JP3347200B2 - Control method of semiconductor laser - Google Patents

Control method of semiconductor laser

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JP3347200B2 JP29393493A JP29393493A JP3347200B2 JP 3347200 B2 JP3347200 B2 JP 3347200B2 JP 29393493 A JP29393493 A JP 29393493A JP 29393493 A JP29393493 A JP 29393493A JP 3347200 B2 JP3347200 B2 JP 3347200B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本願発明は、工場の生産ライン等
における各種機器に使用される半導体レーザの制御方法
に関し、特に、半導体レーザの長期使用による劣化に即
応して最適な制御を行なう為の半導体レーザ制御方法に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for controlling a semiconductor laser used for various devices in a factory production line or the like, and more particularly to a method for performing optimum control in response to deterioration of a semiconductor laser due to long-term use. The present invention relates to a semiconductor laser control method.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、各種分野の工場の生産ライン等に
おいて、ロボットシステム、位置検出システム、数値制
御装置における倣い制御システム等におけるセンサ部そ
の他の用途で半導体レーザが使用されることが極めて多
くなっている。半導体レーザをそれらシステムに組み込
んで長期に亙って使用した場合には、当然のことなが
ら、素子の劣化が起ってくる。図1は、この長期使用に
よる半導体レーザ劣化の様子を駆動電流と光強度との関
係を単純化して描いたグラフである。
2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor lasers have been extremely frequently used in sensor units in robot systems, position detection systems, scanning control systems in numerical controllers, and other applications on production lines of factories in various fields. ing. When a semiconductor laser is incorporated in such a system and used for a long period of time, the element naturally deteriorates. FIG. 1 is a graph illustrating the state of deterioration of a semiconductor laser due to long-term use by simplifying the relationship between drive current and light intensity.

【0003】図1において、横軸は駆動電流I、縦軸は
出射光強度Sを表わししている。f1 〜f4 のグラフは
劣化の進行により、立ち上がり電流値がI0 から漸増
し、同じ駆動電流で得られる光強度が低下することを表
わしている。また、Id は素子の破壊を起こす電流値を
表わしており、Im は安全に使用出来る実際的な駆動電
流値の最大値を表わしている。
In FIG. 1, the horizontal axis represents the driving current I, and the vertical axis represents the emitted light intensity S. The graphs of f1 to f4 show that the rising current value gradually increases from I0 and the light intensity obtained with the same driving current decreases as the deterioration proceeds. Further, Id represents a current value that causes destruction of the element, and Im represents a maximum value of a practical drive current value that can be used safely.

【0004】半導体レーザは、実際の場面では、Im よ
りも小さな駆動電流の下で使用することが通常であり、
また、動作中に意図的に光強度を変化させることも多
い。図2は、そのような使用例としてレーザセンサによ
る段差部センシングを示したものである。
In a practical situation, a semiconductor laser is usually used under a drive current smaller than Im.
In addition, the light intensity is often intentionally changed during operation. FIG. 2 shows step difference sensing by a laser sensor as an example of such use.

【0005】図2(1)において、1はレーザで、その
出射光ビーム2は、PL1及びPL2で形成される段差
部を走査し、CCDアレイからなる光検出部3で反射光
を観測し、画像処理装置を用いて照射点軌跡が解析さ
れ、段差位置Gが計測される。このように偏向ビームを
使用するケースでは、光検出部で適正な光量を確保する
為にレーザ1から出射される光強度Sを偏向角度位置θ
乃至照射点位置に応じて変化させる必要がある。図2
(2)は、その推移を例示的に示したグラフで、出射光
強度SをS1 〜S2 の間で変化させることによって最適
な段差部のセンシングが行なわれることを表わしてい
る。
In FIG. 2A, reference numeral 1 denotes a laser, and an emitted light beam 2 scans a step formed by PL1 and PL2, and a reflected light is observed by a light detecting unit 3 composed of a CCD array. The irradiation point trajectory is analyzed using the image processing device, and the step position G is measured. In the case where the deflected beam is used as described above, the light intensity S emitted from the laser 1 is changed to the deflection angle position θ in order to secure an appropriate amount of light in the light detection unit.
It is necessary to change according to the irradiation point position. FIG.
(2) is a graph exemplarily showing the transition, and shows that the optimal step sensing is performed by changing the output light intensity S between S1 and S2.

【0006】図1には、その範囲S1 〜S2 が例示的に
併記されている。これらのことから次のことが判る。 (1)半導体レーザは、安全を損なわない駆動電流の最
大値Im より、低い条件で駆動されることが殆どであ
る。 (2)半導体レーザは、1つのアプリケーションにおけ
る動作中に短いサイクルでその光強度Sを変化させるよ
うに制御する場合が多い。 (3)その場合、図1に示したように、半導体レーザは
劣化が進むとI−S特性が変わるので、劣化に進行に応
じて駆動電流電流推移を上方にシフトする必要がある。 (4)但し、Im を越えた駆動電流は流すべきではな
い。従って、図1,図2の事例では、レーザの劣化がf
3 で表わされるような状態に至った場合には、半導体レ
ーザ素子自体を交換すべきである。
FIG. 1 exemplarily shows the ranges S1 to S2. The following can be understood from these facts. (1) In most cases, a semiconductor laser is driven under a condition lower than a maximum value Im of a drive current that does not impair safety. (2) In many cases, a semiconductor laser is controlled so as to change its light intensity S in a short cycle during operation in one application. (3) In this case, as shown in FIG. 1, as the deterioration of the semiconductor laser progresses, the I-S characteristics change. Therefore, it is necessary to shift the drive current current transition upward according to the progress of the deterioration. (4) However, a drive current exceeding Im should not flow. Therefore, in the cases of FIGS. 1 and 2, the laser deterioration is f
When the state shown by 3 is reached, the semiconductor laser device itself should be replaced.

【0007】このような諸状況に適切に対処する為に
は、半導体レーザの劣化を確実に把握し、劣化の進行程
度に即応した駆動電流の制御を行いながら、半導体レー
ザの使用限界を的確に判定する必要があるが、これまで
のところ、そのような対応を可能にする実際的な手法が
知られていない。
In order to properly cope with such situations, it is necessary to accurately grasp the deterioration of the semiconductor laser and to control the drive current in response to the degree of progress of the deterioration while accurately setting the limit of use of the semiconductor laser. There is a need to make a decision, but so far no practical approach has been known to allow such a response.

【0008】通常入手される半導体レーザ装置には、一
定位置で光強度をモニタする為の検出器(以下「モニタ
光検出器」と言う。)が付属装備されていが、上記述べ
た状況から、このモニタ光検出器の出力をそのまま監視
しても、レーザの劣化を適切にチェックすることは困難
である。また、モニタ光検出器の出力を一定に保つよう
な制御方式は、上記(2)の状況とは整合せず、適用不
可能である。
[0008] A normally available semiconductor laser device is provided with a detector for monitoring the light intensity at a fixed position (hereinafter referred to as a "monitor light detector"). Even if the output of the monitor photodetector is monitored as it is, it is difficult to properly check for laser deterioration. In addition, a control method that keeps the output of the monitor photodetector constant is inconsistent with the situation (2) and cannot be applied.

【0009】従って、従来は、半導体レーザの劣化が進
み、システムの動作が不安定になって誤動作を起こす段
階に至って初めて半導体レーザを交換したり、あるい
は、そのような事故を回避する為に、安全な駆動電流
(上記Im 以下)で使用可能な期間が残存しているにも
拘らず、無駄を覚悟して早めに半導体レーザを交換する
という事態を招いていた。
Therefore, conventionally, the semiconductor laser has been deteriorated, the operation of the system has become unstable, and a malfunction has occurred until the semiconductor laser is replaced, or in order to avoid such an accident, In spite of the fact that a usable period with a safe drive current (Im or less) still remains, a situation has been brought about in which the semiconductor laser is replaced as soon as possible in preparation for waste.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本願発明の目的は、上
記状況に適切に対応し得る半導体レーザの制御方法を提
供し、従来技術の問題点を克服することにある。即ち、
本願発明は、半導体レーザを用途上要求されている機能
を果たしつつ半導体レーザを出来るだけ長期に亙り使用
すると共に、使用限界を的確に判別することの出来る半
導体レーザの制御方法を提供することを企図するもので
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of controlling a semiconductor laser which can appropriately cope with the above situation, and to overcome the problems of the prior art. That is,
An object of the present invention is to provide a method of controlling a semiconductor laser, which can use a semiconductor laser for as long as possible while performing a function required for the purpose of use and can accurately determine a use limit. Is what you do.

【0011】[0011]

【問題点を解決するための手段】本願発明は、上記技術
課題を解決する為の基本的な構成として、「半導体レー
ザの駆動電流を制御するモードとして、劣化判定を行な
う劣化チェックモードとアプリケーションに対応した通
常モードを有し、前記劣化チェックモードによる制御時
には、最大安全駆動電流に相当する駆動電流を前記半導
体レーザに供給すると共に、モニタ光検出器の出力に基
づいて、予め定められた通常モード用の複数の制御パタ
ーンの中から1つの制御パターンを選択する半導体レー
ザの制御方法。」を提供するもであり(請求項1)、ま
た、半導体レーザの寿命到来により的確に対処する為
に、上記方法に更に、「前記劣化チェックモードによる
制御時に最大安全駆動電流に相当する駆動電流が前記半
導体レーザに供給された際のモニタ光検出器の出力が予
め定められた限界値を下回っていた場合には、前記半導
体レーザの使用限界を表わす信号を生成する」という要
件を課したものである。
Means for Solving the Problems The present invention provides a basic configuration for solving the above-mentioned technical problem, namely, a “mode for controlling the drive current of the semiconductor laser, a deterioration check mode for performing deterioration judgment, and an application. A corresponding normal mode is provided, and at the time of control in the deterioration check mode, a drive current corresponding to the maximum safe drive current is supplied to the semiconductor laser, and a predetermined normal mode is set based on the output of the monitor photodetector. A semiconductor laser control method for selecting one control pattern from a plurality of control patterns for use in a semiconductor laser device (Claim 1). The method further includes the step of: "a drive current corresponding to a maximum safe drive current is supplied to the semiconductor laser during control in the deterioration check mode. If the output of the monitor photodetector when the was below the limit value set in advance are those imposed the semiconductor laser requirement to generate a signal "representing the use limit of.

【0012】[0012]

【作用】本願発明では、半導体レーザの駆動電流を制御
するモードとして、劣化判定を行なうチェックモードと
通常モードが設定される。前者においては、最大安全電
流を流してモニタ光検出器の検出出力をチェックし、劣
化の程度を判定する。
According to the present invention, a check mode for determining deterioration and a normal mode are set as modes for controlling the drive current of the semiconductor laser. In the former, the maximum safe current is passed and the detection output of the monitor photodetector is checked to determine the degree of deterioration.

【0013】劣化が著しく半導体レーザの寿命到来と判
定した場合には、アラーム信号を生成する。劣化がそこ
まで進んでいなければ、通常モードの予め設定された制
御パターンの中から選択し、その制御パターンの下で通
常モードによって半導体レーザの駆動電流を制御する。
劣化が進行するに従って、駆動電流の増加割合を大きく
した制御を行なって、CCD検出出力を安定化させる。
When it is determined that the life of the semiconductor laser has significantly deteriorated, an alarm signal is generated. If the deterioration has not progressed to that extent, the control pattern is selected from preset control patterns in the normal mode, and the drive current of the semiconductor laser is controlled in the normal mode under the control pattern.
As the deterioration progresses, control is performed to increase the rate of increase of the drive current to stabilize the CCD detection output.

【0014】このような制御によって、半導体レーザを
用途上要求されている機能を果たしつつ出来るだけ長期
に亙り使用すると共に、使用限界を的確に判別すること
が可能となる。
By such control, the semiconductor laser can be used for as long as possible while performing the function required for the application, and the use limit can be accurately determined.

【0015】[0015]

【実施例】図3は、図2に示したような段差部検知を行
なうレーザセンサの光源としての半導体レーザ装置に本
願発明を適用する際に使用されるのレーザセンサ/画像
処理システムの構成を例示した要部ブロック図である。
システム全体はレーザセンサ制御装置10、画像処理装
置20、システム操作部30から構成されている。レー
ザセンサ制御装置10の主要部は、レーザ発振器(図示
省略)を駆動するレーザ駆動回路11、半導体レーザの
パッケージに内蔵されたモニタ光検出器12、レーザビ
ームを偏向させる為のミラー駆動処理部13及びレーザ
ビームの反射光を観測するCCDカメラ14から構成さ
れている。
FIG. 3 shows a configuration of a laser sensor / image processing system used when the present invention is applied to a semiconductor laser device as a light source of a laser sensor for detecting a step portion as shown in FIG. It is the principal part block diagram illustrated.
The entire system includes a laser sensor control device 10, an image processing device 20, and a system operation unit 30. The main parts of the laser sensor control device 10 include a laser drive circuit 11 for driving a laser oscillator (not shown), a monitor light detector 12 built in a semiconductor laser package, and a mirror drive processing unit 13 for deflecting a laser beam. And a CCD camera 14 for observing the reflected light of the laser beam.

【0016】一方、画像処理装置21は、マイクロプロ
セッサからなる演算処理装置(以下、CPUという。)
11を有し、該CPU21には、AD変換回路を含む入
出力装置(I/O)22、画像処理プロセッサ、フレー
ムメモリ等を含む画像処理部(DSP)23、レーザセ
ンサを含むシステム全体を動作させるプログラム、画像
処理用のプログラムや関連データ等を格納するROM及
びRAMから構成されたメモリ24及びキーボード、液
晶ディスプレイ等を備えたシステム操作部30がバス2
5を介して接続されている。
On the other hand, the image processing device 21 is an arithmetic processing device (hereinafter, referred to as a CPU) including a microprocessor.
The CPU 21 operates an entire system including an input / output device (I / O) 22 including an AD conversion circuit, an image processing processor, an image processing unit (DSP) 23 including a frame memory, and a laser sensor. A system operation unit 30 including a memory 24 including a ROM and a RAM for storing a program to be executed, an image processing program and related data, and a keyboard, a liquid crystal display, etc.
5 are connected.

【0017】入出力装置22には、レーザセンサ制御装
置10が接続されており、各種指令及び反射データが、
適宜内部のAD変換回路を介し、画像処理装置20との
間でやりとりされる構成となっている。
The laser sensor control device 10 is connected to the input / output device 22, and various commands and reflection data are
The configuration is such that data is exchanged with the image processing apparatus 20 via an internal AD conversion circuit as appropriate.

【0018】なお、CCDカメラの捉えた画像や画像処
理部のフレームメモリから呼び出された画像を視認する
為のTVモニタを入出力装置22を介して接続すること
もできる(図示省略)。また、入出力装置22にはロボ
ット等の外部装置(図示省略)がアプリケーションに応
じて接続される。
A TV monitor for visually recognizing the image captured by the CCD camera or the image called from the frame memory of the image processing unit can be connected via the input / output device 22 (not shown). An external device (not shown) such as a robot is connected to the input / output device 22 according to an application.

【0019】以上のシステム構成及び機能は、従来のレ
ーザセンサ/画像処理装置システムと基本的に変わると
ころはないが、本実施例では特に、図4(1),(2)
に示したテーブルデータ(数値等はあくまで例示的なも
のである。)、図5のフローチャートに記された操作と
処理を実行する為のプログラム及び関連所要データが画
像処理装置20のメモリ24に格納されている。以下、
図2に例示したアプリケーションをベースとして、特に
図4及び図5を参照しつつ、本実施例における操作及び
処理の手順について説明する。
Although the above system configuration and functions are basically the same as those of the conventional laser sensor / image processing apparatus system, in this embodiment, in particular, FIGS. 4 (1) and 4 (2)
5 are stored in the memory 24 of the image processing apparatus 20, a program for executing the operations and processes described in the flowchart of FIG. Have been. Less than,
Based on the application illustrated in FIG. 2, the operation and processing procedure in the present embodiment will be described with particular reference to FIGS. 4 and 5.

【0020】先ず、オペレータがシステム操作部30か
ら半導体レーザ2を起動する指令を送るとCPU21が
処理を開始し、安全な範囲内の最大駆動電流Im (図1
を参照)で半導体レーザ2を起動する(チェックモー
ド;ステップST1)。
First, when the operator sends a command to start the semiconductor laser 2 from the system operation unit 30, the CPU 21 starts processing, and the maximum drive current Im within a safe range (FIG. 1)
) To start the semiconductor laser 2 (check mode; step ST1).

【0021】次いで、モニタ光検出器12の出力Dm を
取り込み(ステップST2)、図1(2)のデータと照
合する(ステップST3)。
Next, the output Dm of the monitor photodetector 12 is fetched (step ST2) and collated with the data shown in FIG. 1 (2) (step ST3).

【0022】モニタ光検出器12の出力Dm が79.9
以下であれば、半導体レーザ2の交換が必要な状態まで
劣化が進行したと判断し(ステップST4)、アラーム
信号を生成(ステップS12)して処理を中止する。劣
化がそこまで進んでいなければ、図4(2)のルールに
従って通常モードの制御パターンをC1〜C4の中から
選択し(ステップST5)、その制御パターンの下で通
常モードによって半導体レーザの駆動電流を制御する
(ステップST6)。
The output Dm of the monitor photodetector 12 is 79.9.
If not, it is determined that the deterioration has progressed to a state where the semiconductor laser 2 needs to be replaced (step ST4), an alarm signal is generated (step S12), and the process is stopped. If the deterioration has not progressed to that extent, the control pattern of the normal mode is selected from C1 to C4 according to the rule of FIG. 4B (step ST5), and the semiconductor laser is driven in the normal mode under the control pattern. The current is controlled (step ST6).

【0023】段差部検出に使用される本実施例の場合、
CCD検出出力が50.0(単位は例えばmA)に維持
されるような制御が行なわれる。即ち、劣化が進行する
に従って、駆動電流の増加割合を大きくした制御が実行
される。なお、通常モードにおけるレーザ起動時の駆動
電流は適宜予め設定しておくか、あるいは、前回運転時
のデータを呼び出す方式とする。また、図4(1)及び
(2)のテーブルデータは、いかなる場合にも最大安全
駆動電流Im が流されないような関係に定められてい
る。即ち、図4(1)において、Im を越えて電流が増
加するようなケースは、ステップST4で未然に排除さ
れるようなデータ設定がなされるものとする(駆動電流
にリミットを設定し、それに到達した場合にステップS
12へ向かう処理を採用することも考えられる)。
In the case of this embodiment used for detecting a step,
Control is performed such that the CCD detection output is maintained at 50.0 (unit is, for example, mA). That is, as the deterioration progresses, the control in which the increasing rate of the driving current is increased is executed. In addition, the drive current at the time of starting the laser in the normal mode is set in advance as appropriate, or a method of calling the data at the time of the previous operation is used. The table data in FIGS. 4A and 4B are set so that the maximum safe drive current Im does not flow in any case. That is, in FIG. 4A, in the case where the current increases beyond Im, it is assumed that data is set so as to be eliminated beforehand in step ST4 (a limit is set on the drive current, and Step S if reached
It is also conceivable to adopt a process toward 12).

【0024】以後は、CCD検出出力を周期的にチェッ
クしながら、図4(1)との照合を繰り返し、半導体レ
ーザ2の光出力が図(2)に示されたような推移となる
ような制御が、処理の終了指令が出されるまで続行され
る(ステップST7〜11)。
Thereafter, while periodically checking the CCD detection output, the comparison with FIG. 4A is repeated so that the light output of the semiconductor laser 2 changes as shown in FIG. Control is continued until a processing end command is issued (steps ST7 to ST11).

【0025】以上、段差部の検出を例にとって説明した
が、他のアプリケーションにも特許請求の範囲に記載し
た技術思想を適用して、アプリケーションに応じたパタ
ーン教示が実行出来ることは明らかであろう。
Although the detection of the step has been described as an example, it will be apparent that the technical idea described in the claims can be applied to other applications to perform pattern teaching according to the application. .

【0026】また、チェックモードの起動は、上記処理
とは別にシステム操作部30からの指令入力によて、随
時実行出来るようにすることが好ましい。
It is preferable that the activation of the check mode can be executed at any time by a command input from the system operation unit 30 separately from the above processing.

【0027】[0027]

【発明の効果】本願発明によれば、半導体レーザの劣化
が進みシステムの動作が不安定になって誤動作を起こす
段階に至る前に半導体レーザの寿命を的確に判定するこ
とが出来るから、半導体レーザを組み込んだシステムの
信頼性を向上させると共に、オペレータの保守負担を軽
減させる。また、本願発明は、用途上要求されている機
能を果たしつつ半導体レーザを出来るだけ長期に亙り使
用することを可能にしたので、経済的にも大きな利点を
与えるものである。
According to the present invention, the life of a semiconductor laser can be accurately determined before the semiconductor laser deteriorates and the operation of the system becomes unstable and a malfunction occurs. In addition to improving the reliability of the system incorporating the, the maintenance burden on the operator is reduced. Further, the present invention provides a great economical advantage, since the semiconductor laser can be used for as long as possible while performing the function required for the application.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】長期使用による半導体レーザ劣化の様子を駆動
電流と光強度との関係を単純化して描いたグラフであ
る。
FIG. 1 is a graph illustrating a state of deterioration of a semiconductor laser due to long-term use in which a relationship between a driving current and light intensity is simplified.

【図2】(1)は、半導体レーザを用いたレーザセンサ
による段差部センシングの配置を示した図であり、
(2)は、センシング時の半導体レーザの光強度推移を
例示的に示したグラフである。
FIG. 2A is a diagram illustrating an arrangement of sensing a step portion by a laser sensor using a semiconductor laser;
(2) is a graph exemplarily showing the light intensity transition of the semiconductor laser at the time of sensing.

【図3】図2に示したような段差部検知を行なうレーザ
センサの光源としての半導体レーザ装置に本願発明を適
用する際に使用されるのレーザセンサ/画像処理システ
ムの構成を例示した要部ブロック図である。
FIG. 3 is a main part illustrating a configuration of a laser sensor / image processing system used when applying the present invention to a semiconductor laser device as a light source of a laser sensor that performs step detection as shown in FIG. 2; It is a block diagram.

【図4】(1)は、通常モード時の制御パターンの内容
を規定したテーブルデータであり、(2)は、チェック
モード時の制御パターンの選択ルールを規定したテーブ
ルデータである。
FIG. 4A is table data defining the contents of a control pattern in a normal mode, and FIG. 4B is table data defining rules for selecting a control pattern in a check mode.

【図5】本実施例における画像処理装置のCPU処理の
概要を記したフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart illustrating an outline of a CPU process of the image processing apparatus according to the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ 2 レーザビーム 3,14 CCDカメラ 10 レーザセンサ制御装置 11 レーザ駆動回路 12 モニタ光検出器 13 ミラー駆動処理部 20 画像処理装置 21 マイクロプロセッサ(CPU) 22 入出力装置 23 画像処理部 24 メモリ 25 バス 30 システム操作部 G 段差部位置 PL1,PL2 対象物面 Reference Signs List 1 semiconductor laser 2 laser beam 3, 14 CCD camera 10 laser sensor control device 11 laser drive circuit 12 monitor light detector 13 mirror drive processing unit 20 image processing device 21 microprocessor (CPU) 22 input / output device 23 image processing unit 24 memory 25 Bus 30 System operation part G Step part position PL1, PL2 Object surface

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−267769(JP,A) 特開 昭63−142877(JP,A) 実開 昭58−94140(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 5/00 - 5/50 G01B 11/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-5-267769 (JP, A) JP-A-63-142877 (JP, A) JP-A-58-94140 (JP, U) (58) Investigation Field (Int.Cl. 7 , DB name) H01S 5/00-5/50 G01B 11/00

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体レーザの駆動電流を制御するモー
ドとして、劣化判定を行なう劣化チェックモードとアプ
リケーションに対応した通常モードを有し、前記劣化チ
ェックモードによる制御時には、最大安全駆動電流に相
当する駆動電流を前記半導体レーザに供給すると共に、
モニタ光検出器の出力に基づいて、予め定められた通常
モード用の複数の制御パターンの中から1つの制御パタ
ーンを選択する半導体レーザの制御方法。
1. A mode for controlling a drive current of a semiconductor laser includes a deterioration check mode for performing deterioration determination and a normal mode corresponding to an application. In the control in the deterioration check mode, a drive corresponding to a maximum safe drive current is provided. Supplying current to the semiconductor laser;
A semiconductor laser control method for selecting one control pattern from a plurality of predetermined normal mode control patterns based on an output of a monitor photodetector.
【請求項2】 前記劣化チェックモードによる制御時に
最大安全駆動電流に相当する駆動電流が前記半導体レー
ザに供給された際のモニタ光検出器の出力が予め定めら
れた限界値を下回っていた場合には、前記半導体レーザ
の使用限界を表わす信号を生成することを特徴とする請
求項1に記載された半導体レーザの制御方法。
2. When the output of a monitor photodetector when a drive current corresponding to a maximum safe drive current is supplied to the semiconductor laser during control in the deterioration check mode is less than a predetermined limit value. 2. The method according to claim 1, wherein the generating step generates a signal indicating a use limit of the semiconductor laser.
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