JP3474608B2 - Method for manufacturing thin-film magnetic head - Google Patents
Method for manufacturing thin-film magnetic headInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】磁気ディスク装置における情報の
記録／再生のための薄膜磁気ヘッドは、浮上型に代わっ
て接触型が実用化されている。接触型の薄膜磁気ヘッド
は、常時磁気ディスク面と摺動接触した状態で情報の記
録／再生を行なうものであり、浮上隙間が生じないので
磁気的なロスが少なく、高記録密度化に適しており、特
に周速度の遅い小径の磁気ディスク装置において有効で
あり、磁気テープ装置にも有効である。BACKGROUND OF THE INVENTION A contact type thin film magnetic head for recording / reproducing information in a magnetic disk device has been put into practical use instead of a flying type. The contact type thin film magnetic head is for recording / reproducing information in a state in which it is in sliding contact with the surface of the magnetic disk at all times. Since there is no floating gap, there is little magnetic loss, and it is suitable for high recording density. In particular, it is effective in a small-diameter magnetic disk device having a low peripheral speed, and is also effective in a magnetic tape device.
【０００２】また、接触型の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、特に垂直記録型の薄膜磁気ヘッドが、高記録密度を
実現する上で有効である。本発明は、薄膜磁気ヘッドの
うち、磁気ディスクや磁気テープなどの磁気記録媒体面
と平行方向のパターンと垂直方向のパターンとを有する
薄膜磁気ヘッドを製造する方法に関する。In the contact type thin film magnetic head, a perpendicular recording type thin film magnetic head is particularly effective in achieving a high recording density. The present invention relates to a method of manufacturing a thin film magnetic head having a pattern parallel to a surface of a magnetic recording medium such as a magnetic disk or a magnetic tape and a pattern perpendicular to the surface of a magnetic recording medium.
【０００３】[0003]
〔 薄膜磁気ヘッドの構造 〕図11〜図13は、特開平３
−178017号公報で紹介されている接触型の薄膜磁気ヘッ
ドであり、磁気記録媒体に摺動して垂直磁気記録するよ
うになっている。図11は接触型薄膜ヘッドの全容を示す
平面図と側面図である。１は幅Ｗ、厚さｔのスプリング
アーム部であり、その先端に、磁気ヘッド素子部２が一
体形成され、ヘッド素子部２の先端に、摺動凸部( コン
タクトパッド )３が突出形成されている。すなわち、在
来の薄膜磁気ヘッドのようにスライダ部を別体のスプリ
ングアーム（板バネ）に取り付けるのではなく、初めか
らスプリングアーム部１とヘッド素子部２を一体に薄膜
技術で積層作製する。[Structure of Thin-Film Magnetic Head] FIGS.
The contact-type thin-film magnetic head introduced in Japanese Patent Laid-Open No. 178017 is adapted to slide perpendicularly on a magnetic recording medium for magnetic recording. FIG. 11 is a plan view and a side view showing the entire contact thin film head. Reference numeral 1 denotes a spring arm portion having a width W and a thickness t. A magnetic head element portion 2 is integrally formed at the tip of the spring arm portion, and a sliding protrusion (contact pad) 3 is formed at the tip of the head element portion 2. ing. That is, the slider portion is not attached to a separate spring arm (leaf spring) as in the conventional thin film magnetic head, but the spring arm portion 1 and the head element portion 2 are integrally laminated by the thin film technique from the beginning.
【０００４】図12は、この接触型薄膜ヘッドの縦断面図
である。ヘッド素子部２は、磁性体からなるコア４に、
薄膜技術でコイル５を巻回し、該コイル５のリードパタ
ーン６を、スプリングアーム部１の根元（取付け部）７
のボンディングパッド８に接続した構造になっている。
なお、螺旋状のコイル５に代わって渦巻き状のコイルを
用いることもできる。FIG. 12 is a vertical sectional view of the contact type thin film head. The head element portion 2 is composed of a core 4 made of a magnetic material,
The coil 5 is wound by the thin film technique, and the lead pattern 6 of the coil 5 is attached to the base (attachment part) 7 of the spring arm part 1.
The bonding pad 8 is connected to the bonding pad 8.
A spiral coil may be used instead of the spiral coil 5.
【０００５】コア４の先端には、磁気ディスクＤ側に延
びる磁極９が接続され、後端には、同じく磁気ディスク
Ｄ側に延びる後端ヨーク10が形成されている。そして、
後端ヨーク10に、コア４と平行のリターンヨーク11が接
続されている。なお、以上の各部を、薄膜技術によって
鎖線で示すように順次積層することで作製した後、磁極
９が直角に形成される。A magnetic pole 9 extending to the magnetic disk D side is connected to the tip of the core 4, and a rear end yoke 10 also extending to the magnetic disk D side is formed at the rear end. And
A return yoke 11 parallel to the core 4 is connected to the rear end yoke 10. The magnetic pole 9 is formed at a right angle after the above-described respective parts are manufactured by sequentially stacking them as shown by a chain line by a thin film technique.
【０００６】この接触型薄膜ヘッドは、先端の摺動凸部
３が、矢印a1方向に回転している磁気ディスクＤに当接
している状態で、コイル５に情報信号を通電すると、磁
極９とリターンヨーク11との間の磁束12が、磁気ディス
クＤ中を透過するため、垂直磁気記録が可能となる。In this contact type thin film head, when an information signal is applied to the coil 5 with the sliding protrusion 3 at the tip contacting the magnetic disk D rotating in the direction of arrow a 1 , the magnetic pole 9 The magnetic flux 12 between the return yoke 11 and the return yoke 11 penetrates through the magnetic disk D, so that perpendicular magnetic recording is possible.
【０００７】図13(a) はこの接触型薄膜ヘッドを磁気デ
ィスク装置に実装した状態の平面図であり、本発明の出
願人が先に提案した特願平３−137883号に記載されてい
るものと同じである。すなわち、接触型薄膜ヘッドＨの
根元７が、取付けアーム13に固定され、取付けアーム13
がポジショナー14に固定されている。同図(b) は、接触
型薄膜ヘッドの取付け部を拡大して示した側面図であ
り、接触型薄膜ヘッドＨの先端の摺動凸部３が磁気ディ
スクＤに圧接するように、スプリングアーム部１を幾分
たわませて取付ける。なお、スプリングアーム部１の長
さは、10mm前後であり、摺動凸部３と磁気ディスク面と
の接触圧力は５00mg程度である。FIG. 13 (a) is a plan view showing a state in which this contact type thin film head is mounted on a magnetic disk device, which is described in Japanese Patent Application No. 3-137883 previously proposed by the applicant of the present invention. It is the same as the one. That is, the base 7 of the contact type thin film head H is fixed to the mounting arm 13 and
Is fixed to the positioner 14. FIG. 2B is an enlarged side view showing the mounting portion of the contact type thin film head, and the spring arm is arranged so that the sliding protrusion 3 at the tip of the contact type thin film head H is pressed against the magnetic disk D. Attach Part 1 with some bending. The length of the spring arm 1 is about 10 mm, and the contact pressure between the sliding protrusion 3 and the magnetic disk surface is about 500 mg.
【０００８】図14は、図12における薄膜磁気ヘッドのヘ
ッド素子部先端を拡大して示す断面図である。ヘッド素
子部２を製造するには、図12における鎖線のように、摺
動凸部３や、コイル５、コア４などのパターンを薄膜技
術によって順次積層して主積層部2aを作製した後、直角
方向の面上に、主磁極91と補助磁極92をパターニング
し、その上に保護膜５を積層して磁極積層部2bを作製す
る。その結果、コア４と磁極91、92とで、磁気記録媒体
面と平行方向および垂直方向のＬ字状パターンを構成す
ることになる。最後に、摺動凸部３を鎖線3aで示す位置
まで研摩して、主磁極91の先端を露出させることで完成
する。FIG. 14 is an enlarged sectional view showing the tip of the head element portion of the thin film magnetic head shown in FIG. In order to manufacture the head element portion 2, as shown by the chain line in FIG. 12, after the patterns of the sliding convex portion 3, the coil 5, the core 4 and the like are sequentially laminated by the thin film technique to form the main laminated portion 2a, The main magnetic pole 91 and the auxiliary magnetic pole 92 are patterned on the surface in the perpendicular direction, and the protective film 5 is laminated on the main magnetic pole 91 and the auxiliary magnetic pole 92 to form the magnetic pole laminated portion 2b. As a result, the core 4 and the magnetic poles 91 and 92 form an L-shaped pattern parallel to and perpendicular to the surface of the magnetic recording medium. Finally, the sliding protrusion 3 is ground to the position shown by the chain line 3a to expose the tip of the main magnetic pole 91 for completion.
【０００９】図15もこのようにＬ字状のパターンを有す
る薄膜磁気ヘッドであり、（ａ）は正面図、（ｂ）は
（ａ）図におけるｂ−ｂ断面図である。図14では磁極９
が、摺動凸部３の先端に形成されているのに対し、図15
では摺動凸部３の中央に形成されているため、センター
ポール型と呼ばれている。なお、この薄膜磁気ヘッド
は、ヘッド素子部２のみを作製した後、板バネからなる
スプリングアーム部１ｓに接着剤15で接着固定した構造
になっている。FIG. 15 also shows a thin film magnetic head having such an L-shaped pattern, (a) is a front view and (b) is a sectional view taken along line bb in (a). In FIG. 14, the magnetic pole 9
15 is formed at the tip of the sliding protrusion 3, whereas in FIG.
Since it is formed at the center of the sliding protrusion 3, it is called a center pole type. The thin-film magnetic head has a structure in which only the head element portion 2 is manufactured and then bonded and fixed to the spring arm portion 1s made of a leaf spring with the adhesive 15.
【００１０】磁気記録媒体面と平行方向のパターンに対
し一定の関係で、磁気記録媒体面と垂直方向のパターン
を形成してなる薄膜磁気ヘッドは、特開平５−197926号
公報や特開平５−197922号公報などにも記載されてい
る。A thin-film magnetic head in which a pattern in the direction perpendicular to the surface of the magnetic recording medium is formed in a fixed relationship with a pattern in the direction parallel to the surface of the magnetic recording medium is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-197926 and Japanese Patent Laid-Open No. 5-197926. It is also described in the 197922 publication.
【００１１】〔 薄膜磁気ヘッドの製造方法 〕図16、
図17は本発明の出願人が先に提案した薄膜磁気ヘッド製
造方法を示す図で、図16は磁気ヘッド素子部の積層プロ
セスを示す断面図、図17はブロック作製プロセスを説明
する斜視図である。まず、図１７（ａ）の基板２１上
に、エッチング性に富んだCu膜より成る下部剥離層２２
をメッキ成膜して、その上に図１６のようにAl2O3 膜よ
り成る下部保護層25１を積層し、穴あけした状態で保護
層24を積層してから、穴部にAuまたはAu／Cu積層膜より
成る端子層２３を埋め込んだ下部保護層２52が積層され
ている。[Method for Manufacturing Thin-Film Magnetic Head] FIG.
FIG. 17 is a diagram showing a method of manufacturing a thin film magnetic head previously proposed by the applicant of the present invention, FIG. 16 is a sectional view showing a stacking process of a magnetic head element portion, and FIG. 17 is a perspective view explaining a block manufacturing process. is there. First, on the substrate 21 of FIG. 17A, the lower peeling layer 22 made of a Cu film having a high etching property is formed.
16 is formed by plating, a lower protective layer 251 made of an Al 2 O 3 film is laminated thereon as shown in FIG. 16, and the protective layer 24 is laminated in a state where holes are formed, and then Au or Au / A lower protective layer 252 in which the terminal layer 23 made of a Cu laminated film is embedded is laminated.
【００１２】そして、その上にNiFeまたはCoZrNb膜より
成るコア磁極層２６、スタッド磁極層２７及びCu膜より
成る端子盛り上げ層２８を形成した後、Al2O3 膜より成
る中間保護層２９を成膜し、膜表面を平坦化加工する。
次いで、Cu膜より成る下部コイル層３０、端子盛り上げ
層３１及びNiFe膜より成るスタッド磁極層３２を形成し
た後、Al2O3 または熱硬化処理されたフォトレジスト膜
より成る中間保護層３３を成膜し、膜表面を平坦化加工
する。Then, after forming a core magnetic pole layer 26 made of a NiFe or CoZrNb film, a stud magnetic pole layer 27 and a terminal buildup layer 28 made of a Cu film thereon, an intermediate protective layer 29 made of an Al 2 O 3 film is formed. A film is formed and the film surface is flattened.
Then, a lower coil layer 30 made of a Cu film, a terminal raising layer 31 and a stud magnetic pole layer 32 made of a NiFe film are formed, and then an intermediate protective layer 33 made of Al 2 O 3 or a thermosetting photoresist film is formed. A film is formed and the film surface is flattened.
【００１３】さらに、Cu膜より成る上部コイル層３４お
よびNiFe膜より成るスタッド磁極層３５を形成した後、
Al2O3 膜より成る中間保護層３６を成膜し、膜表面を平
坦化する。そして、NiFeまたはCoZrNb膜より成る上部磁
極層３７を形成した後、Al2O 3 膜より成る上部保護層３
８および３９を成膜し、平坦化する。最後に、褶動性・
耐磨耗性に富んだ摺動凸部４０を形成し、エッチング性
に富んだCu膜より成る上部剥離層４１を形成する。Further, the upper coil layer 34 and the Cu film made of a Cu film are formed.
And after forming the stud magnetic pole layer 35 of NiFe film,
Al2O3An intermediate protective layer 36 made of a film is formed, and the film surface is flattened.
To substantiate. And the upper magnet composed of NiFe or CoZrNb film
After forming the electrode layer 37, Al2O 3Upper protective layer 3 made of film
8 and 39 are formed and flattened. Finally, slidability
Forming sliding protrusions 40 with high abrasion resistance and etching
An upper release layer 41 made of a Cu film rich in copper is formed.
【００１４】以上の積層構造は、図17（ａ）の下部剥離
層22上にマトリックス状に多数作製される。そして、全
積層面の上に一斉に上部剥離層41が形成される。しかし
ながら、以上の積層プロセスでは、磁気記録媒体の面と
平行方向の層すなわち主積層部2aしか形成されていな
い。磁気記録媒体の面と直角方向のパターン、すなわち
コア26とＬ字状に結合される磁極層は、次のようなプロ
セスで作製される。A large number of the above laminated structures are formed in a matrix on the lower release layer 22 of FIG. 17 (a). Then, the upper peeling layer 41 is simultaneously formed on the entire laminated surface. However, in the above laminating process, only the layer in the direction parallel to the surface of the magnetic recording medium, that is, the main laminated portion 2a is formed. The pattern perpendicular to the surface of the magnetic recording medium, that is, the pole layer coupled to the core 26 in an L shape is manufactured by the following process.
【００１５】図17(a) に鎖線Ｃで示す位置から、前記の
工程で積層されたマトリックス状パターンの列単位に、
基板をブロック状に切断加工し、(b) 図のように分離さ
れた主ブロック４２を形成する。なお、（ｂ）図に鎖線
２０で示した位置の断面構造が図１６である。From the position indicated by the chain line C in FIG. 17 (a), to the row unit of the matrix-like pattern laminated in the above step,
The substrate is cut into blocks to form the main blocks 42 separated as shown in FIG. Note that FIG. 16 shows a sectional structure at a position indicated by a chain line 20 in FIG.
【００１６】次に（ｂ）図の主ブロック４２を、(c) 図
のように90度回転させて倒して磁極形成面42ａ側を上向
きにし、主ブロック４２の幅寸法ｘと同じ高さｘの補助
ブロック４３を上部剥離層４１側に接着して、（ｄ）図
のように一体化する。Next, the main block 42 shown in (b) is rotated 90 degrees as shown in (c) and tilted so that the magnetic pole forming surface 42a side faces upward, and the height x is the same as the width x of the main block 42. The auxiliary block 43 is adhered to the upper release layer 41 side and integrated as shown in FIG.
【００１７】このように、補助ブロック４３を接着した
状態で、図16の基板表面と垂直方向の面42ａを加工し
て、上記コア層２６、スタッド磁極層２７、３２、３５
を上側に露出させた後、その上に図17(d) のようにレジ
スト１６を滴下してスピンコートし、露光／現像してレ
ジストマスクを形成する。このマスクを用いて、前記加
工面42ａ上にCoZrNb膜より成る主磁極層４４、CoZrNb膜
より成る補助磁極層４５を形成した後、摺動凸部４０と
同一材料より成る保護層４６を形成する。Thus, with the auxiliary block 43 adhered, the surface 42a perpendicular to the substrate surface of FIG. 16 is processed to form the core layer 26 and the stud magnetic pole layers 27, 32, 35.
Is exposed to the upper side, and then a resist 16 is dropped on it and spin-coated as shown in FIG. 17D, and exposed / developed to form a resist mask. Using this mask, a main magnetic pole layer 44 made of a CoZrNb film and an auxiliary magnetic pole layer 45 made of a CoZrNb film are formed on the processed surface 42a, and then a protective layer 46 made of the same material as the sliding convex portion 40 is formed. .
【００１８】１本の主ブロック４２には、通常数十個の
ヘッド素子部が作製されているため、補助ブロック４３
を機械加工して除去し、上部剥離層４１を露出させてエ
ッチング除去した状態で、図17(d) に鎖線17で示すよう
にヘッド素子幅に相当する位置に下部剥離層２２まで溝
入れ加工して、主積層部２ａを１個ずつ分離する。最後
に、下部剥離層２２をエッチングして基板部２１を分離
除去すると、図15のようなヘッド素子部２が得られる。Since several tens of head element parts are usually formed in one main block 42, the auxiliary block 43 is formed.
Is machined and removed, and the upper peeling layer 41 is exposed and removed by etching. Then, as shown by a chain line 17 in FIG. 17 (d), a groove is formed up to the lower peeling layer 22 at a position corresponding to the head element width. Then, the main laminated portions 2a are separated one by one. Finally, the lower peeling layer 22 is etched to separate and remove the substrate portion 21 to obtain the head element portion 2 as shown in FIG.
【００１９】次いで、図14で説明したように、摺動凸部
４０の先端に主磁極44の先端が露出するように研摩した
後、板ばねからなるスプリングアーム１ｓに接着する
と、図１５のような磁気ヘッド組立て体が完成する。な
お、図16における磁性体の層26、27、32、35、37が、図
12〜15におけるコア４に相当し、図16における摺動凸部
40が図11〜15における摺動凸部３に相当する。Then, as described with reference to FIG. 14, after polishing so that the tip of the main magnetic pole 44 is exposed at the tip of the sliding convex portion 40, it is adhered to the spring arm 1s made of a leaf spring, as shown in FIG. Complete magnetic head assembly. The magnetic layers 26, 27, 32, 35 and 37 in FIG.
Corresponding to the core 4 in 12 to 15, the sliding protrusion in FIG.
Reference numeral 40 corresponds to the sliding protrusion 3 in FIGS.
【００２０】[0020]
【発明が解決しようとする課題】主磁極層44、補助磁極
層４５および保護層４６を形成するに際して、図17(c)
の工程における主ブロック４２のみにレジストを塗布し
たりして、その後のパターニングなどの作業を行なう
と、主ブロック４２の縁の、しかも微小面積の磁極形成
面42ａ上で磁極形成作業を行なわなければならない。そ
の結果、作業が困難な上、設計どおりのパターンを形成
できないという問題があった。When forming the main magnetic pole layer 44, the auxiliary magnetic pole layer 45 and the protective layer 46, FIG.
If a resist is applied only to the main block 42 in the step of (2) and then the patterning or the like is performed, the magnetic pole forming work must be performed on the magnetic pole forming surface 42a of the edge of the main block 42 and having a small area. I won't. As a result, there is a problem that the work is difficult and the pattern as designed cannot be formed.
【００２１】ところが図17(d) のように、主ブロック４
２の上部剥離層４１側に補助ブロック４３を接着し、主
ブロック４２および補助ブロック４３の間に磁極形成面
42ａを挟んだ状態にすると、充分広い面積となるので、
その上にレジスト16を塗布したり、その後のパターニン
グ工程などを円滑に遂行できる。However, as shown in FIG. 17 (d), the main block 4
2, an auxiliary block 43 is adhered to the upper release layer 41 side, and a magnetic pole forming surface is provided between the main block 42 and the auxiliary block 43.
When the 42a is sandwiched, the area is sufficiently large.
The resist 16 can be applied thereon, and the subsequent patterning process can be smoothly performed.
【００２２】しかしながら、前記のように磁気記録媒体
面と平行方向のパターンに対し一定の関係で垂直方向の
パターンを有する薄膜磁気ヘッドは、次のように製造方
法が確立されていない。すなわち、主ブロック42および
補助ブロック43上にレジスト16をスピンコートする際
に、均一な厚さに塗布できず、高精度なパターニングが
困難となる。また、主ブロック４２と補助ブロック４３
とを１本ずつ接着するため、作業性が悪い。ブロック状
に切断分離したり磁極積層面42ａを加工する作業を高精
度にかつ能率良く行なうことが困難で量産に適しない、
などの問題が生じている。However, as described above, the manufacturing method has not been established for the thin film magnetic head having the vertical pattern in a fixed relationship with the pattern parallel to the surface of the magnetic recording medium. That is, when the resist 16 is spin-coated on the main block 42 and the auxiliary block 43, the resist 16 cannot be applied to have a uniform thickness, which makes it difficult to perform highly accurate patterning. In addition, the main block 42 and the auxiliary block 43
Workability is poor because they are glued one by one. It is not suitable for mass production because it is difficult to perform the work of cutting and separating into a block shape or processing the magnetic pole laminated surface 42a with high accuracy and efficiency.
There are problems such as.
【００２３】本発明の目的は、磁気記録媒体面と平行方
向のパターンに対し、磁気記録媒体面と垂直方向のパタ
ーンを有する薄膜磁気ヘッドを製造する際の、前記のよ
うな問題を解消し、高精度な薄膜磁気ヘッドを効率的に
量産できる製造方法を確立することにある。An object of the present invention is to solve the above problems when manufacturing a thin film magnetic head having a pattern in the direction perpendicular to the surface of the magnetic recording medium with respect to a pattern in the direction parallel to the surface of the magnetic recording medium. It is to establish a manufacturing method capable of efficiently mass-producing high-precision thin-film magnetic heads.
【００２４】[0024]
【課題を解決するための手段】請求項１の薄膜磁気ヘッ
ド製造方法は、図１に例示するように、主ブロック４２
と補助ブロック４３とを接着した後、接着面１８と垂直
方向のフォトレジストを塗布する面42ａの、前記主ブロ
ック４２および補助ブロック４３の外周寄りを面取りし
て傾斜面４２ｓ、４３ｓとする方法である。A method of manufacturing a thin film magnetic head according to a first aspect of the present invention comprises a main block 42 as shown in FIG.
And the auxiliary block 43 are adhered to each other, and then the outer surface of the main block 42 and the auxiliary block 43 on the surface 42a for applying the photoresist in the direction perpendicular to the adhesion surface 18 is chamfered to form inclined surfaces 42s and 43s. is there.
【００２５】請求項２の薄膜磁気ヘッド製造方法は、図
２に例示するように、複数のヘッド素子部がマトリック
ス状に積層形成された基板21ｗの主積層部２ａ側に、補
助ブロック４３を構成するための補助ブロック用基板４
３ｗを重ねて接着し、重なった状態の２枚の基板をいっ
しょに、ヘッド素子部の列単位に切断分離してブロック
を形成する。In the thin-film magnetic head manufacturing method of the second aspect, as illustrated in FIG. 2, the auxiliary block 43 is formed on the main laminated portion 2a side of the substrate 21w in which a plurality of head element portions are laminated and formed in a matrix. Sub-block substrate 4 for
3 w is overlapped and adhered, and the two substrates in an overlapping state are cut together and separated into columns of the head element portion to form a block.
【００２６】請求項３の薄膜磁気ヘッド製造方法は、請
求項２のように重ねて接着する前の主ブロック用基板42
ｗおよび補助ブロック用基板43ｗのうちの少なくとも一
方に、接着する面とは反対側の面において、ヘッド素子
列の単位に切断分離する位置に、基板板厚の途中まで溝
を形成した状態で、基板同士を重ねて接着する。In the method of manufacturing a thin film magnetic head according to a third aspect of the present invention, the main block substrate 42 before stacking and adhering the thin film magnetic head according to the second aspect is adhered.
On at least one of w and the auxiliary block substrate 43w, on a surface opposite to the bonding surface, a groove is formed up to the middle of the board thickness at a position where the head element row is cut and separated. The substrates are stacked and adhered.
【００２７】請求項４は、基板２１上に下部剥離層２
２、主積層部２ａ、上部剥離層４１の順に形成された主
ブロック基板を、複数のヘッド素子部の列の単位に分離
して主ブロックを構成する方法において、図４（１）に
例示するように、主ブロックに分離させる位置Ｃ１を除
いた主積層部上に上部剥離層４１を形成しておく手法で
ある。According to a fourth aspect, the lower release layer 2 is formed on the substrate 21.
FIG. 4 (1) illustrates a method of forming a main block by separating the main block substrate in which the main laminated portion 2a and the upper peeling layer 41 are formed in this order into units of columns of a plurality of head element portions. As described above, the upper peeling layer 41 is formed on the main laminated portion excluding the position C1 where the main block is separated.
【００２８】請求項５は、基板２１上に下部剥離層２
２、主積層部２ａ、上部剥離層４１が形成されている状
態で、ヘッド素子部の列の単位に分離してブロック状に
する方法において、分離位置Ｃ１以外にメッキベースを
形成し、このメッキベース上に上部剥離層４１をメッキ
形成する方法である。According to a fifth aspect, the lower release layer 2 is formed on the substrate 21.
2. In the method in which the main laminated portion 2a and the upper peeling layer 41 are formed, in a method of separating the head element unit into units into a block shape, a plating base is formed at a position other than the separation position C1, and the plating is performed. In this method, the upper release layer 41 is formed on the base by plating.
【００２９】請求項６は、薄膜磁気ヘッドを製造するた
めに、ヘッド素子部が形成されてなる主ブロック４２と
補助ブロック４３とが接着されている状態で、接着面１
８と垂直方向の磁極積層面42ａを研摩加工して、ヘッド
素子部中の所定のパターンを露出させる際の加工深さの
モニター方法である。According to a sixth aspect of the present invention, in order to manufacture a thin film magnetic head, the main block 42 formed with the head element portion and the auxiliary block 43 are bonded to each other, and the bonding surface 1
8 is a method of monitoring the processing depth when the magnetic pole laminated surface 42a in the direction perpendicular to 8 is polished to expose a predetermined pattern in the head element portion.
【００３０】すなわち、ヘッド素子部の積層プロセス中
のある工程において、主ブロック４２の両端に、加工基
準パターン５１を形成しておく。そして、この加工基準
パターン５１に重ならないように、主ブロック４２より
短い補助ブロック４３を接着し、磁極積層面42ａの加工
時に、前記の加工基準パターン５１をモニターして、目
標位置まで加工する。That is, the processing reference pattern 51 is formed on both ends of the main block 42 at a certain step in the head element part stacking process. Then, an auxiliary block 43 shorter than the main block 42 is adhered so as not to overlap the processing reference pattern 51, and the processing reference pattern 51 is monitored at the time of processing the magnetic pole laminated surface 42a, and processing is performed to a target position.
【００３１】請求項７は、請求項６における補助ブロッ
ク４３（補助ブロック用基板43ｗを含む）の両端の主ブ
ロック４２（主ブロック用基板42ｗを含む）との接着面
側のエッジを面取りして、接着剤の溜まり溝５２を形成
しておく方法である。この面取りは、補助ブロック４３
の状態で形成されてもよく、図２のような補助ブロック
用基板４３ｗの状態（ただし短寸状態）で形成されてい
てもよい。A seventh aspect of the present invention is to chamfer the edges on the bonding surface side of the auxiliary block 43 (including the auxiliary block substrate 43w) to both ends of the main block 42 (including the main block substrate 42w). This is a method of forming the adhesive accumulation groove 52. This chamfer is an auxiliary block 43
2 may be formed, or may be formed in the state of the auxiliary block substrate 43w as shown in FIG. 2 (however, in a short state).
【００３２】請求項８も、請求項７と同様に、接着剤の
溜まり溝５２を形成する方法であるが、この場合は図８
に例示するように、接着される前記補助ブロックの両端
より内側に位置するように主ブロック上に上部剥離層を
形成し、前記上部剥離層の両端に接着剤の溜まり溝を形
成する手法である。なお接着は、補助ブロック用基板４
３ｗと主ブロック用基板４２ｗの状態で行なってもよ
い。Similarly to the seventh aspect, the eighth aspect is a method of forming the adhesive accumulating groove 52, but in this case, FIG.
As illustrated in FIG. 2, an upper release layer is formed on the main block so as to be located inside both ends of the auxiliary block to be adhered, and an adhesive accumulation groove is formed at both ends of the upper release layer. . It should be noted that the adhesive is applied to the auxiliary block substrate 4
3w and the main block substrate 42w may be performed.
【００３３】請求項９は、請求項８のように上部剥離層
４１を補助ブロック４３両端より内側にパターニングし
て接着剤の溜まり溝５２を形成する際に、メッキベース
上において、接着剤の溜まり溝５２および加工基準パタ
ーン５１が形成される領域のみフォトレジストのマスク
５０ｍが残るようにパターニングした状態で、上部剥離
層４１をメッキ形成した後、フォトレジストのマスクを
除去して、前記上部剥離層の両端に接着剤の溜まり溝を
形成する手法である。According to a ninth aspect of the present invention, when the upper release layer 41 is patterned inward from both ends of the auxiliary block 43 as in the eighth aspect to form the adhesive accumulation groove 52, the adhesive accumulation is formed on the plating base. The upper peeling layer 41 is formed by plating in a state of being patterned so that the photoresist mask 50m remains only in the region where the groove 52 and the processing reference pattern 51 are formed, and then the photoresist mask is removed to remove the upper peeling layer. This is a method of forming adhesive accumulation grooves at both ends of.
【００３４】請求項１０は、請求項８のように上部剥離
層４１を補助ブロック４３両端より内側にパターニング
して接着剤の溜まり溝５２を形成する際に、基板上に主
積層部２ａを形成した後に、メッキベースを形成するこ
と、このメッキベース上において、接着剤の溜まり溝５
２および加工基準パターン５１が形成される領域はメッ
キベースが露出し、主積層部２ａが形成された領域のみ
フォトレジストのマスク５０ｍが残るように、フォトレ
ジストをパターニングすること、前記のフォトレジスト
マスク50ｍでマスクされずに露出したメッキベースを除
去すること、露出したメッキベースの除去後に、フォト
レジストのマスク５０ｍも除去し、残ったメッキベース
上に上部剥離層４１をメッキ形成すること、のプロセス
によって、接着される前記補助ブロックの両端より内側
に位置するように主ブロック上に上部剥離層を形成し、
前記上部剥離層の両端に接着剤の溜まり溝を形成する。According to a tenth aspect of the present invention, when the upper peeling layer 41 is patterned inward from both ends of the auxiliary block 43 to form the reservoir groove 52 of the adhesive as in the eighth aspect, the main laminated portion 2a is formed on the substrate. After that, a plating base is formed, and an adhesive reservoir groove 5 is formed on the plating base.
2 and the processing reference pattern 51 are formed, the plating base is exposed, and the photoresist is patterned so that the photoresist mask 50m remains only in the area where the main laminated portion 2a is formed. A process of removing the exposed plating base without being masked at 50 m, and also removing the photoresist mask 50 m after removing the exposed plating base, and forming the upper release layer 41 by plating on the remaining plating base. By forming an upper release layer on the main block so as to be located inside both ends of the auxiliary block to be bonded,
Adhesive reservoir grooves are formed at both ends of the upper release layer.
【００３５】なお、以上の各請求項を互いに組み合わせ
た方法も可能である。例えば、請求項９と請求項４は同
時に実施でき、また請求項１０と請求項５を同時に実現
できる。A method in which the above claims are combined with each other is also possible. For example, claim 9 and claim 4 can be implemented simultaneously, and claim 10 and claim 5 can be implemented simultaneously.
【００３６】[0036]
【作用】請求項１のように、主ブロック４２と補助ブロ
ック４３とが接着された状態において、接着面１８と垂
直方向の面42ａに、外周寄りを面取りして傾斜面４２
ｓ、４３ｓを形成すると、フォトレジストを遠心力で塗
布する際に、振り切られずに残ったフォトレジスト１６
ａは、最外周の最も低い位置に溜まる。その結果、フォ
トマスク１９を載せてコンタクト露光する際に、フォト
レジスト１６の中央のパターン形成面にフォトマスク１
９が均一に密着でき、高精度なパターニングが可能とな
る。When the main block 42 and the auxiliary block 43 are adhered to each other, the surface 42a in the direction perpendicular to the adhering surface 18 is chamfered near the outer periphery to form the inclined surface 42.
When s and 43s are formed, the photoresist 16 which is not shaken off and remains when the photoresist is applied by centrifugal force
a is accumulated at the lowest position on the outermost circumference. As a result, when the photomask 19 is placed and contact exposure is performed, the photomask 1 is formed on the central pattern formation surface of the photoresist 16.
9 can be evenly adhered, and highly precise patterning is possible.
【００３７】請求項２のように、主ブロック用基板４２
ｗの主積層部２ａ側に補助ブロック用基板４３ｗを重ね
て接着した状態で、２枚の基板をいっしょに、ヘッド素
子部の列単位に切断分離してブロックを形成するため、
従来のように主ブロック４２と補助ブロック４３とを１
本ずつ接着する方法に比べて、接着工程が削減されて効
率が向上し、大量生産に適している。また、接着の際の
相互の位置合わせも容易にかつ高精度となる。As described in claim 2, the main block substrate 42.
In order to form a block by cutting and separating the two substrates together in a row unit of the head element portion in a state where the auxiliary block substrate 43w is overlapped and adhered to the main laminated portion 2a side of w,
As in the conventional case, the main block 42 and the auxiliary block 43 are combined into one.
Compared to the book-by-book bonding method, the bonding process is reduced and the efficiency is improved, which is suitable for mass production. In addition, mutual alignment at the time of bonding becomes easy and highly accurate.
【００３８】請求項３のように、主ブロック用基板２１
ｗおよび補助ブロック用基板４３ｗの少なくとも一方
に、接着面とは反対側の面において、ヘッド素子列の単
位に切断分離する位置に、基板板厚の途中まで予め溝を
形成しておき、基板同士を重ねて接着した状態で、前記
の溝の位置から切断分離してブロックを形成すると、ブ
ロックに分離する際の切断部の肉厚が薄いため、ブロッ
ク４２、４３やカッタを損傷させることなしに、かつ円
滑に切断できる。As in claim 3, the main block substrate 21
On at least one of the w and the auxiliary block substrate 43w, a groove is previously formed up to the middle of the substrate thickness at a position where the head element row is cut and separated on the surface opposite to the bonding surface, and the substrates are separated from each other. If the blocks are cut and separated from the above-mentioned groove positions in the state of overlapping and adhering, the thickness of the cut portion when separating into blocks is thin, so that the blocks 42, 43 and the cutter are not damaged. And can be cut smoothly.
【００３９】請求項４のように、分離位置Ｃ１には上部
剥離層４１が存在しないようにパターニングすると、カ
ッタの通過位置には、膜厚の厚い上部剥離層４１が存在
しないので、カッタの目詰まりを抑制でき、カッタや基
板側の損傷を防止でき、かつ円滑に切断分離できる。When patterning is performed such that the upper peeling layer 41 does not exist at the separation position C1 as in claim 4, since the thick upper peeling layer 41 does not exist at the passing position of the cutter, the eyes of the cutter are not present. It is possible to suppress clogging, prevent damage to the cutter and the substrate side, and smoothly cut and separate.
【００４０】請求項５のように、分離位置Ｃ１には上部
剥離層４１が存在しないようにパターニングする際に、
分離位置Ｃ１以外にメッキベースを形成し、このメッキ
ベース上に上部剥離層４１をメッキ形成すると、分離位
置Ｃ１にはメッキベースも残存しないので、分離用カッ
タの目詰まり防止がさらに確実となる。When patterning is performed so that the upper peeling layer 41 does not exist at the separation position C1 as in the fifth aspect,
When a plating base is formed at a position other than the separation position C1 and the upper release layer 41 is formed on the plating base by plating, the plating base also does not remain at the separation position C1, so that the separation cutter can be more reliably prevented from being clogged.
【００４１】請求項６のように、ヘッド素子部の積層プ
ロセス中のある工程において、主ブロック４２の両端
に、加工基準パターン５１を形成しておき、この加工基
準パターン５１に重ならないように、主ブロック４２よ
り短い補助ブロック４３を接着し、磁極積層面42ａの加
工時に、前記の加工基準パターン５１をモニターして加
工すると、目標位置まで能率良くかつ高精度に加工でき
る。According to a sixth aspect of the present invention, the processing reference patterns 51 are formed on both ends of the main block 42 at a certain step in the head element part stacking process so that the processing reference patterns 51 do not overlap with each other. If the auxiliary block 43 shorter than the main block 42 is adhered and the machining reference pattern 51 is monitored and machined when the magnetic pole laminated surface 42a is machined, the machining can be efficiently and accurately performed up to the target position.
【００４２】請求項７のように、請求項６における補助
ブロック43の両端の主ブロック４２との接着面側のエッ
ジを面取りして、接着剤の溜まり溝５２を形成しておく
と、主ブロック４２側と補助ブロック４３側との接着時
に、接着面から押し出された接着剤が加工基準パターン
５１上に付着して、加工基準パターン５１が見えなくな
るのを防止できる。According to a seventh aspect of the present invention, the edges of the auxiliary block 43 of the sixth aspect on the side of the bonding surface with the main block 42 are chamfered to form the adhesive accumulation groove 52. When the 42 side and the auxiliary block 43 side are bonded, it is possible to prevent the adhesive extruded from the bonding surface from adhering to the processing reference pattern 51 and making the processing reference pattern 51 invisible.
【００４３】請求項８のように、上部剥離層41のパター
ニング工程で、上部剥離層41を補助ブロック４３の両端
より内側にパターニングしておくと、主ブロック４２と
補助ブロック４３を接着した状態では、補助ブロック４
３両端と主ブロック４２両端との間に接着剤の溜まり溝
５２が形成されるので、接着剤で加工基準パターン５１
が見えなくなるのを防止でき、しかも接着剤の溜まり溝
５２を容易に形成できる。When the upper release layer 41 is patterned inside both ends of the auxiliary block 43 in the patterning process of the upper release layer 41 as in claim 8, when the main block 42 and the auxiliary block 43 are bonded to each other. , Auxiliary block 4
Since the accumulating groove 52 of the adhesive is formed between the both ends of the No. 3 and both ends of the main block 42, the processing reference pattern 51 with the adhesive is formed.
Can be prevented from being invisible, and the adhesive accumulating groove 52 can be easily formed.
【００４４】請求項９によると、請求項８のように上部
剥離層４１が補助ブロック４３両端より引っ込むように
パターニングするに際して、メッキベース上において、
接着剤の溜まり溝５２および加工基準パターン５１が形
成される領域のみフォトレジストのマスク５０ｍを残し
た状態で、上部剥離層４１をメッキ形成するため、容易
に接着剤の溜まり溝５２を形成できる。According to the ninth aspect, when patterning the upper release layer 41 so as to retract from both ends of the auxiliary block 43 as in the eighth aspect, on the plating base,
Since the upper peeling layer 41 is formed by plating with the photoresist mask 50m left only in the region where the adhesive accumulation groove 52 and the processing reference pattern 51 are formed, the adhesive accumulation groove 52 can be easily formed.
【００４５】請求項１０によると、請求項８のように上
部剥離層４１を補助ブロック４３両端より内側にパター
ニングするに際して、メッキベース上において、接着剤
の溜まり溝５２および加工基準パターン５１が形成され
る領域はメッキベースが露出し、主積層部２ａが形成さ
れた領域のみフォトレジスト５０ｍでマスクされた状態
で、露出したメッキベースを除去し、次いでフォトレジ
ストのマスク５０ｍも除去した状態で、上部剥離層４１
をメッキ形成するため、容易に接着剤の溜まり溝５２を
形成できる。According to the tenth aspect, when the upper release layer 41 is patterned inward from both ends of the auxiliary block 43 as in the eighth aspect, the adhesive accumulation groove 52 and the processing reference pattern 51 are formed on the plating base. In the area where the plating base is exposed, the exposed plating base is removed with only the area where the main laminated portion 2a is formed being masked by the photoresist 50m, and then the photoresist mask 50m is also removed. Release layer 41
As a result, the adhesive accumulation groove 52 can be easily formed.
【００４６】[0046]
【実施例】次に本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法
が実際上どのように具体化されるかを実施例で説明す
る。図１は第１実施例、すなわち請求項１の発明の実施
例である。図１（ａ）では、主ブロック42と補助ブロッ
ク４３との接着面18と垂直方向の磁極積層面42ａにおい
て、主ブロック４２および補助ブロック４３の少なくと
も長手方向の外周寄りを面取りして傾斜面４２ｓ、４３
ｓを形成してある。EXAMPLES Next, practical examples of how the method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention is embodied will be described. FIG. 1 shows a first embodiment, that is, an embodiment of the invention of claim 1. In FIG. 1A, in the magnetic pole stacking surface 42a perpendicular to the bonding surface 18 between the main block 42 and the auxiliary block 43, at least the longitudinal outer peripheral portions of the main block 42 and the auxiliary block 43 are chamfered to form an inclined surface 42s. , 43
s is formed.
【００４７】この実施例に対し、図１（ｂ）では、接着
された主ブロック４２および補助ブロック４３の長手方
向の両端も、傾斜面42s1、43s1、42s2、43s2が形成され
ている。In contrast to this embodiment, in FIG. 1B, inclined surfaces 42s 1 , 43s 1 , 42s 2 and 43s 2 are formed at both longitudinal ends of the main block 42 and the auxiliary block 43 which are bonded together. There is.
【００４８】ところで、図17(d) のように、接着状態の
主ブロック４２および補助ブロック４３の接着面１８と
垂直方向の面42ａが平坦になっていると、図１（ｃ）の
ように、フォトレジスト１６を滴下して回転させ、スピ
ンコートしたとき、フォトレジスト１６は遠心力で外周
方向に移動するが、外周部に集まったフォトレジスト１
６ａは、ブロック表面から振り切られずに残存し、溜ま
った状態となる。そして、外周部のフォトレジスト16ａ
のみ膜厚が厚くなった状態で硬化するため、フォトレジ
ストの膜16の上に、レジストパターンをパターニングす
るためのマスク１９を載せて露光するとき、隙間が発生
し、正確なパターンが形成できない。By the way, as shown in FIG. 17D, when the bonding surface 18 of the main block 42 and the auxiliary block 43 in the bonded state and the surface 42a in the vertical direction are flat, as shown in FIG. 1C. When the photoresist 16 is dropped, rotated, and spin-coated, the photoresist 16 moves in the outer peripheral direction by centrifugal force, but the photoresist 1 gathered in the outer peripheral portion.
6a remains without being shaken off from the surface of the block, and is in a accumulated state. Then, the photoresist 16a on the outer peripheral portion
Since the film hardens only in the thickened state, when a mask 19 for patterning the resist pattern is placed on the photoresist film 16 and exposed, a gap occurs and an accurate pattern cannot be formed.
【００４９】ところが、本発明の場合は、図１（ｄ）の
ように、傾斜面４２ｓ、４３ｓになっていて最外周部が
最も低いので、遠心力でレジストを塗布したとき、最外
周部に溜まったフォトレジスト16ａの高さは、遠心力で
余分なレジストが飛散して薄くなった中央部のフォトレ
ジスト膜の高さと同程度か低くなる。However, in the case of the present invention, as shown in FIG. 1 (d), the outermost peripheral portion has the inclined surfaces 42s and 43s, and therefore the outermost peripheral portion is the lowest. The height of the accumulated photoresist 16a is equal to or lower than the height of the photoresist film in the central portion, which is thinned by the excess resist scattered by the centrifugal force.
【００５０】そのため、マスク１９を載せてコンタクト
露光を行なう際に、マスク１９が外周のフォトレジスト
１６ａに当たって中央のフォトレジスト膜１６との間に
隙間が生じることはなく、高精度な露光が可能となり、
その結果ヘッド素子部の寸法精度が向上し、磁気ヘッド
の電磁変換特性が向上する。Therefore, when contact exposure is performed with the mask 19 placed, the mask 19 does not hit the outer peripheral photoresist 16a and a gap is not formed between the mask 19 and the central photoresist film 16, and highly accurate exposure becomes possible. ,
As a result, the dimensional accuracy of the head element portion is improved, and the electromagnetic conversion characteristics of the magnetic head are improved.
【００５１】図１（ｅ）は、傾斜面４２ｓ、４３ｓを、
主ブロック４２および補助ブロック４３の最外周部のみ
に形成し、しかも急傾斜にしてある。そのため、遠心力
で最外周に集まったフォトレジスト１６ａは、すべてが
この急傾斜面４２ｓ、４３ｓに溜まる。このように、図
１（ａ）に示す傾斜面４２ｓ、４３ｓの傾斜角θや傾斜
面４２ｓ、４３ｓの面取り幅Ｌは、自由に選択できる。In FIG. 1E, the inclined surfaces 42s and 43s are
It is formed only on the outermost peripheral portions of the main block 42 and the auxiliary block 43, and is steeply inclined. Therefore, the photoresist 16a gathered on the outermost periphery by the centrifugal force is entirely collected on the steeply inclined surfaces 42s and 43s. As described above, the inclination angle θ of the inclined surfaces 42s and 43s and the chamfer width L of the inclined surfaces 42s and 43s shown in FIG. 1A can be freely selected.
【００５２】なお、従来のような平坦な面にフォトレジ
ストを塗布したのでは、フォトレジストの膜厚は±30％
程度の膜厚バラツキが有ったが、本発明のように傾斜面
42ｓ、43ｓを形成する方法では、面取り角θ＝５°、面
取り幅Ｌ＝２mmとした場合、±５％以内まで改善でき
た。If the photoresist is applied to a flat surface as in the conventional case, the thickness of the photoresist is ± 30%.
Although there was some variation in film thickness, the inclined surface as in the present invention
In the method of forming 42s and 43s, when the chamfering angle θ = 5 ° and the chamfering width L = 2 mm, it was possible to improve to within ± 5%.
【００５３】図２は本発明の第２の実施例、すなわち請
求項２の実施例を工程順に示す図である。まず（１）図
のように、図16のような主積層部２ａがマトリックス状
に積層形成された基板42ｗに補助ブロック用基板４３ｗ
を重ねて接着すると、（２）図のように、２枚の基板４
２ｗと４３ｗとが重なった状態となる。このように、重
なった２枚の基板をいっしょに、鎖線Ｃで示す位置から
切断して、ヘッド素子部の列単位に分離すると、（３）
図のようなブロックが得られる。FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the present invention, that is, an embodiment of claim 2 in the order of steps. First, as shown in (1), a main block portion 2a as shown in FIG.
When the two layers are bonded together, as shown in (2), the two substrates 4
2w and 43w are in an overlapping state. In this way, when the two overlapping substrates are cut together from the position indicated by the chain line C and separated into row units of the head element unit, (3)
The block as shown is obtained.
【００５４】このような接着ブロックの状態で、接着面
18と垂直な面を加工仕上げして、その上に図１に例示し
たように、フォトレジストを塗布して、パターニングを
行ない、磁極を積層形成する。すなわち、接着面18と垂
直な磁極積層面42ａを加工仕上げして、図16におけるコ
ア層２６、スタッド磁極層２７、３２、３５を露出させ
た後、その上にCoZrNb膜より成る主磁極層44、CoZrNb膜
より成る補助磁極層４５、媒体褶動層４０と同一材料よ
り成る保護層４６の順にパターニングする。In the state of such an adhesive block, the adhesive surface
A surface perpendicular to 18 is processed and finished, and as illustrated in FIG. 1, a photoresist is applied on the surface, patterning is performed, and a magnetic pole is laminated. That is, the magnetic pole laminated surface 42a perpendicular to the adhesion surface 18 is processed and finished to expose the core layer 26 and the stud magnetic pole layers 27, 32 and 35 in FIG. 16, and then the main magnetic pole layer 44 made of a CoZrNb film is formed thereon. , The auxiliary magnetic pole layer 45 made of a CoZrNb film, and the protective layer 46 made of the same material as the medium sliding layer 40 are patterned in this order.
【００５５】図３は本発明の第３実施例、すなわち請求
項３の発明の実施例を示す図である。図２（３）のよう
に切断されたブロックは、幅が.08mm 程度、全体の高さ
( 厚さ) が10mm以下、主積層部2aの厚さが50μｍ程度で
ある。また、主ブロック42の基板部21および補助ブロッ
ク４３はAl2O3TiCやTiO2Baからなり、硬度が高い。FIG. 3 is a diagram showing a third embodiment of the present invention, that is, an embodiment of the invention according to claim 3. The block cut as shown in Fig. 2 (3) has a width of about 0.08 mm and an overall height.
(Thickness) is 10 mm or less, and the thickness of the main laminated portion 2a is about 50 μm. The substrate portion 21 of the main block 42 and the auxiliary block 43 are made of Al 2 O 3 TiC or TiO 2 Ba and have high hardness.
【００５６】そのため、図２（２）のように２枚の基板
を重ねて接着した厚い状態で、前記のような微細なブロ
ック状に切断分離するのは、切断加工用のダイヤモンド
カッタの負荷が大き過ぎて切断が困難となり、基板側に
亀裂が生じて使用不能となったり、カッタが損傷するな
どの問題がある。Therefore, as shown in FIG. 2 (2), when the two substrates are stacked and adhered to each other in a thick state and cut and separated into the fine blocks as described above, the load of the diamond cutter for cutting is reduced. Since it is too large, it becomes difficult to cut, and there are problems that the substrate is cracked and unusable, and the cutter is damaged.
【００５７】これに対し、図２（２）の切断位置Ｃに、
図３（ａ）に例示するように、予め溝２８を形成してお
くと、溝底の位置を切断することになるので、図３
（ｂ）のように、切断線ｃの位置における肉厚が薄くな
り、切断が容易になる。その結果、切断時に基板側に亀
裂が入ったり、カッタが損傷を受けるなどの問題が解消
される。なお、溝２８の幅はカッタ幅５１ｗより広くす
る。On the other hand, at the cutting position C in FIG.
As illustrated in FIG. 3A, if the groove 28 is formed in advance, the position of the groove bottom will be cut off.
As shown in (b), the wall thickness at the position of the cutting line c becomes thin and the cutting becomes easy. As a result, problems such as cracks on the substrate side during cutting and damage to the cutter are eliminated. The width of the groove 28 is made wider than the cutter width 51w.
【００５８】図３（ｃ）は主ブロック用基板４２ｗおよ
び補助ブロック用基板４３ｗの接着前の状態を示す斜視
図である。この図のように、主ブロック用基板４２ｗお
よび補助ブロック用基板４３ｗは、互いに接着する前に
予め背面（接着面とは反対側の面）に溝２８が形成され
ている。FIG. 3C is a perspective view showing a state before the main block substrate 42w and the auxiliary block substrate 43w are bonded. As shown in this figure, the main block substrate 42w and the auxiliary block substrate 43w have grooves 28 formed on their back surfaces (surfaces opposite to the bonding surface) in advance before they are bonded to each other.
【００５９】接着に際しては、それぞれの溝２８、２８
が図３（ａ）の切断線ｃ上に来るように位置合わせす
る。なお、図示例では、主ブロック用基板４２ｗおよび
補助ブロック用基板４３ｗの両方に溝２８を形成してい
るが、いずれか一方のみに形成してもよい。At the time of bonding, the respective grooves 28, 28
Are aligned so that they are on the cutting line c in FIG. In the illustrated example, the groove 28 is formed in both the main block substrate 42w and the auxiliary block substrate 43w, but it may be formed in only one of them.
【００６０】基板２１に先に溝２８を形成してから主積
層部２ａを積層形成することも考えられるが、積層プロ
セスにおける熱で基板が反ってしまい、主積層部の積層
プロセスに支障を来すので、図１６の主積層部２ａを積
層形成してから、溝２８を形成するのがよい。It is conceivable that the groove 28 is first formed on the substrate 21 and then the main laminated portion 2a is laminated. However, the substrate is warped by the heat in the laminating process, which hinders the laminating process of the main laminated portion. Therefore, it is preferable to form the groove 28 after the main laminated portion 2a of FIG. 16 is laminated.
【００６１】ところで、このように溝２８を形成してか
ら、あるいは図２のように溝２８の無い状態で切断する
場合、さらには図１７のように主ブロック用基板４２ｗ
単体の状態で切断する場合でも、図１６における主積層
部２ａを基板２１や補助ブロック４３から分離するため
の剥離層２２、４１も切断することになる。By the way, when the groove 28 is formed in this way, or when cutting is performed without the groove 28 as shown in FIG. 2, the main block substrate 42w is further formed as shown in FIG.
Even when it is cut in a single state, the peeling layers 22 and 41 for separating the main laminated portion 2a in FIG. 16 from the substrate 21 and the auxiliary block 43 are also cut.
【００６２】しかしながら、剥離層２２、４１を構成す
る材料として、エッチング性の良いＣｕが使用されるた
め、ダイヤモンドカッタが目詰まりを起こし、その結果
作業性が低下したり、基板側やカッタに亀裂や欠けが生
じるなどの問題がある。下側の剥離層２２は数μｍ程度
の膜厚なため、特に問題ないが、摺動凸部４０側の剥離
層４１は５０μｍと厚いため、この補助ブロック４３側
の剥離層４１によるカッタ目詰まりが問題となる。However, since Cu, which has a good etching property, is used as the material for forming the peeling layers 22 and 41, the diamond cutter is clogged, resulting in a decrease in workability and a crack on the substrate side or the cutter. There are problems such as chipping and chipping. Since the lower peeling layer 22 has a thickness of about several μm, there is no particular problem, but the peeling layer 41 on the sliding convex portion 40 side is as thick as 50 μm, and therefore the cutter clogging is caused by the peeling layer 41 on the auxiliary block 43 side. Is a problem.
【００６３】そこで、請求項４では、図４（１）に例示
するように、カッタの通過する位置Ｃ１には、補助ブロ
ック側の剥離層４１が存在しないように、剥離層をパタ
ーニングしてある。Therefore, in claim 4, as illustrated in FIG. 4A, the peeling layer is patterned so that the peeling layer 41 on the auxiliary block side does not exist at the position C1 where the cutter passes. .
【００６４】図４（２）〜（５）は上部剥離層４１のパ
ターニングプロセスを例示する断面図である。まず
（２）図のように、基板２１上に、下部剥離層２２、図
１６における主積層部２ａの摺動凸部４０までを順次積
層した後に、全面にＣｕなどの導体を蒸着やスパッタし
てメッキベース４９を形成し、その上にフォトレジスト
５０を全面に塗布する。4 (2) to 4 (5) are sectional views illustrating the patterning process of the upper peeling layer 41. As shown in FIG. First, as shown in (2), the lower release layer 22 and the sliding protrusion 40 of the main laminated portion 2a in FIG. 16 are sequentially laminated on the substrate 21, and then a conductor such as Cu is deposited or sputtered on the entire surface. To form a plating base 49, and a photoresist 50 is applied on the entire surface.
【００６５】次にこのフォトレジスト50の上にフォトマ
スクを被せて露光／現像し、（３）図のように、カッタ
通過位置Ｃ１のみにフォトレジスト50ｍを残し、他の領
域は導電性のメッキベース４９を露出させる。この状態
で、Ｃｕなどの導体を導電メッキすると、（４）図のよ
うに、フォトレジストのマスク５０ｍの無い領域のみに
メッキが成長して、上部剥離層４１が形成される。Then, a photomask is covered on the photoresist 50 to expose / develop it, and as shown in FIG. 3C, the photoresist 50m is left only at the cutter passing position C1 and the other regions are plated with a conductive material. The base 49 is exposed. In this state, when a conductor such as Cu is conductively plated, the plating grows only on the region of the photoresist without the mask 50m, and the upper release layer 41 is formed, as shown in FIG.
【００６６】フォトレジストのマスク50ｍを有機溶剤で
溶かして除去した後、上部剥離層４１の表面を必要に応
じて研摩し平坦化する。この状態では（５）図のように
カッタ５１の通過位置には、厚い上部剥離層４１が存在
しないので、Ｃｕによってカッタ５１が目詰まりするの
を防止できる。切断後、切断面を研摩して平坦化し、そ
の上に図１６の磁極層２ｂを積層する。なお、メッキベ
ース４９は残るが、極めて薄いので、カッタ５１の目詰
まりを来す恐れはない。After removing the photoresist mask 50m by dissolving it in an organic solvent, the surface of the upper peeling layer 41 is polished and planarized if necessary. In this state, since the thick upper peeling layer 41 does not exist at the passing position of the cutter 51 as shown in (5), it is possible to prevent the cutter 51 from being clogged with Cu. After the cutting, the cut surface is polished and flattened, and the pole layer 2b of FIG. 16 is laminated thereon. Although the plating base 49 remains, the cutter 51 is not clogged because it is extremely thin.
【００６７】図４（５）は、主ブロック用基板４２ｗ単
体の状態でカッタ５１による切断分離を行なっている
が、この実施例によってパターニングされた上部剥離層
４１の上に図２、図３の補助ブロック用基板４３ｗを接
着してから、ブロック状に切断する場合でも適用できる
ことは言うまでもない。In FIG. 4 (5), the main block substrate 42w alone is cut and separated by the cutter 51. The upper release layer 41 patterned by this embodiment is used to form the main block substrate 42w shown in FIGS. It goes without saying that the present invention can also be applied to the case where the auxiliary block substrate 43w is adhered and then cut into blocks.
【００６８】図５はカッタ通過位置にメッキベースも残
らないようにした製造方法である。図４（１）の斜視図
では、上部剥離層４１の下側とカッタ通過位置Ｃ１の全
面にメッキベース４９が残っているが、図５（１）の斜
視図では、カッタ通過位置Ｃ１にはメッキベースも存在
しない。FIG. 5 shows a manufacturing method in which the plating base is not left at the cutter passing position. In the perspective view of FIG. 4 (1), the plating base 49 remains on the lower side of the upper release layer 41 and the entire surface of the cutter passing position C1, but in the perspective view of FIG. There is no plating base either.
【００６９】図５（２）〜（６）はこの実施例における
上部剥離層４１のパターニングプロセスを例示する断面
図である。まず（２）図のように、基板２１上に、下部
剥離層２２、図16における主積層部２ａの摺動凸部４０
までを順次積層した後に、全面にＣｕなどの導体を蒸着
やスパッタしてメッキベース４９を形成し、その上にフ
ォトレジスト50を全面に塗布する。この工程は、図４
（２）と同じである。FIGS. 5 (2) to 5 (6) are sectional views illustrating the patterning process of the upper release layer 41 in this embodiment. First, as shown in (2), the lower release layer 22 on the substrate 21 and the sliding protrusions 40 of the main laminated portion 2a in FIG.
After the above are sequentially laminated, a conductor such as Cu is vapor-deposited or sputtered on the entire surface to form a plating base 49, and a photoresist 50 is applied on the entire surface. This process is shown in FIG.
Same as (2).
【００７０】次にこのフォトレジスト50の上にフォトマ
スクを被せて露光／現像するが、図４（３）の場合とは
逆パターンのフォトマスクを被せて露光／現像すると、
図５（３）のように、カッタ通過位置Ｃ１以外のみにフ
ォトレジスト50ｍが残り、カッタ通過位置Ｃ１はメッキ
ベース４９が露出する。この状態で、フォトレジスト５
０ｍをマスクにして、上からイオンミーリングを行な
う。Next, a photomask is placed on the photoresist 50 for exposure / development. When a photomask having a pattern opposite to that in the case of FIG. 4C is placed for exposure / development,
As shown in FIG. 5C, the photoresist 50m remains only in the areas other than the cutter passing position C1, and the plating base 49 is exposed at the cutter passing position C1. In this state, the photoresist 5
Ion milling is performed from above with 0 m as a mask.
【００７１】イオンミーリングを行なうと、フォトレジ
スト５０ｍの下のメッキベースはマスクされているのに
対し、カッタ通過位置Ｃ１のメッキベース４９は露出し
ているので、イオンミーリングされて消失する。残った
メッキベース４９上のフォトレジストマスク５０ｍを有
機溶剤で溶かし去ると、（４）図のようにカッタ通過位
置Ｃ１以外の領域にメッキベース４９が露出する。な
お、（５）図におけるメッキベース４９…は、図示され
ていない位置で電気的に接続されている。When ion milling is performed, the plating base under the photoresist 50m is masked, whereas the plating base 49 at the cutter passing position C1 is exposed, and thus ion milling disappears. When the remaining photoresist mask 50m on the plating base 49 is dissolved away with an organic solvent, the plating base 49 is exposed in a region other than the cutter passing position C1 as shown in (4). The plating bases 49 ... In (5) are electrically connected at positions not shown.
【００７２】このように残存しているメッキベース４９
を利用して、Ｃｕなどの導体を導電メッキすると、
（５）図のように、カッタ通過位置Ｃ１以外の領域のみ
にメッキが成長して、上部剥離層４１が形成される。こ
の上部剥離層４１の表面を必要に応じて研摩し平坦化
し、（６）図のようにカッタ５１で切断分離してブロッ
ク状にしてから補助ブロック４３と接着するか、補助ブ
ロック用基板４３ｗを接着してから、カッタで切断す
る。The plating base 49 thus remaining
Conductive plating of Cu and other conductors using
(5) As shown in the drawing, the plating grows only in the area other than the cutter passing position C1 to form the upper peeling layer 41. The surface of the upper release layer 41 is polished and flattened as required, and is cut and separated by a cutter 51 into a block shape as shown in (6) and then bonded to the auxiliary block 43, or the auxiliary block substrate 43w is attached. After gluing, cut with a cutter.
【００７３】この実施例では、（６）図のようにカッタ
通過位置Ｃ１には、厚い上部剥離層４１も、またメッキ
ベース４９も残らないので、Ｃｕによるカッタ５１の目
詰まりを確実に防止できる。なお、（３）図の工程にお
いて、カッタ通過位置Ｃ１のメッキベースを除去するに
は、イオンミーリングのほか、逆スパッタ法、化学エッ
チング法なども可能である。In this embodiment, neither the thick upper peeling layer 41 nor the plating base 49 remains at the cutter passing position C1 as shown in (6), so that the cutter 51 can be reliably prevented from being clogged with Cu. . In addition, in the process of FIG. 3C, in order to remove the plating base at the cutter passing position C1, not only ion milling but also a reverse sputtering method, a chemical etching method or the like can be used.
【００７４】図６は主ブロック42と補助ブロック４３と
が接着されている状態において、磁極積層面42ａを加工
する際の加工深さを決定する方法であり、請求項６のよ
うに主ブロック４２両端の補助ブロック４３からはみ出
した領域に加工基準パターン５１を形成する。FIG. 6 shows a method of determining the working depth when working the magnetic pole laminated surface 42a in a state where the main block 42 and the auxiliary block 43 are adhered to each other. The processing reference pattern 51 is formed in a region protruding from the auxiliary blocks 43 at both ends.
【００７５】まず、基板２１上に図16の主積層部２ａを
積層形成する際に、（１）図のように、両端部分にモニ
ター用の加工基準パターン５１をパターニングしてお
く。例えば、図１６におけるスタッド磁極層２７、３２
あるいは３５をパターニングする際、または下部コイル
層30もしくは上部コイル層３４などをパターニングする
際に、両端のはみ出し領域に加工基準パターン５１もパ
ターニングしておく。First, when the main laminated portion 2a shown in FIG. 16 is formed on the substrate 21, the processing reference patterns 51 for monitoring are patterned on both ends as shown in FIG. For example, the stud magnetic pole layers 27 and 32 in FIG.
Alternatively, when patterning 35, or patterning the lower coil layer 30, the upper coil layer 34, or the like, the processing reference pattern 51 is also patterned in the protruding regions at both ends.
【００７６】後続のパターニング工程で、この加工基準
パターン５１の上に他の膜が重ならないようにしてもよ
いが、他の膜が重なったとしても透明なため、加工基準
パターン５１の目視は可能である。In the subsequent patterning step, other films may be prevented from overlapping this processing reference pattern 51, but even if other films overlap, it is transparent and the processing reference pattern 51 is visible. Is.
【００７７】このように、加工基準パターン５１も形成
された状態の基板を、ヘッド素子部の列の単位で切断線
Ｃの位置で切断すると、（２）図の状態となる。（３）
図のように、この主ブロック４２の主積層部２ａ側に、
短い補助ブロック４３を接着すると、（４）図のよう
に、主ブロック４２の両端の加工基準パターン５１を形
成した部分が補助ブロック４３からはみ出すので、拡大
図（５）のように、外部から加工基準パターン５１を容
易に目視できる。As described above, when the substrate in which the processing reference pattern 51 is also formed is cut at the position of the cutting line C in the unit of the row of the head element portion, the state shown in (2) is obtained. (3)
As shown in the figure, on the main laminated portion 2a side of the main block 42,
When the short auxiliary block 43 is adhered, as shown in (4), the portions on both ends of the main block 42 on which the processing reference patterns 51 are formed protrude from the auxiliary block 43. Therefore, as shown in the enlarged view (5), the external processing is performed. The reference pattern 51 can be easily viewed.
【００７８】したがって、図１６におけるスタッド磁極
層２７、３２、３５や摺動凸部４０などが露出するよう
に加工する途中において、この加工基準パターン５１を
測長式顕微鏡等で直接測定またはモニターすると、目標
位置まで能率良くかつ高精度に加工でき、加工寸法の高
精度化が実現されるとともに、薄膜磁気ヘッドとしての
良好な特性を実現できる。Therefore, if the processing reference pattern 51 is directly measured or monitored by a length-measuring microscope or the like during processing so that the stud magnetic pole layers 27, 32, 35 and the sliding convex portions 40 in FIG. 16 are exposed. In addition, the target position can be processed efficiently and with high accuracy, the processing size can be improved, and good characteristics as a thin film magnetic head can be realized.
【００７９】（５）図に例示する加工基準パターン５１
は、階段状に３個の矩形パターンが形成されているが、
それぞれのパターン511 〜513 の上端と加工面４２ａと
の間の隙間の有無で、加工量をモニターできる。すなわ
ち、鎖線で示すように、真ん中のパターン512 の上端縁
まで加工されたとき、目標位置まで加工されたことにな
り、上側のパターン511 の上端縁まで加工した状態では
加工不足であり、下側のパターン513 まで加工されると
加工過剰となる。このように三つのパターンを比較でき
るので、加工量の判定が容易である。なお、この加工基
準パターン５１は一例であり、他の形状を利用してもよ
い。(5) Processing reference pattern 51 illustrated in FIG.
Has three rectangular patterns formed in a staircase,
The processing amount can be monitored by the presence or absence of a gap between the upper end of each of the patterns 511 to 513 and the processing surface 42a. That is, as shown by the chain line, when the upper edge of the middle pattern 512 is machined, it means that it has been machined to the target position.In the state where the upper edge of the upper pattern 511 is machined, the machining is insufficient, and the lower side When the pattern up to pattern 513 is processed excessively. Since the three patterns can be compared in this way, it is easy to determine the processing amount. The processing reference pattern 51 is an example, and other shapes may be used.
【００８０】図示実施例では、主ブロック用基板４２ｗ
を切断分離した主ブロック４２に、短い補助ブロック４
３を接着しているが、図２のように主ブロック用基板４
２ｗと補助ブロック用基板４３ｗを重ねて接着した状態
で、ブロック状に切断分離する場合は、図２（１）にお
ける補助ブロック用基板４３ｗのブロック長手方向の寸
法を、短くしておけば足りる。In the illustrated embodiment, the main block substrate 42w.
To the main block 42 that has been cut and separated, and the short auxiliary block 4
3 is adhered, but as shown in FIG.
When cutting and separating into blocks in a state where 2w and the auxiliary block substrate 43w are overlapped and adhered, it is sufficient to shorten the dimension of the auxiliary block substrate 43w in the block longitudinal direction in FIG. 2 (1).
【００８１】図７は請求項７の発明の実施例である。こ
の実施例は、図７（１）（３）に例示するように、補助
ブロック４３の両端の主ブロック４２との接着面側のエ
ッジを面取りして、接着剤の溜まり溝５２を形成してあ
る。FIG. 7 shows an embodiment of the invention of claim 7. In this embodiment, as illustrated in FIGS. 7 (1) and (3), the edges of the auxiliary blocks 43 on both sides of the bonding surface with the main block 42 are chamfered to form the adhesive accumulation groove 52. is there.
【００８２】したがって、図７（２）のように、主ブロ
ック４２と補助ブロック４３とを接着した際に、接着面
から押し出された接着剤は、接着剤の溜まり溝５２に溜
まるので、加工基準パターン５１上まで流れて付着する
ことはない。その結果、磁極積層面42ａの加工時に加工
基準パターン５１に接着剤が付着して、見えなくなるよ
うな問題が解消される。なお、（３）図は接着剤の溜ま
り溝５２の部分を拡大して示した図である。Therefore, as shown in FIG. 7B, when the main block 42 and the auxiliary block 43 are bonded, the adhesive pushed out from the bonding surface is accumulated in the adhesive accumulating groove 52. It does not flow to and adhere to the pattern 51. As a result, the problem that the adhesive adheres to the processing reference pattern 51 and becomes invisible when the magnetic pole laminated surface 42a is processed is solved. It should be noted that FIG. 3C is an enlarged view of the portion of the adhesive accumulation groove 52.
【００８３】接着剤の溜まり溝５２は、（４）図のよう
に主ブロック用基板４２ｗと補助ブロック用基板４３ｗ
とを接着する際は、短寸の補助ブロック用基板４３ｗの
状態で、両端の接着面側のエッジを面取りして溝形成す
ることになる。The adhesive accumulating groove 52 is formed in the main block substrate 42w and the auxiliary block substrate 43w as shown in FIG.
When the and are bonded, the edges of the bonding surfaces at both ends are chamfered to form a groove in the short-sized auxiliary block substrate 43w.
【００８４】図８は第８実施例であり、請求項８に対応
する。図１７（ａ）に示すように、通常は上部剥離層４
１は、基板の全面に形成される。これに対し、本実施例
では図８（１）に例示するように、ヘッド素子部を構成
するための主積層部２ａの領域のみに上部剥離層４１を
形成する。FIG. 8 shows an eighth embodiment and corresponds to claim 8. As shown in FIG. 17A, the upper peeling layer 4 is usually used.
1 is formed on the entire surface of the substrate. On the other hand, in this embodiment, as illustrated in FIG. 8A, the upper peeling layer 41 is formed only in the region of the main laminated portion 2a for forming the head element portion.
【００８５】すなわち、主ブロック用基板４２ｗに上部
剥離層４１をパターニングする際に、上部剥離層４１の
両端が、補助ブロック４３の両端より引っ込むようにパ
ターニングする。その結果、（２）図のように、主ブロ
ック４２と補助ブロック４３を接着したとき、主ブロッ
ク４２両端と補助ブロック４３両端との間に接着剤の溜
まり溝５２が形成される。That is, when patterning the upper release layer 41 on the main block substrate 42w, the upper release layer 41 is patterned such that both ends thereof are recessed from both ends of the auxiliary block 43. As a result, as shown in FIG. 2B, when the main block 42 and the auxiliary block 43 are bonded, the adhesive accumulation groove 52 is formed between both ends of the main block 42 and both ends of the auxiliary block 43.
【００８６】したがって、図７のように補助ブロック４
３の両端のエッジを面取りして接着剤の溜まり溝５２を
形成した場合と同様に、接着剤で加工基準パターン５１
が見えなくなるのを防止できる。また、このように上部
剥離層４１を形成する際のパターニングによって、接着
剤の溜まり溝５２を形成できる。Therefore, as shown in FIG. 7, the auxiliary block 4
Similarly to the case where the edges of both ends of 3 are chamfered to form the reservoir groove 52 of the adhesive, the processing reference pattern 51 is formed by the adhesive.
Can be prevented from disappearing. Further, the accumulating groove 52 for the adhesive can be formed by patterning the upper peeling layer 41 in this manner.
【００８７】このように上部剥離層41を、補助ブロック
４３の両端より引っ込むように形成するだけで足りるの
で、図４、図５の実施例において、短冊状に分離された
それぞれの上部剥離層41の両端を短くパターニングする
することでも実現できる。Since it is sufficient to form the upper release layer 41 so as to be retracted from both ends of the auxiliary block 43 in this manner, in the embodiment of FIGS. 4 and 5, each upper release layer 41 separated into strips is formed. It can also be realized by patterning both ends of each of them short.
【００８８】図９、図10は図８のように上部剥離層41の
両端が補助ブロック４３より引っ込むようにパターニン
グする方法を工程順に例示したものである。まず図９
（１）のように、基板２１上に、下部剥離層２２、図１
６における主積層部２ａの摺動凸部４０までを順次積層
した後に、全面にＣｕなどの導体を蒸着やスパッタして
メッキベース４９を形成し、その上にフォトレジスト５
０を全面に塗布する。9 and 10 illustrate a method of patterning so that both ends of the upper release layer 41 are recessed from the auxiliary block 43 as shown in FIG. First, FIG.
As shown in (1), the lower release layer 22 is formed on the substrate 21, as shown in FIG.
6, the sliding protrusions 40 of the main laminated portion 2a are sequentially laminated, and then a conductor such as Cu is vapor-deposited or sputtered on the entire surface to form a plating base 49, and the photoresist 5 is formed thereon.
Apply 0 to the entire surface.
【００８９】次にこのフォトレジスト50の上にフォトマ
スクを被せて露光／現像し、（２）図のように、図８
（２）に示す接着剤溜まり溝５２と加工基準パターン５
１を形成する領域にフォトレジスト50ｍを残し、主積層
部２ａを形成する領域には、導電性のメッキベース４９
を露出させる。Next, a photomask is covered on the photoresist 50 to expose / develop it, and as shown in FIG.
Adhesive reservoir groove 52 and processing reference pattern 5 shown in (2)
The photoresist 50m is left in the region where the 1 is formed, and the conductive plating base 49 is provided in the region where the main laminated portion 2a is formed.
Expose.
【００９０】この状態で、Ｃｕなどの導体を導電メッキ
して上部剥離層４１を形成すると、（３）図のように、
フォトレジストのマスク５０ｍの無い領域のみにメッキ
が成長して、上部剥離層４１が形成される。次に、この
フォトレジストのマスク50ｍを有機溶剤で溶かして除去
した後、上部剥離層４１の表面を必要に応じて研摩し平
坦化すると、（４）図の状態となる。最後に、上部剥離
層４１をマスクにして、接着剤溜まり溝５２と加工基準
パターン５１形成領域に露出したメッキベースをエッチ
ングして除去する。In this state, when a conductor such as Cu is conductively plated to form the upper release layer 41, as shown in FIG.
The plating grows only on the region of the photoresist where the mask 50m is absent, and the upper release layer 41 is formed. Next, after removing the photoresist mask 50m by dissolving it in an organic solvent, the surface of the upper peeling layer 41 is polished and flattened as needed, resulting in the state shown in FIG. Finally, using the upper release layer 41 as a mask, the adhesive base groove 52 and the plating base exposed in the processing reference pattern 51 formation region are etched and removed.
【００９１】このようにして、上部剥離層41を必要最小
限の領域すなわち主積層部２ａ上のみに形成してあるた
め、（５）図のように主ブロック４２の上部剥離層４１
上に補助ブロック４３を接着したとき、接着面から押し
出された接着剤18ａは溜まり溝５２に溜まるので、加工
基準パターン５１が見えなくなるのを防止できる。In this way, the upper peeling layer 41 is formed only on the minimum necessary area, that is, on the main laminated portion 2a. Therefore, as shown in (5), the upper peeling layer 41 of the main block 42 is formed.
When the auxiliary block 43 is adhered to the upper part, the adhesive 18a pushed out from the adhering surface is accumulated in the accumulation groove 52, so that the processing reference pattern 51 can be prevented from becoming invisible.
【００９２】なお、この接着剤の溜まり溝５２と加工基
準パターン５１を形成する領域に、上部剥離層４１が形
成されないようにする工程と、図４に示すカッタ通過位
置Ｃ１に上部剥離層４１が形成されないようにする工程
を一緒に行なえば、両方を１工程で実現できる。The step of preventing the upper peeling layer 41 from being formed in the region where the adhesive accumulation groove 52 and the processing reference pattern 51 are formed, and the upper peeling layer 41 is formed at the cutter passing position C1 shown in FIG. Both can be realized in one step if the steps for preventing the formation are performed together.
【００９３】図１０は接着剤の溜まり溝となる領域に上
部剥離層が形成されないようにした手法の別の実施例で
あり、まず図10（１）のように、基板２１上に、下部剥
離層２２、図１６における主積層部２ａの摺動凸部４０
までを順次積層した後に、全面にＣｕなどの導体を蒸着
やスパッタしてメッキベース４９を形成し、その上にフ
ォトレジスト５０を全面に塗布する工程までは、図９
(1) と同じである。FIG. 10 shows another embodiment of the method in which the upper peeling layer is not formed in the region that becomes the adhesive accumulation groove. First, as shown in FIG. 10A, the lower peeling layer is formed on the substrate 21. Layer 22, sliding protrusion 40 of main laminated portion 2a in FIG.
9 is formed by sequentially depositing a conductor such as Cu on the entire surface, forming a plating base 49 by vapor deposition or sputtering, and applying a photoresist 50 on the entire surface.
Same as (1).
【００９４】次にこのフォトレジスト50の上にフォトマ
スクを被せて露光／現像し、（２）図のように、主積層
部２ａの上側の領域にフォトレジスト50ｍを残し、接着
剤溜まり溝５２と加工基準パターン５１を形成する領域
には、導電性のメッキベース４９を露出させる。Next, a photomask is covered on this photoresist 50 and exposed / developed, and as shown in FIG. 2B, the photoresist 50m is left in the upper region of the main laminated portion 2a, and the adhesive accumulating groove 52 is formed. The conductive plating base 49 is exposed in the region where the processing reference pattern 51 is formed.
【００９５】この状態で、（３）図のように、フォトレ
ジスト５０ｍをマスクにして、上からイオンミーリング
を行ない、接着剤の溜まり溝５２となる領域や加工基準
パターン５１形成領域におけるメッキベースを除去す
る。そして（４）図のように、残ったメッキベース４９
上のフォトレジストマスク５０ｍを有機溶剤で溶かし去
ると、主積層部２ａを形成する領域のみメッキベース４
９が残存する。In this state, as shown in (3), using the photoresist 50m as a mask, ion milling is performed from above to remove the plating base in the region to be the adhesive accumulation groove 52 and the processing reference pattern 51 forming region. Remove. Then, as shown in (4), the remaining plating base 49
When the upper photoresist mask 50m is dissolved away with an organic solvent, the plating base 4 is formed only in the region where the main laminated portion 2a is formed.
9 remains.
【００９６】このように残存しているメッキベース４９
を利用して、Ｃｕなどの導体を導電メッキすると、
（５）図のように主積層部２ａの領域のみにメッキが成
長して、上部剥離層４１が形成される。この上部剥離層
４１の表面を必要に応じて研摩し平坦化してから、
（６）図のように補助ブロック４３を接着する。このと
き、上部剥離層４１が補助ブロック４３の両端より引っ
込むため、主ブロック４２と補助ブロック４３の両端間
に接着剤１８ａの溜まり溝５２が形成される。The plating base 49 thus remaining
Conductive plating of Cu and other conductors using
(5) As shown in the figure, the plating is grown only in the region of the main laminated portion 2a to form the upper peeling layer 41. If necessary, the surface of the upper release layer 41 may be polished and flattened,
(6) Adhere the auxiliary block 43 as shown in the figure. At this time, since the upper peeling layer 41 retracts from both ends of the auxiliary block 43, a reservoir groove 52 of the adhesive 18a is formed between both ends of the main block 42 and the auxiliary block 43.
【００９７】この接着剤の溜まり溝５２と加工基準パタ
ーン５１を形成する領域のメッキベースをイオンミーリ
ングなどで除去する方法は、図５に示すカッタ通過位置
Ｃ１のメッキベースをイオンミーリングで除去する工程
と一緒に行なえば、両方を１工程で実現できる。A method of removing the plating base in the region where the adhesive accumulation groove 52 and the processing reference pattern 51 are formed by ion milling or the like is a step of removing the plating base at the cutter passing position C1 shown in FIG. 5 by ion milling. Both can be realized in one step.
【００９８】なお、（３）図の工程において、主積層部
２ａ以外のメッキベースを除去するには、イオンミーリ
ングのほか、逆スパッタ法、化学エッチング法なども可
能である。In addition, in the step of FIG. 3C, in order to remove the plating base other than the main laminated portion 2a, ion sputtering, reverse sputtering method, chemical etching method and the like are also possible.
【００９９】[0099]
【発明の効果】本発明によると、主ブロック４２と補助
ブロック４３が接着された状態において、パターン形成
を行なう面42ａの外周寄りに傾斜をつけると、フォトレ
ジストを遠心力で塗布する際に、振り切られずに残った
フォトレジスト１６ａは、傾斜面の最も低い位置に溜ま
るので、フォトマスク１９を載せてコンタクト露光を行
なう際に、フォトレジスト１６との密着性が向上し、高
精度なパターニングが可能となる。According to the present invention, when the main block 42 and the auxiliary block 43 are adhered to each other, if the surface 42a on which the pattern is formed is inclined toward the outer periphery, it is possible to apply the photoresist by centrifugal force. The photoresist 16a remaining without being shaken off is accumulated at the lowest position of the inclined surface, so that when the photomask 19 is placed and contact exposure is performed, adhesion with the photoresist 16 is improved and highly accurate patterning is possible. Becomes
【０１００】また、主ブロック用基板４２ｗと補助ブロ
ック用基板４３ｗを重ねて接着した状態で２枚いっしょ
に、ヘッド素子部の列単位に切断分離してブロックを形
成するため、接着工数が削減されて効率化し、かつ接着
の際の相互の位置合わせも簡便かつ高精度となる。Further, since the main block substrate 42w and the auxiliary block substrate 43w are overlapped and adhered to each other, the blocks are formed by cutting and separating each of the head element parts into columns, so that the number of bonding steps is reduced. The efficiency is improved, and the mutual alignment at the time of adhesion becomes simple and highly accurate.
【０１０１】また、主ブロック用基板21ｗおよび補助ブ
ロック用基板43ｗの少なくとも片方の背面において、ヘ
ッド素子列の単位に切断分離する位置に予め溝を形成し
ておき、基板同士を重ねて接着して状態で、前記の溝の
位置から切断分離してブロックを形成する方法による
と、ブロックに分離する際の切断部の肉厚が薄いため、
円滑にかつブロックやカッタを損傷することなしに切断
できる。Further, on at least one of the back surfaces of the main block substrate 21w and the auxiliary block substrate 43w, a groove is formed in advance at a position where the head element row is cut and separated, and the substrates are stacked and adhered to each other. In the state, according to the method of forming a block by cutting and separating from the position of the groove, since the thickness of the cut portion when separating into blocks is thin,
You can cut smoothly and without damaging the block or cutter.
【０１０２】また、ブロック状に切断するカッタの通過
位置Ｃ１に上部剥離層４１が存在しないように、上部剥
離層４１が予めパターニングされていると、膜厚の厚い
上部剥離層４１によるカッタの目詰まりを抑制して、カ
ッタや基板側の損傷を防止でき、かつ円滑に切断分離で
きる。If the upper peeling layer 41 is pre-patterned so that the upper peeling layer 41 does not exist at the passing position C1 of the cutter that is cut into blocks, the upper peeling layer 41 having a large film thickness forms a cutter eye. It is possible to prevent clogging, prevent damage to the cutter and the substrate side, and cut and separate smoothly.
【０１０３】また、カッタ通過位置Ｃ１以外に選択的に
メッキベースを形成し、このメッキベース上に上部剥離
層41をメッキ形成する方法によると、カッタ通過位置Ｃ
１にはメッキベースも残存しないので、カッタの目詰ま
り防止がより確実となる。Further, according to the method of selectively forming the plating base other than the cutter passing position C1 and forming the upper release layer 41 on the plating base by plating, the cutter passing position C
No plating base remains in No. 1, so the cutter is more reliably prevented from clogging.
【０１０４】また、主ブロック４２の両端の補助ブロッ
ク４３両端からはみ出す領域に、ヘッド素子部の積層工
程で加工基準パターン５１を形成しておき、この加工基
準パターン５１をモニターして、磁極積層面42ａを加工
すると、目標位置まで能率良くかつ高精度に加工でき
る。Further, a processing reference pattern 51 is formed in a region protruding from both ends of the auxiliary block 43 at both ends of the main block 42, and the processing reference pattern 51 is monitored to monitor the magnetic pole lamination surface. When 42a is processed, the target position can be processed efficiently and with high accuracy.
【０１０５】また、請求項６における補助ブロック43両
端のエッジを面取りして、接着剤の溜まり溝５２を形成
してあると、主ブロック４２と補助ブロック４３の接着
時に接着面から押し出された接着剤が加工基準パターン
５１上に付着するのを防止できるので、加工基準パター
ン５１の目視モニターが妨げられることはない。Further, when the edges of both ends of the auxiliary block 43 in claim 6 are chamfered to form the reservoir groove 52 for the adhesive, the adhesive extruded from the adhesive surface when the main block 42 and the auxiliary block 43 are adhered to each other. Since the agent can be prevented from adhering to the processing reference pattern 51, the visual monitoring of the processing reference pattern 51 is not hindered.
【０１０６】また、上部剥離層４１を補助ブロック４３
の両端より内側にパターニングしておくと、主ブロック
４２と補助ブロック４３を接着した際に、両ブロックの
両端間に接着剤の溜まり溝５２が形成されるので、接着
剤の溜まり溝５２を容易に形成できる。In addition, the upper peeling layer 41 is attached to the auxiliary block 43.
When the main block 42 and the auxiliary block 43 are bonded to each other, the adhesive accumulation groove 52 is formed between both ends of the main block 42 and the auxiliary block 43, so that the adhesive accumulation groove 52 can be easily formed. Can be formed into
【０１０７】また、メッキベース上において、接着剤の
溜まり溝５２および加工基準パターン５１が形成される
領域のみフォトレジストのマスク５０ｍを残した状態
で、上部剥離層４１をメッキ形成するので、機械加工を
必要とせず、容易に接着剤の溜まり溝５２を形成でき
る。Further, since the upper peeling layer 41 is formed by plating on the plating base while leaving the photoresist mask 50m only in the region where the adhesive accumulation groove 52 and the processing reference pattern 51 are formed, mechanical processing is performed. It is possible to easily form the adhesive accumulating groove 52 without the need for.
【０１０８】また、メッキベース上において、主積層部
２ａが形成された領域のみフォトレジスト５０ｍでマス
クされた状態で、露出したメッキベースを除去し、次い
でフォトレジストのマスク５０ｍも除去した状態で、上
部剥離層４１をメッキ形成するため、機械加工を必要と
せず、容易に接着剤の溜まり溝５２を形成できる。Further, on the plating base, the exposed plating base is removed in a state where only the region where the main laminated portion 2a is formed is masked with the photoresist 50m, and then the photoresist mask 50m is also removed. Since the upper release layer 41 is formed by plating, it is possible to easily form the adhesive accumulation groove 52 without requiring machining.
【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第１
実施例を示す図である。FIG. 1 is a first method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention.
It is a figure which shows an Example.
【図２】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第２
実施例を示す図である。FIG. 2 is a second method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention.
It is a figure which shows an Example.
【図３】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第３
実施例を示す図である。FIG. 3 is a third method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention.
It is a figure which shows an Example.
【図４】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第４
実施例を示す図である。FIG. 4 is a fourth method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention.
It is a figure which shows an Example.
【図５】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第５
実施例を示す図である。FIG. 5 is a fifth method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention.
It is a figure which shows an Example.
【図６】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第６
実施例を示す斜視図である。FIG. 6 is a sixth method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention.
It is a perspective view showing an example.
【図７】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第７
実施例を示す斜視図である。FIG. 7 is a seventh method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention.
It is a perspective view showing an example.
【図８】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第８
実施例を示す斜視図である。FIG. 8 is an eighth method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention.
It is a perspective view showing an example.
【図９】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第９
実施例を工程順に示す断面図である。FIG. 9 is a ninth method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention.
It is sectional drawing which shows an Example in order of a process.
【図10】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第10
実施例を工程順に示す断面図である。FIG. 10 is a tenth method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention.
It is sectional drawing which shows an Example in order of a process.
【図11】接触型薄膜ヘッドの全容を示す平面図と側面図
である。11A and 11B are a plan view and a side view showing the whole of a contact type thin film head.
【図12】接触型薄膜ヘッドの縦断面図である。FIG. 12 is a vertical cross-sectional view of a contact type thin film head.
【図13】接触型薄膜ヘッドを磁気ディスク装置に実装し
た状態の平面図と取付け部の拡大側面図である。FIG. 13 is a plan view showing a state in which a contact type thin film head is mounted on a magnetic disk device and an enlarged side view of a mounting portion.
【図14】接触型薄膜ヘッドにおけるヘッド素子部先端を
拡大して示す断面図である。FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view showing a tip of a head element portion in a contact type thin film head.
【図15】Ｌ字状パターンを有するセンターポール型の薄
膜磁気ヘッドであり、（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）
図におけるｂ−ｂ断面図である。FIG. 15 is a center pole type thin film magnetic head having an L-shaped pattern, (a) is a front view, and (b) is (a).
It is bb sectional drawing in a figure.
【図16】本発明の出願人が先に提案した磁気ヘッド素子
部の積層プロセスを示す断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view showing a stacking process of the magnetic head element portion that the applicant of the present invention has previously proposed.
【図17】ブロック接合プロセスを説明する斜視図であ
る。FIG. 17 is a perspective view illustrating a block joining process.
２ａ 主積層部 １８ 接着面（接着剤） １８ａ 接着面から押し出された接着剤 ２１ 基板 ２１ｗ 主ブロック用基板 ２２ 下部剥離層 ２８ 溝 ４１ 上部剥離層 Ｃ 切断線 Ｃ１ カッタ通過位置（分離位置） ４２ 主ブロック ４２ａ 磁極積層面（加工面） ４２ｗ 主ブロック用基板 ４２ｓ 傾斜面 ４３ 補助ブロック ４３ｗ 補助ブロック用基板 ４３ｓ 傾斜面 ５０ フォトレジスト ５０ｍ フォトレジストのマスク ５１ 加工基準パターン ５２ 接着剤の溜まり溝 2a Main laminated part 18 Adhesive surface (adhesive) 18a Adhesive extruded from the adhesive surface 21 board 21w Main block substrate 22 Lower release layer 28 groove 41 Upper release layer C cutting line C1 Cutter passing position (separation position) 42 main blocks 42a Magnetic pole laminated surface (processed surface) 42w Main block substrate 42s inclined surface 43 Auxiliary block 43w Sub block substrate 43s inclined surface 50 photoresist 50m photoresist mask 51 Processing standard pattern 52 Adhesive Reservoir Groove
Claims (10)
行方向の下部剥離層、主積層部、上部剥離層のパターン
が順に形成された主ブロックの前記主積層部側に、重ね
るように補助ブロックを接着した後、これら主ブロック
と補助ブロックの接着面と垂直方向の面を加工して前記
主積層部における磁性体の層を露出させてからこの垂直
方向の面にフォトレジストを塗布し、露光／現像してレ
ジストマスクを形成し、このマスクを用いて、前記垂直
方向の面に磁極層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、 前記垂直方向の面 の、前記主ブロックおよび補助ブロッ
クの外周寄りを面取りして傾斜面とすることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法。1. A flat surface of a magnetic recording medium is formed by thin film technology.
Patterns of lower release layer, main laminated part, and upper release layer in the row direction
On the main laminated portion side of the main block formed in order.
After adhering the auxiliary blocks so that these main blocks
And the surface perpendicular to the adhesive surface of the auxiliary block
After exposing the magnetic layer in the main laminated part,
Direction, apply photoresist to the surface and expose / develop
Form a dist mask and use this mask to
Of manufacturing thin film magnetic head in which pole layer is formed on plane
In the method of manufacturing a thin film magnetic head, the vertical surface of the main block and the auxiliary block is chamfered toward the outer periphery to form an inclined surface.
行方向の下部剥離層、主積層部、上部剥離層のパターン
が順に形成された主ブロックの前記主積層部側に、重ね
るように補助ブロックを接着した後、これら主ブロック
と補助ブロックの接着面と垂直方向の面を加工して前記
主積層部における磁性体の層を露出させてからこの垂直
方向の面にフォトレジストを塗布し、露光／現像してレ
ジストマスクを形成し、このマスクを用いて、前記垂直
方向の面に磁極層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、 前記主ブロック４２と補助ブロックを接着してなる接着
ブロックを、 複数のヘッド素子部がマトリックス状に積層形成された
基板の主積層部側に、補助ブロックを構成するための補
助ブロック用基板を重ねて接着し、 重なった状態の２枚の基板をいっしょに、ヘッド素子部
の列単位に切断分離して形成することを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。2. A flat surface of a magnetic recording medium is formed by thin film technology.
Patterns of lower release layer, main laminated part, and upper release layer in the row direction
On the main laminated portion side of the main block formed in order.
After adhering the auxiliary blocks so that these main blocks
And the surface perpendicular to the adhesive surface of the auxiliary block
After exposing the magnetic layer in the main laminated part,
Direction, apply photoresist to the surface and expose / develop
Form a dist mask and use this mask to
Of manufacturing thin film magnetic head in which pole layer is formed on plane
In, the main block 42 and the auxiliary block are bonded together
The block is formed by adhering an auxiliary block substrate for forming an auxiliary block to the main laminated portion side of a substrate in which a plurality of head element portions are laminated in a matrix, and bonding the two substrates in an overlapping state. A method for manufacturing a thin-film magnetic head, characterized in that the head element portion is formed by cutting and separating it in units of columns.
基板のうちの少なくとも一方に、 接着する面とは反対側の面において、ヘッド素子列の単
位に切断分離する位置に、基板板厚の途中まで溝を形成
することを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。3. At least one of the main block substrate and the auxiliary block substrate, on a surface opposite to the surface to be bonded, at a position where the head element row is cut and separated, up to the middle of the board thickness. The method for manufacturing a thin film magnetic head according to claim 2, wherein a groove is formed.
行方向の下部剥離層、主積層部、上部剥離層のパターン
が順に形成された主ブロックの前記主積層部側に、重ね
るように補助ブロックを接着した後、これら主ブロック
と補助ブロックの接着面と垂直方向の面を加工して前記
主積層部における磁性体の層を露出させてからこの垂直
方向の面にフォトレジストを塗布し、露光／現像してレ
ジストマスクを形成し、このマスクを用いて、前記垂直
方向の面に磁極層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、 前記主ブロックを、複数のヘッド素子部がマトリックス
状に積層されて、主ブロックに分離させる位置を除いた
主積層部上に上部剥離層が形成されてなる主ブロック用
基板から、複数のヘッド素子部の列の単位に切断分離し
て形成する ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。4. A flat surface of a magnetic recording medium is formed by thin film technology.
Patterns of lower release layer, main laminated part, and upper release layer in the row direction
On the main laminated portion side of the main block formed in order.
After adhering the auxiliary blocks so that these main blocks
And the surface perpendicular to the adhesive surface of the auxiliary block
After exposing the magnetic layer in the main laminated part,
Direction, apply photoresist to the surface and expose / develop
Form a dist mask and use this mask to
Of manufacturing thin film magnetic head in which pole layer is formed on plane
In the main block, a plurality of head element parts are arranged in a matrix.
Except for the position where they are separated into main blocks.
For main blocks with an upper release layer formed on the main laminate
Cut and separate from the substrate into multiple head element unit rows
A method of manufacturing a thin-film magnetic head, comprising:
行方向の下部剥離層、主積層部、上部剥離層のパターン
が順に形成された主ブロックの前記主積層部側に、重ね
るように補助ブロックを接着した後、これら主ブロック
と補助ブロックの接着面と垂直方向の面を加工して前記
主積層部における磁性体の層を露出させてからこの垂直
方向の面にフォトレジストを塗布し、露光／現像してレ
ジストマスクを形成し、このマスクを用いて、前記垂直
方向の面に磁極層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、 前記主ブロックを、複数のヘッド素子部がマトリックス
状に積層されて、主ブロックに分離させる位置以外にメ
ッキベースが形成され、このメッキベース上に、上部剥
離層がメッキ形成されてなる主ブロック用基板から、複
数のヘッド素子部の列の単位に切断分離して形成する こ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。5. A flat surface of a magnetic recording medium is formed by thin film technology.
Patterns of lower release layer, main laminated part, and upper release layer in the row direction
On the main laminated portion side of the main block formed in order.
After adhering the auxiliary blocks so that these main blocks
And the surface perpendicular to the adhesive surface of the auxiliary block
After exposing the magnetic layer in the main laminated part,
Direction, apply photoresist to the surface and expose / develop
Form a dist mask and use this mask to
Of manufacturing thin film magnetic head in which pole layer is formed on plane
In the main block, a plurality of head element parts are arranged in a matrix.
It is stacked in the shape of a block and is placed at a position other than the position where the main block is separated.
A clear base is formed, and the plated base is peeled off.
From the main block substrate with delamination plated,
A method of manufacturing a thin-film magnetic head, characterized in that the thin-film magnetic head is formed by cutting and separating it into a unit of several head element sections .
行方向の下部剥離層、主 積層部、上部剥離層のパターン
が順に形成された主ブロックの前記主積層部側に、重ね
るように補助ブロックを接着した後、これら主ブロック
と補助ブロックの接着面と垂直方向の面を加工して前記
主積層部における磁性体の層を露出させてからこの垂直
方向の面にフォトレジストを塗布し、露光／現像してレ
ジストマスクを形成し、このマスクを用いて、前記垂直
方向の面に磁極層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、 前記パターンが順に形成される ヘッド素子部の積層プロ
セス中にて、主ブロックの両端に、加工基準パターンを
形成しておき、 この加工基準パターンに重ならないように、主ブロック
より短い補助ブロックを接着し、前記垂直方向の面 の加工時に、前記の加工基準パターン
をモニターして、目標位置まで加工することを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法。6. A flat surface of a magnetic recording medium is formed by thin film technology.
Patterns of lower release layer, main laminated part, and upper release layer in the row direction
On the main laminated portion side of the main block formed in order.
After adhering the auxiliary blocks so that these main blocks
And the surface perpendicular to the adhesive surface of the auxiliary block
After exposing the magnetic layer in the main laminated part,
Direction, apply photoresist to the surface and expose / develop
Form a dist mask and use this mask to
Of manufacturing thin film magnetic head in which pole layer is formed on plane
In at during the lamination process of the head element portion to which the pattern is formed in this order, the both ends of the main block, previously formed a working reference pattern, so as not to overlap in the working reference pattern, shorter auxiliary blocks from the main block Is adhered, and the processing reference pattern is monitored during processing of the surface in the vertical direction, and processing is performed up to a target position.
クとの接着面側の角部を面取りして、接着剤の溜まり溝
を形成してなることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。7. A thin-film magnetic film according to claim 6, wherein both ends of the auxiliary block are chamfered at the corners on the bonding surface side with the main block to form a reservoir groove for the adhesive. Head manufacturing method.
内側に位置するように主ブロック上に上部剥離層を形成
し、前記上部剥離層の両端に接着剤の溜まり溝を形成す
ることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。8. An upper release layer is formed on the main block so as to be located inside both ends of the auxiliary block to be adhered, and adhesive accumulation grooves are formed at both ends of the upper release layer. 7. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 6.
キベース上において、接着剤の溜まり溝および加工基準
パターンが形成される領域のみフォトレジストのマスク
が残るようにパターニングした状態で、上部剥離層をメ
ッキ形成した後、フォトレジストのマスクを除去して、
前記上部剥離層の両端に接着剤の溜まり溝を形成するこ
とを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。9. When forming the upper release layer, the upper portion of the plating base is patterned in such a manner that the photoresist mask remains only in the region where the adhesive accumulation groove and the processing reference pattern are formed. After plating the release layer, remove the photoresist mask,
9. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 8, wherein adhesive accumulation grooves are formed at both ends of the upper release layer.
ッキベースを形成すること、 このメッキベース上において、接着剤の溜まり溝および
加工基準パターンが形成される領域はメッキベースが露
出し、主積層部が形成された領域のみフォトレジストの
マスクが残るように、フォトレジストをパターニングす
ること、 前記のフォトレジストマスクでマスクされずに露出した
メッキベースを除去すること、 露出したメッキベースの除去後に、フォトレジストのマ
スクも除去し、残ったメッキベース上に上部剥離層をメ
ッキ形成すること、 のプロセスによって、接着される前記補助ブロックの両
端より内側に位置するように主ブロック上に上部剥離層
を形成し、前記上部剥離層の両端に接着剤の溜まり溝を
形成することを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。10. A plating base is formed after forming a main laminated portion on a substrate, and the plating base is exposed in a region where an adhesive reservoir groove and a processing reference pattern are formed on the plating base, Patterning the photoresist so that the photoresist mask remains only in the region where the main laminated portion is formed; removing the plating base exposed without being masked by the photoresist mask; removing the exposed plating base After that, the photoresist mask is also removed, and an upper peeling layer is formed on the remaining plating base by plating, and the upper peeling is performed on the main block so as to be located inside both ends of the auxiliary block to be bonded. 9. A layer is formed, and adhesive accumulation grooves are formed at both ends of the upper release layer. Method of manufacturing a thin film magnetic head.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23391793A JP3474608B2 (en) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | Method for manufacturing thin-film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP23391793A JP3474608B2 (en) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | Method for manufacturing thin-film magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785421A JPH0785421A (en) | 1995-03-31 |
| JP3474608B2 true JP3474608B2 (en) | 2003-12-08 |
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|---|---|---|---|
| JP23391793A Expired - Fee Related JP3474608B2 (en) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | Method for manufacturing thin-film magnetic head |
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| JP (1) | JP3474608B2 (en) |
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1993
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030909 |
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