JP3454567B2

JP3454567B2 - Driving method of liquid crystal display device

Info

Publication number: JP3454567B2
Application number: JP10690694A
Authority: JP
Inventors: 関口　　金孝
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1994-05-20
Filing date: 1994-05-20
Publication date: 2003-10-06
Anticipated expiration: 2018-10-06
Also published as: JPH07318904A

Description

Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、非線形抵抗素子の電流
−電圧（Ｉ−Ｖ）特性が温度により変化し、温度の上昇
により、電流値が大きくなる方向に変化する非線形抵抗
素子を有する液晶表示装置の駆動方法、および非線形抵
抗素子の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性の非対称性が温度に
より異なる非線形抵抗素子を有する液晶表示装置の駆動
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal having a non-linear resistance element in which the current-voltage (IV) characteristic of the non-linear resistance element changes with temperature, and the current value increases in accordance with the increase in temperature. The present invention relates to a method for driving a display device and a method for driving a liquid crystal display device having a non-linear resistance element in which the asymmetry of current-voltage (IV) characteristics of the non-linear resistance element varies depending on temperature.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示パネルを用いる液晶表示
装置は、大容量化の一途をたどっている。そして、単純
マトリクス構成の表示装置にマルチプレクス駆動を用い
る方法は、高時分割化するにしたがって、コントラスト
の低下、あるいは応答速度の低下が生じる。このため、
２００本程度の走査線を有する液晶表示装置では、充分
なコントラストを得ることが難しくなる。2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices using a liquid crystal display panel have been increasing in capacity. In the method of using the multiplex drive for the display device having the simple matrix structure, the contrast or the response speed is lowered as the time division is increased. For this reason,
In a liquid crystal display device having about 200 scanning lines, it becomes difficult to obtain sufficient contrast.

【０００３】そこで、このような上述の欠点を除去する
ために、個々の画素にスイッチング素子を設けるアクテ
ィブマトリクス液晶表示パネルが採用されている。Therefore, in order to eliminate the above-mentioned drawbacks, an active matrix liquid crystal display panel in which a switching element is provided in each pixel is adopted.

【０００４】アクティブマトリクス液晶表示パネルは、
大別すると薄膜トランジスタを用いる三端子系と、非線
形抵抗素子を用いる二端子系とがある。そして、構造
や、製造工程が簡単な点で、二端子系が優れている。The active matrix liquid crystal display panel is
Broadly classified, there are a three-terminal system using a thin film transistor and a two-terminal system using a non-linear resistance element. The two-terminal system is excellent in that the structure and the manufacturing process are simple.

【０００５】この二端子系には、ダイオード型や、バリ
スタ型や、ＭＩＭ（メタル−インシュレータ−メタル）
型などが開発されている。このなかでとくにＭＩＭ型は
構造が簡単で、しかも製造工程が短い特徴を有してい
る。This two-terminal system includes diode type, varistor type, and MIM (metal-insulator-metal).
Molds are being developed. Among them, the MIM type is characterized by its simple structure and short manufacturing process.

【０００６】図１７の回路図は、非線形抵抗素子を用い
た液晶表示パネルのパネル構成を示したものである。The circuit diagram of FIG. 17 shows a panel structure of a liquid crystal display panel using a non-linear resistance element.

【０００７】走査電極Ｓ１〜ＳＮと、信号電極Ｄ１〜Ｄ
Ｎとは、それぞれ２枚のガラス基板の対向面に設けられ
ている。さらにそれぞれの走査電極と信号電極との交差
部に非線形抵抗素子４１と、液晶画素４２とからなる表
示画素を形成している。Scan electrodes S1 to SN and signal electrodes D1 to D
N is provided on the facing surface of each of the two glass substrates. Further, a display pixel including a non-linear resistance element 41 and a liquid crystal pixel 42 is formed at the intersection of each scanning electrode and signal electrode.

【０００８】液晶画素４２を「オン」にする駆動電圧が
印加されたときは、非線形抵抗素子４１の抵抗は小さ
く、小さな時定数で液晶画素を「オン」にする。これに
対して駆動電圧がオフになると、非線形抵抗素子４１の
抵抗は大きい値を示し、大きい時定数で放電する。When a driving voltage for turning on the liquid crystal pixel 42 is applied, the resistance of the non-linear resistance element 41 is small, and the liquid crystal pixel is turned on with a small time constant. On the other hand, when the drive voltage is turned off, the resistance of the non-linear resistance element 41 exhibits a large value and discharges with a large time constant.

【０００９】この結果、「オン」、「オフ」時の液晶に
印加する電圧の実効値の比率が大きくなり、高密度のマ
ルチプレクス駆動が可能となる。As a result, the ratio of the effective value of the voltage applied to the liquid crystal at the time of "on" and "off" becomes large, and high-density multiplex driving becomes possible.

【００１０】ところで、非線形抵抗素子には、使用する
環境温度により、非線形抵抗素子の電流−電圧特性が変
化し、温度の上昇により、電流が流れやすくなるときが
がある。By the way, in the non-linear resistance element, the current-voltage characteristic of the non-linear resistance element changes depending on the ambient temperature in which it is used.

【００１１】このとき、「オン」時の書き込み期間の電
流であるオン電流は、流れやすくなるために良好にな
る。しかしながら、とくに問題となるのが、「オフ」時
の保持期間の非線形抵抗素子の抵抗が小さくなり、「オ
ン」時に非線形抵抗素子を介して液晶画素に蓄積した電
荷を、つぎの「オン」になるまでの期間の保持期間に、
非線形抵抗素子を介して変化させてしまうことである。At this time, the ON current, which is the current in the writing period at the time of "ON", becomes good because it easily flows. However, a particular problem is that the resistance of the non-linear resistance element during the holding period at the time of “off” becomes small, and the charge accumulated in the liquid crystal pixel via the non-linear resistance element at the time of “on” is changed to the next “on”. In the retention period of the period until
That is, it is changed through a non-linear resistance element.

【００１２】さらにマトリクス表示を行うため、走査電
極に選択電圧として時分割的に走査信号を印加し、それ
ぞれの走査信号の書き込み期間は、それぞれの液晶画素
に、表示内容に応じた表示信号を信号電極に印加する。Further, in order to perform matrix display, a scanning signal is applied to the scanning electrodes as a selection voltage in a time division manner, and during the writing period of each scanning signal, a display signal corresponding to the display content is signaled to each liquid crystal pixel. Apply to electrodes.

【００１３】マトリクス表示のときには、複数の走査電
極を有するため、同一の信号電極に複数の画素が接続し
ている構造となる。そのため、信号電極には、保持期間
に、自分の液晶画素以外の画素の表示を行うための表示
信号を印加する。Since matrix display has a plurality of scanning electrodes, a plurality of pixels are connected to the same signal electrode. Therefore, a display signal for displaying a pixel other than its own liquid crystal pixel is applied to the signal electrode during the holding period.

【００１４】非線形抵抗素子の「オフ」時の電流のオフ
電流の増加により、液晶に印加された電圧は、短時間で
放電し電圧の減少量がおこり、そして電圧の減少量は、
表示信号に依存してしまいう。この現象は、他の画素の
表示内容の影響を受けて目的の表示と異なった表示にな
るため、クロストークと呼ばれている。Due to the increase of the off current of the current when the non-linear resistance element is "off", the voltage applied to the liquid crystal is discharged in a short time to cause the decrease of the voltage, and the decrease of the voltage is
It depends on the display signal. This phenomenon is called crosstalk because it is different from the intended display due to the influence of the display contents of other pixels.

【００１５】さらにまた、温度の上昇によって液晶中の
イオンの挙動が活発になり、さらにイオンの濃度も上昇
する。このため、液晶表示パネルを構成する液晶と、こ
の液晶を規則正しく配向するための処理層である配向膜
によるイオンの蓄積、あるいは直流電圧の印加による片
寄りが大きくなる。Furthermore, as the temperature rises, the behavior of the ions in the liquid crystal becomes active, and the concentration of the ions also rises. For this reason, the liquid crystal forming the liquid crystal display panel and the alignment film, which is a processing layer for regularly orienting the liquid crystal, accumulates ions, or the deviation due to the application of the DC voltage becomes large.

【００１６】このため、一定期間、同一の画像表示を行
った後に、画像を変えても以前の固定画像が残像として
残ってしまう、いわゆる画像焼き付きが発生して液晶表
示装置の表示品質の低下をもたらす。For this reason, after the same image is displayed for a certain period of time, even if the image is changed, the previous fixed image remains as an afterimage, that is, so-called image sticking occurs, and the display quality of the liquid crystal display device is deteriorated. Bring

【００１７】このため、非線形抵抗素子のオフ電流を充
分に小さくするとともに、過剰な電圧を液晶に印加する
ことを防止する必要がある。Therefore, it is necessary to sufficiently reduce the off-current of the non-linear resistance element and prevent an excessive voltage from being applied to the liquid crystal.

【００１８】また、非線形抵抗素子の電流−電圧特性
は、低い温度ではオフ電流を充分小さくでき、大きな表
示信号の電圧振幅を用いても、液晶画素に印加された電
圧を長時間保持することが可能となる。Further, the current-voltage characteristics of the non-linear resistance element are such that the off current can be made sufficiently small at a low temperature, and the voltage applied to the liquid crystal pixel can be maintained for a long time even if a large voltage amplitude of the display signal is used. It will be possible.

【００１９】しかし、液晶は温度の低下により粘度が大
きくなる。そのため、たとえば白表示から黒表示に表示
内容が切り替わるために必要な時間である応答時間が大
きくなる。However, the liquid crystal becomes more viscous as the temperature decreases. Therefore, for example, the response time, which is the time required to switch the display content from white display to black display, becomes long.

【００２０】このため、必要以上に表示信号の電圧振幅
（以下信号電圧と記載する）を大きくすることは、表示
の切り替わり時に大きな残像現象、あるいは大きな尾引
き現象となって現れるために液晶表示装置の表示品質を
悪くする。For this reason, increasing the voltage amplitude of the display signal (hereinafter referred to as the signal voltage) more than necessary causes a large afterimage phenomenon or a large trailing phenomenon at the time of switching of the display, and therefore the liquid crystal display device. Deteriorates the display quality of.

【００２１】また、デジタル的に中間調表示を行うとき
に、過剰な信号電圧を印加すると、階調の切り替わり時
の変化が大きく、階調に切り替わりが見えてしまう。こ
のため、なだらかな画像が再現できなくなる。Further, if an excessive signal voltage is applied during halftone display digitally, the change at the grayscale change is large, and the grayscale change is visible. Therefore, a smooth image cannot be reproduced.

【００２２】さらに、過剰な信号電圧の印加を可能にす
るためには、信号電圧を印加する駆動用回路である半導
体集積回路装置（ＩＣ）の耐圧を大きくする必要があ
る。このため、半導体集積回路装置チップの大型化を招
き、液晶表示装置が高価になってしまう。Further, in order to enable the application of an excessive signal voltage, it is necessary to increase the breakdown voltage of the semiconductor integrated circuit device (IC) which is a drive circuit for applying the signal voltage. Therefore, the size of the semiconductor integrated circuit device chip is increased, and the liquid crystal display device becomes expensive.

【００２３】さらに、非線形抵抗素子の電流−電圧特性
には、対称な素子特性を示すものと印加電圧の極性によ
って非対称な非線形抵抗特性を示すものもある。Further, among the current-voltage characteristics of the non-linear resistance element, there are one having a symmetrical element characteristic and one having an asymmetric non-linear resistance characteristic depending on the polarity of the applied voltage.

【００２４】この非対称な電流−電圧特性を示す理由
は、ＭＩＭ素子のインシュレータ層である非線形抵抗層
の上層と下層との接合構造が異なることがその要因であ
る。The reason for exhibiting this asymmetric current-voltage characteristic is that the junction structure between the upper layer and the lower layer of the nonlinear resistance layer, which is the insulator layer of the MIM element, is different.

【００２５】図１８のグラフを用いて非対称な非線形特
性を示す非線形抵抗素子の電流−電圧特性を示す。図１
８は、非線形抵抗素子特性の主要な特性である電圧−電
流特性を示すグラフである。The graph of FIG. 18 shows the current-voltage characteristics of a non-linear resistance element exhibiting an asymmetric non-linear characteristic. Figure 1
8 is a graph showing a voltage-current characteristic which is a main characteristic of the nonlinear resistance element characteristic.

【００２６】図１８のグラフに示すように、非線形抵抗
素子の電流−電圧特性は、印加する電圧の方向に対し
て、大きな非対称特性を示している。As shown in the graph of FIG. 18, the current-voltage characteristic of the non-linear resistance element shows a large asymmetric characteristic with respect to the direction of the applied voltage.

【００２７】この図１８のグラフにおいて、曲線Ａは正
側素子特性を示しており、曲線Ｂは負側素子特性を示し
ている。In the graph of FIG. 18, the curve A shows the positive-side element characteristic, and the curve B shows the negative-side element characteristic.

【００２８】ここで非線形抵抗素子は、図１８のグラフ
に示すように、正電圧側と負電圧側とで非対称な非線形
特性を示し、液晶画素に印加される電圧を見ると、正電
圧側と負電圧側とで非線形抵抗素子に印加される電圧が
異なる。Here, as shown in the graph of FIG. 18, the non-linear resistance element exhibits an asymmetric non-linear characteristic on the positive voltage side and the negative voltage side. Looking at the voltage applied to the liquid crystal pixel, the non-linear resistance element is on the positive voltage side. The voltage applied to the non-linear resistance element differs on the negative voltage side.

【００２９】このため、液晶画素に印加される電圧が、
正側のときと負側のときとで異なってしまう。したがっ
て、フリッカによる画像のチラツキ現象や、画像の液晶
中のイオンの偏りによる残像現象である画像の焼き付き
が生じ、液晶表示装置の表示品質が著しく低下する。Therefore, the voltage applied to the liquid crystal pixel is
There is a difference between the positive side and the negative side. Therefore, image flickering due to flicker and image sticking, which is an afterimage phenomenon due to bias of ions in the liquid crystal of the image, occur and the display quality of the liquid crystal display device is significantly deteriorated.

【００３０】これに対して、この非対称な非線形抵抗素
子特性を補償し、表示品質を向上させる駆動方法が提案
されている。この非対称性を補償する例を、駆動波形を
示す図１９と、電流−電圧特性を示す図１８とを用いて
説明する。On the other hand, there has been proposed a driving method for compensating for this asymmetrical non-linear resistance element characteristic and improving the display quality. An example of compensating for this asymmetry will be described with reference to FIG. 19 showing drive waveforms and FIG. 18 showing current-voltage characteristics.

【００３１】図１８の非線形抵抗素子における電流−電
圧特性を示すグラフ上で、駆動電圧から決まる書き込み
期間の非線形抵抗素子のオン電流と、非書き込み期間の
非線形抵抗素子のオフ電流とを設定する。On the graph showing the current-voltage characteristics in the non-linear resistance element of FIG. 18, the on-current of the non-linear resistance element in the writing period determined by the drive voltage and the off-current of the non-linear resistance element in the non-writing period are set.

【００３２】そして、オン電流に対応するオフセット電
圧であるオン・オフセット電圧として、正電圧側と負電
圧側との電圧の中点Ｐ１とゼロ電圧との差に相当する電
圧を求め、これをＶｏｆｆ３とする。同様にオフ電流に
対応するオフセット電圧であるオフ・オフセット電圧と
して、正側と負側との電圧の中点Ｐ２とゼロ電圧との差
に相当する電圧を求め、これをＶｏｆｆ２とする。Then, as an on-offset voltage which is an offset voltage corresponding to the on-current, a voltage corresponding to the difference between the midpoint P1 of the voltage on the positive voltage side and the negative voltage side and the zero voltage is obtained, which is Voff3. And Similarly, as the off-offset voltage which is the offset voltage corresponding to the off-current, a voltage corresponding to the difference between the midpoint P2 of the positive side and the negative side of the voltage and the zero voltage is obtained, and this is taken as Voff2.

【００３３】つぎに、図１９の駆動波形図に示すよう
に、図１８に示す走査電極に書き込み期間と非書き込み
期間とにおいて、図１８を用いて説明したオフセット電
圧、すなわちオフセット電圧Ｖｏｆｆ２と、オフセット
電圧Ｖｏｆｆ３を印加する。このことにより、液晶画素
への直流電圧の印加を防止する。Next, as shown in the drive waveform diagram of FIG. 19, the offset voltage, that is, the offset voltage Voff2 and the offset voltage described with reference to FIG. The voltage Voff3 is applied. This prevents the application of DC voltage to the liquid crystal pixels.

【００３４】つぎに、非線形抵抗素子の電流−電圧特性
の温度依存性に関して、図２０のグラフを用いて説明す
る。図２０に示す電流−電圧特性は、非線形抵抗素子の
温度２５℃と、４０℃の特性を示してる。そして、それ
ぞれ温度２５℃の正側素子特性を曲線Ａ、負側素子特性
を曲線Ｂにて示し、温度４０℃の正側素子特性を曲線
Ｍ、負側素子特性を曲線Ｎにて示す。Next, the temperature dependence of the current-voltage characteristic of the non-linear resistance element will be described with reference to the graph of FIG. The current-voltage characteristics shown in FIG. 20 show characteristics of the nonlinear resistance element at temperatures of 25 ° C. and 40 ° C. Then, the positive side element characteristic at a temperature of 25 ° C. is shown by a curve A, the negative side element characteristic is shown by a curve B, the positive side element characteristic at a temperature of 40 ° C. is shown by a curve M, and the negative side element characteristic is shown by a curve N, respectively.

【００３５】図２０に示すように、温度が２５℃のとき
には、オン・オフセット電圧は中点Ｐ３とゼロ電圧との
差分としてＶｏｆｆ３となり、オフ・オフセット電圧は
中点Ｐ２とゼロ電圧との差分としてＶｏｆｆ２となる。As shown in FIG. 20, when the temperature is 25 ° C., the on-offset voltage is Voff3 as the difference between the midpoint P3 and the zero voltage, and the off-offset voltage is the difference between the midpoint P2 and the zero voltage. It becomes Voff2.

【００３６】これに対して温度が４０℃のときには、オ
ン・オフセット電圧は中点Ｐ５とゼロ電圧との差分とし
てＶｏｆｆ５となり、オフ・オフセット電圧は中点Ｐ４
とぜろ電圧との差分としてＶｏｆｆ４となる。On the other hand, when the temperature is 40 ° C., the on-offset voltage is Voff5 as the difference between the midpoint P5 and the zero voltage, and the off-offset voltage is the midpoint P4.
The difference between the offset voltage and the offset voltage is Voff4.

【００３７】温度２５℃と４０℃のそれぞれのオフセッ
ト電圧は、等しくない。このため、たとえば、２５℃の
オフセット電圧であるＶｏｆｆ２とＶｏｆｆ３を４０℃
にて用いると、２５℃と４０℃のそれぞれのオフセット
の差分である、中点Ｐ３と中点Ｐ５の差分と、中点Ｐ２
と中点Ｐ４の差分とに起因する直流電圧が液晶に印加さ
れてしまう。The offset voltages at temperatures of 25 ° C. and 40 ° C. are not equal. Therefore, for example, the offset voltage of Voff2 and Voff3 of 25 ° C. is set to 40 ° C.
, The difference between the offsets of 25 ° C. and 40 ° C., the difference between the midpoint P3 and the midpoint P5, and the midpoint P2
And a DC voltage due to the difference between the center point P4 and the center point P4 is applied to the liquid crystal.

【００３８】そのため、図１９の駆動波形図に示すそれ
ぞれのオフセット電圧を温度により補償することによ
り、液晶への直流電圧の印加を防止することが可能とな
る。Therefore, by compensating each offset voltage shown in the drive waveform diagram of FIG. 19 with temperature, it becomes possible to prevent application of a DC voltage to the liquid crystal.

【００３９】しかしながら、液晶表示装置の表示品質の
向上を行うときには、信号電圧の温度による効率的な制
御方法が要求される。However, in order to improve the display quality of the liquid crystal display device, an efficient control method based on the temperature of the signal voltage is required.

【００４０】一定の信号電圧を使用すると、たとえばと
くに液晶に対する直流電圧の印加を防止しなくては行け
ない高温度領域で、液晶への直流電圧の印加を防止を行
ったときには、非線形抵抗素子は温度依存性を有る。When a constant signal voltage is used, for example, when the direct current voltage is prevented from being applied to the liquid crystal in a high temperature region where it is necessary to prevent the direct current voltage from being applied to the liquid crystal, the nonlinear resistance element becomes It has temperature dependence.

【００４１】このために、中温度領域から低温度領域に
なるにしたがってコントラストの低下が発生し、液晶へ
の直流電圧の印加量が増加してしまう。As a result, the contrast decreases as the temperature changes from the middle temperature range to the low temperature range, and the amount of DC voltage applied to the liquid crystal increases.

【００４２】そのため広い温度範囲において、コントラ
ストの必要以上な低下を起こし、さらに低温度領域にて
画像焼き付きが発生し、液晶表示装置の表示品質の低下
を起こしてしまう。Therefore, the contrast is unnecessarily lowered in a wide temperature range, image sticking occurs in the low temperature region, and the display quality of the liquid crystal display device is deteriorated.

【００４３】[0043]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表
示装置は使用環境の温度変化が生じるため、非線形抵抗
素子の電流−電圧特性は変化する。However, since the liquid crystal display device changes in temperature in the use environment, the current-voltage characteristic of the non-linear resistance element changes.

【００４４】このため、とくに高温度領域では液晶への
直流電圧の印加を小さくする必要がある。Therefore, it is necessary to reduce the application of the DC voltage to the liquid crystal especially in the high temperature region.

【００４５】しかしながら、信号電圧を一定にしたとき
には、非線形抵抗素子の温度変化に対して充分な表示品
質の改善が達成できず、コントラストの低下や、画像焼
き付きを防止することはできず、表示品質を広範囲の使
用温度に対して対応することができないという欠点があ
る。However, when the signal voltage is kept constant, it is not possible to sufficiently improve the display quality with respect to the temperature change of the non-linear resistance element, and it is impossible to prevent the deterioration of the contrast and the image burn-in, and the display quality is improved. However, there is a drawback in that it cannot be applied to a wide range of operating temperatures.

【００４６】また、高温度領域から低温度領域に至る広
い使用温度では、液晶への直流電圧を充分に小さくでき
ない。このために、良好な画像品質を得ることができな
い。Further, the DC voltage to the liquid crystal cannot be sufficiently reduced in a wide operating temperature range from the high temperature region to the low temperature region. Therefore, good image quality cannot be obtained.

【００４７】また、非線形抵抗素子のパネル毎の特性差
があるため、それぞれの液晶表示パネルに適した電圧を
温度により選択する必要があるという問題点もある。Further, there is a problem that it is necessary to select a voltage suitable for each liquid crystal display panel depending on the temperature because there is a difference in characteristics of the non-linear resistance element between panels.

【００４８】本発明の目的は、上記課題を解決して、良
好な画像品質を有する液晶表示装置の駆動方法を提供す
ることである。It is an object of the present invention to solve the above problems and provide a method for driving a liquid crystal display device having good image quality.

【００４９】[0049]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の液晶表示装置の駆動方法においては、下記
記載の駆動方法を採用する。In order to achieve the above object, the following driving method is adopted in the driving method of the liquid crystal display device of the present invention.

【００５０】本発明の液晶表示装置の駆動方法は、非線
形抵抗素子の電流−電圧特性が温度により変化する非線
形抵抗素子をマトリクス状に配置し、非線形抵抗素子に
走査信号および表示信号を介してオンとオフ、あるいは
階調（中間調）表示の表示を行うアクティブマトリクス
型の液晶表示装置の駆動方法は、表示信号のオンとオフ
の電圧振幅を温度により制御し、その電圧振幅は、低温
側では小さく、中間の温度において最大値を有し、高温
側では小さくすることを特徴とする。According to the driving method of the liquid crystal display device of the present invention, the non-linear resistance elements whose current-voltage characteristics change with temperature are arranged in a matrix, and the non-linear resistance elements are turned on via the scanning signal and the display signal. A method of driving an active matrix type liquid crystal display device for displaying a grayscale (halftone) display with ON and OFF is to control the voltage amplitude of ON and OFF of a display signal by temperature, and the voltage amplitude is It is small, has a maximum value at an intermediate temperature, and is small on a high temperature side.

【００５１】本発明の液晶表示装置の駆動方法は、非線
形抵抗素子の電流−電圧特性が温度により変化する非線
形抵抗素子をマトリクス状に配置し、非線形抵抗素子に
走査信号および表示信号を介してオンとオフ、あるいは
階調（中間調）表示の表示を行い、中間調の表示を電圧
パルス幅により制御するアクティブマトリクス型の液晶
表示装置の駆動方法は、表示信号のオンとオフの電圧振
幅を温度によって制御し、その電圧振幅は、低温側では
小さく、中間の温度において最大値を有し、高温側では
小さくし、しかも中間調のパルス幅を温度により制御す
ることを特徴とする。According to the driving method of the liquid crystal display device of the present invention, the non-linear resistance elements whose current-voltage characteristics change with temperature are arranged in a matrix, and the non-linear resistance elements are turned on via the scanning signal and the display signal. The method of driving an active matrix type liquid crystal display device, which displays a grayscale (halftone) display by turning on and off, and controls the halftone display by the voltage pulse width is The voltage amplitude is controlled to be small on the low temperature side, has a maximum value at an intermediate temperature, is small on the high temperature side, and controls the pulse width of the halftone according to the temperature.

【００５２】本発明の液晶表示装置の駆動方法は、非線
形抵抗素子の非対称な電流−電圧特性を有する非線形抵
抗素子を有し、電流−電圧特性が、温度により変化する
非線形抵抗素子をマトリクス状に配置し、非線形抵抗素
子に走査信号および表示信号を介してオンとオフ、ある
いは階調（中間調）表示の表示を行うアクティブマトリ
クス型の液晶表示装置の駆動方法は、走査信号、あるい
は表示信号に非対称な電流−電圧特性を補償するための
オフセット電圧を印加し、補償するための電圧を温度に
より変え、さらに表示信号のオンとオフの電圧振幅を温
度によって制御し、その電圧振幅は、低温側では小さ
く、中間の温度において最大値を有し、高温側では小さ
くすることを特徴とする。The driving method of the liquid crystal display device of the present invention has a non-linear resistance element having an asymmetrical current-voltage characteristic of the non-linear resistance element, and the non-linear resistance element whose current-voltage characteristic changes with temperature is arranged in a matrix. A driving method of an active matrix type liquid crystal display device, which is arranged and performs on / off or gradation (halftone) display on a non-linear resistance element via a scanning signal and a display signal, is An offset voltage for compensating the asymmetrical current-voltage characteristic is applied, the voltage for compensation is changed according to the temperature, and the voltage amplitude of the on and off of the display signal is controlled by the temperature. Is small, has a maximum value at an intermediate temperature, and is small on a high temperature side.

【００５３】本発明の液晶表示装置の駆動方法は、非線
形抵抗素子の非対称な電流−電圧特性を有する非線形抵
抗素子を有し、電流−電圧特性が温度により変化する非
線形抵抗素子をマトリクス状に配置し、非線形抵抗素子
に走査信号および表示信号を介してオンとオフ、あるい
は階調（中間調）表示の表示を行い、中間調の表示を電
圧幅（パルス幅）により制御するアクティブマトリクス
型の液晶表示装置の駆動方法は、表示信号のオンとオフ
の電圧振幅を温度によって制御し、その電圧振幅は、低
温側では小さく、中間の温度において最大値を有し、高
温側では小さくし、しかも中間調のパルス幅を温度によ
り制御することを特徴とする。The driving method of the liquid crystal display device of the present invention has a non-linear resistance element having an asymmetric current-voltage characteristic of the non-linear resistance element, and the non-linear resistance elements whose current-voltage characteristics change with temperature are arranged in a matrix. Then, an active matrix type liquid crystal that performs on / off display or grayscale (halftone) display on the non-linear resistance element via a scanning signal and a display signal, and controls the halftone display by a voltage width (pulse width) The driving method of the display device controls the ON and OFF voltage amplitudes of the display signal according to the temperature, and the voltage amplitude is small on the low temperature side, has a maximum value at an intermediate temperature, and is small on the high temperature side. It is characterized in that the key pulse width is controlled by the temperature.

【００５４】[0054]

【作用】本発明の駆動方法は、電流−電圧特性が、温度
により変化する非線形抵抗素子を利用したアクティブ・
マトリクス型の液晶表示装置において、表示信号のオン
とオフの電圧の信号電圧振幅を温度により制御し、その
電圧振幅を低温側では小さく、中間の温度において最大
値を有し、高温側では小さくする手法を利用している。In the driving method of the present invention, the current-voltage characteristic is changed by the active resistance using the non-linear resistance element.
In a matrix type liquid crystal display device, the signal voltage amplitudes of ON and OFF voltages of a display signal are controlled by temperature, and the voltage amplitude is small on the low temperature side, has a maximum value at an intermediate temperature, and is small on the high temperature side. The method is used.

【００５５】このため、低温度領域から中間の温度領域
と、さらに高温度領域とにおいて、非線形抵抗素子のオ
フ電流を一定以下にすることが可能となり、さらに液晶
への直流電圧の印加を防止することができる。Therefore, the OFF current of the non-linear resistance element can be kept below a certain value in the low temperature region to the intermediate temperature region and in the high temperature region, and further, the application of the DC voltage to the liquid crystal is prevented. be able to.

【００５６】この結果、とくに非線形抵抗素子のオフ電
流の増加が起こる高温度領域において、画像焼き付き、
クロストークを無くし、しかもコントラストを良好にす
ることが可能となる。As a result, image sticking, especially in the high temperature region where the off current of the nonlinear resistance element increases,
It is possible to eliminate crosstalk and improve the contrast.

【００５７】さらに、低温度領域から中間の温度領域に
おいても、画像焼き付きや、クロストークを無くし、し
かもコントラストが良好になり、表示品質が良好な液晶
表示装置を提供することが可能となる。Further, in the low temperature region to the intermediate temperature region, it is possible to provide a liquid crystal display device in which image sticking and crosstalk are eliminated and the contrast is good and the display quality is good.

【００５８】[0058]

【実施例】以下に本発明の実施例における液晶表示装置
の駆動方法を図面に基づいて説明する。なお本発明の実
施例に用いる液晶表示装置の構成は、図１７に示す構成
と同じである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method of driving a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The structure of the liquid crystal display device used in the embodiment of the present invention is the same as the structure shown in FIG.

【００５９】まず本発明の第１の実施例を説明する。第
１の実施例に用いる非線形抵抗素子の構造を、図１を用
いて説明する。図１は、非線形抵抗素子の構造を示す断
面図である。First, a first embodiment of the present invention will be described. The structure of the nonlinear resistance element used in the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a non-linear resistance element.

【００６０】図１に示すように、絶縁性を有する基板１
上に、タンタル（Ｔａ）膜からなる下電極２を設け、こ
の下電極２表面に非線形抵抗層３としてＴａ膜の実体酸
化膜である酸化タンタル（Ｔａ₂ Ｏ₅ ）を設け、さらに
非線形抵抗層３上に上電極４としてクロム（Ｃｒ）膜を
設ける。そして、表示電極５として透明導電膜である酸
化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜を用いている。As shown in FIG. 1, a substrate 1 having an insulating property
A lower electrode 2 made of a tantalum (Ta) film is provided thereon, and tantalum oxide (Ta ₂ O ₅ ) which is an actual oxide film of the Ta film is provided as a nonlinear resistance layer 3 on the surface of the lower electrode 2 and further the nonlinear resistance layer A chromium (Cr) film is provided as an upper electrode 4 on the electrode 3. Then, as the display electrode 5, an indium tin oxide (ITO) film which is a transparent conductive film is used.

【００６１】非線形抵抗素子６は、下電極２と非線形抵
抗層３と上電極４とからなる。さらにこの非線形抵抗素
子６は、画素電極５と、外部から非線形抵抗素子を介し
て液晶に電圧を印加するための走査電極７との間に配置
する。The nonlinear resistance element 6 comprises a lower electrode 2, a nonlinear resistance layer 3 and an upper electrode 4. Further, the non-linear resistance element 6 is arranged between the pixel electrode 5 and the scanning electrode 7 for applying a voltage to the liquid crystal from the outside through the non-linear resistance element.

【００６２】この図１に示す非線形抵抗素子６の電流−
電圧特性は、下電極２と非線形抵抗層３との接合と、非
線形抵抗層３と上電極４との接合は対称な構造をもち、
電流−電圧特性は図２のグラフに示すような対称な素子
特性を有する。図２は、非線形抵抗素子の電流−電圧特
性の温度依存性を示すグラフである。The current of the non-linear resistance element 6 shown in FIG.
Regarding the voltage characteristic, the junction between the lower electrode 2 and the nonlinear resistance layer 3 and the junction between the nonlinear resistance layer 3 and the upper electrode 4 have a symmetrical structure,
The current-voltage characteristics have symmetrical element characteristics as shown in the graph of FIG. FIG. 2 is a graph showing the temperature dependence of the current-voltage characteristic of the nonlinear resistance element.

【００６３】図２のグラフに示すように、非線形抵抗素
子の電流−電圧特性は、温度によって変化する。As shown in the graph of FIG. 2, the current-voltage characteristic of the non-linear resistance element changes with temperature.

【００６４】ここで温度２５℃の正側素子特性を曲線Ｃ
に示し、負側素子特性を曲線Ｄにて示し、さらに温度４
０℃の正側素子特性を曲線Ｅに示し、負側素子特性を曲
線Ｆにて示す。Here, the characteristic of the positive side device at a temperature of 25 ° C. is shown by curve C.
, The negative side element characteristic is shown by the curve D, and the temperature 4
The positive side element characteristic at 0 ° C. is shown by a curve E, and the negative side element characteristic is shown by a curve F.

【００６５】書き込み期間に液晶に所定の電圧を印加す
るために必要な電圧は、温度２５℃のときには電圧ＶＡ
と電圧ＶＢであり、温度４０℃のときには、電圧ＶＭと
電圧ＶＮである。The voltage required to apply a predetermined voltage to the liquid crystal during the writing period is the voltage VA when the temperature is 25 ° C.
And voltage VB, and when the temperature is 40 ° C., they are voltage VM and voltage VN.

【００６６】そして対称な電流−電圧特性のため、正側
素子特性に付いて着目すると、温度２５℃と４０℃で
は、大きな電圧差（ΔＶ）がある。Due to the symmetrical current-voltage characteristic, focusing on the positive side element characteristic, there is a large voltage difference (ΔV) at temperatures of 25 ° C. and 40 ° C.

【００６７】また、書き込み期間に液晶に印加した電荷
をつぎの書き込み期間まで保持するために重要な低電流
領域の特性では、保持に必要な電圧Ｖ１と電圧Ｖ２に対
し、温度２５℃での電流値（Ｉ１）と、４０℃の電流値
（Ｉ２）とでは、大きな電流値の差（ΔＩ）が発生す
る。Further, in the characteristic of the low current region which is important for holding the charge applied to the liquid crystal in the writing period until the next writing period, the current at the temperature of 25 ° C. is compared with the voltage V1 and the voltage V2 required for the holding. A large current value difference (ΔI) occurs between the value (I1) and the current value (I2) at 40 ° C.

【００６８】図３は、電圧差（ΔＶ）と温度（Ｔ）の関
係、および電流値の差（ΔＩ）と温度（Ｔ）の関係を模
式的に示すグラフである。FIG. 3 is a graph schematically showing the relationship between the voltage difference (ΔV) and the temperature (T) and the relationship between the current value difference (ΔI) and the temperature (T).

【００６９】電圧差（ΔＶ）と温度（Ｔ）の関係を曲線
Ｇに示す。図３に示すように曲線Ｇは、温度の上昇によ
り大きく減少する。また、電流値の差（ΔＩ）と温度
（Ｔ）の関係を曲線Ｈに示す。曲線Ｈは、温度の上昇に
より大きく増加する。A curve G shows the relationship between the voltage difference (ΔV) and the temperature (T). As shown in FIG. 3, the curve G greatly decreases as the temperature rises. A curve H shows the relationship between the current value difference (ΔI) and the temperature (T). Curve H increases significantly with increasing temperature.

【００７０】このため、書き込み期間に一定の電荷を液
晶に印加するためには、曲線Ｇから明かなように、電圧
を小さくすることが必要であり、また印加した電荷を保
持するためにも、曲線Ｈより電圧を小さくすることが必
要である。Therefore, in order to apply a constant charge to the liquid crystal during the writing period, it is necessary to reduce the voltage as is clear from the curve G, and also in order to hold the applied charge. It is necessary to make the voltage smaller than the curve H.

【００７１】図４と図５とは、本発明の実施例において
使用する駆動波形を示す波形図であり、図４は一般的な
液晶表示装置を駆動するために走査電極に印加する走査
信号を示し、図５は信号電極に印加するための表示信号
を示す。FIGS. 4 and 5 are waveform charts showing driving waveforms used in the embodiment of the present invention. FIG. 4 shows scanning signals applied to scanning electrodes for driving a general liquid crystal display device. 5 shows a display signal to be applied to the signal electrode.

【００７２】走査信号は、画素電極の液晶に順次的に選
択電圧を印加するための、書き込み期間（Ｔｓ）と、他
の画素電極を選択している期間に液晶に蓄積した電荷を
保持するための保持期間（Ｔｈ）を有する。The scan signal holds the charge accumulated in the liquid crystal during the writing period (Ts) for sequentially applying the selection voltage to the liquid crystal of the pixel electrode and the period for selecting another pixel electrode. Hold period (Th).

【００７３】さらに、液晶への直流電圧の印加を防止
し、交流駆動を行うために、正側フィールドと負側フィ
ールドにより、交流化を行う。そして、それぞれ書き込
み期間（Ｔｓ）には、電圧ａ１と電圧ａ２の電圧を基準
電圧（ゼロ）に対して対称に印加し、保持期間（Ｔｈ）
には、電圧ｃ１と電圧ｃ２とを印加する。Further, in order to prevent application of a DC voltage to the liquid crystal and perform AC driving, AC is performed by the positive side field and the negative side field. Then, in each writing period (Ts), the voltages a1 and a2 are applied symmetrically with respect to the reference voltage (zero), and the holding period (Th)
Is applied with a voltage c1 and a voltage c2.

【００７４】書き込み期間（Ｔｓ）では、それぞれの画
素電極の表示内容にしたがった表示を行うために、表示
信号は、図５に示すように、基準電圧Ｖｄ０から対称に
電圧Ｖｄ１と電圧Ｖｄ２を印加する。In the writing period (Ts), in order to perform display according to the display content of each pixel electrode, as shown in FIG. 5, the display signal is applied with voltage Vd1 and voltage Vd2 symmetrically with respect to the reference voltage Vd0. To do.

【００７５】これに対して、走査信号の書き込み期間
（Ｔｓ）では、たとえば電圧Ｖｄ１を印加する期間をＴ
１とし、電圧Ｖｄ２を印加する期間をＴ２とし、期間Ｔ
１と期間Ｔ２との時間比率を変える方法を、本発明の駆
動方法において採用する。On the other hand, in the writing period (Ts) of the scanning signal, for example, the period for applying the voltage Vd1 is T
1, the period for applying the voltage Vd2 is T2, and the period T
The method of changing the time ratio between 1 and the period T2 is adopted in the driving method of the present invention.

【００７６】表示信号の電圧振幅（ｇ１）は、電圧Ｖｄ
１と電圧Ｖｄ２との差であり、本発明の実施例のよう
に、それぞれの表示内容に応じた信号を、電圧振幅（ｇ
１）を変化せずに、期間Ｔ１と期間Ｔ２の時間比率を変
える方法を採用する。The voltage amplitude (g1) of the display signal is the voltage Vd
1 is the difference between the voltage Vd2 and the voltage amplitude (g
A method of changing the time ratio of the period T1 and the period T2 without changing 1) is adopted.

【００７７】このことにより、とくに液晶の容量と非線
形抵抗素子の容量の比率が小さいときや、あるいは非線
形抵抗素子の低電流を維持するための電圧、たとえば図
２に示した電圧Ｖ１、あるいは電圧Ｖ２が小さいとき
に、電圧振幅（ｇ１）を変化する方法に比較し、電圧振
幅（ｇ１）の電圧が２値しかない。As a result, especially when the ratio of the capacitance of the liquid crystal to the capacitance of the non-linear resistance element is small, or when the low current of the non-linear resistance element is maintained, for example, the voltage V1 or the voltage V2 shown in FIG. Is small, compared to the method of changing the voltage amplitude (g1), the voltage of the voltage amplitude (g1) has only two values.

【００７８】したがって、電圧依存性が小さくなり、電
圧振幅（ｇ１）に依存したクロストークが減少し、良好
な表示性能を有する液晶表示装置を得ることが可能とな
る。Therefore, the voltage dependence is reduced, the crosstalk depending on the voltage amplitude (g1) is reduced, and a liquid crystal display device having a good display performance can be obtained.

【００７９】一般的な液晶の透過率の応答速度（τ）の
温度（Ｔ）依存性を示すグラフを図６に示す。FIG. 6 is a graph showing the temperature (T) dependence of the response speed (τ) of the transmittance of a general liquid crystal.

【００８０】図６に示すように、応答時間（τ）は、温
度がゼロ℃、あるいはさらに低温側にてきわめて大きく
なってしまう。そのため低温領域にて、コントラストを
大きくすると表示の切り替わりが遅くなり、尾引き現象
や、あるいは残像現象が起きてしまう。As shown in FIG. 6, the response time (τ) becomes extremely large when the temperature is zero degrees Celsius or at a low temperature side. Therefore, when the contrast is increased in the low temperature region, the switching of the display is delayed, and the tailing phenomenon or the afterimage phenomenon occurs.

【００８１】そこで、図７に本発明の実施例にて採用す
る表示信号の電圧振幅（ｇ１）と温度（Ｔ）との関係を
示すグラフを示す。Therefore, FIG. 7 shows a graph showing the relationship between the voltage amplitude (g1) of the display signal and the temperature (T) employed in the embodiment of the present invention.

【００８２】温度としては、応答速度の低下する低温度
領域（Ｔ１０）、最もコントラストを大きくする領域と
して中温度領域（Ｔ２０）と、非線形抵抗素子の低電流
を維持するための電圧が減少する高温度領域（Ｔ３０）
とに区分する。Regarding the temperature, a low temperature region (T10) where the response speed is lowered, a middle temperature region (T20) where the contrast is maximized, and a high temperature where the voltage for maintaining the low current of the nonlinear resistance element is reduced. Temperature range (T30)
Classify into and.

【００８３】低温度領域（Ｔ１０）では、応答速度の減
少による尾引き減少を防止するために、電圧振幅（ｇ
１）を温度の低下により、小さくしている。In the low temperature region (T10), in order to prevent the tailing decrease due to the decrease in response speed, the voltage amplitude (g
1) is made smaller due to the decrease in temperature.

【００８４】そして中温度領域（Ｔ２０）では、最大の
コントラストを得るために、電圧振幅（ｇ１）を最大値
を取るように大きくしている。In the middle temperature range (T20), the voltage amplitude (g1) is set to a maximum value so as to obtain the maximum contrast.

【００８５】高温度領域（Ｔ３０）では、非線形抵抗素
子の保持電圧の減少によるコントラストの低下を防止
し、しかも過剰な電圧振幅（ｇ１）の印加によるクロス
トークの発生を防止するために、電圧振幅（ｇ１）を温
度の増加により、小さくしている。In the high temperature region (T30), in order to prevent a decrease in contrast due to a decrease in the holding voltage of the non-linear resistance element, and to prevent the occurrence of crosstalk due to the application of an excessive voltage amplitude (g1), the voltage amplitude is increased. (G1) is made smaller by increasing the temperature.

【００８６】それぞれの温度領域に対する表示信号の電
圧振幅（ｇ１）の補正を行ったときのコントラストと温
度（Ｔ）との関係を図８のグラフに示す。The graph of FIG. 8 shows the relationship between the contrast and the temperature (T) when the voltage amplitude (g1) of the display signal for each temperature region is corrected.

【００８７】図８に示すように、コントラストは、電圧
振幅（ｇ１）にしたがって低温度側から徐々に増加し、
中温度領域にて最大値をもち、そして温度の増加により
減少する。As shown in FIG. 8, the contrast gradually increases from the low temperature side according to the voltage amplitude (g1),
It has a maximum value in the medium temperature range and decreases with increasing temperature.

【００８８】本発明の第１の実施例においては、表示信
号の電圧振幅（ｇ１）を温度により制御する。In the first embodiment of the present invention, the voltage amplitude (g1) of the display signal is controlled by the temperature.

【００８９】すなわち、低温度領域では電圧振幅（ｇ
１）を温度の減少により減少させ、中温度領域では、電
圧振幅（ｇ１）を最大にし、高温度領域では、温度の増
加により電圧振幅（ｇ１）を減少させる。That is, in the low temperature region, the voltage amplitude (g
1) is decreased by decreasing the temperature, the voltage amplitude (g1) is maximized in the medium temperature region, and the voltage amplitude (g1) is decreased by increasing the temperature in the high temperature region.

【００９０】このことにより、低温領域で起こる液晶の
応答速度の低下による尾引き減少を低下させる効果をも
ち、高温度領域で起こるクロストークの発生を防止する
ことができる。As a result, it has the effect of reducing the reduction in the trailing due to the decrease in the response speed of the liquid crystal that occurs in the low temperature region, and it is possible to prevent the occurrence of crosstalk in the high temperature region.

【００９１】したがって、広範囲な使用環境温度におい
て、良好な表示性能を有する液晶表示装置を得ることが
可能となる。Therefore, it is possible to obtain a liquid crystal display device having a good display performance in a wide range of operating environment temperatures.

【００９２】以下に本発明の第２の実施例における液晶
表示装置の駆動方法を図面に基づいて説明する。本発明
の第２の実施例に用いる液晶表示装置の構成は、図１７
に示す構成と同じである。A method of driving the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The configuration of the liquid crystal display device used in the second embodiment of the present invention is shown in FIG.
It has the same configuration as shown in.

【００９３】本発明の第２の実施例に用いる非線形抵抗
素子の構造を図９に基づいて説明する。図９は非線形抵
抗素子の構造を示す断面図である。The structure of the nonlinear resistance element used in the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a sectional view showing the structure of the non-linear resistance element.

【００９４】図９に示すように、絶縁性を有する基板３
１上に、下電極３２としてタンタル（Ｔａ）膜を設け、
非線形抵抗層３３としてＴａ膜の実体酸化膜である酸化
タンタル（Ｔａ₂ Ｏ₅ ）を下電極３２の表面に設け、さ
らに非線形抵抗層３３上に上電極３４と表示電極３５と
して透明導電膜である酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜
を設けている。As shown in FIG. 9, a substrate 3 having an insulating property
1, a tantalum (Ta) film is provided as the lower electrode 32,
As the nonlinear resistance layer 33, tantalum oxide (Ta ₂ O ₅ ) which is a substance oxide film of Ta film is provided on the surface of the lower electrode 32, and on the nonlinear resistance layer 33, an upper electrode 34 and a display electrode 35 are transparent conductive films. An indium tin oxide (ITO) film is provided.

【００９５】非線形抵抗素子３６は、下電極３２と非線
形抵抗層３３と上電極３４とからなる。そして、非線形
抵抗素子３６は、表示電極３５と、外部から非線形抵抗
素子３６を介して液晶に電圧を印加するための走査電極
３７との間に配置する。The non-linear resistance element 36 comprises a lower electrode 32, a non-linear resistance layer 33 and an upper electrode 34. The non-linear resistance element 36 is arranged between the display electrode 35 and the scanning electrode 37 for applying a voltage to the liquid crystal from the outside through the non-linear resistance element 36.

【００９６】この非線形抵抗素子３６は、下電極３４と
非線形抵抗層３３と、非線形抵抗層３３と上電極３４と
の接合の非対称性構造を有する。このために、得られる
電流−電圧特性は、非対称性をもつ。The non-linear resistance element 36 has an asymmetric structure in which the lower electrode 34, the non-linear resistance layer 33, and the non-linear resistance layer 33 and the upper electrode 34 are joined. Therefore, the obtained current-voltage characteristic has asymmetry.

【００９７】図１０は、図９に示すような非対称接合構
造をもつ非線形抵抗素子３６の電流−電圧特性を示し、
電流−電圧特性の温度依存性を示すグラフである。そし
て図１１は、液晶表示パネルの走査電極に印加する走査
信号波形を示し、温度２５℃と４０℃のときの、走査信
号波形を示している。図１２は、信号電極に印加する表
示信号波形を示す駆動波形図である。さらに図１３は、
表示信号に対応する液晶画素の透過率の変化を示すグラ
フである。図１４は、温度によるコントラストの変化を
示すグラフである。図１５は、温度による画像焼き付き
の変化を示すグラフである。図１６は、コントラストお
よび焼き付き量の測定使用する電圧の温度依存性を示す
グラフである。以下、図１０と図１１と図１２と図１３
と図１４と図１５と図１６とを交互に用いて本発明の第
２の実施例を説明する。FIG. 10 shows current-voltage characteristics of the non-linear resistance element 36 having an asymmetrical junction structure as shown in FIG.
It is a graph which shows the temperature dependence of a current-voltage characteristic. FIG. 11 shows a scanning signal waveform applied to the scanning electrodes of the liquid crystal display panel, and shows scanning signal waveforms at temperatures of 25 ° C. and 40 ° C. FIG. 12 is a drive waveform diagram showing a display signal waveform applied to the signal electrode. Furthermore, FIG.
6 is a graph showing changes in the transmittance of liquid crystal pixels corresponding to display signals. FIG. 14 is a graph showing changes in contrast with temperature. FIG. 15 is a graph showing a change in image sticking due to temperature. FIG. 16 is a graph showing the temperature dependence of the voltage used for measuring the contrast and the amount of image sticking. Hereinafter, FIG. 10, FIG. 11, FIG. 12 and FIG.
Second Embodiment A second embodiment of the present invention will be described by alternately using FIG. 14, FIG. 15 and FIG.

【００９８】なおこの図１０に示す非線形抵抗素子の電
流−電圧特性は、図２０に示す従来例の非対称性を有す
る非線形抵抗素子の電流−電圧特性と同一である。The current-voltage characteristics of the non-linear resistance element shown in FIG. 10 are the same as the current-voltage characteristics of the conventional non-linear resistance element shown in FIG.

【００９９】図１０のグラフに示すように、非線形抵抗
素子の非対称な電流−電圧特性の正側特性は、温度２５
℃のときの特性を示す曲線Ａと、温度４０℃のときの特
性を示す曲線Ｍとでは、温度により同じ電圧に対応する
電流値が異なる。As shown in the graph of FIG. 10, the positive side characteristic of the asymmetric current-voltage characteristic of the non-linear resistance element is the temperature 25
The curve A showing the characteristic at the temperature of 40 ° C. and the curve M showing the characteristic at the temperature of 40 ° C. have different current values corresponding to the same voltage depending on the temperature.

【０１００】またさらに、非線形抵抗素子の電流−電圧
特性の負側素子特性においても、温度２５℃のときの特
性を示す曲線Ｂと、温度４０℃のときの特性を示す曲線
Ｎとでは、同じ電圧に対応する電流値が異なる。Further, also in the negative-side element characteristic of the current-voltage characteristic of the non-linear resistance element, the curve B showing the characteristic at the temperature of 25 ° C. and the curve N showing the characteristic at the temperature of 40 ° C. are the same. The current value corresponding to the voltage is different.

【０１０１】すなわち正側素子特性においては曲線Ａと
曲線Ｍとの差分Ｐが発生し、負側素子特性においては曲
線Ｂと曲線Ｎとの差分Ｑが発生している。That is, a difference P between the curve A and the curve M occurs in the positive side element characteristic, and a difference Q between the curve B and the curve N occurs in the negative side element characteristic.

【０１０２】さらに、正側素子特性と負側素子特性とで
は、温度による電流の変化量が等しくない。すなわち正
側素子特性における曲線Ａと曲線Ｍとの差分Ｐと、負側
素子特性における曲線Ｂと曲線Ｎとの差分Ｑとは等しく
ない。Further, the positive side element characteristic and the negative side element characteristic do not have the same amount of change in current with temperature. That is, the difference P between the curve A and the curve M in the positive side element characteristic and the difference Q between the curve B and the curve N in the negative side element characteristic are not equal.

【０１０３】電流−電圧特性を示すグラフにおける駆動
電圧から決まる書き込み時の非線形抵抗素子のオン電流
に対応する正側と負側の電圧の中点は温度２５℃のとき
Ｐ３に相当し、オフセット電圧はＶｏｆｆ３となる。The midpoint between the positive and negative voltages corresponding to the ON current of the non-linear resistance element at the time of writing, which is determined by the driving voltage in the graph showing the current-voltage characteristics, corresponds to P3 at a temperature of 25 ° C., and the offset voltage Becomes Voff3.

【０１０４】さらに温度４０℃のときは、オン電流に対
応する正側と負側との電圧の中点はＰ５に相当し、オフ
セット電圧はＶｏｆｆ５となる。Further, when the temperature is 40 ° C., the midpoint between the positive side voltage and the negative side voltage corresponding to the ON current corresponds to P5, and the offset voltage becomes Voff5.

【０１０５】したがって、温度２５℃と４０℃とにおけ
るオン電流に対応するオフセット電圧Ｖｏｆｆ３とオフ
セット電圧Ｖｏｆｆ５とは、等しくない。Therefore, the offset voltage Voff3 and the offset voltage Voff5 corresponding to the ON currents at the temperatures of 25 ° C. and 40 ° C. are not equal.

【０１０６】つぎに、電流−電圧特性を示すグラフにお
ける駆動電圧から決まる非書き込み時の素子のオフ電流
に対応する正側と負側の電圧の中点は温度２５℃のとき
Ｐ２に相当し、オフセット電圧はＶｏｆｆ２となる。Next, the midpoint between the positive side voltage and the negative side voltage corresponding to the off current of the element at the time of non-writing, which is determined from the driving voltage in the graph showing the current-voltage characteristics, corresponds to P2 at a temperature of 25 ° C. The offset voltage is Voff2.

【０１０７】さらに温度４０℃のときは、オフ電流に対
応する正電圧側と負電圧側との電圧の中点はＰ４に相当
し、オフセット電圧はＶｏｆｆ４となる。Further, when the temperature is 40 ° C., the midpoint between the positive voltage side and the negative voltage side corresponding to the off current corresponds to P4, and the offset voltage becomes Voff4.

【０１０８】したがって、温度２５℃と４０℃における
オフ電流に対応するオフセット電圧Ｖｏｆｆ２とオフセ
ット電圧Ｖｏｆｆ４とは、等しくない。Therefore, the offset voltage Voff2 and the offset voltage Voff4 corresponding to the off currents at the temperatures of 25 ° C. and 40 ° C. are not equal.

【０１０９】すなわち、本発明の実施例においては、オ
ン電流を得るための電圧値は、温度が２５℃と４０℃で
は大きな差があり、オン電流に対応するオフセット電圧
も温度が２５℃と４０℃とでは大きな差がある。That is, in the embodiment of the present invention, the voltage value for obtaining the on-current has a large difference between the temperatures of 25 ° C. and 40 ° C., and the offset voltage corresponding to the on-current also has the temperatures of 25 ° C. and 40 ° C. There is a big difference from the temperature.

【０１１０】またさらにオフ電流を得るための電圧値
は、温度が２５℃と４０℃では大きな差があり、オフ電
流に対応するオフセット電圧も温度が２５℃と４０℃と
では大きな差がある。Further, the voltage value for obtaining the off current has a large difference between the temperatures of 25 ° C. and 40 ° C., and the offset voltage corresponding to the off current also has a large difference between the temperatures of 25 ° C. and 40 ° C.

【０１１１】図１１の駆動波形図にこの液晶表示パネル
を駆動するための温度２５℃のときと４０℃のときとに
おける走査信号の駆動波形を示し、図１２に、表示信号
の駆動波形を示す。The drive waveform diagram of FIG. 11 shows the drive waveforms of the scanning signals at the temperatures of 25 ° C. and 40 ° C. for driving the liquid crystal display panel, and FIG. 12 shows the drive waveforms of the display signals. .

【０１１２】図１１に示す駆動波形の概要は、従来例に
て説明した図１９の駆動波形に、温度依存性を付加する
ものである。The outline of the drive waveform shown in FIG. 11 is such that the temperature dependence is added to the drive waveform of FIG. 19 described in the conventional example.

【０１１３】本発明の実施例においては、走査信号側
に、非線形抵抗素子の温度による補償を行うための電圧
を付加している。まずはじめに、温度が２５℃のときに
関して説明する。In the embodiment of the present invention, a voltage for compensating the temperature of the non-linear resistance element is added to the scanning signal side. First, a case where the temperature is 25 ° C. will be described.

【０１１４】走査信号の書き込み期間の電圧は、正側フ
ィールドはａ１、負側フィールドはｂ１である。The voltage during the writing period of the scanning signal is a1 for the positive side field and b1 for the negative side field.

【０１１５】走査信号の保持期間における電圧ｃ１（正
側フィールド）とｄ１（負側フィールド）とは、それぞ
れバイアス電圧Ｖｂｉａｓ１と、バイアス電圧Ｖｂｉａ
ｓ２とにオフセット電圧Ｖｏｆｆ２を加えたものであ
る。The voltages c1 (positive side field) and d1 (negative side field) in the scanning signal holding period are the bias voltage Vbias1 and the bias voltage Vbia, respectively.
The offset voltage Voff2 is added to s2.

【０１１６】このバイアス電圧を印加することにより、
保持期間に非線形抵抗素子に印加される電圧が、バイア
ス電圧を印加しないときに比べて、同一な表示信号の電
圧振幅（ｇ１）を加えても小さくできる。このため、非
線形抵抗素子の抵抗を大きく保つことができる。By applying this bias voltage,
The voltage applied to the non-linear resistance element during the holding period can be made smaller than that when no bias voltage is applied even if the voltage amplitude (g1) of the same display signal is added. Therefore, the resistance of the nonlinear resistance element can be kept large.

【０１１７】そのため、書き込み期間に、液晶に蓄積し
た電荷を補遺期間に素子を介して、放電（リーク）する
ことがなくなる。このために、オン時、オフ時の液晶に
印加する電圧の実効値の比率が大きくなり、高密度のマ
ルチプレクス駆動が可能となる。Therefore, the electric charges accumulated in the liquid crystal during the writing period are not discharged (leak) through the element during the supplement period. For this reason, the ratio of the effective value of the voltage applied to the liquid crystal at the time of ON and OFF becomes large, and high-density multiplex driving becomes possible.

【０１１８】ここでバイアス電圧は、非線形抵抗素子を
もたない液晶表示パネルを使用したときの液晶画素の透
過率が、５０％となる電圧を用いている。The bias voltage used here is a voltage at which the transmittance of the liquid crystal pixel is 50% when a liquid crystal display panel having no nonlinear resistance element is used.

【０１１９】今回の表示信号は、Ｖｄ０を中心にＶｄ１
（Ｖｄ４）〜Ｖｄ２（Ｖｄ３）の電圧振幅（ｇ１）で、
書き込み期間にパルス幅を変えることにより諧調表示を
行う方法を使用する。The display signal this time is Vd1 centered on Vd0.
With the voltage amplitude (g1) of (Vd4) to Vd2 (Vd3),
A method of displaying a gradation by changing the pulse width during the writing period is used.

【０１２０】つぎに、本発明の液晶表示装置の駆動方法
における温度４０℃のときに関して説明する。Next, the case where the temperature is 40 ° C. in the driving method of the liquid crystal display device of the present invention will be described.

【０１２１】走査信号の書き込み期間の電圧は、図２に
示すように正側フィールドはａ２、負側フィールドはｂ
２である。As shown in FIG. 2, the voltage of the scanning signal writing period is a2 for the positive side field and b for the negative side field.
It is 2.

【０１２２】走査信号の保持期間における電圧ｃ２（正
側フィールド）とｄ２（負側フィールド）とは、それぞ
れバイアス電圧Ｖｂｉａｓ３とバイアス電圧Ｖｂｉａｓ
４とにオフセット電圧Ｖｏｆｆ４を加えたものである。The voltages c2 (positive side field) and d2 (negative side field) in the scanning signal holding period are the bias voltage Vbias3 and the bias voltage Vbias, respectively.
4 plus the offset voltage Voff4.

【０１２３】ここでバイアス電圧は、温度が２５℃と４
０℃では、異なるため温度により補償を行っている。Here, the bias voltage has a temperature of 25.degree.
At 0 ° C., since it is different, compensation is performed according to the temperature.

【０１２４】以上により、それぞれの駆動電圧である書
き込み期間の電圧と、オフセット電圧と、バイアス電圧
とのそれぞれの温度による最適化を行うことができる。As described above, it is possible to optimize the drive voltage, which is the voltage in the writing period, the offset voltage, and the bias voltage, according to the respective temperatures.

【０１２５】つぎに、信号電圧の電圧振幅を温度により
補償を行ったときと、補償を行わなかったときの差に関
して、図１３と図１４と図１５とを用いて説明する。Next, the difference between when the voltage amplitude of the signal voltage is compensated by temperature and when it is not compensated for will be described with reference to FIGS. 13, 14 and 15.

【０１２６】図１３は、たとえば表示信号の電圧を、中
心電圧４３を中心に低電圧側から高電圧側へ変化したと
きの液晶画素の透過率変化を示すグラフである。曲線４
１は温度２５℃のにおける信号電圧と透過率の関係を示
しており、曲線４２は、温度４０℃における信号電圧と
透過率の関係を示している。液晶パネルの表示モード
は、ノーマリー白である。なおノーマリー白は液晶に印
加する電圧が小さいときに、白表示を行い、電圧の増加
により黒に変化するモードである。FIG. 13 is a graph showing the change in the transmittance of the liquid crystal pixel when the voltage of the display signal changes from the low voltage side to the high voltage side with the center voltage 43 as the center. Curve 4
1 shows the relationship between the signal voltage and the transmittance at a temperature of 25 ° C., and the curve 42 shows the relationship between the signal voltage and the transmittance at a temperature of 40 ° C. The display mode of the liquid crystal panel is normally white. It should be noted that normally white is a mode in which white display is performed when the voltage applied to the liquid crystal is small, and the voltage changes to black as the voltage increases.

【０１２７】なお温度２５℃のときには、最大透過率
（ｔ１）は最大表示信号電圧４５で得られる。そしてこ
の最大表示信号電圧４５よりも電圧を小さくすると非線
形抵抗素子の抵抗が小さくなり、液晶に蓄積した電荷が
保持期間に変化するため、透過率はふたたび減少してし
まう。When the temperature is 25 ° C., the maximum transmittance (t1) can be obtained with the maximum display signal voltage 45. If the voltage is made smaller than the maximum display signal voltage 45, the resistance of the non-linear resistance element becomes small, and the charge accumulated in the liquid crystal changes to the holding period, so that the transmittance again decreases.

【０１２８】つぎに最少透過率（ｔ４）は、最少表示信
号電圧４６にて得ることができる。そしてこの最少表示
信号電圧４６よりも電圧を大きくすると、非線形抵抗素
子に大きな電圧が印加されることになり、非線形抵抗素
子の抵抗が小さくなり液晶に蓄積した電荷が保持期間に
変化するため、透過率はふたたび増加してしまう。最大
表示信号電圧４５と最少表示信号電圧４６との差分が、
最大表示信号電圧振幅４９となる。Next, the minimum transmittance (t4) can be obtained with the minimum display signal voltage 46. When the voltage is higher than the minimum display signal voltage 46, a large voltage is applied to the non-linear resistance element, the resistance of the non-linear resistance element decreases, and the charge accumulated in the liquid crystal changes during the holding period. The rate will increase again. The difference between the maximum display signal voltage 45 and the minimum display signal voltage 46 is
The maximum display signal voltage amplitude is 49.

【０１２９】同じように、温度４０℃のときに関して説
明すると、最大透過率（ｔ３）は最大表示信号電圧４７
で得られる。そしてこの最大表示信号電圧４７よりも電
圧を小さくすると温度が高いために、非線形抵抗素子の
抵抗が急激に小さくなり、液晶に蓄積した電荷が保持期
間に急激に変化するため、透過率は急激に減少してしま
う。Similarly, when the temperature is 40 ° C., the maximum transmittance (t3) is the maximum display signal voltage 47.
Can be obtained at. When the voltage is lower than the maximum display signal voltage 47, the temperature becomes higher, so that the resistance of the non-linear resistance element suddenly decreases, and the charge accumulated in the liquid crystal rapidly changes during the holding period, so that the transmittance rapidly increases. Will decrease.

【０１３０】最少透過率（ｔ３）は、最少表示信号電圧
４８にて得ることができる。そしてこの最少表示信号電
圧４８よりも電圧を大きくすると温度が高いために、非
線形抵抗素子の抵抗が急激に小さくなり、液晶に蓄積し
た電荷が保持期間に急激に変化するため、透過率は急激
に増加してしまう。最少表示信号電圧４７と最少表示信
号電圧４８との差分が、最大表示信号電圧振幅５０とな
る。The minimum transmittance (t3) can be obtained at the minimum display signal voltage 48. Then, if the voltage is made higher than the minimum display signal voltage 48, the temperature becomes higher, so that the resistance of the non-linear resistance element sharply decreases, and the charge accumulated in the liquid crystal rapidly changes during the holding period, so that the transmittance is sharply increased. Will increase. The difference between the minimum display signal voltage 47 and the minimum display signal voltage 48 becomes the maximum display signal voltage amplitude 50.

【０１３１】液晶表示装置の表示品質としては、コント
ラストと明るさとがある。２５℃の温度のときに関して
説明する。コントラストは、図１３において、最大の透
過率を示す最大表示信号電圧４５の透過率（ｔ１）と、
最少の透過率を示す最少表示信号電圧４６の透過率（ｔ
４）との比（ｔ１／ｔ４×１００％）で示すことができ
る。The display quality of the liquid crystal display device includes contrast and brightness. The case of a temperature of 25 ° C. will be described. Contrast is the transmittance (t1) of the maximum display signal voltage 45 showing the maximum transmittance in FIG.
The transmittance (t) of the minimum display signal voltage 46 showing the minimum transmittance.
4) and the ratio (t1 / t4 × 100%).

【０１３２】明るさは、最大透過率（ｔ１）の大きさに
より示すことができる。The brightness can be indicated by the magnitude of the maximum transmittance (t1).

【０１３３】温度２５℃と４０℃での最大表示信号電圧
振幅は異なるため、たとえば２５℃の最大表示信号電圧
振幅４９を４０℃に使用すると、非線形抵抗素子の抵抗
が急激に小さくなり最大透過率の低下がおこる。このた
め、液晶表示パネルの明るさの急激な低下や、あるいは
最少透過率の増加が発生し、コントラストの低下が生じ
る。Since the maximum display signal voltage amplitudes at temperatures of 25 ° C. and 40 ° C. are different, if the maximum display signal voltage amplitude 49 of 25 ° C. is used at 40 ° C., the resistance of the non-linear resistance element is suddenly reduced and the maximum transmittance is increased. Will occur. For this reason, the brightness of the liquid crystal display panel is suddenly decreased, or the minimum transmittance is increased, resulting in a decrease in contrast.

【０１３４】さらに、２５℃と４０℃での最大表示信号
電圧振幅の中心電圧４３、４４は、異なる。このため、
温度２５℃の中心電圧４３を温度４０℃に使用すると、
非線形抵抗素子の非対称性による非対称な抵抗値の変化
のために、中心電圧差による液晶への直流電圧の印加が
起きてしまう。Further, the center voltages 43 and 44 of the maximum display signal voltage amplitude at 25 ° C. and 40 ° C. are different. For this reason,
When the center voltage 43 of 25 ° C is used at 40 ° C,
Due to the asymmetrical change of the resistance value due to the asymmetry of the non-linear resistance element, the application of the direct current voltage to the liquid crystal due to the difference in the center voltage occurs.

【０１３５】この様子を図１４と図１５を用いて説明す
る。図１４は、温度とコントラストの関係を示すグラフ
であり、図１５は、温度と画像焼き量の関係を示すグラ
フである。This situation will be described with reference to FIGS. 14 and 15. FIG. 14 is a graph showing the relationship between temperature and contrast, and FIG. 15 is a graph showing the relationship between temperature and image burn-in amount.

【０１３６】画像焼き付き量は、図１５に示すように液
晶への直流電圧の印加量に依存し、液晶に印加する直流
電圧が増加すると大きくなり、また一定の直流電圧のと
きには、温度の増加により液晶内の可動イオン量が増加
するため大きくなる。The amount of image sticking depends on the amount of direct current voltage applied to the liquid crystal as shown in FIG. 15, and increases as the direct current voltage applied to the liquid crystal increases, and at a constant direct current voltage, increases due to temperature increase. It becomes large because the amount of mobile ions in the liquid crystal increases.

【０１３７】なお画像焼き付き量は、最初に中間調表示
（透過率：５０％）を１０分間表示し、つぎに黒表示を
１０分間行い、ふたたび中間調（透過率：５０％）に戻
し、初期と再表示を行ったときの中間調表示の透過率差
とした。Regarding the image sticking amount, first, a halftone display (transmittance: 50%) is displayed for 10 minutes, then a black display is performed for 10 minutes, and the image is returned to the halftone (transmittance: 50%) again. And the transmittance difference of halftone display when redisplayed.

【０１３８】図１４のコントラストの温度依存性を示す
曲線５１は、図１６に示すように、温度２５℃（Ｔ１）
の最大表示信号電圧振幅（ｇ１０）をすべての温度領域
において使用したとき、図１６の直線５８にて示すよう
であり、曲線５２は図１５に示す温度４０℃（Ｔ２）の
最大表示信号電圧振幅（ｇ１１）をすべての温度領域に
おいて使用したとき、図１６の直線５９にて示すようで
あって曲線５３は最大表示信号電圧振幅を非線形抵抗素
子のもっともコントラストの得られる温度領域（Ｔ０）
にて極大値にし、低温側にて小さくし、高温側にて低温
側よりも急峻に小さくする方法、図１６の曲線６０にて
示す手段を使用するときである。A curve 51 showing the temperature dependence of the contrast in FIG. 14 has a temperature of 25 ° C. (T1) as shown in FIG.
When the maximum display signal voltage amplitude (g10) of is used in all the temperature regions, it is as shown by the straight line 58 in FIG. 16, and the curve 52 shows the maximum display signal voltage amplitude of the temperature 40 ° C. (T2) shown in FIG. When (g11) is used in all temperature regions, it is as shown by the straight line 59 in FIG. 16, and the curve 53 shows the maximum display signal voltage amplitude in the temperature region (T0) where the most contrast of the non-linear resistance element can be obtained.
At a maximum value, at a low temperature side, and at a high temperature side sharply smaller than at a low temperature side, when a means indicated by a curve 60 in FIG. 16 is used.

【０１３９】また、それぞれの最大表示信号電圧振幅に
対する焼き付き量を示す曲線は、最大表示信号電圧振幅
として直線５８を使用したときの焼き付き量は曲線５５
になり、直線５９に対応する焼き付き量は曲線５６とな
り、最大表示信号電圧振幅を非線形抵抗素子のもっとも
コントラストの得られる温度領域（Ｔ０）にて極大値に
し、低温側にて小さくし、高温側にて低温側よりも急峻
に小さくする曲線６０にしたがって温度により制御した
ときの焼き付き量を曲線５７にて示す。The curve showing the burn-in amount for each maximum display signal voltage amplitude is the curve 55 when the straight line 58 is used as the maximum display signal voltage amplitude.
Then, the burn-in amount corresponding to the straight line 59 becomes the curve 56, and the maximum display signal voltage amplitude is maximized in the temperature region (T0) where the most contrast of the nonlinear resistance element can be obtained, reduced on the low temperature side, and reduced on the high temperature side. A curve 57 shows the amount of image sticking when controlled by the temperature according to the curve 60 that is sharper than the low temperature side.

【０１４０】曲線５１は、最大表示信号電圧振幅が曲線
５２に比較し大きな値を使用しているためコントラスト
は大きくできるが、Ｔ１よりも高温側にて過剰な最大表
示信号電圧振幅を用いている、このために、急激な非線
形抵抗素子の抵抗の減少により、コントラストの急激な
減少と、曲線５５に見られるように非対称性が増加する
ことによる焼き付き量の急激な増加が起きてしまう。The curve 51 uses a larger maximum display signal voltage amplitude than the curve 52, so that the contrast can be increased, but an excessive maximum display signal voltage amplitude is used on the higher temperature side than T1. For this reason, the resistance of the nonlinear resistance element suddenly decreases, which causes a sharp decrease in contrast and a sharp increase in the amount of image sticking due to an increase in asymmetry as shown in the curve 55.

【０１４１】曲線５２は、小さな最大表示信号電圧振幅
が小さいため、曲線５６に見られるように、非線形抵抗
素子の抵抗の急激な低下と過剰な最大表示信号電圧振幅
による非対称性の増加が防止できる。このため焼き付き
量は、小さく抑えることができるが、４０℃（Ｔ２）以
下の温度にて、コントラストを増加させることができな
い。Since the curve 52 has a small small maximum display signal voltage amplitude, as shown in the curve 56, it is possible to prevent the resistance of the nonlinear resistance element from abruptly decreasing and the asymmetry increase due to the excessive maximum display signal voltage amplitude. . Therefore, the image sticking amount can be suppressed to a small value, but the contrast cannot be increased at a temperature of 40 ° C. (T2) or less.

【０１４２】本発明の実施例に使用する最大表示信号電
圧振幅を、非線形抵抗素子の最もコントラストの得られ
る温度領域（Ｔ０）にて極大値にし、低温側にて小さく
し、高温側にて低温側よりも急峻に小さくする曲線６０
にしたがって温度により制御することにより、温度２５
℃、あるいは４５℃の最大表示信号電圧振幅をすべての
温度範囲に利用したときに比較し、広い温度範囲にて同
等以上のコントラストが得られる。The maximum display signal voltage amplitude used in the embodiments of the present invention is maximized in the temperature region (T0) where the most contrast of the non-linear resistance element is obtained, reduced on the low temperature side, and reduced on the high temperature side. Curve 60 that sharpens smaller than the side
By controlling the temperature according to
Compared with the case where the maximum display signal voltage amplitude of ° C or 45 ° C is used in all temperature ranges, the same or higher contrast can be obtained in a wide temperature range.

【０１４３】さらに、焼き付き量に関しても、広い温度
範囲でも非常に小さくすることができる。Further, the image sticking amount can be made extremely small even in a wide temperature range.

【０１４４】第２の実施例においても第１の実施例と同
様に、液晶の応答速度は低温側にて遅くなる。このた
め、低温側にて最大表示信号電圧振幅を減少することに
より、画像の切り替わりに起こる画像の尾引き現象を抑
えることができる。In the second embodiment, as in the first embodiment, the response speed of the liquid crystal becomes slow on the low temperature side. Therefore, by reducing the maximum display signal voltage amplitude on the low temperature side, it is possible to suppress the image trailing phenomenon that occurs when switching images.

【０１４５】以上の実施例に示すように、それぞれの電
圧を温度により補償を行うことにより、電流−電圧特性
の非対称性が温度により異なる非線形抵抗素子において
も、コントラストの低下を防止することができる。As shown in the above embodiments, by compensating each voltage with temperature, it is possible to prevent the deterioration of contrast even in the non-linear resistance element in which the asymmetry of the current-voltage characteristic is different depending on temperature. .

【０１４６】以上説明した本発明の実施例においては、
非線形抵抗素子の非線形抵抗層として酸化タンタル（Ｔ
ａ２Ｏ５）を使用したが、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、
あるいは窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）、あるいは酸化タ
ンタル（Ｔａ２Ｏ５）と窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、あ
るいは酸化膜と半導体膜の多層膜でもよい。In the embodiment of the present invention described above,
As a nonlinear resistance layer of a nonlinear resistance element, tantalum oxide (T
a2O5) was used, but silicon oxide (SiOx),
Alternatively, a silicon nitride film (SiNx), tantalum oxide (Ta2O5) and silicon nitride (SiNx), or a multilayer film of an oxide film and a semiconductor film may be used.

【０１４７】さらに本発明の実施例においては、非線形
抵抗素子を画素電極と走査電極間に設けたが、画素電極
と信号電極間に設けてもよい。Further, in the embodiment of the present invention, the nonlinear resistance element is provided between the pixel electrode and the scanning electrode, but it may be provided between the pixel electrode and the signal electrode.

【０１４８】[0148]

【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明の
液晶表示装置の駆動方法においては、非線形抵抗素子の
電流−電圧特性に温度依存性があるとき、温度により最
大表示信号電圧振幅を制御し、その制御方法を、非線形
抵抗素子の抵抗が充分大きく、最もコントラストの得ら
れる温度領域にて極大値を設定し、低温側にて電圧振幅
を小さくし、高温側にて、低温側よりも急峻に電圧振幅
を小さくする方法を採用する。As is apparent from the above description, in the driving method of the liquid crystal display device of the present invention, when the current-voltage characteristic of the non-linear resistance element has temperature dependence, the maximum display signal voltage amplitude is changed by the temperature. Control the control method by setting the maximum value in the temperature region where the resistance of the nonlinear resistance element is sufficiently large and the most contrast can be obtained, reduce the voltage amplitude on the low temperature side, and from the low temperature side on the high temperature side. Also adopts a method of sharply reducing the voltage amplitude.

【０１４９】このことにより、広い温度範囲にて良好な
表示品質を得ることが可能となる液晶表示装置を提供す
ることができる。As a result, it is possible to provide a liquid crystal display device capable of obtaining good display quality in a wide temperature range.

【０１５０】さらに、液晶の応答速度の低下による画像
切り換え時の尾引き現象を低減することができる。Furthermore, it is possible to reduce the trailing phenomenon at the time of image switching due to the decrease in the response speed of the liquid crystal.

【０１５１】またさらに、非対称な電流−電圧特性を有
し、温度により非対称性が異なる非線形抵抗素子のとき
には、液晶に印加する直流電圧を防止できる。このた
め、フリッカによる画像のチラツキ現象や、画像の焼き
付き現象を防止することができる。すなわち、液晶表示
装置の表示品質を向上することが可能となる。Furthermore, in the case of a non-linear resistance element having an asymmetrical current-voltage characteristic and asymmetry varying depending on temperature, it is possible to prevent a DC voltage applied to the liquid crystal. Therefore, it is possible to prevent an image flickering phenomenon and an image burn-in phenomenon due to flicker. That is, it is possible to improve the display quality of the liquid crystal display device.

[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動方
法を適用する非線形抵抗素子を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a non-linear resistance element to which a driving method of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention is applied.

【図２】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動方
法を適用する非線形抵抗素子の電流−電圧特性の温度依
存性を示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing temperature dependence of current-voltage characteristics of a non-linear resistance element to which a driving method of a liquid crystal display device according to an example of the present invention is applied.

【図３】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動方
法を適用する非線形抵抗素子の電圧差（△Ｖ）と温度
（Ｔ）との関係と、電流値の差（△Ｉ）と温度（Ｔ）と
の関係を示すグラフである。FIG. 3 shows a relationship between a voltage difference (ΔV) and a temperature (T) of a non-linear resistance element to which a driving method of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention is applied, and a current value difference (ΔI) and a temperature (T). It is a graph which shows the relationship with T).

【図４】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動方
法における走査電極に印加する走査信号波形を示す駆動
波形図である。FIG. 4 is a drive waveform diagram showing scan signal waveforms applied to scan electrodes in a method of driving a liquid crystal display device according to an example of the present invention.

【図５】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動方
法における走査電極に印加する信号電極側に印加する表
示信号波形を示す駆動波形図である。FIG. 5 is a drive waveform diagram showing a display signal waveform applied to the signal electrode side applied to the scan electrodes in the driving method of the liquid crystal display device in the example of the present invention.

【図６】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動方
法における応答速度の温度依存性を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing the temperature dependence of the response speed in the driving method of the liquid crystal display device in the example of the present invention.

【図７】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動方
法における最大表示信号の電圧振幅の温度依存性を示す
グラフである。FIG. 7 is a graph showing the temperature dependence of the voltage amplitude of the maximum display signal in the driving method of the liquid crystal display device in the example of the present invention.

【図８】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動方
法におけるそれぞれの最大表示信号電圧振幅を使用した
ときのコントラストの温度依存性を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing temperature dependence of contrast when each maximum display signal voltage amplitude is used in the driving method of the liquid crystal display device in the example of the present invention.

【図９】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動方
法を適用する非線形抵抗素子を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a non-linear resistance element to which a driving method of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention is applied.

【図１０】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動
方法を適用する非線形抵抗素子の電流−電圧特性の温度
依存性を示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing temperature dependence of current-voltage characteristics of a non-linear resistance element to which a driving method of a liquid crystal display device according to an example of the present invention is applied.

【図１１】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動
方法の走査電極に印加する走査信号波形を示す駆動波形
図である。FIG. 11 is a drive waveform diagram showing scan signal waveforms applied to scan electrodes in a method of driving a liquid crystal display device according to an example of the present invention.

【図１２】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動
方法の信号電極側に印加する表示信号波形を示す駆動波
形図である。FIG. 12 is a drive waveform diagram showing a display signal waveform applied to the signal electrode side in the method for driving a liquid crystal display device in the example of the present invention.

【図１３】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動
方法の信号電圧と透過率の関係を示すグラフである。FIG. 13 is a graph showing the relationship between the signal voltage and the transmittance of the driving method of the liquid crystal display device according to the example of the present invention.

【図１４】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動
方法のそれぞれの最大表示信号電圧振幅を使用したとき
のコントラストの温度依存性を示すグラフである。FIG. 14 is a graph showing the temperature dependence of contrast when each maximum display signal voltage amplitude of the driving method of the liquid crystal display device in the example of the present invention is used.

【図１５】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動
方法のそれぞれの最大表示信号電圧振幅を使用したとき
の焼き付き量の温度依存性を示すグラフである。FIG. 15 is a graph showing the temperature dependence of the burn-in amount when the maximum display signal voltage amplitude of each of the driving methods of the liquid crystal display device in the example of the present invention is used.

【図１６】本発明の実施例における液晶表示装置の駆動
方法のそれぞれの最大表示信号電圧振幅の温度依存性を
示すグラフである。FIG. 16 is a graph showing the temperature dependence of the maximum display signal voltage amplitude for each of the methods for driving a liquid crystal display device according to an example of the present invention.

【図１７】非線形抵抗素子を備える液晶表示装置の駆動
方法を適用する液晶表示装置の構成を示す回路図であ
る。FIG. 17 is a circuit diagram showing a configuration of a liquid crystal display device to which a driving method of a liquid crystal display device including a nonlinear resistance element is applied.

【図１８】従来例における非線形抵抗素子の電流−電圧
特性を示すグラフである。FIG. 18 is a graph showing current-voltage characteristics of a non-linear resistance element in a conventional example.

【図１９】従来例の液晶表示装置の駆動方法における走
査信号を示す駆動波形図である。FIG. 19 is a drive waveform diagram showing a scanning signal in a conventional liquid crystal display device driving method.

【図２０】従来例における液晶表示装置の駆動方法を適
用する非線形抵抗素子の電流−電圧特性の温度依存性を
示すグラフである。FIG. 20 is a graph showing temperature dependence of current-voltage characteristics of a non-linear resistance element to which a driving method of a liquid crystal display device in a conventional example is applied.

[Explanation of symbols]

１基板２下電極３非線形抵抗層４上電極５表示電極６非線形抵抗素子７走査電極 1 substrate 2 Lower electrode 3 Non-linear resistance layer 4 Upper electrode 5 display electrodes 6 Non-linear resistance element 7 scanning electrodes

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/133 580 G02F 1/133 550 G02F 1/133 575 G02F 1/1365 G09G 3/36 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. ⁷ , DB name) G02F 1/133 580 G02F 1/133 550 G02F 1/133 575 G02F 1/1365 G09G 3/36

Claims

(57) [Claims]

1. Non-linear resistance elements having current-voltage characteristics that change with temperature are arranged in a matrix, and the non-linear resistance elements are turned on / off via a scanning signal and a display signal, or a gradation display is performed. A method of driving an active matrix type liquid crystal display device, which controls the voltage amplitude of ON and OFF of a display signal is controlled by temperature, and the voltage amplitude is small on the low temperature side, has a maximum value at an intermediate temperature, and has a high temperature. A method for driving a liquid crystal display device, characterized in that the size is reduced on the side.

2. A non-linear resistance element having current-voltage characteristics that vary depending on temperature is arranged in a matrix, and the non-linear resistance element is turned on and off via a scanning signal and a display signal, or a gradation display is performed. A driving method of an active matrix type liquid crystal display device that performs display and controls halftone display by a voltage pulse width controls a voltage amplitude of ON and OFF of a display signal by temperature, and the voltage amplitude is on a low temperature side. A driving method for a liquid crystal display device, which is characterized in that it is small and has a maximum value at an intermediate temperature, is small on a high temperature side, and controls a pulse width of a halftone by temperature.

3. A non-linear resistance element having an asymmetric current-voltage characteristic of the non-linear resistance element, wherein the non-linear resistance elements whose current-voltage characteristics change according to temperature are arranged in a matrix, and scanning signals and A method for driving an active matrix liquid crystal display device which performs on / off display or gradation display through a display signal is a scan signal,
Alternatively, an offset voltage for compensating the asymmetrical current-voltage characteristic is applied to the display signal, the voltage for compensation is changed according to the temperature, and the on / off voltage amplitude of the display signal is controlled according to the temperature. Is a small value on the low temperature side, has a maximum value at an intermediate temperature, and is small on the high temperature side.

4. A nonlinear resistance element having an asymmetrical current-voltage characteristic of the nonlinear resistance element, wherein the nonlinear resistance elements whose current-voltage characteristics change with temperature are arranged in a matrix, and scanning signals and In a method of driving an active matrix type liquid crystal display device, which performs on / off display or gradation display via a display signal and controls halftone display by a voltage pulse width, the on / off voltage amplitude of the display signal Is controlled by the temperature, the voltage amplitude is small on the low temperature side, has the maximum value at the intermediate temperature, is small on the high temperature side, and the pulse width of the halftone is controlled by the temperature. Device driving method.