JP3363980B2 - Base current control circuit for output transistor and output drive stage circuit for electronic device - Google Patents

Base current control circuit for output transistor and output drive stage circuit for electronic device

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JP3363980B2
JP3363980B2 JP00011694A JP11694A JP3363980B2 JP 3363980 B2 JP3363980 B2 JP 3363980B2 JP 00011694 A JP00011694 A JP 00011694A JP 11694 A JP11694 A JP 11694A JP 3363980 B2 JP3363980 B2 JP 3363980B2
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    • G05F3/22Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only

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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、出力トランジスタの電
流制御回路および電子装置の出力駆動段回路に関し、特
に、大電流断続用のトランジスタ回路の電力効率を高
め、同時にオン/オフ切換の高速化を達成できるような
出力トランジスタの電流制御回路および電子装置の出力
駆動段回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a current control circuit for an output transistor and an output drive stage circuit for an electronic device. The present invention relates to an output transistor current control circuit and an output drive stage circuit of an electronic device.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は、従来の電子装置の出力段回路の
回路図である。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a circuit diagram of an output stage circuit of a conventional electronic device.

【0003】多くの電子装置は、情報処理の終端操作と
して外部負荷を駆動する出力トランジスタと、この出力
トランジスタを制御する制御回路を有している。
Many electronic devices have an output transistor for driving an external load and a control circuit for controlling the output transistor as a termination operation of information processing.

【0004】図4に示すような従来の電子装置の出力ト
ランジスタとそれを制御する制御回路である電子装置の
出力段回路は、特にバイポーラ出力トランジスタ(Q
OUT )41と外部負荷(RL )42とを備え、出力トラ
ンジスタ(QOUT )41のベース電流(IB )を入力信
号(Input)によって制御する回路であって、出力
トランジスタ(QOUT )41のエミッタは電源電圧VCC
に、負荷(RL )42の一端は接地点(逆三角形)43
に接続されている。
The output stage circuit of an electronic device, which is a control circuit for controlling the output transistor of the conventional electronic device as shown in FIG. 4, has a bipolar output transistor (Q
A OUT) 41 and the external load (R L) 42, a circuit for controlling the input signal (Input) with the output transistor (Q OUT) 41 the base current of (I B), the output transistor (Q OUT) 41 Is the power supply voltage V CC
In addition, one end of the load ( RL ) 42 has a ground point (inverted triangle) 43
It is connected to the.

【0005】スイッチングトランジスタ(QSW)44
は、入力信号(Input)の状態に応じてオン−オフ
され、駆動トランジスタ(Q1 )45を介して出力トラ
ンジスタ(QOUT )41も同相的にオン−オフされる。
Switching transistor (Q SW ) 44
Is turned on / off according to the state of the input signal (Input), and the output transistor (Q OUT ) 41 is also turned on / off in-phase via the drive transistor (Q 1 ) 45.

【0006】仮に、入力電圧(Input)が低電圧、
たとえば接地電圧になると、PNP型スイッチングトラ
ンジスタ(QSW)44がオン状態となり、ノードAの電
位V A はダイオードD1 の電圧VD1と基準電圧(Vre
f)の和になる。この結果、ノードBの電圧VB は、V
BE,Q1 を駆動トランジスタ(Q1 )45のベースとエミ
ッタの間の電圧とすると、VB =Vref+VD1−V
BE,Q1 となり、スイッチングトランジスタ(QSW)44
と駆動トランジスタ(Q1 )45の構造寸法を設計的に
選択して、VB ≒Vref とすることができる。
If the input voltage (Input) is low,
For example, when the ground voltage is reached, the PNP switching transistor
Register (QSW) 44 is turned on and the power of node A
Rank V AIs the diode D1Voltage VD1And the reference voltage (Vre
It is the sum of f). As a result, the voltage V of the node BBIs V
BE, Q1Drive transistor (Q1) 45 bass and Emi
V is the voltage betweenB= Vref + VD1-V
BE, Q1And the switching transistor (QSW) 44
And drive transistor (Q1) 45 structural dimensions are designed
Select and VB≒ Vref Can be

【0007】したがって、出力トランジスタ(QOUT
41のベース電流(IB )は、駆動トランジスタ
(Q1 )45のコレクタ電流に等しいので、駆動トラン
ジスタ(Q 1 )45の電流増幅率が十分に大きい場合に
は、IB ≒VB /Rb ≒Vref/Rb となって、ほぼ
一定になる。
Therefore, the output transistor (QOUT)
41 base current (IB) Is the drive transistor
(Q1) Since it is equal to the collector current of 45, the drive transformer
Dista (Q 1) When the current amplification factor of 45 is large enough
Is IB≒ VB/ Rb≒ Vref / RbAnd almost
Be constant.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ベース
電流(IB )は、抵抗(Rb )47および低電圧により
決定されるので、出力トランジスタ(QOUT )41の負
荷(RL )42の大きさとは無関係であり、これによっ
て、負荷電流(I0 )に関係なく一定なベース電流(I
B )が消耗され、不必要な電力損失が生じる。また、不
必要に大きいベース電流(IB )は、出力トランジスタ
(QOUT )41がオンからオフに変化するスイッチング
時間を長くしてしまう。
However, since the base current (I B ) is determined by the resistance (R b ) 47 and the low voltage, the size of the load (R L ) 42 of the output transistor (Q OUT ) 41 is large. Independent of the load current (I 0 ), which results in a constant base current (I 0 ).
B ) is consumed, resulting in unnecessary power loss. Further, unnecessarily large base current (I B), the output transistor (Q OUT) 41 resulting in a longer switching time changes from ON to OFF.

【0009】ゆえに、本発明の目的は、上記のような問
題点を解決し、出力トランジスタの負荷電流に応じてベ
ース電流を制御して電力使用の効率を高め、スイッチン
グ時間を短くした出力トランジスタのベース電流制御回
路および電子装置の出力駆動段回路を提供することであ
る。
Therefore, an object of the present invention is to solve the above problems and to improve the efficiency of power use by controlling the base current according to the load current of the output transistor to shorten the switching time. An object of the present invention is to provide a base current control circuit and an output drive stage circuit of an electronic device.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係る出
力トランジスタのベース電流制御回路は、出力トランジ
スタの負荷電流を検出する負荷電流検出部と、負荷電流
検出部で検出された負荷電流を対応する検出電圧に変換
する電流−電圧変換部と、基準電圧および電流−電圧変
換部で変換された検出電圧を用いて、スイッチングトラ
ンジスタのオン/オフ信号に対応するベース電流を生成
し、出力トランジスタを駆動するベース電流生成部とを
備えている。
According to another aspect of the present invention, there is provided a base current control circuit for an output transistor, comprising: a load current detecting section for detecting a load current of the output transistor; and a load current detected by the load current detecting section. Using the current-voltage conversion unit that converts the corresponding detection voltage and the detection voltage converted by the reference voltage and the current-voltage conversion unit, the switching transistor is switched.
And a base current generator that drives the output transistor by generating a base current corresponding to the ON / OFF signal of the transistor.

【0011】請求項2では、請求項1の負荷電流検出部
は、出力トランジスタと同一導電型であって、並列に対
称的に設けられたトランジスタ(QS )を含むことを特
徴としている。
According to a second aspect of the present invention, the load current detecting section according to the first aspect includes a transistor (Q S ) which is of the same conductivity type as the output transistor and which is symmetrically provided in parallel.

【0012】請求項3では、請求項1の電流−電圧変換
部は、基準電圧に直列に接続された抵抗手段を含むこと
を特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, the current-voltage converting section of the first aspect includes a resistance means connected in series to the reference voltage.

【0013】請求項4では、請求項1のベース電流生成
部は、トランジスタ(Q1)およびこれのエミッタに接
続された抵抗を含み、ベース電流生成部に入力されるベ
ース電流は、基準電圧と負荷電流に対応する検出電圧と
の線形和に比例することを特徴としている。
According to a fourth aspect, the base current generator of the first aspect includes a transistor (Q 1 ) and a resistor connected to the emitter thereof, and the base current input to the base current generator is a reference voltage. It is characterized in that it is proportional to the linear sum with the detection voltage corresponding to the load current.

【0014】請求項5では、請求項4のエミッタに接続
された抵抗を流れる電流は、出力トランジスタのベース
電流であって、負荷電流の所定の一次線形関数で表わさ
れることを特徴としている。
According to a fifth aspect of the invention, the current flowing through the resistor connected to the emitter of the fourth aspect is the base current of the output transistor and is represented by a predetermined linear function of the load current.

【0015】請求項6では、請求項1の出力トランジス
タのベース電流制御回路は、さらに、負荷電流検出部に
は、負荷電流を検出するトランジスタ(QS )が設けら
れ、そのエミッタと出力トランジスタのエミッタの面積
比(K)と負荷電流との積が検出電流として得られるこ
とを特徴としている。
According to a sixth aspect of the present invention, in the base current control circuit for the output transistor according to the first aspect, the load current detection section is further provided with a transistor (Q S ) for detecting the load current, and the emitter and the output transistor It is characterized in that the product of the area ratio (K) of the emitter and the load current is obtained as the detection current.

【0016】請求項7の発明に係る電子装置の出力駆動
段回路は、信号処理された信号を駆動段を介して出力す
るための出力駆動段を備えた電子装置の出力駆動段回路
において、出力駆動段は、負荷に負荷電流を供給する出
力トランジスタと、出力トランジスタの負荷電流を検出
する負荷電流検出部と、負荷電流検出部で検出された負
荷電流を対応する検出電圧に変換する電流−電圧変換部
と、基準電圧および電流−電圧変換部で変換された検出
電圧を用いて、出力トランジスタの負荷電流に正比例す
る制御電圧を生成する制御電圧生成部と、出力トランジ
スタのオン/オフ信号に応じて制御電圧が入力され、
力トランジスタを駆動するベース電流を生成するベース
電流生成部とを備えている。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an output drive stage circuit of an electronic device, wherein the output drive stage circuit of the electronic device comprises an output drive stage for outputting a signal processed signal through the drive stage. The drive stage includes an output transistor that supplies a load current to the load, a load current detection unit that detects the load current of the output transistor, and a current-voltage that converts the load current detected by the load current detection unit into a corresponding detection voltage. Using the converter and the reference voltage and the detected voltage converted by the current-voltage converter, it is directly proportional to the load current of the output transistor.
A control voltage generator for generating a control voltage that the control voltage according to the on / off signal of the output transistor is input, output
And a base current generator that generates a base current for driving the force transistor .

【0017】請求項8では、請求項7の電子装置の出力
駆動段回路は、さらに、信号処理された信号を駆動段に
入力するためのスイッチ手段が、ベース電流生成部とベ
ース電流制御電圧生成部との間に設けられることを特徴
としている。
In an eighth aspect of the present invention, in the output drive stage circuit of the electronic device according to the seventh aspect, the switch means for inputting the signal processed signal to the drive stage further comprises a base current generator and a base current control voltage generator. It is characterized in that it is provided between the section.

【0018】請求項9では、請求項7の負荷電流検出部
には、出力トランジスタと同一導電型のトランジスタが
並列で対称的に設けられ、電流−電圧変換部には基準電
圧に直列に接続された抵抗手段が設けられ、出力トラン
ジスタと同一導電型のトランジスタのコレクタを流れる
電流が基準電圧に直列に接続された抵抗手段に入力され
て検出電圧が得られることを特徴としている。
According to a ninth aspect of the present invention, the load current detecting section of the seventh aspect is provided with transistors of the same conductivity type as the output transistor in parallel and symmetrically, and the current-voltage converting section is connected in series to the reference voltage. Is provided, and the current flowing through the collector of the transistor of the same conductivity type as the output transistor is input to the resistor means connected in series to the reference voltage to obtain the detection voltage.

【0019】[0019]

【実施例】図1は、本発明の概念を説明するためのブロ
ック図であり、図2は、図1の概念を具体的に示した電
子装置の出力段回路図であり、図3は、図2に示した実
施例の効果を説明するための図である。
1 is a block diagram for explaining the concept of the present invention, FIG. 2 is an output stage circuit diagram of an electronic device specifically showing the concept of FIG. 1, and FIG. It is a figure for demonstrating the effect of the Example shown in FIG.

【0020】まず、図1に示すように、出力トランジス
タと負荷とが接続された駆動段8の負荷電流を負荷電流
検出部1により検出し、得られた検出電流(Isens
e)は、電流−電圧変換部2により対応する検出電圧
(Vsense)に変換される。基準定電圧源4の出力
(Vref)は、検出電圧(Vsense)とともにベ
ース電流制御電圧生成部3に入力され、ベース電流制御
電圧(VC )を出力してスイッチング手段6に入力され
る。そして、出力トランジスタのオン/オフ制御部5か
らスイッチングオン信号がスイッチング手段6に入力さ
れると、ベース電流制御電圧(VC )がスイッチング手
段6を介してベース電流生成部7に入力される。これに
よって、ベース電流生成部7は制御されたベース電流
(IB )を駆動段8の出力トランジスタに印加する。
First, as shown in FIG. 1, the load current detector 1 detects the load current of the drive stage 8 in which the output transistor and the load are connected, and the obtained detection current (Isens) is detected.
e) is converted into a corresponding detection voltage (Vsense) by the current-voltage conversion unit 2. The output (Vref) of the reference constant voltage source 4 is input to the base current control voltage generator 3 together with the detection voltage (Vsense), outputs the base current control voltage (V C ) and is input to the switching means 6. Then, when the switching on signal is input from the on / off control unit 5 of the output transistor to the switching unit 6, the base current control voltage (V C ) is input to the base current generation unit 7 via the switching unit 6. Thus, the base current generator 7 applies controlled base current of (I B) to the output transistor of the driver stage 8.

【0021】図1に示したような一連の流れの過程から
わかるように、ベース電流(IB )は負荷電流により制
御されることがわかる。このような概念を具体的に示し
た図2を用いて図4に示した従来例と異なる部分につい
て特に説明する。
[0021] As can be seen from the series of flow process as depicted in Figure 1, the base current (I B) is found to be controlled by the load current. A part different from the conventional example shown in FIG. 4 will be particularly described with reference to FIG. 2 which concretely shows such a concept.

【0022】まず、駆動段8の負荷電流を検出しなけれ
ばならないので、そのため出力トランジスタ(QOUT
11と並列に接続された基準トランジスタ(QS )12
を設ける。出力トランジスタ(QOUT )11は、PNP
型で結線した場合には、負荷電流検出のための基準トラ
ンジスタ(QS )12も同様にPNP型にしておく。検
出電流(Isense)は基準トランジスタ(QS )1
2と出力トランジスタ(QOUT )11とのエミッタ面積
により決定される。すなわち、“基準トランジスタ(Q
S )12のエミッタ面積/出力トランジスタ(QOUT
11のエミッタ面積”をKとおくと、検出電流(Ise
nse)は、K・I0 になる。Kは一定であるので、負
荷電流I0 に対して検出電流(Isense)は比例的
に可変することになる。
First, since the load current of the drive stage 8 must be detected, therefore, the output transistor (Q OUT )
Reference transistor (Q S ) 12 connected in parallel with 11
To provide. The output transistor (Q OUT ) 11 is a PNP
In the case of connection by the type, the reference transistor (Q S ) 12 for detecting the load current is also of the PNP type. The detection current (Isense) is the reference transistor (Q S ) 1
2 and the output transistor (Q OUT ) 11 have emitter areas. That is, "reference transistor (Q
S ) 12 emitter area / output transistor (Q OUT )
If the emitter area of 11 ”is set to K, the detection current (Ise
nse) becomes K · I 0 . Since K is constant, the detected current (Isense) varies proportionally to the load current I 0 .

【0023】基準トランジスタ(QS )12のベース/
エミッタ間の電圧である(VBE,Qs)は出力トランジス
タ(QOUT )のベース/エミッタ間の電圧であるV
BE,Qout)と同じである。これらの関係は、以下のよう
な等式で表わされる。
Base of the reference transistor (Q S ) 12 /
The emitter-to-emitter voltage (V BE, Qs ) is the output-transistor (Q OUT ) base-to-emitter voltage V
BE, Qout ). These relationships are expressed by the following equations.

【0024】VBE,Qs =VBE,Qout すなわち、VT ln(IC,Qs/IS ・K)=VT ln
(IC,Qout/IS ) ここで、VT はトランジスタの熱電圧、IS は出力トラ
ンジスタ(QOUT )11の理論的逆飽和電流であり、K
は“基準トランジスタ(QS )12のエミッタ面積/出
力トランジスタ(QOUT )11のエミッタ面積”である
ので、基準トランジスタ(QS )12のコレクタ電流で
あるIC,Qsは、K・IC,Qoutであることがわかり、Kは
1/100ないし1/1000の範囲を有する。
V BE, Qs = V BE, Qout, that is, V T ln (I C, Qs / I S · K) = V T ln
(I C, Qout / I S ), where V T is the thermal voltage of the transistor, I S is the theoretical reverse saturation current of the output transistor (Q OUT ) 11, and K
Is “emitter area of reference transistor (Q S ) 12 / emitter area of output transistor (Q OUT ) 11”, the collector current I C, Qs of the reference transistor (Q S ) 12 is K · I C , Qout , and K has a range of 1/100 to 1/1000.

【0025】検出された負荷電流(Isense)は、
対応する電圧に変換されるよう電流/電圧変換部2によ
り変換されるが、この実施例においては、抵抗(RS
13により変換されている。すなわち、抵抗(RS )1
3に検出電流(Isense)を入力することにより、
電圧降下が生じ、電圧の大きさは流れた電流の大きさに
比例する。検出電圧(Vsense)は、Isense
×RS で表わされる。
The detected load current (Isense) is
The voltage is converted by the current / voltage conversion unit 2 so as to be converted into a corresponding voltage. In this embodiment, the resistance (R S )
It has been converted by 13. That is, the resistance (R S ) 1
By inputting the detection current (Isense) to 3,
A voltage drop occurs and the magnitude of the voltage is proportional to the magnitude of the flowing current. The detection voltage (Vsense) is Isense
It is represented by × R S.

【0026】図1において、ベース電流制御電圧生成部
3は、検出電圧(Vsense)および基準電圧(Vr
ef)が入力されて、ベース電流制御電圧を生成する
が、これは図2のノードCから現われる。すなわち、抵
抗(RS )13にかかる電圧とこれに直列に接続された
基準電圧(Vref)とが加えられてノードCに現われ
る。ここで、基準電圧(Vref)は出力トランジスタ
が負荷を有しない場合のベース電流を制御する電圧であ
る。
In FIG. 1, the base current control voltage generator 3 includes a detection voltage (Vsense) and a reference voltage (Vr).
ef) is input to generate the base current control voltage, which emerges from node C in FIG. That is, the voltage applied to the resistor (R S ) 13 and the reference voltage (Vref) connected in series thereto are added and appear at the node C. Here, the reference voltage (Vref) is a voltage that controls the base current when the output transistor has no load.

【0027】ベース電流制御電圧(VC )は、回路から
明らかであるように、基準電圧(Vref)が一定であ
るので検出電流(Isense)に応じて可変し、ノー
ドCに出力される。これは、Vref+K・I0 ・RS
で表わされ、I0 の一次線形関数形態であることが示さ
れる。
As is apparent from the circuit, the base current control voltage (V C ) is variable according to the detected current (Isense) and is output to the node C because the reference voltage (Vref) is constant. This is Vref + K · I 0 · R S
And is shown to be a linear function form of I 0 .

【0028】ベース電流制御電圧(VC )は、図1にお
いて、スイッチング手段6に入力される。これは、装置
が必要に応じて出力信号を出力することを意味するの
で、単にこれを考慮するものである。入力信号は電子装
置内部の出力トランジスタのオン/オフ制御回路5の出
力信号であって、スイッチングトランジスタ(QSW)1
4がこの信号を受けてスイッチング手段6をオン/オフ
する。スイッチング手段6をオンするに従い、ベース電
流制御電圧(VC )は、一種のバッファのような駆動ト
ランジスタ(Q1 )15に加わり、NPN型駆動トラン
ジスタ(Q1 )15のエミッタと接地との間に接続した
抵抗(Rb )16にベース電流制御電圧(VC )が現わ
れるので、エミッタに流れる電流はVC /Rb になる。
The base current control voltage (V C ) is input to the switching means 6 in FIG. This is merely a consideration as this means that the device will output an output signal as needed. The input signal is the output signal of the on / off control circuit 5 of the output transistor inside the electronic device, and the switching transistor (Q SW ) 1
4 receives this signal and turns on / off the switching means 6. As the switching means 6 is turned on, the base current control voltage (V C ) is applied to the driving transistor (Q 1 ) 15 such as a kind of buffer, and is connected between the emitter of the NPN type driving transistor (Q 1 ) 15 and the ground. Since the base current control voltage (V C ) appears in the resistor (R b ) 16 connected to, the current flowing through the emitter becomes V C / R b .

【0029】このようにエミッタに流れる電流VC /R
b がベース電流(IB )になるが、次の式で表示され
る。
The current V C / R flowing through the emitter in this way
b but becomes the base current (I B), represented by the following equation.

【0030】 IB =(Vref+K・I0 ・RS )/Rb =Vref/Rb +(K・RS /Rb )・I0 図1において、ベース電流生成部7は、図2の駆動トラ
ンジスタ(Q1 )15により実現され、この駆動トラン
ジスタ(Q1 )15のコレクタ電流、すなわち出力トラ
ンジスタのベース電流は上記のように現われるので、負
荷電流(I0 )に対して制御された電流になることがわ
かる。ノードBの電圧は、VrefとK・I0 ・RS
合計値と同じであるので上記の式から得られることにな
る。上記の式は、出力トランジスタのベース電流
(IB )が、負荷電流(I0 )の一次線形関数で表示さ
れ、従属変数であるベース電流(IB )は独立変数であ
る負荷電流により限定されるので、ベース電流は結果的
に負荷電流により支配されていることを示している。
I B = (Vref + K · I 0 · R S ) / R b = Vref / R b + (K · R S / R b ) · I 0 In FIG. 1, the base current generation unit 7 is shown in FIG. It is realized by the drive transistor (Q 1) 15, the collector current of the driver transistor (Q 1) 15, that is, the base current of the output transistor appear as described above, controlled current to the load current (I 0) It turns out that Since the voltage of the node B is the same as the total value of Vref and K · I 0 · R S , it can be obtained from the above equation. The above equation, the base current of the output transistor (I B) is displayed in the primary linear function of the load current (I 0), is a dependent variable base current (I B) is limited by the load current is the independent variable Therefore, the base current is consequently dominated by the load current.

【0031】図2に示した実施例と図4に示した従来例
との動作特性を図3を参照して説明する。
The operation characteristics of the embodiment shown in FIG. 2 and the conventional example shown in FIG. 4 will be described with reference to FIG.

【0032】縦軸を出力トランジスタのベース電流(I
B )とし、横軸を負荷電流(I0 )の大きさとすると、
図4に示した従来例の場合には、ラインAで示されるグ
ラフのように負荷電流に関係なく一定の値が示され、図
2に示すような実施例の場合には、第(1)式の結果か
らラインBで示されるグラフが得られる。
The vertical axis represents the base current (I
B ) and the horizontal axis represents the magnitude of the load current (I 0 ),
In the case of the conventional example shown in FIG. 4, a constant value is shown regardless of the load current as shown in the graph shown by line A, and in the case of the embodiment shown in FIG. The result of the equation gives the graph shown by line B.

【0033】なお、出力電流は負荷に関係し、負荷は適
当な大きさのベース電流(IB )から駆動力を供給され
るので動作には異常が見られない。
[0033] The output current is related to the load, the load is in operation because they are supplied with driving force from the appropriate magnitude of the base current (I B) is not observed abnormalities.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、同一の
電源電圧(VCC)および負荷電流(I 0 )において従来
と比べて、たとえばベース電流を従来の場合IB1とし、
本発明の場合をIB2とすると、(IB1−IB2)×VCC
いう大きさの電力損失を減らすことができる。
As described above, according to the present invention, the same
Power supply voltage (VCC) And load current (I 0) Conventionally
In comparison with the conventional case, the base current isB1age,
In the case of the present invention, IB2Then, (IB1-IB2) × VCCWhen
It is possible to reduce the amount of power loss.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例による電子装置の出力駆動段
回路を説明するための概念を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a concept for explaining an output drive stage circuit of an electronic device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例による電子装置の出力駆動段
回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of an output drive stage of an electronic device according to an exemplary embodiment of the present invention.

【図3】図2に示した実施例と図4に示した実施例とを
比較するための負荷電流(I0)に対するベース電流
(IB )の動作特性を示すグラフである。
3 is a graph showing operating characteristics of a base current (I B ) with respect to a load current (I 0 ) for comparing the embodiment shown in FIG. 2 and the embodiment shown in FIG.

【図4】従来の電子装置の出力駆動段回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of an output drive stage of a conventional electronic device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 負荷電流検出部 2 電流−電圧変換部 3 ベース電流制御電圧生成部 4 基準定電圧源 5 出力トランジスタのオン/オフ制御部 6 スイッチング手段 7 ベース電流生成部 8 駆動段 11 出力トランジスタ(QOUT ) 12 基準トランジスタ(QS ) 13 抵抗手段(RS ) 14 スイッチングトランジスタ(QSW) 15 駆動トランジスタ 16 抵抗手段(Rb ) 17 負荷(RL ) IB ベース電流 I0 負荷電流 Isense 検出電流 VC ベース電流制御電圧 Vref 基準電圧 Vsense 検出電圧 D1 ダイオード1 Load Current Detection Section 2 Current-Voltage Conversion Section 3 Base Current Control Voltage Generation Section 4 Reference Constant Voltage Source 5 Output Transistor On / Off Control Section 6 Switching Means 7 Base Current Generation Section 8 Drive Stage 11 Output Transistor (Q OUT ) 12 the reference transistor (Q S) 13 resistance means (R S) 14 a switching transistor (Q SW) 15 driving transistor 16 resistor means (R b) 17 load (R L) I B base current I 0 the load current Isense detected current V C Base current control voltage Vref Reference voltage Vsense Detection voltage D 1 Diode

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 出力トランジスタの負荷電流を検出する
負荷電流検出部と、前記負荷電流検出部で検出された負
荷電流を対応する検出電圧に変換する電流−電圧変換部
と、 基準電圧および前記電流−電圧変換部で変換された前記
検出電圧を用いて、スイッチングトランジスタのオン/
オフ信号に対応するベース電流を生成し、前記出力トラ
ンジスタを駆動するベース電流生成部とを備えて構成さ
れることを特徴とする、出力トランジスタのベース電流
制御回路。
1. A load current detection unit for detecting a load current of an output transistor, a current-voltage conversion unit for converting the load current detected by the load current detection unit into a corresponding detection voltage, a reference voltage and the current. -ON / OFF of the switching transistor by using the detection voltage converted by the voltage converter.
A base current control circuit for an output transistor, comprising: a base current generator that generates a base current corresponding to an off signal and drives the output transistor.
【請求項2】 前記負荷電流検出部は、前記出力トラン
ジスタと同一導電型であって、並列に対称的に設けられ
たトランジスタを含むことを特徴とする、請求項1記載
の出力トランジスタのベース電流制御回路。
2. The base current of the output transistor according to claim 1, wherein the load current detection unit includes transistors of the same conductivity type as the output transistor and symmetrically provided in parallel. Control circuit.
【請求項3】 前記電流−電圧変換部は、前記基準電圧
に直列に接続された抵抗手段を含むことを特徴とする、
請求項1記載の出力トランジスタのベース電流制御回
路。
3. The current-voltage conversion unit includes a resistance unit connected in series to the reference voltage.
A base current control circuit for an output transistor according to claim 1.
【請求項4】 前記ベース電流生成部は、トランジスタ
(Q1)およびこれのエミッタに接続された抵抗を含
み、 前記ベース電流生成部に入力される前記ベース電流は、
前記基準電圧と前記負荷電流に対応する前記検出電圧と
の線形和に比例することを特徴とする、請求項1記載の
出力トランジスタのベース電流制御回路。
4. The base current generator includes a transistor (Q 1 ) and a resistor connected to the emitter thereof, and the base current input to the base current generator is:
The base current control circuit for an output transistor according to claim 1 , wherein the base current control circuit is proportional to a linear sum of the reference voltage and the detection voltage corresponding to the load current.
【請求項5】 前記エミッタに接続された抵抗を流れる
電流は、前記出力トランジスタのベース電流であって、
前記負荷電流の所定の一次線形関数で表わされることを
特徴とする、請求項4記載の出力トランジスタのベース
電流制御回路。
5. The current flowing through the resistor connected to the emitter is the base current of the output transistor,
The base current control circuit for an output transistor according to claim 4, wherein the base current control circuit is represented by a predetermined linear function of the load current.
【請求項6】 さらに、前記負荷電流検出部には、負荷
電流を検出するトランジスタ(QS )が設けられ、その
エミッタと前記出力トランジスタのエミッタの面積比
(K)と負荷電流との積が検出電流として得られること
を特徴とする、請求項1記載の出力トランジスタのベー
ス電流制御回路。
6. The load current detector is further provided with a transistor (Q S ) for detecting a load current, and the product of the area ratio (K) of the emitter of the load transistor and the emitter of the output transistor and the load current is obtained. The base current control circuit for the output transistor according to claim 1, wherein the base current control circuit is obtained as a detection current.
【請求項7】 信号処理された信号を駆動段を介して出
力するための出力駆動段を備えた電子装置の出力駆動段
回路において、 前記出力駆動段は、負荷に負荷電流を供給する出力トラ
ンジスタと、 前記出力トランジスタの負荷電流を検出する負荷電流検
出部と、 前記負荷電流検出部で検出された負荷電流を対応する検
出電圧に変換する電流−電圧変換部と、 基準電圧および前記電流−電圧変換部で変換された検出
電圧を用いて、前記出力トランジスタの負荷電流に正比
例する制御電圧を生成する制御電圧生成部と、 前記出力トランジスタのオン/オフ信号に応じて前記制
御電圧が入力され、前記出力トランジスタを駆動するベ
ース電流を生成するベース電流生成部とを備えたことを
特徴とする、電子装置の出力駆動段回路。
7. An output drive stage circuit of an electronic device comprising an output drive stage for outputting a signal processed signal through the drive stage, wherein the output drive stage is an output transistor for supplying a load current to a load. A load current detection unit that detects the load current of the output transistor, a current-voltage conversion unit that converts the load current detected by the load current detection unit into a corresponding detection voltage, a reference voltage and the current-voltage Using the detection voltage converted by the conversion unit, a control voltage generation unit that generates a control voltage that is directly proportional to the load current of the output transistor, and the control voltage is input according to an ON / OFF signal of the output transistor, An output drive stage circuit of an electronic device, comprising: a base current generation unit that generates a base current that drives the output transistor.
【請求項8】 さらに、前記信号処理された信号を前記
駆動段に入力するためのスイッチ手段が、前記ベース電
流生成部と前記ベース電流制御電圧生成部との間に設け
られることを特徴とする、請求項7記載の電子装置の出
力駆動段回路。
8. A switch means for inputting the signal subjected to the signal processing to the driving stage is provided between the base current generation section and the base current control voltage generation section. An output drive stage circuit for an electronic device according to claim 7.
【請求項9】 前記負荷電流検出部には、前記出力トラ
ンジスタと同一導電型のトランジスタが並列で対称的に
設けられ、前記電流−電圧変換部には、前記基準電圧に
直列に接続された抵抗手段が設けられ、 前記出力トランジスタと同一導電型のトランジスタのコ
レクタを流れる電流が前記基準電圧に直列に接続された
抵抗手段に入力されて前記検出電圧が得られることを特
徴とする、請求項7記載の電子装置の出力駆動段回路。
9. The load current detection unit is provided with transistors of the same conductivity type as the output transistor in parallel and symmetrically, and the current-voltage conversion unit has a resistor connected in series to the reference voltage. 8. A means is provided, and the current flowing through the collector of the transistor of the same conductivity type as the output transistor is input to the resistance means connected in series to the reference voltage to obtain the detection voltage. An output drive stage circuit of the described electronic device.
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