JP3330099B2 - Piezoelectric oscillator - Google Patents

Piezoelectric oscillator

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JP3330099B2
JP3330099B2 JP05026499A JP5026499A JP3330099B2 JP 3330099 B2 JP3330099 B2 JP 3330099B2 JP 05026499 A JP05026499 A JP 05026499A JP 5026499 A JP5026499 A JP 5026499A JP 3330099 B2 JP3330099 B2 JP 3330099B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電基板の長方形
状両主面の中央部に形成された一対の対向する振動電極
と、該振動電極に電気的に接続され、前記圧電基板の長
手方向の対向する側面方向にそれぞれ引き出された引出
電極とを具備するとともに、一対の対向する振動電極に
より挟持された振動部にエネルギーが閉じ込められる圧
電発振子に関するものであり、例えば、レゾネータやフ
ィルターなどに適用されるエネルギー閉じ込め型圧電発
振子に関するものである。
The present invention relates to a pair of opposing vibration electrodes formed at the center of both main surfaces of a rectangular shape of a piezoelectric substrate, and electrically connected to the vibration electrodes, in a longitudinal direction of the piezoelectric substrate. And with a drawing electrode that is drawn out in the opposite side direction, and relates to a piezoelectric oscillator in which energy is confined in a vibrating portion sandwiched between a pair of facing vibrating electrodes, such as a resonator or a filter. The present invention relates to an applied energy trap type piezoelectric oscillator.

【0002】[0002]

【従来技術】従来から、レゾネータやフィルターに利用
されているエネルギー閉じ込め型圧電発振子は、数MH
zから数十MHzの周波数帯域で使用される。
2. Description of the Related Art Conventionally, an energy trap type piezoelectric oscillator used for a resonator or a filter has a frequency of several MHz.
Used in the frequency band from z to several tens of MHz.

【0003】例えば、レゾネータなどに利用される厚み
縦振動の3次オーバートーンモードを利用したエネルギ
ー閉じ込め型圧電発振子は、一枚の厚み方向に分極され
た圧電基板の一部に振動電極を設けた構造をしており、
分極方向と同じ方向に交流電界を印加して、厚さ方向へ
の振動を利用している。
For example, an energy trap type piezoelectric oscillator using a third overtone mode of thickness longitudinal vibration used for a resonator or the like is provided with a vibrating electrode on a part of one piezoelectric substrate polarized in the thickness direction. Has a structure
An alternating electric field is applied in the same direction as the polarization direction to utilize vibration in the thickness direction.

【0004】つまり、従来においては、厚み縦振動のエ
ネルギー閉じ込め型圧電発振子は一枚の圧電基板の対向
する面の一部にそれぞれ振動電極を形成し、一対の対向
する振動電極に挟持された振動部と、それ以外の非振動
部とを形成していた。
In other words, in the prior art, a thickness-longitudinal-vibration energy-trapping type piezoelectric oscillator has vibrating electrodes formed on a part of the opposing surface of a single piezoelectric substrate, and is sandwiched between a pair of opposing vibrating electrodes. A vibrating part and other non-vibrating parts were formed.

【0005】このような圧電発振子は、一対の振動電極
に交流電界を印加して励振させた振動を、この振動電極
間の振動部において閉じ込めることになる。
[0005] In such a piezoelectric oscillator, the vibration excited by applying an AC electric field to a pair of vibrating electrodes is confined in a vibrating portion between the vibrating electrodes.

【0006】圧電発振子をマイコンの基準信号発振子用
のレゾネータとする場合、例えばコルピッツ型発振回路
に組み込まれて利用される。図5はコルピッツ型発振回
路を示すもので、このコルピッツ型発振回路はコンデン
サ11、12と抵抗13とインバータ14、及び発振子
15により構成されている。そして、コルピッツ型発振
回路において、発振信号を発生するには、ループゲイン
と移相量との関係において以下の発振条件を満足する必
要がある。
When a piezoelectric oscillator is used as a resonator for a reference signal oscillator of a microcomputer, it is used by being incorporated in, for example, a Colpitts oscillation circuit. FIG. 5 shows a Colpitts-type oscillation circuit. The Colpitts-type oscillation circuit includes capacitors 11, 12, a resistor 13, an inverter 14, and an oscillator 15. Then, in order to generate an oscillation signal in the Colpitts oscillation circuit, it is necessary to satisfy the following oscillation conditions in relation to the loop gain and the phase shift amount.

【0007】インバータ14と抵抗13からなる増幅器
における増幅率をα、移相量をθ1とし、また、発振子
15とコンデンサ11、12からなる帰還回路における
帰還率をβ、移相量をθ2 としたとき、ループゲインが
α×β≧1であり、かつ移相量がθ1 +θ2 =360度
×n(但しn=1、2、3…)であることが必要とな
る。
The amplification factor of the amplifier consisting of the inverter 14 and the resistor 13 is α and the phase shift amount is θ 1. The feedback ratio of the feedback circuit consisting of the oscillator 15 and the capacitors 11 and 12 is β, and the phase shift amount is θ. When 2 , the loop gain needs to be α × β ≧ 1, and the phase shift amount needs to be θ 1 + θ 2 = 360 degrees × n (where n = 1, 2, 3,...).

【0008】移相量の条件を満足させるためには、共振
周波数Frと反共振周波数Faの間及びその近傍にスプ
リアス発生に伴う移相歪みが無いことが重要となる。
In order to satisfy the condition of the amount of phase shift, it is important that there is no phase shift distortion due to spurious generation between and near the resonance frequency Fr and the antiresonance frequency Fa.

【0009】さらに、コルピッツ型発振回路において、
安定した発振を得るためにはループゲインを大きくしな
ければならない。そのため、帰還率βのゲインを決定す
る、発振子のP/V値、すなわち共振インピーダンスR
o及び反共振インピーダンスRaの差を大きくすること
が必要であり、共振周波数Fr及び反共振周波数Fa近
傍にスプリアスが重畳し、P/V値が小さくならないこ
とが重要となる。
Further, in the Colpitts type oscillation circuit,
To obtain stable oscillation, the loop gain must be increased. Therefore, the P / V value of the oscillator that determines the gain of the feedback ratio β, that is, the resonance impedance R
It is necessary to increase the difference between o and the anti-resonance impedance Ra, and it is important that spurious is superimposed near the resonance frequency Fr and the anti-resonance frequency Fa, and the P / V value does not decrease.

【0010】スプリアスを低減する方法として、特開平
8−148967号公報には、セラミックス、ガラス及
び金属から選ばれた少なくとも1つの粉末粒子を含有し
た有機高分子を圧電共振子に塗布する方法が開示されて
いる。
As a method for reducing spurious, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-148767 discloses a method in which an organic polymer containing at least one powder particle selected from ceramics, glass and metal is applied to a piezoelectric resonator. Have been.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
エネルギー閉じ込め型圧電発振子において、部品への小
型化要求に応えて圧電基板の形状寸法を小さくしていく
と、圧電基板の形状や電極形状に起因した、温度変化に
よって移動しないスプリアスが発生しやすくなるととも
に、圧電基板の一対の振動電極に交流電界を印加して励
振した振動が非振動部に伝搬し、振動が減衰することな
く基板端面に到達しやすくなるため振動の端面反射がお
こり、温度変化とともに大きく移動するスプリアスを誘
発するという問題があった。
However, in the conventional energy trap type piezoelectric oscillator, when the shape and size of the piezoelectric substrate are reduced in response to the demand for miniaturization of components, the shape of the piezoelectric substrate and the shape of the electrodes are reduced. Due to the temperature change, spurs that do not move due to temperature change are likely to occur, and the vibration excited by applying an AC electric field to a pair of vibrating electrodes of the piezoelectric substrate propagates to the non-vibrating part, and the vibration is not attenuated on the substrate end face. There is a problem that the end surface of the vibration is reflected because it is easy to reach, and spurs which largely move with the temperature change are induced.

【0012】例えば、厚み縦振動の3次オーバートーン
モードのエネルギー閉じ込め型発振子においては、発振
周波数の温度変化は約+10〜50ppm/℃であり、
温度変化とともに大きく移動するスプリアスの周波数の
温度変化は約−100〜−300ppm/℃と変化量も
大きく、変化する方向も異なる。
For example, in an energy trapping type resonator of the third overtone mode of thickness longitudinal vibration, the temperature change of the oscillation frequency is about +10 to 50 ppm / ° C.
The temperature change of the spurious frequency that moves greatly with the temperature change is large at about -100 to -300 ppm / [deg.] C., and the direction of the change is also different.

【0013】そのため25℃の室温において共振周波数
Frと反共振周波数Faの間およびその近傍にスプリア
スが無くとも、発振子の温度を変化させるとスプリアス
が移動して発振周波数とスプリアスが交差する温度が存
在し、交差した温度においては移動してきたスプリアス
により移相に歪みが発生し移相条件を満足しなくなると
ともに、反共振インピーダンスRaが著しく小さくな
り、もしくは共振インピーダンスRoが著しく大きくな
ることでP/V値が著しく小さくなり発振が停止してし
まうという問題があった。
Therefore, at room temperature of 25 ° C., even if there is no spurious between and near the resonance frequency Fr and the antiresonance frequency Fa, when the temperature of the oscillator is changed, the spurious moves and the temperature at which the oscillation frequency and the spurious intersect is changed. At the crossing temperature, the phase shift is distorted due to the moved spurious, and the phase shift condition is not satisfied, and the anti-resonance impedance Ra is significantly reduced or the resonance impedance Ro is significantly increased, so that P / There is a problem that the V value becomes extremely small and oscillation stops.

【0014】そのため、圧電基板の形状は、温度変化に
伴い大きく移動するスプリアス振動を誘発しない大きさ
に制限されることになり、圧電基板の小型化ができない
という問題があった。
For this reason, the shape of the piezoelectric substrate is limited to a size that does not induce spurious vibrations that largely move with a change in temperature, and there is a problem that the size of the piezoelectric substrate cannot be reduced.

【0015】また、特開平8−148967号公報に開
示された方法においては、セラミックス、ガラス及び金
属から選ばれた少なくとも1つの粉末粒子を含有した有
機高分子を圧電共振子に塗布することで、25℃の室温
においてスプリアスが低減することを見いだしている。
Further, in the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-148767, an organic polymer containing at least one powder particle selected from ceramics, glass and metal is applied to a piezoelectric resonator. It has been found that at room temperature of 25 ° C. the spurious is reduced.

【0016】しかしながら、この公報に開示された方法
では、セラミックス、ガラス及び金属から選ばれる少な
くとも1つの粉末粒子を含有した有機高分子を部分的に
塗布し、部分的に質量負荷を加えることでスプリアスの
低減を図っていることから、圧電基板の形状や電極形状
に起因した温度変化によっても移動しないスプリアス振
動の抑制には効果的であるが、特に3次オーバートーン
モードを利用した圧電共振子において、塗布領域や塗布
厚みが薄い場合においては、端面反射に起因した温度変
化の大きなスプリアス振動を無くすことは困難であっ
た。
However, according to the method disclosed in this publication, an organic polymer containing at least one powder particle selected from ceramics, glass and metal is partially applied, and a spurious response is obtained by partially applying a mass load. Is effective in suppressing spurious vibrations that do not move due to temperature changes caused by the shape of the piezoelectric substrate and the shape of the electrodes, but it is particularly effective in piezoelectric resonators using the third-order overtone mode. In the case where the coating area or the coating thickness is small, it has been difficult to eliminate spurious vibration having a large temperature change due to the end face reflection.

【0017】さらに、粉末粒子を含有させた有機高分子
を塗布することにより、P/V値が著しく低下するとい
う問題があり、充分に大きなP/V値を有し、かつ温度
変化に伴って移動するスプリアスの発生を抑制すること
は困難であった。
Further, the application of an organic polymer containing powder particles has a problem that the P / V value is remarkably reduced, and has a sufficiently large P / V value. It has been difficult to suppress the generation of moving spurious.

【0018】本発明は、かかる従来の問題に鑑み、圧電
基板の形状寸法、特に幅方向の寸法を小さくして小型化
を図ると共に、温度変化に伴って移動するスプリアスの
発生を抑制でき、充分に大きなP/V値を有し、小型で
且つ広い温度範囲で安定した発振が得られる圧電発振子
を提供することを目的とする。
In view of such a conventional problem, the present invention can reduce the size and size of the piezoelectric substrate, particularly the size in the width direction, to reduce the size, and can suppress the generation of spurious components that move with temperature changes. It is an object of the present invention to provide a piezoelectric oscillator having a large P / V value, and capable of obtaining a small-sized and stable oscillation in a wide temperature range.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明の圧電発振子は、
[請求項1]圧電基板と、該圧電基板の長方形状両主面
の中央部に形成された一対の対向する振動電極と、該振
動電極に電気的に接続され、かつ前記圧電基板の長手方
向の対向する側面方向にそれぞれ引き出された引出電極
とを具備するとともに、一対の対向する前記振動電極に
より挟持された振動部にエネルギーが閉じ込められる圧
電発振子であって、前記圧電基板の短手方向の一方の側
面のみに、厚みが50〜200μmで、ヤング率が1×
106〜1×1010Paの有機高分子体を設けるととも
に、前記圧電基板の長手方向における前記振動電極の長
さをB1、前記圧電基板の長手方向における前記有機高
分子体の長さをLとした時、L/B1≧3を満足し、前
記圧電基板の長方形状主面の短辺の長さW 1 が1.5m
m以下である
According to the present invention, there is provided a piezoelectric oscillator comprising:
[Claim 1] A piezoelectric substrate, a pair of opposing vibration electrodes formed at the center of both rectangular main surfaces of the piezoelectric substrate, and a longitudinal direction of the piezoelectric substrate electrically connected to the vibration electrodes. And a lead-out electrode that is pulled out in the opposite side direction of the piezoelectric vibrator, wherein energy is confined in a vibrating part sandwiched between the pair of opposing vibrating electrodes. One side of
Only on the surface , the thickness is 50 to 200 μm and the Young's modulus is 1 ×
An organic polymer of 10 6 to 1 × 10 10 Pa is provided, the length of the vibrating electrode in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate is B 1 , and the length of the organic polymer in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate is B When L is satisfied, L / B 1 ≧ 3 is satisfied .
Serial length W 1 of the short sides of the rectangular main surface of the piezoelectric substrate is 1.5m
m or less .

【0020】ここで、圧電基板の長方形状主面の短辺の
長さをW1、前記圧電基板の短手方向における振動電極
の長さをB2とした時、0.2≦B2/W1≦0.9を満
足することが望ましい。
Here, when the length of the short side of the rectangular main surface of the piezoelectric substrate is W 1 and the length of the vibrating electrode in the short direction of the piezoelectric substrate is B 2 , 0.2 ≦ B 2 / It is desirable to satisfy W 1 ≦ 0.9.

【0021】[0021]

【作用】本発明の圧電発振子では、圧電基板の短手方向
の少なくとも一方の側面に、圧電基板の長手方向におけ
る振動電極の長さB1 に対して3倍以上の長さで、かつ
ヤング率が1×106 〜1×1010Paの有機高分子体
を設けたので、温度変化に伴い大きく移動するスプリア
スの発生を無くすことができる。
[Action] In the piezoelectric oscillator of the present invention, on at least one side surface in the short direction of the piezoelectric substrate, a length of 3 times or more in length with respect to B 1 of the vibrating electrode in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate, and Young Since the organic polymer having a ratio of 1 × 10 6 to 1 × 10 10 Pa is provided, it is possible to eliminate the generation of spurious components which largely move with a change in temperature.

【0022】即ち、振動電極に交流電界を印加して励振
させると、振動電極により挟持された振動部で発生した
振動が完全には閉じ込められないため、振動の一部が非
振動部に伝搬する。
That is, when an AC electric field is applied to the vibrating electrode to excite it, the vibration generated in the vibrating portion sandwiched between the vibrating electrodes is not completely confined, and a part of the vibration propagates to the non-vibrating portion. .

【0023】そして、圧電基板の小型化に伴い非振動部
の領域を小さくすると、伝搬してきた振動は減衰するこ
となく圧電基板の端面に到達するが、この伝搬してきた
振動は、圧電基板の短手方向の側面に設けた有機高分子
体により吸収されるため振動の反射が無くなり、温度変
化に伴い大きく移動するスプリアスの発生を無くすこと
ができる。
If the area of the non-vibrating portion is reduced along with the miniaturization of the piezoelectric substrate, the propagated vibration reaches the end face of the piezoelectric substrate without being attenuated. Since it is absorbed by the organic polymer provided on the side surface in the hand direction, the reflection of vibration is eliminated, and the generation of spurious components that move significantly with a change in temperature can be eliminated.

【0024】また、本発明の圧電発振子では、圧電基板
の長方形状主面の短辺の長さをW1、圧電基板の短手方
向における振動電極の長さをB2 とした時、0.2≦B
2 /W1 ≦0.9を満足することにより、25℃の室温
においても、共振周波数と反共振周波数の間及びその近
傍にスプリアスが無く、P/V値を大きくすることがで
きる。
In the piezoelectric oscillator of the present invention, when the length of the short side of the rectangular main surface of the piezoelectric substrate is W 1 , and the length of the vibrating electrode in the short direction of the piezoelectric substrate is B 2 , 0 .2 ≦ B
By satisfying 2 / W 1 ≦ 0.9, even at room temperature of 25 ° C., there is no spurious between and near the resonance frequency and the anti-resonance frequency, and the P / V value can be increased.

【0025】さらに、有機高分子体の厚みを50〜20
0μmとすることにより、温度変化に伴って移動するス
プリアスの発生をさらに抑制できるとともに、P/V値
をさらに大きくすることができる。
Further, the thickness of the organic polymer is set to 50 to 20.
By setting the thickness to 0 μm, it is possible to further suppress the generation of spurious components that move with a change in temperature, and to further increase the P / V value.

【0026】従って、圧電基板の小型化を図った場合に
おいても、温度変化に伴って大きく移動するスプリアス
の発生を抑制できるとともに、共振周波数と反共振周波
数の間及びその近傍にスプリアスの発生を抑制し、さら
にP/V値を大きくできることから、小型で且つ広い温
度範囲で安定した発振特性を示すエネルギー閉じ込め型
圧電発振子が得られる。
Therefore, even when the size of the piezoelectric substrate is reduced, the generation of spurious components that largely move with temperature changes can be suppressed, and the generation of spurious components between and near the resonance frequency and the antiresonance frequency is suppressed. Further, since the P / V value can be further increased, an energy-trap type piezoelectric resonator which is small and exhibits stable oscillation characteristics over a wide temperature range can be obtained.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】本発明の圧電発振子は、図1、図
2に示すように、長方形形状の主面を有する圧電基板1
と、該圧電基板1の長方形状両主面の中央部に形成され
た一対の対向する振動電極2、3と、該振動電極2、3
にそれぞれ電気的に接続された引出電極4、5とを具備
して構成されている。引出電極4、5は、圧電基板1の
長手方向の対向する側面方向(圧電基板1の短辺に向け
て)にそれぞれ引き出されている。一対の対向する振動
電極2、3により挟持された部分が振動部7、それ以外
の部分が非振動部8とされ、振動部7にエネルギーが閉
じ込められることになる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As shown in FIGS. 1 and 2, a piezoelectric oscillator according to the present invention has a piezoelectric substrate 1 having a rectangular main surface.
A pair of opposed vibrating electrodes 2 and 3 formed at the center of both rectangular main surfaces of the piezoelectric substrate 1;
And extraction electrodes 4 and 5 electrically connected to each other. The extraction electrodes 4 and 5 are extracted in the longitudinally opposed side surfaces of the piezoelectric substrate 1 (toward the short sides of the piezoelectric substrate 1). The portion sandwiched between the pair of opposing vibrating electrodes 2 and 3 is the vibrating portion 7, and the other portion is the non-vibrating portion 8, and energy is confined in the vibrating portion 7.

【0028】そして、本発明の圧電共振子では、圧電基
板1の短手方向の一方の側面(長辺側の一方の側面)
に、ヤング率が1×106 〜1×1010Paの有機高分
子体9が設けられている。この有機高分子体9の長さL
は、圧電基板1の長手方向の振動電極の長さB1 に対し
て3倍以上とされている。
In the piezoelectric resonator of the present invention, one side surface in the short direction of the piezoelectric substrate 1 (one side surface on the long side)
In addition, an organic polymer 9 having a Young's modulus of 1 × 10 6 to 1 × 10 10 Pa is provided. The length L of the organic polymer 9
Is at least three times the length B 1 of the vibration electrode in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate 1.

【0029】つまり、圧電基板1の長手方向(長辺方
向)における振動電極2、3の長さをB1 、圧電基板1
の長手方向における有機高分子体9の長さをLとした
時、L/B1 ≧3を満足するのである。この有機高分子
体9は、振動部7に最も近い側面に形成することが望ま
しく、その形成長さLも振動をより吸収するため広い方
が望ましい。長辺側の側面全体に亘って形成すること
が、より振動を吸収する点から望ましい。
That is, the length of the vibrating electrodes 2 and 3 in the longitudinal direction (long side direction) of the piezoelectric substrate 1 is B 1 ,
When the length of the organic polymer 9 in the longitudinal direction is L, L / B 1 ≧ 3 is satisfied. The organic polymer 9 is desirably formed on the side surface closest to the vibrating portion 7, and the formed length L is desirably wide so as to absorb vibration more. It is desirable to form over the entire long side surface from the viewpoint of absorbing vibration more.

【0030】振動電極2、3とは、圧電基板1の両主面
に形成された電極が重畳する部分を言い、また、振動電
極の長さB1 は振動部7の幅と一致することになる。
The vibrating electrodes 2 and 3 are portions where the electrodes formed on both main surfaces of the piezoelectric substrate 1 overlap, and the length B 1 of the vibrating electrode coincides with the width of the vibrating portion 7. Become.

【0031】有機高分子体9の長さLを、圧電基板1の
長手方向の振動電極の長さB1 に対して3倍以上とした
のは、振動部7で発生した振動の一部は等方的に圧電基
板1を伝搬するため、有機高分子体9の形成長Lが振動
電極の長さB1 に対して3倍よりも短い場合には、有機
高分子体9の形成されていない部分で反射が生じ、温度
変化に伴い大きく移動するスプリアスを無くすことがで
きないからである。
The reason that the length L of the organic polymer 9 is set to be three times or more the length B 1 of the vibrating electrode in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate 1 is that a part of the vibration generated in the vibrating portion 7 is Since the length L of the organic polymer 9 is shorter than three times the length B 1 of the vibrating electrode, the organic polymer 9 is formed because the organic polymer 9 is isotropically propagated through the piezoelectric substrate 1. This is because reflection occurs at the non-existing portion, and spurious components that largely move with a change in temperature cannot be eliminated.

【0032】また、有機高分子体9のヤング率を1×1
6 〜1×1010Paの範囲にした理由は、有機高分子
体9のヤング率が1×106 Pa未満の場合には、有機
高分子体9が軟らかすぎて温度変化に伴って大きく移動
するスプリアスの発生抑制に対する効果は無く、1×1
10Paを超える場合には、圧電基板1の端面に到達し
た振動を吸収しきれずに一部の振動が反射をおこすた
め、温度変化に伴って大きく移動するスプリアスの発生
を完全に無くすことができないからである。
The Young's modulus of the organic polymer 9 is 1 × 1
0 6-1 reasons in the range of × 10 10 Pa, when the Young's modulus of the organic polymer material 9 is less than 1 × 10 6 Pa, the organic polymer material 9 is too soft increases with the temperature change No effect on suppressing generation of moving spurious, 1 × 1
If the pressure exceeds 0 10 Pa, the vibrations that have reached the end face of the piezoelectric substrate 1 cannot be completely absorbed, and some of the vibrations will be reflected. Because you can't.

【0033】有機高分子体9は、ヤング率が1×106
〜1×1010Paの範囲となるエポキシ系樹脂、シリコ
ン系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂等が用いら
れる。
The organic polymer 9 has a Young's modulus of 1 × 10 6.
An epoxy resin, a silicon resin, an acrylic resin, a urethane resin, or the like having a range of about 1 × 10 10 Pa is used.

【0034】さらに、有機高分子体9の厚みは50〜2
00μmであることが望ましい。これは、有機高分子体
9の厚みが50μm未満の場合には、圧電基板1の端面
に到達した振動を吸収しきれず、特に温度変化に伴って
移動するスプリアスを発生し易くなるからであり、逆
に、200μmを越える場合にはP/V値が小さくなる
傾向があるからである。この有機高分子体9の厚みは、
上記した理由から100〜150μmであることが望ま
しい。
Further, the thickness of the organic polymer 9 is 50 to 2
Desirably, it is 00 μm. This is because, when the thickness of the organic polymer 9 is less than 50 μm, the vibration reaching the end face of the piezoelectric substrate 1 cannot be completely absorbed, and spurious components that move with a temperature change are easily generated. Conversely, if it exceeds 200 μm, the P / V value tends to decrease. The thickness of the organic polymer 9 is
For the above-mentioned reason, it is desirable that the thickness be 100 to 150 μm.

【0035】さらに、本発明の圧電共振子では、圧電基
板1の長方形状主面の短辺の長さをW1 、圧電基板1の
短手方向(長辺に沿った)における振動電極2、3の長
さをB2 とした時、0.2≦B2 /W1 ≦0.9を満足
することが望ましい。
Further, in the piezoelectric resonator of the present invention, the length of the short side of the rectangular main surface of the piezoelectric substrate 1 is W 1 , the vibration electrode 2 in the short direction of the piezoelectric substrate 1 (along the long side), when the third length was B 2, it is desirable to satisfy 0.2 ≦ B 2 / W 1 ≦ 0.9.

【0036】短辺の長さW1 に対する短辺方向の振動電
極の長さB2 の比を0.2≦B2 /W1 ≦0.9の範囲
としたのは、0.9より大きいか、もしくは0.2未満
の場合、25℃の室温においても、共振周波数と反共振
周波数の間及びその近傍にスプリアスが発生し、P/V
値が著しく小さくなるからである。
The ratio of the length B 2 of the vibrating electrode in the short side direction to the length W 1 of the short side in the range of 0.2 ≦ B 2 / W 1 ≦ 0.9 is larger than 0.9. Or less than 0.2, spurs occur between and near the resonance frequency and the antiresonance frequency even at room temperature of 25 ° C., and P / V
This is because the value is significantly reduced.

【0037】また、圧電基板1の長方形状主面の短辺の
長さW1、小型化を達成するため1.5mm以下とさ
れている。
The length W 1 of the short side of the rectangular main surface of the piezoelectric substrate 1 is 1.5 mm or less in order to achieve miniaturization.
Have been.

【0038】圧電基板1は、例えば、圧電セラミック基
板であり、具体的には、チタン酸鉛(PT)を主成分と
するもので、チタン酸鉛PbTiO3 のPbの一部を少
なくともLaにより置換するとともに、Tiの一部を少
なくともMnにより置換した、主成分がABO3 型ペロ
ブスカイト型複合酸化物であって、Bサイト構成元素1
モルに対するPbのモル数をa、Aサイト構成元素のう
ちPb以外の元素の総モル数をbとしたとき、a/(1
−b)で表される値(p)が0.92〜0.99であ
り、且つPbの一部をSr、BaおよびCaのうち少な
くとも1種で置換するとともに、Tiの一部を(Fe
1/3 Sb2/3 )、(Co1/3 Sb2/3 )、(Y1/2 Sb
1/2 )、(Yb1/2 Sb1/2 )、(In1/2 Sb1/2
および(Mg1/3 Sb2/3 )のうち少なくとも1種で置
換したもの等で形成される。
The piezoelectric substrate 1 is, for example, a piezoelectric ceramic substrate. Specifically, the piezoelectric substrate 1 is mainly composed of lead titanate (PT), and at least a part of Pb of lead titanate PbTiO 3 is replaced by La. And a main component is an ABO 3 -type perovskite-type composite oxide in which at least a part of Ti is replaced by Mn, and a B-site constituent element 1
When the number of moles of Pb to the mole is a and the total number of moles of elements other than Pb among the A-site constituent elements is b, a / (1
-B) is 0.92 to 0.99, a part of Pb is replaced by at least one of Sr, Ba and Ca, and a part of Ti is (Fe
1/3 Sb 2/3 ), (Co 1/3 Sb 2/3 ), (Y 1/2 Sb
1/2 ), (Yb 1/2 Sb 1/2 ), (In 1/2 Sb 1/2 )
And (Mg 1/3 Sb 2/3 ) substituted with at least one of them.

【0039】振動電極2、3、引出電極4、5は、例え
ば、Cr、Ag、Cu、Pt、Ni、Au等の金属を単
独で蒸着、もしくは組み合わせをして順次積層したり、
蒸着あるいはスパッタすることにより形成されている。
The vibrating electrodes 2 and 3 and the extraction electrodes 4 and 5 are formed by depositing a metal such as Cr, Ag, Cu, Pt, Ni, Au or the like individually or by sequentially combining them,
It is formed by vapor deposition or sputtering.

【0040】以上のように構成された圧電共振子では、
圧電基板1の側面に、圧電基板1の長手方向における振
動電極の長さB1 に対して3倍以上の長さで、ヤング率
が1×106 〜1×1010Paの有機高分子体9を設け
たので、温度変化に伴い大きく移動するスプリアスの発
生を無くすことができる。また、従来の圧電共振子と比
較して、有機高分子中に粉末粒子を含有しないため、P
/V値を著しく向上できる。
In the piezoelectric resonator configured as described above,
An organic polymer having a Young's modulus of 1 × 10 6 to 1 × 10 10 Pa on the side surface of the piezoelectric substrate 1 and having a length of at least three times the length B 1 of the vibrating electrode in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate 1. Since the number 9 is provided, it is possible to eliminate the occurrence of spurious components that move largely with a change in temperature. Further, compared to the conventional piezoelectric resonator, since the organic polymer does not contain powder particles,
/ V value can be significantly improved.

【0041】さらに、圧電基板1の長方形状主面の短辺
の長さW1 に対する、短手方向の振動電極の長さB2
比を0.2≦B2 /W1 ≦0.9とすることにより、2
5℃の室温においても、共振周波数と反共振周波数の間
及びその近傍にスプリアスが無く、P/V値を大きくす
ることができる。
Further, the ratio of the length B 2 of the vibrating electrode in the short direction to the length W 1 of the short side of the rectangular main surface of the piezoelectric substrate 1 is set to 0.2 ≦ B 2 / W 1 ≦ 0.9. By doing, 2
Even at a room temperature of 5 ° C., there is no spurious between and near the resonance frequency and the anti-resonance frequency, and the P / V value can be increased.

【0042】また、有機高分子体9の厚みを50〜20
0μmとすることにより、温度変化に伴って移動するス
プリアスの発生をさらに抑制できるとともに、P/V値
をさらに大きくすることができる。
The thickness of the organic polymer 9 is set to 50 to 20.
By setting the thickness to 0 μm, it is possible to further suppress the generation of spurious components that move with a change in temperature, and to further increase the P / V value.

【0043】尚、上記例では、圧電基板1の側面に形成
される有機高分子体9を楕円形状としたが、本発明で
は、有機高分子体9の形状は特に限定されるものではな
い。
In the above example, the organic polymer 9 formed on the side surface of the piezoelectric substrate 1 has an elliptical shape. However, in the present invention, the shape of the organic polymer 9 is not particularly limited.

【0044】[0044]

【実施例】先ず、圧電基板1の寸法が(長辺3.0〜
2.0mm、短辺W1 1.52〜0.5mm、厚み0.
22mm)であり、(Pb0.850.97La0.1 Sr0.05
(Fe1/3 Sb2/3 0.02Mn0.02Ti0.963 からな
る圧電基板1を作製した。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, the dimensions of the piezoelectric substrate 1 are set to (long sides 3.0 to 3.0).
2.0 mm, the short side W 1 1.52~0.5mm, thickness 0.
(Pb 0.85 ) 0.97 La 0.1 Sr 0.05
A piezoelectric substrate 1 made of (Fe 1/3 Sb 2/3 ) 0.02 Mn 0.02 Ti 0.96 O 3 was produced.

【0045】圧電基板1の両主面にはCr、Agを順次
蒸着し、80℃の温度でDC2kvで30分間の分極を
施した。その後、振動電極2、3と電気的に接続された
引出電極4、5とを同時に形成するための電極の寸法を
変え、電極に相当する矩形状となる部位にレジストを印
刷し、非振動部8に相当する部位の電極をエッチングで
除去した後、レジストを除去して33.86MHz発振
周波数に相当する厚み縦振動の3次オーバートーンを用
いたエネルギー閉じ込め型セラミック発振子を得た。
Cr and Ag were sequentially deposited on both main surfaces of the piezoelectric substrate 1 and polarized at a temperature of 80 ° C. and 2 kV DC for 30 minutes. After that, the dimensions of the electrodes for simultaneously forming the extraction electrodes 4 and 5 electrically connected to the vibration electrodes 2 and 3 are changed, and a resist is printed on a rectangular portion corresponding to the electrodes, and the non-vibration portion is printed. After removing the electrode at the portion corresponding to No. 8 by etching, the resist was removed to obtain an energy confined ceramic resonator using a third overtone of thickness longitudinal vibration corresponding to an oscillation frequency of 33.86 MHz.

【0046】さらに、圧電基板1の側面に、表1に示し
たヤング率を有するエポキシ系樹脂を、表1に示す長さ
L、厚みtで塗布し、有機高分子体9を形成し、図1に
示したような圧電共振子を作製した。
Further, an epoxy resin having a Young's modulus shown in Table 1 is applied to the side surface of the piezoelectric substrate 1 with a length L and a thickness t shown in Table 1 to form an organic polymer 9. A piezoelectric resonator as shown in FIG.

【0047】圧電基板1の長手方向の長さの振動電極の
長さB1 に対する、有機高分子体9の圧電基板1の長手
方向の長さLの比(L/B1 )、圧電基板1の長方形状
主面の短辺の長さW1 、かつ短辺の長さW1 に対する短
手方向の振動電極の長さB2の比(B2 /W1 )、有機
高分子体9の厚みをtとし、これらを表1に示したよう
に変化させた。
The ratio (L / B 1 ) of the length L of the organic polymer 9 in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate 1 to the length B 1 of the vibrating electrode in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate 1, rectangular main surface short side of length W 1, and the ratio of the length of B 2 in the widthwise direction of the vibrating electrode to the length W 1 of the short side of (B 2 / W 1), the organic polymer material 9 The thickness was set to t, and these were changed as shown in Table 1.

【0048】圧電発振子の特性は、25℃におけるイン
ピーダンス特性によりスプリアスの有無を確認するとと
もに、−40℃から+150℃まで温度を変化させ、イ
ンピーダンス特性と発振特性の2項目の評価を行った。
インピーダンス特性は、インピーダンスアナライザによ
り、厚み縦振動の3次オーバートーンのインピーダンス
波形(反共振インピーダンスRaと共振インピーダンス
Ro)、及び移相の測定を行った。発振特性は、図3に
示したインバータ発振回路を用いて発振周波数を測定し
た。これらの結果を表1に記載した。P/V値はP/V
=20×Log(Ra/Ro)の式により算出した。
尚、試料No.6、8は参考試料を示す。
Regarding the characteristics of the piezoelectric oscillator, the presence or absence of spurious was confirmed by impedance characteristics at 25 ° C., and the temperature was changed from −40 ° C. to + 150 ° C., and two items of impedance characteristics and oscillation characteristics were evaluated.
As the impedance characteristics, the impedance waveform (anti-resonance impedance Ra and resonance impedance Ro) of the third overtone of thickness longitudinal vibration and phase shift were measured by an impedance analyzer. For the oscillation characteristics, the oscillation frequency was measured using the inverter oscillation circuit shown in FIG. Table 1 shows the results. P / V value is P / V
= 20 x Log (Ra / Ro).
In addition, sample No. Reference numerals 6 and 8 indicate reference samples.

【0049】[0049]

【表1】 [Table 1]

【0050】この表1から、本発明の圧電発振子では、
P/V値を55以上と高く、25℃(室温)におけるス
プリアスは勿論のこと、−40℃から+150℃までの
温度変化によっても、共振周波数Frと反共振周波数F
aの間およびその近傍にスプリアスが無く、移動するリ
ップルの発生及び発振停止は認められなかった。試料N
o.3のエネルギー閉じ込め型発振子の25℃と115℃
でのインピーダンス特性を図3に示す。
From Table 1, it can be seen that in the piezoelectric oscillator of the present invention,
The P / V value is as high as 55 or more, and the resonance frequency Fr and the anti-resonance frequency F are not only affected by spuriousness at 25 ° C. (room temperature) but also by temperature change from −40 ° C. to + 150 ° C.
There was no spurious during and near a, and no generation of moving ripple and no oscillation stop were observed. Sample N
25 ° C and 115 ° C of energy confinement type oscillator of o.3
FIG. 3 shows the impedance characteristics at.

【0051】一方、ヤング率が小さい試料No.11で
は、軟らかすぎるため温度変化に伴って移動するスプリ
アスの抑制に対する効果は無く、ヤング率が1×1010
Paを超える試料No.16では、圧電基板の端面に到達
した振動を吸収しきれずに一部の振動が反射をおこし、
温度変化に伴い移動するスプリアスが発生した。
On the other hand, the sample No. 11 having a small Young's modulus is too soft and has no effect on suppressing the spurious movement due to the temperature change, and the Young's modulus is 1 × 10 10
In sample No. 16 exceeding Pa, some vibrations were reflected without being able to absorb the vibrations that reached the end face of the piezoelectric substrate,
Spurious that moves with the temperature change occurred.

【0052】さらに、試料No.21では、有機高分子体
を形成しなかった場合であるが、25℃においてスプリ
アスが発生し、さらに、25℃から114℃に上昇させ
ると高い周波数側から移動してきたリップルが反共振周
波数に重畳し、位相歪みとP/V値の減少を起こし発振
が停止した。このときの25℃と115℃でのインピー
ダンス特性を図4に示す。
Further, in Sample No. 21, where no organic polymer was formed, spurious was generated at 25 ° C., and when the temperature was increased from 25 ° C. to 114 ° C., the sample moved from the higher frequency side. The ripple was superimposed on the anti-resonance frequency, causing phase distortion and a decrease in the P / V value, and the oscillation was stopped. FIG. 4 shows the impedance characteristics at 25 ° C. and 115 ° C. at this time.

【0053】また、試料No.22は、エポキシ系樹脂に
Al2 3 粒子を添加したものを塗布したもので、この
場合にはP/V値が低く、温度変化に伴って移動するス
プリアスが発生した。
Sample No. 22 was obtained by applying a coating obtained by adding Al 2 O 3 particles to an epoxy resin. In this case, the P / V value was low, and spurious components that moved with a temperature change were generated. Occurred.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の圧電発振
子では、圧電基板の短手方向の少なくとも一方の側面
に、圧電基板の長手方向の振動電極の長さB1 に対して
3倍以上の長さで、ヤング率が1×106 〜1×1010
Paの有機高分子体を設けたので、温度変化に伴い大き
く移動するスプリアスの発生を無くすことができる。
As described in detail above, in the piezoelectric oscillator of the present invention, on at least one side in the short direction of the piezoelectric substrate, in the longitudinal direction of the vibrating electrode of the piezoelectric substrate with respect to the length B 1 3 More than double length, Young's modulus is 1 × 10 6 to 1 × 10 10
Since the organic polymer of Pa is provided, it is possible to eliminate the occurrence of spurious components that largely move with a change in temperature.

【0055】また、圧電基板の短辺の長さW1 に対する
短手方向の振動電極の長さB2 の比を0.9≧B2 /W
1 ≧0.2とすることにより、25℃の室温において
も、共振周波数と反共振周波数の間及びその近傍にスプ
リアスが無く、P/V値を大きくすることができる。
The ratio of the length B 2 of the vibrating electrode in the short direction to the length W 1 of the short side of the piezoelectric substrate is set to 0.9 ≧ B 2 / W
By setting 1 ≧ 0.2, even at a room temperature of 25 ° C., there is no spurious between and near the resonance frequency and the antiresonance frequency, and the P / V value can be increased.

【0056】さらに、有機高分子体の厚みを50〜20
0μmとすることにより、温度変化に伴って移動するス
プリアスの発生をさらに抑制できるとともに、P/V値
をさらに大きくすることができる。
Further, the thickness of the organic polymer is set to 50 to 20.
By setting the thickness to 0 μm, it is possible to further suppress the generation of spurious components that move with a change in temperature, and to further increase the P / V value.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の圧電発振子を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a piezoelectric oscillator of the present invention.

【図2】図1の側面図である。FIG. 2 is a side view of FIG.

【図3】コルピッツ型の発振回路を示した概略図であ
る。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a Colpitts type oscillation circuit.

【図4】試料No.3の圧電発振子の+25℃と+115
℃のインピーダンス特性である。
FIG. 4 shows the piezoelectric oscillator of Sample No. 3 at + 25 ° C. and +115.
It is the impedance characteristic of ° C.

【図5】試料No.21の圧電発振子の+25℃と+11
5℃のインピーダンス特性である。
FIG. 5 shows + 25 ° C. and +11 of the piezoelectric oscillator of Sample No. 21.
This is an impedance characteristic at 5 ° C.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・圧電基板 2、3・・・振動電極 4、5・・・引出電極 7・・・振動部 8・・・非振動部 9・・・有機高分子体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Piezoelectric substrate 2, 3 ... Vibration electrode 4, 5 ... Extraction electrode 7 ... Vibration part 8 ... Non-vibration part 9 ... Organic polymer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−3612(JP,A) 特開 平8−148967(JP,A) 特開 平3−123214(JP,A) 特開 昭50−104886(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03H 9/17 H03H 9/02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-4-3612 (JP, A) JP-A-8-1448967 (JP, A) JP-A-3-123214 (JP, A) JP-A-50- 104886 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H03H 9/17 H03H 9/02

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】圧電基板と、該圧電基板の長方形状両主面
の中央部に形成された一対の対向する振動電極と、該振
動電極に電気的に接続され、かつ前記圧電基板の長手方
向の対向する側面方向にそれぞれ引き出された引出電極
とを具備するとともに、一対の対向する前記振動電極に
より挟持された振動部にエネルギーが閉じ込められる圧
電発振子であって、前記圧電基板の短手方向の一方の側
面のみに、厚みが50〜200μmで、ヤング率が1×
106〜1×1010Paの有機高分子体を設けるととも
に、前記圧電基板の長手方向における前記振動電極の長
さをB1、前記圧電基板の長手方向における前記有機高
分子体の長さをLとした時、L/B1≧3を満足し、前
記圧電基板の長方形状主面の短辺の長さW 1 が1.5m
m以下であることを特徴とする圧電発振子。
1. A piezoelectric substrate, a pair of opposing vibration electrodes formed in the center of both rectangular main surfaces of the piezoelectric substrate, and electrically connected to the vibration electrodes and in a longitudinal direction of the piezoelectric substrate. And a lead-out electrode that is pulled out in the opposite side direction of the piezoelectric vibrator, wherein energy is confined in a vibrating part sandwiched between the pair of opposing vibrating electrodes. One side of
Only on the surface , the thickness is 50 to 200 μm and the Young's modulus is 1 ×
An organic polymer of 10 6 to 1 × 10 10 Pa is provided, the length of the vibrating electrode in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate is B 1 , and the length of the organic polymer in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate is B When L is satisfied, L / B 1 ≧ 3 is satisfied .
Serial length W 1 of the short sides of the rectangular main surface of the piezoelectric substrate is 1.5m
m or less .
【請求項2】圧電基板の長方形状主面の短辺の長さをW
1、前記圧電基板の短手方向における振動電極の長さを
2とした時、0.2≦B2/W1≦0.9を満足するこ
とを特徴とする請求項1記載の圧電発振子。
2. The length of the short side of the rectangular main surface of the piezoelectric substrate is W
1, wherein when the length of the vibrating electrode in the lateral direction of the piezoelectric substrate was B 2, the piezoelectric oscillator according to claim 1, characterized by satisfying the 0.2 ≦ B 2 / W 1 ≦ 0.9 Child.
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