０１０６】
また、この発明の自動ウエハマクロ検査装置の好適な構成例によれば、ウエハの表面にスポット光を照射して、ウエハの表面像を検出することにより、ウエハ表面の部分領域に形成されたパターンのキズの有無を検査する構成と、ＸＹステージでウエハを移動させることにより、第３検出手段で捉えるウエハの部分領域を移動させる構成とをもって、部分領域ごとにウエハの表面のパターンのキズの有無を検査することができる。
【０１０７】
また、この発明の自動ウエハマクロ検査装置の好適な構成例によれば、ウエハの表面に拡散光を照射して、ウエハの表面像を検出することにより、ウエハ表面の部分領域に形成されたパターンの不均一性を検査する構成と、ＸＹステージでウエハを移動させることにより、第３検出手段で捉えるウエハの部分領域を移動させる構成とをもって、部分領域ごとにウエハの表面のパターンの不均一性を検査することができる。また、ウエハの表面にスポット光を照射して、ウエハの表面像を検出することにより、ウエハ表面の部分領域に形成されたパターンのキズの有無を検査する構成と、ＸＹステージでウエハを移動させることにより、第３検出手段で捉えるウエハの部分領域を移動させる構成とをもって、部分領域ごとにウエハの表面のパターンのキズの有無を検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態の自動ウエハマクロ検査装置の構成を示す図である。
【図２】第１の実施の形態の画像検出部の構成を示す図である。
【図３】色ムラ像の見え方を示す図である。
【図４】パターンの不均一性を示す図である。
【図５】撮像系の配置を示す図である。
【図６】画像処理部の構成を示す図である。
【図７】比較手段の構成を示す図である。
【図８】ウエハの表面の様子を示す図である。
【図９】従来テンプレートとウエハ表面像との関係を示す図である。
【図１０】第１の実施の形態のキズ検査用テンプレートの形状を示す図である。
【図１１】第１の実施の形態の色ムラ検査用テンプレートの形状を示す図である。
【図１２】第２の実施の形態の自動ウエハマクロ検査装置の構成を示す図である。
【図１３】第２の実施の形態の画像検出部の構成を示す図である。
【図１４】第３の実施の形態の自動ウエハマクロ検査装置の構成を示す図である。
【図１５】第３の実施の形態の画像検出部の構成を示す図である。
【図１６】カメラ像と照明像との位置関係を示す図である。
【図１７】第３の実施の形態のテンプレートの形状を示す図である。
【図１８】ドーム型照明を用いた例を示す図である。
【図１９】第４の実施の形態の比較手段の構成を示す図である。
【図２０】明度差分布グラフを示す図である。
【符号の説明】
１０：画像検出部 １２：画像処理部
１４：拡散照明系 １６：第１カメラ
１８：第１光源 ２０：スクリーン
２２：ウエハ ２４：支持体
２６：スポット照明系 ２８：第２カメラ
３０ａ，３０ｂ：第３光源 ３２：画像処理装置
３４：ディスプレイ装置 ３６：画像格納手段
３８：比較手段 ４０：判定手段
４２：表示手段 ４４：制御手段
４６：検出画像メモリ ４８：基準画像メモリ
５０：データ入力部 ５２：ウエハデータ格納部
５４：テンプレート作成部
５６：テンプレートマッチング部
５８：不感体領域入力部 ６０：分割数入力部
６２：チップ ６４：不感体領域
６６：パターン形成領域
６８：従来テンプレート ７０：テンプレート
７２：パターン形成領域設定部
７４：格子分割部 ７６：第２光源
７８：第４光源 ８０：第３カメラ
８２：ＸＹステージ
８４ａ，８４ｂ：第５光源 ８６：カメラ像
８８：照明像 ９０：パターン
９２：凸部 ９４：キズ
９６：ドーム型拡散照明 ９８：比較処理部
１００：エッジ処理部 １０２：明度差分布検出部
１０４：しきい値格納部[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a wafer inspection apparatus for inspecting a pattern formed on a wafer after a photolithography step or an etching step in a semiconductor manufacturing process.
[0002]
[Prior art]
After performing a photolithography process and an etching process in a semiconductor manufacturing process, it is necessary to inspect a state of a pattern formed on a wafer. For example, regarding the resist pattern, the resist coating state (whether or not the film is uniformly coated), the developed state (whether or not the pattern is uniformly developed after the pattern exposure), the presence or absence of a resolution defect (the pattern exposure is normally performed). Check if there is any defocused part) and check for scratches. As for the etching pattern, inspections such as an etching state (whether or not the etching is performed uniformly) and the presence or absence of a flaw are performed. Conventionally, there are mainly the following two methods for performing these inspections.
[0003]
As a first method, there is a method called a micro inspection method in which a part of a pattern is mainly enlarged by using a metallographic microscope, and an actual state of forming the pattern is visually determined. According to this inspection method, it is possible to observe a part on a wafer and inspect the details in detail, but recently, with the miniaturization of the pattern, it has become difficult to determine the state of the pattern even when enlarged with a metallographic microscope. ing. In addition, since the place to be enlarged and viewed is limited (usually about 5 to 10 places), the defective product detection rate is low and the work time is increased.
[0004]
On the other hand, as a second method, the entire surface of the wafer is illuminated from various angles with some light (mainly diffused light such as fluorescent light), and an operator visually determines whether or not there is color unevenness on the wafer. There is a method called a macro inspection method. The color unevenness occurs due to irregular reflection caused by a step of about 1 μm to several μm of the pattern on the wafer. If there is a non-uniform part in a certain part of the uniform pattern, a color change corresponding to the non-uniform part appears in the color unevenness reflecting the uniform pattern. it can. Since this macro inspection method is a method of observing the entire wafer, it is effective for detecting a defective state such as resist unevenness or development unevenness occurring only in a part of the wafer.
[0005]
Therefore, the macro inspection method, which observes a relatively large area, can increase the defective product detection rate and can shorten the working time, as compared with the micro inspection method, in which each point is observed in detail. .
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional macro inspection method, since all observation processes are performed visually, color unevenness or scratches appearing on the wafer may be changed due to a change in the inclination angle of the wafer with respect to illumination or a change in the angle of view of an operator. It changed, and the criterion of good / bad pattern was ambiguous. In addition, this inspection process must be performed for each pattern formation, and if the number of processes is large enough to complete one product (a product created by a wafer process), the inspection must be performed several tens of times. Therefore, in the visual inspection, the efficiency has been remarkably reduced.
[0007]
Therefore, conventionally, there has been a demand for a new macro inspection apparatus for wafers, in which the visual inspection is revised, the criteria for determining whether the pattern is good or defective are constant, and the inspection can be performed efficiently.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
According to the wafer macro inspection method of the first invention according to this application,Irradiating the diffused light generated by the first light source on the surface of the reference wafer using the diffuse reflection plate, and detecting a first color unevenness image over the entire area of the surface of the reference wafer from obliquely above the reference wafer; Moving the diffuse reflection plate, irradiating spot light on the surface of the reference wafer, and detecting a first flaw image over the entire area of the surface of the reference wafer from directly above the reference wafer; Irradiating the diffused light to the surface of the wafer to be inspected using the diffuse reflection plate, and detecting a second color unevenness image over the entire area of the surface of the wafer to be inspected from obliquely above the wafer to be inspected; Moving the diffuse reflector, irradiating the spot light on the surface of the wafer to be inspected, and detecting a second flaw image over the entire area of the surface of the wafer to be inspected from directly above the wafer to be inspected. Step and the first color unevenness image Comparing the fine scratches image and said second color unevenness image and scratches image, based on a result of the comparison, characterized by having a determining the quality of the wafer to be inspected.
[0009]
As described above, the surface image of the wafer is detected, the pattern of the surface image is compared with the pattern of the reference image, and the pattern state is determined according to the comparison result. ) Can be performed.
[0010]
According to a preferred embodiment of the wafer macro inspection method of the present invention, the comparison is performed by template matching.
[0011]
Here, the template refers to a partial area of the comparison reference image and the comparison target image. As described above, it is preferable to divide the reference image and the image to be inspected into templates, respectively, and perform comparison for each template.
[0012]
Further, in the wafer macro inspection method of the present invention, preferably, the template matching includes a step of setting a reference template in the stored reference image, and a step of setting a total value of the brightness of each pixel constituting the set reference template. Counting as a reference value, storing the reference value in the first memory means, and setting a template to be inspected in an area of the detected surface image of the wafer to be inspected corresponding to the reference template; Counting the total value of the brightness of each pixel constituting the template to be inspected as a value to be inspected, and storing the inspected value in a second memory means; It is preferable to read out the inspected values and compare the inspected values and the reference values.
[0013]
Further, in the wafer macro inspection method according to the present invention, preferably, the template matching includes a step of setting a reference template in the stored reference image, a step of performing edge processing on the set reference template, and a step of performing the edge processing. Counting the number of pixels equal to or less than the first lightness difference and the number of pixels equal to or more than the second lightness difference as reference values, and storing the reference values in the first memory means; Setting a template to be inspected in a region of the detected surface image of the wafer to be inspected corresponding to the reference template; performing edge processing on the template to be inspected; Number of pixels of the first brightness difference or less and pixels of the second brightness difference or more of each pixel constituting the template Is counted as a test value, and the test value is stored in the second memory means. The reference value and the test value are read from the first and second memory means, respectively, and the reference value and the test value are read. And comparing the inspection values.
[0014]
Next, according to the automatic wafer macro inspection apparatus of the second invention according to this application,A first light source that generates diffused light, a diffuse reflector that reflects the diffused light generated from the first light source and irradiates the diffused light onto the surfaces of a reference wafer and a wafer to be inspected; A first inspection unit that detects a color unevenness image of the reference wafer and the inspection target wafer while being irradiated; a second light source that irradiates a spot light on surfaces of the reference wafer and the inspection target wafer; A second inspection unit that moves a diffuse reflection plate and detects a flaw image on the reference wafer and the wafer to be inspected while the spot light is being irradiated; and a color unevenness image and the flaw image on the reference wafer. A comparison unit that compares the color unevenness image and the flaw image of the wafer to be inspected with each other, and a determination unit that determines pass / fail of the wafer to be inspected based on a comparison result of the comparison unit. To be.
[0015]
As described above, the image detection unit detects the reference image in advance, stores the reference image in the image memory unit, and then detects the image to be inspected, and converts the image to be inspected into an image. Each image stored in the memory unit is read out to the comparison unit, and the reference image and the image to be inspected are compared with each other. Based on the comparison result, the determination unit determines the wafer (formed on the surface of the wafer). Is output. Therefore, with this apparatus configuration, it is possible to automatically perform a macro inspection of a wafer.
[0016]
Further, according to a preferred configuration example of the automatic wafer macro inspection apparatus of the present invention, the image detection unit includes a diffuse illumination system that irradiates diffuse light to the surface of the wafer, and the surface image over the entire area of the wafer. And first detecting means for detecting
[0017]
As described above, by irradiating the surface of the wafer with the diffused light and detecting the surface image by the first detection unit, it is possible to inspect the non-uniformity of the pattern formed on the surface of the wafer. The non-uniformity of the pattern can be examined by observing the color unevenness on the wafer surface. The color unevenness is easier to see when light is applied to the wafer as uniformly as possible. In the case of using illumination that is not uniformly irradiated with light, for example, spot light, illumination unevenness occurs because the wafer surface is a mirror surface, so that it is not possible to distinguish between color unevenness and illumination unevenness, and therefore, color unevenness is difficult to see. Therefore, when diffused light, which is illumination for uniformly irradiating light, is used, color unevenness on the surface is easily seen. As the first detection unit, for example, an imaging unit using photoelectric conversion can be used.
[0018]
Further, in the automatic wafer macro inspection apparatus of the present invention, preferably, the diffuse illumination system includes a first light source for generating diffused light, and the diffused light for irradiating the diffused light toward an entire region of the surface of the wafer. It is good to have a diffuse reflector.
[0019]
The diffused illumination system may be a second light source that generates diffused light and irradiates the entire surface of the wafer with the diffused light.
[0020]
Next, according to a preferred configuration example of the automatic wafer macro inspection apparatus of the present invention, the image detection unit includes a spot illumination system that irradiates a spot light to the surface of the wafer, and covers an entire area of the surface of the wafer. And a second detecting means for detecting the surface image.
[0021]
In this way, by irradiating the spot light on the surface of the wafer and detecting the surface image by the second detection means, it is possible to inspect whether the pattern formed on the surface of the wafer is flawed. Since the scratches in the pattern are considered to be extremely thin groove-like foreign matters, the spot light having directivity is more easily seen than the dim diffused light because strong diffuse reflection occurs in the groove portion. In this case, the scratch is observed to be shining white, so that the background color is preferably dark. As the second detection unit, for example, an imaging unit using photoelectric conversion can be used.
[0022]
Further, in the automatic wafer macro inspection apparatus according to the present invention, preferably, the spot illumination system generates a spot light, and irradiates the spot light from an obliquely upward direction toward the entire surface of the wafer. It is preferable to use three light sources.
[0023]
Next, according to a preferred configuration example of the automatic wafer macro inspection apparatus of the present invention, the image detecting section directs the diffused light to the entire area on the surface of the wafer, the first light source generating diffused light. A diffuse reflector for irradiating, a first detecting means for detecting the surface image over the entire area of the wafer surface, and generating a spot light, and obliquely facing the entire area of the wafer surface from above. A third light source for irradiating the spot light; and a second detecting means for detecting the surface image over the entire area of the surface of the wafer.
[0024]
As described above, by irradiating the surface of the wafer with the diffused light and detecting the surface image of the wafer, it is possible to inspect the non-uniformity of the pattern. Further, by switching the illumination and irradiating the spot light on the surface of the wafer to detect the surface image of the wafer, it is possible to inspect whether or not the pattern is flawed.
[0025]
Next, according to a preferred configuration example of the automatic wafer macro inspection apparatus of the present invention, the image detection unit generates diffused light and irradiates a partial region on the surface of the wafer with the diffused light. 4 light sources, third detecting means for detecting the surface image of the partial area, and an XY stage for moving the wafer so that the surface image is scanned over the entire area of the surface of the wafer. It is characterized by.
[0026]
As described above, by irradiating the surface of the wafer with the diffused light and detecting the surface image of the wafer, it is possible to inspect the non-uniformity of the pattern formed in the partial region of the wafer surface. Then, by moving the wafer on the XY stage, a partial area of the wafer captured by the third detection means can be moved. Therefore, it is possible to inspect the non-uniformity of the pattern on the surface of the wafer for each partial region. As the third detection unit, for example, an imaging unit using photoelectric conversion can be used.
[0027]
According to a preferred configuration example of the automatic wafer macro inspection apparatus of the present invention, the image detection unit generates a spot light and irradiates the spot light from a diagonally upper direction toward a partial region on the surface of the wafer. A fifth light source, a third detecting means for detecting the surface image of the partial area, and an XY stage for moving the wafer so that the surface image is scanned over the entire area of the surface of the wafer. It is characterized by comprising.
[0028]
In this manner, by irradiating the spot light on the surface of the wafer and detecting the surface image of the wafer, the presence / absence of a flaw in the pattern formed on the partial region of the wafer surface can be inspected. Then, by moving the wafer on the XY stage, a partial area of the wafer captured by the third detection means can be moved. Therefore, the presence or absence of a flaw in the pattern on the surface of the wafer can be inspected for each partial region.
[0029]
Further, according to a preferred configuration example of the automatic wafer macro inspection apparatus of the present invention, the image detecting section generates a diffused light and irradiates a partial region on a surface of the wafer with the diffused light. A light source, a fifth light source for generating spot light, and irradiating the spot light from above obliquely toward a partial area on the surface of the wafer, and third detecting means for detecting the surface image of the partial area And an XY stage for moving the wafer so that the surface image is scanned over the entire area of the surface of the wafer.
[0030]
As described above, by irradiating the surface of the wafer with the diffused light and detecting the surface image of the wafer, it is possible to inspect the non-uniformity of the pattern formed in the partial region of the wafer surface. Then, by moving the wafer on the XY stage, a partial area of the wafer captured by the third detection means can be moved. Therefore, it is possible to inspect the non-uniformity of the pattern on the surface of the wafer for each partial region. In addition, by irradiating the surface of the wafer with spot light and detecting the surface image of the wafer, it is possible to inspect whether or not the pattern formed on the partial region of the wafer surface is flawed. Then, as described above, by moving the wafer on the XY stage, the partial area of the wafer captured by the third detection means can be moved. Therefore, the presence or absence of a flaw in the pattern on the surface of the wafer can be inspected for each partial region.
[0031]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the figures are diagrams schematically showing the configuration, size, and arrangement relationship of the present invention to an understandable degree, and the numerical conditions and the like described below are merely examples, and therefore, the present invention There is no limitation to this embodiment.
[0032]
[First Embodiment]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of the automatic wafer macro inspection apparatus according to the first embodiment. The automatic wafer macro inspection apparatus according to this embodiment includes an image detection unit 10 that performs predetermined illumination and detects an image of a pattern formed on the surface of a wafer as a surface image, and a surface image detected by the image detection unit 10. And an image processing unit 12 for judging the quality of the above-mentioned pattern. FIG. 1 shows a side view of the image detection unit 10 and a block diagram of the image processing unit 12. FIG. 2 is a plan view illustrating a configuration of the image detection unit 10 according to the first embodiment. The configuration of the image detection unit 10 illustrated in FIG. 1 corresponds to a right side view of the configuration illustrated in FIG.
[0033]
The above-described image detection unit 10 is a unit that detects a surface image of a wafer to be inspected and a surface image of a reference wafer as an image to be inspected and a reference image, respectively. In this embodiment, when inspecting the non-uniformity of the pattern, the diffuse illumination system 14 for irradiating the surface of the wafer with diffused light and the surface image over the entire area of the wafer surface are detected as color unevenness images. This is a configuration including first detection means 16.
[0034]
The above-described diffuse illumination system 14 includes a first light source 18 that generates diffuse light, and a diffuse reflection plate 20 that irradiates the diffuse light generated by the first light source 18 to the entire surface of the wafer. have.
[0035]
In this embodiment, in consideration of the photosensitivity of the resist layer formed on the wafer, an LED (Light Emitting Diode) illumination that generates red light is used as the first light source 18. It is also preferable to use a light source that generates yellow light instead of red light. Further, for example, a fluorescent lamp may be used. The first light source 18 has a diffuser plate (indicated by the symbol a1 in FIG. 1; a white acrylic plate having a thickness of about 1 mm) at an emission portion of the light source in order to convert generated light into diffused light. Is mounted, and the generated light is emitted through this diffusion plate. The first light source 18 is arranged at a position obliquely above the surface of the wafer 22 so as to irradiate the diffuse reflection plate 20 with diffused light. In this embodiment using a 5-inch wafer (1 inch is 2.54 cm; this wafer corresponds to a diameter of 127 mm) as the wafer 22, the size h1 of the light emitting surface of the first light source 18 in the height direction is 60 mm. (FIG. 1), and the size W1 in the width direction is set to 130 mm (FIG. 2).
[0036]
The above-mentioned diffuse reflection plate (screen) 20 is a white (or red or yellow) acrylic plate (thickness of 3 mm or more). It is to be noted that diffused light can be easily obtained when the surface of the acrylic plate is made to have a matte surface (a surface having fine irregularities). The installation position and size of the diffuse reflection plate (screen) 20 are set so that the image is reflected on the entire area of the surface of the wafer 22. In this embodiment, the lower surface of the wafer 22 is fixed on the support 24, and the upper surface is horizontal. Then, a pattern is formed on the upper surface side by the wafer process step. The screen 20 is installed at a position facing the above-mentioned first light source 18 with respect to the wafer 22, and covers almost a half area above the wafer 22. That is, a rectangular acrylic plate is provided so that its lower end is positioned beside the wafer 22 so as to be inclined from the vertical direction, and the vicinity of the upper end (portion indicated by symbol b in FIG. 1) has a curvature. It has a curved surface of 20 degrees, and its upper end reaches near the center above the wafer 22. The screen 20 has a height h2 of 220 mm (FIG. 1) and a width W2 of 230 mm (FIG. 2).
[0037]
Further, the above-described first detecting means 16 is a first camera (shown by the same number as the first detecting means 16) using photoelectric conversion. In this embodiment, a CCD (Charge Coupled Device) camera is used as the first camera 16. The first camera 16 is located at a position obliquely above the first light source 18 with its optical axis O1 inclined by about 30 ° from the direction perpendicular to the surface of the wafer 22 (the angle θ1 in FIG. 1). It is equipped with. An extension of the optical axis O1 of the first camera 16 intersects with the surface of the wafer 22 at a distance of 35 mm (distance d1 in FIG. 1) from the center of the wafer 22, that is, the central axis of the support 24 (C axis in FIG. 1). It is a position only separated. The distance d2 between this position and the first camera 16 is 140 mm, and the first camera 16 is set so that the entire area of the surface of the wafer 22 can be observed.
[0038]
With the configuration of the image detection unit 10 described above, it is possible to detect a color unevenness image that reflects the uniformity of the pattern formed on the entire surface of the wafer 22.
[0039]
FIG. 3 is a plan view showing the appearance of the color unevenness image. FIG. 3A shows a surface image of the wafer 22 on which a normal (uniform) pattern is formed. In this case, regular color unevenness reflected by the formed pattern can be observed. In addition, a wafer without a pattern or a wafer with small pattern irregularities (steps) looks pale and uniform gray (the surface image is detected as a gray image). FIG. 3B shows a surface image of the wafer 22 on which an uneven pattern is formed. For example, as shown in FIG. 3B, in the non-uniform portion r1, the color looks lighter than the surroundings, and a stripe pattern not found in other portions is seen. FIG. 3C also shows a surface image of the wafer 22 on which an uneven pattern is formed. In this example, a part r2 of the pattern looks black. FIG. 3D shows an example of a surface image in the case where a coating defect (defective coating of a resist or the like) has occurred, as an example of the non-uniform pattern. A hatched portion r3 in the figure is a defective coat portion. Only the defective coat portion is observed as a different color or pattern, while the other surface region has a uniform color pattern.
[0040]
FIG. 4 is a sectional view showing the non-uniformity of the pattern. The state of a pattern 90 formed on the surface of the wafer 22 is shown. FIG. 4A shows a case where the formed pattern 90 has a convex portion 92. In the color unevenness image, such relatively gentle irregularities (steps of about 1 μm) are reflected as non-uniform patterns. FIG. 4B shows a case where the formed pattern 90 has a flaw 94. Unlike the color unevenness image, the flaw image reflects sharp non-uniformity such as flaw 94.
[0041]
Next, when inspecting the pattern for flaws, the image detection unit 10 detects a spot illumination system 26 for irradiating spot light on the surface of the wafer and a surface image over the entire area of the wafer surface as a flaw image. This is a configuration including the second detection means 28.
[0042]
The above-described spot illumination system 26 has third light sources 30a and 30b for generating spot light and irradiating the spot light obliquely from above to the entire surface of the wafer 22.
[0043]
In this embodiment, as described above, in consideration of the photosensitivity of the resist layer formed on the wafer, LED lighting that generates red light is used as the third light sources 30a and 30b. It is also preferable to use a light source that generates yellow light instead of red light. Further, for example, a fluorescent lamp or a halogen light source may be used. Each of the third light sources 30a and 30b is provided at a position obliquely above the surface of the wafer 22 so as to face each other. And, it is arranged so that the entire area of the surface of the wafer 22 can be irradiated with spot light. With this arrangement, the spot light is applied to the surface of the wafer 22 from a substantially horizontal direction. Since the flaw is a very thin groove, irradiating the groove with spot light from the side as described above makes it easier to cause irregular reflection, and a flaw image is easily obtained. As described above, in this embodiment using a 5-inch wafer (127 mm in diameter) as the wafer 22, the size W3 in the width direction of each light emitting surface of the third light sources 30a and 30b is set to 175 mm (FIG. 2). As described above, since the size W3 of the third light sources 30a and 30b is larger than the diameter of the wafer 22, it is possible to irradiate the entire surface of the wafer 22 with spot light.
[0044]
The above-described second detection unit 28 is a second camera (shown by the same number as the second detection unit 28) using photoelectric conversion. In this embodiment, a CCD camera is used as the second camera 28. The second camera 28 is arranged so that the optical axis O2 is oriented in a direction perpendicular to the surface of the wafer 22. With this arrangement, the surface image of the wafer 22 can be detected in the maximum state, and the flaw can be observed satisfactorily (for example, if it is observed with the arrangement like the first camera 16, the surface of the wafer 22 can be detected). Since the image has an elliptical shape, the image is smaller than the image captured by the second camera 28.) The extension of the optical axis O2 of the second camera 28 intersects the surface of the wafer 22 at a distance of 20 mm from the center of the wafer 22, that is, the center axis of the support 24 (C axis in FIG. 1) (the distance in FIG. 1). d3). The distance d4 between this position and the second camera 28 is 165 mm, and the second camera 28 is set so that the entire area of the surface of the wafer 22 can be observed.
[0045]
With the configuration of the image detection unit 10 described above, it is possible to detect a flaw image in which the presence / absence of a flaw in a pattern formed on the entire surface of the wafer 22 is reflected.
[0046]
FIG. 5 is a diagram showing the arrangement of the imaging system (first camera 16 and second camera 28). As shown in FIG. 5, the first and second cameras 16 and 28 do not display the image of the first camera 16 and the image of the second camera 28 on the video captured by the first camera 16, The camera 16 is arranged so that the above-mentioned color unevenness image can be observed and the second camera 28 can observe the above-mentioned flaw image. In FIG. 5, a region spanned by two line segments m indicates a visual field region of the first camera 16. The angle α between the optical axis O1 of the first camera 16 and the line segment m is the maximum viewing angle (angle of view) of the first camera 16. In FIG. 5, an area spanned by two line segments n indicates a visual field area of the second camera 28. The angle β between the optical axis O2 of the second camera 28 and the line segment n is the maximum viewing angle (angle of view) of the second camera 28. As shown in FIG. 5, the cameras 16 and 28 are provided so that the entire area of the surface of the wafer 22 falls within the field of view of the respective cameras 16 and 28. Further, when the second camera 28 is provided at a position symmetrical with respect to the surface of the wafer 22 (the second camera in this case is indicated by a symbol 28a), the first camera 16 facing the second camera 28a Are arranged so that the line of sight S does not cross the surface of the wafer 22, the image captured by the first camera 16 does not show the image of the second camera 28.
[0047]
With such an arrangement, when detecting the color unevenness image, the color unevenness does not disappear due to the images of both cameras. Since the image of the camera appears black on the wafer surface and the scratch appears white, the image of the first camera may appear in the image of the second camera used for the scratch observation.
[0048]
With the arrangement of the first and second cameras 16 and 28 described above, the above-described illumination systems 14 and 26 are alternately used, so that the color unevenness image and the flaw image can be observed alternately by each camera. . That is, the color unevenness image can be detected by the first camera 16 when the diffuse illumination system 14 is used, and the flaw image can be detected by the second camera 28 when the spot illumination system 26 is used. In the first embodiment, the first light source 18 and the screen 20 are used as the diffuse illumination system 14. However, when a flaw image is detected, the screen 20 does not project the image on the surface of the wafer 22. It is configured to be able to move far (arrow P in FIGS. 1 and 2). The non-uniformity of the pattern formed on the surface of the wafer can be easily detected as a color unevenness image when the image of the screen 20 is reflected on the surface of the wafer and the background color is bright. However, as described above, the flaws in the pattern appear white when observed with a camera. Therefore, it is easier to detect a flaw image if the background color is darkened so that the image of the screen 20 is not projected on the wafer surface.
[0049]
Next, the surface image detected by the image detection unit 10 (that is, the color unevenness image detected by the first camera 16 and the flaw image detected by the second camera 28) is sent to the image processing unit 12. The image processing unit 12 according to the present embodiment determines the quality of the pattern based on a comparison result between a surface image (image to be inspected) over the entire surface area detected by the image detection unit 10 and a reference image prepared in advance. Perform based on. In FIG. 1, the image processing unit 12 includes an image processing device 32 and a display device 34. The image processing device 32 is a unit that performs gray processing on the surface image sent from the image detection unit 10. In this embodiment, a process of identifying the density of each pixel of the detected surface image with 256 gradations is performed. The display device 34 is a display unit for displaying the detected surface image and displaying the processing result of the image processing device 32.
[0050]
Next, FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration of the image processing unit 12. The image processing unit 12 according to this embodiment includes an image memory unit, a comparison unit, and a determination unit.
[0051]
The image storage unit 36 serving as an image memory unit is a unit that stores the reference image and the image to be inspected detected by the image detection unit 10. That is, the image storage unit 36 includes a detected image memory 46 for storing the image to be inspected and a reference image memory 48 for storing the reference image. The image information stored in the memories 46 and 48 is read out to the comparing means 38 at an appropriate time in accordance with a command from the control means 44.
[0052]
The comparison unit 38 as a comparison unit is a unit that reads out the reference image and the image to be inspected from the image storage unit 36 and compares these images. The output (comparison result) of the comparison means 38 is sent to the determination unit. The judging unit 40 as a judging unit is a unit for judging the quality of the wafer according to the output of the comparing unit 38. Then, the output of the judgment means 40 is sent to the display means 42, and the judgment result is displayed on the display means 42. The operation timing of the image detection unit 10, the image storage unit 36, the comparison unit 38, the determination unit 40, and the display unit 42 described above is controlled by the control unit 44.
[0053]
The above-described reference image is a surface image of the entire region of a wafer (referred to as a reference wafer) on which a pattern in a good state is formed. In this case, the quality of the pattern is determined by displaying the reference image detected by the image detection unit 10 on a display unit (which may also serve as the above-described display unit 42) and visually checking the operator. As described above, the operator visually checks the quality of the pattern of the first wafer in the lot, and when the pattern is determined to be “good”, the pattern is stored in the reference image memory 48 as the reference image. If the first wafer is determined to be “bad”, the second wafer, the third wafer, and the like are determined until a wafer having a “good” pattern is reached.
[0054]
In this embodiment, a comparison between an image to be inspected and a reference image is performed based on template matching. Then, the template matching is performed using a grid region obtained by setting a pattern formation region in the surface image and dividing the pattern formation region into a grid shape as a template.
[0055]
FIG. 7 is a block diagram showing details of the configuration of the above-mentioned comparing means 38. 7, the comparing means 38 includes a data input unit 50, a wafer data storage unit 52, a template creation unit 54, and a template matching unit 56. Further, the data input unit 50 includes a dead body region input unit 58 for setting a pattern formation region of the front surface image by setting a dead body region of the front surface image, and a number of grids. A division number input unit 60 for setting whether to divide into regions. The operation of each component is controlled by the control means 44 described above.
[0056]
Here, the pattern formation region is a surface image region corresponding to a region on the wafer surface where a pattern is formed. FIG. 8 is a plan view showing a state of the surface of the wafer (a state of the detected surface image). A plurality of chips (that is, patterns) 62 are formed on the surface of the wafer 22 in accordance with the wafer process. In FIG. 8, the chip 62 is not formed in the hatched area (insensitive area 64). This area 64 is an area unrelated to the product (chip), and has prints and scratches. Therefore, it is better to exclude the region 64 from the matching target and perform template matching only on the pattern forming region 66 where the chip is formed. This is because if the region 64 is set as a matching target, the wafer may be determined as a defective product by the determination means 40 even if the chip portion is normal. Therefore, this region 64 is set as a dead body region that is not a matching target.
[0057]
FIG. 9 is a plan view showing the relationship between a conventional rectangular template and a wafer surface image. FIG. 9 shows a state in which the conventional template 68 (each rectangular area shown by a thin solid line in FIG. 9) is superimposed on the surface image of the wafer 22. In FIG. 9, a thick solid line t indicates a region on the wafer 22 where the chips 62 are formed. In order to perform a matching test on all chips using a normal template, it is necessary to divide a surface image with a conventional template 68 as shown in FIG. Among the divided areas, the shaded area includes the insensitive body area 64. Therefore, if template matching is performed using the conventional template 68, an erroneous determination may be caused.
[0058]
On the other hand, FIG. 10 is a plan view showing the shape of the scratch inspection template according to the first embodiment. In FIG. 10, the shape of the template 70 is represented by the shape of each grid region obtained by dividing the pattern forming region 66 of the surface image of the wafer 22 into a grid. As shown in FIG. 10, the lattice area in contact with the insensitive body area 64 is not rectangular, and the shape of the template 70 used for template matching in this area is not rectangular. As described above, since each template 70 has a shape that fits into the pattern formation region 66, the quality of the pattern formed in the pattern formation region 66 can be completely determined. In addition, as described with reference to FIG. 9, since the insensitive body region 64 is not included in the template, erroneous determination can be reduced.
[0059]
FIG. 11 is a plan view showing the shape of the color unevenness inspection template according to the first embodiment. Since the optical axis of the first camera 16 for detecting the color unevenness image is inclined with respect to the surface of the wafer, the wafer captured by the first camera 16 has an elliptical shape. Therefore, the template must also be deformed according to this shape. The template 70 used for the color unevenness inspection corresponds to a template 70 (FIG. 10) used for the flaw inspection which is deformed into an elliptical shape. That is, if the size of the defect inspection template in a certain direction (in FIG. 10, the direction orthogonal to the orientation flat f) is reduced, the color unevenness inspection template can be obtained.
[0060]
The above-described dead area input unit 58 is used to input how many millimeters of the dead area 64 are located inside the edge of the wafer 22. For example, in FIG. 10, the distance u is 3 mm. Further, the number of divisions of the pattern forming area 66 in the vertical and horizontal directions is input to the division number input unit 60. For example, in FIG. 10, the image is divided into eight parts vertically and horizontally. Using the information stored in the data input unit 50 and the information (information such as the diameter of the wafer to be inspected and the shape of the observed wafer) stored in the wafer data storage unit 52, the template creation unit 54 Is created. In the above example, a template is created in which a circle having a diameter 3 mm smaller than the diameter of the wafer (actually, a shape reflecting the orientation flat of the wafer) is divided into 8 × 8. One side of the template 70 is about 10 to 20 mm. The smaller the size of the template is, the higher the determination accuracy is, but the processing speed is slow, so a value of this order is preferable. The number of templates to be created is preferably about 10 to 40.
[0061]
As described above, by using the template of this embodiment, only a desired region (pattern forming region) can be set as a target region for performing template matching. In addition, a template can be prepared and prepared according to the shape and size of the wafer to be inspected.
[0062]
The template creation unit 54 includes a pattern formation area setting unit 72 and a grid division unit 74. The template creating section 54 first reads a reference image from the reference image memory 48 to create a reference template. For that purpose, first, the pattern formation region 66 is set on the detected surface image of the entire surface of the wafer. The setting of the pattern formation area 66 is performed in the above-described pattern formation area setting section 72 based on information sent from the data input section 50, the wafer data storage section 52, and the reference image memory 48. When the surface image input to the pattern formation region setting section 72 is a color unevenness image captured by the first camera 16, the pattern formation region 66 is also deformed into an elliptical shape. It is performed in. Next, in the above-described grid dividing section 74, each grid area obtained by dividing the pattern forming area 66 set by the pattern forming area setting section 72 into a grid shape is created as a template.
[0063]
Template matching is a method of comparing a plurality of images for each template. In accordance with the operation of the template creation unit 54 described above, the reference image, which is a good pattern image, is divided into regions for each template 70 described above. Each template created at this time is called a reference template. This reference template is stored in the memory means of the template matching unit 56. Next, this time, instead of the reference image, a surface image to be inspected (image to be inspected) is read from the detected image memory 46 to the template creating unit 54, and the surface image is divided into regions for each template 70. Then, the generated templates (referred to as inspected templates) are output to the template matching unit 56. The template matching unit 56 performs template matching between the previously created and stored reference template and the template to be inspected that is input from the template creation unit 54 and corresponds to the reference template. Then, the total value of the brightness of each pixel included in each template (total brightness value) is counted.
[0064]
The matching judgment is performed by the judgment means 40 described above. The determination unit 40 calculates the coincidence rate between the total brightness values of the reference template and the template to be inspected, which are counted by the template matching unit 56. For example, the percentage of coincidence between the total brightness value (reference value) of the reference template and the total brightness value (test value) of the inspected template is determined. This matching rate is called a correlation rate (correlation value). In this embodiment, the criterion for determining the quality of the template to be inspected is a correlation rate of 60%. That is, the correlation rate is obtained for each template, and if the correlation rate is 60% or more, the inspected template is determined to be “good”, and if the correlation rate is less than 60%, the inspected template is determined to be “bad”. are doing. If all the templates to be inspected are “good”, the pattern formed on the wafer is determined to be “good”. In addition, if there is at least one template to be inspected determined to be “defective”, the pattern formed on the wafer is determined to be “defective”.
[0065]
Then, the determination result output from the determination unit 40 is displayed on the display unit 42. As the display means 42, the above-described display device 34 is also used.
[0066]
According to the automatic wafer macro inspection apparatus of the first embodiment described above, it becomes possible to automate the wafer macro inspection. Therefore, the number of working steps can be significantly reduced. In addition, an accurate inspection can be performed regardless of the skill level of the operator. Furthermore, the opportunity for the operator to come into contact with the wafer is reduced, so that contamination free of the wafer can be achieved.
[0067]
In the processing by the above-described matching method, the correlation between the total brightness values of the reference template and the template to be inspected is detected to compare these templates. However, the present invention is not limited to this. First, the correlation value between the pixels at the corresponding position of each template may be obtained, and based on this data, the correlation value between the templates may be obtained, and the comparison may be performed.
[0068]
[Second embodiment]
FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration of an automatic wafer macro inspection apparatus according to the second embodiment. FIG. 12 shows a side view of the image detection unit 10 and a block diagram of the image processing unit 12. FIG. 13 is a plan view illustrating a configuration of the image detection unit 10 according to the second embodiment. The configuration of the image detection unit 10 illustrated in FIG. 12 corresponds to a right side view of the configuration illustrated in FIG.
[0069]
The automatic wafer macro inspection apparatus of this embodiment has, as the diffuse illumination system 14, a second light source 76 that generates diffuse light and irradiates the diffuse light to the entire surface of the wafer. The diffuse illumination system 14 according to the second embodiment is different from the first embodiment in which the first light source 18 and the screen 20 are used, but the second light source is located at the position where the screen 20 is installed. 76. A diffusion plate (indicated by a symbol a2 in FIG. 12; a white acrylic plate having a thickness of about 1 mm) is attached to the light emitting surface of the second light source 76, and light emitted from the second light source 76 is Diffuse light has been made. The size of the light emitting surface of the second light source 76 is substantially the same as the size of the screen 20, and the entire surface of the wafer 22 can be irradiated with diffused light. Even using the diffuse illumination system 14 having such a configuration, a color unevenness image can be detected satisfactorily.
[0070]
In this embodiment, in consideration of the photosensitivity of the resist layer formed on the wafer, the second light source 76 uses LED illumination that generates red light. It is also preferable to use a light source that generates yellow light instead of red light. Further, for example, a fluorescent lamp may be used.
[0071]
[Third Embodiment]
FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration of an automatic wafer macro inspection apparatus according to the third embodiment. FIG. 14 shows a side view of the image detection unit 10 and a block diagram of the image processing unit 12. FIG. 15 is a plan view illustrating a configuration of the image detection unit 10 according to the third embodiment. The configuration of the image detection unit 10 illustrated in FIG. 14 corresponds to a right side view of the configuration illustrated in FIG.
[0072]
When inspecting for non-uniformity of the pattern, the image detecting unit 10 of this embodiment generates a diffused light and irradiates the partial region on the surface of the wafer 22 with the diffused light, A third camera 80 serving as a third detection unit using photoelectric conversion for detecting the surface image of the area as a color unevenness image, and stepwise moving the wafer 22 so as to scan the entire surface image of the surface of the wafer 22 An XY stage 82 is provided.
[0073]
In this embodiment, in consideration of the photosensitivity of the resist layer formed on the wafer, the fourth light source 78 uses LED illumination that generates red light. It is also preferable to use a light source that generates yellow light instead of red light. Further, for example, a fluorescent lamp may be used. In the fourth light source 78, a diffuser plate (indicated by a symbol a3 in FIG. 14; a white acrylic plate having a thickness of about 1 mm) is provided at an emission portion of the light source in order to convert generated light into diffused light. Is mounted, and the generated light is emitted through this diffusion plate. The fourth light source 78 is disposed at a position obliquely above the surface of the wafer 22 so as to irradiate a partial region on the surface of the wafer 22 with diffused light. The area of this partial region is about 1/4 to 1/25 of the surface area of the wafer. The emission direction of the fourth light source 78 (extending direction of the e-axis in FIG. 14) is inclined by an angle θ2 from a direction perpendicular to the surface of the wafer 22. The angle θ2 is about 30 ° to 45 °.
[0074]
In this embodiment, a CCD camera is used as the third camera 80. The third camera 80 is provided at a position obliquely above the fourth light source 78 so that its optical axis O3 is oriented in a direction substantially perpendicular to the surface of the wafer 22. The third camera 80 is arranged so that the above-described partial area can be observed without displaying the image of the third camera 80 on a captured image. That is, the third camera 80 is arranged so as to observe the illumination image of the fourth light source 78 projected on the surface of the wafer 22. As described above, since the entire area on the surface of the wafer 22 is not captured at once by the third camera 80 but only the partial area is enlarged and observed, the image of the third camera 80 does not appear in this partial area. You can do so.
[0075]
FIG. 16 is a plan view showing the positional relationship between the camera image and the illumination image. On the surface of the wafer 22, a camera image 86, that is, an image of the third camera 80, and an illumination image 88, that is, an image of the fourth light source 78 are reflected. The partial area observed by the third camera 80 is the illumination image 88. As shown in FIG. 16, the third camera 80 is adjusted so that the camera image 86 and the illumination image 88 do not overlap. Therefore, the optical axis O3 of the third camera 80 is slightly inclined from the direction perpendicular to the surface of the wafer 22 (however, in FIG. 14, the extending direction of the optical axis O3 is perpendicular to the surface of the wafer 22). It is shown in the same direction.)
[0076]
Further, the XY stage 82 sucks the lower surface of the wafer 22 on the stage and moves the stage stepwise in the X direction and the Y direction orthogonal to each other on the surface of the wafer 22. With this configuration, the region on the surface of the wafer and the region observed by the third camera 80 can be relatively sequentially shifted. Therefore, the entire image can be scanned by detecting the surface image of the wafer 22 for each partial area by the third camera 80 and step-moving the wafer 22 by the XY stage 82.
[0077]
Next, when inspecting for flaws in the pattern, the image detection unit 10 of this embodiment generates a spot light and irradiates the spot light from a diagonally upper direction toward a partial area on the surface of the wafer 22. And a fifth light source 84a and 84b. Then, the above-described third camera 80 detects a surface image of the partial area irradiated by the fifth light sources 84a and 84b as a flaw image.
[0078]
In this embodiment, as described above, in consideration of the photosensitivity of the resist layer formed on the wafer, the fifth light sources 84a and 84b use LED illumination that generates red light. It is also preferable to use a light source that generates yellow light instead of red light. Further, for example, a fluorescent lamp or a halogen light source may be used. Each of the fifth light sources 84a and 84b is provided at a position obliquely above the surface of the wafer 22 so as to face each other. And, it is arranged so that the entire area of the surface of the wafer 22 can be irradiated with spot light. With this arrangement, the spot light is applied to the surface of the wafer 22 from a substantially horizontal direction. Since the flaw is a very thin groove, irradiating the groove with spot light from the side as described above makes it easier to cause irregular reflection, and a flaw image is easily obtained. In this embodiment, the spot light may be applied to the above-described partial area without irradiating the entire area of the surface of the wafer 22 with the spot light.
[0079]
Next, in this embodiment, the determination of the quality of the pattern performed by the image processing unit 12 is performed by comparing the surface image over the partial region of the surface of the wafer 22 detected by the image detection unit 10 with the reference image prepared in advance. This is done by comparison. This comparison is performed based on template matching.
[0080]
This reference image is a surface image of a partial region of a wafer (reference wafer) on which a pattern in a good state is formed. At this time, the quality of the pattern is determined visually by the operator as described in the first embodiment. Then, similarly, the operator visually checks the quality of the first pattern of the lot, and when the pattern is determined to be “good”, the pattern is stored in the reference image memory 48 as the second reference image. If the first sheet is determined to be "defective", the second and third sheets are determined.
[0081]
The image processing unit 12 described in the first embodiment with reference to FIGS. 6 and 7 can use this reference image to determine the quality of the pattern formed on the wafer.
[0082]
FIG. 17 is a plan view showing the shape of the template according to the third embodiment. The template 70 used in this embodiment is a normal rectangular template, similarly to the conventional template 68 described with reference to FIG. 9 (the shape of one template 70 is the shaded area in FIG. 17). Each template 70 used in the third embodiment has the same shape.) However, in the third embodiment, in order to exclude the insensitive body region 64 from the matching targets, the partial regions of the respective templates 70 are configured to overlap with each other (there is no problem if they overlap). With such a configuration, each template 70 is created so as to fit within the formation region of the chip 62 indicated by the thick solid line t.
[0083]
In this embodiment, since the flaw image and the color unevenness image are detected by the same camera, a template having the same shape can be used for each. Also, one template is prepared for the detected surface image of each partial region, and template matching is performed. The size of each template 70 is a size corresponding to several chips. The area occupied by one template 70 shown in FIG. 17 corresponds to the above-described partial area. The wafer 22 is step-moved on the XY stage 82 so that each of these partial regions can be sequentially observed. Then, template matching is sequentially performed for each partial area, and the quality of the pattern formed in each partial area is determined. If at least one of the patterns is determined to be "defective", the pattern formed on the surface of the wafer is determined to be "defective". The movement timing of the XY stage 82 and the detection timing of the surface image may be controlled by the control unit 44 described above.
[0084]
According to the automatic wafer macro inspection apparatus of the third embodiment described above, since the inspection is performed for each partial area by dividing the surface area of the wafer, the number of CCD camera pixels per unit area of the wafer can be increased. it can. Therefore, a more accurate inspection can be performed as compared with the configurations of the first and second embodiments.
[0085]
In this embodiment, one diffused light source (fourth light source 78) is used when detecting a color unevenness image, but it is better to use a plurality of diffused light sources. Also, as shown in the cross-sectional view of FIG. 18, a dome-shaped diffused illumination 96 (the inner surface q is a light emitting surface) surrounding the wafer 22 around the optical axis O3 of the third camera 80 as a central axis. May be used. When such illumination is used, it is possible to prevent the image captured by the third camera 80 from displaying an image of the third camera 80 itself.
[0086]
[Fourth Embodiment]
FIG. 19 is a block diagram illustrating a configuration of the comparing unit 38 according to the fourth embodiment. The comparison means 38 of this embodiment has a configuration in which a comparison processing section 98 is provided instead of the template matching section 56 which is a component of the comparison means 38 described with reference to FIG. The comparison processing unit 98 includes an edge processing unit 100, a brightness difference distribution detection unit 102, and a threshold value storage unit 104. Also in the fourth embodiment, the quality of the pattern formed on the wafer is determined by dividing the detected surface image into regions for each template, and comparing and determining each template (a reference template and a template to be inspected). . That is, first, a reference template is set for the reference image stored in the image memory unit.
[0087]
Then, edge processing is performed on the set reference template. In this embodiment, the edge processing unit 100 performs normal edge processing (differentiation processing) on each template created by the template creating unit 54. As a result of this edge processing, the boundary line of the surface image in the reference template is enhanced. As described above, first, a portion where the change in brightness is large in the reference template is extracted.
[0088]
Next, each of the reference templates subjected to the edge processing is output to the brightness difference distribution detecting unit 102. Then, the brightness difference distribution detection unit 102 detects the number of each pixel constituting the reference template after edge processing for each brightness difference. This distribution of the number of pixels for each brightness difference is referred to as a reference brightness difference distribution. For example, FIG. 20A shows a reference brightness difference distribution with the brightness difference taken along the horizontal axis and the number of pixels taken along the vertical axis.
[0089]
Further, the brightness difference distribution detecting unit 102 determines the number of pixels equal to or less than the first brightness difference (referred to as a first reference value) and the number of pixels equal to or greater than the second brightness difference (the second reference value and the second reference value). ) Is counted as a reference value. The first threshold value as the first brightness difference and the second threshold value as the second brightness difference are stored in the threshold value storage unit 104. The brightness difference distribution detecting unit 102 counts each of the above-described reference values with reference to the threshold value storing unit 104. The reference value, which is the counting result, is output to the judging means 40 and stored in the memory means of the judging means 40.
[0090]
Next, similarly, the template to be inspected is set in the area of the surface image (stored in the detected image memory 46) of the detected wafer to be inspected corresponding to the reference template. Then, the edge processing unit 100 performs edge processing on the set inspection target template. Then, the brightness difference distribution detecting unit 102 detects the number of each pixel constituting the template subjected to edge processing for each brightness difference. This distribution for each lightness difference is referred to as a lightness difference distribution to be inspected.
[0091]
Further, the brightness difference distribution detecting unit 102 described above calculates the number of pixels equal to or less than the first brightness difference (referred to as a first inspected value) and the number of pixels equal to or greater than the second brightness difference (from the determined brightness difference distribution to be inspected). Is referred to as a second inspection value). The first threshold value as the first brightness difference and the second threshold value as the second brightness difference are stored in the threshold value storage unit 104 as described above, and the brightness difference distribution detection unit 102 With reference to the threshold value storage unit 104, the above-described inspection value is counted. The value to be inspected is output to the judgment means 40 and stored in the memory means of the judgment means 40.
[0092]
The determination means 40 of this embodiment calculates the coincidence rate (correlation rate, correlation value) between the reference value and the value to be inspected, which is the result of comparison by the comparison means 38. Then, it is detected whether or not the calculated coincidence ratio is within a preset value range, and the quality of the inspection target wafer (pattern formed on the surface of the wafer) is determined.
[0093]
Each graph in FIG. 20 is a graph showing a brightness difference distribution. In each graph, the horizontal axis represents the brightness difference, and the vertical axis represents the number of pixels. For example, it is assumed that the brightness difference distribution shown in the first graph is the reference brightness difference distribution. It is assumed that the brightness difference distributions shown in the second and third graphs are the brightness difference distributions to be inspected. The first-stage reference brightness difference distribution has a substantially symmetric mountain shape. On the other hand, the brightness difference distribution to be inspected in the second stage has a shape in which the local maximum point shifts to the right side as compared with the reference brightness difference distribution. Further, the brightness difference distribution to be inspected in the third stage has a shape in which the local maximum point shifts to the left side as compared with the reference brightness difference distribution. Accordingly, the second and third inspection lightness difference distributions to be inspected have different shapes from the reference lightness difference distribution.
[0094]
The determination unit 40 first calculates the coincidence rate of the number of pixels of each graph (the number of pixels in each graph region indicated by oblique lines) that is equal to or less than the first threshold value (first brightness difference) on the low brightness difference side. . That is, the matching rate between the first reference value and the first inspection value is calculated.
[0095]
The coincidence rate is a value indicating how much the two quantities coincide. A reference is set for this coincidence rate. For example, when this reference is set to 60%, if the coincidence rate of each pixel number is 60% or more, it is determined that these pixel numbers are the same. When the values are equal to or smaller than the first threshold value, it is determined that the brightness difference distribution to be inspected in the second stage is the same as the reference brightness difference distribution. It is determined that the distribution is different.
[0096]
Next, a coincidence rate of the number of pixels of each graph (the number of pixels in each graph region indicated by oblique lines) equal to or more than the second threshold value on the high lightness difference side is calculated. That is, a coincidence rate between the second reference value and the second inspection value is calculated. According to this calculation result, the brightness difference distribution to be inspected in the second stage is determined to be different from the reference brightness difference distribution, and the brightness difference distribution to be inspected in the third stage is determined to be the same as the reference brightness difference distribution.
[0097]
In the example described with reference to FIG. 20, it is determined that the lightness difference distributions to be inspected in the second and third stages are different from the reference lightness difference distribution. Therefore, the template to be inspected reflecting the brightness difference distributions to be inspected in the second and third stages is determined to be “defective”. As described above, by setting two thresholds as the determination criterion, it is possible to reduce erroneous determinations as compared with a case where only one threshold is set.
[0098]
According to the image processing method of performing the edge processing described above, a good determination result can be obtained. Further, the processing method according to the fourth embodiment can determine the quality of a wafer with higher detection accuracy for a flaw inspection than the processing method of template matching described in the first embodiment. . This is because most of the flaws detected as flaw images are very small, so it is possible to reduce erroneous determination by sharpening the flaw image by performing edge processing, and as a result, defective product detection This is because the rate can be increased. In addition, the color unevenness inspection can be performed with the same or higher detection accuracy as in the first embodiment regardless of the flaw inspection.
[0099]
In the comparison processing of this embodiment, an example is described in which two thresholds for setting the brightness difference range for comparing the number of pixels are used. However, the present invention is not limited to this, and two or more thresholds may be used. . For example, if three or more threshold values are used, the determination accuracy can be further improved. Further, first, the quality of the wafer is determined by performing the processing according to the matching method described in the first embodiment, and subsequently, the quality of the wafer is determined by performing the processing according to the matching method described in the fourth embodiment. May be determined.
[0100]
【The invention's effect】
According to the wafer macro inspection method of the first invention according to this application, a surface image of a wafer is detected, a pattern of the surface image is compared with a pattern of a reference image, and a pattern state is determined according to the comparison result. By doing so, it is possible to inspect the wafer (pattern formed on the surface of the wafer).Further, according to the wafer macro inspection method of the first aspect of the present invention, when a flaw image is detected, the diffuse reflection plate is moved so that the image is not reflected on the surface of the wafer. Can be easily detected.
[0101]
Further, according to the automatic wafer macro inspection apparatus of the second invention according to this application, the image detecting section detects the reference image in advance, stores the reference image in the image memory section, Detects the image to be inspected, stores the image to be inspected in the image memory unit, reads out each image stored in the image memory unit to the comparing unit, compares the reference image and the image to be inspected, Based on the comparison result, the determination unit outputs a pass / fail determination result of the wafer (pattern formed on the surface of the wafer). Therefore, with this apparatus configuration, it is possible to automatically perform a macro inspection of a wafer. Therefore, the number of working steps can be significantly reduced. In addition, an accurate inspection can be performed regardless of the skill level of the operator. Further, the opportunity for the operator to come into contact with the wafer is reduced, so that contamination free of the wafer can be achieved.Further, according to the wafer macro inspection apparatus of the second aspect of the present invention, when the flaw image is detected, the diffuse reflection plate is moved so that the image is not projected on the surface of the wafer. Can be easily detected.
[0102]
Further, according to a preferred configuration example of the automatic wafer macro inspection apparatus of the present invention, the surface of the wafer is irradiated with diffused light and the first detection means detects the surface image. The non-uniformity of the formed pattern can be inspected.
[0103]
Further, according to the preferred embodiment of the automatic wafer macro inspection apparatus of the present invention, the surface of the wafer is irradiated with spot light, and the surface image is detected by the second detecting means. The presence or absence of a flaw in the formed pattern can be inspected.
[0104]
Further, according to a preferred configuration example of the automatic wafer macro inspection apparatus of the present invention, the non-uniformity of the pattern is inspected by irradiating the surface of the wafer with diffused light and detecting the surface image of the wafer. can do. In addition, by switching the illumination and irradiating the surface of the wafer with spot light to detect the surface image of the wafer, it is possible to inspect whether or not the pattern is flawed.
[0105]
Further, according to a preferred configuration example of the automatic wafer macro inspection apparatus of the present invention, by irradiating the surface of the wafer with diffused light and detecting the surface image of the wafer, a pattern formed in a partial region of the wafer surface is detected. Inspection of the non-uniformity of the wafer, and movement of the wafer on the XY stage to move the partial area of the wafer captured by the third detection means. Can be inspected.
[0106]
Further, according to a preferred configuration example of the automatic wafer macro inspection apparatus of the present invention, a pattern formed in a partial region on the wafer surface is obtained by irradiating a spot light on the surface of the wafer and detecting a surface image of the wafer. And a structure in which the wafer is moved on the XY stage to move a partial area of the wafer captured by the third detecting means. Can be inspected.
[0107]
Further, according to a preferred configuration example of the automatic wafer macro inspection apparatus of the present invention, by irradiating the surface of the wafer with diffused light and detecting the surface image of the wafer, a pattern formed in a partial region of the wafer surface is detected. Inspection of the non-uniformity of the wafer and movement of the wafer on the XY stage to move the partial area of the wafer captured by the third detection means, the non-uniformity of the pattern on the surface of the wafer for each partial area Can be inspected. In addition, a configuration in which the presence or absence of a flaw in a pattern formed in a partial region of the wafer surface is inspected by irradiating a spot light on the surface of the wafer and detecting a surface image of the wafer, and the wafer is moved by an XY stage This makes it possible to inspect the presence or absence of a flaw in the pattern on the surface of the wafer for each partial region by moving the partial region of the wafer captured by the third detection means.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an automatic wafer macro inspection apparatus according to a first embodiment.
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of an image detection unit according to the first embodiment.
FIG. 3 is a view showing how a color unevenness image looks.
FIG. 4 is a view showing non-uniformity of a pattern.
FIG. 5 is a diagram showing an arrangement of an imaging system.
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of an image processing unit.
FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of a comparison unit.
FIG. 8 is a diagram showing a state of a surface of a wafer.
FIG. 9 is a diagram showing a relationship between a conventional template and a wafer surface image.
FIG. 10 is a diagram illustrating a shape of a scratch inspection template according to the first embodiment.
FIG. 11 is a diagram illustrating a shape of a color unevenness inspection template according to the first embodiment.
FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration of an automatic wafer macro inspection apparatus according to a second embodiment.
FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration of an image detection unit according to the second embodiment.
FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration of an automatic wafer macro inspection apparatus according to a third embodiment.
FIG. 15 is a diagram illustrating a configuration of an image detection unit according to a third embodiment.
FIG. 16 is a diagram showing a positional relationship between a camera image and an illumination image.
FIG. 17 is a diagram illustrating the shape of a template according to the third embodiment.
FIG. 18 is a diagram illustrating an example using dome-shaped illumination.
FIG. 19 is a diagram illustrating a configuration of a comparing unit according to the fourth embodiment.
FIG. 20 is a diagram showing a lightness difference distribution graph.
[Explanation of symbols]
10: Image detection unit 12: Image processing unit
14: Diffuse illumination system 16: First camera
18: First light source 20: Screen
22: Wafer 24: Support
26: Spot illumination system 28: Second camera
30a, 30b: third light source 32: image processing device
34: Display device 36: Image storage means
38: comparison means 40: judgment means
42: display means 44: control means
46: Detected image memory 48: Reference image memory
50: Data input unit 52: Wafer data storage unit
54: Template creation unit
56: Template matching unit
58: Dead area input unit 60: Division number input unit
62: chip 64: dead area
66: pattern formation area
68: conventional template 70: template
72: pattern formation area setting unit
74: grating division unit 76: second light source
78: fourth light source 80: third camera
82: XY stage
84a, 84b: Fifth light source 86: Camera image
88: Illumination image 90: Pattern
92: protrusion 94: scratch
96: Dome diffused illumination 98: Comparison processing unit
100: edge processing unit 102: brightness difference distribution detection unit
104: threshold storage unit

Claims (10)

第１光源で発生した拡散光を拡散反射板を用いて基準ウエハの表面に照射し、該基準ウエハの斜め上方から該基準ウエハの表面の全領域に亘る第１の色ムラ像を検出するステップと、
前記拡散反射板を移動させ、前記基準ウエハの表面にスポット光を照射し、該基準ウエハの真上から該基準ウエハの表面の全領域に亘る第１のキズ像を検出するステップと、
前記拡散反射板を用いて被検査ウエハの表面に前記拡散光を照射し、該被検査ウエハの斜め上方から該被検査ウエハの表面の全領域に亘る第２の色ムラ像を検出するステップと、
前記拡散反射板を移動させ、前記被検査ウエハの表面に前記スポット光を照射し、該被検査ウエハの真上から該被検査ウエハの表面の全領域に亘る第２のキズ像を検出するステップと、
前記第１の色ムラ像およびキズ像と前記第２の色ムラ像およびキズ像とを比較するステップと、
前記比較の結果に基づいて、前記被検査ウエハの良否を判定するステップと
を有することを特徴とするウエハのマクロ検査方法。 Irradiating the diffused light generated by the first light source on the surface of the reference wafer using a diffuse reflection plate, and detecting a first color unevenness image over an entire area of the surface of the reference wafer from obliquely above the reference wafer; When,
Moving the diffuse reflector, irradiating spot light on the surface of the reference wafer, and detecting a first flaw image over the entire region of the surface of the reference wafer from directly above the reference wafer;
Irradiating the diffused light to the surface of the wafer to be inspected using the diffuse reflection plate, and detecting a second color unevenness image over the entire area of the surface of the wafer to be inspected from obliquely above the wafer to be inspected ,
Moving the diffuse reflector, irradiating the spot light on the surface of the wafer to be inspected, and detecting a second flaw image over the entire area of the surface of the wafer to be inspected from directly above the wafer to be inspected; When,
Comparing the first color unevenness image and the flaw image with the second color unevenness image and the flaw image;
Determining the quality of the wafer to be inspected based on the result of the comparison;
A macro inspection method for a wafer . 請求項１に記載のウエハのマクロ検査方法において、前記比較を、テンプレートマッチングによって行うことを特徴とするウエハのマクロ検査方法。2. The macro inspection method for a wafer according to claim 1, wherein the comparison is performed by template matching. 請求項２に記載のウエハのマクロ検査方法において、
前記テンプレートマッチングは、
前記第１の色ムラ像およびキズ像に基準テンプレートを設定するステップと、
該設定した基準テンプレートを構成する各画素の明度の合計値を基準値として計数し、該基準値を第１メモリ手段に記憶するステップと、
前記基準テンプレートに対応する前記第２の色ムラ像およびキズ像に、被検査テンプレートを設定するステップと、
該被検査テンプレートを構成する各画素の明度の合計値を被検査値として計数し、該被検査値を第２メモリ手段に記憶するステップと、
前記第１および第２メモリ手段から前記基準値および前記被検査値をそれぞれ読み出し、これら基準値および被検査値を比較するステップと
をもって行うことを特徴とするウエハのマクロ検査方法。3. The macro inspection method for a wafer according to claim 2,
The template matching is
Setting a reference template for the first color unevenness image and the flaw image ;
Counting the total value of the brightness of each pixel constituting the set reference template as a reference value, and storing the reference value in the first memory means;
Setting a template to be inspected in the second color unevenness image and the flaw image corresponding to the reference template;
Counting the total value of the brightness of each pixel constituting the inspection template as an inspection value, and storing the inspection value in the second memory means;
Reading the reference value and the inspection value from the first and second memory means, respectively, and comparing the reference value and the inspection value . 請求項２に記載のウエハのマクロ検査方法において、
前記テンプレートマッチングは、
前記第１の色ムラ像およびキズ像に基準テンプレートを設定するステップと、
該設定した基準テンプレートにエッジ処理を施すステップと、
該エッジ処理済の基準テンプレートを構成する各画素の、第１明度差以下の画素数と第２明度差以上の画素数とを基準値として計数し、該基準値を第１メモリ手段に記憶するステップと、
前記基準テンプレートに対応する前記第２の色ムラ像およびキズ像に、被検査テンプレートを設定するステップと、
該設定した被検査テンプレートにエッジ処理を施すステップと、
該エッジ処理済の被検査テンプレートを構成する各画素の、前記第１明度差以下の画素数と前記第２明度差以上の画素数とを被検査値として計数し、該被検査値を第２メモリ手段に記憶するステップと、
前記第１および第２メモリ手段から前記基準値および前記被検査値をそれぞれ読み出し、これら基準値および被検査値を比較するステップと
をもって行うことを特徴とするウエハのマクロ検査方法。3. The macro inspection method for a wafer according to claim 2,
The template matching is
Setting a reference template for the first color unevenness image and the flaw image ;
Performing edge processing on the set reference template;
The number of pixels that are equal to or less than the first brightness difference and the number of pixels that are equal to or greater than the second brightness difference are counted as reference values, and the reference values are stored in the first memory unit. Steps and
Setting a template to be inspected in the second color unevenness image and the flaw image corresponding to the reference template;
Performing edge processing on the set inspection target template;
The number of pixels that are equal to or less than the first brightness difference and the number of pixels that are equal to or greater than the second brightness difference among the respective pixels constituting the edge-processed inspection template are counted as inspection values. Storing in memory means;
Reading the reference value and the inspection value from the first and second memory means, respectively, and comparing the reference value and the inspection value. 拡散光を発生する第１光源と、
前記第１光源から発生された前記拡散光を反射して、基準ウエハおよび被検査ウエハの表面に該拡散光を照射する拡散反射板と、
前記拡散光が照射されている間に、前記基準ウエハおよび前記被検査ウエハの色ムラ像 を検出する第１検査手段と、
前記基準ウエハおよび前記被検査ウエハの表面にスポット光を照射する第２光源と、
前記拡散反射板を移動させ、前記スポット光が照射されている間に、前記基準ウエハおよび前記被検査ウエハのキズ像を検出する第２検査手段と、
前記基準ウエハの前記色ムラ像および前記キズ像と前記被検査ウエハの前記色ムラ像および前記キズ像とを比較する比較部と、
前記比較部の比較結果に基づいて、前記被検査ウエハの良否判定を行う判定部と
を具えることを特徴とする自動ウエハマクロ検査装置。 A first light source for generating diffused light,
A diffuse reflector that reflects the diffused light generated from the first light source and irradiates the diffused light to the surfaces of a reference wafer and a wafer to be inspected;
A first inspection unit that detects color unevenness images of the reference wafer and the inspected wafer while the diffused light is being irradiated ;
A second light source for irradiating spot light on the surfaces of the reference wafer and the inspection target wafer;
A second inspection unit that moves the diffuse reflection plate and detects a flaw image of the reference wafer and the inspection target wafer while the spot light is being irradiated;
A comparing unit that compares the color unevenness image and the flaw image of the reference wafer with the color unevenness image and the flaw image of the inspected wafer;
A determination unit that determines the acceptability of the inspection target wafer based on a comparison result of the comparison unit;
An automatic wafer macro inspection apparatus, comprising: 請求項５に記載の自動ウエハマクロ検査装置において、
ウエハの表面に拡散光を照射する拡散照明系を具え、
前記拡散照明系は、
拡散光を発生して、前記ウエハの表面の全領域に該拡散光を照射する第３光源であることを特徴とする自動ウエハマクロ検査装置。The automatic wafer macro inspection apparatus according to claim 5 ,
Equipped with a diffused illumination system that irradiates diffused light to the wafer surface
The diffuse illumination system includes:
An automatic wafer macro inspection apparatus, which is a third light source that generates diffused light and irradiates the diffused light to the entire surface of the wafer. 請求項５に記載の自動ウエハマクロ検査装置において、
被検査ウエハの表面像と基準ウエハの表面像とを、それぞれ被検査画像および基準画像として検出する画像検出部を具え、
前記画像検出部は、
拡散光を発生する第１光源と、
該拡散光を前記ウエハの表面の全領域に向けて照射するための拡散反射板と、
前記ウエハの表面の全領域に亘る前記色ムラ像を検出する第１検出手段と、
スポット光を発生して、前記ウエハの表面の全領域に向けて斜め上方から該スポット光を照射するための第２光源と、
前記ウエハの表面の全領域に亘る前記キズ像を検出する第２検出手段と
を具えることを特徴とする自動ウエハマクロ検査装置。The automatic wafer macro inspection apparatus according to claim 5,
An image detection unit for detecting the surface image of the inspected wafer and the surface image of the reference wafer as an inspected image and a reference image, respectively.
The image detection unit,
A first light source for generating diffused light,
A diffuse reflector for irradiating the diffused light toward the entire surface of the wafer;
First detection means for detecting the color unevenness image over the entire area of the surface of the wafer;
A second light source for generating spot light and irradiating the spot light obliquely from above toward the entire surface of the wafer;
An automatic wafer macro inspection apparatus, comprising: second detection means for detecting the flaw image over the entire area of the wafer surface. 請求項５に記載の自動ウエハマクロ検査装置において、
被検査ウエハの表面像と基準ウエハの表面像とを、それぞれ被検査画像および基準画像として検出する画像検出部を具え、
前記画像検出部は、
拡散光を発生して、前記ウエハの表面の部分領域に該拡散光を照射するための第４光源と、
前記部分領域の前記色ムラ像を検出する第３検出手段と、
前記ウエハの表面の全領域に亘る前記表面像が走査されるように前記ウエハを移動させるＸＹステージと
を具えることを特徴とする自動ウエハマクロ検査装置。The automatic wafer macro inspection apparatus according to claim 5,
An image detection unit for detecting the surface image of the inspected wafer and the surface image of the reference wafer as an inspected image and a reference image, respectively.
The image detection unit,
A fourth light source for generating diffused light and irradiating the partial light on the surface of the wafer with the diffused light;
Third detection means for detecting the color unevenness image of the partial area;
An automatic wafer macro inspection apparatus, comprising: an XY stage that moves the wafer so that the surface image is scanned over the entire area of the wafer surface. 請求項５に記載の自動ウエハマクロ検査装置において、
被検査ウエハの表面像と基準ウエハの表面像とを、それぞれ被検査画像および基準画像として検出する画像検出部を具え、
前記画像検出部は、
スポット光を発生して、前記ウエハの表面の部分領域に向けて斜め上方から該スポット光を照射するための第５光源と、
前記部分領域の前記色ムラ像を検出する第３検出手段と、
前記ウエハの表面の全領域に亘る前記表面像が走査されるように前記ウエハを移動させるＸＹステージと
を具えることを特徴とする自動ウエハマクロ検査装置。The automatic wafer macro inspection apparatus according to claim 5,
An image detection unit for detecting the surface image of the inspected wafer and the surface image of the reference wafer as an inspected image and a reference image, respectively.
The image detection unit,
A fifth light source for generating spot light and irradiating the spot light from obliquely upward toward a partial region on the surface of the wafer;
Third detection means for detecting the color unevenness image of the partial area;
An automatic wafer macro inspection apparatus, comprising: an XY stage that moves the wafer so that the surface image is scanned over the entire area of the wafer surface. 請求項５に記載の自動ウエハマクロ検査装置において、
被検査ウエハの表面像と基準ウエハの表面像とを、それぞれ被検査画像および基準画像として検出する画像検出部を具え、
前記画像検出部は、
拡散光を発生して、前記ウエハの表面の部分領域に該拡散光を照射するための第４光源と、
スポット光を発生して、前記ウエハの表面の部分領域に向けて斜め上方から該スポット光を照射するための第５光源と、
前記部分領域の前記色ムラ像を検出する第３検出手段と、
前記ウエハの表面の全領域に亘る前記表面像が走査されるように前記ウエハを移動させるＸＹステージと
を具えることを特徴とする自動ウエハマクロ検査装置。The automatic wafer macro inspection apparatus according to claim 5,
An image detection unit for detecting the surface image of the inspected wafer and the surface image of the reference wafer as an inspected image and a reference image, respectively.
The image detection unit,
A fourth light source for generating diffused light and irradiating the partial light on the surface of the wafer with the diffused light;
A fifth light source for generating spot light and irradiating the spot light from obliquely upward toward a partial region on the surface of the wafer;
Third detection means for detecting the color unevenness image of the partial area;
An automatic wafer macro inspection apparatus, comprising: an XY stage that moves the wafer so that the surface image is scanned over the entire area of the wafer surface.
JP30023196A 1996-11-12 1996-11-12 Wafer macro inspection method and automatic wafer macro inspection apparatus Expired - Fee Related JP3565672B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30023196A JP3565672B2 (en) 1996-11-12 1996-11-12 Wafer macro inspection method and automatic wafer macro inspection apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30023196A JP3565672B2 (en) 1996-11-12 1996-11-12 Wafer macro inspection method and automatic wafer macro inspection apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10144747A JPH10144747A (en) 1998-05-29
JP3565672B2 true JP3565672B2 (en) 2004-09-15

Family

ID=17882302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30023196A Expired - Fee Related JP3565672B2 (en) 1996-11-12 1996-11-12 Wafer macro inspection method and automatic wafer macro inspection apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3565672B2 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0930498A3 (en) 1997-12-26 1999-11-17 Nidek Co., Ltd. Inspection apparatus and method for detecting defects
JP2000009655A (en) * 1998-06-25 2000-01-14 Kobe Steel Ltd Visual inspection device
JP2947513B1 (en) 1998-07-30 1999-09-13 株式会社ニデック Pattern inspection equipment
JP2001343336A (en) * 2000-05-31 2001-12-14 Nidek Co Ltd Method and device for inspecting defect
JP4551318B2 (en) * 2005-12-06 2010-09-29 三菱重工業株式会社 Semiconductor processing equipment
JP5501793B2 (en) * 2010-02-22 2014-05-28 名古屋電機工業株式会社 Parking detection device, parking detection method, and parking detection program
JP5604196B2 (en) * 2010-07-05 2014-10-08 シャープ株式会社 Macro inspection method and inspection system
JP7368141B2 (en) * 2019-08-20 2023-10-24 東レエンジニアリング株式会社 Wafer appearance inspection device and method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10144747A (en) 1998-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6222624B1 (en) Defect inspecting apparatus and method
JP3668294B2 (en) Surface defect inspection equipment
US8532364B2 (en) Apparatus and method for detecting defects in wafer manufacturing
US6201600B1 (en) Method and apparatus for the automatic inspection of optically transmissive objects having a lens portion
JP2001194323A (en) Method and device for inspecting pattern defect
JP2002014057A (en) Defect checking device
JP3311135B2 (en) Inspection range recognition method
US20070115464A1 (en) System and method for inspection of films
JPH09178663A (en) Method and device for detecting unevenness of reflecting surface
JP7157580B2 (en) Board inspection method and board inspection apparatus
JP2005214980A (en) Macro inspection method for wafer and automatic wafer macro inspection device
JP3565672B2 (en) Wafer macro inspection method and automatic wafer macro inspection apparatus
JP2009097977A (en) Visual inspection device
JP2006138830A (en) Surface defect inspection device
JP2001209798A (en) Method and device for inspecting outward appearance
JP2011075325A (en) Surface inspection device
JP2006017685A (en) Surface defect inspection device
JP3657076B2 (en) Wafer macro inspection method and automatic wafer macro inspection apparatus
JP2001194322A (en) External appearance inspection device and inspection method
JP3078784B2 (en) Defect inspection equipment
JP3262150B2 (en) Inspection device for solder joints
KR0147600B1 (en) Inspection apparatus for the defect in the panel of cathode ray tube
JPS6221046A (en) Defect inspection for shadow mask
JP2000028535A (en) Defect inspecting device
WO2008085160A1 (en) System and method for inspection of films

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20031215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040113

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040310

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040608

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040608

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080618

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110618

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110618

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120618

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees