JP3335982B2 - 磁場測定方法および磁場測定器 - Google Patents
磁場測定方法および磁場測定器Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、広範囲の低磁場を
精密に測定することのできる磁場測定方法、およびこの
方法を実施するための磁場測定器に関する。
精密に測定することのできる磁場測定方法、およびこの
方法を実施するための磁場測定器に関する。
【０００２】
【従来の技術】１０ｍＴ以下の低磁場領域における精密
な磁場測定技術は、核磁気共鳴画像診断装置の磁場勾配
コイルや高精度ＣＲＴの開発、製造、検査などにおいて
欠かせないものである。
な磁場測定技術は、核磁気共鳴画像診断装置の磁場勾配
コイルや高精度ＣＲＴの開発、製造、検査などにおいて
欠かせないものである。
【０００３】このような目的のため、従来から、電子ス
ピン共鳴（ＥＳＲ）を利用した磁場測定器が提供されて
いる（例えばエコー電子製のＥＦＭ−３０ＡＸ）。ＥＳ
Ｒ法は、静磁場下におかれた常磁性種の電子スピンによ
る電磁波の吸収を観測する分光学の一つである。この装
置は、ＥＳＲという共鳴現象を応用しているので、温度
の影響をほとんど受けないという利点がある。しかし、
単一のプローブにより計測可能な領域は狭く、例えば１
〜１０ｍＴの領域であれば５つのプローブが必要とされ
る。また、変調方式に磁場変調を用いているため、プロ
ーブ自体が交流磁場を発生してしまい、高精度な計測
（測定精度±０．１μＴ）には限界がある。
ピン共鳴（ＥＳＲ）を利用した磁場測定器が提供されて
いる（例えばエコー電子製のＥＦＭ−３０ＡＸ）。ＥＳ
Ｒ法は、静磁場下におかれた常磁性種の電子スピンによ
る電磁波の吸収を観測する分光学の一つである。この装
置は、ＥＳＲという共鳴現象を応用しているので、温度
の影響をほとんど受けないという利点がある。しかし、
単一のプローブにより計測可能な領域は狭く、例えば１
〜１０ｍＴの領域であれば５つのプローブが必要とされ
る。また、変調方式に磁場変調を用いているため、プロ
ーブ自体が交流磁場を発生してしまい、高精度な計測
（測定精度±０．１μＴ）には限界がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような従
来技術の問題点を解決することを課題とした。すなわ
ち、広範囲の低磁場強度を精密に測定することができる
方法、および単一のプローブを用いてその方法を実施す
ることができる装置を提供することを目的とした。
来技術の問題点を解決することを課題とした。すなわ
ち、広範囲の低磁場強度を精密に測定することができる
方法、および単一のプローブを用いてその方法を実施す
ることができる装置を提供することを目的とした。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成すべく鋭意研究を重ねた結果、縦検出ＥＳＲ（ＬＯＤ
ＥＳＲ）を用いることにより、広範囲の低磁場を精密に
測定することのできることを見出した。本発明はこの知
見を基に完成されたものである。
成すべく鋭意研究を重ねた結果、縦検出ＥＳＲ（ＬＯＤ
ＥＳＲ）を用いることにより、広範囲の低磁場を精密に
測定することのできることを見出した。本発明はこの知
見を基に完成されたものである。
【０００６】すなわち本発明は、磁気共鳴により生じる
磁束の変化のうち、静磁場に平行な方向の磁束の変化を
検出する工程を含むことを特徴とする磁場測定方法を提
供するものである。より具体的には、常磁性種に、周波
数を掃引しながら電磁波を照射し、これにより生じる磁
束の変化のうち、静磁場に平行な方向の磁束の変化を検
出することにより磁気共鳴周波数を決定し、該周波数よ
り静磁場の絶対値を求める工程を含むことが好ましい。
また、本発明では、電磁波として低周波マイクロ波乃至
ラジオ波を用いることが好ましい。また、本発明は、常
磁性種、該常磁性種に電磁波を照射する手段、静磁場に
平行な方向の磁束の変化を検出する手段を少なくとも備
えており、上記磁場測定方法を実施するための磁場測定
器も提供する。
磁束の変化のうち、静磁場に平行な方向の磁束の変化を
検出する工程を含むことを特徴とする磁場測定方法を提
供するものである。より具体的には、常磁性種に、周波
数を掃引しながら電磁波を照射し、これにより生じる磁
束の変化のうち、静磁場に平行な方向の磁束の変化を検
出することにより磁気共鳴周波数を決定し、該周波数よ
り静磁場の絶対値を求める工程を含むことが好ましい。
また、本発明では、電磁波として低周波マイクロ波乃至
ラジオ波を用いることが好ましい。また、本発明は、常
磁性種、該常磁性種に電磁波を照射する手段、静磁場に
平行な方向の磁束の変化を検出する手段を少なくとも備
えており、上記磁場測定方法を実施するための磁場測定
器も提供する。
【０００７】
【発明の実施の態様】以下において、本発明の方法およ
び装置について具体的に説明するが、本発明の範囲は以
下の記載する例に限定されることはない。本発明の方法
は、磁気共鳴下で生じる縦方向（ｚ−軸、つまり静磁場
に平行な方向）の磁束の変化を検出する工程を含む点に
特徴がある。このような特徴を有するＬＯＤＥＳＲ法は
磁気共鳴条件下で照射電磁波に変調を施し、そのことに
より生ずる、電子スピンの反転による縦方向の磁束の変
化を変調周波数でロックイン検出することにより、電子
スピンを観測する計測方法である。本発明では、常磁性
種に、照射コイルを用いて電磁波を周波数を掃引しなが
ら照射し、かつ、電磁波の振幅または位相変調を行い、
これにより生じる磁束の変化を検出することにより、磁
気共鳴周波数を決定し、この周波数より静磁場の絶対値
を求めることが好ましい。照射コイルおよび検出部は、
いずれも磁気共鳴周波数にその特性は依存しないため、
広範囲における計測が可能となる。また、電磁波の振幅
または位相変調を用いるため、検出部自体が磁界を発生
しないので、高精度計測が可能である。
び装置について具体的に説明するが、本発明の範囲は以
下の記載する例に限定されることはない。本発明の方法
は、磁気共鳴下で生じる縦方向（ｚ−軸、つまり静磁場
に平行な方向）の磁束の変化を検出する工程を含む点に
特徴がある。このような特徴を有するＬＯＤＥＳＲ法は
磁気共鳴条件下で照射電磁波に変調を施し、そのことに
より生ずる、電子スピンの反転による縦方向の磁束の変
化を変調周波数でロックイン検出することにより、電子
スピンを観測する計測方法である。本発明では、常磁性
種に、照射コイルを用いて電磁波を周波数を掃引しなが
ら照射し、かつ、電磁波の振幅または位相変調を行い、
これにより生じる磁束の変化を検出することにより、磁
気共鳴周波数を決定し、この周波数より静磁場の絶対値
を求めることが好ましい。照射コイルおよび検出部は、
いずれも磁気共鳴周波数にその特性は依存しないため、
広範囲における計測が可能となる。また、電磁波の振幅
または位相変調を用いるため、検出部自体が磁界を発生
しないので、高精度計測が可能である。
【０００８】本発明で提供される装置は、常磁性種、該
常磁性種に電磁波を照射する手段、縦方向の磁束の変化
を検出する手段を少なくとも備えている。本発明の好ま
しい態様では、磁場測定器は、常磁性種、該常磁性種に
電磁波を照射するための照射コイル、電磁波の信号源、
電磁波変調回路、電磁波変調により生じる磁束変化を検
出する検出部、検出された信号に含まれる変調成分をロ
ックイン検出するための、ロックイン増幅器より構成さ
れる。
常磁性種に電磁波を照射する手段、縦方向の磁束の変化
を検出する手段を少なくとも備えている。本発明の好ま
しい態様では、磁場測定器は、常磁性種、該常磁性種に
電磁波を照射するための照射コイル、電磁波の信号源、
電磁波変調回路、電磁波変調により生じる磁束変化を検
出する検出部、検出された信号に含まれる変調成分をロ
ックイン検出するための、ロックイン増幅器より構成さ
れる。
【０００９】本発明で用いられる常磁性種には、いかな
るものを用いてもよいが、装置の感度、精度を上げるた
めには、電子スピン濃度を高濃度にできるもの、そし
て、スペクトル線幅の狭いものが望ましい。例えば、
１，１−ジフェニル−２−ピクリルヒドラジル（ＤＰＰ
Ｈ）、フタルシアニンモノリチウムなどが好適である。
るものを用いてもよいが、装置の感度、精度を上げるた
めには、電子スピン濃度を高濃度にできるもの、そし
て、スペクトル線幅の狭いものが望ましい。例えば、
１，１−ジフェニル−２−ピクリルヒドラジル（ＤＰＰ
Ｈ）、フタルシアニンモノリチウムなどが好適である。
【００１０】常磁性種に電磁波を照射する手段は、照射
コイルであることが好ましい。照射コイルの形状は、使
用する周波数帯域の波長より十分に径が小さいことが必
要である。また、周波数特性を平坦にするためには、巻
数は少ないほどよい。部材は磁性を有しない導体であれ
ばよく、例えば銀、銅、アルミニウムなどがあげられ
る。
コイルであることが好ましい。照射コイルの形状は、使
用する周波数帯域の波長より十分に径が小さいことが必
要である。また、周波数特性を平坦にするためには、巻
数は少ないほどよい。部材は磁性を有しない導体であれ
ばよく、例えば銀、銅、アルミニウムなどがあげられ
る。
【００１１】信号源は周波数と振幅が安定な電磁波を発
生させ、かつ周波数掃引ができれば、いかなるものを用
いてもよい。例えば、シンセサイズド信号発生器などが
一般的であるが、電圧制御発振器なども適宜使用可能で
ある。
生させ、かつ周波数掃引ができれば、いかなるものを用
いてもよい。例えば、シンセサイズド信号発生器などが
一般的であるが、電圧制御発振器なども適宜使用可能で
ある。
【００１２】照射電磁波の周波数に特に制約は設けない
が、照射コイルの形状などの条件より、１ＧＨｚ以下の
低周波マイクロ波〜ラジオ波が望ましい。使用する周波
数帯域と使用する常磁性種によって、測定可能な磁場強
度が決定される。照射電磁波周波数が１ＧＨｚ以下で、
ｇ値が約２の常磁性種を用いた場合、測定可能な磁場強
度は３５ｍＴ以下となる。
が、照射コイルの形状などの条件より、１ＧＨｚ以下の
低周波マイクロ波〜ラジオ波が望ましい。使用する周波
数帯域と使用する常磁性種によって、測定可能な磁場強
度が決定される。照射電磁波周波数が１ＧＨｚ以下で、
ｇ値が約２の常磁性種を用いた場合、測定可能な磁場強
度は３５ｍＴ以下となる。
【００１３】電磁波の変調方式には、振幅変調、位相変
調などが挙げられ適宜選択可能である。またそれぞれの
変調方式に応じた変調回路は、いずれも当業者に公知な
ものである。
調などが挙げられ適宜選択可能である。またそれぞれの
変調方式に応じた変調回路は、いずれも当業者に公知な
ものである。
【００１４】磁束変化の検出手法には、スクイッドや検
出コイルを用いる手法などがある。スクイッドは高感度
であるが、大変高価であり、また、静磁場強度が大きい
と飽和しやすいという欠点がある。検出コイル方式は、
スクイッドより感度は劣るものの、安価で構築すること
が可能であり、広い範囲の磁場強度を測定することが可
能である。検出コイルの部材および形状については、い
ずれも当業者に公知であり適宜選択可能である。例え
ば、部材は磁性を有しない導体であればよく、例えば
銀、銅などが挙げられる。ただし、銅の場合、銅そのも
ののＬＯＤＥＳＲ信号を検出しないように、表面にすず
鍍金処理などが必要となる。形状については、ソレノイ
ド型、ヘルムホルツ型、鞍型などがあげられる。検出コ
イルで検出された信号は、前置増幅器によって増幅する
必要があるが、装置感度を上げるためには、検出コイル
と前置増幅器との間のインピーダンスを整合する回路を
接続することが望ましい。
出コイルを用いる手法などがある。スクイッドは高感度
であるが、大変高価であり、また、静磁場強度が大きい
と飽和しやすいという欠点がある。検出コイル方式は、
スクイッドより感度は劣るものの、安価で構築すること
が可能であり、広い範囲の磁場強度を測定することが可
能である。検出コイルの部材および形状については、い
ずれも当業者に公知であり適宜選択可能である。例え
ば、部材は磁性を有しない導体であればよく、例えば
銀、銅などが挙げられる。ただし、銅の場合、銅そのも
ののＬＯＤＥＳＲ信号を検出しないように、表面にすず
鍍金処理などが必要となる。形状については、ソレノイ
ド型、ヘルムホルツ型、鞍型などがあげられる。検出コ
イルで検出された信号は、前置増幅器によって増幅する
必要があるが、装置感度を上げるためには、検出コイル
と前置増幅器との間のインピーダンスを整合する回路を
接続することが望ましい。
【００１５】検出部で検出された信号はロックイン増幅
器によって、変調成分がＬＯＤＥＳＲ信号として観測さ
れる。この際、周波数掃引が行われているので、ＬＯＤ
ＥＳＲ信号強度は、共鳴条件が満たされた周波数で最大
値となる。この周波数を読み取り、この周波数と使用し
た常磁性種固有のｇ値から、磁場強度が算出される。
器によって、変調成分がＬＯＤＥＳＲ信号として観測さ
れる。この際、周波数掃引が行われているので、ＬＯＤ
ＥＳＲ信号強度は、共鳴条件が満たされた周波数で最大
値となる。この周波数を読み取り、この周波数と使用し
た常磁性種固有のｇ値から、磁場強度が算出される。
【００１６】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、
処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限
り適宜変更することができる。したがって、本発明の範
囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。
に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、
処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限
り適宜変更することができる。したがって、本発明の範
囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。
【００１７】（１）磁場測定器の作成 図１に、本実施例で作成・使用した磁場測定器のブロッ
クダイアグラムを示す。常磁性種１にはＤＰＰＨを用い
た。直径１ｍｍの銅線を用いて、外径８ｍｍの一回巻コ
イルを作成し、常磁性種に電磁波を照射するための照射
コイル２として用いた。この照射コイル２の内部に３０
ｍｇのＤＰＰＨを配置した。信号源３にはシンセサイズ
ド信号発生器（アンリツ、ＭＧ３６３３Ａ）を用いた。
電磁波変調方式には振幅変調のひとつであるオンオフ変
調を採用し、その変調にはピンスイッチ４（ミニサーキ
ット、ＺＹＳＷＡ）を用いた。信号源３より発生した電
磁波は、関数発生器５によって制御されるピンスイッチ
４によって変調された後、電力増幅器６（Ｒ＆Ｋ、Ａ１
０００−１Ｓ−Ｍ）にて増幅され、照射コイル２に給電
される。変調周波数は１．３ＭＨｚとした。
クダイアグラムを示す。常磁性種１にはＤＰＰＨを用い
た。直径１ｍｍの銅線を用いて、外径８ｍｍの一回巻コ
イルを作成し、常磁性種に電磁波を照射するための照射
コイル２として用いた。この照射コイル２の内部に３０
ｍｇのＤＰＰＨを配置した。信号源３にはシンセサイズ
ド信号発生器（アンリツ、ＭＧ３６３３Ａ）を用いた。
電磁波変調方式には振幅変調のひとつであるオンオフ変
調を採用し、その変調にはピンスイッチ４（ミニサーキ
ット、ＺＹＳＷＡ）を用いた。信号源３より発生した電
磁波は、関数発生器５によって制御されるピンスイッチ
４によって変調された後、電力増幅器６（Ｒ＆Ｋ、Ａ１
０００−１Ｓ−Ｍ）にて増幅され、照射コイル２に給電
される。変調周波数は１．３ＭＨｚとした。
【００１８】検出コイル７には、一対の鞍型検出コイル
を用いた。これは外径３０ｍｍ、内径２０ｍｍの円形ス
パイラル鞍型コイルであり、直径０．３ｍｍのすず鍍金
処理した銅線を１５巻したものである。これを外径３５
ｍｍの石英管表面に張り付けて鞍型にした。この検出コ
イル７は常磁性種１および照射コイル２の外側に設置し
た。
を用いた。これは外径３０ｍｍ、内径２０ｍｍの円形ス
パイラル鞍型コイルであり、直径０．３ｍｍのすず鍍金
処理した銅線を１５巻したものである。これを外径３５
ｍｍの石英管表面に張り付けて鞍型にした。この検出コ
イル７は常磁性種１および照射コイル２の外側に設置し
た。
【００１９】ｚ−軸の磁束の変化により一対の検出コイ
ル７に誘起された信号は、低域通過フィルタ８（ミニサ
ーキット、ＳＬＰ−５）で変調電磁波を取り除いた後、
２台の前置増幅器９（ＮＦ、ＳＡ−２３０Ｆ５）で増幅
し、差分を差動増幅器１０（ＮＦ、５３０３）で差動増
幅し、ロックイン増幅器１１（ＰＡＲＣ、５２０２）に
より変調周波数でＬＯＤＥＳＲ信号としてロックイン検
出されるようにした。
ル７に誘起された信号は、低域通過フィルタ８（ミニサ
ーキット、ＳＬＰ−５）で変調電磁波を取り除いた後、
２台の前置増幅器９（ＮＦ、ＳＡ−２３０Ｆ５）で増幅
し、差分を差動増幅器１０（ＮＦ、５３０３）で差動増
幅し、ロックイン増幅器１１（ＰＡＲＣ、５２０２）に
より変調周波数でＬＯＤＥＳＲ信号としてロックイン検
出されるようにした。
【００２０】（２）磁場測定 磁場測定器の照射コイル、常磁性種、および検出コイル
を静磁場内に入れ、静磁場強度を計測した。静磁場の発
生にはヘルムホルツ型電磁石（ＲＥ−３ＸＬ、日本電
子）を用いた。電磁石の静磁場強度はガウスメータ（Ｍ
Ｌ−IVマグネットラボ）を用いて測定した。ガウスメー
タの精度は±１．５％である。計測条件は以下のとお
り。掃引開始周波数，１０ＭＨｚ；掃引終了周波数，３
００ＭＨｚ；掃引時間，３０秒；変調周波数，１．３Ｍ
Ｈｚ；照射電力，３００ＭＨｚで０．４Ｗ。
を静磁場内に入れ、静磁場強度を計測した。静磁場の発
生にはヘルムホルツ型電磁石（ＲＥ−３ＸＬ、日本電
子）を用いた。電磁石の静磁場強度はガウスメータ（Ｍ
Ｌ−IVマグネットラボ）を用いて測定した。ガウスメー
タの精度は±１．５％である。計測条件は以下のとお
り。掃引開始周波数，１０ＭＨｚ；掃引終了周波数，３
００ＭＨｚ；掃引時間，３０秒；変調周波数，１．３Ｍ
Ｈｚ；照射電力，３００ＭＨｚで０．４Ｗ。
【００２１】静磁場強度をそれぞれ表１の（ａ）〜
（ｅ）に記載されるとおりに設定してＬＯＤＥＳＲ信号
を測定した結果を図２に示す。ＬＯＤＥＳＲ信号のピー
クとなる周波数を読み取った結果を表１に示す。
（ｅ）に記載されるとおりに設定してＬＯＤＥＳＲ信号
を測定した結果を図２に示す。ＬＯＤＥＳＲ信号のピー
クとなる周波数を読み取った結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】ＬＯＤＥＳＲ信号のピークが出現する共鳴
条件は理論的には以下の式で表される。
条件は理論的には以下の式で表される。
【数１】ｈν＝ｇβＨ 上式において、ｈはプランク定数、νは電磁波の周波
数、ｇは物質固有の値であり、βはボーア磁子とよばれ
る定数であり、Ｈは磁場強度である。従ってこの式を使
って、読み取った周波数から磁場強度を算出することが
できる。
数、ｇは物質固有の値であり、βはボーア磁子とよばれ
る定数であり、Ｈは磁場強度である。従ってこの式を使
って、読み取った周波数から磁場強度を算出することが
できる。
【００２４】上式を用いて求めた磁場強度は表１に示す
とおりである。この値はガウスメータによる観測値と±
１．５％以内で一致した。このように本発明の方法およ
び装置を用いれば、単一の装置で１０ｍＴ以下の広範囲
の領域の磁場強度を計測することが可能である。
とおりである。この値はガウスメータによる観測値と±
１．５％以内で一致した。このように本発明の方法およ
び装置を用いれば、単一の装置で１０ｍＴ以下の広範囲
の領域の磁場強度を計測することが可能である。
【００２５】さらに、前述の（ｄ）の静磁場条件下で、
掃引幅を４ＭＨｚに変更して計測を行い、ピーク付近の
スペクトル（バンド幅、１ＭＨｚ）を最小自乗法で２次
式近似して、正確なピーク周波数を求めた。この手法を
用いて算出した磁場強度の誤差は、５回の連続測定にお
いて±０．０１７μＴであった。このように本発明の方
法および装置は極めて高精度であることが示された。し
たがって、表１に示したガウスメータによる測定値とＬ
ＯＤＥＳＲ信号のピーク周波数から求めた静磁場強度と
の差異は、ガウスメータの精度（±１．５％）に起因す
るものと考えられる。
掃引幅を４ＭＨｚに変更して計測を行い、ピーク付近の
スペクトル（バンド幅、１ＭＨｚ）を最小自乗法で２次
式近似して、正確なピーク周波数を求めた。この手法を
用いて算出した磁場強度の誤差は、５回の連続測定にお
いて±０．０１７μＴであった。このように本発明の方
法および装置は極めて高精度であることが示された。し
たがって、表１に示したガウスメータによる測定値とＬ
ＯＤＥＳＲ信号のピーク周波数から求めた静磁場強度と
の差異は、ガウスメータの精度（±１．５％）に起因す
るものと考えられる。
【００２６】
【発明の効果】本発明の方法および装置を用いることに
より、広範囲の低磁場を簡便にかつ精密に測定可能とな
る。したがって、本発明は、核磁気共鳴画像診断装置の
磁場勾配コイルの開発、製造、検査などの磁場計測場面
で極めて有用である。
より、広範囲の低磁場を簡便にかつ精密に測定可能とな
る。したがって、本発明は、核磁気共鳴画像診断装置の
磁場勾配コイルの開発、製造、検査などの磁場計測場面
で極めて有用である。
【図１】 本発明の実施例における装置構成を示した図
である。
である。
【図２】 本発明の実施例における測定結果を示し、種
々の静磁場下において得られた信号を示す図である。
々の静磁場下において得られた信号を示す図である。
１ 常磁性種 ２ 照射コイル ３ 信号源 ４ ピンスイッチ ５ 関数発生器 ６ 電力増幅器 ７ 検出コイル ８ 低域通過フィルタ ９ 前置増幅器 １０ 差動増幅器 １１ ロックイン増幅器 １２ 信号出力
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 33/20 - 33/64 G01N 24/00 - 24/14
Claims (4)
- 【請求項１】 磁気共鳴により生じる磁束の変化のう
ち、静磁場に平行な方向の磁束の変化を検出する工程を
含むことを特徴とする磁場測定方法。 - 【請求項２】 常磁性種に、周波数を掃引しながら電磁
波を照射し、これにより生じる磁束の変化のうち、静磁
場に平行な方向の磁束の変化を検出することにより磁気
共鳴周波数を決定し、該周波数より静磁場の絶対値を求
める工程を含むことを特徴とする請求項１の磁場測定方
法。 - 【請求項３】 前記電磁波として低周波マイクロ波乃至
ラジオ波を用いる請求項２の磁場測定方法。 - 【請求項４】 常磁性種、該常磁性種に電磁波を照射す
る手段、静磁場に平行な方向の磁束の変化を検出する手
段を少なくとも備えている、請求項１〜３のいずれかの
方法を実施するための磁場測定器。
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2000
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