JP3400041B2 - Photovoltaic element and method for manufacturing the same - Google Patents

Photovoltaic element and method for manufacturing the same

Info

Publication number
JP3400041B2
JP3400041B2 JP26626393A JP26626393A JP3400041B2 JP 3400041 B2 JP3400041 B2 JP 3400041B2 JP 26626393 A JP26626393 A JP 26626393A JP 26626393 A JP26626393 A JP 26626393A JP 3400041 B2 JP3400041 B2 JP 3400041B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor layer
photoelectric conversion
layer
type semiconductor
conversion units
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP26626393A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH07122768A (en
Inventor
勇蔵 森
精一 木山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP26626393A priority Critical patent/JP3400041B2/en
Publication of JPH07122768A publication Critical patent/JPH07122768A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3400041B2 publication Critical patent/JP3400041B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/047PV cell arrays including PV cells having multiple vertical junctions or multiple V-groove junctions formed in a semiconductor substrate
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光起電力素子及びその
製造方法に関するものであり、特に複数の光起電力セル
が直列に接続された高電圧が取り出し可能な光起電力素
子及びその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photovoltaic element and a method for manufacturing the same, and more particularly to a photovoltaic element in which a plurality of photovoltaic cells are connected in series and capable of extracting a high voltage, and a method for manufacturing the same. It is about the method.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】マイク
ロマシン等に搭載する光起電力素子としては、高電圧を
発生させることが可能な光起電力素子が求められてい
る。シリコンなどの半導体を接合した光起電力素子では
一つのセルで取り出される電圧は0.6〜0.8V程度
であり、高電圧を得るためには、これらのセルを直列に
接続する必要がある。
2. Description of the Related Art As a photovoltaic device mounted on a micromachine or the like, a photovoltaic device capable of generating a high voltage is required. In a photovoltaic device in which a semiconductor such as silicon is joined, the voltage taken out by one cell is about 0.6 to 0.8 V, and these cells must be connected in series to obtain a high voltage. .

【0003】複数のセルを直列に接続した光起電力素子
の構造としては、複数のセルを光の進行方向に重ねて配
列したタンデム構造の素子が知られている。このような
タンデム構造においては、各セルを通過する毎に順次光
が吸収されるものであるため、異なる禁止帯幅(Eg)
のpn接合を有するセルを重ね、順次各材料に応じた光
を吸収させている。従って、各セルが異なる材料から形
成されているため、多数のセルを積層して、例えば50
〜500V程度の高い電圧を発生させることは困難であ
った。
As a structure of a photovoltaic element in which a plurality of cells are connected in series, there is known a tandem structure element in which a plurality of cells are arranged so as to be stacked in the traveling direction of light. In such a tandem structure, light is sequentially absorbed as it passes through each cell, so that different forbidden band widths (Eg) are obtained.
The cells having the pn junction are stacked to sequentially absorb light according to each material. Therefore, since each cell is formed of a different material, a large number of cells are stacked to form, for example, 50 cells.
It was difficult to generate a high voltage of about 500V.

【0004】また、光の進行方向に対し垂直方向に複数
のセルを配列し直列に接続した光起電力素子として、集
積型非晶質シリコン太陽電池が知られている。図10
は、このような集積型非晶質シリコン太陽電池の構造を
示す斜視図である。また図11は、図10に一点鎖線で
囲んで示す部分を拡大した斜視図である。図10及び図
11を参照して、ガラス基板などの透明基板1上に複数
のセル10が面方向に沿って配列されており、これらの
セル10は直列に接続されている。図11を参照して、
各セル10は、ITOからなる透明電極膜2、pn接合
が形成された非晶質シリコン層3、及びAlなどの金属
から形成された裏面電極4から構成されている。各セル
10は、隣接するセル間で裏面電極4と透明電極膜2と
を接続することにより直列に接続されている。
Further, an integrated amorphous silicon solar cell is known as a photovoltaic element in which a plurality of cells are arranged in a direction perpendicular to the traveling direction of light and connected in series. Figure 10
FIG. 3 is a perspective view showing the structure of such an integrated amorphous silicon solar cell. Further, FIG. 11 is an enlarged perspective view of a portion shown by being surrounded by a chain line in FIG. With reference to FIGS. 10 and 11, a plurality of cells 10 are arranged in a plane direction on a transparent substrate 1 such as a glass substrate, and these cells 10 are connected in series. Referring to FIG.
Each cell 10 is composed of a transparent electrode film 2 made of ITO, an amorphous silicon layer 3 having a pn junction formed therein, and a back electrode 4 made of a metal such as Al. The cells 10 are connected in series by connecting the back electrode 4 and the transparent electrode film 2 between adjacent cells.

【0005】このような集積型非晶質シリコン太陽電池
をマイクロマシン等に搭載する場合には、ポリイミドな
どの可撓性絶縁基板上にセルを形成している。図12
は、このような可撓性基板上に集積型非晶質シリコン太
陽電池を形成する製造工程を示す図である。図12
(a)を参照して、可撓性絶縁基板11上に金属電極1
4を形成する。次に図12(b)に示すように、レーザ
ービーム20を照射して、金属電極14を各セルごとに
分割する。次に図12(c)に示すように、pn接合を
備えた非晶質シリコン層13を形成し、図12(d)に
示すようにレーザービーム20を照射して各セルごとに
分割する。次に、図12(e)に示すように、ITOな
どの透明電極12を形成し、図12(f)に示すように
レーザービーム20を照射して各セルごとに分割する。
隣接するセル間で金属電極14と透明電極12とを接続
することにより各セルを直列に接続した集積型構造の非
晶質シリコン太陽電池が得られる。マイクロマシンに搭
載する際には、図12(g)に示すように、可撓性基板
11を所望の形状に変形させて搭載することができる。
When such an integrated type amorphous silicon solar cell is mounted on a micromachine or the like, cells are formed on a flexible insulating substrate such as polyimide. 12
FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing process for forming an integrated amorphous silicon solar cell on such a flexible substrate. 12
Referring to (a), the metal electrode 1 is formed on the flexible insulating substrate 11.
4 is formed. Next, as shown in FIG. 12B, the laser beam 20 is irradiated to divide the metal electrode 14 into cells. Next, as shown in FIG. 12C, an amorphous silicon layer 13 having a pn junction is formed, and a laser beam 20 is irradiated as shown in FIG. 12D to divide each cell. Next, as shown in FIG. 12 (e), a transparent electrode 12 such as ITO is formed, and a laser beam 20 is irradiated as shown in FIG. 12 (f) to divide each cell.
By connecting the metal electrode 14 and the transparent electrode 12 between adjacent cells, an amorphous silicon solar cell having an integrated structure in which the cells are connected in series can be obtained. When mounted on a micromachine, the flexible substrate 11 can be deformed and mounted into a desired shape as shown in FIG.

【0006】このような従来の集積型太陽電池で、上述
のような例えば50〜500V程度の高電圧を得るため
には、より多数のセルを集積しなければならず、より大
面積のものとなり、マイクロマシン等に搭載可能な小型
のものとすることができなかった。
In such a conventional integrated solar cell, in order to obtain a high voltage of, for example, about 50 to 500 V as described above, a larger number of cells must be integrated, resulting in a larger area. , It was not possible to make it small enough to be mounted on a micromachine or the like.

【0007】また、従来の集積型太陽電池では、内部直
列抵抗が高く、スペクトル応答の波長域が狭いという問
題があった。本発明の目的は、より多数のセルをより小
さな面積で集積すること、及び内部抵抗を低減し、波長
スペクトル応答を広くすることが可能な光起電力素子及
びその製造方法を提供することにある。
Further, the conventional integrated solar cell has a problem that the internal series resistance is high and the wavelength range of the spectrum response is narrow. An object of the present invention is to provide a photovoltaic element capable of integrating a larger number of cells in a smaller area, reducing internal resistance, and broadening wavelength spectrum response, and a method for manufacturing the same. .

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の光起電力素子
は、ベース半導体層の所定領域に不純物をドープするこ
とにより形成される一導電型半導体層と、ベース半導体
層の所定領域に不純物をドープすることにより形成さ
れ、かつ一導電型半導体層と半導体接合を形成する他導
電型半導体層とを備え、半導体接合を形成する一導電型
半導体層及び他導電型半導体層から構成される光電変換
ユニットがベース半導体層に複数形成されており、かつ
光電変換ユニットの半導体接合面が受光面と略垂直にな
るように各光電変換ユニットが形成され、各光電変換ユ
ニットが直列に接続され、かつ渦巻き状に配置されてい
ることを特徴としている。
The photovoltaic element of the present invention is a semiconductor layer of one conductivity type formed by doping a predetermined region of a base semiconductor layer with an impurity, and an impurity in a predetermined region of the base semiconductor layer. Photoelectric conversion formed by doping and including one conductivity type semiconductor layer and another conductivity type semiconductor layer forming a semiconductor junction, and including one conductivity type semiconductor layer forming a semiconductor junction and another conductivity type semiconductor layer A plurality of units are formed in the base semiconductor layer, each photoelectric conversion unit is formed so that the semiconductor junction surface of the photoelectric conversion unit is substantially perpendicular to the light receiving surface, each photoelectric conversion unit is connected in series , and spirals are formed. It is characterized by being arranged in a shape .

【0009】本発明において、各光電変換ユニットを直
列に接続するための接続方法は特に限定されるものでは
なく、例えば、ドーピングによりベース半導体層を低抵
抗化した低抵抗層や別体の導電層により接続させること
ができる。例えば隣接する光電変換ユニット間に高濃度
のドープによりp+ + 接合部等を形成し接続させても
よいし、W、Cu、Ti、Al系金属などを隣接する光
電変換ユニット間にドープし低抵抗層を形成してもよ
い。また、隣接する光電変換ユニット間の端面上等に導
電層を形成し、これによって接続させてもよい。
In the present invention, the connection method for connecting the photoelectric conversion units in series is not particularly limited. For example, a low resistance layer in which the resistance of the base semiconductor layer is reduced by doping or a separate conductive layer. Can be connected by. For example, a p + n + junction or the like may be formed and connected between adjacent photoelectric conversion units by high-concentration doping, or W, Cu, Ti, or Al-based metal may be doped between adjacent photoelectric conversion units. A low resistance layer may be formed. In addition, a conductive layer may be formed on the end face between adjacent photoelectric conversion units and the like to be connected.

【0010】また、本発明において用いられるベース半
導体層の材質は特に限定されるものではなく、太陽電池
として使用し得るものであればよく、シリコン及びGa
Asなどの化合物半導体を用いることができる。また結
晶構造も特に限定されるものではなく、単結晶、多結
晶、及び非晶質の半導体を用いることができる。高い変
換効率を得るためには、単結晶を用いることが好まし
い。
The material of the base semiconductor layer used in the present invention is not particularly limited as long as it can be used as a solar cell, such as silicon and Ga.
A compound semiconductor such as As can be used. The crystal structure is not particularly limited, and single crystal, polycrystal, and amorphous semiconductors can be used. To obtain high conversion efficiency, it is preferable to use a single crystal.

【0011】本発明の製造方法は、上述の光起電力素子
を製造することのできる方法であり、ベース半導体層を
準備する工程と、ベース半導体層において直列に接続
れ、かつ渦巻き状に配置されるように設定された複数の
光電変換ユニットの領域内に不純物をドープし一導電型
半導体層を形成する工程と、光電変換ユニットの領域内
に不純物をドープし一導電型半導体層と半導体接合を形
成する他導電型半導体層を形成する工程とを備えてい
る。
[0011] the production method of the present invention is a method capable of producing a photovoltaic device described above, is connected preparing a base semiconductor layer, in series in the base semiconductor layer
It is, and a step of forming a doped first conductivity type semiconductor layer an impurity in the region of the plurality of photoelectric conversion units configured so that is arranged in a spiral shape, the impurity in the region of the photoelectric conversion unit doped one And a step of forming another conductive type semiconductor layer for forming a semiconductor junction with the conductive type semiconductor layer.

【0012】また、本発明の製造方法では、さらに、光
電変換ユニット間のベース半導体層の領域に上記低抵抗
層または導電層を形成する工程を備えることができる。
Further, the manufacturing method of the present invention can further include a step of forming the low resistance layer or the conductive layer in the region of the base semiconductor layer between the photoelectric conversion units.

【0013】[0013]

【作用】本発明の光起電力素子は、ベース半導体層の所
定領域に不純物をドープすることにより、半導体接合を
有する一導電型半導体層及び他導電型半導体層を形成し
ており、このようにして形成される一導電型半導体層と
他導電型半導体層を光電変換ユニットとし、この光電変
換ユニットの半導体接合面が受光面と略垂直になるよう
に形成し、各光電変換ユニットを直列に接続させてい
る。
In the photovoltaic element of the present invention, the one conductive type semiconductor layer and the other conductive type semiconductor layer having the semiconductor junction are formed by doping the predetermined region of the base semiconductor layer with an impurity. The one-conductivity-type semiconductor layer and the other-conductivity-type semiconductor layer that are formed as a photoelectric conversion unit are formed so that the semiconductor junction surface of this photoelectric conversion unit is substantially perpendicular to the light receiving surface, and each photoelectric conversion unit is connected in series. I am letting you.

【0014】ベース半導体層への不純物ドープにより各
光電変換ユニットを形成しているので、多数の光電変換
ユニットを直列に接続させて形成することができる。こ
のため従来よりも高い電圧を取り出すことが可能とな
る。
Since each photoelectric conversion unit is formed by doping the base semiconductor layer with impurities, a large number of photoelectric conversion units can be connected in series. Therefore, it becomes possible to take out a higher voltage than before.

【0015】また、本発明の光起電力素子では、取り出
された光発生電流が常に光電変換ユニット間の接続部に
対し垂直方向に流れるので、内部直列抵抗を低減させる
ことができる。さらに、光生成されたキャリアは全て光
電変換ユニット間の接続部に達するので、広い波長域に
わたってスペクトル応答を得ることができる。
Further, in the photovoltaic element of the present invention, the extracted photo-generated current always flows in the direction perpendicular to the connecting portion between the photoelectric conversion units, so that the internal series resistance can be reduced. Furthermore, since all the photo-generated carriers reach the connection between photoelectric conversion units, it is possible to obtain a spectral response over a wide wavelength range.

【0016】また、従来のタンデム構造の光起電力素子
では、光電変換セルを順次積層して形成する必要がある
ため、多数のセルを積層する場合には長時間を要した
が、本発明の光起電力素子では、各光電変換ユニットを
同時に形成することができるので、短時間で、かつ簡易
な製造工程で製造することができる。
In the conventional tandem photovoltaic element, it is necessary to stack photoelectric conversion cells one after another. Therefore, it takes a long time to stack a large number of cells. In the photovoltaic element, since each photoelectric conversion unit can be formed at the same time, it can be manufactured in a short time and with a simple manufacturing process.

【0017】[0017]

【実施例】図1は、本発明に従う一実施例を示す斜視図
である。本実施例では、ベース半導体層として単結晶シ
リコンウエハを用いている。本発明においてベース半導
体層の厚みは特に限定されるものではないが、ドープし
た不純物の拡散距離及び光が侵入し有効に光電変換し得
る距離等を考慮すれば、一般に1μm〜100μm程度
の厚みが好ましい。
1 is a perspective view showing an embodiment according to the present invention. In this embodiment, a single crystal silicon wafer is used as the base semiconductor layer. In the present invention, the thickness of the base semiconductor layer is not particularly limited, but in consideration of the diffusion distance of the doped impurities and the distance that light can enter and effectively perform photoelectric conversion, the thickness is generally about 1 μm to 100 μm. preferable.

【0018】図1を参照して、本実施例の光起電力素子
30では、単結晶シリコンウエハに不純物をドープする
ことによりn型半導体層31及びp型半導体層32が形
成されており、その界面において半導体接合が形成され
ている。このような半導体接合の形成されたn型半導体
層31及びp型半導体層32から光電変換ユニット33
が構成されており、この光電変換ユニット33が低抵抗
体層34を介して直列に接続されるよう配置されてい
る。本実施例では、この光電変換ユニット33が渦巻き
状に配置されている。この光起電力素子30からの電圧
の取り出しは、素子の外側の端部35と中心部の端部3
6から取り出すことができる。また、本実施例では、渦
巻き状のコーナー部に低抵抗体層が形成されているの
で、必要に応じてコーナー部の低抵抗層を端子として電
圧を取り出すことも可能である。
Referring to FIG. 1, in the photovoltaic element 30 of this embodiment, an n-type semiconductor layer 31 and a p-type semiconductor layer 32 are formed by doping a single crystal silicon wafer with impurities. A semiconductor junction is formed at the interface. From the n-type semiconductor layer 31 and the p-type semiconductor layer 32 in which such a semiconductor junction is formed, the photoelectric conversion unit 33 is formed.
The photoelectric conversion units 33 are arranged so as to be connected in series via the low resistance layer 34. In this embodiment, the photoelectric conversion unit 33 is spirally arranged. The extraction of the voltage from the photovoltaic element 30 is carried out by using the outer end portion 35 and the central end portion 3 of the element.
6 can be taken out. Further, in this embodiment, since the low resistance layer is formed in the spiral corner portion, it is possible to take out the voltage using the low resistance layer in the corner portion as a terminal, if necessary.

【0019】また、本実施例において光電変換ユニット
33の内側の列と外側の列の間に設けられる間隙部37
には、酸素、窒素、炭素等を注入等することにより絶縁
層が形成されている。
Further, in this embodiment, a gap portion 37 provided between the inner row and the outer row of the photoelectric conversion units 33.
An insulating layer is formed by injecting oxygen, nitrogen, carbon or the like.

【0020】図2は、図1に示す実施例の光起電力素子
30を模式的に示す図である。図2に示すように、n型
半導体層31とp型半導体層32からなる光電変換ユニ
ット33が低抵抗体層34を介して直列に接続されてお
り、光40はこの光電変換ユニット33の半導体接合面
に対して実質的に平行に入射する。すなわち、半導体接
合面は光起電力素子30の受光面に対し略垂直になるよ
うに形成されている。このため、光40は、各光電変換
ユニット33に対し同等の条件で入射する。従って、本
発明に従えば、従来のタンデム式のように異なる構成の
セル配列する必要がなく、同じ構成の光電変換ユニット
を直列に接続することができ、これによって高い電圧を
得ることができる。
FIG. 2 is a diagram schematically showing the photovoltaic element 30 of the embodiment shown in FIG. As shown in FIG. 2, a photoelectric conversion unit 33 including an n-type semiconductor layer 31 and a p-type semiconductor layer 32 is connected in series via a low resistance layer 34, and light 40 is a semiconductor of this photoelectric conversion unit 33. It is incident substantially parallel to the joint surface. That is, the semiconductor junction surface is formed so as to be substantially perpendicular to the light receiving surface of the photovoltaic element 30. Therefore, the light 40 is incident on each photoelectric conversion unit 33 under the same condition. Therefore, according to the present invention, it is not necessary to arrange cells having different configurations as in the conventional tandem system, and photoelectric conversion units having the same configuration can be connected in series, whereby a high voltage can be obtained.

【0021】また、本発明に従えば、ベース半導体層に
形成するp型及びn型半導体層の領域の面積をコントロ
ールすることにより、各光電変換ユニットの受光面の面
積を自由に調整することができる。また使用するベース
半導体層の厚みを調整することにより、光電変換ユニッ
トの受光面からの距離を自由に設定することができる。
従って、本発明に従えば、各光電変換ユニットの形状
を、最も光電変換効率の高い寸法形状で構成させること
ができる。
Further, according to the present invention, the area of the light receiving surface of each photoelectric conversion unit can be freely adjusted by controlling the area of the regions of the p-type and n-type semiconductor layers formed in the base semiconductor layer. it can. Further, by adjusting the thickness of the base semiconductor layer used, the distance from the light receiving surface of the photoelectric conversion unit can be freely set.
Therefore, according to the present invention, the shape of each photoelectric conversion unit can be configured to have a size and shape with the highest photoelectric conversion efficiency.

【0022】図3及び図4は、図1に示す実施例の光起
電力装置を製造する工程の一例を示す図であり、図3は
斜視図、図4は断面図である。図3(a)を参照して、
まず真性半導体であるベース半導体層としての単結晶シ
リコンウエハ50を用意する。通常半導体分野において
用いられる単結晶シリコンウエハの厚みは約300μm
程度であるが、上述のように本発明においてはこの厚み
よりもやや薄いものが好ましい。
3 and 4 are views showing an example of steps for manufacturing the photovoltaic device of the embodiment shown in FIG. 1, FIG. 3 is a perspective view, and FIG. 4 is a sectional view. Referring to FIG.
First, a single crystal silicon wafer 50 as a base semiconductor layer which is an intrinsic semiconductor is prepared. The thickness of a single crystal silicon wafer normally used in the semiconductor field is about 300 μm.
However, in the present invention, it is preferably slightly thinner than this thickness as described above.

【0023】図3(b)を参照して、まずPなどの不純
物を単結晶シリコンウエハ50の所定領域上にドープす
る。図4(a)は、この不純物がドープされた後の状態
を示しており、この実施例においてはイオンビーム照射
により不純物をドープしている。最近では、MeVのオ
ーダーの加速電圧でイオン注入可能なことが知られてお
り、このような高電圧を用いれば10μm程度の幅の領
域にも不純物をドープすることができる。
Referring to FIG. 3B, first, an impurity such as P is doped on a predetermined region of single crystal silicon wafer 50. FIG. 4A shows a state after the impurity is doped. In this embodiment, the impurity is doped by ion beam irradiation. Recently, it is known that ions can be implanted at an acceleration voltage of the order of MeV, and if such a high voltage is used, it is possible to dope impurities into a region having a width of about 10 μm.

【0024】次に図3(c)を参照して、n型半導体層
31の隣接部分に、Bなどの不純物をドープすることに
よりp型半導体層32を形成する。図4(b)は、この
ような不純物ドープ後の状態を示しており、n型半導体
層31とp型半導体層32により光電変換ユニット33
が構成される。なおこの実施例では、p型半導体層32
もイオンビーム照射により形成される。
Next, referring to FIG. 3C, the p-type semiconductor layer 32 is formed by doping an impurity such as B into the adjacent portion of the n-type semiconductor layer 31. FIG. 4B shows the state after such impurity doping, and the photoelectric conversion unit 33 includes the n-type semiconductor layer 31 and the p-type semiconductor layer 32.
Is configured. In this embodiment, the p-type semiconductor layer 32 is used.
Is also formed by ion beam irradiation.

【0025】次に、図3(d)に示すように、各光電変
換ユニット33の境界領域に低抵抗体層34を形成す
る。この低抵抗体層34は、上述のようにW、Cu、T
iなどの金属イオンビームを照射することにより形成さ
れている。このような金属イオンの注入により、半導体
層がシリサイド化金属となり低抵抗体層34となる。図
4(c)はこのような金属イオンビーム照射後の状態を
示しており、光電変換ユニット33が低抵抗体層34を
介して直列に接続された状態となっている。
Next, as shown in FIG. 3D, the low resistance layer 34 is formed in the boundary region of each photoelectric conversion unit 33. The low resistance layer 34 is made of W, Cu, T as described above.
It is formed by irradiating a metal ion beam such as i. By implanting such metal ions, the semiconductor layer becomes a silicidized metal and becomes the low resistance layer 34. FIG. 4C shows the state after such metal ion beam irradiation, in which the photoelectric conversion units 33 are connected in series via the low resistance layer 34.

【0026】なお、イオン注入はマスクやレジスト膜を
用いて所定領域に注入させてもよい。次に、光電変換ユ
ニット33の内側の例と外側の例の間の間隙部37の部
分に酸素イオン等を注入することにより絶縁層を形成す
る。
The ion implantation may be performed on a predetermined region using a mask or a resist film. Next, an insulating layer is formed by implanting oxygen ions or the like into the gap portion 37 between the inside example and the outside example of the photoelectric conversion unit 33.

【0027】図5は、レーザードーピングにより不純物
をドープする実施例を示す断面図である。図5(a)に
示すように、Pなどの不純物ガスを含有する雰囲気でレ
ーザービーム70を照射することによりベース半導体層
50の所定領域にn型半導体層31を形成する。これに
より図3(b)に示すのと同様の状態となる。
FIG. 5 is a sectional view showing an embodiment in which impurities are doped by laser doping. As shown in FIG. 5A, the laser beam 70 is irradiated in an atmosphere containing an impurity gas such as P to form the n-type semiconductor layer 31 in a predetermined region of the base semiconductor layer 50. As a result, the same state as that shown in FIG.

【0028】次に図5(b)を参照して、Bなどの不純
物ガスを含有する雰囲気においてレーザービーム70を
照射することによりn型半導体層31の隣接部分にp型
半導体層32を形成する。これによって光電変換ユニッ
ト33が構成される。これにより図3(c)に示すのと
同様の状態となる。
Next, referring to FIG. 5B, the p-type semiconductor layer 32 is formed in the adjacent portion of the n-type semiconductor layer 31 by irradiating the laser beam 70 in an atmosphere containing an impurity gas such as B. . This constitutes the photoelectric conversion unit 33. As a result, a state similar to that shown in FIG.

【0029】次に、図5(c)に示すように、Al系金
属、Ti系金属などの金属系元素を含む雰囲気中でレー
ザー30を光電変換ユニット33の境界領域に照射する
ことにより、光電変換ユニット33の境界領域に低抵抗
体層34を形成する。これにより、図3(d)と同様の
状態となる。
Next, as shown in FIG. 5C, the boundary region of the photoelectric conversion unit 33 is irradiated with the laser 30 in an atmosphere containing a metal-based element such as an Al-based metal or a Ti-based metal, so that the photoelectric conversion The low resistance layer 34 is formed in the boundary region of the conversion unit 33. As a result, a state similar to that shown in FIG.

【0030】次に、上述と同様にして光電変換ユニット
の内側の列と外側の列との間の間隙部に絶縁層を形成す
る。以上のようにして単結晶シリコンウエハ上に直列に
接続された複数の光電変換ユニットを形成することがで
き、これにより従来より高い電圧を発生させることが可
能となる。例えば、一辺0.3mm角の素子に1000
個の光電変換ユニットを形成し、これを直列に接続する
ことにより、500Vの高電圧を取り出すことが可能と
なる。
Next, an insulating layer is formed in the gap between the inner row and the outer row of the photoelectric conversion units in the same manner as described above. As described above, it is possible to form a plurality of photoelectric conversion units connected in series on the single crystal silicon wafer, and thereby it is possible to generate a higher voltage than before. For example, a device with a side of 0.3 mm square is 1000
By forming individual photoelectric conversion units and connecting them in series, a high voltage of 500 V can be taken out.

【0031】上記実施例では、光電変換ユニット33の
間の領域全体に低抵抗層34を形成してるが、図6に示
すように、低抵抗層34は表面層近傍の一部のみに形成
させてもよい。
In the above embodiment, the low resistance layer 34 is formed in the entire region between the photoelectric conversion units 33. However, as shown in FIG. 6, the low resistance layer 34 is formed only in a part near the surface layer. May be.

【0032】図7は、本発明における低抵抗層の他の例
を示す断面図である。図7に示す低抵抗層38には、P
とBの両方の不純物がドープされており、これによりこ
の低抵抗層38においては不純物準位が多くなり、オー
ミック接合可能な層となる。このような低抵抗層38
は、n型半導体層31を形成する際に図示するAの領域
にドープし、p型半導体層32を形成する際に図示する
Bの領域にドープすることにより、それらの重複部分に
おいて形成されるものである。
FIG. 7 is a sectional view showing another example of the low resistance layer in the present invention. The low resistance layer 38 shown in FIG.
Impurities of both B and B are doped, so that the low resistance layer 38 has a large number of impurity levels and becomes an ohmic contactable layer. Such a low resistance layer 38
Are formed in the overlapping portions by doping the region A shown in the drawing when forming the n-type semiconductor layer 31 and the region B shown in the drawing when forming the p-type semiconductor layer 32. It is a thing.

【0033】本発明における低抵抗層は、上記実施例の
低抵抗層に限定されるものではなく、種々の方法により
形成させることができ、上述のように高濃度のドープに
よるp+ + 接合部を光電変換ユニットの境界部分に形
成し、これを低抵抗層としてもよい。
The low resistance layer in the present invention is not limited to the low resistance layer of the above embodiment, but can be formed by various methods, and as described above, the p + n + junction by the high concentration doping is formed. The low resistance layer may be formed by forming a part at the boundary of the photoelectric conversion unit.

【0034】本発明においては、このようなベース半導
体層へのドーピングにより形成する低抵抗層の他に、別
体の導電層を形成させて光電変換ユニット間を接続させ
ることもできる。
In the present invention, in addition to such a low resistance layer formed by doping the base semiconductor layer, a separate conductive layer may be formed to connect the photoelectric conversion units.

【0035】図8は、このような導電層により接続した
実施例を示しており、光電変換ユニット33間のベース
半導体層の領域が絶縁層であったり真性半導体層である
場合には、図8に示すように、光電変換ユニット33間
の領域のベース半導体層の端面上に導電層39を形成し
光電変換ユニット33間を接続することができる。この
場合、図8に矢印で示すようにキャリアは光電変換ユニ
ット33間の境界領域において表面に移動する。このよ
うな接続構造の場合には、表面へのキャリア移動が問題
とならないようにベース半導体層の厚みが設定される。
導電層39は、金属により形成してもよいし、ITO等
の透明導電膜を用いて形成してもよい。また、導電層3
9は表面から内部に形成されても同様の効果が得られ
る。
FIG. 8 shows an embodiment in which the conductive layers are connected to each other. When the region of the base semiconductor layer between the photoelectric conversion units 33 is an insulating layer or an intrinsic semiconductor layer, FIG. As shown in, the conductive layer 39 can be formed on the end surface of the base semiconductor layer in the region between the photoelectric conversion units 33 to connect the photoelectric conversion units 33. In this case, the carriers move to the surface in the boundary region between the photoelectric conversion units 33 as shown by the arrow in FIG. In the case of such a connection structure, the thickness of the base semiconductor layer is set so that carrier transfer to the surface does not matter.
The conductive layer 39 may be formed of metal or a transparent conductive film such as ITO. In addition, the conductive layer 3
Even if 9 is formed from the surface to the inside, the same effect can be obtained.

【0036】図9は、導電層による接続構造の他の例を
示す断面図である。図9に示す実施例では光電変換ユニ
ット33間の境界領域に溝を形成し、一旦光電変換ユニ
ット間を分離した後、この溝を埋め込むように導電層3
9を形成させ、光電変換ユニット33間を接続してい
る。このような溝の形成は、例えば、レーザーアブレー
ションやエッチング等により形成することができる。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing another example of the connection structure by the conductive layer. In the embodiment shown in FIG. 9, a groove is formed in the boundary region between the photoelectric conversion units 33, the photoelectric conversion units are once separated, and then the conductive layer 3 is filled in the groove.
9 are formed and the photoelectric conversion units 33 are connected to each other. Such grooves can be formed by, for example, laser ablation or etching.

【0037】なお、上記各実施例においては図示してい
ないが、必要により受光面側に反射防止膜等を形成する
ことができる。また光電変換ユニット内での光吸収の効
率を高めるため、受光面に凹凸を形成させてもよい。
Although not shown in the above embodiments, an antireflection film or the like can be formed on the light-receiving surface side if necessary. Further, in order to enhance the efficiency of light absorption in the photoelectric conversion unit, irregularities may be formed on the light receiving surface.

【0038】[0038]

【0039】また、図1に示す実施例において、光電変
換ユニットの列の間の間隙部37には絶縁層を形成して
いるが、この間隙部37には、溝を形成させてもよい。
この場合レーザービームによるアブレーションや化学的
エッチング等、あるいは反応ガス中でエネルギービーム
を照射してラジカル反応により除去加工等して溝を形成
させることができる。この際、図9に示すような光電変
換ユニット33間の溝を同時に形成させてもよい。
In the embodiment shown in FIG. 1, an insulating layer is formed in the gaps 37 between the rows of photoelectric conversion units, but grooves may be formed in the gaps 37.
In this case, a groove can be formed by ablation with a laser beam, chemical etching, or by irradiating an energy beam in a reaction gas and removing by a radical reaction. At this time, the grooves between the photoelectric conversion units 33 as shown in FIG. 9 may be simultaneously formed.

【0040】なお、本発明におけるベース半導体層は支
持板上に支持されていることが好ましく、特に上記のよ
うに溝を加工する場合には支持板上に支持されているこ
とが好ましい。
The base semiconductor layer in the present invention is preferably supported on a support plate, and particularly preferably when the groove is processed as described above, it is supported on the support plate.

【0041】また、本発明においては、ベース半導体層
に不純物をドープしp型半導体層とn型半導体層を接合
させているが、この際不純物をドープしていない真性半
導体層の領域が接合部分に残され、この真性半導体層領
域を介してp型半導体層とn型半導体層との半導体接合
が形成されていてもよい。
In the present invention, the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are joined to each other by doping the base semiconductor layer with an impurity, but the region of the intrinsic semiconductor layer not doped with the impurity is a joining portion. The semiconductor junction between the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer may be formed via this intrinsic semiconductor layer region.

【0042】また、本発明においては、まずベース半導
体層全体を一導電型半導体層とし、次にこれの所定領域
に不純物をドープして他導電型半導体層とし光電変換ユ
ニットを形成してもよい。
In the present invention, the photoelectric conversion unit may be formed by first forming the entire base semiconductor layer as a semiconductor layer of one conductivity type, and then doping a predetermined region thereof with an impurity of another conductivity type to form a semiconductor layer of another conductivity type. .

【0043】本発明の光起電力素子は、上述のようにマ
イクロマシン用光起電力素子として最適なものである
が、本発明の光起電力素子は、このような用途に限定さ
れるものではなく、その他の用途に用いられる光起電力
素子とすることができる。
The photovoltaic element of the present invention is optimal as a photovoltaic element for micromachines as described above, but the photovoltaic element of the present invention is not limited to such applications. , A photovoltaic element used for other purposes.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明の光起電力素子は、ベース半導体
層の所定の領域に不純物をドープすることにより一導電
型半導体層と他導電型半導体層とからなる光電変換ユニ
ットを複数形成しており、これらの光電変換ユニットが
直列に接続されている。このため、従来よりも多数の光
電変換ユニットを直列に接続することができ、従来より
も高い電圧を発生させることができる。
In the photovoltaic device of the present invention, a predetermined region of the base semiconductor layer is doped with an impurity to form a plurality of photoelectric conversion units each including one semiconductor layer and another semiconductor layer. And these photoelectric conversion units are connected in series. Therefore, a larger number of photoelectric conversion units than in the past can be connected in series, and a higher voltage than in the past can be generated.

【0045】また、本発明に従えば、内部抵抗が低く、
広い波長域にわたりスペクトル応答を得ることのできる
光起電力素子とすることができる。また、本発明の光起
電力素子はベース半導体層への不純物ドープにより形成
するため、微小領域に光電変換ユニットを形成すること
ができ、小型でかつ軽量の高電圧の光起電力素子とする
ことができる。従って、マイクロマシン用の光起電力素
子として最適なものとすることができる。
Further, according to the present invention, the internal resistance is low,
The photovoltaic element can obtain a spectral response over a wide wavelength range. In addition, since the photovoltaic element of the present invention is formed by doping the base semiconductor layer with impurities, it is possible to form a photoelectric conversion unit in a minute region, and to provide a compact and lightweight high-voltage photovoltaic element. You can Therefore, it can be optimized as a photovoltaic element for a micromachine.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す実施例を模式的に示す図。FIG. 2 is a diagram schematically showing the embodiment shown in FIG.

【図3】図1に示す実施例を製造する工程を示す斜視
図。
FIG. 3 is a perspective view showing a process of manufacturing the embodiment shown in FIG.

【図4】図1に示す実施例を製造する工程の一例を示す
断面図。
FIG. 4 is a sectional view showing an example of a process for manufacturing the embodiment shown in FIG.

【図5】図1に示す実施例を製造する工程の他の例を示
す断面図。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing another example of the process for manufacturing the embodiment shown in FIG.

【図6】本発明において低抵抗層により光電変換ユニッ
ト間を接続する他の実施例を示す断面図。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment in which photoelectric conversion units are connected by a low resistance layer in the present invention.

【図7】本発明において低抵抗層により光電変換ユニッ
ト間を接続するさらに他の実施例を示す断面図。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing still another embodiment in which photoelectric conversion units are connected by a low resistance layer in the present invention.

【図8】本発明において導電層により光電変換ユニット
間を接続する一実施例を示す断面図。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing an embodiment in which photoelectric conversion units are connected by a conductive layer in the present invention.

【図9】本発明において導電層により光電変換ユニット
間を接続する他の実施例を示す断面図。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing another embodiment in which photoelectric conversion units are connected by a conductive layer in the present invention.

【図10】従来の集積型非晶質シリコン太陽電池の構造
を示す斜視図。
FIG. 10 is a perspective view showing a structure of a conventional integrated amorphous silicon solar cell.

【図11】図10に示す従来の集積型非晶質シリコン太
陽電池の拡大斜視図。
11 is an enlarged perspective view of the conventional integrated amorphous silicon solar cell shown in FIG.

【図12】マイクロマシン搭載用の従来の集積型非晶質
シリコン太陽電池の製造工程を示す断面図。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a conventional integrated amorphous silicon solar cell for mounting a micromachine.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30…光起電力素子 31…n型半導体層 32…p型半導体層 33…光電変換ユニット 34…低抵抗層 35,36…端部 37…間隙部 38…低抵抗層 39…導電層 40…光 50…ベース半導体層 60…イオンビーム 70…レーザービーム 30 ... Photovoltaic element 31 ... N-type semiconductor layer 32 ... p-type semiconductor layer 33 ... Photoelectric conversion unit 34 ... Low resistance layer 35, 36 ... Edge 37 ... Gap 38 ... Low resistance layer 39 ... Conductive layer 40 ... light 50 ... Base semiconductor layer 60 ... Ion beam 70 ... Laser beam

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−69172(JP,A) 特開 平4−196179(JP,A) 特開 平5−218464(JP,A) 特開 昭62−173769(JP,A) 特開 昭51−64886(JP,A) 特開 昭61−283174(JP,A) 特開 昭53−66390(JP,A) 特開 昭58−143590(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 31/042 Continuation of front page (56) Reference JP-A-3-69172 (JP, A) JP-A-4-196179 (JP, A) JP-A-5-218464 (JP, A) JP-A-62-173769 (JP , A) JP-A-51-64886 (JP, A) JP-A-61-283174 (JP, A) JP-A-53-66390 (JP, A) JP-A-58-143590 (JP, A) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 31/042

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ベース半導体層の所定領域に不純物をド
ープすることにより形成される一導電型半導体層と、 前記ベース半導体層の所定領域に不純物をドープするこ
とにより形成され、かつ前記一導電型半導体層と半導体
接合を形成する他導電型半導体層とを備え、 前記半導体接合を形成する前記一導電型半導体層及び前
記他導電型半導体層から構成される光電変換ユニットが
前記ベース半導体層に複数形成されており、かつ各光電
変換ユニットの半導体接合面が受光面と略垂直になるよ
うに各光電変換ユニットが形成され、各光電変換ユニッ
トが直列に接続され、かつ渦巻き状に配置されている、
光起電力素子。
1. A one-conductivity type semiconductor layer formed by doping a predetermined region of a base semiconductor layer with an impurity, and one conductivity type semiconductor layer formed by doping an impurity in a predetermined region of the base semiconductor layer. A plurality of photoelectric conversion units, each including a semiconductor layer and another conductive type semiconductor layer forming a semiconductor junction, the photoelectric conversion unit including the one conductive type semiconductor layer forming the semiconductor junction and the other conductive type semiconductor layer forming in the semiconductor junction, Each photoelectric conversion unit is formed so that the semiconductor junction surface of each photoelectric conversion unit is substantially perpendicular to the light receiving surface, and the photoelectric conversion units are connected in series and arranged in a spiral shape . ,
Photovoltaic device.
【請求項2】 前記光電変換ユニット間の前記ベース半
導体層の領域の少なくとも一部にドーピングによる低抵
抗層が形成されている、請求項1に記載の光起電力素
子。
2. The photovoltaic element according to claim 1, wherein a low resistance layer formed by doping is formed in at least a part of a region of the base semiconductor layer between the photoelectric conversion units.
【請求項3】 前記低抵抗層が高濃度の不純物を含むp
+ + 接合部から形成されている、請求項2に記載の光
起電力素子。
3. The low resistance layer contains p containing a high concentration of impurities.
The photovoltaic element according to claim 2, wherein the photovoltaic element is formed of a + n + junction.
【請求項4】 前記低抵抗層が、前記一導電型半導体層
の不純物と前記他導電型半導体層の不純物とを共にドー
プすることにより形成されている、請求項2に記載の光
起電力素子。
4. The photovoltaic element according to claim 2, wherein the low resistance layer is formed by doping both impurities of the one conductivity type semiconductor layer and impurities of the other conductivity type semiconductor layer. .
【請求項5】 前記低抵抗層が、金属をドープすること
により形成されている、請求項2に記載の光起電力素
子。
5. The photovoltaic element according to claim 2, wherein the low resistance layer is formed by doping a metal.
【請求項6】 前記光電変換ユニット間の領域の少なく
とも一部に導電層が形成されており、隣接する光電変換
ユニットがこの導電層により接続されている、請求項1
に記載の光起電力素子。
6. A conductive layer is formed in at least a part of a region between the photoelectric conversion units, and adjacent photoelectric conversion units are connected by this conductive layer.
Photovoltaic device according to.
【請求項7】 前記導電層が前記光電変換ユニット間の
前記ベース半導体層の領域の端面上に形成されている、
請求項6に記載の光起電力素子。
7. The conductive layer is formed on an end face of a region of the base semiconductor layer between the photoelectric conversion units,
The photovoltaic element according to claim 6.
【請求項8】 前記導電層が前記光電変換ユニット間の
前記ベース半導体層の領域に形成された溝に埋め込まれ
て形成されている、請求項6に記載の光起電力素子。
8. The photovoltaic element according to claim 6, wherein the conductive layer is formed by being buried in a groove formed in a region of the base semiconductor layer between the photoelectric conversion units.
【請求項9】 前記ベース半導体層が単結晶ウエハから
形成されている、請求項1に記載の光起電力素子。
9. The photovoltaic device according to claim 1, wherein the base semiconductor layer is formed of a single crystal wafer.
【請求項10】 ベース半導体層を準備する工程と、 前記ベース半導体層において直列に接続され、かつ渦巻
き状に配置されるように設定された複数の光電変換ユニ
ットの領域内に不純物をドープし一導電型半導体層を形
成する工程と、 前記光電変換ユニットの領域内に不純物をドープし、前
記一導電型半導体層と半導体接合を形成する他導電型半
導体層を形成する工程とを備える、光起電力素子の製造
方法。
10. A step of preparing a base semiconductor layer, wherein the base semiconductor layer is connected in series and has a spiral shape.
Forming a doped first conductivity type semiconductor layer an impurity in the region of the plurality of photoelectric conversion units configured so that are arranged in gaseous, impurities are doped in the region of the photoelectric conversion unit, the one A method of manufacturing a photovoltaic element, comprising the step of forming a conductive semiconductor layer and another conductive semiconductor layer forming a semiconductor junction.
【請求項11】 ベース半導体層を準備する工程と、 前記ベース半導体層において直列に接続され、かつ渦巻
き状に配置されるように設定された複数の光電変換ユニ
ット領域内に不純物をドープし一導電型半導体層を形成
する工程と、 前記光電変換ユニットの領域内に不純物をドープし、前
記一導電型半導体層と半導体接合を形成する他導電型半
導体層を形成する工程と、 前記光電変換ユニット間の前記ベース半導体層の領域の
少なくとも一部に低抵抗層または導電層を形成する工程
とを備える、光起電力素子の製造方法。
11. A step of preparing a base semiconductor layer, wherein the base semiconductor layer is connected in series and has a spiral shape.
Forming a doped first conductivity type semiconductor layer with impurities can shape disposed is set to so that a plurality of photoelectric conversion units in the region, the impurity doped in the region of the photoelectric conversion unit, the one conductivity A step of forming another conductive type semiconductor layer that forms a semiconductor junction with the type semiconductor layer, and a step of forming a low resistance layer or a conductive layer in at least a part of the region of the base semiconductor layer between the photoelectric conversion units. , Manufacturing method of photovoltaic device.
JP26626393A 1993-10-25 1993-10-25 Photovoltaic element and method for manufacturing the same Expired - Fee Related JP3400041B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26626393A JP3400041B2 (en) 1993-10-25 1993-10-25 Photovoltaic element and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26626393A JP3400041B2 (en) 1993-10-25 1993-10-25 Photovoltaic element and method for manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07122768A JPH07122768A (en) 1995-05-12
JP3400041B2 true JP3400041B2 (en) 2003-04-28

Family

ID=17428551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26626393A Expired - Fee Related JP3400041B2 (en) 1993-10-25 1993-10-25 Photovoltaic element and method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3400041B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4775906B2 (en) * 2005-11-29 2011-09-21 日東電工株式会社 Photovoltaic device and manufacturing method thereof
JP2007273491A (en) * 2006-03-08 2007-10-18 Hokkaido Univ Photoelectric conversion element, fibrous structure, textile, fabric, and wallpaper material
KR20120090449A (en) * 2011-02-08 2012-08-17 삼성전자주식회사 Solar cell and method of manufacturing the same
US10014425B2 (en) * 2012-09-28 2018-07-03 Sunpower Corporation Spacer formation in a solar cell using oxygen ion implantation

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07122768A (en) 1995-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11107935B2 (en) Solar cell with reduced base diffusion area
EP1094521B1 (en) Solar cell with bypass function and multi-junction stacked type solar cell with bypass function, and method for manufacturing these devices
US4532371A (en) Series-connected photovoltaic array and method of making same
EP0993052B1 (en) Space solar cell
JP5225275B2 (en) Solar cells
US4868622A (en) Semiconductor light-detecting device with alloyed isolating region
JPH0747878Y2 (en) Solar cell
JP3400041B2 (en) Photovoltaic element and method for manufacturing the same
JP2002368238A (en) Tandem solar cell and manufacturing method therefor
JP3159583B2 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
CN113169246A (en) Method for separating semiconductor device with PN junction and semiconductor device with PN junction
US4219830A (en) Semiconductor solar cell
WO1999048157A1 (en) Solar battery
JP5868661B2 (en) Bypass diode and manufacturing method thereof
CN113169242A (en) Semiconductor device and method for separating semiconductor device with PN junction
KR102179339B1 (en) Compound semiconductor solar cell and method for manufacturing the same
US8633375B2 (en) Solar cell and method for Manufacturing the same
Starkov et al. Charge pumping in solar cell structure
Kalkhoran et al. Cobalt disilicide intercell ohmic contacts for multijunction photovoltaic energy converters
JPH0559590B2 (en)
JPH0289376A (en) Solar battery cell
JP4242323B2 (en) Solar cell element and manufacturing method thereof
JP2002314115A (en) Solar cell
JPS5817681A (en) Solar cell
JPH08236797A (en) Solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080221

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120221

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees