JP3420154B2 - Magnetic head and magnetic recording / reproducing device - Google Patents

Magnetic head and magnetic recording / reproducing device

Info

Publication number
JP3420154B2
JP3420154B2 JP2000015545A JP2000015545A JP3420154B2 JP 3420154 B2 JP3420154 B2 JP 3420154B2 JP 2000015545 A JP2000015545 A JP 2000015545A JP 2000015545 A JP2000015545 A JP 2000015545A JP 3420154 B2 JP3420154 B2 JP 3420154B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
magnetic
nio
ferromagnetic
antiferromagnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000015545A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2001209912A (en
Inventor
進 添谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2000015545A priority Critical patent/JP3420154B2/en
Publication of JP2001209912A publication Critical patent/JP2001209912A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3420154B2 publication Critical patent/JP3420154B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Magnetic Heads (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、一方向異方性を利
用した磁気トランスデューサーを備える磁気ヘッド及び
その磁気ヘッドを使用して情報の再生を行う磁気記録再
生装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic head having a magnetic transducer utilizing unidirectional anisotropy and a magnetic recording / reproducing apparatus for reproducing information using the magnetic head.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気トランスデューサーの抵抗変化が、
非磁性層を介した磁性層間における伝導電子のもつスピ
ンに依存した電気伝導、及び、それに付随する層界面で
のスピン依存性散乱に帰される磁気抵抗効果が知られて
いる。この磁気抵抗効果は巨大磁気抵抗効果やスピンバ
ルブと呼ばれている。
2. Description of the Related Art The change in resistance of a magnetic transducer
It is known that spin-dependent electrical conduction of conduction electrons between magnetic layers via a non-magnetic layer, and the magnetoresistive effect attributable to the accompanying spin-dependent scattering at the layer interface. This magnetoresistive effect is called a giant magnetoresistive effect or spin valve.

【0003】欧州特許EP−490608A2には、ス
ピンバルブ効果を利用した磁気トランスデューサー(以
下、スピンバルブセンサーと称す)が記載されている。
このスピンバルブセンサーは、非磁性膜によって分離さ
れた強磁性膜Aと強磁性膜Bを含む適切なる物質上に形
成された積層構造を含有する。代表的なスピンバルブセ
ンサーの積層構造は、強磁性膜B、非磁性膜、強磁性膜
A、反強磁性膜をこの順序に積層したものである。ここ
で、最下層が強磁性膜B、最上層部が反強磁性膜であ
る。以下、本明細書ではこのような積層構造の積層膜を
「強磁性膜B/非磁性膜/強磁性膜A/反強磁性膜」の
ように表記する。
European Patent EP-490608A2 describes a magnetic transducer utilizing the spin valve effect (hereinafter referred to as a spin valve sensor).
This spin valve sensor includes a laminated structure formed on a suitable material including a ferromagnetic film A and a ferromagnetic film B separated by a non-magnetic film. A typical spin valve sensor has a laminated structure in which a ferromagnetic film B, a nonmagnetic film, a ferromagnetic film A, and an antiferromagnetic film are laminated in this order. Here, the lowermost layer is the ferromagnetic film B and the uppermost layer is the antiferromagnetic film. Hereinafter, in the present specification, a laminated film having such a laminated structure is expressed as “ferromagnetic film B / nonmagnetic film / ferromagnetic film A / antiferromagnetic film”.

【0004】強磁性膜のひとつ、例えば、強磁性膜Aの
磁化方向は外部印加磁場ゼロで、強磁性膜Bの磁化方向
と垂直に固定されている。この強磁性膜Aの磁化方向の
固定は、反強磁性膜を隣接させて反強磁性膜と強磁性膜
Aとの界面で発生する交換結合によって強磁性膜Aに一
方向異方性を付与することによりなされる。そのため、
強磁性膜Aは固定層と呼ばれ、本明細書においても固定
層なる表現を用いることにする。固定層の代表的な磁化
の固定方向は浮上面と垂直な方向である。
The magnetization direction of one of the ferromagnetic films, eg, the ferromagnetic film A, is fixed to the direction perpendicular to the magnetization direction of the ferromagnetic film B with no externally applied magnetic field. The magnetization direction of the ferromagnetic film A is fixed by imparting unidirectional anisotropy to the ferromagnetic film A by the exchange coupling generated at the interface between the antiferromagnetic film and the ferromagnetic film A by adjoining the antiferromagnetic films. It is done by doing. for that reason,
The ferromagnetic film A is called a fixed layer, and the expression fixed layer is also used in this specification. A typical magnetization fixed direction of the fixed layer is a direction perpendicular to the air bearing surface.

【0005】一方、強磁性膜Bの磁化方向は外部磁場に
よって自由に回転することができるために、自由層と呼
ばれている。スピンバルブセンサーでは磁性媒体から発
生する磁場を印加磁場として、この磁場に応じて自由層
の磁化方向が自由に回転し、その結果、固定層の磁化方
向と自由層の磁化方向のなす角度に変化が生ずる。スピ
ンバルブセンサーは、これら固定層と自由層の磁化方向
のなす角度の変化に応じて電気抵抗が変化することを利
用して磁性媒体からの磁気的信号を電気的信号に変換す
る磁気抵抗センサーである。
On the other hand, the magnetization direction of the ferromagnetic film B is called a free layer because it can be freely rotated by an external magnetic field. In the spin valve sensor, the magnetic field generated from the magnetic medium is used as the applied magnetic field, and the magnetization direction of the free layer freely rotates in response to this magnetic field, and as a result, the angle between the magnetization direction of the fixed layer and that of the free layer changes. Occurs. The spin valve sensor is a magnetoresistive sensor that converts a magnetic signal from a magnetic medium into an electric signal by utilizing the fact that the electric resistance changes according to the change in the angle formed by the magnetization directions of the fixed layer and the free layer. is there.

【0006】次に、固定層用反強磁性膜について説明す
る。例えば特開昭54−10997号公報には、強磁性
NiFe合金膜と反強磁性FeMn合金膜の交換結合
は、NiFe合金膜に一方向異方性を生じさせ、NiF
e合金膜の磁化曲線を原点から磁場軸の方向にシフトさ
せることが開示されている。また、この磁化曲線の原点
からのシフト量を結合磁界と定義し、本明細書でも、適
宜、この結合磁界という表現を用いることにする。
Next, the antiferromagnetic film for the fixed layer will be described. For example, in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 54-10997, exchange coupling between a ferromagnetic NiFe alloy film and an antiferromagnetic FeMn alloy film causes unidirectional anisotropy in the NiFe alloy film, resulting in NiF
It is disclosed that the magnetization curve of the e-alloy film is shifted from the origin in the direction of the magnetic field axis. Further, the shift amount from the origin of this magnetization curve is defined as a coupling magnetic field, and the expression of this coupling magnetic field will be appropriately used in this specification.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】米国特許第57268
38号には、反強磁性膜としてNiOが記載されてい
る。また、発明者らは、反強磁性膜として、NiO/F
23積層膜(但し、Fe 23は数nmと極薄)、Ni
O/Fe23/CoO積層膜(但し、Fe23,CoO
は数nmと極薄)を発明し、現在特許出願中である。
Problems to be Solved by the Invention US Pat. No. 57268
No. 38 describes NiO as an antiferromagnetic film.
It In addition, the inventors have used NiO / F as an antiferromagnetic film.
e2O3Laminated film (however, Fe 2O3Is very thin (a few nm), Ni
O / Fe2O3/ CoO laminated film (however, Fe2O3, CoO
Is very thin (several nm), and a patent is currently pending.

【0008】スピンバルブセンサーの固定層用強磁性膜
と反強磁性膜との交換結合膜には、(1)反強磁性膜が
高耐触性を示すこと、(2)大きな一方向異方性エネル
ギー定数を有すること(高結合磁界)、(3)高ブロッ
キング温度を示すこと、(4)反強磁性膜が高比抵抗を
有すること、(5)反強磁性膜を高交換結合特性を維持
しつつ薄膜化できること、(6)結合磁界を得るための
熱処理温度が低いこと、が要求される。ここで、ブロッ
キング温度とは、結合磁界の消失する温度と定義され
る。
The exchange coupling film between the ferromagnetic film for the fixed layer of the spin valve sensor and the antiferromagnetic film has (1) the antiferromagnetic film exhibits high contact resistance, and (2) a large unidirectional anisotropic property. Having a strong energy constant (high coupling magnetic field), (3) exhibiting a high blocking temperature, (4) the antiferromagnetic film having a high specific resistance, (5) the antiferromagnetic film having a high exchange coupling characteristic. It is required that the film can be thinned while maintaining it, and (6) the heat treatment temperature for obtaining the coupling magnetic field is low. Here, the blocking temperature is defined as the temperature at which the coupling magnetic field disappears.

【0009】NiO膜、NiO/Fe23積層膜、ある
いはNiO/Fe23/CoO積層膜と強磁性膜との交
換結合膜は、上記(1)から(6)の条件を満足する。
しかしながら、面記録密度40Gb/in2を超える高
密度磁気デイスク装置対応磁気トランスデューサーで
は、磁気トランスデューサーを構成する、上部シールド
膜−下部シールド膜間距離を約100nm以下に狭ギャ
ップ化しなければならない。そのためには、下記の理由
により、高交換結合特性を維持しつつ、酸化物反強磁性
膜であるNiO膜、NiO/Fe23積層膜、あるいは
NiO/Fe23/CoO積層膜におけるNiOを、約
40nm以下に薄膜化しなければならない。
The NiO film, the NiO / Fe 2 O 3 laminated film, or the exchange coupling film of the NiO / Fe 2 O 3 / CoO laminated film and the ferromagnetic film satisfies the above conditions (1) to (6). .
However, in a high-density magnetic disk device-compatible magnetic transducer having an areal recording density of more than 40 Gb / in 2 , the gap between the upper shield film and the lower shield film forming the magnetic transducer must be narrowed to about 100 nm or less. For that purpose, in the NiO film, the NiO / Fe 2 O 3 laminated film, or the NiO / Fe 2 O 3 / CoO laminated film which is an oxide antiferromagnetic film, while maintaining the high exchange coupling characteristics, for the following reasons. NiO should be thinned to about 40 nm or less.

【0010】一般に、磁気トランスデューサーは、基板
側から、下部シールド膜、下部ギャップ膜、たとえば反
強磁性膜/強磁性膜A/非磁性膜/強磁性膜Bより構成
されるスピンバルブセンサー部、上部ギャップ膜、上部
シールド膜を順次積層して構成される。反強磁性膜を除
くスピンバルブセンサー部はトータルで概ね約30n
m、上部ギャップ膜は概ね約30nm必要である。Ni
O膜、NiO/Fe23積層膜、あるいはNiO/Fe
23/CoO積層膜は、絶縁特性に優れることから、下
部ギャップ膜を兼ねることができる。NiO上のFe2
3、CoOについては、それぞれ2nm、0.5nm
程度必要である。従って、40Gb/in2を超える高
密度磁気デイスク装置対応磁気トランスデューサーで
は、酸化物反強磁性膜であるNiOを、高交換結合特性
を維持しつつ約40nm以下に薄膜化しなければならな
い。
In general, a magnetic transducer comprises a lower shield film, a lower gap film, for example, a spin valve sensor portion composed of an antiferromagnetic film / ferromagnetic film A / nonmagnetic film / ferromagnetic film B from the substrate side, The upper gap film and the upper shield film are sequentially stacked. The spin valve sensor except the antiferromagnetic film is about 30n in total.
m, the upper gap film needs to be about 30 nm. Ni
O film, NiO / Fe 2 O 3 laminated film, or NiO / Fe
Since the 2 O 3 / CoO laminated film has excellent insulating properties, it can also serve as the lower gap film. Fe 2 on NiO
2 nm and 0.5 nm for O 3 and CoO, respectively
It is necessary to some extent. Therefore, in a magnetic transducer compatible with a high-density magnetic disk device exceeding 40 Gb / in 2 , the oxide antiferromagnetic film NiO must be thinned to about 40 nm or less while maintaining high exchange coupling characteristics.

【0011】そこで、本発明の目的は、強磁性膜と酸化
物反強磁性膜からなる交換結合膜において、高交換結合
特性を維持しつつ、酸化物反強磁性膜を薄くできる技術
を提供することにある。さらには、この交換結合膜を用
いた磁気トランスデューサー、磁気ヘッド及び磁気記録
再生装置を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a technique capable of thinning an oxide antiferromagnetic film while maintaining high exchange coupling characteristics in an exchange coupling film composed of a ferromagnetic film and an oxide antiferromagnetic film. Especially. Further, it is to provide a magnetic transducer, a magnetic head and a magnetic recording / reproducing apparatus using this exchange coupling film.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】強磁性膜と該強磁性膜に
密着する酸化物反強磁性膜との磁性積層膜(交換結合
膜)を考えるとき、前記目的は、NiO膜、NiO/F
23積層膜、あるいはNiO/Fe23/CoO積層
膜といった酸化物反強磁性膜の下地膜としてZnOを配
置することにより達成される。
When considering a magnetic laminated film (exchange coupling film) of a ferromagnetic film and an oxide antiferromagnetic film which adheres to the ferromagnetic film, the above-mentioned object is to achieve a NiO film, a NiO / F film.
This is achieved by arranging ZnO as a base film of an oxide antiferromagnetic film such as an e 2 O 3 laminated film or a NiO / Fe 2 O 3 / CoO laminated film.

【0013】すなわち、本発明による磁気ヘッドは、反
強磁性膜と強磁性膜とを順次積層してなる磁性積層膜を
含む磁気ヘッドにおいて、反強磁性膜はNiO膜、Ni
Oからなる膜上にFe23からなる膜が形成された積層
膜(NiO/Fe23積層膜)、又はNiOからなる膜
上にFe23からなる膜が形成されその上にCoOから
なる膜が形成された積層膜(NiO/Fe23/CoO
積層膜)であり、反強磁性膜の下地膜としてZnO膜を
配置したことを特徴とする。
That is, the magnetic head according to the present invention is a magnetic head including a magnetic laminated film in which an antiferromagnetic film and a ferromagnetic film are sequentially laminated, and the antiferromagnetic film is a NiO film or a Ni film.
A laminated film in which a film made of Fe 2 O 3 is formed on a film made of O (NiO / Fe 2 O 3 laminated film), or a film made of Fe 2 O 3 is formed on a film made of NiO A laminated film (NiO / Fe 2 O 3 / CoO) on which a film made of CoO is formed.
It is a laminated film), and a ZnO film is arranged as a base film of the antiferromagnetic film.

【0014】また、本発明による磁気ヘッドは、反強磁
性膜と、反強磁性膜により磁化方向が固定される第1の
強磁性膜と、外部磁界に応じて磁化方向が自由に変化す
る第2の強磁性膜と、第1の強磁性膜と第2の強磁性膜
を磁気的に分離する非磁性膜と、第2の強磁性膜上に設
けられた一対の電極とを含む磁気ヘッドにおいて、反強
磁性膜はNiO膜、NiOからなる膜上にFe23から
なる膜が形成された積層膜(NiO/Fe23積層
膜)、NiOからなる膜上にFe23からなる膜が形成
されその上にCoOからなる膜が形成された積層膜(N
iO/Fe23/CoO積層膜)のいずれかであり、反
強磁性膜の下地膜としてZnO膜を配置したことを特徴
とする。
In the magnetic head according to the present invention, the antiferromagnetic film, the first ferromagnetic film whose magnetization direction is fixed by the antiferromagnetic film, and the magnetization direction which freely changes in response to an external magnetic field. A magnetic head including a second ferromagnetic film, a non-magnetic film that magnetically separates the first ferromagnetic film and the second ferromagnetic film, and a pair of electrodes provided on the second ferromagnetic film. The antiferromagnetic film is a NiO film, a laminated film in which a film made of Fe 2 O 3 is formed on a film made of NiO (NiO / Fe 2 O 3 laminated film), and an Fe 2 O 3 film made of NiO. A laminated film (N is formed on which a film made of CoO is formed and a film made of CoO is formed thereon.
iO / Fe 2 O 3 / CoO laminated film), and a ZnO film is arranged as a base film of the antiferromagnetic film.

【0015】NiO膜、NiOからなる膜上にFe23
からなる膜が形成された積層膜(NiO/Fe23積層
膜)、あるいはNiOからなる膜上にFe23からなる
膜が形成されその上にCoOからなる膜が形成された積
層膜(NiO/Fe23/CoO積層膜)からなる酸化
物反強磁性膜と強磁性膜との交換結合膜において、酸化
物反強磁性膜の下地膜としてZnO膜を用いることによ
り、NiO膜の膜厚を20〜40nmと薄膜化しても、
十分な結合磁界を得ることが可能となる。
Fe 2 O 3 is formed on the NiO film and the film made of NiO.
Laminated film (NiO / Fe 2 O 3 laminated film) in which a film made of Co is formed, or a laminated film in which a film made of Fe 2 O 3 is formed on a film made of NiO and a film made of CoO is formed thereon In an exchange coupling film of an oxide antiferromagnetic film and a ferromagnetic film made of (NiO / Fe 2 O 3 / CoO laminated film), a NiO film is obtained by using a ZnO film as a base film of the oxide antiferromagnetic film. Even if the film thickness of is reduced to 20-40 nm,
It is possible to obtain a sufficient coupling magnetic field.

【0016】本発明による磁気記録再生装置は、情報を
記録する磁気記録媒体と、磁気記録媒体に記録された情
報を読み取るための磁気ヘッドと、磁気ヘッドを磁気記
録媒体上の所定の位置へ移動させるためのアクチュエー
ター手段と、アクチェーター手段を制御する制御手段と
を含む磁気記録再生装置において、磁気ヘッドとして前
述の磁気ヘッドを用いたことを特徴とする。
The magnetic recording / reproducing apparatus according to the present invention moves a magnetic recording medium for recording information, a magnetic head for reading information recorded on the magnetic recording medium, and the magnetic head to a predetermined position on the magnetic recording medium. In the magnetic recording / reproducing apparatus including the actuator means for controlling and the control means for controlling the actuator means, the above-mentioned magnetic head is used as the magnetic head.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。まず、本発明による磁性積層膜(交換結合
膜)の作製方法について説明する。磁性積層膜はスパッ
タリング法により作製した。最も簡単な膜の構成を図1
の断面模式図に示す。基板100上に、下地膜1と酸化
物反強磁性膜102と強磁性膜101とを順次スパッタ
リングにより成長させた。基板100にはガラスを用い
た。強磁性膜101にはNiFe合金膜を用いた。下地
膜1にはZnOを用いた。酸化物反強磁性膜102は、
反強磁性膜2,3より構成し、それぞれNiO、Fe2
3膜を用いた。最も代表的な膜構成は、ガラス/Zn
O(5nm)/NiO(20nm)/Fe23(2n
m)/NiFe(6nm)である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below. First, a method for producing a magnetic laminated film (exchange coupling film) according to the present invention will be described. The magnetic laminated film was produced by the sputtering method. Figure 1 shows the simplest membrane structure.
Is shown in the schematic cross-sectional view of FIG. The base film 1, the oxide antiferromagnetic film 102, and the ferromagnetic film 101 were sequentially grown on the substrate 100 by sputtering. Glass was used for the substrate 100. A NiFe alloy film was used as the ferromagnetic film 101. ZnO was used for the base film 1. The oxide antiferromagnetic film 102 is
It is composed of antiferromagnetic films 2 and 3, and is composed of NiO and Fe 2 respectively.
An O 3 film was used. The most typical film structure is glass / Zn.
O (5 nm) / NiO (20 nm) / Fe 2 O 3 (2n
m) / NiFe (6 nm).

【0018】図2に、本発明のガラス/ZnO(5n
m)/NiO(10〜50nm)/Fe23(2nm)
/NiFe(6nm)交換結合膜の結合磁界の、NiO
膜厚依存性を白丸で示す。比較のため、従来技術であ
る、ガラス/NiO(10〜50nm)/Fe23(2
nm)/NiFe(6nm)交換結合膜の結合磁界の、
NiO膜厚依存性を白抜き四角で示した。従来技術で
は、安定した結合磁界を得るための必要最小NiO膜厚
は約50nmであったが、本発明のようにZnOを下地
膜として配置したZnO/NiO/Fe23反強磁性膜
積層構造とすることにより、安定した結合磁界を得るた
めの必要最小NiO膜厚を約20nmまで低減できるこ
とがわかった。
FIG. 2 shows the glass of the present invention / ZnO (5n
m) / NiO (10 to 50 nm) / Fe 2 O 3 (2 nm)
/ NiFe (6 nm) of the coupling field of the exchange coupling film, NiO
The thickness dependency is shown by a white circle. For comparison, the prior art glass / NiO (10 to 50 nm) / Fe 2 O 3 (2
nm) / NiFe (6 nm) exchange coupling film,
The NiO film thickness dependency is shown by an open square. In the prior art, the minimum required NiO film thickness for obtaining a stable coupling magnetic field was about 50 nm, but as in the present invention, a ZnO / NiO / Fe 2 O 3 antiferromagnetic film stack in which ZnO is arranged as a base film is used. It was found that the structure can reduce the minimum required NiO film thickness for obtaining a stable coupling magnetic field to about 20 nm.

【0019】以上、ZnOをNiO/Fe23積層膜の
下地膜として配置することにより、高交換結合特性を維
持しつつ、NiOを約20nmまで低減できることに成
功した(実質的にはZnO(5nm)を配置してあるの
で約25nmまでの薄膜化に成功した)。
As described above, by arranging ZnO as the base film of the NiO / Fe 2 O 3 laminated film, it has succeeded in reducing NiO to about 20 nm while maintaining high exchange coupling characteristics (substantially ZnO ( 5 nm) has been arranged, so it has succeeded in thinning down to about 25 nm).

【0020】同様の方法によって、ガラス/ZnO(5
nm)/NiO(10〜50nm)/Fe23(2n
m)/CoO(0.5nm)/NiFe(6nm)交換
結合膜及びガラス/ZnO(5nm)/NiO(10〜
50nm)/NiFe(6nm)交換結合膜を作成し
た。
By the same method, glass / ZnO (5
nm) / NiO (10 to 50 nm) / Fe 2 O 3 (2n
m) / CoO (0.5 nm) / NiFe (6 nm) exchange coupling film and glass / ZnO (5 nm) / NiO (10
A 50 nm) / NiFe (6 nm) exchange coupling film was prepared.

【0021】図3に、本発明のガラス/ZnO(5n
m)/NiO(10〜50nm)/Fe23(2nm)
/CoO(0.5nm)/NiFe(6nm)交換結合
膜の結合磁界の、NiO膜厚依存性を白丸で示す。比較
のため、ガラス/NiO(10〜50nm)/Fe23
(2nm)/CoO(0.5nm)/NiFe(6n
m)交換結合膜の結合磁界の、NiO膜厚依存性を白抜
き四角で示した。
FIG. 3 shows the glass of the present invention / ZnO (5n
m) / NiO (10 to 50 nm) / Fe 2 O 3 (2 nm)
/ CoO (0.5 nm) / NiFe (6 nm) exchange coupling film's coupling magnetic field dependence on NiO film thickness is shown by white circles. For comparison, glass / NiO (10 to 50 nm) / Fe 2 O 3
(2 nm) / CoO (0.5 nm) / NiFe (6n
m) The dependence of the coupling magnetic field of the exchange coupling film on the NiO film thickness is shown by an open square.

【0022】また、図4に、本発明のガラス/ZnO
(5nm)/NiO(10〜50nm)/NiFe(6
nm)交換結合膜の結合磁界の、NiO膜厚依存性を白
丸で示す。比較のため、ガラス/NiO(10〜50n
m)/NiFe(6nm)交換結合膜の結合磁界の、N
iO膜厚依存性を白抜き四角で示した。
Further, FIG. 4 shows the glass / ZnO of the present invention.
(5 nm) / NiO (10-50 nm) / NiFe (6
nm) The dependence of the coupling magnetic field of the exchange coupling film on the NiO film thickness is shown by white circles. For comparison, glass / NiO (10-50n
m) / NiFe (6 nm) exchange coupling film of the coupling magnetic field, N
The dependence of iO film thickness is shown by an open square.

【0023】図3及び図4から、ZnOを下地膜として
配置することにより、酸化物反強磁性膜としてNiO/
Fe23/CoO積層膜、あるいはNiO単層膜を用い
た交換結合膜においても、高交換結合特性を維持しつ
つ、NiOを約20nmまで低減できることがわかる。
From FIGS. 3 and 4, by arranging ZnO as a base film, NiO /
It can be seen that even in the exchange coupling film using the Fe 2 O 3 / CoO laminated film or the NiO single layer film, NiO can be reduced to about 20 nm while maintaining high exchange coupling characteristics.

【0024】図5は、本発明による磁気トランスデュー
サーの構造例を示す断面模式図である。この磁気トラン
スデューサーの主要部は、ZnOを下地膜として配置し
た酸化物反強磁性膜/強磁性膜の磁性積層膜(交換結合
膜)と、非磁性膜を介して積層された強磁性膜とからな
る。これは、通称、スピンバルブセンサーとよばれてお
り、図中100は基板、1はZnO下地膜、121は外
部磁界によって磁化が自由に回転する強磁性膜(自由
層)である。101は、酸化物反強磁性膜によって磁化
の方向が固定されている強磁性膜(固定層)である。こ
の例では、自由層121及び固定層101としてCoF
e膜を用いた。122は固定層と自由層を分離するため
の非磁性膜で、Cuよりなる。102は固定層の磁化を
一方向に向けるための酸化物反強磁性膜であり、反強磁
性膜(NiO膜)2、反強磁性膜(Fe23膜)3を順
次積層した層で構成される。なお、酸化物反強磁性膜1
02は、NiO単層膜であってもNiO/Fe23/C
oO積層膜であってもよい。125はこのトランスデュ
ーサーに検出電流を流すための電極である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a structural example of the magnetic transducer according to the present invention. The main part of this magnetic transducer is a magnetic laminated film (exchange coupling film) of an oxide antiferromagnetic film / ferromagnetic film in which ZnO is used as a base film, and a ferromagnetic film laminated via a nonmagnetic film. Consists of. This is generally called a spin valve sensor, and in the figure, 100 is a substrate, 1 is a ZnO base film, and 121 is a ferromagnetic film (free layer) whose magnetization freely rotates by an external magnetic field. 101 is a ferromagnetic film (fixed layer) whose magnetization direction is fixed by the oxide antiferromagnetic film. In this example, CoF is used as the free layer 121 and the fixed layer 101.
e film was used. 122 is a non-magnetic film for separating the fixed layer and the free layer, and is made of Cu. Reference numeral 102 denotes an oxide antiferromagnetic film for directing the magnetization of the fixed layer in one direction, which is a layer in which an antiferromagnetic film (NiO film) 2 and an antiferromagnetic film (Fe 2 O 3 film) 3 are sequentially stacked. Composed. The oxide antiferromagnetic film 1
No. 02 is NiO / Fe 2 O 3 / C even if it is a NiO single layer film.
It may be an oO laminated film. Reference numeral 125 is an electrode for supplying a detection current to this transducer.

【0025】固定層101及び自由層121の膜厚はい
ずれも1〜5nmであり、非磁性膜122の膜厚は1〜
3nmである。ZnO下地膜1の膜厚は5nm、反強磁
性膜(NiO膜)2の膜厚は20〜40nm、反強磁性
膜(Fe23膜)3の膜厚は1〜4nmである。本構成
よりなる磁気トランスデューサーにおいては、高交換結
合特性を維持しつつ、酸化物反強磁性膜を約40nm以
下に薄膜化できることから、高密度磁気デイスク装置対
応磁気トランスデューサーを提供できる。
The fixed layer 101 and the free layer 121 each have a thickness of 1 to 5 nm, and the nonmagnetic film 122 has a thickness of 1 to 5 nm.
It is 3 nm. The ZnO base film 1 has a film thickness of 5 nm, the antiferromagnetic film (NiO film) 2 has a film thickness of 20 to 40 nm, and the antiferromagnetic film (Fe 2 O 3 film) 3 has a film thickness of 1 to 4 nm. In the magnetic transducer having this structure, the oxide antiferromagnetic film can be thinned to about 40 nm or less while maintaining the high exchange coupling characteristic, and thus a magnetic transducer compatible with a high-density magnetic disk device can be provided.

【0026】上記実施の形態においては、本発明の磁性
積層膜(交換結合膜)をスピンバルブセンサーに適用し
たが、いわゆる異方性磁気抵抗効果を用いたMRヘッド
の磁区制御膜に用いることも可能である。さらに、本発
明の磁性積層膜は所謂トンネル型GMRセンサーの固定
層及び固定層用反強磁性膜、磁区制御膜にも適用でき
る。さらに、本発明の磁性積層膜は、固定層101を強
磁性層/Ru/強磁性層とした、いわゆる積層フエリ型
スピンバルブセンサーの固定層用反強磁性膜にも適用で
きる。
In the above embodiment, the magnetic laminated film (exchange coupling film) of the present invention is applied to the spin valve sensor, but it can also be used for the magnetic domain control film of the MR head using the so-called anisotropic magnetoresistive effect. It is possible. Further, the magnetic laminated film of the present invention can be applied to a fixed layer of a so-called tunnel type GMR sensor, an antiferromagnetic film for the fixed layer, and a magnetic domain control film. Further, the magnetic laminated film of the present invention can be applied to an antiferromagnetic film for a fixed layer of a so-called laminated ferri type spin valve sensor in which the fixed layer 101 is a ferromagnetic layer / Ru / ferromagnetic layer.

【0027】図6は、本発明による磁気記録再生装置の
概略構成図である。この磁気記録再生装置は、磁気記録
媒体として磁気ディスクを用い、図5に断面模式図を示
した磁気トランスデューサーを再生ヘッドに用いてい
る。ここでは、磁気記録媒体として磁気ディスクを用い
る例について説明するが、本発明の磁気トランスデュー
サーは、磁気記録媒体として磁気テープなどを用いた磁
気記録再生装置にも適用することが可能である。
FIG. 6 is a schematic block diagram of a magnetic recording / reproducing apparatus according to the present invention. In this magnetic recording / reproducing apparatus, a magnetic disk is used as a magnetic recording medium, and a magnetic transducer whose schematic sectional view is shown in FIG. 5 is used for a reproducing head. Here, an example in which a magnetic disk is used as the magnetic recording medium will be described, but the magnetic transducer of the present invention can also be applied to a magnetic recording / reproducing apparatus using a magnetic tape or the like as the magnetic recording medium.

【0028】図示した磁気記録再生装置は、同心円状の
トラックとよばれる記録領域にデータを記録するため
の、デイスク状に形成された磁気記録媒体としての磁気
デイスク10と、再生ヘッドとして本発明による磁気ト
ランスデューサーを備え上記データの読み取り、書き込
みを実施するための磁気ヘッド18と、磁気ヘッド18
を支え磁気デイスク10上の所定位置へ移動させるアク
チュエーター手段と、磁気ヘッド18が読み取り、書き
込みするデータの送受信及びアクチェータ手段の移動な
どを制御する制御手段26とを含み構成される。
The illustrated magnetic recording / reproducing apparatus has a magnetic disk 10 as a magnetic recording medium formed in a disk shape for recording data in a recording area called a concentric circular track, and a reproducing head according to the present invention. A magnetic head 18 having a magnetic transducer for reading and writing the above data, and a magnetic head 18
An actuator means for supporting the magnetic disk 10 and moving it to a predetermined position on the magnetic disk 10, and a control means 26 for controlling the transmission / reception of data to be read / written by the magnetic head 18 and the movement of the actuator means.

【0029】さらに、構成と動作について以下に説明す
る。少なくとも一枚の回転可能な磁気デイスク10が回
転軸12によって支持され、駆動用モーター14によっ
て回転させられる。少なくとも一個のスライダー16
が、磁気デイスク10上に設置され、スライダー16
は、読み取り、書き込みするための磁気ヘッド18を支
持している。
Further, the structure and operation will be described below. At least one rotatable magnetic disk 10 is supported by a rotating shaft 12 and rotated by a drive motor 14. At least one slider 16
Is installed on the magnetic disk 10 and has a slider 16
Supports a magnetic head 18 for reading and writing.

【0030】磁気デイスク10が回転すると同時に、ス
ライダー16がデイスク表面を移動することによって、
目的とするデータが記録されている所定位置へアクセス
される。スライダ16は、ジンバル20によってアーム
22に取り付けられる。ジンバル20はわずかな弾力性
を有し、スライダー16を磁気デイスク10に密着させ
る。アーム22はアクチュエーター24に取り付けられ
る。
At the same time when the magnetic disk 10 rotates, the slider 16 moves on the disk surface,
A predetermined location where the target data is recorded is accessed. The slider 16 is attached to the arm 22 by the gimbal 20. The gimbal 20 has a slight elasticity so that the slider 16 can be brought into close contact with the magnetic disk 10. The arm 22 is attached to the actuator 24.

【0031】アクチュエーター24としては、ボイスコ
イルモーター(以下、VCMと称す。)を用いることが
できる。VCMは固定された磁界中に置かれた移動可能
なコイルからなり、コイルの移動方向及び移動速度等
は、制御手段26からライン30を介して与えられる電
気信号によって制御される。したがって、本実施の形態
におけるアクチュエーター手段は、例えば、スライダ1
6、ジンバル20、アーム22、アクチュエーター2
4、及びライン30を含み構成されるものである。
A voice coil motor (hereinafter referred to as VCM) can be used as the actuator 24. The VCM is composed of a movable coil placed in a fixed magnetic field, and the moving direction and moving speed of the coil are controlled by an electric signal given from the control means 26 through a line 30. Therefore, the actuator means in the present embodiment is, for example, the slider 1
6, gimbal 20, arm 22, actuator 2
4 and the line 30.

【0032】磁気デイスクの動作中、磁気デイスク10
の回転によってスライダー16とデイスク表面の間に空
気流によるエアベアリングが生じ、それがスライダー1
6を磁気デイスク10の表面から浮上させる。したがっ
て、磁気デイスク装置の動作中、本エアベアリングはジ
ンバル20のわずかな弾性力とバランスをとり、スライ
ダー16は磁気デイスク表面に触れずに、かつ磁気デイ
スク10と一定間隔を保って浮上するように維持され
る。
During operation of the magnetic disk, the magnetic disk 10
Rotation of the slider creates an air bearing between the slider 16 and the disk surface due to the air flow, which is the slider 1.
6 is levitated from the surface of the magnetic disk 10. Therefore, during operation of the magnetic disk device, the air bearing balances with the slight elastic force of the gimbal 20, so that the slider 16 floats without contacting the magnetic disk surface and at a certain distance from the magnetic disk 10. Maintained.

【0033】通常、制御手段26はロジック回路、メモ
リ、及びマイクロプロセッサなどから構成される。そし
て、制御手段26は、各ラインを介して制御信号を送受
信し、かつ磁気デイスク装置の種々の構成手段を制御す
る。例えば、モーター14はライン28を介し伝達され
るモーター駆動信号によって制御される。アクチュエー
ター24はライン30を介したヘッド位置制御信号及び
シーク制御信号等によって、その関連する磁気デイスク
10上の目的とするデータートラックへ選択されたスラ
イダー16を最適に移動、位置決めするように制御され
る。
Usually, the control means 26 is composed of a logic circuit, a memory, a microprocessor and the like. Then, the control means 26 transmits / receives a control signal via each line and controls various constituent means of the magnetic disk device. For example, motor 14 is controlled by a motor drive signal transmitted via line 28. The actuator 24 is controlled by a head position control signal and a seek control signal via the line 30 so as to optimally move and position the selected slider 16 to a target data track on the associated magnetic disk 10. .

【0034】そして、制御信号26は、磁気ヘッド18
が磁気デイスク10のデータを読み取り変換した電気信
号を、ライン32を介して受信し解読する。また、磁気
デイスク10にデータとして書き込むための電気信号
を、ライン32を介して磁気ヘッド18に送信する。す
なわち、制御手段26は、磁気ヘッド18が読み取りま
たは書き込みする情報の送受信を制御している。
The control signal 26 is sent to the magnetic head 18
Receives and decodes the electric signal obtained by reading and converting the data of the magnetic disk 10 via the line 32. Further, an electric signal for writing as data on the magnetic disk 10 is transmitted to the magnetic head 18 via the line 32. That is, the control unit 26 controls transmission / reception of information read or written by the magnetic head 18.

【0035】なお、上記の読み取り、書き込み信号は、
磁気ヘッド18から直接伝達される手段も可能である。
また、制御信号として例えばアクセス制御信号及びクロ
ック信号などがある。さらに,磁気デイスク装置は複数
の磁気デイスクやアクチュエーター等を有し、アクチュ
エーターが複数の磁気ヘッドを有してもよい。
The above read and write signals are
Means transmitted directly from the magnetic head 18 are also possible.
Further, the control signal includes, for example, an access control signal and a clock signal. Further, the magnetic disk device has a plurality of magnetic disks, actuators, etc., and the actuator may have a plurality of magnetic heads.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上詳術したように、本発明によれば、
ZnOを下地膜として配置することにより、酸化物反強
磁性膜であるNiO膜を薄膜化できる。従って、ZnO
を下地膜として配置した、ZnO/NiO/Fe23
ZnO/NiO、あるいはZnO/NiO/Fe23
CoO酸化物反強磁性積層膜と強磁性膜との交換結合膜
を採用した場合には、高密度磁気デイスク装置対応磁気
トランスデューサー(磁気ヘッド)、及び高記録密度磁
気記録再生装置を提供できる。
As described above in detail, according to the present invention,
By disposing ZnO as the base film, the NiO film, which is an oxide antiferromagnetic film, can be thinned. Therefore, ZnO
Of ZnO / NiO / Fe 2 O 3 ,
ZnO / NiO, or ZnO / NiO / Fe 2 O 3 /
When the exchange coupling film of the CoO oxide antiferromagnetic laminated film and the ferromagnetic film is adopted, a magnetic transducer (magnetic head) compatible with a high density magnetic disk device and a high recording density magnetic recording / reproducing device can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による磁性積層膜(交換結合膜)の断面
模式図。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a magnetic laminated film (exchange coupling film) according to the present invention.

【図2】ガラス/ZnO(5nm)/NiO(10〜5
0nm)/Fe23(2nm)/NiFe(6nm)交
換結合膜の結合磁界の、NiO膜厚依存性を示す図。
FIG. 2 Glass / ZnO (5 nm) / NiO (10-5)
0nm) / Fe 2 O 3 ( 2nm) / NiFe (6nm) of coupling magnetic field of the exchange coupling film, shows a NiO film thickness dependence.

【図3】ガラス/ZnO(5nm)/NiO(10〜5
0nm)/Fe23(2nm)/CoO(0.5nm)
/NiFe(6nm)交換結合膜の結合磁界の、NiO
膜厚依存性を示す図。
FIG. 3 Glass / ZnO (5 nm) / NiO (10-5)
0 nm) / Fe 2 O 3 (2 nm) / CoO (0.5 nm)
/ NiFe (6 nm) of the coupling field of the exchange coupling film, NiO
The figure which shows film thickness dependence.

【図4】ガラス/ZnO(5nm)/NiO(10〜5
0nm)/NiFe(6nm)交換結合膜の結合磁界
の、NiO膜厚依存性を示す図。
FIG. 4 Glass / ZnO (5 nm) / NiO (10-5)
The figure which shows the NiO film thickness dependence of the coupling magnetic field of a (0 nm) / NiFe (6 nm) exchange coupling film.

【図5】本発明による磁気トランスデューサーの構造例
を示す断面模式図。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a structural example of a magnetic transducer according to the present invention.

【図6】本発明による磁気記録再生装置の概略構成図。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a magnetic recording / reproducing apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ZnO下地膜、10…磁気デイスク、12…回転
軸、14…モーター、16…スライダー、18…磁気ヘ
ッド、20…ジンバル、22…アーム、24…アクチュ
エーター、26…制御手段、28,30,32…ライ
ン、100…基板、101…強磁性膜(固定層)、10
2…酸化物反強磁性膜、121…強磁性膜(自由層)、
122…非磁性膜、125…信号検出電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... ZnO base film, 10 ... Magnetic disk, 12 ... Rotating shaft, 14 ... Motor, 16 ... Slider, 18 ... Magnetic head, 20 ... Gimbal, 22 ... Arm, 24 ... Actuator, 26 ... Control means, 28, 30, 32 ... Line, 100 ... Substrate, 101 ... Ferromagnetic film (fixed layer), 10
2 ... Oxide antiferromagnetic film, 121 ... Ferromagnetic film (free layer),
122 ... Non-magnetic film, 125 ... Signal detection electrode

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 反強磁性膜と強磁性膜とを順次積層して
なる磁性積層膜を含む磁気ヘッドにおいて、 前記反強磁性膜はNiO膜、NiOからなる膜上にFe
23からなる膜が形成された積層膜、又はNiOからな
る膜上にFe23からなる膜が形成されその上にCoO
からなる膜が形成された積層膜であり、前記反強磁性膜
の下地膜としてZnO膜を配置したことを特徴とする磁
気ヘッド。
1. A magnetic head including a magnetic laminated film in which an antiferromagnetic film and a ferromagnetic film are sequentially laminated, wherein the antiferromagnetic film is a NiO film or a Fe film formed on a NiO film.
A laminated film having a film made of 2 O 3 formed thereon, or a film made of Fe 2 O 3 formed on a film made of NiO, and CoO formed thereon.
2. A magnetic head comprising a laminated film having a film made of, wherein a ZnO film is arranged as a base film of the antiferromagnetic film.
【請求項2】 反強磁性膜と、前記反強磁性膜により磁
化方向が固定される第1の強磁性膜と、外部磁界に応じ
て磁化方向が自由に変化する第2の強磁性膜と、前記第
1の強磁性膜と第2の強磁性膜を磁気的に分離する非磁
性膜と、前記第2の強磁性膜上に設けられた一対の電極
とを含む磁気ヘッドにおいて、 前記反強磁性膜はNiO膜、NiOからなる膜上にFe
23からなる膜が形成された積層膜、NiOからなる膜
上にFe23からなる膜が形成されその上にCoOから
なる膜が形成された積層膜のいずれかであり、前記反強
磁性膜の下地膜としてZnO膜を配置したことを特徴と
する磁気ヘッド。
2. An antiferromagnetic film, a first ferromagnetic film whose magnetization direction is fixed by the antiferromagnetic film, and a second ferromagnetic film whose magnetization direction freely changes according to an external magnetic field. A magnetic head including a non-magnetic film that magnetically separates the first ferromagnetic film and the second ferromagnetic film, and a pair of electrodes provided on the second ferromagnetic film. The ferromagnetic film is a NiO film, and an Fe film is formed on the NiO film.
One of a laminated film in which a film made of 2 O 3 is formed and a laminated film in which a film made of Fe 2 O 3 is formed on a film made of NiO and a film made of CoO is formed thereon. A magnetic head having a ZnO film disposed as a base film of a ferromagnetic film.
【請求項3】 請求項1又は2記載の磁気ヘッドにおい
て、NiO膜の膜厚が20〜40nmであることを特徴
とする磁気ヘッド。
3. The magnetic head according to claim 1, wherein the NiO film has a thickness of 20 to 40 nm.
【請求項4】 情報を記録する磁気記録媒体と、前記磁
気記録媒体に記録された情報を読み取るための磁気ヘッ
ドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体上の所定の位
置へ移動させるためのアクチュエーター手段と、前記ア
クチェーター手段を制御する制御手段とを含む磁気記録
再生装置において、 前記磁気ヘッドとして請求項1〜3のいずれか1項記載
の磁気ヘッドを用いたことを特徴とする磁気記録再生装
置。
4. A magnetic recording medium for recording information, a magnetic head for reading information recorded on the magnetic recording medium, and an actuator for moving the magnetic head to a predetermined position on the magnetic recording medium. A magnetic recording / reproducing apparatus comprising: means and a control means for controlling the actuator means, wherein the magnetic head according to any one of claims 1 to 3 is used as the magnetic head. .
JP2000015545A 2000-01-25 2000-01-25 Magnetic head and magnetic recording / reproducing device Expired - Fee Related JP3420154B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000015545A JP3420154B2 (en) 2000-01-25 2000-01-25 Magnetic head and magnetic recording / reproducing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000015545A JP3420154B2 (en) 2000-01-25 2000-01-25 Magnetic head and magnetic recording / reproducing device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001209912A JP2001209912A (en) 2001-08-03
JP3420154B2 true JP3420154B2 (en) 2003-06-23

Family

ID=18542824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000015545A Expired - Fee Related JP3420154B2 (en) 2000-01-25 2000-01-25 Magnetic head and magnetic recording / reproducing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3420154B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001209912A (en) 2001-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4841112B2 (en) MTJ sensor and disk drive system
JP2725987B2 (en) Magnetoresistive sensor
JP2769092B2 (en) Magnetoresistive sensor
JP2592216B2 (en) Dual spin valve magnetoresistive sensor
US6127045A (en) Magnetic tunnel junction device with optimized ferromagnetic layer
US6040961A (en) Current-pinned, current resettable soft AP-pinned spin valve sensor
KR100278420B1 (en) Improved antiparallel-fixed spin valve sensor
CN100378803C (en) Magnetoresistive effect element, magnetic head, and magnetic recording device
JPH06111252A (en) Magnetic reluctance sensor, manufacture thereof and magnetic recording system
US6650598B2 (en) Magnetic head having magnetoresistance device and recording/reproducing apparatus incorporating the same
US20060218774A1 (en) Method for manufacturing a magnetic read sensor employing oblique etched underlayers for inducing uniaxial magnetic anisotropy in hard magnetic bias layers
US6175477B1 (en) Spin valve sensor with nonmagnetic oxide seed layer
US20050047027A1 (en) Method and apparatus for a current-perpendicular-to-plane Giant Magneto-Resistance sensor with embedded composite film
US5715120A (en) Magnetoresistance sensor with enhanced magnetoresistive effect
CN100373457C (en) Vertical magnetic recording medium
JP3127777B2 (en) Magnetic transducer and magnetic recording device
JP3420154B2 (en) Magnetic head and magnetic recording / reproducing device
JP4281310B2 (en) Magnetoresistive element, magnetic head using the same, and magnetic recording / reproducing apparatus
JP3359900B2 (en) Magnetic transducer and magnetic recording / reproducing device
US6980404B2 (en) Method and apparatus for improving soft magnetic properties of a spin valve while retaining high giant magnetoresistance
JP2003298148A (en) Cpp-gmr element and magnetic recorder using the same
JP2821586B2 (en) Thin film magnetic head
JP2003008104A (en) Tmr element with fixed half-metal magnetite film
JP2781103B2 (en) Magnetoresistive head and method of manufacturing the same
JPH11219508A (en) Magnetic transducer and magnetic recording and reproducing device

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090418

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees