JP3476366B2 - Method for determining sense current of disk device - Google Patents

Method for determining sense current of disk device

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JP3476366B2
JP3476366B2 JP20249098A JP20249098A JP3476366B2 JP 3476366 B2 JP3476366 B2 JP 3476366B2 JP 20249098 A JP20249098 A JP 20249098A JP 20249098 A JP20249098 A JP 20249098A JP 3476366 B2 JP3476366 B2 JP 3476366B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、センス電流を流す
ことで出力が得られるMRヘッドやスピンバルブヘッド
をリードヘッドに使用したディスク装置のセンス電流決
定方法に関し、特に、要求寿命時間と再生出力を両立さ
せるようにセンス電流を決定するディスク装置のセンス
電流決定方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for determining a sense current of a disk device in which an MR head or a spin valve head, which produces an output by passing a sense current, is used as a read head. The present invention relates to a sense current determination method for a disk device that determines a sense current so as to satisfy both.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の磁気ディスク装置の高記録密度化
の要求に伴い、リードヘッドは高出力と高いS/N比が
要求され、この要求を満足するリードヘッドしてMR素
子やスピンバルブ素子(GMR素子)を使用したものが
実用化されている。
2. Description of the Related Art With the recent demand for higher recording density of magnetic disk devices, read heads are required to have high output and high S / N ratio. MR elements and spin valve elements are used as read heads satisfying these requirements. Those using (GMR elements) have been put to practical use.

【0003】MR素子やスピンバルブ素子を用いたリー
ドヘッドは、再生時にセンス電流を流しており、高出力
と高いS/N比を得るためにより高いセンス電流を流し
たいという要求がある。
A read head using an MR element or a spin valve element passes a sense current during reproduction, and there is a demand to pass a higher sense current in order to obtain a high output and a high S / N ratio.

【0004】しかし、MR素子やスピンバルブ素子は薄
膜の積層構造体であり、もし素子に過大なセンス電流が
流れると、マイグレーションをはじめとする温度上昇に
よる素子劣化が促進されて寿命が短くなり、また発熱に
よる再生特性劣化を引き起す。
However, the MR element and the spin valve element are a laminated structure of thin films, and if an excessive sense current flows through the element, the element deterioration due to temperature rise such as migration is promoted and the life is shortened. Further, it causes deterioration of reproduction characteristics due to heat generation.

【0005】そこで、現状では、MR素子やスピンバル
ブ素子の抵抗値を測定してセンス電流が流れる素子の断
面積を見積り、素子の要求寿命を満たす電流密度からセ
ンス電流を決定している。
Therefore, under the present circumstances, the resistance value of the MR element or the spin valve element is measured to estimate the cross-sectional area of the element through which the sense current flows, and the sense current is determined from the current density satisfying the required life of the element.

【0006】例えば、MR素子の測定抵抗をRとする
と、 R=ρ(L/S) (1) 但し、ρは抵抗率(Ω・m) LはMR素子の長さ(m) SはMR素子の断面積(m2 ) の関係がある。このためセンス電流が流れるMR素子の
断面積Sは、 S=ρ(L/R) (2) として見積ることができる。そして素子の要求寿命を満
たす電流密度Jからセンス電流Iを I=J×S (3) として決定できる。この点はスピンバルブ素子について
も同様である。
For example, if the measured resistance of the MR element is R, then R = ρ (L / S) (1) where ρ is the resistivity (Ω · m) L is the length of the MR element (m) S is MR There is a relation of the cross-sectional area (m 2 ) of the device. Therefore, the cross-sectional area S of the MR element through which the sense current flows can be estimated as S = ρ (L / R) (2). Then, the sense current I can be determined as I = J × S (3) from the current density J that satisfies the required life of the element. This also applies to the spin valve element.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のMR素子やスピンバルブ素子のセンス電流決
定方法にあっては、素子について測定した抵抗値には、
素子の抵抗率ρ以外に素子に設けた一対の電極リードに
よる端子抵抗等のばらつきが含まれており、測定した抵
抗値から求めた断面積は、素子の断面積を正しく表わし
ていない。
However, in such a conventional method for determining the sense current of the MR element or the spin valve element, the resistance value measured for the element is
In addition to the resistivity ρ of the element, variations in terminal resistance and the like due to a pair of electrode leads provided in the element are included, and the cross-sectional area obtained from the measured resistance value does not accurately represent the cross-sectional area of the element.

【0008】そこで素子の抵抗値の測定に基づいて算出
したセンス電流をそのまま使用せず、素子断面積のばら
つきを見込んでより低めのセンス電流値を決定して磁気
ディスク装置に設定している。
Therefore, the sense current calculated based on the measurement of the resistance value of the element is not used as it is, but a lower sense current value is determined and set in the magnetic disk device in consideration of the variation in the element cross-sectional area.

【0009】このためMR素子やスピンバルブ素子に再
生時に流すセンス電流がどうしても低めに設定され、マ
イグレーションや発熱の点では問題ないが、センス電流
が低くなった分、再生出力及びS/N比が低下する問題
があった。
For this reason, the sense current flowing through the MR element or the spin valve element during reproduction is set to a low value, and there is no problem in terms of migration and heat generation, but the lower the sense current, the smaller the reproduction output and the S / N ratio. There was a problem of decline.

【0010】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、MR素子やスピンバルブ素子のマイグレー
ションや発熱を考慮した要求寿命を満足しながら、高出
力と高S/N比を得るようにしたディスク装置のセンス
電流決定方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and achieves a high output and a high S / N ratio while satisfying the required life in consideration of migration and heat generation of the MR element and the spin valve element. An object of the present invention is to provide a method for determining the sense current of the disk device.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。図1(A)において、本発明は複数のMRヘ
ッドとセンス電流供給源を備えたディスク装置、例えば
磁気ディスク装置のセンス電流決定方法であり、次の第
1〜第5過程の手順をもつ。
FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of the present invention. Referring to FIG. 1A, the present invention is a method for determining a sense current of a disk device having a plurality of MR heads and a sense current supply source, for example, a magnetic disk device, and has the following first to fifth steps.

【0012】図1(B)のように、MRヘッドの中から
標準試料として選択された1又は複数のサンプルヘッド
の素子温度と寿命の特性に基づき、所定の要求寿命時間
h1を満足する素子温度T1 を求める第1過程;要求寿
命の素子温度T1 にサンプルヘッドを加熱するために流
すセンス電流I1 を算出する第2過程;図1(C)のよ
うに、サンプルヘッドの再生出力を最大とする点66の
最大出力センス電流I2 を測定する第3過程;第2過程
で求めた素子寿命温度センス電流I1 を第3過程で測定
した最大出力センス電流I2 で割った電流設定比αを算
出する第4過程;装置組立て前に、磁気ディスク装置に
使用する複数のMRヘッドについて再生出力を最大とす
る点66の最大出力センス電流I3i(iはヘッド番号
1,2,3,・・・n)を図1(C)と同様に測定し、
測定した最大出力センス電流I3iの各々に、第4過程で
算出した電流設定比αを乗じて、再生時に複数のMRヘ
ッドに流すセンス電流I4iとして装置に設定する第5過
程;このような本発明のセンス電流決定方法によれば、
MRヘッドの中から標準試料として選択したサンプルヘ
ッドから求めた要求寿命を満足するセンス電流と、再生
出力を最大とする最適センス電流との電流設定比αを、
装置に使用するMRヘッドについて実測した再生出力を
最大とする最大出力センス電流に乗じて再生のセンス電
流を決定するため、素子形状のばらつきの影響を低減し
た高出力で高S/N比となる最適なセンス電流の設定が
可能となり、マイグレーション等の温度劣化要因に対し
ても信頼性を確保できる。
As shown in FIG. 1B, based on the element temperature and life characteristics of one or a plurality of sample heads selected as standard samples from the MR head, the element temperature satisfying a predetermined required life time h1. The first step of obtaining T1; the second step of calculating the sense current I1 flowing to heat the sample head to the element temperature T1 of the required life; the reproduction output of the sample head is maximized as shown in FIG. 1 (C). A third step of measuring the maximum output sense current I2 at the point 66; a current setting ratio α calculated by dividing the element life temperature sense current I1 obtained in the second step by the maximum output sense current I2 measured in the third step. 4 steps: Before assembling the apparatus, the maximum output sense current I3i (i is head number 1, 2, 3, ... N) at the point 66 that maximizes the reproduction output of a plurality of MR heads used in the magnetic disk apparatus Similarly measured 1 (C),
A fifth step of multiplying each of the measured maximum output sense currents I3i by the current setting ratio α calculated in the fourth step and setting the same as the sense current I4i to be flown to a plurality of MR heads during reproduction in the device; According to the sense current determination method of
The current setting ratio α between the sense current that satisfies the required life obtained from the sample head selected as the standard sample from the MR head and the optimum sense current that maximizes the reproduction output is
Since the reproduction sense current is determined by multiplying the maximum output sense current that maximizes the reproduction output actually measured for the MR head used in the apparatus, high output and high S / N ratio are achieved with reduced influence of variations in element shape. It is possible to set the optimum sense current, and it is possible to secure reliability against temperature deterioration factors such as migration.

【0013】ここで第1過程で使用するサンプルヘッド
の素子温度と寿命時間の特性は、図1(B)のように、
実用的な試験時間、例えば1〜2ケ月程度の試験時間で
素子破壊に至る素子温度に対応したセンス電流を流して
寿命時間を少なくとも2点40,42で実測し、この2
点の実測値に基づき要求寿命時間の点64おける素子温
度を補間処理により求める。
Here, the characteristics of the element temperature and the life time of the sample head used in the first step are as shown in FIG.
In a practical test time, for example, a test time of about 1 to 2 months, a sense current corresponding to the element temperature at which the element is destroyed is passed to measure the life time at least at two points 40 and 42.
The element temperature at the point 64 of the required life time is obtained by interpolation processing based on the actual measurement value of the point.

【0014】また第1過程での寿命時間と素子温度の特
性は、図1(B)のように、寿命時間の対数(log h)
に対する素子温度の逆数(1/T)であり、寿命時間の
2点40,42の実測値に基づく直線補間により要求寿
命時間を満足する点64の素子温度T1 を求める。
The characteristic of the life time and the element temperature in the first process is as shown in FIG. 1B, the logarithm of the life time (log h).
Is the reciprocal of the element temperature (1 / T) with respect to, and the element temperature T1 at the point 64 that satisfies the required life time is obtained by linear interpolation based on the measured values of the two points 40 and 42 of the life time.

【0015】第2過程における要求寿命の素子温度Tに
サンプルヘッドを加熱するために流すセンス電流I1
は、所定の常温Taから要求寿命素子温度T1 に達する
に必要な温度上昇ΔT1 を得るサンプルヘッドの電流密
度Jを求め、この電流密度Jにサンプルヘッドのセンス
電流が流れる部分の所定の断面積Sを乗じて求める。
A sense current I1 flowing to heat the sample head to the element temperature T of the required life in the second process.
Is the current density J of the sample head that obtains the temperature rise ΔT1 required to reach the required life element temperature T1 from the predetermined room temperature Ta, and the predetermined cross-sectional area S of the portion where the sense current of the sample head flows to this current density J Multiply by.

【0016】即ち、第2過程は、サンプルヘッドの電流
密度Jに対する上昇温度ΔTの実測に基づく2次関数式 ΔT=aJ2 +bJ+c 但し、a,b,cは定数 から、要求寿命の素子温度T1 までの温度上昇ΔT1 に
必要なサンプルヘッドの電流密度Jを求める。
That is, in the second step, a quadratic function formula ΔT = aJ 2 + bJ + c based on the actual measurement of the temperature rise ΔT with respect to the current density J of the sample head, where a, b, and c are constants, the element temperature T1 of the required life is The current density J of the sample head required for the temperature rise ΔT1 up to is calculated.

【0017】また本発明は複数のスピンバルブヘッドと
センス電流供給源を備えた磁気ディスク装置のセンス電
流決定方法であり、次の第1〜第5過程の手順をもつ。
Further, the present invention is a method for determining a sense current of a magnetic disk device having a plurality of spin valve heads and a sense current supply source, and has the following first to fifth steps.

【0018】スピンバルブヘッドの中から標準試料とし
て選択された1又は複数のサンプルヘッドの素子温度と
寿命の特性に基づき、所定の要求寿命時間h1 を満足す
る素子温度T1 を求める第1過程;要求寿命の素子温度
Tにサンプルヘッドを加熱するために流すセンス電流I
1を算出する第2過程;サンプルヘッドの再生出力を最
大とする最適センス電流I2 を測定する第3過程;第2
過程で求めたセンス電流I1 を第3過程で測定した最適
センス電流I2 で割った電流比αを算出する第4過程;
装置組立て前に、磁気ディスク装置に使用する複数のス
ピンバルブヘッドについて再生出力を最大とする最大出
力センス電流I3i(iはヘッド番号1,2,3,・・・
n)を測定し、測定した最適センス電流I3iの各々に、
第4過程で算出した電流比αを乗じて、再生時に複数の
スピンバルブヘッドに流すセンス電流I4iとして装置に
設定する第5過程;このためスピンバルブヘッドについ
ても、サンプルヘッドから求めた要求寿命を満足するセ
ンス電流と再生出力を最大とする最適センス電流との電
流設定比αを、装置に使用するスピンバルブヘッドの再
生出力を最大とするセンス電流の実測値に乗じて、再生
時に流すセンス電流を設定するため、素子形状のばらつ
きの影響を低減した最適なセンス電流の設定が可能とな
り、マイグレーション等の温度劣化要因に対しても信頼
性を確保できる。このスピンバルブヘッドのセンス電流
決定方法に関する詳細は、MRヘッドと同じである。
First step of obtaining an element temperature T1 satisfying a predetermined required life time h1 based on the characteristics of the element temperature and the life of one or a plurality of sample heads selected as standard samples from the spin valve head; Sense current I flowing to heat the sample head to the element temperature T of the lifetime
Second step for calculating 1; Third step for measuring the optimum sense current I2 that maximizes the reproduction output of the sample head; Second step
A fourth step of calculating a current ratio α by dividing the sense current I1 obtained in the step by the optimum sense current I2 measured in the third step;
Before assembling the apparatus, the maximum output sense current I3i (i is head number 1, 2, 3, ...) Which maximizes the reproduction output for a plurality of spin valve heads used in the magnetic disk apparatus.
n) is measured, and for each of the measured optimum sense currents I3i,
A fifth step of multiplying the current ratio α calculated in the fourth step and setting it in the device as a sense current I4i flowing through a plurality of spin valve heads at the time of reproduction; therefore, the spin valve head also has the required life obtained from the sample head. The current setting ratio α between the satisfactory sense current and the optimum sense current that maximizes the playback output is multiplied by the actual value of the sense current that maximizes the playback output of the spin valve head used in the device, and the sense current that flows during playback is multiplied. Is set, it is possible to set the optimum sense current in which the influence of the variation in the element shape is reduced, and the reliability can be ensured against the factors of temperature deterioration such as migration. The details of the method of determining the sense current of this spin valve head are the same as those of the MR head.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】図2は本発明のセンス電流決定方
法が適用されるMRヘッドを使用したハードディスクド
ライブにおけるディスクエンクロージャの内部構造であ
る。
2 is an internal structure of a disk enclosure in a hard disk drive using an MR head to which the sense current determining method of the present invention is applied.

【0020】図2において、ハードディスクドライブの
ディスクエンクロージャ10は、スピンドルモータ15
により回転される磁気ディスク12を複数重ねて配置し
ており、磁気ディスク12に対してはロータリ型のヘッ
ドアクチュエータ14が設けられている。
In FIG. 2, the disk enclosure 10 of the hard disk drive is a spindle motor 15
A plurality of magnetic disks 12 rotated by the above are arranged in a stacked manner, and a rotary head actuator 14 is provided for the magnetic disks 12.

【0021】ロータリ型のヘッドアクチュエータ14
は、外側にVCM16を設けると共に、先端側にヘッド
アッセンブリィ18をオフセットして配置しており、ヘ
ッドアッセンブリィ18の先端には複合ヘッド20が装
着されている。またディスクエンクロージャ10の底部
にはFPC上にヘッドIC22が実装され、ヘッドIC
22とヘッドアクチュエータ14との間はFPCバンド
部24で連結されている。
Rotary type head actuator 14
Is provided with a VCM 16 on the outside, and a head assembly 18 is arranged offset on the tip side, and a composite head 20 is attached to the tip of the head assembly 18. A head IC 22 is mounted on the FPC at the bottom of the disk enclosure 10.
22 and the head actuator 14 are connected by an FPC band portion 24.

【0022】図3は、図2のヘッドアクチュエータ14
の先端に設けたヘッドアッセンブリィ18を取り出して
いる。ヘッドアッセンブリィ18は、アクチュエータ本
体に取り付ける取付け部18−1と、これに続いくバネ
板18−2を有し、バネ板18−2の先端に複合ヘッド
20を取り付けている。
FIG. 3 shows the head actuator 14 of FIG.
The head assembly 18 provided at the tip of is taken out. The head assembly 18 has a mounting portion 18-1 to be mounted on the actuator body, and a spring plate 18-2 following the mounting portion 18-1. The composite head 20 is mounted to the tip of the spring plate 18-2.

【0023】図4は、図3の複合ヘッド20を取り出し
て媒体面側を上にして示している。複合ヘッド20の媒
体面側には、両側のサイドスライダ21−1,21−2
とセンタスライダ30が形成され、ヘッドセンタ側の端
面にライトヘッドとして動作するインダクティブヘッド
24と、リードヘッドとして動作するMRヘッド26を
装着している。
FIG. 4 shows the composite head 20 of FIG. 3 taken out with the medium surface side facing up. On the medium surface side of the composite head 20, side sliders 21-1 and 21-2 on both sides are provided.
A center slider 30 is formed, and an inductive head 24 that operates as a write head and an MR head 26 that operates as a read head are mounted on the end surface on the head center side.

【0024】図5は、図4のインダクティブヘッド24
とMRヘッド26の部分を取り出して拡大している。イ
ンダクティブヘッド24は、磁極24−1,24−2の
間にコイル38を配置しており、磁気ディスク媒体面の
トラックに磁気記録パターン36を書き込む。MRヘッ
ド36はインダクティブヘッド24と一体に形成され、
MR素子32をその両側に位置するリード端子34で支
持しており、再生時にはリード端子34からMR素子3
2にセンス電流Iが流れる。
FIG. 5 shows the inductive head 24 of FIG.
The MR head 26 is taken out and enlarged. The inductive head 24 has a coil 38 arranged between the magnetic poles 24-1 and 24-2, and writes the magnetic recording pattern 36 on a track on the surface of the magnetic disk medium. The MR head 36 is formed integrally with the inductive head 24,
The MR element 32 is supported by the lead terminals 34 located on both sides of the MR element 32.
The sense current I flows through 2.

【0025】MR素子34には異方性磁気抵抗効果を示
すNi−Fe膜等の炭素膜を使用している。このMRヘ
ッド26に再生時に流すセンス電流を、本発明は最適な
値に決定する。
As the MR element 34, a carbon film such as a Ni--Fe film exhibiting an anisotropic magnetoresistive effect is used. According to the present invention, the sense current supplied to the MR head 26 during reproduction is determined to be an optimum value.

【0026】図6は、図4のMRヘッド26を対象とし
た本発明によるセンス電流決定処理の手順のフローチャ
ートである。この図6におけるセンス電流決定処理の手
順は第1〜第5の5つの過程に分かれる。このうち第1
過程から第4過程即ちステップS1〜S5の処理が、ハ
ードディスクの組立てに先立って部品として準備された
複数のMRヘッドの中から選択された1又は複数のサン
プルヘッドを標準試料として行う処理であり、第5工程
のステップS6,S7の処理がサンプルヘッドから得ら
れた結果を用いた実際のハードディスクに使用するMR
ヘッドについてのセンス電流の決め方となる。
FIG. 6 is a flow chart of the procedure of the sense current determination process according to the present invention for the MR head 26 of FIG. The procedure of the sense current determination process in FIG. 6 is divided into five steps, first to fifth. The first of these
The process to the fourth process, that is, the processes of steps S1 to S5 is a process of performing one or a plurality of sample heads selected from a plurality of MR heads prepared as parts prior to the assembly of the hard disk as a standard sample, MR to be used for an actual hard disk using the results obtained from the sample head in the processing of steps S6 and S7 of the fifth step
This is how to determine the sense current for the head.

【0027】まず第1過程はステップS1のように、M
Rヘッドの中から選択されたサンプルヘッドを対象に、
素子温度Tに対する寿命時間hの特性グラフを実測に基
づいて生成する。
First, in the first step, as in step S1, M
Targeting the sample head selected from the R heads,
A characteristic graph of the life time h with respect to the element temperature T is generated based on actual measurement.

【0028】図7は図6のステップS1で生成した素子
温度Tに対する寿命時間hの特性グラフである。即ち図
7において、横軸は温度をパラメータとしており、具体
的には温度Tの逆数(1/T)をとっている。また温度
Tは華氏(°F)であり、それぞれ500°F、400
°F、330°Fに対応している。これは摂氏で表わす
と226℃、126℃、59℃となる。
FIG. 7 is a characteristic graph of the life time h with respect to the element temperature T generated in step S1 of FIG. That is, in FIG. 7, the horizontal axis has the temperature as a parameter, and specifically, the inverse number (1 / T) of the temperature T is taken. The temperature T is Fahrenheit (° F), 500 ° F and 400 ° F, respectively.
Corresponds to ° F and 330 ° F. This is 226 ° C., 126 ° C., and 59 ° C. in Celsius.

【0029】縦軸は寿命時間hを対数で表わしている。
このような素子温度に対する寿命時間の特性は、一般的
には次式で与えられる。
The vertical axis represents the life time h in logarithm.
The characteristic of the life time with respect to such element temperature is generally given by the following equation.

【0030】[0030]

【数1】 しかしながら、この理論式と実際の特性の間にはばらつ
きが予想されることから、本発明にあっては測定点4
0,42のように、例えば寿命時間が1000時.間を
超えない素子温度(1/T)=2.2×10-3及び2.
3×10-3となるセンス電流を流し続けた状態で寿命時
間を実測する。
[Equation 1] However, since a variation is expected between this theoretical formula and the actual characteristic, in the present invention, measurement point 4
0,42, the life time is 1000 hours. Element temperature not exceeding the interval (1 / T) = 2.2 × 10 −3 and 2.
The life time is measured in the state where the sense current of 3 × 10 −3 is kept flowing.

【0031】寿命の目安は、MR素子の抵抗値が例えば
±0.5%以上変化した時点とする。また、サンプルヘ
ッドは、温度毎に用意され、ある温度に対する寿命時間
の測定において、複数のサンプルヘッドを使用する場
合、最も寿命時間が短いサンプルヘッドの寿命時間をそ
の温度における寿命時間とする。
The standard of life is when the resistance value of the MR element changes by, for example, ± 0.5% or more. Further, the sample head is prepared for each temperature, and when a plurality of sample heads are used in measuring the life time at a certain temperature, the life time of the sample head having the shortest life time is defined as the life time at that temperature.

【0032】このようにして2つの測定点40,42が
得られたならば、両者を結ぶ直線によって温度(1/
T)に対する寿命時間log hの直線補間による特性を獲
得する。
When the two measurement points 40 and 42 are obtained in this way, the temperature (1 /
The characteristic by linear interpolation of the life time log h for T) is obtained.

【0033】図7のようにしてサンプルヘッドとして選
択したMR素子の素子温度Tに対する寿命時間hの特性
グラフが得られたならば、図6のステップS2で、図7
の特性グラフから予め定めた要求時間h1を満足する素
子温度T1を導出する。例えばMRヘッドの通電寿命を
2年とした場合、図7の寿命時間h=17250時間と
なり、測定点40,42の直線補間で得られた特性直線
との交点64から対応する素子温度(1/T1) 1/T1=2.701×10-3[1/°F] を得ることができる。この場合の素子温度T1は華氏で
370°Kであり、摂氏では97℃となる。
When the characteristic graph of the life time h with respect to the element temperature T of the MR element selected as the sample head is obtained as shown in FIG. 7, step S2 of FIG.
The element temperature T1 that satisfies the predetermined required time h1 is derived from the characteristic graph of 1. For example, when the energization life of the MR head is 2 years, the life time h = 17250 hours in FIG. 7, and the corresponding element temperature (1/1) from the intersection point 64 with the characteristic straight line obtained by the linear interpolation of the measurement points 40 and 42. T1) 1 / T1 = 2.701 × 10 −3 [1 / ° F] can be obtained. In this case, the element temperature T1 is 370 ° K in Fahrenheit and 97 ° C in Celsius.

【0034】次に図6の第2工程となるステップS3
で、図7の寿命時間h1=17250時間となる寿命直
線の交点64から求めた素子温度T1=97℃に基づ
き、この素子温度T1=97℃となるようにサンプルM
Rヘッドを所定の常温Taから加熱するために流す寿命
素子温度センス電流I1を導出する。
Next, step S3, which is the second step in FIG.
Then, based on the element temperature T1 = 97 ° C. obtained from the intersection point 64 of the life straight line where the life time h1 = 17250 hours in FIG. 7, the sample M is adjusted so that the element temperature T1 = 97 ° C.
A life element temperature sense current I1 flowing to heat the R head from a predetermined room temperature Ta is derived.

【0035】図8のフローチャートは、図6のステップ
S3における寿命素子温度センス電流I1の算出処理の
手順である。まずステップS1で、要求寿命時間h=h
1から求めた素子の要求寿命温度T1を、所定の常温T
aを例えばTa=25°として、常温Taに対し要求寿
命素子温度T1=97°に対する温度上昇ΔTを求め
る。この場合、 T=Ta+ΔT 97℃=25℃+ΔT であるから、温度上昇ΔT=72℃となる。次にステッ
プS2で、MR素子における電流密度Jと温度上昇ΔT
の関係を次式で設定する。
The flow chart of FIG. 8 shows the procedure of the calculation process of the life element temperature sense current I1 in step S3 of FIG. First, in step S1, the required life time h = h
The required life temperature T1 of the element obtained from
When a is set to Ta = 25 °, for example, the temperature rise ΔT with respect to the required life element temperature T1 = 97 ° with respect to the room temperature Ta is obtained. In this case, T = Ta + ΔT 97 ° C. = 25 ° C. + ΔT, so the temperature rise ΔT = 72 ° C. Next, in step S2, the current density J and the temperature rise ΔT in the MR element are
The relation of is set by the following formula.

【0036】 ΔT=aJ2+bJ+c (5) 但し、a,b,cは定数 図9は、図8のステップS2の関係式の特性図であり、
MR素子に流れるセンス電流の電流密度Jに対し、素子
の温度上昇ΔTは2次関数で与えられる。このMR素子
における温度上昇ΔTと電流密度Jとの関係は、実験的
に求めることで係数a,b,cが定数として予め求まっ
ている。したがって、図8のステップS3で、(5)式
にステップS1で求めた温度上昇ΔT=72℃を代入し
て電流密度Jを算出する。
ΔT = aJ 2 + bJ + c (5) where a, b, and c are constants. FIG. 9 is a characteristic diagram of the relational expression in step S2 of FIG.
The temperature rise ΔT of the element is given by a quadratic function with respect to the current density J of the sense current flowing in the MR element. The relationship between the temperature rise ΔT and the current density J in this MR element is previously obtained as a constant by experimentally obtaining the coefficients a, b, and c. Therefore, in step S3 of FIG. 8, the current density J is calculated by substituting the temperature increase ΔT = 72 ° C. obtained in step S1 into the equation (5).

【0037】続いてステップS4で、要求寿命に対応し
た素子温度T1=97℃に対応するセンス電流I1を I1=J×S (6) として算出する。ここでSはMR素子のNi−Feでな
る単層膜について、センス電流が流れる設計パラメータ
として予め定まった形状から求めた断面積である。例え
ば図8のセンス電流算出処理により、要求寿命時間h1
=17500時間のの素子温度T1=97℃に加熱する
センス電流I1としてI1=9.3ミリアンペアが算出
される。
Then, in step S4, the sense current I1 corresponding to the element temperature T1 = 97 ° C. corresponding to the required life is calculated as I1 = J × S (6). Here, S is a cross-sectional area of the Ni-Fe single layer film of the MR element, which is obtained from a predetermined shape as a design parameter through which the sense current flows. For example, by the sense current calculation process of FIG.
I1 = 9.3 milliamperes is calculated as the sense current I1 for heating the element temperature T1 = 97 ° C. for 17500 hours.

【0038】次に図6の第3工程のステップS4に進
み、サンプルヘッドにつき再生出力が最大となるセンス
電流I2を実測する。複数のサンプルヘッドを用いた場
合、各々における再生出力が最大となるセンス電流の平
均値をI2とする。
Next, in step S4 of the third step shown in FIG. 6, the sense current I2 that maximizes the reproduction output of the sample head is measured. When a plurality of sample heads are used, the average value of the sense current that maximizes the reproduction output in each is I2.

【0039】図10は、図6のステップS4の再生出力
を最大とするセンス電流I2の電流測定処理のフローチ
ャートである。この再生出力を最大とするセンス電流の
測定処理は、例えば図11のようなヘッド試験機40を
使用して行う。図11のヘッド試験機40は、スピンド
ルモータ42に例えば単一の磁気ディスク12を装着し
ている。
FIG. 10 is a flowchart of the current measuring process of the sense current I2 that maximizes the reproduction output in step S4 of FIG. The measurement process of the sense current that maximizes the reproduction output is performed using the head tester 40 as shown in FIG. 11, for example. In the head tester 40 of FIG. 11, for example, a single magnetic disk 12 is mounted on a spindle motor 42.

【0040】磁気ディスク12に対しては上下方向に駆
動自在なヘッドアクチュエータ44に設けた試験アーム
45の先端に、試験対象とする図3のヘッドアッセンブ
リィ18を着脱自在に設けている。またヘッド試験機4
0にはコントロールボード46が設けられる。コントロ
ールボード46は例えば図12の回路ブロックで構成さ
れる。
A head assembly 18 of FIG. 3 to be tested is removably attached to the tip of a test arm 45 provided on a head actuator 44 that is vertically movable with respect to the magnetic disk 12. Also head tester 4
0 is provided with a control board 46. The control board 46 is composed of, for example, the circuit block shown in FIG.

【0041】図12において、コントロールボード46
はMPU48、HDC(ハードディスクコントローラ)
50、ライト変調回路46、リード復調回路54、セン
ス電流設定回路56、ヘッドIC22を備え、MPU4
8が所定の試験シーケンスに従ってスピンドルモータ4
2及びアクチュエータ44を駆動し、更にHDC50を
介してテストパターンをライト変調回路46で書込信号
に変調した後に、ヘッドIC22を介してインダクティ
ブヘッド24により磁気ディスク12に書き込む。
In FIG. 12, the control board 46
Is MPU48, HDC (hard disk controller)
50, write modulation circuit 46, read demodulation circuit 54, sense current setting circuit 56, head IC 22,
8 is a spindle motor 4 according to a predetermined test sequence
2 and the actuator 44 are driven, and the test pattern is further modulated by the write modulation circuit 46 via the HDC 50, and then written on the magnetic disk 12 by the inductive head 24 via the head IC 22.

【0042】この磁気ディスク12に書き込まれたテス
トパターンは、MRヘッド26で読み出され、リード復
調回路54で復調され、HDC50を介してMPU48
でリードデータ、更にはMRヘッド26からの出力を判
定することができる。このため、図10のMRヘッドの
出力を最大とするセンス電流の測定処理は、この処理手
順をプログラムしたMPU48の機能により実行され
る。
The test pattern written on the magnetic disk 12 is read by the MR head 26, demodulated by the read demodulation circuit 54, and passed through the HDC 50 to the MPU 48.
The read data and further the output from the MR head 26 can be determined. Therefore, the process of measuring the sense current that maximizes the output of the MR head of FIG. 10 is executed by the function of the MPU 48 that has programmed this process procedure.

【0043】図10のセンス電流測定処理において、ま
ずステップS1でMRヘッド26にセンス電流の初期電
流Iを設定し、次のステップS2でMRヘッド26の再
生出力Vnを測定する。続いてステップS3で、今回の
再生出力Vnと前回の再生出力Vn-1 の大小関係を比較
する。再生出力Vnが前回の再生出力Vn-1 より大きけ
れば、ステップS4でそのときのセンス電流Iを再生出
力を最大とするセンス電流I2にセットする。ステップ
S3で今回の再生出力Vnが前回の再生出力Vn-1 以下
であれば、ステップS4はスキップする。
In the sense current measuring process of FIG. 10, first, in step S1, the initial current I of the sense current is set in the MR head 26, and in the next step S2, the reproduction output Vn of the MR head 26 is measured. Then, in step S3, the magnitude relationship between the current reproduction output Vn and the previous reproduction output Vn-1 is compared. If the reproduction output Vn is larger than the previous reproduction output Vn-1, the sense current I at that time is set to the sense current I2 that maximizes the reproduction output in step S4. If the current reproduction output Vn is less than or equal to the previous reproduction output Vn-1 in step S3, step S4 is skipped.

【0044】続いてステップS5で現在のセンス電流I
を所定値ΔIだけ増加させ、ステップS6で予め定めた
上限電流に到達するまで、ステップS2からの処理を繰
り返す。ステップS6で現在のセンス電流Iが上限電流
に到達したならば、ステップS7に進み、そのときステ
ップS4でセットしているセンス電流を再生出力が得ら
れるセンス電流I2に決定する。
Then, in step S5, the current sense current I
Is increased by a predetermined value ΔI, and the processing from step S2 is repeated until the upper limit current determined in step S6 is reached. If the current sense current I reaches the upper limit current in step S6, the process proceeds to step S7, and the sense current set in step S4 at that time is determined as the sense current I2 that can obtain the reproduction output.

【0045】図12は、図10のセンス電流測定処理で
得られたセンス電流Iに対するMRヘッドの再生出力の
特性図である。この場合、センス電流IをΔI=1ミリ
アンペア単位に、初期値2ミリアンペアから上限値12
ミリアンペアまで増加させており、再生出力が最大とな
るピーク点66のセンス電流I2=11ミリアンペアが
測定されている。
FIG. 12 is a characteristic diagram of the reproduction output of the MR head with respect to the sense current I obtained in the sense current measurement process of FIG. In this case, the sense current I is increased from the initial value of 2 mA to the upper limit value of 12 in ΔI = 1 mA unit.
The current is increased to milliamperes, and the sense current I2 at the peak point 66 at which the reproduction output is maximized is 11 milliamps.

【0046】ここで再生出力のピーク点66に対応した
センス電流I2=11ミリアンペアにおけるMR素子の
素子温度は実験的に求めることが可能であり、約130
℃であった。この値は図7の温度(1/T)=2.47
×10-3[1/°F]に相当し、この場合の寿命時間h
は1100時間程度であり、要求寿命時間h=1725
0時間を大きく下回っている。
Here, the element temperature of the MR element at the sense current I2 = 11 milliampere corresponding to the peak point 66 of the reproduction output can be experimentally obtained and is about 130.
It was ℃. This value is the temperature (1 / T) in FIG. 7 = 2.47.
Corresponding to × 10 -3 [1 / ° F], life time h in this case
Is about 1100 hours, and the required life time h = 1725
It is well under 0 hours.

【0047】図10のセンス電流測定処理により、例え
ば図12のような再生出力が最大となるセンス電流I2
=11ミリアンペアがサンプルヘッドについて実測でき
たならば、次に図6の第4工程となるステップS5で、
最適センス電流を求めるための電流設定比αを次式によ
り算出する。
By the sense current measurement process of FIG. 10, for example, the sense current I2 that maximizes the reproduction output as shown in FIG.
= 11 milliamps can be actually measured for the sample head, in step S5 which is the fourth step of FIG.
The current setting ratio α for obtaining the optimum sense current is calculated by the following equation.

【0048】α=I1/I2 (7) ここで、図8のセンス電流算出処理から求めた要求寿命
の素子温度T=97℃に対応したセンス電流はI1=
9.3ミリアンペアであり、図10の再生出力を最大と
するセンス電流測定処理から求めたセンス電流I2=1
1ミリアンペアであることから、最適センス電流を求め
るための電流設定比αは α=I1/I2=9.3÷11.0=約0.85 が得られる。そこで、例えば最適センス電流を算出する
ための電流設定比αをα=0.85(=85%)に設定
する。
Α = I1 / I2 (7) Here, the sense current corresponding to the element temperature T = 97 ° C. of the required life obtained from the sense current calculation process of FIG. 8 is I1 =
It is 9.3 milliamperes, and the sense current I2 = 1 obtained from the sense current measurement process that maximizes the reproduction output of FIG.
Since it is 1 milliampere, the current setting ratio α for obtaining the optimum sense current is α = I1 / I2 = 9.3 ÷ 11.0 = about 0.85. Therefore, for example, the current setting ratio α for calculating the optimum sense current is set to α = 0.85 (= 85%).

【0049】このような図6のステップS1〜S5の第
1工程から第4工程の処理は、MRヘッドの中から単一
のヘッドを標準試料のサンプルヘッドとして選択して求
めてもよいが、サンプルヘッドを複数用いて電流設定比
αを求め、その平均を得ることで、MR素子のばらつき
による影響を低減できる。
The processing of the first to fourth steps S1 to S5 of FIG. 6 may be obtained by selecting a single head from the MR heads as the sample head of the standard sample. By obtaining the current setting ratio α using a plurality of sample heads and obtaining the average thereof, it is possible to reduce the influence of variations in MR elements.

【0050】この場合、ステップS1〜S3の処理は1
つのサンプルヘッドについて求め、ステップS4におけ
る再生出力が最大となるセンス電流I2を複数のサンプ
ルヘッドについて実測してその平均値からセンス電流I
2を決定し、ステップS5で電流設定比αを算出するこ
とが望ましい。
In this case, the processing of steps S1 to S3 is 1
For each of the sample heads, the sense current I2 that maximizes the reproduction output in step S4 is measured for a plurality of sample heads, and the sense current I2 is calculated from the average value.
It is desirable to determine 2 and calculate the current setting ratio α in step S5.

【0051】このようにして図6の第1工程〜第4工程
でサンプルヘッドから最適センス電流を決めるための電
流設定比αが求められたならば、第5工程となるステッ
プS6,S7で、図2のハードディスクドライブの組立
てに先立ち、組立てに使用する装置1台分の図3のヘッ
ドアッセンブリィ18について、ステップS6でヘッド
ごとに再生出力が最大となるセンス電流I3iを実測
し、ステップS7で、実測したヘッドごとのセンス電流
I3iにステップS5で求めた電流設定比αを乗じ、各
ヘッドの最適センス電流を決定して装置に設定する。
In this way, if the current setting ratio α for determining the optimum sense current from the sample head is obtained in the first to fourth steps of FIG. 6, in the fifth step, steps S6 and S7, Prior to assembling the hard disk drive shown in FIG. 2, for the head assembly 18 shown in FIG. 3 for one device used for the assembly, the sense current I3i that maximizes the reproduction output is measured for each head in step S6, and in step S7. The measured sense current I3i for each head is multiplied by the current setting ratio α obtained in step S5 to determine the optimum sense current for each head and set it in the device.

【0052】この場合、図6の装置に使用するヘッドご
との再生出力を最大とするセンス電流I3iの、実測は
図10のセンス電流測定処理と同じでよく、例えば図1
1,図12のようなヘッド試験機44を使用して実測す
る。
In this case, the actual measurement of the sense current I3i for maximizing the reproduction output for each head used in the apparatus of FIG. 6 may be the same as the sense current measurement processing of FIG.
1, actual measurement is performed using a head tester 44 as shown in FIG.

【0053】また図6のステップS7の再生出力を最大
とするセンス電流の実測値に電流設定比αを乗じた各ヘ
ッドごとの最適電流I3iの装置設定は、例えば図12
のヘッド試験機44のコントロールボード46に設けた
MPU48により、算出した最適センス電流I3iをイ
ンタフェース58を介してプリンタや磁気ディスクドラ
イブ等の入出力装置に供給して出力し、この出力結果に
基づいて、例えば図2のディスクエンクロージャ10に
設けているヘッドIC22に、決定された各ヘッドごと
のセンス電流を設定する。
Further, the device setting of the optimum current I3i for each head obtained by multiplying the measured value of the sense current that maximizes the reproduction output in step S7 of FIG.
The MPU 48 provided on the control board 46 of the head tester 44 supplies the calculated optimum sense current I3i to the input / output device such as a printer or a magnetic disk drive via the interface 58 and outputs the optimum sense current I3i. For example, the determined sense current for each head is set in the head IC 22 provided in the disk enclosure 10 of FIG.

【0054】図13は、図6のステップS6,S7で決
定された各ヘッドのセンス電流が設定される図2のディ
スクエンクロージャ10の下部に設けているコントロー
ルボードの回路ブロックをディスクエンクロージャ側と
共に示している。
FIG. 13 shows, together with the disk enclosure side, the circuit block of the control board provided under the disk enclosure 10 of FIG. 2 in which the sense current of each head determined in steps S6 and S7 of FIG. 6 is set. ing.

【0055】図13において、ディスクエンクロージャ
10にはヘッドIC22に対し例えば8つの複合ヘッド
20−1〜20−8を設けている。複合ヘッド20−1
〜20−8には、それぞれインダクティブヘッド24−
1〜24−8とMRヘッド26−1〜26−8が設けら
れている。更にディスクエンクロージャ10にはスピン
ドルモータ15とボイルコイルモータ16が設けられて
いる。
In FIG. 13, the disk enclosure 10 is provided with eight composite heads 20-1 to 20-8 for the head IC 22. Compound head 20-1
To 20-8 are respectively inductive heads 24-
1 to 24-8 and MR heads 26-1 to 26-8 are provided. Further, the disk enclosure 10 is provided with a spindle motor 15 and a boil coil motor 16.

【0056】コントロールボード112側には、ハード
ディスクドライブ全体の制御を行うMCU(マイクロコ
ントロールユニット)128、ハードディスクコントロ
ーラ(HDC)130、リードチャネル回路132、サ
ーボ復調回路を備えた制御ロジック回路134、VCM
124及びスピンドルモータ126をパワーアンプ14
0により駆動するDSPを用いたサーボコントローラ1
38、不揮発性メモリとして設けられたフラッシュP−
ROM142、DRAMを使用したバッファRAM14
4、更に上位装置としてのホストとの間でデータ及び信
号のやり取りを行うホストインタフェース146が設け
られる。
On the control board 112 side, an MCU (micro control unit) 128 for controlling the entire hard disk drive, a hard disk controller (HDC) 130, a read channel circuit 132, a control logic circuit 134 having a servo demodulation circuit, and a VCM.
124 and the spindle motor 126 to the power amplifier 14
Servo controller 1 using DSP driven by 0
38, flash P-provided as non-volatile memory
Buffer RAM14 using ROM142 and DRAM
4. Further, a host interface 146 for exchanging data and signals with a host as a host device is provided.

【0057】図14は、図13のディスクエンクロージ
ャ10側に設けたヘッドIC22の回路ブロックであ
る。ヘッドIC22は、モードセレクタ148を有し、
図13の制御ロジック回路134からのチップセレクト
信号(CS信号)E1によりライト動作又はリード動作
が選択される。リード動作の選択時にあっては、書込電
流源54を有効とし、そのとき供給されてくる書込電流
設定信号(WIS信号)E3により書込電流を決定す
る。
FIG. 14 is a circuit block diagram of the head IC 22 provided on the disk enclosure 10 side of FIG. The head IC 22 has a mode selector 148,
A write operation or a read operation is selected by the chip select signal (CS signal) E1 from the control logic circuit 134 of FIG. When the read operation is selected, the write current source 54 is enabled, and the write current is determined by the write current setting signal (WIS signal) E3 supplied at that time.

【0058】また書込動作を選択した際には、図13の
リードチャネル回路32より書込データ信号(WD信
号)E2が書込FF150に入力し、ライトアンプ15
2の動作で、そのときライトヘッド切替回路156によ
り切り替えられているインダクティブヘッド24−1〜
24−8のいずれか1つに書込電流を流して磁気ディス
クに対し磁気記録を行う。
When the write operation is selected, the write data signal (WD signal) E2 is input to the write FF 150 from the read channel circuit 32 of FIG.
2 in the inductive heads 24-1 to 24-1, which are switched by the write head switching circuit 156 at that time.
A write current is passed through any one of 24-8 to perform magnetic recording on the magnetic disk.

【0059】ライトヘッド切替回路156の切替えは、
ヘッドセレクタ158により行われる。ヘッドセレクタ
158に対してはヘッドセレクタ信号(HS信号)E4
が与えられ、ヘッド番号HH=00〜08のいずれか1
つを指定することでヘッド1つを選択する。
Switching of the write head switching circuit 156 is performed by
This is performed by the head selector 158. A head selector signal (HS signal) E4 is sent to the head selector 158.
Is given and any one of the head numbers HH = 00 to 08 is given.
One head is selected by specifying one.

【0060】一方、モードセレクタ148でリード動作
を選択した場合には、リード回路系に設けているブース
タ164を有効とすることで、読取信号(RD信号)E
7を図13のリードチャネル回路132に出力する。ブ
ースタ164の前段には固定利得のリードアンプ162
が設けられ、リードアンプ162に対してはリードヘッ
ド切替回路160を介して8つのMRヘッド26−1〜
26−8が接続されている。
On the other hand, when the read operation is selected by the mode selector 148, the booster 164 provided in the read circuit system is made effective so that the read signal (RD signal) E
7 is output to the read channel circuit 132 of FIG. A fixed gain read amplifier 162 is provided in front of the booster 164.
Are provided, and the eight MR heads 26-1 to 26-1 are connected to the read amplifier 162 via the read head switching circuit 160.
26-8 is connected.

【0061】リードヘッド切替回路160は、ヘッドセ
レクタ158に対するヘッドセレクト信号E4により、
いずれか1つがリードアンプ162側に切替接続され
る。更にリードヘッドコントローラ166が設けられ、
図13の制御ロジック回路134より複数の信号線によ
ってヘッド制御信号E4が入力されている。
The read head switching circuit 160 receives the head select signal E4 for the head selector 158,
Any one of them is switched and connected to the read amplifier 162 side. Further, a read head controller 166 is provided,
The head control signal E4 is input from the control logic circuit 134 of FIG. 13 through a plurality of signal lines.

【0062】リードヘッドコントローラ166によるリ
ードヘッド、即ちMRヘッド26−1〜26−8の制御
としては、センス電流の電流値設定制御を行う。即ち、
リードヘッドコントローラ166にはセンス電流切替回
路70が設けられており、ヘッドセレクタ158からの
ヘッドセレクト信号E4に基づいたヘッド切替信号に対
応して選択したMRヘッドに対するセンス電流を切り替
える。
The read head controller 166 controls the read heads, that is, the MR heads 26-1 to 26-8, by setting the current value of the sense current. That is,
The read head controller 166 is provided with a sense current switching circuit 70, and switches the sense current for the MR head selected in response to the head switching signal based on the head select signal E4 from the head selector 158.

【0063】このセンス電流切替えに使用する設定セン
ス電流は、EEPROM172に予め記憶されている。
即ち、図6の本発明のセンス電流決定処理で決定された
各MRヘッド26−1〜26−8ごとの最適センス電流
I31〜I38が、テーブル情報としてEEPROM1
70に予め記憶されている。このため再生時には、選択
したMRヘッドのセンス電流をEEPROM170から
読み出し、センス電流切替回路70でリードヘッド切替
回路160を介して、対応するMRヘッドにセンス電流
を流す。
The set sense current used for switching the sense current is stored in the EEPROM 172 in advance.
That is, the optimum sense currents I31 to I38 for each MR head 26-1 to 26-8 determined by the sense current determination process of the present invention in FIG. 6 are stored in the EEPROM 1 as table information.
It is stored in advance in 70. Therefore, at the time of reproduction, the sense current of the selected MR head is read from the EEPROM 170, and the sense current switching circuit 70 causes the sense current to flow to the corresponding MR head via the read head switching circuit 160.

【0064】次にリードヘッドにスピンバルブヘッドを
用いた本発明の実施形態を説明する。図16は、図2の
ハードディスクドライブのディスクエンクロージャ10
に設けている複合ヘッド20のリードヘッドとして使用
するスピンバルブヘッドの説明図である。
Next, an embodiment of the present invention in which a spin valve head is used as the read head will be described. FIG. 16 shows a disk enclosure 10 of the hard disk drive of FIG.
5 is an explanatory diagram of a spin valve head used as a read head of the composite head 20 provided in FIG.

【0065】図16において、スピンバルブヘッド70
は、一対のリード端子74,76を有し、その間にスピ
ンバルブ素子78を配置している。リード端子74,7
6には矢印のように例えば妨害方向のセンス電流Iを流
している。このためスピンバルブ素子78には、妨害方
向のセンス電流Iによってピン層磁界と逆向きの磁界M
sを矢印のように生ずる。
In FIG. 16, a spin valve head 70 is provided.
Has a pair of lead terminals 74 and 76, and a spin valve element 78 is arranged between them. Lead terminals 74, 7
For example, a sense current I in the disturbing direction is passed through 6 as indicated by an arrow. Therefore, in the spin valve element 78, the magnetic field M in the direction opposite to the pinned layer magnetic field is generated by the sense current I in the disturbing direction.
s is generated as an arrow.

【0066】図17は、図16のスピンバルブ素子78
を取り出して、その構造を表わしている。スピンバルブ
素子78は、基本的には4層からなる多層膜構造を持
ち、上から反磁性層80、ピン層82、非磁性層84及
びフリー層86を構成している。反磁性層80にはFe
−Mn,CoO,Ni−Fe−Tb等が使用される。
FIG. 17 shows the spin valve element 78 of FIG.
To show its structure. The spin valve element 78 basically has a multi-layered film structure including four layers, and has a diamagnetic layer 80, a pinned layer 82, a non-magnetic layer 84 and a free layer 86 from above. Fe in the diamagnetic layer 80
-Mn, CoO, Ni-Fe-Tb, etc. are used.

【0067】また磁性層となるピン層82及びフリー層
86にはNi−Fe,Co−Fe等が使用される。非磁
性層84はCuを使用する。更に反強磁性層80の上に
は保護層88が形成され、またフリー層86の下側には
強磁性下地層90が設けられる。
Further, Ni--Fe, Co--Fe, etc. are used for the pin layer 82 and the free layer 86 which are magnetic layers. Cu is used for the nonmagnetic layer 84. Further, a protective layer 88 is formed on the antiferromagnetic layer 80, and a ferromagnetic underlayer 90 is provided below the free layer 86.

【0068】このようなスピンバルブ素子78の多層膜
構造において、反強磁性層80と接したピン層82の磁
化方向が矢印で示すピン層磁界Mpに固定される。これ
に対し非磁性層84で分離したフリー層86は、決まっ
た磁化方向をとらない状態となっている。ここに磁気デ
ィスクの記録磁界による外部磁界94が加わると、外部
磁界94の方向によってフリー層86の磁界Mfの方向
が定まる。
In the multilayer film structure of the spin valve element 78, the magnetization direction of the pinned layer 82 in contact with the antiferromagnetic layer 80 is fixed to the pinned layer magnetic field Mp indicated by the arrow. On the other hand, the free layer 86 separated by the non-magnetic layer 84 is in a state where it does not have a fixed magnetization direction. When an external magnetic field 94 due to the recording magnetic field of the magnetic disk is applied here, the direction of the external magnetic field 94 determines the direction of the magnetic field Mf of the free layer 86.

【0069】フリー層磁界Mfと固定されたピン層磁界
Mpの相違によって膜の抵抗値が変化する。この抵抗値
はフリー層86とピン層82の磁化方向が180°逆の
ときに最大となり、同一のときに最小となる。
The resistance value of the film changes due to the difference between the free layer magnetic field Mf and the fixed pinned layer magnetic field Mp. This resistance value becomes maximum when the magnetization directions of the free layer 86 and the pinned layer 82 are opposite by 180 °, and becomes minimum when they are the same.

【0070】この図16,図17のスピンバルブヘッド
70についても、図6のフローチャートに示したよう
に、ステップS1〜S7でなる第1工程から第5工程の
処理を行うことで、ハードディスクドライブに使用して
いるスピンバルブヘッドの各々に使用する最適なセンス
電流を設定することができる。
With respect to the spin valve head 70 shown in FIGS. 16 and 17, as shown in the flowchart of FIG. 6, the hard disk drive is processed by performing the processes of the first to fifth steps S1 to S7. The optimum sense current used for each of the spin valve heads used can be set.

【0071】このスピンバルブヘッド70の場合には、
図8の要求寿命温度T1に対応したセンス電流I1の算
出におけるステップS4の断面積Sとして、図16のス
ピンバルブ素子78でセンス電流が流れるピン層82、
非磁性層84及びフリー層86の断面積を使用する。も
ちろん、図7の素子温度に対する寿命時間の特性及び図
9の温度上昇ΔTに対し2次関数で与えられる電流密度
Jの定数a,b,cはスピンバルブヘッド70固有の値
となる。
In the case of this spin valve head 70,
As the cross-sectional area S of step S4 in the calculation of the sense current I1 corresponding to the required life temperature T1 of FIG. 8, the pin layer 82 through which the sense current flows in the spin valve element 78 of FIG.
The cross-sectional areas of the nonmagnetic layer 84 and the free layer 86 are used. Of course, the characteristics of the life time with respect to the element temperature in FIG. 7 and the constants a, b, and c of the current density J given by a quadratic function with respect to the temperature rise ΔT in FIG. 9 are values unique to the spin valve head 70.

【0072】尚、上記の実施形態は、図6のステップS
1〜S7の第1工程から第5工程までの処理を可能な限
り、例えば図11,図12に示したようなヘッド試験機
40を使用して自動的に行うようにしているが、適宜の
測定装置を使用した人為的な手作業を通じて、装置に使
用している各MRヘッドまたはスピンバルブヘッドの最
適センス電流値を決めて設定するようにしてもよい。
In the above embodiment, step S in FIG.
The processes from the first process to the fifth process of S1 to S7 are automatically performed as much as possible by using the head tester 40 as shown in FIGS. 11 and 12, for example. The optimum sense current value of each MR head or spin valve head used in the apparatus may be determined and set through manual labor using the measuring apparatus.

【0073】また図6のステップS5で求めた電流設定
比αとステップS6で実測した装置の各MRヘッドやス
ピンバルブヘッドの再生出力が最大となるセンス電流I
3iをハードディスクドライブ側に記憶し、再生時にス
テップS7の電流設定比率αと再生出力を最大とするセ
ンス電流I3iの乗算を行って最適センス電流の設定を
行うようにしてもよい。
Further, the current setting ratio α obtained in step S5 of FIG. 6 and the sense current I which maximizes the reproduction output of each MR head or spin valve head of the apparatus measured in step S6.
3i may be stored in the hard disk drive side, and at the time of reproduction, the optimum sense current may be set by multiplying the current setting ratio α in step S7 by the sense current I3i that maximizes the reproduction output.

【0074】また本発明は、その目的と利点を損なわな
い範囲の適宜の変形を含む。更に本発明は上記の実施形
態の数値による限定は受けない。
The present invention also includes appropriate modifications within the range not impairing the objects and advantages thereof. Furthermore, the present invention is not limited by the numerical values of the above embodiments.

【0075】[0075]

【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、MRヘッドやスピンバルブヘッドの中から標準試料
として選択したサンプルヘッドから求めた要求寿命を満
足するセンス電流と再生出力を最大とするセンス電流と
の電流設定比を、装置に使用するMRヘッドやスピンバ
ルブヘッドで実測した再生出力を最大とするセンス電流
の値に乗じて、再生時に流すセンス電流を決定している
ため、MRやスピンバルブヘッドの素子形状のばらつき
の影響を低減した高出力で高S/N比となる最適なセン
ス電流の設定が可能となり、マイグレーション等の温度
劣化要因に対しても要求寿命を十分に確保して、長期間
に亘って安定に動作する信頼性を保証することができ
る。
As described above, according to the present invention, the sense current and the reproduction output satisfying the required life obtained from the sample head selected as the standard sample from the MR head and the spin valve head are maximized. The current setting ratio to the sense current is multiplied by the value of the sense current that maximizes the reproduction output measured by the MR head or spin valve head used in the device to determine the sense current to flow during reproduction. It is possible to set the optimum sense current with high output and high S / N ratio while reducing the influence of variations in the element shape of the spin valve head, and to secure a sufficient required life against temperature deterioration factors such as migration. Therefore, the reliability of stable operation for a long period can be guaranteed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の原理説明図FIG. 1 is an explanatory view of the principle of the present invention.

【図2】本発明で決定されたセンス電流が設定されるハ
ードディスクドライブの内部構造の説明図
FIG. 2 is an explanatory diagram of an internal structure of a hard disk drive in which a sense current determined by the present invention is set.

【図3】MRヘッドを備えたヘッドアッセンブリィの説
明図
FIG. 3 is an explanatory diagram of a head assembly including an MR head.

【図4】ヘッドの媒体面側を見た説明図FIG. 4 is an explanatory diagram of the head as seen from the medium surface side.

【図5】図4のインダクティブヘッドとMRヘッドを拡
大した構造説明図
5 is an enlarged structural explanatory view of the inductive head and the MR head of FIG.

【図6】本発明のセンス電流決定処理の手順を示したフ
ローチャート
FIG. 6 is a flowchart showing the procedure of a sense current determination process of the present invention.

【図7】図6の第1過程で要求寿命時間に対する素子温
度の導出に使用する素子温度と寿命時間の特性図
FIG. 7 is a characteristic diagram of element temperature and life time used for deriving the element temperature from the required life time in the first process of FIG.

【図8】図6の第2過程で要求寿命を満足する素子温度
からセンス電流を算出する手順のフローチャート
8 is a flowchart of a procedure for calculating a sense current from an element temperature satisfying a required life in the second process of FIG.

【図9】図8で用いる電流密度Jに対する素子の温度上
昇ΔTの特性図
9 is a characteristic diagram of the temperature rise ΔT of the element with respect to the current density J used in FIG.

【図10】図6の第3過程及び第5過程での再生出力を
最大とするセンス電流の測定処理のフローチャート
10 is a flowchart of a sense current measurement process that maximizes the reproduction output in the third and fifth steps of FIG.

【図11】本発明でMRヘッドのセンス電流に対する再
生出力の測定に使用されるヘッド試験機の説明図
FIG. 11 is an explanatory diagram of a head tester used in the present invention for measuring the reproduction output with respect to the sense current of the MR head.

【図12】図11のヘッド試験機のコントロールボード
のブロック図
12 is a block diagram of a control board of the head tester of FIG.

【図13】図12の測定結果の説明図13 is an explanatory diagram of the measurement result of FIG.

【図14】図2のハードディスクコントローラに設けた
コントロールボードのブロック図
14 is a block diagram of a control board provided in the hard disk controller of FIG.

【図15】図14のヘッドICの回路ブロック図15 is a circuit block diagram of the head IC of FIG.

【図16】スピンバルブヘッドの説明図FIG. 16 is an explanatory diagram of a spin valve head.

【図17】図16のスピンバルブ素子の構造説明図17 is a structural explanatory view of the spin valve element of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:ディスクエンクロージャ 12:磁気ディスク 14:ヘッドアクチュエータ 15:スピンドルモータ 16:VCM 18:ヘッドアッセンブリィ 20:複合ヘッド 22:ヘッドIC 24:インダクティブヘッド(ライトヘッド) 26:MRヘッド(リードヘッド) 28−1,28−2:サイドスライダ 30:センタスライダ 32:MR素子 34:リード端子 36:磁気記録パターン 38:コイル 40:ヘッド試験機 42:スピンドルモータ 44:ヘッドアクチュエータ 45:試験アーム 46:コントロールボード 48:MPU 50:HDC(ハードディスクコントローラ) 52:ライト変調回路 54:リード復調回路 56:センス電流設定回路 58:インタフェース 70:スピンバルブヘッド 74,76:リード端子 78:スピンバルブ素子 80:反強磁性層 82:ピン層 84:非磁性層 86:フリー層 88:保護層 90:強磁性下地層 10: Disk enclosure 12: Magnetic disk 14: Head actuator 15: Spindle motor 16: VCM 18: Head assembly 20: Composite head 22: Head IC 24: Inductive head (light head) 26: MR head (read head) 28-1, 28-2: Side slider 30: Center slider 32: MR element 34: Lead terminal 36: Magnetic recording pattern 38: coil 40: Head tester 42: Spindle motor 44: Head actuator 45: Test arm 46: Control board 48: MPU 50: HDC (hard disk controller) 52: Light modulation circuit 54: Read demodulation circuit 56: Sense current setting circuit 58: Interface 70: Spin valve head 74, 76: Lead terminal 78: Spin valve element 80: Antiferromagnetic layer 82: Pin layer 84: Non-magnetic layer 86: Free layer 88: Protective layer 90: Ferromagnetic underlayer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−36713(JP,A) 特開 平10−105909(JP,A) 特開 平10−308001(JP,A) 特開 平11−238205(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 5/00 - 5/09 G11B 5/39 ─────────────────────────────────────────────────── --- Continuation of the front page (56) References JP-A-8-36713 (JP, A) JP-A-10-105909 (JP, A) JP-A-10-308001 (JP, A) JP-A-11- 238205 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G11B 5/00-5/09 G11B 5/39

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】MRヘッドとセンス電流供給源を備えたデ
ィスク装置のセンス電流決定方法に於いて、 MRヘッドの中から選択された1又は複数のサンプルヘ
ッドの素子温度と寿命時間の特性に基づき、所定の要求
寿命時間を満足する素子温度を求める第1過程と、 前記要求寿命の素子温度に加熱するために前記サンプル
ヘッドに流す寿命素子温度センス電流を算出する第2過
程と、 前記サンプルヘッドの再生出力を最大とする最大出力セ
ンス電流を測定する第3過程と、 前記第2過程で求めた寿命素子温度センス電流を前記第
3過程で測定した最大出力センス電流で割った電流設定
比αを算出する第4過程と、 装置組立て前に、前記ディスク装置に使用するMRヘッ
ドについて再生出力を最大とする最大出力センス電流を
測定して前記第4過程で算出した電流設定比αを乗じ
て、再生時に前記各MRヘッドに流すセンス電流を装置
に設定する第5過程と、を備えたことを特徴とするディ
スク装置のセンス電流決定方法。
1. A method for determining a sense current of a disk device comprising an MR head and a sense current supply source, which is based on characteristics of element temperature and life time of one or a plurality of sample heads selected from the MR heads. A first step of obtaining an element temperature satisfying a predetermined required life time, a second step of calculating a life element temperature sense current flowing through the sample head for heating to the element temperature of the required life, the sample head Third step of measuring the maximum output sense current that maximizes the reproduction output, and a current setting ratio α obtained by dividing the life element temperature sense current obtained in the second step by the maximum output sense current measured in the third step. And a fourth step of calculating the maximum output sense current that maximizes the reproduction output of the MR head used in the disk device before the device is assembled. And a fifth step of multiplying the current setting ratio α calculated in the step to set a sense current to be flown to each MR head at the time of reproduction in the apparatus.
【請求項2】請求項1記載のディスク装置のセンス電流
決定方法に於いて、前記第1過程で使用するサンプルヘ
ッドの素子温度と寿命時間の特性は、寿命時間を2点で
実測し、該2点の実測値に基づき前記要求寿命時間の素
子温度を補間処理により求めることを特徴とするディス
ク装置のセンス電流決定方法。
2. A method for determining a sense current for a disk device according to claim 1, wherein the characteristics of the element temperature and the life time of the sample head used in the first step are measured by measuring the life time at two points. A method for determining a sense current of a disk device, wherein the element temperature of the required life time is obtained by interpolation processing based on two measured values.
【請求項3】請求項1記載のディスク装置のセンス電流
決定方法に於いて、前記寿命時間と素子温度の特性は、
寿命時間の対数(log h)に対する素子温度の逆数(1
/T)であり、前記寿命時間の2点の実測値に基づく直
線補間により前記要求寿命時間を満足する素子温度を求
めることを特徴とするディスク装置のセンス電流決定方
法。
3. The method for determining a sense current of a disk device according to claim 1, wherein the characteristics of the life time and the element temperature are:
The reciprocal of the device temperature (1) with respect to the logarithm of the lifetime (log h)
/ T), and the element current satisfying the required life time is obtained by linear interpolation based on the two actual measurement values of the life time.
【請求項4】請求項1記載のディスク装置のセンス電流
決定方法に於いて、 前記第2過程における要求寿命素子温度に前記サンプル
ヘッドを加熱するために流すセンス電流は、 所定の常温Taから前記要求寿命素子温度までの加熱す
るに必要な温度上昇を得る前記サンプルヘッドの電流密
度を求め、 前記電流密度に前記サンプルヘッドのセンス電流が流れ
る部分の断面積を乗じて求めることを特徴とするディス
ク装置のセンス電流決定方法。
4. The method for determining a sense current of a disk device according to claim 1, wherein a sense current flowing to heat the sample head to a required life element temperature in the second step is from a predetermined room temperature Ta to A disk characterized by obtaining a current density of the sample head that obtains a temperature rise necessary for heating up to a required life element temperature, and multiplying the current density by a cross-sectional area of a portion of the sample head where a sense current flows. Method for determining sense current of device.
【請求項5】請求項4記載のディスク装置のセンス電流
決定方法に於いて、 前記第2過程は、前記サンプルヘッドの電流密度Jに対
する上昇温度ΔTの実測に基づく2次関数式 ΔT=aJ2 +bJ+c 但し、a,b,cは定数 から、前記要求寿命素子温度までの温度上昇に必要な前
記サンプルヘッドの電流密度Jを求めることを特徴とす
るディスク装置のセンス電流決定方法。
5. The method for determining a sense current of a disk device according to claim 4, wherein the second step is a quadratic function formula ΔT = aJ2 + bJ + c based on an actual measurement of a temperature rise ΔT with respect to a current density J of the sample head. However, a, b, and c are constants, and a current density J of the sample head required for temperature rise up to the required life element temperature is obtained.
【請求項6】スピンバルブヘッドとセンス電流供給源を
備えたディスク装置のセンス電流決定方法に於いて、 スピンバルブヘッドの中から選択された1又は複数のサ
ンプルヘッドの素子温度と寿命の特性に基づき、所定の
要求寿命時間を満足する素子温度を求める第1過程と、 前記要求寿命の素子温度に加熱するために前記サンプル
ヘッドに流すセンス電流を算出する第2過程と、 前記サンプルヘッドの再生出力を最大とする最大出力セ
ンス電流を測定する第3過程と、 前記第2過程で求めた寿命素子温度センス電流を前記第
3過程で測定した最大出力センス電流で割った電流設定
比を算出する第4過程と、 装置組立て前に、前記ディスク装置に使用するスピンバ
ルブヘッドについて再生出力を最大とする最大出力セン
ス電流を測定して前記第4過程で算出した電流設定比を
乗じて、再生時に前記複数のスピンバルブヘッドに流す
センス電流として装置に設定する第5過程と、 を備えたことを特徴とするディスク装置のセンス電流決
定方法。
6. A method for determining a sense current of a disk device comprising a spin valve head and a sense current supply source, wherein the element temperature and life characteristics of one or a plurality of sample heads selected from the spin valve heads are determined. A first step of obtaining an element temperature satisfying a predetermined required life time, a second step of calculating a sense current flowing through the sample head for heating to the element temperature of the required life, and reproduction of the sample head. A third step of measuring the maximum output sense current that maximizes the output, and a current setting ratio obtained by dividing the life element temperature sense current obtained in the second step by the maximum output sense current measured in the third step. Fourth step, and before assembling the device, measure the maximum output sense current that maximizes the reproduction output of the spin valve head used in the disk device. A fifth step of multiplying the current setting ratio calculated in the fourth step to set the device as a sense current to be flown to the plurality of spin valve heads at the time of reproduction, and a sense current determination of the disk device. Method.
【請求項7】請求項6記載のディスク装置のセンス電流
決定方法に於いて、前記第1過程で使用するサンプルヘ
ッドの素子温度と寿命時間の特性は、実用的な試験時間
で素子破壊に至る素子温度に対応したセンス電流を流し
て寿命時間を少なくとも2点で実測し、該2点の実測値
に基づき前記要求寿命時間の素子温度を補間処理により
求めることを特徴とするディスク装置のセンス電流決定
方法。
7. The method for determining a sense current of a disk device according to claim 6, wherein the characteristics of the element temperature and life time of the sample head used in the first step lead to element destruction within a practical test time. A sense current of a disk device characterized in that a sense current corresponding to an element temperature is flown to measure the life time at least at two points, and the element temperature of the required life time is obtained by interpolation processing based on the measured values at the two points. How to decide.
【請求項8】請求項6記載のディスク装置のセンス電流
決定方法に於いて、前記寿命時間と素子温度の特性は、
寿命時間の対数(log h)に対する素子温度の逆数(1
/T)であり、前記寿命時間の2点の実測値に基づく直
線補間により前記要求寿命時間を満足する素子温度を求
めることを特徴とするディスク装置のセンス電流決定方
法。
8. The method of determining the sense current of a disk device according to claim 6, wherein the characteristics of the life time and element temperature are:
The reciprocal of the device temperature (1) with respect to the logarithm of the lifetime (log h)
/ T), and the element current satisfying the required life time is obtained by linear interpolation based on the two actual measurement values of the life time.
【請求項9】請求項6記載のディスク装置のセンス電流
決定方法に於いて、 前記第2過程における要求寿命の素子温度に前記サンプ
ルヘッドを加熱するために流すセンス電流は、 所定の常温Taから前記要求寿命の素子温度まで加熱す
るために必要な温度上昇を得る前記サンプルヘッドの電
流密度を求め、 前記電流密度に前記サンプルヘッドのセンス電流が流れ
る部分の断面積を乗じて求めることを特徴とするディス
ク装置のセンス電流決定方法。
9. The method for determining a sense current of a disk device according to claim 6, wherein the sense current flowing to heat the sample head to the element temperature of the required life in the second step is from a predetermined room temperature Ta. The current density of the sample head that obtains the temperature rise necessary for heating to the element temperature of the required life is obtained, and the current density is obtained by multiplying the cross-sectional area of the portion where the sense current of the sample head flows. Disk device sense current determination method.
【請求項10】請求項6記載のディスク装置のセンス電
流決定方法に於いて、 前記第2過程は、前記サンプル素子の電流密度に対する
上昇温度の実測に基づく2次関数式 ΔT=aJ2 +bJ+c 但し、a,b,cは定数 から、前記要求寿命の素子温度までの温度上昇に必要な
前記サンプルヘッドの電流密度を求めることを特徴とす
るディスク装置のセンス電流決定方法。
10. The method for determining a sense current of a disk device according to claim 6, wherein the second step is a quadratic function formula ΔT = aJ 2 + bJ + c, which is based on an actual measurement of a temperature rise with respect to a current density of the sample element. , A, b, and c are constants, the current density of the sample head required for temperature rise up to the element temperature of the required life is determined, and the method for determining the sense current of the disk device.
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