JP3510434B2 - Plasma processing apparatus, cleaning method - Google Patents
Plasma processing apparatus, cleaning methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを用いて
処理対象物の表面処理を行うプラズマ処理装置にかか
り、特に、そのプラズマを真空槽外に配置された高周波
アンテナで発生させるプラズマ処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus for surface-treating an object to be processed by using plasma, and more particularly to a plasma processing apparatus for generating the plasma by a high frequency antenna arranged outside a vacuum chamber. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、エッチング装置やプラズマＣ
ＶＤ装置やスパッタリング装置等の、真空槽内に発生さ
せたプラズマを用い、処理対象物表面のエッチングや薄
膜形成を行うプラズマ処理装置は広く用いられている。
そのようなプラズマ処理装置のうち、真空槽外に配置し
た高周波アンテナを用い、真空槽内に導入したプラズマ
用ガスとの誘導結合によってプラズマを発生させる誘導
型プラズマ処理装置の従来技術のものを図５に示す。2. Description of the Related Art Conventionally, etching equipment and plasma C
A plasma processing apparatus such as a VD apparatus or a sputtering apparatus that uses plasma generated in a vacuum chamber to perform etching or thin film formation on the surface of an object to be processed is widely used.
Among such plasma processing apparatuses, a conventional induction processing type plasma processing apparatus that generates plasma by inductive coupling with a plasma gas introduced into the vacuum chamber using a high-frequency antenna arranged outside the vacuum chamber is illustrated. 5 shows.
【０００３】このプラズマ処理装置１０１はエッチング
装置であり、真空槽１０２と、高周波アンテナ１０５
と、基板ホルダー１０６とを有している。基板ホルダー
１０６は真空槽１０２内に配置され、その上にシリコン
ウェハーである処理対象物１１０を載置できるように構
成されている。The plasma processing apparatus 101 is an etching apparatus, and includes a vacuum chamber 102 and a high frequency antenna 105.
And a substrate holder 106. The substrate holder 106 is arranged in the vacuum chamber 102, and a processing object 110, which is a silicon wafer, can be placed on the substrate holder 106.
【０００４】真空槽１０２は、石英で構成された誘電体
部材１０２1と、金属材料で構成された円筒槽壁１０２2
と、同様に金属材料で構成された底板１０２3とが気密
に接続されて構成されており、誘電体部材１０２1は天
板に、円筒槽壁１０２2は側壁に、底板１０２3は底壁に
されている。The vacuum chamber 102 comprises a dielectric member 102 1 made of quartz and a cylindrical chamber wall 102 2 made of a metal material.
And a bottom plate 102 3 which is also made of a metal material are hermetically connected to each other. The dielectric member 102 1 is a top plate, the cylindrical tank wall 102 2 is a side wall, and the bottom plate 102 3 is a bottom wall. Has been
【０００５】前述の高周波アンテナ１０５はループ形状
にされ、真空槽１０２の外側の誘電体部材１０２1上に
配置されており、誘電体部材１０２1と平行になるよう
にされている。The above-mentioned high-frequency antenna 105 has a loop shape, is arranged on the dielectric member 102 1 outside the vacuum chamber 102, and is arranged to be parallel to the dielectric member 102 1 .
【０００６】真空槽１０２の外部には、マッチングボッ
クス１１１1、１１１2と、高周波電源１１２1、１１２2
とが配置されており、高周波アンテナ１０５は、マッチ
ングボックス１１１1を介して高周波電源１１２1に接続
され、基板ホルダー１０６は、マッチングボックス１１
１2を介して高周波電源１１２2に接続され、個別に高周
波電力を投入できるように構成されている。Outside the vacuum chamber 102, matching boxes 111 1 and 111 2 and high frequency power supplies 112 1 and 112 2 are provided.
Are arranged, the high frequency antenna 105 is connected to the high frequency power supply 112 1 via the matching box 111 1 , and the substrate holder 106 is connected to the matching box 11 1.
Via 1 2 is connected to a high-frequency power source 1122 is configured to be individually high-frequency power.
【０００７】このようなプラズマ処理装置１０１内に処
理対象物１１０を搬入して、基板ホルダー１０６上に載
置し、真空槽１０２内を真空排気し、所定真空度に到達
した後、ＣＨＦ3ガスをプラズマ用ガスとして導入し、
高周波電源１１２1、１１２2を起動し、高周波アンテナ
１０５と基板ホルダー１０６とに高周波電力を投入する
と、真空槽１０２内にプラズマが発生し、処理対象物１
１０のエッチングが行われる。The object 110 to be processed is carried into the plasma processing apparatus 101, placed on the substrate holder 106, the inside of the vacuum chamber 102 is evacuated to a predetermined degree of vacuum, and then CHF 3 gas is supplied. Is introduced as a plasma gas,
When the high-frequency power supplies 112 1 and 112 2 are activated and high-frequency power is applied to the high-frequency antenna 105 and the substrate holder 106, plasma is generated in the vacuum chamber 102 and the processing target 1
Ten etchings are performed.
【０００８】このような誘導型のプラズマ処理装置１０
１では、真空槽１０２内にプラズマ発生用の電極を配置
する必要が無いため、プラズマ中に電極物質が混入せ
ず、清浄なプラズマが得られることから、不純物を嫌う
半導体製造装置に広く用いられている。Such an induction type plasma processing apparatus 10
In No. 1, since it is not necessary to dispose an electrode for plasma generation in the vacuum chamber 102, an electrode substance is not mixed in the plasma and a clean plasma can be obtained. Therefore, it is widely used in a semiconductor manufacturing apparatus that dislikes impurities. ing.
【０００９】しかしながら、上述のプラズマ処理装置１
０１では、誘電体部材１０２1の真空槽内の面にポリマ
ー１０９が付着して誘電体部材１０２1が曇ってしま
い、プラズマの生成、維持が困難になるという現象が知
られている。また、付着したポリマー１０９は、処理対
象物１１０のプラズマ処理中に剥離し、パーティクルと
なって処理対象物１１０に付着し、歩留まりを低下させ
るという問題があった。However, the plasma processing apparatus 1 described above
In No. 01, it is known that the polymer 109 adheres to the surface of the dielectric member 102 1 inside the vacuum chamber and the dielectric member 102 1 becomes cloudy, making it difficult to generate and maintain plasma. In addition, there is a problem that the adhered polymer 109 is separated during the plasma processing of the processing target 110 and becomes particles and adheres to the processing target 110, which lowers the yield.
【００１０】このようなポリマー１０９の付着の問題に
ついては、真空槽１０２内の清掃を頻繁に行うようにす
れば解決し得るが、煩雑であり、プラズマ処理装置の稼
働時間が短くなってしまうという問題がある。The problem of the adhesion of the polymer 109 can be solved by frequently cleaning the inside of the vacuum chamber 102, but it is complicated and the operating time of the plasma processing apparatus is shortened. There's a problem.
【００１１】そこで従来から対策が検討されており、誘
電体部材１０２の一部を覆うクリーニング電極を誘電体
部材１０２近傍に配置し、高周波電力を投入してプラズ
マ中のイオンを誘電体部材１０２1表面に照射させ、ポ
リマー１０９の付着を防止する試みが成されていた。Therefore, countermeasures have been studied in the past. A cleaning electrode that covers a part of the dielectric member 102 is arranged in the vicinity of the dielectric member 102, and high frequency power is applied to remove ions in plasma from the dielectric member 102 1. Attempts have been made to prevent the polymer 109 from adhering to the surface by irradiation.
【００１２】そのようなクリーニング電極を用いれば、
誘電体部材のクリーニング電極直下に位置する部分で
は、ポリマーの付着は防止できるものの、クリーニング
電極が配置されていない部分については、その効果は十
分ではなくポリマーが付着し、その部分からダストが発
生してしまうため、解決が望まれていた。If such a cleaning electrode is used,
Although it is possible to prevent the polymer from adhering to the portion of the dielectric member located directly below the cleaning electrode, the effect is not sufficient for the portion where the cleaning electrode is not placed, and the polymer adheres, and dust is generated from that portion. Therefore, a solution was desired.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたもので、その目的
は、ダストが発生することがないプラズマ処理装置を提
供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention was created to solve the above-mentioned disadvantages of the prior art, and an object thereof is to provide a plasma processing apparatus in which dust is not generated.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、槽壁の少なくとも一部が誘
電体部材で構成された真空槽と、前記誘電体部材の真空
槽外部側に配置された高周波アンテナとを有し、前記真
空槽内にプラズマ用ガスを導入し、前記高周波アンテナ
に高周波電力を投入すると、前記高周波アンテナと前記
プラズマ用ガスとの誘導結合によって、前記真空槽内に
プラズマを発生できるように構成されたプラズマ処理装
置であって、前記誘電体部材の一部を覆うクリーニング
電極が前記誘電体部材付近に配置され、前記真空槽内に
発生したプラズマと静電結合できるように構成され、前
記クリーニング電極には移動手段が設けられ、前記誘電
体部材表面を走査できるように構成され、前記高周波ア
ンテナに投入される高周波電力の位相と、前記クリーニ
ング電極に投入される高周波電力の位相はずらされたこ
とを特徴とするプラズマ処理装置である。請求項２記載
の発明は、前記高周波アンテナに投入される高周波電力
と、前記クリーニング電極に投入される高周波電力と
は、周波数が同じにされたことを特徴とする請求項１記
載のプラズマ処理装置である。請求項３記載の発明は、
前記移動手段は前記クリーニング電極を回転運動させる
ように構成されたことを特徴とする請求項１又は請求項
２のいずれか１項記載のプラズマ処理装置である。請求
項４記載の発明は、前記回転運動が４ｒｐｍ以上である
ことを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置であ
る。請求項５記載の発明は、前記クリーニング電極が覆
う前記誘電体部材の面積は、前記誘電体部材の面積の１
／５以下にされたことを特徴とする請求項１乃至請求項
４のいずれか１項記載のプラズマ処理装置である。請求
項６記載の発明は、槽壁の少なくとも一部が誘電体部材
で構成された真空槽と、前記誘電体部材の真空槽外部側
に配置された高周波アンテナと、前記誘電体部材の一部
を覆い、前記誘電体部材付近に配置されたクリーニング
電極とを有するプラズマ処理装置の前記真空槽内に処理
対処物を配置し、前記真空槽内にプラズマ用ガスを導入
し、前記高周波アンテナと前記クリーニング電極に位相
がずれた高周波電力を投入し、前記高周波アンテナと前
記プラズマ用ガスとの誘導結合によって前記真空槽内に
プラズマを発生させ、前記処理対象物を処理しながら、
前記クリーニング電極と前記プラズマの間の静電結合に
よって、前記誘電体部材に正イオンを入射させ、前記誘
電体部材のクリーニングを行うプラズマ処理方法であ
る。In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is a vacuum chamber in which at least a part of a chamber wall is made of a dielectric member, and a vacuum chamber for the dielectric member. Having a high-frequency antenna arranged on the outside, introducing plasma gas into the vacuum chamber, and applying high-frequency power to the high-frequency antenna, by inductive coupling between the high-frequency antenna and the plasma gas, the A plasma processing apparatus configured to generate plasma in a vacuum chamber, wherein a cleaning electrode covering a part of the dielectric member is disposed near the dielectric member, and plasma generated in the vacuum chamber is included. The cleaning electrode is configured to be electrostatically coupled, is provided with a moving unit, and is configured to scan the surface of the dielectric member, and is inserted into the high frequency antenna. And phase of the RF power, the RF power of the phase to be introduced to the cleaning electrode is a plasma processing apparatus characterized in that offset. The invention according to claim 2 is characterized in that the high frequency power applied to the high frequency antenna and the high frequency power applied to the cleaning electrode have the same frequency. Is. The invention according to claim 3 is
3. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the moving unit is configured to rotate the cleaning electrode. The invention according to claim 4 is the plasma processing apparatus according to claim 3, wherein the rotational movement is 4 rpm or more. According to a fifth aspect of the invention, the cleaning electrode is covered.
The area of the dielectric member is 1 of the area of the dielectric member.
Claims 1 to 5, characterized in that
4. The plasma processing apparatus according to any one of 4 above. According to a sixth aspect of the invention, a vacuum chamber in which at least a part of the chamber wall is formed of a dielectric member, a high frequency antenna disposed outside the vacuum chamber of the dielectric member, and a part of the dielectric member. A treatment object is placed in the vacuum chamber of a plasma processing apparatus having a cleaning electrode disposed in the vicinity of the dielectric member, a plasma gas is introduced into the vacuum chamber, and the high-frequency antenna and the High-frequency power having a phase shifted to the cleaning electrode is applied, plasma is generated in the vacuum chamber by inductive coupling between the high-frequency antenna and the plasma gas, and the object to be processed is processed,
In the plasma processing method, positive ions are made incident on the dielectric member by electrostatic coupling between the cleaning electrode and the plasma to clean the dielectric member.
【００１５】このようなプラズマ処理装置では、クリー
ニング電極が形成した電界が、誘電体部材表面にポリマ
ーが付着することを妨げ、また、真空槽内に発生したプ
ラズマ中の正イオンを引き寄せ、誘電体部材表面に入射
させるので、誘電体部材表面に形成されたポリマーを除
去することができる。このクリーニング電極は、誘電体
部材の一部を覆っているだけであるので、高周波アンテ
ナとプラズマ用ガスとの誘導結合を妨害することはな
く、他方、移動手段を動作させると、クリーニング電極
は誘電体表面を走査できるので、誘電体表面に部分的に
ポリマーが付着することがなくなる。In such a plasma processing apparatus, the electric field formed by the cleaning electrode prevents the polymer from adhering to the surface of the dielectric member and also attracts the positive ions in the plasma generated in the vacuum chamber to cause the dielectric substance. Since the light is made incident on the surface of the member, the polymer formed on the surface of the dielectric member can be removed. Since this cleaning electrode only covers a part of the dielectric member, it does not interfere with the inductive coupling between the high frequency antenna and the plasma gas. On the other hand, when the moving means is operated, the cleaning electrode becomes dielectric. Since the body surface can be scanned, the polymer does not partially adhere to the dielectric surface.
【００１６】この請求項１記載のプラズマ処理装置は、
高周波アンテナに投入される高周波電力と、クリーニン
グ電極に投入される高周波電力とが、位相がずらされて
いるので、特に効果的である。また、移動手段がクリー
ニング電極を回転運動させるように構成されていれば、
簡単な構成で誘電体部材表面を隈なく走査できて都合が
よい。The plasma processing apparatus according to claim 1 is
The high frequency power applied to the high frequency antenna and the high frequency power applied to the cleaning electrode are out of phase with each other, which is particularly effective. Further, if the moving means is configured to rotate the cleaning electrode,
It is convenient that the surface of the dielectric member can be thoroughly scanned with a simple configuration.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】図１の符号１は、本発明の一例で
あり、処理対象物のエッチングを行うプラズマ処理装置
である。このプラズマ処理装置１は、石英等の板状の誘
電体材料が円盤状に成形されて成る誘電体部材１２
1と、金属材料が円筒形形状に成形されて成る円筒槽壁
１２2と、金属材料が円盤状に成形されて成る底板１２3
とで構成された真空槽１２を有している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference numeral 1 in FIG. 1 is an example of the present invention, and is a plasma processing apparatus for etching an object to be processed. The plasma processing apparatus 1 includes a dielectric member 12 formed by molding a plate-shaped dielectric material such as quartz into a disk shape.
1 , a cylindrical tank wall 12 2 formed by molding a metal material into a cylindrical shape, and a bottom plate 12 3 formed by molding a metal material into a disc shape
It has a vacuum chamber 12 composed of
【００１９】誘電体部材１２1と底板１２3とは、円筒槽
壁１２2の開放端部分にそれぞれ気密に設けられてお
り、誘電体部材１２1が真空槽１２の天板を構成し、円
筒槽壁１２2が側壁を構成し、底板１２3が底壁を構成す
るようにされている。また、この真空槽１２内は図示し
ない真空ポンプによって真空排気できるように構成され
ている。The dielectric member 12 1 and the bottom plate 12 3 are airtightly provided at the open end portions of the cylindrical tank wall 12 2 , and the dielectric member 12 1 constitutes the top plate of the vacuum tank 12, The tank wall 12 2 constitutes a side wall, and the bottom plate 12 3 constitutes a bottom wall. Further, the inside of the vacuum chamber 12 is configured to be evacuated by a vacuum pump (not shown).
【００２０】真空槽１２内の底部には、基板ホルダー２
６が配置されており、真空槽１２外部における誘電体部
材１２1近傍には、高周波アンテナ１５が配置されてい
る。At the bottom of the vacuum chamber 12, the substrate holder 2
6 is arranged, and a high frequency antenna 15 is arranged near the dielectric member 12 1 outside the vacuum chamber 12.
【００２１】真空槽１２外部には、マッチングボックス
２１1、２１2と、高周波電源２２1、２２2とが配置され
ており、高周波アンテナ１５はマッチングボックス２１
1を介して高周波電源２２1に接続され、基板ホルダー２
６はマッチングボックス２１2を介して高周波電源２２2
に接続され、個別に高周波電力を投入できるように構成
されている。Outside the vacuum chamber 12, matching boxes 21 1 and 21 2 and high-frequency power sources 22 1 and 22 2 are arranged, and the high-frequency antenna 15 includes the matching box 21.
The substrate holder 2 is connected to the high frequency power supply 22 1 via 1
6 is a high-frequency power source 22 2 via the matching box 21 2
It is configured to be able to individually input high frequency power.
【００２２】高周波アンテナ１５は２ターンのループ形
状にされ、そのループ面が誘電体部材１２1と平行にな
るようにされており、高周波アンテナ１５に高周波電力
(１３．５６ＭＨｚ)を投入すると、真空槽１２内に導入
されるプラズマ用ガスと磁気結合し、プラズマ用ガスを
励起できるように構成されている。The high frequency antenna 15 has a two-turn loop shape, and its loop surface is parallel to the dielectric member 12 1.
When (13.56 MHz) is input, the plasma gas introduced into the vacuum chamber 12 is magnetically coupled to the plasma gas, and the plasma gas can be excited.
【００２３】この真空槽１２内の基板ホルダー２６に、
シリコンウェハー等の基板から成る処理対象物１０を載
置し、真空槽１２内を真空排気して高真空状態にした
後、プラズマ用ガスを導入し、高周波電源２２1を起動
して高周波アンテナ１５に高周波電力を投入すると、真
空槽１２内にプラズマが発生する。On the substrate holder 26 in the vacuum chamber 12,
After placing a processing object 10 made of a substrate such as a silicon wafer, the inside of the vacuum chamber 12 is evacuated to a high vacuum state, a plasma gas is introduced, and the high frequency power supply 22 1 is activated to activate the high frequency antenna 15. When high frequency power is applied to the plasma, plasma is generated in the vacuum chamber 12.
【００２４】このとき、高周波電源２２2によって基板
ホルダー２６に高周波電力を投入すると、プラズマ中の
正イオンが処理対象物１０に入射し、処理対象物１０表
面のスパッタエッチングが行われる。At this time, when high frequency power is applied to the substrate holder 26 by the high frequency power source 22 2 , positive ions in the plasma are incident on the object 10 to be processed, and the surface of the object 10 is sputter-etched.
【００２５】高周波アンテナ１５と誘電体部材１２1の
間には、高周波アンテナ１５のループ径と同径のループ
形状の永久磁石２３が配置されており、永久磁石２３が
真空槽１２内に形成する磁場によって電子を螺旋運動さ
せ、効率よくプラズマを生成できるように構成されてい
る。[0025] During high frequency antenna 15 and the dielectric member 12 1, the loop diameter and the permanent magnets 23 of the loop shape of the same diameter of the high frequency antenna 15 and is arranged, the permanent magnet 23 is formed in the vacuum chamber 12 It is configured so that electrons can be spirally moved by a magnetic field to efficiently generate plasma.
【００２６】このプラズマ処理装置１では、永久磁石２
３と誘電体部材１２1との間に、図１(ｂ)に示すような
クリーニング電極７a、又は、図１(ｃ)に示すようなク
リーニング電極７bが配置されている。In this plasma processing apparatus 1, the permanent magnet 2
A cleaning electrode 7a as shown in FIG. 1 (b) or a cleaning electrode 7b as shown in FIG. 1 (c) is arranged between the electrode 3 and the dielectric member 12 1 .
【００２７】クリーニング電極７a(又は７b)は、一つの
円盤形状の中心部７1と、同じ幅で同じ長さに成形され
た８本の腕部７2とを有しており、各腕部７2は中心部７
1を中心として、等間隔で放射状に接続されている。中
心部７1は、モーターで構成された移動手段２８の回転
軸２９に、絶縁部材２７を介して取り付けられており、
移動手段２８を動作させると、クリーニング電極７a(又
は７b)は、腕部７2が誘電体部材１２1と一定距離を維持
し、全体が誘電体部材１２1と平行に、円筒槽壁１２2の
中心軸線を回転軸線として回転運動をできるように構成
されている。The cleaning electrode 7a (or 7b) has one disk-shaped center portion 7 1 and eight arm portions 7 2 formed with the same width and the same length. 7 2 is the central part 7
They are connected radially at equal intervals with 1 as the center. The central portion 7 1 is attached to the rotating shaft 29 of the moving means 28 composed of a motor via the insulating member 27,
When the moving means 28 is operated, the cleaning electrode 7a (or 7b) maintains the arm member 7 2 at a constant distance from the dielectric member 12 1 , and the cleaning electrode 7a (or 7b) is entirely parallel to the dielectric member 12 1 and the cylindrical tank wall 12 2 It is configured to be able to perform a rotational movement with the central axis of the as a rotation axis.
【００２８】このとき、クリーニング電極７a(又は７b)
の中心部７1には、図示しない給電ブラシが接触されて
おり、その給電ブラシに接続された可変容量コンデンサ
２４(１０ｐＦ〜１００ｐＦ程度)を介して高周波アンテ
ナ１５と電気的に接続されている。At this time, the cleaning electrode 7a (or 7b)
The central portion 71 of which is contact with power supply brush, not shown, it is electrically connected to the high frequency antenna 15 via a variable capacitor 24 connected to the power supply brush (about 10pF to 100pF).
【００２９】従って、クリーニング電極７a(又は７b)に
は、回転運動中であっても高周波アンテナ１５に印加さ
れる高周波電圧とは位相のずれた高周波電圧が印加され
るように構成されている。Therefore, the cleaning electrode 7a (or 7b) is configured to be applied with a high frequency voltage having a phase shifted from the high frequency voltage applied to the high frequency antenna 15 even during the rotational movement.
【００３０】他方、高周波アンテナ１５に高周波電力が
投入され、発生した磁束は腕部７2の間から真空槽１２
内に侵入し、導入されたプラズマ用ガスと誘導結合を
し、真空槽１２内にプラズマが生成される。このとき、
クリーニング電極７a(又は７b)は、主として腕部７2の
部分が真空槽１２内に電場を形成し、プラズマ用ガスと
静電結合をし、プラズマ中の正イオンを引き込んで誘電
体部材１２1表面に入射させ、付着したポリマーをスパ
ッタリングする。On the other hand, high frequency power is applied to the high frequency antenna 15, and the generated magnetic flux is generated between the arms 7 2 in the vacuum chamber 12
The gas invades inside and is inductively coupled with the introduced plasma gas, and plasma is generated in the vacuum chamber 12. At this time,
In the cleaning electrode 7a (or 7b), the arm portion 7 2 mainly forms an electric field in the vacuum chamber 12 and electrostatically couples with the plasma gas to draw in positive ions in the plasma to induce the dielectric member 12 1 It is incident on the surface and the attached polymer is sputtered.
【００３１】このとき、移動手段２８によってクリーニ
ング電極７a(又は７b)が一定速度で回転するので、腕部
７2が円形形状の誘電体部材１２1表面を一定速度で隈な
く走査し、誘電体部材１２1のポリマーが付着しやすい
表面全域に正イオンを入射させるので、ポリマーは付着
しないか、一旦付着したポリマーはスパッタリングによ
って除去される。At this time, since the cleaning electrode 7a (or 7b) is rotated at a constant speed by the moving means 28, the arm portion 7 2 scans the surface of the circular dielectric member 12 1 at a constant speed, and the dielectric member 12 Since the positive ions are incident on the entire surface of the member 12 1 where the polymer is likely to be attached, the polymer is not attached or the polymer once attached is removed by sputtering.
【００３２】このように、誘電体部材１２1の一部を覆
うクリーニング電極７a(又は７b)が誘電体部材１２1の
表面を走査することで、ポリマーの付着を防止できる。
但し、クリーニング電極７aでは、中心部分７1近傍の中
心付近と腕部７2端部の外縁部分とを比べた場合、外縁
部分の誘電体部材１２1では、腕部７2が位置する平均的
な時間が短く、その部分に正イオンが入射する時間が短
くなってしまう。[0032] Thus, by cleaning the electrode 7a which covers a portion of the dielectric member 12 1 (or 7b) scans the surface of the dielectric member 12 1, it is possible to prevent the adhesion of polymer.
However, in the cleaning electrode 7a, when the vicinity of the center in the vicinity of the central portion 7 1 and the outer edge portion of the end portion of the arm portion 7 2 are compared, in the dielectric member 12 1 at the outer edge portion, the average arm portion 7 2 is located. The short period of time is short, and the time for positive ions to enter that portion is short.
【００３３】他方、クリーニング電極７bでは、腕部７2
の途中から、外周方向に伸びる枝部７3が設けられてお
り、誘電体部材１２1の外縁部分に正イオンが入射する
時間が、中心付近と大差ないように構成されており、誘
電体部材１２1の外周付近のクリーニング効率が向上す
るようにされている。On the other hand, in the cleaning electrode 7b, the arm 7 2
A branch portion 7 3 extending in the outer peripheral direction is provided from the middle of the position of the dielectric member 12 1 so that the time when the positive ions are incident on the outer edge portion of the dielectric member 12 1 is not much different from that near the center. The cleaning efficiency near the outer circumference of 12 1 is improved.
【００３４】このプラズマ処理装置１のプラズマ用ガス
にＣＨＦ3ガスを用い、成膜対象物１０のエッチング処
理を行いながらクリーニング電極７aを回転させた。プ
ロセス条件は、ＣＨＦ3ガス流量を５０sccm、真空槽１
２内の圧力を０．２Ｐａ、高周波アンテナ１５への投入
電力を１０００Ｗ、基板ホルダー２６への投入電力を３
００Ｗとした。CHF 3 gas was used as the plasma gas of the plasma processing apparatus 1, and the cleaning electrode 7a was rotated while the film-forming target 10 was being etched. The process conditions are CHF 3 gas flow rate of 50 sccm, vacuum chamber 1
The pressure in 2 is 0.2 Pa, the input power to the high frequency antenna 15 is 1000 W, and the input power to the substrate holder 26 is 3
It was set to 00W.
【００３５】クリーニング電極７ａの回転速度が５ｒｐ
ｍの場合、８インチのシリコンウェハーを３０００枚以
上エッチング処理してもダストの発生は観察されなかっ
た。他方、クリーニング電極７ａを静止させた場合、２
３０枚の処理でダストが発生し始めた。The rotation speed of the cleaning electrode 7a is 5 rp
In the case of m, dust generation was not observed even if 3000 or more 8-inch silicon wafers were etched. On the other hand, when the cleaning electrode 7a is stationary, 2
Dust started to be generated after processing 30 sheets.
【００３６】次に、誘電体部材１２1にポリマーを付着
させ、プラズマ用ガスとしてアルゴンガスを真空槽１２
内に導入し、成膜対象物を搬入しないでプラズマを発生
させ、誘電体部材１２1のクリーニングを行った。高周
波アンテナ１５への投入電力は１０００Ｗ、基板ホルダ
ー２６への投入電力は３００Ｗとした。回転速度とクリ
ーニング結果の関係を下記表に示す。Next, a polymer is attached to the dielectric member 12 1 , and argon gas is used as a plasma gas in the vacuum chamber 12
It was introduced into the chamber and plasma was generated without carrying in the film-forming target to clean the dielectric member 12 1 . The input power to the high frequency antenna 15 was 1000 W, and the input power to the substrate holder 26 was 300 W. The relationship between the rotation speed and the cleaning result is shown in the table below.
【００３７】[0037]
【表１】 [Table 1]
【００３８】クリーニング電極７aを４ｒｐｍ以上の回
転速度で回転させた場合、誘電体部材１２1の曇りを除
去することができた。When the cleaning electrode 7a was rotated at a rotation speed of 4 rpm or more, it was possible to remove the fog on the dielectric member 12 1 .
【００３９】他方、クリーニング電極７aを用いなかっ
た場合やクリーニング電極７aを回転させなかった場合
は勿論、クリーニング電極７aを回転させた場合でも４
ｒｐｍ未満の回転速度では誘電体部材１２1の曇りを除
去できず、ダストの発生を防止できなかった。On the other hand, when the cleaning electrode 7a is not used, the cleaning electrode 7a is not rotated, or even when the cleaning electrode 7a is rotated, 4
When the rotation speed was lower than rpm, the fogging of the dielectric member 12 1 could not be removed, and the generation of dust could not be prevented.
【００４０】次に、本発明の他の実施の形態を、図１の
プラズマ処理装置１と共通する部材には同じ符号を付し
て説明する。Next, another embodiment of the present invention will be described by assigning the same reference numerals to the members common to the plasma processing apparatus 1 of FIG.
【００４１】図２(ａ)の符号２は、円筒形状の真空槽１
３の周囲にループ形状の高周波アンテナ１６(ここでは
２ターン)が配置されたプラズマ処理装置である。この
真空槽１３は、金属材料が円盤状に成形されて成る天板
１３1、底板１３3と、石英材料が円筒形形状に成形され
て成る誘電体部材１３2とを有しており、誘電体部材１
３2の開放端に天板１３1と底板１３3がそれぞれ気密に
取り付けられて構成されており、図示しない真空ポンプ
によって真空槽１３内部を真空排気できるようにされて
いる。前述の高周波アンテナ１６は、誘電体部材１３2
の周囲に近接して巻かれている。Reference numeral 2 in FIG. 2A indicates a cylindrical vacuum chamber 1
3 is a plasma processing apparatus in which a loop-shaped high-frequency antenna 16 (here, 2 turns) is arranged around 3. The vacuum chamber 13 has a top plate 13 1 and a bottom plate 13 3 formed by molding a metallic material into a disc shape, and a dielectric member 13 2 formed by molding a quartz material into a cylindrical shape. Body member 1
A top plate 13 1 and a bottom plate 13 3 are airtightly attached to the open end of 3 2 , respectively, and the inside of the vacuum chamber 13 can be evacuated by a vacuum pump (not shown). The above-mentioned high frequency antenna 16 has the dielectric member 13 2
Wrapped in close proximity to.
【００４２】この真空槽１３の内部には、処理対象物１
０を載置できるように構成された基板ホルダー２６が配
置されており、基板ホルダー２６や高周波アンテナ１６
と、マッチングボックス２１1、２１2、高周波電源２２
1、２２2との電気的接続状態は、前述のプラズマ処理装
置１と同様である。Inside the vacuum chamber 13, the object to be treated 1
A substrate holder 26 configured so that 0 can be placed is arranged, and the substrate holder 26 and the high frequency antenna 16 are arranged.
And matching boxes 21 1 and 21 2 and high frequency power supply 22
The electrical connection state with 1 and 22 2 is the same as that of the plasma processing apparatus 1 described above.
【００４３】このプラズマ処理装置２では、高周波アン
テナ１６と誘電体部材１３2との間に図２(ｂ)に示す形
状のクリーニング電極８が配置されており、そのクリー
ニング電極８は、図示しない給電ブラシと可変容量コン
デンサ２４とを介して高周波アンテナ１６に電気的に接
続されている点もプラズマ処理装置１と同様である。In this plasma processing apparatus 2, a cleaning electrode 8 having the shape shown in FIG. 2 (b) is arranged between the high frequency antenna 16 and the dielectric member 13 2. The cleaning electrode 8 has a power supply (not shown). It is also similar to the plasma processing apparatus 1 in that it is electrically connected to the high frequency antenna 16 via the brush and the variable capacitor 24.
【００４４】このクリーニング電極８は、絶縁板を介し
て図示しない移動手段に接続されており、その移動手段
を動作させると、誘電体部材１３2の中心軸線を回転中
心として、一定速度で回転できるように構成されてい
る。The cleaning electrode 8 is connected to a moving means (not shown) via an insulating plate, and when the moving means is operated, it can rotate at a constant speed with the central axis of the dielectric member 13 2 as the center of rotation. Is configured.
【００４５】クリーニング電極８は、切り欠き８3を有
する円筒体８1と、該円筒体８1から櫛の歯状に立設され
た腕部８2とを有しており、全体で五徳形状を成すよう
に構成されている。このようなクリーニング電極８が回
転した場合、腕部８2が誘電体部材１３2表面を隈なく走
査できる。The cleaning electrode 8 has a cylindrical body 8 1 having a notch 8 3 and an arm portion 8 2 erected from the cylindrical body 8 1 in the shape of a comb tooth, and has a vitreous shape as a whole. Is configured to. When such a cleaning electrode 8 rotates, the arm portion 8 2 can scan the surface of the dielectric member 13 2 without any trouble.
【００４６】このプラズマ処理装置２でも、処理対象物
１０のプラズマ処理中には、クリーニング電極８に高周
波アンテナ１６とは位相のずれた高周波電圧が印加され
るので、そのクリーニング電極８を一定速度で回転させ
ると(４ｒｐｍ以上)、誘電体部材１３2内周面にはポリ
マーが付着することがなくなる。In this plasma processing apparatus 2 as well, during the plasma processing of the object 10 to be processed, a high-frequency voltage having a phase different from that of the high-frequency antenna 16 is applied to the cleaning electrode 8, so that the cleaning electrode 8 is driven at a constant speed. When rotated (4 rpm or more), the polymer does not adhere to the inner peripheral surface of the dielectric member 13 2 .
【００４７】他方、クリーニング電極８を回転させずに
多数の処理対象物１０をプラズマ処理し、誘電体部材１
３2内面にポリマーが付着した場合でも、真空槽１３内
に処理対象物を配置しないでプラズマを発生させ、クリ
ーニング電極８を回転させると、誘電体部材１３2内周
面に付着したポリマーをクリーニングできる。なお、上
述の円筒体８1の切欠部は、プラズマを安定に生成・維
持するために必要である。On the other hand, a large number of objects 10 to be processed are plasma-processed without rotating the cleaning electrode 8 to remove the dielectric member 1.
3 even 2 if the inner surface to the polymer is attached, not place the processing object in the vacuum chamber 13 to generate plasma, by rotating the cleaning electrode 8, cleaning the polymer adhering to the inner dielectric member 13 2 peripheral surface it can. The above-mentioned cutout portion of the cylindrical body 8 1 is necessary to stably generate and maintain plasma.
【００４８】次に、図３に示したプラズマ処理装置３を
説明する。このプラズマ処理装置３が有する真空槽１４
は、石英材料がドーム形状に成形されて成る誘電体部材
１４1と、金属材料が円筒形状に成形されて成る円筒槽
壁１４2と、金属材料が円盤状に成形されて成る底板１
２3とを有しており、円筒槽壁１４2の開放端部に誘電体
部材１２1と底板１２3とがそれぞれ気密に設けられ、内
部を真空排気できるように構成されている。Next, the plasma processing apparatus 3 shown in FIG. 3 will be described. Vacuum chamber 14 included in the plasma processing apparatus 3
Is a dielectric member 14 1 made of a dome-shaped quartz material, a cylindrical tank wall 14 2 made of a cylindrical metallic material, and a bottom plate 1 made of a metallic disk.
2 3 and the dielectric member 12 1 and the bottom plate 12 3 are airtightly provided at the open end of the cylindrical tank wall 14 2 so that the inside can be evacuated.
【００４９】誘電体部材１４1の周囲には、ループ形状
の高周波アンテナ１７(ここでは２ターン)が巻かれてお
り、高周波アンテナ１７と誘電体部材１４1との間に
は、クリーニング電極９が配置されている。[0049] Around the dielectric member 14 1, and is wound (2 turns in this case) high frequency antenna 17 of the loop-shaped, between the radio-frequency antenna 17 and the dielectric member 14 1, the cleaning electrode 9 It is arranged.
【００５０】この真空槽１４内にも、処理対象物１０を
載置できるように構成された基板ホルダー２６が設けら
れており、高周波アンテナ１７や基板ホルダー２６と、
マッチングボックス２１1、２１2、高周波電源２２1、
２２2との電気的接続状態は上述のプラズマ処理装置
１、２と同様である。A substrate holder 26 configured to mount the object 10 to be processed is also provided in the vacuum chamber 14, and the high frequency antenna 17 and the substrate holder 26 are provided.
Matching boxes 21 1 , 21 2 , high frequency power supply 22 1 ,
The electrical connection state with 22 2 is similar to that of the plasma processing apparatuses 1 and 2 described above.
【００５１】クリーニング電極９は、絶縁部材２７を介
して移動手段２８の回転軸２９に接続されており、移動
手段２８が起動すると、円筒槽壁１４2の中心軸線を回
転軸線として一定速度で回転できるように構成されてい
る。The cleaning electrode 9 is connected to the rotating shaft 29 of the moving means 28 via the insulating member 27. When the moving means 28 is activated, the cleaning electrode 9 is rotated at a constant speed with the central axis of the cylindrical tank wall 14 2 as the rotating axis. It is configured to be able to.
【００５２】クリーニング電極９には給電ブラシが接触
されており、その給電ブラシは、高周波アンテナ１７に
接続された可変容量コンデンサ２４に接続されており、
クリーニング電極９が回転運動をする場合でも、高周波
アンテナ１７とは位相がずれた高周波電圧が印加される
ように構成されている。A power supply brush is in contact with the cleaning electrode 9, and the power supply brush is connected to a variable capacitor 24 connected to the high frequency antenna 17,
Even when the cleaning electrode 9 makes a rotational movement, a high frequency voltage having a phase different from that of the high frequency antenna 17 is applied.
【００５３】そのクリーニング電極９の平面図を図４
(ａ)に、正面図を同図(ｂ)に、底面図を同図(ｃ)に示
す。中心部９1を中心として８本の腕部９2が放射状に設
けられており、中心部９1と腕部９2は誘電体部材１４1
の半径よりもやや大き目の半径の球面に沿って曲げられ
ている。その球面中心と誘電体部材１４1の球面中心は
一致するように配置され、それら球面中心を回転軸線上
に位置させてクリーニング電極９を回転させると、誘電
体部材１４1と腕部９2との間は、一定距離を維持し、腕
部９2が誘電体部材１４1表面を隈なく走査できる。FIG. 4 is a plan view of the cleaning electrode 9.
A front view and a bottom view are shown in (a), (b) and (c), respectively. Heart 9 1 8 arm portions 9 2 around the is provided radially central portion 9 1 and the arm 9 2 dielectric member 14 1
It is bent along a spherical surface with a radius slightly larger than the radius of. The spherical center of the dielectric member 14 1 and the spherical center of the dielectric member 14 1 are arranged so as to coincide with each other. When the cleaning electrode 9 is rotated with the spherical center positioned on the rotation axis, the dielectric member 14 1 and the arm portion 9 2 become During this period, the arm portion 9 2 can scan the surface of the dielectric member 14 1 without interruption while maintaining a constant distance.
【００５４】このクリーニング電極９を用いたプラズマ
処理装置３でも、プラズマ処理装置１、２と同様に、誘
電体部材１４1からダストが発生することを防止でき、
誘電体部材１４1表面のクリーニングを行うことができ
る。Even in the plasma processing apparatus 3 using this cleaning electrode 9, it is possible to prevent dust from being generated from the dielectric member 14 1 like the plasma processing apparatuses 1 and 2.
The surface of the dielectric member 14 1 can be cleaned.
【００５５】以上のプラズマ処理装置１、２、３は、エ
ッチング装置であったが、本発明はそれに限定されるも
のではなく、プラズマＣＶＤ装置やスパッタリング装置
等、高周波アンテナでプラズマを発生させるプラズマ処
理装置が広く含まれる。The above plasma processing apparatuses 1, 2, and 3 are etching apparatuses, but the present invention is not limited to them, and plasma processing such as plasma CVD apparatus or sputtering apparatus for generating plasma with a high frequency antenna. Equipment is widely included.
【００５６】上述のクリーニング電極は、放射状のもの
や五徳形状のものに限定されるものではなく、高周波ア
ンテナとプラズマ用ガスとの誘導結合を妨げないような
形状に成形され、誘電体部材の一部(誘電体部材の１／
５以下の面積が望ましい)を覆い、誘電体表面を走査で
きるように構成されていればよい。そのクリーニング電
極は誘電体表面近傍にあればよく、非接触の状態で回転
しても、接触しながら回転してもよい。The above-mentioned cleaning electrode is not limited to a radial shape or a Gotoku shape, but is formed into a shape that does not hinder the inductive coupling between the high frequency antenna and the plasma gas. Part (1 / of the dielectric member
It is preferable that it is configured so that it can scan the surface of the dielectric material by covering an area of 5 or less). The cleaning electrode only needs to be in the vicinity of the surface of the dielectric, and may rotate without contact or with contact.
【００５７】上記各例では、可変容量コンデンサ２４
(及び給電ブラシ)を介してクリーニング電極７、８、９
と高周波アンテナ１５、１６、１７とを電気的に接続し
たが、可変容量コンデンサ２４に替え、可変チョークを
用いて接続してもよい。また、クリーニング電極は高周
波アンテナとは別の高周波電源に接続してもよいが周波
数は同じで位相が異なるようにするのが望ましい。In each of the above examples, the variable capacitor 24
(And power supply brush) through the cleaning electrodes 7, 8, 9
Although the high frequency antennas 15, 16 and 17 are electrically connected to each other, a variable choke may be used instead of the variable capacitor 24 for connection. Further, the cleaning electrode may be connected to a high frequency power source different from the high frequency antenna, but it is desirable that the cleaning electrode has the same frequency and a different phase.
【００５８】[0058]
【発明の効果】誘電体部材にポリマーが付着せず、ダス
トが発生しなくなる。誘電体部材表面に付着したポリマ
ーを除去できるので、ダストが発生する前に真空槽内の
クリーニングを行うことができる。The polymer does not adhere to the dielectric member and dust is not generated. Since the polymer attached to the surface of the dielectric member can be removed, the inside of the vacuum chamber can be cleaned before dust is generated.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】(ａ)：本発明のプラズマ処理装置の第１の例
(ｂ)、(ｃ)：そのプラズマ処理装置に用いられるクリ
ーニング電極FIG. 1A is a first example of the plasma processing apparatus of the present invention.
(b), (c): Cleaning electrode used in the plasma processing apparatus
【図２】(ａ)：本発明のプラズマ処理装置の第２の例
(ｂ)：そのプラズマ処理装置に用いられるクリーニン
グ電極FIG. 2A is a second example of the plasma processing apparatus of the present invention.
(b): Cleaning electrode used in the plasma processing apparatus
【図３】本発明のプラズマ処理装置の第３の例FIG. 3 is a third example of the plasma processing apparatus of the present invention.
【図４】(ａ)：そのプラズマ処理装置に用いられるクリ
ーニング電極の平面図 (ｂ)：その正面図 (ｃ)：
その底面図FIG. 4A is a plan view of a cleaning electrode used in the plasma processing apparatus. FIG. 4B is a front view thereof.
Its bottom view
【図５】従来技術のプラズマ処理装置FIG. 5 is a prior art plasma processing apparatus.
１、２、３……プラズマ処理装置 ７a、７b、８、
９……クリーニング電極 １２、１３、１４……真
空槽 １２1、１３2、１４1……誘電体部材
１５、１６、１７……高周波アンテナ ２８……移
動手段1, 2, 3 ... Plasma processing apparatus 7a, 7b, 8,
9 ... Cleaning electrode 12, 13, 14 ... Vacuum chamber 12 1 , 13 2 , 14 1 ... Dielectric member
15, 16, 17 ... High-frequency antenna 28 ... Moving means
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−48832（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−189296（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−237778（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−124902（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−83697（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−30424（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−161488（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−160162（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−160163（ＪＰ，Ａ) 特表 平５−502971（ＪＰ，Ａ) 特許3429391（ＪＰ，Ｂ２) 特許3181473（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23F 4/00 C23C 16/50 H01L 21/3065 Continuation of front page (56) Reference JP-A 63-48832 (JP, A) JP-A 10-189296 (JP, A) JP-A 9-237778 (JP, A) JP-A 8-124902 (JP , A) JP-A-8-83697 (JP, A) JP-A-3-30424 (JP, A) JP-A-7-161488 (JP, A) JP-A-4-160162 (JP, A) JP-A-4-160162 (JP, A) 4-160163 (JP, A) Special Table 5-502971 (JP, A) Patent 3423991 (JP, B2) Patent 3181473 (JP, B2) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C23F 4/00 C23C 16/50 H01L 21/3065
Claims (6)
成された真空槽と、 前記誘電体部材の真空槽外部側に配置された高周波アン
テナとを有し、 前記真空槽内にプラズマ用ガスを導入し、前記高周波ア
ンテナに高周波電力を投入すると、前記高周波アンテナ
と前記プラズマ用ガスとの誘導結合によって、前記真空
槽内にプラズマを発生できるように構成されたプラズマ
処理装置であって、 前記誘電体部材の一部を覆うクリーニング電極が前記誘
電体部材付近に配置され、前記真空槽内に発生したプラ
ズマと静電結合できるように構成され、 前記クリーニング電極には移動手段が設けられ、前記誘
電体部材表面を走査できるように構成され、 前記高周波アンテナに投入される高周波電力の位相と、
前記クリーニング電極に投入される高周波電力の位相は
ずらされたことを特徴とするプラズマ処理装置。1. A vacuum chamber in which at least a part of a chamber wall is formed of a dielectric member, and a high-frequency antenna arranged outside the vacuum chamber of the dielectric member, wherein a plasma chamber is provided in the vacuum chamber. A plasma processing apparatus configured to generate a plasma in the vacuum chamber by introducing a gas and applying high-frequency power to the high-frequency antenna, by inductive coupling between the high-frequency antenna and the gas for plasma, A cleaning electrode that covers a part of the dielectric member is arranged near the dielectric member, is configured to be capable of electrostatically coupling with plasma generated in the vacuum chamber, and the cleaning electrode is provided with a moving unit. The dielectric member surface is configured to be able to scan, the phase of the high frequency power input to the high frequency antenna,
A plasma processing apparatus, wherein the phase of the high frequency power applied to the cleaning electrode is shifted.
力と、前記クリーニング電極に投入される高周波電力と
は、周波数が同じにされたことを特徴とする請求項１記
載のプラズマ処理装置。2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the high frequency power applied to the high frequency antenna and the high frequency power applied to the cleaning electrode have the same frequency.
転運動させるように構成されたことを特徴とする請求項
１又は請求項２のいずれか１項記載のプラズマ処理装
置。3. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the moving unit is configured to rotate the cleaning electrode.
特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。4. The plasma processing apparatus according to claim 3, wherein the rotational movement is 4 rpm or more.
材の面積は、前記誘電体部材の面積の１／５以下にされ
たことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１
項記載のプラズマ処理装置。 5. The dielectric portion covered by the cleaning electrode
The area of the material is less than 1/5 of the area of the dielectric member.
Any one of claims 1 to 4 characterized in that
Paragraph 2.
された真空槽と、 前記誘電体部材の真空槽外部側に配置された高周波アン
テナと、 前記誘電体部材の一部を覆い、前記誘電体部材付近に配
置されたクリーニング電極とを有するプラズマ処理装置
の前記真空槽内に処理対処物を配置し、 前記真空槽内にプラズマ用ガスを導入し、前記高周波ア
ンテナと前記クリーニング電極に位相がずれた高周波電
力を投入し、前記高周波アンテナと前記プラズマ用ガス
との誘導結合によって前記真空槽内にプラズマを発生さ
せ、前記処理対象物を処理しながら、前記クリーニング
電極と前記プラズマの間の静電結合によって、前記誘電
体部材に正イオンを入射させ、前記誘電体部材のクリー
ニングを行うプラズマ処理方法。6. A vacuum chamber in which at least a part of a chamber wall is made of a dielectric member, a high-frequency antenna arranged outside the vacuum chamber of the dielectric member, and a part of the dielectric member is covered. A treatment target is disposed in the vacuum chamber of a plasma processing apparatus having a cleaning electrode disposed near the dielectric member, a plasma gas is introduced into the vacuum chamber, and the high frequency antenna and the cleaning electrode are introduced. A high-frequency power with a phase shift is applied, plasma is generated in the vacuum chamber by inductive coupling between the high-frequency antenna and the plasma gas, and the plasma is generated between the cleaning electrode and the plasma while processing the object to be processed. Plasma treatment method in which positive ions are made incident on the dielectric member by electrostatic coupling to clean the dielectric member.
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| JP32910896A JP3510434B2 (en) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | Plasma processing apparatus, cleaning method |
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| JP3429391B2 (en) | 1995-05-22 | 2003-07-22 | 株式会社アルバック | Plasma processing method and apparatus |
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