JP3469715B2 - High-speed response low-loss regulator - Google Patents

High-speed response low-loss regulator

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JP3469715B2
JP3469715B2 JP17367096A JP17367096A JP3469715B2 JP 3469715 B2 JP3469715 B2 JP 3469715B2 JP 17367096 A JP17367096 A JP 17367096A JP 17367096 A JP17367096 A JP 17367096A JP 3469715 B2 JP3469715 B2 JP 3469715B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、負荷電流の高速な
変化に対する定電圧電源回路(レギュレータ)に関し、
特に高速応答低損失レギュレータに関する。 【0002】 【従来の技術】従来例の低損失レギュレータの回路図を
図10に示す。従来例の低損失レギュレータ50はPN
P出力トランジスタ51、制御回路52、フィードバッ
ク制御用分割抵抗R1(53)及びR2(54)から構
成されている。電源回路からの電流は入力端子55(G
ND側)、56(Vin)に加えられる。出力側には負
荷が出力端子57(GND側)、58(Vout)に接
続されている。従来の低損失レギュレータは、出力電圧
Voutの変化をフィードバック抵抗を介して制御回路
にフィードバックさせ、そのフィードバック量により応
じてPNP出力トランジスタ51のベース電流を制御
し、出力電流の変化に対して出力電圧を一定化し、定電
圧電源として安定な電力を負荷に供給していた。 【0003】また、電源回路の出力安定化に対して、低
損失レギュレータの出力側に電解コンデンサがよく用い
られるが、有機半導体固体電解コンデンサについては、
特公平3−76573号公報や特開平7−263276
号公報などがあり、前者はTCNQ錯塩を電解質として
用いた固体電解コンデンサに関するものであり、後者は
電子機器のノイズ除去方法に関するものである。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
低損失レギュレータにおいては次のような問題点があっ
た。マルチメディア時代の到来により、パソコンが普及
し、その高速化、省電力化が望まれている。従来のパソ
コンのCPUのクロック周波数は20〜30MHzであ
ったものが、最近では100MHz〜160MHz、更
にそれ以上へと急速に高速化が進み、また要求される出
力電流も従来の1アンペア(A)〜2アンペア(A)程
度であったものが、4A〜10A、またはそれ以上へと
増大し、高速大電流のレギュレータが望まれている。本
発明は上記の問題点に鑑みてなされた発明である。 【0005】 【課題を解決するための手段】本発明の高速応答低損失
レギュレータは、PNP出力トランジスタと該PNP出
力トランジスタのベース電流を制御する制御回路と前記
PNP出力トランジスタの出力電圧を分圧し前記制御回
路にフィードバックするフィードバック用分割抵抗とを
有し、該フィードバック用分割抵抗からのフィードバッ
ク量に応じて前記PNP出力トランジスタのベース電流
を制御する高速応答低損失レギュレータにおいて、前記
PNP出力トランジスタのエミッタとベースとの間に、
該PNP出力トランジスタのベース電流を大きくして電
圧応答の回復時間を小さくするベース電流調整用抵抗を
接続し、前記制御回路を含むICチップのアース電位の
底部と出力電位のフレームとの間に、当該高速応答低損
失レギュレータの出力端子に並列接続されるコンデンサ
を実装して、前記ICチップと前記有機半導体固体電解
コンデンサとを当該高速応答低損失レギュレータの出力
端子−GND端子間に並列接続することを特徴とするも
のである。 【0006】 【0007】 【0008】 【0009】 【0010】 【0011】 【0012】 【0013】 【発明の実施の形態】 【0014】以下、本発明に関する一実施例について図
面を用いて詳細に説明を行う。 【0015】[参考例1]本発明の参考例1の高速応答
低損失レギュレータを図1に示し、これは予めベース電
流を流しておく方式のものである。第1の高速応答低損
失レギュレータ本体1はPNP出力トランジスタ2、制
御回路3、フィードバック制御用分割抵抗R1(4)及
びR2(5)、ベース電流調整用抵抗Rb(6)より構
成されている。電源回路12からの電流は入力端子7
(GND側)、8(Vin)に加えられる。出力側には
外づけの大容量コンデンサ14、15及び負荷16が出
力端子10(GND側)、11(Vout)に接続され
ている。フィードバック制御用分割抵抗R1(4)及び
R2(5)からのフィードバック電圧Vrefは端子9
より制御回路3に加えられる。また、図に示されるよう
に、外づけの大容量コンデンサ14、15は並列接続さ
れている。13はGND(アース)端子である。 【0016】また、図9で詳しく述べるが、PNP出力
トランジスタ2、制御回路3、フィードバック制御用分
割抵抗R1(4)及びR2(5)、ベース電流調整用抵
抗Rb(6)、を1つのフレーム上に実装する場合とフ
ィードバック制御用分割抵抗R1(4)及びR2(5)
を1つのフレーム上に実装しない可変タイプとがある。 【0017】図2に外づけの大容量コンデンサ14、1
5にそれぞれ680μFの通常のアルミ電解コンデンサ
及び100μFの高速応答用コンデンサ(有機半導体固
体電解コンデンサ)を並列接続し、入力電圧Vin=
5.0V、出力電圧Vout=3.3V、出力電流4A
の場合の負荷変動に対応する出力電圧の変動分の応答特
性(上段)及び出力電流の応答特性(下段)を示す。 【0018】下段の図は、負荷変動が0A(アンペア)
から4A(アンペア)への負荷変動に対して、出力電圧
の変動は200mVである。 【0019】また、上段は出力電圧の応答特性を示し、
横軸に時間軸(単位:10μsec)、縦軸に出力端1
0−11間の電圧(単位:200mV)の変動を示す。
この電圧波形がピークに達する迄の時間は、約0.3〜
1.0μsec程度であり、この時のピーク電圧Vpは
約200mVである。また、図2において、電圧変動が
制御回路3の機能により、回復傾向を示し始めるまでの
時間を回復時間Tdとして定義する。図2の場合、回復
時間Td=約12μsecである。 【0020】図2の大容量コンデンサ15の高速応答用
コンデンサ(有機半導体固体電解コンデンサ)の効果に
ついてさらに説明する。この有機半導体固体電解コンデ
ンサは特公平3−76573号公報で述べられているよ
うに、TCNQ錯塩を電解質として用いたもので、高周
波領域である100kHz以上における等価直列抵抗E
・S・Rは70〜600mΩ以下と極めて小さい。その
ため、通常のアルミ電解コンデンサと並列接続して用い
ることにより、高速応答低損失レギュレータの応答性を
向上させることができる。有機半導体固体電解コンデン
サの容量Coと通常のアルミ電解コンデンサの容量Ca
との関係は、Co:Ca=1:2〜10程度が高速応答
低損失レギュレータの高速応答性に対して有効であり、
有機半導体固体電解コンデンサの容量Coの大きさとし
ては、30μF以上で有効である。等価直列抵抗E・S
・Rの大きさに起因して、通常のアルミ電解コンデンサ
の容量は低周波領域で有効であり、一方、有機半導体固
体電解コンデンサの容量は100kHz以上の高周波領
域で有効に作用する。比較例として、外づけコンデンサ
とし、680μF+100μF=780μFの通常のア
ルミ電解コンデンサ2本を並列接続した場合のピーク電
圧Vp=約400mV程度であり、回復時間Td=約3
0μsec程度である。この結果からも、有機半導体固
体電解コンデンサを通常のアルミ電解コンデンサと並列
接続した場合の効果が確かめられた。 【0021】図3は図1のベース抵抗Rb(6)を変化
させた場合のピーク電圧Vpの変化を示すもので、横軸
にベース抵抗Rbの値を採り、縦軸にピーク電圧Vpを
採ったものである。図4は図1のベース抵抗Rb(6)
を変化に対する変動電圧の回復時間Tdの変化を示すも
ので、横軸にベース抵抗Rbの値を採り、縦軸に回復時
間Tdを採ったものである。この時、図2の外づけの大
容量コンデンサ14、15にそれぞれ220μFの通常
のアルミ電解コンデンサ及び47μFの高速応答用コン
デンサ(有機半導体固体電解コンデンサ)を並列接続
し、入力電圧Vin=3.3V、出力電圧Vout=
2.5V、出力電流が0Aから5Aに変化した場合のも
のである。 【0022】図3において、ベース抵抗Rb(6)の値
が50Ω、90Ω、180Ω、360Ω及び820Ωに
対して、ピーク電圧Vpは160mV、200mV、3
20mV、370mV及び400mVとなっている。 【0023】図4において、ベース抵抗Rb(6)の値
が50Ω、90Ω、180Ω、360Ω及び820Ωに
対して、電圧応答の回復時間はそれぞれ2μsec、4
μsec、6μsec、8μsec及び9μsecとな
っている。 【0024】図1のベース抵抗Rb(6)の値をPNP
出力トランジスタ2のベース電流に置き換えると、ベー
ス抵抗Rbの値の50Ω、90Ω、180Ω、360Ω
及び820Ωに対して、ベース電流はそれぞれ14.0
mA、7.8mA、3.9mA、1.9mA及び0.8
5mA、となる。 【0025】言い換えれば、ベース電流を大きくすれば
するほど、電圧応答の回復時間を小さくできる。そし
て、ベース抵抗Rbが820Ω以上ではベース電流(こ
の場合、0.85mA)が殆ど流れない状態に近く、こ
れは従来技術に近くなる。 【0026】ピーク電圧の許容出来る大きさ、及び消費
電力の観点から、ベース電流が5mA以上で高速応答化
の効果が顕著である。パソコンのCPU駆動などの高速
大電流の負荷の変化に高速に応答させるために、出力段
に使用しているPNPトランジスタのべース電流をあら
かじめ流しておくことにより、出力段に使用しているP
NPトランジスタを飽和させることなく、すなわち完全
にON、OFFで使用することなく、負荷の変化に高速
に応答させる機能をもたせるものである。 【0027】この時、電圧応答の回復時間は12μse
c〜10μsecであり、パソコンのCPUのクロック
周波数からみると、これは100MHz程度に相当す
る。図1の本発明により、パソコンのCPUのクロック
周波数100MHz〜160MHz以上で、出力電流が
4A〜10A以上程度の高速大電流のレギュレータを実
現することができた。 【0028】[参考例2] 図5に示す本発明の参考例2はPNP出力トランジスタ
2にコンデンサを接続する方式であり、この第2の高速
応答低損失レギュレータ本体17は出力段のPNPトラ
ンジスタ2のコレクタとエミッタにコンデンサ18を付
加し、負荷が高速で変化した場合、レギュレータの出力
電圧の低下を少なくする機能を持たせたものである。そ
して、この第2の高速応答低損失レギュレータ本体17
は、PNP出力トランジスタ2、制御回路3、フィード
バック制御用分割抵抗R1(4)及びR2(5)より構
成されている。電源回路12からの電流は入力端子7
(GND側)、8(Vin)に加えられる。出力は端子
10(GND側)、11(Vout)であり、負荷16
及び外づけの大容量コンデンサ14、15が接続されて
いる。 【0029】PNP出力トランジスタ2に並列接続する
コンデンサ18の容量は、1μF程度以下であり、この
コンデンサの作用によって、ピーク電圧Vpは200m
V程度以下に抑えられ、回復時間Tdも15μsec程
度に抑えることができ、高速応答低損失レギュレータを
実現することができる。また、高速応答の点から、PN
P出力トランジスタ2に並列接続するコンデンサ18に
有機半導体固体電解コンデンサを用いることもできる。 【0030】[参考例3] 図6に示す本発明の参考例3は、フィードバック制御用
分割抵抗R1に並列コンデンサを接続する方式であり、
この第3の高速応答低損失レギュレータ本体19は、負
荷の変化に高速に応答させるために、出力電圧をモニタ
ーしてレギュレータのアンプにフィードバックをする経
路、すなわち出力を決めるためのフィードバック制御用
分割抵抗R1(4)及びR2(5)のフィードバック電
圧Vrefに付加されている抵抗R1(4)に並列コン
デンサ20を接続し、負荷の変化に高速に応答させる機
能をもたせる。 【0031】図6を説明すると、この第3の高速応答低
損失レギュレータ本体19は、PNP出力トランジスタ
2、制御回路3、フィードバック制御用分割抵抗R1
(4)及びR2(5)、並列コンデンサ20より構成さ
れている。電源回路12からの電流は入力端子7(GN
D側)、8(Vin)に加えられる。出力は端子10
(GND側)、11(Vout)であり、負荷16及び
外づけの大容量コンデンサ14、15が接続されてい
る。分割抵抗R1に並列接続するコンデンサ20の容量
は、1μF〜10μF程度である。このコンデンサ20
はフィードバック部分のコンデンサであり、レギュレー
タアンプ(制御回路)の周波数特性を向上させる作用が
ある。一方、出力端に接続するコンデンサ14及び15
にはこのような機能はない。また、分割抵抗R1に並列
接続するコンデンサ20の容量が10μF程度以上にな
ると、レギュレータアンプ(制御回路)を発振させる可
能性がある。 【0032】[参考例4] 図7に示す本発明の参考例4は出力トランジスタを追加
した方式であり、この第4の高速応答低損失レギュレー
タ本体21は、負荷の変化に高速に応答させるために、
出力段に使用しているPNPトランジスタ2のべースと
コレクタ間22−23に、別の追加されたPNPトラン
ジスタ24のエミッタとコレクタとを接続させ、このP
NPトランジスタ24のべースにコンデンサ25を直列
接続し、コンデンサ25の他端を制御回路3のフィード
バック端子Vref(9)に接続し、負荷の変化に高速
に応答させる機能をもたせる。 【0033】図7を説明すると、この第4の高速応答低
損失レギュレータ本体21は、PNP出力トランジスタ
2、制御回路3、フィードバック制御用分割抵抗R1
(4)及びR2(5)、追加されたPNPトランジスタ
24及びコンデンサ25より構成されている。電源回路
12からの電流は入力端子7(GND側)、8(Vi
n)に加えられる。出力は端子10(GND側)、11
(Vout)であり、負荷16及び外づけの大容量コン
デンサ14、15が接続されている。 【0034】追加されたPNPトランジスタ24の動作
を高周波的にみると、コンデンサ25は短絡された状態
とみなされ、フィードバック電圧Vrefの値が低下し
た時、トランジスタ24が作動し、出力トランジスタ2
のベース電流を引き去る作用をなす。従って、Vref
が低下すれば、それを補うために、出力トランジスタ2
に電流を増加して流す作用をなし、出力の低下を補う。
追加したコンデンサ25の容量は、1μF〜10μF程
度である。 【0035】[参考例5] 図8に示す本発明の参考例5は、別電源からの電源供給
の方式であり、この第5の高速応答低損失レギュレータ
本体26は、負荷の変化に高速に応答させるために、出
力段に使用しているPNPトランジスタ2の電源回路と
制御回路3との電源回路とを分離する。図1のような電
源回路では、負荷変動により出力電圧が変化し、その変
化が制御回路3の電源回路12に伝わり、制御回路3の
応答特性に影響与える結果となる。制御回路3の電源電
圧が低下すると、制御回路の応答性が遅くなる。更に説
明すると、電源回路12の容量に依存するが、理想的な
電源回路、即ち容量が無限大とした場合、電源回路を1
2及び27の2つを用意する必要はない。しかし、現実
には電源回路の容量は有限であり、負荷16の変動の影
響を受け、入力電圧も変動する。この場合、負荷に使用
している電源回路12とレギュレータアンプの制御回路
3の電源回路27を分離することにより、負荷16の変
動がレギュレータアンプの制御回路3に影響することを
防止することができる。このように、本発明の電源回路
の分離により、負荷の変化に高速に応答させる機能をも
たせることができる。 【0036】図8を説明すると、この第5の高速応答低
損失レギュレータ本体26は、制御回路3用の電源回路
27、及びその接続端子28を追加したもので、PNP
出力トランジスタ2、制御回路3、フィードバック制御
用分割抵抗R1(4)及びR2(5)、より構成されて
いる。PNP出力トランジスタ2用の電源回路12(図
1参照)からの電流は入力端子7(GND側)、8(V
in)に加えられる。出力は端子10(GND側)、1
1(Vout)であり、負荷16及び外づけの大容量コ
ンデンサ14、15が接続されている。 【0037】[実施の形態] 図1に示した本発明の参考例1の第1の高速応答低損失
レギュレータ1では、出力側に外づけの大容量コンデン
サ14、15及び負荷16が出力端子10(GND
側)、11(Vout)に接続されているが、図9に示
す本発明の一実施の形態は外づけコンデンサの一部をレ
ギュレータ本体に実装する方式である。この第6の高速
応答低損失レギュレータ29では、この外づけコンデン
サの一部をレギュレータ本体のコンデンサ30として実
装したもので、チップ面積や高速応答低損失レギュレー
タの外形寸法の制約から、実装コンデンサ30の容量
は、数μF以下程度である。 【0038】図9(a)は高速応答低損失レギュレータ
の回路図であり、図9(b)は高速応答低損失レギュレ
ータの実装図面であり、図9(c)は高速応答低損失レ
ギュレータの実装コンデンサ30の略断面図である。図
9(a)を説明すると、この第6の高速応答低損失レギ
ュレータ本体29は、PNP出力トランジスタ2、制御
回路3、フィードバック制御用分割抵抗R1(4)及び
R2(5)、ベース電流調整用抵抗Rb(6)、実装コ
ンデンサ30、より構成されている。電源回路12(図
1参照)からの電流は入力端子7(GND側)、8(V
in)に加えられる。フィードバック制御用分割抵抗R
1(4)及びR2(5)からの電圧Vref(9)は制
御回路3に加えられる。出力側には外づけの大容量コン
デンサ14、15及び負荷16が出力端子10(GND
側)、11(Vout)に接続されているが、外づけの
大容量コンデンサ14、15及び負荷16は図示を省略
している(図1参照)。 【0039】図9(b)を説明すると、フレーム33上
には、制御回路3及びフィードバック制御用分割抵抗R
1(4)及びR2(5)を含むICチップ31及びPNP
出力トランジスタ2の実装されたトランジスタ32が配
置されている。ICチップ31の下には絶縁ペースト3
4により実装コンデンサ30がフレーム33に接着され
ている。 【0040】図9(c)は、高速応答低損失レギュレー
タの実装コンデンサ30の略断面図であり、フレーム3
3はVout(11)電位にあり、ICチップ31の底
部のGND(アース)電位との間に実装されている。 【0041】フレーム33の大きさはほぼ15mm×1
5mm程度であり、ICチップ31の大きさはほぼ2〜
3mm角程度である。従って、実装上許容される実装コ
ンデンサ30の大きさはほぼ10mm×10mm程度で
あり、ICチップ31とフレーム33の間に高誘電体物
質を用いてダイボンドさせることにより、コンデンサの
容量としては、10μF〜数10μF程度まで可能であ
る。 【0042】また、レギュレータを構成するICチップ
31とフレーム33の間に高誘電体物質を実装する代わ
りに、コンデンサ部品をはさみこんでダイボンドさせる
ことにより、レギュレータの出力端子Vout11とG
ND10間にコンデンサ部品を付加する構造を実現する
ことができる。図1の外づけコンデンサ14として説明
したように、有機半導体を用いた固体電解コンデンサ部
品(表面実装型固体電解コンデンサ部品が特に最適であ
る)を実装することもできる。この場合のコンデンサの
容量としては、10μF〜数10μF程度まで可能であ
る。 【0043】この図9に示す実施の形態では、回路機能
上は図1、図2、図3で説明したと同様の電気的な効果
を奏すると共に、実装面積を小さくできる。また、この
実装コンデンサ30程度の容量によって賄える高速応答
低損失レギュレータの用途に対しては特に有効である。 【0044】また、図9の例では、PNP出力トランジ
スタ2、制御回路3、フィードバック制御用分割抵抗R
1(4)及びR2(5)、ベース電流調整用抵抗Rb
(6)、を1つのフレーム上に実装したが、フィードバ
ック制御用分割抵抗R1(4)及びR2(5)を1つの
フレーム上に実装しない可変タイプもある。 【0045】また、本発明の図1で説明したベース電流
調整用抵抗Rb(6)を図5、図6、図7及び図8に示
される発明と組み合わせて適用できることは勿論であ
る。 【0046】 【発明の効果】以上のように、本発明の高速応答低損失
レギュレータによれば、PNP出力トランジスタのエミ
ッタとベースとの間にベース電流調整用抵抗を接続し、
ベース電流を予め流しておくことにより、例えば100
MHz以上の高速応答で且つ数A(アンペア)以上の大
電流レギュレータを実現し、PNP出力トランジスタの
応答性を高めることができる。さらに、制御回路を含む
ICチップのアース電位の底部と出力電位のフレームの
と間に、当該高速応答低損失レギュレータの出力端子に
並列接続される有機半導体固体電解コンデンサを実装す
ることにより、外づけの有機半導体固体電解コンデンサ
を不要として、高速応答低損失レギュレータの実装面積
を小さくすることができる。また、この実装コンデンサ
30程度の容量によって賄える高速応答低損失レギュレ
ータの用途に対しては特に有効である。 【0047】 【0048】 【0049】 【0050】 【0051】また、有機半導体固体電解コンデンサの等
価直列抵抗E・S・Rの値が小さいことに起因して、1
00kHz以上の電圧応答性を高めることができる。 【0052】 【0053】
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a constant voltage power supply circuit (regulator) for a fast change in load current.
In particular, it relates to a high-speed response low-loss regulator. 2. Description of the Related Art FIG. 10 shows a circuit diagram of a conventional low-loss regulator. The conventional low-loss regulator 50 is PN
It is composed of a P output transistor 51, a control circuit 52, and feedback control split resistors R1 (53) and R2 (54). The current from the power supply circuit is supplied to the input terminal 55 (G
ND side), 56 (Vin). On the output side, a load is connected to output terminals 57 (GND side) and 58 (Vout). The conventional low-loss regulator feeds back a change in the output voltage Vout to a control circuit via a feedback resistor, controls the base current of the PNP output transistor 51 according to the amount of feedback, and controls the output voltage in response to a change in the output current. , And stable power was supplied to the load as a constant voltage power supply. In order to stabilize the output of a power supply circuit, an electrolytic capacitor is often used on the output side of a low-loss regulator.
JP-B-3-76573 and JP-A-7-263276
The former relates to a solid electrolytic capacitor using a TCNQ complex salt as an electrolyte, and the latter relates to a method for removing noise of electronic equipment. [0004] However, the conventional low-loss regulator has the following problems. With the advent of the multimedia era, personal computers have become widespread, and speeding up and power savings are desired. The clock frequency of the CPU of the conventional personal computer was 20 to 30 MHz, but recently the speed has been rapidly increased to 100 to 160 MHz and more, and the required output current is also 1 amp (A). From about 2 amps (A) to 4 A to 10 A or more, a high-speed, large-current regulator is desired. The present invention has been made in view of the above problems. [0005] High-speed response low dropout regulator of the present invention In order to achieve the above object, according, PNP output transistor and divide the output voltage of the control circuit and the PNP output transistor that controls the base current of said PNP output transistor A feedback split resistor for feeding back to the control circuit, wherein the high-speed response low-loss regulator controls the base current of the PNP output transistor in accordance with the amount of feedback from the feedback split resistor. And between the base
A base current adjusting resistor for increasing the base current of the PNP output transistor and shortening the recovery time of the voltage response is connected, and the ground potential of the IC chip including the control circuit is adjusted .
The fast response and low loss between the bottom and the frame of output potential
Capacitor connected in parallel with the output terminal
Mounting the IC chip and the organic semiconductor solid electrolyte
The capacitor and the output of the high-speed response low-loss regulator
It is characterized by being connected in parallel between the terminal and the GND terminal . An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. I do. [0015] [Reference Example 1] The fast response low dropout regulator of Reference Example 1 of the present invention shown in FIG. 1, which is of a type to be passed to advance base current. The first high-speed response low-loss regulator main body 1 includes a PNP output transistor 2, a control circuit 3, feedback-control split resistors R1 (4) and R2 (5), and a base current adjusting resistor Rb (6). The current from the power supply circuit 12 is supplied to the input terminal 7
(GND side), 8 (Vin). On the output side, external large-capacity capacitors 14 and 15 and a load 16 are connected to output terminals 10 (GND side) and 11 (Vout). The feedback voltage Vref from the feedback control dividing resistors R1 (4) and R2 (5) is
Is added to the control circuit 3. Further, as shown in the figure, external large-capacity capacitors 14 and 15 are connected in parallel. 13 is a GND (earth) terminal. As will be described in detail with reference to FIG. 9, the PNP output transistor 2, the control circuit 3, the feedback control split resistors R1 (4) and R2 (5), and the base current adjusting resistor Rb (6) are combined into one frame. When mounted on top and feedback control split resistors R1 (4) and R2 (5)
Is not implemented on one frame. FIG. 2 shows external large-capacity capacitors 14, 1
5, a normal 680 μF aluminum electrolytic capacitor and a 100 μF high-speed response capacitor (organic semiconductor solid electrolytic capacitor) are connected in parallel, and the input voltage Vin =
5.0 V, output voltage Vout = 3.3 V, output current 4 A
The response characteristics (upper row) and the output current response properties (lower row) of the output voltage fluctuation corresponding to the load fluctuation in the case of (1) are shown. The lower diagram shows that the load fluctuation is 0 A (ampere)
The output voltage fluctuation is 200 mV with respect to a load fluctuation from 4 to 4 A (ampere). The upper part shows the response characteristics of the output voltage,
The horizontal axis is the time axis (unit: 10 μsec), and the vertical axis is the output terminal 1
The fluctuation of the voltage (unit: 200 mV) between 0 and 11 is shown.
The time required for this voltage waveform to reach a peak is about 0.3 to
It is about 1.0 μsec, and the peak voltage Vp at this time is about 200 mV. In FIG. 2, the time until the voltage fluctuation starts to show a recovery tendency by the function of the control circuit 3 is defined as a recovery time Td. In the case of FIG. 2, the recovery time Td = about 12 μsec. The effect of the high-speed response capacitor (organic semiconductor solid electrolytic capacitor) of the large-capacity capacitor 15 in FIG. 2 will be further described. As described in Japanese Patent Publication No. 3-76573, this organic semiconductor solid electrolytic capacitor uses a TCNQ complex salt as an electrolyte, and has an equivalent series resistance E in a high frequency region of 100 kHz or more.
-SR is extremely small, 70 to 600 mΩ or less. Therefore, the responsiveness of the high-speed responsive low-loss regulator can be improved by using it in parallel with a normal aluminum electrolytic capacitor. The capacity Co of the organic semiconductor solid electrolytic capacitor and the capacity Ca of the ordinary aluminum electrolytic capacitor
Is that Co: Ca = 1: 2 to 10 is effective for the high-speed response of the high-speed response low-loss regulator,
It is effective that the capacitance Co of the organic semiconductor solid electrolytic capacitor is 30 μF or more. Equivalent series resistance ES
-Due to the magnitude of R, the capacity of a normal aluminum electrolytic capacitor is effective in a low frequency range, while the capacity of an organic semiconductor solid electrolytic capacitor works effectively in a high frequency range of 100 kHz or more. As a comparative example, when two ordinary aluminum electrolytic capacitors of 680 μF + 100 μF = 780 μF are connected in parallel as an external capacitor, the peak voltage Vp is about 400 mV, and the recovery time Td is about 3 μm.
It is about 0 μsec. These results also confirmed the effect of connecting the organic semiconductor solid electrolytic capacitor in parallel with a normal aluminum electrolytic capacitor. FIG. 3 shows a change in the peak voltage Vp when the base resistance Rb (6) in FIG. 1 is changed. The horizontal axis indicates the value of the base resistance Rb, and the vertical axis indicates the peak voltage Vp. It is a thing. FIG. 4 shows the base resistor Rb (6) of FIG.
Indicates the change in the recovery time Td of the fluctuating voltage with respect to the change, in which the abscissa indicates the value of the base resistance Rb and the ordinate indicates the recovery time Td. At this time, a 220 μF ordinary aluminum electrolytic capacitor and a 47 μF high-speed response capacitor (organic semiconductor solid electrolytic capacitor) are connected in parallel to the external large-capacitance capacitors 14 and 15 in FIG. 2, respectively, and the input voltage Vin = 3.3 V , Output voltage Vout =
This is the case where the output current changes from 0 A to 5 A at 2.5 V. In FIG. 3, the peak voltage Vp is 160 mV, 200 mV, 3 Ω for the values of the base resistance Rb (6) of 50Ω, 90Ω, 180Ω, 360Ω and 820Ω.
20 mV, 370 mV and 400 mV. In FIG. 4, when the value of the base resistor Rb (6) is 50Ω, 90Ω, 180Ω, 360Ω and 820Ω, the recovery time of the voltage response is 2 μsec and 4Ω, respectively.
μsec, 6 μsec, 8 μsec and 9 μsec. The value of the base resistor Rb (6) shown in FIG.
When replaced with the base current of the output transistor 2, the value of the base resistance Rb is 50Ω, 90Ω, 180Ω, 360Ω.
And 820Ω, the base current is 14.0
mA, 7.8 mA, 3.9 mA, 1.9 mA and 0.8
5 mA. In other words, the longer the base current, the shorter the voltage response recovery time. When the base resistance Rb is equal to or more than 820 Ω, the base current (0.85 mA in this case) hardly flows, which is close to the conventional technology. From the viewpoint of an allowable peak voltage and power consumption, the effect of high-speed response is remarkable when the base current is 5 mA or more. In order to respond to a high-speed, large-current load change such as a CPU drive of a personal computer at a high speed, a base current of a PNP transistor used in an output stage is supplied in advance to be used in an output stage. P
A function of responding to a change in load at a high speed without saturating the NP transistor, that is, without using the NP transistor completely ON and OFF, is provided. At this time, the recovery time of the voltage response is 12 μs
c to 10 μsec, which corresponds to about 100 MHz when viewed from the clock frequency of the CPU of the personal computer. According to the present invention shown in FIG. 1, a high-speed, large-current regulator with a clock frequency of 100 MHz to 160 MHz or more of the CPU of the personal computer and an output current of about 4 A to 10 A or more can be realized. [Embodiment 2 ] Embodiment 2 of the present invention shown in FIG. 5 is a system in which a capacitor is connected to the PNP output transistor 2. This second high-speed response low-loss regulator main body 17 includes a PNP transistor 2 in the output stage. A capacitor 18 is added to the collector and the emitter of the regulator to reduce the output voltage of the regulator when the load changes at a high speed. The second high-speed response low-loss regulator body 17
Is composed of a PNP output transistor 2, a control circuit 3, and feedback control division resistors R1 (4) and R2 (5). The current from the power supply circuit 12 is supplied to the input terminal 7
(GND side), 8 (Vin). The outputs are terminals 10 (GND side) and 11 (Vout), and the load 16
Also, external large-capacity capacitors 14 and 15 are connected. The capacitance of the capacitor 18 connected in parallel to the PNP output transistor 2 is about 1 μF or less, and the peak voltage Vp is 200 m
V or less, the recovery time Td can be suppressed to about 15 μsec, and a high-speed response low-loss regulator can be realized. Also, from the point of high-speed response, PN
An organic semiconductor solid electrolytic capacitor can be used as the capacitor 18 connected in parallel with the P output transistor 2. [0030] [Reference Example 3 Reference Example 3 of the present invention shown in FIG. 6 is a method for connecting a parallel capacitor to the feedback control for dividing resistor R1,
The third high-speed response low-loss regulator main body 19 is a feedback control split resistor for monitoring the output voltage and feeding back to the amplifier of the regulator in order to quickly respond to a change in load. A parallel capacitor 20 is connected to the resistor R1 (4) added to the feedback voltage Vref of R1 (4) and R2 (5) to provide a function of responding quickly to a change in load. Referring to FIG. 6, the third high-speed response low-loss regulator main body 19 includes a PNP output transistor 2, a control circuit 3, and a feedback control dividing resistor R1.
(4) and R2 (5), and a parallel capacitor 20. The current from the power supply circuit 12 is supplied to the input terminal 7 (GN
D side), 8 (Vin). Output is terminal 10
(GND side), 11 (Vout), to which a load 16 and external large-capacity capacitors 14, 15 are connected. The capacitance of the capacitor 20 connected in parallel to the dividing resistor R1 is about 1 μF to 10 μF. This capacitor 20
Is a capacitor in a feedback portion, and has an effect of improving the frequency characteristics of the regulator amplifier (control circuit). On the other hand, capacitors 14 and 15 connected to the output terminal
Does not have such a function. Further, when the capacitance of the capacitor 20 connected in parallel to the dividing resistor R1 becomes about 10 μF or more, there is a possibility that the regulator amplifier (control circuit) may oscillate. [0032] Reference Example 4 Reference Example 4 of the present invention shown in FIG. 7 is a scheme in which additional output transistor, the fourth speed response low dropout regulator body 21, in order to respond quickly to changes in load To
An emitter and a collector of another additional PNP transistor 24 are connected between 22-23 between the base and the collector of the PNP transistor 2 used in the output stage,
A capacitor 25 is connected in series to the base of the NP transistor 24, and the other end of the capacitor 25 is connected to the feedback terminal Vref (9) of the control circuit 3 to have a function of responding quickly to a change in load. Referring to FIG. 7, the fourth high-speed response low-loss regulator body 21 includes a PNP output transistor 2, a control circuit 3, and a feedback control division resistor R1.
(4) and R2 (5), an additional PNP transistor 24 and a capacitor 25. The current from the power supply circuit 12 is supplied to the input terminals 7 (GND side) and 8 (Vi
n). Output is terminal 10 (GND side), 11
(Vout), and the load 16 and the external large-capacity capacitors 14 and 15 are connected. When the operation of the added PNP transistor 24 is viewed at a high frequency, the capacitor 25 is considered to be in a short-circuited state, and when the value of the feedback voltage Vref decreases, the transistor 24 operates and the output transistor 2
It acts to remove the base current. Therefore, Vref
If the output voltage drops, the output transistor 2
To increase the current flow and compensate for the decrease in output.
The capacity of the added capacitor 25 is about 1 μF to 10 μF. [0035] Reference Example 5 of the present invention shown in Reference Example 5 FIG. 8 is a scheme of the power supply from another power supply, high-speed response low dropout regulator body 26 in the fifth, the fast changes in load In order to respond, the power supply circuit of the PNP transistor 2 used in the output stage and the power supply circuit of the control circuit 3 are separated. In the power supply circuit shown in FIG. 1, the output voltage changes due to a load change, and the change is transmitted to the power supply circuit 12 of the control circuit 3, resulting in affecting the response characteristics of the control circuit 3. When the power supply voltage of the control circuit 3 decreases, the responsiveness of the control circuit decreases. More specifically, although it depends on the capacity of the power supply circuit 12, if the ideal power supply circuit, that is, the capacity is infinite, the power supply circuit is set to 1
It is not necessary to prepare two of 2 and 27. However, in reality, the capacity of the power supply circuit is finite, and the input voltage fluctuates under the influence of the fluctuation of the load 16. In this case, by separating the power supply circuit 12 used for the load and the power supply circuit 27 of the control circuit 3 of the regulator amplifier, it is possible to prevent the fluctuation of the load 16 from affecting the control circuit 3 of the regulator amplifier. . As described above, by separating the power supply circuit of the present invention, a function of responding to a change in load at high speed can be provided. Referring to FIG. 8, a fifth high-speed response low-loss regulator main body 26 includes a power supply circuit 27 for the control circuit 3 and a connection terminal 28 thereof.
It comprises an output transistor 2, a control circuit 3, and feedback control split resistors R1 (4) and R2 (5). The current from the power supply circuit 12 (see FIG. 1) for the PNP output transistor 2 is supplied to the input terminals 7 (GND side) and 8 (V
in). Output is terminal 10 (GND side), 1
1 (Vout), and the load 16 and the external large-capacity capacitors 14 and 15 are connected. [0037] [Embodiment 1] first the fast response low dropout regulator 1 of Reference Example 1 of the present invention shown in FIG. 1, the large-capacitance capacitor 14, 15 and the load 16 of the outer pickled output side output terminal 10 (GND
Side) and 11 (Vout). In the embodiment of the present invention shown in FIG. 9, a part of the external capacitor is mounted on the regulator body. In the sixth high-speed response low-loss regulator 29, a part of the external capacitor is mounted as the capacitor 30 of the regulator body. The capacitance is about several μF or less. FIG. 9A is a circuit diagram of a high-speed response low-loss regulator, FIG. 9B is a mounting drawing of the high-speed response low-loss regulator, and FIG. 9C is a mounting of the high-speed response low-loss regulator. FIG. 2 is a schematic sectional view of a capacitor 30. Referring to FIG. 9A, the sixth high-speed response low-loss regulator main body 29 includes a PNP output transistor 2, a control circuit 3, feedback-controlled split resistors R1 (4) and R2 (5), and a base current adjustment. It comprises a resistor Rb (6) and a mounting capacitor 30. The current from the power supply circuit 12 (see FIG. 1) is supplied to the input terminals 7 (GND side) and 8 (V
in). Split resistor R for feedback control
The voltage Vref (9) from 1 (4) and R2 (5) is applied to the control circuit 3. On the output side, external large-capacity capacitors 14, 15 and a load 16 are connected to an output terminal 10 (GND).
Side) and 11 (Vout), but the external large-capacity capacitors 14 and 15 and the load 16 are not shown (see FIG. 1). Referring to FIG. 9B, the control circuit 3 and the feedback control dividing resistor R
IC chip 31 including 1 (4) and R2 (5) and PNP
A transistor 32 on which the output transistor 2 is mounted is arranged. Under the IC chip 31, the insulating paste 3
4 attaches the mounting capacitor 30 to the frame 33. FIG. 9C is a schematic cross-sectional view of a mounting capacitor 30 of the high-speed response low-loss regulator.
Reference numeral 3 denotes a Vout (11) potential, which is mounted between the IC chip 31 and a GND (ground) potential at the bottom of the IC chip 31. The size of the frame 33 is approximately 15 mm × 1
5 mm, and the size of the IC chip 31 is
It is about 3 mm square. Therefore, the size of the mounting capacitor 30 allowed for mounting is approximately 10 mm × 10 mm, and the capacitance of the capacitor is 10 μF by die bonding between the IC chip 31 and the frame 33 using a high dielectric substance. It can be up to about several tens of μF. Also, instead of mounting a high dielectric substance between the IC chip 31 and the frame 33 constituting the regulator, a capacitor component is interposed and die-bonded, so that the output terminals Vout11 and Gout of the regulator are connected to each other.
A structure in which a capacitor component is added between the NDs 10 can be realized. As described as the external capacitor 14 in FIG. 1, a solid electrolytic capacitor component using an organic semiconductor (a surface-mounted solid electrolytic capacitor component is particularly optimal) can be mounted. In this case, the capacitance of the capacitor can be about 10 μF to several tens of μF. In the embodiment shown in FIG. 9, the same electrical effects as described with reference to FIGS. 1, 2 and 3 can be obtained in terms of circuit functions, and the mounting area can be reduced. In addition, it is particularly effective for the use of a high-speed response low-loss regulator that can be covered by the capacity of the mounting capacitor 30. In the example shown in FIG. 9, the PNP output transistor 2, the control circuit 3, and the feedback control dividing resistor R
1 (4) and R2 (5), base current adjusting resistor Rb
(6) is mounted on one frame, but there is also a variable type in which the feedback control division resistors R1 (4) and R2 (5) are not mounted on one frame. Further, it is needless to say that the base current adjusting resistor Rb (6) described in FIG. 1 of the present invention can be applied in combination with the invention shown in FIGS. 5, 6, 7 and 8. [0046] As is evident from the foregoing description, according to the high-speed response low dropout regulator of the present invention, a base connected to current regulation resistor between the emitter and base of the PNP output transistor,
By flowing the base current in advance, for example, 100
A high-current regulator with a high-speed response of not less than MHz and several A (ampere) or more can be realized, and the responsiveness of the PNP output transistor can be improved. In addition, it includes a control circuit
IC chip ground potential bottom and output potential frame
Between the output terminal of the high-speed response low-loss regulator
Mount organic semiconductor solid electrolytic capacitors connected in parallel.
The external organic semiconductor solid electrolytic capacitor
Is unnecessary, and the mounting area of the high-speed response low-loss regulator
Can be reduced. Also, this mounting capacitor
High speed response and low loss regulation that can be covered by about 30 capacity
It is particularly effective for data applications. [0047] [0048] [0049] [0050] [0051] Also, due to the value of the equivalent series resistance E · S · R for organic semiconductor solid electrolytic capacitor is small, 1
Voltage responsiveness of 00 kHz or more can be improved. [0053]

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の参考例1の高速応答低損失レギュレー
タの回路図である。 【図2】本発明の参考例1の高速応答低損失レギュレー
タの応答特性であり、負荷変動に対応する出力電圧の応
答特性(上段)及び出力電流の応答特性(下段)を示す
図である。 【図3】本発明の参考例1の高速応答低損失レギュレー
タのベース抵抗Rbを変化させた場合のピーク電圧Vp
の変化を示す図である。 【図4】本発明の参考例1の高速応答低損失レギュレー
タのベース抵抗Rbを変化させた場合の回復時間Tdの
変化を示す図である。 【図5】本発明の参考例2の高速応答低損失レギュレー
タの回路図であり、出力段のPNPトランジスタ2のコ
レクタとエミッタにコンコンデンサ18を付加した場合
の回路図である。 【図6】本発明の参考例3の高速応答低損失レギュレー
タの回路図であり、フィードバック制御用分割抵抗R1
(4)に並列にコンデンサ20を接続した場合の回路図
である。 【図7】本発明の参考例4の高速応答低損失レギュレー
タの回路図であり、出力用PNPトランジスタに、別の
PNPトランジスタとコンデンサとを接続した場合の回
路図である。 【図8】本発明の参考例5の高速応答低損失レギュレー
タの回路図であり、出力段用PNPトランジスタの電源
回路と制御回路の電源回路とを分離した場合の回路図で
ある。 【図9】本発明の一実施の形態よりなる高速応答低損失
レギュレータの図であり、(a)は回路図であり、
(b)は実装図面であり、(c)はICチップ、コンデ
ンサ及びフレームの略断面図である。 【図10】従来例の低損失レギュレータの回路図であ
る。 【符号の説明】 1 第1の高速応答低損失レギュレータ本体 2 PNP出力トランジスタ 3 制御回路 4 フィードバック制御用分割抵抗R1 5 フィードバック制御用分割抵抗R2 6 ベース電流調整用抵抗Rb 7 入力端子(GND側) 8 入力端子(Vin) 9 制御回路3のフィードバック端子(Vref) 10 出力端子(GND側) 11 出力端子(Vout) 12 電源(回路) 13GND(アース)端子 14 外づけのアルミ電解コンデンサ 15 有機半導体固体電解コンデンサ 16 負荷 17 第2の高速応答低損失レギュレータ本体 18 コンデンサ 19 第3の高速応答低損失レギュレータ本体 20 並列コンデンサ 21 第4の高速応答低損失レギュレータ本体 22 PNP出力トランジスタ2のべース端子 23 PNP出力トランジスタ2のコレクタ端子 24 PNPトランジスタ 25 直列コンデンサ 26 第5の高速応答低損失レギュレータ本体 27 制御回路3用の電源回路 28 電源回路の接続端子 29 第6の高速応答低損失レギュレータ本体 30 コンデンサ 31 ICチップ 32 PNP出力トランジスタ2の実装されたトランジ
スタ 33 フレーム 34 絶縁ペースト Td 回復時間(電圧が回復傾向を示し始めるまでの時
間) Vp ピーク電圧
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a circuit diagram of a high-speed response low-loss regulator according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing response characteristics of a high-speed response low-loss regulator according to Embodiment 1 of the present invention, showing a response characteristic of an output voltage (upper part) and a response characteristic of an output current (lower part) corresponding to a load change; FIG. 3 shows a peak voltage Vp when the base resistance Rb of the high-speed response low-loss regulator according to the first embodiment of the present invention is changed.
FIG. FIG. 4 is a diagram illustrating a change in a recovery time Td when the base resistance Rb of the high-speed response low-loss regulator of the first embodiment of the present invention is changed. FIG. 5 is a circuit diagram of a high-speed response low-loss regulator according to a second embodiment of the present invention, in which a condenser is added to the collector and the emitter of the PNP transistor 2 in the output stage. FIG. 6 is a circuit diagram of a high-speed response low-loss regulator according to a third embodiment of the present invention;
FIG. 4 is a circuit diagram when a capacitor 20 is connected in parallel to (4). FIG. 7 is a circuit diagram of a high-speed response low-loss regulator according to Embodiment 4 of the present invention, in which another PNP transistor and a capacitor are connected to an output PNP transistor. FIG. 8 is a circuit diagram of a high-speed response low-loss regulator according to Embodiment 5 of the present invention, in which a power supply circuit of a PNP transistor for an output stage and a power supply circuit of a control circuit are separated. FIG. 9 is a diagram of a high-speed response low-loss regulator according to an embodiment of the present invention, (a) is a circuit diagram,
(B) is a mounting drawing, and (c) is a schematic sectional view of an IC chip, a capacitor, and a frame. FIG. 10 is a circuit diagram of a conventional low-loss regulator. [Description of Signs] 1 First high-speed response low-loss regulator main body 2 PNP output transistor 3 Control circuit 4 Feedback control division resistor R1 5 Feedback control division resistor R2 6 Base current adjustment resistor Rb 7 Input terminal (GND side) Reference Signs List 8 input terminal (Vin) 9 feedback terminal (Vref) of control circuit 3 10 output terminal (GND side) 11 output terminal (Vout) 12 power supply (circuit) 13 GND (earth) terminal 14 external aluminum electrolytic capacitor 15 organic semiconductor solid Electrolytic capacitor 16 Load 17 Second high-speed response low-loss regulator body 18 Capacitor 19 Third high-speed response low-loss regulator body 20 Parallel capacitor 21 Fourth high-speed response low-loss regulator body 22 PNP output transistor 2 base terminal 23 PNP output transistor 2 Collector terminal 24 PNP transistor 25 Series capacitor 26 Fifth high-speed response low-loss regulator main body 27 Power supply circuit 28 for control circuit 3 Power supply circuit connection terminal 29 Sixth high-speed response low-loss regulator main body 30 Capacitor 31 IC chip 32 PNP output Transistor 33 mounted with transistor 2 Frame 34 Insulating paste Td Recovery time (time until voltage starts to show a recovery tendency) Vp Peak voltage

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−36425(JP,A) 特開 平7−135362(JP,A) 特開 平3−101158(JP,A) 特開 昭58−191414(JP,A) 特開 平5−109974(JP,A) 特開 平4−35058(JP,A)   ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page       (56) References JP-A-8-36425 (JP, A)                 JP-A-7-135362 (JP, A)                 JP-A-3-101158 (JP, A)                 JP-A-58-191414 (JP, A)                 JP-A-5-109974 (JP, A)                 JP-A-4-35058 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 PNP出力トランジスタと該PNP出力
トランジスタのベース電流を制御する制御回路と前記P
NP出力トランジスタの出力電圧を分圧し前記制御回路
にフィードバックするフィードバック用分割抵抗とを有
し、該フィードバック用分割抵抗からのフィードバック
量に応じて前記PNP出力トランジスタのベース電流を
制御する高速応答低損失レギュレータにおいて、 前記PNP出力トランジスタのエミッタとベースとの間
に、該PNP出力トランジスタのベース電流を大きくし
て電圧応答の回復時間を小さくするベース電流調整用抵
抗を接続し、 前記制御回路を含むICチップのアース電位の底部と出
力電位のフレームとの間に、当該高速応答低損失レギュ
レータの出力端子に並列接続される有機半導体固体電解
コンデンサを実装して、前記ICチップと前記有機半導
体固体電解コンデンサとを当該高速応答低損失レギュレ
ータの出力端子−GND端子間に並列接続することを特
徴とする高速応答低損失レギュレータ。
(57) Claims: 1. A PNP output transistor, a control circuit for controlling a base current of the PNP output transistor, and the PNP output transistor.
A feedback split resistor that divides an output voltage of the NP output transistor and feeds back the feedback voltage to the control circuit, and controls a base current of the PNP output transistor according to a feedback amount from the feedback split resistor. In the regulator, a base current adjusting resistor for increasing a base current of the PNP output transistor and shortening a recovery time of a voltage response is connected between an emitter and a base of the PNP output transistor, and an IC including the control circuit. An organic semiconductor solid electrolytic capacitor connected in parallel to the output terminal of the high-speed response low-loss regulator is mounted between the bottom of the ground potential of the chip and the frame of the output potential, and the IC chip and the organic Semiconduct
High-speed response and low-loss regulation
A high-speed response low-loss regulator characterized by being connected in parallel between the output terminal and the GND terminal of the motor .
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