JP3430235B2 - Data management method for block exposure, data management apparatus and charged particle beam exposure system using the same - Google Patents
Data management method for block exposure, data management apparatus and charged particle beam exposure system using the sameInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子ビーム断面を
整形するための透過孔パターンが複数形成されたブロッ
クマスクを用いた荷電粒子ビーム露光装置に適用される
露光用データ管理方法、並びに、これを用いたデータ管
理装置及び荷電粒子ビーム露光システムに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure data management method applied to a charged particle beam exposure apparatus using a block mask in which a plurality of transmission hole patterns for shaping a charged particle beam section are formed. The present invention relates to a data management device and a charged particle beam exposure system using this.
【0002】[0002]
【従来の技術】図4は、荷電粒子ビーム露光装置のマス
クステージに取り付けられるブロックマスク板MPの概
略構成を示す。ブロックマスク板MPは、マスク偏向器
で偏向可能な範囲であるマスクエリアに区分けされ、各
マスクエリアには、繰り返し使用頻度の高い透過孔パタ
ーンHが多数形成されている。図4では、簡単化のため
に透過孔パターンHを全て同一矩形で表している。2. Description of the Related Art FIG. 4 shows a schematic structure of a block mask plate MP attached to a mask stage of a charged particle beam exposure apparatus. The block mask plate MP is divided into mask areas, which are areas that can be deflected by a mask deflector, and a large number of transmission hole patterns H that are frequently used repeatedly are formed in each mask area. In FIG. 4, the transmission hole patterns H are all represented by the same rectangle for simplification.
【0003】例えばマスクエリアME11の中心Cを荷
電粒子ビーム露光装置の光軸に合わせ、光軸上の荷電粒
子ビームをマスク偏向器で振って所望の透過孔パターン
Hに通し、マスク偏向器で荷電粒子ビームを光軸上に振
り戻し、主偏向器及び副偏向器で荷電粒子ビームを偏向
させて半導体ウエハ上のレジスト膜の所望の位置に照射
させる。これにより、ワンショットで微細パターンが露
光される。For example, the center C of the mask area ME11 is aligned with the optical axis of the charged particle beam exposure apparatus, the charged particle beam on the optical axis is swung by the mask deflector to pass through the desired transmission hole pattern H, and the mask deflector is charged. The particle beam is swung back on the optical axis, and the charged particle beam is deflected by the main deflector and the sub deflector to irradiate the desired position on the resist film on the semiconductor wafer. Thereby, the fine pattern is exposed by one shot.
【0004】ブロックマスク板MPを取り換える場合、
荷電粒子ビーム露光装置内のブロックマスク板収容部を
開閉し再度真空にしなければならない。そこで、量産段
階では露光スループット向上のため、透過孔パターンの
集合が同一であるマスクエリアを多数形成した1枚のブ
ロックマスク板MPが、1品種の半導体チップを製造す
るのに用いられる。そして、ブロックマスク板MP上の
ピンホール欠陥や使用によるチャージアップにより、1
つのマスクエリアが使用できなくなると、透過孔パター
ンの集合が同一である他のマスクエリアが使用される。When the block mask plate MP is replaced,
It is necessary to open and close the block mask plate accommodating portion in the charged particle beam exposure apparatus to make the vacuum again. Therefore, in the mass production stage, in order to improve the exposure throughput, one block mask plate MP in which a large number of mask areas having the same set of transmission hole patterns is formed is used to manufacture one kind of semiconductor chip. Then, due to pinhole defects on the block mask plate MP and charge-up due to use, 1
When one mask area becomes unavailable, another mask area having the same set of transmission hole patterns is used.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体チップ
の開発段階では製造個数が少数であるので、逆に、1枚
のブロックマスク板MPで複数品種の半導体チップを製
造した方が、ブロックマスク板収容部の開閉回数が少な
くなり、露光スループットが向上する。従来では、1枚
のブロックマスク板MPを1品種の半導体チップに対応
させてブロックマスク板MPを管理していたので、1枚
のブロックマスク板MPで複数品種の半導体チップを製
造しようとするとデータ管理を人手で行う必要があり、
データ管理が煩雑になり、効率よく露光することができ
なかった。However, since the number of manufactured semiconductor chips is small at the development stage of the semiconductor chips, it is better to manufacture plural kinds of semiconductor chips with one block mask plate MP. The number of times the container is opened and closed is reduced, and the exposure throughput is improved. In the past, one block mask plate MP was made to correspond to one kind of semiconductor chip and the block mask plate MP was managed. Therefore, if one block mask plate MP is used to manufacture plural kinds of semiconductor chips, Management has to be done manually,
Data management became complicated and exposure could not be performed efficiently.
【0006】本発明の目的は、このような問題点に鑑
み、1枚のブロックマスクを1枚の半導体ウエハ上の複
数種の半導体チップに対応させて効率よく露光を行うこ
とが可能なブロック露光用データ管理方法並びにこれを
用いたデータ管理装置及び荷電粒子ビーム露光システム
を提供することにある。In view of the above problems, an object of the present invention is to perform block exposure in which one block mask is made to correspond to a plurality of types of semiconductor chips on one semiconductor wafer and exposure can be performed efficiently. A data management method, a data management apparatus using the same, and a charged particle beam exposure system.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段及びその作用効果】第1発
明のブロック露光用データ管理方法では、ブロックマス
ク露光データと半導体ウエハ露光データとを管理するデ
ータ管理方法において、該ブロックマスク露光データに
対応したブロックマスクは、通される荷電粒子ビームの
断面を整形するための透過孔パターンが複数形成され、
かつ、該複数の透過孔パターンが、荷電粒子ビームを偏
向器で偏向可能な範囲であるマスクエリアに区分けされ
ており、該半導体ウエハ露光データは、複数のチップ領
域を露光するためのものであって該透過孔パターンの識
別コードを用いて表されており、該識別コードは、該マ
スクエリア内の該透過孔パターンの位置に対応付けられ
ており、1枚の該半導体ウエハ上に複数品種のチップ領
域を割り当て、該複数品種の各々に対応して、1枚の該
ブロックマスク上の該マスクエリアを割り当て、該チッ
プ領域の半導体ウエハ露光データの集合である露光デー
タファイルの名称と、該チップ領域の露光に用いられる
該マスクエリアのブロックマスク露光データの集合であ
るマスクデータファイルの名称とを計算機上で関係付け
て対応させている。According to the block exposure data management method of the first invention, the block mask exposure data is managed in the data management method for managing the block mask exposure data and the semiconductor wafer exposure data. The block mask is formed with a plurality of transmission hole patterns for shaping the cross section of the charged particle beam passed through.
In addition, the plurality of transmission hole patterns are divided into mask areas which are ranges in which the charged particle beam can be deflected by the deflector, and the semiconductor wafer exposure data is for exposing a plurality of chip areas. Is represented by using the identification code of the transmission hole pattern, the identification code is associated with the position of the transmission hole pattern in the mask area, and a plurality of types of products are formed on one semiconductor wafer. A chip area is allocated, the mask area on one block mask is allocated corresponding to each of the plurality of types, the name of an exposure data file that is a set of semiconductor wafer exposure data of the chip area, and the chip The name of the mask data file, which is a set of block mask exposure data of the mask area used for exposure of the area, is associated on the computer and corresponded.
【0008】この第1発明によれば、前記割り当て及び
対応付けにより、1枚のブロックマスクを1枚の半導体
ウエハ上の複数種の半導体チップに対応させて効率よく
露光を行うことが可能となる。第1発明の第1態様で
は、上記露光データファイルと上記マスクデータファイ
ルとが同一品種の半導体チップに対応している場合に、
露光データファイル名とマスクデータファイル名とに共
通部分をもたせることにより、該露光データファイル名
と該マスクデータファイル名とを計算機上で対応させて
いる。According to the first aspect of the present invention, it is possible to efficiently perform exposure by making one block mask correspond to a plurality of types of semiconductor chips on one semiconductor wafer by the allocation and association. . In the first aspect of the first invention, when the exposure data file and the mask data file correspond to semiconductor chips of the same type,
By making the exposure data file name and the mask data file name have a common part, the exposure data file name and the mask data file name are made to correspond on the computer.
【0009】この第1態様によれば、露光データファイ
ル名とマスクデータファイル名との共通部分で両ファイ
ル名が対応付けられるので、対応付け及びデータ管理が
簡単になる。第1発明の第2態様では、上記計算機の記
憶装置にマスク管理データを格納し、該マスク管理デー
タは、上記ブロックマスクを識別するためのブロックマ
スク識別コードと、該ブロックマスクに含まれる全ての
上記マスクエリアの良否判定用試験結果と、該マスクエ
リアの各々に対応した、上記共通部分を含むデータファ
イル名とを有し、該マスク管理データ内での該データフ
ァイル名の位置を該ブロックマスク上の該マスクエリア
の位置に対応付け、該共通部分により該データファイル
名を上記露光データファイル名と上記マスクデータファ
イル名とに対応付けている。According to the first aspect, since both file names are associated with each other in the common portion of the exposure data file name and the mask data file name, the association and data management are simplified. In a second aspect of the first invention, mask management data is stored in a storage device of the computer, and the mask management data includes a block mask identification code for identifying the block mask and all the masks included in the block mask. The mask area has a pass / fail judgment test result and a data file name including the common part corresponding to each of the mask areas, and the position of the data file name in the mask management data is set to the block mask. The data file name is associated with the position of the mask area above and the exposure data file name and the mask data file name by the common part.
【0010】この第2態様によれば、マスク管理データ
内でのデータファイル名の位置をブロックマスク上のマ
スクエリアの位置に対応付けているので、管理データ量
を少なくすることができ、構成が簡単になる。また、マ
スク管理データ内に良否判定用試験結果を有するので、
マスク管理データ内に同一のデータファイル名が存在す
る場合、この試験結果を参照することにより、半導体ウ
エハ露光の際に適当なマスクエリアを選択することがで
きる。According to the second aspect, since the position of the data file name in the mask management data is associated with the position of the mask area on the block mask, the amount of management data can be reduced and the configuration is reduced. It will be easy. Also, since the mask management data has a test result for pass / fail judgment,
When the same data file name exists in the mask management data, an appropriate mask area can be selected at the time of exposing a semiconductor wafer by referring to this test result.
【0011】第1発明の第3態様では、上記ブロックマ
スク識別コードは、該ブロックマスクの、荷電粒子ビー
ム露光装置を含む製造装置を識別するための装置識別コ
ード部と、該製造装置を用いて製造される該ブロックマ
スクのシリアル番号部とを有し、複数の該荷電粒子ビー
ム露光装置の各々に対応して上記計算機を有し、該計算
機の記憶装置には、該計算機に対応した該荷電粒子ビー
ム露光装置を用いて製造される該ブロックマスクに対応
した上記マスクデータファイル及び上記露光データファ
イルが格納されており、半導体ウエハを露光する場合
に、該荷電粒子ビーム露光装置で使用する該ブロックマ
スクの該マスク識別コードの該装置識別コード部が、他
の荷電粒子ビーム露光装置を含む該製造装置を示してい
るとき、該装置識別コード部で識別される該製造装置に
対応した他の該計算機から該露光データファイル、上記
マスクデータファイル又はこれら両ファイルを受け取
る。In the third aspect of the first invention, the block mask identification code is obtained by using an apparatus identification code section for identifying a manufacturing apparatus of the block mask including a charged particle beam exposure apparatus, and the manufacturing apparatus. A serial number section of the block mask to be manufactured, and the computer corresponding to each of the plurality of charged particle beam exposure apparatuses, and the storage unit of the computer has the charge corresponding to the computer. The mask data file and the exposure data file corresponding to the block mask manufactured by using the particle beam exposure apparatus are stored, and the block used by the charged particle beam exposure apparatus when exposing a semiconductor wafer. When the apparatus identification code portion of the mask identification code of the mask indicates the manufacturing apparatus including another charged particle beam exposure apparatus, the apparatus identification The exposure data file from another of said computer corresponding to said manufacturing apparatus identified by the over de unit receives the mask data file or both of these files.
【0012】この第3態様によれば、簡単な構成で、ブ
ロックマスク製造用荷電粒子ビーム露光装置と半導体ウ
エハ露光用荷電粒子ビーム露光装置とが異なっていて
も、複数の計算機間で適正な露光データファイルを混乱
無く授受することができる。第1発明の第4態様では、
上記第2態様又は第3態様のいずれかにおいて、複数枚
の半導体ウエハを連続的に自動露光するために、1枚の
半導体ウエハ上の各チップ領域に対応した上記露光デー
タファイル名の集合を、該複数枚の半導体ウエハの各々
について作成した自動露光計画ファイルを有し、自動露
光で使用するブロックマスクを選択するために、該自動
露光計画ファイルに含まれる該露光データファイル名の
上記共通部分を含むデータファイル名を上記マスク管理
データから探索し、探し出した該データファイル名を有
する該マスク管理データに属する上記ブロックマスク識
別コードを読み取る。According to the third aspect, even if the charged particle beam exposure apparatus for manufacturing a block mask and the charged particle beam exposure apparatus for semiconductor wafer exposure are different from each other with a simple structure, proper exposure is performed among a plurality of computers. Data files can be sent and received without confusion. In the fourth aspect of the first invention,
In any of the second aspect or the third aspect, in order to continuously and automatically expose a plurality of semiconductor wafers, a set of the exposure data file names corresponding to the respective chip regions on one semiconductor wafer is There is an automatic exposure plan file created for each of the plurality of semiconductor wafers, and in order to select a block mask to be used for automatic exposure, the common part of the exposure data file name included in the automatic exposure plan file is set. The included data file name is searched from the mask management data, and the block mask identification code belonging to the mask management data having the found data file name is read.
【0013】この第4態様によれば、適当なブロックマ
スクを自動選択して複数枚の半導体ウエハを連続的に自
動露光することが可能となる。第2発明のブロック露光
用データ管理装置では、上記いずれかの方法を実施する
ための上記計算機を有する。第3発明の荷電粒子ビーム
露光システムでは、上記第3態様の方法を実施するため
に該第3態様の複数の荷電粒子ビーム露光装置及び計算
機を有する。According to the fourth aspect, it is possible to automatically select an appropriate block mask and continuously and automatically expose a plurality of semiconductor wafers. The block exposure data management apparatus of the second invention has the computer for carrying out any one of the above methods. A charged particle beam exposure system according to a third aspect of the present invention has a plurality of charged particle beam exposure apparatuses and a computer of the third aspect in order to carry out the method of the third aspect.
【0014】[0014]
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。図2は、荷電粒子ビーム露光システムの概略構
成を示す。バス10により、M台の設計用計算機11〜
1M及びN台の露光システム21〜2Nが相互に接続さ
れ、相互間でデータの送受が可能となっている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 shows a schematic configuration of the charged particle beam exposure system. By the bus 10, M design computers 11 to 11
The 1M and N exposure systems 21 to 2N are connected to each other, and data can be transmitted and received between them.
【0015】設計用計算機11を用いて対話的に設計デ
ータファイル11Fが作成され、設計データファイル1
1Fに基づいて、荷電粒子ビーム露光装置のための露光
データファイルW11FとマスクデータファイルM11
Fとが自動生成される。このマスクデータファイル(マ
スクエリア露光データファイル)M11Fは、設計デー
タファイル11Fに含まれる繰り返しパターンのうち頻
度の高い順に所定数のパターンを選択し、これをマスク
エリアに対応した範囲内に配置し、さらに露光データに
変換したものである。この所定数は、例えば図4のマス
クエリアME11に含まれる透過孔パターンHの個数よ
り1小さい数である。ブロックマスク板MPには、荷電
粒子ビームEBと矩形透過孔パターンとの重なり部分を
調整して任意矩形の荷電粒子ビーム断面を形成するため
の該矩形透過孔パターンが例えば1つ形成される。ウエ
ハ上の1チップ領域の露光データファイル(半導体ウエ
ハ露光データファイル)W11Fは、この選択されたパ
ターンのコードを用いて表されており、このパターンコ
ードは、マスクエリア内の透過孔パターン位置に対応付
けられている。A design data file 11F is interactively created using the design computer 11, and the design data file 1F is created.
1F, an exposure data file W11F and a mask data file M11 for the charged particle beam exposure apparatus.
F and F are automatically generated. In the mask data file (mask area exposure data file) M11F, a predetermined number of patterns are selected in descending order of frequency from the repeating patterns included in the design data file 11F, and the selected patterns are arranged in a range corresponding to the mask area. Further, it is converted into exposure data. This predetermined number is, for example, one less than the number of the transmission hole patterns H included in the mask area ME11 of FIG. On the block mask plate MP, for example, one rectangular transmission hole pattern is formed for adjusting the overlapping portion of the charged particle beam EB and the rectangular transmission hole pattern to form an arbitrary rectangular charged particle beam cross section. The exposure data file (semiconductor wafer exposure data file) W11F of the 1-chip area on the wafer is represented by using the code of the selected pattern, and this pattern code corresponds to the position of the transmission hole pattern in the mask area. It is attached.
【0016】他の設計用計算機12〜1Mについても設
計用計算機11と同様である。露光システム21では、
データ管理用計算機30と露光用計算機31との間がバ
ス10で接続され、露光用計算機31と露光制御装置3
2との間がバス33で接続され、露光制御装置32によ
り荷電粒子ビーム露光装置34が制御される。荷電粒子
ビーム露光装置34では、荷電粒子銃341から放射さ
れた荷電粒子ビームEB、例えば電子ビームが、不図示
の電磁光学系により、マスクステージ342に装着され
たブロックマスク板MPの透過孔パターンに通されて、
その断面形状が微細パターンに整形される。ローダ&ア
ンローダ343により、マスクカセット35内からマス
クステージ342へのブロックマスク板MPの装着及び
マスクステージ342からマスクカセット35へのブロ
ックマスク板MPの収納が行われる。ローダ&アンロー
ダ343は、後述のマスク識別コードを光学的に読み取
る装置も備えている。The other design computers 12 to 1M are the same as the design computer 11. In the exposure system 21,
The data management computer 30 and the exposure computer 31 are connected by the bus 10, and the exposure computer 31 and the exposure control device 3 are connected.
2 is connected by a bus 33, and the charged particle beam exposure device 34 is controlled by the exposure control device 32. In the charged particle beam exposure device 34, the charged particle beam EB emitted from the charged particle gun 341, for example, an electron beam is formed into a transmission hole pattern of the block mask plate MP mounted on the mask stage 342 by an electromagnetic optical system (not shown). Passed through,
The cross-sectional shape is shaped into a fine pattern. The loader & unloader 343 mounts the block mask plate MP on the mask stage 342 from the mask cassette 35 and stores the block mask plate MP on the mask cassette 342. The loader & unloader 343 also includes a device for optically reading a mask identification code described later.
【0017】ブロックマスク板MPの透過孔パターンを
通った荷電粒子ビームEBは、不図示の電磁光学系によ
り、光軸上に振り戻された後、再度振られて、ウエハス
テージ344上に搭載された半導体ウエハWH上の所望
の位置に照射されて、レジスト膜が露光される。ローダ
&アンローダ345により、ウエハカセット36に収納
された半導体ウエハWHがウエハステージ344上に搭
載され、露光終了後に、ウエハステージ344上の半導
体ウエハWHが他のウエハカセットに収納される。The charged particle beam EB that has passed through the transmission hole pattern of the block mask plate MP is swung back on the optical axis by an electromagnetic optical system (not shown), swung again, and mounted on the wafer stage 344. The resist film is exposed by irradiating the desired position on the semiconductor wafer WH. The semiconductor wafer WH stored in the wafer cassette 36 is mounted on the wafer stage 344 by the loader & unloader 345, and after the exposure is completed, the semiconductor wafer WH on the wafer stage 344 is stored in another wafer cassette.
【0018】オペレータの操作による指示に従って、設
計用計算機11〜1Mのうち指定されたものから、ブロ
ックマスク板を作成する露光システム21のデータ管理
用計算機30に対し、露光データファイルとマスクデー
タファイルとが組にされて送信され、その外部記憶装置
に格納され、このデータ管理用計算機30により、後述
の露光管理データファイルが作成され、その外部記憶装
置に格納される。In accordance with an instruction from the operator's operation, an exposure data file and a mask data file are supplied from a designated one of the design computers 11 to 1M to the data management computer 30 of the exposure system 21 which creates the block mask plate. Are transmitted as a set, stored in the external storage device, and the data management computer 30 creates an exposure management data file, which will be described later, and stores it in the external storage device.
【0019】露光用計算機31は、この露光管理データ
ファイルを受信し、このファイルに基づいて、ブロック
マスク板を製造する場合にはデータ管理用計算機30か
らマスクデータファイルを受信し、半導体ウエハを露光
する場合にはデータ管理用計算機30又は他の露光シス
テムのデータ管理用計算機から後述のように露光データ
ファイルを受信し、受信したファイルをその外部記憶装
置に一時記憶する。そして、バス33を介し露光制御装
置32へ、ブロックマスク板MP又は半導体チップを製
造するための露光データを供給する。露光制御装置32
は、この露光データを用いて、荷電粒子ビーム露光装置
34を制御し、半導体ウエハWH上又はマスク製造用基
板上のレジスト膜に荷電粒子ビームEBを照射させる。The exposure computer 31 receives this exposure management data file, and when manufacturing a block mask plate based on this file, receives the mask data file from the data management computer 30 to expose the semiconductor wafer. In this case, the exposure data file is received from the data management computer 30 or the data management computer of another exposure system as described later, and the received file is temporarily stored in the external storage device. Then, the exposure data for manufacturing the block mask plate MP or the semiconductor chip is supplied to the exposure control device 32 via the bus 33. Exposure control device 32
Controls the charged particle beam exposure device using this exposure data to irradiate the resist film on the semiconductor wafer WH or the mask manufacturing substrate with the charged particle beam EB.
【0020】他の露光システムについても、露光システ
ム21と同様である。図1は、上記露光管理データの構
成を示す。以下、一般にファイル名Xで識別されるファ
イルをXFと表す。露光管理データは、自動露光計画フ
ァイルWFと、ウエハ計画ファイルと、マスク計画ファ
イルと、マスク管理データファイルMMDFと、マスク
識別コードファイルMIDFとからなる。The other exposure systems are the same as the exposure system 21. FIG. 1 shows the structure of the exposure management data. Hereinafter, a file generally identified by the file name X is represented as XF. The exposure management data includes an automatic exposure planning file WF, a wafer planning file, a mask planning file, a mask management data file MMDF, and a mask identification code file MIDF.
【0021】自動露光計画ファイルWFは、m個のウエ
ハ計画ファイル名W1〜Wmからなり、その各々は、ウ
エハカセット36に収容されたm枚の半導体ウエハWH
の各々に対応している。例えばウエハ計画ファイル名W
1は、1枚の半導体ウエハWH1に対応している。ウエ
ハ計画ファイル名W1で識別されるウエハ計画ファイル
W1Fは、n個の露光データファイル名W11〜W1n
からなる。ウエハ計画ファイル名W2〜Wmについても
ウエハ計画ファイル名W1と同様である。The automatic exposure planning file WF consists of m wafer planning file names W1 to Wm, each of which has m semiconductor wafers WH stored in the wafer cassette 36.
It corresponds to each of. For example, wafer plan file name W
1 corresponds to one semiconductor wafer WH1. The wafer plan file W1F identified by the wafer plan file name W1 includes n pieces of exposure data file names W11 to W1n.
Consists of. The wafer plan file names W2 to Wm are the same as the wafer plan file name W1.
【0022】例えば露光データファイル名W11は、半
導体ウエハWH1上の斜線で示すチップ領域CH1に対
応しており、この露光データファイル名W11で、図2
の設計用計算機11で作成された露光データファイルW
11Fが識別される。露光データファイル名W12〜W
1nについても露光データファイル名W11と同様であ
る。露光データファイル名が同一の場合には、同一品種
の半導体チップが製造されることになる。For example, the exposure data file name W11 corresponds to the hatched chip area CH1 on the semiconductor wafer WH1.
Exposure data file W created by the design computer 11 of
11F is identified. Exposure data file name W12-W
1n is the same as the exposure data file name W11. If the exposure data file names are the same, semiconductor chips of the same type will be manufactured.
【0023】一方、1枚のブロックマスク板MP1に対
応したマスク計画ファイルM1Fは、p個のマスクデー
タファイル名M11〜M1pからなる。例えばマスクデ
ータファイル名M11は、ブロックマスク板MP1上の
マスクエリアME11に対応しており、マスクデータフ
ァイル名M11により図2のマスクデータファイルM1
1Fが識別される。マスクデータファイル名M12〜M
1pについてもマスクデータファイル名M11と同様で
ある。マスクデータファイル名が同一の場合には、透過
孔パターンの集合が同一のマスクエリアがブロックマス
ク板MP1上に形成されることになる。同一のマスクエ
リアのうちどれを使用するかは、後述のマスク試験結果
の情報に基づいて決定される。On the other hand, the mask plan file M1F corresponding to one block mask plate MP1 is composed of p mask data file names M11 to M1p. For example, the mask data file name M11 corresponds to the mask area ME11 on the block mask plate MP1, and the mask data file name M11 causes the mask data file M1 in FIG.
1F is identified. Mask data file name M12 to M
1p is the same as the mask data file name M11. When the mask data file names are the same, the mask areas having the same set of transmission hole patterns are formed on the block mask plate MP1. Which of the same mask areas is used is determined based on the information of the mask test result described later.
【0024】ウエハ計画ファイルW1F内の露光データ
ファイル名W11とマスク計画ファイルM1F内のマス
クデータファイル名M11とは、マスク管理データファ
イルMMDFにより対応付けられている。マスク管理デ
ータファイルMMDFは、1枚のブロックマスク板MP
1に対応しており、以下に説明する、ブロックマスク板
MP1を識別するためのマスク識別コードM1と、マス
ク試験結果と、p個のマスクエリアME11〜ME1p
にそれぞれ対応したデータファイル名D11〜D1pと
からなる。The exposure data file name W11 in the wafer planning file W1F and the mask data file name M11 in the mask planning file M1F are associated with each other by the mask management data file MMDF. The mask management data file MMDF contains one block mask plate MP.
1 and corresponds to 1 described below, a mask identification code M1 for identifying the block mask plate MP1, a mask test result, and p mask areas ME11 to ME1p.
Data file names D11 to D1p respectively corresponding to.
【0025】マスク識別コードM1は、ブロックマスク
板MP1の製造に用いられる荷電粒子ビーム露光装置3
4の装置番号部分と、この荷電粒子ビーム露光装置34
で露光されるブロックマスク板が何枚目であるかを示す
シリアル番号部分とからなり、例えば、0120256
と表され、上3桁の012が装置番号を表し、下4桁の
0256がシリアル番号を表す。The mask identification code M1 is the charged particle beam exposure apparatus 3 used for manufacturing the block mask plate MP1.
4 and the charged particle beam exposure device 34
And a serial number portion indicating the number of the block mask plate to be exposed with, for example, 0120256
The upper 3 digits 012 represent the device number, and the lower 4 digits 0256 represent the serial number.
【0026】マスク試験結果は、ブロックマスク板MP
1のピンホール欠陥や使用によるチャージアップの程度
の情報と、各マスクエリアの使用可否(良否)を示す情
報とを有する。マスクエリアME11のデータファイル
名D11は、露光データファイル名W11及びマスクデ
ータファイル名M11と共通の部分を有し、データファ
イル名D11に所定コードを付加することにより、特定
の露光データファイル名W11とマスクデータファイル
名M11とが指定される。例えば、露光データファイル
名1015により露光データファイル名W1015とマ
スクデータファイル名M1015とが指定される。The mask test result is the block mask plate MP.
It has information about the pinhole defect 1 and the degree of charge-up due to use, and information indicating whether or not each mask area can be used (good or bad). The data file name D11 of the mask area ME11 has a common portion with the exposure data file name W11 and the mask data file name M11. By adding a predetermined code to the data file name D11, a specific exposure data file name W11 is obtained. The mask data file name M11 is designated. For example, the exposure data file name 1015 specifies the exposure data file name W1015 and the mask data file name M1015.
【0027】ウエハ計画ファイルをまず作成するので、
通常は、露光データファイル名W11〜W1nに基づい
てデータファイル名D11〜D1pが作成され、データ
ファイル名D11〜D1pに基づいて、マスクデータフ
ァイル名M11〜M1pが作成される。データファイル
名が同一の場合には、同一品種の半導体チップが製造さ
れることになる。Since the wafer plan file is first created,
Normally, the data file names D11 to D1p are created based on the exposure data file names W11 to W1n, and the mask data file names M11 to M1p are created based on the data file names D11 to D1p. If the data file names are the same, semiconductor chips of the same type will be manufactured.
【0028】マスク識別コードファイルMIDFは、現
在、荷電粒子ビーム露光装置34で使用中のブロックマ
スク板のマスク識別コードMIDと、自装置の最新のマ
スク識別コードMIDと、自装置のマスク識別コードM
IDの履歴とからなる。ここに自装置とは、例えば露光
システム21のデータ管理用計算機30に対応した荷電
粒子ビーム露光装置34であり、他の露光システムの荷
電粒子ビーム露光装置と区別される。自装置のマスク識
別コードMIDの、上記シリアル番号は、マスク管理デ
ータファイルMMDFを作成する毎にインクリメントさ
れるカウンタの計数値である。The mask identification code file MIDF includes the mask identification code MID of the block mask plate currently used in the charged particle beam exposure apparatus 34, the latest mask identification code MID of its own apparatus, and the mask identification code M of its own apparatus.
ID history. Here, the own apparatus is, for example, the charged particle beam exposure apparatus 34 corresponding to the data management computer 30 of the exposure system 21, and is distinguished from the charged particle beam exposure apparatus of another exposure system. The serial number of the mask identification code MID of the device itself is a count value of a counter that is incremented each time the mask management data file MMDF is created.
【0029】荷電粒子ビーム露光装置34で作成したブ
ロックマスク板MP1をこの荷電粒子ビーム露光装置3
4に装着して半導体ウエハWH1を露光するとは限らな
い。N台の荷電粒子ビーム露光装置の使用状況に応じ
て、マスク基板の露光と半導体ウエハの露光とが同一又
は異なる荷電粒子ビーム露光装置で行われる。半導体ウ
エハ露光の場合において、現在、荷電粒子ビーム露光装
置34で使用中のブロックマスク板のマスク識別コード
MIDの上記装置番号部分が他装置を示しているとき
は、露光用計算機31は、この装置に対応した露光シス
テムのデータ管理用計算機に対しマスク管理データファ
イルMMDFの送信を要求し、これを受信し、このマス
ク管理データファイルMMDFに基づいて、さらに該デ
ータ管理用計算機に対し露光データファイル及びマスク
計画ファイルの送信を要求し、これらのファイルを受信
してその外部記憶装置に一時格納する。The block mask plate MP1 produced by the charged particle beam exposure device 34 is used as the charged particle beam exposure device 3
The semiconductor wafer WH1 is not necessarily mounted on the semiconductor wafer 4 and exposed. The exposure of the mask substrate and the exposure of the semiconductor wafer are performed by the same or different charged particle beam exposure apparatuses depending on the usage status of the N charged particle beam exposure apparatuses. In the case of semiconductor wafer exposure, when the device number portion of the mask identification code MID of the block mask plate currently used in the charged particle beam exposure device 34 indicates another device, the exposure computer 31 uses this device. Requesting the data management computer of the exposure system for transmission of the mask management data file MMDF, receiving this, and based on this mask management data file MMDF, the exposure data file and the exposure data file Request transmission of mask plan files, receive these files and temporarily store them in its external storage.
【0030】次に、半導体ウエハ自動露光手順の概略を
説明する。必要なブロックマスク板は既に製造されてお
り、このブロックマスク板に対応したマスク管理データ
ファイル及びマスク計画ファイルは既に作成済みである
とする。
(1)連続的に自動露光を行う半導体ウエハの各々につ
いて、データ管理用計算機30の入力装置を操作して対
話的にウエハ計画ファイルを作成する。Next, the outline of the semiconductor wafer automatic exposure procedure will be described. It is assumed that the necessary block mask plate has already been manufactured, and the mask management data file and mask plan file corresponding to this block mask plate have already been created. (1) For each semiconductor wafer to be continuously exposed automatically, the input device of the data management computer 30 is operated to interactively create a wafer plan file.
【0031】(2)作成したウエハ計画ファイルのファ
イル名を露光順に並べた自動露光計画ファイルを作成す
る。露光制御装置32に対し自動露光をスタートさせる
と、露光制御装置32は、露光用計算機31に対し自動
露光スタートを知らせ、図3に示す処理が行われる。以
下、括弧内の数値は図3中のステップ識別番号を示す。(2) Create an automatic exposure plan file in which the file names of the created wafer plan file are arranged in the order of exposure. When automatic exposure is started by the exposure controller 32, the exposure controller 32 notifies the exposure computer 31 of the automatic exposure start, and the processing shown in FIG. 3 is performed. Hereinafter, the numerical value in the parenthesis shows the step identification number in FIG.
【0032】(40)露光用計算機31は、データ管理
用計算機30に対し、自動露光計画ファイル及び現在使
用中のマスク識別コードMIDの送信を要求し、これら
を受信し、(41)自動露光計画ファイルに基づいてウ
エハ計画ファイルの送信を要求し、このファイルを受信
し、(42)ウエハ計画ファイルに含まれている露光デ
ータファイル名の上記共通部分(データファイル名)を
含むマスク管理データファイルMMDFの検索及び送信
を要求し、このファイルを受信する。(40) The exposure computer 31 requests the data management computer 30 to transmit the automatic exposure plan file and the mask identification code MID currently in use, receives these, and (41) the automatic exposure plan. A mask management data file MMDF including a common part (data file name) of the exposure data file name included in the wafer plan file is requested by requesting transmission of the wafer plan file based on the file and (42). Request to retrieve and send and receive this file.
【0033】(43)露光用計算機31は、マスク管理
データファイルMMDFに含まれているマスク識別コー
ドMと現在使用中のマスク識別コードMIDとを比較
し、(44)両コードが不一致の場合には、露光制御装
置32に対しマスク識別コードM及びマスク取替指令を
送信し、(45)露光制御装置32からマスク取替完了
信号を受け取ると、データ管理計算機30に対し、マス
ク識別コードM及び現在使用中のマスク識別コードMI
Dの更新指令を送信する。(43) The exposure computer 31 compares the mask identification code M contained in the mask management data file MMDF with the mask identification code MID currently in use, and (44) if both codes do not match. Transmits a mask identification code M and a mask replacement command to the exposure control device 32, and (45) receives a mask replacement completion signal from the exposure control device 32, and sends the mask identification code M and Mask identification code MI currently in use
Send the update command of D.
【0034】(46)露光用計算機31は、マスク識別
コードMに含まれている装置番号部分で識別され荷電粒
子ビーム露光装置に対応した露光システムのデータ管理
用計算機に対し、マスク管理データファイルMMDF及
び露光データファイルの送信を要求し、これらのファイ
ルを受信する。(47)露光用計算機31は、マスク管
理データファイルMMDFに含まれている、上記露光デ
ータファイル名に対応したデータファイル名の位置(同
一データファイル名が存在する場合には、上記のよう
に、マスク管理データファイルMMDF内のマスク試験
結果を参照してデータファイル名の位置を特定する。)
から、使用すべきマスクエリアの位置を知得し、(4
8)露光制御装置32に対し、このマスクエリアの位置
情報を送信し、(49)露光制御装置32からの要求に
応じてブロック単位で露光データを送信する。(46) The exposure computer 31 identifies the mask management data file MMDF to the data management computer of the exposure system identified by the device number portion included in the mask identification code M and corresponding to the charged particle beam exposure device. And request transmission of exposure data files and receive these files. (47) The exposure computer 31 uses the position of the data file name included in the mask management data file MMDF and corresponding to the exposure data file name (if the same data file name exists, as described above, The position of the data file name is specified by referring to the mask test result in the mask management data file MMDF.)
The position of the mask area to be used is known from (4
8) The position information of the mask area is transmitted to the exposure control device 32, and (49) the exposure data is transmitted in block units in response to a request from the exposure control device 32.
【0035】ステップ48で、露光制御装置32は、マ
スクステージ342を駆動して、使用するマスクエリア
の中心を荷電粒子ビーム露光装置34の光軸上に一致さ
せる。以上のステップ42〜49処理を、ウエハ計画フ
ァイル中の全ての露光データファイル名について繰り返
し行い、この繰り返し処理をさらに、ステップ41で受
信した自動露光計画ファイル中の全てのウエハ計画ファ
イル名について繰り返し行う。In step 48, the exposure control device 32 drives the mask stage 342 to align the center of the mask area to be used with the optical axis of the charged particle beam exposure device 34. The above steps 42 to 49 are repeated for all exposure data file names in the wafer plan file, and this repeated process is further repeated for all wafer plan file names in the automatic exposure plan file received in step 41. .
【0036】本実施例では、図1に示す露光管理データ
により半導体ウエハWH1上のチップ領域とブロックマ
スク板MP1上のマスクエリアとが対応づけられ、これ
らに関係した各種データが関連付けられているので、図
2に示す荷電粒子ビーム露光システムを用いることによ
り、1枚のブロックマスク板を複数種の半導体チップに
対応させて効率よく露光を行うことが可能となる。In the present embodiment, the exposure management data shown in FIG. 1 associates the chip area on the semiconductor wafer WH1 with the mask area on the block mask plate MP1 and associates various data related thereto. By using the charged particle beam exposure system shown in FIG. 2, it becomes possible to efficiently perform exposure by making one block mask plate correspond to a plurality of types of semiconductor chips.
【0037】また、露光管理データ内のデータの関連付
けに規則性が存在するので、露光管理データ作成中また
は作成後に、ウエハ計画ファイル、自動露光計画ファイ
ル、マスク計画ファイル又はマスク管理データファイル
の内容変更を容易に行うことができる。さらに、露光管
理データ内のデータの関連付けに基づいて、関連データ
の検索を容易に行うことができる。Further, since there is a regularity in the association of the data in the exposure management data, the contents of the wafer plan file, the automatic exposure plan file, the mask plan file or the mask management data file are changed during or after the creation of the exposure management data. Can be done easily. Further, related data can be easily searched based on the association of the data in the exposure management data.
【0038】なお、本発明には外にも種々の変形例が含
まれる。例えば、図1中のマスク計画ファイルM1Fを
省略し、データファイル名D11〜D1pでそれぞれマ
スクデータファイルM11F〜M1pF(図1ではマス
クデータファイルM12F〜M1pFを図示省略)を指
定する構成であってもよい。また、自動露光計画ファイ
ルWFとウエハ計画ファイルW1F〜WmF(図1では
ウエハ計画ファイルW2F〜WmFを図示省略)とを1
つのファイルにまとめた構成であってもよい。さらに、
ブロックマスク板の製造についても、自動露光計画ファ
イルWFに対応するものを備えてもよい。The present invention includes various modifications other than the above. For example, the mask plan file M1F in FIG. 1 may be omitted and the mask data files M11F to M1pF (the mask data files M12F to M1pF are not shown in FIG. 1) may be designated by the data file names D11 to D1p, respectively. Good. Further, the automatic exposure plan file WF and the wafer plan files W1F to WmF (the wafer plan files W2F to WmF are not shown in FIG. 1) are set to 1
It may have a configuration in which it is collected in one file. further,
Also for the production of the block mask plate, one corresponding to the automatic exposure plan file WF may be provided.
【図1】本発明の一実施例の露光管理データ説明図であ
る。FIG. 1 is an explanatory diagram of exposure management data according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施例の荷電粒子ビーム露光システ
ムの概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a charged particle beam exposure system according to an embodiment of the present invention.
【図3】本発明の一実施例の半導体ウエハ自動露光手順
を示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing a semiconductor wafer automatic exposure procedure according to an embodiment of the present invention.
【図4】荷電粒子ビーム露光用ブロックマスク板の概略
図である。FIG. 4 is a schematic view of a block mask plate for charged particle beam exposure.
10、33 バス 11 設計用計算機 21 露光システム 30 データ管理用計算機 31 露光用計算機 32 露光制御装置 34 荷電粒子ビーム露光装置 35 マスクカセット 36 ウエハカセット 341 荷電粒子銃 342 マスクステージ 343、345 ローダ&アンローダ 344 ウエハステージ 10,33 bus 11 Design calculator 21 Exposure system 30 Data management computer 31 Exposure calculator 32 Exposure control device 34 Charged particle beam exposure apparatus 35 mask cassette 36 wafer cassette 341 charged particle gun 342 mask stage 343, 345 Loader & Unloader 344 wafer stage
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027
Claims (7)
ハ露光データとを管理するデータ管理方法であって、該
ブロックマスク露光データに対応したブロックマスク
は、通される荷電粒子ビームの断面を整形するための透
過孔パターンが複数形成され、かつ、該複数の透過孔パ
ターンが、荷電粒子ビームを偏向器で偏向可能な範囲で
あるマスクエリアに区分けされており、該半導体ウエハ
露光データは、複数のチップ領域を露光するためのもの
であって該透過孔パターンの識別コードを用いて表され
ており、該識別コードは、該マスクエリア内の該透過孔
パターンの位置に対応付けられており、 1枚の該半導体ウエハ上に複数品種のチップ領域を割り
当て、該複数品種の各々に対応して、1枚の該ブロック
マスク上の該マスクエリアを割り当て、該チップ領域の
半導体ウエハ露光データの集合である露光データファイ
ルの名称と、該チップ領域の露光に用いられる該マスク
エリアのブロックマスク露光データの集合であるマスク
データファイルの名称とを計算機上で関係付けて対応さ
せたことを特徴とするブロック露光用データ管理方法。1. A data management method for managing block mask exposure data and semiconductor wafer exposure data, wherein a block mask corresponding to the block mask exposure data is for shaping a cross section of a charged particle beam passed therethrough. A plurality of transmission hole patterns are formed, and the plurality of transmission hole patterns are divided into mask areas, which are ranges in which the charged particle beam can be deflected by a deflector. The semiconductor wafer exposure data includes a plurality of chip areas. And is represented by using an identification code of the transmission hole pattern, and the identification code is associated with the position of the transmission hole pattern in the mask area. A plurality of types of chip areas are allocated on the semiconductor wafer, and the mask area on one block mask is assigned to each of the plurality of types. , A name of an exposure data file which is a set of semiconductor wafer exposure data of the chip region and a name of a mask data file which is a set of block mask exposure data of the mask area used for exposing the chip region on a computer A block exposure data management method characterized in that they are associated with each other.
ータファイルとが同一品種の半導体チップに対応してい
る場合に、露光データファイル名とマスクデータファイ
ル名とに共通部分をもたせることにより、該露光データ
ファイル名と該マスクデータファイル名とを計算機上で
対応させたことを特徴とする請求項1記載のブロック露
光用データ管理方法。2. When the exposure data file and the mask data file correspond to the same type of semiconductor chip, the exposure data file name and the mask data file name have a common part, so that the exposure data 2. The block exposure data management method according to claim 1, wherein the file name and the mask data file name are associated with each other on a computer.
タを格納し、該マスク管理データは、 前記ブロックマスクを識別するためのブロックマスク識
別コードと、 該ブロックマスクに含まれる全ての前記マスクエリアの
良否判定用試験結果と、 該マスクエリアの各々に対応した、前記共通部分を含む
データファイル名とを有し、 該マスク管理データ内での該データファイル名の位置を
該ブロックマスク上の該マスクエリアの位置に対応付
け、該共通部分により該データファイル名を前記露光デ
ータファイル名と前記マスクデータファイル名とに対応
付けたことを特徴とする請求項2記載のブロック露光用
データ管理方法。3. A mask management data is stored in a storage device of the computer, and the mask management data includes a block mask identification code for identifying the block mask and all mask areas included in the block mask. A pass / fail test result and a data file name including the common part corresponding to each of the mask areas, and the position of the data file name in the mask management data is set to the mask on the block mask. 3. The block exposure data management method according to claim 2, wherein the data file name is associated with the position of the area and the data file name is associated with the exposure data file name and the mask data file name by the common portion.
ロックマスクの、荷電粒子ビーム露光装置を含む製造装
置を識別するための装置識別コード部と、該製造装置を
用いて製造される該ブロックマスクのシリアル番号部と
を有し、 複数の該荷電粒子ビーム露光装置の各々に対応して前記
計算機を有し、該計算機の記憶装置には、該計算機に対
応した該荷電粒子ビーム露光装置を用いて製造される該
ブロックマスクに対応した前記マスクデータファイル及
び前記露光データファイルが格納されており、 半導体ウエハを露光する場合に、該荷電粒子ビーム露光
装置で使用する該ブロックマスクの該マスク識別コード
の該装置識別コード部が、他の荷電粒子ビーム露光装置
を含む該製造装置を示しているとき、該装置識別コード
部で識別される該製造装置に対応した他の該計算機から
該露光データファイルを受け取ることを特徴とする請求
項3記載のブロック露光用データ管理方法。4. The block mask identification code is an apparatus identification code section for identifying a manufacturing apparatus including a charged particle beam exposure apparatus of the block mask, and a block mask manufactured using the manufacturing apparatus. A serial number part, and the computer corresponding to each of the plurality of charged particle beam exposure apparatuses, and the charged particle beam exposure apparatus corresponding to the computer is used as a storage device of the computer. The mask data file and the exposure data file corresponding to the manufactured block mask are stored, and the mask identification code of the block mask used in the charged particle beam exposure apparatus is used when exposing a semiconductor wafer. When the apparatus identification code section indicates the manufacturing apparatus including another charged particle beam exposure apparatus, the apparatus identification code section identifies the manufacturing apparatus. 3. Block exposure data management method, wherein the receive the exposure data file from another of said computer corresponding to granulation apparatus.
光するために、1枚の半導体ウエハ上の各チップ領域に
対応した前記露光データファイル名の集合を、該複数枚
の半導体ウエハの各々について作成した自動露光計画フ
ァイルを有し、 自動露光で使用するブロックマスクを選択するために、
該自動露光計画ファイルに含まれる該露光データファイ
ル名の前記共通部分を含むデータファイル名を前記マス
ク管理データから探索し、探し出した該データファイル
名を有する該マスク管理データに属する前記ブロックマ
スク識別コードを読み取ることを特徴とする請求項3又
は4記載のブロック露光用データ管理方法。5. A set of exposure data file names corresponding to respective chip areas on one semiconductor wafer is used to continuously and automatically expose a plurality of semiconductor wafers. In order to select the block mask to be used for automatic exposure, you have an automatic exposure plan file created for
The block mask identification code belonging to the mask management data having the found data file name is searched from the mask management data for a data file name including the common part of the exposure data file name included in the automatic exposure plan file. 5. The block exposure data management method according to claim 3, wherein the block exposure data is read.
方法を実施するための前記計算機を有することを特徴と
するブロック露光用データ管理装置。6. A block exposure data management apparatus comprising the computer for carrying out the method according to claim 1. Description:
4記載の複数の荷電粒子ビーム露光装置及び計算機を有
することを特徴とする荷電粒子ビーム露光システム。7. A charged particle beam exposure system comprising a plurality of charged particle beam exposure apparatuses according to claim 4 and a computer for carrying out the method of claim 4.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19337795A JP3430235B2 (en) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | Data management method for block exposure, data management apparatus and charged particle beam exposure system using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19337795A JP3430235B2 (en) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | Data management method for block exposure, data management apparatus and charged particle beam exposure system using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0945599A JPH0945599A (en) | 1997-02-14 |
JP3430235B2 true JP3430235B2 (en) | 2003-07-28 |
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ID=16306913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19337795A Expired - Lifetime JP3430235B2 (en) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | Data management method for block exposure, data management apparatus and charged particle beam exposure system using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3430235B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001133962A (en) * | 1999-11-02 | 2001-05-18 | Advantest Corp | Method for forming mask data for partial and simultaneous transfer exposure and exposure method by the same |
JP4503154B2 (en) * | 2000-08-09 | 2010-07-14 | 富士通セミコンダクター株式会社 | Drawing data creation method and apparatus |
CN114185244B (en) * | 2022-02-15 | 2022-06-03 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | Photomask set and wafer marking method |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP19337795A patent/JP3430235B2/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0945599A (en) | 1997-02-14 |
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