JP3369336B2 - Method for producing low resistivity polycarbonate - Google Patents

Method for producing low resistivity polycarbonate

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JP3369336B2 JP29980694A JP29980694A JP3369336B2 JP 3369336 B2 JP3369336 B2 JP 3369336B2 JP 29980694 A JP29980694 A JP 29980694A JP 29980694 A JP29980694 A JP 29980694A JP 3369336 B2 JP3369336 B2 JP 3369336B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、低抵抗率ポリカーボネ
ートの製造方法、より詳しくは電気絶縁部品などの各種
成形加工品に適用される低抵抗率ポリカーボネートの製
造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a low-resistivity polycarbonate, and more particularly to a method for producing a low-resistivity polycarbonate applied to various molded products such as electrical insulating parts.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、一般式:2. Description of the Related Art Conventionally, general formula:

【化5】 〔式中、R1 〜R6 は、水素、炭化水素基、フェニル化
合物置換基またはハロゲン基、nは30以上の整数を表
す〕で示されるものを代表例とするポリカーボネート
は、透明性に優れ、機械的物性についても特に衝撃強度
が高いとともに、高い熱変形温度を示すため、各種成形
加工品として利用されている。また、優れた電気絶縁性
を示すため、電気絶縁部品として利用分野を拡大しつつ
ある反面、優れた電気絶縁性故に電気を蓄電しやすく静
電気の帯電が問題とされ、精密電気部品関係への使用を
難しくしている。このためポリカーボネートに界面活性
剤のような低分子型帯電防止剤を添加したり、導電性カ
ーボンおよび/または金属フィラーのような導電性フィ
ラーを混合分散させて帯電防止性能を付与することが行
われている。
[Chemical 5] [Wherein R 1 to R 6 are hydrogen, a hydrocarbon group, a phenyl compound substituent or a halogen group, and n is an integer of 30 or more] is a typical example of a polycarbonate having excellent transparency. With respect to mechanical properties as well, it has a high impact strength and exhibits a high heat distortion temperature, so it is used as various molded products. In addition, because it has excellent electrical insulation properties, it is expanding its field of use as an electrical insulation component, but due to its excellent electrical insulation properties, it is easy to store electricity and electrostatic charging is a problem, so it can be used for precision electrical components. Making it difficult. Therefore, a low molecular type antistatic agent such as a surfactant is added to the polycarbonate, or a conductive filler such as a conductive carbon and / or a metal filler is mixed and dispersed to impart antistatic performance. ing.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、界面活
性剤を混合分散させる場合、帯電防止性能は成形品の表
面に存在する界面活性剤の親水基によるものであるが、
水溶性である界面活性剤は水洗および/または反復摩擦
によりその帯電防止性能が低下する。また、表面への界
面活性剤の移行量が帯電防止性能を左右するが、ガラス
転移温度が高い前記一般式[1]で示されるポリカーボ
ネート(Tg =150℃)の場合、室温状態ではほとん
ど界面活性剤の表面移行が起こらない。また、通常界面
活性剤自身は一部耐熱性の良好なものもあるが、大部分
は成形加工温度より低い温度から分解および揮発が起こ
るため、100%の有効利用が出来ない。
However, when a surfactant is mixed and dispersed, the antistatic performance depends on the hydrophilic group of the surfactant present on the surface of the molded article.
Surfactants that are water-soluble reduce their antistatic performance by washing with water and / or repeated rubbing. Further, although the amount of the surfactant transferred to the surface influences the antistatic performance, in the case of the polycarbonate (T g = 150 ° C.) represented by the general formula [1] having a high glass transition temperature, it is almost the interface at room temperature. No surface migration of activator occurs. Further, although some of the surfactants themselves usually have good heat resistance, most of them cannot be effectively used 100% because decomposition and volatilization occur at a temperature lower than the molding processing temperature.

【0004】一方、導電性フィラーを充填する場合、帯
電防止性能を発現するにはある程度の添加量を必要とす
ることから、溶融粘度が上昇し加工性が著しく低下す
る。また材料自身の物性(機械的特性等)の変化をきた
し、透明性も失われる。
On the other hand, when the conductive filler is filled, a certain amount of addition is required to exhibit the antistatic performance, so that the melt viscosity is increased and the workability is significantly reduced. In addition, the physical properties (mechanical properties, etc.) of the material itself change and the transparency is lost.

【0005】本発明は、このような問題点を解消するこ
とを目的として、永続的な帯電防止性能を備える低抵抗
率ポリカーボネートの製造方法を提供するものである。
The present invention provides a method for producing a low-resistivity polycarbonate having a permanent antistatic property for the purpose of solving such problems.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段および作用・効果】本発明
による低抵抗率ポリカーボネートの製造方法は、前述さ
れた目的を達成するために、一般式:
Means for Solving the Problems and Actions / Effects The method for producing a low resistivity polycarbonate according to the present invention has the general formula:

【化6】 〔式中、R1 〜R6 は、水素、炭化水素基、フェニル化
合物置換基またはハロゲン基、nは30以上の整数を表
す〕で示されるポリカーボネートに、一般式:
[Chemical 6] [Wherein R 1 to R 6 are hydrogen, a hydrocarbon group, a phenyl compound substituent or a halogen group, and n is an integer of 30 or more]

【化7】 〔式中、R7 〜R11のうち少なくとも1つはアルキルア
ンモニウム塩置換基またはスルホン酸塩置換基、その他
は水素、炭化水素基、ヒドロキシル基またはハロゲン基
を表す〕で示される1価の芳香族カルボン酸および一般
式:
[Chemical 7] [In the formula, at least one of R 7 to R 11 represents an alkylammonium salt substituent or a sulfonate substituent, and the others represent hydrogen, a hydrocarbon group, a hydroxyl group or a halogen group] Group carboxylic acids and general formulas:

【化8】 〔式中、R12〜R19のうち少なくとも1つはアルキルア
ンモニウム塩置換基またはスルホン酸塩置換基、その他
は水素、炭化水素基、ヒドロキシル基またはハロゲン基
を表す〕で示される2価のジフェルカルボン酸からなる
群より選択される少なくとも一種のカルボン酸と、一般
式:
[Chemical 8] [In the formula, at least one of R 12 to R 19 represents an alkylammonium salt substituent or a sulfonate substituent, and the others represent hydrogen, a hydrocarbon group, a hydroxyl group or a halogen group] At least one carboxylic acid selected from the group consisting of ferulcarboxylic acids, and a general formula:

【化9】 〔式中、R20〜R24は、水素、炭化水素基またはハロゲ
ン基〕で示される少なくとも一種の1価のフェノール化
合物とを所定割合で溶融状態にて反応させることを特徴
とする。
[Chemical 9] [Wherein R 20 to R 24 are hydrogen, a hydrocarbon group or a halogen group] and at least one monovalent phenol compound represented by the formula is reacted in a molten state at a predetermined ratio.

【0007】前記一般式[1]で示されるポリカーボネ
ートに対して、例えば前記1価の芳香カルボン酸[2]
と、前記1価のフェノール化合物[4]とを反応させ、
低抵抗率ポリカーボネートを生成させる反応は、次のよ
うな反応機構に基づくものと推測される。
For the polycarbonate represented by the general formula [1], for example, the monovalent aromatic carboxylic acid [2]
With the monovalent phenol compound [4],
The reaction for forming low resistivity polycarbonate is presumed to be based on the following reaction mechanism.

【0008】[0008]

【化10】 [Chemical 10]

【0009】[0009]

【化11】 [Chemical 11]

【0010】まず(a)式に示されるようにポリカーボ
ネート[1]が1価の芳香族カルボン酸[2]により切
断され、末端にその1価のカルボン酸[2]に由来する
カルボキシル基を有する生成物[A]と、末端にポリカ
ーボネート[1]のカーボネート結合に由来する活性基
を有する生成物[B]とが生成される。次に、(b)式
に示されるように1価のフェノール化合物[4]と生成
物[B]とが結合して生成物[C]が生成される。
First, as shown in the formula (a), the polycarbonate [1] is cleaved with a monovalent aromatic carboxylic acid [2], and has a carboxyl group derived from the monovalent carboxylic acid [2] at the terminal. The product [A] and the product [B] having an active group derived from the carbonate bond of the polycarbonate [1] at the end are produced. Next, as shown in the formula (b), the monovalent phenol compound [4] and the product [B] are combined to produce the product [C].

【0011】このようにして、ポリカーボネート[1]
の末端にアルキルアンモニウム塩またはスルホン酸塩に
由来する親水性フェニル置換基が導入されるために帯電
防止性能を示すものと考えられる。また、2価のジフェ
ニルカルボン酸[3]の場合には、ポリカーボネート
[1]の末端または結合中にアルキルアンモニウム塩ま
たはスルホン酸塩に由来する親水性フェニル置換基が導
入されるため同様に帯電防止性能を示すものと考えられ
る。
In this way, polycarbonate [1]
It is considered that since the hydrophilic phenyl substituent derived from the alkylammonium salt or the sulfonate is introduced at the terminal of, the compound exhibits antistatic performance. Further, in the case of divalent diphenylcarboxylic acid [3], a hydrophilic phenyl substituent derived from an alkylammonium salt or a sulfonate is introduced at the terminal or the bond of polycarbonate [1], so that the antistatic property is similarly prevented. It is considered to show performance.

【0012】ここで、本反応において、1価のフェノー
ル化合物[4]を併用して反応させるのは、1価の芳香
族カルボン酸[2]または2価のジフェニルカルボン酸
[3]のみでは生成される低抵抗率ポリカーボネートが
変色をおこしたり、溶融時に発泡を起こすなどの不具合
を生じるからである。また、1価のフェノール化合物
[4]のみでは帯電防止性能を示すポリカーボネートが
生成されない。
In this reaction, the monovalent phenol compound [4] is used in combination to react with the monovalent aromatic carboxylic acid [2] or divalent diphenylcarboxylic acid [3]. This is because the low-resistivity polycarbonate to be used causes problems such as discoloration and foaming during melting. Moreover, a polycarbonate having an antistatic property is not produced only by the monovalent phenol compound [4].

【0013】本発明の製造方法により得られる低抵抗率
ポリカーボネートから製造される成形加工品は、帯電防
止性能に寄与する親水性フェニル置換基が表面のみなら
ず内部にも均一に存在するため、水洗および/または反
復摩擦を受けても帯電防止性能を永続的に有する。ま
た、この成形加工品は導電性フィラーが添加されないの
でポリカーボネート固有の機械的特性や透明性を維持し
ている。
Molded products produced from the low-resistivity polycarbonate obtained by the production method of the present invention have a hydrophilic phenyl substituent that contributes to the antistatic performance uniformly on the surface as well as on the inside. And / or permanently possesses antistatic performance upon repeated rubbing. Further, since no conductive filler is added to this molded product, the mechanical properties and transparency peculiar to polycarbonate are maintained.

【0014】本発明のポリカーボネートの製造方法にお
いて、前記ポリカーボネート[1]に、このポリカーボ
ネートに対する重量比で0.01〜30%の前記少なく
とも一種のカルボン酸と、このカルボン酸に対してカル
ボキシル基のモル当量比で1以下の前記少なくとも一種
の1価のフェノール化合物とを反応させることが好まし
い。
In the method for producing a polycarbonate of the present invention, the polycarbonate [1] is added to the polycarbonate in an amount of 0.01 to 30% by weight of the at least one carboxylic acid, and a molar ratio of a carboxyl group to the carboxylic acid. It is preferable to react with at least one monohydric phenol compound in an equivalent ratio of 1 or less.

【0015】前記カルボン酸が0.01%未満では反応
が充分に進行しないため、帯電防止性能を示す低抵抗率
ポリカーボネートが生成されず、30%を超えるとポリ
カーボネートの分子量が極端に減少したり、変色したり
して、望まれる低抵抗率ポリカーボネートを生成できな
いためである。また、前記フェノール化合物[4]のモ
ル当量比が1を超えるとそのフェノール化合物[4]
が、1価の芳香族カルボン酸[2]または2価のジフェ
ニルカルボン酸[3]とポリカーボネート[1]との反
応を阻害して反応が充分に進行しないためである。
When the content of the carboxylic acid is less than 0.01%, the reaction does not proceed sufficiently, so that a low-resistivity polycarbonate exhibiting antistatic performance is not produced, and when it exceeds 30%, the molecular weight of the polycarbonate is extremely reduced, This is because the desired low resistivity polycarbonate cannot be produced due to discoloration. Further, when the molar equivalent ratio of the phenol compound [4] exceeds 1, the phenol compound [4]
This is because the reaction between the monovalent aromatic carboxylic acid [2] or the divalent diphenylcarboxylic acid [3] and the polycarbonate [1] is hindered and the reaction does not proceed sufficiently.

【0016】本発明の製造方法において、低抵抗率ポリ
カーボネートを溶融反応において製造する方法として
は、例えば、前記ポリカーボネート[1]を所定温度で
溶融し、その後、1価の芳香族カルボン酸[2]および
/または2価のジフェニルカルボン酸[3]と1価のフ
ェノール化合物[4]とを添加または注入する方法と、
ペレットまたは粉末の前記ポリカーボネート[1]に前
述の1価の芳香族カルボン酸[2]および/または2価
のジフェニルカルボン酸[3]と1価のフェノール化合
物[4]とを添加混合し、マスターペレットまたはマス
ターパウダーを作製し、この作製されたものを所定温度
で溶融反応させる方法とがあるが、いずれの方法を用い
てもよい。また、本反応において、溶融反応時間が長く
なるとヤケまたは黄バミを生起する原因となるため、こ
の溶融反応時間は1〜10分間程度が好ましい。
In the production method of the present invention, as a method for producing the low resistivity polycarbonate in a melting reaction, for example, the polycarbonate [1] is melted at a predetermined temperature, and then a monovalent aromatic carboxylic acid [2] is used. And / or a method of adding or injecting a divalent diphenylcarboxylic acid [3] and a monovalent phenol compound [4],
The above-mentioned monovalent aromatic carboxylic acid [2] and / or divalent diphenylcarboxylic acid [3] and monovalent phenol compound [4] are added to and mixed with the pellets or powder of the polycarbonate [1] to obtain a master. There is a method of producing pellets or master powder and melting and reacting the produced one at a predetermined temperature, but any method may be used. In addition, in the present reaction, if the melting reaction time becomes long, it may cause burns or yellow stains. Therefore, the melting reaction time is preferably about 1 to 10 minutes.

【0017】本発明において用いられる前記ポリカーボ
ネート[1]は、例えば次のビスフェノール類を用いて
ホスゲン法、エステル交換反応法などを用いて製造され
る。
The polycarbonate [1] used in the present invention is produced, for example, by using the following bisphenols by a phosgene method, a transesterification method or the like.

【0018】〔ビスフェノール類〕2,2−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)プロパン,2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシ−3,5ジブロモフェニル)プロパン,2,2
−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)
プロパン,2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジ
メチルフェニル)プロパン,4,4’−ジヒドロキシジ
フェニルメタン,1−1ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)エタン,1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
シクロヘキサン,4,4−ジヒドロキシジフェニルメチ
ルイソブチルメタン,2,2−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)フェニルエタン,ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)ジフェニルメタン,ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)ジフオロメタン,ビス(4−ヒドロキシフェニル)
ジクロロメタンなど。なお、これらビスフェノールの2
種類以上を重合してもよい。
[Bisphenols] 2,2-bis (4-
Hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-hydroxy-3,5dibromophenyl) propane, 2,2
-Bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl)
Propane, 2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) propane, 4,4'-dihydroxydiphenylmethane, 1-1 bis (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1-bis (4-hydroxy) Phenyl)
Cyclohexane, 4,4-dihydroxydiphenylmethylisobutylmethane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) phenylethane, bis (4-hydroxyphenyl) diphenylmethane, bis (4-hydroxyphenyl) difluoromethane, bis (4-hydroxyphenyl) )
Such as dichloromethane. In addition, 2 of these bisphenols
More than one kind may be polymerized.

【0019】〔ホルゲン法〕前記ビスフェノールのアル
カリ水溶液を例えば塩化メチレン中に混濁させ、この混
濁液中にホスゲンを吹き込んで、これらビスフェノール
およびホスゲンの重合反応を進行させる界面重合法。
[Holgen Method] An interfacial polymerization method in which the alkaline aqueous solution of bisphenol is turbid in, for example, methylene chloride, and phosgene is blown into the turbid solution to promote the polymerization reaction of these bisphenol and phosgene.

【0020】〔エステル交換反応法〕所定の混合比で混
合された前述のビスフェノールとジフェニルカーボネー
トとを溶媒を用いることがなく加熱溶融し、これら溶融
されたビスフェノールおよびジフェニルカーボネートを
高温減圧下で脱フェノール反応を伴うエステル交換反応
により重縮合させる方法。
[Transesterification Method] The above-mentioned bisphenol and diphenyl carbonate mixed at a predetermined mixing ratio are heated and melted without using a solvent, and the melted bisphenol and diphenyl carbonate are dephenolized under reduced pressure at high temperature. A method of polycondensation by a transesterification reaction accompanied by a reaction.

【0021】また、本発明において用いられる前記1価
の芳香族カルボン酸[2]としては、ヨウ化4−カルボ
キシフェニルトリメチルアンモニウム、ヨウ化3−カル
ボキシフェニルトリメチルアンモニウム、ヨウ化2−カ
ルボキシフェニルトリメチルアンモニウム、1,2−ス
ルホ安息香酸ナトリウム、1,3−スルホ安息香酸ナト
リウム、1,4−スルホ安息香酸ナトリウムなどが挙げ
られ、前記2価のジフェニルカルボン酸[3]として
は、ヨウ化2、2’−ジカルボキシビフェニル3−トリ
メチルアンモニウム、ヨウ化2、2’−ジカルボキシビ
フェニル4−トリメチルアンモニウム、ヨウ化2、2’
−ジカルボキシビフェニル5−トリメチルアンモニウ
ム、ヨウ化2、2’−ジカルボキシビフェニル6−トリ
メチルアンモニウム、ヨウ化1−(2、2’−ジカルボ
キシビフェニル)、2−(トリメチルアンモニウム)エ
タンなどが挙げられる。
The monovalent aromatic carboxylic acid [2] used in the present invention includes 4-carboxyphenyltrimethylammonium iodide, 3-carboxyphenyltrimethylammonium iodide and 2-carboxyphenyltrimethylammonium iodide. , 1,2-sulfobenzoic acid sodium salt, 1,3-sulfobenzoic acid sodium salt, 1,4-sulfobenzoic acid sodium salt, and the like, and as the divalent diphenylcarboxylic acid [3], iodide 2,2 '-Dicarboxybiphenyl 3-trimethylammonium, 2,2'-dicarboxybiphenyl 4-trimethylammonium, 2,2'
-Dicarboxybiphenyl 5-trimethylammonium, 2,2'-dicarboxybiphenyl 6-trimethylammonium iodide, 1- (2,2'-dicarboxybiphenyl) iodide, 2- (trimethylammonium) ethane and the like. .

【0022】また、本発明において用いられる前記1価
のフェノール化合物[4]としては、p−tert−ブ
チルフェノール、4−エチルフェノール、4−ブロモフ
ェノール、4−クロロフェノール、2−ブチルフェノー
ル、4−プロピルフェノールなどが挙げられる。
The monohydric phenol compound [4] used in the present invention includes p-tert-butylphenol, 4-ethylphenol, 4-bromophenol, 4-chlorophenol, 2-butylphenol and 4-propyl. Examples include phenol.

【0023】[0023]

【実施例】次に、本発明による低抵抗率ポリカーボネー
トの製造方法の具体的実施例について説明する。
EXAMPLES Next, specific examples of the method for producing a low resistivity polycarbonate according to the present invention will be described.

【0024】(実施例1)数平均分子量28000の
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンをモ
ノマー原料とするポリカーボネートを約290℃で溶融
させ、この溶融されたポリカーボネートに対して重量比
で0.05%のヨウ化4−カルボキシフェニルトリメチ
ルアンモニウムと重量比で0.006%(カルボキシル
基のモル当量比:0.1)のp−tert−ブチルフェ
ノールとを添加反応させた。
Example 1 A polycarbonate prepared by using 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane having a number average molecular weight of 28,000 as a monomer raw material was melted at about 290 ° C., and a weight ratio to the melted polycarbonate was used. 0.05% 4-carboxyphenyltrimethylammonium iodide and 0.006% by weight (molar equivalent ratio of carboxyl groups: 0.1) of p-tert-butylphenol were added and reacted.

【0025】(実施例2)数平均分子量28000の
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンをモ
ノマー原料とするポリカーボネートを約290℃で溶融
させ、この溶融されたポリカーボネートに対して重量比
で5%のヨウ化4−カルボキシフェニルトリメチルアン
モニウムと重量比で0.3%(カルボキシル基のモル当
量比:0.1)のp−tert−ブチルフェノールとを
添加反応させた。
Example 2 A polycarbonate prepared by using 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane having a number average molecular weight of 28,000 as a monomer raw material was melted at about 290 ° C., and a weight ratio to the melted polycarbonate was used. 5% 4-carboxyphenyltrimethylammonium iodide and 0.3% by weight ratio (molar equivalent ratio of carboxyl groups: 0.1) of p-tert-butylphenol were added and reacted.

【0026】(実施例3)数平均分子量30000の
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンをモ
ノマー原料とするポリカーボネートを約290℃で溶融
させ、この溶融されたポリカーボネートに対して重量比
で10%のヨウ化4−カルボキシフェニルトリメチルア
ンモニウムと重量比で0.5%(カルボキシル基のモル
当量比:0.1)のp−tert−ブチルフェノールと
を添加反応させた。
(Example 3) A polycarbonate obtained by using 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane having a number average molecular weight of 30,000 as a monomer raw material was melted at about 290 ° C, and a weight ratio to the melted polycarbonate was used. 10% 4-carboxyphenyltrimethylammonium iodide and 0.5% by weight ratio (molar equivalent ratio of carboxyl groups: 0.1) of p-tert-butylphenol were added and reacted.

【0027】(実施例4)数平均分子量25000の
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンをモ
ノマー原料とするポリカーボネートを約290℃で溶融
させ、この溶融されたポリカーボネートに対して重量比
で5%のヨウ化2,2’−ジカルボキシビフェニル−4
−トリメチルアンモニウムと重量比で0.4%(カルボ
キシル基のモル当量比:0.1)のp−tert−ブチ
ルフェノールとを添加反応させた。
Example 4 Polycarbonate having 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane having a number average molecular weight of 25,000 as a monomer raw material was melted at about 290 ° C., and a weight ratio to the melted polycarbonate was used. 5% of iodide 2,2'-dicarboxybiphenyl-4
-Trimethylammonium and 0.4% by weight ratio (molar equivalent ratio of carboxyl groups: 0.1) of p-tert-butylphenol were added and reacted.

【0028】(実施例5)数平均分子量27000の
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンをモ
ノマー原料とするポリカーボネートを約290℃で溶融
させ、この溶融されたポリカーボネートに対して、重量
比で5%のヨウ化4−カルボキシフェニルトリメチルア
ンモニウムと、重量比で5%のヨウ化2,2’−ジカル
ボキシビフェニル−4−トリメチルアンモニウムと重量
比で0.6%(カルボキシル基のモル当量比:0.1)
のp−tert−ブチルフェノールとを添加反応させ
た。
Example 5 Polycarbonate having 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane having a number average molecular weight of 27,000 as a monomer raw material was melted at about 290 ° C., and a weight ratio to the melted polycarbonate was used. And 5% by weight of 4-carboxyphenyltrimethylammonium iodide and 5% by weight of 2,2′-dicarboxybiphenyl-4-trimethylammonium iodide and 0.6% by weight (molar equivalent ratio of carboxyl groups). : 0.1)
P-tert-butylphenol was added and reacted.

【0029】(実施例6)数平均分子量27000の
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンをモ
ノマー原料とするポリカーボネートを約290℃で溶融
させ、この溶融されたポリカーボネートに対して、重量
比で30%のヨウ化4−カルボキシフェニルトリメチル
アンモニウムと、重量比で3.8%(カルボキシル基の
モル当量比:0.1)のp−tert−ブチルフェノー
ルとを添加反応させた。
Example 6 A polycarbonate prepared from 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane having a number average molecular weight of 27,000 as a monomer raw material was melted at about 290 ° C., and a weight ratio to the melted polycarbonate was used. Then, 30% of 4-carboxyphenyltrimethylammonium iodide and 3.8% by weight (molar equivalent ratio of carboxyl group: 0.1) of p-tert-butylphenol were added and reacted.

【0030】(比較例)比較例として、数平均分子量2
2000の2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパンをモノマー原料とするポリカーボネート(標準P
C)を用いた。
Comparative Example As a comparative example, the number average molecular weight was 2
2000 Polycarbonate using 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane as a monomer raw material (standard P
C) was used.

【0031】〔物性測定〕前述の実施例および比較例に
係るポリカーボネートの低抵抗率の測定は、ASTM試
験法D257に準拠して行った。また、その他の機械的
特性についても、ASTM試験法に準拠して行った。一
方、反応後の分子量の評価は、溶融粘度から換算する方
法(Angew.Chem.68,633(1956) )で行われ、分子量はす
べて数平均分子量である。結果を表1に示す。
[Measurement of Physical Properties] The low resistivity measurements of the polycarbonates according to the above-mentioned Examples and Comparative Examples were carried out in accordance with ASTM Test Method D257. Further, other mechanical properties were also measured according to the ASTM test method. On the other hand, the molecular weight after the reaction is evaluated by a method of converting from melt viscosity (Angew. Chem. 68, 633 (1956)), and all molecular weights are number average molecular weights. The results are shown in Table 1.

【0032】[0032]

【表1】 [Table 1]

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 一般式: 【化1】 〔式中、R1 〜R6 は、水素、炭化水素基、フェニル化
合物置換基またはハロゲン基、nは30以上の整数を表
す〕で示されるポリカーボネートに、一般式: 【化2】 〔式中、R7 〜R11のうち少なくとも1つはアルキルア
ンモニウム塩置換基またはスルホン酸塩置換基、その他
は水素、炭化水素基、ヒドロキシル基またはハロゲン基
を表す〕で示される1価の芳香族カルボン酸および一般
式: 【化3】 〔式中、R12〜R19のうち少なくとも1つはアルキルア
ンモニウム塩置換基またはスルホン酸塩置換基、その他
は水素、炭化水素基、ヒドロキシル基またはハロゲン基
を表す〕で示される2価のジフェルカルボン酸からなる
群より選択される少なくとも一種のカルボン酸と、一般
式: 【化4】 〔式中、R20〜R24は、水素、炭化水素基またはハロゲ
ン基〕で示される少なくとも一種の1価のフェノール化
合物とを所定割合で溶融状態にて反応させることを特徴
とする低抵抗率ポリカーボネートの製造方法。
1. A general formula: [Wherein R 1 to R 6 are hydrogen, a hydrocarbon group, a phenyl compound substituent or a halogen group, and n is an integer of 30 or more], and the polycarbonate is represented by the general formula: [In the formula, at least one of R 7 to R 11 represents an alkylammonium salt substituent or a sulfonate substituent, and the others represent hydrogen, a hydrocarbon group, a hydroxyl group or a halogen group] Group carboxylic acids and general formula: [In the formula, at least one of R 12 to R 19 represents an alkylammonium salt substituent or a sulfonate substituent, and the others represent hydrogen, a hydrocarbon group, a hydroxyl group or a halogen group]. At least one carboxylic acid selected from the group consisting of ferulcarboxylic acids, and a compound of the general formula: [Wherein R 20 to R 24 are hydrogen, a hydrocarbon group or a halogen group] and at least one monohydric phenol compound is reacted in a molten state at a predetermined ratio to give a low resistivity. Method for producing polycarbonate.
【請求項2】 前記ポリカーボネート[1]に、このポ
リカーボネートに対する重量比で0.01〜30%の前
記少なくとも一種のカルボン酸と、このカルボン酸に対
してカルボキシル基のモル当量比で1以下の前記少なく
とも一種の1価のフェノール化合物とを反応させること
を特徴とする請求項1に記載の低抵抗率ポリカーボネー
トの製造方法。
2. The polycarbonate [1], wherein the weight ratio to the polycarbonate is 0.01 to 30% of the at least one carboxylic acid, and the molar equivalent ratio of the carboxyl group to the carboxylic acid is 1 or less. The method for producing a low-resistivity polycarbonate according to claim 1, which comprises reacting with at least one monohydric phenol compound.
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