JP3426553B2 - Waveguide type attenuator and waveguide type optical modulator - Google Patents

Waveguide type attenuator and waveguide type optical modulator

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JP3426553B2 JP2000058584A JP2000058584A JP3426553B2 JP 3426553 B2 JP3426553 B2 JP 3426553B2 JP 2000058584 A JP2000058584 A JP 2000058584A JP 2000058584 A JP2000058584 A JP 2000058584A JP 3426553 B2 JP3426553 B2 JP 3426553B2
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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、導波路型光変調器
に関し、さらに詳しくは、波長多重伝送光ネットワーク
システムなどに好適に使用することのできる、アッテネ
ータ部を具えた導波路型光変調器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waveguide type optical modulator, and more particularly to a waveguide type optical modulator having an attenuator portion, which can be suitably used in a wavelength division multiplexing optical network system. Regarding

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の光通信システムの発達に伴って高
速・大容量のみならず、高度な多機能性を具えた通信シ
ステムの開発が求められている。特に、同一光伝送路内
の波長多重化、光伝送路の切り替え及び交換などの機能
が要求されている。これらの機能は、光ファイバアンプ
(erbium doped fiber amplifier:以下、略してEDF
Aという場合がある)を用いた波長多重伝送(waveleng
th division multiplexing:以下、略してWDM方式と
いう場合がある)方式によって実現されつつある。
2. Description of the Related Art With the development of optical communication systems in recent years, it is required to develop a communication system having not only high speed and large capacity but also a high degree of multifunctionality. In particular, functions such as wavelength multiplexing in the same optical transmission line, switching and exchange of optical transmission lines are required. These functions are called EDF (erbium doped fiber amplifier)
Wavelength multiplexing transmission (waveleng)
th division multiplexing: hereinafter, sometimes abbreviated as WDM system).

【0003】このWDM方式は、波長の異なる複数の光
源からの光波にそれぞれ異なる信号を乗せ、単一の光フ
ァイバで伝送するものである。すなわち、前記複数の光
源に接続された光変調器によって任意の信号を取り出し
た後、この信号をEDFAで増幅し、単一の光ファイバ
を通して前記信号を取り出すようにしたものである。こ
れにより、光ファイバの本数や各信号のビットレートを
増やすことなく、システム全体の伝送容量を増やすこと
ができる。
In this WDM system, different signals are put on light waves from a plurality of light sources having different wavelengths and the signals are transmitted by a single optical fiber. That is, an arbitrary signal is taken out by an optical modulator connected to the plurality of light sources, this signal is amplified by an EDFA, and the signal is taken out through a single optical fiber. As a result, the transmission capacity of the entire system can be increased without increasing the number of optical fibers or the bit rate of each signal.

【0004】上記WDM方式では、各波長における伝送
状態が一定になることが要求される。しかしながら、E
DFAの利得に波長依存性があること、及び各光源の出
力が一定ではなく経時的に変化することなどから、受信
端での受光レベルが各波長ごとに異なってしまうという
問題があった。このような問題に鑑みて、前記光変調器
にアッテネータを接続することが試みられている。図1
は、アッテネータを接続した従来の導波路型光変調器の
一例を示す上面図である。
The WDM system requires that the transmission state at each wavelength be constant. However, E
Since the DFA gain has wavelength dependence and the output of each light source is not constant and changes with time, there is a problem that the light receiving level at the receiving end differs for each wavelength. In view of such a problem, it has been attempted to connect an attenuator to the optical modulator. Figure 1
[FIG. 6] is a top view showing an example of a conventional waveguide type optical modulator to which an attenuator is connected.

【0005】図1に示す導波路型光変調器1は、電気光
学効果を有する基板4の表面に、熱拡散などによってチ
タンなどからなるマッハツエンダー型の光変調光導波路
5及びアッテネーション光導波路8が、直列に接続され
るように形成されている。また、必要に応じて基板4上
にはバッファ層が設けられている。基板4上(あるいは
バッファ層上)には第1の信号電極6及び第1の接地電
極7からなる変調用電極が形成され、さらに第2の信号
電極9及び第2の接地電極10からなるアッテネーショ
ン用電極が形成されている。
In the waveguide type optical modulator 1 shown in FIG. 1, a Mach-Zehnder type optical modulation optical waveguide 5 and an attenuation optical waveguide 8 made of titanium or the like are formed on the surface of a substrate 4 having an electro-optical effect by thermal diffusion or the like. Are formed so as to be connected in series. Further, a buffer layer is provided on the substrate 4 as needed. A modulation electrode composed of a first signal electrode 6 and a first ground electrode 7 is formed on the substrate 4 (or a buffer layer), and an attenuation composed of a second signal electrode 9 and a second ground electrode 10 is further formed. An electrode for use is formed.

【0006】第1の信号電極6及び第2の信号電極9の
一端は外部電源12及び13に接続される。そして、第
1の信号電極6の他端は接地されており、第2の信号電
極の他端は開放されている。さらに、光変調器1の入射
側及び出射側には偏光子11が設けられている。なお、
図中の矢印は、光波の進行方向を示している。光変調光
導波路5と第1の信号電極6及び第1の接地電極7と
は、光変調部2を構成し、アッテネーション光導波路8
と第2の信号電極9及び第2の接地電極10とは、導波
路型アッテネータ3を構成している。すなわち、図1に
示す導波路型光変調器1においては、導波路型アッテネ
ータ3が集積された構成を呈している。したがって、以
下の説明においては、導波路型アッテネータ3を光導波
路型光変調器1と一体のものとして考え、便宜上、「ア
ッテネータ部3」という。
One ends of the first signal electrode 6 and the second signal electrode 9 are connected to external power supplies 12 and 13. The other end of the first signal electrode 6 is grounded, and the other end of the second signal electrode 6 is open. Further, a polarizer 11 is provided on the entrance side and the exit side of the optical modulator 1. In addition,
The arrow in the figure indicates the traveling direction of the light wave. The light modulation optical waveguide 5, the first signal electrode 6 and the first ground electrode 7 constitute the light modulation unit 2, and the attenuation optical waveguide 8
The second signal electrode 9 and the second ground electrode 10 form a waveguide type attenuator 3. That is, the waveguide type optical modulator 1 shown in FIG. 1 has a configuration in which the waveguide type attenuator 3 is integrated. Therefore, in the following description, the waveguide type attenuator 3 is considered to be integral with the optical waveguide type optical modulator 1, and is referred to as an "attenuator section 3" for convenience.

【0007】所定の信号が重畳された波長λ1の光波
は、導波路型光変調器1に入射すると光変調部2におい
てオン/オフされた後、アッテネータ部3に至って強度
変調を受ける。すなわち、このアッテネータによって出
力値の高い特定波長の信号を強制的に減衰させることに
よって、通信システム全体における各波長の信号強度を
一定にするものである。また、アッテネータ部3におけ
る強度変調は、アッテネーション用電極を構成する第2
の信号電極9に印加する制御電気信号の周波数及び電圧
を調整することによって実施する。
When a light wave of wavelength λ1 on which a predetermined signal is superimposed is incident on the waveguide type optical modulator 1, it is turned on / off in the optical modulator 2 and then reaches the attenuator 3 to undergo intensity modulation. That is, the signal intensity of each wavelength in the entire communication system is made constant by forcibly attenuating the signal of the specific wavelength having a high output value by this attenuator. In addition, the intensity modulation in the attenuator unit 3 is performed by the second electrode forming the attenuation electrode.
This is performed by adjusting the frequency and voltage of the control electric signal applied to the signal electrode 9 of.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】このような導波路型光
変調器1において、アッテネータ部3でのアッテネーシ
ョンを比較的強く実施した場合において、この光信号に
ノイズが特に顕著に重畳されてしまい、良好な伝送特性
を得ることができないという問題があった。この結果、
導波路型変調器の光通信システムへの適用範囲が限られ
てしまっていた。
In such a waveguide type optical modulator 1, when the attenuation in the attenuator section 3 is relatively strong, noise is particularly remarkably superimposed on the optical signal, There is a problem that good transmission characteristics cannot be obtained. As a result,
The application range of the waveguide type modulator to the optical communication system has been limited.

【0009】本発明は、光変調部とアッテネータ部とを
具えた導波路型変調器において、アッテネータ部におけ
るアッテネーションの強弱によらず、良好な伝送特性を
実現する新規な導波路型変調器を提供することを目的と
する。
The present invention provides a novel waveguide modulator having a light modulator and an attenuator, which realizes good transmission characteristics regardless of the strength of attenuation in the attenuator. The purpose is to do.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の導波路型アッテ
ネータは、基板と、この基板に形成されたアッテネーシ
ョン光導波路と、この光導波路中を導波する光信号をア
ッテネーションするためのアッテネーション用電極とを
具える。そして、前記アッテネーション用電極による実
効的な光変調帯域を、前記アッテネーション電極に対し
て印加されるアッテネーション制御電気信号から発生す
る高周波ノイズの周波数帯域よりも低減させて、前記高
周波ノイズを除去するようにしたことを特徴とする。
A waveguide type attenuator of the present invention comprises a substrate, an attenuation optical waveguide formed on the substrate, and an attenuation electrode for attenuating an optical signal guided in the optical waveguide. And with. Then, the effective light modulation band by the attenuation electrode is reduced to be lower than the frequency band of the high frequency noise generated from the attenuation control electric signal applied to the attenuation electrode so as to remove the high frequency noise. It is characterized by having done.

【0011】また、本発明の導波路型光変調器は、上記
導波路型アッテネータを集積したことを特徴とする。
The waveguide type optical modulator of the present invention is characterized in that the above-mentioned waveguide type attenuator is integrated.

【0012】本発明者らは、アッテネータ部において光
変調部からの光信号にノイズが重畳される原因について
鋭意検討を行った。図2は、アッテネーションによる光
出力の強弱と、アッテネータ部に対する印加電圧との関
係を示す図である。なお、縦軸は、光出力強度をlog
スケールで表したものである。アッテネータに電圧を印
加していくと、光出力はcosの関係で変化すること
が知られているが、これをlogスケールで図示する
と、図2のような周期関数になる。
The inventors of the present invention have extensively studied the cause of noise superposition on the optical signal from the optical modulator in the attenuator. FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the intensity of the optical output due to attenuation and the voltage applied to the attenuator section. The vertical axis represents the light output intensity log
It is represented on a scale. It is known that when a voltage is applied to the attenuator, the optical output changes due to the relationship of cos 2. However, when this is shown on a log scale, it becomes a periodic function as shown in FIG.

【0013】アッテネーションを行うとき、入力される
アッテネーション制御電気信号にノイズが乗ると、光出
力にもこのノイズが光に変換されてなるノイズが重畳さ
れる。しかしながら、アッテネータのアッテネーション
が弱い場合(図中A点)は、アッテネーション制御電気
信号にノイズが乗っても、図中斜線で示されるように、
このレベルにおいては電気信号を光信号に変換する関数
の傾きが小さいこと、及び光信号のレベルが比較的大き
いこと、及び光信号ノイズレベルの相対量は小さいこと
から、この光信号ノイズレベルは大きな問題とはならな
い。
When noise is added to the inputted attenuation control electric signal during the attenuation, the noise resulting from the conversion of this noise into light is also superposed on the optical output. However, when the attenuation of the attenuator is weak (point A in the figure), even if noise is added to the attenuation control electric signal, as indicated by the diagonal line in the figure,
At this level, the slope of the function for converting an electric signal into an optical signal is small, the level of the optical signal is relatively large, and the relative amount of the optical signal noise level is small. Therefore, the optical signal noise level is large. It doesn't matter.

【0014】一方、アッテネーションが強い場合(図中
B点)、例えば、出力光に10dBから20dBの強い
アッテネーションをかけた場合、アッテネーション制御
電気信号にノイズが乗ると、光出力のノイズは、図中斜
線で示されるように電気信号を光信号に変換する関数の
傾きが大きいこと、及びアッテネーションを駆けたこと
によって信号光レベルが低下することから、相対的な光
信号ノイズレベルは無視し得ないほど大きくなり、光伝
送特性を劣化させる。
On the other hand, when the attenuation is strong (point B in the figure), for example, when the output light is strongly attenuated by 10 dB to 20 dB, if noise is added to the attenuation control electric signal, the noise of the optical output is Since the slope of the function that converts an electrical signal into an optical signal is large as indicated by the slanted line, and the signal light level decreases due to running attenuation, the relative optical signal noise level cannot be ignored. It becomes large and deteriorates the optical transmission characteristics.

【0015】このアッテネーション制御電気信号に乗る
ノイズは、制御ボード内で発生する微弱ノイズや光変調
器周辺で発生する微弱電波などが、光変調器のアッテネ
ータ部に電気回路ラインを通して混入したり、直接電波
などとして混入して生じるものである。また、このノイ
ズ成分は、高アッテネーション時の電気光変換関数の傾
きが大きいため、大きく増幅されている。このため、光
変調器外部の回路自身のノイズ低減対策や微弱電波対策
によってこのノイズ問題を解決することは非常に困難で
あった。
The noise on the attenuation control electric signal may be weak noise generated in the control board or weak electric waves generated around the optical modulator, which may be mixed with the attenuator of the optical modulator through an electric circuit line or directly. It is generated by mixing as radio waves. Further, this noise component is greatly amplified because the slope of the electro-optical conversion function at high attenuation is large. Therefore, it has been very difficult to solve this noise problem by taking measures to reduce the noise of the circuit itself outside the optical modulator and to take measures against the weak radio waves.

【0016】そこで、本発明者らは、上記アッテネーシ
ョン制御電気信号に乗るノイズの詳細な分析を行った結
果、前記ノイズの中でも、アッテネーション用電極に印
加されるアッテネーション制御電気信号から発生する高
周波ノイズが特に、前記光信号ノイズに多大な影響を及
ぼしていることを見出した。したがって、上記高周波ノ
イズを有効に除去することにより、光信号へのノイズの
重畳を効果的に防止できることを見出した。
Therefore, as a result of detailed analysis of noise carried on the attenuation control electric signal, the present inventors have found that among the noise, high frequency noise generated from the attenuation control electric signal applied to the attenuation electrode is In particular, it has been found that it has a great influence on the optical signal noise. Therefore, it has been found that the noise can be effectively prevented from being superimposed on the optical signal by effectively removing the high frequency noise.

【0017】本発明は、このような長期にわたる詳細な
検討の結果なされたものである。本発明によれば、制御
電気信号から発生する高周波ノイズ成分を有効に除去で
きるため、アッテネータ部において比較的強いアッテネ
ーションを実施した場合においても、光信号にノイズが
重畳されることがない。したがって、光変調部とアッテ
ネータ部とを有する導波路型変調器において、アッテネ
ーションの強弱によらず良好な伝送特性を達成すること
ができる。
The present invention has been made as a result of such a detailed study over a long period of time. According to the present invention, the high frequency noise component generated from the control electric signal can be effectively removed, so that noise is not superimposed on the optical signal even when relatively strong attenuation is performed in the attenuator section. Therefore, in the waveguide type modulator having the optical modulator and the attenuator, good transmission characteristics can be achieved regardless of the strength of the attenuation.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
に基づいて詳細に説明する。図3は、本発明の導波路型
光変調器の一例を示す上面図である。なお、図1に示す
導波路型変調器と同一の部分については同一の符号を用
いて表している。図3に示す本発明の導波路型光変調器
21は、図1に示す従来の導波路型光変調器1と基本的
に同一の構成を有する。但し、アッテネータ部3におい
てアッテネーション用電極を構成する第2の信号電極9
とアースとの間にコンデンサ15が設けられている点で
相違する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described below in detail based on the embodiments of the invention. FIG. 3 is a top view showing an example of the waveguide type optical modulator of the present invention. The same parts as those of the waveguide type modulator shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. The waveguide type optical modulator 21 of the present invention shown in FIG. 3 has basically the same configuration as the conventional waveguide type optical modulator 1 shown in FIG. However, the second signal electrode 9 which constitutes an attenuation electrode in the attenuator section 3
The difference is that a capacitor 15 is provided between the ground and the ground.

【0019】コンデンサ15は、本発明の第2の信号電
極9に印加される制御電気信号から発生する高周波ノイ
ズの、ノイズ除去手段に相当するものである。すなわ
ち、コンデンサ15の容量を所定の値に設定しておく
と、この容量に応じた高周波成分がコンデンサ15を通
じてアースに流れるようになる。したがって、コンデン
サ容量を適当に調節することにより、制御電気信号から
発生した高周波ノイズ成分を効果的に除去することがで
きる。
The capacitor 15 corresponds to a noise removing means for high frequency noise generated from the control electric signal applied to the second signal electrode 9 of the present invention. That is, if the capacitance of the capacitor 15 is set to a predetermined value, a high frequency component corresponding to this capacitance will flow to the ground through the capacitor 15. Therefore, by appropriately adjusting the capacitance of the capacitor, the high frequency noise component generated from the control electric signal can be effectively removed.

【0020】そして、本発明者らの検討により、アッテ
ネータ部3の変調帯域を20MHz以下にすることによ
り、上記高周波ノイズ成分を効果的に除去できることを
見出した。したがって、コンデンサ15で構成されるノ
イズ除去手段によって、アッテネータ部3における変調
帯域を20MHz以下に抑圧することが好ましい。ま
た、アッテネータ部の変調帯域を10MHz以下にする
ことによって、上記ノイズ成分をさらに効果的に除去す
ることができる。
The inventors of the present invention have found that the high frequency noise component can be effectively removed by setting the modulation band of the attenuator unit 3 to 20 MHz or less. Therefore, it is preferable to suppress the modulation band in the attenuator unit 3 to 20 MHz or less by the noise removing unit composed of the capacitor 15. Further, by setting the modulation band of the attenuator unit to 10 MHz or less, the noise component can be removed more effectively.

【0021】アッテネータ部3において使用される制御
電気信号は、一般に1MHz前後であるため、コンデン
サ15の容量は150〜3000pFであることが好ま
しく、さらには300〜1500pFであることが好ま
しい。これによって、かかる場合に発生する高周波ノイ
ズ成分を効果的に除去することができる。
Since the control electric signal used in the attenuator section 3 is generally around 1 MHz, the capacitance of the capacitor 15 is preferably 150 to 3000 pF, more preferably 300 to 1500 pF. Thereby, the high frequency noise component generated in such a case can be effectively removed.

【0022】なお、図3においては、ノイズ除去手段と
してコンデンサを用いた場合について説明したが、必ず
しもコンデンサに限定されるものではない。例えば、ア
ッテネーション用電極を構成する第2の信号電極9及び
第2の接地電極間の誘電率を高める、換言すれば、両者
の電極間電気容量を増大させることによっても高周波ノ
イズ成分を除去することができる。さらには、アッテネ
ーション用電極を構成する第2の信号電極9及び第2の
接地電極10をそれぞれ長大化することによっても高周
波ノイズ成分を効果的に除去することができる。これら
の手段は、アッテネータの実効的な光変調帯域をノイズ
周波数よりも低くなるように意図的に減少させ、電気ノ
イズ信号がアッテネータ部に混入しても光変調されない
ようにするという技術思想に基づくものである。
Although the case where the capacitor is used as the noise removing means has been described with reference to FIG. 3, the invention is not necessarily limited to the capacitor. For example, the dielectric constant between the second signal electrode 9 and the second ground electrode forming the attenuation electrode is increased, in other words, the high frequency noise component is also removed by increasing the electric capacitance between the two electrodes. You can Furthermore, the high frequency noise component can be effectively removed by increasing the length of each of the second signal electrode 9 and the second ground electrode 10 that form the attenuation electrode. These means are based on the technical idea that the effective optical modulation band of the attenuator is intentionally reduced to be lower than the noise frequency so that the electrical noise signal is not optically modulated even if mixed in the attenuator section. It is a thing.

【0023】なお、基板は、電気光学効果を有する材料
から構成されることが必要であり、ニオブ酸リチウム
(LiNbO)、タンタル酸リチウム(LiTa
)、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン(PLZT)な
どの強誘電体材料を例示することができる。また、これ
ら材料のXカット板、Yカット板及びZカット板などの
いずれをも用いることができる。また、第1及び第2の
光導波路はTi拡散法やプロトン交換法など公知の方法
によって形成することができる。さらに、第1及び第2
の信号電極、並びに第1及び第2の接地電極には、A
u、Ag、Cuなどの導電性に富む材料から真空蒸着法
及びスパッタリング法などの公知の製膜法とメッキ法な
どを併用することによって形成することができる。
The substrate needs to be made of a material having an electro-optical effect, such as lithium niobate (LiNbO 3 ), lithium tantalate (LiTa).
Ferroelectric materials such as O 3 ) and lead lanthanum zirconate titanate (PLZT) can be exemplified. Further, any of X-cut plate, Y-cut plate, Z-cut plate and the like made of these materials can be used. Moreover, the first and second optical waveguides can be formed by a known method such as a Ti diffusion method or a proton exchange method. Furthermore, the first and second
The signal electrode and the first and second ground electrodes of
It can be formed by using a well-known film forming method such as a vacuum deposition method and a sputtering method and a plating method in combination with a material having high conductivity such as u, Ag, and Cu.

【0024】なお、図3においては、偏光子11を導波
路型光変調器21の入射側と出射側との双方に設けてい
る。しかしながら、本発明の導波路型光変調器におい
て、偏光子は必ずしも必要とされるものではない。した
がって、偏光子を導波路型光変調器の入射側又は出射側
のいずれかのみに設けることもできる。また、偏光子を
全く設けない場合においても、本発明の目的を十分に達
成することができる。
In FIG. 3, the polarizer 11 is provided on both the entrance side and the exit side of the waveguide type optical modulator 21. However, in the waveguide type optical modulator of the present invention, the polarizer is not always required. Therefore, the polarizer can be provided only on either the entrance side or the exit side of the waveguide type optical modulator. Further, even when the polarizer is not provided at all, the object of the present invention can be sufficiently achieved.

【0025】[0025]

【実施例】以下、実施例において本発明を具体的に説明
する。 実施例 本実施例においては、図3に示す構成の導波路型光変調
器21を作製した。基板4としてニオブ酸リチウムのX
カット板を用いた。また、第1の光導波路5及び第2の
光導波路8はチタンを熱拡散させることにより幅9μm
に形成した。また、基板4上に二酸化ケイ素からなるバ
ッファ層を厚さ1.1μmに形成した。さらに、このバ
ッファ層上に第1の信号電極6及び第1の接地電極7、
並びに第2の信号電極9及び第2の接地電極10を、金
蒸着及び金メッキ処理によって厚さ20μmに形成し
た。その後、第2の信号電極の端部において容量150
pFのコンデンサ15を設け、導波路型光変調器21を
得た。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples. Example In this example, the waveguide type optical modulator 21 having the configuration shown in FIG. 3 was manufactured. X of lithium niobate as the substrate 4
A cut plate was used. The width of the first optical waveguide 5 and the second optical waveguide 8 is 9 μm due to the thermal diffusion of titanium.
Formed. Further, a buffer layer made of silicon dioxide was formed on the substrate 4 to have a thickness of 1.1 μm. Further, on the buffer layer, the first signal electrode 6 and the first ground electrode 7,
Also, the second signal electrode 9 and the second ground electrode 10 were formed to a thickness of 20 μm by gold vapor deposition and gold plating. Then, at the end of the second signal electrode, a capacitor 150
A pF capacitor 15 was provided to obtain a waveguide type optical modulator 21.

【0026】次いで、導波路型光変調器21の入出力口
に光ファイバを接続し、波長λ1=1550nmの光波
を入射させることにより、この光波の伝送特性を調べ
た。そして、この光波の出力が最大出力の1〜10%と
なるようにして、第2の信号電極9に印加する制御電気
信号の周波数及び印加電圧を制御した。そして、エラー
測定器を用い、このときのノイズ成分を調べたところ
0.4〜0.6dBであることが判明した。
Next, an optical fiber was connected to the input / output port of the waveguide type optical modulator 21 and a light wave having a wavelength λ1 = 1550 nm was made incident, and the transmission characteristic of this light wave was investigated. Then, the frequency and applied voltage of the control electric signal applied to the second signal electrode 9 were controlled so that the output of this light wave was 1 to 10% of the maximum output. Then, when an error measuring device was used to examine the noise component at this time, it was found to be 0.4 to 0.6 dB.

【0027】比較例 本比較例においては、図1に示す導波路型光変調器1を
作製した。なお、導波路型光変調器1は、コンデンサ1
5を有しない以外は、実施例に示す導波路型光変調器と
同様にして同一の構成に作製した。この導波路型光変調
器1の入出力口に光ファイバを接続し、波長λ1=15
50nmの光波を入射させることにより、この光波の伝
送特性を調べた。そして、実施例と同一の条件で、第2
の信号電極9に制御電気信号を印加した。そして、エラ
ー測定器を用い、このときのノイズ成分を調べたところ
10.7〜14.9dBであることが判明した。
Comparative Example In this comparative example, the waveguide type optical modulator 1 shown in FIG. 1 was manufactured. The waveguide type optical modulator 1 is composed of the capacitor 1
Except for not having No. 5, it was made in the same configuration as the waveguide type optical modulator shown in the example. An optical fiber is connected to the input / output port of this waveguide type optical modulator 1 and the wavelength λ1 = 15.
The transmission characteristics of this light wave were examined by making a light wave of 50 nm incident. Then, under the same conditions as the embodiment, the second
A control electric signal was applied to the signal electrode 9 of. Then, when an error measuring device was used to examine the noise component at this time, it was found to be 10.7 to 14.9 dB.

【0028】以上、実施例及び比較例から明らかなよう
に、アッテネータ部におけるアッテネーションを最大出
力の1〜10%と比較的小さくした場合においても、本
発明にしたがってノイズ除去手段であるコンデンサを設
けた実施例においては、得られる光信号のノイズ成分が
小さいことが分かる。すなわち、制御電気信号から発生
する高周波ノイズを効果的に除去し、良好な伝送特性が
達成されていることが分かる。
As is apparent from the above examples and comparative examples, even when the attenuation in the attenuator section is set to a relatively small value of 1 to 10% of the maximum output, the capacitor as the noise removing means is provided according to the present invention. It can be seen that the noise component of the obtained optical signal is small in the example. That is, it can be seen that high-frequency noise generated from the control electric signal is effectively removed, and good transmission characteristics are achieved.

【0029】以上、具体例を挙げながら発明の実施の形
態において本発明を説明してきたが、本発明は上記内容
に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない
範囲内において、あらゆる変更や変形が可能である。例
えば、上記実施例において、アッテネータ部3は、マッ
ハツエンダー型の光導波路から構成しているが、方向性
結合器型の光導波路から構成することもできる。
Although the present invention has been described in the embodiments of the invention with reference to specific examples, the present invention is not limited to the above-mentioned contents, and all modifications are possible without departing from the scope of the present invention. It can be modified. For example, in the above embodiment, the attenuator section 3 is composed of a Mach-Zehnder type optical waveguide, but it may be composed of a directional coupler type optical waveguide.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の導波路型
光変調器は、アッテネータ部において、アッテネーショ
ン用電極に印加する制御電気信号から発生する高周波ノ
イズを除去するためのノイズ除去手段を設けている。し
たがって、アッテネータ部におけるアッテネーションを
小さくして光信号の出力成分を小さくした場合において
も、良好な伝送特性を得ることができる。
As described above, in the waveguide type optical modulator of the present invention, the attenuator section is provided with the noise removing means for removing the high frequency noise generated from the control electric signal applied to the attenuation electrode. ing. Therefore, even when the attenuation in the attenuator unit is reduced to reduce the output component of the optical signal, good transmission characteristics can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 従来の導波路型光変調器の一例を示す上面図
である。
FIG. 1 is a top view showing an example of a conventional waveguide type optical modulator.

【図2】 アッテネータにおける光出力強度とアッテネ
ータ印加電圧との関係を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a relationship between an optical output intensity of an attenuator and an attenuator applied voltage.

【図3】 本発明の導波路型光変調器の一例を示す上面
図である。
FIG. 3 is a top view showing an example of a waveguide type optical modulator of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,21 導波路型光変調器 2 光変調部 3 アッテネータ部 4 基板 5 第1の光導波路 6 第1の信号電極 7 第1の接地電極 8 第2の光導波路 9 第2の信号電極 10 第2の接地電極 11 偏光子 12,13 外部電極 15 コンデンサ 1,21 Waveguide type optical modulator 2 Optical modulator 3 Attenuator part 4 substrates 5 First optical waveguide 6 First signal electrode 7 First ground electrode 8 Second optical waveguide 9 Second signal electrode 10 Second ground electrode 11 Polarizer 12, 13 External electrode 15 capacitors

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−171163(JP,A) 特開 平10−261994(JP,A) 国際公開00/010052(WO,A1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/03 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-9-171163 (JP, A) JP-A-10-261994 (JP, A) International publication 00/010052 (WO, A1) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/03

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板と、この基板に形成されたアッテネ
ーション光導波路と、この光導波路中を導波する光信号
をアッテネーションするためのアッテネーション用電極
とを具えた導波路型アッテネータであって、 前記アッテネーション用電極による実効的な光変調帯域
を、前記アッテネーション電極に対して印加されるアッ
テネーション制御電気信号から発生する高周波ノイズの
周波数帯域よりも低減させて、前記高周波ノイズを除去
するようにしたことを特徴とする、導波路型アッテネー
タ。
1. A waveguide type attenuator comprising a substrate, an attenuation optical waveguide formed on the substrate, and an attenuation electrode for attenuating an optical signal guided in the optical waveguide, The effective light modulation band by the attenuating electrode is made smaller than the frequency band of the high frequency noise generated from the attenuation control electric signal applied to the attenuating electrode to remove the high frequency noise. A characteristic waveguide attenuator.
【請求項2】 前記アッテネーション用電極の容量を増
大させることによって、前記アッテネーション用電極に
よる実効的な光変調帯域を、前記高周波ノイズの周波数
帯域よりも低減させたことを特徴とする、請求項1に記
載の導波路型アッテネータ。
By wherein increasing the capacity of the attenuation electrodes, the effective optical modulation bandwidth due to the attenuation electrodes, characterized in that reduced than the frequency band of the high-frequency noise, claim 1 In
Waveguide attenuator on board .
【請求項3】 前記アッテネーション用電極を長大化す
ることにより、前記アッテネーション用電極の容量を増
大させたことを特徴とする、請求項2に記載の導波路型
アッテネータ。
3. The waveguide type attenuator according to claim 2, wherein the capacitance of the attenuation electrode is increased by enlarging the attenuation electrode.
【請求項4】 前記アッテネーション用電極に対して、
前記アッテネーション用電極の容量を増大させ、前記ア
ッテネーション用電極による実効的な光変調帯域を、前
記高周波ノイズの周波数帯域よりも低減させるようなノ
イズ除去手段を設けたことを特徴とする、請求項1又は
2に記載の導波路型アッテネータ。
4. With respect to the attenuation electrode,
2. A noise removing means for increasing the capacitance of the attenuation electrode and reducing the effective optical modulation band of the attenuation electrode below the frequency band of the high frequency noise. Alternatively, the waveguide type attenuator described in 2.
【請求項5】 前記ノイズ除去手段は、前記アッテネー
ション用電極とアースとの間に設けられたコンデンサを
含むことを特徴とする、請求項4に記載の導波路型アッ
テネータ。
5. The waveguide type attenuator according to claim 4, wherein the noise removing means includes a capacitor provided between the attenuation electrode and ground.
【請求項6】 前記コンデンサの容量が150〜300
0pFであることを特徴とする、請求項5に記載の導波
路型アッテネータ。
6. The capacitor has a capacity of 150 to 300.
It is 0 pF, The waveguide type attenuator of Claim 5 characterized by the above-mentioned.
【請求項7】 アッテネーション用電極による光変調帯
域を20MHz以下に抑圧したことを特徴とする、請求
項1〜6のいずれか一に記載の導波路型アッテネータ。
7. The waveguide type attenuator according to claim 1, wherein the optical modulation band by the attenuation electrode is suppressed to 20 MHz or less.
【請求項8】 請求項1〜7のいずれか一に記載の導波
路型アッテネータが集積されてなることを特徴とする、
導波路型光変調器。
8. A waveguide type attenuator according to any one of claims 1 to 7 is integrated.
Waveguide optical modulator.
【請求項9】 前記導波路型光変調器は、基板と、この
基板に形成された光変調光導波路と、この光変調光導波
路中を導波する光波を変調するための変調用電極とを具
える光変調部を有し、前記アッテネーション光導波路と
前記光変調光導波路とが直列に接続されることにより、
前記光変調部と前記導波路型アッテネータとが直列に接
続されてなることを特徴とする、請求項8に記載の導波
路型光変調器。
9. The waveguide type optical modulator includes a substrate, an optical modulation optical waveguide formed on the substrate, and a modulation electrode for modulating an optical wave guided in the optical modulation optical waveguide. Having a light modulation section, the attenuation optical waveguide and the light modulation optical waveguide are connected in series,
The waveguide type optical modulator according to claim 8, wherein the optical modulator and the waveguide type attenuator are connected in series.
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