JP3527731B2 - LCD panel - Google Patents

LCD panel

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JP3527731B2
JP3527731B2 JP2002293126A JP2002293126A JP3527731B2 JP 3527731 B2 JP3527731 B2 JP 3527731B2 JP 2002293126 A JP2002293126 A JP 2002293126A JP 2002293126 A JP2002293126 A JP 2002293126A JP 3527731 B2 JP3527731 B2 JP 3527731B2
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尚幸 島田
幹雄 片山
洋二 吉村
裕 石井
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、透過型、反射型、
もしくはその併用型として使用できる液晶表示パネルに
関するものである。 【0002】 【従来の技術】液晶表示パネルは、薄型で低消費電力で
あるという特長を生かして、ワードープロセッサやパー
ソナルコンピューターなどのOA機器や、電子手帳等の
携帯情報機器、あるいは、液晶モニターを備えたカメラ
一体型VTR等に広く用いられている。 【0003】また、上記液晶表示パネルに搭載する液晶
表示パネルはCRT(ブラウン管)やEL(エレクトロ
ルミネッセンス)表示とは異なり自らは発光しないた
め、バックライトと呼ばれる蛍光管からなる照明装置を
その背面または側方に設置して、バックライト光の透過
量を液晶表示パネルで制御して画像表示を行なう所謂透
過型液晶表示パネルがよく用いられている。 【0004】しかしながら、透過型液晶表示パネルで
は、通常バックライトが液晶表示パネルの全消費電力の
うち50%以上を占めるため、バックライトを設けるこ
とで消費電力が増大してしまう。 【0005】また、透過型液晶表示パネルは反射型液晶
表示パネルとは逆に、周囲光が非常に明るい場合には周
囲光に比べて表示光が暗く見え、表示を認識することが
困難であった。 【0006】よって、上記透過型液晶表示パネルとは別
途、戸外や常時携帯して使用する機会の多い携帯情報機
器ではバックライトの代わりに一方基板に反射板を設置
し、周囲光を反射板表面で反射させることにより表示を
行なう反射型液晶表示パネルが用いられている。 【0007】しかしながら、周囲光の反射光を利用する
反射型液晶表示パネルは、周囲光が暗い場合には視認性
が極端に低下するという欠点を有する。 【0008】また、このような反射型液晶表示パネルで
は、低消費電力を目的として周囲光を利用して表示を行
なうため、十分な電源を供給できる環境下でも周囲光が
ある限界値よりも暗い場合には表示を認識することがで
きなくなる。このことは、反射型液晶表示パネルの最大
の欠点であった。 【0009】また、その製造において反射電極の反射特
性がばらつくと周囲光の利用効率にもばらつきが生じる
ため、表示を認識することができなくなる周囲光強度も
パネル間でばらつくことになる。そのため、製造の際に
は従来の透過型液晶表示パネルにおける開口率のばらつ
き以上に反射特性のばらつきを制御しなければ安定した
表示特性を有する液晶表示パネルを得ることができなか
った。 【0010】以上のような反射型液晶表示パネル及び透
過型液晶表示パネルの問題点を解消するために、従来で
は特開平7−333598号公報に示されるように、バ
ックライト光の一部を透過させると共に、周囲光の一部
を反射させるような半透過反射膜を用いることにより、
透過型表示と反射型表示の両方を一つの液晶液晶表示パ
ネルにて実現する構成が開示されている。 【0011】図16に上記半透過反射膜を用いた液晶表
示パネルを示す。 【0012】液晶表示パネルは、偏光板30、位相差板
31、透明基板32、ブラックマスク33、対向電極3
4、配向膜35、液晶層36、MIM37、画素電極3
8、光源39、反射膜40から構成されている。 【0013】半透過反射膜である画素電極38は、金属
粒子を画素内一面にごく薄く堆積させるか、或いは、面
内に微小な孔欠陥や凹入欠陥等が点在するよう形成され
たものであり、光源39からの光を、画素電極38を透
過させると共に、自然光や室内照明光等の外光を画素電
極38で反射させることによって透過型表示機能と反射
型表示機能とを同時に実現することができる。 【0014】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図16
に示された表示装置では以下のような不具合が生じる。 【0015】まず、上述の半透過反射膜として金属粒子
をごく薄く堆積させたものを用いた場合、吸収係数の大
きな材料を用いる必要があるため入射光の内部吸収が大
きく、また表示に利用されない吸収光や散乱光が生じて
しまい光の利用効率が悪い(例えば、ある機種では55
%の光が表示に利用されない)という問題を有してい
た。 【0016】他方、画素電極38として面内に微小な孔
欠陥や凹入欠陥等(以下、開口部と称する)が点在する
膜を用いた場合、膜の構造があまりにも複雑で、製造に
おいては緻密な設計条件が伴うために膜質の制御が困難
であり、均一な特性の膜を製造することが困難であると
いう問題を有していた。言い換えれば、電気特性や光学
特性の再現性が悪く、液晶表示パネルとして表示品位を
制御することが極めて困難であった。 【0017】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、透過型表示と反射型表示を同時に行
なう液晶表示パネルを、従来の液晶表示パネルよりも周
囲光及び照明光(バックライト光)の利用効率を向上さ
せ、品質を安定化させると共に製造を簡単化した液晶表
示パネルを提供することを目的とする。 【0018】 【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示パネル
は、基板上に複数のゲート配線と、該ゲート配線と直交
するように配置された複数のソース配線とによって包囲
される複数の画素からなり、該画素内に、前記ゲート配
線と前記ソース配線の交差部付近に設けられたスイッチ
ング素子と、該スイッチング素子に接続された画素電極
とが形成され、透過型表示と反射型表示とが同時に行わ
れる液晶表示パネルにおいて、前記画素電極は、互いに
電気的に接続された光透過効率の高い第一の導電層と光
反射効率の高い第二の導電層とを同一画素領域内に有し
ていることを特徴とし、そのことにより上記課題が解決
される。 【0019】前記第一の導電層と第二の導電層とが、互
いに絶縁層を介して別層に設けられていることが好まし
い。 【0020】前記第一の導電層と第二の導電層とが、第
三の導電層を介して接続されていることがさらに好まし
い。 【0021】また、望ましくは前記第一の導電層、第二
の導電層または第三の導電層が、前記ゲート配線または
ソース配線を構成している材料の一部と同一の材料から
なる。 【0022】さらに望ましくは、前記絶縁層のうち、前
記第二の導電層に対応する表面は複数の凹凸を有してい
る。 【0023】以下、上記構成による作用を説明する。 【0024】本発明によれば、画素電極が、互いに電気
的に接続された光透過効率の高い第一の導電層と光反射
効率の高い第二の導電層とを同一画素領域内に有してい
るので、従来のハーフミラーを用いた液晶表示パネルと
比較して周囲光や照明光をロスなく利用する事ができ、
格段に光の利用効率を向上させることができる。第一の
導電層としては例えば透明導電性膜であるITOやSn
2等、第二の導電層としてはAl、W、Crやそれら
の合金等、何れも一般的な反射型液晶表示パネルや透過
型液晶表示パネルに使用している材料を用いることがで
きるため製造が簡単で、表示特性及び信頼性が非常に安
定した液晶表示パネルを実現することができる。 【0025】また、従来の透過型液晶表示パネルが有し
ていた、周囲光が明るい環境下で表面反射により視認性
が低下するという課題と、従来の反射型液晶表示パネル
が有していた、周囲光が暗い環境下でパネル輝度低下に
より表示観察が困難となるという課題の、両方を同時に
解消することができると共に、何れの特長をも有する優
れたものとなった。すなわち、本発明の液晶表示パネル
は十分な電源を供給できる環境下では従来の透過型液晶
表示パネルと同様にバックライト光を利用するため、周
囲光の強度にかかわらず表示認識が可能となり、上述の
反射特性のばらつきによる周囲光の利用効率のばらつき
も反射型液晶表示パネルほど緻密に制御する必要はな
い。使用にあたっては、同一の画素内に存在する第一の
導電層を有する光透過効率の高い領域と第二の導電層を
有する光反射効率の高い領域が相補的に表示に寄与する
ので、周囲光がどんな明るさであっても画像は鮮明に表
示される。 【0026】さらに、本発明の液晶表示パネルをバッテ
リ駆動方式のデジタルカメラやビデオカメラのビューフ
ァインダー(モニター画面)として採用したところ、周
囲光がどのような明るさであっても、バックライトの輝
度を調節することによって常に観察しやすい明るさに保
つことができた。 【0027】特に、晴天下、屋外にて使用した際には従
来の透過型液晶液晶表示装置ではバックライトの輝度を
高くしても表示がかすんでしまい見づらくなる。このよ
うな時はバックライトを消して反射型表示として、或い
は、バックライトの輝度を低くして透過型表示と反射型
表示を併用することで、観察上の画質が向上し、電力消
費量を少なくすることができる。他方、明るい日差しが
差し込む室内にて使用した際には被写体の方向によって
反射型表示と透過型表示とを切換えたり、或いは、それ
らを併用することによって見やすい表示とすることがで
きる。モニター画面に日が差し込む場合には晴天下の屋
外で使用した場合と同様に使用すればよい。また、部屋
の薄暗い隅から被写体を撮影する場合にはバックライト
を使用して透過型表示と併用すればよい。 【0028】さらに、本発明の液晶表示パネルをカーナ
ビゲーション等の車載用のモニター画面として採用した
ときも、周囲光がどのような明るさであっても常に観察
しやすい表示を行なうことが可能となる。従来の透過型
液晶表示装置を使用した車載用モニターは、パソコン等
に使用されるバックライトよりも高い輝度のバックライ
トが使用されている。その理由は、晴天下や外部からの
光が画面に差し込む場合に対応するためである。しかし
ながら、それでも表示がかすんでしまって見づらくなる
ことがある。その反面、夜間や急にトンネル内を走行す
る場合には、昼間やトンネル外と同様のバックライトの
輝度のままでは明るすぎて見にくいという不具合が生じ
ていた。このようなときにも、本発明の液晶表示パネル
によれば、常に反射型表示を併用することが可能なの
で、バックライトの輝度を高く設定しなくても明るい環
境下では良好な表示を実現できる。また、真っ暗な環境
下であっても少しの輝度(約50〜100cd/m2
で点灯するだけで見やすい表示を実現することができ
る。 【0029】また、画素電極を構成する第一の導電層と
第二の導電層とが互いに絶縁層を介して別層に設けられ
ていれば、第一の導電層と第二の導電層の領域で、絶縁
層の膜厚を変更することによって液晶層の層厚を制御す
ることができる。このことにより、両領域における光学
特性の整合をとることができる。一方、製造工程におい
ても互いに異なる電極電位を有する二層が絶縁層を介し
てそれぞれ存在している。よって、画素電極のパターニ
ング時の現像液やレジスト剥離時の剥離液等を電解液と
して電食反応を生じることがないので、信頼性の高い液
晶表示パネルを得ることができる。 【0030】例えば、本発明のように絶縁層を挟まずに
画素電極の二層(例えば下層にITO、上層にAl)を
続けて形成する場合、Al層とITO層との電極電位差
が極めて大きく、薄膜中には多くの欠陥部(微小な開口
部)が存在しているので、画素電極のパターニング時の
現像液やレジスト剥離時の剥離液等を電解液として電食
反応を生じてITO層の溶出が進行し、画素欠陥、配線
の断線、液晶層の汚染を招きやすい。これに対し、本発
明のように間に絶縁層を形成することにより、この絶縁
層が保護膜となって電食反応の原因となる液の浸入等を
防ぐことができる。 【0031】また、画素電極を構成する二層が電食を発
生しやすい関係にあっても、その両者の性質を緩和させ
るような第三の導電層を介して接続されていれば、より
電食反応による接触不良や信頼性の低下を抑止すること
が可能となる。 【0032】また、第一、第二、第三の導電層の何れか
が、ゲート配線またはソース配線の材料の一部と同一で
あれば、製造プロセスを簡略することが可能となる。 【0033】また、第二の導電層が形成される表面は複
数の凹凸を有しているので、周囲光を反射させるだけで
なく、外部へ散乱させることができ、広い視野角を得る
ことで、別途散乱板を使用することなくペーパーホワイ
ト表示が可能となる。 【0034】本発明の液晶表示パネルの製造において
は、従来のハーフミラーを用いた液晶表示パネルのよう
な複雑な製造条件は必要でなく、従来の透過型液晶表示
パネルや反射型液晶表示パネルに用いた一般的な電極材
料や配線材料ならびに製造条件を用いればよいため、容
易に製造することができ、その再現性も良好である。ま
た、第一の導電層と第二の導電層とが電食を起こしやす
い関係にあっても、絶縁層や第三の導電層を介在させる
ことにより両者が直接接したり、電解液に触れることが
ない状態で製造することができる。したがって、電食反
応の発生が抑止され、高い信頼性を有する液晶表示パネ
ルを効率よく提供することができる。 【0035】また、第一の導電層と第二の導電層との接
続領域に対応する部分の絶縁層を除去する工程と、第一
の導電層上の一部に存在する絶縁層を除去する工程とを
同時に行なえば、工程数を増やすことなく高い信頼性を
有する液晶表示パネルを得ることができる。 【0036】 【発明の実施の形態】(実施形態1)本発明の実施形態
1の液晶表示パネルに関し、図面に基づき以下に説明を
行なう。 【0037】図1は本実施形態の液晶表示パネルにおけ
るアクティブマトリクス基板の部分平面図であり、図2
は図1のA−A断面図である。 【0038】図1において、ガラスまたはプラスチック
等からなる透明な絶縁性基板1(図示せず)上に、複数
のゲート配線3と複数のソース配線9aが直交するよう
に配設され、前記配線の交差部近傍にはTFT7が設け
られている。TFT7のドレイン電極9cには画素電極
として反射電極11と透過電極8aが接続されている。
これら画素電極が形成された部分は、基板上方から観察
すると光透過効率の高い領域Aと光反射効率の高い領域
Bの2つの領域からなる。 【0039】また、図示しないが、図1のアクティブマ
トリクス基板の表面には液晶配向機能を有する配向膜が
設けられている。 【0040】本実施形態及び以下の実施形態に係る液晶
表示パネルは、以上のようなアクティブマトリクス基板
が、透明電極及び配向膜を備えた対向基板とを貼り合わ
され、基板間に液晶が封入されてなるものである。尚、
必要に応じ、カラーフィルタや位相差板、偏光板等が別
途備え付けられていてもよい。 【0041】本実施形態では、領域Aは絵素中央部に位
置する四角形であり、その断面構造は光透過効率の高い
材料が積層されてなると共にTFT7のドレイン電極9
cに接続された透過電極8aを画素電極として備えてい
る。他方、領域Bは上記領域Aを包囲するようにして形
成され、その上面にはTFT7のドレイン電極9cに接
続された光反射効率の高いAlまたはAl系合金からな
る反射電極11を画素電極として備えている。これによ
り領域Bは入射光を外部へ効率よく反射させることがで
きる。また、反射電極11はさらにその表面になだらか
な凹凸形状を有しているので、入射光を適度な範囲へ散
乱させることができるような構成となっている。 【0042】尚、液晶としては、黒色色素を混入したゲ
ストホスト液晶ZLI2327(メルク社製)に、光学
活性物質S−811(メルク社製)を0.5%混入した
ものを用いた。 【0043】図2において、上記TFT7はゲート配線
3(図1に示す)から分岐するゲート電極2の上部に、
ゲート絶縁膜4、半導体層5、半導体コンタクト層6
a、6b、ソース電極9b及びドレイン電極9cが順に
積層されてなる。 【0044】TFT7のドレイン電極9cには透過電極
8aが接続されており、この透過電極8aが画素電極の
役割をなしている。前記領域Bに相当する部分には透過
電極8aの上部に層間絶縁膜10及び反射電極11が設
けられており、この反射電極11は層間絶縁膜10に形
成されたコンタクトホール13を介して下部の透過電極
8aと電気的に接続されて、透過電極8aと同様に液晶
に電圧を印加するための画素電極となっている。このと
き、透過電極8aと反射電極11とは直接接続させず、
間に導電性の金属層12を挟むことによって電気的に接
続させている。 【0045】これを製造するプロセスにおいては、反射
電極11のパターン形成時に透過電極8a上を絶縁層1
0で被覆しておくことができるため(詳細は下記にて説
明)、ITOとAlとが電食反応を生じて、配線が断線
する等の不具合を効果的に防止することができる。ま
た、透過電極8a上に絶縁層10をある程度薄く残し、
完全に透過電極8aを覆う構造とすることで、製造後も
ITOとAlとの間で電食反応を生じるのを防止でき
る。 【0046】尚、本実施形態では上記金属層12として
Tiを用いたがこの限りではなく、Al系以外の導電性
材料であればCr、Mo、Ta、W等の材料を用いても
同様の効果を得ることが可能である。或いは、金属層1
2を形成する代わりに、上記反射電極11として、Al
へW、Ni、Pd、V、Zr等の、Alよりも電極電位
の高い金属材料を添加したAl系合金材料を用いること
によっても、上記ITOとAlとの間の電食反応を抑止
することが可能である。例えば、AlにWを5.0at
%程度添加することにより上述の電食反応をより効果的
に抑止することができる。 【0047】以下、本実施形態のアクティブマトリクス
基板の製造方法について図3に基づき説明を行なう。 【0048】まず、図3(a)に示すように、絶縁性基
板1の上に導電性薄膜を成膜し、フォトリソグラフィ技
術を用いて所望の形状にパターニングし、ゲート電極
2、ゲート配線(図示せず)を形成する。本実施形態で
は、絶縁性基板1としてはガラス、ゲート電極2及びゲ
ート配線3の材料(以下、ゲート材料と称する)として
Taを用いた。但し、絶縁性基板1としてはガラス以外
にもプラスチック等の材料を用いても構わない。また、
ゲート材料としてもAl、Cr、Mo、W、Cu、Ti
等の導電性を有する他の材料でも構わない。 【0049】次に、図3(b)に示すように、ゲート絶
縁膜4、半導体層5、半導体コンタクト層6a、6bを
成膜する。本実施形態ではゲート絶縁膜4としてSiN
x、半導体層5としてa−Si、半導体コンタクト層6
a、6bとしてPをドープしたn+型a−SiをCVD
法で連続成膜した。そして、フォトリソグラフィ技術を
用いて所定の形状にパターニングを行い、半導体層5と
半導体コンタクト層6a、6bを形成する。 【0050】次に導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ
技術を用いて所定の形状にパターニングし、ソース配線
9a、ソース電極9b、ドレイン電極9cを形成する。
本実施形態では導電膜としてCr系材料を用いた。但し
本材料としてはAl、Mo、Ta、W、Cu、Ti等の
導電性を有する他の材料でも構わない。 【0051】次に、図3(c)に示すように、光透過性
を有する導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用
いて透過電極8aを形成する。本実施形態ではこの透過
電極8aとしてITOを用いた。 【0052】次に、金属膜を成膜しフォトリソグラフィ
技術を用いて金属層12を形成する。この金属層12
は、前記透過電極8aと後の工程にて形成する反射電極
11とを接続する際に両者を介するもので、本実施形態
では材料としてTiを用いた。但し、Al系以外の材料
であればCr、Mo、Ta、W等の他の材料でも構わな
い。 【0053】次にソース電極9b、ドレイン電極9cを
マスクとして半導体コンタクト層をエッチングし、半導
体コンタクト層としてソース側6a、とドレイン側6b
に分けることでTFT7を形成する。 【0054】このときソース、ドレイン電極層9a、9
b、9cが、透過電極8aの上層に形成されていても構
わない。 【0055】次に、図3(d)に示すように、層間絶縁
膜10を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて後に
コンタクトホール13、透過領域(領域A)等となる部
分を層間絶縁膜10から削除する。またこれと同時に、
領域B、すなわち反射電極11を形成する部分の層間絶
縁膜10上になだらかな凹凸部15を形成する。 【0056】尚、領域Aに対応する部分の層間絶縁膜1
0を除去することにより、領域Aの透過率を向上させる
ことができる。但し、本実施形態のように完全に除去し
なくてもよく、ある程度残存させてもよいし、或いは全
く除去するものでなくても構わない。例えば、除去する
膜厚を制御することにより、液晶にかかる電圧を領域A
と領域Bとで互いに等しくすることができる。すなわ
ち、液晶の配向状態を画素内で略均一にできる。 【0057】また、基板端部に設けられている配線の接
続端子上にも絶縁層が形成されている場合にはその絶縁
層をこの工程と同時に除去してもよい。すなわち、ソー
ス配線端子部分、ゲート配線端子部分にはICドライバ
等と接続するための接続電極がITOで形成されている
ことが多いが、この接続電極上に直接Al電極を形成す
る場合、画素部と同様の電食反応が発生することがあ
る。そこで、ITOとAlとの間に絶縁層を設けること
で問題は解決されるが、最終的に接続電極上の絶縁層を
除去しなければならないので、この除去を画素部の領域
A上の層間絶縁膜10を除去する工程と同時に行なえば
工程数を増すことがなく好適である。 【0058】本実施形態の凹凸部15の形状は、上方か
ら観察したときに円形をしており(図1、3に示す)、
その断面は連続的に変化するなだらかな形状のものであ
る。このように、表面に凹凸部15を備えた層間絶縁膜
10の上に、次工程にて形成される反射電極11が設け
られると、入射光が反射電極11表面で効率よく反射さ
れると共に、その反射光を適度な方向へ散乱させること
ができる。尚、形成する凹凸部15の形状は所望とする
表示特性に応じて適宜決定すればよく、或いは、反射光
を散乱させる必要のない場合等には上記凹凸部15を形
成しなくてもよい。 【0059】尚、本実施形態では層間絶縁膜10として
単層(2.5μm程度)の有機樹脂を用いたがこれに限
定されることはなく、異なる複数の材料からなる積層膜
であっても構わない。しかし本実施形態のように、有機
樹脂からなる層間絶縁膜10を比較的厚く形成すると、
TFT7の上部にも反射電極11の一部を重畳させて
も、寄生容量が発生することはなく、表示品位が良好か
つ開口率の高い液晶表示パネルとなる。また、このよう
に厚い有機樹脂層であれば、上記凹凸部15の形成も行
いやすい。 【0060】或いは、この層間絶縁膜の代わりに、Si
Nxを初めとする一般的な無機膜を絶縁層として用いて
も構わない。但し、一般的に比較的薄くても高い絶縁性
を得ることができる代わりに、エッチングによる凹凸形
成は困難となりやすい。しかし、所望とする液晶表示パ
ネルの表示特性により、凹凸部を形成する必要はない場
合には好適である。 【0061】続いて、図3(e)に示すように、Alを
成膜し、フォトリソグラフィ技術によって領域Bに相当
する部分をパターニングして反射電極11を形成する。
この反射電極11はコンタクトホール13及び金属層1
2を介して下部の透過電極8a、TFT7のドレイン電
極9cと電気的に接続される。本実施形態では反射電極
11としてAlを用いたがこの限りではなく、Al系の
合金材料又は光反射光率の高い導電性材料であっても構
わない。 【0062】以上の工程によりアクティブマトリクス基
板が完成する。 【0063】また、図示しないが、以上のアクティブマ
トリクス基板の表面に配向膜を形成し、この基板と透明
電極及び配向膜を備えた対向基板とを貼り合わせ、基板
間に液晶を封入することにより本実施形態の液晶表示パ
ネルが完成する。必要であればカラーフィルタや位相差
板等を別途備え付けてもよい。 【0064】尚、液晶としては、黒色色素を混入したゲ
ストホスト液晶ZLI2327(メルク社製)に、光学
活性物質S−811(メルク社製)を0.5%混入した
ものを用いた。 【0065】また、本実施形態では領域Aと領域Bの面
積比率を40:60とすることにより、良好な表示特性
を有する液晶表示パネルを得ることができた。尚、面積
比率はこの値に限定されることはなく、領域A、Bの透
過効率または反射効率、及び使用目的に応じて適宜変更
してもよい。また、本実施形態では領域Aを絵素中央部
に1個所のみ設けたがこれに限定されることはなく、複
数箇所に分割されていても構わないし、その形状も四角
形に限らない。 【0066】以上説明した本実施形態の液晶表示パネル
や、以下に示す実施形態の液晶表示パネルでは、画素電
極6として画素中央部に光透過効率の高い領域Aを、そ
れ以外に光反射効率の高い領域Bを設けているので、従
来のハーフミラーを用いた液晶表示パネルと比較して周
囲光や照明光をロスなく利用する事が可能となる。ま
た、液晶表示パネルは従来の透過型液晶表示パネルにお
いて周囲光が明るい環境下で表面反射により視認性が低
下するという課題と、従来の反射型液晶表示パネルにお
いて周囲光が暗い環境下でパネル輝度低下により表示観
察が困難となるという課題の、両方を同時に解消するこ
とができると共に、何れの特長をも有する優れたものと
なった。すなわち、本発明の液晶表示パネルは周囲光の
強度にかかわらず表示認識が可能となり、上述の反射特
性のばらつきによる周囲光の利用効率のばらつきも反射
型液晶表示パネルほど緻密に制御する必要はない。 【0067】また、本実施形態の液晶表示パネルの製造
方法については、従来のハーフミラーを用いた液晶表示
パネルのように複雑な製造条件は必要でなく、従来の透
過型液晶表示パネルや反射型液晶表示パネルに用いた一
般的な電極材料や配線材料ならびに製造条件を用いれば
よいため、比較的容易に製造することができ、その再現
性も良好である。また、従来のハーフミラーを用いた液
晶表示パネルでは困難であった、表示特性の制御等も比
較的容易に行なうことができる。 【0068】(実施形態2)本発明の実施形態2の液晶
表示パネルに関し、図面に基づき以下に説明を行なう。 【0069】図4は本実施形態の液晶表示パネルにおけ
るアクテイブマトリクス基板の部分平面図であり、図5
は図4のB−B断面図である。 【0070】本実施形態の液晶表示パネル及びその製造
方法は、画素電極としての反射電極11とTFT7との
電気的接続構造及びその構成にかかわる製造方法が上記
実施形態1と相違する。 【0071】図4、5において、TFT7のドレイン電
極には透過電極8aが接続されており、この透過電極8
aは領域Aにおいて液晶に電圧を印加する画素電極とし
て機能する。前記領域Bに相当する部分には透過電極8
aの上部に層間絶縁膜10及び反射電極11が設けられ
ており、この反射電極11は層間絶縁膜10に形成され
たコンタクトホール13を介して下部のドレイン電極9
cに直接接続され、前記透過電極8aと同様に画素電極
として機能する。本実施形態においても上記実施形態1
と同様に、透過電極8aの材料であるITOと反射電極
11の材料であるAlとを直接接続させない構成となっ
ているため、領域BではAlによる周囲光の高い光反射
効率を、他方の領域AではITOによるバックライト光
の高い透過効率を有しながら、TFTとこれらの材料と
の電気的接続を電食等のおそれなく確実に行なうことが
可能となる。 【0072】尚、本実施形態ではITOとAlとの電食
反応に関して記載しているが、本発明はこの組合わせに
のみに適用されるということではなく、電食反応の生じ
易い、互いに異なる電極電位を有する異種の材料の組合
せに対して用いれば効果的である。 【0073】以下に、本実施形態のアクティブマトリク
ス基板の製造方法について説明を行なう。 【0074】TFT7の半導体層5と半導体コンタクト
層6a、6bの一島をパターニングするところまでは上
記実施形態1と同様である。 【0075】次に導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ
技術を用いて所望の形状にパターニングしてソース配線
9a、ソース電極9b、ドレイン電極9c、接続用金属
層9dを形成する。本実施形態では導電膜としてCr系
材料を用いた。但し、本材料としてはAl、Mo、T
a、W、Cu、Ti等の導電性を有する他の材料でも構
わない。 【0076】続いて、上記実施形態1と同様の透過電極
8aを形成する。このとき、透過電極8aを接続用金属
層9dの上部に一部重ねる構造とした。この構造でなく
とも、透過電極8aの一部に上記接続用金属層9dの一
部を重ねてもよい。尚、本実施形態でも透過電極8aと
してITOを用いた。 【0077】このとき、ソース配線9a、ソース電極9
b、ドレイン電極9c、接続用金属層9dが、透過電極
8aの上層に形成されていても構わない。 【0078】次に、上記実施形態1と同様の方法にて層
間絶縁膜10を形成し、コンタクトホール13及び透過
領域(領域A)の部分の層間絶縁膜10を開孔した後、
反射電極11を形成する。本実施形態でも反射電極11
の材料としてAlを用いた。 【0079】以上説明したように、本実施形態において
も反射電極11としてのと透過電極8aとしてのITO
とを直接接続させず、特に信頼性においてコンタクト部
でのAlとITOとの電食による不良の発生を抑えるこ
とができる。この接続用金属層はTFTのソース電極の
材料で形成することができるため、その製造を簡略化す
ることができる。 【0080】(実施形態3)本実施形態では、上記実施
形態2の液晶表示パネルの別の製造方法について、図面
に基づき説明を行なう。 【0081】図6(a)〜(c)は、本実施形態の液晶
表示パネルの製造方法を説明するための断面図であっ
て、図5のB−B断面に相当する。尚、説明は省略する
が、本実施形態において層間絶縁膜を形成する以前の工
程は、上記実施形態2にて説明した方法に準じて行なっ
たものとする。 【0082】以下に詳細に説明する。 【0083】まず、上記実施形態2と同様の方法により
層間絶縁膜10を形成した後、図6(a)に示すよう
に、フォトリソグラフィ技術を用いてコンタクトホール
13領域の層間絶縁膜10を削除する。このとき、同一
工程において反射電極11を形成する部分の層間絶縁膜
10表面には入射光を散乱させるための凹凸部15を上
記実施形態1と同様に形成する。尚、上記実施形態とは
異なり、領域Aとなる部分の層間絶縁膜10は削除しな
い。 【0084】そして、その上層に反射電極11用のA
l、若しくはAl系合金膜を成膜する。本実施形態では
層間絶縁膜10として単層の有機樹脂を用いた。但し、
層間絶縁膜10は異なる複数材料からなる積層膜であっ
ても構わない。また、必要なければ表面の凹凸は形成し
なくても構わない。 【0085】次に、図6(b)に示すように、上記Al
をフォトリソグラフィ技術によってパターニングし、反
射電極11を形成する。 【0086】その後、図6(c)に示すように透過領域
(領域A)を覆う層間絶縁膜10のすべて若しくは一部
を除去する。 【0087】以上により、透過型表示と反射型表示を同
時に行なう本実施形態の液晶表示パネルにおいて、反射
電極11としてのAlと透過電極8aとしてのITOの
直接接続を行わない構造を取り、信頼性においてコンタ
クト部でのAlとITOとの電食による不良の発生を抑
えることのでき、かつ製造工程においても反射電極材料
のAlの加工プロセス時に透過電極8aのITOが露出
しないことにより、製造中のAlとITOとの電食反応
を抑制できる、液晶表示パネルを製造できる。 【0088】(実施形態4)本発明の実施形態4の液晶
表示パネルの製造方法に関し、図面に基づき以下に説明
を行なう。 【0089】本実施形態の液晶表示パネルは、画素電極
としての透過電極8a、及びTFT7のドレイン電極9
cの形成順序と、層間絶縁膜10を開孔する工程が上記
実施形態2、3と相違する。 【0090】図7(a)〜(c)は、本実施形態の液晶
表示パネルの製造方法を説明するための断面図であっ
て、図5のB−B断面に相当する。尚、説明は省略する
が、本実施形態において半導体コンタクト層を形成する
以前の工程は、上記実施形態1、2にて説明した方法に
準じて行なったものとする。 【0091】以下に詳細に説明する。 【0092】図7(a)に示すように、半導体コンタク
ト層を形成した後、光透過性導電膜を成膜し、フォトリ
ソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより透
過電極8aを形成する。本実施形態では透過電極8aと
してITOを用いた。 【0093】次に導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ
技術を用いてソース配線9a、ソース電極9b、ドレイ
ン電極9c、接続用金属層9d、及び透過領域用金属層
9eをパターニングする。ソース配線9cとソース配線
9aとは電気的に接続されている。また、ドレイン電極
9c、接続用金属層9d、及び透過領域用金属層9eは
互いに電気的に接続されている。本実施形態では上記導
電膜としてTa系材料を用いた。但し本材料としてはA
l、Cr、Mo、W、Cu、Ti等の導電性を有する他
の材料でも構わない。 【0094】次にソース電極9b、ドレイン電極9cを
マスクとして半導体コンタクト層をエッチングし、ソー
ス側6a、とドレイン側6bに分けることでTFT7を
形成する。 【0095】この後、層間絶縁膜10を成膜し、フォト
リソグラフィ技術を用いて透過領域Aに対応する部分及
びコンタクトホール13の部分の層間絶縁膜10を開孔
する。このとき、反射電極11を形成する部分の層間絶
縁膜10表面には入射光を散乱させるための凹凸部15
を形成する。そして、その上層に反射電極11用のA
l、若しくはAl系合金膜を成膜する。尚、本実施形態
では層間絶縁膜10として単層の有機樹脂を用いた。但
し層間絶縁膜は異なる材料の積層膜であっても構わな
い。或いは表面に凹凸を形成しなくても構わない。 【0096】図7(b)に示すように、上記Alをフォ
トリソグラフィ技術によってパターニングし反射電極1
1を形成する。 【0097】この後、図7(c)に示すように、透過領
域(領域A)上を覆っている金属層9eのすべて若しく
は一部を除去する。このとき、金属層9eの除去は、フ
ォトリソグラフィ技術を用いることによっても、或い
は、反射電極11をマスクとしてエッチング除去しても
構わない。または、反射電極11のエッチング形成時に
連続してエッチング形成しても構わない。 【0098】以上本実施形態の液晶表示パネル及びその
製造方法は、Alの反射電極とITOの透過電極8aの
直接接続を行わないため、信頼性についてはコンタクト
部でのAlとITOとの電食による不良の発生を抑える
ことができ、かつ、製造工程については反射電極材料の
Alの加工プロセス時に透過電極8aのITOが露出し
ないため、製造中のAlとITOとの電食反応を抑制で
きるという利点を有する。 【0099】(実施形態5)本発明の実施形態5の液晶
表示パネルの製造方法に関し、図面に基づき以下に説明
を行なう。 【0100】本実施形態の液晶表示パネル及びその製造
方法は、透過電極8a及びTFT7の構造、層間絶縁膜
10に開孔部を設ける工程に特徴があり、この点で上記
実施形態2、3と相違する。 【0101】図8(a)〜(c)は、本実施形態の液晶
表示パネルの製造方法を説明するための断面図であっ
て、図5のB−B断面に相当する。尚、説明は省略する
が、本実施形態において半導体コンタクト層を形成する
以前の工程は上記実施形態1、2にて説明した方法に準
じて行なったものとする。 【0102】以下に詳細に説明する。 【0103】図8(a)に示すように、半導体コンタク
ト層を形成した後に、光透過性導電膜と金属膜を連続し
て成膜し、ソース配線9a、ソース電極9b、ドレイン
電極9c、反射電極−透過電極接続用金属層9d、及び
透過領域用金属層9eとしてフォトリソグラフィ技術を
用いて金属膜をパターニングする。続いて下層の光透過
性導電膜を、前記ソース配線9a、ソース電極9b、ド
レイン電極9c、反射電極−透過電極接続用金属層9
d、及び透過領域用金属層9eと同一のパターンに加工
し、透過電極8a、ソース電極8b、ドレイン電極8c
等を形成する。 【0104】すなわち、ソース電極、ソース配線、ドレ
イン電極を二層構造とすることにより、一方の層の一部
に何らかの断線不良が生じている場合にも正常な信号は
他方の層を伝播するため、正常に表示を行うことができ
る。また、本実施形態では光透過性導電膜としてIT
O、金属膜としてTa系材料を用いた。このとき光透過
性導電膜の加工に関しては、金属膜と連続してエッチン
グ加工しても、また金属膜を加工するときに用いたマス
クを除去した後、金属膜のパターンを用いて光透過性導
電膜をエッチング加工しても構わない。 【0105】次にソース電極9b、8bとドレイン電極
9c、8cをマスクとして半導体コンタクト層をエッチ
ングし、ソース側6aとドレイン側6bに分けることで
TFT7を形成する。 【0106】続いて、層間絶縁膜10を成膜し、フォト
リソグラフィ技術を用いて層間絶縁膜10に透過領域
(領域A)とコンタクトホール13の部分を開孔する。
このとき、反射電極11を形成する部分の層間絶縁膜1
0表面には入射光を散乱させるための凹凸部15を形成
する。そして、その上層に反射電極11としてのAl、
若しくはAl系合金膜を成膜する。 【0107】本実施形態では該層間絶縁膜に単層の有機
樹脂を用いた。但し層間絶縁膜は複数の異なる材料の積
層膜であっても構わない。また表面に凹凸を形成しなく
ても構わない。 【0108】次に、図8(b)に示すように前記Alま
たはAl系合金膜をフォトリソグラフィ技術によってパ
ターニングし、反射電極11を形成する。 【0109】その後、図8(c)に示すように領域A上
を覆っている金属層9eのすべて若しくは一部を除去す
る。このとき、金属層9eの除去は、フォトリソグラフ
ィ技術によって行なってもよいし、或いは、反射電極1
1をマスクとしてエッチングすることにより行なっても
よい。さらに、反射電極11のエッチング形成時に連続
してエッチング形成しても構わない。 【0110】以上本実施形態の液晶表示パネル及びその
製造方法は、Alの反射電極とITOの透過電極8aの
直接接続を行わないため、信頼性についてはコンタクト
部でのAlとITOとの電食による不良の発生を抑える
ことができ、かつ、製造工程については反射電極材料の
Alの加工プロセス時に透過電極8aのITOが露出し
ないため、製造中のAlとITOとの電食反応を抑制で
きるという利点を有する。さらに、画素電極の形成を、
他の配線と同一プロセスにて行うため、製造工程を簡略
化することができる。 【0111】尚、本実施形態では、画素電極の形成をソ
ース配線、ソース電極及びドレイン電極と同一の工程に
て行ったがこれに限定されることはなく、ゲート配線ま
たはゲート電極と同一工程にて形成してもよいし、画素
電極としては透過電極ではなく反射電極を他の配線と同
一工程にて形成するものであってもよい。 【0112】(実施形態6)本発明の実施形態6の液晶
表示パネル及びその製造方法に関し、図面に基づき以下
に説明を行なう。 【0113】また、本実施形態においては、上記実施形
態6の液晶表示パネルに関し、端子部の構造及びその製
造方法についても説明を行なう。 【0114】本実施形態の液晶表示パネル及びその製造
方法は、透明電極をゲート電極及びゲート配線と同層に
設ける点で上記実施形態1〜5と相違する。 【0115】図9(a)〜(c)は、本実施形態の液晶
表示パネルに用いるアクティブマトリクス基板の画素部
および液晶パネル端子部の構造を説明するための断面図
である。尚、図9(a)は本実施形態に係るアクティブ
マトリクス基板の画素部の断面構造を示す図であり、図
4のB−B断面に相当する。また、図9(b)はゲート
側端子構造を示す図であり、図10のC−C断面に相当
し、図9(c)はソース側端子構造を示す図であり、図
10のD−D断面に相当する。また、ここで図10は本
発明の液晶パネルの概略上面図である。 【0116】以下に、本実施形態の液晶表示パネルに係
る構成について詳細に説明する。 【0117】図9(a)において、絶縁性基板1上に
は、上記実施形態と同様のTFT7が設けられている。
また、このTFT7のゲート電極2及びゲート配線(図
示せず)と同層に、透過電極8aが設けられている。さ
らに、TFT7のドレイン電極9cは、層間絶縁膜10
中に形成されたコンタクトホール13を介して上層の反
射電極11と接続されていると共に、他方、ゲート絶縁
膜4に形成されたコンタクトホール16を介して下層の
透過電極8aと接続されている。 【0118】この構成により、本実施形態のように、画
素電極として互いに異種金属からなる透過電極及び反射
電極を同一画素内に作り込む構成とする場合に、例え
ば、透過電極8aの加工工程後より、反射電極11の加
工工程が終了するまでの間に、少なくとも透過電極8a
が形成された部分を少なくともゲート絶縁膜4で被覆し
続けることにより、各金属間の電極電位差により電食が
発生する問題を防ぐことができる。 【0119】また、図9(b)、(c)に示す端子部構
造についても同様に、上記透過電極8aと同時に形成さ
れた端子部の上部に絶縁膜(ゲート絶縁膜4及び層間絶
縁膜10)が設けられた構成となっているので、層間絶
縁膜の形成後に形成される反射電極11の加工工程が終
了するまでの間、下層の端子部を少なくともより緻密な
ゲート絶縁膜によって被覆しておくことが可能なので、
異種金属である反射電極と端子部間での電食の発生を阻
止することができる。 【0120】以下に、図9(a)のアクティブマトリク
ス基板の製造方法について図11、12を参照しながら
説明を行なう。 【0121】尚、図11、12は図9(a)のアクティ
ブマトリクス基板の製造方法を説明するための断面図で
ある。 【0122】図11(a)において、絶縁性基板1上に
透過性を有する導電膜を形成し、フォトリソグラフィ技
術により透過電極8aを形成する。本実施形態では、絶
縁性基板1としてガラス基板、透過電極8aとしてはI
TOを用いた。 【0123】また、フォトリソグラフィ技術により、ゲ
ート電極2、ゲート配線3をパターニングする。本実施
形態ではゲート材料としてTa系材料を用いた。但し、
ゲート材料としてはAl、Cr、Mo、W、Cu、Ti
等の導電性を有する他の材料であってもよい。 【0124】尚、以上の工程においては、透過電極8a
の形成工程と、ゲート電極2及びゲート配線3の形成工
程の順序を入れ替えることもできる。 【0125】次に、図11(b)において、ゲート絶縁
膜4、半導体層5、半導体コンタクト層6a、6bとし
て、それぞれSiNx、アモルファスシリコン、Pをド
ープしたn+型アモルファスシリコンをCVD法により
連続成膜し、フォトリソグラフィ技術により半導体層
5、半導体コンタクト層6a、6bをパターニングす
る。 【0126】さらに、ゲート絶縁膜4に、透過電極8a
と、後に形成するドレイン電極とを電気的に接続するた
めのコンタクトホール15を形成する。 【0127】尚、このとき、図9(b)、(c)に示す
ゲート側端子20またはソース側端子21上のゲート絶
縁膜4を同時に除去しても構わない。 【0128】続いて、図11(c)に示すように、導電
膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術によりソース配線
9a、ソース電極9b及びドレイン電極9cをパターニ
ングする。本実施形態ではこの導電膜としてCr系材料
を用いた。但し、他にもAl、Mo、Ta、W、Cu、
Ti等の導電性を有する材料を用いてもよい。 【0129】次に、ソース電極9b、ドレイン電極9c
をマスクとして半導体コンタクト層6a、6bの中央部
をエッチングすることにより、ソース側6aとドレイン
側6bとに分ける。以上の工程によりTFT7が完成す
る。 【0130】続いて、図11(d)に示すように、層間
絶縁膜10を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて
層間絶縁膜10にコンタクトホール13を開孔する。但
し、透過領域(領域A)に対応する層間絶縁膜10につ
いては本工程では除去せず、後程、反射電極を形成した
後に除去する。 【0131】次に、図11(e)に示すように、領域B
に対応する層間絶縁膜10の表面に凹凸部15を、前工
程と同様にフォトリソグラフィによって形成する。 【0132】尚、本実施形態では層間絶縁膜10として
は有機絶縁膜を用いたが、これに限らず、異なる材料の
積層膜であってもよい。また、層間絶縁膜10の表面に
は必ずしも凹凸を形成しなくても構わない。 【0133】次に、図12(a)に示すように、反射電
極11の材料として反射効率の高い導電膜を成膜する。 【0134】さらに図12(b)に示すように、フォト
リソグラフィ技術により反射電極11をパターニングす
る。画素内においては、少なくとも領域Aとなる部分の
反射電極11は除去するものとする。 【0135】最後に、図12(c)に示すように、領域
Aに相当する透過電極8a上の層間絶縁膜10を除去す
る。さらに、ゲート絶縁膜4についても、領域Aに相当
する部分を除去する。 【0136】尚、このとき、ゲート絶縁膜4または層間
絶縁膜10を残存させると電圧降下が生じ、液晶へ電圧
が十分に印加されないことが懸念されるため、何れの絶
縁膜も除去しておくことが好ましい。特に、本発明のよ
うに、互いに電気的に接続された透過電極8aと反射電
極11によって液晶へ電圧を印加するときには、領域
A、Bに対応する液晶へ印加される電圧には差が生じて
しまうため、好適ではない。 【0137】以上の方法により、アクティブマトリクス
基板が完成する。 【0138】さらに、このアクティブマトリクス基板
に、配向膜を塗布後、必要ならば配向処理を行ない、上
述の対向基板と貼り合せ、基板間に液晶を封入すること
により本発明の液晶表示パネルが完成する。 【0139】以下、基板周縁部に設けられた端子部の形
成方法について図13を参照しながら説明を行なう。 【0140】図13は、本実施形態の液晶表示パネルに
係るゲート側端子部の製造方法を説明するための図であ
る。尚、この端子部については、上述した画素部の形成
工程と同時に形成することが可能である。 【0141】図13(a)において、絶縁性基板1上
に、ゲート側端子20として透明導電膜を形成する。
尚、この工程と同時に、画素部においては透過電極を形
成する。この後、端子20の上にゲート配線3を形成す
ることによって、端子20とゲート配線3とが電気的に
接続される(図11(a)の工程に対応)。 【0142】次に、図13(b)において、ゲート配線
3及びゲート側端子部20上にゲート絶縁膜4を成膜す
る。尚、端子20上のゲート絶縁膜4の除去は本工程で
は行なわず、後の工程にて行なう(図11(b)の工程
に対応)。 【0143】この後、画素部においてはTFTを完成さ
せる(図11(c)の工程に対応)。 【0144】図13(c)において、ゲート絶縁膜4上
に層間絶縁膜10を成膜する(図11(d)の工程に対
応)。 【0145】図13(d)において、層間絶縁膜10上
に反射電極11となる導電膜を成膜する(図12(a)
の工程に対応)。 【0146】図13(e)において、端子部近傍に成膜
されていた反射電極11を除去する。尚、この工程と同
時に、画素内においては、領域Aに形成されていた反射
電極11を除去する(図12(b)の工程に対応)。 【0147】図13(f)において、端子20上のゲー
ト絶縁膜4及び層間絶縁膜10を除去する。尚、この工
程と同時に、画素内では領域Aにあるゲート絶縁膜4と
層間絶縁膜10を除去する(図12(c)の工程に対
応)。 【0148】以上のように、画素領域のみならず端子部
においても、反射電極11の加工工程が終了するまで、
端子20及びゲート配線3が絶縁層(ゲート絶縁膜4、
層間絶縁膜10)によって被覆されるので、互いに異種
金属である端子20及びゲート配線3と、反射電極11
との間で電食が生じるのを阻止することが可能である。 【0149】尚、詳細な説明は省略するが、図9(c)
に示すソース端子部についても、画素部の形成工程と同
時に形成することができ、かつ、ゲート端子部同様に電
食の発生を阻止することが可能である。 【0150】また、画素部において、透過電極8aを形
成する工程(図11(a)に示す工程)とゲート電極2
及びゲート配線3を形成する工程(図11(b)に示す
工程)の順序を逆にした場合にも、有効に電食の発生を
阻止することが可能である。 【0151】このときのゲート側端子構造を図14
(a)に、ソース側端子構造を図14(b)に示す。
尚、何れの端子部においても、端子はゲート電極及びゲ
ート配線を構成するゲート材料と、透過電極8を構成す
る透明導電膜からなる二層構造となっている。 【0152】この場合にも、反射電極の加工工程が終了
するまでの間、端子を少なくともゲート絶縁膜により被
覆しつづけることができるので、電食の発生を効果的に
阻止することが可能である。 【0153】(実施形態7)上記実施形態6にて説明し
た図11(c)に続く工程としては、図15(a)〜
(c)に示すような方法を用いても、有効に電食を阻止
することが可能である。 【0154】本実施形態では、上記実施形態6に係るア
クティブマトリクス基板の他の製造方法について以下に
説明を行なう。 【0155】図15(a)において、層間絶縁膜10を
成膜し、フォトリソグラフィによりコンタクトホール1
3を開孔すると同時に、領域Aに相当する部分の層間絶
縁膜を除去する。また、領域Bに相当する部分の層間絶
縁膜10表面には凹凸部15を形成しておく。 【0156】次に、図15(b)に示すように、層間絶
縁膜10上に反射電極11として導電膜を成膜する。 【0157】最後に、図15(c)に示すように、領域
Aに相当する部分に形成されている反射電極11を除去
する。 【0158】このプロセスによっても反射電極11の加
工工程が終了するまで、下部の透過電極8aがゲート絶
縁膜4によって被覆されるので、反射電極11と透過電
極8aとを異種金属で形成した場合に生じ易い電食の発
生が食い止められる。但し、本プロセスでは透過電極8
aを被覆する絶縁層としては、ゲート絶縁膜4の一層の
みとなるので図11、12に示すプロセスの方がより有
効に電食反応を阻止することができる。 【0159】また、このプロセスによれば、図15
(a)に示す通り、コンタクトホール13の形成と同時
に領域Aに相当する層間絶縁膜を除去するので、図1
1、12に示すプロセスと比較して、工程数を低減する
ことが可能である。 【0160】 【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の液
晶表示パネル及びその製造方法によれば、画素電極が互
いに電気的に接続された光透過効率の高い層と光反射効
率の高い層とを同一画素領域内に有しているので、従来
のハーフミラーを用いた液晶表示パネルと比較して周囲
光や照明光をロスなく利用する事ができ、格段に光の利
用効率を向上させることができる。光透過効率の高い層
としては例えば透明導電性膜であるITOやSnO
2等、光反射効率の高い層としてはAl、W、Crやそ
れらの合金等、何れも一般的な反射型液晶表示パネルや
透過型液晶表示パネルに使用している材料を用いること
ができるため製造が簡単で、表示特性及び信頼性の点で
非常に安定した液晶表示パネルを実現することができ
る。 【0161】また、従来の透過型液晶表示パネルが有し
ていた、周囲光が明るい環境下で表面反射により視認性
が低下するという課題と、従来の反射型液晶表示パネル
が有していた周囲光が暗い環境下でパネル輝度低下によ
り表示観察が困難となるという課題の両方を同時に解消
することができると共に、何れの特長をも有する優れた
ものとなった。 【0162】すなわち、本発明の液晶表示パネルは十分
な電源を供給できる環境下では従来の透過型液晶表示パ
ネルと同様にバックライト光を利用するため、周囲光の
強度にかかわらず表示認識が可能となり、上述の反射特
性のばらつきによる周囲光の利用効率のばらつきも反射
型液晶表示パネルほど緻密に制御する必要はない。使用
にあたっては、同一画素内において光透過効率の高い層
と光反射効率の高い層とが相補的に表示に寄与するの
で、周囲光がどんな明るさであっても画像は鮮明に表示
される。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transmission type, a reflection type,
Or to a liquid crystal display panel that can be used as a combined type
It is about. 2. Description of the Related Art Liquid crystal display panels are thin and have low power consumption.
Taking advantage of this feature, word processors and par
OA equipment such as Sonal Computer and electronic organizer
Portable information equipment or camera with LCD monitor
Widely used for integrated VTRs and the like. A liquid crystal mounted on the liquid crystal display panel
The display panel is a CRT (CRT) or EL (electro
Luminescence) Unlike the display, it does not emit light
Therefore, a lighting device consisting of a fluorescent tube called a backlight
Installed on the back or side of it to transmit backlight light
So-called transparent display of an image by controlling the amount by a liquid crystal display panel.
Oversized liquid crystal display panels are often used. However, in a transmission type liquid crystal display panel,
Is usually the backlight of the total power consumption of the LCD panel
A backlight should be provided to account for more than 50% of this.
This increases power consumption. The transmission type liquid crystal display panel is a reflection type liquid crystal.
Contrary to the display panel, if the ambient light is very bright,
The display light appears darker than the surrounding light, and the display can be recognized.
It was difficult. [0006] Therefore, different from the above-mentioned transmissive liquid crystal display panel,
Portable information devices that are often used outdoors or constantly
A reflector is installed on one substrate instead of the backlight
Display by reflecting ambient light on the surface of the reflector.
A reflection type liquid crystal display panel is used. However, the reflected light of ambient light is used.
Reflective LCD panel provides visibility in low light conditions
Has a drawback that it is extremely reduced. Further, in such a reflection type liquid crystal display panel,
Displays using ambient light for low power consumption.
Ambient light even in an environment where sufficient power can be supplied.
If it is darker than a certain limit, the display can be recognized.
Will not be able to. This is the maximum of the reflective LCD panel.
Was a drawback. Further, in the manufacture thereof, the reflection characteristic of the reflection electrode is used.
Variations in ambient light use result in variations in ambient light use efficiency
Therefore, the ambient light intensity at which the display cannot be
It will vary between panels. Therefore, during manufacturing
Is the variation in aperture ratio in conventional transmissive LCD panels
Unless the dispersion of the reflection characteristics is controlled more than
Can't get a liquid crystal display panel with display characteristics
Was. The reflection type liquid crystal display panel and the transparent
In order to solve the problem of the oversized liquid crystal display panel,
Is disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-333598.
Part of the backlight light and part of the ambient light
By using a semi-transmissive reflective film that reflects
Both transmissive display and reflective display can be
A configuration realized by a channel is disclosed. FIG. 16 shows a liquid crystal display using the transflective film.
FIG. The liquid crystal display panel includes a polarizing plate 30, a retardation plate
31, transparent substrate 32, black mask 33, counter electrode 3
4, alignment film 35, liquid crystal layer 36, MIM 37, pixel electrode 3
8, a light source 39, and a reflection film 40. The pixel electrode 38 which is a transflective film is made of metal.
Either deposit the particles very thinly on one surface within the pixel, or
It is formed so that minute hole defects, dent defects, etc.
The light from the light source 39 is transmitted through the pixel electrode 38.
As well as external light such as natural light or indoor illumination light.
Transparent display function and reflection by reflecting at pole 38
The type display function can be realized at the same time. [0014] However, FIG.
The following problems occur in the display device shown in FIG. First, metal particles are used as the above-mentioned transflective film.
When a very thin layer is used, the absorption coefficient is large.
Large internal absorption of incident light
And there is absorbed or scattered light that is not used for display.
The light use efficiency is poor (for example, 55
% Light is not used for display)
Was. On the other hand, a minute hole is formed in the plane as the pixel electrode 38.
Defects, dent defects, etc. (hereinafter referred to as openings) are scattered
When a film is used, the structure of the film is too complicated,
Control of film quality is difficult due to precise design conditions
And it is difficult to produce a film with uniform characteristics.
Had the problem of In other words, electrical characteristics and optical
Poor reproducibility of characteristics, improving display quality as a liquid crystal display panel
It was extremely difficult to control. The present invention has been made to solve the above problems.
The transmission type display and the reflection type display are performed simultaneously.
Liquid crystal display panel is more peripheral than the conventional liquid crystal display panel.
Improved use efficiency of ambient light and illumination light (backlight light)
Liquid crystal display that stabilizes quality and simplifies manufacturing
It is intended to provide a display panel. A liquid crystal display panel according to the present invention.
Means a plurality of gate wirings on a substrate,
Surrounded by multiple source traces arranged to
A plurality of pixels, and the gate arrangement is provided in the pixels.
Switch provided near the intersection of a line and the source line
Element and a pixel electrode connected to the switching element
Are formed, and transmissive display and reflective display are performed simultaneously.
In the liquid crystal display panel, the pixel electrodes are
Electrically connected first conductive layer with high light transmission efficiency and light
Having a second conductive layer with high reflection efficiency in the same pixel area
Which solves the above problems.
Is done. The first conductive layer and the second conductive layer are mutually
It is preferable that they are provided on another layer via an insulating layer.
No. The first conductive layer and the second conductive layer are
It is even more preferable that they are connected through three conductive layers.
No. Preferably, the first conductive layer and the second conductive layer
The conductive layer or the third conductive layer, the gate wiring or
From the same material as some of the materials that make up the source wiring
Become. More preferably, of the insulating layers,
The surface corresponding to the second conductive layer has a plurality of irregularities.
You. Hereinafter, the operation of the above configuration will be described. According to the present invention, the pixel electrodes are electrically connected to each other.
Connected first conductive layer with high light transmission efficiency and light reflection
A highly efficient second conductive layer in the same pixel area.
Therefore, a liquid crystal display panel using a conventional half mirror
In comparison, ambient light and illumination light can be used without loss,
Light use efficiency can be remarkably improved. First
As the conductive layer, for example, ITO or Sn which is a transparent conductive film is used.
O Two Al, W, Cr and the like as the second conductive layer
Alloy, etc., all of which are common reflective liquid crystal display panels and transmissive
The materials used for liquid crystal display panels can be used.
Easy to manufacture, very low display characteristics and reliability
A fixed liquid crystal display panel can be realized. The conventional transmission type liquid crystal display panel has
Visibility due to surface reflection in bright ambient light environment
And the conventional reflective LCD panel
Had lower panel brightness in dark environment
The problem of more difficult display observation, but both at the same time
Can be eliminated and has the advantages of both features.
It was a thing that was. That is, the liquid crystal display panel of the present invention
Is a conventional transmissive liquid crystal in an environment where sufficient power can be supplied.
Since the backlight light is used like the display panel,
The display can be recognized regardless of the intensity of the surrounding light.
Variation in ambient light utilization efficiency due to variations in reflection characteristics
It is not necessary to control as precisely as the reflective LCD panel.
No. In use, the first in the same pixel
A region having a high light transmission efficiency having a conductive layer and a second conductive layer
Region with high light reflection efficiency contributes complementarily to display
Therefore, the image is clearly displayed regardless of the brightness of the ambient light.
Is shown. Further, the liquid crystal display panel of the present invention is
Viewfinder of digital camera and video camera of re-drive system
When adopted as a viewfinder (monitor screen),
No matter how bright the ambient light is, the brightness of the backlight
By adjusting the degree, the brightness is always kept easy to observe.
I was able to In particular, when the camera is used outdoors in fine weather,
In the conventional transmissive liquid crystal display, the brightness of the backlight
Even if the height is increased, the display becomes faint and difficult to see. This
Turn off the backlight and turn on the display for reflection.
Is a transmissive display and a reflective
By using the display together, the image quality in observation is improved and power consumption is reduced.
Expenses can be reduced. On the other hand, bright sunlight
Depending on the direction of the subject,
Switching between reflective display and transmissive display, or
These can be used together to make the display easier to see.
Wear. If the sun shines on the monitor screen,
It may be used in the same way as when used outside. Also the room
Backlight when shooting subjects from dim corners of
May be used in combination with the transmissive display. Further, the liquid crystal display panel of the present invention is
Used as a monitor screen for in-vehicle use such as navigation
Always observe, no matter how bright the ambient light is
It is possible to perform a display that is easy to perform. Conventional transmission type
In-vehicle monitors using liquid crystal display devices are
Backlight with higher brightness than the backlight used for
Is used. The reason is that the weather
This is to cope with the case where light enters the screen. However
However, the display is still faint and difficult to see
Sometimes. On the other hand, drive in the tunnel at night or suddenly
If the backlight is the same as in the daytime or outside the tunnel,
There is a problem that it is too bright to see if the brightness remains
I was Even in such a case, the liquid crystal display panel of the present invention
According to, it is always possible to use the reflective display together
This allows you to set a bright environment without setting the backlight brightness high.
Good display can be realized under the environment. Also, a dark environment
A little brightness even underneath (about 50-100 cd / m Two )
Easy to see display can be realized just by turning on
You. Further, the first conductive layer constituting the pixel electrode
The second conductive layer and the second conductive layer are provided on another layer through an insulating layer.
If insulated in the area of the first and second conductive layers
Control the thickness of the liquid crystal layer by changing the layer thickness
Can be This allows the optical
Characteristics can be matched. On the other hand, in the manufacturing process
Even with two layers having different electrode potentials through the insulating layer
Each exists. Therefore, the pattern of the pixel electrode
The developing solution at the time of etching and the stripping solution at the time of removing the resist
, Which does not cause an electrolytic corrosion reaction.
A crystal display panel can be obtained. For example, without interposing an insulating layer as in the present invention,
Two layers of pixel electrodes (for example, ITO for lower layer and Al for upper layer)
When forming continuously, electrode potential difference between Al layer and ITO layer
Is extremely large, and many defects (fine openings)
Part) is present, the patterning of the pixel electrode
Electrodeposition using a developing solution or a stripping solution at the time of resist stripping as an electrolyte
A reaction occurs and the elution of the ITO layer proceeds, causing pixel defects and wiring.
Disconnection and contamination of the liquid crystal layer. In contrast,
By forming an insulating layer in between as shown,
The layer serves as a protective film to prevent the intrusion of liquid that may cause an electrolytic corrosion reaction.
Can be prevented. Further, two layers constituting the pixel electrode generate electrolytic corrosion.
Even if the relationship is easy to produce, relax the nature of both
If it is connected via a third conductive layer such as
To suppress poor contact and decrease in reliability due to electrolytic corrosion reaction
Becomes possible. Further, any one of the first, second and third conductive layers
Is the same as some of the material of the gate wiring or source wiring.
If so, the manufacturing process can be simplified. The surface on which the second conductive layer is formed has multiple surfaces.
Because it has a number of irregularities, it only reflects ambient light
And can be scattered outside to obtain a wide viewing angle
By using the paper white without using a separate scattering plate
Can be displayed. In manufacturing the liquid crystal display panel of the present invention,
Is like a liquid crystal display panel using a conventional half mirror.
Complicated manufacturing conditions are not required and conventional transmissive liquid crystal displays
General electrode materials used for panels and reflective liquid crystal display panels
Materials, wiring materials and manufacturing conditions can be used.
It can be easily manufactured and has good reproducibility. Ma
In addition, the first conductive layer and the second conductive layer are likely to cause electrolytic corrosion.
The insulating layer or the third conductive layer
Contact between them and the electrolyte
Can be manufactured without any. Therefore, anti-corrosion
Liquid crystal display panel with high reliability
Can be provided efficiently. In addition, the contact between the first conductive layer and the second conductive layer
Removing a portion of the insulating layer corresponding to the connection region;
Removing a part of the insulating layer present on the conductive layer of
If done simultaneously, high reliability without increasing the number of processes
The liquid crystal display panel having the above can be obtained. (Embodiment 1) Embodiment of the present invention
The liquid crystal display panel 1 is described below with reference to the drawings.
Do. FIG. 1 shows a liquid crystal display panel according to this embodiment.
FIG. 2 is a partial plan view of the active matrix substrate shown in FIG.
FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. In FIG. 1, glass or plastic
On a transparent insulating substrate 1 (not shown) made of
Gate wiring 3 and a plurality of source wirings 9a are orthogonal to each other.
And a TFT 7 is provided near the intersection of the wires.
Have been. The drain electrode 9c of the TFT 7 has a pixel electrode
The reflection electrode 11 and the transmission electrode 8a are connected.
Observe the area where these pixel electrodes are formed from above the substrate
Then, the region A with high light transmission efficiency and the region with high light reflection efficiency
B consists of two regions. Although not shown, the active manager shown in FIG.
An alignment film having a liquid crystal alignment function is provided on the surface of the trix substrate.
Is provided. The liquid crystal according to this embodiment and the following embodiments
The display panel is an active matrix substrate as described above.
Is bonded to a counter substrate having a transparent electrode and an alignment film.
The liquid crystal is sealed between the substrates. still,
Separate color filters, retarders, polarizers, etc. as necessary
It may be provided halfway. In this embodiment, the area A is located at the center of the picture element.
The cross-sectional structure is high in light transmission efficiency
The material is laminated and the drain electrode 9 of the TFT 7 is formed.
c as a pixel electrode.
You. On the other hand, the area B is shaped so as to surround the area A.
And the upper surface thereof is in contact with the drain electrode 9c of the TFT 7.
Al or Al-based alloy with high light reflection efficiency
Reflective electrode 11 is provided as a pixel electrode. This
Region B can efficiently reflect the incident light to the outside.
Wear. Further, the reflective electrode 11 is further smooth on its surface.
Scatters incident light to an appropriate range
The structure is such that it can be disturbed. As the liquid crystal, a black pigment-mixed layer was used.
Sthost liquid crystal ZLI2327 (manufactured by Merck)
Active substance S-811 (manufactured by Merck) was mixed at 0.5%.
Was used. In FIG. 2, the TFT 7 has a gate wiring
3 (shown in FIG. 1), above the gate electrode 2 branching from
Gate insulating film 4, semiconductor layer 5, semiconductor contact layer 6
a, 6b, the source electrode 9b and the drain electrode 9c
It is laminated. The drain electrode 9c of the TFT 7 has a transmission electrode
8a is connected, and the transmission electrode 8a is connected to the pixel electrode.
Has a role. The portion corresponding to the area B is transmitted.
An interlayer insulating film 10 and a reflective electrode 11 are provided above the electrode 8a.
The reflective electrode 11 is formed on the interlayer insulating film 10.
Lower transmission electrode through the formed contact hole 13
8a, and is electrically connected to the liquid crystal like the transmission electrode 8a.
And a pixel electrode for applying a voltage to the pixel electrode. This and
In this case, the transmission electrode 8a and the reflection electrode 11 are not directly connected,
The conductive metal layer 12 is interposed between them to provide electrical connection.
I have continued. In the process of manufacturing this, reflection
When the pattern of the electrode 11 is formed, the insulating layer 1 is formed on the transmission electrode 8a.
0 (see below for details)
Akira), ITO and Al cause an electrolytic corrosion reaction, and the wiring is disconnected.
This can effectively prevent such troubles as occurring. Ma
In addition, the insulating layer 10 is left thin to some extent on the transmission electrode 8a,
By completely covering the transmission electrode 8a, even after manufacturing,
It is possible to prevent an electrolytic corrosion reaction between ITO and Al.
You. In this embodiment, the metal layer 12 is
Ti is used, but not limited to this
If the material is Cr, Mo, Ta, W, etc.
Similar effects can be obtained. Alternatively, metal layer 1
2 instead of forming the reflective electrode 11
Electrode potential, such as W, Ni, Pd, V, Zr, etc.
Use of Al-based alloy material to which high metallic material is added
Also suppresses the electrolytic corrosion reaction between ITO and Al
It is possible to do. For example, W is added to Al at 5.0 at.
% More effective in the above-mentioned electrolytic corrosion reaction
Can be deterred. Hereinafter, the active matrix of this embodiment will be described.
A method for manufacturing a substrate will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG.
A conductive thin film is formed on the plate 1 and a photolithography technique is used.
The gate electrode is patterned into the desired shape using
2. Form a gate wiring (not shown). In this embodiment
Means that the insulating substrate 1 is made of glass, the gate electrode 2 and the gate electrode.
As a material of the gate wiring 3 (hereinafter, referred to as a gate material)
Ta was used. However, the insulating substrate 1 is not made of glass.
Alternatively, a material such as plastic may be used. Also,
Al, Cr, Mo, W, Cu, Ti
Other materials having conductivity such as the above may be used. Next, as shown in FIG.
The edge film 4, the semiconductor layer 5, and the semiconductor contact layers 6a and 6b
Form a film. In this embodiment, the gate insulating film 4 is made of SiN.
x, a-Si as semiconductor layer 5, semiconductor contact layer 6
CVD of n + type a-Si doped with P as a and 6b
A continuous film was formed by the method. And, using photolithography technology
Is patterned into a predetermined shape by using the semiconductor layer 5 and
The semiconductor contact layers 6a and 6b are formed. Next, a conductive film is formed and photolithography is performed.
Patterning into a predetermined shape using technology, source wiring
9a, a source electrode 9b, and a drain electrode 9c are formed.
In this embodiment, a Cr-based material is used as the conductive film. However
As this material, Al, Mo, Ta, W, Cu, Ti, etc.
Other materials having conductivity may be used. Next, as shown in FIG.
A conductive film with
Then, a transmission electrode 8a is formed. In this embodiment, this transmission
ITO was used as the electrode 8a. Next, a metal film is formed and photolithography is performed.
The metal layer 12 is formed using a technique. This metal layer 12
Is a reflective electrode formed in the subsequent step with the transmissive electrode 8a.
In this embodiment, the connection is made through both when connecting to
Used Ti as a material. However, materials other than Al-based
Then, other materials such as Cr, Mo, Ta, and W may be used.
No. Next, the source electrode 9b and the drain electrode 9c are
Etching the semiconductor contact layer as a mask
Source side 6a and drain side 6b as body contact layers
Thus, the TFT 7 is formed. At this time, the source and drain electrode layers 9a, 9
b and 9c may be formed in the upper layer of the transmission electrode 8a.
I don't know. Next, as shown in FIG.
The film 10 is formed, and is later formed using photolithography technology.
Portion to be contact hole 13, transmission area (area A), etc.
The part is removed from the interlayer insulating film 10. At the same time,
Region B, that is, interlayer insulation of a portion where the reflective electrode 11 is formed
A gentle uneven portion 15 is formed on the edge film 10. The portion of the interlayer insulating film 1 corresponding to the region A
By removing 0, the transmittance of the region A is improved.
be able to. However, as in this embodiment,
May not be present, may be left to some extent, or
It does not have to be removed. For example, remove
By controlling the film thickness, the voltage applied to the liquid crystal can be controlled in the region A.
And the region B can be made equal to each other. Sandals
That is, the alignment state of the liquid crystal can be made substantially uniform within the pixel. The connection of the wiring provided at the end of the substrate is
If an insulating layer is also formed on the connection terminal,
The layer may be removed at the same time as this step. That is, saw
IC driver in the wiring terminal part and gate wiring terminal part
The connection electrode for connecting with etc. is formed of ITO
In many cases, an Al electrode is formed directly on this connection electrode.
The same electrolytic corrosion reaction as in the pixel area may occur.
You. Therefore, providing an insulating layer between ITO and Al
Solves the problem, but finally the insulating layer on the connection electrode
Since this must be removed, this removal must be
If performed simultaneously with the step of removing the interlayer insulating film 10 on A
It is suitable without increasing the number of steps. In the present embodiment, the shape of the uneven portion 15 is
When observed from above (shown in FIGS. 1 and 3)
Its cross section has a smooth shape that changes continuously.
You. As described above, the interlayer insulating film having the irregularities 15 on the surface
The reflective electrode 11 formed in the next step is provided on
Incident light is efficiently reflected on the surface of the reflective electrode 11.
And scatter the reflected light in an appropriate direction
Can be. In addition, the shape of the uneven portion 15 to be formed is desired.
It may be determined appropriately according to the display characteristics, or the reflected light
When it is not necessary to scatter the
It does not have to be done. In this embodiment, the interlayer insulating film 10 is used.
Single layer (about 2.5μm) of organic resin was used
It is not specified, but a laminated film composed of different materials
It does not matter. However, as in this embodiment,
When the interlayer insulating film 10 made of resin is formed relatively thick,
A part of the reflective electrode 11 is also superimposed on the TFT 7
No parasitic capacitance is generated, and display quality is good.
The liquid crystal display panel has a high aperture ratio. Also like this
If the organic resin layer is very thick, the formation of the uneven portions 15 is also performed.
Easy. Alternatively, instead of this interlayer insulating film, Si
Using a general inorganic film such as Nx as an insulating layer
No problem. However, generally high insulation even if relatively thin
Can be obtained instead of the uneven shape by etching
Configuration is likely to be difficult. However, the desired liquid crystal display
When it is not necessary to form uneven parts due to the display characteristics of the
In this case, it is preferable. Subsequently, as shown in FIG.
Deposited, equivalent to area B by photolithography technology
The reflective electrode 11 is formed by patterning the portion to be formed.
The reflection electrode 11 is provided with a contact hole 13 and a metal layer 1.
2, the lower transmission electrode 8a and the drain electrode of the TFT7.
It is electrically connected to the pole 9c. In this embodiment, the reflective electrode
Al was used as 11 but is not limited to this.
It may be an alloy material or a conductive material with high light reflectance.
I don't know. By the above steps, the active matrix
The board is completed. Although not shown, the active
An alignment film is formed on the surface of
An electrode and an opposing substrate provided with an alignment film are bonded together, and the substrate is
The liquid crystal display panel of this embodiment is filled with liquid crystal between them.
The flannel is completed. If necessary, color filter and phase difference
A plate or the like may be separately provided. As a liquid crystal, a gel mixed with a black dye was used.
Sthost liquid crystal ZLI2327 (manufactured by Merck)
Active substance S-811 (manufactured by Merck) was mixed at 0.5%.
Was used. In this embodiment, the planes of the area A and the area B
Good display characteristics by setting the product ratio to 40:60
Was obtained. In addition, area
The ratio is not limited to this value.
Appropriately changed according to over-efficiency or reflection efficiency and purpose of use
May be. In the present embodiment, the area A is located at the center of the picture element.
Is provided only in one place, but is not limited to this.
It may be divided into several places, and its shape is also square
Not limited to shape. The liquid crystal display panel of the present embodiment described above
In the liquid crystal display panel of the embodiment described below,
Region A having high light transmission efficiency is located at the center of the pixel as pole 6.
In addition to this, a region B having high light reflection efficiency is provided,
Compared to a conventional liquid crystal display panel using a half mirror,
Surrounding light and illumination light can be used without loss. Ma
The liquid crystal display panel is the same as the conventional transmissive liquid crystal display panel.
And low visibility due to surface reflection in bright ambient light
And the conventional reflective LCD panel
Display in low ambient light environment due to reduced panel brightness
To solve both the difficulties of understanding
And an excellent one with all the features
became. In other words, the liquid crystal display panel of the present invention
Regardless of the intensity, display recognition becomes possible,
Reflects variations in ambient light usage efficiency due to variations in lightness
It is not necessary to control as precisely as the liquid crystal display panel. Further, the manufacture of the liquid crystal display panel of the present embodiment
As for the method, the liquid crystal display using the conventional half mirror
It does not require complicated manufacturing conditions like panels, and
One type used for oversized LCD panels and reflective LCD panels
If general electrode materials, wiring materials and manufacturing conditions are used,
Good, relatively easy to manufacture and reproduce
The properties are also good. In addition, liquid using a conventional half mirror
Control of display characteristics, etc., which was difficult with
It can be done relatively easily. (Embodiment 2) The liquid crystal of Embodiment 2 of the present invention
The display panel will be described below with reference to the drawings. FIG. 4 shows a liquid crystal display panel according to this embodiment.
FIG. 5 is a partial plan view of the active matrix substrate shown in FIG.
FIG. 6 is a sectional view taken along line BB of FIG. 4. The liquid crystal display panel of the present embodiment and its manufacture
The method uses the reflection electrode 11 as a pixel electrode and the TFT 7.
The electrical connection structure and the manufacturing method related to the configuration are described above.
This is different from the first embodiment. 4 and 5, the drain voltage of the TFT 7 is
The transmission electrode 8a is connected to the pole.
a is a pixel electrode for applying a voltage to the liquid crystal in the region A;
Function. A transmission electrode 8 is provided in a portion corresponding to the region B.
a, an interlayer insulating film 10 and a reflective electrode 11 are provided on
The reflection electrode 11 is formed on the interlayer insulating film 10.
The lower drain electrode 9 through the contact hole 13
c, and directly connected to the pixel electrode in the same manner as the transmission electrode 8a.
Function as Also in the present embodiment, the first embodiment
Similarly to the above, ITO which is the material of the transmission electrode 8a and the reflection electrode
No direct connection with Al which is the material No. 11
In the region B, high ambient light reflection by Al
Efficiency, backlight light by ITO in the other area A
TFT and these materials with high transmission efficiency
Electrical connection without any fear of electrolytic corrosion
It becomes possible. In this embodiment, the electrolytic corrosion of ITO and Al
Although described with respect to the reaction, the present invention relates to this combination.
It does not mean that it only applies to
Easy combination of different materials with different electrode potentials
It is effective if used for squatting. The active matrix of this embodiment will be described below.
A method for manufacturing a substrate will be described. Semiconductor layer 5 of TFT 7 and semiconductor contact
Up to the point where one island of layers 6a and 6b is patterned
This is the same as the first embodiment. Next, a conductive film is formed, and photolithography is performed.
Source wiring by patterning it into the desired shape using technology
9a, source electrode 9b, drain electrode 9c, connection metal
The layer 9d is formed. In the present embodiment, a Cr-based conductive film is used.
Materials were used. However, as this material, Al, Mo, T
Other conductive materials such as a, W, Cu, and Ti may be used.
I don't know. Subsequently, the same transmission electrode as in the first embodiment is used.
8a is formed. At this time, the transmission electrode 8a is connected to a connecting metal.
It was structured to partially overlap the upper part of the layer 9d. Not this structure
In both cases, a part of the connection metal layer 9d is formed on a part of the transmission electrode 8a.
The parts may be overlapped. In this embodiment, the transmission electrode 8a is
Then, ITO was used. At this time, the source wiring 9a and the source electrode 9
b, the drain electrode 9c, and the connection metal layer 9d
It may be formed in the upper layer of 8a. Next, the layers are formed in the same manner as in the first embodiment.
An insulating film 10 is formed, and a contact hole 13
After opening the interlayer insulating film 10 in the region (region A),
The reflection electrode 11 is formed. Also in the present embodiment, the reflection electrode 11
Al was used as a material for. As described above, in the present embodiment,
Is also used as the reflection electrode 11 and the transmission electrode 8a as ITO.
Is not directly connected to the
The occurrence of defects due to electrolytic corrosion between Al and ITO
Can be. This connection metal layer serves as the source electrode of the TFT.
It can be made of materials, simplifying its manufacture.
Can be (Embodiment 3) In the present embodiment,
Drawing about another manufacturing method of the liquid crystal display panel of form 2
An explanation will be given based on. FIGS. 6A to 6C show the liquid crystal of this embodiment.
FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the display panel.
5 corresponds to the BB section in FIG. The description is omitted.
However, in the present embodiment, the process before forming the interlayer insulating film is performed.
The procedure is performed according to the method described in the second embodiment.
It shall be assumed. The details will be described below. First, a method similar to that of the second embodiment is used.
After forming the interlayer insulating film 10, as shown in FIG.
And contact holes using photolithography technology
Thirteen regions of the interlayer insulating film 10 are removed. At this time, the same
Interlayer insulating film in the portion where the reflective electrode 11 is formed in the step
An uneven portion 15 for scattering incident light is provided on the surface 10.
It is formed in the same manner as in the first embodiment. In addition, the above embodiment is
In contrast, the portion of the interlayer insulating film 10 which will be the region A is not deleted.
No. Then, an A layer for the reflective electrode 11 is
1 or an Al-based alloy film is formed. In this embodiment,
As the interlayer insulating film 10, a single-layer organic resin was used. However,
The interlayer insulating film 10 is a laminated film made of a plurality of different materials.
It does not matter. Also, if it is not necessary,
You don't have to. Next, as shown in FIG.
Is patterned by photolithography technology.
The injection electrode 11 is formed. Thereafter, as shown in FIG.
All or part of the interlayer insulating film 10 covering (region A)
Is removed. As described above, the transmission type display and the reflection type display are the same.
In the liquid crystal display panel of the present embodiment,
Al as the electrode 11 and ITO as the transmission electrode 8a
With a structure that does not directly connect,
Of defects caused by electrolytic corrosion between Al and ITO
Electrode material in the manufacturing process
Of the transmission electrode 8a is exposed during the Al processing process
By doing so, the electrolytic corrosion reaction between Al and ITO during production
, And a liquid crystal display panel can be manufactured. (Embodiment 4) The liquid crystal of Embodiment 4 of the present invention
The method for manufacturing the display panel is described below with reference to the drawings.
Perform The liquid crystal display panel of this embodiment has a pixel electrode
Electrode 8a as a drain and the drain electrode 9 of the TFT 7
The order of forming c and the step of opening the interlayer insulating film 10 are as described above.
This is different from the second and third embodiments. FIGS. 7A to 7C show the liquid crystal of this embodiment.
FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the display panel.
5 corresponds to the BB section in FIG. The description is omitted.
Forms a semiconductor contact layer in the present embodiment
The previous steps are the same as those described in the first and second embodiments.
It shall be performed in accordance with it. The details will be described below. As shown in FIG. 7A, the semiconductor contact
After forming a light-transmitting layer, a light-transmitting conductive film is formed,
By patterning using lithography technology,
An over electrode 8a is formed. In the present embodiment, the transmission electrode 8a and
Then, ITO was used. Next, a conductive film is formed, and photolithography is performed.
The source wiring 9a, the source electrode 9b, the drain
Electrode 9c, connection metal layer 9d, and transmission area metal layer
9e is patterned. Source wiring 9c and source wiring
9a is electrically connected. Also, the drain electrode
9c, the connection metal layer 9d, and the transmission area metal layer 9e
They are electrically connected to each other. In the present embodiment,
A Ta-based material was used as the electroconductive film. However, this material is A
1, other conductive materials such as Cr, Mo, W, Cu, Ti
Material may be used. Next, the source electrode 9b and the drain electrode 9c are
Etch the semiconductor contact layer as a mask,
The TFT 7 by dividing it into the drain side 6a and the drain side 6b.
Form. Thereafter, an interlayer insulating film 10 is formed,
A portion corresponding to the transmission region A using a lithography technique;
And the interlayer insulating film 10 at the contact hole 13 is opened.
I do. At this time, interlayer insulation of the portion where the reflective electrode 11 is formed is performed.
An uneven portion 15 for scattering incident light is provided on the surface of the edge film 10.
To form A layer for the reflective electrode 11 is formed on the upper layer.
1 or an Al-based alloy film is formed. This embodiment
In this example, a single-layer organic resin was used as the interlayer insulating film 10. However
However, the interlayer insulating film may be a laminated film of different materials.
No. Alternatively, unevenness may not be formed on the surface. [0096] As shown in FIG.
Reflective electrode 1 patterned by photolithography
Form one. Thereafter, as shown in FIG.
All of the metal layer 9e covering the region (region A)
Removes part. At this time, the metal layer 9e is removed
By using photolithography technology,
Can be removed by etching using the reflective electrode 11 as a mask.
I do not care. Or, when the reflective electrode 11 is formed by etching.
It may be formed continuously by etching. The liquid crystal display panel of the present embodiment and the
The manufacturing method includes a method of forming a reflective electrode made of Al and a transparent electrode 8a made of ITO.
No direct connection, so contact for reliability
Of defects caused by electrolytic corrosion of Al and ITO in the area
And the manufacturing process
During the processing of Al, ITO of the transmission electrode 8a is exposed.
Because of this, the electrolytic corrosion reaction between Al and ITO during production can be suppressed.
It has the advantage that it can be cut. (Embodiment 5) The liquid crystal of Embodiment 5 of the present invention
The method for manufacturing the display panel is described below with reference to the drawings.
Perform The liquid crystal display panel of the present embodiment and its manufacture
The method includes the structure of the transmission electrode 8a and the TFT 7, the interlayer insulating film.
The process is characterized by the step of providing an opening in
This is different from the second and third embodiments. FIGS. 8A to 8C show the liquid crystal of this embodiment.
FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the display panel.
5 corresponds to the BB section in FIG. The description is omitted.
Forms a semiconductor contact layer in the present embodiment
The previous steps are based on the method described in the first and second embodiments.
It is assumed that it was performed in the first place. This will be described in detail below. As shown in FIG. 8A, the semiconductor contact
After the light-transmitting conductive film and the metal film are
Source wiring 9a, source electrode 9b, drain
An electrode 9c, a reflective electrode-transmitting electrode connecting metal layer 9d, and
The photolithography technology is used for the transmission region metal layer 9e.
Is used to pattern the metal film. Next, light transmission through the lower layer
The conductive film is formed by using the source wiring 9a, the source electrode 9b,
Rain electrode 9c, reflective electrode-transmission electrode connection metal layer 9
d, and processed into the same pattern as the transmission area metal layer 9e.
The transmission electrode 8a, the source electrode 8b, and the drain electrode 8c
Etc. are formed. That is, the source electrode, source wiring, drain
By making the in-electrode a two-layer structure, a part of one layer
Even if some kind of disconnection failure occurs in the
Propagation to the other layer enables normal display
You. In this embodiment, the light-transmitting conductive film is made of IT.
O, a Ta-based material was used as the metal film. At this time, light transmission
Regarding the processing of the conductive film, etch the
The metal used to process the metal film
After removing the block, use the metal film pattern to
The electrolytic film may be etched. Next, the source electrodes 9b and 8b and the drain electrode
Etching the semiconductor contact layer using 9c and 8c as masks
The source side 6a and the drain side 6b.
The TFT 7 is formed. Subsequently, an interlayer insulating film 10 is formed, and
Using a lithography technique, a transparent region is formed in the interlayer insulating film 10.
(Area A) and the contact hole 13 are opened.
At this time, the portion of the interlayer insulating film 1 where the reflective electrode 11 is to be formed
On the 0 surface, an uneven portion 15 for scattering incident light is formed.
I do. Then, Al as a reflective electrode 11 is formed on the
Alternatively, an Al-based alloy film is formed. In this embodiment, a single-layer organic film is used for the interlayer insulating film.
Resin was used. However, the interlayer insulating film is a product of multiple different materials.
It may be a layer film. Also, without forming irregularities on the surface
It does not matter. Next, as shown in FIG.
Or Al-based alloy film by photolithography technology.
Then, the reflection electrode 11 is formed. Thereafter, as shown in FIG.
All or part of the metal layer 9e covering the
You. At this time, the removal of the metal layer 9e is performed by photolithography.
Technology or the reflective electrode 1
1 by using the mask as a mask
Good. In addition, when the reflective electrode 11 is formed by etching,
It may be formed by etching. The liquid crystal display panel of the present embodiment and the
The manufacturing method includes a method of forming a reflective electrode made of Al and a transparent electrode 8a made of ITO.
No direct connection, so contact for reliability
Of defects caused by electrolytic corrosion of Al and ITO in the area
And the manufacturing process
During the processing of Al, ITO of the transmission electrode 8a is exposed.
Because of this, the electrolytic corrosion reaction between Al and ITO during production can be suppressed.
It has the advantage that it can be cut. Furthermore, the formation of the pixel electrode
Simplifies the manufacturing process because it is performed in the same process as other wiring
Can be In the present embodiment, the formation of the pixel electrode is performed by software.
In the same process as source wiring, source electrode and drain electrode
However, the present invention is not limited to this.
Or in the same step as the gate electrode,
Use a reflective electrode instead of a transmissive electrode as the other wiring.
It may be formed in one step. (Embodiment 6) The liquid crystal of Embodiment 6 of the present invention
Regarding the display panel and its manufacturing method, based on the drawings,
A description is given below. In this embodiment, the above embodiment
Regarding the liquid crystal display panel of the embodiment 6, the structure of the terminal portion and its manufacture
The fabrication method will also be described. The liquid crystal display panel of the present embodiment and its manufacture
The method is to place the transparent electrode on the same layer as the gate electrode and gate wiring
It differs from the above-described first to fifth embodiments in that it is provided. FIGS. 9A to 9C show the liquid crystal of this embodiment.
Pixel part of active matrix substrate used for display panel
Sectional view for explaining the structure of a liquid crystal panel terminal part
It is. FIG. 9A shows the active state according to the present embodiment.
FIG. 3 is a diagram showing a cross-sectional structure of a pixel portion of a matrix substrate,
4 corresponds to the BB section. FIG. 9B shows a gate.
It is a figure which shows a side terminal structure, and is equivalent to CC section of FIG.
FIG. 9C is a diagram showing a source-side terminal structure.
10 corresponds to the DD section. Here, FIG.
It is a schematic top view of the liquid crystal panel of this invention. Hereinafter, the liquid crystal display panel of this embodiment will be described.
The configuration will be described in detail. In FIG. 9A, on an insulating substrate 1,
Is provided with the same TFT 7 as in the above embodiment.
Further, the gate electrode 2 and the gate wiring of this TFT 7 (FIG.
(Not shown), a transmission electrode 8a is provided in the same layer. Sa
In addition, the drain electrode 9c of the TFT 7 is
Through the contact hole 13 formed therein, the upper layer
Connected to the injection electrode 11 and, on the other hand,
Through a contact hole 16 formed in the film 4,
It is connected to the transmission electrode 8a. With this configuration, as in the present embodiment, the image
Transparent electrode made of dissimilar metals and reflective electrode
For example, if the electrode is built in the same pixel,
For example, after the processing step of the transmission electrode 8a, the application of the reflection electrode 11 is started.
By the time the construction process is completed, at least the transmission electrode 8a
Is covered with at least a gate insulating film 4.
By continuing, electrolytic corrosion is caused by the electrode potential difference between each metal.
Problems that occur can be prevented. Further, the terminal structure shown in FIGS.
Similarly, the structure is formed simultaneously with the transmission electrode 8a.
Insulating film (gate insulating film 4 and interlayer insulation)
Because of the structure provided with the edge film 10), interlayer insulation is provided.
The processing step of the reflective electrode 11 formed after the formation of the edge film is completed.
Until the process is completed, at least
Because it is possible to cover with a gate insulating film,
Prevents galvanic corrosion between the dissimilar metal reflective electrode and the terminal
Can be stopped. The active matrix shown in FIG.
Referring to FIGS. 11 and 12, a method of manufacturing a substrate will be described.
Give an explanation. FIGS. 11 and 12 show the active state shown in FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a matrix substrate.
is there. In FIG. 11A, on an insulating substrate 1,
Form a transparent conductive film and use photolithography technology
The transmission electrode 8a is formed by a technique. In the present embodiment,
A glass substrate is used as the rim substrate 1, and I is used as the transmission electrode 8 a.
TO was used. Also, by photolithography technology,
The gate electrode 2 and the gate wiring 3 are patterned. This implementation
In the embodiment, a Ta-based material was used as a gate material. However,
Al, Cr, Mo, W, Cu, Ti
Other materials having conductivity such as the above may be used. In the above steps, the transmission electrode 8a
For forming the gate electrode 2 and the gate wiring 3
The order of the steps can be changed. Next, referring to FIG.
Film 4, semiconductor layer 5, and semiconductor contact layers 6a and 6b
And SiNx, amorphous silicon, and P, respectively.
N + type amorphous silicon removed by CVD
Continuous film formation and semiconductor layer by photolithography technology
5. Pattern the semiconductor contact layers 6a and 6b
You. Further, the transmission electrode 8a is formed on the gate insulating film 4.
And a drain electrode to be formed later.
A contact hole 15 is formed. At this time, FIGS. 9 (b) and 9 (c) show
Gate disconnection on gate side terminal 20 or source side terminal 21
The edge film 4 may be removed at the same time. Subsequently, as shown in FIG.
Film is formed and source wiring is formed by photolithography technology.
9a, the source electrode 9b and the drain electrode 9c
To run. In this embodiment, a Cr-based material is used as the conductive film.
Was used. However, besides, Al, Mo, Ta, W, Cu,
A conductive material such as Ti may be used. Next, the source electrode 9b and the drain electrode 9c
Center portions of semiconductor contact layers 6a and 6b using masks as masks
The source side 6a and the drain
Side 6b. Through the above steps, the TFT 7 is completed.
You. Subsequently, as shown in FIG.
An insulating film 10 is formed and is formed using photolithography technology.
A contact hole 13 is formed in the interlayer insulating film 10. However
And an interlayer insulating film 10 corresponding to the transmission region (region A).
In this step, the reflective electrode was not formed and the reflective electrode was formed later.
Will be removed later. Next, as shown in FIG.
Uneven portions 15 are formed on the surface of the interlayer insulating film 10 corresponding to
It is formed by photolithography in the same manner as described above. In this embodiment, the interlayer insulating film 10 is used.
Used an organic insulating film, but this is not a limitation.
It may be a laminated film. In addition, the surface of the interlayer insulating film 10
Need not necessarily be formed with irregularities. Next, as shown in FIG.
A conductive film having high reflection efficiency is formed as a material of the pole 11. Further, as shown in FIG.
Pattern the reflective electrode 11 by lithography technology
You. In the pixel, at least the portion that becomes the region A
The reflection electrode 11 is to be removed. Finally, as shown in FIG.
The interlayer insulating film 10 on the transmission electrode 8a corresponding to A is removed.
You. Further, the gate insulating film 4 also corresponds to the region A.
Remove the part you want. At this time, the gate insulating film 4 or the interlayer
When the insulating film 10 is left, a voltage drop occurs, and a voltage is applied to the liquid crystal.
May not be applied sufficiently.
It is preferable that the edge film is also removed. In particular, the present invention
As described above, the transmission electrode 8a and the reflection electrode
When a voltage is applied to the liquid crystal by the pole 11,
There is a difference between the voltages applied to the liquid crystals corresponding to A and B.
Therefore, it is not preferable. By the above method, the active matrix
The substrate is completed. Further, the active matrix substrate
After applying an alignment film, perform an alignment treatment if necessary.
Laminate with the above-mentioned counter substrate and enclose liquid crystal between the substrates
Thus, the liquid crystal display panel of the present invention is completed. Hereinafter, the shape of the terminal portion provided on the peripheral portion of the substrate will be described.
The formation method will be described with reference to FIG. FIG. 13 shows a liquid crystal display panel of this embodiment.
FIG. 9 is a diagram for explaining a method of manufacturing the gate-side terminal portion.
You. In addition, regarding this terminal portion, the formation of the pixel portion described above is performed.
It can be formed simultaneously with the process. In FIG. 13A, on the insulating substrate 1
Next, a transparent conductive film is formed as the gate terminal 20.
At the same time as this step, a transmission electrode is formed in the pixel portion.
To achieve. Thereafter, the gate wiring 3 is formed on the terminal 20.
As a result, the terminal 20 and the gate wiring 3 are electrically connected.
The connection is made (corresponding to the step of FIG. 11A). Next, referring to FIG.
3 and a gate insulating film 4 is formed on the gate side terminal portion 20.
You. The removal of the gate insulating film 4 on the terminal 20 is performed in this step.
Is performed in a later step (step of FIG. 11B).
Corresponding to). Thereafter, the TFT is completed in the pixel portion.
(Corresponding to the step of FIG. 11C). In FIG. 13C, on the gate insulating film 4
Next, an interlayer insulating film 10 is formed (for the step of FIG. 11D).
Yes. In FIG. 13D, on the interlayer insulating film 10
A conductive film to be the reflective electrode 11 is formed on the substrate (FIG. 12A)
Corresponding to the process). In FIG. 13E, a film is formed near the terminal portion.
The reflection electrode 11 that has been used is removed. In addition, the same as this process
Sometimes, within the pixel, the reflection formed in the region A
The electrode 11 is removed (corresponding to the step of FIG. 12B). In FIG. 13 (f), the game
The insulating film 4 and the interlayer insulating film 10 are removed. In addition, this construction
At the same time, the gate insulating film 4 in the region A in the pixel is
The interlayer insulating film 10 is removed (for the step of FIG.
Yes. As described above, not only the pixel area but also the terminal
Also, until the processing step of the reflective electrode 11 is completed,
The terminal 20 and the gate wiring 3 are formed of an insulating layer (gate insulating film 4,
Since they are covered with the interlayer insulating film 10),
The terminal 20 and the gate wiring 3 made of metal, and the reflection electrode 11
It is possible to prevent electric erosion from occurring between them. Although detailed explanation is omitted, FIG.
The source terminal section shown in FIG.
And can be formed at the same time as the gate terminal.
It is possible to prevent the occurrence of food. In the pixel portion, the transmission electrode 8a is formed.
(Step shown in FIG. 11A) and the gate electrode 2
And a step of forming the gate wiring 3 (shown in FIG.
Even if the order of the process) is reversed, the occurrence of electrolytic corrosion
It is possible to block. The gate-side terminal structure at this time is shown in FIG.
FIG. 14A shows the source-side terminal structure in FIG.
In each terminal section, the terminal is a gate electrode and a gate.
The gate material forming the gate wiring and the transmission electrode 8 are formed.
It has a two-layer structure made of a transparent conductive film. Also in this case, the processing step of the reflective electrode is completed.
Until that time, cover the terminals with at least the gate insulating film.
Can be kept overturned, effectively preventing the occurrence of electrolytic corrosion
It is possible to block. (Embodiment 7) A description will be given in Embodiment 6 above.
As a process following FIG. 11C, FIGS.
Even using the method shown in (c), effectively prevents electrolytic corrosion
It is possible to do. In the present embodiment, the method according to the sixth embodiment is described.
Other manufacturing methods for active matrix substrates are described below.
Give an explanation. In FIG. 15A, an interlayer insulating film 10 is formed.
Film is formed and contact hole 1 is formed by photolithography.
At the same time as opening the hole 3, the interlayer insulation of the portion corresponding to the area A
The rim is removed. In addition, interlayer insulation of a portion corresponding to the region B is performed.
An uneven portion 15 is formed on the surface of the edge film 10. Next, as shown in FIG.
A conductive film is formed as a reflective electrode 11 on the edge film 10. Finally, as shown in FIG.
Remove the reflective electrode 11 formed in the portion corresponding to A
I do. The process of applying the reflection electrode 11 is also performed by this process.
The gate of the lower transmission electrode 8a is disconnected until the process is completed.
Since it is covered with the edge film 4, the reflection electrode 11 and the transmission electrode
Generation of electrolytic corrosion which is likely to occur when the pole 8a is formed of a dissimilar metal
Life is stopped. However, in this process, the transmission electrode 8
a of the gate insulating film 4
11 and 12, the process shown in FIGS.
The electrolytic corrosion reaction can be effectively prevented. According to this process, FIG.
As shown in (a), simultaneously with the formation of the contact hole 13
Since the interlayer insulating film corresponding to the region A is removed in FIG.
The number of steps is reduced as compared with the processes shown in FIGS.
It is possible. As described in detail above, the liquid of the present invention
According to the liquid crystal display panel and the method of manufacturing the same, the pixel electrodes are
Layer with high light transmission efficiency and light reflection effect
Since the same pixel area has a layer with a high efficiency,
Around the LCD panel using a half-mirror
Light and illumination light can be used without any loss, and
Usage efficiency can be improved. Layer with high light transmission efficiency
For example, ITO or SnO which is a transparent conductive film
Two The layers with high light reflection efficiency, such as Al, W, Cr,
All of these alloys, etc., are common reflective liquid crystal display panels and
Use the materials used for transmissive liquid crystal display panels
Is easy to manufacture because of the display characteristics and reliability.
Very stable liquid crystal display panel can be realized
You. The conventional transmission type liquid crystal display panel has
Visibility due to surface reflection in bright ambient light environment
And the conventional reflective LCD panel
Caused by reduced panel brightness in an environment where the ambient light
Simultaneously solves the problem of display observation
And has all the features
It became something. That is, the liquid crystal display panel of the present invention is
In an environment where a large amount of power can be supplied, the conventional transmissive LCD
Because the backlight is used in the same way as the
Regardless of the intensity, display recognition becomes possible,
Reflects variations in ambient light usage efficiency due to variations in lightness
It is not necessary to control as precisely as the liquid crystal display panel. use
In doing so, a layer with high light transmission efficiency within the same pixel
And the layer with high light reflection efficiency contribute to the display complementarily.
No matter how bright the ambient light is, the image is clearly displayed
Is done.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明実施形態1の液晶表示パネルを説明する
ための平面図である。 【図2】本発明実施形態1の液晶表示パネルを説明する
ための断面図である。 【図3】本発明実施形態1の液晶表示パネルの製造方法
を説明するための断面図である。 【図4】本発明実施形態2の液晶表示パネルを説明する
ための平面図である。 【図5】本発明実施形態2の液晶表示パネルを説明する
ための断面図である。 【図6】本発明実施形態3の液晶表示パネルを説明する
ための断面図である。 【図7】本発明実施形態4の液晶表示パネルを説明する
ための断面図である。 【図8】本発明実施形態5の液晶表示パネルを説明する
ための断面図である。 【図9】本発明実施形態6の液晶表示パネルを説明する
ための断面図である。 【図10】本発明の液晶表示パネルの概略平面図であ
る。 【図11】本発明実施形態6の液晶表示パネルの製造方
法を説明するための断面図である。 【図12】本発明実施形態6の液晶表示パネルの製造方
法を説明するための断面図である。 【図13】本発明実施形態6の液晶表示パネルのゲート
側端子部の製造方法を説明するための断面図である。 【図14】本発明実施形態6の液晶表示パネルの別の端
子部構造を説明するための断面図である。 【図15】本発明実施形態7の液晶表示パネルの製造方
法を説明するための断面図である。 【図16】従来の液晶表示パネルを説明するための断面
図である。 【符号の説明】 1 絶縁性基板 2 ゲート電極 3 ゲート配線 4 ゲート絶縁膜 5 半導体層 6a 半導体コンタクト層(ソース電極側) 6b 半導体コンタクト層(ドレイン電極側) 7 TFT 8a 透過電極 8b ソース電極(透過電極材料) 8c ドレイン電極(透過電極材料) 9a ソース配線 9b ソース電極 9c ドレイン電極 9d (反射電極−透過電極接続用)金属層 9e (透過領域用)金属層 10 層間絶縁膜 11 反射電極 12 金属層 13 (ドレイン)コンタクトホール 15 凹凸部 20 端子(ゲート配線側) 21 端子(ソース配線側)
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a plan view for explaining a liquid crystal display panel according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the liquid crystal display panel of Embodiment 1 of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the liquid crystal display panel of Embodiment 1 of the present invention. FIG. 4 is a plan view illustrating a liquid crystal display panel according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a liquid crystal display panel of Embodiment 2 of the present invention. FIG. 6 is a sectional view illustrating a liquid crystal display panel according to Embodiment 3 of the present invention. FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a liquid crystal display panel of Embodiment 4 of the present invention. FIG. 8 is a sectional view illustrating a liquid crystal display panel according to Embodiment 5 of the present invention. FIG. 9 is a sectional view illustrating a liquid crystal display panel according to Embodiment 6 of the present invention. FIG. 10 is a schematic plan view of the liquid crystal display panel of the present invention. FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the liquid crystal display panel of Embodiment 6 of the present invention. FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the liquid crystal display panel of Embodiment 6 of the present invention. FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the gate-side terminal portion of the liquid crystal display panel according to the sixth embodiment of the present invention. FIG. 14 is a cross-sectional view for explaining another terminal structure of the liquid crystal display panel according to Embodiment 6 of the present invention. FIG. 15 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the liquid crystal display panel of Embodiment 7 of the present invention. FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating a conventional liquid crystal display panel. [Description of Signs] 1 Insulating substrate 2 Gate electrode 3 Gate wiring 4 Gate insulating film 5 Semiconductor layer 6a Semiconductor contact layer (source electrode side) 6b Semiconductor contact layer (drain electrode side) 7 TFT 8a Transmission electrode 8b Source electrode (transmission) 8c Drain electrode (transmission electrode material) 9a Source wiring 9b Source electrode 9c Drain electrode 9d (for connection of reflection electrode-transmission electrode) Metal layer 9e (for transmission region) Metal layer 10 Interlayer insulating film 11 Reflection electrode 12 Metal layer 13 (drain) contact hole 15 uneven portion 20 terminal (gate wiring side) 21 terminal (source wiring side)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鳴瀧 陽三 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 島田 尚幸 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 片山 幹雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 吉村 洋二 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 石井 裕 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平7−218923(JP,A) 特開 平6−75237(JP,A) 特開 平7−175126(JP,A) 特開 平8−184846(JP,A) 特開 平11−281972(JP,A) 特開 平7−152023(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1343 G02F 1/1362 G02F 1/1333 G02F 1/1335 G02F 1/13357 G02F 1/13 505 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Yozo Narutaki 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Sharp Corporation (72) Inventor Naoyuki Shimada 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka In-company (72) Inventor Mikio Katayama 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Sharp Corporation (72) Inventor Yoji Yoshimura 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Sharp Corporation (72) Invention Person Hiroshi Ishii 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Sharp Corporation (56) References JP-A-7-218923 (JP, A) JP-A-6-75237 (JP, A) JP-A 7- 175126 (JP, A) JP-A-8-184846 (JP, A) JP-A-11-281972 (JP, A) JP-A 7-152023 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7, B name) G02F 1/1343 G02F 1/1362 G02F 1/1333 G02F 1/1335 G02F 1/13357 G02F 1/13 505

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 複数のゲート配線と、前記ゲート配線と
直交するように配置された複数のソース配線と、前記ゲ
ート配線と前記ソース配線の交差部付近に設けられたス
イッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された
画素電極とが形成される液晶表示パネルにおいて、 前記画素電極は互いに電気的に接続された透過電極と反
射電極とを同一画素領域内に有し、前記透過電極と前記
反射電極とが互いに絶縁層を介して別層に設けられてお
り、前記透過電極と前記反射電極とが前記絶縁層に形成
されたコンタクトホールを介して電気的に接続され、透
過型表示と反射型表示とが同時に行われることを特徴と
する液晶表示パネル。
(57) [Claim 1] A plurality of gate wirings and the gate wirings
A plurality of source wirings arranged orthogonally;
A space provided near the intersection of the source wiring and the source wiring.
A switching element, connected to the switching element
In a liquid crystal display panel in which pixel electrodes are formed, the pixel electrodes are opposite to the transmission electrodes that are electrically connected to each other.
And the transmission electrode and the transmission electrode in the same pixel region.
The reflective electrode and the reflective electrode are provided on separate layers with an insulating layer therebetween.
The transmission electrode and the reflection electrode are formed on the insulating layer.
Electrically connected through the contact hole
The over-type display and the reflective display are performed simultaneously.
Liquid crystal display panel.
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