JP3450546B2 - Thin film magnetic head - Google Patents
Thin film magnetic headInfo
- Publication number
- JP3450546B2 JP3450546B2 JP23238595A JP23238595A JP3450546B2 JP 3450546 B2 JP3450546 B2 JP 3450546B2 JP 23238595 A JP23238595 A JP 23238595A JP 23238595 A JP23238595 A JP 23238595A JP 3450546 B2 JP3450546 B2 JP 3450546B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- bias
- magnetic field
- magnetic
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】本発明は、ハードディスク装置の磁気ヘッ
ドなどに設けられて、磁気記録媒体からの洩れ磁界を磁
気抵抗効果を利用して検出する薄膜磁気ヘッドに係り、
特に、バルクハウゼンノイズを改善し、磁気検出特性を
向上させた薄膜磁気ヘッドに関する。The present invention relates to a thin film magnetic head provided in a magnetic head or the like of a hard disk device for detecting a leakage magnetic field from a magnetic recording medium by utilizing a magnetoresistive effect,
In particular, to improve the Barkhausen noise, it relates to thin film magnetic heads with improved magnetic detection characteristics.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５と図６は、磁気抵抗効果層（ＭＲ
層）に対し、横バイアス磁界としてＳＡＬバイアスを与
える薄膜磁気ヘッドの正面図である。また図５では磁気
抵抗効果層（ＭＲ層）に対して縦バイアス磁界を与える
方法がハードバイアス方式であり、図６は縦バイアス磁
界を与える方法がエクスチェンジバイアス方式である。2. Description of the Related Art FIGS. 5 and 6 show a magnetoresistive effect layer (MR
FIG. 3 is a front view of a thin film magnetic head that applies a SAL bias as a lateral bias magnetic field to a layer). Further, in FIG. 5, a method of applying a longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistive effect layer (MR layer) is a hard bias method, and in FIG. 6, a method of applying a longitudinal bias magnetic field is an exchange bias method.
【０００３】図５に示す薄膜磁気ヘッドでは、Ａｌ2Ｏ3
（酸化アルミニウム）などの下部絶縁層１の上に、軟磁
性（ＳＡＬ）層２、非磁性（ＳＨＵＮＴ）層３、磁気抵
抗効果（ＭＲ）層４が順に積層されている。ＭＲ層４
は、Ｘ方向へトラック幅Ｔｗの寸法を有している。例え
ば、ＳＡＬ層２はＣｏ−Ｚｒ−Ｍｏ（コバルト−ジルコ
ニウム−モリブデン）系合金、ＳＨＵＮＴ層３はＴａ
（タンタル）、ＭＲ層４はＦｅ−Ｎｉ（鉄−ニッケル）
合金により成膜される。下部絶縁層１の上にはトラック
幅Ｔｗを開けてＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白金）合金ある
いはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（コバルト−クロム−白金）合金
から成るハードバイアス方式の縦バイアス層５が積層さ
れており、さらにその上にＣｒ（クロム）あるいはＴａ
（タンタル）などから成るリード層６が積層されてい
る。そしてＭＲ層４およびリード層６の上に、Ａｌ2Ｏ3
などの上部絶縁層７が積層されている。In the thin film magnetic head shown in FIG. 5, Al 2 O 3 is used.
A soft magnetic (SAL) layer 2, a nonmagnetic (SHUNT) layer 3, and a magnetoresistive effect (MR) layer 4 are sequentially stacked on a lower insulating layer 1 such as (aluminum oxide). MR layer 4
Has a track width Tw in the X direction. For example, the SAL layer 2 is a Co-Zr-Mo (cobalt-zirconium-molybdenum) alloy, and the SHUNT layer 3 is Ta.
(Tantalum), MR layer 4 is Fe-Ni (iron-nickel)
It is formed of an alloy. On the lower insulating layer 1, a track width Tw is opened and a hard bias type longitudinal bias layer 5 made of a Co-Pt (cobalt-platinum) alloy or a Co-Cr-Pt (cobalt-chromium-platinum) alloy is laminated. In addition, Cr (chromium) or Ta
A lead layer 6 made of (tantalum) or the like is laminated. Then, on the MR layer 4 and the lead layer 6, Al 2 O 3
And the upper insulating layer 7 is laminated.
【０００４】図５に示す薄膜磁気ヘッドでは、縦バイア
ス層５がＸ方向へ永久磁化されたハードバイアス層であ
り、この縦バイアス層５によりＭＲ層４に対してＸ方向
への縦バイアス磁界が与えられ、ＭＲ層４がＸ方向に単
磁区化される。また、ＭＲ層４に対してＹ方向への横バ
イアス磁界を与える横バイアス層としてＳＡＬ層２が用
いられている。リード層６から縦バイアス層５を経てＭ
Ｒ層４にＸ方向への定常電流が与えられると、ＭＲ層４
にＸ軸回りの磁界が発生する。この磁界によりＳＡＬ層
（横バイアス層）２がＹ方向へ磁化され、さらにＳＡＬ
層２がＭＲ層４にもたらす静磁結合エネルギーによっ
て、ＭＲ層４にＹ方向の横バイアス磁界が与えられる。In the thin film magnetic head shown in FIG. 5, the longitudinal bias layer 5 is a hard bias layer which is permanently magnetized in the X direction, and a longitudinal bias magnetic field in the X direction is applied to the MR layer 4 by the longitudinal bias layer 5. Then, the MR layer 4 is made into a single magnetic domain in the X direction. The SAL layer 2 is used as a lateral bias layer that applies a lateral bias magnetic field in the Y direction to the MR layer 4. M from the lead layer 6 through the longitudinal bias layer 5
When a constant current in the X direction is applied to the R layer 4, the MR layer 4
A magnetic field around the X axis is generated at. This magnetic field magnetizes the SAL layer (transverse bias layer) 2 in the Y direction, and
The magnetostatic coupling energy that the layer 2 brings to the MR layer 4 gives a lateral bias magnetic field in the Y direction to the MR layer 4.
【０００５】薄膜磁気ヘッドに対するハードディスクな
どの磁気記録媒体の移動方向はＺ方向であり、磁気記録
媒体から磁気ヘッドに与えられる洩れ磁界の方向はＹ方
向である。この洩れ磁界によりＭＲ層４の磁化の方向が
変わると、ＭＲ層４の電気抵抗が変化する。この抵抗値
の変化が電圧降下として検出され、磁気記録媒体からの
洩れ磁界が検出される。縦バイアス磁界と横バイアス磁
界により、ＭＲ層４の磁化の方向がＸ方向とＹ方向の中
間の角度に向けられ、これにより磁気記録媒体からの洩
れ磁界の変化に対し、ＭＲ層４の電気抵抗の変化が直線
性を有するようになる。The moving direction of the magnetic recording medium such as a hard disk with respect to the thin film magnetic head is the Z direction, and the direction of the leakage magnetic field applied from the magnetic recording medium to the magnetic head is the Y direction. When the direction of the magnetization of the MR layer 4 changes due to this leakage magnetic field, the electric resistance of the MR layer 4 changes. This change in resistance value is detected as a voltage drop, and a leak magnetic field from the magnetic recording medium is detected. The longitudinal bias magnetic field and the transverse bias magnetic field cause the magnetization direction of the MR layer 4 to be oriented at an intermediate angle between the X direction and the Y direction, whereby the electric resistance of the MR layer 4 against the change of the leakage magnetic field from the magnetic recording medium. Changes become linear.
【０００６】図６に示す薄膜磁気ヘッドでは、下部絶縁
層１の上に、ＳＡＬ層２、ＳＨＵＮＴ層３、ＭＲ層４が
順に積層されている。ＭＲ層４の表面にはトラック幅Ｔ
ｗを開けて、縦バイアス層８とリード層６が積層されて
いる。図６では、縦バイアス層８が、例えばＦｅ−Ｍｎ
（鉄−マンガン）合金などで形成された反強磁性層であ
る。縦バイアス層８が積層されているＭＲ層４のＢ領域
では、両層の膜境界面での交換異方性結合により、ＭＲ
層４がＸ方向へ単磁区化され、これに誘発されてトラッ
ク幅Ｔｗ内のＡ領域のＭＲ層４がＸ方向へ単磁区化され
る。また定常電流がリード層６を通ってＭＲ層４に流れ
るときに発生する磁界がＳＡＬ層２をＹ方向へ磁化し、
このＳＡＬ層２がＭＲ層４にもたらす静磁結合エネルギ
ーによって、ＭＲ層４にＹ方向の横バイアス磁界が与え
られる。そして図５に示したものと同様に、磁気記録媒
体からの洩れ磁界の変化に対しＭＲ層４の電気抵抗の変
化が直線性を持つものとなる。In the thin film magnetic head shown in FIG. 6, a SAL layer 2, a SHUNT layer 3 and an MR layer 4 are sequentially laminated on a lower insulating layer 1. The track width T is formed on the surface of the MR layer 4.
Opening w, the vertical bias layer 8 and the lead layer 6 are laminated. In FIG. 6, the vertical bias layer 8 is, for example, Fe-Mn.
It is an antiferromagnetic layer formed of an (iron-manganese) alloy or the like. In the region B of the MR layer 4 in which the longitudinal bias layer 8 is laminated, the MR due to the exchange anisotropic coupling at the film boundary surface of both layers.
The layer 4 is made into a single magnetic domain in the X direction, and by this, the MR layer 4 in the region A within the track width Tw is made into a single magnetic domain in the X direction. Further, a magnetic field generated when a steady current flows through the MR layer 4 through the lead layer 6 magnetizes the SAL layer 2 in the Y direction,
The magnetostatic coupling energy that the SAL layer 2 brings to the MR layer 4 gives a lateral bias magnetic field in the Y direction to the MR layer 4. Then, like the one shown in FIG. 5, the change in the electric resistance of the MR layer 4 becomes linear with respect to the change in the leakage magnetic field from the magnetic recording medium.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】図５および図６に示す
薄膜磁気ヘッドでは、縦バイアス層５または縦バイアス
層８からＭＲ層４に与えられるＸ方向の縦バイアス磁界
と、ＳＡＬ層２との静磁結合エネルギーによりＭＲ層４
にＹ方向に与えられる横バイアス磁界とにより、ＭＲ層
４の磁化の方向がＸ軸方向とＹ軸方向の中間の角度に設
定され、これにより磁気記録媒体からの洩れ磁界の変化
に対し、電気抵抗値の変化が直線性を有するように設定
される。したがって、ＭＲ層４にＸ方向への縦バイアス
磁界を与えると共に、ＭＲ層４に対してＹ方向へ所定の
大きさの横バイアス磁界を与え、ＭＲ層４の磁化方向を
Ｘ軸方向とＹ軸方向の中間の角度に安定して向けること
が、バルクハウゼンノイズを低減する上で重要な要件と
なる。In the thin film magnetic head shown in FIGS. 5 and 6, the longitudinal bias magnetic field in the X direction given from the longitudinal bias layer 5 or the longitudinal bias layer 8 to the MR layer 4 and the SAL layer 2 are formed. MR layer 4 due to magnetostatic coupling energy
The transverse bias magnetic field applied in the Y direction sets the direction of magnetization of the MR layer 4 to an intermediate angle between the X-axis direction and the Y-axis direction. The change in resistance value is set to have linearity. Therefore, a longitudinal bias magnetic field in the X direction is applied to the MR layer 4 and a lateral bias magnetic field of a predetermined magnitude is applied in the Y direction to the MR layer 4 so that the MR layer 4 is magnetized in the X axis direction and the Y axis direction. Stable aiming at an intermediate angle is an important requirement for reducing Barkhausen noise.
【０００８】図５と図６に示す従来の薄膜磁気ヘッドで
は、ＭＲ層４に対して横バイアス磁界を与える方法とし
てＳＡＬバイアスが使用されている。このＳＡＬバイア
スは、ＭＲ層４に電流を与え、ＭＲ層４にＸ軸回りの磁
界を発生させてＳＡＬ層２を磁化させ、さらにＳＡＬ層
２からＭＲ層４に対し静磁結合エネルギーによるＹ方向
への横バイアス磁界を与えるものとなっている。In the conventional thin film magnetic head shown in FIGS. 5 and 6, SAL bias is used as a method for applying a lateral bias magnetic field to the MR layer 4. This SAL bias applies a current to the MR layer 4 to generate a magnetic field around the X axis in the MR layer 4 to magnetize the SAL layer 2, and further, the SAL layer 2 causes the MR layer 4 to move in the Y direction by magnetostatic coupling energy. It is intended to give a lateral bias magnetic field to.
【０００９】しかしながら、上記のＳＡＬバイアスによ
る横バイアス磁界は、外部磁界の影響を受けやすく、外
部磁界が変化すると、ＭＲ層４に与えられる横バイアス
磁界が変動し、ＭＲ層４の磁化の方向が不安定になる。
またＳＡＬ層２からの横バイアス磁界を充分に発生させ
るためには、ＭＲ層４に大きな電流を与えることが必要
である。しかし実際の薄膜磁気ヘッドでは、定常電流が
ＭＲ層４のみならずＳＡＬ層２およびＳＨＵＮＴ層３に
も分流するため、ＭＲ層４のみに大きな電流を与えるこ
とが困難である。したがって、充分な横バイアス磁界を
発生させるのが難しい。However, the lateral bias magnetic field due to the SAL bias is easily affected by the external magnetic field, and when the external magnetic field changes, the lateral bias magnetic field applied to the MR layer 4 changes and the direction of magnetization of the MR layer 4 changes. Becomes unstable.
Further, in order to sufficiently generate the lateral bias magnetic field from the SAL layer 2, it is necessary to give a large current to the MR layer 4. However, in an actual thin-film magnetic head, it is difficult to give a large current only to the MR layer 4 because the steady current is shunted not only to the MR layer 4 but also to the SAL layer 2 and the SHUNT layer 3. Therefore, it is difficult to generate a sufficient lateral bias magnetic field.
【００１０】また図５に示す、ハードバイアス方式の縦
バイアス層５が使用されたものでは、ＳＡＬ層２の両側
に縦バイアス層５が接触しているため、縦バイアス層５
からのＸ方向の磁界によりＳＡＬ層２の磁化方向が影響
を受け、ＭＲ層４にＸ軸回りの磁界が発生してＳＡＬ層
２がＹ方向に磁化されるとき、その磁化の方向が安定せ
ず、よってＭＲ層４に対してＹ方向へ与えられる横バイ
アス磁界が不安定になりやすいものとなっている。Further, in the case where the vertical bias layer 5 of the hard bias system shown in FIG. 5 is used, since the vertical bias layer 5 is in contact with both sides of the SAL layer 2, the vertical bias layer 5 is formed.
When the SAL layer 2 is magnetized in the Y direction by generating a magnetic field around the X axis in the MR layer 4 by the magnetic field in the X direction from the SAL layer 2, the direction of the magnetization is stabilized. Therefore, the lateral bias magnetic field applied to the MR layer 4 in the Y direction is likely to become unstable.
【００１１】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、磁気抵抗効果層に安定した横バイアス磁界を与え
ることができるようにして、バルクハウゼンノイズを低
減できる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としてい
る。[0011] The present invention has been made to solve the conventional problems described above, so as to be able to provide a transverse bias magnetic field stable to the magnetoresistive layer, to provide a thin film magnetic heads can be reduced Barkhausen noise It is an object.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、縦バイアス層
により単磁区化される磁気抵抗効果層と、前記磁気抵抗
効果層に横バイアス磁界を与える横バイアス層とを有
し、前記磁気抵抗効果層の磁化変動により電気抵抗が変
化する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記横バイアス層は、
下から反強磁性層、磁性体層の順に積層されて構成さ
れ、前記反強磁性層はα−Ｆｅ2Ｏ3で形成され、前記磁
性体層は、前記反強磁性層との交換結合磁界により横方
向に磁化されており、前記磁性体層の上に非磁性層を介
して前記磁気抵抗効果層が形成されていることを特徴と
するものである。The present invention has a magnetoresistive effect layer that is made into a single domain by a longitudinal bias layer, and a lateral bias layer that applies a lateral bias magnetic field to the magnetoresistive effect layer.
However, the electric resistance changes due to the fluctuation of the magnetization of the magnetoresistive layer.
In the thin film magnetic head, the lateral bias layer is
An antiferromagnetic layer and a magnetic layer are stacked in this order from the bottom, the antiferromagnetic layer is formed of α-Fe 2 O 3 , and the magnetic layer is an exchange coupling magnetic field with the antiferromagnetic layer. Are laterally magnetized by a non-magnetic layer on the magnetic layer.
Those characterized that you have been formed the magnetoresistive layer is.
【００１３】[0013]
【００１４】[0014]
【００１５】また、磁気抵抗効果層に縦バイアス磁界を
与える縦バイアス層としては、磁気抵抗効果層の両側に
位置して縦方向に永久磁化されたハードバイアス層、ま
たは磁気抵抗効果層に密着し交換異方性結合により磁気
抵抗効果層に縦バイアス磁界を与えるエクスチェンジバ
イアス層が用いられる。As the longitudinal bias layers for applying a longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistive effect layer, hard bias layers which are located on both sides of the magnetoresistive effect layer and which are permanently magnetized in the longitudinal direction, or which are in close contact with the magnetoresistive effect layer. An exchange bias layer that gives a longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistive layer by exchange anisotropic coupling is used.
【００１６】[0016]
【００１７】また本発明では、前記縦バイアス層として
の反強磁性層は、前記磁気抵抗効果層の上に形成され、
前記横バイアス層の反強磁性層と、前記縦バイアス層と
しての反強磁性層は、ブロッキング温度が相違する材料
で形成されることが好ましい。 Further, in the present invention , as the vertical bias layer,
An antiferromagnetic layer of is formed on the magnetoresistive layer,
The antiferromagnetic layer of the lateral bias layer and the antiferromagnetic layer as the longitudinal bias layer are preferably formed of materials having different blocking temperatures .
【００１８】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、横バイアス
層が、磁性体層と、この磁性体層を交換異方性結合によ
り一方向に磁化する反強磁性層とで構成されている。よ
って横バイアス層は、自らが横方向へ安定して単磁区化
され磁化され、横バイアス層から磁気抵抗効果層に充分
に大きい安定した横バイアス磁界が与えられる。したが
って、磁気抵抗効果層では、磁化の方向がＸ軸方向とＹ
軸方向の中間の向きに確実に向けられ、バルクハウゼン
ノイズが低減できるものとなる。[0018] In the thin film magnetic head of the present invention, the transverse bias layer, and the magnetic layer, and an antiferromagnetic layer to magnetize in one direction by exchange anisotropy coupling the magnetic layer. Therefore, the lateral bias layer itself is stably laterally turned into a single domain and magnetized, and a sufficiently large stable lateral bias magnetic field is applied from the lateral bias layer to the magnetoresistive effect layer. Therefore, in the magnetoresistive effect layer, the directions of magnetization are X-axis direction and Y-axis direction.
The barkhausen noise can be reduced because the barkhausen noise can be reliably oriented in the middle of the axial direction.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】図１と図２は、本発明の第１の実
施形態と第２の実施形態の薄膜磁気ヘッドの正面図であ
り、共に縦バイアス層としてハードバイアス層が設けら
れているものである。図１に示す薄膜磁気ヘッドは、Ａ
ｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）などの下部絶縁層１の上
に、下部反強磁性層９ｂ、磁性体層９ａ、非磁性（ＳＨ
ＵＮＴ）層３、磁気抵抗効果（ＭＲ）層４が下から順に
積層されている。下部反強磁性層９ｂは例えばＮｉＯ
（酸化ニッケル）、Ｎｉ−Ｍｎ（ニッケル−マンガン）
合金、Ｐｔ−Ｍｎ（白金−マンガン）合金、Ｆｅ−Ｍｎ
（鉄−マンガン）合金などで形成され、磁性体層９ａは
Ｆｅ−Ｎｉ（鉄−ニッケル）系合金などで形成されてい
る。図１に示す例では、磁性体層９ａと下部反強磁性層
９ｂとで横バイアス層９が構成されている。下部反強磁
性層９ｂと磁性体層９ａとの交換異方性結合により、磁
性体層９ａがＹ方向へ単磁区化されて磁化され、その磁
界により、ＭＲ層４に対し、Ｙ方向への横バイアス磁界
が与えられるものとなっている。1 and 2 are front views of a thin film magnetic head according to a first embodiment and a second embodiment of the present invention, in which a hard bias layer is provided as a vertical bias layer. There is something. The thin film magnetic head shown in FIG.
On the lower insulating layer 1 such as l 2 O 3 (aluminum oxide), the lower antiferromagnetic layer 9b, the magnetic layer 9a, the non-magnetic (SH
The UNT) layer 3 and the magnetoresistive (MR) layer 4 are laminated in order from the bottom. The lower antiferromagnetic layer 9b is made of, for example, NiO.
(Nickel oxide), Ni-Mn (nickel-manganese)
Alloy, Pt-Mn (platinum-manganese) alloy, Fe-Mn
The magnetic layer 9a is formed of an (iron-manganese) alloy or the like, and the magnetic layer 9a is formed of a Fe-Ni (iron-nickel) alloy or the like. In the example shown in FIG. 1, the lateral bias layer 9 is composed of the magnetic layer 9a and the lower antiferromagnetic layer 9b. Due to the exchange anisotropic coupling between the lower antiferromagnetic layer 9b and the magnetic layer 9a, the magnetic layer 9a is magnetized by becoming a single magnetic domain in the Y direction, and the magnetic field thereof causes the MR layer 4 to move in the Y direction. A lateral bias magnetic field is applied.
【００２０】また、ＳＨＵＮＴ層３はＴａ（タンタル）
などの非磁性材料により形成され、ＭＲ層４はＮｉ−Ｆ
ｅ（ニッケル−鉄）合金などにより形成されている。ト
ラック幅Ｔｗを開けた両側では、下部絶縁層１の上に縦
バイアス層５が成膜されている。この縦バイアス層５
は、下部反強磁性層９ｂ、磁性体層９ａ、ＳＨＵＮＴ層
３およびＭＲ層４の両端面に密着して成膜されている。
この縦バイアス層５は、保磁力の大きい強磁性材料で、
例えばＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白金）合金やＣｏ−Ｃｒ
−Ｔａ（コバルト−クロム−タンタル）合金などにより
形成され、縦バイアス層５はＸ方向へ永久磁化されたハ
ードバイアス層となっている。縦バイアス層５の上に
は、Ｃｒ（クロム）やＴａ（タンタル）などの比抵抗の
小さい材料により形成されたリード層６が積層されてい
る。The SHUNT layer 3 is made of Ta (tantalum).
And the MR layer 4 is made of Ni-F.
e (nickel-iron) alloy or the like. Vertical bias layers 5 are formed on the lower insulating layer 1 on both sides where the track width Tw is opened. This longitudinal bias layer 5
Are deposited in close contact with both end surfaces of the lower antiferromagnetic layer 9b, the magnetic layer 9a, the SHUNT layer 3 and the MR layer 4.
The longitudinal bias layer 5 is a ferromagnetic material having a large coercive force,
For example, Co-Pt (cobalt-platinum) alloy or Co-Cr
The vertical bias layer 5 is a hard bias layer that is permanently magnetized in the X direction and is formed of a -Ta (cobalt-chromium-tantalum) alloy or the like. A lead layer 6 made of a material having a small specific resistance such as Cr (chromium) or Ta (tantalum) is laminated on the vertical bias layer 5.
【００２１】図１に示す薄膜磁気ヘッドでは、縦バイア
ス層５がハードバイアス層であり、ハードバイアス層の
Ｘ方向への永久磁化により、ＭＲ層４がＸ方向へ単磁区
化されて磁化される。また下部反強磁性層９ｂは交換異
方性結合により磁性体層９ａをＹ方向へ単磁区化させ磁
化させるように機能する。磁性体層９ａは前記交換異方
性結合により、Ｙ方向へ確実に磁化されるため、この磁
性体層９ａの磁化によりＭＲ層４に対しＹ方向への静磁
結合エネルギーを与え、ＭＲ層４にＹ方向への安定した
横バイアス磁界を与えることができる。また定常電流
は、リード層６から縦バイアス層５を経てＭＲ層４に与
えられ、ＭＲ層４ではＸ軸回りの磁界が発生し、磁性体
層９ａはこのＭＲ層４からの磁界の影響も受ける。すな
わち、磁性体層９ａは、下部反強磁性層９ｂとの交換異
方性結合、および定常電流によりＭＲ層４に発生した磁
界の双方によりＹ方向へ磁化され、その磁界によりＭＲ
層４に安定した横バイアス磁界が与えられる。In the thin film magnetic head shown in FIG. 1, the longitudinal bias layer 5 is a hard bias layer, and the permanent magnetization in the X direction of the hard bias layer causes the MR layer 4 to be magnetized by being made into a single magnetic domain in the X direction. . The lower antiferromagnetic layer 9b functions so as to magnetize the magnetic layer 9a by making it into a single magnetic domain in the Y direction by exchange anisotropic coupling. Since the magnetic material layer 9a is magnetized in the Y direction with certainty due to the exchange anisotropic coupling, the magnetization of the magnetic material layer 9a gives magnetostatic coupling energy in the Y direction to the MR layer 4 and the MR layer 4a. It is possible to apply a stable lateral bias magnetic field in the Y direction. A steady current is applied to the MR layer 4 from the lead layer 6 through the longitudinal bias layer 5, a magnetic field around the X axis is generated in the MR layer 4, and the magnetic layer 9a is also affected by the magnetic field from the MR layer 4. receive. That is, the magnetic layer 9a is magnetized in the Y direction by both the exchange anisotropic coupling with the lower antiferromagnetic layer 9b and the magnetic field generated in the MR layer 4 by the steady current, and the magnetic field causes the MR
A stable transverse bias magnetic field is applied to the layer 4.
【００２２】ハードバイアス層による縦バイアス磁界
と、前記磁性体層９ａからの横バイアス磁界とにより、
ＭＲ層４の磁化の方向は、Ｘ軸方向とＹ軸方向の中間の
向きに安定する。磁気記録媒体からの洩れ磁界はＹ方向
へ与えられ、この洩れ磁界に応じてＭＲ層４の磁化の方
向が変化し、電気抵抗値が変化するが、ＭＲ層４では安
定した横バイアス磁界により磁化の方向が安定している
ため、洩れ磁界の変化に対する電気抵抗値の変化の直線
性に優れ、バルクハウゼンノイズを低下できるようにな
る。By the longitudinal bias magnetic field from the hard bias layer and the lateral bias magnetic field from the magnetic layer 9a,
The magnetization direction of the MR layer 4 is stabilized in the intermediate direction between the X-axis direction and the Y-axis direction. The leakage magnetic field from the magnetic recording medium is applied in the Y direction, and the direction of magnetization of the MR layer 4 changes according to the leakage magnetic field, and the electric resistance value changes. Since the direction of is stable, the linearity of the change of the electric resistance value with respect to the change of the leakage magnetic field is excellent, and the Barkhausen noise can be reduced.
【００２３】図１に示す薄膜磁気ヘッドでは、各層がス
パッタ成膜された後に下部反強磁性層９ｂがＹ方向への
交換異方性を発揮できるように処理され、またハードバ
イアス層である縦バイアス層５をＸ方向へ永久磁化させ
るための処理が行われる。この処理方法として、まず最
初に、各層の成膜が完了したものを、Ｙ方向の磁界中に
おいて、下部反強磁性層９ｂのブロッキング温度（キュ
リー点温度）以上の温度に加熱する。これにより下部反
強磁性層９ｂにＹ方向への交換異方性を持たせることが
できる。次に、縦バイアス層５の保磁力以上の大きさの
Ｘ方向への磁界を与え、縦バイアス層５をＸ方向へ永久
磁化される。このとき、前記ブロッキング温度以下でＸ
方向への磁界を与えれば、下部反強磁性層９ｂの交換異
方性がＸ方向の磁界の影響を受けることがない。あるい
は最初に縦バイアス層５の保磁力以上の大きさのＸ方向
への磁界を与えて、縦バイアス層５をＸ方向へ永久磁化
させ、次に下部反強磁性層９ｂのブロッキング温度以上
に加熱し、このときＹ方向へ前記保磁力よりも小さい磁
界をＸ方向へ与えて、下部反強磁性層９ｂに対しＹ方向
への交換異方性を持たせるようにしてもよい。上記工程
により、縦バイアス層５をＸ方向へ永久磁化させ、また
下部反強磁性層９ｂと磁性体層９ａとの交換異方性結合
によりＹ方向への横バイアス磁界を発生させることが可
能になる。In the thin-film magnetic head shown in FIG. 1, the lower antiferromagnetic layer 9b is processed so as to exhibit the exchange anisotropy in the Y direction after each layer is formed by sputtering, and the vertical anti-ferromagnetic layer 9b is a hard bias layer. A process for permanently magnetizing the bias layer 5 in the X direction is performed. As this processing method, first, the film formation of the respective layers is heated to a temperature equal to or higher than the blocking temperature (Curie point temperature) of the lower antiferromagnetic layer 9b in the magnetic field in the Y direction. This allows the lower antiferromagnetic layer 9b to have exchange anisotropy in the Y direction. Next, a magnetic field in the X direction having a magnitude greater than or equal to the coercive force of the vertical bias layer 5 is applied to permanently magnetize the vertical bias layer 5 in the X direction. At this time, when the temperature is below the blocking temperature, X
When a magnetic field in the direction is applied, the exchange anisotropy of the lower antiferromagnetic layer 9b is not affected by the magnetic field in the X direction. Alternatively, first, a magnetic field in the X direction having a magnitude greater than or equal to the coercive force of the longitudinal bias layer 5 is applied to permanently magnetize the longitudinal bias layer 5 in the X direction, and then heated above the blocking temperature of the lower antiferromagnetic layer 9b. However, at this time, a magnetic field smaller than the coercive force in the Y direction may be applied in the X direction so that the lower antiferromagnetic layer 9b has exchange anisotropy in the Y direction. Through the above steps, the longitudinal bias layer 5 can be permanently magnetized in the X direction, and a transverse bias magnetic field in the Y direction can be generated by exchange anisotropic coupling between the lower antiferromagnetic layer 9b and the magnetic layer 9a. Become.
【００２４】また、図１に示す薄膜磁気ヘッドにおい
て、下部反強磁性層９ｂとしてα−Ｆｅ2Ｏ3を使用して
もよい。α−Ｆｅ2Ｏ3は耐腐蝕性に優れた材料であり、
この材料を使用することにより、耐食性に優れた薄膜磁
気ヘッドを構成できる。またα−Ｆｅ2Ｏ3は、ＮｉＯ、
Ｎｉ−Ｍｎ合金、Ｐｔ−Ｍｎ合金、Ｆｅ−Ｍｎ合金と同
様に、磁性体層９ａに対し数十（Ｏｅ；エルステッド）
の交換異方性磁界（Ｈｅｘ）を与えることができる。し
かもα−Ｆｅ2Ｏ3と密着した磁性体層９ａは保磁力（Ｈ
ｃ）が大きくなり、その保磁力は数百（Ｏｅ）に達し、
この保持力は、通常のハードバイアス方式におけるハー
ド膜の保持力に匹敵する。よって、下部反強磁性層９ｂ
としてα−Ｆｅ2Ｏ3を用いると、磁性体層９ａは交換異
方性結合によりＹ方向に磁化されるのみならず、永久磁
化によってもＹ方向への磁界を発生でき、ＭＲ層４に与
えられる横バイアス磁界がさらに安定したものとなる。In the thin film magnetic head shown in FIG. 1, α-Fe 2 O 3 may be used as the lower antiferromagnetic layer 9b. α-Fe 2 O 3 is a material with excellent corrosion resistance,
By using this material, a thin film magnetic head having excellent corrosion resistance can be constructed. Further, α-Fe 2 O 3 is NiO,
Like the Ni—Mn alloy, the Pt—Mn alloy, and the Fe—Mn alloy, dozens (Oe; Oersted) for the magnetic layer 9a.
The exchange anisotropic magnetic field (Hex) can be applied. Moreover, the magnetic layer 9a in close contact with α-Fe 2 O 3 has a coercive force (H
c) becomes large, its coercive force reaches several hundreds (Oe),
This holding power is comparable to the holding power of the hard film in the usual hard bias system. Therefore, the lower antiferromagnetic layer 9b
When α-Fe 2 O 3 is used as the magnetic field, the magnetic layer 9a is not only magnetized in the Y direction by exchange anisotropic coupling, but also can be generated by permanent magnetization to generate a magnetic field in the Y direction. The generated lateral bias magnetic field becomes more stable.
【００２５】図２に示す薄膜磁気ヘッドは、図１に示し
たものにおいて磁性体層９ａおよび下部反強磁性層９ｂ
の代わりの横バイアス層としてハード層１０を形成した
ものであり、図２におけるハード層１０以外の層の構造
は図１に示したものと同じである。ハード層１０は例え
ばＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ（コバルト−ニッケル−白金）合金
などの保磁力の大きい磁性材料で形成されて、Ｙ方向に
永久磁化されている。The thin film magnetic head shown in FIG. 2 is similar to that shown in FIG. 1 in that the magnetic layer 9a and the lower antiferromagnetic layer 9b are provided.
The hard layer 10 is formed as a lateral bias layer instead of, and the structure of layers other than the hard layer 10 in FIG. 2 is the same as that shown in FIG. The hard layer 10 is made of a magnetic material having a large coercive force, such as a Co—Ni—Pt (cobalt-nickel-platinum) alloy, and is permanently magnetized in the Y direction.
【００２６】この薄膜磁気ヘッドでは、横バイアス層で
あるハード層１０がＹ方向へ永久磁化されているため、
このハード層１０のＹ方向への磁化により、ＭＲ層４に
対してＹ方向へ安定した横バイアス磁界を与えることが
できる。また縦バイアス層５のＸ方向への永久磁化によ
り、ＭＲ層４にＸ方向への縦バイアス磁界が与えられ
る。この縦バイアス磁界と前記横バイアス磁界とで、Ｍ
Ｒ層４の磁化の方向が、Ｘ軸方向とＹ軸方向の中間へ安
定して向けられ、磁気記録媒体からの洩れ磁界の変化に
対して、ＭＲ層４の電気抵抗値の変化が直線性を保つよ
うになる。In this thin film magnetic head, the hard layer 10 which is the lateral bias layer is permanently magnetized in the Y direction.
By magnetizing the hard layer 10 in the Y direction, a stable transverse bias magnetic field can be applied to the MR layer 4 in the Y direction. Further, the longitudinal magnetization of the longitudinal bias layer 5 in the X direction gives a longitudinal bias magnetic field in the X direction to the MR layer 4. With this longitudinal bias magnetic field and the lateral bias magnetic field, M
The magnetization direction of the R layer 4 is stably oriented in the middle of the X-axis direction and the Y-axis direction, and the change of the electric resistance value of the MR layer 4 is linear with respect to the change of the leakage magnetic field from the magnetic recording medium. Will be kept.
【００２７】図２に示した薄膜磁気ヘッドでは、縦バイ
アス層５と、横バイアス層であるハード層１０とが、共
に永久磁化されたハードバイアス層であり、また縦バイ
アス層５の磁化の方向（Ｘ方向）と、ハード層１０の磁
化の方向（Ｙ方向）とは直交している。このように、異
なる方向へ磁化されたハードバイアス層を設けるために
は、縦バイアス層５とハード層１０とを保磁力の相違す
る材料により形成すればよい。In the thin film magnetic head shown in FIG. 2, both the longitudinal bias layer 5 and the lateral bias layer hard layer 10 are permanent magnetized hard bias layers, and the longitudinal bias layer 5 has a magnetization direction. The (X direction) is orthogonal to the magnetization direction of the hard layer 10 (Y direction). Thus, in order to provide the hard bias layers magnetized in different directions, the longitudinal bias layer 5 and the hard layer 10 may be formed of materials having different coercive forces.
【００２８】例えば、縦バイアス層５をハード層１０よ
りも保持力の大きい材料により形成する。薄膜磁気ヘッ
ドの各層が成膜された状態で、保磁力の大きい縦バイア
ス層５を最初に磁化する。すなわち、縦バイアス層５の
保持力よりも大きいＸ方向への磁界を与えて縦バイアス
層５をＸ方向へ磁化する。次に、縦バイアス層５の保磁
力よりも小さく且つハード層１０の保磁力よりも大きい
Ｙ方向への磁界を与え、ハード層１０をＹ方向へ磁化さ
せればよい。なお、ハード層１０を縦バイアス層５より
も保磁力の大きい材料により形成した場合には、最初に
ハード層１０をＹ方向へ磁化させ、次に縦バイアス層５
をＸ方向へ磁化させればよい。For example, the vertical bias layer 5 is formed of a material having a holding power larger than that of the hard layer 10. With each layer of the thin-film magnetic head deposited, the longitudinal bias layer 5 having a large coercive force is first magnetized. That is, the longitudinal bias layer 5 is magnetized in the X direction by applying a magnetic field in the X direction that is larger than the coercive force of the longitudinal bias layer 5. Next, a magnetic field in the Y direction that is smaller than the coercive force of the longitudinal bias layer 5 and larger than the coercive force of the hard layer 10 is applied to magnetize the hard layer 10 in the Y direction. When the hard layer 10 is made of a material having a coercive force larger than that of the longitudinal bias layer 5, the hard layer 10 is first magnetized in the Y direction, and then the longitudinal bias layer 5 is formed.
Should be magnetized in the X direction.
【００２９】図３と図４は、本発明の第３の実施形態と
第４の実施形態を示す薄膜磁気ヘッドの正面図であり、
共に縦バイアス層として反強磁性層が用いられたエクス
チェンジバイアス方式である。図３に示す薄膜磁気ヘッ
ドは、下部絶縁層１の上に下部反強磁性層９ｂ、磁性体
層９ａ、ＳＨＵＮＴ層３、ＭＲ層４が下から順に積層さ
れている。ＭＲ層４の上にはトラック幅（Ｔｗ）を開け
て縦バイアス層８が積層されており、さらにその上にリ
ード層６が積層されている。リード層６およびＭＲ層４
の上には上部絶縁層７が積層されている。3 and 4 are front views of a thin film magnetic head showing a third embodiment and a fourth embodiment of the present invention, respectively.
Both are exchange bias methods in which an antiferromagnetic layer is used as a longitudinal bias layer. In the thin-film magnetic head shown in FIG. 3, a lower antiferromagnetic layer 9b, a magnetic layer 9a, a SHUNT layer 3, and an MR layer 4 are laminated on the lower insulating layer 1 in order from the bottom. A vertical bias layer 8 is laminated on the MR layer 4 with a track width (Tw) opened, and a lead layer 6 is further laminated thereon. Lead layer 6 and MR layer 4
An upper insulating layer 7 is laminated on the above.
【００３０】図３では、図１に示したものと同様に、下
部反強磁性層９ｂと磁性体層９ａとで、横バイアス層９
が構成されている。下部反強磁性層９ｂには例えばＦｅ
−Ｍｎ合金あるいはＮｉ−Ｍｎ合金などが使用され、磁
性体層９ａはＦｅ−Ｎｉ合金などにより形成されてい
る。また縦バイアス層８はＦｅ−Ｍｎ合金などで形成さ
れている。In FIG. 3, similarly to that shown in FIG. 1, the lateral anti-ferromagnetic layer 9b and the magnetic layer 9a are combined to form the lateral bias layer 9.
Is configured. For the lower antiferromagnetic layer 9b, for example, Fe
-Mn alloy or Ni-Mn alloy is used, and the magnetic layer 9a is formed of Fe-Ni alloy or the like. The vertical bias layer 8 is formed of Fe-Mn alloy or the like.
【００３１】図３に示す薄膜磁気ヘッドでは、縦バイア
ス層８とＭＲ層４との交換異方性結合により、ＭＲ層４
がＸ方向へ単磁区化されて磁化される。また横バイアス
層９では、磁性体層９ａと下部反強磁性層９ｂとの交換
異方性結合により磁性体層９ａがＹ方向へ磁化され、こ
の磁性体層９ａとＭＲ層４との静磁結合エネルギーによ
りＭＲ層４に対してＹ方向への横バイアス磁界が与えら
れる。横バイアス層９での交換異方性結合により、ＭＲ
層４に対して安定した横バイアス磁界が与えられるもの
となる。In the thin film magnetic head shown in FIG. 3, the MR layer 4 is formed by exchange anisotropic coupling between the longitudinal bias layer 8 and the MR layer 4.
Are magnetized by being made into a single magnetic domain in the X direction. In the lateral bias layer 9, the magnetic layer 9a is magnetized in the Y direction by the exchange anisotropic coupling between the magnetic layer 9a and the lower antiferromagnetic layer 9b, and the magnetic layer 9a and the MR layer 4 are magnetized. A lateral bias magnetic field in the Y direction is applied to the MR layer 4 by the binding energy. Due to the exchange anisotropic coupling in the lateral bias layer 9, the MR
A stable transverse bias magnetic field is applied to the layer 4.
【００３２】図３に示すものでは、縦バイアス層８がＸ
方向への交換異方性磁界を発揮する反強磁性層であり、
横バイアス層９の下部反強磁性層９ｂは、Ｙ方向へ交換
異方性磁界を発揮するものとなっている。このように異
なる方向へ交換異方性を有する２つの反強磁性層を設け
る場合には、両反強磁性層を、ブロッキング温度（キュ
リー点温度）の相違する材料により形成すればよい。In the structure shown in FIG. 3, the longitudinal bias layer 8 is X.
Is an antiferromagnetic layer that exerts an exchange anisotropic magnetic field in the direction,
The lower antiferromagnetic layer 9b of the lateral bias layer 9 exerts an exchange anisotropic magnetic field in the Y direction. When two antiferromagnetic layers having exchange anisotropy in different directions are provided as described above, both antiferromagnetic layers may be formed of materials having different blocking temperatures (Curie point temperatures).
【００３３】例えば下部反強磁性層９ｂのブロッキング
温度が縦バイアス層８のブロッキング温度よりも高い場
合には、各層の成膜が完了した時点で、薄膜磁気ヘッド
をＹ方向への磁界を与えて下部反強磁性層９ｂのブロッ
キング温度以上に加熱する。これにより下部反強磁性層
９ｂがＹ方向への交換異方性を有するようになる。次
に、Ｘ方向への磁界を与え、縦バイアス層８のブロッキ
ング温度以上で且つ下部反強磁性層９ｂのブロッキング
温度以下の温度で加熱する。これにより、縦バイアス層
８がＸ方向への交換異方性を有するようになる。なお、
縦バイアス層８のブロッキング温度が下部反強磁性層９
ｂのブロッキング温度よりも高い場合にも、上記と同様
の処理により各層に交換異方性を持たせることができ
る。For example, when the blocking temperature of the lower antiferromagnetic layer 9b is higher than the blocking temperature of the longitudinal bias layer 8, the thin film magnetic head is applied with a magnetic field in the Y direction when the film formation of each layer is completed. The heating is performed to the blocking temperature of the lower antiferromagnetic layer 9b or higher. As a result, the lower antiferromagnetic layer 9b comes to have exchange anisotropy in the Y direction. Next, a magnetic field is applied in the X direction, and heating is performed at a temperature not lower than the blocking temperature of the longitudinal bias layer 8 and not higher than the blocking temperature of the lower antiferromagnetic layer 9b. As a result, the vertical bias layer 8 has exchange anisotropy in the X direction. In addition,
The blocking temperature of the longitudinal bias layer 8 is lower than that of the lower antiferromagnetic layer 9.
Even when the temperature is higher than the blocking temperature of b, each layer can have exchange anisotropy by the same treatment as above.
【００３４】次に、図４に示す薄膜磁気ヘッドは、図３
に示すものにおいて、磁性体層９ａおよび下部反強磁性
層９ｂの代わりの横バイアス層としてハード層１０が設
けられたものである。ハード層１０は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ合金などにより形成され、Ｙ方向へ永久磁化されてい
る。図４に示す薄膜磁気ヘッドでは、ハード層１０のＹ
方向への永久磁化により、ＭＲ層４に対しＹ方向への安
定した横バイアス磁界を与えることができる。この横バ
イアス磁界と、縦バイアス層８の交換異方性結合による
縦バイアス磁界とで、磁気記録媒体からの洩れ磁界に対
するＭＲ層４の抵抗値の変化の直線性を持たせることが
できる。Next, the thin film magnetic head shown in FIG.
2A, the hard layer 10 is provided as a lateral bias layer instead of the magnetic layer 9a and the lower antiferromagnetic layer 9b. The hard layer 10 is Co-Cr-P.
It is formed of a t-alloy or the like and is permanently magnetized in the Y direction. In the thin film magnetic head shown in FIG.
By the permanent magnetization in the direction, a stable transverse bias magnetic field in the Y direction can be applied to the MR layer 4. The lateral bias magnetic field and the longitudinal bias magnetic field due to the exchange anisotropic coupling of the longitudinal bias layer 8 can give linearity in the change of the resistance value of the MR layer 4 with respect to the leakage magnetic field from the magnetic recording medium.
【００３５】図４に示す薄膜磁気ヘッドでは、図１に示
したものと同様に、ハード層１０の保磁力よりも大きい
Ｙ方向の磁界により、ハード層１０をＹ方向へ磁化さ
せ、次にハード層１０の保磁力よりも小さいＸ方向への
磁界を与えて、縦バイアス層８のブロッキング温度以上
の温度で加熱し、縦バイアス層８にＸ方向への交換異方
性を持たせればよい。In the thin film magnetic head shown in FIG. 4, the hard layer 10 is magnetized in the Y direction by a magnetic field in the Y direction which is larger than the coercive force of the hard layer 10, as in the case shown in FIG. A magnetic field in the X direction smaller than the coercive force of the layer 10 may be applied to heat the longitudinal bias layer 8 at a temperature equal to or higher than the blocking temperature to give the longitudinal bias layer 8 exchange anisotropy in the X direction.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、横バイア
ス層として、磁性体層とこれを交換異方性結合により一
方向に磁化する反強磁性層を使用することにより、磁気
抵抗効果層に安定した横バイアス磁界を与えることがで
きる。よって、横バイアス層の磁化方向の変動に起因す
るバルクハウゼンノイズを低減することができ、薄膜磁
気ヘッドの磁気検出特性を向上することができる。As described above, according to the present invention, the magnetoresistive effect is obtained by using the magnetic layer and the antiferromagnetic layer that magnetizes it in one direction by exchange anisotropic coupling as the lateral bias layer. A stable transverse bias magnetic field can be applied to the layer. Therefore, Barkhausen noise caused by the change in the magnetization direction of the lateral bias layer can be reduced, and the magnetic detection characteristics of the thin film magnetic head can be improved.
【図１】本発明の第１の実施形態の薄膜磁気ヘッドを示
す正面図、FIG. 1 is a front view showing a thin film magnetic head according to a first embodiment of the invention,
【図２】本発明の第２の実施形態の薄膜磁気ヘッドを示
す正面図、FIG. 2 is a front view showing a thin film magnetic head according to a second embodiment of the present invention,
【図３】本発明の第３の実施形態の薄膜磁気ヘッドを示
す正面図、FIG. 3 is a front view showing a thin film magnetic head according to a third embodiment of the invention,
【図４】本発明の第４の実施形態の薄膜磁気ヘッドを示
す正面図、FIG. 4 is a front view showing a thin film magnetic head according to a fourth embodiment of the present invention,
【図５】縦バイアスがハードバイアス方式の従来の薄膜
磁気ヘッドの正面図、FIG. 5 is a front view of a conventional thin film magnetic head whose longitudinal bias is a hard bias system;
【図６】縦バイアスがエクスチェンジバイアス方式の従
来の薄膜磁気ヘッドの正面図、FIG. 6 is a front view of a conventional thin film magnetic head whose longitudinal bias is an exchange bias system;
１ 下部絶縁層 ３ 非磁性（ＳＨＵＮＴ）層 ４ 磁気抵抗（ＭＲ）層 ５ ハードバイアス方式の縦バイアス層 ６ リード層 ８ エクスチェンジバイアス方式の縦バイアス層 ９ 横バイアス層 ９ａ 磁性体層 ９ｂ 下部反強磁性層 １０ ハード層 1 Lower insulating layer 3 Non-magnetic (SHUNT) layer 4 Magnetoresistive (MR) layer 5 Vertical bias layer of hard bias method 6 Lead layer 8 Exchange bias vertical bias layer 9 Lateral bias layer 9a Magnetic layer 9b Lower antiferromagnetic layer 10 hard layers
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−73416（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−267032（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−349030（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−129926（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−221715（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−147635（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−326023（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−262525（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−254115（ＪＰ，Ａ)Continued front page (56) References Japanese Patent Laid-Open No. 7-73416 (JP, A) JP-A-6-267032 (JP, A) JP-A-6-349030 (JP, A) JP-A-7-129926 (JP, A) JP-A-8-221715 (JP, A) JP-A-8-147635 (JP, A) JP-A-7-326023 (JP, A) JP-A-7-262525 (JP, A) JP-A-7-254115 (JP, A)
Claims (4)
抵抗効果層と、前記磁気抵抗効果層に横バイアス磁界を
与える横バイアス層とを有し、前記磁気抵抗効果層の磁
化変動により電気抵抗が変化する薄膜磁気ヘッドにおい
て、 前記横バイアス層は、下から反強磁性層、磁性体層の順
に積層されて構成され、前記反強磁性層はα−Ｆｅ２Ｏ
３で形成され、前記磁性体層は、前記反強磁性層との交
換結合磁界により横方向に磁化されており、 前記磁性体層の上に非磁性層を介して前記磁気抵抗効果
層が形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。1. A magnetoresistive effect layer that is made into a single magnetic domain by a longitudinal bias layer, and a lateral bias layer that applies a lateral bias magnetic field to the magnetoresistive effect layer. In the thin film magnetic head, the lateral bias layer is formed by laminating an antiferromagnetic layer and a magnetic layer in this order from the bottom, and the antiferromagnetic layer is α-Fe 2 O.
3 , the magnetic layer is laterally magnetized by an exchange coupling magnetic field with the antiferromagnetic layer, and the magnetoresistive layer is formed on the magnetic layer via a nonmagnetic layer. A thin film magnetic head characterized in that
請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。2. A method according to claim 1 Symbol placement thin film magnetic head of the bias layer is a hard bias layer.
１記載の薄膜磁気ヘッド。3. The longitudinal bias layer is an antiferromagnetic layer.
1 Symbol placement thin film magnetic head.
は、前記磁気抵抗効果層の上に形成され、前記横バイア
ス層の反強磁性層と、前記縦バイアス層としての反強磁
性層は、ブロッキング温度が相違する材料で形成される
請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。4. The antiferromagnetic layer as the longitudinal bias layer is formed on the magnetoresistive layer, and the antiferromagnetic layer of the lateral bias layer and the antiferromagnetic layer as the longitudinal bias layer are formed. 4. The thin film magnetic head according to claim 3 , wherein the thin film magnetic head is formed of materials having different blocking temperatures.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23238595A JP3450546B2 (en) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | Thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23238595A JP3450546B2 (en) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | Thin film magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0981918A JPH0981918A (en) | 1997-03-28 |
| JP3450546B2 true JP3450546B2 (en) | 2003-09-29 |
Family
ID=16938411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23238595A Expired - Fee Related JP3450546B2 (en) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | Thin film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3450546B2 (en) |
-
1995
- 1995-09-11 JP JP23238595A patent/JP3450546B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0981918A (en) | 1997-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100225179B1 (en) | Thin film magnetic head and magnetoresistive head | |
| US6340520B1 (en) | Giant magnetoresistive material film, method of producing the same magnetic head using the same | |
| US6018443A (en) | Thin film magnetic head having hard films for magnetizing a shield layer in a single domain state | |
| JPH10341048A (en) | Spin valve type thin-film device | |
| JP3691898B2 (en) | Magnetoresistive effect element, magnetic information reading method, and recording element | |
| JP3734716B2 (en) | Method for manufacturing magnetic sensing element | |
| KR100269989B1 (en) | Spin-valve type thin film element and its manufacturing method | |
| US7805828B2 (en) | Method of manufacturing thin-film magnetic head | |
| JPH10162320A (en) | Magnetoresistance effect type head and its usage | |
| JPH0991629A (en) | Thin film magnetic head | |
| JPH0877519A (en) | Magneto-resistive transducer | |
| JPH07296340A (en) | Magnetoresistance effect device and thin film magnetic head utilizing the device | |
| JP2001076479A (en) | Magnetic memory element | |
| JPH11273034A (en) | Magnetic sensor, thin-film magnetic head and production of thin-film magnetic head | |
| JP2937237B2 (en) | Magnetoresistive head and its initialization method | |
| KR100363462B1 (en) | Spin valve type magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof | |
| JP3450546B2 (en) | Thin film magnetic head | |
| JPH11126932A (en) | Spin valve type thin-film element and its manufacture | |
| JP2002111095A (en) | Magnetoresistive effect type element | |
| US6154348A (en) | Magnetoresistive head and method of initialization having a non-planar anti-ferromagnetic layer | |
| JP3325853B2 (en) | Spin valve thin film magnetic element, thin film magnetic head, and method of manufacturing spin valve thin film magnetic element | |
| US6350487B1 (en) | Spin-valve type thin film element and its manufacturing method | |
| JPH06325329A (en) | Thin film magnetic head | |
| JPH0992904A (en) | Giant magnetoresistance material film, its manufacture, and magnetic head using the same | |
| JP2003006818A (en) | Magnetic-reluctance reproducing head with two ferromagnetic films bound to each other in nonpararrel |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010417 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070711 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |