JP3526780B2 - Exposure apparatus and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
Exposure apparatus and method of manufacturing semiconductor deviceInfo
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン球上の感光性
材料を露光するための半導体装置の露光装置及び半導体
装置の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for a semiconductor device for exposing a photosensitive material on a silicon ball and a method for manufacturing the semiconductor device.
【0002】[0002]
【従来の技術】最近、単結晶のシリコン球を用いた半導
体装置が注目されるようになってきた。2. Description of the Related Art Recently, a semiconductor device using a single crystal silicon sphere has been receiving attention.
【0003】NIKKEI MICRODEVICES
1998年9月号PP.89−90には、このようなシ
リコン球を用いた半導体装置の露光装置が開示されてい
る。NIKKEI MICRODEVICES
September 1998 issue PP. 89-90 discloses a semiconductor device exposure apparatus using such a silicon sphere.
【0004】上記公報に開示されている露光装置は、シ
リコン球を取り囲むように配置した45面体の鏡(45
枚の鏡)によって、縮小光学系を通過した光りを反射せ
ることでシリコン球全面を露光するものであった。The exposure apparatus disclosed in the above publication discloses a 45-sided mirror (45) arranged so as to surround a silicon sphere.
The entire surface of the silicon sphere was exposed by reflecting the light passing through the reduction optical system with a mirror.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記記載の装置では、
45枚の鏡の位置をシリコン球に対して調整する必要が
あるので、位置調整に時間を要するという問題があっ
た。SUMMARY OF THE INVENTION In the above described device,
Since it is necessary to adjust the positions of the 45 mirrors with respect to the silicon sphere, there is a problem that it takes time to adjust the positions.
【0006】また、鏡と鏡との境では結像できず、解像
不良が発生しやすくなり、ICのパターンを微細化する
上で好ましくない。In addition, an image cannot be formed at the boundary between the mirrors, and a defective resolution is liable to occur, which is not preferable in miniaturizing the IC pattern.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、照明光学系レンズからの光を絞って細長
いスリット光とするスリットと、転写パターンを有し、
スリット光を受け取り転写パターンに対応した光にする
マスクを、光軸と垂直方向に移動自在に支持するマスク
ステージと、マスクからの光を縮小する縮小投影レンズ
と、縮小投影レンズからの光を拡張するビームエキスパ
ンダと、ビームエキスパンダからの光りを半導体球上に
集光させる集光ミラーと、半導体球を回転可能に支持す
る手段とを有することを特徴とするものである。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention has a slit for narrowing the light from an illumination optical system lens to make an elongated slit light, and a transfer pattern,
A mask stage that receives the slit light and transforms it into light that corresponds to the transfer pattern, movably in the direction perpendicular to the optical axis, a reduction projection lens that reduces the light from the mask, and expansion of the light from the reduction projection lens. The present invention is characterized in that it has a beam expander, a focusing mirror for focusing the light from the beam expander on a semiconductor sphere, and a means for rotatably supporting the semiconductor sphere.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施の形態
の半導体露光装置の要部側面図である。1 is a side view of a main portion of a semiconductor exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【0009】図2は図1の露光装置の他の側から見た要
部側面図である。FIG. 2 is a side view of the main part of the exposure apparatus of FIG. 1 viewed from the other side.
【0010】本実施の形態の露光装置は、光源1と照明
光学系レンズ2とスリット3とレチクルステージ4と縮
小投影レンズ6とビームエキスパンダ7とハンドラ8と
集光ミラー9とを有する。The exposure apparatus of this embodiment has a light source 1, an illumination optical system lens 2, a slit 3, a reticle stage 4, a reduction projection lens 6, a beam expander 7, a handler 8 and a condenser mirror 9.
【0011】光源1と照明光学系レンズとは照明光学系
を構成する。照明光学系レンズ2は光源1からの光を平
行な光束に整形するレンズである。スリット3は、直方
体として構成され、細長い開口部を有するものである。
スリット3は、照明光学系からの光を開口部からのみ通
過させて出力することにより、照明光学系レンズ2から
の光を絞って細長いスリット光とするものである。レチ
クルステージ4はレチクル5を支持するものである。ま
たレチクルステージ4は光軸と垂直方向に移動すること
により、照明光学系に対して、レチクル5の位置を相対
的に移動させるものである。縮小投影レンズ6はレチク
ル5からの光を縮小するものである。ビームエキスパン
ダ7は、縮小投影レンズ6から出力される光を拡張する
ものである。ビームエキスパンダ7は光を出力する側が
凹面となっており、これにより入射した光りを拡張する
ことができる。集光ミラー9はビームエキスパンダ7か
ら出力される光を半導体球10上に集光させるために、
光りを反射する面が凹面となっている。ハンドラ8は半
導体球を保持するものである。ハンドラ8の2つのアー
ムが、半導体球10を両側から固定し、回転すること
で、半導体球10を回転させる。The light source 1 and the illumination optical system lens constitute an illumination optical system. The illumination optical system lens 2 is a lens that shapes the light from the light source 1 into parallel light fluxes. The slit 3 is configured as a rectangular parallelepiped and has an elongated opening.
The slit 3 narrows the light from the illumination optical system lens 2 into an elongated slit light by outputting the light from the illumination optical system only through the opening and outputting the light. The reticle stage 4 supports the reticle 5. The reticle stage 4 moves in the direction perpendicular to the optical axis to move the position of the reticle 5 relative to the illumination optical system. The reduction projection lens 6 reduces the light from the reticle 5. The beam expander 7 expands the light output from the reduction projection lens 6. The beam expander 7 has a concave surface on the light output side, which allows the incident light to be expanded. The condenser mirror 9 condenses the light output from the beam expander 7 onto the semiconductor sphere 10.
The surface that reflects light is concave. The handler 8 holds the semiconductor sphere. The two arms of the handler 8 fix the semiconductor sphere 10 from both sides and rotate the semiconductor sphere 10, thereby rotating the semiconductor sphere 10.
【0012】次に本実施の形態の露光装置の動作につい
て説明する。Next, the operation of the exposure apparatus of this embodiment will be described.
【0013】照明光学系からの光がスリットに入射す
る。スリットに入射した光は、スリット3により、細長
いスリット光として出力される。スリット光は転写パタ
ーンを有するレチクル5の一部分に照射され、転写パタ
ーンの一部分を投影した光となって、レチクル5から出
力される。この光は縮小投影レンズ6を通過することに
より縮小され、縮小された光はビームエキスパンダ7を
通過することにより拡張され、集光ミラー9へと導かれ
る。集光ミラー9に照射された光は反射し、ハンドラ8
により保持された半導体球上で結像する。Light from the illumination optical system enters the slit. The light incident on the slit is output by the slit 3 as elongated slit light. The slit light is applied to a part of the reticle 5 having the transfer pattern, becomes a light projecting a part of the transfer pattern, and is output from the reticle 5. This light is reduced by passing through the reduction projection lens 6, and the reduced light is extended by passing through the beam expander 7 and guided to the condenser mirror 9. The light emitted to the condenser mirror 9 is reflected, and the handler 8
An image is formed on the semiconductor sphere held by.
【0014】またレチクルステージ4は一定速度で光軸
と垂直方向に移動することにより、スリット光に対する
レチクル5の相対位置を変化させる。これによりスリッ
ト光はレチクル5の転写パターンの各部を順次照射する
ことになり、転写パターンの全面を照射する。また、レ
チクル5の移動に同期するように、ハンドラ8がシリコ
ン球10を回転させることで、転写パターンがシリコン
球5の全面に転写される。The reticle stage 4 moves at a constant speed in the direction perpendicular to the optical axis to change the relative position of the reticle 5 with respect to the slit light. As a result, the slit light sequentially illuminates each part of the transfer pattern of the reticle 5, and illuminates the entire surface of the transfer pattern. Further, the transfer pattern is transferred onto the entire surface of the silicon sphere 5 by the handler 8 rotating the silicon sphere 10 in synchronization with the movement of the reticle 5.
【0015】本実施の形態によれば、45面体ミラーの
代わりに集光ミラー9を用いているので、シリコン球に
対する位置決めが容易となる。また光学系を簡素化でき
るので、露光装置全体としてのコストを低減させること
ができる。また転写パターンを連続的に形成できるの
で、ICを微細化する上で利点が高い。According to the present embodiment, since the condenser mirror 9 is used instead of the 45-sided mirror, the positioning with respect to the silicon sphere becomes easy. Further, since the optical system can be simplified, the cost of the exposure apparatus as a whole can be reduced. Further, since the transfer pattern can be continuously formed, it is highly advantageous in miniaturizing the IC.
【0016】図3は第2の実施の形態の露光装置の要部
側面図である。FIG. 3 is a side view of essential parts of the exposure apparatus according to the second embodiment.
【0017】第1の実施の形態の露光装置と同一又は相
当する構成要素に同一符号が付与され説明が省略され
る。The same or corresponding constituent elements as those of the exposure apparatus of the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【0018】本実施の形態の露光装置は、図示しない照
明光学系、スリット3、スキャニングミラー11、レチ
クルステージ4、縮小投影投影レンズ6、ビームエキス
パンダ7、コールドミラー12、集光ミラー9及びガイ
ドテーブル13を有する。スキャニングミラー11は、
スリット3からのスリット光を反射するものである。ス
キャニングミラー11は光軸方向に移動することによ
り、スリット光をレチクル5の各部に照射するものであ
る。コールドミラー12はビームエキスパンダ7からの
光を反射するものである。ガイドテーブル13はシリコ
ン球を転がすための溝が設けられている。The exposure apparatus of this embodiment includes an illumination optical system (not shown), a slit 3, a scanning mirror 11, a reticle stage 4, a reduction projection projection lens 6, a beam expander 7, a cold mirror 12, a condenser mirror 9 and a guide. It has a table 13. The scanning mirror 11 is
The slit light from the slit 3 is reflected. The scanning mirror 11 is adapted to irradiate each part of the reticle 5 with slit light by moving in the optical axis direction. The cold mirror 12 reflects the light from the beam expander 7. The guide table 13 is provided with a groove for rolling a silicon ball.
【0019】ガイドテーブル13の溝上にシリコン球1
0を等速度で転がすべく、図4のような機構が設けられ
ている。A silicon ball 1 is placed on the groove of the guide table 13.
A mechanism as shown in FIG. 4 is provided in order to roll 0 at a constant speed.
【0020】ガイドテーブル13の一端は軸により固定
されており、軸を支点として、ガイドテーブル13の他
端が上下に移動できるようになっている。またガイドテ
ーブル13の他端の下側には、図示しないモータで回転
する偏心カム15が当接されている。またガイドテーブ
ル13の他端はスプリング14により下方に引っ張られ
ている。One end of the guide table 13 is fixed by a shaft, and the other end of the guide table 13 can move up and down with the shaft as a fulcrum. An eccentric cam 15 rotated by a motor (not shown) is in contact with the lower side of the other end of the guide table 13. The other end of the guide table 13 is pulled downward by a spring 14.
【0021】次に動作について説明する。図5に示すよ
うに、偏心カム15が回転することにより、ガイドテー
ブル13の他端が下方向に移動する。これによりガイド
テーブル13が傾斜し、ガイドテーブル13の溝上のシ
リコン球が転がりだす。シリコン球10が所定の速度に
達したとき、図4に示すように偏心カム15を回転させ
ることで、ガイドテーブルを平行にし、シリコン球10
を等速転がり運動に移行させる。ガイドテーブル13の
平行度は、例えばデジタルマイクロメータ16により計
測させる。Next, the operation will be described. As shown in FIG. 5, as the eccentric cam 15 rotates, the other end of the guide table 13 moves downward. As a result, the guide table 13 tilts, and the silicon spheres on the grooves of the guide table 13 start rolling. When the silicon ball 10 reaches a predetermined speed, the guide table is made parallel by rotating the eccentric cam 15 as shown in FIG.
To a constant speed rolling motion. The parallelism of the guide table 13 is measured by, for example, a digital micrometer 16.
【0022】また露光動作中は、偏心カム15が微動
し、フォーカス調整をリアルタイムで行う。Further, during the exposure operation, the eccentric cam 15 finely moves to perform focus adjustment in real time.
【0023】次に本実施の形態の露光装置の動作につい
て説明する。照明光学系からの光はスリットを通過し、
スキャニングミラー11に照射される。照射されたスリ
ット光はスキャニングミラー11により反射し、レチク
ル5の一部分に入射する。レチクル5に入射した光は転
写パターンの一部分を投影した光となって、レチクル5
から出力される。レチクル5からの光は縮小投影レンズ
6及びビームエキスパンダ7を通過し、コールドミラー
12で反射する。コールドミラー12で反射した光は集
光ミラー9に入射し、さらに集光ミラー9で反射する。
集光ミラー9で反射した光はガイドテーブル13上を転
がるシリコン球10上で結像する。Next, the operation of the exposure apparatus of this embodiment will be described. Light from the illumination optics passes through the slit,
The scanning mirror 11 is illuminated. The illuminated slit light is reflected by the scanning mirror 11 and enters a part of the reticle 5. The light that has entered the reticle 5 becomes light that is a projection of a part of the transfer pattern.
Is output from. The light from the reticle 5 passes through the reduction projection lens 6 and the beam expander 7, and is reflected by the cold mirror 12. The light reflected by the cold mirror 12 enters the condenser mirror 9 and is further reflected by the condenser mirror 9.
The light reflected by the condenser mirror 9 forms an image on the silicon sphere 10 rolling on the guide table 13.
【0024】またスキャニングミラー11は、一定速度
で光軸方向に移動することにより、スリット光のレチク
ル5に照射する位置を変化させる。これによりスリット
光はレチクル5の転写パターンの各部を順次照射するこ
とになり、転写パターンの全面を照射する。また、スキ
ャニングミラー11の移動に同期するように、シリコン
球10がガイドテーブル13上を等速度で転がることに
より、転写パターンがシリコン球10の全面に転写され
る。Further, the scanning mirror 11 moves in the optical axis direction at a constant speed to change the position of the slit light irradiated onto the reticle 5. As a result, the slit light sequentially illuminates each part of the transfer pattern of the reticle 5, and illuminates the entire surface of the transfer pattern. Further, the silicon sphere 10 rolls on the guide table 13 at a constant speed in synchronization with the movement of the scanning mirror 11, so that the transfer pattern is transferred onto the entire surface of the silicon sphere 10.
【0025】本実施の形態では、縮小投影レンズ6から
の光をビームエキスパンダ7で拡張した光をコールドミ
ラー12で反射させ、集光ミラー9へ入射している。In the present embodiment, the light from the reduction projection lens 6 is expanded by the beam expander 7 and reflected by the cold mirror 12 to enter the condenser mirror 9.
【0026】しかしながら、縮小投影レンズ6からの光
をコールドミラー12で反射させ、コールドミラー12
で反射した光をビームエキスパンダ7で拡張し、集光ミ
ラー9へ入射してもよい。However, the light from the reduction projection lens 6 is reflected by the cold mirror 12, and the cold mirror 12
The light reflected by the beam expander 7 may be expanded by the beam expander 7 and incident on the condenser mirror 9.
【0027】本実施の形態では、シリコン球10が溝上
を転がりながら露光されるので、シリコン球10の位置
決めが容易である。またシリコン球10はガイドテーブ
ル13上を転がるだけで露光される為、スループットの
向上が期待できる。In this embodiment, since the silicon sphere 10 is exposed while rolling on the groove, the silicon sphere 10 can be easily positioned. Further, since the silicon sphere 10 is exposed only by rolling on the guide table 13, the throughput can be expected to be improved.
【0028】[0028]
【発明の効果】本発明ではシリコン球に対するミラーの
位置決めが容易となる。また光学系を簡素化できるの
で、露光装置全体としてのコストを低減させることがで
きる。また転写パターンを連続的に形成できるので、I
Cを微細化する上で利点が高い露光装置を提供できる。According to the present invention, the positioning of the mirror with respect to the silicon sphere becomes easy. Further, since the optical system can be simplified, the cost of the exposure apparatus as a whole can be reduced. Further, since the transfer pattern can be continuously formed, I
It is possible to provide an exposure apparatus that is highly advantageous in making C fine.
【図1】本発明の第1実施の形態の露光装置の要部側面
図FIG. 1 is a side view of a main part of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1の他の側からみた露光装置の要部側面図FIG. 2 is a side view of the main part of the exposure apparatus seen from the other side of FIG.
【図3】本発明の第2の実施の形態の露光装置の要部側
面図FIG. 3 is a side view of a main part of an exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図4】ガイドテーブルを傾ける機構を説明するための
図FIG. 4 is a view for explaining a mechanism for tilting the guide table.
【図5】ガイドテーブルを傾ける機構を説明するための
図FIG. 5 is a view for explaining a mechanism for tilting the guide table.
1 光源 2 照明光学レンズ 3 スリット 4 レチクルステージ 5 レチクル 6 縮小投影レンズ 7 ビームエキスパンダ 8 ハンドラ 9 集光ミラー 10 シリコン球 11 スキャニングミラー 12 コールドミラー 13 ガイドテーブル 1 light source 2 Illumination optical lens 3 slits 4 Reticle stage 5 reticle 6 Reduction projection lens 7 beam expander 8 handlers 9 Focusing mirror 10 Silicon sphere 11 scanning mirror 12 cold mirror 13 Guide table
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−195581(JP,A) 特開 平11−54406(JP,A) 特開 平11−54397(JP,A) 特開 平10−312945(JP,A) 特開 平10−256476(JP,A) 特開 平10−256123(JP,A) 特開 平6−134586(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/20 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-11-195581 (JP, A) JP-A-11-54406 (JP, A) JP-A-11-54397 (JP, A) JP-A-10- 312945 (JP, A) JP 10-256476 (JP, A) JP 10-256123 (JP, A) JP 6-134586 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (4)
ット光とするスリットと、転写パターンを有し、前記ス
リット光を受け取り前記転写パターンに対応した光にす
るマスクを、光軸と垂直方向に移動自在に支持するマス
クステージと、前記マスクからの光を縮小する縮小投影
レンズと、前記縮小投影レンズからの光を拡張するビー
ムエキスパンダと、前記ビームエキスパンダからの光を
半導体球上に集光させる集光ミラーと、前記半導体球を
回転可能に支持する手段とを有する露光装置。1. A mask having slits for narrowing light from an illumination optical system into elongated slit light and a transfer pattern, and a mask for receiving the slit light and converting the light into light corresponding to the transfer pattern in a direction perpendicular to an optical axis. A movably supporting mask stage, a reduction projection lens for reducing the light from the mask, a beam expander for expanding the light from the reduction projection lens, and the light from the beam expander on a semiconductor sphere. An exposure apparatus having a condenser mirror for condensing light and means for rotatably supporting the semiconductor sphere.
ット光とするスリットと、転写パターンを有するマスク
に対して、前記スリット光をずらしながら照射する手段
と、前記マスクからの光を縮小する縮小投影レンズと、
前記縮小投影レンズからの光を拡張するビームエキスパ
ンダと、前記ビームエキスパンダからの光を半導体球上
に集光させる集光ミラーと、前記半導体球を回転可能に
支持する手段とを有する露光装置。2. A slit for narrowing the light from the illumination optical system into an elongated slit light, and means for irradiating the mask having a transfer pattern while shifting the slit light, and reducing the light from the mask. Reduction projection lens,
An exposure apparatus having a beam expander for expanding the light from the reduction projection lens, a condenser mirror for condensing the light from the beam expander on a semiconductor sphere, and a means for rotatably supporting the semiconductor sphere. .
導体球が転がるガイド溝を有するガイドテーブルである
ことを特徴とする請求項2記載の露光装置。3. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the rotatably supporting means is a guide table having a guide groove in which the semiconductor sphere rolls.
手段は、前記マスクに対する相対位置を変更させなが
ら、前記スリット光を反射し前記マスクに照射するミラ
ーを有することを特徴とする請求項2記載の露光装置。4. The means for irradiating the slit light while shifting it includes a mirror for reflecting the slit light and irradiating the mask while changing the relative position to the mask. Exposure equipment.
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---|---|---|---|
JP10745699A JP3526780B2 (en) | 1999-04-15 | 1999-04-15 | Exposure apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP10745699A JP3526780B2 (en) | 1999-04-15 | 1999-04-15 | Exposure apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
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- 1999-04-15 JP JP10745699A patent/JP3526780B2/en not_active Expired - Fee Related
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