JP3439096B2 - Terminating resistance controlled bus system - Google Patents

Terminating resistance controlled bus system

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JP3439096B2 JP31540397A JP31540397A JP3439096B2 JP 3439096 B2 JP3439096 B2 JP 3439096B2 JP 31540397 A JP31540397 A JP 31540397A JP 31540397 A JP31540397 A JP 31540397A JP 3439096 B2 JP3439096 B2 JP 3439096B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、終端抵抗器を要す
るバスシステム、および、それを備えた情報処理装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bus system that requires a terminating resistor and an information processing apparatus including the bus system.

【0002】[0002]

【従来の技術】情報処理装置の高速化が進み、装置内の
バス配線の両端には、終端抵抗器を接続するのが普通で
ある。終端抵抗器には、バス配線の特性インピーダンス
と同値の抵抗器が使用される。終端抵抗器を接続しない
場合、出力した信号がバス配線の両端で反射してしま
い、反射した信号と出力した信号との重ね合わせにより
信号の波形歪みが発生する。この波形歪みは、バスの伝
送速度が速くなるほど大きくなり、場合によっては正常
な信号伝送ができなくなる。
2. Description of the Related Art As the speed of information processing devices has increased, it is common to connect terminating resistors to both ends of bus wiring in the device. As the termination resistor, a resistor having the same value as the characteristic impedance of the bus wiring is used. If the terminating resistor is not connected, the output signal is reflected at both ends of the bus wiring, and the waveform distortion of the signal occurs due to the superposition of the reflected signal and the output signal. This waveform distortion increases as the bus transmission speed increases, and normal signal transmission cannot be performed in some cases.

【0003】バス配線の両端に終端抵抗器を接続する方
法は、例えば、DIGITAL BUS HANDBO
OK誌(1990年、Joseph Di Giacomo著、McGraw-Hill P
ublishing Company発行、ページ14.6〜14.13)にも記載
されている。
A method of connecting a terminating resistor to both ends of a bus wiring is, for example, DIGITAL BUS HANDBO.
OK Magazine (1990, Joseph Di Giacomo, McGraw-Hill P
Published by the ublishing Company, pages 14.6-14.13).

【0004】この従来例によれば、図7に示すようなバ
スシステムが存在した場合、終端抵抗器の抵抗値は、バ
ス配線とスタブ配線の両方を合わせた部分のインピーダ
ンス(以下、バスの、配線のみのインピーダンスとす
る)、バスに接続する機能回路の入出力回路の容量、ス
タブ配線の容量、および、バス配線の容量を基に算出さ
れる。
According to this conventional example, when a bus system as shown in FIG. 7 is present, the resistance value of the terminating resistor is the impedance of a portion where both the bus wiring and the stub wiring are combined (hereinafter referred to as "bus It is calculated based on the impedance of only the wiring), the capacity of the input / output circuit of the functional circuit connected to the bus, the capacity of the stub wiring, and the capacity of the bus wiring.

【0005】具体的には、バスの配線のみの特性インピ
ーダンスをZo、単位長さあたりの機能回路の容量(入
出力回路の容量とスタブ配線の容量とを合計したもの)
の総和をC1、単位長さ当りのバス配線の容量をC2と
すると、バス配線の実効インピーダンスZは、次の(式
1)を用いて表すことができる。
Specifically, the characteristic impedance of only the bus wiring is Zo, the capacity of the functional circuit per unit length (the sum of the capacity of the input / output circuit and the capacity of the stub wiring).
The effective impedance Z of the bus wiring can be expressed by the following (Equation 1), where C1 is the total sum of the above and C2 is the capacitance of the bus wiring per unit length.

【0006】 Z=Zo/√(1+C1/C2) …(式1)[0006] Z = Zo / √ (1 + C1 / C2) (Equation 1)

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】さて、バスに接続する
機能回路は、装置本体に固定的に設けられているものば
かりではない。機能回路は、装置本体に対して着脱可能
な基板に実装されていることもある。むしろ最近では、
様々な基板がユーザーの手によって増設されていくのが
普通である。装置本体に実装する基板(すなわち機能回
路)の数が変われば、(式1)を見てもわかるように、
バス配線の実効インピーダンスも当然変化する。
The functional circuits connected to the bus are not limited to those fixedly provided in the apparatus body. The functional circuit may be mounted on a substrate that can be attached to and detached from the apparatus body. Rather recently,
Various boards are usually added by the user. If the number of boards (that is, functional circuits) mounted on the device body changes, as can be seen from (Equation 1),
Naturally, the effective impedance of the bus wiring also changes.

【0008】しかしながら、従来の情報処理装置におい
ては、この点について何の対策も講じられていなかっ
た。
However, in the conventional information processing apparatus, no measures have been taken regarding this point.

【0009】バスに接続する機能回路の入出力回路の容
量が小さければ、バス配線の実効インピーダンス、つま
り終端抵抗器の抵抗値は、配線のみの特性インピーダン
スとほぼ同じとなり、特に問題は生じないのであるが、
実際のシステムにおいては、この入出力回路の容量が無
視できないほど大きくなる。
If the capacity of the input / output circuit of the functional circuit connected to the bus is small, the effective impedance of the bus wiring, that is, the resistance value of the terminating resistor becomes almost the same as the characteristic impedance of only the wiring, and no particular problem occurs. But
In an actual system, the capacity of this input / output circuit becomes so large that it cannot be ignored.

【0010】例えば、配線のみのインピーダンスZoを
50Ω、入出力回路の容量を15pF、スタブ配線の長
さを2cm、バス配線の長さを30cm、配線1cm当
りの容量を1pFとした場合、入出力回路の容量とスタ
ブ配線の容量の合計は、15pF+1pF/cm×2c
mで17pFである。この機能回路をバス配線に4つ接
続すると、その合計は、68pFである。また、バス配
線の容量は、1pF/cm×30cmで30pFであ
る。Zo=50、C1=68、C2=30として、これ
らを(式1)に当てはめると、バス配線の実効インピー
ダンスZは、27Ωとなる。
For example, when the impedance Zo of only the wiring is 50Ω, the capacitance of the input / output circuit is 15 pF, the length of the stub wiring is 2 cm, the length of the bus wiring is 30 cm, and the capacitance per 1 cm of the wiring is 1 pF. The total of the capacitance of the circuit and the capacitance of the stub wiring is 15pF + 1pF / cm × 2c
It is 17 pF in m. When four functional circuits are connected to the bus wiring, the total is 68 pF. The capacitance of the bus wiring is 30 pF at 1 pF / cm × 30 cm. When Zo = 50, C1 = 68, and C2 = 30 are applied to (Equation 1), the effective impedance Z of the bus wiring is 27Ω.

【0011】ここで、もし、バス配線に接続される機能
回路を減らして、その数を1つにした場合、機能回路の
容量の合計は17pFとなる。これを、C1=17とし
て再び(式1)に当てはめると、バス配線の実効インピ
ーダンスは39Ωになってしまう。
Here, if the number of functional circuits connected to the bus wiring is reduced to one, the total capacity of the functional circuits becomes 17 pF. When this is applied to (Equation 1) again with C1 = 17, the effective impedance of the bus wiring becomes 39Ω.

【0012】すなわち、本来ならば39Ωの終端抵抗器
を用いなければならないのに、従来では、27Ωのまま
であった。
That is, although a terminating resistor of 39Ω should be used originally, it has been 27Ω in the past.

【0013】このような伝送線路のインピーダンスの不
整合は、(式2)に示すように反射係数を増大させる。
Zは、設定すべき終端抵抗器の抵抗値である。
Such impedance mismatch of the transmission line increases the reflection coefficient as shown in (Equation 2).
Z is the resistance value of the termination resistor to be set.

【0014】 ρ=(γ−Z)/(γ+ Z) …(式2) 例えば、上記の場合、γは、27Ω、 Zは、39Ωと
なり、反射係数ρは、−0.18となる。
Ρ = (γ−Z) / (γ + Z) (Equation 2) For example, in the above case, γ is 27Ω, Z is 39Ω, and the reflection coefficient ρ is −0.18.

【0015】これは、バス配線の端で生じる反射が、全
信号レベルの18%に達することを示すものであり、仮
に信号レベルが1Vの場合、反射した後の信号レベルは
0.82Vにもなる。
This means that the reflection generated at the end of the bus wiring reaches 18% of the total signal level. If the signal level is 1V, the signal level after reflection is 0.82V. Become.

【0016】なお、COMPUTER CIRCUITS ELECTRICAL DES
IGN誌(1995年、Ron K. Poon著、Prentice-Hall発行、
ページ82)記載の表3.5では、C−MOS回路におけ
るノイズマージンは1250mVとなっており、このう
ちの最大800mVが反射によるノイズ分である。これ
は、ノイズマージン全体の65%を占めていることを示
している。
COMPUTER CIRCUITS ELECTRICAL DES
IGN magazine (1995, Ron K. Poon, Prentice-Hall,
In Table 3.5 described on page 82), the noise margin in the C-MOS circuit is 1250 mV, of which the maximum 800 mV is the noise component due to reflection. This indicates that it occupies 65% of the entire noise margin.

【0017】このように従来では、回路基板の挿抜の際
に、終端抵抗の不整合が生じて反射ノイズが発生してし
まい、これが、システムの高速化を図る上で大きな障害
になっていた。
As described above, in the related art, when the circuit board is inserted and removed, mismatching of the terminating resistors occurs and reflection noise occurs, which has been a major obstacle to speeding up the system.

【0018】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、バス配線に接続される機能回路の数や種別が変更
されても信号の波形歪みが発生せず、結果として、デー
タ転送の高速化を図ることができるようになるバスシス
テムを提供することにある。
The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and even if the number and types of functional circuits connected to the bus wiring are changed, signal waveform distortion does not occur, resulting in data transfer. It is to provide a bus system capable of increasing the speed.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の一態様によれば、バス配線の特性インピーダ
ンスに対する影響度が互いに等しい複数の回路基板が挿
抜されるバスシステムであって、前記バス配線と、前記
バス配線の端に接続された終端用可変抵抗器と、前記終
端用可変抵抗器の抵抗値を、当該バスシステムに装着さ
れた回路基板の数に応じて変更する制御回路と、を備え
たことを特徴とする終端抵抗制御型バスシステムが提供
される。
According to one aspect of the present invention for achieving the above object, there is provided a bus system in which a plurality of circuit boards having the same degree of influence on the characteristic impedance of bus wiring are inserted and removed. A control circuit for changing the resistance value of the bus wiring, the terminating variable resistor connected to the end of the bus wiring, and the terminating variable resistor according to the number of circuit boards mounted in the bus system. There is provided a terminating resistance control type bus system characterized by comprising:

【0020】上記目的を達成するための本発明のその他
の態様によれば、複数の回路基板と、これらの回路基板
が挿抜されるバックパネルとを備えたバスシステムであ
って、前記バックパネルには、バス配線と、前記バス配
線の端に接続された終端用可変抵抗器と、前記終端用可
変抵抗器の抵抗値を変更可能な制御回路とが設けられ、
前記各回路基板には、当該回路基板の実装部品であって
前記バス配線の特性インピーダンスに影響を与える部品
に関する部品情報を記憶した記憶回路が設けられ、前記
制御回路は、前記バックパネルに装着されている各回路
基板の記憶回路から前記部品情報を取り出し、取り出し
た部品情報に基づいて前記終端用可変抵抗器の抵抗値を
変更することを特徴とする終端抵抗制御型バスシステム
が提供される。
According to another aspect of the present invention for achieving the above object, there is provided a bus system including a plurality of circuit boards and a back panel into which the circuit boards are inserted and removed, wherein the back panel includes: Is provided with a bus line, a terminating variable resistor connected to the end of the bus line, and a control circuit capable of changing the resistance value of the terminating variable resistor,
Each of the circuit boards is provided with a storage circuit that stores component information regarding components mounted on the circuit board that affect the characteristic impedance of the bus wiring, and the control circuit is mounted on the back panel. A termination resistance control type bus system is provided, wherein the component information is extracted from the storage circuit of each circuit board and the resistance value of the termination variable resistor is changed based on the extracted component information.

【0021】上記目的を達成するための本発明のさらに
別の態様によれば、複数の回路基板と、これらの回路基
板が挿抜されるバックパネルとを備えたバスシステムで
あって、前記バックパネルには、データ伝送用のバス配
線と、前記データ伝送用のバス配線の端に接続された第
1の終端用可変抵抗器と、前記第1の終端用可変抵抗器
の抵抗値を定めるために用いられる試験用のバス配線
と、前記試験用のバス配線の端に接続された第2の終端
用可変抵抗器と、前記第1の終端用可変抵抗器の抵抗値
と、前記第2の終端用可変抵抗器の抵抗値のそれぞれを
変更可能な制御回路が設けられ、前記各回路基板には、
前記試験用のバス配線に試験信号を出力する出力回路
と、前記バス配線を介して他の回路基板から出力された
試験信号を受付ける入力回路とが設けられ、前記制御回
路は、前記第2の終端用可変抵抗器の抵抗値を順次変更
すると共に、その都度、前記出力回路による試験信号の
出力と、前記入力回路による試験信号の受信を行い、各
受信結果に基づいて、前記第2の終端用可変抵抗器に順
次設定した抵抗値の中から最適な抵抗値を選択し、選択
した抵抗値を前記第1の終端用可変抵抗器に設定するこ
とを特徴とする終端抵抗制御型バスシステムが提供され
る。
According to still another aspect of the present invention for achieving the above object, there is provided a bus system comprising a plurality of circuit boards and a back panel into which these circuit boards are inserted and removed, wherein the back panel is provided. To determine the resistance of the data transmission bus line, the first terminating variable resistor connected to the end of the data transmission bus line, and the first terminating variable resistor. A test bus wire used, a second termination variable resistor connected to an end of the test bus wiring, a resistance value of the first termination variable resistor, and the second termination. A control circuit capable of changing each of the resistance values of the variable resistors for use is provided, and each of the circuit boards includes:
An output circuit that outputs a test signal to the test bus wiring and an input circuit that receives a test signal output from another circuit board via the bus wiring are provided, and the control circuit is the second circuit. The resistance value of the terminating variable resistor is sequentially changed, the test signal is output by the output circuit and the test signal is received by the input circuit each time, and the second terminating end is obtained based on each reception result. An optimal resistance value is selected from the resistance values sequentially set in the variable resistor for use in the terminal resistance control type bus system, and the selected resistance value is set in the first variable resistor for termination. Provided.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るバスシステム
の各種の実施形態について図面を参照しながら説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Various embodiments of a bus system according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0023】図1は、本発明の第1の実施形態の概略を
示した構成図である。同図には、情報処理装置の筐体等
に固定されたバックパネル102と、機能回路105a
を搭載した回路基板103aと、機能回路105bを搭
載した回路基板103bが示されている。回路基板10
3aは、コネクタ104aにより、バックパネル102
に対して着脱可能となっている。回路基板103bは、
コネクタ104bにより、バックパネル102に対して
着脱可能となっている。コネクタ104a、104b
は、それぞれ、回路基板側のコネクタ部品とバックパネ
ル側のコネクタ部品の双方から構成されている。バック
パネル102には、そのほか、機能回路106と、複数
の信号線から成るバス配線101と、バス配線101の
両端に接続された終端抵抗器111a、111bと、終
端抵抗器111a、111bの各抵抗値を変更する終端
抵抗制御回路112が設けられている。回路基板103
aの機能回路105a、回路基板103bの機能回路1
05a、および、バックパネル102の機能回路106
は、それぞれ、バス配線101の特性インピーダンスに
対する影響度が互いに等しい回路である。すなわち、各
機能回路は、入出力回路やスタブ配線(図7参照)が同
一仕様となっている。コネクタ107aには、バックパ
ネル102への回路基板103aの着脱を検出する検出
回路107aが設けられている。回路基板103aがバ
ックパネル102に装着されると、回路基板103a上
の機能回路105aと、バックパネル102上のバス配
線101とが接続され、さらに、検出回路107aから
終端抵抗制御回路112に向けて、回路基板103aが
装着されたことを示す信号が出力される。コネクタ10
4bには、バックパネル102への回路基板103bの
着脱を検出する検出回路107bが設けられている。回
路基板103bがバックパネル102に装着されると、
回路基板103b上の機能回路105bと、バックパネ
ル102上のバス配線101とが接続され、さらに、検
出回路107bから終端抵抗制御回路112に向けて、
回路基板103bが装着されたことを示す信号が出力さ
れる。終端抵抗器111a、111bは、それぞれ可変
抵抗器である。終端抵抗器111aの一端は、バス配線
101に接続され、他端は終端電圧(Vtt)を設定す
る設定部に接続されている。終端電圧(Vtt)は、本
情報処理装置の電源の供給電圧であってもよいし、それ
以外(例えば、0V(グランド))であってもよい。終
端抵抗器111bについても同様である。また、図面で
は、説明を簡単にするため、終端抵抗器111a、11
1bのみが図示されているが、実際にはこの1組だけで
なく、バス配線101のバス幅分設けられている。例え
ば、16ビットのバス幅ならば、16組の終端抵抗器が
設けられることになる。
FIG. 1 is a schematic diagram showing the outline of the first embodiment of the present invention. In the figure, a back panel 102 fixed to a housing of the information processing apparatus and a functional circuit 105a are shown.
There are shown a circuit board 103a on which is mounted and a circuit board 103b on which the functional circuit 105b is mounted. Circuit board 10
3a is connected to the back panel 102 by the connector 104a.
It is removable with respect to. The circuit board 103b is
It can be attached to and detached from the back panel 102 by the connector 104b. Connectors 104a, 104b
Are each composed of both a circuit board side connector component and a back panel side connector component. On the back panel 102, in addition, a functional circuit 106, a bus wiring 101 including a plurality of signal lines, terminating resistors 111a and 111b connected to both ends of the bus wiring 101, and resistors of the terminating resistors 111a and 111b, respectively. A termination resistance control circuit 112 that changes the value is provided. Circuit board 103
Functional circuit 105a of a, functional circuit 1 of circuit board 103b
05a and the functional circuit 106 of the back panel 102
Are circuits having the same degree of influence on the characteristic impedance of the bus wiring 101. That is, in each functional circuit, the input / output circuit and the stub wiring (see FIG. 7) have the same specifications. The connector 107a is provided with a detection circuit 107a for detecting attachment / detachment of the circuit board 103a to / from the back panel 102. When the circuit board 103a is mounted on the back panel 102, the functional circuit 105a on the circuit board 103a and the bus wiring 101 on the back panel 102 are connected, and further, from the detection circuit 107a to the termination resistance control circuit 112. , A signal indicating that the circuit board 103a is mounted is output. Connector 10
4b is provided with a detection circuit 107b for detecting attachment / detachment of the circuit board 103b to / from the back panel 102. When the circuit board 103b is mounted on the back panel 102,
The functional circuit 105b on the circuit board 103b and the bus wiring 101 on the back panel 102 are connected, and further, from the detection circuit 107b to the termination resistance control circuit 112,
A signal indicating that the circuit board 103b is mounted is output. The termination resistors 111a and 111b are variable resistors. One end of the termination resistor 111a is connected to the bus line 101, and the other end is connected to a setting unit that sets the termination voltage (Vtt). The termination voltage (Vtt) may be the supply voltage of the power supply of the present information processing apparatus, or may be other voltage (for example, 0V (ground)). The same applies to the termination resistor 111b. Further, in the drawings, for simplification of description, the terminating resistors 111a, 11a
Although only 1b is shown in the figure, actually, not only this one set but the bus width of the bus wiring 101 is provided. For example, if the bus width is 16 bits, 16 sets of terminating resistors will be provided.

【0024】そして、終端抵抗制御回路112は、検出
回路107a、107bの各検出信号により、バックパ
ネル102に装着されている回路基板の数を検知し、そ
の数に応じて、終端抵抗器111a、111bの各抵抗
値を変更する。このとき、終端抵抗器111a、111
bの各抵抗値は、同値に設定する。
Then, the termination resistance control circuit 112 detects the number of circuit boards mounted on the back panel 102 from the detection signals of the detection circuits 107a and 107b, and the termination resistors 111a and 111a are detected in accordance with the number. Change each resistance value of 111b. At this time, the termination resistors 111a and 111a
Each resistance value of b is set to the same value.

【0025】なお、本実施形態では、コネクタを介して
バス配線101に接続される機能回路の数が2つで、コ
ネクタを介さずにバス配線101に直接接続される機能
回路の数が1つであるが、これらの個数は、装置の規模
に合わせて任意に決めればよい。検出回路107a、1
07bは、例えば、コネクタ104a、104b内に専
用ピンを設けてループ配線を構成し、その接続の有無に
応じて信号を出力できるように構成する。また、検出回
路107a、107bに代えて、ユーザーが操作できる
スイッチを設け、スイッチの状態を回路基板の接続の有
無として検出できるようにしても構わない。
In the present embodiment, the number of functional circuits connected to the bus wiring 101 via the connector is two, and the number of functional circuits directly connected to the bus wiring 101 without the connector is one. However, the number of these may be arbitrarily determined according to the scale of the apparatus. Detection circuits 107a, 1
For example, 07b is configured so that a dedicated pin is provided in each of the connectors 104a and 104b to form a loop wiring, and a signal can be output depending on the presence / absence of the connection. Instead of the detection circuits 107a and 107b, a switch that can be operated by the user may be provided so that the state of the switch can be detected as whether or not the circuit board is connected.

【0026】つぎに、終端抵抗器111aの構造につい
て、図2を用いて説明する。なお、終端抵抗器111b
についても同様な構造となっている。
Next, the structure of the terminating resistor 111a will be described with reference to FIG. The terminating resistor 111b
Has the same structure.

【0027】図2において、201、202、203
は、それぞれ異なった抵抗値を持つ固定抵抗器である。
211、212、213は、与えられた切り替え信号に
応じて、導通状態(オン状態)と遮断状態(オフ状態)
のいずれかに設定されるスイッチである。スイッチ21
1、212、213は、リレーで構成しても良いし、電
界効果トランジスタで構成しても良い。抵抗器201、
202、203とスイッチ211、212、213は、
それぞれ直列に接続されている。また、図14に示すよ
うに、スイッチ211と抵抗器201の代わりに、抵抗
器201の抵抗値と同値のオン抵抗をもつ電界効果トラ
ンジスタ1401を用いても良い。同様に、抵抗器20
2とスイッチ212の代わりに電界効果トランジスタ1
402を、抵抗器203とスイッチ213の代わりに電
界効果トランジスタ1403を、それぞれ用いることが
できる(この実施例に適用する場合、電界効果トランジ
スタ1404は設けない)。図14の詳細は後述する。
同図において、抵抗器とスイッチは3組設けられている
が、その数は、装着される回路基板の最大枚数に基づい
て決定される。220は、デコード回路であり、図1の
終端抵抗制御回路112から出力された制御信号に応じ
て、スイッチ211、212、213の内の1つをオン
状態にする。本実施形態において、この制御信号は、バ
ックパネル102に装着されている回路基板の枚数を示
す信号である。
In FIG. 2, 201, 202, 203
Are fixed resistors having different resistance values.
211, 212, and 213 are in a conductive state (on state) and a cutoff state (off state) in accordance with a given switching signal.
It is a switch that is set to either. Switch 21
1, 212, and 213 may be configured by relays or field effect transistors. Resistor 201,
202, 203 and the switches 211, 212, 213,
Each is connected in series. Further, as shown in FIG. 14, instead of the switch 211 and the resistor 201, a field effect transistor 1401 having an on-resistance of the same value as the resistance value of the resistor 201 may be used. Similarly, resistor 20
2 and field effect transistor 1 instead of switch 212
The field effect transistor 1403 can be used instead of the resistor 203 and the switch 213 (the field effect transistor 1404 is not provided when applied to this embodiment). Details of FIG. 14 will be described later.
In the figure, three sets of resistors and switches are provided, the number of which is determined based on the maximum number of circuit boards to be mounted. Reference numeral 220 denotes a decoding circuit, which turns on one of the switches 211, 212, and 213 according to the control signal output from the termination resistance control circuit 112 in FIG. In the present embodiment, this control signal is a signal indicating the number of circuit boards mounted on the back panel 102.

【0028】つぎに、バックパネル102に装着されて
いる回路基板の数と、終端抵抗器111aの動作との関
係について説明する。なお、終端抵抗器111bについ
ても終端抵抗器111aと同様に動作する。
Next, the relationship between the number of circuit boards mounted on the back panel 102 and the operation of the terminating resistor 111a will be described. The terminating resistor 111b operates similarly to the terminating resistor 111a.

【0029】本実施形態では、バックパネル102と基
板103a、103bとの接続の組み合わせにより、以
下に示す4状態がある。
In this embodiment, there are the following four states depending on the combination of the connection between the back panel 102 and the substrates 103a and 103b.

【0030】第1の状態は、基板103a、103bの
2枚が接続されている状態であり、第2の状態は、基板
103aの1枚だけが接続されている状態であり、第3
の状態は、基板103bの1枚だけが接続されている状
態、第4の状態は、基板103a、103bの両方とも
が接続されていない状態である。
The first state is a state in which two substrates 103a and 103b are connected, and the second state is a state in which only one substrate 103a is connected.
In this state, only one of the substrates 103b is connected, and in the fourth state, both of the substrates 103a and 103b are not connected.

【0031】デコード回路220は、終端抵抗制御回路
112から、装着されている回路基板の枚数を示す制御
信号を受け取り、その結果、第1の状態ではスイッチ2
11をオン状態にし、第2または第3の状態ではスイッ
チ212をオン状態にし、第4の状態では、スイッチ2
13をオン状態にする。なお、抵抗器201の抵抗値
は、回路基板が2枚接続された場合に、バス配線101
を流れる信号の波形歪みが最も小さくなるように決めら
れている。この値は、(式1)を用いて算出すればよ
い。同様に、抵抗器202の抵抗値は、回路基板が1枚
接続された場合に、抵抗器203の抵抗値は、回路基板
が何も接続されていない場合に、バス配線101を流れ
る信号の波形歪みが最も小さくなるように決められてい
る。
The decode circuit 220 receives a control signal from the termination resistance control circuit 112, which indicates the number of circuit boards mounted, and as a result, the switch 2 in the first state.
11 is turned on, switch 212 is turned on in the second or third state, and switch 2 is turned on in the fourth state.
13 is turned on. Note that the resistance value of the resistor 201 is the bus wiring 101 when two circuit boards are connected.
It is determined so that the waveform distortion of the signal flowing through is minimum. This value may be calculated using (Equation 1). Similarly, the resistance value of the resistor 202 is a waveform of a signal flowing through the bus wiring 101 when one circuit board is connected, and the resistance value of the resistor 203 is when no circuit board is connected. The distortion is determined to be the smallest.

【0032】例えば、バス配線101の、配線のみの特
性インピーダンスZoを50Ω、機能回路105a、1
05b、106の各容量を17pF、バス配線101の
容量を30pFとすると以下の通りである。
For example, the characteristic impedance Zo of only the wiring of the bus wiring 101 is 50Ω, the functional circuits 105a, 1
Assuming that each of the capacitors 05b and 106 has a capacitance of 17 pF and the bus wiring 101 has a capacitance of 30 pF, the following results are obtained.

【0033】バス配線101に回路基板103a、10
3bの両方が接続されている場合、機能回路の容量の合
計は51pFとなる。Zo=50Ω、C1=51pF、
C2=30pFとして、これらを(式1)に当てはめる
と、バス配線101の実効インピーダンスZは30Ωと
なるので、抵抗器201の値を30Ωとすれば良い。
Circuit boards 103a, 10 are provided on the bus wiring 101.
When both 3b are connected, the total capacitance of the functional circuits is 51 pF. Zo = 50Ω, C1 = 51 pF,
If these are applied to (Equation 1) with C2 = 30 pF, the effective impedance Z of the bus wiring 101 becomes 30Ω, so the value of the resistor 201 may be set to 30Ω.

【0034】バス配線101に回路基板103a、10
3bのどちらか1つが接続されている場合、機能回路の
容量の合計は34pFとなる。この場合、(式1)よ
り、Zは34Ωとなるので、抵抗器202の値は34Ω
とすれば良い。
Circuit boards 103a, 10 are provided on the bus wiring 101.
When either one of 3b is connected, the total capacitance of the functional circuits is 34 pF. In this case, since Z is 34Ω according to (Equation 1), the value of the resistor 202 is 34Ω.
It should be done.

【0035】回路基板103a、103bのどちらもバ
ス配線101に接続されていない場合、機能回路の容量
は機能回路106の容量17pFのみとなる。この場
合、(式1)より、Zは39Ωとなるので、抵抗器20
3の値を39Ωとすればよい。
When neither of the circuit boards 103a and 103b is connected to the bus line 101, the capacity of the functional circuit is only 17 pF of the functional circuit 106. In this case, since Z is 39Ω from (Equation 1), the resistor 20
The value of 3 may be 39Ω.

【0036】なお、終端抵抗制御回路112による、終
端抵抗器111a、111bの各抵抗値の変更の期間
は、バス配線101によるデータ転送が実行されていな
い間(例えば、バスシステムの電源が投入されてから、
バス配線101に実際にデータが伝送される前までの
間、バスシステムに対してリセット信号が送られた後、
バス配線101にデータが伝送されるまでの間、バスシ
ステムが稼働中で、バス配線101のデータ転送待ち状
態の間など)に行なわれる。
During the period in which the resistance values of the terminating resistors 111a and 111b are changed by the terminating resistance control circuit 112, while the data transfer by the bus wiring 101 is not executed (for example, the power of the bus system is turned on). Since then
After a reset signal is sent to the bus system until data is actually transmitted to the bus wiring 101,
This is performed while the bus system is in operation until data is transmitted to the bus wiring 101 and while the bus wiring 101 is waiting for data transfer.

【0037】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、バス配線101に接続される機能回路の数が変化し
ても、これに合わせて、終端抵抗器の抵抗値が最適値に
設定されため、従来と比較して、バス配線101の各端
での信号の反射が抑止され、信号の波形の歪みが低減さ
れる。信号の波形歪みをこのように低減できれば、シス
テム設計の段階において、機能回路間のデータ転送速度
を上げることができる。
As described above, according to the present embodiment, even if the number of functional circuits connected to the bus wiring 101 changes, the resistance value of the terminating resistor is set to the optimum value accordingly. Therefore, the reflection of the signal at each end of the bus line 101 is suppressed and the distortion of the signal waveform is reduced, as compared with the related art. If the signal waveform distortion can be reduced in this way, the data transfer rate between the functional circuits can be increased in the system design stage.

【0038】なお、本実施形態のバスシステムは、回路
基板の活線挿抜が可能なものであっても構わない。
The bus system of this embodiment may be one in which hot plugging of the circuit board is possible.

【0039】回路基板の活線挿抜を行う場合は、最初
に、バス配線101を介して行われるバスアクセスやコ
ントロール信号の送受をすべて停止する。その後、作業
者による回路基板の抜去または追加が行われる。回路基
板の枚数の変化は、前述の検出回路によって検出され
る。終端抵抗制御回路112は、回路基板の枚数の変化
に応じて、終端抵抗器111a、111bの各抵抗値を
設定する。抵抗値の設定が完了したら、前述のバスアク
セスやコントロール信号の送受を再開する。
When the circuit board is hot-swapped, first, all bus access and control signal transmission / reception performed via the bus wiring 101 are stopped. After that, the operator removes or adds the circuit board. The change in the number of circuit boards is detected by the detection circuit described above. The termination resistance control circuit 112 sets each resistance value of the termination resistors 111a and 111b according to the change in the number of circuit boards. When the setting of the resistance value is completed, the bus access and the transmission / reception of the control signal are restarted.

【0040】つぎに、本発明の第2の実施形態を図3を
用いて説明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0041】本実施形態において、第1の実施形態と相
違する点は、検出回路107a、107bに代えて情報
記憶回路301a、301bを回路基板103a、10
3bに設けていること、バックパネル102に情報記憶
回路302を設けていること、情報記憶回路301a、
301b、302の各情報を用いて(式1)を実行し、
その計算結果に応じて、終端抵抗器311a、311b
の各抵抗値を変更する終端抵抗制御回路312を設けて
いることである。終端抵抗311a、311bの各抵抗
値は、第1の実施形態と同様、同値に設定する。なお、
情報記憶回路301a、301b、302には、例え
ば、フィリップス社のPCF8522Eを用いてもよ
く、また、終端抵抗制御回路312に、例えば、フィリ
ップス社のPCF8544を用いることで、各情報記憶
回路と接続してもよい。このように構成すれば、各情報
記憶回路と終端抵抗制御回路312との間の情報伝送を
2本の信号線で実現することができる。
The present embodiment differs from the first embodiment in that the information storage circuits 301a and 301b are replaced by circuit boards 103a and 10b instead of the detection circuits 107a and 107b.
3b, the information storage circuit 302 is provided on the back panel 102, the information storage circuit 301a,
(Equation 1) is executed using each information of 301b and 302,
Depending on the calculation result, the terminating resistors 311a, 311b
That is, the termination resistance control circuit 312 for changing each resistance value is provided. The resistance values of the terminating resistors 311a and 311b are set to the same value as in the first embodiment. In addition,
The information storage circuits 301a, 301b, and 302 may be, for example, Philips PCF8522E, and the termination resistance control circuit 312 may be, for example, Philips PCF8544, to be connected to each information storage circuit. May be. According to this structure, information transmission between each information storage circuit and the termination resistance control circuit 312 can be realized by two signal lines.

【0042】情報記憶回路301aは、回路基板103
a上の機能回路105aに関する情報(本実施形態で
は、機能回路105aに関する、スタブ配線の容量と入
出力回路の容量)が記憶されている。スタブ配線と入出
力回路は、回路基板103aの実装部品であってバス配
線101の実効インピーダンスに影響を与える部品であ
る。この影響については(式1)の通りである。情報記
憶回路301bは、基板103b上の機能回路105b
に関する情報(本実施形態では、機能回路105bに関
する、スタブ配線の容量と入出力回路の容量)が記憶さ
れている。なお、回路基板103a、103bが例えば
メモリボードならば、情報記憶回路301a、301b
には、さらに、メモリの容量やアクセス時間を記憶して
もよい。
The information storage circuit 301a includes the circuit board 103.
The information about the functional circuit 105a on a (in this embodiment, the capacitance of the stub wiring and the capacitance of the input / output circuit regarding the functional circuit 105a) is stored. The stub wiring and the input / output circuit are components mounted on the circuit board 103a and have an effect on the effective impedance of the bus wiring 101. This effect is as in (Equation 1). The information storage circuit 301b is the functional circuit 105b on the substrate 103b.
The information (in the present embodiment, the capacitance of the stub wiring and the capacitance of the input / output circuit regarding the functional circuit 105b) is stored. If the circuit boards 103a and 103b are, for example, memory boards, the information storage circuits 301a and 301b.
In addition, the memory capacity and access time may be stored.

【0043】情報記憶回路302には、バックパネル1
02に直接搭載された機能回路106に関する情報(本
実施形態では、機能回路106に関する、スタブ配線の
容量と入出力回路の容量)、バス配線101の配線のみ
の特性インピーダンス、バス配線101の容量が記憶さ
れている。
The information storage circuit 302 includes a back panel 1
Information about the functional circuit 106 directly mounted on the H.02 (in this embodiment, the capacitance of the stub wiring and the capacitance of the input / output circuit regarding the functional circuit 106), the characteristic impedance of only the wiring of the bus wiring 101, and the capacitance of the bus wiring 101. Remembered

【0044】なお、本実施形態では、コネクタを介して
バス配線101に接続される機能回路が2つであるが、
これは1つであっても良いし、あるいは3つ以上存在し
ても良い。また、バス配線に直接接続される機能回路
は、2つ以上存在してもよいし、あるいは無くても良
い。
In this embodiment, two functional circuits are connected to the bus wiring 101 via the connector,
There may be one, or there may be three or more. Further, two or more functional circuits directly connected to the bus wiring may be present or may not be present.

【0045】終端抵抗器311a、311bは、バス配
線101の両端に接続されている。終端抵抗器311
a、311bの他端は、終端電圧(Vtt)を設定する
設定部に接続されている。終端電圧(Vtt)は、本情
報処理装置の電源の供給電圧であってもよいし、また、
0V(グランド)であってもよい。また、終端抵抗器3
11aおよび終端抵抗器311bの1組だけを図示して
いるが、実際には、バス幅の信号線の全ビットに終端抵
抗器が接続されている。
The termination resistors 311a and 311b are connected to both ends of the bus wiring 101. Termination resistor 311
The other ends of a and 311b are connected to a setting unit that sets a termination voltage (Vtt). The termination voltage (Vtt) may be the supply voltage of the power supply of the information processing apparatus, or
It may be 0 V (ground). Also, the terminating resistor 3
Although only one set of 11a and the terminating resistor 311b is illustrated, actually, the terminating resistor is connected to all the bits of the signal line of the bus width.

【0046】終端抵抗制御回路312は、情報記憶回路
301aに記憶されている情報(機能回路105aに関
する、スタブ配線の容量と入出力回路の容量)と、情報
記憶回路301bに記憶されている情報(機能回路10
5bに関する、スタブ配線の容量と入出力回路の容量)
と、情報記憶回路302に記憶されている情報(機能回
路106に関する、スタブ配線の容量と入出力回路の容
量、バス配線101の配線のみの特性インピーダンス、
および、バス配線101の容量)を(式1)を代入し、
その計算結果に応じて、終端抵抗器311a、311b
の各抵抗値を設定する。終端抵抗器311a、311b
の各抵抗値は、前述と同様、同じ値に設定する。
The termination resistance control circuit 312 stores information stored in the information storage circuit 301a (capacity of stub wiring and input / output circuit regarding the functional circuit 105a) and information stored in the information storage circuit 301b ( Functional circuit 10
5b capacity of stub wiring and capacity of input / output circuit)
Information stored in the information storage circuit 302 (capacitance of the stub wiring and capacitance of the input / output circuit regarding the functional circuit 106, characteristic impedance of only the wiring of the bus wiring 101,
And (capacity of the bus wiring 101) is substituted into (Equation 1),
Depending on the calculation result, the terminating resistors 311a, 311b
Set each resistance value of. Termination resistors 311a, 311b
Each resistance value of is set to the same value as described above.

【0047】つぎに、終端抵抗器311aの構造につい
て、図4を用いて説明する。なお、終端抵抗器311b
も同様な構造となっている。
Next, the structure of the terminating resistor 311a will be described with reference to FIG. The terminating resistor 311b
Has a similar structure.

【0048】図4において、401、402、403、
422、423、424は、所定の抵抗値を持つ固定抵
抗器である。411、412、413、431、43
2、433、434は、与えられた切り替え信号に応じ
て、導通(オン)状態と遮断(オフ)状態のいずれかを
設定されるスイッチである。441はデコード回路であ
り、終端抵抗制御回路312の出力した制御信号の内容
に応じて、スイッチ411、412、413の内の1つ
をオン状態にし、残り2つをオフ状態に設定する。デコ
ード回路442は、終端抵抗制御回路312の出力した
制御信号の内容に応じて、スイッチ431、432、4
33、434の内の1つをオン状態にし、残り3つをオ
フ状態に設定する。同図において、抵抗器401、40
2、403、スイッチ411、412、413、およ
び、デコード回路441は、終端抵抗器311aの粗設
定を行なう粗設定回路451を構成する。また、抵抗器
422、423、424、スイッチ431、432、4
33、434、および、デコード回路442は、終端抵
抗器311aの細設定を行なう細設定回路452を構成
する。
In FIG. 4, 401, 402, 403,
422, 423 and 424 are fixed resistors having a predetermined resistance value. 411, 412, 413, 431, 43
Reference numerals 2, 433 and 434 are switches that are set to either a conductive (on) state or a cutoff (off) state in accordance with a given switching signal. A decoding circuit 441 turns on one of the switches 411, 412, and 413 and sets the other two off according to the content of the control signal output from the termination resistance control circuit 312. The decoding circuit 442 switches the switches 431, 432, and 4 according to the content of the control signal output from the termination resistance control circuit 312.
One of 33 and 434 is turned on, and the other three are turned off. In the figure, resistors 401, 40
2, 403, the switches 411, 412 and 413, and the decoding circuit 441 constitute a rough setting circuit 451 that roughly sets the terminating resistor 311a. Also, resistors 422, 423, 424, switches 431, 432, 4
33, 434 and the decoding circuit 442 constitute a fine setting circuit 452 for fine setting the terminating resistor 311a.

【0049】粗設定回路451では、前述したように、
抵抗器401〜403のうちの1つがデコード回路44
1によって選択され、また、細設定回路452において
は、デコード回路442によって、直列接続された抵抗
器422〜424のいずれかの端点がスイッチ431〜
434bのうちの一つによって選択される。例えば、ス
イッチ431が選択されてオン状態になった場合、抵抗
器422、423、424の全てがバイパスされ、細設
定回路452の抵抗値は、ほとんどゼロとなる。また、
スイッチ432が選択されてオン状態になった場合、細
設定回路452の抵抗値は、抵抗器422の抵抗値に等
しくなる。スイッチ433が選択された場合、細設定回
路452の抵抗値は、抵抗器422および抵抗器423
の合計値となり、スイッチ434が選択された場合、細
設定回路452の抵抗値は、抵抗器422、抵抗器42
3および抵抗器424の各抵抗値の合計値となる。
In the rough setting circuit 451, as described above,
One of the resistors 401 to 403 is the decoding circuit 44.
In the fine setting circuit 452, one of the ends of the resistors 422 to 424 connected in series is selected by the decoding circuit 442.
Selected by one of 434b. For example, when the switch 431 is selected and turned on, all the resistors 422, 423, and 424 are bypassed, and the resistance value of the fine setting circuit 452 becomes almost zero. Also,
When the switch 432 is selected and turned on, the resistance value of the fine setting circuit 452 becomes equal to the resistance value of the resistor 422. When the switch 433 is selected, the resistance values of the fine setting circuit 452 are the same as those of the resistors 422 and 423.
When the switch 434 is selected, the resistance value of the fine setting circuit 452 is equal to that of the resistor 422 and the resistor 42.
3 and the resistance value of the resistor 424.

【0050】ここで、粗設定回路451において1つだ
け選択される抵抗器の抵抗値をSaとし、細設定回路4
52において、バイパスされなかった抵抗器の抵抗値を
Sbとし、終端抵抗値をRttとすると、RttとS
a、Sbとの関係は、次の(式2)を用いて表すことが
出来る。
Here, the resistance value of only one resistor selected in the rough setting circuit 451 is Sa, and the fine setting circuit 4
In S52, if the resistance value of the resistor not bypassed is Sb and the termination resistance value is Rtt, Rtt and S
The relationship between a and Sb can be expressed using the following (formula 2).

【0051】Rtt=Sa+ΣSb …(式3) b=422,423,424 例えば、抵抗器401、402、403の抵抗値をそれ
ぞれ、20Ω、30Ω、40Ωとし、抵抗器422、4
23、424の抵抗値を全て2.5Ωとした場合、スイ
ッチ411、432をオン状態にすると、Sa=20、
ΣSb=2.5となるので、Rttは22.5Ωとな
る。
Rtt = Sa + ΣSb (Equation 3) b = 422, 423, 424 For example, the resistance values of the resistors 401, 402, 403 are set to 20Ω, 30Ω, 40Ω, and the resistors 422, 4 are used.
When all the resistance values of 23 and 424 are 2.5Ω, when the switches 411 and 432 are turned on, Sa = 20,
Since ΣSb = 2.5, Rtt is 22.5Ω.

【0052】終端抵抗制御回路312は、まず、情報記
憶回路301a、301b、302の各情報を用いて
(式1)を実行し、そして、粗設定回路451と細設定
回路452との組み合わせてよって実現可能な複数の設
定値の中から、(式1)の計算結果に最も近くなるもの
を選び、これを終端抵抗器311aに設定する。同様
に、終端抵抗器311bにも、この値を設定する。
The terminating resistance control circuit 312 first executes (Equation 1) using each information of the information storage circuits 301a, 301b and 302, and then combines the coarse setting circuit 451 and the fine setting circuit 452. From a plurality of feasible set values, the one closest to the calculation result of (Equation 1) is selected and set to the termination resistor 311a. Similarly, this value is also set to the termination resistor 311b.

【0053】このように本実施形態によれば、バス配線
101に接続される機能回路の数のほか、その種別が変
化した場合であっても無理なく対応することができる。
As described above, according to the present embodiment, even if the number of functional circuits connected to the bus wiring 101 and the type thereof are changed, it is possible to cope with them without difficulty.

【0054】なお、終端抵抗制御回路312による、終
端抵抗器311a、311bの抵抗値の切換の期間は、
第1の実施形態と同様、バスシステムの電源投入後、バ
ス配線101にデータが伝送される前までの間、バスシ
ステムに対してリセット信号が送られた後、バス配線1
01にデータが伝送される前までの間、バスシステムが
稼働中で、バス配線101のデータ転送待ち状態の間な
どに行なう。
The period during which the termination resistance control circuit 312 switches the resistance values of the termination resistors 311a and 311b is
As in the first embodiment, after a reset signal is sent to the bus system after the bus system is powered on and before data is transmitted to the bus wiring 101, the bus wiring 1
Before the data is transmitted to 01, the bus system is in operation, and is performed while the bus wiring 101 is waiting for data transfer.

【0055】本発明の第3の実施形態を図5を用いて説
明する。
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0056】本実施形態において、第1の実施形態と相
違するところは、バス配線101と平行に試験用バス配
線520が布線されていること、検出回路107a、1
07bに代えて試験信号入出力回路501a、501b
が回路基板103a、103bに設けられていること、
試験信号入出力回路502と終端抵抗制御回路512が
バックパネル102に設けられていることである。試験
信号入出力回路501a、501b、502は、それぞ
れ、試験信号を出力する出力する出力回路と、他の試験
信号入出力回路から出力された試験信号を受付ける入力
回路とを含んで構成されている。試験用バス配線520
の両端には、バス配線101と同様、終端抵抗器521
a、521bが接続されている。終端抵抗制御回路51
2は、試験信号入出力回路501a、501b、502
と試験用バス配線520用いて、設定すべき終端抵抗値
をしぼり込んでいき、当該バスシステムに最も適した抵
抗値を、バス配線101の終端抵抗器511a、511
bに設定する。なお、ここでは、試験用バス配線520
について終端抵抗器521a、521bの1組を図示
し、バス配線101について終端抵抗器511a、51
1bの1組を図示しているが、前述と同様、終端抵抗器
は、バスを構成する信号線の全てに接続されている。ま
た、終端抵抗器511a、511b、521a、521
bの他端は、前述と同様、終端電圧(Vtt)の設定部
に設定されている。試験用バス配線520は、バス配線
101と同形態の布線ではあるが、バス配線101のバ
ス幅と同数の信号線を設ける必要はない。例えば、試験
用バス配線520のバス幅は1ビットであってもよい。
終端抵抗器511a、511b、521a、521bに
は、第1の実施形態(または第2の実施形態)で用いた
終端抵抗器を使用する。
This embodiment is different from the first embodiment in that the test bus wiring 520 is wired in parallel with the bus wiring 101, and the detection circuits 107a, 1
Test signal input / output circuits 501a and 501b instead of 07b
Is provided on the circuit boards 103a and 103b,
The test signal input / output circuit 502 and the termination resistance control circuit 512 are provided on the back panel 102. Each of the test signal input / output circuits 501a, 501b, 502 is configured to include an output circuit that outputs a test signal and an input circuit that receives a test signal output from another test signal input / output circuit. . Test bus wiring 520
As with the bus wiring 101, both ends of the
a and 521b are connected. Termination resistance control circuit 51
2 is a test signal input / output circuit 501a, 501b, 502
And the test bus wire 520 are used to narrow down the termination resistance value to be set, and the resistance value most suitable for the bus system is set to the termination resistors 511a and 511 of the bus wiring 101.
Set to b. Here, the test bus wiring 520 is used.
A pair of terminating resistors 521a and 521b is shown in FIG.
Although one set of 1b is illustrated, the terminating resistor is connected to all the signal lines forming the bus, as described above. In addition, the termination resistors 511a, 511b, 521a, 521
The other end of b is set in the terminal voltage (Vtt) setting section, as described above. The test bus wiring 520 has the same form as the bus wiring 101, but it is not necessary to provide the same number of signal lines as the bus width of the bus wiring 101. For example, the bus width of the test bus wiring 520 may be 1 bit.
The termination resistors used in the first embodiment (or the second embodiment) are used as the termination resistors 511a, 511b, 521a, 521b.

【0057】つぎに、終端抵抗器511a、511bの
各抵抗値を決定するまでの終端抵抗制御回路512の動
作について説明する。
Next, the operation of the termination resistance control circuit 512 until the respective resistance values of the termination resistors 511a and 511b are determined will be described.

【0058】終端抵抗制御回路512は、まず、終端抵
抗器521a、521bに対して、当該終端抵抗器52
1a、521bの可変可能な範囲(可変範囲)に含まれ
る何れかの抵抗値を設定する。このとき、配線101上
に接続されている機能回路105a、105b、106
による容量が最も小さい場合を想定するのであれば、可
変範囲のうちの最高値を設定する。例えば、可変範囲が
図9に示すような場合、終端抵抗器521a、521に
は、最初に50Ωを設定する。終端抵抗器521a、5
21bの抵抗値は、前述と同様、同一とする。
The termination resistance control circuit 512 first sets the termination resistors 52a and 521b to the termination resistors 52a and 52b.
Any resistance value included in the variable range (variable range) of 1a and 521b is set. At this time, the functional circuits 105a, 105b, 106 connected on the wiring 101.
If it is assumed that the capacity due to is the smallest, the highest value in the variable range is set. For example, when the variable range is as shown in FIG. 9, the termination resistors 521a and 521 are initially set to 50Ω. Termination resistors 521a, 5
The resistance value of 21b is the same as that described above.

【0059】次に、終端抵抗制御回路512は、試験信
号入出力回路501a、501b、502のうちの1つ
を選択する。選択された試験信号入出力回路は、試験用
バス配線520に向けて試験信号を出力する。図8で
は、試験信号入出力回路502から試験信号が出力され
ている様子が示されている。この試験信号は、その他の
試験信号入出力回路(ここでは、試験信号入出力回路5
01a、501b)に入力される。試験信号入出力回路
501a、501bは、それぞれ、受付けた試験信号の
状態が期待通りのものか否かを判定し、信号が劣悪な場
合は失敗とし、良好な場合は成功として、その旨を終端
抵抗制御回路512に通知する。終端抵抗器521a、
521bの抵抗値が不適切な場合、当該終端抵抗器52
1a、521bと試験用バス配線520とのインピーダ
ンスの不整合が生じ、信号の波形歪みが発生する。この
歪みが大きいと、試験信号入出力回路では正しい試験信
号を入力できなくなる。一方、終端抵抗制御回路512
には、図9に示すような管理テーブルが設けられてい
る。管理テーブルは、試験信号入出力回路から送られた
試験結果に基づいて各項目が埋められていく。具体的に
は、入力側の2つの試験信号入出力回路のうちの一方で
も失敗に終わった場合は、その抵抗値の項目には、
「×」が設定され、両方成功の場合は、「○」が設定さ
れる。
Next, the termination resistance control circuit 512 selects one of the test signal input / output circuits 501a, 501b and 502. The selected test signal input / output circuit outputs the test signal to the test bus line 520. FIG. 8 shows how the test signal is output from the test signal input / output circuit 502. This test signal is transmitted to another test signal input / output circuit (here, the test signal input / output circuit 5
01a, 501b). Each of the test signal input / output circuits 501a and 501b determines whether or not the state of the received test signal is as expected, and when the signal is poor, it is judged as failure, and when it is good, it is judged as success and is terminated. Notify the resistance control circuit 512. Termination resistor 521a,
If the resistance value of 521b is inappropriate, the termination resistor 52
Impedance mismatch between the 1a and 521b and the test bus line 520 occurs, causing waveform distortion of the signal. If this distortion is large, the test signal input / output circuit cannot input a correct test signal. On the other hand, the termination resistance control circuit 512
Is provided with a management table as shown in FIG. The management table is filled with each item based on the test result sent from the test signal input / output circuit. Specifically, if one of the two test signal input / output circuits on the input side also fails, the resistance value item is
"X" is set, and if both are successful, "○" is set.

【0060】続いて、終端抵抗制御回路512は、出力
側の試験信号入出力回路を変更し、その試験信号入出力
回路から再度試験信号を試験用バス配線520に出力す
る。
Then, the termination resistance control circuit 512 changes the test signal input / output circuit on the output side, and outputs the test signal to the test bus wiring 520 again from the test signal input / output circuit.

【0061】以上の一連の動作は、可変終端抵抗器52
1a、521bの可変範囲において、抵抗値を徐々に低
くしながら繰り返し行う。
The above series of operations is performed by the variable termination resistor 52.
In the variable range of 1a and 521b, the resistance value is gradually lowered and repeated.

【0062】最後に、終端抵抗制御回路512は、試験
信号を正常に伝送できる範囲の中心の値(図9ならば範
囲Aの中心である40Ω)を、終端抵抗器511a、5
11bのそれぞれに設定する。
Finally, the termination resistance control circuit 512 sets the value of the center of the range in which the test signal can be normally transmitted (40 Ω which is the center of the range A in FIG. 9) to the termination resistors 511a and 511.
11b.

【0063】なお、前述の試験信号は、バス配線101
で伝送しうる、最も立ち上がり時間が短く、周期が短い
信号であることが好ましい。また、試験信号の出力は、
複数回行うことが好ましい。
The above-mentioned test signal corresponds to the bus wiring 101.
It is preferable that the signal has the shortest rise time and the shortest period that can be transmitted by. The output of the test signal is
It is preferable to carry out a plurality of times.

【0064】また、終端抵抗制御回路512による、可
変終端抵抗器511a、511bの抵抗値の切換期間
は、第1、第2の実施形態と同様、バスシステムの電源
投入後、バス配線101にデータが伝送される前までの
間、バスシステムに対してリセット信号が送られた後、
バス配線101にデータが伝送される前までの間、バス
システムが稼働中で、バス配線101のデータ転送待ち
状態の間などに行うのが好ましい。
The switching period of the resistance values of the variable terminating resistors 511a and 511b by the terminating resistance control circuit 512 is the same as in the first and second embodiments. Until after the reset signal is sent to the bus system,
It is preferable that the bus system is in operation before data is transmitted to the bus line 101, and is performed while the bus line 101 is waiting for data transfer.

【0065】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、バス配線101に接続される機能回路の数や構成が
変化しても、信号がバス配線101の両端で反射を抑え
ることができ、更に、定期的に自動試験を行うことで、
環境の変化(例えば電源電圧の変動や温度変化によるド
ライバビリティの変動)がある場合でも終端抵抗が最適
化される。
As described above, according to this embodiment, even if the number or the configuration of the functional circuits connected to the bus wiring 101 changes, the signal can be suppressed from being reflected at both ends of the bus wiring 101. Furthermore, by conducting an automatic test regularly,
The termination resistance is optimized even when there is a change in the environment (for example, a change in power supply voltage or a change in drivability due to a change in temperature).

【0066】本発明の第4の実施形態について、図6を
用いて説明する。
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0067】図6には、上記説明した第1乃至第3の実
施形態をフォールトトレラントコンピュータに応用した
例が示されている。
FIG. 6 shows an example in which the first to third embodiments described above are applied to a fault tolerant computer.

【0068】このフォールトトレラントコンピュータで
は、同一構造のユニットを2重化して、それらの間に共
有ユニットを持たせ、耐故障性の向上を図っている。
In this fault tolerant computer, units of the same structure are duplicated and a shared unit is provided between them to improve fault tolerance.

【0069】具体的には、CPU601、602、メイ
ンメモリ521、バスブリッジ611、および、コネク
タ653、654を有するユニットと、CPU603、
604、メインメモリ622、バスブリッジ612、お
よび、コネクタ651、652を有するユニットが、R
AID(Redundant Arrays of Inexpensive Disks)デ
ィスク641、642や通信機能モジュール651、6
52を有するユニットを共有する。
Specifically, a unit having CPUs 601, 602, a main memory 521, a bus bridge 611, and connectors 653, 654, a CPU 603,
604, the main memory 622, the bus bridge 612, and the unit having the connectors 651 and 652 are
AID (Redundant Arrays of Inexpensive Disks) disks 641 and 642 and communication function modules 651 and 6
Share the unit with 52.

【0070】バスブリッジ611は、CPU601、6
02およびメインメモリ521を、コネクタ653、6
54を介してシステムバス681、682に接続する。
システムバス681、682には、バスブリッジ631
が接続され、その先には、IOバス691を介して共有
ユニットのコネクタ655、657が接続している。
The bus bridge 611 includes the CPUs 601 and 6
02 and the main memory 521 are connected to the connectors 653, 6
It is connected to the system buses 681 and 682 via 54.
A bus bridge 631 is provided for the system buses 681 and 682.
Are connected, and the connectors 655 and 657 of the shared unit are connected to the other end via the IO bus 691.

【0071】バスブリッジ612は、CPU603、6
04およびメインメモリ622を、コネクタ651、6
52を介してシステムバス681、682に接続する。
システムバス681、682には、バスブリッジ632
が接続され、その先には、IOバス692を介して共有
ユニットのコネクタ656、658が接続している。
The bus bridge 612 includes the CPUs 603 and 6
04 and the main memory 622 to the connectors 651, 6
It is connected to the system buses 681 and 682 via 52.
A bus bridge 632 is provided for the system buses 681 and 682.
Are connected, and the connectors 656 and 658 of the shared unit are connected to the ends thereof via the IO bus 692.

【0072】RAIDディスク641、642は、コネ
クタ655とコネクタ656との間に設けられ、通信機
能モジュール651、652は、コネクタ657とコネ
クタ658との間に設けられている。
The RAID disks 641 and 642 are provided between the connector 655 and the connector 656, and the communication function modules 651 and 652 are provided between the connector 657 and the connector 658.

【0073】そして、本実施形態では、さらに、バス6
81、682、691、692の各終端に第1の実施形
態(あるいは第2の実施形態)用いた終端抵抗器700
を設け、その制御回路(図示省略)を付加している。
Further, in the present embodiment, the bus 6 is further added.
Termination resistor 700 in which the first embodiment (or the second embodiment) is used for each termination of 81, 682, 691, 692.
Is provided and its control circuit (not shown) is added.

【0074】このように構成によれば、システムが通電
かつ動作中に、故障モジュールの着脱や新機能の追加を
行なっても、バス配線の容量の変化による波形歪みを抑
えることができ、システムの信頼性が向上する。また、
本システムは、システムダウンが許されない、勘定系シ
ステム、自動発券・予約システム、交換機等に応用する
ことができる。
According to this structure, even if the defective module is attached or detached or a new function is added while the system is energized and operating, the waveform distortion due to the change in the capacitance of the bus wiring can be suppressed, and the system Improves reliability. Also,
This system can be applied to an accounting system, an automatic ticketing / reservation system, an exchange, etc., in which system down is not allowed.

【0075】なお、本実施形態は、以下に説明する第5
および第6の実施形態についても、同様に適用可能であ
る。
The fifth embodiment will be described below.
The same applies to the sixth embodiment.

【0076】次に、本発明の第5の実施形態について、
図10、図11、図12および図14を用いて説明す
る。
Next, regarding the fifth embodiment of the present invention,
This will be described with reference to FIGS. 10, 11, 12, and 14.

【0077】図10は、上記説明した第1乃至第3の実
施形態をSSTL(Stub Series Terminated Logic, EI
AJ ED-5512)バスシステムに適用した例を示す構成図で
ある。
FIG. 10 is a block diagram of the first to third embodiments described above, showing the SSTL (Stub Series Terminated Logic, EI).
AJ ED-5512) It is a block diagram showing an example applied to a bus system.

【0078】同図には、情報処理装置の筐体等に固定さ
れたバックパネル1002と、メモリ1005aを搭載
したメモリモジュール1003aと、メモリ1005b
を搭載したメモリモジュール1003bと、メモリ10
05cを搭載したメモリモジュール1003cと、メモ
リ1005dを搭載したメモリモジュール1003d
と、が示されている。
In the figure, a back panel 1002 fixed to the housing of the information processing apparatus, a memory module 1003a having a memory 1005a mounted therein, and a memory 1005b.
And a memory module 1003b equipped with
05c mounted memory module 1003c and memory 1005d mounted memory module 1003d
And are shown.

【0079】本実施形態において、メモリモジュール
は、前記第1乃至第3の実施形態における回路基板(た
とえば、図1の103a)に相当し、メモリおよびメモ
リコントローラは、前記第1乃至第3の実施形態におけ
る機能回路(たとえば、メモリは図1の105a,b、
メモリコントローラは図1の106)に相当する。
In this embodiment, the memory module corresponds to the circuit board (for example, 103a in FIG. 1) in the first to third embodiments, and the memory and the memory controller are in the first to third embodiments. Functional circuit in the form (for example, the memory is 105a, b of FIG. 1,
The memory controller corresponds to 106) in FIG.

【0080】また、本実施形態では、メモリモジュール
1つにつきメモリを1つだけ図示しているが、1つのメ
モリモジュールにメモリを複数個搭載しても良い。例え
ば、メモリモジュールのデータ線数が64、メモリ1個
あたりのデータ線数が8であれば、メモリモジュール1
個に搭載するメモリの数は8個である。さらに、メモリ
の他に、第2の実施形態で記載した情報記憶回路を搭載
しても構わない。
In this embodiment, only one memory is shown for each memory module, but a plurality of memories may be mounted on one memory module. For example, if the number of data lines of the memory module is 64 and the number of data lines per memory is 8, the memory module 1
The number of memories mounted in each is eight. Further, in addition to the memory, the information storage circuit described in the second embodiment may be mounted.

【0081】メモリモジュール1003aには、バス配
線1001とメモリ1005aとの間のスタブ配線があ
り、同スタブ配線区間にマッチング抵抗1022aが挿
入されている。同様に、メモリモジュール1003b〜
1003dのスタブ配線にも、それぞれ、マッチング抵
抗1022b〜1022dが挿入されている。
The memory module 1003a has stub wiring between the bus wiring 1001 and the memory 1005a, and the matching resistor 1022a is inserted in the stub wiring section. Similarly, the memory modules 1003b-
Matching resistors 1022b to 1022d are also inserted in the stub wiring 1003d, respectively.

【0082】本実施形態においては、マッチング抵抗1
022a〜1022dは、スタブ配線区間中のバス配線
1001に近い位置に挿入されており、マッチング抵抗
1022a〜1022dとバス配線1001との間の短
いスタブ配線は、省略しても、すなわち、マッチング抵
抗1022a〜1022dを直接メインのバス配線10
01に接続するようにしても構わない。
In this embodiment, the matching resistor 1
022a to 1022d are inserted in positions near the bus wiring 1001 in the stub wiring section, and the short stub wiring between the matching resistors 1022a to 1022d and the bus wiring 1001 is omitted, that is, the matching resistor 1022a. 1022d directly to the main bus wiring 10
01 may be connected.

【0083】メモリモジュール1003aは、コネクタ
1004aにより、バックパネル102に対して着脱可
能となっている。同様に、メモリモジュール1003b
〜1003dは、それぞれ、コネクタ1004b〜10
04dにより、バックパネル1002に対して着脱可能
となっている。
The memory module 1003a can be attached to and detached from the back panel 102 by a connector 1004a. Similarly, the memory module 1003b
To 1003d are connectors 1004b to 1040, respectively.
By 04d, it is removable from the back panel 1002.

【0084】本実施形態おいては、コネクタ1004a
〜1004dは、バックパネル側のエッジコネクタで構
成されている。メモリモジュール1003a〜1003
dには、このエッジコネクタに設けられた接触ピンと接
触するための、配線パタンが設けられている(図示せ
ず)。
In this embodiment, the connector 1004a
Reference numeral 1004d denotes an edge connector on the back panel side. Memory modules 1003a-1003
A wiring pattern (not shown) for contacting the contact pin provided on the edge connector is provided at d.

【0085】バックパネル1002には、そのほか、メ
モリコントローラ1006と、複数の信号線から成るバ
ス配線1001と、バス配線1001の両端に接続され
た終端抵抗器1011a、1011bと、終端抵抗器1
011a、1011bの各抵抗値を変更する終端抵抗制
御回路1012と、マッチング抵抗1021と、が設け
られている。
On the back panel 1002, in addition, a memory controller 1006, a bus wiring 1001 composed of a plurality of signal lines, terminating resistors 1011a and 1011b connected to both ends of the bus wiring 1001, and a terminating resistor 1 are provided.
A terminating resistance control circuit 1012 for changing each resistance value of 011a and 1011b and a matching resistor 1021 are provided.

【0086】マッチング抵抗1021は、メモリコント
ローラ1006とバス配線1001との間の、スタブ配
線区間内に挿入されている。
The matching resistor 1021 is inserted in the stub wiring section between the memory controller 1006 and the bus wiring 1001.

【0087】マッチング抵抗1021および1022a
〜1022dは、バス配線1001とメモリモジュール
上のスタブ配線とのインピーダンスマッチング(インピ
ーダンス整合をとる)のために設けられている。
Matching resistors 1021 and 1022a
Reference numerals -1022d are provided for impedance matching (taking impedance matching) between the bus wiring 1001 and the stub wiring on the memory module.

【0088】なお、本実施形態では、マッチング抵抗1
022a〜1022dは、メモリモジュール1003a
〜1003d側に設けられているが、バックパネル10
02側に設けても構わない。
In the present embodiment, the matching resistor 1
022a to 1022d are memory modules 1003a
Although provided on the side of 1003d, the back panel 10
It may be provided on the 02 side.

【0089】メモリモジュール1003a〜1003d
は、メモリの入出力回路の負荷容量、スタブ配線の長
さ、および同配線の特性インピーダンスが、各々同じに
なるように構成されている。
Memory modules 1003a-1003d
Is configured such that the load capacitance of the input / output circuit of the memory, the length of the stub wiring, and the characteristic impedance of the wiring are the same.

【0090】コネクタ1004aには、バックパネル1
002へのメモリモジュール1003aの着脱を検出す
る検出回路1007aが設けられている。メモリモジュ
ール1003aがバックパネル1002に装着される
と、メモリモジュール1003a上のメモリ1005a
と、バックパネル1002上のバス配線1001とが接
続される。さらに、検出回路1007aから終端抵抗制
御回路1012に向けて、メモリモジュール1003a
が装着されたことを示す信号が出力される。
The connector 1004a has a back panel 1
A detection circuit 1007a for detecting attachment / detachment of the memory module 1003a to / from the memory module 002 is provided. When the memory module 1003a is attached to the back panel 1002, the memory 1005a on the memory module 1003a
And the bus wiring 1001 on the back panel 1002 are connected. Further, from the detection circuit 1007a toward the termination resistance control circuit 1012, the memory module 1003a
A signal indicating that the is attached is output.

【0091】同様に、コネクタ1004b〜1004d
にも、バックパネル1002へのメモリモジュールの着
脱を検出する検出回路1007b〜1007dが設けら
れていて、メモリモジュールがバックパネル1002に
装着されると、検出回路1007b〜1007dから終
端抵抗制御回路1012に向けて、メモリモジュール1
003b〜1003dが装着されたことを示す信号が出
力される。
Similarly, the connectors 1004b to 1004d
Also, detection circuits 1007b to 1007d for detecting attachment / detachment of the memory module to / from the back panel 1002 are provided, and when the memory module is attached to the back panel 1002, the detection circuits 1007b to 1007d cause the termination resistance control circuit 1012 to change. Towards the memory module 1
A signal indicating that 003b to 1003d are attached is output.

【0092】終端抵抗器1011a、1011bは、そ
れぞれ可変抵抗器である。
The termination resistors 1011a and 1011b are variable resistors.

【0093】終端抵抗器1011aの一端は、バス配線
1001に接続され、他端は終端電圧源(Vtt)に接
続されている。終端抵抗器111bについても同様であ
る。
One end of the terminating resistor 1011a is connected to the bus line 1001 and the other end is connected to a terminating voltage source (Vtt). The same applies to the termination resistor 111b.

【0094】また、図面では、説明を簡単にするため、
終端抵抗器1011a、1011bのみが図示されてい
るが、実際にはこの1組だけでなく、バス配線1001
のバス幅分設けられている。たとえば、64ビットのバ
ス幅ならば、64組の終端抵抗器が設けられることにな
る。
Further, in the drawings, in order to simplify the explanation,
Although only the terminating resistors 1011a and 1011b are shown, actually, not only this one set but also the bus wiring 1001.
It is provided for the width of the bus. For example, if the bus width is 64 bits, 64 sets of terminating resistors will be provided.

【0095】そして、終端抵抗制御回路1012は、検
出回路1007a〜1007dの各検出信号により、バ
ックパネル1002に装着されているメモリモジュール
の数を検知し、その数に応じて、終端抵抗器1011
a、1011bの各抵抗値を変更する。このとき、終端
抵抗器1011a、1011bの各抵抗値は、同値に設
定する。
Then, the termination resistance control circuit 1012 detects the number of memory modules mounted on the back panel 1002 by the detection signals of the detection circuits 1007a to 1007d, and the termination resistor 1011 is detected according to the number.
The resistance values of a and 1011b are changed. At this time, the resistance values of the termination resistors 1011a and 1011b are set to the same value.

【0096】なお、本実施形態では、コネクタを介して
バス配線1001に接続されるメモリの数が4つで、コ
ネクタを介さずにバス配線101に直接接続されるメモ
リコントローラの数が1つであるが、これらの個数は、
装置の規模や構成に合わせて任意に決めればよい。
In this embodiment, the number of memories connected to the bus wiring 1001 via the connector is four, and the number of memory controllers directly connected to the bus wiring 101 without the connector is one. However, these numbers are
It may be arbitrarily determined according to the scale and configuration of the device.

【0097】検出回路1007a〜1007dは、例え
ば、コネクタ1004a〜1004dへの接続を検出す
る専用ピンを設け、さらに、メモリモジュール1003
a〜1003dに設けた、この専用ピンと接触する配線
パタンを、電源用配線に接続させると良い。
The detection circuits 1007a to 1007d are provided with, for example, dedicated pins for detecting connection to the connectors 1004a to 1004d, and further, the memory module 1003 is provided.
It is advisable to connect the wiring pattern, which is provided in a to 1003d, that comes into contact with the dedicated pin to the power supply wiring.

【0098】このように構成することで、メモリモジュ
ール1003a〜1003dがバックパネル1002に
接続した場合に、コネクタ1004a〜1004dの専
用ピンに電源が供給されるので、これを検出信号として
終端抵抗制御回路1012に送ることができる。
With this configuration, when the memory modules 1003a to 1003d are connected to the back panel 1002, power is supplied to the dedicated pins of the connectors 1004a to 1004d, and this is used as a detection signal for the termination resistance control circuit. 1012 can be sent.

【0099】また、検出回路1007a〜1007dに
代えて、ユーザーが操作できるスイッチを設け、スイッ
チの状態をメモリモジュールの接続の有無として検出で
きるようにしても構わない。
Further, instead of the detection circuits 1007a to 1007d, a switch that can be operated by the user may be provided so that the state of the switch can be detected as whether or not the memory module is connected.

【0100】本実施形態において、バックパネル100
2とメモリモジュール1003a〜1003dとの接続
の組み合わせは、メモリモジュール1003a〜100
3dのうちの少なくとも1枚はバックパネル1002に
接続することにすれば、以下に示す4状態がある。
In this embodiment, the back panel 100 is used.
2 and the memory modules 1003a to 1003d are connected in combination with each other.
If at least one of 3d is connected to the back panel 1002, there are the following four states.

【0101】第1の状態は、メモリモジュール1003
a〜1003dの中の1枚だけがバックパネル1002
に接続されている状態であり、第2の状態は、メモリモ
ジュール1003a〜1003dの中の2枚だけが接続
されている状態である。第3の状態は、メモリモジュー
ル1003a〜1003dのうちの3枚が接続されてい
る状態であり、第4の状態は、メモリモジュール100
3a〜1003dの4枚すべてが接続されている状態で
ある。
The first state is the memory module 1003.
Only one of a to 1003d is the back panel 1002
In the second state, only two of the memory modules 1003a to 1003d are connected. The third state is a state in which three of the memory modules 1003a to 1003d are connected, and the fourth state is a state in which the memory module 100 is
This is a state in which all four of 3a to 1003d are connected.

【0102】第1の状態におけるバス配線1001の実
効インピーダンスをZe1、第2の状態における同バス
配線の実効インピーダンスをZe2、第3の状態におけ
る同バス配線の実効インピーダンスをZe3、第3の状
態における同バス配線の実効インピーダンスをZe4と
表わすことにして、これらの実効インピーダンスを算出
する。Ze1〜Ze4は、バス配線1001の特性イン
ピーダンスZoに対してのインピーダンス低下を示す、
実効インピーダンスである。
The effective impedance of the bus wiring 1001 in the first state is Ze1, the effective impedance of the same bus wiring in the second state is Ze2, the effective impedance of the same bus wiring in the third state is Ze3, and the effective impedance in the third state is Ze3. The effective impedance of the bus wiring is represented by Ze4, and these effective impedances are calculated. Ze1 to Ze4 indicate impedance reduction with respect to the characteristic impedance Zo of the bus wiring 1001.
It is the effective impedance.

【0103】配線のみのインピーダンスZoを50Ω、
入出力回路の容量を5pF、メモリモジュール上のスタ
ブ配線の長さを2cm、バス配線1001の長さを5c
m、配線1cm当りの容量を1pFとした場合、入出力
回路の容量とスタブ配線の容量の合計は、5pF+1p
F/cm×2cmで7pFである。また、バス配線の容
量は、1pF/cm×5cmで5pFである。
The impedance Zo of the wiring only is 50Ω,
Input / output circuit capacity is 5 pF, stub wiring length on the memory module is 2 cm, and bus wiring 1001 length is 5 c.
m, and the capacitance per 1 cm of wiring is 1 pF, the total capacitance of the input / output circuit and the stub wiring is 5 pF + 1 p
It is 7 pF at F / cm × 2 cm. The capacitance of the bus wiring is 5 pF at 1 pF / cm × 5 cm.

【0104】上記第1の状態では、バス配線1001に
接続されているメモリの数は2であることから、Zo=
50Ω、C1=14pF、C2=5pFとして、これら
を(式1)に当てはめると、実効インピーダンスZe1
は26Ωとなる。同様に、第2の状態では、バス配線1
001に接続されているメモリの数は3であり、実効イ
ンピーダンスZe2は22Ωとなる。第3の状態では、
バス配線1001に接続されているメモリの数は4であ
り、実効インピーダンスZe3は19Ωとなる。第4の
状態では、バス配線1001に接続されているメモリの
数は5であり、実効インピーダンスZe4は18Ωとな
る。
In the first state, since the number of memories connected to the bus wiring 1001 is 2, Zo =
Applying these to (Equation 1) with 50Ω, C1 = 14 pF, and C2 = 5 pF, the effective impedance Ze1
Is 26Ω. Similarly, in the second state, the bus wiring 1
The number of memories connected to 001 is 3, and the effective impedance Ze2 is 22Ω. In the third state,
The number of memories connected to the bus wiring 1001 is 4, and the effective impedance Ze3 is 19Ω. In the fourth state, the number of memories connected to the bus wiring 1001 is 5, and the effective impedance Ze4 is 18Ω.

【0105】上記のどの状態においても、実効インピー
ダンスは、特性インピーダンスZoに対して低くなって
いることを示している。
In any of the above states, the effective impedance is lower than the characteristic impedance Zo.

【0106】つぎに、終端抵抗器1011aの構成例
を、図11を用いて説明する。
Next, a configuration example of the termination resistor 1011a will be described with reference to FIG.

【0107】なお、終端抵抗器1011bについても同
様な構造となっている。
The terminating resistor 1011b has a similar structure.

【0108】図11において、1101、1102a〜
1102cは、それぞれ、抵抗値Ro、Ra、Rb、R
c、Rdを持つ固定抵抗器である。
In FIG. 11, 1101, 1102a ...
1102c are resistance values Ro, Ra, Rb, and R, respectively.
It is a fixed resistor having c and Rd.

【0109】1112a〜1112cは、与えられた切
り替え信号に応じて、導通状態(オン状態)と遮断状態
(オフ状態)のいずれかに設定されるスイッチである。
本実施形態では、このスイッチは電界効果トランジスタ
で構成されているが、代わりにリレーで構成しても良
い。スイッチの構造については後で説明する。
Reference numerals 1112a to 1112c are switches that are set to either a conductive state (on state) or a cutoff state (off state) according to a given switching signal.
In the present embodiment, this switch is composed of a field effect transistor, but it may be composed of a relay instead. The structure of the switch will be described later.

【0110】固定抵抗器1101、および1102a〜
1102cは、直列に接続されている。さらに、固定抵
抗器1102aとスイッチ1112aとは、並列に接続
されている。同様に、固定抵抗器1102bとスイッチ
1112bとは並列に接続され、固定抵抗器1102c
とスイッチ1112cとは並列に接続されている。
Fixed resistors 1101 and 1102a ...
1102c is connected in series. Further, the fixed resistor 1102a and the switch 1112a are connected in parallel. Similarly, the fixed resistor 1102b and the switch 1112b are connected in parallel, and the fixed resistor 1102c
And the switch 1112c are connected in parallel.

【0111】同図において、スイッチは3組設けられて
いるが、その数は、装着されるメモリモジュールの最大
枚数に基づいて決定される。
In the figure, three sets of switches are provided, the number of which is determined based on the maximum number of memory modules to be mounted.

【0112】1141は、デコード回路であり、図10
の終端抵抗制御回路1012から出力された制御信号に
応じて、スイッチ1112a〜1112cそれぞれのオ
ンオフ状態を切り換えて、固定抵抗器1102a〜11
02cをバイパスする。
Reference numeral 1141 denotes a decoding circuit, which is shown in FIG.
Of the fixed resistors 1102a to 1112c by switching the on / off states of the switches 1112a to 1112c in accordance with the control signal output from the terminal resistance control circuit 1012.
Bypass 02c.

【0113】終端抵抗器1011aの動作について説明
する。
The operation of the terminating resistor 1011a will be described.

【0114】なお、終端抵抗器1011bについても終
端抵抗器1011aと同様に動作する。
The terminating resistor 1011b operates similarly to the terminating resistor 1011a.

【0115】接続されているメモリモジュール数に対応
した制御信号が、終端抵抗制御回路1012から、終端
抵抗器1011aに設けられているデコード回路114
1に送られる。
A control signal corresponding to the number of connected memory modules is sent from the termination resistance control circuit 1012 to the decoding circuit 114 provided in the termination resistor 1011a.
Sent to 1.

【0116】デコード回路1141は、送られてきた制
御信号に応じてスイッチ1112a〜1112cをオン
オフする。
The decoding circuit 1141 turns on / off the switches 1112a-1112c according to the control signal sent thereto.

【0117】バックパネル1002に装着されているメ
モリモジュールの数が4のとき、デコード回路1141
は、スイッチ1112a〜1112cをすべてオン状態
にする。このときの終端抵抗器1011aの抵抗値は、
上記記第4の状態における実効インピーダンスZe4と
同値である。
When the number of memory modules mounted on the back panel 1002 is 4, the decoding circuit 1141
Turns on all the switches 1112a to 1112c. At this time, the resistance value of the termination resistor 1011a is
It has the same value as the effective impedance Ze4 in the above-mentioned fourth state.

【0118】バックパネル1002に装着されているメ
モリモジュールの数が3のとき、デコード回路1141
は、スイッチ1112aをオフ状態、スイッチ1112
b、1112cをオン状態にする。このときの終端抵抗
器1011aの抵抗値は、上記第3の状態における実効
インピーダンスZe3と同値である。
When the number of memory modules mounted on the back panel 1002 is 3, the decoding circuit 1141
Turns off the switch 1112a and switches 1112a
b, 1112c is turned on. The resistance value of the terminating resistor 1011a at this time is the same value as the effective impedance Ze3 in the third state.

【0119】バックパネル1002に装着されているメ
モリモジュールの数が2のとき、デコード回路1141
は、スイッチ1112a、1112bをオフ状態、スイ
ッチ1112cをオン状態にする。このときの終端抵抗
器1001aの抵抗値は、上記第2の状態における実効
インピーダンスZe2と同値である。
When the number of memory modules mounted on the back panel 1002 is 2, the decoding circuit 1141
Turns off the switches 1112a and 1112b and turns on the switch 1112c. The resistance value of the terminating resistor 1001a at this time is the same as the effective impedance Ze2 in the second state.

【0120】バックパネル1002に装着されているメ
モリモジュールの数が1のとき、デコード回路1141
は、スイッチ1112a〜1112cをすべてオフ状態
にする。このときの終端抵抗器1011aの抵抗値は、
上記第1の状態における実効インピーダンスZe1と同
値である。
When the number of memory modules mounted on the back panel 1002 is 1, the decoding circuit 1141
Turns off all the switches 1112a to 1112c. At this time, the resistance value of the termination resistor 1011a is
It has the same value as the effective impedance Ze1 in the first state.

【0121】固定抵抗器1101、1102a〜110
2cの抵抗値は、次の式(式4、5、6、7)を用いて
表わされる。
Fixed resistors 1101, 1102a to 110
The resistance value of 2c is expressed using the following equations (Equations 4, 5, 6, 7).

【0122】Ro=Ze4…(式4) Ra=Ze3−Ze4…(式5) Rb=Ze2−Ze3…(式6) Rc=Ze1−Ze2…(式7) (ただし、Ze1>Ze2>Ze3>Ze4) 先程求めた実効インピーダンスZe1、Ze2、Ze
3、Ze4より、各固定抵抗器の抵抗値は、各々、Ro
=18Ω、Ra=1Ω、Rb=3Ω、Rc=4Ωとな
る。
Ro = Ze4 (Equation 4) Ra = Ze3-Ze4 (Equation 5) Rb = Ze2-Ze3 (Equation 6) Rc = Ze1-Ze2 (Equation 7) (where Ze1>Ze2>Ze3> Ze4) Effective impedances Ze1, Ze2, Ze obtained earlier
From 3 and Ze4, the resistance value of each fixed resistor is Ro
= 18Ω, Ra = 1Ω, Rb = 3Ω, Rc = 4Ω.

【0123】このように各固定抵抗器の抵抗値を設定す
ることで、バス配線1001の実効インピーダンスと終
端抵抗器1011a、1011bとの関係を最適にする
ことができる。
By setting the resistance value of each fixed resistor in this way, the relationship between the effective impedance of the bus wiring 1001 and the terminating resistors 1011a and 1011b can be optimized.

【0124】つぎに、スイッチ1112aの構成例を、
図12を用いて説明する。
Next, a configuration example of the switch 1112a will be described.
This will be described with reference to FIG.

【0125】なお、スイッチ1112b、1112cに
ついても同じ構成である。
The switches 1112b and 1112c have the same structure.

【0126】1201aはNチャネル電界効果トランジ
スタ(以下、FET)であり、ソース端子(S1)、ド
レイン端子(D1)、ゲート端子(G1)の3つの端子
を備えている。1201bについても同様(S2、D
2、G2)である。
Reference numeral 1201a is an N-channel field effect transistor (hereinafter referred to as FET), which has three terminals of a source terminal (S1), a drain terminal (D1) and a gate terminal (G1). The same applies to 1201b (S2, D
2, G2).

【0127】FET1201a、1201bのソース端
子(S1、S2)同士、およびゲート端子(G1、G
2)同士を接続する。FET1201a、1201bの
D1、D2をそれぞれ固定抵抗器1102aの端子に接
続する。
Source terminals (S1, S2) of the FETs 1201a, 1201b are connected to each other, and gate terminals (G1, G2) are
2) Connect each other. D1 and D2 of the FETs 1201a and 1201b are connected to the terminals of the fixed resistor 1102a, respectively.

【0128】この構成は、FETのソース、ドレイン端
子間に双方向に電流を流すために用いられる一般的な方
法の1つである。FET1201a、1201bのゲー
ト端子(G1、G2)に電圧を印可することで、ドレイ
ン端子(D1、D2)間をオン状態にする。
This structure is one of the general methods used for bidirectionally passing a current between the source and drain terminals of an FET. By applying a voltage to the gate terminals (G1, G2) of the FETs 1201a, 1201b, the drain terminals (D1, D2) are turned on.

【0129】なお、本実施形態では、FET1201
a、1201bにNチャネルFETを用いているが、F
ET1201aおよび1201bにPチャネルFETを
用いても構わない。PチャネルFETを用いた場合、ゲ
ート端子に電圧を印可することでドレイン端子(D1、
D2)間がオフ状態になる。
In the present embodiment, the FET 1201
N channel FET is used for a and 1201b.
P-channel FETs may be used for the ETs 1201a and 1201b. When using a P-channel FET, applying a voltage to the gate terminal causes the drain terminal (D1,
D2) is turned off.

【0130】SSTLバスシステムでは、終端抵抗器に
流れる電流の向きが双方向であるが、このように、FE
Tを直列に接続することで、電流を双方向に流すことが
できる。
In the SSTL bus system, the direction of the current flowing through the terminating resistor is bidirectional.
By connecting T in series, a current can flow in both directions.

【0131】つぎに、終端抵抗器1011aの別の構成
例を、図14を用いて説明する。
Next, another configuration example of the terminating resistor 1011a will be described with reference to FIG.

【0132】なお、終端抵抗器1011bについても同
様に構成できる。
The termination resistor 1011b can be similarly constructed.

【0133】1401〜1404は、FETで構成され
たスイッチであり、ゲート端子(G)と2つのドレイン
端子(D1、D2)と、を備えている。
Reference numerals 1401 to 1404 are switches composed of FETs, each having a gate terminal (G) and two drain terminals (D1, D2).

【0134】本実施形態では、スイッチ1401〜14
04を、図12に示すように、FETを2個直列にして
構成しているが、双方向に電流を流すことのできるスイ
ッチ素子であれば良い。
In the present embodiment, the switches 1401-14
As shown in FIG. 12, 04 is configured by connecting two FETs in series, but any switching element capable of bidirectionally passing a current may be used.

【0135】スイッチ1401〜1404は、ゲート端
子(G)に電圧を印可することで、ドレイン端子間がオ
ン状態(低抵抗状態)に切り替わる。スイッチ1401〜
1404は、オン状態時の抵抗値(オン抵抗)をもって
いて、この抵抗値をそれぞれ、Ron1、Ron2、R
on3、Ron4で表わすことにする。
By applying a voltage to the gate terminals (G) of the switches 1401 to 1404, the drain terminals are switched to the ON state (low resistance state). Switch 1401
1404 has a resistance value (ON resistance) in the ON state, and these resistance values are respectively Ron1, Ron2, and Ron.
It is represented by on3 and Ron4.

【0136】接続されているメモリモジュール数に対応
した制御信号が、終端抵抗制御回路1012から、終端
抵抗器1011aに設けられているデコード回路144
1に送られる。デコード回路1441は、バックパネル
1002に装着されているメモリモジュールの数によっ
てスイッチ1401〜1404のうち1つをオン状態に
する。
A control signal corresponding to the number of connected memory modules is sent from the termination resistance control circuit 1012 to the decoding circuit 144 provided in the termination resistor 1011a.
Sent to 1. The decode circuit 1441 turns on one of the switches 1401-1404 depending on the number of memory modules mounted on the back panel 1002.

【0137】ここで、バックパネル1002に装着され
ているメモリモジュールの数が1のとき、デコード回路
1441は、スイッチ1401をオン状態にし、スイッ
チ1402〜1404をオフ状態にする。ここで、スイ
ッチ1401のオン抵抗Ron1は先程求めた実効イン
ピーダンスZe1と同じにしておく。
Here, when the number of memory modules mounted on the back panel 1002 is 1, the decoding circuit 1441 turns on the switch 1401 and turns off the switches 1402-1404. Here, the on-resistance Ron1 of the switch 1401 is set to be the same as the effective impedance Ze1 obtained above.

【0138】バックパネル1002に装着されているメ
モリモジュールの数が2のとき、デコード回路1441
は、スイッチ1402をオン状態にし、スイッチ140
1、1403、1404をオフ状態にする。スイッチ1
402のオン抵抗Ron2は、先程求めた実効インピー
ダンスZe2と同じにしておく。
When the number of memory modules mounted on the back panel 1002 is 2, the decoding circuit 1441
Turns on the switch 1402,
1, 1403, and 1404 are turned off. Switch 1
The on-resistance Ron2 of 402 is set to be the same as the effective impedance Ze2 obtained above.

【0139】バックパネル1002に装着されているメ
モリモジュールの数が3のとき、デコード回路1441
は、スイッチ1403をオン状態にし、スイッチ140
1、1402、1404をオフ状態にする。スイッチ1
403のオン抵抗Ron3は、先程求めた実効インピー
ダンスZe3と同じにしておく。
When the number of memory modules mounted on the back panel 1002 is 3, the decoding circuit 1441
Turns on the switch 1403, and the switch 140
1, 1402, and 1404 are turned off. Switch 1
The on-resistance Ron3 of 403 is set to be the same as the effective impedance Ze3 obtained above.

【0140】バックパネル1002に装着されているメ
モリモジュールの数が4のとき、デコード回路1441
は、スイッチ1404をオン状態にし、スイッチ140
1〜1403をオフ状態にする。スイッチ1404のオ
ン抵抗Ron4は、実効インピーダンスZe4と同じに
しておく。
When the number of memory modules mounted on the back panel 1002 is 4, the decoding circuit 1441
Turns on the switch 1404 and turns on the switch 140.
1 to 1403 are turned off. The on resistance Ron4 of the switch 1404 is set to be the same as the effective impedance Ze4.

【0141】本実施形態のように、終端抵抗器1011
a、1011bを構成しても、バス配線1001の実効
インピーダンスと終端抵抗器1011a、1011bと
の関係を、常に最適にすることができる。
As in this embodiment, the termination resistor 1011
Even if a and 1011b are configured, the relationship between the effective impedance of the bus wiring 1001 and the terminating resistors 1011a and 1011b can always be optimized.

【0142】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、SSTLバスを用いたメモリシステムにおいて、メ
モリモジュールの装着により、バス配線の特性インピー
ダンスに対して実効インピーダンスが低下しても、終端
抵抗器の抵抗値を実効インピーダンスに合わせること
で、バス配線の各端での信号の反射や信号の波形の歪み
が低減され、メモリ、メモリコントローラ間のデータ転
送速度をあげることが可能となる。
As described above, according to this embodiment, in the memory system using the SSTL bus, even if the effective impedance is reduced with respect to the characteristic impedance of the bus wiring due to the mounting of the memory module, the terminating resistor is used. By matching the resistance value of the signal with the effective impedance, the signal reflection and the signal waveform distortion at each end of the bus wiring can be reduced, and the data transfer rate between the memory and the memory controller can be increased.

【0143】また、上記の第2の実施形態で説明した構
成をSSTLバスを用いたメモリシステムに用いること
で、バックパネルに装着しているメモリモジュールの特
性インピーダンスや負荷容量が、各メモリモジュール毎
に異なっている場合でも、同様の効果を得ることができ
る。
Further, by using the configuration described in the second embodiment above in the memory system using the SSTL bus, the characteristic impedance and load capacity of the memory module mounted on the back panel can be changed for each memory module. Even if they are different from each other, the same effect can be obtained.

【0144】概要を説明すると、メモリモジュールに情
報記憶装置を設け、同情報記憶装置にメモリモジュール
の特性インピーダンスやメモリの入出力回路の負荷容量
の情報を記憶しておき、この情報に基づいて終端抵抗器
の抵抗値を設定すれば良い。
In summary, an information storage device is provided in the memory module, the characteristic impedance of the memory module and the load capacity of the input / output circuit of the memory are stored in the information storage device, and the termination is performed based on this information. The resistance value of the resistor may be set.

【0145】また、前述の第3の実施形態で説明した構
成をSSTLバスを用いたメモリシステムに用いること
で、バックパネルに装着しているメモリモジュールの特
性インピーダンスや負荷容量が、各メモリモジュール毎
に異なっている場合でも、同様の効果を得ることができ
る。
Further, by using the configuration described in the above-mentioned third embodiment in the memory system using the SSTL bus, the characteristic impedance and load capacity of the memory module mounted on the back panel can be changed for each memory module. Even if they are different from each other, the same effect can be obtained.

【0146】概要を説明すると、バックパネルに本来の
バス配線と同一構成の試験用のバス配線を設けて、さら
にメモリモジュールやバックパネルに試験用の入出力回
路を設け、前記試験用のバス配線に試験信号を送出し
て、前記試験信号が前記各入出力回路間を伝送可能な終
端抵抗の抵抗値を設定するように構成すれば良い。
In summary, a test bus wiring having the same structure as the original bus wiring is provided on the back panel, and a test input / output circuit is further provided on the memory module or the back panel. The test signal may be transmitted to the input terminal to set the resistance value of the terminating resistor capable of transmitting the test signal between the input / output circuits.

【0147】つぎに、本発明の第6の実施形態につい
て、図13を用いて説明する。
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0148】図13は、本発明をSSTLバスシステム
に応用したもう一つの例を示す構成図である。
FIG. 13 is a block diagram showing another example in which the present invention is applied to the SSTL bus system.

【0149】本実施形態において、上記第5の実施形態
と相違するところは、マッチング抵抗1021、102
2a〜1022dに代えて、抵抗値が可変であるマッチ
ング抵抗器1321、1322a〜1322dが設けら
れていること、および終端抵抗制御回路1012に代え
て、前記マッチング抵抗器と終端抵抗器の両方を制御す
る抵抗制御回路1312が設けられていることである。
This embodiment is different from the fifth embodiment in that matching resistors 1021 and 102 are used.
2a to 1022d are replaced by matching resistors 1321 and 1322a to 1322d having variable resistance values, and both the matching resistor and the terminating resistor are controlled in place of the terminating resistance control circuit 1012. The resistance control circuit 1312 is provided.

【0150】なお、本実施形態では、マッチング抵抗1
322a〜1322dはバックパネル1002側に設け
られているが、これ等をメモリモジュール1003a〜
1003d側に設けても構わない。
In this embodiment, the matching resistor 1
322a to 1322d are provided on the back panel 1002 side.
It may be provided on the 1003d side.

【0151】終端抵抗制御回路1312は、検出回路1
007a〜1007dの各検出信号により、バックパネ
ル1002に装着されているメモリモジュールの数を検
知し、その数に応じて、終端抵抗器1011a、101
1bと、マッチング抵抗器1321、1322a〜13
22dの各抵抗値を変更する。このとき、マッチング抵
抗器1321、1322a〜1322dの各抵抗値は、
全て同値に設定する。
The termination resistance control circuit 1312 is equivalent to the detection circuit 1
Each of the detection signals 007a to 1007d detects the number of memory modules mounted on the back panel 1002, and the terminating resistors 1011a and 101 are detected according to the number.
1b and matching resistors 1321, 1322a-132
Each resistance value of 22d is changed. At this time, the resistance values of the matching resistors 1321, 1322a to 1322d are
Set all to the same value.

【0152】なお、本実施形態では、マッチング抵抗器
1321、1322a〜1322dの各抵抗値は同値で
あるが、バックパネル1002に装着されているメモリ
モジュールの特性インピーダンスが、個々のメモリモジ
ュール毎に異なる場合は、メモリモジュール毎に異なる
値を設定しても良い。
In this embodiment, the matching resistors 1321 and 1322a to 1322d have the same resistance value, but the memory modules mounted on the back panel 1002 have different characteristic impedances. In this case, different values may be set for each memory module.

【0153】マッチング抵抗器1321、1322a〜
1322dは、上記第5の実施形態で説明した終端抵抗
器1011a、1011bと同じ構成(図11、図12
を参照)であるが、終端抵抗器を構成している固定抵抗
器の抵抗値と、マッチング抵抗器を構成している固定抵
抗器の抵抗値とは、同値ではない。
Matching resistors 1321, 1322a ...
1322d has the same configuration as the terminating resistors 1011a and 1011b described in the fifth embodiment (FIGS. 11 and 12).
However, the resistance value of the fixed resistor that constitutes the terminating resistor and the resistance value of the fixed resistor that constitutes the matching resistor are not the same value.

【0154】なお、本実施形態では、抵抗制御回路13
12は、終端抵抗器1101a、1101bと、マッチ
ング抵抗器1321、1322a〜1322dとの、2
種類の抵抗器を制御しているが、終端抵抗器の制御用
と、マッチング抵抗器の制御用とを、それぞれ独立した
制御回路で構成しても構わない。
In the present embodiment, the resistance control circuit 13
Reference numeral 12 is a terminating resistor 1101a, 1101b and matching resistors 1321, 1322a to 1322d.
Although the resistors of various types are controlled, the control of the terminating resistor and the control of the matching resistor may be configured by independent control circuits.

【0155】マッチング抵抗の抵抗値Rmは、スタブ配
線の特性インピーダンスをZs、バス配線1001の特
性インピーダンスをZとして、次の式(式8)を用いて
求めることができる。
The resistance value Rm of the matching resistor can be obtained using the following equation (Equation 8), where Zs is the characteristic impedance of the stub wiring and Z is the characteristic impedance of the bus wiring 1001.

【0156】Rm=Zs−Z/2…(式8) スタブ配線の特性インピーダンスをZs=60Ωとし
て、前記実施形態で求めたメモリモジュールの接続状態
毎のバス配線の特性インピーダンスZe1、Ze2、Z
e3、Ze4を(式8)のZに代入することで、それぞ
れの接続状態におけるマッチング抵抗器の抵抗値Rm
1、Rm2、Rm3、Rm4を求めることができる。こ
のときのマッチング抵抗器の抵抗値Rm1、Rm2、R
m3、Rm4は、それぞれ38Ω、41Ω、44Ω、4
6Ωである。
Rm = Zs−Z / 2 (Equation 8) With the characteristic impedance of the stub wiring set to Zs = 60Ω, the characteristic impedance Ze1, Ze2, Z of the bus wiring for each connection state of the memory module obtained in the above embodiment.
By substituting e3 and Ze4 into Z in (Equation 8), the resistance value Rm of the matching resistor in each connection state
1, Rm2, Rm3, Rm4 can be obtained. Resistance values Rm1, Rm2, R of the matching resistors at this time
m3 and Rm4 are 38Ω, 41Ω, 44Ω, and 4 respectively.
It is 6Ω.

【0157】さらに、固定抵抗器1101、1102
a、1102b、1102cの抵抗値を、次の式(式9
〜式12)を用いて求めることができる。
Further, fixed resistors 1101 and 1102 are provided.
a, 1102b and 1102c, the resistance value of
~ Equation 12) can be used.

【0158】Ro=Rm1 …(式9) Ra=Rm2−Rm1…(式10) Rb=Rm3−Rm2…(式11) Rc=Rm4−Rm3…(式12) (ただし、Rm4>Rm3>Rm2>Rm1) 先程求めた抵抗値Rm1、Rm2、Rm3、Rm4よ
り、マッチング抵抗器を構成する固定抵抗器の抵抗値
は、それぞれRo=38、Ra=2、Rb=3、Rc=
2、となる。
Ro = Rm1 (Equation 9) Ra = Rm2-Rm1 (Equation 10) Rb = Rm3-Rm2 (Equation 11) Rc = Rm4-Rm3 ... (Equation 12) (However, Rm4>Rm3>Rm2> Rm1) From the resistance values Rm1, Rm2, Rm3, and Rm4 obtained above, the resistance values of the fixed resistors constituting the matching resistor are Ro = 38, Ra = 2, Rb = 3, and Rc =, respectively.
2.

【0159】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、終端抵抗とマッチング抵抗の両方を常に最適値にす
ることによって、信号の波形の歪みが低減され、メモ
リ、メモリコントローラ間のデータ転送速度を上げるこ
とができる。
As described above, according to this embodiment, the distortion of the signal waveform is reduced and the data transfer rate between the memory and the memory controller is reduced by keeping both the termination resistance and the matching resistance at optimum values. Can be raised.

【0160】また、SSTLバスを用いたメモリシステ
ムにおいて、メモリモジュールの装着により、バス配線
の特性インピーダンスに対して実効インピーダンスが低
下しても、終端抵抗器の抵抗値を実効インピーダンスに
合わせ、さらにマッチング抵抗器の抵抗値も最適値に設
定することで、バス配線の各端での信号の反射や信号の
波形の歪みが低減され、メモリ、メモリコントローラ間
のデータ転送速度をあげることが可能となる。
Further, in the memory system using the SSTL bus, even if the effective impedance is lowered with respect to the characteristic impedance of the bus wiring due to the mounting of the memory module, the resistance value of the terminating resistor is adjusted to the effective impedance and further matching is performed. By setting the resistance value of the resistor to the optimum value, signal reflection and signal waveform distortion at each end of the bus wiring can be reduced, and the data transfer rate between the memory and memory controller can be increased. .

【0161】また、上記第2の実施形態で説明した構成
をSSTLバスを用いたメモリシステムに用いること
で、バックパネルに装着しているメモリモジュールの特
性インピーダンスや負荷容量が、各メモリモジュール毎
に異なっている場合でも、同様の効果を得ることができ
る。
By using the configuration described in the second embodiment in the memory system using the SSTL bus, the characteristic impedance and load capacity of the memory module mounted on the back panel can be changed for each memory module. Even if they are different, the same effect can be obtained.

【0162】概要を説明すると、メモリモジュールに情
報記憶装置を設け、同情報記憶装置にメモリモジュール
の特性インピーダンスやメモリの入出力回路の負荷容量
の情報を記憶しておき、この情報に基づいて終端抵抗器
の抵抗値と、さらに各メモリに接続されているマッチン
グ抵抗器の抵抗値を設定すれば良い。
An outline will be described. An information storage device is provided in the memory module, the characteristic impedance of the memory module and the load capacity of the input / output circuit of the memory are stored in the information storage device, and the termination is performed based on this information. The resistance value of the resistor and the resistance value of the matching resistor connected to each memory may be set.

【0163】また、上記第3の実施形態で説明した構成
をSSTLバスを用いたメモリシステムに用いること
で、バックパネルに装着しているメモリモジュールの特
性インピーダンスや負荷容量が、各メモリモジュール毎
に異なっている場合でも、同様の効果を得ることができ
る。
Further, by using the configuration described in the third embodiment in the memory system using the SSTL bus, the characteristic impedance and load capacity of the memory module mounted on the back panel can be changed for each memory module. Even if they are different, the same effect can be obtained.

【0164】概要を説明すると、バックパネルに本来の
バス配線と同一構成の試験用のバス配線を設けて、さら
にメモリモジュールやバックパネルに試験用の入出力回
路を設け、前記試験用のバス配線に試験信号を送出し
て、前記試験信号が前記各入出力回路間を伝送可能な終
端抵抗の抵抗値、およびマッチング抵抗器の抵抗値を設
定するように構成すれば良い。
In summary, a test bus wiring having the same structure as the original bus wiring is provided on the back panel, and a test input / output circuit is further provided on the memory module or the back panel. A test signal may be transmitted to the input terminal to set the resistance value of the terminating resistor and the resistance value of the matching resistor that allow the test signal to be transmitted between the input / output circuits.

【0165】[0165]

【発明の効果】本発明によれば、バス配線に接続される
機能回路の数や種別が変更されても、それに合わせて終
端抵抗を最適化がされるため、従来の装置と比較して、
バスを流れる信号の波形歪みが著しく減少する。また、
信号の波形歪を抑制できれば、データ転送を高速に行え
るバスシステムの提供が可能となる。
According to the present invention, even if the number and types of functional circuits connected to the bus wiring are changed, the terminating resistance is optimized according to the change.
The waveform distortion of the signal flowing through the bus is significantly reduced. Also,
If the waveform distortion of the signal can be suppressed, it is possible to provide a bus system capable of high-speed data transfer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態の概略を示す構成図で
ある。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an outline of a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施形態で用いる終端用可変抵抗器の構
成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a termination variable resistor used in the first embodiment.

【図3】本発明の第2の実施形態の概略を示す構成図で
ある。
FIG. 3 is a configuration diagram showing an outline of a second embodiment of the present invention.

【図4】第2の実施形態で用いる終端用可変抵抗器の構
成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram of a terminating variable resistor used in the second embodiment.

【図5】本発明の第3の実施形態の概略を示す構成図で
ある。
FIG. 5 is a configuration diagram showing an outline of a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第4の実施形態の概略を示す構成図で
ある。
FIG. 6 is a configuration diagram showing an outline of a fourth embodiment of the present invention.

【図7】従来のバスシステムに関する構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram of a conventional bus system.

【図8】本発明の第3の実施形態で用いる試験信号の入
出力回路の構成図である。
FIG. 8 is a configuration diagram of a test signal input / output circuit used in a third embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3の実施形態での試験方法に関する
説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram related to a test method according to a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第5の実施形態の概略を示す構成図
である。
FIG. 10 is a configuration diagram showing an outline of a fifth embodiment of the present invention.

【図11】第5の実施形態で用いる終端用可変抵抗器の
構成図である。
FIG. 11 is a configuration diagram of a termination variable resistor used in a fifth embodiment.

【図12】第5の実施形態で用いる終端用可変抵抗器内
のスイッチの構成図である。
FIG. 12 is a configuration diagram of a switch in a terminating variable resistor used in the fifth embodiment.

【図13】本発明の第6の実施形態の概略を示す構成図
である。
FIG. 13 is a configuration diagram showing an outline of a sixth embodiment of the present invention.

【図14】第5の実施形態で用いる終端用可変抵抗器の
構成図である。
FIG. 14 is a configuration diagram of a terminating variable resistor used in the fifth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101、1001…バス配線、 102、1002…バックパネル、 103a、103b…回路基板、 104a、104b、1004a、1004b、100
4c、1004d…コネクタ、 105a、105b、106…機能回路、 107a、107b、1007a、1007b、100
7c、1007d…検出回路、 111a、111b、311a、311b、511a、
511b、521a、521b、1011a、1011
b…可変終端抵抗器、 112、312、512、1012…終端抵抗制御回
路、 201、202、203、401、402、403、4
22、423、424、1101、1102a、110
2b、1102c…抵抗器、 211、212、213、402、412、413、4
31、432、433、434、1112a、1112
b、1112c、1401、1402、1403、14
04…スイッチ、 220、441、442、1141、1441…デコー
ド回路、 301a、301b…情報記憶回路、 451…粗設定部分、 452…細設定部分、 501a、501b、502…試験信号入出力回路、 520…試験用バス配線、 601、 602、603、604…CPU、 611、612、631、632…バスブリッジ、 621、622…メインメモリ、 641、642…RAIDディスク、 651、652…通信機能モジュール、 681、682…システムバス、 691、692…I/Oバス、 1003a、1003b、1003c、1003d…メ
モリモジュール、 1005a、1005b、1005c、1005d…メ
モリ、 1006…メモリコントローラ、 1021、1022a、1022b、1022c、10
22d…マッチング抵抗器、 1201a、1201b…電界効果トランジスタ、 1312…抵抗制御回路、 1321、1322a、1322b、1322c、13
22d…可変マッチング抵抗器
101, 1001 ... Bus wiring, 102, 1002 ... Back panel, 103a, 103b ... Circuit board, 104a, 104b, 1004a, 1004b, 100
4c, 1004d ... Connector, 105a, 105b, 106 ... Functional circuit, 107a, 107b, 1007a, 1007b, 100
7c, 1007d ... Detection circuit, 111a, 111b, 311a, 311b, 511a,
511b, 521a, 521b, 1011a, 1011
b ... Variable termination resistor, 112, 312, 512, 1012 ... Termination resistance control circuit, 201, 202, 203, 401, 402, 403, 4
22, 423, 424, 1101, 1102a, 110
2b, 1102c ... Resistors, 211, 212, 213, 402, 412, 413, 4
31, 432, 433, 434, 1112a, 1112
b, 1112c, 1401, 1402, 1403, 14
04 ... Switch, 220, 441, 442, 1141, 1441 ... Decode circuit, 301a, 301b ... Information storage circuit, 451 ... Coarse setting part, 452 ... Fine setting part, 501a, 501b, 502 ... Test signal input / output circuit, 520 ... Test bus wiring, 601, 602, 603, 604 ... CPU, 611, 612, 631, 632 ... Bus bridge, 621, 622 ... Main memory, 641, 642 ... RAID disk, 651, 652 ... Communication function module, 681 , 682 ... System bus, 691, 692 ... I / O bus, 1003a, 1003b, 1003c, 1003d ... Memory module, 1005a, 1005b, 1005c, 1005d ... Memory, 1006 ... Memory controller, 1021, 1022a, 1022b, 10 2c, 10
22d ... Matching resistor, 1201a, 1201b ... Field effect transistor, 1312 ... Resistance control circuit, 1321, 1322a, 1322b, 1322c, 13
22d ... Variable matching resistor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原 敦 神奈川県川崎市麻生区王禅寺1099番地 株式会社日立製作所 システム開発研究 所内 (72)発明者 高橋 敏郎 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日 立製作所 デバイス開発センタ内 (56)参考文献 特開 平7−245543(JP,A) 特開 平7−38580(JP,A) 特開 平7−264218(JP,A) 特開 平8−286793(JP,A) 特開 平7−250104(JP,A) 特開 平7−202947(JP,A) 特開 平7−202620(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06F 3/00 H03H 7/38 H04L 12/40 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Atsushi Hara 1099 Ozenji, Aso-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Hitachi, Ltd. System Development Research Laboratory (72) Inventor Toshiro Takahashi 2326 Imai, Ome-shi, Tokyo Hiritsu Manufacturing Co., Ltd. In device development center (56) Reference JP-A-7-245543 (JP, A) JP-A-7-38580 (JP, A) JP-A-7-264218 (JP, A) JP-A-8-286793 (JP , A) JP-A-7-250104 (JP, A) JP-A-7-202947 (JP, A) JP-A-7-202620 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB) Name) G06F 3/00 H03H 7/38 H04L 12/40

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】複数の回路基板と、これらの回路基板が挿
抜されるバックパネルとを備えたバスシステムであっ
て、 前記バックパネルには、 データ伝送用バス配線と、前記データ伝送用バス配線の
端に接続された第1の終端用可変抵抗器と、前記第1の
終端用可変抵抗器の抵抗値を定めるために用いられる試
験用バス配線と、前記試験用バス配線の端に接続された
第2の終端用可変抵抗器と、前記第1の終端用可変抵抗
器の抵抗値および前記第2の終端用可変抵抗器の抵抗値
のそれぞれを変更可能な制御回路と、が設けられ、 前記各回路基板には、 前記制御回路よりの指示に従い、前記試験用バス配線に
試験信号を出力する出力回路と、前記試験用バス配線を
介して他の回路基板から出力された試験信号を受信し、
受信結果を前記制御回路に通知する入力回路と、が設け
られ、 前記制御回路は、 前記第2の終端用可変抵抗器の抵抗値を変更可能な範囲
内の1つの値に設定する処理と、前記複数の回路基板の
うちの1つに設けられた前記出力回路に試験信号を出力
させる処理と、前記複数の回路基板のうちの残り各々に
設けられた前記入力回路から試験信号の受信結果を入手
して受信状態を判定する処理と、判定結果を前記第2の
終端用可変抵抗器の抵抗値に対応付けて管理テーブルに
登録する処理と、を有する一連の処理を、設定する前記
第2の終端用可変抵抗器の抵抗値を変更して繰り返し行
ない、 その結果前記管理テーブルに登録された各抵抗値に対す
る判定結果に基づいて、前記管理テーブルに登録された
各抵抗値の中から前記第1の終端用可変抵抗器の抵抗値
を選択し、選択した抵抗値を前記第1の終端用可変抵抗
器に設定することを特徴とする終端抵抗制御型バスシス
テム。
1. A plurality of circuit boards and these circuit boards are inserted.
It is a bus system with a back panel that can be removed.
The back panel includes a data transmission bus line and a data transmission bus line.
A first terminating variable resistor connected to the end;
The test used to determine the resistance of the terminating variable resistor.
Test bus wiring and connected to the end of the test bus wiring
A second terminating variable resistor and the first terminating variable resistor
Value of resistor and resistance value of variable resistor for the second termination
And a control circuit capable of changing each of the above, and each of the circuit boards is connected to the test bus wiring according to an instruction from the control circuit.
Connect the output circuit that outputs the test signal and the test bus wiring
Receive the test signal output from the other circuit board via
And an input circuit for notifying the control result of the reception result.
The control circuit has a range in which the resistance value of the second terminating variable resistor can be changed.
The process of setting the value to one of the
Output a test signal to the output circuit provided in one of them
And the rest of the plurality of circuit boards
Obtain the test signal reception result from the input circuit provided
And the process of determining the reception state and the determination result
Corresponds to the resistance value of the terminating variable resistor in the management table
The process of registering, and the series of processes including
Repeat the procedure by changing the resistance value of the second variable resistor for termination.
No, as a result, for each resistance value registered in the management table
Registered in the management table based on the judgment result
From among the resistance values, the resistance value of the first variable resistor for termination.
And selecting the selected resistance value as the first termination variable resistor.
Resistance control type bus system characterized by being set in the
Tem.
【請求項2】請求項1記載の終端抵抗制御型バスシステ
ムであって、 当該バスシステムは、前記バス配線と前記バス配線への
信号の入出力を行う入出力回路との間にインピーダンス
整合用抵抗器が挿入された、SSTL(Stub Series Te
rminate Logic)バスシステムであることを特徴とする
終端抵抗制御型バスシステム。
2. A terminating resistance control type bus system according to claim 1.
And a bus system for connecting the bus wiring and the bus wiring to the bus wiring.
Impedance between the I / O circuit that inputs and outputs signals
SSTL (Stub Series Te with a matching resistor inserted)
rminate Logic) bus system
Termination resistance control type bus system.
【請求項3】請求項1記載の終端抵抗制御型バスシステ
ムであって、 当該バスシステムは、前記バス配線と前記バス配線への
信号の入出力を行う入出力回路との間にインピーダンス
整合用可変抵抗器が挿入された、SSTL(Stub Serie
s Terminate Logic)バスシステムであり、 前記インピーダンス整合用可変抵抗器の抵抗値を制御す
る抵抗制御回路をさらに設けたことを特徴とする終端抵
抗制御型バスシステム。
3. A termination resistance controlled bus system according to claim 1.
And a bus system for connecting the bus wiring and the bus wiring to the bus wiring.
Impedance between the I / O circuit that inputs and outputs signals
SSTL (Stub Serie with a matching variable resistor inserted)
s Terminate Logic) bus system that controls the resistance value of the variable resistor for impedance matching.
Terminating resistor, which is further provided with a resistance control circuit
Anti-control bus system.
【請求項4】請求項3記載の終端抵抗制御型バスシステ
ムであって、 前記インピーダンス整合用可変抵抗器を電界効果トラン
ジスタで構成したことを特徴とする終端抵抗制御型バス
システム。
4. A termination resistance controlled bus system according to claim 3.
The impedance matching variable resistor is a field effect transistor.
Termination resistance control type bus characterized by being composed of transistors
system.
【請求項5】請求項1、2、3または4記載の終端抵抗
制御型バスシステムであって、 前記制御回路は、 前記第1の終端用可変抵抗器の抵抗値の設定を、前記バ
スシステムの電源投入後、前記バスシステムへのリセッ
ト信号送信後、および、前記バスシステム稼動中であっ
てデータ転送待ち状態の場合のいずれかにおいて行なう
ことを特徴とする終端抵抗制御型バスシステム。
5. The terminating resistor according to claim 1, 2, 3 or 4.
In the control type bus system, the control circuit sets the resistance value of the first terminating variable resistor to
Reset the bus system after powering on the system.
After the transmission of the bus signal and the bus system is operating.
Data transfer waiting state
A terminating resistance control type bus system characterized in that
【請求項6】請求項1、2、3または4記載の終端抵抗
制御型バスシステムであって、 前記制御回路は、 前記第1の終端用可変抵抗器の抵抗値の設定を、前記バ
ックパネルに装着される前記回路基板の数が変化した場
合に行なうことを有することを特徴とする終端抵抗制御
型バスシステム。
6. A terminating resistor according to claim 1, 2, 3 or 4.
In the control type bus system, the control circuit sets the resistance value of the first terminating variable resistor to
If the number of the circuit boards mounted on the
Termination resistance control characterized by having
Type bus system.
【請求項7】請求項1、2、3、4、5または6記載の
終端抵抗制御型バスシステムを有することを特徴とする
コンピュータ。
7. The method according to claim 1, 2, 3, 4, 5 or 6.
Characterized by having a terminating resistance controlled bus system
Computer.
【請求項8】請求項1、2、3、4、5または6記載の
終端抵抗制御型バスシステムと、前記バスシステムを介
して接続した二重化回路と、を有することを特徴とする
フォールトトレラントコンピュータ。
8. The method according to claim 1, 2, 3, 4, 5 or 6.
Termination resistance control type bus system and through the bus system
And a redundant circuit connected in parallel with each other.
Fault-tolerant computer.
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