JP3519986B2 - 発光ダイオード素子 - Google Patents
発光ダイオード素子Info
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Description
ップと、その発光を吸収して波長変換した光を放出する
蛍光体などの色変換材料を備える発光ダイオード素子に
関する。
の発光を吸収して波長変換された光を放出する蛍光体な
どの色変換材料を組み合わせた素子は、特開平7−99
345号公報等に示されているが、蛍光体が発光ダイオ
ードモールド用樹脂の全体に分散するように混入されて
いるので、次のような問題がある。まず第一に、発光ダ
イオードの発光点からその光によって励起される蛍光体
までの距離に大きなバラツキが有る。そのため、発光ダ
イオードの光と蛍光体の光の混色として観察される光の
色相が一定せず(励起点までの距離が長くなると変換光
が長波長側にシフトする)、発光色にムラが生じ易い。
第2に、発光点と励起点の間隔が比較的長い状態が存在
し、この場合は弱い光で蛍光体が励起されるので、光変
換効率が小さくなり、発光素子全体の光度減少につなが
る。
11−40858号公報に開示の構成が知られている。
この公報に開示の構成は、発光ダイオード並びにそれを
配置する台座の上面に蛍光体を一定の厚さで形成するも
ので、このような構成とすることにより、発光点から励
起点までの距離が短くほぼ一定となり、上記の問題を解
消することができる。但し、発光ダイオード台座部のチ
ップから離れた部分の蛍光体には上記と同様の問題が残
るが、素子全体の発光特性に寄与する割合は少ないの
で、この点による影響は少ない。
は、基板の上面と平行に発光層が形成されるので、横方
向に放出される光の割合が多い。しかしながら、従来構
造では発光層の横方向に蛍光体が存在しない場合が有
り、この部分においては発光ダイオードの光が波長変換
されない状態が起こりうる。その結果、発光領域内の色
相の均一性が悪くなり、色むらの原因に成る。そこで本
発明は、上記の点を解決することを課題とする。すなわ
ち、色相が均一な発光ダイオード素子を提供することを
課題の1つとする。また、蛍光体による変換効率を高め
ることを課題の1つとする。
載のように、基板上面に発光層を含んだ半導体層が形成
された発光ダイオードチップと、このチップの上面を覆
う色変換材料とを備える発光ダイオード素子において、
前記チップの上面外周部に前記発光層を貫通する溝を形
成し、この溝に前記色変換材料を配置し、前記溝はこの
溝が貫通する半導体層の外周縁よりも内側に位置するこ
とを特徴とする。
に、基板上面に発光層を含んだ半導体層が形成された発
光ダイオードチップと、このチップの上面を覆う色変換
材料とを備える発光ダイオード素子において、前記チッ
プの上面外周部に段差とこの段差の内側に位置する溝を
形成し、前記溝は前記発光層を貫通するとともにこの溝
に前記色変換材料を配置したことを特徴とする。990445
1
の一実施例を、青色発光ダイオードチップとYAG系蛍
光体を組み合わせて白色発光を行う場合を例にとり図面
を参照して説明する。
図、図3に平面図を示すように、基板2の上面に発光層
3を含む半導体層4を形成し、この半導体層4の上面外
周部には、環状の溝5を形成している。基板2は、例え
ばサファイヤ基板とし、半導体層4は、窒化ガリウム
(GaN)系材料で形成し、その発光層3は、発光ピー
ク波長が460nm前後になるように設定された窒化イ
ンジウムガリウム(InGaN)/窒化ガリウム(Ga
N)の多重量子井戸構造としている。これらの半導体層
は、有機金属化学気相成長(MOCVD)法を用いて形
成される。半導体層4のP,Nの層には、P型電極6と
N型電極7が接続されている。P電極6はパラジウム
(Pd)系材料、N電極7はアルミニウム(Al)系材
料で形成され、それらはチップ1の上面に配置されてい
る。
8は、半導体層4の選択エッチングによって形成され
る。選択エッチングは、反応ガスとして塩素ガスを用い
た反応性イオンエッチング(RIE)によって行うこと
ができる。溝5は、その周囲に半導体層4が位置するよ
うに、半導体層4の外周縁よりも内側に形成し、段差8
の幅よりも若干広く形成されている。溝5は、半導体層
4、この例で発光層3の下側に位置するn層を貫通して
基板2に至る深さとしている。
は図1に示すように、台座9にチップボンドされた後
に、電極6,7に金ワイヤー10等を用いた配線が施さ
れることにより、台座9に装着される。チップ1は、チ
ップの高さ寸法よりも深くなるように台座9に形成され
たくぼみ11の底部に配置されている。電極6,7は、
台座9と別体のあるいは一体の電極(図示せず)にワイ
ヤボンド接続される。
座9に装着した後で、図1に示すように、発光ダイオー
ドチップ1の上面を覆うように蛍光体被膜12の形成が
行われる。蛍光体被膜12は、色変換材料として機能す
るものであり、発光ダイオードチップ1から発光された
光によって励起されて発光する粒子状の蛍光体を発光ダ
イオードチップ1に結着することにより形成される。蛍
光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネッ
ト系(YAG系)の蛍光体を用いることができ、白色の
光を得る場合には、発光ダイオードチップ1の発光色と
補色関係の発光色が得られる蛍光体が用いられる。蛍光
体被膜12は、粒子状蛍光体を気相や液層中に分散させ
て均一に放出させ、粒子状蛍光体の自重による沈降によ
ってチップ1表面に一定の厚さで形成することができ
る。この例では、低粘度の樹脂中に粒子状蛍光体を分散
させてそれを沈降させ、余分な樹脂を除去後に樹脂を硬
化させることにより、蛍光体被膜12を形成している。
蛍光体被膜12は、チップ1の溝5の中にも形成され
る。蛍光体被膜12を上記のようにチップ1を台座9に
装着後に形成する場合は、台座9の一部にも蛍光体被膜
12が形成される。このようにして、発光ダイオードチ
ップ1の表面に蛍光体被膜12を備える発光ダイオード
素子13を形成することができる。
電して発光ダイオードチップ1を発光させると、チップ
1の上面側並びに側面側から良好な白色光が観察され
た。ここで、環状の溝5に蛍光体を配置しているので、
発光ダイオードチップ1から出力される光の内でその割
合が比較的高い側面発光、特に、半導体層4を介して側
方に発光する光の通路に、蛍光体を配置したので、蛍光
体による色変換をより確実に行うことができるようにな
った。その結果、発光ダイオードチップ1からの光とそ
の光によって励起された蛍光体からの光を発光ダイオー
ドチップ1の近くで確実に混色して色相の均一性を高め
ることができた。
例に取ったが、本発明は、発光ダイオードチップ1の種
類や蛍光体の種類を変えることで、また、蛍光体以外の
色変換材料を用いることで、他の発光色の発光ダイオー
ド素子を作成した場合においても同様の効果(色相の均
一性の向上)が得られる。
せて蛍光体被膜12を形成する場合を例にとったが、本
発明は蒸着、スパッタ、インクジェット印刷法などによ
り蛍光体被膜を形成した場合においても、上記と同様の
効果(色相の均一性の向上)が得られる。
る半導体層を貫通するように溝5を形成した例を示した
が、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、先
の溝に変えて、発光ダイオードチップ1が図4に示すよ
うな溝5を備える場合にも本発明を適用することができ
る。すなわち、発光ダイオードチップ1として、発光層
3の上側に位置する半導体層4を貫通するように溝5を
形成した構成のものを用いる場合にも、本発明を適用す
ることができる。この場合の溝5は、基板2に至る深さ
とすることもできるが、少なくとも発光層3を貫通する
深さを備えていれば良い。このように溝5を形成し、そ
の中に蛍光体被膜12を配置することにより、発光層3
からその側方に放射される光を確実に蛍光体被膜12に
照射して発光点の近傍で蛍光体による励起光を発生させ
ることができる。
ード素子によれば、発光ダイオードチップの光放出点と
色変換材料の励起点の間隔を短く設定でき、両者の混色
を良好に行って色相の均一性の向上を図ることができる
とともに、色変換材料の変換効率を高く保つことができ
る。さらに、半導体層の外周縁よりも内側に環状の溝を
形成してその中に色変換材料を配置しているので、出力
光に占める割合が高い側面光の利用効率を高めることが
できる。
る。
る。
図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 基板上面に発光層を含んだ半導体層が形
成された発光ダイオードチップと、このチップの上面を
覆う色変換材料とを備える発光ダイオード素子におい
て、前記チップの上面外周部に前記発光層を貫通する溝
を形成し、この溝に前記色変換材料を配置し、前記溝は
この溝が貫通する半導体層の外周縁よりも内側に位置す
ることを特徴とする発光ダイオード素子。 - 【請求項2】 基板上面に発光層を含んだ半導体層が形
成された発光ダイオードチップと、このチップの上面を
覆う色変換材料とを備える発光ダイオード素子におい
て、前記チップの上面外周部に段差とこの段差の内側に
位置する溝を形成し、前記溝は前記発光層を貫通すると
ともにこの溝に前記色変換材料を配置したことを特徴と
する発光ダイオード素子。
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-
1999
- 1999-05-28 JP JP15047499A patent/JP3519986B2/ja not_active Expired - Fee Related
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