JP3482588B2 - Electron beam interference measurement system using biprism shift - Google Patents
Electron beam interference measurement system using biprism shiftInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本願発明は、電子線バイプリ
ズムを用いて干渉像を得て試料の厚さ分布、電場、磁場
など情報を定量的に計測する電子線干渉計測システムの
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam interferometry system for quantitatively measuring information such as a thickness distribution of a sample, an electric field and a magnetic field by obtaining an interference image using an electron biprism.
【0002】[0002]
【従来技術】電子線を用いてホログラフィーができるこ
とは、1967年に実証されていたが、電子線ホログラ
フィーを用いた計測法が、電子線を用いることにより予
想される分解能の特性を発揮した実用的なものとして成
功するには、干渉性の良く、輝度の高い電子線を得る技
術の開発、及び電子線の干渉距離、つまり干渉縞が生じ
る領域が非常にせまいから非常に細く、均一なフィラメ
ントを用いたバイプリズムの開発が必要であった。電界
放出電子銃の開発の成功及び前記のような特性の電子線
バイプリズムの開発の成功により、電子線ホログラフィ
ーを計測に用いることの有用性が証明され実用的なもに
なった。そして、微粒子のトポグラフィー的(等高線に
よる)測定、磁性材料の領域構造の直接視覚的観察、超
電導体中に捉えられている磁束量子のダイナミック観察
及びアハラノフーボーム(A−B)効果の実験的確認へ
の電子線ホログラフィーの応用は、電子線ホログラフィ
ーの利用を一般に普及させた。2. Description of the Related Art It was demonstrated in 1967 that holography can be performed by using an electron beam. However, a measuring method using the electron beam holography is a practical method that exhibits the characteristics of the resolution expected by using the electron beam. In order to be successful, the development of technology to obtain an electron beam with good coherence and high brightness, and the interference distance of the electron beam, that is, the area where the interference fringes occur are very small, so a very thin and uniform filament is created. It was necessary to develop the used biprism. With the successful development of the field emission electron gun and the successful development of the electron beam biprism having the characteristics as described above, the usefulness of using the electron beam holography for measurement has been proved and made practical. Then, topographical (contour-line) measurement of fine particles, direct visual observation of domain structure of magnetic material, dynamic observation of magnetic flux quantum trapped in a superconductor, and experimental study of Ahalano-Fouboom (AB) effect. The application of electron holography to confirmation has popularized the use of electron holography.
【0003】更に、生物学的試料のような弱い位相の観
察試料及び単一領域の微粒子から発生する弱い磁界をホ
ログラフィー的に観察できることとも重要なことがらで
ある。また、空間解像度を上げるために、ホログラムの
縞模様を狭くする方法が提案されたが、この方法では微
粒子写真フイルム又は高ピクセルTV(CCD)カメラ
が必要であるとうい不都合があった。これを改良した縞
模様の広がりとは関係なしに観察物体の波面を決定でき
る、位相−シフト電子線ホログラフィー法が提案されて
いる(文献:「Ultramicroscopy」Vol.55(1994)209-220
Q.Ru,G.Lai,K.Aoyama,J.Endo,A.Tonomura)。この方法
は、同一の観察試料を、精密制御された傾斜した電子線
を用いて、電子線の入斜角度を変えた一連のホログラム
を3枚以上作成し、これら一連のホログラムを単に数値
的に解析して、観察物体の波面を決定することがでるも
のである。この方法は、観察に使用する傾斜された電子
線の角度を、初期位相がちょうど2π(又はこれ以上)
だけシフトするまで変化させて前記一連のホログラムを
作成するものであり、つまり初期位相を2πシフトさせ
た電子線を用いて得られるホログラムは、最初に得られ
たホログラムに対してちょうど縞巾だけ移動したものと
なる。Further, it is also important to be able to holographically observe a weak magnetic field generated from an observation sample having a weak phase such as a biological sample and fine particles in a single region. In addition, a method of narrowing the stripe pattern of the hologram has been proposed in order to increase the spatial resolution, but this method has a disadvantage that a fine particle photographic film or a high pixel TV (CCD) camera is required. A phase-shifted electron holography method has been proposed that can determine the wavefront of the observed object regardless of the spread of the striped pattern (Reference: "Ultramicroscopy" Vol. 55 (1994) 209-220).
Q.Ru, G.Lai, K.Aoyama, J.Endo, A.Tonomura). This method uses a precisely controlled tilted electron beam for the same observation sample to create a series of three or more holograms in which the incident angle of the electron beam is changed, and these series of holograms are simply numerically calculated. It can be analyzed to determine the wavefront of the observed object. In this method, the angle of the tilted electron beam used for observation has an initial phase of exactly 2π (or more)
The above-mentioned series of holograms are created by shifting the holograms until they are shifted, that is, the hologram obtained by using the electron beam whose initial phase is shifted by 2π moves exactly by the stripe width with respect to the initially obtained hologram. It will be what you did.
【0004】これを数式的に表現すると、
S=Wtanθ≒Wθ
初期位相φ0=(2π/λ)S=(2π/λ)Wθ
(ただし、S=行路差、W=干渉領域巾、θ=入射角、
λ=電子線の波長)
したがって、2πの初期位相シフトに相当する入射角θ
0=λ/Wとなる。そして、得られたホログラム強度デ
ータI、初期位相データφ0及び再生観察物体の波面と
は
I(x,y,n)=a(x,y)+b(x,y)cos[2πx/Tx
+2πy/Ty+φ(x,y)+φ0(n)] (1)
の関係にある。ここで、a(x,y)は、観察試料の顕
微鏡強度に比例するバックグラウンドコントラスト、b
(x,y)は、観察物体波の振幅分布に比例する縞のコ
ントラスト、φ(x,y)は、位相像Tx及びTyは、そ
れぞれの方向の縞の広がり、そして
n=一連のホログラムに付与した整数
したがって、上記式(1)の数値的な処理により観察物
体の波面を再生できる。Expressing this mathematically, S = Wtan θ≈Wθ initial phase φ0 = (2π / λ) S = (2π / λ) Wθ (where S = path difference, W = interference region width, θ = incident) Horn,
λ = wavelength of electron beam) Therefore, the incident angle θ corresponding to the initial phase shift of 2π
0 = λ / W. The obtained hologram intensity data I, the initial phase data φ 0, and the wavefront of the reproduced observation object are I (x, y, n) = a (x, y) + b (x, y) cos [2πx / Tx + 2πy. / Ty + φ (x, y) + φ 0 (n)] (1). Where a (x, y) is the background contrast proportional to the microscope intensity of the observed sample, and b
(X, y) is the fringe contrast proportional to the amplitude distribution of the observed object wave, φ (x, y) is the phase images Tx and Ty, the fringe spread in each direction, and n = a series of holograms. Therefore, the wavefront of the observed object can be reproduced by the numerical processing of the above equation (1).
【0005】一連のホログラムから観察物体の波面を再
生する方法の確立によって、あらゆる点での物体波面が
それらの点での強度データから再生できるため、どのよ
うな欠陥又は汚れも他の必要とする領域に拡がらないか
ら、計測におけるノイズを少なくすることができる。し
かし、前記式(1)による数値的処理は、傾斜した電子
線により得られる一連のホログラムは焦点からはずれて
いない固定された条件で作成されていることを前提とし
ている。焦点がずれている場合には傾斜した電子線は像
の変化を発生させる。したがって、原子レベルの分解能
での測定しようとする場合、球面収差のため完全に焦点
を合わせることは不可能であるから、前記の前提は崩れ
てしまという問題がある。また、傾斜した電子線によっ
て原子の面でのブラック回折などが起こるために試料の
中の原子列の像を変化させてしまうことがある(とくに
原子が多層の場合)ので、原子レベルの分解能は得られ
にくいという問題点があった。With the establishment of a method of reconstructing the wavefront of an observed object from a series of holograms, any defect or stain is needed because the object wavefront at any point can be reconstructed from the intensity data at those points. Since it does not spread over the area, noise in measurement can be reduced. However, the numerical processing according to the equation (1) is based on the premise that a series of holograms obtained by the tilted electron beam is created under a fixed condition that is not out of focus. When the focus is off, the tilted electron beam causes a change in the image. Therefore, when trying to measure with atomic level resolution, it is impossible to perfectly focus due to spherical aberration, and there is a problem that the above assumption is broken. In addition, because the tilted electron beam may cause black diffraction on the plane of the atoms to change the image of the atomic array in the sample (especially when the atoms are multi-layered), the resolution at the atomic level is There was a problem that it was difficult to obtain.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、前記数値的解析によって処理できる、一連の初期位
相をシフトしたホログラムを、原子列の像を変化させて
しまうことなく作成でき、原子レベルの分解能が得られ
る及び感度の改善された電子線干渉計測法を確立するこ
とである。Therefore, according to the present invention, a series of initial phase-shifted holograms that can be processed by the numerical analysis described above can be produced without changing the image of the atomic sequence, and the hologram of atomic level can be obtained. The aim is to establish electron beam interferometry with improved resolution and improved sensitivity.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本願の請求項1の発明の
要旨は、電子線バイプリズムを絶縁体を介してチューブ
ピエゾ素子にチューブピエゾの開口を横切るように乗
せ、該ピエゾ素子に加える電圧を制御パラメータにより
順次変化させてバイプリズムをワイヤー軸及び入射電子
線の光軸に垂直な方向に移動させることにより下部レン
ズにより結像した干渉パターンにおける初期位相を順次
変化させて、該初期位相を順次変化させたホログラムを
フレーム画像として取り込んみ、取り込んだ一連のホロ
グラムを数学的に解析して位相分布を求めるバイプリズ
ム・シフトによる電子線干渉計測システムであって、前
記ピエゾ素子に加える電圧の制御パラメータを、予め得
られているホログラムからの平均縞幅に基づいて前記初
期位相のシフトが2π以上になる最大電圧量を決定し、
順次ピエゾに加える電圧量変化の刻み及びピエゾ素子が
それぞれの電圧にある時間の長さはコンピュータに入力
することにより、設定することを特徴とするバイプリズ
ム・シフトによる電子線干渉計測システムであり、請求
項2の発明の要旨は、前記制御パラメータによる前記初
期位相のシフトの実行を、前記ピエゾ素子がそれぞれの
電圧にある時間の長さの設定値と前記テレビカメラの同
期信号のスキャン信号とを、前記テレビカメラの同期信
号のスキャン信号を優先させ、前記シフトの実行・停止
を前記制御パラメータの近似値に置き換える補正を自動
的に行うようにしたことを特徴とするバイプリズム・シ
フトによる電子線干渉計測システムである。SUMMARY OF THE INVENTION The gist of the invention of claim 1 of the present application is that a voltage applied to a piezo element is set by placing an electron beam biprism on a tube piezo element across an opening of the tube piezo element through an insulator. Is sequentially changed by a control parameter to move the biprism in a direction perpendicular to the wire axis and the optical axis of the incident electron beam, thereby sequentially changing the initial phase in the interference pattern formed by the lower lens, This is an electron beam interferometry system by biprism shift that captures sequentially changed holograms as frame images and mathematically analyzes the captured series of holograms to obtain the phase distribution.Control of voltage applied to the piezo element Based on the average fringe width obtained from the hologram obtained in advance, the parameter is set to 2 as the initial phase shift. Determine the maximum amount of voltage becomes higher,
It is an electron beam interferometry system by biprism shift, which is characterized by setting the increment of the voltage amount applied to the piezo sequentially and the length of time that the piezo element is at each voltage by inputting it to a computer. The gist of the invention of claim 2 is to execute the shift of the initial phase by the control parameter by setting a set value of the length of time that the piezo element is at each voltage and a scan signal of a synchronization signal of the television camera. An electron beam by a biprism shift, wherein the scan signal of the synchronizing signal of the television camera is prioritized, and the execution / stop of the shift is automatically corrected by replacing it with an approximate value of the control parameter. It is an interferometric measurement system.
【0008】本発明は、電子線バイプリズムを、該バイ
プリズムのワイヤー軸及び入射電子線の光軸に対して垂
直の方向に移動させることにより、初期位相のトータル
のシフトが2π以上になるまで順次シフトさせ、3枚以
上の異なる初期位相を持つホログラムを作成するもの
で、この初期位相の変化のさせ方では初期位相をシフト
させても、電子線の観察試料に対する角度は変化しない
から、電子線の入射角を変えて初期位相を変えることに
よって起こる上記問題点は理論上排除できる。ところ
で、前記方法を実現するには、電子線バイプリズムのワ
イヤー軸及び入射電子線の光軸に対して垂直の方向に、
初期位相をトータルのシフトが2π以上になるまで順次
移動させる精密な手段が必要であり、また、シフトを、
それぞれの初期位相でのホログラムを取り込む手段と整
合させて、一連ホログラムの作成を自動化することが必
要である。そこで、本発明者らは、電子線バイプリズム
を絶縁体を介してチューブピエゾ素子上に開口を横切る
ように、すなわちバイプリズムのワイヤーが該開口の直
径方向になるように、乗せ、該ピエゾ素子に所定の電圧
を加えてピエゾ素子に歪を発生させ前記電子線バイプリ
ズムの精密な移動を実現させたものである。According to the present invention, the electron beam biprism is moved in the direction perpendicular to the wire axis of the biprism and the optical axis of the incident electron beam until the total shift of the initial phase becomes 2π or more. The holograms are sequentially shifted to create three or more holograms having different initial phases. With this method of changing the initial phase, the angle of the electron beam with respect to the observation sample does not change even if the initial phase is changed. The above problems caused by changing the incident angle of the line and changing the initial phase can be theoretically eliminated. By the way, in order to realize the method, in the direction perpendicular to the wire axis of the electron beam biprism and the optical axis of the incident electron beam,
Precise means for sequentially moving the initial phase until the total shift becomes 2π or more is required.
It is necessary to automate the creation of a series of holograms, aligned with the means for capturing the holograms at each initial phase. Therefore, the present inventors have placed the electron beam biprism on the tube piezo element via an insulator so as to cross the opening, that is, so that the wire of the biprism is in the diameter direction of the opening, and the piezo element A predetermined voltage is applied to the piezoelectric element to generate distortion in the piezoelectric element to realize precise movement of the electron beam biprism.
【0009】前記の電子線バイプリズムを移動させ、初
期位相をシフトすることによって得られたホログラム強
度データは前記式(1)における初期位相のシフトに関
係する項のxをx−nΔxに移動したことと見ることが
できるから、これを(1)式に代入すると
I(x,y,n)=a(x,y)+b(x,y)cos[2π(x−nΔx)/
Tx+2πy/Ty+φ(x,y)] (2)
となり、(2)の式は、
I(x,y,n)=a(x,y)+b(x,y)cos[2πx/Tx+2πy
/Ty+φ(x,y)−nΔx/Tx] (3)
と変形でき−nΔx/Txを(1)式におけるφ0(n)
に相当する項として数値的に取扱い、前記文献に記載の
数値的処理により再生観察物体の波面を求めることがで
きる。The hologram intensity data obtained by moving the electron beam biprism and shifting the initial phase shifts x in the equation (1) relating to the shift of the initial phase to x-nΔx. Therefore, if this is substituted into the equation (1), I (x, y, n) = a (x, y) + b (x, y) cos [2π (x−nΔx) / Tx + 2πy / Ty + φ (X, y)] (2), and the equation (2) is as follows: I (x, y, n) = a (x, y) + b (x, y) cos [2πx / Tx + 2πy / Ty + φ (x, y) ) -NΔx / Tx] (3) can be transformed to -nΔx / Tx in the expression (1) by φ 0 (n)
Is treated numerically as a term corresponding to, and the wavefront of the reconstructed observation object can be obtained by the numerical processing described in the above document.
【0010】[0010]
【発明の実施の態様】本発明について詳細に述べる。電
子線バイプリズムB.Pをチューブピエゾ素子P.Z
(日本電子株式会社製)上に、絶縁層を介して乗せる。
チューブピエゾ素子には、該素子に所定の電圧、例えば
−130v〜130vを加えるための電極P.Z.E及
びチューブピエゾ素子内側のアース電極Etが取り付け
られている。ピエゾ素子に電圧を加えると該素子は電圧
に応じて歪を起こしそれがバイプリズムを原子オーダー
で(例えば0.1nm刻みで、又は連続的に)、軸に垂
直な方向(図におけるx方向)へシフトさせる。該ピエ
ゾ素子に加える最大電圧は、干渉縞がその巾だけ(初期
位相の単位で2π分だけ)バイプリズムをシフトさせる
電圧であり、該電圧は予め作成されたホログラムから平
均縞巾を算出しその巾に基づいて決定され、そしてその
最大電に圧達するまで順次シフトした(又は連続的にシ
フトした)ホログラムは数値的解析のために3枚以上撮
る必要があるから、順次ピエゾに加える電圧量変化の刻
み(図のV.E中のΔVに相当する)及びピエゾ素子が
それぞれの電圧にある時間の長さ(図のV.E中のΔt
に相当する)を、コンピュータによりピエゾ素子を制御
する制御パラメータとしてコンピュータに入力し、コン
ピュータはビデオカメラ(CCDカメラ)により一フレ
ームの画像を取り込むに必要な走査時間を優先し、前記
ピエゾ素子の制御パラメータ補正してピエゾ素子を制御
する電子線干渉計測システムを提供する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail. Electron beam biprism B. P is a tube piezo element P.P. Z
(Manufactured by JEOL Ltd.) on top of the insulating layer.
The tube piezo element has an electrode P.P. for applying a predetermined voltage, for example, −130 v to 130 v to the element. Z. E and the earth electrode Et inside the tube piezo element are attached. When a voltage is applied to the piezo element, the element causes distortion in response to the voltage, which causes the biprism to be in atomic order (for example, in 0.1 nm increments or continuously) in a direction perpendicular to the axis (x direction in the figure). Shift to. The maximum voltage applied to the piezo element is the voltage at which the interference fringe shifts the biprism by that width (by 2π in the unit of initial phase), and the voltage is calculated by calculating the average fringe width from the hologram created in advance. Change in the amount of voltage applied to the piezo in sequence because it is necessary to take three or more holograms that are determined based on the width and sequentially shifted (or continuously shifted) until the maximum charge is reached for numerical analysis. (Corresponding to ΔV in VE in the figure) and the length of time that the piezo element is at each voltage (Δt in VE in the figure)
Is input to the computer as a control parameter for controlling the piezo element by the computer, and the computer gives priority to the scanning time required to capture an image of one frame by the video camera (CCD camera) and controls the piezo element. Provided is an electron beam interferometry system that corrects parameters and controls a piezo element.
【0011】[0011]
実施例1
200kvの電子線(λ=0.0025nm)を用い、
電子線バイプリズムを100vの電圧−シフト(200
nm)特性をもつ、コンピュータに入力された制御パラ
メータによって制御される電圧可変電源に接続された電
極を取り付けたチューブピエゾ素子上に乗せて電子線干
渉装置を組み立てた。予め得られたホログラムから、平
均縞巾が試料面換算では0.2nmであることから、最
大電圧を10vと設定し、前記チューブピエゾ素子に取
り付けた電極に100枚のフレーム画像を撮るため電圧
量変化の刻みΔV=0.1vを入力し,カメラの走査速
度を考慮してぞれの電圧にある時間の長さΔt=0.1
秒を入力して前記制御パラメータを設定した。装置をス
タートさせ、電子線干渉像は蛍光板より変換し、これを
走査速度1/30秒のTVカメラで撮りフレームメモリ
ーへ取り込み100枚のホログラムを得た。一連の初期
位相のホログラムを縞模様の方向を合わせて並べると、
図2のように縞模様がシフトしたホログラムが得られて
いた。これを公知の方法で再生画像をつくり、数値的に
解析すると試料の波面が再生された。感度は、例えば位
相差2π/100程度を計測することができる。Example 1 Using a 200 kv electron beam (λ = 0.0025 nm),
The electron beam biprism is set to a voltage-shift (200
The electron beam interference device was assembled by mounting it on a tube piezo element equipped with an electrode connected to a voltage variable power supply controlled by a control parameter input to a computer having a (nm) characteristic. From the hologram obtained in advance, the average fringe width is 0.2 nm in terms of the sample surface, so the maximum voltage is set to 10 V and the voltage amount for taking 100 frame images on the electrodes attached to the tube piezo element. Input the change step ΔV = 0.1v, and take the scanning speed of the camera into consideration, the length of time Δt = 0.1 at each voltage.
The seconds were entered to set the control parameters. The device was started, the electron beam interference image was converted from the fluorescent plate, and this was taken by a TV camera with a scanning speed of 1/30 seconds and taken into a frame memory to obtain 100 holograms. When a series of initial phase holograms are lined up with their stripe directions aligned,
As shown in FIG. 2, a hologram with a striped pattern shifted was obtained. A reproduced image was prepared by a known method and numerically analyzed, and the wavefront of the sample was reproduced. For the sensitivity, for example, a phase difference of about 2π / 100 can be measured.
【0012】[0012]
【発明の効果】初期位相をシフトを、原子の面でのブラ
ック回折などのため試料の中の原子列の像を変化させて
しまうことなくなし得るために、分解能を原子レベルま
で改善され、感度も大幅に改善させることができた。し
たがって、電子線干渉計測法を応用できる分野を大いに
広げることが期待できる。INDUSTRIAL APPLICABILITY Since the initial phase can be shifted without changing the image of the atomic array in the sample due to black diffraction on the atomic plane, the resolution is improved to the atomic level and the sensitivity is improved. Was also able to be greatly improved. Therefore, it can be expected that the field in which the electron beam interferometry can be applied is greatly expanded.
【図1】チューブピエゾ素子上にバイプリズムを乗せて
初期位相をシフトした一連のホログラムを自動的に作成
するシステムを示す。FIG. 1 shows a system for automatically creating a series of holograms with an initial phase shift by placing a biprism on a tube piezo element.
【図2】一連の初期位相のホログラムを縞模様の方向を
合わせてならべたものである。FIG. 2 shows a series of holograms with an initial phase aligned with the directions of stripe patterns.
E.B 電子ビーム
S.P 試料
0.L 対物レンズ
B.P バイプリズム
P.Z チューブピエゾ素子
P.Z.E チューブピエゾ素子にバイプリズムシフト
の電圧を加える電極
Et チューブピエゾ素子にバイプリズムシフトの電圧
を加える電極の対向アース電極
V.E 電圧切替電源
S.S 同期信号
I.I 干渉像
V.D ビデオカメラ(CCDカメラ)
F.M フレームメモリー
C.P コンピュータ
K.B キーボードE. B electron beam S. P sample 0. L Objective lens B. P biprism P. Z tube piezo element P.P. Z. E Electrode for applying biprism shift voltage to the tube piezo element Et Opposed earth electrode V. of electrode for applying biprism shift voltage to the tube piezo element E Voltage switching power supply S. S sync signal I.S. I interference image V. D video camera (CCD camera) F.D. M frame memory C. P Computer K. B keyboard
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−298983(JP,A) 特開 平3−163400(JP,A) 特開 平10−208684(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03H 5/00 H01J 37/26 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-2-298983 (JP, A) JP-A-3-163400 (JP, A) JP-A-10-208684 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 7 , DB name) G03H 5/00 H01J 37/26
Claims (2)
ューブピエゾ素子にチューブピエゾ素子の開口を横切る
ように乗せ、該ピエゾ素子に加える電圧を制御パラメー
タにより順次変化させてバイプリズムをワイヤー軸及び
入射電子線の光軸に垂直な方向に移動させることにより
下部レンズにより結像した干渉パターンにおける初期位
相を順次変化させて、該初期位相を順次変化させたホロ
グラムをフレーム画像として取り込み、取り込んだ一連
のホログラムを数値的に解析して位相分布を求めるバイ
プリズム・シフトによる電子線干渉計測システムであっ
て、 前記ピエゾ素子に加える電圧の制御パラメータを、予め
得られているホログラムからの平均縞幅に基づいて前記
初期位相のシフトが2π以上になる最大電圧量を決定
し、順次ピエゾ素子に加える電圧量変化の刻み及びピエ
ゾ素子がそれぞれの電圧にある時間の長さをコンピュー
タに入力して、設定することを特徴とするバイプリズム
・シフトによる電子線干渉計測システム。1. An electron beam biprism is mounted on a tube piezo element via an insulator so as to traverse an opening of the tube piezo element, and a voltage applied to the piezo element is sequentially changed by a control parameter so that the biprism is connected to a wire axis and By moving in a direction perpendicular to the optical axis of the incident electron beam, the initial phase in the interference pattern formed by the lower lens is sequentially changed, and the hologram in which the initial phase is sequentially changed is captured as a frame image Is a biprism shift electron beam interferometry system that numerically analyzes the hologram to obtain the phase distribution, wherein the control parameter of the voltage applied to the piezo element is the average fringe width from the hologram obtained in advance. The maximum voltage amount at which the initial phase shift is 2π or more is determined based on the An electron beam interferometry system using a biprism shift, characterized in that a step of a change in voltage applied to a child and a length of time each piezoelectric element has at each voltage are input to a computer and set.
のシフトの実行を、前記ピエゾ素子がそれぞれの電圧に
ある時間の長さの設定値と前記テレビカメラの同期信号
のスキャン信号とを、前記テレビカメラの同期信号のス
キャン信号を優先させ、前記シフトの実行・停止を前記
制御パラメータの近似値に置き換える補正を自動的に行
うようにしたことを特徴とする請求項1に記載のバイプ
リズム・シフトによる電子線干渉計測システム。2. The execution of the shift of the initial phase according to the control parameter, the set value of the length of time that the piezo element is at each voltage and the scan signal of the synchronizing signal of the television camera, 2. The biprism shift according to claim 1, wherein the scan signal of the synchronization signal of 1 is given priority, and the execution / stop of the shift is automatically corrected by replacing it with the approximate value of the control parameter. Electron beam interferometry system.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16990097A JP3482588B2 (en) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | Electron beam interference measurement system using biprism shift |
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JP16990097A JP3482588B2 (en) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | Electron beam interference measurement system using biprism shift |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1115359A JPH1115359A (en) | 1999-01-22 |
JP3482588B2 true JP3482588B2 (en) | 2003-12-22 |
Family
ID=15895061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16990097A Expired - Fee Related JP3482588B2 (en) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | Electron beam interference measurement system using biprism shift |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3482588B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2733152B1 (en) * | 1995-04-19 | 1997-07-04 | Sarl Secomi | PROCESS FOR TREATING STERILIZATION AND PACKAGING OF RISKED WASTE AND INSTALLATION FOR CARRYING OUT SAID METHOD |
JP2003042741A (en) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Fujitsu Ltd | Element evaluating method |
JP4882713B2 (en) * | 2006-12-08 | 2012-02-22 | 株式会社デンソー | Method for producing electron beam hologram and transmission electron microscope image, and transmission electron microscope |
JP5382695B2 (en) * | 2009-02-26 | 2014-01-08 | 株式会社日立製作所 | Electron beam interference apparatus and electron beam interference microscopic method |
-
1997
- 1997-06-26 JP JP16990097A patent/JP3482588B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1115359A (en) | 1999-01-22 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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