JP3417323B2 - Etalon evaluation method, etalon evaluation device, and laser oscillator - Google Patents

Etalon evaluation method, etalon evaluation device, and laser oscillator

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JP3417323B2 JP662599A JP662599A JP3417323B2 JP 3417323 B2 JP3417323 B2 JP 3417323B2 JP 662599 A JP662599 A JP 662599A JP 662599 A JP662599 A JP 662599A JP 3417323 B2 JP3417323 B2 JP 3417323B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、エタロンの評価装
置及びエタロンの評価方法に関し、特にレーザ発振器の
狭帯域化に使用されるファブリペローエタロンの評価方
法及びそのエタロンの評価装置並びにエタロンを用いて
狭帯域化されるレーザ発振器に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etalon evaluation device and an etalon evaluation method, and more particularly to a Fabry-Perot etalon evaluation method used for narrowing the bandwidth of a laser oscillator, the etalon evaluation device and the etalon. The present invention relates to a laser oscillator having a narrow band.

【0002】[0002]

【従来の技術】ファブリペローエタロン(以下エタロン
と略記する。)は、従来、波長を掃引し、光のスペクト
ルを分析する素子として、また、レーザ共振器中に挿入
し、レーザ発振の周波数を選択する素子として使用され
ている。
2. Description of the Related Art A Fabry-Perot etalon (hereinafter abbreviated as "etalon") has conventionally been used as an element for sweeping a wavelength and analyzing a spectrum of light, and is also inserted in a laser resonator to select a laser oscillation frequency. It is used as an element that

【0003】近年では、半導体露光装置の光源として使
用されるスペクトル純度の高いエキシマレーザ光を得る
ために、光領域で用いられるフィルタとしてエタロンを
レーザ共振器中に挿入することが行われている。
In recent years, in order to obtain excimer laser light having a high spectral purity used as a light source of a semiconductor exposure apparatus, an etalon is inserted in a laser resonator as a filter used in the optical region.

【0004】この半導体露光装置は、微細化の進展が著
しい半導体デバイスを製造する上で非常に重要な装置で
あり、この半導体露光装置の光源として、エキシマレー
ザであるKrFレーザがすでに実用化されている。
This semiconductor exposure apparatus is a very important apparatus for manufacturing a semiconductor device whose progress of miniaturization is remarkable, and a KrF laser which is an excimer laser has already been put into practical use as a light source of this semiconductor exposure apparatus. There is.

【0005】そして、半導体露光装置では、光源の波長
スペクトルに広がりがあると、露光光学系の色収差によ
り分解能が低下する。
Then, in the semiconductor exposure apparatus, if the wavelength spectrum of the light source is widened, the resolution is lowered due to the chromatic aberration of the exposure optical system.

【0006】そのため半導体露光装置用エキシマレーザ
では、この色収差の影響を低減するために波長スペクト
ルを狭帯域化する必要がある。
Therefore, in the excimer laser for semiconductor exposure apparatus, it is necessary to narrow the wavelength spectrum in order to reduce the influence of this chromatic aberration.

【0007】特に、近年では、半導体露光装置は年々微
細化が進んでおり、その要求を満たすために光源の波長
スペクトル半値幅もサブピコメータが要求されている。
すなわち、このレーザのスペクトル幅は、従来において
は、半値幅で2〜3pm程度であったが、現在では1p
m以下の半値幅が実用化されている。
Particularly, in recent years, the semiconductor exposure apparatus has been miniaturized year by year, and in order to meet the demand, a sub-picometer is required for the half width of the wavelength spectrum of the light source.
That is, the spectrum width of this laser is about 2 to 3 pm in half width in the past, but is now 1 p.
A half-value width of m or less has been put to practical use.

【0008】このようにエタロンを使用して、スペクト
ル純度の高いエキシマレーザ光を得るための方法につい
ては、例えば、特開平3−87084号公報に記載され
たものが知られている。
As a method for obtaining an excimer laser beam having a high spectral purity by using an etalon as described above, for example, a method described in Japanese Patent Laid-Open No. 3-87084 is known.

【0009】ここでは、まず、エタロンについて簡単に
説明する。図15は、エアーギャップエタロンを横から
見た図である。
First, the etalon will be briefly described. FIG. 15 is a side view of the air gap etalon.

【0010】このエタロンは、図15のようにある反射
率を持った2枚の平行平板153a、153bを適当な
ギャップ間隔151で互いに精度良く平行に向かい合わ
せたものであり、光の干渉によってこの反射率とギャッ
プ間隔で決まる波長のみを選択的に透過させることがで
きる光領域のフィルタである。
This etalon is made up of two parallel flat plates 153a and 153b having a certain reflectance as shown in FIG. It is a filter in the optical region that can selectively transmit only the wavelength determined by the reflectance and the gap interval.

【0011】そして、通常、複数の同じ厚さを持つスペ
ーサ152を2枚の平行平板153a、153bの間に
挟むことで平行度の良いギャップ間隔151を実現して
いる。
In general, a plurality of spacers 152 having the same thickness are sandwiched between two parallel flat plates 153a and 153b to realize a gap interval 151 with good parallelism.

【0012】しかしながら、製造上、スペーサのサイズ
ばらつきや、組立の精度上ナノメーターオーダーのギャ
ップ間隔のばらつきが生じてしまう。このギャップ間隔
のばらつきには傾向があり、2枚の平行平板153a、
153bがハの字型になることが一般的である。
However, in manufacturing, variations in the size of the spacers and variations in the gap distance on the order of nanometers occur due to the accuracy of assembly. There is a tendency for this gap interval to vary, and there are two parallel flat plates 153a,
It is general that the 153b has a V-shape.

【0013】図15の場合のギャップ間隔のばらつきが
最も小さくなる方向は、紙面に対して垂直である。ここ
では、紙面の表から裏の方向をギャップ間隔のばらつき
が最も小さくなる方向とし、この図では、ギャップ間隔
のばらつきを分かりやすくするために、ギャップ間隔1
51が下に広くなるよう誇張して描いている。
In the case of FIG. 15, the direction in which the variation in the gap distance is the smallest is perpendicular to the paper surface. Here, the direction from the front side to the back side of the paper is set to the direction in which the variation in the gap interval is the smallest, and in this figure, in order to make it easy to understand the variation in the gap interval, the gap interval 1
51 is exaggerated so that it becomes wider below.

【0014】次に、図16にエタロンの透過特性の概略
図を示す。エタロンの透過特性は、フリースペクトルレ
ンジ(Free Spectral Range:FS
R)というエタロンのギャップ間隔で決まる固有の波長
ピッチごとにピークを示す。また、各ピークのシャープ
さは主に平行平板の反射率、粗さ、平行度で決まり、反
射率が高いほど、粗さが小さいほど、平行度が高いほど
シャープになる。
Next, FIG. 16 shows a schematic diagram of the transmission characteristics of the etalon. The transmission characteristics of the etalon are as follows: Free Spectral Range (FS)
R) shows a peak for each unique wavelength pitch determined by the gap distance of the etalon. The sharpness of each peak is mainly determined by the reflectance, roughness, and parallelism of the parallel plate. The higher the reflectance, the smaller the roughness, and the higher the parallelism, the sharper the sharpness.

【0015】前述したようにレーザの狭帯域化は、ビー
ム全体にわたり一様にする必要がある。
As described above, the laser band narrowing needs to be uniform over the entire beam.

【0016】いま、レーザ光が図15のそれぞれa、b、
cのビーム位置を通るとする。このとき、エタロンの透
過特性の中のある一つのピークについて見ると、各ビー
ム透過位置でエタロンのギャップ間隔151が異なるた
め図17のように少しずつピーク波長がずれてしまう。
Now, the laser beams are a, b, and
Suppose that the beam position of c is passed. At this time, looking at one peak in the transmission characteristics of the etalon, the peak wavelength is slightly shifted as shown in FIG. 17 because the etalon gap interval 151 is different at each beam transmission position.

【0017】サブピコメーターの半値幅に狭帯域化する
場合、ギャップ間隔151に数十ナノメーターのばらつ
きがあると、波長ずれはピコメーターのオーダーにな
り、ギャップ間隔のばらつきによる半値幅の広がりが無
視できない大きさになる。
When narrowing the band to the half width of the sub-picometer, if the gap interval 151 has a variation of several tens of nanometers, the wavelength shift is on the order of picometers, and the spread of the half width due to the variation of the gap interval is ignored. It becomes a size that cannot be done.

【0018】このため、半導体露光装置用エキシマレー
ザに使う場合、エタロンにはギャップ間隔を高い精度で
平行にすることが要求される。
Therefore, when used in an excimer laser for a semiconductor exposure apparatus, the etalon is required to have a highly parallel gap distance.

【0019】このようなエタロンの平行度の測定を行う
ことは、 半導体露光装置用エキシマレーザの性能を保
証する上で、重要な意味をもつ。
The measurement of the parallelism of the etalon has an important meaning in ensuring the performance of the excimer laser for a semiconductor exposure apparatus.

【0020】図18に従来のエタロンの評価装置を示
す。図18において、エキシマレーザ光源181からの
レーザ光は、ビームエキスパンダ182によって、適切
なビームサイズに拡大される。このビームは拡散板18
3に照射され、さまざまな方向に拡散され、エタロン1
84を照射する。
FIG. 18 shows a conventional etalon evaluation apparatus. In FIG. 18, the laser light from the excimer laser light source 181 is expanded by the beam expander 182 to an appropriate beam size. This beam is diffuser 18
Irradiated to 3 and diffused in various directions, etalon 1
Irradiate 84.

【0021】そして、エタロン184を透過した光は、
レンズ185によって、センサ186上に結像される。
The light transmitted through the etalon 184 is
An image is formed on the sensor 186 by the lens 185.

【0022】このセンサ186面での光パターンは、図
19の19aに示すような同心円状の干渉縞となる。
The light pattern on the surface of the sensor 186 becomes concentric interference fringes as shown by 19a in FIG.

【0023】図19の19aに示すように、センサは縦
長のラインセンサとすると、このときのセンサからの信
号187は、例えば、図19の19bに示したようにな
る。このように3縞分のパターンが測定できると、エタ
ロンのFSRが既知であることから、エタロンの透過特
性の半値幅を示す指標となる。
As shown at 19a in FIG. 19, if the sensor is a vertically long line sensor, the signal 187 from the sensor at this time is as shown at 19b in FIG. 19, for example. When the pattern for three stripes can be measured in this way, since the FSR of the etalon is known, it can be used as an index indicating the half-value width of the transmission characteristic of the etalon.

【0024】より正確には、測定した半値幅は、測定に
仕様したレーザ光のスペクトルの広がりが重なったもの
であるが、このレーザ光のスペクトルが充分に狭いもの
であれば、測定した半値幅はエタロンの特性そのものを
示すことになる。
More precisely, the measured full width at half maximum is the overlap of the spread of the spectrum of the laser light specified for measurement, but if the spectrum of this laser light is sufficiently narrow, the measured full width at half maximum is Indicates the characteristics of the etalon itself.

【0025】[0025]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
構成によっては、エタロンの透過特性が必要とされるレ
ベルに達しているのかいないのかの検査は行えるが、エ
タロンの個別の特性、特にギャップ間隔のばらつきにつ
いて測定はできてはいない。
However, according to the above configuration, it is possible to inspect whether or not the transmission characteristics of the etalon reach the required level, but it is possible to check the individual characteristics of the etalon, especially the gap distance. The variation cannot be measured.

【0026】つまり、エタロンの評価方法あるいは評価
装置においては、レーザビーム面内でのギャップ間隔の
均一性を正確に測定することが要求されているが、従来
では、エタロンの実際の使用条件におけるギャップ間隔
の場所による均一性を測定していないという課題があ
る。
That is, in the etalon evaluation method or evaluation device, it is required to accurately measure the uniformity of the gap distance in the laser beam plane, but conventionally, the gap under the actual use condition of the etalon is required. There is a problem that the uniformity depending on the location of the interval is not measured.

【0027】本発明は、このようなスペクトル純度の高
いエキシマレーザ光を得るために使用されるエタロンの
フィルタ特性の評価方法及び評価装置並びにレーザ発振
器に関するものであり、エタロンのギャップ間隔の場所
による均一性を正確に測定する装置及び上記装置により
評価されたエタロンを狭帯域化に用い、よりスペクトル
純度の高いレーザビームが発振可能なレーザ発振器を提
供することを目的とする。
The present invention relates to a method and an apparatus for evaluating the filter characteristics of an etalon used to obtain an excimer laser beam having such high spectral purity, and a laser oscillator. An object of the present invention is to provide a laser oscillator capable of oscillating a laser beam having a higher spectral purity by using a device for accurately measuring the property and an etalon evaluated by the device for narrowing the band.

【0028】[0028]

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明は、エキシマレーザ光源からのレーザ光をエ
タロンに照射するときに、エキシマレーザ光源とエタロ
ンとの間に設けられた光学要素により照射ビームの照射
領域を変えられるように構成したものである。
In order to solve this problem, the present invention relates to an optical element provided between an excimer laser light source and an etalon when irradiating a laser light from the excimer laser light source on the etalon. The irradiation area of the irradiation beam can be changed by.

【0029】これにより、エタロンのギャップ間隔の場
所によるばらつき、すなわち均一性を正確に測定するこ
とが可能となる。また上記のような構成で評価されたエ
タロンをレーザ発振器に用いてレーザビームを狭帯域化
する。
As a result, it becomes possible to accurately measure the variation in the etalon gap distance depending on the location, that is, the uniformity. Further, the etalon evaluated in the above-mentioned configuration is used for the laser oscillator to narrow the band of the laser beam.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】請求項1記載の本発明は、レーザ
発振器、拡散板、集光レンズ、受光センサーから構成さ
れ、拡散板と集光レンズの間にファブリペローエタロン
を設置し、前記ファブリペローエタロンの等傾角干渉縞
を測定し、特性を評価する装置において、前記レーザ発
振器からの光を前記ファブリペローエタロンの複数領域
に入射可能にする手段として、前記ファブリペローエタ
ロンの直前に前記ファブリペローエタロンと相対回転可
能に設置されたスリットを有するエタロン評価装置であ
る。この構成により、エタロンのギャップ間隔の場所に
よるばらつき、すなわち均一性を正確に測定して評価す
ことが可能となり、ギャップ間隔のばらつきが大きい
方向が同定でき、ばらつきの大きさを評価できる
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention according to claim 1, a laser oscillator, a diffusion plate, a condenser lens, a light receiving sensor, installed fab Repeller Roetaron between the diffusion plate and the condenser lens, the Fabry In a device for measuring equi-tilt interference fringes of a Perot etalon and evaluating characteristics, the Fabry-Perot etalon is provided as means for allowing light from the laser oscillator to enter a plurality of regions of the Fabry-Perot etalon.
Immediately before Ron, relative rotation is possible with the Fabry-Perot etalon
It is an etalon evaluation device that has a slit installed in Noh . With this configuration, it is possible to accurately measure and evaluate the variation in the gap distance of the etalon depending on the location, that is, the uniformity, and the variation in the gap distance is large.
The direction can be identified, and the magnitude of variation can be evaluated .

【0031】[0031]

【0032】または、請求項記載の本発明は、レーザ
発振器、拡散板、集光レンズ、受光センサーから構成さ
れ、拡散板と集光レンズの間にファブリペローエタロン
を設置し、前記ファブリペローエタロンの等傾角干渉縞
を測定し、特性を評価する装置において、前記レーザ発
振器からの光を前記ファブリペローエタロンの複数領域
に入射可能にする手段として、前記ファブリペローエタ
ロンの直前に前記ファブリペローエタロンと相対移動可
能に設置されたアパーチャを有するエタロン評価装置で
あり、これによりギャップ間隔の場所によるばらつきを
定量的に評価できる。
Alternatively, the present invention according to claim 2 is a laser.
Consists of an oscillator, a diffuser, a condenser lens, and a light receiving sensor
The Fabry-Perot etalon between the diffuser and the condenser lens.
Is installed and equilibrium interference fringes of the Fabry-Perot etalon
The measured, the apparatus for evaluating the characteristics, installation light from the laser oscillator as a means for allowing incident into a plurality of regions of the Fabry-Perot etalon, just prior to the Fabry-Perot etalon and relatively movable in the Fabry-Perot etalon This is an etalon evaluation device having a defined aperture, which allows quantitative evaluation of variations in the gap distance depending on the location.

【0033】なお請求項記載のように、請求項1また
は2記載の装置において、レーザ発振器と拡散板の間に
アパーチャと光学系を設置し、前記レーザ発振器から発
振されるレーザビームのスペクトルが一定な部分のみを
選択し評価に用いた場合、より高精度な測定が行なえ
る。
As described in claim 3 , claim 1 or
In the apparatus described in 2 above , when an aperture and an optical system are installed between the laser oscillator and the diffusion plate and only a portion where the spectrum of the laser beam oscillated from the laser oscillator is constant is used for evaluation, higher accuracy is obtained. You can measure.

【0034】また具体的には、請求項記載のように、
請求項3記載の装置において、レーザ発振器と拡散板の
間に設置される光学系がビームエキスパンダであって
も、より高精度な測定が行なえる。
More specifically, as described in claim 4 ,
In the apparatus according to the third aspect , even if the optical system installed between the laser oscillator and the diffusion plate is a beam expander, more accurate measurement can be performed.

【0035】または、請求項記載のように、請求項1
から4のいずれか記載の装置において、レーザ発振器に
狭帯域化されたエキシマレーザ発振器を用いてもよい。
Alternatively, as described in claim 5 , claim 1
In the device according to any one of 1 to 4 , a narrow band excimer laser oscillator may be used as the laser oscillator.

【0036】また、請求項記載の発明は、請求項2記
の装置において、センサーにラインセンサーを用い、
記ラインセンサーをファブリペローエタロンの直前に
設置されるアパーチャの走査方向と同じ方向に設置する
ことを特徴とする評価装置であり、より高精度な測定が
行なえる。
The invention according to claim 6 is the same as claim 2.
In the above device, a line sensor is used for the sensor,
Before SL is an evaluation device and wherein placing a line sensor in the same direction as the scanning direction of the aperture is disposed just before the fab repeller Roetaron, perform more accurate measurements.

【0037】また、請求項記載の発明は、ファブリペ
ローエタロンに拡散されたレーザ光を照射して等傾角干
渉縞を測定し、前記等傾角干渉縞から前記ファブリペ
ーエタロンの特性を評価する評価装置であって、スリッ
トを用いて前記レーザ光を前記ファブリペローエタロン
の基準位置に照射して得られた等傾角干渉縞aと前記ス
リットを用いて前記レーザ光を前記ファブリペローエタ
ロンの任意の位置に照射して得られた干渉縞bを少なく
とも入力信号とし、前記等傾角干渉縞aとbの半値幅の
変化から前記ファブリペローエタロンのギャップ間隔の
変化を算出する手段を有する評価装置であり、より高精
度な測定が行なえる。
Further, an invention according to claim 7, wherein, an equal inclination interference fringe was measured by irradiating a laser beam diffused in the Fabry-Perot etalon, from the like inclination interference fringe of the fab repeller b <br/> Etaron an evaluation device for evaluating the characteristics, slit
The laser light to the Fabry-Perot etalon
Of the equi-tilt interference fringe a obtained by irradiating the reference position of
The laser light is lit using a Fabry-Perot
The interference fringes b obtained by irradiating an arbitrary position of Ron
Both are input signals, and the half-value widths of the equal-angle interference fringes a and b are
An evaluation device having means for calculating a change in the gap distance of the fab repeller Roetaron from the change, can be performed more accurate measurements.

【0038】[0038]

【0039】請求項記載の発明は、ファブリペローエ
タロンに拡散されたレーザ光を照射して、等傾角干渉縞
を測定し、前記等傾角干渉縞から前記ファブリペローエ
タロンの特性を評価する評価装置であって、アパーチャ
を用いて前記レーザ光を前記ファブリペローエタロンの
基準位置に照射して得られた等傾角干渉縞aと前記アパ
ーチャを用いて前記レーザ光を前記ファブリペローエタ
ロンの任意の位置に照射して得られた干渉縞bを少なく
とも入力信号とし、前記等傾角干渉縞aとbの移動量か
前記ファブリペローエタロンのギャップ間隔の変化を
算出する手段を有する評価装置であり、より高精度な測
定が行なえる。
The invention according to claim 8 is the Fabry-Perot.
Irradiate the laser light diffused on the talon to obtain the equi-tilt interference fringes.
Is measured, and the Fabry-Perot
An evaluation device for evaluating the characteristics of a talon, wherein the laser beam is irradiated by using an aperture and an equitilt angle interference fringe a obtained by irradiating the reference position of the Fabry-Perot etalon with the laser beam. and at least the input signal interference fringes b obtained by irradiating an arbitrary position of the fab repeller Roetaron comprises means for calculating a change in the gap distance of the Fabry-Perot etalon from the amount of movement of said equal inclination interference fringe a and b It is an evaluation device and can perform more accurate measurement.

【0040】また請求項記載の発明は、請求項7また
は8記載の装置において、入力された信号をファブリペ
ローエタロンの波長による透過特性に変換する手段を有
し、前記波長による透過特性に変換した後の信号から
記ファブリペローエタロンのギャップ間隔の変化を算出
することを特徴とする評価装置であり、より高精度な測
定が行なえる。
The invention according to claim 9 is the same as claim 7 or
Faburipe in apparatus according 8, the input signal
And means for converting the transmission characteristics due to the wavelength of the low etalon, before the signal after converting the transmission characteristics due to said wavelength
The evaluation device is characterized by calculating the change in the gap distance of the Fabry-Perot etalon, and can perform more accurate measurement.

【0041】また請求項10記載の発明は、請求項8記
の装置において、等傾角干渉縞の同心円の中心から一
方の方向とそれに対し他方の方向の干渉縞を各々測定
し、各々の干渉縞の移動量の平均値を取ることで、測定
の誤差を補正し、ファブリペローエタロンのギャップ間
隔の変化を算出することを特徴とする評価装置であり、
より高精度な測定が行なえる。
The invention according to claim 10 is the same as claim 8.
In the above equipment, measure the interference fringes in one direction and the other direction from the center of the concentric circles of the equi-tilt interference fringes, and take the average value of the movement amount of each interference fringe to obtain the measurement error. It is an evaluation device characterized by correcting and calculating the change in the gap interval of the Fabry-Perot etalon,
More accurate measurement can be performed.

【0042】また請求項11記載の発明は、ファブリペ
ローエタロンに拡散されたレーザ光を照射して等傾角干
渉縞を測定し、前記等傾角干渉縞から前記ファブリペ
ーエタロンのギャップ間隔の変化を算出する評価方法に
おいて、算出方法は、スリットを用いて前記レーザ光を
前記ファブリペローエタロンの基準位置に照射して得ら
れた等傾角干渉縞aと前記スリットを用いて前記レーザ
光を前記ファブリペローエタロンの任意の位置に照射し
て得られた干渉縞bの半値幅の変化から前記ファブリペ
ローエタロンのギャップ間隔の変化を算出することを特
徴とする評価方法であり、より高精度な測定が行なえ
る。
Further the invention of claim 11 is equal inclination interference fringe was measured by irradiating a laser beam diffused in the Fabry-Perot etalon, the gap of the fab repeller b <br/> Etaron from the like inclination interference fringe As an evaluation method for calculating changes in intervals
In the calculation method, the laser light is calculated using a slit.
Obtained by irradiating the reference position of the Fabry-Perot etalon
The laser is formed by using the equal tilt interference fringe a and the slit.
Irradiate light to any position on the Fabry-Perot etalon
From the change of the half width of the interference fringe b obtained by
This is an evaluation method characterized by calculating the change in the gap distance of the low etalon, which enables more accurate measurement.

【0043】[0043]

【0044】また請求項12記載の発明は、ファブリペ
ローエタロンに拡散されたレーザ光を照射して、等傾角
干渉縞を測定し、前記等傾角干渉縞から前記ファブリペ
ローエタロンのギャップ間隔の変化を算出する評価方法
において、算出方法は、アパーチャを用いて前記レーザ
光を前記ファブリペローエタロンの基準位置に照射して
得られた等傾角干渉縞aと前記アパーチャを用いて前記
レーザ光を前記ファブリペローエタロンの任意の位置に
照射して得られた干渉縞bの移動量から前記ファブリペ
ローエタロンのギャップ間隔の変化を算出することを特
徴とする評価方法であり、より高精度な測定が行なえ
る。
The invention according to claim 12 is the Fabry pe
The low etalon is irradiated with the diffused laser light to obtain an equal tilt angle.
The interference fringes are measured, and the Fabry-pet
In the evaluation method of calculating the change in the gap distance of Roetaron, calculation method, using the aperture with an equal inclination interference fringe a obtained by irradiating the laser beam to the reference position of the Fabry-Perot etalon with an aperture wherein the laser beam from the amount of movement of the interference fringes b obtained by irradiating an arbitrary position of the fab Repeller Roetaron Faburipe
An evaluation method characterized by and Turkey to calculate the change in the gap distance of the rows etalon, perform more accurate measurements.

【0045】また請求項13記載の発明は、請求項11
または12記載の評価方法において、等傾角干渉縞をフ
ァブリペローエタロンの波長による透過特性に変換し、
前記波長による透過特性から前記ファブリペローエタロ
ンのギャップ間隔の変化を算出することを特徴とする評
価方法であり、より高精度な測定が行なえる。
The invention according to claim 13 is the same as claim 11.
Or 12 in the evaluation method described, off the equal inclination interference fringe
Converted to transmission characteristics according to the wavelength of the Abbey Perot etalon,
This is an evaluation method characterized in that a change in the gap distance of the Fabry-Perot etalon is calculated from the transmission characteristic depending on the wavelength, and more accurate measurement can be performed.

【0046】また請求項14記載の発明は、請求項12
記載の評価方法において、等傾角干渉縞の同心円の中心
から一方の方向とそれに対し他方の方向の干渉縞を各々
測定し、各々の干渉縞の移動量の平均値を取ることで、
測定の誤差を補正し、ファブリペローエタロンのギャッ
プ間隔の変化を算出することを特徴とする評価方法であ
り、より高精度な測定が行なえる。
The invention of claim 14 is the same as claim 12
In the evaluation method described , by measuring the interference fringes in one direction and the other direction from the center of the concentric circles of the equi-tilt interference fringes, by taking the average value of the movement amount of each interference fringe,
This is an evaluation method characterized by correcting the measurement error and calculating the change in the gap interval of the Fabry-Perot etalon, which enables more accurate measurement.

【0047】また請求項15記載の発明は、光共振器内
部にファブリペローエタロンを設置し、レーザビームを
狭帯域化するレーザ発振器において、記ファブリペ
ーエタロンを請求項1から10のいずれか記載の評価
装置を用いて或いは請求項11から14のいずれか記載
評価方法により評価し、その結果から前記ファブリペ
ローエタロンのギャップ間隔の変化の少ない領域を用い
て、記レーザ発振器より発振する記レーザビームを
狭帯域化することを特徴とするレーザ発振器であり、こ
れにより従来よりスペクトル純度の高いレーザビームを
得ることが出来る。
Further the invention of claim 15 is a fab Repeller Roetaron inside the optical resonator placed in the laser oscillator for narrowing a laser beam, a pre-Symbol fab Repeller b <br/> Etaron claim 1 15. The evaluation device according to any one of claims 1 to 10 is used, or any one of claims 11 to 14 is used.
It was evaluated by the method of evaluation, the Faburipe from the result
With regions small change in low etalon gap spacing, before Symbol a laser oscillator characterized by narrowing the front SL laser beam oscillated from the laser oscillator, thereby high laser beam spectral purity than conventional Can be obtained.

【0048】(実施の形態1)図1は、本発明の第1の
実施の形態のエタロンのギャップ間隔のばらつきを評価
する装置の概略構成図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an apparatus for evaluating variations in gap distance of an etalon according to a first embodiment of the present invention.

【0049】図1において、11は測定用エキシマレー
ザ発振器、12はビームエキスパンダ、13は拡散板、
14はスリット、15はスリット回転機構、16はエタ
ロン、17はレンズ、18はセンサ、19は信号、20
は算出器、21は算出器20により算出されるエタロン
のギャップ間隔の変化である。
In FIG. 1, 11 is an excimer laser oscillator for measurement, 12 is a beam expander, 13 is a diffuser plate,
14 is a slit, 15 is a slit rotation mechanism, 16 is an etalon, 17 is a lens, 18 is a sensor, 19 is a signal, 20
Is a calculator, and 21 is a change in the gap distance of the etalon calculated by the calculator 20.

【0050】本実施の形態の特徴的構成は、測定対象で
あるエタロン16の直前に、回転機構15を有するスリ
ット14が挿入されている点及び算出器20がセンサ1
8の信号19からエタロンのギャップ間隔の変化21を
計算する点であり他は従来例で説明した構成要素と同様
の機能を有する。
The characteristic configuration of this embodiment is that the slit 14 having the rotating mechanism 15 is inserted immediately before the etalon 16 to be measured and the calculator 20 is the sensor 1.
It has the same function as the constituent elements described in the conventional example except that the change 21 of the etalon gap interval is calculated from the signal 19 of FIG.

【0051】ここで、エタロン16とスリット14との
位置関係を図2に示す。いま、図2において、スリット
14の位置が2aの位置にあるときに、従来例と同様に
して、センサ18からの干渉縞を記録する。
The positional relationship between the etalon 16 and the slit 14 is shown in FIG. Now, in FIG. 2, when the position of the slit 14 is at the position 2a, interference fringes from the sensor 18 are recorded in the same manner as in the conventional example.

【0052】このときに記録したセンサ18からの信号
は、算出器20により波長による透過特性に変換した
後、図3に示した信号3aのようになる。
The signal from the sensor 18 recorded at this time becomes a signal 3a shown in FIG. 3 after being converted into a transmission characteristic by wavelength by the calculator 20.

【0053】この後、回転機構15によって、スリット
14の位置を2bの位置まで回転する。
Thereafter, the rotating mechanism 15 rotates the position of the slit 14 to the position of 2b.

【0054】そしてセンサ18からの干渉縞を記録し、
算出器20により波長による透過特性に変換した後、図
3に示した信号3bのようになる。このとき、信号3aと
信号3bとは、エタロン16の異なる方向での横長の場
所における透過特性を測定していることになる。
Then, the interference fringes from the sensor 18 are recorded,
The signal 3b shown in FIG. 3 is obtained after being converted into the transmission characteristic by the wavelength by the calculator 20. At this time, the signal 3a and the signal 3b are measuring the transmission characteristics of the etalon 16 at horizontally long places in different directions.

【0055】このようにして、スリット14を回転し
て、それぞれの位置での信号を記録していく。そして、
算出器20により波長による透過特性の半値幅Δ3a、
Δ3b…をそれぞれ求めていく。
In this way, the slit 14 is rotated to record the signal at each position. And
The calculator 20 calculates the half-width Δ3a of the transmission characteristic depending on the wavelength,
.DELTA.3b ... is obtained respectively.

【0056】このようにして求めた半値幅は、完全に平
行なエタロンであれば、すべて同じ値となるが、実際に
はエタロンのギャップ間隔に非平行であるために、ある
方向には小さく、それと直交する方向には大きな値とな
る。
The full width at half maximum obtained in this way is the same for all perfectly parallel etalons, but in reality it is not parallel to the gap distance of the etalons, so it is small in a certain direction. It becomes a large value in the direction orthogonal to it.

【0057】ここで、もっとも小さい半値幅をΔ1、も
っとも大きい半値幅をΔ2とすると、このときの半値幅
の差は、それぞれのエタロンのスリット位置におけるギ
ャップ間隔の差を反映するものである。Δ1とΔ2の差
をΔλとすると、エタロン上での最大のギャップ間隔の
差ΔLは、近似的に以下の(数1)で示されることにな
る。
Here, when the smallest half-value width is Δ1 and the largest half-value width is Δ2, the difference in the half-value widths at this time reflects the difference in the gap interval between the slit positions of the etalons. If the difference between Δ1 and Δ2 is Δλ, the maximum gap difference ΔL on the etalon is approximately represented by the following (Equation 1).

【0058】[0058]

【数1】 [Equation 1]

【0059】ここでλはエキシマレーザ発振器11から
出力されるエキシマレーザビームの波長、FSRはエタ
ロン16のFSRの値である。
Here, λ is the wavelength of the excimer laser beam output from the excimer laser oscillator 11, and FSR is the FSR value of the etalon 16.

【0060】従って、このようにして、エタロン上での
異なる方向におけるギャップ間隔の差を測定することが
できる。
Thus, it is possible in this way to measure the difference in gap spacing in different directions on the etalon.

【0061】以上のように、本実施の形態では、スリッ
トを回転して、センサからの信号を記録し、取り込んだ
信号から算出器によりエタロン上の各方向におけるギャ
ップ間隔の均一性を確実に評価することができる。
As described above, in the present embodiment, the slit is rotated, the signal from the sensor is recorded, and the uniformity of the gap interval in each direction on the etalon is reliably evaluated by the calculator from the captured signal. can do.

【0062】なお本実施例では、センサ19からの信号
をエタロンの波長特性に変換してギャップ間隔の変化を
求めたが、センサ19からの信号そのものの半値幅の差
からもギャップ間隔の変化を求めることが出来る。その
場合、もっとも小さい半値幅と大きい半値幅の差をΔx
とおくと、エタロン上での最大のギャップ間隔の差ΔL
は、近似的に以下の(数2)で示されることになる。
In the present embodiment, the signal from the sensor 19 was converted into the wavelength characteristic of the etalon to find the change in the gap interval. However, the change in the gap interval is also found from the difference in the half width of the signal from the sensor 19 itself. You can ask. In that case, the difference between the smallest half-width and the largest half-width is Δx
The maximum gap difference ΔL on the etalon
Will be approximately represented by the following (Equation 2).

【0063】[0063]

【数2】 [Equation 2]

【0064】また、本実施の形態では、説明を簡略にす
るために、測定用レーザ光のスペクトル幅は、エタロン
の透過特性の半値幅より充分に狭いものとして説明を行
ったが、測定用レーザ光のスペクトルに広がりがある場
合には、この広がりの作用をデコンボリューション処理
等により、適宜補正すれば、同様にエタロン上の各方向
におけるギャップ間隔の均一性を評価することができる
ものである。
In the present embodiment, the spectral width of the measuring laser beam is sufficiently narrower than the half-value width of the transmission characteristic of the etalon for the sake of simplification of description. If the spectrum of light has a spread, the uniformity of the gap spacing in each direction on the etalon can be similarly evaluated by appropriately correcting the effect of this spread by deconvolution processing or the like.

【0065】(発明の実施の形態2)以下、本発明の第二
の実施例について、図面を参照しながら説明する。図4
は、本発明の第二の実施例におけるエタロン評価装置の
概念図である。図4において41は測定用レーザ発振器
で本実施例では代表的にエキシマレーザ発振器を用い
た。42は測定に用いるレーザビームを制御するアパー
チャ、43はビームエキスパンダ、44は拡散板、45
はエタロンの照射範囲を制御するアパーチャ、46はア
パーチャ45の移動機構、47はエタロン、48はレー
ザビームを集光するレンズ、49はセンサ、50はセン
サから取り出された信号、51は算出器、52は算出器
51が計算するエタロンのギャップ間隔の変化である。
(Second Embodiment of the Invention) A second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Figure 4
FIG. 6 is a conceptual diagram of an etalon evaluation device in a second embodiment of the present invention. In FIG. 4, reference numeral 41 denotes a measuring laser oscillator, which is typically an excimer laser oscillator in this embodiment. 42 is an aperture for controlling a laser beam used for measurement, 43 is a beam expander, 44 is a diffuser, and 45 is a diffuser.
Is an aperture for controlling the irradiation range of the etalon, 46 is a moving mechanism of the aperture 45, 47 is an etalon, 48 is a lens for converging a laser beam, 49 is a sensor, 50 is a signal taken out from the sensor, 51 is a calculator, Reference numeral 52 represents a change in the etalon gap interval calculated by the calculator 51.

【0066】次に動作について説明する。エキシマレー
ザ発振器41から出たレーザビームは、アパーチャ42
により、任意の部分のみ選択される。図4においてレー
ザビームは点線で示した。アパーチャ42を通過したレ
ーザビームは、ビームエキスパンダ43により適切なビ
ームサイズに拡大される。
Next, the operation will be described. The laser beam emitted from the excimer laser oscillator 41 has an aperture 42.
Thus, only an arbitrary part is selected. In FIG. 4, the laser beam is shown by a dotted line. The laser beam that has passed through the aperture 42 is expanded to an appropriate beam size by the beam expander 43.

【0067】このビームは拡散板44により様々な方向
に拡散されながらエタロン47を照射する。このときア
パーチャ45はレーザビームがエタロン47を照射する
部分を制御する。またアパーチャ移動機構46によりア
パーチャを移動させることで、エタロン照射範囲を選択
することが出来る。エタロン47を透過したレーザビー
ムは、レンズ48によりセンサ49上に集光される。
This beam irradiates the etalon 47 while being diffused in various directions by the diffuser plate 44. At this time, the aperture 45 controls the portion where the laser beam irradiates the etalon 47. Further, the etalon irradiation range can be selected by moving the aperture with the aperture moving mechanism 46. The laser beam transmitted through the etalon 47 is focused on the sensor 49 by the lens 48.

【0068】センサ49上での光パターンは、図5の5
aに示すように同心円上の干渉パターンすなわち等傾角
干渉縞となる。本実施例では、ラインセンサを用いるこ
とにして、3縞分の干渉パターンを測定すると、エタロ
ン47のFSRが既知であることから等傾角干渉縞のパタ
ーンをエタロンの波長による透過特性に変換でき、波長
半値幅をしることが出来る。
The light pattern on the sensor 49 is 5 in FIG.
As shown in a, an interference pattern on a concentric circle, that is, an equal-angle interference fringe. In the present embodiment, when a line sensor is used and an interference pattern for three stripes is measured, since the FSR of the etalon 47 is known, the pattern of the equi-tilt interference fringe can be converted into a transmission characteristic according to the wavelength of the etalon, It is possible to know the full width at half maximum.

【0069】実際にはこうして求めた半値幅は、レーザ
ビームのスペクトルの広がりを含むものであるが、レー
ザスペクトルが既知であればデコンボリューション等に
よりスペクトルの広がりを除去できエタロンの特性のみ
を知ることが出来る。またスペクトルの広がりが無視で
きるほど狭帯域化されたレーザビームを用いていれば、
測定データから直接エタロンの透過特性の半値幅を求め
られることは言うまでもない。
The half width obtained in this way actually includes the spread of the spectrum of the laser beam, but if the laser spectrum is known, the spread of the spectrum can be removed by deconvolution or the like, and only the characteristics of the etalon can be known. . Also, if you use a laser beam with a narrow band so that the spread of the spectrum can be ignored,
It goes without saying that the full width at half maximum of the transmission characteristics of the etalon can be obtained directly from the measured data.

【0070】本実施例の従来例と異なる点は、エタロン
47の直前にアパーチャ45とアパーチャ移動機構46
が設置されている点と算出器51を用いてセンサからの
信号50からエタロンのギャップ間隔の変化を計算する
点である。エタロン47とアパーチャ45の位置関係を
図6に示す。
The difference of this embodiment from the conventional example is that the aperture 45 and the aperture moving mechanism 46 are provided immediately before the etalon 47.
Is a point at which is installed and a point where the change in the etalon gap interval is calculated from the signal 50 from the sensor using the calculator 51. The positional relationship between the etalon 47 and the aperture 45 is shown in FIG.

【0071】図6において網線を施した部分がアパーチ
ャの遮蔽部、黒く塗りつぶしてある部分がアパーチャの
開口部である。そして斜線部分がエタロンである。アパ
ーチャを移動することで、図6の6a、6bのようにエタ
ロン照射部分を変えることが出来る。いまアパーチャが
図6の6aにあるときに、従来例と同様にして干渉縞を
測定し、波長による透過特性に変換する。次にアパーチ
ャを図6の6bの位置に移動し同様の測定を行い波長に
よる透過特性に変換する。この時透過特性は図7に示す
ようになる。
In FIG. 6, the shaded portion is the aperture shielding portion, and the blackened portion is the aperture opening portion. The shaded area is the etalon. By moving the aperture, the etalon irradiation part can be changed as shown in 6a and 6b of FIG. Now, when the aperture is at 6a in FIG. 6, the interference fringes are measured in the same manner as in the conventional example and converted into the transmission characteristic according to the wavelength. Next, the aperture is moved to the position of 6b in FIG. 6 and the same measurement is performed to convert the transmission characteristic according to the wavelength. At this time, the transmission characteristics are as shown in FIG.

【0072】図7において7aがアパーチャの配置を図
6の6aにした時の波長透過特性、7bがアパーチャの配
置を図6の6bにした時の波長透過特性である。ここで
エタロンのギャップ間隔が場所によらず等しい場合、透
過特性の中心位置は、完全に一致する。しかしエタロン
の面精度や非平行性等により、図6の6a、6bにおける
エタロンのギャップ間隔に差がある場合、図7の7a、
7bの中心位置は異なる。この差をΔλとすると図7の
7aに対する図7の7bのギャップ間隔の差は、(数1)
で与えられる。
In FIG. 7, 7a is a wavelength transmission characteristic when the aperture arrangement is 6a in FIG. 6, and 7b is a wavelength transmission characteristic when the aperture arrangement is 6b in FIG. Here, when the etalon gap intervals are equal regardless of the location, the center positions of the transmission characteristics are completely the same. However, if there is a difference in the etalon gap intervals in 6a and 6b of FIG. 6 due to the surface accuracy and non-parallelism of the etalon, 7a of FIG.
The center position of 7b is different. If this difference is Δλ, the difference in the gap interval between 7a in FIG. 7 and 7a in FIG.
Given in.

【0073】このようして、アパーチャを移動して、Δ
λを測定し、算出器51を用いて信号50から、エタロ
ンのギャップ間隔のばらつきを算出することができる。
また本実施例では、レーザビームをアパーチャ42によ
り、切り出しビームエキスパンダ43により適切な大き
さに拡大して用いた。本実施例に用いたエキシマレーザ
より出力されるレーザビームは、ビームの位置によりス
ペクトル幅や波長が異なる場合がある。このような場合
アパーチャ42により、スペクトル幅や波長が一定な部
分だけ選択して用いることで、測定精度が大幅に改善す
る。
In this way, the aperture is moved and Δ
It is possible to measure λ and use the calculator 51 to calculate the etalon gap spacing variation from the signal 50.
Further, in the present embodiment, the laser beam was used after being enlarged to an appropriate size by the cutout beam expander 43 by the aperture 42. The laser beam output from the excimer laser used in this embodiment may have a different spectral width or wavelength depending on the beam position. In such a case, by using the aperture 42 to select and use only a portion having a constant spectrum width or wavelength, the measurement accuracy is significantly improved.

【0074】以上述べたように、アパーチャをエタロン
の直前に配置し、アパーチャを移動するごとにエタロン
の透過特性を測定することで、透過特性の中心位置の移
動量からエタロンのギャップ間隔のばらつきを定量的に
評価することが出来る。
As described above, the aperture is arranged immediately before the etalon, and the transmission characteristic of the etalon is measured every time the aperture is moved. It can be evaluated quantitatively.

【0075】なお本実施例では、光源としてエキシマレ
ーザ発振器を用いたが、デコンボリューション処理で補
正できる程度に狭帯域化された光を出力できる光源であ
れば光源の種類は問わない。また本実施例では、エタロ
ンの等傾角干渉縞の分布を波長透過特性に変換したが、
等傾角干渉縞の移動量Δxからもエタロンのギャップ間
隔を測定できる。この場合エタロンのギャップ間隔ΔL
は、(数2)で与えられる。
In this embodiment, the excimer laser oscillator is used as the light source, but any kind of light source can be used as long as it can output the light whose band is narrowed to the extent that it can be corrected by the deconvolution process. Further, in this embodiment, the distribution of the etalon equitilt interference fringes is converted into the wavelength transmission characteristic.
The gap distance of the etalon can also be measured from the movement amount Δx of the equitilt interference fringes. In this case, the etalon gap distance ΔL
Is given by (Equation 2).

【0076】また本実施例では、アパーチャを走査して
エタロンを照射する場所を選択したが、アパーチャにあ
らかじめ開口部を多数設け、照射したい場所以外の開口
部は遮蔽しながら測定を行なっても同様の測定を行なえ
ることは言うまでもない。
In this embodiment, the location where the aperture is scanned to irradiate the etalon is selected. However, a large number of apertures are provided in advance in the aperture, and the same measurement can be performed by shielding the apertures other than the desired location. Needless to say, the measurement of can be performed.

【0077】(発明の実施の形態3)以下、本発明の第三
の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図8は、本発明の第三の実施例におけるエタロン評価装
置の概念図である。図8において81は測定用レーザ発
振器で本実施例では代表的にエキシマレーザ発振器を用
いた。82は測定に用いるレーザビームを制御するアパ
ーチャ、83はビームエキスパンダ、84は拡散板、8
5はエタロンの照射範囲を制御するアパーチャ、86は
アパーチャ85の移動機構、87はエタロン、88はレ
ーザビームを集光するレンズ、89はセンサで本実施例
ではラインセンサを用いた。そして90はセンサ移動回
転機構、91はセンサから取り出された信号、92は算
出器、93は算出器92により信号91から計算された
エタロンのギャップ間隔の変化である。
(Third Embodiment of the Invention) A third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 8 is a conceptual diagram of the etalon evaluation device in the third embodiment of the present invention. In FIG. 8, reference numeral 81 denotes a measuring laser oscillator, which is typically an excimer laser oscillator in this embodiment. Reference numeral 82 is an aperture for controlling a laser beam used for measurement, 83 is a beam expander, 84 is a diffusing plate, 8
Reference numeral 5 is an aperture for controlling the irradiation range of the etalon, 86 is a moving mechanism of the aperture 85, 87 is an etalon, 88 is a lens for condensing a laser beam, 89 is a sensor, and a line sensor is used in this embodiment. Reference numeral 90 is a sensor moving / rotating mechanism, 91 is a signal taken out from the sensor, 92 is a calculator, and 93 is a change in the etalon gap interval calculated from the signal 91 by the calculator 92.

【0078】次に動作について説明する。エキシマレー
ザ発振器81から出たレーザビームは、アパーチャ82
により、任意の部分のみ選択される。図8においてレー
ザビームは点線で示した。アパーチャ82を通過したレ
ーザビームは、ビームエキスパンダ83により適切なビ
ームサイズに拡大される。このビームは拡散板84によ
り様々な方向に拡散されながらエタロン87を照射す
る。このときアパーチャ85はレーザビームがエタロン
を照射する部分を制御する。またアパーチャ移動機構8
6によりアパーチャを移動させることで、エタロン照射
範囲を選択することが出来る。エタロン87を透過した
レーザビームは、レンズ88によりセンサ89上に集光
される。センサ89上での光パターンは、図9の9aに
示すように同心円上の干渉パターンすなわち等傾角干渉
縞となる。
Next, the operation will be described. The laser beam emitted from the excimer laser oscillator 81 has an aperture 82.
Thus, only an arbitrary part is selected. In FIG. 8, the laser beam is shown by a dotted line. The laser beam that has passed through the aperture 82 is expanded to an appropriate beam size by the beam expander 83. This beam irradiates the etalon 87 while being diffused in various directions by the diffuser plate 84. At this time, the aperture 85 controls the portion where the laser beam irradiates the etalon. Also, the aperture moving mechanism 8
By moving the aperture with 6, the etalon irradiation range can be selected. The laser beam transmitted through the etalon 87 is focused on the sensor 89 by the lens 88. The light pattern on the sensor 89 becomes a concentric interference pattern, that is, an equal-angle interference fringe, as shown at 9a in FIG.

【0079】本実施の形態が実施の形態2と異なる点
は、図9の9aの用にセンサ89を移動させて、同心円
の中心を挟んで3縞づつ計6縞を測定することである。
加えてラインセンサであるセンサ89は、アパーチャ8
5を移動する方向と同じ方向に設置する。通常センサ8
9はレンズ88の焦点位置に設置されるが、レンズ88
に製造誤差がある場合等においてセンサ89を設置する
位置が焦点位置から若干ずれてしまう。本実施の形態3
はこのような場合に有効である。
The difference of the present embodiment from the second embodiment is that the sensor 89 is moved for 9a in FIG. 9 to measure a total of 6 stripes with 3 stripes sandwiching the center of the concentric circle.
In addition, the sensor 89, which is a line sensor, is used for the aperture 8
Install 5 in the same direction as it moves. Normal sensor 8
9 is installed at the focal position of the lens 88,
If there is a manufacturing error, the position where the sensor 89 is installed is slightly displaced from the focus position. Third Embodiment
Is effective in such cases.

【0080】図10は本評価系を用いてエタロンのキ゛ャッ
フ゜間隔を評価したときの等傾角干渉縞の変化の様子を示
す図である。図10の場合センサはレンズの焦点位置に
誤差なく設置されている。アパーチャを図10の10a
の位置に設置して測定したときの等傾角干渉縞が図10
の10a'とする。
FIG. 10 is a diagram showing how the equi-tilt angle interference fringes change when the etalon club spacing is evaluated using this evaluation system. In the case of FIG. 10, the sensor is installed at the focal position of the lens without error. The aperture is 10a in FIG.
Fig. 10 shows the equi-tilt angle interference fringes when it is installed and measured at the position
10a '.

【0081】次にアパーチャを図10の10bの位置に
設置して測定したときの等傾角干渉縞が図10の10
b'とする。10a'、10b'においてエタロンのキ゛ャッフ゜
間隔が変化している場合、等傾角干渉縞の直径が変化
し、この時の干渉縞の移動量10Δr、10Δlは互い
に等しい。10Δr、10Δlは(数2)におけるΔx
なので数2によりエタロンのキ゛ャッフ゜間隔の変化ΔLを求
めることが出来る。また投射角干渉縞をエタロンの波長
による透過特性に変換した場合、10Δr、10Δlは
数1におけるΔλに変換されるので、数1によりエタロ
ンのキ゛ャッフ゜間隔の変化ΔLを求めることが出来る。
Next, the equi-tilt interference fringes when the aperture is installed at the position 10b in FIG. 10 and measured are 10 in FIG.
b '. In the case where the etalon gap interval changes in 10a 'and 10b', the diameter of the equi-tilt interference fringes changes, and the movement amounts 10Δr and 10Δl of the interference fringes at this time are equal to each other. 10Δr and 10Δl are Δx in (Equation 2)
Therefore, the change ΔL in the etalon's gap interval can be obtained by the equation 2. Further, when the projection angle interference fringes are converted into the transmission characteristics depending on the wavelength of the etalon, 10Δr and 10Δl are converted into Δλ in the mathematical expression 1, so that the change ΔL in the etalon cuff interval can be obtained by the mathematical expression 1.

【0082】よって図10に示すようにセンサがレンズ
の焦点位置に誤差なく設置されている場合、実施の形態
2のように等傾角干渉縞の同心円の片側3縞のみを測定
すれば問題はない。次に図11に示すようにセンサの設
置位置がレンズの焦点位置に対して誤差を持っている場
合を考える。この時アパーチャを図11の11a、11b
に設置して測定した等傾角干渉縞は、11a'、11b'の
ようになる。この時11a、11bにおけるエタロンのキ゛
ャッフ゜間隔に差がある場合、11a'、11b'の同心円の直
径は変化する。
Therefore, when the sensor is installed at the focal position of the lens without error as shown in FIG. 10, there is no problem if only the three concentric fringes of the concentric interference fringes on one side are measured as in the second embodiment. . Next, consider the case where the sensor installation position has an error with respect to the focal position of the lens as shown in FIG. At this time, the aperture is changed to 11a and 11b in FIG.
The equi-tilt angle interference fringes measured by being installed in the space are as shown in 11a 'and 11b'. At this time, if there is a difference in the etalon gap intervals in 11a and 11b, the diameters of the concentric circles in 11a 'and 11b' change.

【0083】また図11のような場合においては、同心
円の直径の変化に加え、センサ設置場所の焦点位置から
のずれにより、等傾角干渉縞の同心円全体がずれてしま
う。ずれの量はほぼ図11に示した11Δcでずれの方
向は11aから11bへのアパーチャの移動方向である。
ラインセンサは上記移動方向と同じ方向に設置する。こ
のような場合干渉縞の移動量11Δr、11Δlは等し
くないので、実施の形態2のように等傾角干渉縞の3縞
分を測定するだけでは、正確にエタロンのキ゛ャッフ゜間隔の
差を求めることが出来ない。図11のような場合、移動
量11Δr、11Δlの平均値が数2における干渉縞の
移動量Δxとなる。Δxがわかれば数2をもちいてエタ
ロンのギャップ間隔の変化を求めることができる。
In the case of FIG. 11, the entire concentric circles of the equi-tilt interference fringes are displaced due to the change in the diameter of the concentric circles and the deviation from the focal position of the sensor installation location. The shift amount is approximately 11Δc shown in FIG. 11, and the shift direction is the moving direction of the aperture from 11a to 11b.
The line sensor is installed in the same direction as the moving direction. In such a case, since the movement amounts 11Δr and 11Δl of the interference fringes are not equal to each other, it is possible to accurately obtain the difference between the etalon cuff intervals simply by measuring the three fringes of the equal-angle tilt interference fringes as in the second embodiment. Can not. In the case of FIG. 11, the average value of the movement amounts 11Δr and 11Δl is the movement amount Δx of the interference fringe in the equation 2. If Δx is known, the change in the gap distance of the etalon can be obtained by using Equation 2.

【0084】よって本実施の形態3では、同心円の中心
を挟んだ両側の干渉縞の測定を行い、両側の干渉縞の移
動量の平均値を計算し、エタロンのギャップ間隔の変化
を求めることが出来る。また等傾角干渉縞11a'、11
b'を波長によるエタロンの透過特性に変換してエタロン
のギャップ間隔を求めることが出来る。この場合エタロ
ンの波長透過特性は図12のようになる。
Therefore, in the third embodiment, the interference fringes on both sides of the center of the concentric circle are measured, the average value of the movement amount of the interference fringes on both sides is calculated, and the change in the etalon gap interval can be obtained. I can. Also, the equi-tilt angle interference fringes 11a ',
The gap distance of the etalon can be obtained by converting b'to the transmission characteristic of the etalon depending on the wavelength. In this case, the wavelength transmission characteristic of the etalon is as shown in FIG.

【0085】ここで12aが図11においてアパーチャ
が11aの位置にある時のエタロンの波長透過特性、1
2bがアパーチャが11bの位置にある時のエタロンの
波長透過特性である。図12の12Δλr、12Δλl
は11Δr、11Δlを波長に変換したものであり、1
1Δλrと11Δλlの平均値が数1におけるΔλなの
で、12Δλrと12Δλlがわかれば(数1)を用い
てエタロンのギャップ間隔の分布を測定することが出来
る。
Here, 12a is the wavelength transmission characteristic of the etalon when the aperture is at the position of 11a in FIG.
2b is the wavelength transmission characteristic of the etalon when the aperture is at the position of 11b. 12Δλr and 12Δλl in FIG.
Is obtained by converting 11Δr and 11Δl into wavelengths.
Since the average value of 1Δλr and 11Δλl is Δλ in Equation 1, if 12Δλr and 12Δλl are known, the distribution of the gap distance of the etalon can be measured using (Equation 1).

【0086】以上述べたようにレンズの焦点位置に設置
されるべきセンサの位置が誤差を持っているような場合
において、等傾角干渉縞を同心円の中心を挟んで3縞ず
つ計6縞分測定し、同心円の両側の透過特性の中心位置
の移動量の平均値からエタロンのギャップ間隔のばらつ
きを定量的に評価できる。なお本実施例では、光源とし
てエキシマレーザ発振器を用いたが、デコンボリューシ
ョン処理で補正できる程度に狭帯域化された光を出力で
きる光源であれば光源の種類は問わない。
As described above, when there is an error in the position of the sensor that should be installed at the focal position of the lens, the equi-tilt interference fringes are measured for three stripes each for three stripes across the center of the concentric circle, for a total of six stripes. However, the variation in the gap distance of the etalon can be quantitatively evaluated from the average value of the movement amount of the center position of the transmission characteristics on both sides of the concentric circle. In this embodiment, an excimer laser oscillator is used as the light source, but any type of light source can be used as long as it is a light source that can output light with a band narrowed to the extent that it can be corrected by deconvolution processing.

【0087】なお本実施の形態では、等傾角干渉縞を同
心円の中心を挟んで3縞ずつ計6縞分測定したが、6縞
より多くの縞を測定すれば、より高精度にエタロンのギ
ャップ間隔が求められる。
In the present embodiment, the equi-tilt interference fringes are measured for a total of 6 fringes with 3 fringes sandwiching the center of the concentric circle, but if more fringes than 6 fringes are measured, the etalon gap can be more accurately measured. Interval is required.

【0088】(実施の形態4)図13は本発明の第4の
実施の形態を示すエキシマレーザ発振器の光共振器の構
成を示す図である。図13において131は全反射鏡、
132は1/4波長板、133は放電管、134は偏光分
離鏡、135はプリズム、136はエタロン、138は
プリズム、139はグレーティングである。
(Fourth Embodiment) FIG. 13 is a diagram showing the structure of an optical resonator of an excimer laser oscillator according to a fourth embodiment of the present invention. In FIG. 13, 131 is a total reflection mirror,
Reference numeral 132 is a quarter-wave plate, 133 is a discharge tube, 134 is a polarization separation mirror, 135 is a prism, 136 is an etalon, 138 is a prism, and 139 is a grating.

【0089】次に図13を用いて光共振器の動作につい
て説明する。放電管133中のレーザ媒質で増幅された
光140は、偏光の成分により、偏光分離鏡134で伝
播方向が別れ、一方の偏光成分の光が出力光141とな
って出力される。他の一方の偏光成分の光は偏光分離鏡
134を通過し、透過光142となる。透過光142
は、3つのプリズム135、137、138及びエタロ
ン136を透過し、ビームサイズが拡大されながらグレ
ーティング139に入射する。ここでエタロン136は
波長選択性を有しているのでエタロンを透過した光は波
長のスペクトル幅が狭められる。
Next, the operation of the optical resonator will be described with reference to FIG. The light 140 amplified by the laser medium in the discharge tube 133 has its propagation direction separated by the polarization separation mirror 134 depending on the polarization component, and the light of one polarization component is output as the output light 141. The light of the other polarization component passes through the polarization separation mirror 134 and becomes the transmitted light 142. Transmitted light 142
Passes through the three prisms 135, 137, 138 and the etalon 136 and enters the grating 139 while the beam size is expanded. Since the etalon 136 has wavelength selectivity here, the wavelength of the light transmitted through the etalon is narrowed.

【0090】また透過光142はグレーティングの回折
作用によっても波長のスペクトル幅が狭められる。プリ
ズム135、137、138を用いてビームサイズを拡
大しているのは、グレーティングの回折による波長のス
ペクトルを狭める効率を高めるためである。
Further, the transmitted light 142 has its wavelength spectral width narrowed by the diffraction effect of the grating. The reason for expanding the beam size using the prisms 135, 137, and 138 is to increase the efficiency of narrowing the wavelength spectrum due to diffraction of the grating.

【0091】また1つのプリズムの拡大率が3倍程度に
制限されることから本実施の形態では3つのプリズムを
用いている。グレーティング139により、回折された
反射光143は、再び偏光分離鏡134を透過し、レー
ザ媒質で増幅されて光144となり1/4波長板132
にはいる。光144は全反射鏡131により反射され反
射光145になるが、1/4波長板132を2度通過す
ることで1/2波長板の通過と同等になり、一方向に変
更している光144は、両方向の偏光成分を含む反射光
145になる。
Further, since the magnification of one prism is limited to about 3 times, three prisms are used in this embodiment. The reflected light 143 diffracted by the grating 139 passes through the polarization separation mirror 134 again and is amplified by the laser medium to become light 144, which is the quarter-wave plate 132.
Enter The light 144 is reflected by the total reflection mirror 131 to become the reflected light 145. By passing through the quarter-wave plate 132 twice, it becomes equivalent to passing through the half-wave plate, and the light is changed in one direction. 144 becomes reflected light 145 including polarized components in both directions.

【0092】次に反射光145は放電管133のレーザ
媒質により増幅され、光140となる。光140は偏光
分離鏡134により一方向の偏光成分は出力光141と
なり出力される。また他方の偏光成分は当加工142と
なり発振を継続させる。
Next, the reflected light 145 is amplified by the laser medium of the discharge tube 133 to become the light 140. The light 140 is output by the polarization splitting mirror 134 as a polarized light component in one direction as output light 141. On the other hand, the other polarized component becomes this processing 142 and continues oscillation.

【0093】次に図14を用いて本実施の形態の特徴及
びその効果について説明する。図14(α)はエタロン1
36を光軸方向から見た図である。始めにエタロンを透
過するレーザビームの断面図が図14の(α)において1
4aで、この時の出力光141のレーザビームのスペク
トルが図14の(β)中の14a´であるとする。
Next, the features and effects of this embodiment will be described with reference to FIG. Figure 14 (α) shows Etalon 1
It is the figure which looked at 36 from the optical axis direction. First, a cross-sectional view of the laser beam transmitted through the etalon is shown in FIG.
4a, the spectrum of the laser beam of the output light 141 at this time is 14a 'in (β) of FIG.

【0094】次に実施の形態1から3に示した評価法で
エタロンを評価し、例えば、エタロン136において領
域14bがもっともギャップ間隔の変化が少ないとする
と、本実施の形態ではエタロンを移動及び回転させてレ
ーザビームが領域14bを透過するようにする。そうす
ることでスペクトルが図14の(β)中の14b´のよう
になる。14a´と14b´を比較するとFWHMa>FWHMbと
なるので領域14bを用いたほうがよりスペクトル純度
の高いレーザビームが得られる。
Next, the etalon is evaluated by the evaluation method shown in the first to third embodiments. For example, assuming that the region 14b in the etalon 136 has the smallest change in the gap distance, the etalon is moved and rotated in the present embodiment. Then, the laser beam is transmitted through the region 14b. By doing so, the spectrum becomes like 14b 'in (β) of FIG. When 14a 'and 14b' are compared, FWHMa> FWHMb. Therefore, using the region 14b makes it possible to obtain a laser beam with higher spectral purity.

【0095】以上のように本実施の形態のように実施の
形態1から3のような評価法を用いてエタロンのギャッ
プ間隔の変化を評価し、ギャップ間隔の変化の少ない領
域をレーザビームの狭帯域化に用いることで、よりスペ
クトル純度の高いレーザビームが得られる。
As described above, the change in the gap distance of the etalon is evaluated by using the evaluation method as in the first to third embodiments as in the present embodiment, and the region where the change in the gap distance is small is narrowed by the laser beam. A laser beam with higher spectral purity can be obtained by using it for banding.

【0096】[0096]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、エタロン
のギャップ間隔の均一性を正確に測定することができる
という有利な効果が得られる。また本発明によりエタロ
ンを評価し、ギャップ間隔のよい領域をレーザビームの
狭帯域化に用いればレーザビームのスペクトル純度をよ
り高めることが出来る。
As described above, according to the present invention, the advantageous effect that the uniformity of the gap distance of the etalon can be accurately measured can be obtained. Further, if the etalon is evaluated according to the present invention and a region having a good gap interval is used for narrowing the band of the laser beam, the spectral purity of the laser beam can be further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施の形態によるエタロン評価装置
の構成を示す概略図
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an etalon evaluation device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同エタロンとスリットとの位置関係を示す概略
FIG. 2 is a schematic view showing a positional relationship between the etalon and the slit.

【図3】同エタロンの波長特性の概略図FIG. 3 is a schematic diagram of wavelength characteristics of the etalon.

【図4】本発明の実施の形態2によるエタロン評価装置
の構成を示す概略図
FIG. 4 is a schematic diagram showing a configuration of an etalon evaluation device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】同エタロンの等傾角干渉縞と波長透過特性の概
略図
FIG. 5 is a schematic diagram of equal-angle tilt fringes and wavelength transmission characteristics of the etalon.

【図6】同エタロンとアパーチャの位置関係を示す図FIG. 6 is a diagram showing a positional relationship between the etalon and the aperture.

【図7】同測定されるエタロンの波長特性を示す図FIG. 7 is a diagram showing wavelength characteristics of the etalon measured in the same manner.

【図8】本発明の実施の形態3によるエタロン評価装置
の構成を示す概略図
FIG. 8 is a schematic diagram showing a configuration of an etalon evaluation device according to a third embodiment of the present invention.

【図9】同エタロンの等傾角干渉縞と波長透過特性の概
略図
FIG. 9 is a schematic diagram of an equal tilt interference fringe and a wavelength transmission characteristic of the etalon.

【図10】同本評価系を用いてエタロンのキ゛ャッフ゜間隔を
評価したときの等傾角干渉縞の変化の様子を示す図
FIG. 10 is a diagram showing a change in equitilt angle interference fringes when the etalon's gap interval is evaluated using the same evaluation system.

【図11】同センサーにずれがある場合において本評価
系を用いてエタロンのキ゛ャッフ゜間隔を評価したときの等傾
角干渉縞の変化の様子を示す図
FIG. 11 is a diagram showing a state of changes in equi-tilt interference fringes when the etalon's gap interval is evaluated using this evaluation system when the sensor is misaligned.

【図12】同測定されるエタロンの波長特性を示す図FIG. 12 is a diagram showing wavelength characteristics of the etalon measured in the same manner.

【図13】本発明の実施の形態4による光共振器の構成
を示す図
FIG. 13 is a diagram showing a configuration of an optical resonator according to a fourth embodiment of the present invention.

【図14】同エタロンを光軸方向から見た図及びレーザ
スペクトルを示す図
FIG. 14 is a diagram of the etalon viewed from the optical axis direction and a diagram showing a laser spectrum.

【図15】従来例におけるエタロンの構造を示す図FIG. 15 is a diagram showing a structure of an etalon in a conventional example.

【図16】同エタロンの波長特性の概略図FIG. 16 is a schematic diagram of wavelength characteristics of the etalon.

【図17】同エタロンのギャップ間隔の変化による波長
透過特性の波長方向のシフトを示す概略図
FIG. 17 is a schematic diagram showing a shift of wavelength transmission characteristics in the wavelength direction due to a change in the gap distance of the etalon.

【図18】同エタロン評価装置の構成を示す図FIG. 18 is a diagram showing a configuration of the etalon evaluation device.

【図19】同エタロンの等傾角干渉縞と波長透過特性の
概略図
FIG. 19 is a schematic view of an equal tilt interference fringe and a wavelength transmission characteristic of the etalon.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 測定用エキシマレーザ光源 12 ビームエキスパンダ 13 拡散板 14 スリット 15 スリット回転機構 16 エタロン 17 レンズ 18 センサ 19 信号 20 算出器 21 エタロンのギャップ間隔の変化 41 測定用エキシマレーザ発振器 42 アパーチャ 43 ビームエキスパンダ 44 拡散板 45 アパーチャ 46 アパーチャ移動機構 47 エタロン 48 レンズ 49 センサ 50 信号 51 算出器 52 エタロンのギャップ間隔の変化 81 測定用エキシマレーザ発振器 82 アパーチャ 83 ビームエキスパンダ 84 拡散板 85 アパーチャ 86 アパーチャ移動機構 87 エタロン 88 レンズ 89 センサ 90 センサ移動回転機構 91 信号 92 算出器 93 エタロンのギャップ間隔の変化 131 全反射鏡 132 1/4波長板 133 放電管 134 偏光分離鏡 135 プリズム 136 エタロン 137 プリズム 138 プリズム 139 グレーティング 140 光 141 出力光 142 透過光 143 反射光 144 光 145 反射光 151 ギャップ間隔 152 スペーサ 153a 平行平板 153b 平行平板 181 測定用エキシマレーザ発振器 182 ビームエキスパンダ 183 拡散板 184 エタロン 185 レンズ 186 センサ 187 信号 11 Excimer laser light source for measurement 12 beam expander 13 Diffuser 14 slits 15 Slit rotation mechanism 16 etalon 17 lenses 18 sensors 19 signals 20 calculator 21 Change in etalon gap distance 41 Excimer laser oscillator for measurement 42 Aperture 43 beam expander 44 Diffuser 45 aperture 46 Aperture moving mechanism 47 Etalon 48 lenses 49 sensors 50 signal 51 calculator 52 Etalon gap change 81 Excimer laser oscillator for measurement 82 Aperture 83 beam expander 84 Diffuser 85 Aperture 86 Aperture moving mechanism 87 Etalon 88 lens 89 sensor 90 Sensor movement rotation mechanism 91 signal 92 calculator 93 Change in gap distance of etalon 131 total reflection mirror 132 1/4 wave plate 133 discharge tube 134 Polarization separation mirror 135 prism 136 etalon 137 prism 138 prism 139 grating 140 light 141 output light 142 transmitted light 143 reflected light 144 light 145 reflected light 151 gap spacing 152 spacer 153a Parallel plate 153b Parallel plate 181 Excimer laser oscillator for measurement 182 beam expander 183 diffuser 184 etalon 185 lens 186 sensor 187 signal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01S 3/225 H01S 3/223 E (72)発明者 高野 啓太郎 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番 1号 松下技研株式会社内 (72)発明者 橋立 雄二 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番 1号 松下技研株式会社内 (72)発明者 高橋 秀実 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番 1号 松下技研株式会社内 (56)参考文献 特開 平8−62041(JP,A) 特開 平4−36622(JP,A) 特開 平4−198822(JP,A) 特開 平2−44219(JP,A) 特開 平1−310583(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01M 11/00 - 11/08 H01S 3/00 - 3/30 G01J 3/00 - 4/04 G01J 7/00 - 9/04 G02B 5/20 - 5/28 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H01S 3/225 H01S 3/223 E (72) Inventor Keitaro Takano 3-10-1 Higashisanda, Tama-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Matsushita Giken (72) Inventor Yuji Hashidate 3-10-1, Higashisanda, Tama-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Matsushita Giken Co., Ltd. (72) Hidemi Takahashi 3-10-1, Higashisanda, Tama-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Matsushita Giken Co., Ltd. (56) Reference JP-A-8-62041 (JP, A) JP-A-4-36622 (JP, A) JP-A-4-198822 (JP, A) JP-A-2-44219 ( JP, A) JP-A-1-310583 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G01M 11/00-11/08 H01S 3/00-3/30 G01J 3 / 00-4/04 G01J 7/00-9/04 G02B 5/20-5/28

Claims (15)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 レーザ発振器、拡散板、集光レンズ、受
光センサーから構成され、拡散板と集光レンズの間にフ
ァブリペローエタロンを設置し、前記ファブリペローエ
タロンの等傾角干渉縞を測定し、特性を評価する装置に
おいて、前記レーザ発振器からの光を前記ファブリペロ
ーエタロンの複数領域に入射可能にする手段として、前
記ファブリペローエタロンの直前に前記ファブリペロー
エタロンと相対回転可能に設置されたスリットを有する
評価装置。
1. A laser oscillator, a diffusion plate, a condenser lens, a light receiving sensor, established the full <br/> fab Repeller Roetaron between the diffusion plate and the condenser lens, etc. inclination of the Fabry-Perot etalon In a device for measuring interference fringes and evaluating characteristics, as means for allowing light from the laser oscillator to enter a plurality of regions of the Fabry-Perot etalon ,
Just before the Fabry-Perot etalon, the Fabry-Perot
An evaluation device having a slit installed so as to be rotatable relative to the etalon .
【請求項2】 レーザ発振器、拡散板、集光レンズ、受
光センサーから構成され、拡散板と集光レンズの間にフ
ァブリペローエタロンを設置し、前記ファブリペローエ
タロンの等傾角干渉縞を測定し、特性を評価する装置に
おいて、前記レーザ発振器からの光を前記ファブリペロ
ーエタロンの複数領域に入射可能にする手段として、前
記ファブリペローエタロンの直前に前記ファブリペロー
エタロンと相対移動可能に設置されたアパーチャを有す
評価装置。
2. A laser oscillator, a diffusion plate, a condenser lens, and a receiver.
It consists of an optical sensor and has a space between the diffuser and the condenser lens.
Installed the Fabry-Perot etalon,
Equal inclination interference fringe Talon measured, in the apparatus for evaluating the characteristics, as a means to allow the incident light from the laser oscillator into a plurality of regions of the Fabry-Perot etalon, the Fabry-Perot etalon immediately before the Fabry-Perot etalon Has an aperture installed so that it can move relative to
That the evaluation device.
【請求項3】 請求項1または2記載の装置において、
レーザ発振器と拡散板の間にアパーチャと光学系を設置
し、前記レーザ発振器から発振されるレーザビームのス
ペクトルが一定な部分のみを選択し評価に用いることを
特徴とする評価装置。
3. A device according to claim 1 or 2, wherein,
An evaluation apparatus, wherein an aperture and an optical system are installed between a laser oscillator and a diffusion plate, and only a portion where a spectrum of a laser beam emitted from the laser oscillator is constant is used for evaluation.
【請求項4】 請求項記載の装置において、レーザ発
振器と拡散板の間に設置される光学系がビームエキスパ
ンダであることを特徴とする評価装置。
4. The evaluation device according to claim 3 , wherein the optical system installed between the laser oscillator and the diffusion plate is a beam expander.
【請求項5】 請求項1から4のいずれか記載の装置に
おいて、レーザ発振器に狭帯域化されたエキシマレーザ
発振器を用いることを特徴とする評価装置。
5. The apparatus according to any of claims 1 to 4, the evaluation device, which comprises using an excimer laser oscillator which is narrowed in the laser oscillator.
【請求項6】 請求項記載の装置において、センサー
にラインセンサーを用い、記ラインセンサーをファブ
リペローエタロンの直前に設置されるアパーチャの走査
方向と同じ方向に設置することを特徴とする評価装置。
Apparatus 6. The method of claim 2, wherein, using a line sensor in the sensor, the pre-SL line sensor fab
Evaluation apparatus characterized by placing in the same direction as the scanning direction of the aperture is disposed just before the repeller Roetaron.
【請求項7】 ファブリペローエタロンに拡散されたレ
ーザ光を照射して、等傾角干渉縞を測定し、前記等傾角
干渉縞から前記ファブリペローエタロンの特性を評価す
る評価装置であって、スリットを用いて前記レーザ光を
前記ファブリペローエタロンの基準位置に照射して得ら
れた等傾角干渉縞aと前記スリットを用いて前記レーザ
光を前記ファブリペローエタロンの任意の位置に照射し
て得られ た干渉縞bを少なくとも入力信号とし、前記等
傾角干渉縞aとbの半値幅の変化から前記ファブリペ
ーエタロンのギャップ間隔の変化を算出する手段を有す
る評価装置。
7. irradiated with laser light diffused in the Fabry-Perot etalon, an equal inclination interference fringe is measured and an evaluation device for evaluating the characteristics of the fab repeller Roetaron from the like inclination interference fringe, the slits Using the laser light
Obtained by irradiating the reference position of the Fabry-Perot etalon
The laser is formed by using the equal tilt interference fringe a and the slit.
Irradiate light to any position on the Fabry-Perot etalon
At least an input signal interference fringes b was collected using a, and evaluated with a means for calculating a change in the fab repeller b <br/> gap spacing Etaron from a change in the half width of said equal inclination interference fringe a and b device.
【請求項8】 ファブリペローエタロンに拡散されたレ
ーザ光を照射して、等傾角干渉縞を測定し、前記等傾角
干渉縞から前記ファブリペローエタロンの特性を評価す
る評価装置であって、アパーチャを用いて前記レーザ光
前記ファブリペローエタロンの基準位置に照射して得
られた等傾角干渉縞aと前記アパーチャを用いて前記レ
ーザ光を前記ファブリペローエタロンの任意の位置に照
射して得られた干渉縞bを少なくとも入力信号とし、前
記等傾角干渉縞aとbの移動量から前記ファブリペロー
エタロンのギャップ間隔の変化を算出する手段を有する
評価装置。
8. The diffused layer in the Fabry-Perot etalon.
Laser beam is radiated to measure the equi-tilt angle interference fringes.
Evaluate the characteristics of the Fabry-Perot etalon from interference fringes
A that the evaluation device, any of the fab repeller Roetaron the laser light using the aperture with an equal inclination interference fringe a obtained by irradiating the laser beam to the reference position of the fab repeller Roetaron with aperture and at least the input signal interference fringes b obtained by irradiating the position of, <br/> evaluation having a means for calculating a change of said equal inclination interference fringe a and b gap spacing of the fab repeller Roetaron from the amount of movement of apparatus.
【請求項9】 請求項7または8記載の装置において、
入力された信号をファブリペローエタロンの波長による
透過特性に変換する手段を有し、前記波長による透過特
性に変換した後の信号から前記ファブリペローエタロン
のギャップ間隔の変化を算出することを特徴とする評価
装置。
9. The apparatus according to claim 7 , wherein
And means for converting the input signal to the transmission characteristics due to the wavelength of the fab repeller Roetaron, and calculates the change in the gap distance of the fab repeller Roetaron from the signal after converting the transmission characteristics due to said wavelength Evaluation device.
【請求項10】 請求項記載の装置において、等傾角
干渉縞の同心円の中心から一方の方向とそれに対し他方
の方向の干渉縞を各々測定し、各々の干渉縞の移動量の
平均値を取ることで、測定の誤差を補正し、ファブリペ
ローエタロンのギャップ間隔の変化を算出することを特
徴とする評価装置。
10. The apparatus according to claim 8 , wherein interference fringes in one direction from the center of the concentric circles of the equi-tilt interference fringes and in the other direction are measured, and the average value of the movement amount of each interference fringe is calculated. by taking, correcting an error of measurement, evaluation apparatus characterized by calculating the change in the gap distance of the fab repeller <br/> Roetaron.
【請求項11】 ファブリペローエタロンに拡散された
レーザ光を照射して、等傾角干渉縞を測定し、前記等傾
角干渉縞から前記ファブリペローエタロンのギャップ間
隔の変化を算出する評価方法において、算出方法は、ス
リットを用いて前記レーザ光を前記ファブリペローエタ
ロンの基準位置に照射して得られた等傾角干渉縞aと前
記スリットを用いて前記レーザ光を前記ファブリペロー
エタロンの任意の位置に照射して得られた干渉縞bの半
値幅の変化から前記ファブリペローエタロンのギャップ
間隔の変化を算出することを特徴とする評価方法。
11. irradiated with laser light diffused in the Fabry-Perot etalon, an equal inclination interference fringe was measured, in the evaluation method of calculating the change in the gap distance of the fab repeller Roetaron from the like inclination interference fringe, calculated The method is
The laser light is lit using a Fabry-Perot
Ron's reference position and the same tilt angle interference fringe a
The slits are used to direct the laser light to the Fabry-Perot.
Half of the interference fringe b obtained by irradiating an arbitrary position of the etalon
From the change in price range, the gap of the Fabry-Perot etalon
An evaluation method characterized by calculating a change in interval .
【請求項12】 ファブリペローエタロンに拡散された
レーザ光を照射して、等傾角干渉縞を測定し、前記等傾
角干渉縞から前記ファブリペローエタロンのギャップ間
隔の変化を算出する評価方法において、算出方法は、ア
パーチャを用いて前記レーザ光を前記ファブリペローエ
タロンの基準位置に照射して得られた等傾角干渉縞aと
前記アパーチャを用いて前記レーザ光を前記ファブリペ
ローエタロンの任意の位置に照射して得られた干渉縞b
の移動量から前記ファブリペローエタロンのギャップ間
隔の変化を算出することを特徴とする評価方法。
12. A diffused Fabry-Perot etalon
Irradiate laser light and measure the interference fringes at the same tilt angle.
From the angular fringe to the gap between the Fabry-Perot etalons
In the evaluation method of calculating the interval change of calculation method, the laser light using the aperture with an equal inclination interference fringe a obtained by irradiating the laser beam to the reference position of the fab repeller Roetaron with aperture the fab Repeller <br/> interference fringes b obtained by irradiating an arbitrary position of Roetaron
Evaluation wherein the Turkey to calculate the change in the gap distance of the fab repeller Roetaron from the amount of movement of the.
【請求項13】 請求項11または12記載の評価方法
において、等傾角干渉縞をファブリペローエタロンの波
長による透過特性に変換し、前記波長による透過特性か
ら前記ファブリペローエタロンのギャップ間隔の変化を
算出することを特徴とする評価方法。
13. The evaluation method according to claim 11 or 12, wherein converting the equal inclination interference fringe to the transmission characteristics of the wavelength of the fab repeller Roetaron, calculates the change in the gap distance of the fab repeller Roetaron from the transmission characteristics of the wavelength An evaluation method characterized by:
【請求項14】 請求項12記載の評価方法において、
等傾角干渉縞の同心円の中心から一方の方向とそれに対
し他方の方向の干渉縞を各々測定し、各々の干渉縞の移
動量の平均値を取ることで、測定の誤差を補正し、ファ
リペローエタロンのギャップ間隔の変化を算出するこ
とを特徴とする評価方法。
14. The evaluation method according to claim 12 , wherein
Measure the interference fringes in one direction and the other direction from the center of the concentric circles of the equi-tilt interference fringes, and correct the measurement error by taking the average value of the movement amount of each interference fringe. evaluation method characterized by calculating the change in the gap spacing br /> Bed Repeller Roetaron.
【請求項15】 光共振器の内部にファブリペローエタ
ロンを設置し、レーザビームを狭帯域化するレーザ発振
器において、前記ファブリペローエタロンを請求項1
から10のいずれか記載の評価装置を用いて或いは請求
項11から14のいずれか記載の評価方法により評価
し、その結果から前記ファブリペローエタロンのギャッ
プ間隔の変化の少ない領域を用いて前記レーザ発振器よ
り発振する前記レーザビームを狭帯域化することを特徴
とするレーザ発振器。
15. established a fab Repeller Roetaron inside the optical resonator, the laser oscillator for narrowing the laser beam, the fab repeller Roetaron claim 1
To claim using the evaluation device according to any one of
Were evaluated by the evaluation method according to any of claim 11 14, characterized in that the narrowing of the laser beam oscillated from the laser oscillator using a region little change in the gap distance of the fab repeller Roetaron from the result And a laser oscillator.
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