JP3501121B2 - Optical head and image forming apparatus using the same - Google Patents
Optical head and image forming apparatus using the sameInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光ヘッドおよびそ
れを用いた画像形成装置に関し、特に、基板上に有機薄
膜材料で形成されるエレクトロルミネセンス素子、また
は、無機材料で形成される発光ダイオードで発光素子を
形成すると共に、発光素子の形成時に検出素子を同時に
一体化して作り込み、露光機能とラインイメージセンサ
とを一体化した光ヘッドおよびそれを用いた画像形成装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical head and an image forming apparatus using the same, and more particularly, to an electroluminescent element formed of an organic thin film material on a substrate or a light emitting diode formed of an inorganic material. The present invention relates to an optical head in which a light emitting element is formed by using a light emitting element and a detection element is integrally formed at the same time when the light emitting element is formed, and an exposure function and a line image sensor are integrated, and an image forming apparatus using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、この種の電子写真プロセスを用い
た画像形成装置において、特に、複数色を重ねて画像形
成をおこない高品質画像を得ようとする場合は、各色間
の印字位置ずれを検出する手段と、補正する手段とが必
要とされていた。2. Description of the Related Art Conventionally, in an image forming apparatus using this type of electrophotographic process, especially when an attempt is made to form a high quality image by superimposing a plurality of colors on each other, the print position deviation between the colors is Means for detecting and means for correcting were needed.
【0003】位置ずれを検出するためには、専用の検知
手段を設ける必要があるが、特開平11−157134
に開示の印刷装置では、転写材搬送ベルトユニット上に
画像所定のパターンを形成し、パターンを光学的に検出
する専用のセンサを設けて、位置ずれ検出を行い、位置
ずれ検出情報に基付いて位置ずれ補正を行う技術が開示
されている。In order to detect the positional deviation, it is necessary to provide a dedicated detecting means, but it is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 11-157134.
In the printing apparatus disclosed in the above, a predetermined sensor for optically forming a pattern is formed on the transfer material conveying belt unit, and a dedicated sensor for optically detecting the pattern is provided to detect the positional deviation, and based on the positional deviation detection information. A technique for performing positional deviation correction is disclosed.
【0004】しかしながら、パターンを光学的に検出す
る専用のセンサは、高解像度であることと高精度である
ことが要求されるため、複数の光学系部品から構成され
ることになり、構造の複雑さに加え、高精度な組み立て
を必要とされ、光学系部品コストおよび組み立て工数の
増大により、製造コストが上昇してしまい、結果的に装
置のコストアップを招くという欠点がある。However, since the dedicated sensor for optically detecting the pattern is required to have high resolution and high accuracy, it is composed of a plurality of optical system parts, and the structure is complicated. In addition, high precision assembly is required, and the cost of the optical system and the number of assembling steps increase, resulting in an increase in manufacturing cost, resulting in an increase in cost of the apparatus.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
複数色を重ねて画像形成をおこなう画像形成装置におい
て、高品質画像を得る場合に、各色間の印字位置ずれを
検出する光学的な専用のセンサを設けると、このセンサ
は、高解像度であることと高精度であることが要求さ
れ、センサを構成する光学系が複雑となり、光学系部品
のコスト、および組み立て工数の増大により、製造コス
トが上昇してしまい、結果的に画像形成装置のコストア
ップを招くという課題がある。As described above,
In an image forming apparatus that forms images by superimposing a plurality of colors, when a high-quality image is obtained, if an optical exclusive sensor for detecting the print position deviation between each color is provided, this sensor has a high resolution. High accuracy is required, the optical system that composes the sensor becomes complicated, the manufacturing cost rises due to the increase in the cost of optical system parts and the number of assembly steps, and as a result, the cost of the image forming apparatus increases. There is a problem of inviting.
【0006】本発明の目的は、このような高価な専用の
センサを検出手段として別個に設けることなく、検出機
能を製造工程で簡単に組み込んだ露光機能とラインイメ
ージセンサとを一体化した潜像形成用光ヘッド、および
それを用いた画像形成装置を提供することにある。An object of the present invention is to form a latent image in which an exposure function and a line image sensor are integrated, in which a detection function is easily incorporated in a manufacturing process without separately providing such an expensive dedicated sensor as a detection means. An object is to provide a forming optical head and an image forming apparatus using the same.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の光ヘッドは、行
方向と列方向とに二次元に配置された発光素子と、発光
素子の各列に対応して一行に配置され出力光の反射光を
検出する検出素子と、行出力線を介して信号を出力し発
光素子と検出素子とを駆動する行選択用駆動回路と、列
出力線を介して信号を出力し発光素子と検出素子とを駆
動する発光データ書き込み用駆動回路と、列出力線に対
応した列入力線を介して発光素子と検出素子とに接続さ
れ発光素子と検出素子との光出力を検出する光検出回路
と、行選択用駆動回路と発光データ書き込み用駆動回路
とに信号を供給すると共に光検出回路からの出力を入力
し発光データ書き込み用駆動回路の制御を行う制御回路
とを有することを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION An optical head according to the present invention includes a light emitting element which is two-dimensionally arranged in a row direction and a column direction, and an output light which is arranged in one row corresponding to each column of the light emitting element. the light
A detection element for detection, a row selection drive circuit that outputs a signal through a row output line to drive the light emitting element and the detection element, and a signal that outputs a signal through a column output line to drive the light emitting element and the detection element Drive circuit for writing light emission data, a light detection circuit connected to the light emitting element and the detection element through a column input line corresponding to the column output line to detect the light output of the light emitting element and the detection element, and for row selection And a control circuit for supplying a signal to the drive circuit and the light emission data writing drive circuit and inputting an output from the photodetector circuit to control the light emission data writing drive circuit.
【0008】発光素子と前記検出素子とは、同一透明基
板上に形成されることを特徴とする。The light emitting element and the detecting element are formed on the same transparent substrate.
【0009】発光素子は、透明基板の上に一体化して形
成される薄膜構成の光検出部と、有機薄膜材料で形成さ
れエレクトロルミネセンス(EL)素子からなる発光部
と、薄膜トランジスタ(TFT)とを有し、光検出部
は、薄膜半導体からなる有感領域と、有感領域の両端に
配置され外部から電圧が印加される薄膜半導体からなる
コンタクト領域とを有し、発光部は、有機EL層と、有
機EL層を挟んで形成される不透明電極と透明電極とを
有し、光検出部と透明基板との間に遮光層を有すること
を特徴とする。The light emitting element comprises a thin film photodetection portion integrally formed on a transparent substrate, a light emitting portion formed of an organic thin film material and composed of an electroluminescence (EL) element, and a thin film transistor (TFT). And the photodetector has a sensitive region made of a thin film semiconductor and contact regions made of a thin film semiconductor arranged at both ends of the sensitive region to which a voltage is applied from the outside. It is characterized in that it has a layer, an opaque electrode and a transparent electrode formed with the organic EL layer sandwiched therebetween, and has a light shielding layer between the photodetection section and the transparent substrate.
【0010】検出素子は、透明基板の上に一体化して形
成される薄膜構成の光検出部と、有機薄膜材料で形成さ
れエレクトロルミネセンス(EL)素子からなる発光部
と、薄膜トランジスタ(TFT)とを有し、光検出部
は、薄膜半導体からなる有感領域と、有感領域の両端に
配置され外部から電圧が印加される薄膜半導体からなる
コンタクト領域とを有し、発光部は、有機EL層と、有
機EL層を挟んで形成される不透明電極と透明電極とを
有し、光検出部と発光部との間に遮光層を有することを
特徴とする。The detection element includes a thin film photodetection section integrally formed on a transparent substrate, a light emitting section formed of an organic thin film material and composed of an electroluminescence (EL) element, and a thin film transistor (TFT). And the photodetector has a sensitive region made of a thin film semiconductor and contact regions made of a thin film semiconductor arranged at both ends of the sensitive region to which a voltage is applied from the outside. It is characterized in that it has a layer, an opaque electrode and a transparent electrode which are formed with the organic EL layer sandwiched therebetween, and has a light shielding layer between the photodetection section and the light emitting section.
【0011】発光素子は、透明基板の上に形成される薄
膜構成の光検出部と、透明電極と、透明電極上に無機材
料で形成される発光部と、薄膜トランジスタ(TFT)
とを有し、光検出部は、薄膜半導体からなる有感領域
と、有感領域の両端に配置され外部から電圧が印加され
る薄膜半導体からなるコンタクト領域とを有し、光検出
部と透明基板との間に遮光層を有することを特徴とす
る。The light emitting element includes a thin film photodetection portion formed on a transparent substrate, a transparent electrode, a light emitting portion formed of an inorganic material on the transparent electrode, and a thin film transistor (TFT).
The photodetector has a sensitive region made of a thin film semiconductor and contact regions made of a thin film semiconductor arranged at both ends of the sensitive region to which a voltage is applied from the outside. A light-shielding layer is provided between the substrate and the substrate.
【0012】検出素子は、透明基板の上に形成される薄
膜構成の光検出部と、透明電極と、透明電極上に無機材
料で形成される発光部と、薄膜トランジスタ(TFT)
とを有し、光検出部は、薄膜半導体からなる有感領域
と、有感領域の両端に配置され外部から電圧が印加され
る薄膜半導体からなるコンタクト領域とを有し、光検出
部と発光部との間に遮光層を有することを特徴とする。The detection element comprises a thin film photodetection section formed on a transparent substrate, a transparent electrode, a light emitting section made of an inorganic material on the transparent electrode, and a thin film transistor (TFT).
The photodetector has a sensitive region made of a thin film semiconductor, and contact regions made of a thin film semiconductor arranged at both ends of the sensitive region to which a voltage is applied from the outside. It is characterized in that it has a light-shielding layer between it and the section.
【0013】発光部は、透明電極上にn型GaP基板を
形成し、n型GaP基板上にn型AlInP層、p型A
lGaInP層、p型AlInP層、p型GaP層を順
次積層した発光ダイオードからなることを特徴とする。In the light emitting portion, an n-type GaP substrate is formed on a transparent electrode, an n-type AlInP layer and a p-type A are formed on the n-type GaP substrate.
The light emitting diode is characterized by comprising a 1GaInP layer, a p-type AlInP layer, and a p-type GaP layer sequentially stacked.
【0014】制御回路は、行列状に配置された発光素子
を選択して発光素子内の発光部を発光させ任意の発光パ
ターンを形成する制御を行うことを特徴とする。The control circuit is characterized in that the light emitting elements arranged in a matrix are selected, and the light emitting sections in the light emitting elements are caused to emit light to perform control for forming an arbitrary light emitting pattern.
【0015】制御回路は、発光素子内の発光部からの光
の一部を光検出部で検出することにより発光部の出力の
制御を行うことを特徴とする。The control circuit is characterized by controlling the output of the light emitting portion by detecting a part of the light from the light emitting portion in the light emitting element by the light detecting portion.
【0016】発光素子は、発光部からの光の一部を光検
出部で検出し、発光部からの出力光が透明基板を通過
し、外部からの反射光は遮光層により遮蔽され光検出部
には入射されないことを特徴とする。The light emitting element detects a part of the light from the light emitting portion by the light detecting portion, the output light from the light emitting portion passes through the transparent substrate, and the reflected light from the outside is shielded by the light shielding layer and the light detecting portion. It is characterized in that it is not incident on.
【0017】検出素子は、発光部からの出力光が透明基
板を通過し、外部からの反射光を光検出部で検出するこ
とを特徴とする。The detecting element is characterized in that the output light from the light emitting portion passes through the transparent substrate and the reflected light from the outside is detected by the light detecting portion.
【0018】上記光ヘッドを有する画像形成装置である
ことを特徴とする。An image forming apparatus having the above optical head is characterized.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】次に、本発明の光ヘッドの実施の
形態について、図面を参照して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the optical head of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0020】図1は、本発明の光ヘッドの第一の実施の
形態を示す概略構成ブロック図、図2(a)は、図1中
の発光素子100を示す平面図、図2(b)は、図2
(a)のAA断面図、図3(a)は、図1中の検出素子
101を示す平面図、図3(b)は、図3(a)のBB
断面図、図4は、発光素子100および検出素子101
の回路構成の模式図ある。FIG. 1 is a schematic block diagram showing a first embodiment of an optical head of the present invention, FIG. 2 (a) is a plan view showing a light emitting device 100 in FIG. 1, and FIG. 2 (b). Is shown in FIG.
3A is a cross-sectional view taken along the line AA, FIG. 3A is a plan view showing the detection element 101 in FIG. 1, and FIG. 3B is a BB shown in FIG.
A cross-sectional view, FIG. 4, shows a light emitting element 100 and a detection element 101.
3 is a schematic diagram of a circuit configuration of FIG.
【0021】なお、同一構成要素は、同一符号で表示し
ている。The same constituent elements are indicated by the same reference numerals.
【0022】図1を参照すると、本発明の光ヘッド40
は、行方向と列方向とに二次元に配置された発光素子1
00と、各列方向の発光素子100に対応して配置され
る一行の検出素子101と、行出力線111を介して信
号を出力し発光素子100と検出素子101とを駆動す
る行選択用駆動回路110と、列出力線121を介して
信号を出力し発光素子100と検出素子101とを駆動
する発光データ書き込み用駆動回路120と、列出力線
121に対応した列入力線131を介して発光素子10
0と検出素子101とに接続され発光素子100と検出
素子101との光出力を検出する光検出回路130と、
行選択用駆動回路110と発光データ書き込み用駆動回
路120とに信号を供給すると共に光検出回路130か
らの出力を入力し発光データ書き込み用駆動回路120
の制御を行う制御回路140とから構成されている。Referring to FIG. 1, the optical head 40 of the present invention.
Is a light emitting element 1 arranged two-dimensionally in the row direction and the column direction.
00, a row of detection elements 101 arranged corresponding to the light emitting elements 100 in each column direction, and a row selection drive that outputs a signal via the row output line 111 to drive the light emitting elements 100 and the detection elements 101. A circuit 110, a light emission data writing drive circuit 120 for outputting a signal via the column output line 121 to drive the light emitting element 100 and the detection element 101, and light emission via a column input line 131 corresponding to the column output line 121. Element 10
0 and the detection element 101, and a light detection circuit 130 for detecting the light output of the light emitting element 100 and the detection element 101,
A signal is supplied to the row selection drive circuit 110 and the light emission data write drive circuit 120, and the output from the photodetector circuit 130 is input to the light emission data write drive circuit 120.
And a control circuit 140 for controlling the above.
【0023】図2(a)〜(b)を参照すると、発光素
子100は、透明基板10の上に一体化して形成される
薄膜構成の光検出部2と、有機薄膜材料で形成されエレ
クトロルミネセンス(EL)素子からなる発光部1と、
薄膜トランジスタ(TFT)3とで構成され、光検出部
2は、ポリシリコンの薄膜半導体層14からなる光検出
が行われる有感領域14aと、有感領域14aの両端に
配置され外部から電圧が印加されるリン(P)の元素を
高濃度で含んだコンタクト領域14bとからなり、発光
部1は、有機EL層21と、有機EL層21を挟んで形
成される不透明電極22と、透明電極20とからなり、
光検出部2と透明基板10との間に外部からの反射光が
遮蔽され光検出部2には入射されないよう遮光層11が
設けられ、透明電極20は、薄膜トランジスタ(TF
T)3のソース・ドレイン電極18と接続される構成と
なっている。Referring to FIGS. 2A and 2B, the light emitting device 100 includes a light detecting portion 2 having a thin film structure integrally formed on the transparent substrate 10 and an electroluminescence device formed of an organic thin film material. A light emitting unit 1 including a sense (EL) element,
The thin film transistor (TFT) 3 is provided, and the light detection unit 2 is provided with a sensitive region 14a formed of a thin film semiconductor layer 14 of polysilicon and on which both ends of the sensitive region 14a are applied and a voltage is applied from the outside. The light emitting portion 1 includes the organic EL layer 21, the opaque electrode 22 formed with the organic EL layer 21 sandwiched therebetween, and the transparent electrode 20. Consists of
A light shielding layer 11 is provided between the light detection unit 2 and the transparent substrate 10 so that reflected light from the outside is blocked and does not enter the light detection unit 2, and the transparent electrode 20 is a thin film transistor (TF).
T) 3 source / drain electrodes 18 are connected.
【0024】図3(a)〜(b)を参照すると、検出素
子101は、透明基板10の上に一体化して形成される
薄膜構成の光検出部2と、有機薄膜材料で形成されエレ
クトロルミネセンス(EL)素子からなる発光部1と、
薄膜トランジスタ(TFT)3とで構成され、光検出部
2は、ポリシリコンの薄膜半導体層14からなる光検出
が行われる有感領域14aと、有感領域14aの両端に
配置され外部から電圧が印加されるリン(P)の元素を
高濃度で含んだコンタクト領域14bとからなり、発光
部1は、有機EL層21と、有機EL層21を挟んで形
成される不透明電極22と、透明電極20とからなり、
光検出部2と発光部1との間には発光部1からの出射光
が光検出部2へ入射されるのを遮蔽する遮光層11bが
設けられ、透明電極20は、薄膜トランジスタ(TF
T)3のソース・ドレイン電極18と接続される構成と
なっている。Referring to FIGS. 3 (a) and 3 (b), the detection element 101 includes a photodetection section 2 having a thin film structure integrally formed on the transparent substrate 10, and an electroluminescence device formed of an organic thin film material. A light emitting unit 1 including a sense (EL) element,
The thin film transistor (TFT) 3 is provided, and the light detection unit 2 is provided with a sensitive region 14a formed of a thin film semiconductor layer 14 of polysilicon and on which both ends of the sensitive region 14a are applied and a voltage is applied from the outside. The light emitting portion 1 includes the organic EL layer 21, the opaque electrode 22 formed with the organic EL layer 21 sandwiched therebetween, and the transparent electrode 20. Consists of
A light shielding layer 11b is provided between the light detection unit 2 and the light emission unit 1 to block light emitted from the light emission unit 1 from entering the light detection unit 2, and the transparent electrode 20 is a thin film transistor (TF).
T) 3 source / drain electrodes 18 are connected.
【0025】また、上述の発光素子100および検出素
子101は、共に、透明基板10上に遮光層11を形成
後に形成されるバリア層12と、バリア層12上に薄膜
半導体層14と分離して形成される薄膜半導体層13の
薄膜トランジスタ(TFT)3のソース・ドレイン領域
13bとチャンネル領域13aと、薄膜半導体層13上
に形成されるゲート絶縁膜15とゲート電極16と、層
間絶縁膜17と、透明絶縁材料で形成される平坦化膜1
9と、封止層23とを有する構成となっている。The light emitting element 100 and the detection element 101 described above are both separated from the barrier layer 12 formed after forming the light shielding layer 11 on the transparent substrate 10 and the thin film semiconductor layer 14 on the barrier layer 12. A source / drain region 13b and a channel region 13a of the thin film transistor (TFT) 3 of the thin film semiconductor layer 13 formed, a gate insulating film 15 and a gate electrode 16 formed on the thin film semiconductor layer 13, an interlayer insulating film 17, Planarization film 1 formed of transparent insulating material
9 and the sealing layer 23.
【0026】図4を参照すると、発光部1と光検出部2
とは、共に2端子素子(ダイオード)とみなすことがで
き、それぞれLD、PDの記号を付してある。また、こ
れらLD、PDの一端に接続された薄膜トランジスタ
(TFT)3には、それぞれTr1、Tr3の記号を付
している。更に、Tr1のゲートをある一定の電位に保
持するための静電容量Ch、および、この静電容量Ch
を所望のレベルまで充電するための薄膜トランジスタ
(TFT)3からなるTr2がTr1に接続されてお
り、Tr1、Tr3のソース・ドレイン電極18は、一
般には異なる電圧が印加される電源線Vdd1、Vdd
2に接続される。Referring to FIG. 4, the light emitting section 1 and the light detecting section 2
Can be regarded as a two-terminal element (diode), and are denoted by LD and PD, respectively. Further, thin film transistors (TFTs) 3 connected to one ends of these LD and PD are denoted by symbols Tr1 and Tr3, respectively. Furthermore, an electrostatic capacitance Ch for holding the gate of Tr1 at a certain constant potential, and this electrostatic capacitance Ch
Tr2, which is a thin film transistor (TFT) 3 for charging the battery to a desired level, is connected to Tr1, and the source / drain electrodes 18 of Tr1 and Tr3 are generally power supply lines Vdd1 and Vdd to which different voltages are applied.
Connected to 2.
【0027】また、PDには静電容量Csが並列に接続
されている。そして、Tr2、Tr3のゲートは、行選
択用駆動回路110の行出力線111に接続され、Tr
2のソース・ドレイン電極18とPDのカソードは、そ
れぞれ発光データ書き込み用の駆動回路120の列出力
線121と、光検出回路130の列入力線131に接続
される。A capacitance Cs is connected in parallel to the PD. The gates of Tr2 and Tr3 are connected to the row output line 111 of the row selection drive circuit 110, and Tr
The second source / drain electrode 18 and the cathode of the PD are connected to the column output line 121 of the drive circuit 120 for writing the emission data and the column input line 131 of the photodetector circuit 130, respectively.
【0028】発光素子100および検出素子101の違
いは、発光素子100が発光のみをおこない内部のPD
を発光強度制御に用いるのに対し、検出素子101は出
力光の反射光をPDで受けるセンサとして動作するとこ
ろにある。The difference between the light emitting element 100 and the detecting element 101 is that the light emitting element 100 emits light only and the internal PD
Is used for controlling the emission intensity, whereas the detection element 101 is operating as a sensor that receives the reflected light of the output light at the PD.
【0029】図1、図4を参照すると、ある横方向一行
の全ての発光素子100および検出素子101におい
て、トランジスタTr2、トランジスタTr3のゲート
電極16は、行選択用の駆動回路110の対応した行出
力線111に接続され、ある縦方向一列の全ての発光素
子100および検出素子101において、トランジスタ
Tr2のソース・ドレイン電極18は、発光データ書き
込み用駆動回路120の対応した列出力線121に接続
され、また、PD(光検出部2)のカソードは、光検出
回路130の対応した列入力線131に、それぞれ接続
される。Referring to FIGS. 1 and 4, in all the light emitting elements 100 and the detection elements 101 in one row in the horizontal direction, the gate electrodes 16 of the transistors Tr2 and Tr3 correspond to the rows corresponding to the row selecting drive circuit 110. The source / drain electrodes 18 of the transistor Tr2 are connected to the corresponding column output line 121 of the emission data writing drive circuit 120 in all the light emitting elements 100 and the detection elements 101 connected to the output line 111 in one vertical direction. Further, the cathode of the PD (photodetection unit 2) is connected to the corresponding column input line 131 of the photodetection circuit 130, respectively.
【0030】次に、上述のように構成された光ヘッド4
0の動作について、図面を参照して説明する。Next, the optical head 4 constructed as described above.
The operation of 0 will be described with reference to the drawings.
【0031】図1、および図4を参照すると、先ず、全
ての発光素子100の静電容量Chに、それぞれ所望の
電圧データを設定する。Referring to FIGS. 1 and 4, first, desired voltage data is set to the electrostatic capacitances Ch of all the light emitting elements 100.
【0032】これは、行選択用駆動回路110により行
出力線111に信号を出し、一行毎に各発光素子100
のTr2を導通状態にして、発光データ書き込み用駆動
回路120に所望の電圧値を設定し、対応するChを充
放電することにより実現される。This is because the row selection drive circuit 110 outputs a signal to the row output line 111, and each light emitting element 100 is provided for each row.
It is realized by setting Tr2 in a conductive state, setting a desired voltage value in the light emission data writing drive circuit 120, and charging / discharging the corresponding Ch.
【0033】また、このとき同時に、各発光素子の静電
容量Csに、Tr3を通して電源線Vdd2から一定の
初期電圧が書き込まれる。At the same time, a constant initial voltage is written from the power supply line Vdd2 to the electrostatic capacitance Cs of each light emitting element through Tr3.
【0034】各発光素子100の静電容量Chに所望の
電圧が書き込まれると、Tr1が導通され、各発光素子
100のLD(発光部1)にそれぞれに所望の電流が供
給され、図2に矢印で示すように、有機EL層21から
透明基板10の方向へ光が発せられ、発せられた光の一
部は透明基板10を透過して出射される。When a desired voltage is written in the electrostatic capacitance Ch of each light emitting element 100, Tr1 is turned on and a desired current is supplied to the LD (light emitting section 1) of each light emitting element 100, as shown in FIG. As indicated by the arrow, light is emitted from the organic EL layer 21 toward the transparent substrate 10, and a part of the emitted light passes through the transparent substrate 10 and is emitted.
【0035】このようにして行、列の各発光素子100
を選択的に発光させることで、任意の発光パターンを得
ることができ、画像形成装置50の光ヘッド40として
機能する。Thus, the light emitting elements 100 in rows and columns
By selectively emitting light, it is possible to obtain an arbitrary light emitting pattern, and it functions as the optical head 40 of the image forming apparatus 50.
【0036】そして、有機EL層21から発せられた一
部の光は、PD(光検出部2)の有感領域14aにも入
射し、この有感領域14aにおいては入射された光によ
って電子−正孔ペアが生成され、これによりこの領域の
電気伝導度が変化し、その変化に応じて静電容量Csに
蓄えられた電荷がPD(光検出部2)を通して放電す
る。Part of the light emitted from the organic EL layer 21 is also incident on the sensitive area 14a of the PD (photodetection section 2), and in this sensitive area 14a, the incident light causes electrons to be emitted. A hole pair is generated, which changes the electric conductivity of this region, and the electric charge stored in the electrostatic capacitance Cs is discharged through the PD (photodetection unit 2) according to the change.
【0037】従って、次にこの発光素子100のCsを
充電するときに、外部から流れ込む電流を検出回路13
0により検出することにより、LD(発光部1)の発光
量を知ることができ、各発光素子100のPD(光検出
部2)の出力に応じて、各発光素子100の静電容量C
hに書き込む電圧を補正することにより、各発光素子1
00のLD(発光部1)の出力を制御できる。Therefore, when the Cs of the light emitting element 100 is charged next, the current flowing from the outside is detected by the detection circuit 13.
The amount of light emitted from the LD (light emitting unit 1) can be known by detecting 0, and the capacitance C of each light emitting device 100 can be determined according to the output of the PD (light detection unit 2) of each light emitting device 100.
By correcting the voltage written in h, each light emitting element 1
The output of the LD (light emitting section 1) of 00 can be controlled.
【0038】また、検出素子101も発光素子100と
同様に任意の発光パターンを得ることができ、全ての検
出素子101のLD(発光部1)を発光させると、その
検出素子101から外部に出力した光のうち反射して戻
ってきた光をPD(光検出部2)で検知することで、ラ
インイメージセンサとして機能する。The detection element 101 can also obtain an arbitrary light emission pattern similarly to the light emitting element 100, and when the LDs (light emitting portions 1) of all the detection elements 101 are made to emit light, the detection elements 101 output to the outside. The PD (light detection unit 2) detects the light that is reflected and returned from the above-described light, and thus functions as a line image sensor.
【0039】上述の発光素子100と検出素子101と
に結像光学系(図示せず)を組み合わせて、ラインイメ
ージセンサ機能を備えた光ヘッド40として動作させる
ことができる。An image forming optical system (not shown) may be combined with the light emitting element 100 and the detecting element 101 to operate as an optical head 40 having a line image sensor function.
【0040】次に、本発明の光ヘッドの第二の実施の形
態について、図面を参照して説明する。Next, a second embodiment of the optical head of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0041】図5、図6は、各々、本発明の光ヘッドの
発光素子、検出素子の第二の実施の形態を示す断面図で
ある。FIGS. 5 and 6 are sectional views showing a second embodiment of the light emitting element and the detecting element of the optical head of the present invention, respectively.
【0042】なお、図2、図3に示す発光素子100と
検出素子101の同一構成要素に関しては、同一符号で
表示している。The same constituent elements of the light emitting element 100 and the detection element 101 shown in FIGS. 2 and 3 are denoted by the same reference numerals.
【0043】第一の実施の形態では、光ヘッド40の発
光素子100および検出素子101の発光部1は、有機
薄膜材料で形成されるエレクトロルミネセンス(EL)
素子で形成されているのに対し、第二の実施の形態で
は、発光部4を無機材料で形成される発光ダイオードと
している点が異なるのみであり、発光素子103と検出
素子104について重点的に説明する。In the first embodiment, the light emitting element 100 of the optical head 40 and the light emitting section 1 of the detecting element 101 are formed by an organic thin film material, electroluminescence (EL).
The second embodiment is different from the light emitting element of the second embodiment only in that the light emitting section 4 is a light emitting diode formed of an inorganic material, and the light emitting element 103 and the detection element 104 are focused on. explain.
【0044】図5を参照すると、発光素子103は、透
明基板10の上に一体化して形成される薄膜構成の光検
出部2と、薄膜トランジスタ(TFT)3と、無機材料
で形成される発光ダイオードからなる発光部4とで構成
され、光検出部2は、ポリシリコンの薄膜半導体層14
からなる光検出が行われる有感領域14aと、有感領域
14aの両端に配置され外部から電圧が印加されるリン
(P)の元素を高濃度で含んだコンタクト領域14bと
からなり、発光部4は、透明電極(陰極)20上にn型
GaP基板81を形成し、n型GaP基板81上にn型
AlInP層82、p型AlGaInP層83、p型A
lInP層84、p型GaP層85を順次積層した発光
ダイオードと、発光ダイオード上面に接続されるボンデ
ィングワイヤ(陽極)86とで構成され、光検出部2と
透明基板10との間に外部からの反射光が遮蔽され光検
出部2には入射されないよう遮光層11が設けられ、透
明電極20は、薄膜トランジスタ(TFT)3のソース
・ドレイン電極18と接続される構成となっている。Referring to FIG. 5, the light emitting device 103 includes a light detecting portion 2 having a thin film structure integrally formed on the transparent substrate 10, a thin film transistor (TFT) 3, and a light emitting diode formed of an inorganic material. And the light detecting section 2 includes a thin film semiconductor layer 14 made of polysilicon.
And a contact region 14b disposed at both ends of the sensitive region 14a and containing a high concentration of phosphorus (P) element to which a voltage is applied from the outside. In No. 4, an n-type GaP substrate 81 is formed on the transparent electrode (cathode) 20, an n-type AlInP layer 82, a p-type AlGaInP layer 83, and a p-type A are formed on the n-type GaP substrate 81.
It is composed of a light emitting diode in which an lInP layer 84 and a p-type GaP layer 85 are sequentially stacked, and a bonding wire (anode) 86 connected to the upper surface of the light emitting diode. The light shielding layer 11 is provided so that the reflected light is shielded and does not enter the light detecting portion 2, and the transparent electrode 20 is connected to the source / drain electrode 18 of the thin film transistor (TFT) 3.
【0045】図6を参照すると、検出素子104は、透
明基板10の上に一体化して形成される薄膜構成の光検
出部2と、薄膜トランジスタ(TFT)3と、無機材料
で形成される発光ダイオードからなる発光部4とで構成
され、光検出部2は、ポリシリコンの薄膜半導体層14
からなる光検出が行われる有感領域14aと、有感領域
14aの両端に配置され外部から電圧が印加されるリン
(P)の元素を高濃度で含んだコンタクト領域14bと
からなり、発光部4は、透明電極(陰極)20上にn型
GaP基板81を形成し、n型GaP基板81上にn型
AlInP層82、p型AlGaInP層83、p型A
lInP層84、p型GaP層85を順次積層した発光
ダイオードと、発光ダイオード上面に接続されるボンデ
ィングワイヤ(陽極)86とで構成され、光検出部2と
発光部4との間には発光部4からの出射光が光検出部2
へ直接入射されるのを遮蔽する遮光層11bが設けら
れ、透明電極20は、薄膜トランジスタ(TFT)3の
ソース・ドレイン電極18と接続される構成となってい
る。Referring to FIG. 6, the detection element 104 includes a thin film photodetection portion 2 integrally formed on the transparent substrate 10, a thin film transistor (TFT) 3, and a light emitting diode formed of an inorganic material. And the light detecting section 2 includes a thin film semiconductor layer 14 made of polysilicon.
And a contact region 14b disposed at both ends of the sensitive region 14a and containing a high concentration of phosphorus (P) element to which a voltage is applied from the outside. In No. 4, an n-type GaP substrate 81 is formed on the transparent electrode (cathode) 20, an n-type AlInP layer 82, a p-type AlGaInP layer 83, and a p-type A are formed on the n-type GaP substrate 81.
It is composed of a light emitting diode in which an lInP layer 84 and a p-type GaP layer 85 are sequentially stacked, and a bonding wire (anode) 86 connected to the upper surface of the light emitting diode, and a light emitting portion is provided between the light detecting portion 2 and the light emitting portion 4. The light emitted from 4 is the light detection unit 2
A light-shielding layer 11b that blocks direct incidence on the transparent electrode 20 is provided, and the transparent electrode 20 is connected to the source / drain electrode 18 of the thin film transistor (TFT) 3.
【0046】上述の発光素子103、検出素子104を
用いた第二の実施の形態の光ヘッドの動作については、
第一の実施の形態の光ヘッド40の動作と同一故、説明
を省略する。Regarding the operation of the optical head of the second embodiment using the light emitting element 103 and the detecting element 104 described above,
Since the operation is the same as that of the optical head 40 of the first embodiment, the description thereof will be omitted.
【0047】次に、本発明の光ヘッドの第三の実施の形
態について、図面を参照して説明する。Next, a third embodiment of the optical head of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0048】図7は、本発明の光ヘッドの第三の実施の
形態を示す概略構成ブロック図、図8は、発光素子10
6および検出素子107の回路構成の模式図ある。FIG. 7 is a schematic block diagram showing a third embodiment of the optical head of the present invention, and FIG. 8 is a light emitting element 10.
6 is a schematic diagram of a circuit configuration of 6 and a detection element 107. FIG.
【0049】なお、図1、図4に示す第一の実施の形態
の光ヘッド40と同一構成要素に関しては、同一符号で
表示している。The same components as those of the optical head 40 of the first embodiment shown in FIGS. 1 and 4 are designated by the same reference numerals.
【0050】図7、および図8を参照すると、第三の実
施の形態の光ヘッド41は、行方向と列方向とに二次元
に配置された画素内の発光素子106と、各画素列の発
光素子106に対応して配置される一行の検出素子10
7を配置している構成は、第一の実施の形態と同じであ
るが、第一の実施の形態の光ヘッド40の発光素子10
0から光検出部2を削除し、且つ、検出素子101から
発光部1を削除して各々形成された発光素子106、検
出素子107の構成となっている点が異なっている。Referring to FIGS. 7 and 8, in the optical head 41 of the third embodiment, the light emitting elements 106 in the pixels which are two-dimensionally arranged in the row direction and the column direction and the pixel columns are arranged. One row of detection elements 10 arranged corresponding to the light emitting elements 106
The configuration in which 7 is arranged is the same as that of the first embodiment, but the light emitting element 10 of the optical head 40 of the first embodiment is arranged.
The difference is that the photodetector 2 is deleted from 0 and the light emitter 1 is deleted from the detector 101 to form a light emitting element 106 and a detector 107, respectively.
【0051】これは、発光素子106、検出素子107
の製造工程上での制限などにより、光検出部2と発光部
1とを近接して構成できない場合の有効な手段となる。This is the light emitting element 106 and the detecting element 107.
This is an effective means when the photodetector 2 and the light emitting unit 1 cannot be arranged close to each other due to restrictions in the manufacturing process of the above.
【0052】なお、第三の実施の形態の光ヘッド41の
詳細な説明は、ここでは省略する。The detailed description of the optical head 41 of the third embodiment is omitted here.
【0053】次に、本発明の光ヘッド40を用いた画像
形成装置の第一の実施の形態について、図面を参照して
説明する。Next, a first embodiment of an image forming apparatus using the optical head 40 of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0054】図9は、本発明の画像形成装置50の第一
の実施の形態を示す概略構成図である。FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of the image forming apparatus 50 of the present invention.
【0055】図9を参照すると、本発明の画像形成装置
50は、画像が書き込まれる感光体ベルト60と、感光
体ベルト60の表面を一様に帯電する帯電器62と、感
光体ベルト60の表面を露光して各色の静電潜像を書き
込む第一光ヘッド40ー1、第二光ヘッド40ー2、第
三光ヘッド40ー3、第四光ヘッド40ー4と、書き込
まれた各色の静電潜像を現像して感光体ベルト60の表
面にトナー像を形成する第一現像器74ー1、第二現像
器74ー2、第三現像器74ー3、第四現像器74ー4
と、現像された画像を用紙65に転写して定着する転写
定着部63と、感光体ベルト60表面に残留する電荷を
除去する除電器61と、用紙65が蓄えられる給紙ユニ
ット66と、給紙ユニット66より用紙65をピックす
るピックローラ67と、ピックした用紙65を搬送する
搬送ローラ68とから構成されている。Referring to FIG. 9, the image forming apparatus 50 of the present invention includes a photoconductor belt 60 on which an image is written, a charger 62 for uniformly charging the surface of the photoconductor belt 60, and a photoconductor belt 60. First optical head 40-1, second optical head 40-2, third optical head 40-3, fourth optical head 40-4, and each color written, by exposing the surface to write an electrostatic latent image of each color To develop a toner image on the surface of the photoreceptor belt 60 by developing the electrostatic latent image of the first developing device 74-1, the second developing device 74-2, the third developing device 74-3, and the fourth developing device 74. -4
A transfer fixing unit 63 that transfers and fixes the developed image onto the sheet of paper 65, a static eliminator 61 that removes electric charges remaining on the surface of the photoconductor belt 60, a sheet feeding unit 66 that stores the sheet of paper 65, and a sheet feeding unit. It is composed of a pick roller 67 for picking the paper 65 from the paper unit 66 and a carrying roller 68 for carrying the picked paper 65.
【0056】このように構成された画像形成装置50の
動作について、図9を参照して以下に説明する。The operation of the image forming apparatus 50 thus configured will be described below with reference to FIG.
【0057】上位装置(図示せず)から画像形成装置5
0内の装置制御部(図示せず)に対して、印字要求が送
られたとき、装置制御部は、各色の第一光ヘッド40ー
1、第二光ヘッド40ー2、第三光ヘッド40ー3、第
四光ヘッド40ー4を起動し感光体ベルト60を回転さ
せ、帯電器62と除電器61とを動作オン状態にする。Image forming apparatus 5 from a higher-level device (not shown)
When a print request is sent to the device control unit (not shown) in the device 0, the device control unit controls the first optical head 40-1, the second optical head 40-2, and the third optical head of each color. 40-3 and the fourth optical head 40-4 are activated to rotate the photoconductor belt 60, and the charger 62 and the static eliminator 61 are turned on.
【0058】光ヘッド40の起動が完了し印字可能状態
になったとき、上位装置は、各色の画像データを流し、
光ヘッド40により感光体ベルト60に静電潜像の書き
込みを開始する。When the activation of the optical head 40 is completed and the printable state is reached, the host device sends the image data of each color,
Writing of an electrostatic latent image on the photosensitive belt 60 is started by the optical head 40.
【0059】第一光ヘッド40ー1、第二光ヘッド40
ー2、第三光ヘッド40ー3、第四光ヘッド40ー4に
より書き込まれた静電潜像は、各々、第一現像器74ー
1、第二現像器74ー2、第三現像器74ー3、第四現
像器74ー4により現像され、更に、搬送ローラ68に
より給紙ユニット66から搬送されてきた用紙65に転
写定着部63で転写定着が行われる。First optical head 40-1, second optical head 40
-2, the third optical head 40-3, and the electrostatic latent image written by the fourth optical head 40-4 are the first developing device 74-1, the second developing device 74-2, and the third developing device, respectively. The transfer fixing unit 63 transfers and fixes the paper 65 which has been developed by the 74-3 and the fourth developing device 74-4, and is further transported by the transport roller 68 from the paper feeding unit 66.
【0060】次に、画像形成装置50の印字位置ずれが
検出されたときの動作について、図9、および図1を参
照して説明する。Next, the operation of the image forming apparatus 50 when the print position deviation is detected will be described with reference to FIGS. 9 and 1.
【0061】第一光ヘッド40ー1により所定のパター
ンを感光体60上に露光し静電潜像形成の後、第一現像
器74−1で現像する。A predetermined pattern is exposed on the photoconductor 60 by the first optical head 40-1 to form an electrostatic latent image, and then development is performed by the first developing unit 74-1.
【0062】その所定のパターンを第二光ヘッド40ー
2、第三光ヘッド40ー3、第四光ヘッド40ー4内部
の検出素子101で順次検出する。The predetermined pattern is sequentially detected by the detecting elements 101 inside the second optical head 40-2, the third optical head 40-3 and the fourth optical head 40-4.
【0063】この際、第二現像器74ー2、第三現像器
74ー3、第四現像器74ー4による現像はおこなわな
い。At this time, the development by the second developing device 74-2, the third developing device 74-3 and the fourth developing device 74-4 is not performed.
【0064】第二光ヘッド40ー2、第三光ヘッド40
ー3、第四光ヘッド40ー4の各々の検出素子101の
光検出部2で検出したパターンの位置および検出タイミ
ングから、第一光ヘッド40ー1の発光素子100の位
置に対する第二光ヘッド40ー2、第三光ヘッド40ー
3、第四光ヘッド40ー4の発光素子100のの相対的
位置を制御回路140内の演算回路(図示せず)で算出
し、設計値からのずれを求め、このずれ量を制御回路1
40により補正制御を行い、通常印字を行う。Second optical head 40-2, third optical head 40
-3, the second optical head with respect to the position of the light emitting element 100 of the first optical head 40-1 based on the position and the detection timing of the pattern detected by the photodetection unit 2 of each detection element 101 of the fourth optical head 40-4. 40-2, the third optical head 40-3, the relative position of the light emitting element 100 of the fourth optical head 40-4 is calculated by an arithmetic circuit (not shown) in the control circuit 140, deviation from the design value. And the amount of this deviation is calculated by the control circuit 1
Correction control is performed by 40, and normal printing is performed.
【0065】 例えば、発光データ書き込み用駆動回路
120に書き込む発光データのずれ量を相殺するような
発光素子100を制御回路140から設定し、これによ
り印字位置ずれの無い高品質画像を得ることができる
が、上述のずれ量と補正制御との具体例について、以下
に説明する。For example, the shift amount of the light emission data to be written in the light emission data writing drive circuit 120 is canceled out.
Although the light emitting element 100 can be set from the control circuit 140 to obtain a high-quality image with no print position deviation, specific examples of the above deviation amount and correction control will be described below.
【0066】 図1の光ヘッド40を構成する発光素子
100、検出素子101の図9の画像形成装置50内で
の位置関係は、感光体ベルト60の走行方向を行方向
(図1における紙面上下方向)、走行方向に直行する方
向を列方向とし、発光素子100は、n行m列に配列さ
れ、また検出素子101は、発光素子100の第n行に
隣接して1行m列に配列される構成とする(但し、n、
mは正の整数)。The positional relationship between the light emitting element 100 and the detection element 101 that form the optical head 40 of FIG. 1 in the image forming apparatus 50 of FIG. 9 is such that the running direction of the photoreceptor belt 60 is the row direction.
(A vertical direction on the paper surface of FIG. 1) , the direction orthogonal to the traveling direction is a column direction, the light emitting elements 100 are arranged in n rows and m columns, and the detection element 101 is adjacent to the nth row of the light emitting element 100. Arranged in 1 row and m columns (however, n,
m is a positive integer).
【0067】これらの素子のうち、任意の発光素子10
0を第i行j列発光素子100と記述し、第i行j列発
光素子100と同列に位置する検出素子101を第j列
検出素子101と記述する。Of these elements, any light emitting element 10
0 is described as an i-th row and j-th column light emitting element 100, and a detection element 101 located in the same column as the i-th row and j-th column light emitting element 100 is described as a j-th column detection element 101.
【0068】まず、印字位置ずれを計測する手順は、所
定の時刻を基準とし、第一光ヘッド40ー1で、印字位
置ずれを計測するための所定のパターンに応じて発光素
子100を点灯させ、感光体ベルト60上に潜像を形成
し第一現像器74ー1で現像した後、第二光ヘッド40
ー2〜第四光ヘッド40ー4の検出素子101で検知す
る。First, in the procedure for measuring the print position deviation, the light emitting element 100 is turned on by the first optical head 40-1 in accordance with a predetermined pattern for measuring the print position deviation with reference to a predetermined time. After the latent image is formed on the photoconductor belt 60 and developed by the first developing device 74-1, the second optical head 40
It is detected by the detection element 101 of the second to fourth optical heads 40-4.
【0069】このとき、例えば期待値として第二光ヘッ
ド40ー2で所定のパターンの特定の画素を検知するの
が、第j2列検出素子101で検出時刻が基準時刻から
t2後である場合、実際の検知が第j2+j2’列検出
素子101で検出時刻がt2+t2’後であったとす
る。At this time, for example, when the second optical head 40-2 detects a specific pixel of a predetermined pattern as an expected value when the j2th row detection element 101 has a detection time t2 after the reference time, It is assumed that the actual detection is the j2 + j2′-th column detection element 101 and the detection time is after t2 + t2 ′.
【0070】同様に、第三光ヘッド40ー3では、期待
値として第j3列検出素子101で基準時刻からt3後
であるのに対し、実際の検知は第j3+j3’列検出素
子101でt3+t3後、第四光ヘッド40ー4では、
期待値が第j4列検出素子101でt4後に対し、実際
は第j4+j4’列検出素子101でt4+t4’後で
あったとする。Similarly, in the third optical head 40-3, the expected value is t3 after t3 from the reference time at the j3th row detection element 101, but actual detection is after t3 + t3 at the j3 + j3 ′ row detection element 101. , In the fourth optical head 40-4,
It is assumed that the expected value is actually t4 + t4 ′ after the j4 + j4′-th column detection element 101, after t4 at the j4th-column detection element 101.
【0071】すると、第二光ヘッド40ー2のずれ量
は、感光体ベルト60走行方向に直交する方向に対して
は、画素にしてj2’画素であり、感光体ベルト60走
行方向に対しては、時間にしてt2’である。Then, the displacement amount of the second optical head 40-2 is j2 ′ pixels in pixels in the direction orthogonal to the traveling direction of the photosensitive belt 60, and the displacement amount is in the traveling direction of the photosensitive belt 60. Is t2 'in time.
【0072】同様に、第三光ヘッド40ー3は、j3’
画素およびt3’時間、第四光ヘッド40ー4は、j
4’画素およびt4’時間だけ各々ずれていることにな
る。Similarly, the third optical head 40-3 has j3 '
Pixels and t3 ′ time, the fourth optical head 40-4 has j
It will be respectively shifted by 4'pixels and t4 'time.
【0073】従って、通常の印字時には、このずれ量を
補正するために第二光ヘッド40ー2〜第四光ヘッド4
0ー4では、露光開始時刻を各々t2’、t3’、 t
4’だけ遅くし、列方向に各々j2’、j3’、j4’
だけシフトした発光素子100で露光する。Therefore, at the time of normal printing, the second optical head 40-2 to the fourth optical head 4 are used to correct this deviation amount.
In 0-4, the exposure start times are t2 ′, t3 ′, t
4'later, j2 ', j3', j4 'in the column direction
Exposure is performed with the light emitting device 100 that is shifted only.
【0074】次に、本発明の光ヘッドの第三の実施の形
態の光ヘッド41を用いた画像形成装置の第二の実施の
形態について、図面を参照して説明する。Next, a second embodiment of an image forming apparatus using the optical head 41 of the third embodiment of the optical head of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0075】図10は、第二の実施の形態の画像形成装
置51を示す概略構成図である。FIG. 10 is a schematic block diagram showing the image forming apparatus 51 of the second embodiment.
【0076】なお、図9に示す第一の実施の形態の画像
形成装置50と同一構成要素は同一符号で表示してい
る。The same components as those of the image forming apparatus 50 of the first embodiment shown in FIG. 9 are designated by the same reference numerals.
【0077】第二の実施の形態の画像形成装置51は、
第一の実施の形態の光ヘッド40の発光素子100から
光検出部2を削除し、且つ、検出素子101から発光部
1を削除して各々形成された発光素子106、検出素子
107の構成とした既述の第三の実施の形態の光ヘッド
41を使用し、第一光ヘッド41ー1を除く第二光ヘッ
ド41ー2、第三光ヘッド41ー3、第四光ヘッド41
ー4に各々第二光源55ー2、第三光源55ー3、第四
光源55ー4を設けている点のみが、第一の実施の形態
の画像形成装置51と異なっている。The image forming apparatus 51 of the second embodiment is
A configuration of a light emitting element 106 and a detection element 107 which are formed by removing the light detecting section 2 from the light emitting element 100 of the optical head 40 of the first embodiment and deleting the light emitting section 1 from the detecting element 101, respectively. Using the optical head 41 of the above-described third embodiment, the second optical head 41-2, the third optical head 41-3, and the fourth optical head 41 except the first optical head 41-1 are used.
4 is different from the image forming apparatus 51 of the first embodiment only in that the second light source 55-2, the third light source 55-3, and the fourth light source 55-4 are provided in each.
【0078】画像形成装置51は、光ヘッド41の検出
素子107に発光部1が無いため、印字位置ずれ検出時
にのみ、発光部1の代わりに第二光源55ー2、第三光
源55ー3、第四光源55ー4を点灯させ、制御回路1
40により印字位置ずれの補正を行うものであり、他の
動作は、画像形成装置50と同じであり、詳細な説明を
省略する。In the image forming apparatus 51, since the detecting element 107 of the optical head 41 does not have the light emitting section 1, the second light source 55-2 and the third light source 55-3 are used instead of the light emitting section 1 only when the print position deviation is detected. , The fourth light source 55-4 is turned on, and the control circuit 1
The printing position deviation is corrected by the control unit 40, and the other operations are the same as those of the image forming apparatus 50, and detailed description thereof will be omitted.
【0079】[0079]
【発明の効果】以上説明したように、ラインイメージセ
ンサ機能と露光機能とを一体化した光ヘッドとすること
で、印字位置ずれを検出して補正することができ、低コ
ストで高精度の印字位置ずれの無い高品質画像の画像形
成装置を提供することができるという効果がある。As described above, by using the optical head having the line image sensor function and the exposure function integrated with each other, it is possible to detect and correct the print position deviation, and print at a low cost and with high accuracy. There is an effect that it is possible to provide an image forming apparatus that produces a high-quality image without misalignment.
【図1】本発明の光ヘッドの第一の実施の形態を示す概
略構成ブロック図である。FIG. 1 is a schematic block diagram showing a first embodiment of an optical head of the present invention.
【図2】図2(a)は、図1中の発光素子を示す平面
図、図2(b)は、図2(a)のAA断面図である。2 (a) is a plan view showing the light emitting element in FIG. 1, and FIG. 2 (b) is a sectional view taken along the line AA in FIG. 2 (a).
【図3】図3(a)は、図1中の検出素子を示す平面
図、図3(b)は、図3(a)のBB断面図である。3 (a) is a plan view showing the detection element in FIG. 1, and FIG. 3 (b) is a BB sectional view of FIG. 3 (a).
【図4】本発明の光ヘッドの第一の実施の形態の発光素
子および検出素子の回路構成の模式図ある。FIG. 4 is a schematic diagram of a circuit configuration of a light emitting element and a detection element in the first embodiment of the optical head of the present invention.
【図5】本発明の光ヘッドの第二の実施の形態を示す発
光素子の断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a light emitting element showing a second embodiment of the optical head of the present invention.
【図6】本発明の光ヘッドの第二の実施の形態を示す検
出素子の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a detection element showing a second embodiment of the optical head of the present invention.
【図7】本発明の光ヘッドの第三の実施の形態を示す概
略構成ブロック図である。FIG. 7 is a schematic block diagram showing a third embodiment of an optical head of the present invention.
【図8】本発明の光ヘッドの第三の実施の形態の発光素
子および検出素子の回路構成の模式図ある。FIG. 8 is a schematic diagram of a circuit configuration of a light emitting element and a detection element according to a third embodiment of the optical head of the present invention.
【図9】本発明の画像形成装置の第一の実施の形態を示
す概略構成図である。FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of an image forming apparatus of the present invention.
【図10】本発明の画像形成装置の第二の実施の形態を
示す概略構成図である。FIG. 10 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of the image forming apparatus of the invention.
1、4 発光部 2 光検出部 3 薄膜トランジスタ(TFT) 10 透明基板 11、11b 遮光層 12 バリア層 13、14 薄膜半導体層 13a チャンネル領域 13b ソース・ドレイン領域 14a 有感領域 14b コンタクト領域 15 ゲート絶縁膜 16 ゲート電極 17 層間絶縁膜 18 ソース・ドレイン電極 19 平坦化膜 20 透明電極 21 有機EL層 22 不透明電極 23 封止層 40、41 光ヘッド 40ー1、41ー1 第一光ヘッド 40ー2、41ー2 第二光ヘッド 40ー3、41ー3 第三光ヘッド 40ー4、41ー4 第四光ヘッド 50、51 画像形成装置 55ー2 第二光源 55ー3 第三光源 55ー4 第四光源 60 感光体ベルト 61 除電器 62 帯電器 63 転写定着部 65 用紙 66 給紙ユニット 67 ピックローラ 68 搬送ローラ 74ー1 第一現像器 74ー2 第二現像器 74ー3 第三現像器 74ー4 第四現像器 81 n型GaP基板 82 n型AlInP層 83 p型AlGaInP層 84 p型AlInP層 85 p型GaP層 86 ボンディングワイヤ(陽極) 100、103 発光素子 101、104 検出素子 106 発光素子 107 検出素子 110 行選択用駆動回路 111 行出力線 120 発光データ書き込み用駆動回路 121 列出力線 130 光検出回路 131 列入力線 140 制御回路 1, 4 light emitting part 2 Photodetector 3 Thin film transistor (TFT) 10 Transparent substrate 11, 11b Light shielding layer 12 Barrier layer 13, 14 Thin film semiconductor layer 13a channel area 13b source / drain region 14a Sensitive area 14b Contact area 15 Gate insulation film 16 gate electrode 17 Interlayer insulation film 18 Source / drain electrodes 19 Flattening film 20 Transparent electrode 21 Organic EL layer 22 Opaque electrode 23 Sealing layer 40, 41 Optical head 40-1, 41-1 first optical head 40-2, 41-2 Second optical head 40-3, 41-3 Third optical head 40-4, 41-4 Fourth optical head 50, 51 image forming apparatus 55-2 Second light source 55-3 Third light source 55-4 Fourth light source 60 photoconductor belt 61 Static eliminator 62 charger 63 Transfer fixing unit 65 sheets 66 paper feed unit 67 Pick roller 68 Conveyor roller 74-1 First developing device 74-2 Second developing device 74-3 Third developer 74-4 Fourth developing device 81 n-type GaP substrate 82 n-type AlInP layer 83 p-type AlGaInP layer 84 p-type AlInP layer 85 p-type GaP layer 86 Bonding wire (anode) 100, 103 Light emitting element 101, 104 detection element 106 light emitting element 107 detection element 110 row selection drive circuit 111 line output line 120 Drive circuit for writing light emission data 121 column output line 130 Photodetector circuit 131 column input line 140 control circuit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B41J 2/44 B41J 2/45 B41J 2/455 H04N 1/028 H04N 1/036 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) B41J 2/44 B41J 2/45 B41J 2/455 H04N 1/028 H04N 1/036
Claims (12)
発光素子と、前記発光素子の各列に対応して一行に配置
され出力光の反射光を検出する検出素子と、行出力線を
介して信号を出力し前記発光素子と前記検出素子とを駆
動する行選択用駆動回路と、列出力線を介して信号を出
力し前記発光素子と前記検出素子とを駆動する発光デー
タ書き込み用駆動回路と、前記列出力線に対応した列入
力線を介して前記発光素子と前記検出素子とに接続され
前記発光素子と前記検出素子との光出力を検出する光検
出回路と、前記行選択用駆動回路と前記発光データ書き
込み用駆動回路とに信号を供給すると共に前記光検出回
路からの出力を入力し前記発光データ書き込み用駆動回
路の制御を行う制御回路とを有することを特徴とする光
ヘッド。1. A light-emitting element arranged two-dimensionally in a row direction and a column direction, and arranged in one row corresponding to each column of the light-emitting element.
A detection element that detects reflected light of the output light, a row selection drive circuit that outputs a signal through a row output line to drive the light emitting element and the detection element, and a signal through a column output line A drive circuit for writing light emission data that drives the light emitting element and the detection element, and the light emitting element and the detection element that are connected to the light emitting element and the detection element via a column input line corresponding to the column output line. A light detection circuit for detecting a light output from an element, a signal for supplying to the row selection drive circuit and the light emission data write drive circuit, and an input from the light detection circuit for inputting the light emission data write drive An optical head having a control circuit for controlling the circuit.
透明基板上に形成されることを特徴とする請求項1記載
の光ヘッド。2. The optical head according to claim 1, wherein the light emitting element and the detection element are formed on the same transparent substrate.
体化して形成される薄膜構成の光検出部と、有機薄膜材
料で形成されエレクトロルミネセンス(EL)素子から
なる発光部と、薄膜トランジスタ(TFT)とを有し、
前記光検出部は、薄膜半導体からなる有感領域と、前記
有感領域の両端に配置され外部から電圧が印加される薄
膜半導体からなるコンタクト領域とを有し、前記発光部
は、有機EL層と、前記有機EL層を挟んで形成される
不透明電極と透明電極とを有し、前記光検出部と前記透
明基板との間に遮光層を有することを特徴とする請求項
1記載の光ヘッド。3. The light emitting element, a light detecting portion having a thin film structure integrally formed on the transparent substrate, a light emitting portion formed of an organic thin film material and including an electroluminescence (EL) element, and a thin film transistor. (TFT),
The light detection unit has a sensitive region made of a thin film semiconductor and contact regions made of a thin film semiconductor arranged at both ends of the sensitive region to which a voltage is applied from the outside, and the light emitting unit is an organic EL layer. 2. An optical head according to claim 1, further comprising: an opaque electrode and a transparent electrode formed with the organic EL layer sandwiched therebetween, and a light-shielding layer between the photodetection section and the transparent substrate. .
体化して形成される薄膜構成の光検出部と、有機薄膜材
料で形成されエレクトロルミネセンス(EL)素子から
なる発光部と、薄膜トランジスタ(TFT)とを有し、
前記光検出部は、薄膜半導体からなる有感領域と、前記
有感領域の両端に配置され外部から電圧が印加される薄
膜半導体からなるコンタクト領域とを有し、前記発光部
は、有機EL層と、前記有機EL層を挟んで形成される
不透明電極と透明電極とを有し、前記光検出部と前記発
光部との間に遮光層を有することを特徴とする請求項1
記載の光ヘッド。4. The detection element, a light detection section having a thin film structure integrally formed on the transparent substrate, a light emitting section formed of an organic thin film material and including an electroluminescence (EL) element, and a thin film transistor. (TFT),
The light detection unit has a sensitive region made of a thin film semiconductor and contact regions made of a thin film semiconductor arranged at both ends of the sensitive region to which a voltage is applied from the outside, and the light emitting unit is an organic EL layer. And an opaque electrode and a transparent electrode formed with the organic EL layer sandwiched therebetween, and a light-shielding layer between the photodetection section and the light emitting section.
The described optical head.
成される薄膜構成の光検出部と、透明電極と、前記透明
電極上に無機材料で形成される発光部と、薄膜トランジ
スタ(TFT)とを有し、前記光検出部は、薄膜半導体
からなる有感領域と、前記有感領域の両端に配置され外
部から電圧が印加される薄膜半導体からなるコンタクト
領域とを有し、前記光検出部と前記透明基板との間に遮
光層を有することを特徴とする請求項1記載の光ヘッ
ド。5. The light emitting element comprises a thin film photodetection portion formed on the transparent substrate, a transparent electrode, a light emitting portion formed of an inorganic material on the transparent electrode, and a thin film transistor (TFT). And the photodetector has a sensitive region made of a thin film semiconductor and contact regions made of a thin film semiconductor arranged at both ends of the sensitive region to which a voltage is applied from the outside. The optical head according to claim 1, further comprising a light-shielding layer between the portion and the transparent substrate.
成される薄膜構成の光検出部と、透明電極と、前記透明
電極上に無機材料で形成される発光部と、薄膜トランジ
スタ(TFT)とを有し、前記光検出部は、薄膜半導体
からなる有感領域と、前記有感領域の両端に配置され外
部から電圧が印加される薄膜半導体からなるコンタクト
領域とを有し、前記光検出部と前記発光部との間に遮光
層を有することを特徴とする請求項1記載の光ヘッド。6. The detection element comprises a thin film photodetection section formed on the transparent substrate, a transparent electrode, a light emitting section formed of an inorganic material on the transparent electrode, and a thin film transistor (TFT). And the photodetector has a sensitive region made of a thin film semiconductor and contact regions made of a thin film semiconductor arranged at both ends of the sensitive region to which a voltage is applied from the outside. The optical head according to claim 1, further comprising a light shielding layer between the light emitting portion and the light emitting portion.
aP基板を形成し、前記n型GaP基板上にn型AlI
nP層、p型AlGaInP層、p型AlInP層、p
型GaP層を順次積層した発光ダイオードからなること
を特徴とする請求項5または6記載の記載の光ヘッド。7. The light emitting unit comprises an n-type G on the transparent electrode.
An aP substrate is formed, and n-type AlI is formed on the n-type GaP substrate.
nP layer, p-type AlGaInP layer, p-type AlInP layer, p
7. The optical head according to claim 5, wherein the optical head comprises a light emitting diode in which type GaP layers are sequentially stacked.
記発光素子を選択して前記発光素子内の前記発光部を発
光させ任意の発光パターンを形成する制御を行うことを
特徴とする請求項1記載の光ヘッド。8. The control circuit performs control to select the light emitting elements arranged in a matrix and cause the light emitting units in the light emitting elements to emit light to form an arbitrary light emitting pattern. The optical head according to item 1.
発光部からの光の一部を前記光検出部で検出することに
より前記発光部の出力の制御を行うことを特徴とする請
求項1記載の光ヘッド。9. The control circuit controls the output of the light emitting unit by detecting a part of the light from the light emitting unit in the light emitting element by the light detecting unit. 1. The optical head described in 1.
の一部を前記光検出部で検出し、前記発光部からの出力
光が前記透明基板を通過し、外部からの反射光は前記遮
光層により遮蔽され前記光検出部には入射されないこと
を特徴とする請求項1、3、5の何れか1項記載の光ヘ
ッド。10. The light emitting element detects a part of the light from the light emitting portion by the light detecting portion, the output light from the light emitting portion passes through the transparent substrate, and the reflected light from the outside is 6. The optical head according to claim 1, wherein the optical head is shielded by a light shielding layer and does not enter the light detecting portion.
力光が前記透明基板を通過し、外部からの反射光を前記
光検出部で検出することを特徴とする請求項1、4、6
の何れか1項記載の光ヘッド。11. The detection element is characterized in that the output light from the light emitting section passes through the transparent substrate and the reflected light from the outside is detected by the light detection section.
The optical head according to claim 1.
光ヘッドを有する画像形成装置。12. An image forming apparatus having the optical head according to claim 1. Description:
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