JP3427464B2 - New polyester imide - Google Patents
New polyester imideInfo
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- JP3427464B2 JP3427464B2 JP03101594A JP3101594A JP3427464B2 JP 3427464 B2 JP3427464 B2 JP 3427464B2 JP 03101594 A JP03101594 A JP 03101594A JP 3101594 A JP3101594 A JP 3101594A JP 3427464 B2 JP3427464 B2 JP 3427464B2
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- liquid crystal
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- hexafluoroisopropylidene
- bisphthalyl
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は新規なポリエステルイミ
ドに関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a novel polyesterimide.
【0002】[0002]
【従来の技術】ポリイミド樹脂は市販のプラスチック中
最高の耐熱性を有し、また温度による特性の変化が少な
く、耐衝撃性、寸法安定性、電気特性、耐摩耗性も良い
優れたプラスチックである。このような特徴を活かし
て、絶縁、封止材料やプリント基板などの電気電子分野
をはじめ、航空宇宙用、機械用素材として使用されてい
る。また近年、液晶表示素子の配向膜材料としても注目
されており、多くのポリイミド系配向膜が開発されてい
る。2. Description of the Related Art Polyimide resin is an excellent plastic that has the highest heat resistance among commercially available plastics, has little change in characteristics with temperature, and has good impact resistance, dimensional stability, electrical characteristics, and abrasion resistance. . Utilizing these characteristics, it is used as a material for aerospace and machinery, including electrical and electronic fields such as insulation and sealing materials and printed circuit boards. Further, in recent years, attention has been paid as a material for an alignment film of a liquid crystal display element, and many polyimide-based alignment films have been developed.
【0003】時計や電卓に用いられている液晶表示素子
には、上下2枚で1対をなす電極基板の間でネマチック
液晶分子の配列方向を90度以上捻った構造のツイステ
ッドネマチック(以下TNと略す。)モードが主に採用
されている。このような液晶表示素子に使用される配向
膜は、単に液晶分子を配列させるだけでは不十分であ
り、応答性を良くし双安定性を確実にするため、基板面
と液晶分子の間に1〜4度のプレチルト角をもたせなけ
ればならない。In a liquid crystal display element used in a clock or a calculator, a twisted nematic (hereinafter referred to as TN) having a structure in which the arrangement direction of nematic liquid crystal molecules is twisted by 90 degrees or more between a pair of upper and lower electrode substrates. The mode is mainly adopted. The alignment film used in such a liquid crystal display device is not enough to simply arrange the liquid crystal molecules, and in order to improve the responsiveness and ensure the bistability, the alignment film is formed between the substrate surface and the liquid crystal molecules. It must have a pretilt angle of ~ 4 degrees.
【0004】また、液晶表示素子において同一場面を長
時間点灯すると、その場面を消灯した後も、前の画像が
残像として残る現象が見られることがある。残像の原因
は、液晶素子に直流電流(DC)成分が印加されるため
に、配向膜表面に液晶中に含まれる不純物のイオン成分
による電気二重層が生じ、上下の基板の間で電化の偏り
が生じ、その偏りが安定化することによる電位差が原因
であると考えられる。特にアクティブ素子である薄膜ト
ランジスター素子(TFT素子)においては、素子の特
性上DC成分を除去することができないので、残像現象
はTN素子より目立ちやすく深刻である。よってこれら
の液晶セルに使用される配向膜は、残像現象がなく良好
な電気特性を有していなければならない。Further, when the same scene is turned on for a long time in the liquid crystal display device, a phenomenon in which the previous image remains as an afterimage may be seen even after turning off the scene. The cause of the afterimage is that a direct current (DC) component is applied to the liquid crystal element, so that an electric double layer is generated on the surface of the alignment film due to an ionic component of impurities contained in the liquid crystal, and a bias of electrification occurs between the upper and lower substrates. It is considered that this is caused by the potential difference caused by the occurrence of the above-mentioned phenomenon and stabilization of the bias. In particular, in a thin film transistor element (TFT element) which is an active element, since the DC component cannot be removed due to the characteristics of the element, the afterimage phenomenon is more conspicuous and serious than the TN element. Therefore, the alignment film used in these liquid crystal cells must have good electric characteristics without the afterimage phenomenon.
【0005】特開昭61−240223号には式〔4〕Japanese Unexamined Patent Publication No. 61-240223 discloses a formula [4].
【化10】 (ただし、Arは4価の芳香族基を示す。)で示される
構造単位を有する、ポリイミド樹脂およびそれを用いた
液晶配向膜が開示されている。しかしこのポリイミド配
向膜では残像現象が発生するという難点がある。 [Chemical 10] (However, Ar represents a tetravalent aromatic group.) A polyimide resin having a structural unit represented by the formula and a liquid crystal alignment film using the same are disclosed. However, this polyimide alignment film has a drawback that an afterimage phenomenon occurs.
【0006】また、特開平5−214101号にはビス
〔4-(ジカルボキシベンゾイルオキシ)フェニルアル
キル〕二無水物をモノマーとして用いたポリエステルイ
ミドが開示されている。しかしこのポリエステルイミド
を液晶配向膜として用いた時の、残像の度合などは明確
でない。Further, JP-A-5-214101 discloses a polyesterimide using bis [4- (dicarboxybenzoyloxy) phenylalkyl] dianhydride as a monomer. However, when this polyester imide is used as a liquid crystal alignment film, the degree of afterimage is not clear.
【0007】[0007]
【本発明が解決しようとする課題】本発明の目的はポリ
イミドが有している耐熱性などを犠牲にすることなく、
電気および電子材料として利用可能であり、特に残存現
象がなく電気特性に優れ、かつプレチルト角を1〜4度
程度にすることができる液晶配向膜として有用な、新規
ポリイミド系樹脂を提供することである。The object of the present invention is to prevent the heat resistance of polyimide from being sacrificed.
By providing a novel polyimide-based resin that can be used as an electric and electronic material, is particularly excellent in electrical characteristics without a residual phenomenon, and is useful as a liquid crystal alignment film that can have a pretilt angle of about 1 to 4 degrees. is there.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するため種々検討を重ねた結果、ジアミン成分
として、前記式〔1〕の構造単位を持つポリエステルイ
ミドは、低温硬化性および耐熱性に優れ、さらにこの樹
脂を用いた液晶配向膜は、残像現象が無いなど電気特性
が良い事を見いだし本発明を完成した。The inventors of the present invention have conducted various studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, a polyesterimide having a structural unit of the above formula [1] as a diamine component has low-temperature curability. The present invention has been completed by discovering that the liquid crystal alignment film using this resin has excellent heat resistance, and that the liquid crystal alignment film has good electrical characteristics such as no afterimage phenomenon.
【0009】すなわち本発明の構成は下記の通りであ
る。
(1)式〔1〕
(ただし、Aはフェニル基、3,3’,4,4’ービフ
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位と式〔2〕
(ただし、Aはフェニル基、3,3’,4,4’ービフ
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位から成るポリエステルイミ
ド。
(2)式〔1〕
(ただし、Aはフェニル基、3,3’,4,4’ービフ
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位と式〔3〕
(ただし、Aはフェニル基、3,3’,4,4’ービフ
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位から成るポリエステルイミ
ド。
(3)式〔1〕
(ただし、Aはフェニル基、3,3’,4,4’ービフ
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位と式〔2〕
(ただし、Aはフェニル基、3,3’,4,4’ービフ
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位と式〔3〕
(ただし、Aはフェニル基、3,3’,4,4’ービフ
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位から成るポリエステルイミ
ド。
(4)式〔1〕
(ただし、Aは3,3’,4,4’ービフェニル基、ま
たは1,1,1,3,3,3ーヘキサフルオロイソプロ
ピリデンー2,2ービスフタリル基を示す。)で示され
る構造単位から成るポリエステルイミド。
(5)上記(1)〜(3)のいずれかに記載されるポリ
エステルイミドを用いることを特徴とする液晶配向膜。
(6)上記(5)に記載される液晶配向膜を備えた液晶
表示素子。
(7)式〔1〕
(ただし、Aはフェニル基、3,3’,4,4’−ビフ
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位から成るポリエステルイミド
を用いることを特徴とする液晶配向膜。 (8)上記(7)に記載される液晶配向膜を備えた液晶
表示素子。 That is, the constitution of the present invention is as follows. Formula (1) [1] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Structural unit and formula [2] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Polyester imide consisting of structural units. (2) Formula [1] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Structural unit and formula [3] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Polyester imide consisting of structural units. (3) Formula [1] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Structural unit and formula [2] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Structural unit and formula [3] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Polyester imide consisting of structural units. (4) Formula [1] (However, A is 3, 3 ', 4, 4' over a biphenyl group, or
Other shows the 1,1,1,3,3,3 over hexafluoroisopropylidene over 2,2 Bisufutariru group. ) A polyester imide comprising a structural unit represented by: (5) A liquid crystal alignment film using the polyesterimide described in any one of (1) to ( 3 ) above. (6) A liquid crystal display device comprising the liquid crystal alignment film described in (5) above. (7) Formula [1] (However, A is a phenyl group, 3,3 ', 4,4'-bif
Phenyl group or 1,1,1,3,3,3-hexaful
Indicates an oroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group
You ) Polyester imide consisting of structural unit
A liquid crystal alignment film characterized by using. (8) Liquid crystal having the liquid crystal alignment film according to (7) above
Display element.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】
本発明のポリエステルイミドの製
造に用いられる、式〔5〕 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Formula [5] used for producing the polyesterimide of the present invention
【化20】 で示される2,2−ジエチル−1,3−プロパンジオール−
ビス(4−アミノベンゾエート)は、p−ニトロベンゾ
イルクロリドと2,2−ジエチル−1,3−プロパンジオー
ルをピリジンの存在下で反応して得られる、2,2−ジエ
チル−1,3−プロパンジオール−ビス(4−ニトロベン
ゾエート)をパラジウム触媒存在下、接触還元して製造
する。 [Chemical 20] 2,2-diethyl-1,3-propanediol-
Bis (4-aminobenzoate) is 2,2-diethyl-1,3-propane obtained by reacting p-nitrobenzoyl chloride with 2,2-diethyl-1,3-propanediol in the presence of pyridine. It is produced by catalytic reduction of diol-bis (4-nitrobenzoate) in the presence of a palladium catalyst.
【化21】 [Chemical 21]
【0011】また、その他のジアミンとして式〔6〕Further, as another diamine, a compound represented by the formula [6]
【化22】 で示される2,2−ビス(4−アミノフェニル)−1,1,1,
3,3,3−ヘキサフルオロプロパン(以下ビスA-AFと略
す)および式〔7〕 [Chemical formula 22] 2,2-bis (4-aminophenyl) -1,1,1,
3,3,3-hexafluoropropane (hereinafter abbreviated as bisA-AF) and formula [7]
【化23】 で示される2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニ
ル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパンを挙げる
ことができる。 [Chemical formula 23] 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane represented by
【0012】テトラカルボン酸二無水物は、式〔8〕The tetracarboxylic dianhydride has the formula [8]
【化24】 (ただし、Aはフェニル基、3,3’,4,4’ービフ
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される化合物であり具体的には、ピロメリッ
ト酸二無水物(PMDA)、3,3',4,4'−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物(BPDA)、1,1,1,3,
3,3,−ヘキサフルオロイソプロピリデン−2,2−ビス
フタル酸二無水物(6FDA)である。 [Chemical formula 24] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Compounds, specifically, pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 1, 1, 1, 3,
It is 3,3, -hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalic acid dianhydride (6FDA).
【0013】式〔1〕、および式〔2〕、または式
〔3〕で示される構造単位から成る、ポリエステルイミ
ド分子中における、各構造単位のモル比は、式〔1〕が
5〜70モル%、式〔2〕または式〔3〕が95〜30
モル%である事が好ましい。式〔1〕の比率が70モル
%以上になると、得られるポリエステルイミドの製膜性
が悪化するという問題が生じる。The molar ratio of each structural unit in the polyesterimide molecule consisting of the structural unit represented by the formula [1] and the formula [2] or the formula [3] is 5 to 70 mol in the formula [1]. %, Formula [2] or formula [3] is 95-30
It is preferably mol%. When the ratio of the formula [1] is 70 mol% or more, there is a problem that the film forming property of the obtained polyesterimide is deteriorated.
【0014】本発明のポリエステルイミドを合成するに
は、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミンの縮合反応
によって得られる、ポリイミド前駆体のポリアミック酸
を基板上に塗布し、加熱処理して脱水反応させてポリエ
ステルイミド膜を基板上に形成する方法が好ましい。具
体的に説明すると、ポリアミック酸をN−メチル−2−
ピロリドン(NMP)、ジメチルアセトアミド(DMA
c)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスル
ホキシド(DMSO)、ブチルセロソルブ、エチルカル
ビトールなどの溶媒に溶解して0.1〜30重量%溶液
に調整し、この溶液を基板上に塗布し薄膜を形成させ
る。塗布後、100〜450℃、好ましくは180〜2
90℃で加熱処理を行い、脱水閉環反応させてポリエス
テルイミド膜を設ける。To synthesize the polyesterimide of the present invention, a polyimide precursor polyamic acid obtained by a condensation reaction of a tetracarboxylic dianhydride and a diamine is coated on a substrate and subjected to heat treatment for dehydration reaction. A method of forming a polyester imide film on a substrate is preferable. More specifically, polyamic acid is converted into N-methyl-2-
Pyrrolidone (NMP), dimethylacetamide (DMA
c), dissolved in a solvent such as dimethylformamide (DMF), dimethylsulfoxide (DMSO), butyl cellosolve, and ethyl carbitol to prepare a 0.1 to 30% by weight solution, and this solution is applied on a substrate to form a thin film. Let After coating, 100 to 450 ° C, preferably 180 to 2
Heat treatment is performed at 90 ° C., and a dehydration ring closure reaction is performed to provide a polyesterimide film.
【0015】本発明の液晶配向膜を基板上に形成させる
には、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミンの縮合反
応によって得られる、ポリイミド前駆体のポリアミック
酸を基板上に塗布し、加熱処理して脱水反応させてポリ
イミド系高分子膜を基板上に形成する方法が好ましい。
具体的に説明すると、ポリアミック酸をNMP、DMA
c、DMF、DMSO、ブチルセロソルブ、エチルカル
ビトールなどの溶媒に溶解し、0.1〜30重量%溶液
に調整し、この溶液を刷毛塗り法、浸責法、回転塗布
法、スプレー法、印刷法等により基板上に塗布し、薄膜
を形成させる。塗布後、100〜450℃、好ましくは
180〜290℃で加熱処理を行い、脱水閉環反応させ
てポリイミド系高分子膜を設ける。塗布前に基板表面上
を、シランカップリング剤で処理し、その上に高分子膜
を形成させれば、膜と基板との接着性を改善することが
できる。しかる後、この被膜面を布などで一方向にラビ
ングして液晶配向膜を得る。To form the liquid crystal alignment film of the present invention on a substrate, a polyimide precursor polyamic acid obtained by a condensation reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine is coated on the substrate and heat-treated. A method of forming a polyimide-based polymer film on a substrate by a dehydration reaction is preferable.
More specifically, polyamic acid is converted into NMP and DMA.
Dissolve in a solvent such as c, DMF, DMSO, butyl cellosolve, ethyl carbitol and adjust to a solution of 0.1 to 30% by weight, and use this solution for brush coating, dipping, spin coating, spraying and printing. And the like to form a thin film on the substrate. After coating, heat treatment is performed at 100 to 450 ° C., preferably 180 to 290 ° C., and a dehydration ring closure reaction is performed to provide a polyimide polymer film. If the surface of the substrate is treated with a silane coupling agent before coating and a polymer film is formed thereon, the adhesion between the film and the substrate can be improved. Then, the coated surface is rubbed in one direction with a cloth or the like to obtain a liquid crystal alignment film.
【0016】上記のポリアミック酸は、テトラカルボン
酸二無水物と、ジアミンの縮合反応によって得られる。
これらの反応は無水の条件下、DMAc、NMP、DM
F、DMSO、硫酸ジメチル、スルホラン、ブチロラク
トン、クレゾール、フェノール、ハロゲン化フェノー
ル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ンなどの溶媒中、好ましくはDMAc溶媒中50℃以下
の温度で行われる。The above polyamic acid is obtained by the condensation reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine.
These reactions are performed under anhydrous conditions under the conditions of DMAc, NMP, DM
It is carried out in a solvent such as F, DMSO, dimethyl sulfate, sulfolane, butyrolactone, cresol, phenol, halogenated phenol, cyclohexanone, dioxane or tetrahydrofuran, preferably in a DMAc solvent at a temperature of 50 ° C. or lower.
【0017】液晶表示素子として用いる基板は、通常基
板上に電極、具体的にはITO(酸化インジウム−酸化
スズ)や酸化スズの透明電極が形成されたものである
が、さらに、この電極と基板の間に、基板からのアルカ
リ溶出を防止するための絶縁膜、カラーフィルター、カ
ラーフィルターオーバーコート等のアンダーコート膜を
設けてもよく、電極上に絶縁膜、カラーフィルター膜な
どのオーバーコート膜を設けてもよい。また、TFT素
子、非線形抵抗素子などの能動素子を形成していてもよ
い。これらの電極、アンダーコート、その他の液晶セル
内の構成は、従来の液晶表示素子の構成が使用可能であ
る。The substrate used as a liquid crystal display element is usually one on which an electrode, specifically, a transparent electrode of ITO (indium oxide-tin oxide) or tin oxide is formed. An insulating film for preventing alkali elution from the substrate, an undercoat film such as a color filter or a color filter overcoat may be provided between the electrodes, and an overcoat film such as an insulating film or a color filter film may be provided on the electrodes. It may be provided. Further, an active element such as a TFT element or a non-linear resistance element may be formed. For these electrodes, undercoat, and other internal structure of the liquid crystal cell, the structure of a conventional liquid crystal display element can be used.
【0018】このように形成された基板を使用してセル
化し、液晶を注入し、注入口を封止して液晶表示素子を
作る。この封入される液晶としては、通常のネマチック
液晶の他、二色性色素を添加した液晶等種々の液晶が使
用できる。本発明の液晶配向膜は、残像現象がないとい
う特徴を備えている。The substrate thus formed is made into cells, liquid crystal is injected, and the injection port is sealed to produce a liquid crystal display element. As the liquid crystal to be enclosed, various liquid crystals such as a normal nematic liquid crystal and a liquid crystal to which a dichroic dye is added can be used. The liquid crystal alignment film of the present invention has a feature that there is no afterimage phenomenon.
【0019】本発明の液晶表示素子は、残留電圧が低く
したがって残像現象がないという特性を備えている液晶
配向膜、すなわち本発明に関わる液晶配向膜を備えてい
ることが特徴であり、通常基板、電圧印加手段、液晶配
向膜、液晶層などにより構成される。The liquid crystal display device of the present invention is characterized in that it has a liquid crystal alignment film having a characteristic that the residual voltage is low and therefore there is no afterimage phenomenon, that is, the liquid crystal alignment film according to the present invention. , A voltage application unit, a liquid crystal alignment film, a liquid crystal layer, and the like.
【0020】[0020]
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明するが、本発明はこれら実施例によって何等限定され
るものではない。The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0021】実施例で得られたポリエステルイミドの物
性は以下の方法で測定した。
分解温度(Td):示差熱重量同時測定装置(セイコー電
子工業社製 TG / DTA-220型)を用い毎分10℃の昇温速
度で測定し、重量減少5%の温度をTdとした。
ガラス転移温度(Tg):示差走査熱量計(セイコー電子
工業社製 DSC-200型)を用い毎分10℃の昇温速度で測定
した。The physical properties of the polyesterimides obtained in the examples were measured by the following methods. Decomposition temperature (Td): A differential thermogravimetric simultaneous measurement device (TG / DTA-220 manufactured by Seiko Denshi Kogyo Co., Ltd.) was used to measure the temperature at a temperature rising rate of 10 ° C./min. Glass transition temperature (Tg): measured with a differential scanning calorimeter (DSC-200 manufactured by Seiko Instruments Inc.) at a temperature rising rate of 10 ° C. per minute.
【0022】残像の度合はC−Vカーブ法を用いて測定
した。C−Vカーブ法は、液晶セルに電圧V=±10V
の三角波(周波数0.0036Hz)を印加し、これに
25mV、1kHzの交流を重たんさせて掃引したとき
に変化する容量Cを記録したものである。ここで、電圧
をまず正側に掃引すると、容量が大きくなる。次に負側
に掃引すると、容量は小さくなり0となる。0より負側
に掃引すると、また容量は大きくなり、正側に掃引する
とまた小さくなる。これを数サイクル繰り返した後の波
形は図1のようになる。液晶配向膜表面に電荷の偏りが
生じて安定化した場合、電圧が正側、負側両方において
ヒステリシス曲線を描く。残留電荷は、正側、負側両方
でC−V曲線に接線を2本ずつ引き、これらとそれぞれ
V=0の時の容量(C0)との交点(α1〜α4)をそれぞ
れ求め、正側は正側、負側は負側で各2点間の電位差を
求めた後、これらの平均の電圧差を求めることにより決
定される。この値は、液晶セルの膜厚および配向膜の膜
厚が同じであれば、電荷の偏り安定化のパラメーターと
なる。すなわち残留電荷の小さい配向膜を用いるほど残
像現象を緩和できる。The degree of afterimage was measured by the CV curve method. In the C-V curve method, the voltage V = ± 10V is applied to the liquid crystal cell.
The triangular wave (frequency: 0.0036 Hz) is applied, and the capacitance C that changes when sweeping by superposing an alternating current of 25 mV and 1 kHz is recorded. Here, if the voltage is first swept to the positive side, the capacity increases. Next, when it is swept to the negative side, the capacitance becomes small and becomes zero. Sweeping from 0 to the negative side increases the capacity again, and sweeping to the positive side decreases the capacity again. The waveform after repeating this for several cycles is as shown in FIG. When the charge is deviated and stabilized on the surface of the liquid crystal alignment film, the voltage draws a hysteresis curve on both the positive side and the negative side. For the residual charge, two tangents are drawn on the C-V curve on both the positive side and the negative side, and the intersections (α1 to α4) of these and the capacitance (C 0 ) at V = 0 are obtained, respectively. The positive side is the positive side, and the negative side is the negative side. The potential difference between the two points is obtained, and then the average voltage difference between these two points is obtained. This value becomes a parameter for stabilizing the bias of the electric charge if the film thickness of the liquid crystal cell and the film thickness of the alignment film are the same. That is, the residual image phenomenon can be alleviated by using an alignment film having a small residual charge.
【0023】電圧保持率は、図2のような回路で測定し
た。測定方法は、ゲートパルス幅69ms、ゲート周波
数60Hz、波高±4.5Vの短形波(VS)をソースに
引加することにより変化するドレイン(VD)をオシロ
スコープより読み取ることによって行った。例えば、ソ
ースに正の短形波が引加されると次に負の短形波が引加
されるまでの間、ドレイン(VD)は正の値を示す。も
し保持率が100%の場合、図3に示すVDは、点線で
示される長方形の軌道をとるのだが、普通VDは除々に
0に近づく実線で示される軌道となる。そこで、測定し
た軌道の面積(V=0と軌道によって囲まれる面積)す
なわち斜線部分を算出し、これを4回行い、平均値を求
めた。全く電圧が減少しなかった場合の面積を100%
として、これに対し測定した面積の相対値を電圧保持率
(%)とした。プレチルト角の測定は、クリスタルロー
テーション法を用いて測定した。The voltage holding ratio was measured by a circuit as shown in FIG. The measurement method was performed by reading a drain (V D ) which changes by applying a rectangular wave (V S ) having a gate pulse width of 69 ms, a gate frequency of 60 Hz and a wave height of ± 4.5 V to the source with an oscilloscope. For example, when a positive rectangular wave is applied to the source, the drain (V D ) shows a positive value until the next negative rectangular wave is applied. If the retention rate is 100%, V D shown in FIG. 3 takes a rectangular trajectory shown by a dotted line, but normally V D becomes a trajectory shown by a solid line gradually approaching 0. Then, the area of the measured track (the area surrounded by the track where V = 0 and the track), that is, the shaded area was calculated, and this was repeated four times to obtain the average value. 100% of the area when the voltage does not decrease at all
The relative value of the measured area was defined as the voltage holding ratio (%). The pretilt angle was measured by the crystal rotation method.
【0024】実施例1
式〔1〕および式〔2〕で示される構造単位からなるポ
リエステルイミドの製造:
1)式〔5〕で示される2,2−ジエチル−1,3−プロパ
ンジオール−ビス(4−アミノベンゾエート)の製造。
撹拌機をつけた500mlの三つ口フラスコにテトラヒドロ
フラン(THF)200 ml、ピリジン 30 ml を入れ、ここに
2,2−ジエチル−1,3−プロパンジオール30.9g( 0.26
mol )を加え室温で撹拌した。これにp−ニトロベン
ゾイルクロリド13.0 g(0.07mol)をTHF 50 ml に溶か
した溶液を30分で滴下して、12時間反応を行った。反応
終了後この反応液を1 リットルの水に加え、酢酸エチル
1.5 リットルで抽出した。続いて有機層を3N塩酸で3
回、飽和重曹水で3回、さらに水で洗浄した。得られた
酢酸エチル層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒
を減圧下留去して得られた結晶を酢酸エチルで2回再結
晶し、2,2−ジエチル−1,3−プロパンジオール−ビス
(4−ニトロベンゾエート)15.9g(収率 78.1%)を得
た。融点は141.4〜142.4℃であった。この化合物の構造
をIRとNMRで確認した後、該化合物の接触還元を行っ
た。すなわち、2,2−ジエチル−1,3−プロパンジオー
ル−ビス(4−ニトロベンゾエート)12.6g(0.03mol)
を酢酸エチル300mlに溶かし、5重量%パラジウム−炭
素1gを加え、常温常圧で接触還元を行った。反応終了
後触媒をろ別し、溶媒を減圧下留去して得られた結晶
を、n−ヘプタン/酢酸エチルで2回再結晶し、2,2−
ジエチル−1,3−プロパンジオール−ビス(4−アミノ
ベンゾエート)8.60g(収率 77.8%)を得た。融点は13
3.4〜135.1℃であった。この化合物の構造をIRとNMRで
確認した。Example 1 Production of Polyesterimide Consisting of Structural Units Represented by Formula [1] and Formula [2]: 1) 2,2-Diethyl-1,3-propanediol-bis Represented by Formula [5] Production of (4-aminobenzoate). Into a 500 ml three-necked flask equipped with a stirrer, add 200 ml of tetrahydrofuran (THF) and 30 ml of pyridine,
2,2-diethyl-1,3-propanediol 30.9 g (0.26
mol) was added and the mixture was stirred at room temperature. A solution prepared by dissolving 13.0 g (0.07 mol) of p-nitrobenzoyl chloride in 50 ml of THF was added dropwise over 30 minutes, and the reaction was carried out for 12 hours. After the reaction is complete, add this reaction mixture to 1 liter of water and add ethyl acetate.
Extracted with 1.5 liters. Then, the organic layer was washed with 3N hydrochloric acid to 3 times.
The extract was washed three times with saturated aqueous sodium hydrogen carbonate and further with water. The obtained ethyl acetate layer was dried over anhydrous sodium sulfate, the solvent was evaporated under reduced pressure, and the obtained crystals were recrystallized twice with ethyl acetate to give 2,2-diethyl-1,3-propanediol- 15.9 g (yield 78.1%) of bis (4-nitrobenzoate) was obtained. The melting point was 141.4-142.4 ° C. After confirming the structure of this compound by IR and NMR, the compound was subjected to catalytic reduction. That is, 12.6 g (0.03 mol) of 2,2-diethyl-1,3-propanediol-bis (4-nitrobenzoate)
Was dissolved in 300 ml of ethyl acetate, 1 g of 5 wt% palladium-carbon was added, and catalytic reduction was carried out at room temperature and atmospheric pressure. After completion of the reaction, the catalyst was filtered off, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the obtained crystals were recrystallized twice with n-heptane / ethyl acetate to give 2,2-
Diethyl-1,3-propanediol-bis (4-aminobenzoate) 8.60 g (yield 77.8%) was obtained. Melting point 13
The temperature was 3.4 to 135.1 ° C. The structure of this compound was confirmed by IR and NMR.
【0025】2)重合反応
50 mlの三ツ口フラスコに2,2−ジエチル−1,3−プロ
パンジオール−ビス(4−アミノベンゾエート)0.2778
g(0.75 mmol)、2,2−ビス(4−アミノフェニル)−
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン(以下ビスA-A
Fと略す)0.2507 g(0.75 mmol)、DMAc3 ml を
入れて、窒素気流下室温で撹拌溶解した。次いでこの液
を10℃に保ち、3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物 0.4413 g(1.5 mmol)を投入した。DM
Ac3mlで器壁をすすぎ、そのまま3時間反応を行っ
た。得られた反応液をN−メチル−2−ピロリドン/ブ
チルセロソルブ/ジメチルホルムアミド=16/3/1
溶媒で4.6wt%に希釈後、ガラス基板上に回転塗布
法(スピンナー法)で塗布した。塗布後、100℃で1
0分間予備加熱を行った後、40分間で200℃まで昇
温した。最後に200℃で90分間焼成し、膜厚600
・のポリエステルイミド膜を得た。このポリエステルイ
ミドは、分解温度が 425.5 ℃、ガラス転移温度258.9
℃であった。また、残りの反応液をエタノール300 mlに
注ぎ、析出した沈澱物をろ過した。このろ過残物を常温
で減圧乾燥して、ポリアミック酸を得た。このポリアミ
ック酸の固有粘度は0.37(30 ℃、0.5g/dl、N
MP溶液)であった。2) Polymerization reaction In a 50 ml three-necked flask, 2,2-diethyl-1,3-propanediol-bis (4-aminobenzoate) 0.2778 was added.
g (0.75 mmol), 2,2-bis (4-aminophenyl)-
1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane (hereinafter bis A-A
(Abbreviated as F) 0.2507 g (0.75 mmol) and 3 ml of DMAc were added and dissolved under stirring at room temperature under a nitrogen stream. Next, this liquid was kept at 10 ° C., and 0.4413 g (1.5 mmol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride was added. DM
The vessel wall was rinsed with 3 ml of Ac, and the reaction was continued for 3 hours. The obtained reaction liquid was N-methyl-2-pyrrolidone / butyl cellosolve / dimethylformamide = 16/3/1
After being diluted to 4.6 wt% with a solvent, it was applied onto a glass substrate by a spin coating method (spinner method). 1 at 100 ℃ after coating
After preheating for 0 minutes, the temperature was raised to 200 ° C. in 40 minutes. Finally, it is baked at 200 ° C for 90 minutes to give a film thickness of 600.
A polyesterimide film of was obtained. This polyesterimide has a decomposition temperature of 425.5 ° C and a glass transition temperature of 258.9.
It was ℃. Further, the remaining reaction solution was poured into 300 ml of ethanol, and the deposited precipitate was filtered. The filtration residue was dried under reduced pressure at room temperature to obtain a polyamic acid. The intrinsic viscosity of this polyamic acid is 0.37 (30 ° C, 0.5 g / dl, N
MP solution).
【0026】3)電気特性およびプレチルト角測定
続いて、2枚の基板の膜面をそれぞれラビング処理を施
し、ラビング方向がアンチパラレルになるようにセル厚
6μmの液晶セルを組み立て、チッソ(株)製液晶FB
−01を封入した。その後液晶を120℃、30分加熱
処理を行った。この液晶素子の残留電荷を測定したとこ
ろ、20℃で0.03Vであった。また電圧保持率は2
0℃で92.4%であった。さらに同様の方法でセル厚
20μmの液晶セルを組み立て、メルク(株)製液晶Z
LI−1132を封入し、加熱処理後プレチルト角を求
めると1.6度であった。3) Measurement of electrical characteristics and pretilt angle Subsequently, the film surfaces of the two substrates were each rubbed, and a liquid crystal cell having a cell thickness of 6 μm was assembled so that the rubbing directions were antiparallel. LCD FB
-01 was enclosed. Then, the liquid crystal was heat-treated at 120 ° C. for 30 minutes. When the residual charge of this liquid crystal element was measured, it was 0.03 V at 20 ° C. The voltage holding ratio is 2
It was 92.4% at 0 ° C. Further, a liquid crystal cell having a cell thickness of 20 μm was assembled by the same method, and a liquid crystal Z manufactured by Merck Ltd.
LI-1132 was enclosed and the pretilt angle after heat treatment was determined to be 1.6 degrees.
【0027】実施例2〜4
2,2−ジエチル−1,3−プロパンジオール−ビス(4−
アミノベンゾエート)、およびビスA-AFの成分比を
変える以外は、実施例1の2)に準拠して行った。その
成分比と得られたポリエステルイミドの熱物性値を表1
に示す。Examples 2 to 4 2,2-diethyl-1,3-propanediol-bis (4-
Aminobenzoate) and bisA-AF were changed in accordance with the procedure 2) in Example 1 except that the component ratio was changed. Table 1 shows the component ratios and the thermophysical property values of the obtained polyesterimide.
Shown in.
【0028】実施例5
テトラカルボン酸二無水物を、ピロメリット酸二無水物
(0.3272g、1.5mmol)に変える以外は、実施例1の2)
に準拠して行った。このポリエステルイミドは、分解温
度が 427.5 ℃であった。Example 5 2) of Example 1 except that the tetracarboxylic dianhydride was changed to pyromellitic dianhydride (0.3272 g, 1.5 mmol).
It was done according to. This polyesterimide had a decomposition temperature of 427.5 ° C.
【0029】実施例6
テトラカルボン酸二無水物を、1,1,1,3,3,3,−ヘ
キサフルオロイソプロピリデン−2,2−ビスフタル酸二
無水物(0.6664g,1.5mmol)に変える以外は、実施例1
の2)に準拠して行った。このポリエステルイミドは、
分解温度が 404.3 ℃であった。Example 6 Tetracarboxylic acid dianhydride is changed to 1,1,1,1,3,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalic acid dianhydride (0.6664 g, 1.5 mmol). Example 1 except
No. 2). This polyester imide is
The decomposition temperature was 404.3 ° C.
【0030】実施例7
式〔1〕および式〔3〕で示される構造単位からなるポ
リエステルイミドの製造:
50 mlの三ツ口フラスコに2,2−ジエチル−1,3−プロ
パンジオール−ビス(4−アミノベンゾエート)0.0556
g(0.15 mmol)、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフ
ェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン0.699
9 g(1.35 mmol)、ジメチルアセトアミド(以下DMA
cと略す)3 ml を入れて、窒素気流下室温で撹拌溶解
した。次いでこの液を10℃に保ち、3,3',4,4'−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物 0.4413 g(1.5 mmo
l)を投入した。DMAc3mlで器壁をすすぎ、その
まま3時間反応を行った。得られた反応液をN−メチル
−2−ピロリドン/ブチルセロソルブ/ジメチルホルム
アミド=16/3/1溶媒で4.6wt%に希釈後、ガ
ラス基板上に回転塗布法(スピンナー法)で塗布した。
塗布後、100℃で10分間予備加熱を行った後、40
分間で200℃まで昇温した。最後に200℃で90分
間焼成し、膜厚600・のポリエステルイミド膜を得
た。このポリエステルイミドは、分解温度が 519.7℃で
あった。また、残りの反応液をエタノール300 mlに注
ぎ、析出した沈澱物をろ過した。このろ過残物を常温で
減圧乾燥して、ポリアミック酸を得た。このポリアミッ
ク酸の固有粘度は0.48(30 ℃、0.5g/dl、NM
P溶液)であった。Example 7 Production of Polyesterimide Consisting of Structural Units Shown in Formulas [1] and [3]: 2,2-diethyl-1,3-propanediol-bis (4-) in a 50 ml three-necked flask. Aminobenzoate) 0.0556
g (0.15 mmol), 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane 0.699
9 g (1.35 mmol), dimethylacetamide (hereinafter DMA
(abbreviated as c) 3 ml was added, and the mixture was stirred and dissolved at room temperature under a nitrogen stream. Next, this liquid was kept at 10 ° C., and 0.4413 g (1.5 mmo) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride
l) was added. The vessel wall was rinsed with 3 ml of DMAc, and the reaction was continued for 3 hours. The obtained reaction solution was diluted with a solvent of N-methyl-2-pyrrolidone / butyl cellosolve / dimethylformamide = 16/3/1 to 4.6 wt% and then applied on a glass substrate by a spin coating method (spinner method).
After coating, preheat at 100 ° C for 10 minutes and then 40
The temperature was raised to 200 ° C. in minutes. Finally, it was baked at 200 ° C. for 90 minutes to obtain a polyesterimide film having a thickness of 600. This polyesterimide had a decomposition temperature of 519.7 ° C. Further, the remaining reaction solution was poured into 300 ml of ethanol, and the deposited precipitate was filtered. The filtration residue was dried under reduced pressure at room temperature to obtain a polyamic acid. The intrinsic viscosity of this polyamic acid is 0.48 (30 ° C, 0.5g / dl, NM
P solution).
【0031】実施例8〜10
2,2−ジエチル−1,3−プロパンジオール−ビス(4−
アミノベンゾエート)、および2,2−ビス(4−アミノ
フェノキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ
プロパンの成分比を変える以外は、実施例7に準拠して
行った。その成分比と得られたポリエステルイミドの熱
物性値を表1に示す。Examples 8-10 2,2-diethyl-1,3-propanediol-bis (4-
Aminobenzoate), and 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, except that the component ratio was changed. . Table 1 shows the component ratios and the thermophysical property values of the obtained polyesterimide.
【0032】実施例11
テトラカルボン酸二無水物を、ピロメリット酸二無水物
(0.3272g、1.5mmol)に変える以外は、実施例7に準拠
して行った。このポリエステルイミドは、分解温度が 4
46.7 ℃であった。Example 11 The procedure of Example 7 was repeated except that the tetracarboxylic dianhydride was changed to pyromellitic dianhydride (0.3272 g, 1.5 mmol). This polyesterimide has a decomposition temperature of 4
It was 46.7 ° C.
【0033】実施例12
テトラカルボン酸二無水物を、1,1,1,3,3,3,−ヘ
キサフルオロイソプロピリデン−2,2−ビスフタル酸二
無水物(0.6664g、1.5mmol)に変える以外は、実施例7
に準拠して行った。このポリエステルイミドは、分解温
度が 473.7℃であった。Example 12 Tetracarboxylic acid dianhydride is changed to 1,1,1,1,3,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalic acid dianhydride (0.6664 g, 1.5 mmol). Example 7 except
It was done according to. This polyesterimide had a decomposition temperature of 473.7 ° C.
【0034】実施例13
式〔1〕、式〔2〕、式〔3〕で示される構造単位から
なるポリエステルイミドの製造:
50 mlの三ツ口フラスコに2,2−ジエチル−1,3−プロ
パンジオール−ビス(4−アミノベンゾエート)0.3334
g(0.9mmol)、2,2−ビス(4−アミノフェニル)−1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン0.1003g(0.3mmo
l)、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)−1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン0.1555g(0.3mmo
l)ジメチルアセトアミド(以下DMAcと略す)3 ml
を入れて、窒素気流下室温で撹拌溶解した。次いでこ
の液を10℃に保ち、3,3',4,4'−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物 0.4413 g(1.5 mmol)を投入した。
DMAc3mlで器壁をすすぎ、そのまま3時間反応を
行った。得られた反応液をN−メチル−2−ピロリドン
/ブチルセロソルブ/ジメチルホルムアミド=16/3
/1溶媒で4.6wt%に希釈後、ガラス基板上に回転
塗布法(スピンナー法)で塗布した。塗布後、100℃
で10分間予備加熱を行った後、40分間で200℃ま
で昇温した。最後に200℃で90分間焼成し、ポリエ
ステルイミド膜を得た。このポリエステルイミドは、分
解温度が426.9℃であった。また、残りの反応液をエタ
ノール300 mlに注ぎ、析出した沈澱物をろ過した。この
ろ過残物を常温で減圧乾燥して、ポリアミック酸を得
た。このポリアミック酸の固有粘度は0.31(30 ℃、
0.5g/dl、NMP溶液)であった。Example 13 Production of Polyesterimide Consisting of Structural Units Shown in Formula [1], Formula [2] and Formula [3]: 2,2-Diethyl-1,3-propanediol in a 50 ml three-necked flask. -Bis (4-aminobenzoate) 0.3334
g (0.9 mmol), 2,2-bis (4-aminophenyl) -1,
1,1,3,3,3-hexafluoropropane 0.1003g (0.3mmo
l), 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) -1,
1,1,3,3,3-hexafluoropropane 0.1555g (0.3mmo
l) Dimethylacetamide (hereinafter abbreviated as DMAc) 3 ml
Was added, and the mixture was stirred and dissolved at room temperature under a nitrogen stream. Next, this liquid was kept at 10 ° C., and 0.4413 g (1.5 mmol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride was added.
The vessel wall was rinsed with 3 ml of DMAc, and the reaction was continued for 3 hours. The obtained reaction liquid was N-methyl-2-pyrrolidone / butyl cellosolve / dimethylformamide = 16/3
After diluting to 4.6 wt% with a / 1 solvent, it was applied onto a glass substrate by spin coating (spinner method). 100 ° C after application
After 10 minutes of preheating, the temperature was raised to 200 ° C. in 40 minutes. Finally, it was baked at 200 ° C. for 90 minutes to obtain a polyesterimide film. The decomposition temperature of this polyesterimide was 426.9 ° C. Further, the remaining reaction solution was poured into 300 ml of ethanol, and the deposited precipitate was filtered. The filtration residue was dried under reduced pressure at room temperature to obtain a polyamic acid. The intrinsic viscosity of this polyamic acid is 0.31 (30 ℃,
0.5 g / dl, NMP solution).
【0035】実施例14
式〔1〕のみで示される構造単位からなるポリエステル
イミドの製造:
50 mlの三ツ口フラスコに2,2−ジエチル−1,3−プロ
パンジオール−ビス(4−アミノベンゾエート)0.5557
g(1.5 mmol)、DMAc3 ml を入れて、窒素気流下
室温で撹拌溶解した。次いでこの液を10℃に保ち、3,
3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物 0.4413
g(1.5 mmol)を投入した。DMAc3mlで器壁をす
すぎ、そのまま3時間反応を行った。得られた反応液を
N−メチル−2−ピロリドン/ブチルセロソルブ/ジメ
チルホルムアミド=16/3/1溶媒で4.6wt%に
希釈後、ガラス基板上に回転塗布法(スピンナー法)で
塗布した。塗布後、100℃で10分間予備加熱を行っ
た後、40分間で200℃まで昇温した。最後に200
℃で90分間焼成し、ポリエステルイミド膜を得た。こ
のポリエステルイミドは、分解温度が 422.1 ℃、ガラ
ス転移温度263.5℃であった。また、残りの反応液はエ
タノール300 mlに注ぎ、析出した沈澱物をろ過した。こ
のろ過物を常温で減圧乾燥して、ポリアミック酸が得ら
れた。このポリアミック酸の固有粘度は0.42(30
℃、0.5g/dl、NMP溶液)であった。Example 14 Production of Polyesterimide Consisting of Structural Units Shown Only in Formula [1]: 2,2-Diethyl-1,3-propanediol-bis (4-aminobenzoate) 0.5557 in a 50 ml three-necked flask.
g (1.5 mmol) and 3 ml of DMAc were added, and the mixture was stirred and dissolved under a nitrogen stream at room temperature. Then keep the solution at 10 ° C for 3,
3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride 0.4413
g (1.5 mmol) was added. The vessel wall was rinsed with 3 ml of DMAc, and the reaction was continued for 3 hours. The obtained reaction solution was diluted with a solvent of N-methyl-2-pyrrolidone / butyl cellosolve / dimethylformamide = 16/3/1 to 4.6 wt% and then applied on a glass substrate by a spin coating method (spinner method). After coating, preheating was performed at 100 ° C. for 10 minutes, and then the temperature was raised to 200 ° C. in 40 minutes. Finally 200
It was baked at 90 ° C. for 90 minutes to obtain a polyesterimide film. This polyesterimide had a decomposition temperature of 422.1 ° C and a glass transition temperature of 263.5 ° C. Further, the remaining reaction solution was poured into 300 ml of ethanol, and the deposited precipitate was filtered. The filtered material was dried under reduced pressure at room temperature to obtain a polyamic acid. The intrinsic viscosity of this polyamic acid is 0.42 (30
C., 0.5 g / dl, NMP solution).
【0036】[0036]
【表1】
1)BPDA=3,3,4',4'-ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物
2)PMDA=ピロメリット酸二無水物
3)6FDA=ヘキサフルオロイソプロピリデン-2,2-
ビスフタル酸二無水物
4)ポリアミック酸の固有粘度:NMP中、0.5g/dl、
30℃で測定した。
5)10℃/minの昇温速度で測定した。
6)10℃/minの昇温速度で測定し、重量減少5%
の温度を分解点とした。[Table 1] 1) BPDA = 3,3,4 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride 2) PMDA = pyromellitic dianhydride 3) 6FDA = hexafluoroisopropylidene-2,2-
Bisphthalic dianhydride 4) Intrinsic viscosity of polyamic acid: in NMP, 0.5 g / dl,
It was measured at 30 ° C. 5) Measurement was performed at a temperature rising rate of 10 ° C / min. 6) Measured at a temperature rise rate of 10 ° C / min, weight loss of 5%
Was used as the decomposition point.
【0037】[0037]
【発明の効果】本発明により得られたポリエステルイミ
ドは、ガラス転移温度が230〜280℃、分解温度が
420〜520℃と高く、高温での使用が可能である。
また、フレキシブルな脂肪族エステルを主鎖中に有する
ことで、従来のポリイミドよりも比較的低温で硬化させ
る事が可能である。さらに本ポリエステルイミドを用い
た液晶配向膜は電圧保持率が高く、残像現象がなく、電
気特性に優れ、プレチルト角が1.6度と良好のため、通
常の液晶セル(TN、TFT用)の配向膜用材料として
有用である。The polyesterimide obtained by the present invention has a high glass transition temperature of 230 to 280 ° C. and a decomposition temperature of 420 to 520 ° C., and can be used at high temperatures.
Also, by having a flexible aliphatic ester in the main chain, it is possible to cure at a relatively lower temperature than conventional polyimides. Furthermore, the liquid crystal alignment film using this polyesterimide has a high voltage holding ratio, no afterimage phenomenon, excellent electrical characteristics, and a good pretilt angle of 1.6 degrees, so it is an alignment film for ordinary liquid crystal cells (for TN and TFT). It is useful as a material.
【0038】[0038]
【図1】C−Vヒステリシス曲線を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a CV hysteresis curve.
【図2】電圧保持率測定装置の回路を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a circuit of a voltage holding ratio measuring device.
【図3】ドレイン(VD)の経時変化を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a change with time of a drain (V D ).
Claims (8)
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位と式〔2〕 (ただし、Aはフェニル基、3,3’,4,4’ービフ
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位から成るポリエステルイミ
ド。1. A formula [1] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Structural unit and formula [2] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Polyester imide consisting of structural units.
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位と式〔3〕 (ただし、Aはフェニル基、3,3’,4,4’ービフ
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位から成るポリエステルイミ
ド。2. A formula [1] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Structural unit and formula [3] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Polyester imide consisting of structural units.
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位と式〔2〕 (ただし、Aはフェニル基、3,3’,4,4’ービフ
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位と式〔3〕 (ただし、Aはフェニル基、3,3’,4,4’ービフ
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位から成るポリエステルイミ
ド。3. A formula [1] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Structural unit and formula [2] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Structural unit and formula [3] (However, A represents a phenyl group, a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group, or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Polyester imide consisting of structural units.
たは1,1,1,3,3,3ーヘキサフルオロイソプロ
ピリデンー2,2ービスフタリル基を示す。)で示され
る構造単位から成るポリエステルイミド。4. A formula [1] (However, A represents a 3,3 ′, 4,4′-biphenyl group or a 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group.) Polyester imide consisting of.
エステルイミドを用いることを特徴とする液晶配向膜。5. A liquid crystal alignment film comprising the polyesterimide according to any one of claims 1 to 3 .
液晶表示素子。6. A liquid crystal display device comprising the liquid crystal alignment film according to claim 5.
ェニル基、または1,1,1,3,3,3ーヘキサフル
オロイソプロピリデンー2,2ービスフタリル基を示
す。)で示される構造単位から成るポリエステルイミド
を用いることを特徴とする液晶配向膜。 7. A formula [1] (However, A is a phenyl group, 3,3 ', 4,4'-bif
Phenyl group or 1,1,1,3,3,3-hexaful
Indicates an oroisopropylidene-2,2-bisphthalyl group
You ) Polyester imide consisting of structural unit
A liquid crystal alignment film characterized by using.
液晶表示素子。Liquid crystal display device.
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JPH07216086A JPH07216086A (en) | 1995-08-15 |
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1994
- 1994-02-02 JP JP03101594A patent/JP3427464B2/en not_active Expired - Lifetime
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