JP3452380B2 - Organic EL display device and manufacturing method thereof - Google Patents

Organic EL display device and manufacturing method thereof

Info

Publication number
JP3452380B2
JP3452380B2 JP14316993A JP14316993A JP3452380B2 JP 3452380 B2 JP3452380 B2 JP 3452380B2 JP 14316993 A JP14316993 A JP 14316993A JP 14316993 A JP14316993 A JP 14316993A JP 3452380 B2 JP3452380 B2 JP 3452380B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
emitting layer
light emitting
organic
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP14316993A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH076875A (en
Inventor
政博 田中
邦彦 渡辺
悟 轟
裕 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP14316993A priority Critical patent/JP3452380B2/en
Publication of JPH076875A publication Critical patent/JPH076875A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3452380B2 publication Critical patent/JP3452380B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/182OLED comprising a fiber structure
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は平面型のディスプレイ装
置に関わり、とくにパーソナルコンピュータやポータブ
ルテレビ等に用いられる自発光のEL素子を集積したデ
ィスプレイ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat display device, and more particularly to a display device integrating a self-luminous EL element used in personal computers, portable televisions and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】平面型ディスプレイ装置には液晶表示素
子(他発光型)とEL(エレクトロルミネッセンス)表
示素子、プラズマディスプレイ等の自発光型が実用化さ
れている。液晶表示素子は低電圧、低消費電力なので汎
用集積回路により駆動することができ、また、カラーフ
ィルタをかけるだけでカラー化できるのでカラーディス
プレイとして広く普及している。しかし、バックライト
光の透過率を液晶で変化させて表示する必要上、表示の
ダイナミックレンジはバックライトの明るさと素子の開
口率、カラーフィルタの透過率等の制約を受けて狭いも
のになっている。また、液晶表示素子は応答速度が遅い
ため薄膜トランジスタを各画素に組み込んだアクティブ
マトリクス方式により動きのある画像を表示する必要が
あり、製造コストが高くなるという問題もあった。
2. Description of the Related Art Self-luminous display devices such as liquid crystal display devices (other light emitting devices), EL (electroluminescence) display devices, and plasma displays have been put into practical use as flat display devices. Since the liquid crystal display element has a low voltage and low power consumption, it can be driven by a general-purpose integrated circuit, and since it can be made into a color only by applying a color filter, it is widely used as a color display. However, because it is necessary to display by changing the transmittance of the backlight light with the liquid crystal, the dynamic range of the display becomes narrow due to the constraints of the brightness of the backlight, the aperture ratio of the element, the transmittance of the color filter, etc. There is. In addition, since the liquid crystal display element has a slow response speed, it is necessary to display a moving image by an active matrix method in which a thin film transistor is incorporated in each pixel, which causes a problem of high manufacturing cost.

【0003】これに対してEL、プラズマディスプレイ
等は自発光型なので表示のダイナミックレンジが比較的
広くはっきりとした鮮やかな画面を得ることができる。
しかし、3原色の発光が困難であり、また、駆動電圧が
約100Vと高いので汎用のICでは駆動できず、消費
電力が大きいため電池駆動が困難なので総合的には液晶
表示素子より劣ると見做されていた。
On the other hand, EL, plasma displays and the like are self-luminous, so that a clear and vivid screen having a relatively wide display dynamic range can be obtained.
However, it is difficult to emit light in the three primary colors, and because the driving voltage is as high as about 100 V, it cannot be driven by a general-purpose IC, and it is difficult to drive the battery due to the large power consumption, so it is generally considered to be inferior to the liquid crystal display element. I was told.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の有機薄
膜ELディスプレイは上記駆動電圧が高いという問題の
他にその具体的な構造及び製造方法が確立されておら
ず、さらに、輝度が不足するという問題があった。ま
た、画面周辺にドライバー回路等を搭載していたのでパ
ネル全面を表示に用いることができず、また、画面をつ
なぎ合わせて大画面化することができないという問題が
あった。本発明の目的は、上記の課題を解決することの
できる有機薄膜ELディスプレイ装置とその製造方法を
提供することにある。
However, in addition to the problem that the driving voltage is high, the conventional organic thin film EL display has no specific structure and manufacturing method established, and further, the brightness is insufficient. There was a problem. In addition, since a driver circuit or the like is mounted around the screen, the entire panel cannot be used for display, and there is a problem that the screens cannot be joined to form a large screen. An object of the present invention is to provide an organic thin film EL display device and a manufacturing method thereof that can solve the above problems.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、有機EL膜の発光層で被覆した金属導体よりなる複
数の芯線を絶縁用のスペーサを挾んで線状の透明電極パ
タ−ンを形成した透明フィルム上に配置し、上記芯線と
透明電極間の電圧により発光させるようにする。また、
上記芯線とスペーサを交互に配置した透明フィルムの芯
線側をプリント基板に接着して芯線と透明フィルムの端
部をプリント基板の縁で折り曲げ、プリント基板の他面
側の回路パタ−ンに接続する。
In order to solve the above problems, a linear transparent electrode pattern is formed by sandwiching a plurality of core wires made of a metal conductor covered with a light emitting layer of an organic EL film with an insulating spacer. It is arranged on the formed transparent film, and light is emitted by the voltage between the core wire and the transparent electrode. Also,
The core side of the transparent film in which the core wire and the spacer are alternately arranged is adhered to a printed circuit board, the ends of the core wire and the transparent film are bent at the edge of the printed circuit board, and connected to the circuit pattern on the other surface side of the printed circuit board. .

【0006】また、透明フィルム上に透明電極パタ−ン
を設け、さらに上記透明電極パタ−ン上に有機EL膜の
発光層パタ−ンを設け、上記発光層パタ−ンの上にプリ
ント基板の片面に設けた走査線パタ−ンを接着し、上記
走査線パタ−ンとプリント基板の他面側の回路パタ−ン
間をスル−ホ−ルにより接続する。さらに、上記スル−
ホ−ルの位置を上記走査線パタ−ンの配置方向に対して
斜めにしてスル−ホ−ル間隔を広げるようにする。さら
に、上記プリント基板の他面側にドライバー回路、中央
演算回路、メモリ装置、受信、検波回路、画像情報の入
出力端子等を搭載するようにする。
Further, a transparent electrode pattern is provided on the transparent film, a light emitting layer pattern of an organic EL film is further provided on the transparent electrode pattern, and a printed circuit board on the light emitting layer pattern is provided. The scanning line pattern provided on one surface is adhered, and the scanning line pattern and the circuit pattern on the other surface side of the printed circuit board are connected by a through hole. Further, the above
The positions of the holes are slanted with respect to the arrangement direction of the scanning line patterns so that the through-hole intervals are widened. Further, a driver circuit, a central processing circuit, a memory device, a reception / detection circuit, an input / output terminal for image information, etc. are mounted on the other side of the printed board.

【0007】また、上記透明フィルム上に設けた凹凸形
状の凸部に上記透明電極パタ−ンを設け、さらに凹部に
不透明材または電気の良導体を充填してその片側を隣接
する透明電極パタ−ンに接続する。また、上記発光層の
抵抗率を0.3〜3×106Ω・cmとして膜厚を30
0〜3000nmに厚くする。
Further, the transparent electrode pattern is provided on the convex-concave portion provided on the transparent film, and the concave portion is filled with an opaque material or a good electric conductor, and one side thereof is adjacent to the transparent electrode pattern. Connect to. Further, the resistivity of the light emitting layer is 0.3 to 3 × 10 6 Ω · cm, and the film thickness is 30.
Thicken to 0 to 3000 nm.

【0008】また、上記発光層をプリント基板の全面に
わたって配置し、プリント基板の全面を表示面にする。
また、画面の走査範囲を複数に分割し、各走査範囲を互
いに独立に走査して画素当たりのデュウティータイムを
長くするようにする。また、上記の有機ELディスプレ
イ装置を基板上に隣接して配置して大画面化する。ま
た、上記発光層を芯線に被覆する工程の後に陽極酸化、
または電着により絶縁膜を形成し、この絶縁膜により発
光層のひび割れや欠陥箇所を被覆して短絡不良を低減す
る。
Further, the light emitting layer is arranged over the entire surface of the printed circuit board so that the entire surface of the printed circuit board serves as a display surface.
Further, the scanning range of the screen is divided into a plurality of sections, and the respective scanning ranges are scanned independently of each other so that the duty time per pixel is lengthened. In addition, the above-mentioned organic EL display device is arranged adjacent to the substrate to enlarge the screen. Further, after the step of coating the core wire with the light emitting layer, anodization,
Alternatively, an insulating film is formed by electrodeposition, and cracks and defective portions of the light emitting layer are covered with this insulating film to reduce short circuit defects.

【0009】[0009]

【作用】上記芯線上に被覆された有機EL膜は芯線と透
明電極間の電圧により発光し、スペーサは芯線間を絶縁
すると同時にブラックマトリックス用の遮光体として作
用する。また、上記透明フィルムの凹凸形状の凹部に設
けた電気の良導体は上記ブラックマトリックス用の遮光
体となると同時に透明電極のパタ−ン抵抗をシャントす
る。
The organic EL film coated on the core wire emits light by the voltage between the core wire and the transparent electrode, and the spacer acts as a light shield for the black matrix while insulating between the core wires. Further, the good electric conductor provided in the concave and convex portions of the transparent film serves as a light shield for the black matrix and simultaneously shunts the pattern resistance of the transparent electrode.

【0011】また、上記芯線とスペーサを交互に配置し
た透明フィルムの芯線側をプリント基板に接着し、芯線
と透明フィルムの端部をプリント基板の縁で折り曲げ、
プリント基板の他面側の回路パタ−ンに接続することに
より、有機EL素子がプリント基板の他面側のドライバ
ー回路、中央演算回路、メモリ装置、受信、検波回路、
画像情報の入出力端子等に接続され、これによりプリン
ト基板の全面が表示面として利用可能となる。
Further, the core wire side of the transparent film in which the core wire and the spacer are alternately arranged is adhered to a printed board, and the ends of the core wire and the transparent film are bent at the edge of the printed board,
By connecting to the circuit pattern on the other surface side of the printed circuit board, the organic EL element allows the driver circuit, the central processing circuit, the memory device, the reception, the detection circuit of the other surface side of the printed circuit board,
It is connected to an input / output terminal for image information, etc., so that the entire surface of the printed circuit board can be used as a display surface.

【0012】同様に、上記透明フィルム上の透明電極パ
タ−ン上に設け、さらに上記透明電極パタ−ン上に有機
EL膜の発光層パタ−ンを設け、さらに上記発光層パタ
−ンの上にプリント基板の片面に設けた走査線パタ−ン
を接着する有機EL装置においては、プリント基板のス
ル−ホ−ルを介して上記走査線パタ−ンと他面側の回路
パタ−ン間が接続されるので有機EL素子が他面側のド
ライバー回路、中央演算回路、メモリ装置、受信、検波
回路、画像情報の入出力端子等に接続され、これにより
プリント基板の全面が表示面として利用可能となる。す
る。
Similarly, it is provided on the transparent electrode pattern on the transparent film, a light emitting layer pattern of an organic EL film is further provided on the transparent electrode pattern, and further on the light emitting layer pattern. In an organic EL device in which a scanning line pattern provided on one surface of a printed circuit board is adhered to the printed circuit board, a space between the scanning line pattern and the circuit pattern on the other surface side is provided via a through hole of the printed circuit board. Since it is connected, the organic EL element is connected to the other side driver circuit, central processing circuit, memory device, reception, detection circuit, image information input / output terminal, etc., so that the entire surface of the printed circuit board can be used as the display surface. Becomes To do.

【0013】また、上記スル−ホ−ルの位置を上記走査
線パタ−ンの配置方向に対して斜めにすることによりス
ル−ホ−ル間隔が広くなり、接続が容易化される。ま
た、上記発光層の抵抗率を0.3〜3×106Ω・cm
として膜厚を300〜3000nmに厚くすることによ
り、発光層の電極間縁面距離が拡大する。
Further, by making the position of the through hole oblique with respect to the arrangement direction of the scanning line pattern, the interval between the through holes can be widened and the connection can be facilitated. The resistivity of the light emitting layer is 0.3 to 3 × 10 6 Ω · cm.
As a result, by increasing the film thickness to 300 to 3000 nm, the distance between the electrode edge surfaces of the light emitting layer increases.

【0014】また、画面の走査範囲を分割して各走査範
囲を独立に走査することにより、画素当たりのデュウテ
ィータイムが上記分割数倍に長くなって輝度が増加す
る。また、上記の有機EL素子の隣接配置により画面が
大型化される。また、上記発光層の芯線被覆工程後の陽
極酸化、または電着工程により発光層のひび割れや欠陥
箇所に絶縁膜が形成される。
Further, by dividing the scanning range of the screen and independently scanning each scanning range, the duty time per pixel is lengthened by the number of divisions described above, and the brightness is increased. In addition, the screen is enlarged by the adjacent arrangement of the organic EL elements. In addition, an insulating film is formed on the cracks or defective portions of the light emitting layer by anodizing or electrodeposition after the core wire coating step of the light emitting layer.

【0015】[0015]

【実施例】〔実施例 1〕図1は本発明による単純マト
リックス形のELディスプレイの斜視図である。ELの
発光層12を被覆した芯線11をスペーサ13を介して
透明電極15に直交するように配列してマトリックスを
形成し、芯線11と透明電極15間の電圧によりマトリ
ックスの交点を発光させる。
[Embodiment 1] FIG. 1 is a perspective view of a simple matrix type EL display according to the present invention. The core wire 11 covering the EL light emitting layer 12 is arranged so as to be orthogonal to the transparent electrode 15 via the spacer 13 to form a matrix, and the intersection point of the matrix is caused to emit light by the voltage between the core wire 11 and the transparent electrode 15.

【0016】なお、芯線11として銅合金線の上にM
g、In、MgAg、Al等の比較的仕事関数が小さい
金属を被服すると発光層12に対する電子注入を促進す
ることができ。なお、芯線11の配線抵抗を低くする観
点からはAlやCuがよく、Alはそのままでも使える
がMgより駆動電圧が高めになる。
As the core wire 11, M is formed on the copper alloy wire.
When a metal having a relatively small work function such as g, In, MgAg, or Al is coated, electron injection into the light emitting layer 12 can be promoted. From the viewpoint of reducing the wiring resistance of the core wire 11, Al or Cu is preferable, and Al can be used as it is, but the driving voltage is higher than that of Mg.

【0017】発光層12は蒸着法やスピン塗布法等によ
り形成できるが、生産コストの面からは芯線11をベー
スポリマー、電子輸送剤と赤青緑の3種類の蛍光色素の
何れかを含む溶液に浸積後、乾燥させて赤青緑の各発光
層12を被覆する方法が最も安価である。上記発光層を
被覆した配線11を粘着フィルム上に電気絶縁性のスペ
ーサ13を挟んで色順に並べ仮止めする。なお、スペー
サ13に黒などの吸光性樹脂や同様なガラス繊維などを
用いるとブラックマトリクスの効果が得られ画面を引き
締める効果が得られる。
The light emitting layer 12 can be formed by a vapor deposition method, a spin coating method or the like, but from the viewpoint of production cost, the core wire 11 is a solution containing any one of three kinds of fluorescent dyes of base polymer, electron transfer material and red, blue and green. The most inexpensive method is to coat each of the light emitting layers 12 of red, blue and green by immersing in the substrate and then drying. The wirings 11 covering the light emitting layer are arranged on the adhesive film in the order of colors with the electrically insulating spacers 13 interposed therebetween and temporarily fixed. If a light absorbing resin such as black or similar glass fiber is used for the spacer 13, the effect of the black matrix is obtained and the effect of tightening the screen is obtained.

【0018】[0018]

【表1】 表1は上記蛍光色素に用いる蛍光染料及び顔料等の化学
構造の例を示すものであり、一般的に電子輸送能もしく
は正孔輸送能を有する物質が利用できる。
[Table 1] Table 1 shows examples of chemical structures of fluorescent dyes and pigments used for the above-mentioned fluorescent dyes, and substances having an electron transporting ability or a hole transporting ability can be generally used.

【0019】[0019]

【表2】 表2は上記電子輸送剤および正孔輸送剤として用いられ
る化合物とベースポリマの化学構造例である。これらの
蛍光材料、ベースポリマー、電子輸送剤または正孔輸送
剤を1:5:1〜2:4:2の割合で溶媒に混合した溶
液に配線11を浸積する。
[Table 2] Table 2 shows examples of chemical structures of the compounds and base polymers used as the electron transfer agent and hole transfer agent. The wiring 11 is immersed in a solution prepared by mixing the fluorescent material, the base polymer, the electron transfer material or the hole transfer material in a solvent at a ratio of 1: 5: 1 to 2: 4: 2.

【0020】次いで、前記粘着性シートを配線長に応じ
た長さに切ってプリント基板16に接着し、粘着性シー
トを剥がして発光層12を有する芯線11をプリント基
板16上に転写する。次いで芯線11をプリント基板1
6の端部で裏面に回して裏面の配線17に半田付けし、
化成溶液中にいれて陽極化成を行う。この結果、被覆が
不十分だったり、ひび割れ部分に酸化物皮膜によって生
じる発光層12の短絡欠陥等を修復することができる。
また、発光層12の被膜脱落に対しては電気泳動を利用
する高分子の電着方により修復することができる。これ
らの処理により製品歩留まりを向上することができる。
Next, the adhesive sheet is cut into a length corresponding to the wiring length and adhered to the printed board 16, the adhesive sheet is peeled off, and the core wire 11 having the light emitting layer 12 is transferred onto the printed board 16. Next, the core wire 11 is connected to the printed circuit board 1
Turn to the back side at the end of 6 and solder to the wiring 17 on the back side,
Anodization is carried out by putting it in a chemical conversion solution. As a result, it is possible to repair insufficient coverage or short-circuit defects of the light emitting layer 12 caused by the oxide film on the cracked portion.
Further, the film loss of the light emitting layer 12 can be repaired by a method of electrodeposition of a polymer using electrophoresis. These processes can improve the product yield.

【0021】次ぎに透明フィルム14上にITO(イン
ジウムと錫の酸化物)をスパッタ成膜してパターンニン
グし、透明電極15を形成する。このITOは加工性が
悪く、またITOを有機物である発光層12上に形成す
ると発光特性がプラズマダメージにより劣化するという
問題がある。そこで本発明では、ITOをガラス基板ま
たは耐熱性の透明フィルム14上に形成して貼り合わせ
るようにする。
Next, ITO (oxide of indium and tin) is sputter-deposited on the transparent film 14 and patterned to form a transparent electrode 15. This ITO has a problem in that it has poor workability, and when ITO is formed on the light emitting layer 12 which is an organic substance, the light emitting characteristics are deteriorated due to plasma damage. Therefore, in the present invention, ITO is formed on the glass substrate or the heat-resistant transparent film 14 and is attached thereto.

【0022】一般に上記ITOのパターンはホトリソグ
ラフィー法により形成するが、単純マトリクスの場合は
パターンが単純なのでレーザースクライブ法により形成
することもできる。また、ITO膜を形成したガラス基
板または透明フィルム14をならい研磨により縞状に研
磨して透明電極15を得ることもできる。また、このと
き透明フィルム14にできる凹部に黒色等の吸光性樹脂
を充填して画面をブラックマトリクス化し視認性を向上
することができる。
Generally, the ITO pattern is formed by a photolithography method. However, in the case of a simple matrix, the pattern is simple, so that it can be formed by a laser scribing method. Alternatively, the transparent electrode 15 can be obtained by polishing the glass substrate or the transparent film 14 having the ITO film formed thereon in a striped pattern by polishing. Further, at this time, the concave portion formed in the transparent film 14 is filled with a light-absorbing resin such as black to make the screen a black matrix to improve the visibility.

【0023】また、上記凹部に抵抗率の低い金属材料を
充填すると金属材料がブラックマトリクスの1部として
利用できるうえし、金属材料がの端面の片側を隣接する
ITOに接続するとITOの導電率不足を補うことがで
きる。とくに、大型ディスプレイでは透明電極15が長
くなるのでその抵抗による電圧降下を低減することがで
きる。
Further, when the concave portion is filled with a metal material having a low resistivity, the metal material can be used as a part of the black matrix, and when one end of the metal material is connected to the adjacent ITO, the conductivity of the ITO is insufficient. Can be supplemented. In particular, in a large display, the transparent electrode 15 becomes long, so that the voltage drop due to its resistance can be reduced.

【0024】また、上記透明フィルム14の貼り合わせ
において、発光想12の膜厚を一定にする必要がある。
このため、発光層12上にガラスファイバーやビーズ等
のスペーサを散布してからホットプレスすることによ
り、スペーサを発光層に埋め込んで発光層の厚さをスペ
ーサの大きさに揃えることができる。この結果、印刷法
により発光層12を形成する場合において、発光層12
の樹脂組成物が表面張力などにより丸くかたまり膜厚が
不均一になるという問題も同時に改善されることにな
る。
Further, when the transparent film 14 is attached, it is necessary to make the film thickness of the light emitting device 12 constant.
Therefore, by spraying spacers such as glass fibers or beads on the light emitting layer 12 and then hot pressing, the spacers can be embedded in the light emitting layer and the thickness of the light emitting layer can be made equal to the size of the spacer. As a result, when the light emitting layer 12 is formed by the printing method, the light emitting layer 12
At the same time, the problem that the resin composition is rounded due to surface tension and the like and the film thickness becomes nonuniform will be solved.

【0025】有機薄膜ELの発光層12は時蛍光剤や電
荷輸送剤が励起状態となると酸化されるのでパッシベー
ションが必要である。このため、高分子フィルムにより
パネル全体を被い、窒素等の不活性気体中でパッケージ
するようにする。また、溶融パラフィンに浸して全体を
パラフィンで被うようにする。なお、パラフィン中に脱
酸素剤を混入すると更に有効である。
The light emitting layer 12 of the organic thin film EL needs to be passivated since the fluorescent agent and the charge transport agent are sometimes oxidized when they are in an excited state. Therefore, the entire panel is covered with a polymer film and packaged in an inert gas such as nitrogen. Also, it is soaked in molten paraffin so that the whole is covered with paraffin. In addition, it is more effective to mix a deoxidizer in paraffin.

【0026】上記のようにして形成した発光層12の膜
厚は通常100nm程度である。このため、10V程度
の電圧によってもスペーサの沿面に沿う放電(絶縁破
壊)を生じやすい。この放電は膜厚増加により防止でき
るが、同時に発光層12の抵抗値が増え発光強度が急速
に低下するという問題が発生する。この問題は発光層1
2の電気抵抗を低めると同時にその膜厚を厚くして、充
分な発光電流が得られるようにすれば解決する。例え
ば、発光層12のベースポリマーに抵抗率が0.3〜3
×106Ω・cm程度の導電性高分子を用い、その膜厚
を300〜3000nm程度にすると、印加電圧10V
に対しては十分に上記沿面放電を生じることなく十分な
発光強度が得られる電流密度100mA/cm2を流す
ことができる。
The thickness of the light emitting layer 12 formed as described above is usually about 100 nm. Therefore, discharge (dielectric breakdown) along the surface of the spacer is likely to occur even with a voltage of about 10V. This discharge can be prevented by increasing the film thickness, but at the same time, there arises a problem that the resistance value of the light emitting layer 12 increases and the light emission intensity rapidly decreases. This problem is the light emitting layer 1
The problem can be solved by lowering the electric resistance of No. 2 and increasing the film thickness at the same time so that a sufficient light emitting current can be obtained. For example, the base polymer of the light emitting layer 12 has a resistivity of 0.3 to 3
When a conductive polymer of about 10 6 Ω · cm is used and the film thickness is about 300 to 3000 nm, the applied voltage is 10 V.
In contrast, a current density of 100 mA / cm 2 which allows sufficient emission intensity to be obtained without sufficiently causing the creeping discharge can be applied.

【0027】また、上記のように膜厚を厚くすると発光
層12を印刷法や電着法あるいは浸積法等により形成で
きるようになる。印刷法や電着法ではパターン形成が初
めから出来ているので工程が簡単になる。上記各芯線1
1と透明電極が対向する部分が1画素となる。モノクロ
−ムの場合そ大きさは0.3mm×0.3mm以下であ
れば良く、カラーの場合にはその3分1の0.3mm×
0.1mmを3つ組み合わせて1画素とする。
If the film thickness is increased as described above, the light emitting layer 12 can be formed by a printing method, an electrodeposition method, an immersion method or the like. In the printing method and the electrodeposition method, the pattern formation is completed from the beginning, so the process is simplified. Each core wire 1
The portion where 1 and the transparent electrode face each other is one pixel. In the case of monochrome, the size should be 0.3 mm x 0.3 mm or less, and in the case of color, it should be 0.3 mm x 1/3.
Three 0.1 mm are combined to form one pixel.

【0028】〔実施例 2〕図1において、芯線11を
省略してスペ−サ13間に発光層12のみを設け、この
発光層12を透明電極15とプリント基板16の裏側に
設けた電極パタ−ン間の電圧により発光させることもで
きる。
[Embodiment 2] In FIG. 1, the core wire 11 is omitted and only the light emitting layer 12 is provided between the spacers 13, and the light emitting layer 12 is provided on the back side of the transparent electrode 15 and the printed circuit board 16. It is also possible to emit light by a voltage between the terminals.

【0029】プリント基板16の裏側に設ける電極には
発光層12に対する電子注入をよくするため比較的仕事
関数が低いMg,In,MgAg,Al等の材料を用い
る。しかし、上記電極の配線抵抗を低めるにはAlやC
uがよく、AlやCu等の電極はや真空蒸着膜をフォト
リソグラフィによりパタ−ニングして形成するがAlの
場合はMgに比べて駆動電圧が若干高くなる。また、C
u電極を用いる場合にはその表面をMg等でコ−ティン
グする。
For the electrodes provided on the back side of the printed board 16, materials such as Mg, In, MgAg, and Al having a relatively low work function are used in order to improve electron injection into the light emitting layer 12. However, in order to reduce the wiring resistance of the above electrodes, Al or C
u is good, and the electrodes such as Al and Cu are formed by patterning a vacuum deposition film by photolithography. In the case of Al, the driving voltage is slightly higher than that of Mg. Also, C
When the u electrode is used, its surface is coated with Mg or the like.

【0030】〔実施例 3〕図2は上記本発明のディス
プレイユニット1を複数つなぎ合わせて大画面化した本
発明実施例の斜視図である。各ディスプレイユニット1
の透明電極15と芯線11のプリント板16からはみ出
す部分をプリント基板16の裏に回して裏側の配線に接
続する。EL素子では液晶素子におけるバックライト
(Back Light)が不要なので画面の裏側にデータ線を引
き出し配線するすることによりプリント基板16の端一
杯にまでEL素子を搭載することができ、このような基
板を精度良くつなぎ合わて大画面化することができるの
である。
[Embodiment 3] FIG. 2 is a perspective view of an embodiment of the present invention in which a plurality of display units 1 of the present invention are connected to each other to form a large screen. Each display unit 1
The transparent electrode 15 and the portion of the core wire 11 protruding from the printed board 16 are turned to the back of the printed board 16 and connected to the wiring on the back side. Since the EL element does not require a back light in the liquid crystal element, the EL element can be mounted up to the end of the printed circuit board 16 by drawing and wiring the data line on the back side of the screen. It is possible to connect them with high precision to obtain a large screen.

【0031】また、プリント基板16の裏側にデータ線
ドライバー6、走査線ドライバ4等を搭載し、裏面中央
部に電源及び画像情報を入出力するコネクタ8を設け
る。さらにこの裏面にメモリーやCPUを実装してコン
ピュータを作ることもできる。また、上記各ドライバI
Cは半田付けできるので信頼性高く低価格に接続するこ
とができる。
A data line driver 6, a scanning line driver 4 and the like are mounted on the back side of the printed circuit board 16, and a power source and a connector 8 for inputting / outputting image information are provided at the center of the back side. Furthermore, a computer can be made by mounting a memory and a CPU on the back side. In addition, each driver I
Since C can be soldered, it can be connected with high reliability and at low cost.

【0032】このディスプレイユニット1をガラス板
や、アクリル板など透明な板に隙間無く並べて貼り付け
ることにより大画面を得ることができる。図2におい
て、各ディスプレイユニット1は、垂直方向の縁から取
り出した走査線により縦方向に走査され、水平方向の縁
から取り出した走査線により横方向に走査される。ま
た、水平方向の縁からの走査線は上下に2分されるそれ
ぞれのデ−タ線ドライバ6により駆動されるので、各デ
ィスプレイユニット1の画面を上下に2分割してそれぞ
れの横方向走査を独立に駆動することができる。この結
果、ディスプレイユニット1の画面全体を線順次に走査
する場合に比べて輝度を2倍に高めることができる。
A large screen can be obtained by arranging and adhering the display units 1 to a transparent plate such as a glass plate or an acrylic plate side by side with no space therebetween. In FIG. 2, each display unit 1 is scanned in the vertical direction by the scanning line extracted from the vertical edge and in the horizontal direction by the scanning line extracted from the horizontal edge. Further, since the scanning line from the edge in the horizontal direction is driven by the respective data line drivers 6 which are divided into upper and lower parts, the screen of each display unit 1 is divided into the upper and lower parts for horizontal scanning. It can be driven independently. As a result, the luminance can be doubled as compared with the case where the entire screen of the display unit 1 is line-sequentially scanned.

【0033】一方、上記画面の輝度はパソコンでは10
0(Cd/m2)以上、TVでは250(Cd/m2)以
上必要なので、EL素子の最大発光強度L(Cd/
2)と線順次走査における走査線数nを 100 < L/n<500 の範囲に設定する必要がある。これより上記Lは比較的
大きいもので1000〜10000Cd/m2であるか
ら、nの値は10〜100となる。したがって、画素サ
イズを0.3mmとすれば走査範囲は3〜30mmとな
り、図2では1つのディスプレイユニット1は二つの走
査範囲により構成されるのでその走査範囲は6〜60m
mとなる。
On the other hand, the brightness of the above screen is 10 in a personal computer.
Since 0 (Cd / m 2 ) or more and 250 (Cd / m 2 ) or more are required for TV, the maximum light emission intensity L (Cd /
m 2 ) and the number of scanning lines n in line-sequential scanning must be set within the range of 100 <L / n <500. From this, the above L is relatively large and is 1000 to 10000 Cd / m 2 , so the value of n is 10 to 100. Therefore, if the pixel size is 0.3 mm, the scanning range is 3 to 30 mm. Since one display unit 1 is composed of two scanning ranges in FIG. 2, the scanning range is 6 to 60 m.
m.

【0034】ディスプレイユニット1のの縦横比を1:
√2とするとディスプレイユニット1を2つ、4つ、8
つつないで大面積化する場合にその縦横比を常に1:√
2に保つことが出来る。したがって、ディスプレイユニ
ット1の大きさを7.5cm、×5.25cmにする
と、走査範囲が2分割されているので一つの走査範囲の
幅は2.62cmとなり、この間に80本の走査線3を
設けることができる。またカラ−の場合、データ線は3
原色で1画素として225画素を横方向に並べる。
The aspect ratio of the display unit 1 is 1:
When set to √2, two, four, and eight display units 1
The aspect ratio is always 1: √ when increasing the area without cutting.
Can be kept at 2. Therefore, if the size of the display unit 1 is set to 7.5 cm and 5.25 cm, the scanning range is divided into two, and the width of one scanning range is 2.62 cm. Can be provided. In case of color, the data line is 3
225 pixels are arranged in the horizontal direction as one pixel for the primary color.

【0035】上記ディスプレイユニット1を縦横に2個
づつ並べると全体で縦320、横450個の画素からな
るポ−タブル装置に好適な7インチのディスプレイを得
ることができる。さらに、縦横に4個づつ並べると縦6
40、横900個の画素からなる14インチ高精細ディ
スプレイが得られ、更に多くのユニットを並べて大型化
することもできる。
By arranging two display units 1 vertically and horizontally, a 7-inch display suitable for a portable device having a total of 320 pixels in the vertical direction and 450 pixels in the horizontal direction can be obtained. In addition, if you lay out four pieces vertically and horizontally, you will get six rows vertically.
A 14-inch high-definition display consisting of 40 and 900 horizontal pixels can be obtained, and more units can be arranged to increase the size.

【0036】〔実施例 4〕図3はプリント基板16の
設けたスル−ホ−ル30を介して基板上のELディスプ
レイと基板の他面に搭載した駆動回路やその他の回路間
を接続するようにした本発明実施例装置の斜視図であ
る。なお、図3では実施例2にて説明した発光層12を
用い、カラ−表示における赤、青、緑の三つの画素のみ
を示している。
[Embodiment 4] FIG. 3 shows that an EL display on a substrate is connected to a drive circuit and other circuits mounted on the other surface of the substrate through a through hole 30 provided on a printed circuit board 16. FIG. 3 is a perspective view of the device according to the embodiment of the present invention. In FIG. 3, the light emitting layer 12 described in the second embodiment is used, and only three pixels of red, blue and green in color display are shown.

【0037】まず、プリント基板16のスルーホール3
0内に金属導体を充填する。この金属導体が電線の場合
にはこれをスルーホール30に挿入、切断後、両面を研
磨する。次いでしプリント基板16の両面に化学銅鍍金
を施してからEL素子側の面にマグネシウムとアルミニ
ウムの合金を蒸着する。次いで、両面にホトレジストを
塗布、露光して、EL素子側の面にはデータ線パターン
22を、またその裏面には配線31を形成する。
First, the through hole 3 of the printed circuit board 16
Fill 0 with metal conductor. When the metal conductor is an electric wire, it is inserted into the through hole 30, cut, and then both surfaces are polished. Then, both surfaces of the printed board 16 are subjected to chemical copper plating, and then an alloy of magnesium and aluminum is vapor-deposited on the surface of the EL element side. Next, photoresist is applied to both surfaces and exposed to form the data line pattern 22 on the surface of the EL element side and the wiring 31 on the back surface thereof.

【0038】次いで、裏面にドライバーIC32、コネ
クタ等を実装した後、実施例1と同様なベースポリマ
ー、電子/正孔輸送剤、電荷調整剤と蛍光色素を含む溶
液を入れた電気泳動槽に浸し、赤の蛍光色素の入った槽
では赤のデータ線に電圧を加えて、赤の発光層26を電
着法により形成する。青の発光層25や緑の発光層24
も同様にして形成する。
Next, after mounting the driver IC 32, the connector and the like on the back surface, the substrate is dipped in an electrophoresis tank containing a solution containing the same base polymer, electron / hole transfer agent, charge control agent and fluorescent dye as in Example 1. In the tank containing the red fluorescent dye, a voltage is applied to the red data line to form the red light emitting layer 26 by the electrodeposition method. Blue emitting layer 25 and green emitting layer 24
Is similarly formed.

【0039】次いで実施例1と同様にして透明フィルム
14上に透明電極15を形成し、これをプリント基板1
6上の発光層12と直行するように貼り合わせ、図3で
は省略されているもののプリント基板16からはみ出し
た透明電極15をプリント基板16の裏側に回してプリ
ント基板の配線に接続する。次に、スルーホール30の
導体にによりデータ線パタ−ン22を接続しドライバー
ICに接続する。
Then, the transparent electrode 15 is formed on the transparent film 14 in the same manner as in Example 1, and the transparent electrode 15 is formed on the transparent substrate 14.
The transparent electrode 15 is attached so as to be orthogonal to the light emitting layer 12 on the printed circuit board 6, and the transparent electrode 15 which is omitted in FIG. 3 but protrudes from the printed circuit board 16 is turned to the back side of the printed circuit board 16 and connected to the wiring of the printed circuit board. Next, the data line pattern 22 is connected to the conductor of the through hole 30 and connected to the driver IC.

【0040】ディスプレイ画面上の走査線ピッチは約3
00μm、データ線ピッチはカラーの場合で約100μ
mであるから、例えば100μm径のスルーホール30
をこのピッチで並べると基板強度が弱くなる。そこで図
3に示すようにスルーホールを斜め方向にずらし、10
0μmのデータ線ピッチに対してスルーホールピッチを
例えば1mmにするようにする。1mmピッチに対して
は多ピンのドライバICを十分な信頼性で半田接続する
ことができる。
The scanning line pitch on the display screen is about 3
00μm, data line pitch is about 100μ in case of color
m, the through hole 30 having a diameter of 100 μm, for example
If these are arranged at this pitch, the substrate strength will be weakened. Therefore, as shown in FIG.
The through hole pitch is set to, for example, 1 mm with respect to the data line pitch of 0 μm. A multi-pin driver IC can be soldered to the 1 mm pitch with sufficient reliability.

【0041】〔実施例 5〕次に本発明によるELディ
スプレイの駆動方法について説明する。有機薄膜EL素
子には整流特性があり、逆方向では通電しないため発光
しない。したがって本発明では、発光させる走査線には
順方向の電圧を印加し、発光させない走査線には逆方向
電圧を印加するようにして、発光させる走査線を走査す
る。
[Embodiment 5] Next, a driving method of an EL display according to the present invention will be described. The organic thin film EL element has a rectifying characteristic and does not emit light in the reverse direction because it does not conduct electricity. Therefore, in the present invention, a forward voltage is applied to the scanning lines to emit light, and a reverse voltage is applied to the scanning lines that do not emit light to scan the scanning lines to emit light.

【0042】〔実施例 6〕表示画面を線順次で走査す
ると画面の中で発光しているのは一本の走査線のみであ
るから輝度が低くなる。しかし、画面をn区画に分割
し、各分割区画内を同時に走査すれば輝度はn倍に増加
することになる。例えば、300本〜600本の走査線
を10本ずつに30〜60分割して各分割範囲を同時走
査すると輝度も約30〜60倍に増加するので、100
00〜20000Cd/m2以上必要なの輝度を300
〜600Cd/m2で済ますことができる。
[Embodiment 6] When the display screen is line-sequentially scanned, only one scanning line emits light in the screen, so that the luminance becomes low. However, if the screen is divided into n sections and the respective divided sections are simultaneously scanned, the brightness will increase by n times. For example, when 300 to 600 scanning lines are divided into 10 lines by 30 to 60 and each divided range is simultaneously scanned, the brightness also increases by about 30 to 60 times.
0 to 20000 Cd / m 2 or more required brightness of 300
It can be done with ~ 600 Cd / m 2 .

【0043】しかし、10本毎の走査線に対応するデー
タを作成し、10本毎のデータ線を画面の外に取り出す
必要が生じる。さらにアクティブマトリクスの場合には
走査線、画像データを送るデータ線の他に、電力を送る
電力線が必要となる。実際にはさらに共通電極が必要と
なるので単純マトリックスの場合に比べて画素毎に2本
の線が増えることになる。このように配線が増えると不
良率が上がってコスト高となるので、本発明では上記電
力線と走査線を併用する。すなわち、有機薄膜EL素子
の前記整流特性を利用し、電力線に逆電圧を印加する場
合には発光と通電を同時に止めるようにする。また、ア
クチブマトリックスの場合には上記電圧で制御トランジ
スタのゲートを開くようにする。
However, it is necessary to create data corresponding to every 10 scanning lines and take out the data lines for every 10 lines outside the screen. Further, in the case of the active matrix, a power line for transmitting electric power is required in addition to the scanning line and the data line for transmitting the image data. Actually, since a common electrode is further required, two lines are added to each pixel as compared with the case of the simple matrix. Since the defective rate increases and the cost increases when the number of wirings increases, the power line and the scanning line are used together in the present invention. That is, the rectification characteristics of the organic thin film EL element are used to stop light emission and energization at the same time when a reverse voltage is applied to the power line. In the case of active matrix, the gate of the control transistor is opened by the above voltage.

【0044】〔実施例 7〕図4は本発明によるアクテ
ィブマトリクス方式のELディスプレイにおける1画素
部分の構成例を示す図である。実施例1と同様な青赤緑
の発光層12を被覆した芯線11を順次プリント基板に
貼り付け、プリント基板の端部で裏面に配線を回してプ
リント基板上の配線に半田付けし共通電極とする。
[Embodiment 7] FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of one pixel portion in an active matrix type EL display according to the present invention. The core wire 11 covering the blue-red-green light emitting layer 12 similar to that in Example 1 is sequentially attached to a printed circuit board, and the wiring is turned to the back surface at the end of the printed circuit board and soldered to the wiring on the printed circuit board to form a common electrode. To do.

【0045】一般にプリント基板16には複合材料が用
いられるので、加熱時のガス発生や、軟化、変形により
薄膜トランジスタをプリント基板の上に直接形成するこ
とが困難である。そこで薄膜トランジスタをポリエチレ
ンテレフタレートやポリイミド等の耐熱性の透明フィル
ム14、あるいは低ソーダガラスやホウ珪酸ガラス等の
基板上に形成する。
Since a composite material is generally used for the printed circuit board 16, it is difficult to directly form the thin film transistor on the printed circuit board due to gas generation during heating, softening and deformation. Therefore, a thin film transistor is formed on a heat-resistant transparent film 14 such as polyethylene terephthalate or polyimide, or a substrate such as low soda glass or borosilicate glass.

【0046】透明フィルム14上に、まずゲート線パタ
ーン43、47をホトリソグラフィにより形成し、次い
でその上にゲート絶縁膜とアモルファスシリコンをプラ
ズマCVD法により成膜してホトリソグラフィによりア
モルファスシリコンのアイランドを形成し、ソース、ド
レイン電極パターン44、45および同48、49等を
ホトリソグラフィにより形成し、更に透明電極パターン
50を形成する。
First, the gate line patterns 43 and 47 are formed on the transparent film 14 by photolithography, then a gate insulating film and amorphous silicon are formed thereon by plasma CVD, and amorphous silicon islands are formed by photolithography. Then, the source and drain electrode patterns 44 and 45 and the source and drain electrode patterns 48 and 49 are formed by photolithography, and further the transparent electrode pattern 50 is formed.

【0047】上記のようにして各画素を形成した透明フ
ィルム14をプリント基板上の発光層に位置合わせして
貼り合わせ、プリント基板からはみ出した透明電極部を
プリント基板16の裏に回してプリント基板上の配線に
接続する。図5は上記各画素の配線図である。薄膜トラ
ンジスタは画素毎に電流制限用とデータ書き込み用の2
個が必要であり、電流制限用TFTのゲート容量を利用
してデータを記憶させることもできる。
The transparent film 14 on which each pixel is formed as described above is aligned with and bonded to the light emitting layer on the printed circuit board, and the transparent electrode portion protruding from the printed circuit board is turned to the back of the printed circuit board 16 to print the printed circuit board. Connect to the upper wiring. FIG. 5 is a wiring diagram of each pixel. The thin film transistor has two elements for current limiting and data writing for each pixel.
One is required, and data can be stored by utilizing the gate capacitance of the current limiting TFT.

【0048】アクティブマトリクスでは発光層12の発
光強度が100〜300Cd/m2と弱い場合でも視認
できる。アクティブマトリクス型ディスプレイにおいて
も実施例3と同様にその縦横比を1:√2とすると、デ
ィスプレイユニットの組み合わせにより大画面化するこ
とができる。しかし、ディスプレイユニットを大きくす
ると透明フィルム14の伸び縮みにより発光層の位置合
わせが困難になるので、その大きさは10cm角以下、
すくなくとも20cm角以下とすることが好ましい。
In the active matrix, it can be visually recognized even when the light emission intensity of the light emitting layer 12 is as weak as 100 to 300 Cd / m 2 . Also in the active matrix type display, if the aspect ratio is 1: √2 as in the case of the third embodiment, it is possible to increase the screen size by combining the display units. However, if the display unit is made larger, it becomes difficult to align the light emitting layer due to the expansion and contraction of the transparent film 14, so the size is 10 cm square or less,
It is preferably at least 20 cm square.

【0049】[0049]

【発明の効果】本発明により、プリント基板上に有機E
L素子を搭載できるのでELディスプレイを低価格化す
ることができる。同時に、上記プリント基板の端まで画
面として利用することができ、プリント基板の裏側にE
L素子を搭載することができる。また、上記プリント基
板上の表示エリアを分割駆動することにより、表示の輝
度を向上することができる。また、上記EL素子を搭載
したプリント基板を並べて大画面の平面表示装置を提供
することができる。
According to the present invention, organic E is formed on a printed circuit board.
Since the L element can be mounted, the price of the EL display can be reduced. At the same time, it can be used as a screen up to the edge of the printed circuit board, and E on the back side of the printed circuit board.
An L element can be mounted. Further, the display brightness can be improved by driving the display area on the printed circuit board separately. Further, it is possible to provide a large-screen flat display device by arranging printed boards on which the EL elements are mounted side by side.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明によるEL素子の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of an EL device according to the present invention.

【図2】図1のEL素子の配線接続法とEL素子の複数
配列による大型画面化の状況を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a state of a large screen by the wiring connection method of the EL element of FIG. 1 and a plurality of arrangements of EL elements.

【図3】本発明による他のEL素子のカラ−画素の斜視
図である。
FIG. 3 is a perspective view of a color pixel of another EL element according to the present invention.

【図4】本発明によるアクティブマトリクス用薄膜トラ
ンジスタを含むEL素子画素ののレイアウト図である。
FIG. 4 is a layout diagram of an EL element pixel including an active matrix thin film transistor according to the present invention.

【図5】アクティブマトリクス用ディスプレイの回路図
である。
FIG. 5 is a circuit diagram of an active matrix display.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ディスプレイユニット、3…走査線、4…走査線ド
ライバ、5…データ線、6…データ線ドライバ、7…信
号線、8…コネクタ、11…芯線、12…発光層、13
…スペーサ、14…透明フィルム、15…透明電極、1
6…プリント基板、17…配線、22…データ線パタ−
ン、24、25、26…色発光層、28…絶縁体、30
…スルーホール、31…配線、32…ドライバIC、4
1…走査線、42…データ線、43、47…ゲート線パ
タ−ン、44…ソ−ス電極パタ−ン、45…ドレイン電
極パタ−ン、46…スルーホール、50…透明電極パタ
−ン、51…発光素子、53、54…薄膜トランジス
タ。
1 ... Display unit, 3 ... Scan line, 4 ... Scan line driver, 5 ... Data line, 6 ... Data line driver, 7 ... Signal line, 8 ... Connector, 11 ... Core wire, 12 ... Light emitting layer, 13
... spacers, 14 ... transparent film, 15 ... transparent electrodes, 1
6 ... Printed circuit board, 17 ... Wiring, 22 ... Data line pattern
24, 25, 26 ... Color emitting layer, 28 ... Insulator, 30
… Through holes, 31… Wiring, 32… Driver IC, 4
1 ... Scan line, 42 ... Data line, 43, 47 ... Gate line pattern, 44 ... Source electrode pattern, 45 ... Drain electrode pattern, 46 ... Through hole, 50 ... Transparent electrode pattern , 51 ... Light emitting element, 53, 54 ... Thin film transistor.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 裕 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所 生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−229181(JP,A) 特開 昭61−231584(JP,A) 特開 平1−319092(JP,A) 特開 平5−109484(JP,A) 実開 昭55−114992(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05B 33/00 - 33/28 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Yutaka Saito, 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama City, Kanagawa Prefecture, Hitachi, Ltd., Institute of Industrial Science (56) Reference JP-A-62-229181 (JP, A) JP 61-231584 (JP, A) JP-A-1-319092 (JP, A) JP-A-5-109484 (JP, A) Actual development Sho-55-114992 (JP, U) (58) Fields investigated (Int .Cl. 7 , DB name) H05B 33/00-33/28

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】有機EL膜の発光層で被覆した金属導体よ
りなる複数の芯線と、この芯線間を絶縁するためのスペ
ーサと、複数の線状の透明電極パタ−ンを形成した透明
フィルムとを備え、上記透明フィルム上の透明電極パタ
−ンに交差させて上記芯線とスペーサを交互に配置
し、上記芯線と透明電極間に印加する電圧により上記発
光層を発光するように構成した有機薄膜ELディスプレ
イ装置であって、上記芯線とスペーサを交互に配置し
た透明フィルムを接着するプリント基板を設け、上記透
明フィルムの芯線側をプリント基板の片面に接着し、上
記芯線と透明フィルムのそれぞれを上記プリント基板の
縁部にて折り曲げ、プリント基板の他面側の回路パタ−
ンに電気的に接続するようにしたことを特徴とする有機
ELディスプレイ装置。
1. A plurality of core wires made of a metal conductor coated with a light emitting layer of an organic EL film, spacers for insulating between the core wires, and a transparent film having a plurality of linear transparent electrode patterns formed thereon. Equipped with a transparent electrode pattern on the transparent film
- by intersecting the emissions are alternately arranged and the core and the spacer, an organic thin film EL configured to emit the light emitting layer by voltage applied between the core wire and the transparent electrode Display
A Lee apparatus, the printed circuit board to adhere the transparent film are alternately arranged with the core and the spacer is provided, adhered to the core side of the transparent film on one side of the printed circuit board, said each of the above core and transparent film Bend at the edge of the printed circuit board, and the circuit pattern on the other side of the printed circuit board.
The organic EL display device is characterized in that it is electrically connected to the monitor.
【請求項2】上記プリント基板の他面側にドライバー回
路および/または中央演算回路および/またはメモリ装
置および/または受信、検波回路および/または画像情
報の入出力端子を搭載したことを特徴とする請求項1記
載の有機ELディスプレイ装置。
2. A driver circuit and / or a central processing circuit and / or a memory device and / or a reception / detection circuit and / or an input / output terminal for image information are mounted on the other side of the printed board. Claim 1
On-board organic EL display device.
【請求項3】上記透明フィルム上に凹凸形状を設け、
記凹部には不透明材または電気の良導体を充填し、前記
凸部上には上記透明電極パタ−ンを設けたことを特徴と
する請求項1記載の有機ELディスプレイ装置。
Wherein a concavo-convex shape provided on the transparent film, before
The recess is filled with an opaque material or a good electrical conductor, and
It is characterized in that the transparent electrode pattern is provided on the convex portion.
The organic EL display device according to claim 1 .
【請求項4】上記発光層の抵抗率を0.3〜3×106
Ω・cmとし、膜厚を300〜3000nmとしたこと
を特徴とする請求項1記載の有機ELディスプレイ装
置。
4. The resistivity of the light emitting layer is 0.3 to 3 × 10 6.
The organic EL display device according to claim 1 , wherein the film thickness is set to Ω · cm and the film thickness is set to 300 to 3000 nm.
【請求項5】金属導体よりなる芯線を有機EL膜の発光
層で被覆する工程と、 透明フィルム上に複数の線状の透明電極パターンを形成
する工程と、 上記透明フィルム上の透明電極パターンに交差させて上
記有機EL膜の発光層を被覆した芯線と絶縁スペーサと
を交互に配置する工程と、 上記透明フィルムの芯線側をプリント基板の片面に接着
する工程と、 上記芯線と透明フィルムのそれぞれを上記プリント基板
の縁部で折り曲げ、プリント基板の他面側の回路パター
ンに電気的に接続する工程とを有する有機薄膜ELディ
スプレイ装置の製造方法。
5. A core wire made of a metal conductor is used to emit light from an organic EL film.
Layer coating process and formation of multiple linear transparent electrode patterns on transparent film
And the transparent electrode pattern on the transparent film
A core wire covering the light emitting layer of the organic EL film and an insulating spacer
And the core side of the transparent film is bonded to one side of the printed circuit board.
And the core wire and the transparent film, respectively.
Bend at the edge of the circuit pattern on the other side of the printed circuit board
And an organic thin film EL device
Spray device manufacturing method.
【請求項6】上記発光層を芯線に被覆する工程の後に
前記芯線を陽極酸化処理により絶縁膜を形成する工程を
設け、発光層に被覆されずに露出した芯線の表面に絶縁
膜を形成し発光層の欠陥箇所における短絡不良を低減す
るようにしたことを特徴とする請求項5記載の有機EL
ディスプレイ装置の製造方法。
6. After the step of coating the core wire with the light emitting layer ,
Insulate the core wire is provided a step of forming an insulating film by anodic oxidation treatment, the exposed core surface without being covered with the light-emitting layer
6. The organic EL device according to claim 5 , wherein a film is formed to reduce short circuit defects at defective portions of the light emitting layer.
Display device manufacturing method.
JP14316993A 1993-06-15 1993-06-15 Organic EL display device and manufacturing method thereof Expired - Lifetime JP3452380B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14316993A JP3452380B2 (en) 1993-06-15 1993-06-15 Organic EL display device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14316993A JP3452380B2 (en) 1993-06-15 1993-06-15 Organic EL display device and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH076875A JPH076875A (en) 1995-01-10
JP3452380B2 true JP3452380B2 (en) 2003-09-29

Family

ID=15332526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14316993A Expired - Lifetime JP3452380B2 (en) 1993-06-15 1993-06-15 Organic EL display device and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3452380B2 (en)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11219133A (en) * 1998-02-02 1999-08-10 Tdk Corp Image display unit
JP2005166687A (en) * 1998-12-01 2005-06-23 Sanyo Electric Co Ltd Color el display device
JP2000227771A (en) 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd Color el display device
JP2000227770A (en) 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd Color el display device
JP2005209656A (en) * 1998-12-01 2005-08-04 Sanyo Electric Co Ltd Color electroluminescence display device
JP2000208255A (en) 1999-01-13 2000-07-28 Nec Corp Organic electroluminescent display and manufacture thereof
JP2000298446A (en) * 1999-02-08 2000-10-24 Sony Corp Planar display device
JP2001092381A (en) 1999-09-27 2001-04-06 Nec Corp Organic electroluminescence display and its production
JP2001296830A (en) * 2000-04-13 2001-10-26 Sony Corp Planar display device
JP3818093B2 (en) * 2000-07-07 2006-09-06 セイコーエプソン株式会社 Display and electronic equipment
US6853411B2 (en) * 2001-02-20 2005-02-08 Eastman Kodak Company Light-producing high aperture ratio display having aligned tiles
JP4743038B2 (en) * 2005-08-22 2011-08-10 セイコーエプソン株式会社 Electroluminescence device and manufacturing method thereof
CN101523469B (en) * 2005-11-14 2012-05-30 伊里娜·基留谢夫 Display module and tiled display manufacturing method
DE102008052806A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-29 Reinhard Cordes insulating glass pane
JP5854746B2 (en) 2010-10-15 2016-02-09 日東電工株式会社 Top emission type organic electroluminescence light emitting device and manufacturing method thereof
CN103296048B (en) * 2013-05-22 2016-05-25 安徽唯象光电技术有限公司 A kind of ray structure and display device based on electroluminescent principle
WO2023053500A1 (en) * 2021-09-30 2023-04-06 ソニーグループ株式会社 Display module production method and display module

Also Published As

Publication number Publication date
JPH076875A (en) 1995-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3452380B2 (en) Organic EL display device and manufacturing method thereof
CN1331219C (en) Semiconductor chip installed substrate, electro-optical evice, liquid crystal device, electroluminescent device and electronic machine
US6838819B2 (en) Full color organic EL display panel, manufacturing method thereof and driving circuit thereof
US11588085B2 (en) Light emitting drive substrate and manufacturing method thereof, light emitting substrate and display device
CN100539245C (en) Organic electro-luminescence display device and manufacture method thereof
WO2021160090A1 (en) Display panel and display device
CN107808602B (en) Display device
JP2840641B2 (en) High efficiency panel display
US6541919B1 (en) Electrical interconnection of light-emitting fibers, and method therefor
JP2007538286A (en) Display device adopting printed circuit board as lower plate
US6882103B2 (en) Panel of organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
KR100459135B1 (en) display panel in organic electroluminescence and production method of the same
JP2006114504A (en) Organic electroluminescence display device and its manufacturing method
US7452567B2 (en) Method for fabricating color filter of liquid crystal display device
JP2010016008A (en) Electronic device and electronic apparatus
KR20010098477A (en) Direct-view-type display apparatus
JPH1055887A (en) Matrix display device
US6560398B1 (en) Light-emitting fiber, and method for making same
KR100196737B1 (en) A two-dimentional organic thin film electroluminescence display unit
KR101182302B1 (en) Liquid Crystal Display Device and method of manufacturing the same
JPH09306665A (en) Organic thin film electrolijminescence element and manufacture thereof
EP4068367A1 (en) Display apparatus using semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
US20030020404A1 (en) Method of fabricating a plasma display panel and a front plate of the plasma display panel
KR100747236B1 (en) Organic Electro-Luminescence Display Device And Fabricating Method Thereof
KR200150443Y1 (en) Electrode connection device of flat display panel

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070718

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080718

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080718

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090718

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090718

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100718

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100718

Year of fee payment: 7

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100718

Year of fee payment: 7

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100718

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718

Year of fee payment: 8

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718

Year of fee payment: 8

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718

Year of fee payment: 8

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S631 Written request for registration of reclamation of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718

Year of fee payment: 8

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130718

Year of fee payment: 10

EXPY Cancellation because of completion of term