JP3540661B2 - Magneto-optical recording medium - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁界を印加し、レーザ光を照射して信号を再生する光磁気記録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光磁気記録媒体は、書き換え可能で、記憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注目されており、コンピュータメモリ等として実用化され始めている。また、最近では、記録容量が6.1Gbytesの光磁気記録媒体が規格化され、実用化がされようとしている。
【0003】
また、光磁気記録媒体からの信号再生において交番磁界を印加し、再生層から記録層に転写された磁区を交番磁界により拡大して信号を再生する磁区拡大再生技術も開発されており、この技術を用いることにより14Gbytesの信号を記録および/または再生することができる光磁気記録媒体も提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、磁区拡大により信号再生を行う光磁気記録媒体は、一般に図7に示すような断面構造を有する。即ち、光磁気記録媒体200は、再生層3と、再生層3に接して形成された非磁性層4と、非磁性層4に接して形成された記録層8とを備える。記録密度が向上し、記録層8に形成される磁区が微小になると図8に示すように、レーザ光LBが照射されると、記録層8のうち、2つの磁区801、802の領域が所定温度以上になり、非磁性層4を介して再生層3へ2つの磁区301、302が転写される。そうすると、レーザ光LBのビーム径の中に2つの磁区301、302が存在し、各々の磁区301、302を独立に検出できず、従来の光磁気記録媒体では、磁区拡大による正確な信号再生ができないという問題がある。
【0005】
そこで、本願発明は、かかる問題を解決し、記録層の各磁区を各々別個に高分解能で再生層へ転写して磁区拡大による信号再生が可能な光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
請求項1に係る発明は、再生層と、非磁性層と、補助磁界層と、第1のマスク層と、第2のマスク層と、記録層とを含む光磁気記録媒体である。
【0007】
非磁性層は、再生層に接して形成され、補助磁界層は、非磁性層に接して形成され、第1のマスク層は、補助磁界層に接して形成され、第2のマスク層は、第1のマスク層に接して形成され、記録層は、第2のマスク層に接して形成される。
【0008】
また、補助磁界層は、室温付近に補償温度を有し、再生温度において第1のマスク層より漏洩磁界が強くなる磁性層であり、
第1のマスク層は、第1の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する磁性層であり、
第2のマスク層は、第1の温度より高い第2の温度で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する磁性層である。
【0009】
請求項1に記載された光磁気記録媒体においては、レーザ光が照射されると、第2のマスク層のうち、第2の温度以上の領域は垂直磁化膜から面内磁化膜に変化し、第1のマスク層のうち、第1の温度以上の領域は、面内磁化膜から垂直磁化膜に変化する。そして、記録層のうち、第1の温度以下の領域に存在する各磁区は第1のマスク層の面内磁化を保持する領域により再生層への転写を阻止され、記録層のうち、第2の温度以上の領域に存在する各磁区は第2のマスク層の面内磁化を保持する領域により再生層への転写を阻止される。
【0010】
そうすると、記録層のうち、第1の温度から第2の温度範囲に存在する磁区は、交換結合により、順次、第2のマスク層、第1のマスク層、および補助磁界層へと転写され、補助磁界層から強い漏洩磁界が非磁性層を介して再生層に及ぶ。その結果、補助磁界層から非磁性層を介して静磁結合により再生層へ確実に磁区が転写される。
【0011】
従って、請求項1に記載された発明によれば、光磁気記録媒体に照射するレーザ光の強度等を制御して、第1の温度から第2の温度になる記録層の領域を最短ドメイン長程度に小さくすることにより、記録層の各磁区を高分解能で再生層へ確実に転写でき、外部磁界を印加することにより磁区拡大による再生を正確に行うことができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図を参照しつつ説明する。図1を参照して、本願発明に係る光磁気記録媒体の断面構造について説明する。光磁気記録媒体10は、透光性基板1と、下地層2と、再生層3と、非磁性層4と、補助磁界層5と、第1のマスク層6と、第2のマスク層7と、記録層8と、保護膜9とを備える。
【0013】
透光性基板1は、ガラス、ポリカーボネート等から成り、下地層2は、SiNから成り、再生層3は、遷移金属リッチなGdFeCoから成り、非磁性層4は、SiNから成り、補助磁界層5は、遷移金属リッチなGdFeCoから成り、第1のマスク層6は、遷移金属リッチなGdFeCoから成り、第2のマスク層7は、希土類金属リッチなGdFeCoから成り、記録層8は、TbFeCoから成り、保護膜9は、SiNから成る。
【0014】
下地層2を構成するSiN、再生層3を構成する遷移金属リッチなGdFeCo、非磁性層4を構成するSiN、補助磁界層5を構成するGdFeCo、第1のマスク層6を構成する遷移金属リッチなGdFeCo、第2のマスク層7を構成する希土類金属リッチなGdFeCo、記録層8を構成するTbFeCo、および保護膜9を構成するSiNは、RFマグネトロンスパッタリング法により形成される。
【0015】
また、下地層2の膜厚は、400〜800Åであり、再生層3の膜厚は、150〜500Åであり、非磁性層4の膜厚は、50〜300Åであり、補助磁界層5の膜厚は、400〜1500Åであり、第1のマスク層6の膜厚は400〜1500Åであり、第2のマスク層7の膜厚は、400〜1500Åであり、記録層8の膜厚は、300〜2000Åであり、保護膜9の膜厚は400〜800Å程度である。
【0016】
図2を参照して、再生層3、非磁性層4、補助磁界層5、第1のマスク層6、第2のマスク層7、および記録層8について説明する。再生層3は、垂直磁化膜であり、光磁気記録媒体10から信号が再生される際には、予め、外部磁界により一定方向の磁化を有するように初期化されている。但し、この初期化は一度行えば良く、繰り返し再生を行う場合は、その再生毎に初期化を行う必要はない。補助磁界層5は、垂直磁化膜であり、再生層3が初期化される際に、同時に初期化され、一定方向の磁化を有する。第1のマスク層6は、室温で面内磁化膜であり、所定温度以上で垂直磁化膜となる磁性層である。また、第2のマスク層7は、室温で垂直磁化膜であり、所定温度以上で垂面内直磁化膜となる磁性層である。そして、第2のマスク層7は、再生層3が初期化される際に同時に初期化され、一定方向の磁化を有する。また、記録層8は記録信号に基づいて異なる方向に磁化された垂直磁化膜である。
【0017】
従って、光磁気記録媒体10は、信号が再生される前は、図2に示すように各層は磁化を有する。
【0018】
図3を参照して、記録層8の各磁区が高分解能で再生層3へ転写される機構について詳細に説明する。所定の回転数で回転している光磁気記録媒体10にレーザ光LBが照射されると、レーザ光LBの光軸LB0より後方の位置L1で光磁気記録媒体10の温度は最高になり、位置L1よりレーザ光LBの進行方向11側では光磁気記録媒体10の温度分布は急峻になり、位置L1よりレーザ光LBの進行方向11と反対側では光磁気記録媒体の温度分布はブロードになる。
【0019】
かかる温度分布のもと、第2のマスク層7は、温度T2以上で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化し、第1のマスク層6は、温度T2より低い温度T2以上で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する。従って、第2のマスク層7のうち、温度T1より低い温度領域には、記録層8の磁区83と交換結合した垂直磁化を有する磁区73が存在し、温度T2より高い温度領域は面内磁化を有する磁区72が存在する。また、第1のマスク層6のうち、温度T1より低い温度領域では、面内磁化を有する磁区62が存在し、温度T2より高い温度領域では垂直磁化を保持する。
【0020】
そうすると、記録層8のうち、温度T2より高い温度領域に存在する磁区82は、第2のマスク層7の面内磁化を有する磁区72により再生層3への転写を阻止される。また、記録層8のうち、温度T1より低い温度領域に存在する磁区83は、第2のマスク層7へ磁区73として転写されるが、第1のマスク層6の面内磁化を有する磁区62により再生層3への転写を阻止される。
【0021】
従って、記録層8のうち、温度T1から温度T2の範囲にある磁化81を有する磁区80は、第2のマスク層7が温度T2で面内磁化膜になるため交換結合により第2のマスク層7へ磁化81と同じ方向の磁化71を有する磁区70として転写され、第1のマスク層6では温度T1以上では垂直磁化膜になるので第2のマスク層7の磁区70は、交換結合により磁化71と同じ方向の磁化61を有する磁区60として第1のマスク層6へ転写される。そして、第1のマスク層6の磁区60は交換結合により、更に、補助磁界層5へ磁化61と同じ方向の磁化51を有する磁区50として転写され、補助磁界層5の磁区50からは、強い漏洩磁界が非磁性層4を介して再生層3へ及ぶ。その結果、補助磁界層5の磁区50は、確実に非磁性層4を介して再生層3へ磁区30として転写される。
【0022】
ここで、図6を参照して、補助磁界層5は曲線k1で示すされるように、室温付近で補償温度となり、室温から180℃の範囲では温度上昇と共に飽和磁化が増加し、180℃から350℃の範囲では温度上昇と共に飽和磁化が小さくなる磁気特性を有する。一方、第1のマスク層6は曲線k2で示されるように、200℃付近に補償温度を有し、120℃から200℃の範囲では補助磁界層5より小さい飽和磁化を有する。光磁気記録媒体から信号を再生する場合は、磁性層の温度は120〜180℃の範囲であるので、再生時には、補助磁界層5の飽和磁化は、第1のマスク層6より大きい。この飽和磁化は大きいということは、補助磁界層5からの漏洩磁界が大きいことを意味する。従って、光磁気記録媒体10においては、補助磁界層5を用いることにより、記録層8から転写された磁区50を漏洩磁界を大きくして再生層3へ転写できることになり、再生層3への磁区の転写を確実に行うことができる。
【0023】
本願発明においては、第1のマスク層6が面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度T1は、100〜160℃の範囲に設定され、第2のマスク層7が垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する温度T2は120〜180℃の範囲に設定される。そして、温度T1と温度T2の温度差は、20〜40℃の範囲が適しており、T2−T1を20〜40℃の範囲に設定することにより記録層8の各磁区を独立に再生層3へ転写できる。
【0024】
レーザ光LBの強度、光磁気記録媒体10の回転数を制御することにより記録層8のうち、温度がT1からT2になる領域を最短ドメイン長程度に小さくできるので、光磁気記録媒体10においては、記録層8の各磁区を独立に再生層3へ確実に転写できる。その結果、高分解能の信号再生が可能である。
【0025】
図4を参照して、光磁気記録媒体10における磁区拡大再生の過程について説明する。光磁気記録媒体10にレーザ光LBが照射される前に、再生層3、補助磁界層5、第2のマスク層7は、外部磁界により初期化される(図4の(a)参照)。光磁気記録媒体10にレーザ光が照射されると、上記図3で説明したように記録層8のうち、温度がT1からT2の範囲にある磁区80が再生層3へ磁区30として転写される(図4の(b)参照)。再生層3へ磁区30が転写されると、外部から交番磁界Hexが印加され、交番磁界Hexのうち、磁区30の磁化と同じ方向の磁界が印加されたタイミングで磁区30は磁区300へ拡大される。そして、拡大された磁区300とレーザ光LBとの磁気光学作用によりレーザ光LBの反射光はその偏光面を回転され、偏光面が回転された反射光を検出することにより磁区300が検出される(図4の(c)参照)。磁区300が検出された後、レーザ光LBが移動し、磁区80、70、60、50、300の領域の温度が下がると最初の状態に戻る(図4の(a)参照)。
【0026】
上記説明した図4の(a)から(c)の過程を経て記録層8の各磁区は独立に再生層3へ転写され、再生層3で交番磁界Hexにより拡大されて検出される。光磁気記録媒体10に照射されるレーザ光LBの強度は、2.0mW程度であり、光磁気記録媒体10に印加される交番磁界Hexの強度は、±300Oe程度であり、周波数は、25MHz程度である。
【0027】
上記説明においては、光磁気記録媒体10の再生層3は垂直磁化膜であるとして説明したが、これに限られるものではなく、室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜に変化する磁性層であっても良い。図5を参照して、再生層33が室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜となる磁性層である場合には、レーザ光LBを照射することにより所定の範囲rが垂直磁化膜に変化する。従って、記録層8のうち、温度がT1からT2の範囲にある磁区80は上記図4で説明した過程を経て再生層33へ転写され、拡大されて検出される。この場合、再生層33が面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度T0は、T1−T0が0〜20℃の範囲に設定される。
【0028】
図9を参照して、光磁気記録媒体10の再生層3に用いるGdFeCoのGd含有量を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、Fe:Co=75:25と一定にしてGd含有量を変化させた。また、膜厚は300Å(■)と800(○)Åの場合について示した。膜厚が300Å(■)の場合、エラーレートは、Gd含有量の増加に伴って下に凸の放物線上に変化し、Gd含有量が22〜23at.%の範囲でエラーレートは最小になる。そして、Gd含有量が18〜28at.%の範囲で10-4以下のエラーレートが得られる。従って、膜厚が300Å(■)の場合は、Gd含有量が18〜28at.%の範囲のGdFeCoが再生層3として適している。一方、膜厚が800(○)Åの場合は、Gd含有量の増加に伴って、エラーレートが減少し、Gd含有量が25〜34at.%の範囲で10-4以下のエラーレートが得られる。従って、膜厚が膜厚が800(○)Åの場合は、Gd含有量が25〜34at.%の範囲のGdFeCoが再生層3として適している。
【0029】
図10を参照して、光磁気記録媒体10の再生層3に用いるGdFeCoの膜厚を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、Gdの含有量は、23at.%(■)と30at.%(○)である。Gd含有量が23at.%(■)の場合には、膜厚が150〜500Åの範囲でエラーレートがが10-4以下となり、Gdの含有量が30at.%(○)の場合には、膜厚が300〜800Åの範囲でエラーレートが10-4以下とな。従って、Gdの含有量が23at.%(■)の場合には、150〜500Åの範囲の膜厚が再生層3として適しており、Gdの含有量が30at.%(○)の場合には、300〜800Åの範囲の膜厚が再生層3として適している。また、Gdの含有量を減少させることにより最適な膜厚は薄膜化の方向へシフトする。
【0030】
図11を参照して、光磁気記録媒体10の補助磁界層5に用いるGdFeCoのGd含有量を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、Fe:Co=75:25と一定にしてGd含有量を変化させた。また、膜厚は300Å(■)と800(○)Åの場合について示した。膜厚が300Å(■)の場合、エラーレートは、Gd含有量が15〜31at.%の範囲でエラーレートが10-4以下になる。従って、膜厚が300Å(■)の場合は、Gd含有量が15〜31at.%の範囲のGdFeCoが補助磁界層5として適している。一方、膜厚が800(○)Åの場合は、Gd含有量が15〜25at.%の範囲で10-4以下のエラーレートが得られる。従って、膜厚が膜厚が800(○)Åの場合は、Gd含有量が15〜25at.%の範囲のGdFeCoが補助磁界層5として適している。
【0031】
図12を参照して、光磁気記録媒体10の補助磁界層5に用いるGdFeCoの膜厚を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、Gdの含有量は、18at.%(●)、23at.%(■)、および30at.%(○)と変化させた。Gd含有量が18at.%(●)の場合には、膜厚が100〜1500Åの範囲でエラーレートが10-4以下となり、Gd含有量が23at.%(■)の場合も、膜厚が100〜1500Åの範囲でエラーレートが10-4以下となり、Gdの含有量が30at.%(○)の場合には、膜厚が100〜400Åの範囲でエラーレートが10-4以下とな。従って、Gdの含有量が18at.%(●)、および23at.%(■)の場合には、100〜1500Åの範囲の膜厚が補助磁界層5として適しており、Gdの含有量が30at.%(○)の場合には、100〜400Åの範囲の膜厚が補助磁界層5として適している。また、Gdの含有量を減少させることにより最適な膜厚は厚膜化の方向へシフトする。
【0032】
図13を参照して、光磁気記録媒体10の第1のマスク層6に用いるGdFeCoのGd含有量を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、FeとCoの比をFe:Co=70:30(●)、Fe:Co=75:25(■)、およびFe:Co=80:20(○)と変化させた。Fe:Co=70:30(●)の場合は、Gdの含有量が24〜32at.%の範囲でエラーレートが10-4以下になり、Fe:Co=75:25(■)の場合は、Gdの含有量が25〜35at.%の範囲でエラーレートが10-4以下になり、Fe:Co=80:20(○)の場合は、Gdの含有量が28〜37at.%の範囲でエラーレートが10-4以下になる。従って、第2のマスク層7としては、Fe:Co=70:30(●)の場合は、24〜32at.%の範囲のGdを含むGdFeCoが適しており、Fe:Co=75:25(■)の場合は25〜35at.%の範囲のGdを含むGdFeCoが適しており、Fe:Co=80:20(○)の場合は28〜37at.%の範囲のGdを含むGdFeCoが適している。
【0033】
図14を参照して、光磁気記録媒体10の第1のマスク層6に用いるGdFeCoの膜厚を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、第1のマスク層6に用いるGdFeCoの組成は、FeとCoの比をFe:Co=75:25一定として、Gdの含有量を25at.%(●)、30at.%(■)、35at.%(○)と変化させた。Gdの含有量が25at.%(●)の場合には、800〜1500Åの範囲でエラーレートが10-4以下となり、Gdの含有量が30at.%(■)の場合には、500〜1500Åの範囲でエラーレートが10-4以下となり、Gdの含有量が35at.%(○)の場合には、400〜800Åの範囲でエラーレートが10-4以下となる。
【0034】
図15を参照して、光磁気記録媒体10の第2のマスク層7に用いるGdFeCoのGd含有量を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、FeとCoの比をFe:Co=60:40(●)、Fe:Co=65:35(■)、およびFe:Co=70:30(○)と変化させた。Fe:Co=60:40(●)の場合は、Gdの含有量が20〜25at.%の範囲でエラーレートが10-4以下になり、Fe:Co=65:35(■)の場合は、Gdの含有量が18〜28at.%の範囲でエラーレートが10-4以下になり、Fe:Co=70:30(○)の場合は、Gdの含有量が19〜25at.%の範囲でエラーレートが10-4以下になる。従って、第1のマスク層6としては、Fe:Co=60:40(●)の場合は、20〜25at.%の範囲のGdを含むGdFeCoが適しており、Fe:Co=65:35(■)の場合は18〜28at.%の範囲のGdを含むGdFeCoが適しており、Fe:Co=70:30(○)の場合は19〜25at.%の範囲のGdを含むGdFeCoが適している。
【0035】
図16を参照して、光磁気記録媒体10の第2のマスク層7に用いるGdFeCoの膜厚を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、第2のマスク層7に用いるGdFeCoの組成は、FeとCoの比をFe:Co=65:35一定として、Gdの含有量を18at.%(●)、23at.%(■)、28at.%(○)と変化させた。Gdの含有量が18at.%(●)の場合には、800〜1200Åの範囲でエラーレートが10-4となり、Gdの含有量が23at.%(■)の場合には、500〜1500Åの範囲でエラーレートが10-4以下となり、Gdの含有量が28at.%(○)の場合には、800Å付近ででエラーレートが10-4となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明に係る光磁気記録媒体の断面構造図である。
【図2】図1に示す光磁気記録媒体の各層の磁化分布を説明する図である。
【図3】図1に示す光磁気記録媒体の記録層から再生層への磁区の転写を説明する図である。
【図4】図1に示す光磁気記録媒体の磁区拡大再生の過程を説明する図である。
【図5】図1に示す光磁気記録媒体の再生層に室温で面内磁化膜であり、所定温度以上で垂直磁化膜となる磁性層を用いた場合の記録層から再生層への磁区の転写を説明する図である。
【図6】図1に示す光磁気記録媒体の補助磁界層と第1のマスク層との磁気特性図である。
【図7】従来の光磁気記録媒体の断面構造である。
【図8】従来の光磁気記録媒体の問題点を説明する図である。
【図9】図1の光磁気記録媒体の再生層に用いるGdFeCoのGd含有量に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図10】図1の光磁気記録媒体の再生層に用いるGdFeCoの膜厚に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図11】図1の光磁気記録媒体の補助磁界層に用いるGdFeCoのGd含有量に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図12】図1の光磁気記録媒体の補助層に用いるGdFeCoの膜厚に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図13】図1の光磁気記録媒体の第1のマスク層に用いるGdFeCoのGd含有量に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図14】図1の光磁気記録媒体の第1のマスク層に用いるGdFeCoの膜厚に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図15】図1の光磁気記録媒体の第2のマスク層に用いるGdFeCoのGd含有量に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図16】図1の光磁気記録媒体の第2のマスク層に用いるGdFeCoの膜厚に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【符号の説明】
1・・・基板
2・・・下地層
3、33・・・再生層
4・・・非磁性層
5・・・補助磁界層
6・・・第1のマスク層
7・・・第2のマスク層
8・・・記録層
9・・・保護層
10・・・光磁気記録媒体
30、50、60、62、70、72、73、80、82、83、300、・・・磁区
51、61、71、81・・・磁化[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a magneto-optical recording medium for reproducing a signal by applying a magnetic field and irradiating a laser beam.
[0002]
[Prior art]
Magneto-optical recording media have attracted attention as rewritable, large-capacity, and highly reliable recording media, and have begun to be put to practical use as computer memories and the like. Recently, a magneto-optical recording medium having a recording capacity of 6.1 Gbytes has been standardized and is being put to practical use.
[0003]
In addition, a magnetic domain enlarging and reproducing technique for reproducing a signal by applying an alternating magnetic field in reproducing a signal from a magneto-optical recording medium and enlarging a magnetic domain transferred from the reproducing layer to the recording layer by the alternating magnetic field has also been developed. Also, a magneto-optical recording medium capable of recording and / or reproducing a signal of 14 Gbytes by using is proposed.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, a magneto-optical recording medium that performs signal reproduction by magnetic domain expansion generally has a cross-sectional structure as shown in FIG. That is, the magneto-
[0005]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a magneto-optical recording medium capable of separately reproducing each magnetic domain of a recording layer to a reproducing layer at a high resolution and reproducing a signal by expanding the magnetic domain. .
[0006]
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention
The invention according to
[0007]
The nonmagnetic layer is formed in contact with the reproducing layer, the auxiliary magnetic layer is formed in contact with the nonmagnetic layer, the first mask layer is formed in contact with the auxiliary magnetic layer, and the second mask layer is The recording layer is formed in contact with the first mask layer, and the recording layer is formed in contact with the second mask layer.
[0008]
The auxiliary magnetic field layer is a magnetic layer having a compensation temperature near room temperature and having a stronger leakage magnetic field than the first mask layer at the reproducing temperature.
The first mask layer is a magnetic layer that changes from an in-plane magnetization film to a perpendicular magnetization film at a first temperature,
The second mask layer is a magnetic layer that changes from a perpendicular magnetization film to an in-plane magnetization film at a second temperature higher than the first temperature.
[0009]
In the magneto-optical recording medium according to the first aspect, when the laser beam is irradiated, a region of the second mask layer having a temperature equal to or higher than the second temperature changes from a perpendicular magnetization film to an in-plane magnetization film, A region of the first mask layer having a temperature equal to or higher than the first temperature changes from an in-plane magnetic film to a perpendicular magnetic film. Each magnetic domain existing in a region of the recording layer at a temperature equal to or lower than the first temperature is prevented from being transferred to the reproducing layer by the region of the first mask layer that retains the in-plane magnetization, and Are transferred to the reproducing layer by the region of the second mask layer that retains the in-plane magnetization.
[0010]
Then, of the recording layers, the magnetic domains existing in the first temperature range to the second temperature range are sequentially transferred to the second mask layer, the first mask layer, and the auxiliary magnetic field layer by exchange coupling, A strong leakage magnetic field from the auxiliary magnetic field layer reaches the reproducing layer via the non-magnetic layer. As a result, magnetic domains are reliably transferred to the reproducing layer by magnetostatic coupling from the auxiliary magnetic field layer via the nonmagnetic layer.
[0011]
Therefore, according to the first aspect of the present invention, the area of the recording layer where the temperature changes from the first temperature to the second temperature is controlled by controlling the intensity of the laser beam applied to the magneto-optical recording medium. By making it as small as possible, each magnetic domain of the recording layer can be reliably transferred to the reproducing layer with high resolution, and reproduction by magnetic domain expansion can be accurately performed by applying an external magnetic field.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The sectional structure of the magneto-optical recording medium according to the present invention will be described with reference to FIG. The magneto-
[0013]
The
[0014]
SiN forming the
[0015]
The thickness of the
[0016]
With reference to FIG. 2, the reproducing
[0017]
Accordingly, in the magneto-
[0018]
With reference to FIG. 3, a mechanism for transferring each magnetic domain of the
[0019]
Under such a temperature distribution, the
[0020]
Then, the
[0021]
Accordingly, in the
[0022]
Here, referring to FIG. 6, as shown by curve k1, auxiliary
[0023]
In the present invention, the temperature T1 at which the
[0024]
By controlling the intensity of the laser beam LB and the number of rotations of the magneto-
[0025]
With reference to FIG. 4, the process of magnetic domain expansion reproduction on the magneto-
[0026]
Each magnetic domain of the
[0027]
In the above description, the
[0028]
With reference to FIG. 9, the error rate of the reproduced signal when the Gd content of GdFeCo used for the reproducing
[0029]
With reference to FIG. 10, the error rate of the reproduced signal when the thickness of GdFeCo used for the reproducing
[0030]
With reference to FIG. 11, the error rate of the reproduced signal when the Gd content of GdFeCo used for the auxiliary
[0031]
With reference to FIG. 12, a description will be given of an error rate of a reproduction signal when the thickness of GdFeCo used for the auxiliary
[0032]
With reference to FIG. 13, an error rate of a reproduced signal when the Gd content of GdFeCo used for the
[0033]
With reference to FIG. 14, a description will be given of an error rate of a reproduction signal when the thickness of GdFeCo used for the
[0034]
The error rate of the reproduced signal when the Gd content of GdFeCo used for the
[0035]
With reference to FIG. 16, a description will be given of an error rate of a reproduced signal when the thickness of GdFeCo used for the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional structural view of a magneto-optical recording medium according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a magnetization distribution of each layer of the magneto-optical recording medium shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram for explaining transfer of magnetic domains from a recording layer to a reproducing layer of the magneto-optical recording medium shown in FIG.
FIG. 4 is a diagram illustrating a process of magnetic domain expansion reproduction of the magneto-optical recording medium shown in FIG.
FIG. 5 is a diagram showing a magnetic domain from a recording layer to a reproducing layer when a magnetic layer which is an in-plane magnetic film at room temperature and becomes a perpendicular magnetic film at a predetermined temperature or higher is used as a reproducing layer of the magneto-optical recording medium shown in FIG. FIG. 3 is a diagram illustrating transfer.
FIG. 6 is a magnetic characteristic diagram of an auxiliary magnetic field layer and a first mask layer of the magneto-optical recording medium shown in FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional structure of a conventional magneto-optical recording medium.
FIG. 8 is a diagram illustrating a problem of a conventional magneto-optical recording medium.
9 is a diagram showing a change in an error rate of a reproduction signal with respect to a Gd content of GdFeCo used for a reproduction layer of the magneto-optical recording medium of FIG.
10 is a diagram showing a change in an error rate of a reproduction signal with respect to a film thickness of GdFeCo used for a reproduction layer of the magneto-optical recording medium of FIG.
11 is a diagram showing a change in an error rate of a reproduction signal with respect to a Gd content of GdFeCo used for an auxiliary magnetic field layer of the magneto-optical recording medium of FIG.
12 is a diagram showing a change in an error rate of a reproduction signal with respect to a film thickness of GdFeCo used for an auxiliary layer of the magneto-optical recording medium of FIG.
FIG. 13 is a diagram showing a change in an error rate of a reproduction signal with respect to a Gd content of GdFeCo used for a first mask layer of the magneto-optical recording medium of FIG.
FIG. 14 is a diagram illustrating a change in an error rate of a reproduction signal with respect to a film thickness of GdFeCo used for a first mask layer of the magneto-optical recording medium of FIG. 1;
FIG. 15 is a diagram showing a change in an error rate of a reproduction signal with respect to a Gd content of GdFeCo used for a second mask layer of the magneto-optical recording medium of FIG. 1;
FIG. 16 is a diagram showing a change in an error rate of a reproduction signal with respect to a film thickness of GdFeCo used for a second mask layer of the magneto-optical recording medium of FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記再生層に接して形成された非磁性層と、
前記非磁性層に接して形成された補助磁界層と、
前記補助磁界層に接して形成された第1のマスク層と、
前記第1のマスク層に接して形成された第2のマスク層と、
前記第2のマスク層に接して形成された記録層とを含む光磁気記録媒体において、
前記補助磁界層は、室温付近に補償温度を有し、再生温度において前記第1のマスク層より漏洩磁界が強くなる磁性層であり、
前記第1のマスク層は、第1の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する磁性層であり、
前記第2のマスク層は、前記第1の温度より高い第2の温度で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する磁性層である光磁気記録媒体。Regeneration layer,
A non-magnetic layer formed in contact with the reproducing layer,
An auxiliary magnetic layer formed in contact with the nonmagnetic layer;
A first mask layer formed in contact with the auxiliary magnetic field layer;
A second mask layer formed in contact with the first mask layer;
A magneto-optical recording medium comprising: a recording layer formed in contact with the second mask layer;
The auxiliary magnetic field layer is a magnetic layer having a compensation temperature near room temperature and having a leakage magnetic field stronger than the first mask layer at a reproduction temperature.
The first mask layer is a magnetic layer that changes from an in-plane magnetization film to a perpendicular magnetization film at a first temperature,
A magneto-optical recording medium, wherein the second mask layer is a magnetic layer that changes from a perpendicular magnetization film to an in-plane magnetization film at a second temperature higher than the first temperature.
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